JP6527323B2 - フラックスシート、フラックス、ヒューズエレメント、ヒューズ素子、保護素子、短絡素子及び切替素子 - Google Patents
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Description
比重が上記第1及び第2の可溶導体の比重以下である絶縁体にフラックスを含浸させたフラックスシートとを有し、上記第1及び第2の可溶導体上及び/又は上記第1及び第2の可溶導体下に上記フラックスシートを搭載し、上記第2の発熱体の通電発熱により上記第2の可溶導体を溶断させ、上記第2及び第5の電極間を遮断し、上記第1の発熱体の通電発熱により上記第1の可溶導体を溶断させ、上記第1及び第2の電極間を短絡するものである。
先ず、本発明が適用されたヒューズエレメントについて説明する。本発明が適用されたヒューズエレメント1は、後述するヒューズ素子、保護素子、短絡素子及び切替素子にも用いられ、定格を超える電流が通電することによって自己発熱(ジュール熱)により溶断し、あるいは発熱体の発熱により溶断されるものである。ヒューズエレメント1は、鉛を主成分とする高融点ハンダや融点の異なる3層以上の金属層が積層されたものである。例えば融点の異なる3層以上の金属積層体の場合、図1(A),図1(B),図1(C)に示すように、高融点金属層2と、高融点金属層2よりも融点の低い低融点金属層3と、フラックスシート5とを有し、例えば、図2に示すように、略矩形板状に形成されている。高融点金属層2と、低融点金属層3とは、可溶導体6を構成する。
高融点金属層2は、例えば、Ag、Cu又はAg若しくはCuを主成分とする合金が好適に用いられ、ヒューズエレメント1をリフロー炉によって絶縁基板上に実装を行う場合においても溶融しない高い融点を有する。
ヒューズエレメント1は、可溶導体6の高融点金属層2又は低融点金属層3の酸化防止と、溶断時の酸化物除去及びハンダの流動性向上のために、図2に示すように、可溶導体6の最外層の全面にわたってフラックスシート5を搭載している。
また、フラックスシート5と略同様の効果を得るために、シート状の支持体8に流動体又は半流動体のフラックス7を含浸させずに、流動体又は半流動体のフラックス7に針状又は短繊維の絶縁体片10を混練して含有させた、絶縁体片含有フラックス9を可溶導体6上及び/又は可溶導体6下に塗布するようにしてもよい。
ヒューズエレメント1は、一対の高融点金属層2の間に設けられる内層を低融点金属層3とし、外層を高融点金属層2とすることにより、ヒューズ素子等の各素子が組み込まれた電気系統に異常に高い電圧が瞬間的に印加されるサージへの耐性(耐パルス性)を向上することができる。すなわち、ヒューズエレメント1は、可溶導体6が例えば100Aの電流が数msec流れたような場合にまで溶断してはならない。この点、極短時間に流れる大電流は導体の表層を流れることから(表皮効果)、ヒューズエレメント1は、可溶導体6の外層として抵抗値の低いAgメッキ等の高融点金属層2が設けられているため、サージによって印加された電流を流しやすく、自己発熱による溶断を防止することができる。したがって、ヒューズエレメント1は、従来のハンダ合金からなるヒューズに比して、大幅にサージに対する耐性を向上させることができる。
ヒューズエレメント1は、低融点金属層3の表面に高融点金属2をメッキ技術を用いて成膜して可溶導体6を形成し、可溶導体6上及び/又は可溶導体6下にフラックスシート5を搭載することにより製造できる。
本発明が適用されたヒューズ素子80は、図7(A)に示すように、絶縁基板81と、絶縁基板81に設けられた第1の電極82及び第2の電極83と、第1及び第2の電極82,83間にわたって実装され、定格を超える電流が通電することによって自己発熱により溶断し、第1の電極82と第2の電極83との間の電流経路を遮断するヒューズエレメント1と、絶縁基板81上でヒューズエレメント1をカバーするカバー部材89とを備える。ヒューズエレメント1は、可溶導体6と可溶導体6上及び/又は可溶導体6下に搭載されたフラックスシート5から構成される。
可溶導体6については、上述したヒューズエレメント1で説明したものと略同等のものを用いるため、説明及び層構造について図示を省略している。以下の全ての実施の形態においても同様とする。
ヒューズ素子80は、高融点金属層2又は低融点金属層3の酸化防止と、溶断時の酸化物除去及びハンダの流動性向上のために、図7(A)に示すように、可溶導体6上の最外層の全面にわたるフラックスシート5を搭載している。なお、フラックスシート5については、上述したヒューズエレメント1で説明したものと略同等のものを用いるため、説明及び内部構造について図示を省略している。また、フラックスシート5を可溶導体6下に搭載することは、図7(B)に示すように、上述したヒューズエレメント1にて説明した場合と適用可能であるが、可溶導体6上にフラックスシート5を搭載する例についてのみ説明を行い、詳細な図示及び説明を省略する。以下の全ての実施の形態においても同様とする。
ヒューズ素子80は、ヒューズエレメント1が設けられた絶縁基板81の表面81a上に、内部を保護するとともに溶融したヒューズエレメント1の飛散を防止するカバー部材89が取り付けられている。
次いで、ヒューズ素子80の実装状態について説明する。ヒューズ素子80は、図7に示すように、可溶導体6が、絶縁基板81の表面81aから離間して実装されている。
このようなヒューズ素子80は、図10(A)に示す回路構成を有する。ヒューズ素子80は、第1、第2の外部接続電極82a,83aを介して外部回路に実装されることにより、当該外部回路の電流経路上に組み込まれる。ヒューズ素子80は、可溶導体6に所定の定格電流が流れている間は、自己発熱によっても溶断することがない。そして、ヒューズ素子80は、定格を超える過電流が通電すると可溶導体6が自己発熱によって溶断し、第1、第2の電極82,83間を遮断することにより、当該外部回路の電流経路を遮断する(図10(B))。
ヒューズ素子80の製造方法は、上述で説明したヒューズエレメント1に関する製造方法を用いることができる。従って、ヒューズエレメント1に関する製造方法の説明は割愛する。
次に、ヒューズ素子80の変形例1を説明する。ヒューズ素子80は、図11(A)に示すように、フラックスシート5を、フラックスシート85aに置換したものを用いるようにしてもよい。図11(A)に示すヒューズ素子80は、フラックスシート85a以外の部分については、特に変更はないものとする。
次に、ヒューズ素子80の変形例を説明する。ヒューズ素子80は、図12(A)に示すように、フラックスシート5を、絶縁体片含有フラックス85bに置換したものを用いるようにしてもよい。図12(A)に示すヒューズ素子80は、絶縁体片含有フラックス85b以外の部分については、特に変更はないものとする。
次いで、ヒューズエレメント1を用いた保護素子について説明する。なお、以下の説明において、上述したヒューズエレメント1及びヒューズ素子80と同様の部材については同じ符号を付してその詳細を省略する。
また、保護素子90は、高融点金属層2又は低融点金属層3の酸化防止と、溶断時の酸化物除去及びハンダの流動性向上のために、図14(A)に示すように、可溶導体6上の最外層の全面にフラックスシート5を搭載している。フラックスシート5は、流動体又は半流動体のフラックス7をシート状の支持体8に含浸、保持させたものであり、例えば不織布やメッシュ状の生地にフラックス7を含浸させたものである。
ヒューズ素子90は、ヒューズエレメント1が設けられた絶縁基板91の表面91a上に、内部を保護するとともに溶融したヒューズエレメント1の飛散を防止するカバー部材97が取り付けられている。
次いで、ヒューズエレメント1の実装状態について説明する。ヒューズ素子90は、図13(A)及び図15に示すように、可溶導体6が、絶縁基板91の表面91aから離間して実装されている。
本発明が適用された保護素子90は、図14(B)に示すような回路構成を有する。すなわち、保護素子90は、発熱体引出電極96を介して第1、第2の外部接続端子94a,95a間にわたって直列接続された可溶導体6と、可溶導体6の接続点となる発熱体引出電極96を介して通電して発熱させることによって可溶導体6を溶融する発熱体93とからなる回路構成である。そして、保護素子90は、第1、第2の電極94,95及び発熱体電極99が、それぞれ第1、第2の外部接続端子94a,95a及び発熱体給電端子99aが外部回路基板に接続される。これにより、保護素子90は、ヒューズエレメント1の可溶導体6が第1、第2の電極94,95を介して外部回路の電流経路上に直列接続され、発熱体93が発熱体電極99を介して外部回路に設けられた電流制御素子と接続される。
保護素子90の製造方法は、上述で説明したヒューズエレメント1に関する製造方法及びヒューズ素子80に関する製造方法を用いることができる。なお、以下では、保護素子90の製造方法として、ヒューズエレメント1を絶縁基板91上に搭載する部分のみを説明し、他の工程の詳細な説明は割愛する。
次に、保護素子90の変形例1を説明する。保護素子90は、図17(A)に示すように、フラックスシート5を、フラックスシート104aに置換したものを用いるようにしてもよい。図17(A)に示す保護素子90は、フラックスシート104a以外の部分については、特に変更はないものとする。
次に、保護素子90の変形例2を説明する。保護素子90は、図18(A)に示すように、フラックスシート5を、絶縁体片含有フラックス104bに置換したものを用いるようにしてもよい。図18(A)に示す保護素子90は、絶縁体片含有フラックス104b以外の部分については、特に変更はないものとする。
なお、保護素子90は、必ずしも、発熱体93を絶縁部材92によって被覆する必要はなく、発熱体93が絶縁基板91の内部に設置されてもよい。絶縁基板91の材料として熱伝導性に優れたものを用いることにより、発熱体93をガラス層等の絶縁部材92を介した場合と同等に加熱することができる。
また、保護素子90は、上述したように発熱体93を絶縁基板91の表面91a側に形成する他にも、発熱体93が絶縁基板91の裏面91b側に設置されてもよい。発熱体93を絶縁基板91の裏面91bに形成することにより、絶縁基板91内に形成するよりも簡易な工程で形成することができる。なお、この場合、発熱体93上には、絶縁部材92が形成されると抵抗体の保護や実装時の絶縁性確保と言う意味で好ましい。
次いで、ヒューズエレメント1を用いた短絡素子について説明する。図19に、短絡素子110の平面図を示し、図20(A)に、短絡素子110の断面図を示す。短絡素子110は、絶縁基板111と、絶縁基板111に設けられた発熱体112と、絶縁基板111に、互いに隣接して設けられた第1の電極113及び第2の電極114と、第1の電極113と隣接して設けられるとともに、発熱体112に電気的に接続された第3の電極115と、第1、第3の電極113,115間にわたって設けられることにより電流経路構成し、発熱体112からの加熱により、第1、第3の電極113,115間の電流経路を溶断するとともに、溶融導体を介して第1、第2の電極113,114を短絡させるヒューズエレメント1と、絶縁基板91上でヒューズエレメント1をカバーするカバー部材116とを備える。ヒューズエレメント1は、可溶導体6と可溶導体6上及び/又は可溶導体6下に搭載されたフラックスシート5から構成される。なお、可溶導体6下に搭載されたフラックスシート5については、図20(B)に図示する。
また、短絡素子110は、高融点金属層2又は低融点金属層3の酸化防止と、溶断時の酸化物除去及びハンダの流動性向上のために、図19に示すように、可溶導体6上の最外層の全面にフラックスシート5を搭載している。フラックスシート5は、流動体又は半流動体のフラックス7をシート状の支持体8に含浸、保持させたものであり、例えば不織布やメッシュ状の生地にフラックス7を含浸させたものである。
短絡素子110は、ヒューズエレメント1が設けられた絶縁基板111の表面111a上に、内部を保護するとともに溶融したヒューズエレメント1の飛散を防止するカバー部材116が取り付けられている。
以上のような短絡素子110は、図22(A),図22(B)に示すような回路構成を有する。すなわち、短絡素子110は、第1の電極113と第2の電極114とが、正常時には絶縁され(図22(A))、発熱体112の発熱により可溶導体6が溶融すると、当該溶融導体を介して短絡するスイッチ123を構成する(図22(B))。そして、第1の外部接続端子113aと第2の外部接続端子114aは、スイッチ123の両端子を構成する。また、可溶導体6は、第3の電極115及び発熱体引出電極120を介して発熱体112と接続されている。
短絡素子110の製造方法は、上述で説明したヒューズエレメント1に関する製造方法、ヒューズ素子80及び保護素子90に関する製造方法を用いることができる。なお、以下では、短絡素子110の製造方法として、ヒューズエレメント1を絶縁基板111上に搭載する部分のみを説明し、他の工程の詳細な説明は割愛する。
次に、短絡素子110の変形例1を説明する。短絡素子110は、図23(A)に示すように、フラックスシート5を、フラックスシート119aに置換したものを用いるようにしてもよい。図23(A)に示す短絡素子110は、フラックスシート119a以外の部分については、特に変更はないものとする。
次に、短絡素子110の変形例2を説明する。短絡素子110は、図24(A)に示すように、フラックスシート5を、絶縁体片含有フラックス119bに置換したものを用いるようにしてもよい。図24(A)に示す短絡素子110は、絶縁体片含有フラックス119b以外の部分については、特に変更はないものとする。
なお、短絡素子110は、必ずしも、発熱体112を絶縁部材118によって被覆する必要はなく、発熱体112が絶縁基板111の内部に設置されてもよい。絶縁基板111の材料として熱伝導性に優れたものを用いることにより、発熱体112をガラス層等の絶縁部材118を介した場合と同等に加熱することができる。
また、短絡素子110は、上述したように発熱体112を絶縁基板111上の第1〜第3の電極113〜115の形成面側に形成する他にも、発熱体112が絶縁基板111の第1〜第3の電極113〜115の形成面と反対の面に設置されてもよい。発熱体112を絶縁基板111の裏面111bに形成することにより、絶縁基板111内に形成するよりも簡易な工程で形成することができる。なお、この場合、発熱体112上には、絶縁部材118が形成されると抵抗体の保護や実装時の絶縁性確保と言う意味で好ましい。
さらに、短絡素子110は、発熱体112が絶縁基板111の第1〜第3の電極113〜115の形成面上に設置されるとともに、第1〜第3の電極113〜115に併設されてもよい。発熱体112を絶縁基板111の表面に形成することにより、絶縁基板111内に形成するよりも簡易な工程で形成することができる。なお、この場合も、発熱体112上には、絶縁部材118が形成される事が好ましい。
また、短絡素子110は、図25及び図26(A)に示すように、第2の電極114と隣接する第4の電極124及び第2、第4の電極114,124間にわたって搭載される第2の可溶導体6bを形成してもよい。第2の可溶導体6bは、可溶導体6と同じ構成を有する。また、短絡素子110の変形例6以降において、第2の可溶導体6bと区別するために、可溶導体6を第1の可溶導体6aとして図示及び説明を行う。
また、短絡素子110は、高融点金属層2又は低融点金属層3の酸化防止と、溶断時の酸化物除去及びハンダの流動性向上のために、図25及び図26(A)に示すように、第1の可溶導体6a及び第2の可溶導体6b上の最外層の全面にフラックスシート5を搭載している。フラックスシート5は、流動体又は半流動体のフラックス7をシート状の支持体8に含浸、保持させたものであり、例えば不織布やメッシュ状の生地にフラックス7を含浸させたものである。
なお、短絡素子110は、図27(A)に示すように、フラックスシート5を第1の可溶導体6a、第2の可溶導体6bのそれぞれに分割して個別に搭載してもよい。
また、短絡素子110は、図28(A)に示すように、第1の可溶導体6aと第2の可溶導体6bのそれぞれにフラックス7を塗布した後、不織布やメッシュ状の生地からなる保持体8を第1の可溶導体6aと第2の可溶導体6b上にわたって載置してもよい。
また、短絡素子110は、図29(A)に示すように、第1の可溶導体6aと第2の可溶導体6bのそれぞれにフラックス7を塗布した後、不織布やメッシュ状の生地からなる保持体8を第1の可溶導体6aと第2の可溶導体6bとに対応させて分割し、第1の可溶導体6aと第2の可溶導体6b上にそれぞれ個別に載置してもよい。
また、短絡素子110は、図30(A)に示すように、第1の可溶導体6aと第2の可溶導体6bに、流動体又は半流動体のフラックス7に絶縁体片10を混練した絶縁体片含有フラックス119bを塗布してもよい。
次いで、ヒューズエレメント1を用いた切替素子について説明する。図31に切替素子130の平面図及び図32(A)に切替素子130の断面図を示す。切替素子130は、絶縁基板131と、絶縁基板131に設けられた第1の発熱体132及び第2の発熱体133と、絶縁基板131に、互いに隣接して設けられた第1の電極134及び第2の電極135と、第1の電極134と隣接して設けられるとともに、第1の発熱体132に電気的に接続された第3の電極136と、第2の電極135と隣接して設けられるとともに、第2の発熱体133に電気的に接続された第4の電極137と、第4の電極137に隣接して設けられた第5の電極138と、第1、第3の電極134,136間にわたって設けられることにより電流経路を構成し、第1の発熱体132からの加熱により、第1、第3の電極134,136間の電流経路を溶断する第1の可溶導体6aと、第2の電極135から第4の電極137を経て第5の電極138にわたって設けられ、第2の発熱体133からの加熱により、第2、第4、第5の電極135,137,138間の電流経路を溶断する第2の可溶導体6bと、第1の可溶導体6a及び第2の可溶導体6b上に搭載されたフラックスシート5と、絶縁基板131上に内部を保護するカバー部材139とを備える。なお、ヒューズエレメント1は、第1の可溶導体6a及び第2の可溶導体6bと、第1の可溶導体6a及び第2の可溶導体6b上並びに/又は第1の可溶導体6a及び第2の可溶導体6b下に搭載されたフラックスシート5から構成される。なお、第1の可溶導体6a及び第2の可溶導体6b下に搭載されたフラックスシート5については、図32(B)に図示する。
また、切替素子130は、高融点金属層2又は低融点金属層3の酸化防止と、溶断時の酸化物除去及びハンダの流動性向上のために、図31及び図32(A)に示すように、第1、第2の可溶導体6a,6b上の最外層の全面にフラックスシート5を搭載している。フラックスシート5は、流動体又は半流動体のフラックス7をシート状の支持体8に含浸、保持させたものであり、例えば不織布やメッシュ状の生地にフラックス7を含浸させたものである。
切替素子130は、ヒューズエレメント1が設けられた絶縁基板131の表面131a上に、内部を保護するとともに溶融したヒューズエレメント1の飛散を防止するカバー部材139が取り付けられている。
以上のような切替素子130は、図33に示すような回路構成を有する。すなわち、切替素子130は、第1の電極134と第2の電極135とが、正常時には絶縁され、第1、第2の発熱体132,133の発熱により第1、第2の可溶導体6a,6bが溶融すると、当該溶融導体を介して短絡するスイッチ150を構成する。そして、第1の外部接続端子134aと第2の外部接続端子135aは、スイッチ150の両端子を構成する。
ここで、リチウムイオンバッテリー等の保護回路に用いる場合の切替素子130は、第2の可溶導体6bが第1の可溶導体6aよりも先行して溶融することが好ましい。短絡を先に行うとバッテリーセルの短絡事故のリスクがある為である。切替素子130は、第1の発熱体132と第2の発熱体133とが、別々に発熱されることから、通電のタイミングとして第2の発熱体133を先に発熱させ、その後に第1の発熱体132を発熱させることで、図36に示すように、第2の可溶導体6bを第1の可溶導体6aよりも先行して溶融させ、図37に示すように、確実に第1、第2の電極134,135上に、第1、第2の可溶導体6a,6bの溶融導体を凝集、結合させ、第1、第2の電極134,135を短絡させることができる。
また、切替素子130は、第1の電極134の面積を第3の電極136よりも広くし、第2の電極135の面積を第4、第5の電極137,138よりも広くすることが好ましい。溶融導体の保持量は、電極面積に比例して多くなるため、第1、第2の電極134,135の面積を第3、第4、第5の電極136,137,138よりも広く形成することにより、より多くの溶融導体を第1、第2の電極134,135上に凝集させることができ、第1、第2の電極134,135間を確実に短絡させることができる。
切替素子130の製造方法は、上述で説明したヒューズエレメント1、ヒューズ素子80、保護素子90及び短絡素子110に関する製造方法を用いることができる。なお、以下では、切替素子130の製造方法として、ヒューズエレメント1を絶縁基板131上に搭載する部分のみを説明し、他の工程の詳細な説明は割愛する。
次に、切替素子130の変形例1を説明する。切替素子130は、図38(A)に示すように、フラックスシート5を、フラックスシート148aに置換したものを用いるようにしてもよい。図38(A)に示す切替素子130は、フラックスシート148a以外の部分については、特に変更はないものとする。
次に、切替素子130の変形例2を説明する。切替素子130は、図39(A)に示すように、フラックスシート5を、絶縁体片含有フラックス148bに置換したものを用いるようにしてもよい。図39(A)に示す切替素子130は、絶縁体片含有フラックス148b以外の部分については、特に変更はないものとする。
なお、切替素子130は、必ずしも、第1、第2の発熱体132,133を絶縁部材140によって被覆する必要はなく、第1、第2の発熱体132,133が絶縁基板131の内部に設置されてもよい。絶縁基板131の材料として熱伝導性に優れたものを用いることにより、第1、第2の発熱体132,133は、ガラス層等の絶縁部材140を介した場合と同等に加熱することができる。
また、切替素子130は、第1、第2の発熱体132,133が絶縁基板131の第1〜第5の電極134,135,136,137,138の形成面と反対の裏面131bに設置されてもよい。第1、第2の発熱体132,133を絶縁基板131の裏面131bに形成することにより、絶縁基板131内に形成するよりも簡易な工程で形成することができる。なお、この場合、第1、第2の発熱体132,133上には、絶縁部材140が形成されると抵抗体の保護や実装時の絶縁性確保と言う意味で好ましい。
また、切替素子130は、図40(A)に示すように、フラックスシート5を第1の可溶導体6a、第2の可溶導体6bのそれぞれに対応するようにそれぞれ個別に搭載するようにしてもよい。
また、切替素子130は、図41(A)に示すように、フラックスシート5を第1の可溶導体6a、第2の可溶導体6bのそれぞれに対応するように個別に設ける際に、第1の可溶導体6aと第2の可溶導体6b上にそれぞれ流動体又は半流動体のフラックス7を滴下又は塗布し、フラックス7を乾燥させる前に、液体保持性を有する保持体8を第1の可溶導体6aと第2の可溶導体6b上に対応するように分割して載置するようにしてもよい。フラックス7を乾燥させた後には、図40と同様にフラックスシート5が分割して形成されることとなる。
また、切替素子130は、図42(A)に示すように、第1の可溶導体6aと第2の可溶導体6bに、流動体又は半流動体のフラックス7に絶縁体片10を混練した絶縁体片含有フラックス148cを塗布してもよい。
Claims (38)
- ヒューズ素子の可溶導体上に搭載されるフラックスシートであって、
絶縁体にフラックスが含浸され、上記絶縁体は、比重が上記可溶導体の比重以下であるフラックスシート。 - 上記絶縁体は、多孔質構造である請求項1に記載のフラックスシート。
- 上記絶縁体は、布状の繊維である請求項1に記載のフラックスシート。
- 上記布状の繊維は、ガラス繊維である請求項3に記載のフラックスシート。
- 上記絶縁体にフラックスを含浸し、溶剤分を乾燥させ固形化した後に、所望のサイズに切断した請求項1〜4のいずれか1項に記載のフラックスシート。
- 上記絶縁体は、円形又は楕円形である請求項1〜5のいずれか1項に記載のフラックスシート。
- 当該フラックスシートは、ヒューズ素子の可溶導体上及び/又は上記可溶導体下に搭載され、
上記絶縁体は、ヒューズ素子の実装温度を超える温度で変形もしくは溶融し流動性を持つ請求項1〜6のいずれか1項に記載のフラックスシート。 - 上記絶縁体は、300℃以上の温度で変形もしくは溶融し流動性を持つ請求項7に記載のフラックスシート。
- 上記絶縁体は、比重が5g/cm3以下である請求項1〜8のいずれか1項に記載のフラックスシート。
- ヒューズ素子の可溶導体上及び/又は上記可溶導体下に塗布されたフラックスであって、
液体保持性を有する絶縁体片が添加され、上記絶縁体片の比重が上記可溶導体の比重以下である流動体又は半流動体のフラックス。 - 上記絶縁体片は、多孔質構造である請求項10に記載のフラックス。
- 上記絶縁体片は、繊維である請求項10に記載のフラックス。
- 上記繊維は、ガラス繊維である請求項12に記載のフラックス。
- 当該フラックスは、ヒューズ素子の可溶導体上に塗布され、
上記絶縁体片は、上記ヒューズ素子の実装温度を超える温度で変形もしくは溶融し流動性を持つ請求項10〜13のいずれか1項に記載のフラックス。 - 上記絶縁体片は、300℃以上の温度で変形もしくは溶融し流動性を持つ請求項14に記載のフラックス。
- 上記絶縁体片は、比重が5g/cm3以下である請求項10〜15のいずれか1項に記載のフラックス。
- 可溶導体と、
比重が上記可溶導体の比重以下である絶縁体にフラックスを含浸させたフラックスシートとを有し、
上記可溶導体上及び/又は上記可溶導体下に上記フラックスシートを搭載したヒューズエレメント。 - 上記フラックスシートの面積が、上記可溶導体の面積よりも広い請求項17に記載のヒューズエレメント。
- 上記絶縁体は、当該ヒューズエレメントの実装温度を超える温度で変形もしくは溶融し流動性を持つ請求項17又は請求項18に記載のヒューズエレメント。
- 上記絶縁体は、300℃以上の温度で変形もしくは溶融し流動性を持つ請求項19に記載のヒューズエレメント。
- 上記絶縁体は、比重が5g/cm3以下である請求項17〜20のいずれか1項に記載のヒューズエレメント。
- 可溶導体と、
比重が上記可溶導体の比重以下であり液体保持性を有する絶縁体片を添加した流動体又は半流動体のフラックスとを有し、
上記可溶導体上及び/又は上記可溶導体下に上記フラックスを塗布したヒューズエレメント。 - 上記絶縁体片は、当該ヒューズエレメントの実装温度を超える温度で変形もしくは溶融し流動性を持つ請求項22に記載のヒューズエレメント。
- 上記絶縁体片は、300℃以上の温度で変形もしくは溶融し流動性を持つ請求項23に記載のヒューズエレメント。
- 上記絶縁体は、比重が5g/cm3以下である請求項22〜24のいずれか1項に記載のヒューズエレメント。
- 可溶導体と、
比重が上記可溶導体の比重以下である絶縁体にフラックスを含浸させたフラックスシートとを有し、
上記可溶導体上及び/又は上記可溶導体下に上記フラックスシートを搭載し、
上記可溶導体に流れる過電流により上記可溶導体が溶断するヒューズ素子。 - 可溶導体を有し、
上記可溶導体上及び/又は上記可溶導体下に、比重が上記可溶導体の比重以下であり液体保持性を有する絶縁体片を含有した流動体又は半流動体のフラックスが塗布され、
上記可溶導体に流れる過電流により上記可溶導体が溶断するヒューズ素子。 - 絶縁基板と、
上記絶縁基板上又は上記絶縁基板内部に形成された発熱体と、
上記絶縁基板上に形成された第1及び第2の電極と、
上記発熱体と電気的に接続する第3の電極と、
上記第1の電極から上記第3の電極を介し上記第2の電極に跨って接続する可溶導体と、
比重が上記可溶導体の比重以下である絶縁体にフラックスを含浸させたフラックスシートとを有し、
上記可溶導体上及び/又は上記可溶導体下に上記フラックスシートを搭載し、
上記発熱体の通電発熱により上記可溶導体を溶断させ上記第1及び第2の電極間を遮断する保護素子。 - 上記絶縁基板上で、上記可溶導体と上記フラックスシートをカバーするカバー部材を有し、
上記カバー部材の内部空間の高さが上記可溶導体の溶融後の高さと上記フラックスシートの厚さの和よりも高い請求項28に記載の保護素子。 - 上記カバー部材の内部空間にフラックスシートの移動を制限する突起を有する請求項29記載の保護素子。
- 上記可溶導体と上記フラックスシートを複数有する請求項28〜30のいずれか1項に記載の保護素子。
- 上記フラックスシートの面積が、上記可溶導体の面積よりも広い請求項28〜31のいずれか1項に記載の保護素子。
- 絶縁基板と、
上記絶縁基板上又は上記絶縁基板内部に形成された発熱体と、
上記絶縁基板上に形成された第1及び第2の電極と、
上記発熱体と電気的に接続する第3の電極と、
上記第1の電極から上記第3の電極を介し上記第2の電極に跨って接続する可溶導体とを有し、
上記可溶導体上及び/又は上記可溶導体下に、比重が上記可溶導体の比重以下であり液体保持性を有する絶縁体片を含有した流動体又は半流動体のフラックスが塗布され、
上記発熱体の通電発熱により上記可溶導体を溶断させ上記第1及び第2の電極間を遮断する保護素子。 - 絶縁基板と、
上記絶縁基板上又は上記絶縁基板内部に形成された発熱体と、
上記絶縁基板上に近接して形成された第1及び第2の電極と、
上記発熱体と電気的に接続する第3の電極と、
上記第1の電極から上記第3の電極に跨って接続する可溶導体と、
比重が上記可溶導体の比重以下である絶縁体にフラックスを含浸させたフラックスシートとを有し、
上記可溶導体上及び/又は上記可溶導体下に上記フラックスシートを搭載し、
上記発熱体の通電発熱により上記可溶導体を溶断させ上記第1及び第2の電極間の短絡と上記第1及び第3の電極間の遮断を行う短絡素子。 - 絶縁基板と、
上記絶縁基板上又は上記絶縁基板内部に形成された発熱体と、
上記絶縁基板上に近接して形成された第1及び第2の電極と、
上記発熱体と電気的に接続する第3の電極と、
上記第1の電極から上記第3の電極に跨って接続する可溶導体とを有し、
上記可溶導体上及び/又は上記可溶導体下に、比重が上記可溶導体の比重以下であり液体保持性を有する絶縁体片を含有した流動体又は半流動体のフラックスが塗布され、
上記発熱体の通電発熱により上記可溶導体を溶断させ上記第1及び第2の電極間の短絡と上記第1及び第3の電極間の遮断を行う短絡素子。 - 絶縁基板と、
上記絶縁基板上又は上記絶縁基板内部に形成された第1及び第2の発熱体と、
上記絶縁基板上に近接して形成された第1及び第2の電極と、
上記第1の電極に隣接して形成され上記第1の発熱体と電気的に接続する第3の電極と、
上記第1の電極から上記第3の電極に跨って接続する第1の可溶導体と、
上記第2の発熱体と電気的に接続し上記第2の電極に隣接して形成された第4の電極と、
上記第4の電極に隣接して形成された第5の電極と、
上記第2の電極から上記第4の電極を介し上記第5の電極に跨って接続する第2の可溶導体と、
比重が上記第1及び第2の可溶導体の比重以下である絶縁体にフラックスを含浸させたフラックスシートとを有し、
上記第1及び第2の可溶導体上及び/又は上記第1及び第2の可溶導体下に上記フラックスシートを搭載し、
上記第2の発熱体の通電発熱により上記第2の可溶導体を溶断させ、上記第2及び第5の電極間を遮断し、
上記第1の発熱体の通電発熱により上記第1の可溶導体を溶断させ、上記第1及び第2の電極間を短絡する切替素子。 - 絶縁基板と、
上記絶縁基板上又は上記絶縁基板内部に形成された第1及び第2の発熱体と、
上記絶縁基板上に近接して形成された第1及び第2の電極と、
上記第1の電極に隣接して形成され上記第1の発熱体と電気的に接続する第3の電極と、
上記第1の電極から上記第3の電極に跨って接続する第1の可溶導体と、
上記第2の発熱体と電気的に接続し上記第2の電極に隣接して形成された第4の電極と、
上記第4の電極に隣接して形成された第5の電極と、
上記第2の電極から上記第4の電極を介し上記第5の電極に跨って接続する第2の可溶導体とを有し、
上記第1及び第2の可溶導体上及び/又は上記第1及び第2の可溶導体下に、比重が上記第1及び第2の可溶導体の比重以下であり液体保持性を有する絶縁体片を含有した流動体又は半流動体のフラックスが塗布され、
上記第2の発熱体の通電発熱により上記第2の可溶導体を溶断させ、上記第2及び第5の電極間を遮断し、
上記第1の発熱体の通電発熱により上記第1の可溶導体を溶断させ、上記第1及び第2の電極間を短絡する切替素子。 - 上記第1及び第2の可溶導体上に、上記フラックスが個別に塗布されている請求項37に記載の切替素子。
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