JP6518809B1 - Sputtering target and packing method thereof - Google Patents

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Abstract

【課題】円筒型バッキングチューブの端部の損傷を抑制するスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】円筒型スパッタリングターゲット材110と、円筒型スパッタリングターゲット材110の内側に接合材を介して接合され、円筒型スパッタリングターゲット材110の中心軸C方向の長さより中心軸C方向の長さが長い円筒型バッキングチューブ120と、円筒型バッキングチューブ120の少なくともいずれかの中心軸C方向の端部121を被覆する保護キャップ130とを備え、保護キャップ130は、合成樹脂を含む。【選択図】図1BThe present invention provides a sputtering target that suppresses damage to the end of a cylindrical backing tube. The cylindrical sputtering target material 110 is joined to the inside of the cylindrical sputtering target material 110 with a bonding material, and the length in the central axis C direction from the length in the central axis C direction of the cylindrical sputtering target material 110 And a protective cap 130 covering the end 121 of at least one of the cylindrical backing tubes 120 in the direction of the central axis C. The protective cap 130 includes a synthetic resin. [Selected figure] Figure 1B

Description

本発明は、スパッタリングターゲット及びその梱包方法に関する。   The present invention relates to a sputtering target and a method of packing the same.

近年、フラットパネルディスプレイ(FPD:Flat Panel Display)の製造技術や太陽電池の製造技術が急速に発展し、大型の薄型テレビや太陽電池の市場が大きくなってきている。また、これらの市場の発展に伴い、製品の製造コストを引き下げるために、ガラス基板の大型化が進んでいる。現在では、第8世代といわれる2200mm×2400mmサイズ用の装置開発が進められている。   In recent years, with the rapid development of flat panel display (FPD: Flat Panel Display) manufacturing technology and solar cell manufacturing technology, the market for large-sized flat-screen TVs and solar cells is becoming large. In addition, with the development of these markets, in order to reduce the manufacturing cost of products, the enlargement of glass substrates is in progress. Currently, development of a device for the 2200 mm × 2400 mm size, which is said to be the eighth generation, is in progress.

特に、大型のガラス基板に金属薄膜や酸化金属薄膜を形成するスパッタリング装置では、平板型スパッタリングターゲットや円筒型(ロータリ型又は回転型ともいう)スパッタリングターゲットが使用されている。円筒型スパッタリングターゲットは平板型スパッタリングターゲットに比べて、ターゲットの使用効率が高い、エロージョンの発生が少ない、堆積物の剥離によるパーティクルの発生が少ないという利点がある。このように、円筒型スパッタリングターゲットは、薄膜成膜の用途として非常に有用である。   In particular, in a sputtering apparatus for forming a metal thin film or a metal oxide thin film on a large glass substrate, a flat sputtering target or a cylindrical (also referred to as rotary or rotary) sputtering target is used. The cylindrical sputtering target has advantages such as high target usage efficiency, less generation of erosion, and less generation of particles due to peeling of deposits, as compared with a flat type sputtering target. Thus, a cylindrical sputtering target is very useful as a thin film deposition application.

そのため、交通・輸送手段の発達も伴い、上記円筒型スパッタリングターゲットを国内に出荷するだけでなく、海外にも出荷するケースが増えている。そこで、輸送距離、輸送手段、及び環境などを踏まえ、円筒型スパッタリングターゲット製品を損傷させない方法が望まれる。   Therefore, with the development of transportation and transportation means, in addition to shipping the cylindrical sputtering target in the country, cases are also shipping to overseas. Therefore, in consideration of transport distance, transportation means, environment and the like, a method that does not damage the cylindrical sputtering target product is desired.

例えば、特許文献1には、円筒型の焼結体と、前記焼結体の内側に接合材を介して接合された円筒型の基材と、前記基材の両端の開口部を覆い、ガスが充填された前記基材の中空部を密閉する保護部材(保護フィルム)と、を有する円筒形スパッタリングターゲットが記載されている。   For example, Patent Document 1 covers a cylindrical sintered body, a cylindrical base member joined to the inner side of the sintered body via a bonding material, and openings at both ends of the base member, And a protective member (protective film) for sealing the hollow portion of the base material filled therein.

特開2017−179464号公報JP, 2017-179464, A

円筒形スパッタリングターゲットに備わる基材の両端部は、スパッタリング中に発生する熱を冷やす冷却用の水を導入できるように内周面側にシール面が設けられている。そのため、円筒形スパッタリングターゲットの輸送においては、このシール面を損傷しないようにする必要がある。また、基材の両端部の変形を抑止する必要もある。そのため、特に基材の端部を保護することが望まれる。   Both ends of the base provided in the cylindrical sputtering target are provided with a seal surface on the inner peripheral surface side so that cooling water for cooling the heat generated during sputtering can be introduced. Therefore, in transportation of a cylindrical sputtering target, it is necessary not to damage this sealing surface. In addition, it is also necessary to suppress deformation of both ends of the substrate. Therefore, in particular, it is desirable to protect the end of the substrate.

例えば、特許文献1に記載された円筒形スパッタリングターゲットは、外部からのごみや水分がターゲット表面に付着しないので、スパッタリング中におけるアーキングの発生を抑制することができる。しかしながら、当該特許文献1は、機械的な衝撃から基材の端部を保護することに言及していない。そのため、輸送時に発生する機械的な衝撃により、基材の両端部分が梱包箱の内壁と接触してシール面にキズが生じ、或いは基材の端部が変形するおそれがある。当該円筒形スパッタリングターゲットをスパッタリング装置に使用した場合、スパッタリング中に冷却水が漏洩し、或いはスパッタリング装置に設置することができないといった問題が生じる。このように、基材(円筒型バッキングチューブ)の端部を保護する手段は未だ改善の余地が残されている。   For example, the cylindrical sputtering target described in Patent Document 1 can suppress the occurrence of arcing during sputtering because dust and moisture from the outside do not adhere to the surface of the target. However, this patent does not mention protecting the end of the substrate from mechanical impact. Therefore, due to mechanical impact generated during transportation, both end portions of the base material may be in contact with the inner wall of the packaging box to cause damage to the sealing surface, or the end portion of the base material may be deformed. When the cylindrical sputtering target is used in a sputtering apparatus, there is a problem that cooling water leaks during sputtering or can not be installed in the sputtering apparatus. Thus, the means for protecting the end of the substrate (cylindrical backing tube) still has room for improvement.

そこで、本発明は上記事情に鑑みて創作されたものであり、円筒型バッキングチューブの端部の損傷を抑制することが可能なスパッタリングターゲット及びその梱包方法を提供することを課題とする。   Then, this invention is created in view of the said situation, and makes it a subject to provide the sputtering target which can suppress the damage of the edge part of a cylindrical backing tube, and its packing method.

すなわち、本発明は一側面において、円筒型スパッタリングターゲット材と、前記円筒型スパッタリングターゲット材の内側に接合材を介して接合され、該円筒型スパッタリングターゲット材の中心軸方向の長さより中心軸方向の長さが長い円筒型バッキングチューブと、前記円筒型バッキングチューブの少なくともいずれかの中心軸方向の端部の端面、外周面、及び内周面を被覆する保護キャップとを備え、前記保護キャップは、合成樹脂を含むスパッタリングターゲットである。 That is, according to one aspect of the present invention, a cylindrical sputtering target material is bonded to the inner side of the cylindrical sputtering target material via a bonding material, and the cylindrical sputtering target material has a longer axial direction than a length in the central axial direction. A cylindrical backing tube having a long length , and a protective cap for covering an end face, an outer peripheral surface, and an inner peripheral surface of an end of at least one of the cylindrical backing tubes in a central axial direction, the protective cap comprising: It is a sputtering target containing a synthetic resin.

本発明に係るスパッタリングターゲットの一実施形態においては、前記保護キャップは、前記円筒型バッキングチューブの中心軸方向の両端部を被覆する。   In one embodiment of the sputtering target according to the present invention, the protective cap covers both axial ends of the cylindrical backing tube.

本発明に係るスパッタリングターゲットの一実施形態においては、前記保護キャップの軸方向の一端部は、円周方向に沿って凹状の切欠部を形成し、前記円筒型バッキングチューブの少なくともいずれかの中心軸方向の端部は、前記切欠部に差し込まれる。   In one embodiment of the sputtering target according to the present invention, an axial one end of the protective cap forms a concave notch along the circumferential direction, and a central axis of at least one of the cylindrical backing tubes. The end of the direction is plugged into the cutout.

本発明に係るスパッタリングターゲットの一実施形態においては、前記切欠部の外側内周面と前記円筒型バッキングチューブの中心軸方向の端部の外周面とのクリアランスが0.1mm以上1.0mm未満である。   In one embodiment of the sputtering target according to the present invention, the clearance between the outer inner peripheral surface of the cutout and the outer peripheral surface of the end portion in the central axis direction of the cylindrical backing tube is 0.1 mm or more and less than 1.0 mm. is there.

本発明に係るスパッタリングターゲットの一実施形態においては、前記切欠部は、前記円筒型バッキングチューブの端部の端面、外周面、及び内周面と当接する。   In one embodiment of the sputtering target according to the present invention, the notch abuts on the end surface of the end portion of the cylindrical backing tube, the outer peripheral surface, and the inner peripheral surface.

本発明に係るスパッタリングターゲットの一実施形態においては、前記保護キャップは、前記円筒型スパッタリングターゲット材の中心軸方向の端部をさらに被覆する。   In one embodiment of the sputtering target according to the present invention, the protective cap further covers the end in the central axis direction of the cylindrical sputtering target material.

本発明に係るスパッタリングターゲットの一実施形態においては、前記合成樹脂は、シリコーンゴム、バイトンゴム、フッ素ゴム、ブチルゴム、アクリルゴム、エチレンプロピレンゴム、ウレタンゴム、ポリエステル系エラストマー、ポリオレフィン系エラストマー、フッ素系エラストマー、シリコーン系エラストマー、ブタジエン系エラストマー、ポリアミド系エラストマー、ポリスチレン系エラストマー、ウレタン系エラストマー、ポリウレタン樹脂、可撓性エポキシ樹脂、フッ素樹脂、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート、及びポリエチレンナフタレートからなる群から選択される少なくとも1種である。   In one embodiment of the sputtering target according to the present invention, the synthetic resin is silicone rubber, viton rubber, fluororubber, butyl rubber, acrylic rubber, ethylene propylene rubber, urethane rubber, polyester elastomer, polyolefin elastomer, fluoroelastomer, Silicone elastomer, butadiene elastomer, polyamide elastomer, polystyrene elastomer, urethane elastomer, polyurethane resin, flexible epoxy resin, fluoroplastic, polycarbonate, polypropylene, polyethylene, polyethylene terephthalate, and polyethylene naphthalate It is at least one of the

本発明に係るスパッタリングターゲットの一実施形態においては、前記合成樹脂は、ポリテトラフルオロエチレンである。   In one embodiment of the sputtering target according to the present invention, the synthetic resin is polytetrafluoroethylene.

本発明に係るスパッタリングターゲットの一実施形態においては、前記保護キャップの肉厚が、2.0mm以上である。   In one embodiment of the sputtering target according to the present invention, the thickness of the protective cap is 2.0 mm or more.

本発明に係るスパッタリングターゲットの一実施形態においては、前記保護キャップの肉厚が、5.0mm以下である。   In one embodiment of the sputtering target according to the present invention, the thickness of the protective cap is 5.0 mm or less.

本発明に係るスパッタリングターゲットの一実施形態においては、前記保護キャップのヤング率は、2000MPa以下である   In one embodiment of the sputtering target according to the present invention, the Young's modulus of the protective cap is 2000 MPa or less

本発明に係るスパッタリングターゲットの一実施形態においては、前記円筒型スパッタリングターゲット材は、ITO、ZnO、IZO、及びIGZOからなる群から選択される1種を主成分として含む。   In one embodiment of the sputtering target according to the present invention, the cylindrical sputtering target material contains, as a main component, one selected from the group consisting of ITO, ZnO, IZO, and IGZO.

本発明に係るスパッタリングターゲットの一実施形態においては、前記円筒型スパッタリングターゲット材は、同軸上に複数配列される。   In one embodiment of the sputtering target according to the present invention, a plurality of the cylindrical sputtering target materials are coaxially arranged.

また、本発明は別の一側面において、上述したスパッタリングターゲットを梱包するスパッタリングターゲットの梱包方法であって、前記円筒型バッキングチューブの中空部内を不活性ガス又は真空雰囲気に調節する工程と、前記円筒型バッキングチューブの両端の開口部を覆い、前記中空部内を密閉するように保護フィルムを形成する工程とを含むスパッタリングターゲットの梱包方法である。   Further, according to another aspect of the present invention, there is provided a packing method of a sputtering target for packing the sputtering target described above, wherein the hollow portion of the cylindrical backing tube is adjusted to an inert gas or vacuum atmosphere; Forming a protective film so as to cover the openings at both ends of the mold backing tube and seal the inside of the hollow portion.

本発明に係るスパッタリングターゲットの梱包方法の一実施形態においては、前記中空部内の前記不活性ガスの圧力は、30〜60kPaである。   In one embodiment of the packing method for a sputtering target according to the present invention, the pressure of the inert gas in the hollow portion is 30 to 60 kPa.

本発明に係るスパッタリングターゲットの梱包方法の一実施形態においては、前記不活性ガスは、アルゴン又は窒素である。   In one embodiment of the packing method of a sputtering target according to the present invention, the inert gas is argon or nitrogen.

本発明に係るスパッタリングターゲットの梱包方法の一実施形態においては、前記中空部内の前記不活性ガスの露点温度は、−80〜−50℃である。   In one embodiment of the packing method for a sputtering target according to the present invention, the dew point temperature of the inert gas in the hollow portion is -80 to -50 ° C.

本発明の一実施形態によれば、円筒型バッキングチューブの端部の損傷を抑制することができる。   According to one embodiment of the present invention, damage to the end of the cylindrical backing tube can be suppressed.

本発明に係るスパッタリングターゲットの一実施形態を説明するための概略断面図である。It is a schematic sectional drawing for describing one Embodiment of the sputtering target which concerns on this invention. 図1Aに示す保護キャップ及びその周囲を説明する拡大図である。It is an enlarged view explaining a protective cap shown in Drawing 1A, and its circumference. 図1Aに示す保護キャップを説明する拡大図である。It is an enlarged view explaining the protective cap shown in FIG. 1A. 図1AのX−X断面図である。It is XX sectional drawing of FIG. 1A. 本発明に係るスパッタリングターゲットの一実施形態である保護キャップの一例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows an example of the protective cap which is one Embodiment of the sputtering target which concerns on this invention. 本発明に係るスパッタリングターゲットの一実施形態である保護キャップの他の一例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows another example of the protective cap which is one Embodiment of the sputtering target which concerns on this invention. 本発明に係るスパッタリングターゲットの一実施形態である保護キャップの他の一例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows another example of the protective cap which is one Embodiment of the sputtering target which concerns on this invention. 本発明に係るスパッタリングターゲットの一実施形態である保護キャップの他の一例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows another example of the protective cap which is one Embodiment of the sputtering target which concerns on this invention. 本発明に係るスパッタリングターゲットの一実施形態である保護キャップの他の一例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows another example of the protective cap which is one Embodiment of the sputtering target which concerns on this invention. 本発明に係るスパッタリングターゲットの他の一実施形態を説明するための概略断面図である。It is a schematic sectional drawing for describing other one Embodiment of the sputtering target which concerns on this invention. 本発明に係るスパッタリングターゲットの製造方法の一実施形態の概略を示すフロー図である。It is a flow figure showing an outline of one embodiment of a manufacturing method of a sputtering target concerning the present invention. 本発明に係るスパッタリングターゲットの梱包方法の一実施形態の概略を示すフロー図である。It is a flow figure showing an outline of one embodiment of a packing method of a sputtering target concerning the present invention. 本発明に係るスパッタリングターゲットの梱包方法の一実施形態により梱包されたスパッタリングターゲットを示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the sputtering target packaged by one Embodiment of the packing method of the sputtering target which concerns on this invention. 実施例1〜7及び比較例1〜3において組み立てたスパッタリングターゲットの保護キャップ及びその周囲を説明する拡大図である。It is an enlarged view explaining the protection cap of the sputtering target assembled in Examples 1-7 and comparative examples 1-3, and its circumference.

以下、本発明は各実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、各実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素からいくつかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態の構成要素を適宜組み合わせてもよい。なお、本発明におけるスパッタリングターゲットは、保護キャップ付きスパッタリングターゲットを指す。   Hereinafter, the present invention is not limited to the embodiments, and the components can be modified and embodied without departing from the scope of the invention. In addition, various inventions can be formed by appropriately combining a plurality of constituent elements disclosed in each embodiment. For example, some components may be deleted from all the components shown in the embodiment. Furthermore, the components of the different embodiments may be combined as appropriate. The sputtering target in the present invention refers to a sputtering target with a protective cap.

本発明者は、鋭意検討した結果、円筒型バッキングチューブの少なくともいずれかの中心軸方向の端部を被覆する保護キャップを備え、保護フィルムが合成樹脂を含むことにより、円筒型バッキングチューブの端部の損傷を抑制することができることを見出した。
以下、本発明に係るスパッタリングターゲットの一実施形態について例示する。
As a result of intensive studies conducted by the inventor, the inventors of the present invention have a protective cap that covers at least one of the central axial ends of the cylindrical backing tube, and the protective film includes a synthetic resin. It has been found that the damage of can be suppressed.
Hereinafter, an embodiment of a sputtering target according to the present invention will be illustrated.

[1.スパッタリングターゲット]
本発明に係るスパッタリングターゲットの一実施形態について図面を使用しながら説明する。図1Aは、本発明に係るスパッタリングターゲットの一実施形態を説明するための概略断面図である。図1Bは、図1Aに示す保護キャップ及びその周囲を説明する拡大図である。図1Cは、図1Aに示す保護キャップを説明する拡大図である。図2は、図1AのX−X断面図である。図3は、本発明に係るスパッタリングターゲットの一実施形態である保護キャップの一例を示す概略断面図である。図4は、本発明に係るスパッタリングターゲットの一実施形態である保護キャップの他の一例を示す概略断面図である。図5は、本発明に係るスパッタリングターゲットの一実施形態である保護キャップの他の一例を示す概略断面図である。図6は、本発明に係るスパッタリングターゲットの他の一実施形態を説明するための概略断面図である。図7は、本発明に係るスパッタリングターゲットの一実施形態である保護キャップの他の一例を示す概略断面図である。
[1. Sputtering target]
One embodiment of a sputtering target according to the present invention will be described using the drawings. FIG. 1A is a schematic cross-sectional view for explaining an embodiment of a sputtering target according to the present invention. FIG. 1B is an enlarged view illustrating the protective cap shown in FIG. 1A and the periphery thereof. FIG. 1C is an enlarged view illustrating the protective cap shown in FIG. 1A. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line X-X of FIG. 1A. FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing an example of a protective cap which is an embodiment of a sputtering target according to the present invention. FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing another example of a protective cap which is an embodiment of a sputtering target according to the present invention. FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing another example of a protective cap which is an embodiment of a sputtering target according to the present invention. FIG. 6 is a schematic cross-sectional view for explaining another embodiment of the sputtering target according to the present invention. FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing another example of a protective cap which is an embodiment of a sputtering target according to the present invention.

当該スパッタリングターゲット100は、図1Aに示すように、円筒型スパッタリングターゲット材110と、円筒型スパッタリングターゲット材110の内側に接合材を介して接合され、円筒型スパッタリングターゲット材110の中心軸C方向の長さより中心軸C方向の長さが長い円筒型バッキングチューブ120と、円筒型バッキングチューブ120の中心軸C方向の両端部121を被覆する保護キャップ130とを備える。そして、保護キャップ130は、合成樹脂を含んでいる。これにより、バッキングチューブ120の端部121付近の内周面121aのシール面を損傷させず、該端部121の変形を抑制することができる。   The sputtering target 100 is bonded to the cylindrical sputtering target material 110 and the inside of the cylindrical sputtering target material 110 via a bonding material, as shown in FIG. 1A, in the direction of the central axis C of the cylindrical sputtering target material 110. A cylindrical backing tube 120 whose length in the central axis C direction is longer than its length, and a protective cap 130 covering both ends 121 in the central axis C direction of the cylindrical backing tube 120 are provided. And the protective cap 130 contains a synthetic resin. Thus, the deformation of the end portion 121 can be suppressed without damaging the seal surface of the inner peripheral surface 121 a in the vicinity of the end portion 121 of the backing tube 120.

(円筒型スパッタリングターゲット材)
円筒型スパッタリングターゲット材110は、円筒型バッキングチューブ120の外周面120bを囲むように設けられる。円筒型スパッタリングターゲット材110は、円筒型バッキングチューブ120の中心軸Cに対して同軸又は略同軸に設けられることが好ましい。このような構成により、当該スパッタリングターゲット100をスパッタリング装置に装着して、円筒型バッキングチューブ120を中心に回転させたとき、円筒型スパッタリングターゲット材110の表面と被成膜面(試料基板)との間隔を一定に保つことができる。
(Cylindrical sputtering target material)
The cylindrical sputtering target material 110 is provided to surround the outer circumferential surface 120 b of the cylindrical backing tube 120. The cylindrical sputtering target material 110 is preferably provided coaxially or substantially coaxially with the central axis C of the cylindrical backing tube 120. With such a configuration, when the sputtering target 100 is mounted on a sputtering apparatus and rotated about the cylindrical backing tube 120, the surface of the cylindrical sputtering target material 110 and the surface to be deposited (sample substrate) The intervals can be kept constant.

円筒型スパッタリングターゲット材110は、中空の円筒形状に成形される。円筒型スパッタリングターゲット材110の相対密度は、99.0%以上が好ましく、99.7%以上であることがより好ましい。なお、本発明において、相対密度はアルキメデス法によって算出される。また、円筒型スパッタリングターゲット材110の平均表面粗さ(Ra)は、スパッタリング中における異常放電を抑制するという観点から、0.5μm未満であることが好ましい。   The cylindrical sputtering target material 110 is formed into a hollow cylindrical shape. The relative density of the cylindrical sputtering target material 110 is preferably 99.0% or more, and more preferably 99.7% or more. In the present invention, the relative density is calculated by the Archimedes method. The average surface roughness (Ra) of the cylindrical sputtering target material 110 is preferably less than 0.5 μm from the viewpoint of suppressing abnormal discharge during sputtering.

さらに、円筒型スパッタリングターゲット材110の材質としては、スパッタリング成膜が可能であれば特に限定されないが、例えば、金属酸化物、金属窒化物、金属酸窒化物の焼結体などが挙げられる。金属酸化物としては、酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化ガリウムなど典型元素に属する金属の酸化物を用いることができる。   Furthermore, the material of the cylindrical sputtering target material 110 is not particularly limited as long as sputtering film formation is possible, and examples thereof include sintered bodies of metal oxides, metal nitrides, and metal oxynitrides. As the metal oxide, an oxide of a metal belonging to a typical element such as indium oxide, tin oxide, zinc oxide, or gallium oxide can be used.

具体的には、酸化スズと酸化インジウムの化合物(Indium Tin Oxide:ITO)、酸化亜鉛(Zinc Oxide:ZnO)、酸化インジウムと酸化亜鉛の化合物(Indium Zinc Oxide:IZO)、酸化インジウム、酸化亜鉛及び酸化ガリウムの化合物(Indium Gallium Zinc Oxide:IGZO)から選ばれた化合物などを円筒型スパッタリングターゲット材110として用いることができる。   Specifically, a compound of tin oxide and indium oxide (Indium Tin Oxide: ITO), a zinc oxide (Zinc Oxide: ZnO), a compound of indium oxide and zinc oxide (Indium Zinc Oxide: IZO), indium oxide, zinc oxide and A compound selected from a compound of gallium oxide (Indium Gallium Zinc Oxide: IGZO) or the like can be used as the cylindrical sputtering target material 110.

(円筒型バッキングチューブ)
円筒型バッキングチューブ120は、内周面120a側が中空構造である中空部V1を形成し、例えば円筒型スパッタリングターゲット材110の内周面110aに沿うような外面形状を有する。円筒型バッキングチューブ120の外径は、円筒型スパッタリングターゲット材110の内径よりも僅かに小さく、円筒型バッキングチューブ120及び円筒型スパッタリングターゲット材110を同軸に重ねたときに、円筒型バッキングチューブ120と円筒型スパッタリングターゲット材110との間にクリアランスができるように調整される。このクリアランスには、接合材が設けられる。
(Cylindrical backing tube)
The cylindrical backing tube 120 forms a hollow portion V1 having a hollow structure on the inner peripheral surface 120a side, and has an outer surface shape along the inner peripheral surface 110a of the cylindrical sputtering target material 110, for example. The outer diameter of the cylindrical backing tube 120 is slightly smaller than the inner diameter of the cylindrical sputtering target material 110, and when the cylindrical backing tube 120 and the cylindrical sputtering target material 110 are coaxially stacked, The clearance between the cylindrical sputtering target material 110 and the cylindrical sputtering target material 110 is adjusted. A bonding material is provided in this clearance.

円筒型バッキングチューブ120は、接合材とぬれ性がよく、接合材との間に高い接合強度が得られる金属が好ましい。例えば、円筒型バッキングチューブ120を構成する材料としては、銅(Cu)又はチタン(Ti)、もしくは銅合金、チタン合金、又はステンレス(SUS)を用いることが好ましい。銅合金としては、クロム銅などの銅(Cu)を主成分とする合金を適用することができる。また、円筒型バッキングチューブ120としてチタン(Ti)を用いれば、軽量で剛性のある円筒型バッキングチューブ120とすることができる。   The cylindrical backing tube 120 is preferably a metal that has good wettability with the bonding material and provides high bonding strength with the bonding material. For example, as a material which comprises the cylindrical backing tube 120, it is preferable to use copper (Cu) or titanium (Ti), or a copper alloy, a titanium alloy, or stainless steel (SUS). As the copper alloy, an alloy containing copper (Cu) as a main component such as chromium copper can be applied. When titanium (Ti) is used as the cylindrical backing tube 120, the lightweight and rigid cylindrical backing tube 120 can be obtained.

(保護キャップ)
保護キャップ130は、図1B〜Cに示すように、円柱状であって、内側内周面133b側が中空構造である中空部V2を形成し、円周方向に沿って凹状の切欠部131を形成する。当該保護キャップ130は、この切欠部131に円筒型バッキングチューブ120の端部121を差し込まれる。これにより、円筒型バッキングチューブ120の端部121の変形や円筒型バッキングチューブ120の端部121の内周面121aのシール面を保護する。当該切欠部131は、円筒型バッキングチューブ120の端部121の端面121b、外周面121c、及び内周面121aと当接することが好ましい。これにより、保護キャップ130は、輸送時に発生する振動により円筒型バッキングチューブ120の端部121から外れない。そのため、当該スパッタリングターゲット100を梱包箱に収納しても、円筒型バッキングチューブ120の端部121は、直接、梱包箱の内壁に当たらず損傷やこすれを抑止することができる。また、保護キャップ130の隆起面131bは、円筒型スパッタリングターゲット材110の端部111の端面111aと当接する。これにより、円筒型スパッタリングターゲット材110の端部111の損傷を抑制することができる。
(Protective cap)
As shown in FIGS. 1B to 1C, the protective cap 130 has a cylindrical shape, and the inner inner circumferential surface 133b side forms a hollow portion V2 having a hollow structure, and a concave notch 131 is formed along the circumferential direction. Do. The protective cap 130 inserts the end 121 of the cylindrical backing tube 120 into the notch 131. This protects the deformation of the end 121 of the cylindrical backing tube 120 and the sealing surface of the inner peripheral surface 121 a of the end 121 of the cylindrical backing tube 120. The notch 131 preferably abuts on the end surface 121 b of the end portion 121 of the cylindrical backing tube 120, the outer peripheral surface 121 c, and the inner peripheral surface 121 a. As a result, the protective cap 130 does not come off the end 121 of the cylindrical backing tube 120 due to the vibration generated during transportation. Therefore, even if the sputtering target 100 is stored in the packaging box, the end 121 of the cylindrical backing tube 120 can be prevented from directly hitting the inner wall of the packaging box and preventing damage or rubbing. Also, the raised surface 131 b of the protective cap 130 abuts on the end surface 111 a of the end portion 111 of the cylindrical sputtering target material 110. Thereby, damage to the end portion 111 of the cylindrical sputtering target material 110 can be suppressed.

保護キャップ130の肉厚D1〜D3は、保護キャップ130の強度を確保するという観点から、それぞれ2.0mm以上が好ましく、2.5mm以上がより好ましく、3.0mm以上がさらに好ましい。また、当該スパッタリングターゲット100を梱包することを考慮し、それぞれ5.0mm以下が好ましく、4.5mm以下がより好ましく、4.0mm以下がさらにより好ましい。ここで、D1とは、図2に示すように、保護キャップ130の中心軸Cから径方向外側に延びる線Lv上において、外側外周面132aから外側内周面132bまでの保護キャップ130の距離を意味し、D2とは、保護キャップ130の内側外周面133aから内側内周面133bまでの保護キャップ130の距離を意味する。また、D3とは、図1Bに示すように、保護キャップ130の凹面131aから端面134までの中心軸Cに平行の距離を意味する。   From the viewpoint of securing the strength of the protective cap 130, the thickness D1 to D3 of the protective cap 130 is preferably 2.0 mm or more, more preferably 2.5 mm or more, and still more preferably 3.0 mm or more. Moreover, in consideration of packing the said sputtering target 100, 5.0 mm or less is preferable, 4.5 mm or less is more preferable, 4.0 mm or less is still more preferable. Here, D1 means, as shown in FIG. 2, the distance of the protective cap 130 from the outer peripheral surface 132a to the outer inner peripheral surface 132b on the line Lv extending radially outward from the central axis C of the protective cap 130. D2 means the distance of the protective cap 130 from the inner circumferential surface 133a of the protective cap 130 to the inner circumferential surface 133b. Moreover, D3 means the distance parallel to the central axis C from the concave surface 131a of the protective cap 130 to the end surface 134, as shown in FIG. 1B.

保護キャップ130は、図3に示すように、切欠部131の外側内周面132bと円筒型バッキングチューブ120の中心軸C方向の端部121の外周面121cとの間にクリアランスWを設けることが好ましい。クリアランスWは、円筒型バッキングチューブ120の端部121から容易に保護キャップ130を取り外すという観点から、0.1mm以上が好ましく、0.25mm以上がより好ましく、0.3mm以上がさらにより好ましい。ただし、クリアランスWは、当該スパッタリングターゲット100の輸送時に生じる振動で保護キャップ130が外れないことを考慮し、1.0mm未満が好ましく、0.8mm以下がより好ましく、0.5mm以下がさらにより好ましい。ここで、Wとは、保護キャップ130の中心軸Cから径方向外側に延びる線上において、保護キャップ130の外側内周面132bから円筒型バッキングチューブ120の端部121の外周面121cまでの距離を意味する。なお、切欠部131の内側外周面133aは、バッキングチューブ120のシール面を保護するという観点から、バッキングチューブ120の中心軸C方向の端部121の内周面121aと当接している。   In the protective cap 130, as shown in FIG. 3, a clearance W may be provided between the outer inner circumferential surface 132b of the notch 131 and the outer circumferential surface 121c of the end 121 of the cylindrical backing tube 120 in the central axis C direction. preferable. The clearance W is preferably 0.1 mm or more, more preferably 0.25 mm or more, and still more preferably 0.3 mm or more from the viewpoint of easily removing the protective cap 130 from the end 121 of the cylindrical backing tube 120. However, the clearance W is preferably less than 1.0 mm, more preferably 0.8 mm or less, and still more preferably 0.5 mm or less, in consideration of the fact that the protective cap 130 is not removed by vibration generated during transportation of the sputtering target 100. . Here, W is the distance from the outer inner circumferential surface 132 b of the protective cap 130 to the outer circumferential surface 121 c of the end portion 121 of the cylindrical backing tube 120 on the line extending radially outward from the central axis C of the protective cap 130. means. The inner peripheral surface 133a of the notch 131 is in contact with the inner peripheral surface 121a of the end 121 of the backing tube 120 in the direction of the central axis C from the viewpoint of protecting the sealing surface of the backing tube 120.

また、保護キャップ130は、図4に示すように、円筒型バッキングチューブ120の端部121を一部被覆していることが好ましい。すなわち、円筒型スパッタリングターゲット材110の端部111の端面111aは、保護キャップ130の隆起面131bと距離L離間している。距離Lは、円筒型バッキングチューブ120の端部121を保護する観点から、5.0mm以下が好ましい。   Further, as shown in FIG. 4, the protective cap 130 preferably partially covers the end 121 of the cylindrical backing tube 120. That is, the end surface 111 a of the end portion 111 of the cylindrical sputtering target material 110 is separated from the raised surface 131 b of the protective cap 130 by a distance L. The distance L is preferably 5.0 mm or less from the viewpoint of protecting the end 121 of the cylindrical backing tube 120.

保護キャップ130は、図5及び図6に示すように、円筒型スパッタリングターゲット材110の中心軸C方向の端部111をさらに被覆することが好ましい。図5では、保護キャップ130の切欠部131に段差面131b1が形成され、その段差面131b1は、円筒型スパッタリングターゲット材110の端面111aと当接している。当該保護キャップ130は円筒型スパッタリングターゲット材110の端部111の内周面111b及び外周面111cに沿って中心軸Cと平行に延在する。そのとき、保護キャップ130においては、保護キャップ130の隆起面131bから段差面131b1と同じ位置までの中心軸Cに平行の距離d1を20mm以下被覆するのが好ましい。これにより、円筒型バッキングチューブ120の端部121だけでなく、円筒型スパッタリングターゲット材110の端部111の損傷や変形をより確実に防止することができる。また、当該保護キャップ130においては、機械的衝撃を和らげるため、中心軸Cから径方向外側に延びる線上に円筒型スパッタリングターゲット材110の端部111の外周面111cから保護キャップ130の外側外周面132aまでの距離d2は、3mm以上であることが好ましい。さらに、図6に示すように、保護キャップ130を円筒型バッキングチューブ120の端部121に被覆した場合、円筒型バッキングチューブ120の端部121の外周面121cから保護キャップ130の外側内周面132bまでの間に形成された中空部V3を有する。そこで、保護キャップ130は、当該スパッタリングターゲット100の輸送時に生じる振動で外れないという観点から、円筒型バッキングチューブ120の内周面120aの一部に沿って延在していることが好ましい。   The protective cap 130 preferably further covers the end 111 in the direction of the central axis C of the cylindrical sputtering target material 110 as shown in FIGS. 5 and 6. In FIG. 5, the step surface 131 b 1 is formed in the notch 131 of the protective cap 130, and the step surface 131 b 1 is in contact with the end surface 111 a of the cylindrical sputtering target material 110. The protective cap 130 extends parallel to the central axis C along the inner circumferential surface 111 b and the outer circumferential surface 111 c of the end portion 111 of the cylindrical sputtering target material 110. At that time, in the protective cap 130, it is preferable to cover the distance d1 parallel to the central axis C from the raised surface 131b of the protective cap 130 to the same position as the step surface 131b1 by 20 mm or less. Thus, damage and deformation of not only the end 121 of the cylindrical backing tube 120 but also the end 111 of the cylindrical sputtering target material 110 can be prevented more reliably. Further, in the protective cap 130, the outer peripheral surface 132a of the protective cap 130 is formed from the outer peripheral surface 111c of the end portion 111 of the cylindrical sputtering target material 110 on a line extending radially outward from the central axis C in order to soften mechanical impact. The distance d2 to reach is preferably 3 mm or more. Furthermore, as shown in FIG. 6, when the protective cap 130 is coated on the end 121 of the cylindrical backing tube 120, the outer circumferential surface 121 c of the end 121 of the cylindrical backing tube 120 is exposed to the outer inner circumferential surface 132 b of the protective cap 130. The hollow portion V3 is formed between them. Therefore, it is preferable that the protective cap 130 extends along a part of the inner circumferential surface 120 a of the cylindrical backing tube 120 from the viewpoint of not being detached by vibration generated during transportation of the sputtering target 100.

また、保護キャップ130は、図7に示すように、円柱状であって、バッキングチューブ120の端部121を被覆するための凹状の切欠部131を形成する。当該保護キャップ130は、中空部が形成されていないので、円筒型バッキングチューブ120の中空部V1を密閉することとなる。このような場合には、当該スパッタリングターゲット100を梱包する際における真空排気を考慮して、保護キャップ130の中心部に貫通孔H(例えば、φ5mm以下)を中心軸C方向に形成することが好ましい。この貫通孔Hは、スパッタリングターゲット100を梱包する際において、円筒型バッキングチューブ120の中空部V1に存在するガスを排気し、或いは外部から中空部V1にガスを供給するガス流路となる。   In addition, as shown in FIG. 7, the protective cap 130 is cylindrical and forms a concave notch 131 for covering the end 121 of the backing tube 120. The hollow portion is not formed in the protective cap 130, so the hollow portion V1 of the cylindrical backing tube 120 is sealed. In such a case, it is preferable to form the through hole H (for example, φ5 mm or less) in the central axis C direction in the center of the protective cap 130 in consideration of vacuum evacuation when the sputtering target 100 is packaged. . The through holes H serve as gas flow paths for evacuating the gas present in the hollow portion V1 of the cylindrical backing tube 120 or for supplying the gas from the outside to the hollow portion V1 when the sputtering target 100 is packaged.

保護キャップ130の材質としては、外部からの衝撃に強い合成樹脂を含んでおり、例えば、シリコーンゴム、バイトンゴム、フッ素ゴム、ブチルゴム、アクリルゴム、エチレンプロピレンゴム、ウレタンゴム、ポリエステル系エラストマー、ポリオレフィン系エラストマー、フッ素系エラストマー、シリコーン系エラストマー、ブタジエン系エラストマー、ポリアミド系エラストマー、ポリスチレン系エラストマー、ウレタン系エラストマー、ポリウレタン樹脂、可撓性エポキシ樹脂、フッ素樹脂、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート、及びポリエチレンナフタレートが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。中でも、保護キャップ130の材質としては、化学的に安定で耐熱性にも優れているため、ポリテトラフルオロエチレンが好ましい。   The material of the protective cap 130 includes a synthetic resin that is resistant to external impact, and, for example, silicone rubber, viton rubber, fluororubber, butyl rubber, acrylic rubber, ethylene propylene rubber, urethane rubber, polyester elastomer, polyolefin elastomer , Fluorocarbon elastomer, silicone elastomer, butadiene elastomer, polyamide elastomer, polystyrene elastomer, urethane elastomer, polyurethane resin, flexible epoxy resin, fluorocarbon resin, polycarbonate, polypropylene, polyethylene, polyethylene terephthalate, and polyethylene naphthalate Can be mentioned. These may be used alone or in combination of two or more. Among them, polytetrafluoroethylene is preferable as the material of the protective cap 130 because it is chemically stable and excellent in heat resistance.

保護キャップ130のヤング率は、外部衝撃を緩和するという観点から、2500MPa以下が好ましく、2000MPa以下がより好ましく、1600MPa以下がさらにより好ましい。なお、本発明において、保護キャップ130のヤング率は、JIS K7127:1999に準拠し測定されたものである。   The Young's modulus of the protective cap 130 is preferably 2500 MPa or less, more preferably 2000 MPa or less, and even more preferably 1600 MPa or less from the viewpoint of alleviating external impact. In the present invention, the Young's modulus of the protective cap 130 is measured in accordance with JIS K7127: 1999.

(接合材)
接合材は、円筒型バッキングチューブ120と円筒型スパッタリングターゲット材110との間に設けられる。接合材は、これらの間に接合層140として形成されている。接合材は、円筒型バッキングチューブ120と円筒型スパッタリングターゲット材110とを接合するとともに、耐熱性と熱伝導性が良好であることが好ましい。また、スパッタリング中は真空下に置かれるため、真空中でガス放出が少ない特性を有することが好ましい。
(Bonding material)
The bonding material is provided between the cylindrical backing tube 120 and the cylindrical sputtering target material 110. The bonding material is formed as a bonding layer 140 between them. The bonding material preferably bonds the cylindrical backing tube 120 and the cylindrical sputtering target material 110 and has good heat resistance and thermal conductivity. Moreover, since it is under a vacuum during sputtering, it is preferable to have the property that the outgassing in vacuum is small.

さらに、製造上の観点から、接合材は、円筒型バッキングチューブ120と円筒型スパッタリングターゲット材110を接合するときに流動性を有することが好ましい。これらの特性を満足するために、接合材としては、融点が300℃以下の低融点金属材料を用いることができる。例えば、接合材として、インジウム(In)、スズ(Sn)などの金属、またはこれらのうちいずれか一種の元素を含む金属合金材料を用いてもよい。具体的には、インジウム又はスズの単体、インジウムとスズの合金、スズを主成分とするはんだ合金などを用いてもよい。   Furthermore, from the viewpoint of production, the bonding material preferably has fluidity when bonding the cylindrical backing tube 120 and the cylindrical sputtering target material 110. In order to satisfy these characteristics, a low melting point metal material having a melting point of 300 ° C. or less can be used as the bonding material. For example, as the bonding material, a metal such as indium (In) or tin (Sn) or a metal alloy material containing any one of these elements may be used. Specifically, a single substance of indium or tin, an alloy of indium and tin, a solder alloy containing tin as a main component, or the like may be used.

例えば、スパッタリングターゲット200は、図8に示すように、円筒型スパッタリングターゲット材210が同軸上に複数配列され、接合材を介して円筒型バッキングチューブ120に接合されている。そして、円筒型バッキングチューブ120の両端部121は、保護キャップ130で被覆されている。なお、隣り合う円筒型スパッタリングターゲット材210の間215に緩衝材等のシート部材を介在することで、輸送等で発生する機械的衝撃に対して円筒型スパッタリングターゲット材210の端部211の損傷や変形を抑制することができる。   For example, as shown in FIG. 8, in the sputtering target 200, a plurality of cylindrical sputtering target materials 210 are coaxially arranged, and are bonded to the cylindrical backing tube 120 via a bonding material. The both ends 121 of the cylindrical backing tube 120 are covered with a protective cap 130. Note that by interposing sheet members such as a shock absorbing material between adjacent cylindrical sputtering target materials 210, damage to the end portion 211 of the cylindrical sputtering target material 210 or mechanical impact generated by transportation etc. Deformation can be suppressed.

[2.スパッタリングターゲットの製造方法]
次に、本発明に係るスパッタリングターゲットの製造方法の一実施形態について図面を使用しながら説明する。図9は、本発明に係るスパッタリングターゲットの製造方法の一実施形態の概略を示すフロー図である。
[2. Method of manufacturing sputtering target]
Next, an embodiment of a method of manufacturing a sputtering target according to the present invention will be described using the drawings. FIG. 9 is a flow chart schematically showing an embodiment of a method of manufacturing a sputtering target according to the present invention.

本発明に係るスパッタリングターゲットの製造方法の一実施形態では、酸化インジウムスズ(ITO)焼結体を焼結体とした例を示すが、焼結体の材料はITOに限定されず、ZnO、IZO、IGZOその他の酸化金属化合物を用いることもできる。   In one embodiment of the method of manufacturing a sputtering target according to the present invention, although an example in which an indium tin oxide (ITO) sintered body is a sintered body is shown, the material of the sintered body is not limited to ITO, and ZnO, IZO , IGZO and other metal oxide compounds can also be used.

まず、焼結体を構成する原材料を準備する。本実施形態では、酸化インジウムの粉末と酸化スズの粉末を準備する(S11、S12)。これらの原料の純度は、通常2N(99質量%)以上、好ましくは3N(99.9質量%)以上、さらに好ましくは4N(99.99質量%)以上であるとよい。純度が2Nより低いと焼結体に不純物が多く含まれてしまうため、所望の物性を得られなくなる(例えば、形成した薄膜の透過率の減少、抵抗値の増加、アーキングに伴うパーティクルの発生)という問題が生じ得る。   First, the raw material which comprises a sintered compact is prepared. In the present embodiment, indium oxide powder and tin oxide powder are prepared (S11, S12). The purity of these raw materials is generally 2N (99% by mass) or more, preferably 3N (99.9% by mass) or more, and more preferably 4N (99.99% by mass) or more. If the purity is lower than 2N, the sintered body contains a large amount of impurities, and thus the desired physical properties can not be obtained (for example, the transmittance of the formed thin film decreases, the resistance increases, and the particles are generated due to arcing) Problems can arise.

次に、これら原材料の粉末を粉砕し混合する(S13)。原材料の粉末の粉砕混合処理は、ジルコニア、アルミナ、ナイロン樹脂等のボールやビーズ(いわゆるメディア)を用いた乾式法を使用したり、前記ボールやビーズを用いたメディア撹拌式ミル、メディアレスの容器回転式ミル、機械撹拌式ミル、気流式ミルなどの湿式法を使用したりすることができる。ここで、一般的に湿式法は、乾式法に比べて粉砕及び混合能力に優れているため、湿式法を用いて混合を行うことが好ましい。   Next, the powders of these raw materials are pulverized and mixed (S13). Grinding and mixing of the raw material powder may be carried out using a dry method using balls or beads (so-called media) such as zirconia, alumina, nylon resin, etc., a media stirring type mill using the balls or beads, or a medialess container It is possible to use a wet method such as a rotary mill, a mechanical agitation mill, or an air flow mill. Here, since the wet method is generally superior to the dry method in grinding and mixing ability, it is preferable to perform the mixing using the wet method.

原材料の組成については特に制限はないが、目的とする焼結体の組成比に応じて適宜調整することが望ましい。   There is no particular limitation on the composition of the raw material, but it is desirable to adjust appropriately depending on the composition ratio of the target sintered body.

次に、原材料の粉末のスラリーを乾燥、造粒する(S13)。このとき、急速乾燥造粒を用いてスラリーを急速乾燥してもよい。急速乾燥造粒は、スプレードライヤを使用し、熱風の温度や風量を調整して行えばよい。   Next, the raw material powder slurry is dried and granulated (S13). At this time, the slurry may be rapidly dried using rapid drying granulation. The rapid drying granulation may be performed by using a spray dryer and adjusting the temperature and volume of the hot air.

次に、上述した混合及び造粒して得られた混合物(仮焼成を設けた場合には仮焼成されたもの)を加圧成形して円筒型の成形体を形成する(S14)。この工程によって、目的とする焼結体に好適な形状に成形する。成形処理としては、例えば、金型成形、鋳込み成形、射出成形等が挙げられるが、円筒型のように複雑な形状を得るためには、冷間等方圧加工法(Cold Isostatic Pressing:CIP)等で成形することが好ましい。CIPによる成形の圧力は、好ましくは100MPa以上200MPa以下であるとよい。上記のように成形の圧力を調整することによって、54.5%以上の相対密度を有する成形体を形成することができる。成形体の相対密度を上記の範囲にすることで、その後の焼結によって得られる焼結体の相対密度を99.7%以上にすることができる。   Next, the mixture obtained by mixing and granulating as described above (the one which has been temporarily calcined when provided with temporary calcination) is pressure-formed to form a cylindrical shaped body (S14). By this process, it shape | molds in the shape suitable for the target sintered compact. Examples of molding processing include mold molding, cast molding, injection molding and the like, but in order to obtain a complicated shape such as a cylindrical shape, cold isostatic pressing (CIP) It is preferable to form by, for example. The pressure of molding by CIP is preferably 100 MPa or more and 200 MPa or less. By adjusting the molding pressure as described above, a molded body having a relative density of 54.5% or more can be formed. By setting the relative density of the compact to the above range, the relative density of the sintered body obtained by the subsequent sintering can be 99.7% or more.

次に、成形工程で得られた円筒型の成形体を焼結する(S15)。焼結には電気炉を使用する。焼結条件は焼結体の組成によって適宜選択することができる。例えばSnO2を10質量%含有するITOであれば、酸素ガス雰囲気中において、1400℃以上1600℃以下の温度下に10時間以上30時間以下置くことにより焼結することができる。焼結温度が下限よりも低い場合、焼結体の相対密度が低下してしまう。一方、1600℃を超えると電気炉や炉材へのダメージが大きく頻繁にメンテナンスが必要となるため、作業効率が著しく低下する。また、焼結時間が下限よりも短いと焼結体の相対密度が低下してしまう。また、焼結時の圧力は大気圧であってもよく、又は加圧雰囲気であってもよい。 Next, the cylindrical shaped body obtained in the forming step is sintered (S15). An electric furnace is used for sintering. The sintering conditions can be appropriately selected depending on the composition of the sintered body. For example, an ITO containing 10% by mass of SnO 2 can be sintered by placing it in an oxygen gas atmosphere at a temperature of 1400 ° C. or more and 1600 ° C. or less for 10 hours or more and 30 hours or less. When the sintering temperature is lower than the lower limit, the relative density of the sintered body is reduced. On the other hand, when the temperature exceeds 1600 ° C., damage to the electric furnace and the furnace material is large, and maintenance is frequently required, so that the working efficiency is significantly reduced. In addition, if the sintering time is shorter than the lower limit, the relative density of the sintered body is reduced. In addition, the pressure at the time of sintering may be atmospheric pressure or may be a pressurized atmosphere.

次に、形成された円筒型の焼結体を、平面研削盤、円筒研削盤、旋盤、切断機、マシニングセンタ等の機械加工機を用いて、円筒型の所望の形状に機械加工する(S16)。ここで行う機械加工は、円筒型の焼結体を所望の形状、表面粗さとなるように加工する工程であり、最終的にこの工程を経て円筒型スパッタリングターゲット材110が形成される。   Next, the formed cylindrical sintered body is machined to a desired cylindrical shape using a machining machine such as a surface grinder, a cylindrical grinder, a lathe, a cutting machine, and a machining center (S16). . The machining performed here is a step of processing a cylindrical sintered body so as to have a desired shape and surface roughness, and finally, the cylindrical sputtering target material 110 is formed through this step.

次に、機械加工された円筒型スパッタリングターゲット材110を純水中で超音波洗浄処理することで、円筒型スパッタリングターゲット材110の表面に付着した機械加工の研削屑を除去する。続いて、円筒型スパッタリングターゲット材110を、接合材を介して円筒型バッキングチューブ120に接合(ボンディング)する(S17)。例えば、接合材としてインジウムを使用する場合、円筒型スパッタリングターゲット材110と円筒型バッキングチューブ120との間隙に溶融させたインジウムを注入する。このようにして、円筒型スパッタリングターゲット100を得ることができる。   Next, the machined cylindrical sputtering target material 110 is subjected to ultrasonic cleaning treatment in pure water to remove machining grinding dust attached to the surface of the cylindrical sputtering target material 110. Subsequently, the cylindrical sputtering target material 110 is bonded (bonded) to the cylindrical backing tube 120 via the bonding material (S17). For example, when using indium as a bonding material, melted indium is injected into the gap between the cylindrical sputtering target material 110 and the cylindrical backing tube 120. Thus, the cylindrical sputtering target 100 can be obtained.

次に、円筒型スパッタリングターゲット100に備わる円筒型バッキングチューブ120の少なくともいずれかの中心軸C方向の端部121に保護キャップ130を被覆する(S18)。保護キャップ130の成形手段は、特に限定されないが、射出成形(インサート成形、中空成形、多色成形等を含む)、ブロー成形、圧縮成形、及び押出し成形等が挙げられる。   Next, the protective cap 130 is coated on the end 121 in the central axis C direction of at least one of the cylindrical backing tubes 120 provided on the cylindrical sputtering target 100 (S18). The molding means of the protective cap 130 is not particularly limited, and injection molding (including insert molding, hollow molding, multicolor molding and the like), blow molding, compression molding, extrusion molding and the like can be mentioned.

このようにして、保護キャップ付き円筒型スパッタリングターゲット100を得ることができる。   Thus, the cylindrical sputtering target 100 with a protective cap can be obtained.

[3.スパッタリングターゲットの梱包方法]
次に、本発明に係るスパッタリングターゲットの梱包方法の一実施形態について図面を使用しながら説明する。図10は、本発明に係るスパッタリングターゲットの梱包方法の一実施形態の概略を示すフロー図である。図11は、本発明に係るスパッタリングターゲットの梱包方法の一実施形態により梱包されたスパッタリングターゲットを示す概略断面図である。
[3. Packaging Method for Sputtering Target]
Next, an embodiment of a packing method of a sputtering target according to the present invention will be described using the drawings. FIG. 10 is a flowchart showing an outline of an embodiment of a packing method of a sputtering target according to the present invention. FIG. 11 is a schematic cross-sectional view showing the sputtering target packaged by the embodiment of the packaging method of the sputtering target according to the present invention.

本発明に係るスパッタリングターゲットの梱包方法の一実施形態は、図10に示すように、円筒型バッキングチューブ120の中空部V1内を不活性ガス又は真空雰囲気に調節する工程S21と、円筒型バッキングチューブ120の両端部121の開口部を覆い、バッキングチューブ120の中空部V1内を密閉するように保護フィルム150を形成する工程S22とを含む。   One embodiment of the packing method of the sputtering target according to the present invention is, as shown in FIG. 10, a step S21 of adjusting the inside of the hollow portion V1 of the cylindrical backing tube 120 to an inert gas or vacuum atmosphere; And forming a protective film 150 so as to cover the openings of the both end portions 121 of 120 and seal the inside of the hollow portion V1 of the backing tube 120.

(不活性雰囲気)
円筒型バッキングチューブ120の中空部V1に存在する気体を所望のガスに置換するために、中空部V1の気体を排気し、排気された中空部V1に不活性ガスを導入する。そして、中空部V1に導入された不活性ガスを排気した後に上記ガスを中空部V1に充填する。なお、中空部V1の気体の排気及び不活性ガスの導入を複数回繰り返してもよい。これにより、中空部V1に充填されるガスの純度を、供給されるガスの純度に近づけることができる。その結果、ゴミ及び水分が少ない良質なガスを空間に充填することができる。そして、図11に示すように、ガスが充填された状態で保護フィルム150によってスパッタリングターゲット100を梱包する。
(Inert atmosphere)
In order to replace the gas present in the hollow portion V1 of the cylindrical backing tube 120 with a desired gas, the gas in the hollow portion V1 is evacuated, and an inert gas is introduced into the evacuated hollow portion V1. Then, after the inert gas introduced into the hollow portion V1 is exhausted, the gas is filled into the hollow portion V1. Note that the exhaust of the gas in the hollow portion V1 and the introduction of the inert gas may be repeated a plurality of times. Thereby, the purity of the gas filled in the hollow portion V1 can be made close to the purity of the supplied gas. As a result, it is possible to fill the space with a high quality gas with little dust and moisture. And as shown in FIG. 11, the sputtering target 100 is packed by the protective film 150 in the state with which gas was filled.

中空部V1に充填されるガスとしては、例えばアルゴン(Ar)又は窒素(N2)を用いることができる。中空部V1に充填されるガスの圧力は、中空部V1の圧力と外部の大気圧との差を考慮し、30kPa以上が好ましく、40kPa以上がより好ましい。また、ガスの圧力は、空輸等における輸送時のガスの体積膨張を考慮し、60kPa以下が好ましく、50kPa以下がより好ましい。 As the gas to be filled in the hollow portion V1, it can be used, for example argon (Ar) or nitrogen (N 2). The pressure of the gas with which the hollow portion V1 is filled is preferably 30 kPa or more, more preferably 40 kPa or more, in consideration of the difference between the pressure of the hollow portion V1 and the atmospheric pressure outside. The pressure of the gas is preferably 60 kPa or less, more preferably 50 kPa or less, in consideration of volumetric expansion of the gas during transportation in air or the like.

また、中空部V1は水分量が少ないことが好ましい。つまり、保管環境によっては保護フィルム150の内側の結露を抑制するという観点から、中空部V1に充填されたガスの露点温度は、−80〜−50℃であることが好ましい。そうすることで、保護フィルム150の内側が結露せず、当該スパッタリングターゲット100の使用時にアーキングなどを引き起こさずに成膜することが可能である。   The hollow portion V1 preferably has a small amount of water. That is, it is preferable that the dew point temperature of the gas with which the hollow part V1 was filled is -80 to -50 degreeC from a viewpoint of suppressing dew condensation inside the protective film 150 depending on storage environment. By doing so, the inner side of the protective film 150 is not condensed, and it is possible to form a film without causing arcing or the like when using the sputtering target 100.

(保護フィルム)
保護フィルム150は、フィルム状の樹脂が用いられる。保護フィルム150の材料としては、性質の異なる複数のフィルムを積層させた積層フィルムを用いることができる。例えば、2つのポリエチレンフィルムで機能性フィルムを挟んだ積層フィルムを用いることができる。ポリエチレンフィルムは、機能性フィルムに比べて熱による融解温度が低い材料を用いることができる。ポリエチレンフィルムが機能性フィルムを挟む構成によって、ヒートシールの際にポリエチレンフィルム同士が確実に融解するため、確実に保護フィルムの密封を行うことができる。機能性フィルムは、酸素透過度および透湿度の少なくともいずれか1つがポリエチレンフィルムよりも低いことが好ましい。また、機能性フィルムは、突き刺し強度および引張強度の少なくともいずれか1つがポリエチレンフィルムよりも高いことが好ましい。
(Protective film)
For the protective film 150, a film-like resin is used. As a material of the protective film 150, it is possible to use a laminated film in which a plurality of films having different properties are laminated. For example, a laminated film in which a functional film is sandwiched between two polyethylene films can be used. The polyethylene film can use a material having a thermal melting temperature lower than that of the functional film. By the structure which a polyethylene film clamps a functional film, since polyethylene films melt | dissolve reliably at the time of heat sealing, sealing of a protective film can be performed reliably. The functional film preferably has at least one of oxygen permeability and moisture permeability lower than a polyethylene film. Further, in the functional film, it is preferable that at least one of the puncture strength and the tensile strength is higher than that of the polyethylene film.

具体的には、機能性フィルムとしては、出光ユニテック製ユニロン(登録商標)を用いることができ、好ましくは旭化成製サランラップ(登録商標)を用いることができ、さらに好ましくはクラレ製エバール(登録商標)フィルムを用いることができる。ここで、ユニロン、サランラップ、およびエバールフィルムの物性は下記の通りである。なお、機能性フィルムは下記のフィルムに限定されず、目的に応じて多様なフィルムを用いることができる。
[ユニロン]
・酸素透過度(20℃ 90%RH):37cc/d・atm
・透湿度(40℃ 90%RH):90g/m2・day
・突き刺し強度:16.0kgf(10.9×10-3MPa)
・引張強度:260MPa
[サランラップ]
・酸素透過度(20℃ 90%RH):60cc/d・atm
・透湿度(40℃ 90%RH):12g/m2・day
・引張強度:470MPa
[エバールフィルム]
・酸素透過度(20℃ 90%RH):30cc/d・atm
・透湿度(40℃ 90%RH):5.3g/m2・day
・突き刺し強度:11.1kgf(10.9×10-3MPa)
・引張強度:40MPa
Specifically, Unilon (registered trademark) manufactured by Idemitsu Unitech can be used as the functional film, preferably Saran Wrap (registered trademark) manufactured by Asahi Kasei Corp., and more preferably Evar (registered trademark) manufactured by Kuraray A film can be used. Here, the physical properties of the Unilon, Saran wrap, and Evar films are as follows. In addition, a functional film is not limited to the following film, A various film can be used according to the objective.
[Union]
Oxygen permeability (20 ° C 90% RH): 37 cc / d atm
Moisture permeability (40 ° C 90% RH): 90 g / m 2 · day
・ Steel strength: 16.0 kgf (10.9 × 10 -3 MPa)
・ Tensile strength: 260MPa
[Saran Wrap]
Oxygen permeability (20 ° C 90% RH): 60 cc / d atm
Moisture permeability (40 ° C. 90% RH): 12 g / m 2 · day
· Tensile strength: 470MPa
[Eval film]
-Oxygen permeability (20 ° C 90% RH): 30 cc / d atm
Moisture permeability (40 ° C. 90% RH): 5.3 g / m 2 · day
・ Steel strength: 11.1 kgf (10.9 × 10 -3 MPa)
· Tensile strength: 40MPa

本発明を実施例、比較例に基づいて具体的に説明する。以下の実施例、比較例の記載は、あくまで本発明の技術的内容の理解を容易とするための具体例であり、本発明の技術的範囲はこれらの具体例によって制限されるものではない。なお、実施例1〜7及び比較例1〜3において組み立てたスパッタリングターゲットの保護キャップ及びその周囲を説明する拡大図である図12を使用しながら説明する。   The present invention will be specifically described based on examples and comparative examples. The descriptions of the following examples and comparative examples are merely specific examples for facilitating the understanding of the technical contents of the present invention, and the technical scope of the present invention is not limited by these specific examples. In addition, it demonstrates, using FIG. 12 which is an enlarged view explaining the protective cap of the sputtering target assembled in Examples 1-7 and Comparative Examples 1-3, and its periphery.

(実施例1)
まず、下記の円筒型スパッタリングターゲット材210を3本、下記の円筒型バッキングチューブ120を1本それぞれ準備した。円筒型スパッタリングターゲット材210の内側に接合材を介して円筒型バッキングチューブ120を、当該円筒型バッキングチューブの端部121の外周面121cが中心軸C方向に9mm露出するように接合し、スパッタリングターゲット200を組み立てた。
<円筒型スパッタリングターゲット材>
円筒軸方向の長さ:243mm
円筒外径:153mm
円筒内径:135mm
材質:ITO
<円筒型バッキングチューブ>
円筒軸方向の長さ:785mm
円筒外径:133mm
円筒内径:126mm
材質:Ti
<接合材>
材質:In
Example 1
First, three cylindrical sputtering target materials 210 described below and one cylindrical backing tube 120 described below were prepared. The cylindrical backing tube 120 is bonded to the inside of the cylindrical sputtering target material 210 via a bonding material so that the outer peripheral surface 121c of the end 121 of the cylindrical backing tube is exposed 9 mm in the central axis C direction, and the sputtering target I assembled 200.
<Cylindrical sputtering target material>
Cylindrical axial length: 243 mm
Cylindrical outer diameter: 153 mm
Cylinder inner diameter: 135 mm
Material: ITO
<Cylindrical backing tube>
Cylindrical axial length: 785 mm
Cylindrical outer diameter: 133 mm
Cylinder inner diameter: 126 mm
Material: Ti
<Bonding material>
Material: In

次に、表1に示すように、ポリプロピレン製の保護キャップ130の平均肉厚D1〜D3をそれぞれ3mmとなるように、下記のように作製した。なお、保護キャップ130は、射出成形により製造された。   Next, as shown in Table 1, it manufactured as follows so that average thickness D1-D3 of the protection cap 130 made from polypropylene might be 3 mm, respectively. The protective cap 130 was manufactured by injection molding.

円筒型バッキングチューブ120の中心軸C方向の両端部121に、クリアランスWが0.3mmとなるように保護キャップ130を被覆した。そして、当該スパッタリングターゲット200の下記評価を行った。   Protective caps 130 were coated on both ends 121 of the cylindrical backing tube 120 in the central axis C direction so that the clearance W was 0.3 mm. And the following evaluation of the said sputtering target 200 was performed.

<落下試験>
まず、厚さ20mmのウレタン材で覆われたアルミニウム板(縦300mm×横300mm×厚さ10mm)を用意した。次に、上記板から高さ300mm離れた位置からバッキングチューブ120の端面121bを、中心軸C方向に上記板に向けて落下させた。次に、落下したスパッタリングターゲットを回収し、保護キャップ130を取り外して、円筒型バッキングチューブ120の端部121及び円筒型スパッタリングターゲット材210の端部211を目視で観察した。その結果を、表1に示す。
Drop Test
First, an aluminum plate (length 300 mm × width 300 mm × thickness 10 mm) covered with a urethane material having a thickness of 20 mm was prepared. Next, the end face 121b of the backing tube 120 was dropped toward the central axis C in the direction of the central axis C from a position 300 mm away from the central plate. Next, the dropped sputtering target was recovered, the protective cap 130 was removed, and the end 121 of the cylindrical backing tube 120 and the end 211 of the cylindrical sputtering target material 210 were visually observed. The results are shown in Table 1.

(実施例2)
表1に示すようにクリアランスWを0.1mmに変更したこと以外、実施例1と同様に行い、評価した。なお、評価結果を、表1に示す。
(Example 2)
As shown in Table 1, evaluation and evaluation were carried out in the same manner as in Example 1 except that the clearance W was changed to 0.1 mm. The evaluation results are shown in Table 1.

(実施例3)
表1に示すように保護キャップ130の肉厚D1〜D3をそれぞれ5mmに変更したこと以外、実施例1と同様に行い、評価した。なお、評価結果を、表1に示す。
(Example 3)
As shown in Table 1, evaluation and evaluation were carried out in the same manner as in Example 1 except that the thicknesses D1 to D3 of the protective cap 130 were changed to 5 mm. The evaluation results are shown in Table 1.

(実施例4)
表1に示すように保護キャップ130の材質をポリテトラフルオロエチレン(PTFE)に変更したこと以外、実施例1と同様に行い、評価した。なお、評価結果を、表1に示す。
(Example 4)
As shown in Table 1, evaluation and evaluation were carried out in the same manner as in Example 1 except that the material of the protective cap 130 was changed to polytetrafluoroethylene (PTFE). The evaluation results are shown in Table 1.

(実施例5)
表1に示すように保護キャップ130の材質をシリコーンゴムに変更したこと以外、実施例1と同様に行い、評価した。なお、評価結果を、表1に示す。
(Example 5)
As shown in Table 1, evaluation and evaluation were carried out in the same manner as in Example 1 except that the material of the protective cap 130 was changed to silicone rubber. The evaluation results are shown in Table 1.

(実施例6)
表1に示すように保護キャップ130の材質をウレタンゴムに変更したこと以外、実施例1と同様に行い、評価した。なお、評価結果を、表1に示す。
(Example 6)
As shown in Table 1, evaluation and evaluation were carried out in the same manner as in Example 1 except that the material of the protective cap 130 was changed to urethane rubber. The evaluation results are shown in Table 1.

(実施例7)
表1に示すように円筒型スパッタリングターゲット材210をIZO製に変更したこと以外、実施例1と同様に行い、評価した。なお、評価結果を、表1に示す。
(Example 7)
As shown in Table 1, evaluation and evaluation were carried out in the same manner as in Example 1 except that the cylindrical sputtering target material 210 was changed to IZO. The evaluation results are shown in Table 1.

(比較例1)
表1に示すようにクリアランスWを1.0mmに変更したこと以外、実施例1と同様に行い、評価した。なお、評価結果を、表1に示す。
(Comparative example 1)
Evaluation was carried out in the same manner as in Example 1 except that the clearance W was changed to 1.0 mm as shown in Table 1. The evaluation results are shown in Table 1.

(比較例2)
表1に示すように保護キャップ130の肉厚D1〜D3をそれぞれ1mmに変更したこと以外、実施例1と同様に行い、評価した。なお、評価結果を、表1に示す。
(Comparative example 2)
As shown in Table 1, evaluation and evaluation were carried out in the same manner as in Example 1 except that the thicknesses D1 to D3 of the protective cap 130 were respectively changed to 1 mm. The evaluation results are shown in Table 1.

(比較例3)
表1に示すように保護キャップ130の材質をステンレス(SUS)に変更したこと以外、実施例1と同様に行い、評価した。なお、評価結果を、表1に示す。
(Comparative example 3)
As shown in Table 1, evaluation and evaluation were carried out in the same manner as in Example 1 except that the material of the protective cap 130 was changed to stainless steel (SUS). The evaluation results are shown in Table 1.

表1によれば、実施例1〜7では、落下試験において、バッキングチューブの端部の内周面側のシール面が損傷しておらず、バッキングチューブの端部が変形していないことを確認した。さらに、円筒型スパッタリングターゲット材の端部も傷や変形がないことを確認した。そのため、円筒型バッキングチューブの端部に保護キャップを被覆し、その保護キャップが合成樹脂を含むことが有用であるといえる。   According to Table 1, in Examples 1 to 7, in the drop test, it is confirmed that the seal surface on the inner peripheral surface side of the end portion of the backing tube is not damaged and the end portion of the backing tube is not deformed did. Furthermore, it was confirmed that the end portion of the cylindrical sputtering target material was not damaged or deformed. Therefore, it may be useful to coat the end of the cylindrical backing tube with a protective cap, and the protective cap contains a synthetic resin.

100、200 スパッタリングターゲット
110、210 円筒型スパッタリングターゲット材
110a 内周面
111、211 端部
111a 端面
111b 内周面
111c 外周面
120 円筒型バッキングチューブ
120a 内周面
120b 外周面
121 端部
121a 内周面
121b 端面
121c 外周面
130 保護キャップ
131 切欠部
131a 凹面
131b 隆起面
131b1 段差面
132a 外側外周面
132b 外側内周面
133a 内側外周面
133b 内側内周面
134 端面
140 接合層
150 保護フィルム
C 中心軸
D1〜D3 肉厚
d1、d2 距離
H 貫通孔
L 距離
Lv 線
V1、V2 中空部
W クリアランス
100, 200 Sputtering target 110, 210 Cylindrical sputtering target material 110a Inner circumferential surface 111, 211 End 111a End face 111b Inner circumferential surface 111c Outer circumferential surface 120 Cylindrical backing tube 120a Inner circumferential surface 120b Outer circumferential surface 121 End 121a Inner circumferential surface 121b End face 121c Outer peripheral surface 130 Protective cap 131 Notch 131a Concave surface 131b1 Stepped surface 132a Outer peripheral surface 132b Outer inner peripheral surface 133a Inner inner peripheral surface 133b Inner inner peripheral surface 134 End surface 140 Bonding layer 150 Protective film C Central axis D1- D3 thickness d1, d2 distance H through hole L distance Lv line V1, V2 hollow portion W clearance

Claims (17)

円筒型スパッタリングターゲット材と、
前記円筒型スパッタリングターゲット材の内側に接合材を介して接合され、該円筒型スパッタリングターゲット材の中心軸方向の長さより中心軸方向の長さが長い円筒型バッキングチューブと、
前記円筒型バッキングチューブの少なくともいずれかの中心軸方向の端部の端面、外周面、及び内周面を被覆する保護キャップを備え、
前記保護キャップは、合成樹脂を含む、スパッタリングターゲット。
Cylindrical sputtering target material,
A cylindrical backing tube joined to the inside of the cylindrical sputtering target material via a bonding material, and the length in the central axis direction is longer than the length in the central axis direction of the cylindrical sputtering target material;
A protective cap covering an end face, an outer peripheral surface, and an inner peripheral surface of at least one of axial end portions of the cylindrical backing tube;
The sputtering cap includes a synthetic resin.
前記保護キャップは、前記円筒型バッキングチューブの中心軸方向の両端部を被覆する、請求項1に記載のスパッタリングターゲット。   The sputtering target according to claim 1, wherein the protective cap covers both axial ends of the cylindrical backing tube. 前記保護キャップの軸方向の一端部は、円周方向に沿って凹状の切欠部を形成し、
前記円筒型バッキングチューブの少なくともいずれかの中心軸方向の端部は、前記切欠部に差し込まれる、請求項1又は2に記載のスパッタリングターゲット。
One axial end of the protective cap forms a concave notch along the circumferential direction;
The sputtering target according to claim 1, wherein at least one central axial end of the cylindrical backing tube is inserted into the cutout.
前記切欠部の外側内周面と前記円筒型バッキングチューブの中心軸方向の端部の外周面とのクリアランスが0.1mm以上1.0mm未満である、請求項3に記載のスパッタリングターゲット。   4. The sputtering target according to claim 3, wherein a clearance between an outer inner peripheral surface of the notch and an outer peripheral surface of an end of the cylindrical backing tube in a central axis direction is 0.1 mm or more and less than 1.0 mm. 前記切欠部は、前記円筒型バッキングチューブの端部の端面、外周面、及び内周面と当接する、請求項3に記載のスパッタリングターゲット。   The sputtering target according to claim 3, wherein the notch abuts on an end surface of the end portion of the cylindrical backing tube, an outer peripheral surface, and an inner peripheral surface. 前記保護キャップは、前記円筒型スパッタリングターゲット材の中心軸方向の端部をさらに被覆する、請求項3に記載のスパッタリングターゲット。   The sputtering target according to claim 3, wherein the protective cap further covers an end in a central axis direction of the cylindrical sputtering target material. 前記合成樹脂は、シリコーンゴム、バイトンゴム、フッ素ゴム、ブチルゴム、アクリルゴム、エチレンプロピレンゴム、ウレタンゴム、ポリエステル系エラストマー、ポリオレフィン系エラストマー、フッ素系エラストマー、シリコーン系エラストマー、ブタジエン系エラストマー、ポリアミド系エラストマー、ポリスチレン系エラストマー、ウレタン系エラストマー、ポリウレタン樹脂、可撓性エポキシ樹脂、フッ素樹脂、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート、及びポリエチレンナフタレートからなる群から選択される少なくとも1種である、請求項1〜6のいずれか1項に記載のスパッタリングターゲット。   The synthetic resin includes silicone rubber, viton rubber, fluororubber, butyl rubber, acrylic rubber, ethylene propylene rubber, urethane rubber, polyester elastomer, polyolefin elastomer, fluorine elastomer, silicone elastomer, butadiene elastomer, polyamide elastomer, polystyrene 7. The elastomer according to claim 1, which is at least one selected from the group consisting of a polyurethane elastomer, a urethane elastomer, a polyurethane resin, a flexible epoxy resin, a fluorine resin, a polycarbonate, a polypropylene, a polyethylene, a polyethylene terephthalate and a polyethylene naphthalate. The sputtering target according to any one of the above. 前記合成樹脂は、ポリテトラフルオロエチレンである、請求項1〜6のいずれか1項に記載のスパッタリングターゲット。   The sputtering target according to any one of claims 1 to 6, wherein the synthetic resin is polytetrafluoroethylene. 前記保護キャップの肉厚が、2.0mm以上である、請求項1〜8のいずれか1項に記載のスパッタリングターゲット。   The sputtering target according to any one of claims 1 to 8, wherein a thickness of the protective cap is 2.0 mm or more. 前記保護キャップの肉厚が、5.0mm以下である、請求項1〜9のいずれか1項に記載のスパッタリングターゲット。   The sputtering target according to any one of claims 1 to 9, wherein a thickness of the protective cap is 5.0 mm or less. 前記保護キャップのヤング率は、2000MPa以下である、請求項1〜10のいずれか1項に記載のスパッタリングターゲット。   The sputtering target according to any one of claims 1 to 10, wherein a Young's modulus of the protective cap is 2000 MPa or less. 前記円筒型スパッタリングターゲット材は、ITO、ZnO、IZO、及びIGZOからなる群から選択される1種を主成分として含む、請求項1〜11のいずれか1項に記載のスパッタリングターゲット。   The sputtering target according to any one of claims 1 to 11, wherein the cylindrical sputtering target material contains, as a main component, one selected from the group consisting of ITO, ZnO, IZO, and IGZO. 前記円筒型スパッタリングターゲット材は、同軸上に複数配列される、請求項1〜12のいずれか1項に記載のスパッタリングターゲット。   The sputtering target according to any one of claims 1 to 12, wherein a plurality of cylindrical sputtering target materials are coaxially arranged. 請求項1〜13のいずれか1項に記載のスパッタリングターゲットを梱包するスパッタリングターゲットの梱包方法であって、
前記円筒型バッキングチューブの中空部内を不活性ガス又は真空雰囲気に調節する工程と、
前記円筒型バッキングチューブの両端の開口部を覆い、前記中空部内を密閉するように保護フィルムを形成する工程とを含む、スパッタリングターゲットの梱包方法。
It is a packing method of the sputtering target which packs the sputtering target of any one of Claims 1-13, Comprising:
Adjusting the inside of the hollow portion of the cylindrical backing tube to an inert gas or vacuum atmosphere;
Covering the openings at both ends of the cylindrical backing tube and forming a protective film so as to seal the inside of the hollow portion.
前記中空部内の前記不活性ガスの圧力は、30〜60kPaである、請求項14に記載のスパッタリングターゲットの梱包方法。   The method for packing a sputtering target according to claim 14, wherein the pressure of the inert gas in the hollow portion is 30 to 60 kPa. 前記不活性ガスは、アルゴン又は窒素である、請求項14又は15に記載のスパッタリングターゲットの梱包方法。   The method for packing a sputtering target according to claim 14, wherein the inert gas is argon or nitrogen. 前記中空部内の前記不活性ガスの露点温度は、−80〜−50℃である、請求項14〜16のいずれか1項に記載のスパッタリングターゲットの梱包方法。   The packaging method of the sputtering target of any one of Claims 14-16 whose dew point temperature of the said inert gas in the said hollow part is -80 to -50 degreeC.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110979864B (en) * 2019-12-31 2024-02-06 东莞市欧莱溅射靶材有限公司 Planar target whole-group packaging device and whole-group packaging method

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59103857A (en) * 1982-12-06 1984-06-15 松下電器産業株式会社 Cap protecting pipe end
JPH04231461A (en) * 1990-12-27 1992-08-20 Tosoh Corp Protector for sputtering target and packaging method
JP2538070Y2 (en) * 1991-06-25 1997-06-04 三菱樹脂株式会社 Cap for protecting the end of a ribbed tube
JP3071989B2 (en) 1993-12-20 2000-07-31 松下電工株式会社 Circulation pump mounting structure for bubble generating bathtub
JP3071989U (en) * 2000-03-24 2000-09-29 細田電器産業株式会社 Conduit end protection cap
DE102004058316A1 (en) * 2004-12-02 2006-06-08 W.C. Heraeus Gmbh Tubular sputtering target
JP5467735B2 (en) * 2007-07-02 2014-04-09 東ソー株式会社 Cylindrical sputtering target
KR20110090948A (en) * 2008-10-24 2011-08-10 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Rotatable sputter target backing cylinder, rotatable sputter target, method of producing a rotatable sputter target, and coating installation
JP5428741B2 (en) * 2009-10-19 2014-02-26 東ソー株式会社 Manufacturing method of cylindrical sputtering target
JP5679315B2 (en) * 2010-03-31 2015-03-04 日立金属株式会社 Manufacturing method of cylindrical Mo alloy target
JP5607512B2 (en) * 2010-11-24 2014-10-15 古河電気工業株式会社 Cylindrical target material, manufacturing method thereof, and sheet coating method thereof
KR20140029456A (en) * 2011-04-29 2014-03-10 프랙스에어 에스.티. 테크놀로지, 인코포레이티드 Method of forming a cylindrical sputter target assembly
CN103361612A (en) * 2012-04-05 2013-10-23 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 Cylindrical magnetron sputtering target
JP6089983B2 (en) * 2012-07-18 2017-03-08 三菱マテリアル株式会社 Cylindrical sputtering target and manufacturing method thereof
CN105378141B (en) * 2013-07-05 2018-05-18 旭硝子工业陶瓷株式会社 Sputtering target material and its manufacturing method
US10822690B2 (en) * 2015-03-18 2020-11-03 Umicore Lithium-containing transition metal oxide target
JP6178455B1 (en) * 2016-03-30 2017-08-09 Jx金属株式会社 Cylindrical sputtering target and packing method thereof

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