JP6514040B2 - 半導体接着用樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
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Description
すなわち、本発明は、以下の[1]〜[4]の構成を有する、半導体接着用樹脂組成物及び半導体装置である。
[1](A)下記一般式(1)で表されるビスマレイミド樹脂、(B)アリル化ビスフェノール型エポキシ樹脂、(C)ラジカル重合触媒、及び(D)充填剤を含有し、前記(A)成分と前記(B)成分との質量比(A)/(B)が50/50〜95/5であることを特徴とする半導体接着用樹脂組成物。
[2](B)成分が、下記一般式(2)で示されるエポキシ樹脂を含むことを特徴とする[1]記載の半導体接着用樹脂組成物。
[3](D)成分が、銀粉を含むことを特徴とする[1]または[2]記載の半導体接着用樹脂組成物。
[4][1]乃至[3]のいずれかの半導体接着用樹脂組成物により、半導体素子を支持部材上に接着してなることを特徴とする半導体装置。
本発明の半導体接着用樹脂組成物は、(A)ビスマレイミド樹脂、(B)アリル化ビスフェノール型エポキシ樹脂、(C)硬化剤、及び(D)充填剤を含有するものである。
(A)成分は1種を単独で使用してもよく、2種以上を混合して使用してもよい。
すなわち、多価フェノール化合物をメタノール、イソプロパノール、n−プロパノール等のアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類等の溶剤に溶解後、水酸化ナトリウムや水酸化カリウム等の塩基を用いて塩化アリルや臭化アリル等のハロゲン化アリルと反応させて多価フェノール化合物のアリルエーテルを得る。次に、得られたアリル化多価フェノール化合物をエピクロルヒドリンと混合し、この混合物に触媒(例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属化合物)を一括、または徐々に添加し、20〜120℃で0.5〜10時間反応させる。これにより(B)成分のアリル化ビスフェノール型エポキシ樹脂が得られる。
式(2)中、R1〜R8は、それぞれ独立に水素原子、置換または非置換のアルキル基、及び置換または非置換のアリル基から選ばれる基を示す(但し、R1〜R8のうちの少なくとも1つは置換または非置換のアリル基である。)。アルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基等が例示される。
なお、組成物の保存性を向上させるために、上記硬化剤に各種重合禁止剤を併用してもよい。重合禁止剤としては、例えば、ヒドロキノン、メチルヒドロキノン、ジブチルヒドロキシトルエン(BHT)等が挙げられる。
また、一般式(7)で表される化合物の市販品を例示すると、例えば、新中村化学工業工業(株)製のDCP、同A−DCP、共栄社化学(株)製のライトアクリレートDCP−A(以上、いずれも商品名)等が挙げられる。
また、本発明の半導体接着用樹脂組成物は、接着性が良好であるため、密着付与剤として一般に使用されている硫黄原子を含む有機化合物を用いる必要がない。したがって、硫黄原子に起因する腐食を防止でき、信頼性の高い半導体装置を得ることができる。
本発明の半導体装置は、本発明の半導体接着用樹脂組成物を用いて公知の方法により製造でき、例えば、半導体素子と半導体素子を支持する支持部材とを本発明の半導体接着用樹脂組成物を介して接着固定することにより行われる。
より具体的には、例えば、本発明の半導体接着用樹脂組成物を介して半導体素子をリードフレームにマウントし、半導体接着用樹脂組成物を加熱硬化させた後、リードフレームのリード部と半導体素子上の電極とをワイヤボンディングにより接続し、次いで、これらを封止樹脂を用いて封止する、あるいはパッケージに収納することにより製造することができる。ボンディングワイヤとしては、例えば、銅、金、アルミ、金合金、アルミ−シリコン等からなるワイヤが例示される。また、半導体接着用樹脂組成物を硬化させる際の温度は、通常、120〜230℃、好ましくは、100〜200℃であり、銅製のリードフレームの場合は190℃以下が特に好ましい。また、加熱時間は0.5〜2時間程度が好ましい。
なお、図面では、半導体素子の支持部材としてリードフレームを例示しているが、半導体素子を支持固定する部材であればよく、特に限定されない。例えば、回路基板や放熱部材などに適用することもできる。
ビスマレイミド樹脂Iを80部、アリル化ビスフェノール型エポキシ樹脂を20部、硬化剤を1部、カップリング剤を2.0部、希釈剤を43部、及び充填剤として銀粉を250部十分に混合し、さらに三本ロールで混練して半導体接着用樹脂組成物を調製した。
組成を表2に示すように変えた以外は、実施例1と同様にして半導体接着用樹脂組成物を調製した。
(1)硬化性
得られた半導体接着用樹脂組成物を銅フレーム及びPPF上にそれぞれ20μm厚に塗布し、それらの各フレーム上に4mm×4mmの半導体チップ(シリコンチップ)をマウントし、大気中において、170℃で60分間加熱硬化させた。硬化後、フィレット部の硬化状態を触診し、下記の基準で評価した。
○:タック性(べたつき)なし
×:タック性(べたつき)なし
(1)弾性率
得られた半導体接着用樹脂組成物を大気中(実施例1〜4)または窒素雰囲気中(比較例1〜4)、170℃で60分間加熱硬化させて作製したフィルム状サンプル(20mm×4mm×0.1mm)について、セイコーインスツル(株)製の動的粘弾性測定機DMS6100を用いて引張モードにて弾性率を測定した。測定条件は以下の通りである。
測定温度:−100〜+300℃℃
昇温速度:5℃/分
周波数:1Hz
荷重:100mN
ここで、25℃における貯蔵弾性率を弾性率とした。
(2)吸水率
得られた半導体接着用樹脂組成物を大気中(実施例1〜4)または窒素雰囲気中(比較例1〜4)、170℃で60分間加熱硬化させて作製したフィルム状サンプル(20mm×50mm×1.0mm)に、85℃、85%RH、168時間の吸湿処理を行い、処理前後のサンプルの質量から、次式より算出した。
吸水率(%)=[(W2−W1)/W1]×100
W1:吸湿処理前のサンプル質量(g)
W2:吸湿処理後のサンプル質量(g)
(3)熱時接着強度
得られた半導体接着用樹脂組成物を銅フレームに20μm厚に塗布し、その上に6mm×6mmの半導体チップ(シリコンチップ)をマウントし、170℃で60分間加熱硬化させ、接続サンプルを作製した。この接続サンプルについて、西進商事(株)製の接着強度測定装置を用いて260℃環境下での接着強度を測定した。
(4)吸湿後接着強度
得られた半導体接着用樹脂組成物を銅フレーム上に20μm厚に塗布し、その上に6mm×6mmの半導体チップ(シリコンチップ)をマウントし、170℃で60分間加熱硬化させ、接続サンプルを作製した。この接続サンプルに、85℃、85%RH、168時間の吸湿処理を行った後、(3)の場合と同様にして260℃環境下での接着強度を測定した。
(1)耐半田リフロー性
得られた半導体接着用樹脂組成物を銅フレーム上に20μm厚に塗布し、その上に4mm×4mmの半導体チップ(シリコンチップ、表面アルミ配線のみ)をマウントし、200℃で60分間加熱硬化させた。これをエポキシ樹脂封止材(京セラケミカル(株)製 商品名 KE−G3000D(K))を用いて下記の条件で成形しパッケージを得た。得られたパッケージに、85℃、60%RH、168時間の吸湿処理を施した後、IRリフロー処理(260℃、10秒)を行い、パッケージの外部クラック(パッケージ表面のクラック)の発生の有無を光学顕微鏡(倍率:15倍)で観察し、その発生率(不良数(個)/不良数(個))を調べた(n=5)。また、パッケージの内部クラックの発生の有無を超音波探傷装置(SAT)で観察し、その発生率(不良数(個)/不良数(個))を調べた(n=5)。
[パッケージ成形]
パッケージ:80pQFP(14mm×20mm×2mm)
硬化条件:175℃×1分間+175℃×6時間
したがって、本発明の樹脂組成物は半導体接着用途に有用であり、これを用いて信頼性の高い半導体装置を得ることができる。
Claims (4)
- (D)成分が、銀粉を含むことを特徴とする請求項1または2記載の半導体接着用樹脂組成物。
- 請求項1乃至3のいずれか1項記載の半導体接着用樹脂組成物により、半導体素子を支持部材上に接着してなることを特徴とする半導体装置。
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