JP6507725B2 - 光通信装置、光通信モジュール、及び光通信装置の製造方法 - Google Patents
光通信装置、光通信モジュール、及び光通信装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6507725B2 JP6507725B2 JP2015046073A JP2015046073A JP6507725B2 JP 6507725 B2 JP6507725 B2 JP 6507725B2 JP 2015046073 A JP2015046073 A JP 2015046073A JP 2015046073 A JP2015046073 A JP 2015046073A JP 6507725 B2 JP6507725 B2 JP 6507725B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- guide
- optical
- electronic circuit
- optical communication
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 154
- 238000004891 communication Methods 0.000 title claims description 92
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 40
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 51
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 51
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 51
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 46
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 20
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 14
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 7
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 229910020836 Sn-Ag Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910020988 Sn—Ag Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229910000042 hydrogen bromide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Sn] Chemical compound [Ag].[Sn] QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- VMTCKFAPVIWNOF-UHFFFAOYSA-N methane tetrahydrofluoride Chemical compound C.F.F.F.F VMTCKFAPVIWNOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
図1は、実施の形態の光通信装置100及び光通信モジュール200を光トランシーバ500に実装した状態を示す断面図である。図1では図示するように直交座標系の一例であるXYZ座標系を定義する。また、以下では、説明の便宜上、Z軸正方向側にある面を上面と称し、Z軸負方向側にある面を下面と称す。
以上の実施の形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
(付記1)
電気信号を入力又は出力するトランシーバ側端子と、光信号を入力又は出力するグレーティングカプラとを有する光トランシーバに表面実装される光通信装置であって、
前記トランシーバ側端子に対応する信号端子を有する電子回路チップと、
半導体基板によって作製され、前記半導体基板を厚さ方向に貫通し、前記グレーティングカプラに対向する光ファイバが挿通される貫通孔を有するガイドチップと、
前記電子回路チップと前記ガイドチップを保持するモールド樹脂部であって、前記信号端子に対する前記貫通孔の位置を、前記トランシーバ側端子に対する前記グレーティングカプラの位置に合わせた状態で、前記グレーティングカプラで光が入力又は出力される角度に前記貫通孔が傾くように、前記電子回路チップに対して前記ガイドチップを傾けて保持するモールド樹脂部と
を含む、光通信装置。
(付記2)
前記電子回路チップの実装面とは反対側の面、前記ガイドチップの実装面とは反対側の面、及び、前記モールド樹脂部の実装面とは反対側の面は、面一である、付記1記載の光通信装置。
(付記3)
前記ガイドチップは、前記ガイドチップの前記実装面の端部において、前記実装面から突出する凸部を有し、
前記ガイドチップは、前記グレーティングカプラに接続される前記光トランシーバの導波路が伸延する側に前記凸部が位置するように配設され、
前記凸部の前記実装面から突出する高さは、前記ガイドチップが前記モールド樹脂部に保持される傾斜角を規定する、付記1又は2記載の光通信装置。
(付記4)
前記電子回路チップは、前記信号端子に配設される、はんだバンプ、又は、パッドをさらに有する、付記1乃至3のいずれか一項記載の光通信装置。
(付記5)
前記パッドは、前記トランシーバ側端子とはんだで接合される、付記4記載の光通信装置。
(付記6)
電気信号を入力又は出力するトランシーバ側端子と、光信号を入力又は出力するグレーティングカプラとを有する光トランシーバに表面実装される光通信装置であって、
前記トランシーバ側端子に対応する信号端子を有する電子回路チップと、
半導体基板によって作製され、前記半導体基板を厚さ方向に貫通し、前記グレーティングカプラに対向する光ファイバが挿通される貫通孔を有するガイドチップと、
前記電子回路チップと前記ガイドチップを保持するモールド樹脂部であって、前記信号端子に対する前記貫通孔の位置を、前記トランシーバ側端子に対する前記グレーティングカプラの位置に合わせた状態で、前記グレーティングカプラで光が入力又は出力される角度に前記貫通孔が傾くように、前記電子回路チップに対して前記ガイドチップを傾けて保持するモールド樹脂部と、
前記貫通孔に挿通される光ファイバと
を含む、光通信モジュール。
(付記7)
前記光ファイバを前記ガイドチップに固定するフェルールをさらに含む、付記6記載の光通信モジュール。
(付記8)
電気信号を入力又は出力するトランシーバ側端子と、光信号を入力又は出力するグレーティングカプラとを有する光トランシーバに実装される光通信装置の製造方法であって、
光ファイバの太さに対応した開口径と、所定の深さとを有する穴部を半導体基板に形成することにより、前記穴部を有するガイドチップを形成する工程と、
前記トランシーバ側端子に対応する信号端子を有する電子回路チップと前記ガイドチップとを支持基板に実装する工程であって、前記信号端子に対する前記穴部の位置を、前記トランシーバ側端子に対する前記グレーティングカプラの位置に合わせ、かつ、前記グレーティングカプラで光が入力又は出力される角度に前記穴部が傾くように、前記電子回路チップに対して前記ガイドチップを傾けて前記支持基板に実装するとともに、前記電子回路チップを前記支持基板に実装する工程と、
前記支持基板に実装された前記電子回路チップと前記ガイドチップとをモールド成型し、前記電子回路チップと前記ガイドチップとを保持するモールド樹脂部を形成する工程と、
前記モールド樹脂部、前記電子回路チップ、及び前記ガイドチップの前記支持基板に実装された側の反対側を、前記穴部が貫通するまでバックグラインドで切削する工程と
を含む、光通信装置の製造方法。
(付記9)
前記ガイドチップを形成する工程は、前記ガイドチップの実装面の端部に前記実装面から突出する凸部をさらに形成する工程であり、
前記電子回路チップと前記ガイドチップとを支持基板に実装する工程では、前記グレーティングカプラに接続される前記光トランシーバの導波路が伸延する側に配置される前記凸部が前記支持基板に当接することにより、前記ガイドチップが傾けられる、付記8記載の光通信装置の製造方法。
110 電子回路チップ
111 ドライバ部
112 TIA部
113 バンプ
120 ガイドチップ
120A 上面
120B 実装面
121 貫通孔
122 凸部
130 モールド樹脂部
140 光ファイバ
200 光通信モジュール
320 ガイドチップ
321 穴部
322 凸部
500 光トランシーバ
501 光変調器
502 フォトディテクタ
503 グレーティングカプラ
504 パッド
505 導波路
Claims (8)
- 電気信号を入力又は出力するトランシーバ側端子と、光信号を入力又は出力するグレーティングカプラとを有する光トランシーバに表面実装される光通信装置であって、
前記トランシーバ側端子に対応する信号端子を有する電子回路チップと、
半導体基板によって作製され、前記半導体基板を厚さ方向に貫通し、前記グレーティングカプラに対向する光ファイバが挿通される貫通孔を有するガイドチップと、
前記電子回路チップと前記ガイドチップを保持するモールド樹脂部であって、前記信号端子に対する前記貫通孔の位置を、前記トランシーバ側端子に対する前記グレーティングカプラの位置に合わせた状態で、前記グレーティングカプラで光が入力又は出力される角度に前記貫通孔が傾くように、前記電子回路チップに対して前記ガイドチップを傾けて保持するモールド樹脂部と
を含む、光通信装置。 - 前記電子回路チップの実装面とは反対側の面、前記ガイドチップの実装面とは反対側の面、及び、前記モールド樹脂部の実装面とは反対側の面は、面一である、請求項1記載の光通信装置。
- 前記ガイドチップは、前記ガイドチップの実装面から突出する凸部を有し、
前記ガイドチップは、前記グレーティングカプラに接続される前記光トランシーバの導波路が伸延する側に前記凸部が位置するように配設され、
前記凸部の前記ガイドチップの実装面から突出する高さは、前記ガイドチップが前記モールド樹脂部に保持される傾斜角を規定する、請求項1又は2記載の光通信装置。 - 前記電子回路チップは、前記信号端子に配設される、はんだバンプ、又は、パッドをさらに有する、請求項1乃至3のいずれか一項記載の光通信装置。
- 電気信号を入力又は出力するトランシーバ側端子と、光信号を入力又は出力するグレーティングカプラとを有する光トランシーバに表面実装される光通信モジュールであって、
前記トランシーバ側端子に対応する信号端子を有する電子回路チップと、
半導体基板によって作製され、前記半導体基板を厚さ方向に貫通し、前記グレーティングカプラに対向する光ファイバが挿通される貫通孔を有するガイドチップと、
前記電子回路チップと前記ガイドチップを保持するモールド樹脂部であって、前記信号端子に対する前記貫通孔の位置を、前記トランシーバ側端子に対する前記グレーティングカプラの位置に合わせた状態で、前記グレーティングカプラで光が入力又は出力される角度に前記貫通孔が傾くように、前記電子回路チップに対して前記ガイドチップを傾けて保持するモールド樹脂部と、
前記貫通孔に挿通される光ファイバと
を含む、光通信モジュール。 - 前記光ファイバを前記ガイドチップに固定するフェルールをさらに含む、請求項5記載の光通信モジュール。
- 電気信号を入力又は出力するトランシーバ側端子と、光信号を入力又は出力するグレーティングカプラとを有する光トランシーバに実装される光通信装置の製造方法であって、
光ファイバの太さに対応した開口径と、所定の深さとを有する穴部を半導体基板に形成することにより、前記穴部を有するガイドチップを形成する工程と、
前記トランシーバ側端子に対応する信号端子を有する電子回路チップと前記ガイドチップとを支持基板に実装する工程であって、前記信号端子に対する前記穴部の位置を、前記トランシーバ側端子に対する前記グレーティングカプラの位置に合わせ、かつ、前記グレーティングカプラで光が入力又は出力される角度に前記穴部が傾くように、前記電子回路チップに対して前記ガイドチップを傾けて前記支持基板に実装するとともに、前記電子回路チップを前記支持基板に実装する工程と、
前記支持基板に実装された前記電子回路チップと前記ガイドチップとをモールド成型し、前記電子回路チップと前記ガイドチップとを保持するモールド樹脂部を形成する工程と、
前記モールド樹脂部、前記電子回路チップ、及び前記ガイドチップの前記支持基板に実装された側の反対側を、前記穴部が貫通するまでバックグラインドで切削する工程と
を含む、光通信装置の製造方法。 - 前記ガイドチップを形成する工程は、前記ガイドチップの実装面から突出する凸部をさらに形成する工程であり、
前記電子回路チップと前記ガイドチップとを支持基板に実装する工程では、前記グレーティングカプラに接続される前記光トランシーバの導波路が伸延する側に配置される前記凸部が前記支持基板に当接することにより、前記ガイドチップが傾けられる、請求項7記載の光通信装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015046073A JP6507725B2 (ja) | 2015-03-09 | 2015-03-09 | 光通信装置、光通信モジュール、及び光通信装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015046073A JP6507725B2 (ja) | 2015-03-09 | 2015-03-09 | 光通信装置、光通信モジュール、及び光通信装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016166939A JP2016166939A (ja) | 2016-09-15 |
JP6507725B2 true JP6507725B2 (ja) | 2019-05-08 |
Family
ID=56898455
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015046073A Expired - Fee Related JP6507725B2 (ja) | 2015-03-09 | 2015-03-09 | 光通信装置、光通信モジュール、及び光通信装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6507725B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6796627B2 (ja) | 2018-08-23 | 2020-12-09 | 株式会社フジクラ | 光コネクタ部、及び、光接続構造体 |
US20210096311A1 (en) * | 2019-09-27 | 2021-04-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Photonic semiconductor device and method of manufacture |
WO2023195236A1 (ja) * | 2022-04-08 | 2023-10-12 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | パッケージおよびパッケージの製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3726985B2 (ja) * | 1996-12-09 | 2005-12-14 | ソニー株式会社 | 電子部品の製造方法 |
JP2010091863A (ja) * | 2008-10-09 | 2010-04-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | 送受信モジュール |
JP5212390B2 (ja) * | 2010-01-26 | 2013-06-19 | 日立電線株式会社 | 光電変換デバイス |
KR101432114B1 (ko) * | 2010-11-15 | 2014-08-22 | 한국전자통신연구원 | 광전소자 칩 및 그를 구비하는 광학장치 |
CN104101967B (zh) * | 2014-07-31 | 2016-02-24 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 一种光通信装置及止动孔的形成方法 |
-
2015
- 2015-03-09 JP JP2015046073A patent/JP6507725B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016166939A (ja) | 2016-09-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9817192B2 (en) | Optical module, optical module mounting method, optical module-mounted circuit substrate, optical module evaluation kit system, circuit substrate, and communication system | |
JP4688248B2 (ja) | 電気的相互連結及び光学的相互連結を具備した多層光電子基板並びにその製造方法 | |
CN110945976A (zh) | 基于带有聚合物波导的玻璃基板的光学互连模块 | |
JP3731542B2 (ja) | 光モジュール及び光モジュールの実装方法 | |
US20020039464A1 (en) | Optical reflective structures and method for making | |
KR19980030121A (ko) | 브이홈에 정렬된 렌즈를 가진 광모듈 및 그 제작방법 | |
JP2007241211A (ja) | 光電気変換装置及びその製造方法並びに外部導波路 | |
US10393959B1 (en) | Photonic integrated circuit bonded with interposer | |
JP6770361B2 (ja) | 光配線モジュール、光トランシーバ、及び光接続方法 | |
JP5718514B2 (ja) | 光モジュール、光モジュールの実装方法、光モジュール搭載回路基板、光モジュール評価キットシステム、回路基板および通信システム | |
US8934745B2 (en) | Apparatus for use in optoelectronics having a sandwiched lens | |
JP6507725B2 (ja) | 光通信装置、光通信モジュール、及び光通信装置の製造方法 | |
US7146080B2 (en) | Method of connecting an optical element to a PLC | |
JP2016053679A (ja) | 光ファイバの接続構造、光ファイバホルダおよび光ファイバの接続方法 | |
JPH05304306A (ja) | 電気・光モジュール及びその製造方法 | |
JP4558400B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2005122084A (ja) | 光素子モジュール | |
JP2017092262A (ja) | 光集積素子及びその製造方法並びに光通信装置 | |
JP2001343560A (ja) | 光モジュール | |
JP4655674B2 (ja) | 光電変換装置及びその製造方法、並びに光導波モジュール及び光情報処理装置 | |
JP6832023B2 (ja) | 光ファイバのための光学モジュールおよびこれを製造する方法 | |
JP6972067B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2011059360A (ja) | 光モジュール及光モジュールの製造方法 | |
JP6200393B2 (ja) | 光モジュールの保護方法および光モジュールの実装方法 | |
JPH11258455A (ja) | 光導波路部品及びこれを用いた光導波路モジュール |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180206 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180918 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181116 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190305 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190318 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6507725 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |