JP6501618B2 - Solder film forming apparatus, solder film forming method and semiconductor device - Google Patents

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Description

本発明ははんだ被膜形成装置、はんだ被膜形成方法および半導体装置に関し、特に、半導体装置のリード端子の表面にはんだ被膜を形成するためのはんだ被膜形成装置、はんだ被膜形成方法およびそれらにより得られる半導体装置に関するものである。   The present invention relates to a solder film forming apparatus, a solder film forming method and a semiconductor device, and in particular, a solder film forming apparatus for forming a solder film on the surface of a lead terminal of a semiconductor device, a solder film forming method and a semiconductor device obtained by them. It is about

半導体装置に含まれるリード端子は、その素材のままの状態でははんだ付け性に劣る。このため、はんだ付け性を改善させる観点から、リード端子の表面には、あらかじめはんだの被膜が形成される。また一度実装された半導体装置を取り外し再度実装する場合にも、実装前にあらかじめリード端子の表面にはんだの被膜が再形成される。そのようなはんだ被膜を形成する方法として、溶融はんだ内に半導体装置のリード端子を浸漬し、リード端子の表面にはんだ被膜を形成する溶融はんだ浸漬法が用いられる。   The lead terminals included in the semiconductor device are inferior in solderability in the state of the raw material. Therefore, from the viewpoint of improving the solderability, a coating of solder is formed in advance on the surface of the lead terminal. Also, when the semiconductor device once mounted is removed and mounted again, a coating of solder is re-formed on the surface of the lead terminal in advance before mounting. As a method of forming such a solder coating, a molten solder dipping method is used in which a lead terminal of a semiconductor device is immersed in molten solder and the solder coating is formed on the surface of the lead terminal.

ところで近年、半導体装置に入出力する信号数の増加および実装密度の増加のため、半導体装置のリード端子の本数を増やし、リード端子の中心間距離を小さくする傾向がある。その傾向は表面実装型のＱＦＰ（Quad Flat Package）およびＳＯＰ（Small Outline Package）と呼ばれる形態の半導体装置において顕著である。   In recent years, due to the increase in the number of signals input to and output from the semiconductor device and the mounting density, there is a tendency to increase the number of lead terminals of the semiconductor device and reduce the center-to-center distance of the lead terminals. The tendency is remarkable in semiconductor devices in a form called surface mount type quad flat package (QFP) and small outline package (SOP).

リード端子の中心間距離が小さくなれば、はんだ被膜の形成時に溶融はんだ内からリード端子を引き上げる際に、隣り合う１対のリード端子間に余分なはんだが残留したものであるいわゆるはんだブリッジが形成され、１対のリード端子間が短絡するために不良品となる問題がある。そこでたとえば以下の特開平７−２２５５８号公報（特許文献１）には、溶融はんだの液面に対してリード端子の端面が傾斜した状態で引き上げることにより、リード端子の表面に付着した溶融はんだの塊が、傾斜に倣って溶融はんだを収容する溶融はんだ槽内に引き戻される技術が開示されている。これにより、はんだブリッジの形成が抑制されている。   When the distance between the centers of the lead terminals is reduced, so-called solder bridges are formed in which excess solder remains between a pair of adjacent lead terminals when pulling up the lead terminals from within the molten solder at the time of formation of the solder film. As a result, there is a problem of being defective due to a short circuit between a pair of lead terminals. Therefore, for example, in JP-A-7-22558 (Patent Document 1) described below, the molten solder attached to the surface of the lead terminal by pulling up with the end face of the lead terminal inclined with respect to the liquid surface of the molten solder. A technique is disclosed in which the mass is drawn back into a molten solder bath containing molten solder following a ramp. Thereby, the formation of the solder bridge is suppressed.

特開平７−２２５５８号公報JP-A-7-22558

しかし特開平７−２２５５８号公報の方法においては、リード端子の端面を傾斜させたときに最も下側（溶融はんだ側）に配置されるリード端子とそれに隣り合うリード端子との間の領域においては上方から降下する溶融はんだが進入する可能性があるため、はんだブリッジを完全に抑制することができないという問題がある。   However, in the method of JP-A-7-22558, when the end face of the lead terminal is inclined, in the region between the lead terminal disposed on the lower side (the molten solder side) and the lead terminal adjacent thereto, There is a problem that the solder bridge can not be completely suppressed because molten solder falling from above may enter.

本発明は上記の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、溶融はんだ浸漬法を用いたはんだ被膜の形成時におけるはんだブリッジの形成をより確実に抑制することができるはんだ被膜形成装置、はんだ被膜形成方法および半導体装置を提供することである。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is a solder film forming apparatus capable of more reliably suppressing the formation of a solder bridge when forming a solder film using a molten solder dipping method, It is providing a solder film formation method and a semiconductor device.

本発明のはんだ被膜形成装置は、溶融はんだ槽と、半導体装置保持機構と、液面下降機構とを備えている。溶融はんだ槽は溶融はんだを収容可能である。半導体装置保持機構は幅方向に関して複数間隔をあけて並ぶリード端子を含む半導体装置を保持可能である。液面下降機構は溶融はんだの液面を下降させることによりリード端子を溶融はんだ外に相対的に引き上げる。当該はんだ被膜形成装置は、溶融はんだ槽に対して半導体装置保持機構を相対的に移動させるように駆動可能である。液面下降機構は、溶融はんだの液面に対し気体を吹き付けることにより溶融はんだの液面を下降させる吹付部である。
本発明のはんだ被膜形成装置は、溶融はんだ槽と、半導体装置保持機構と、液面下降機構とを備えている。溶融はんだ槽は溶融はんだを収容可能である。半導体装置保持機構は幅方向に関して複数間隔をあけて並ぶリード端子を含む半導体装置を保持可能である。液面下降機構は溶融はんだの液面を下降させることによりリード端子を溶融はんだ外に相対的に引き上げる。当該はんだ被膜形成装置は、溶融はんだ槽に対して半導体装置保持機構を相対的に移動させるように駆動可能である。液面下降機構は、溶融はんだの液面に対して下方に押しつけることにより溶融はんだの液面を下降させる液面下降ブロックである。
本発明のはんだ被膜形成装置は、溶融はんだ槽と、半導体装置保持機構と、液面下降機構とを備えている。溶融はんだ槽は溶融はんだを収容可能である。半導体装置保持機構は幅方向に関して複数間隔をあけて並ぶリード端子を含む半導体装置を保持可能である。液面下降機構は溶融はんだの液面を下降させることによりリード端子を溶融はんだ外に相対的に引き上げる。当該はんだ被膜形成装置は、溶融はんだ槽に対して半導体装置保持機構を相対的に移動させるように駆動可能である。液面下降機構は半導体装置の幅よりも狭い幅を有する。半導体装置保持機構に保持された半導体装置の幅方向に沿って移動しながら、複数のリード端子のうち隣り合う１対のリード端子に挟まれた領域における溶融はんだの液面を漸次、リード端子の最下部であるリード端面よりも上方の位置からリード端面よりも下方の位置へ下降させる。
本発明のはんだ被膜形成装置は、溶融はんだ槽と、半導体装置保持機構と、液面下降機構とを備えている。溶融はんだ槽は溶融はんだを収容可能である。半導体装置保持機構は幅方向に関して複数間隔をあけて並ぶリード端子を含む半導体装置を保持可能である。液面下降機構は溶融はんだの液面を下降させることによりリード端子を溶融はんだ外に相対的に引き上げる。当該はんだ被膜形成装置は、溶融はんだ槽に対して半導体装置保持機構を相対的に移動させるように駆動可能である。液面下降機構は前記半導体装置の幅よりも狭い幅を有する。半導体装置保持機構に保持された半導体装置の幅方向に沿って複数並び、複数の液面下降機構が半導体装置の幅方向に沿って順次、溶融はんだの液面をリード端子の最下部であるリード端面よりも上方の位置からリード端面よりも下方の位置へ下降させる。
本発明のはんだ被膜形成装置は、溶融はんだ槽と、半導体装置保持機構と、液面下降機構とを備えている。溶融はんだ槽は溶融はんだを収容可能である。半導体装置保持機構は幅方向に関して複数間隔をあけて並ぶリード端子を含む半導体装置を保持可能である。液面下降機構は溶融はんだの液面を下降させることによりリード端子を溶融はんだ外に相対的に引き上げる。当該はんだ被膜形成装置は、溶融はんだ槽に対して半導体装置保持機構を相対的に移動させるように駆動可能である。液面下降機構は、複数のリード端子のうち隣り合う１対のリード端子に挟まれた複数の領域のすべてにおける溶融はんだの液面をリード端子の最下部であるリード端面よりも上方の位置からリード端面よりも下方の位置へ同時に下降させることが可能である。
本発明のはんだ被膜形成装置は、溶融はんだ槽と、半導体装置保持機構と、液面下降機構とを備えている。溶融はんだ槽は溶融はんだを収容可能である。半導体装置保持機構は幅方向に関して複数間隔をあけて並ぶリード端子を含む半導体装置を保持可能である。液面下降機構は溶融はんだの液面を下降させることによりリード端子を溶融はんだ外に相対的に引き上げる。当該はんだ被膜形成装置は、溶融はんだ槽に対して半導体装置保持機構を相対的に移動させるように駆動可能である。液面下降機構は半導体装置の幅よりも狭い幅を有する。半導体装置保持機構に保持された半導体装置の幅方向に沿って複数並び、溶融はんだの液面をリード端子の最下部であるリード端面よりも上方の位置からリード端面よりも下方の位置へ下降させることにより、溶融はんだの液面を下降させている液面下降機構の数が漸次増加する。 The solder film forming apparatus of the present invention includes a molten solder tank, a semiconductor device holding mechanism, and a liquid level lowering mechanism. The molten solder bath can accommodate the molten solder. The semiconductor device holding mechanism can hold a semiconductor device including lead terminals arranged at a plurality of intervals in the width direction. The liquid level lowering mechanism relatively pulls the lead terminal out of the molten solder by lowering the liquid level of the molten solder. The solder film forming apparatus can be driven to move the semiconductor device holding mechanism relative to the molten solder tank. The liquid level lowering mechanism is a spray unit that lowers the liquid level of the molten solder by blowing a gas onto the liquid level of the molten solder.
The solder film forming apparatus of the present invention includes a molten solder tank, a semiconductor device holding mechanism, and a liquid level lowering mechanism. The molten solder bath can accommodate the molten solder. The semiconductor device holding mechanism can hold a semiconductor device including lead terminals arranged at a plurality of intervals in the width direction. The liquid level lowering mechanism relatively pulls the lead terminal out of the molten solder by lowering the liquid level of the molten solder. The solder film forming apparatus can be driven to move the semiconductor device holding mechanism relative to the molten solder tank. The liquid level lowering mechanism is a liquid level lowering block that lowers the liquid level of the molten solder by pressing the liquid level of the molten solder downward.
The solder film forming apparatus of the present invention includes a molten solder tank, a semiconductor device holding mechanism, and a liquid level lowering mechanism. The molten solder bath can accommodate the molten solder. The semiconductor device holding mechanism can hold a semiconductor device including lead terminals arranged at a plurality of intervals in the width direction. The liquid level lowering mechanism relatively pulls the lead terminal out of the molten solder by lowering the liquid level of the molten solder. The solder film forming apparatus can be driven to move the semiconductor device holding mechanism relative to the molten solder tank. The liquid level lowering mechanism has a width narrower than the width of the semiconductor device. While moving along the width direction of the semiconductor device held by the semiconductor device holding mechanism, the liquid surface of the molten solder in the region sandwiched between a pair of adjacent lead terminals of the plurality of lead terminals is gradually It is lowered from a position above the lowermost lead end surface to a position below the lead end surface.
The solder film forming apparatus of the present invention includes a molten solder tank, a semiconductor device holding mechanism, and a liquid level lowering mechanism. The molten solder bath can accommodate the molten solder. The semiconductor device holding mechanism can hold a semiconductor device including lead terminals arranged at a plurality of intervals in the width direction. The liquid level lowering mechanism relatively pulls the lead terminal out of the molten solder by lowering the liquid level of the molten solder. The solder film forming apparatus can be driven to move the semiconductor device holding mechanism relative to the molten solder tank. The liquid level lowering mechanism has a width narrower than the width of the semiconductor device. A plurality of liquid level lowering mechanisms are arranged along the width direction of the semiconductor device held by the semiconductor device holding mechanism, and the plurality of liquid level lowering mechanisms lead sequentially along the width direction of the semiconductor device. From the position above the end face to the position below the lead end face.
The solder film forming apparatus of the present invention includes a molten solder tank, a semiconductor device holding mechanism, and a liquid level lowering mechanism. The molten solder bath can accommodate the molten solder. The semiconductor device holding mechanism can hold a semiconductor device including lead terminals arranged at a plurality of intervals in the width direction. The liquid level lowering mechanism relatively pulls the lead terminal out of the molten solder by lowering the liquid level of the molten solder. The solder film forming apparatus can be driven to move the semiconductor device holding mechanism relative to the molten solder tank. The liquid level lowering mechanism is configured such that the liquid level of the molten solder in all of a plurality of regions sandwiched by a pair of adjacent lead terminals among the plurality of lead terminals is located above the lead end surface which is the lowermost portion of the lead terminals. It is possible to simultaneously lower to a position below the lead end face.
The solder film forming apparatus of the present invention includes a molten solder tank, a semiconductor device holding mechanism, and a liquid level lowering mechanism. The molten solder bath can accommodate the molten solder. The semiconductor device holding mechanism can hold a semiconductor device including lead terminals arranged at a plurality of intervals in the width direction. The liquid level lowering mechanism relatively pulls the lead terminal out of the molten solder by lowering the liquid level of the molten solder. The solder film forming apparatus can be driven to move the semiconductor device holding mechanism relative to the molten solder tank. The liquid level lowering mechanism has a width narrower than the width of the semiconductor device. A plurality of liquid solder levels are arranged along the width direction of the semiconductor device held by the semiconductor device holding mechanism, and the liquid surface of molten solder is lowered from a position above the lead end face which is the lowermost part of the lead terminal to a position below the lead end face As a result, the number of liquid level lowering mechanisms for lowering the liquid level of the molten solder gradually increases.

本発明のはんだ被膜形成方法は、まず溶融はんだ内に、半導体装置において幅方向に関して複数間隔をあけて並ぶように含まれるリード端子のうち溶融はんだ側のリード端面を含む少なくとも一部が、浸漬される。複数のリード端面の、浸漬を行なう前の溶融はんだの初期液面高さに対する上下方向の高さが調整される。リード端面の上下方向の高さが調整された状態で、液面下降機構を用いて溶融はんだの液面を下降させることにより、リード端子が溶融はんだ外に相対的に引き上げられる。上記調整する工程は、複数のリード端子を溶融はんだに対して相対的に上方に持ち上げる工程を含む。上記持ち上げる工程においては、リード端面が浸漬する工程を行なう前の溶融はんだの初期液面高さよりも高く、かつ複数のリード端子のうち隣り合う１対のリード端子に挟まれたすべての領域において溶融はんだが存在可能な位置まで、複数のリード端面が、上下方向に関して持ち上げされる。
本発明のはんだ被膜形成方法は、まず溶融はんだ内に、半導体装置において幅方向に関して複数間隔をあけて並ぶように含まれるリード端子のうち溶融はんだ側のリード端面を含む少なくとも一部が、浸漬される。複数のリード端面の、浸漬を行なう前の溶融はんだの初期液面高さに対する上下方向の高さが調整される。リード端面の上下方向の高さが調整された状態で、液面下降機構を用いて溶融はんだの液面を下降させることにより、リード端子が溶融はんだ外に相対的に引き上げられる。上記調整する工程においては、リード端面が浸漬する工程を行なう前の溶融はんだの初期液面高さよりも低い位置となるように複数のリード端面の位置が調整される。 According to the solder film forming method of the present invention, first, at least a part of the lead terminals included in the semiconductor device so as to line up at a plurality of intervals in the width direction is immersed in the molten solder. Ru. The heights of the plurality of lead end surfaces in the vertical direction with respect to the initial liquid level of the molten solder before immersion are adjusted. With the height of the lead end face adjusted in the vertical direction, the liquid level of the molten solder is lowered using the liquid level lowering mechanism, whereby the lead terminal is relatively pulled out of the molten solder. The adjusting step includes a step of lifting the plurality of lead terminals upward relative to the molten solder. In the lifting step, melting is performed in all the regions between a plurality of lead terminals which are higher than the initial liquid level of the molten solder before the lead end surface is immersed and which is sandwiched between a pair of adjacent lead terminals. The plurality of lead end faces are lifted in the vertical direction to a position where solder can be present.
According to the solder film forming method of the present invention, first, at least a part of the lead terminals included in the semiconductor device so as to line up at a plurality of intervals in the width direction is immersed in the molten solder. Ru. The heights of the plurality of lead end surfaces in the vertical direction with respect to the initial liquid level of the molten solder before immersion are adjusted. With the height of the lead end face adjusted in the vertical direction, the liquid level of the molten solder is lowered using the liquid level lowering mechanism, whereby the lead terminal is relatively pulled out of the molten solder. In the adjustment step, the positions of the lead end surfaces are adjusted so that the lead end surfaces are lower than the initial liquid level of the molten solder before the immersion step.

本発明のはんだ被膜形成装置によれば、液面下降機構が、複数のリード端子のうち隣り合う１対のリード端子に挟まれた領域のはんだ液面を下降させ、当該領域の溶融はんだを溶融はんだ槽内に引き戻すことができる。このため、はんだブリッジの形成をより確実に抑制することができる。   According to the solder film forming apparatus of the present invention, the liquid level lowering mechanism lowers the solder liquid level in a region sandwiched by a pair of adjacent lead terminals among the plurality of lead terminals, and melts the molten solder in the region. It can be pulled back into the solder bath. For this reason, formation of a solder bridge can be controlled more certainly.

本発明のはんだ被膜形成方法によれば、リード端子が溶融はんだに対して相対的に上方に引き上げられた後、液面下降機構が、複数のリード端子のうち隣り合う１対のリード端子に挟まれた領域のはんだ液面を下降させ、当該領域の溶融はんだを溶融はんだ槽内に引き戻すことができる。このため、はんだブリッジの形成をより確実に抑制することができる。   According to the solder film forming method of the present invention, after the lead terminal is pulled up relatively to the molten solder, the liquid level lowering mechanism is pinched between a pair of adjacent lead terminals among the plurality of lead terminals. It is possible to lower the solder liquid level in the above-mentioned area, and to pull the molten solder in that area back into the molten solder tank. For this reason, formation of a solder bridge can be controlled more certainly.

実施の形態１のはんだ被膜形成装置の構成を示す概略断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of a solder film forming apparatus of a first embodiment. 図１に示す半導体装置の構成を示す概略平面図（Ａ）および図２（Ａ）中に矢印ＩＩＢで示す方向から見た当該半導体装置の構成を示す概略側面図（Ｂ）である。2A is a schematic plan view (A) showing the configuration of the semiconductor device shown in FIG. 1 and a schematic side view (B) showing the configuration of the semiconductor device as viewed from the direction shown by arrow IIB in FIG. 実施の形態１のはんだ被膜形成方法の第１工程を示す概略断面図である。FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing a first step of the method of forming a solder film of the first embodiment. 実施の形態１のはんだ被膜形成方法の第２工程を示す概略断面図である。FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing a second step of the method of forming a solder film of the first embodiment. 実施の形態１のはんだ被膜形成方法の第３工程を示す概略断面図である。FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing a third step of the method of forming a solder film of the first embodiment. 実施の形態１のはんだ被膜形成方法の第４工程を示す概略断面図である。FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing a fourth step of the method of forming a solder film of the first embodiment. 実施の形態１のはんだ被膜形成方法の第５工程を示す概略断面図である。FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing a fifth step of the method of forming a solder film of the first embodiment. 実施の形態１のはんだ被膜形成方法の第６工程を示す概略断面図である。FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing a sixth step of the method of forming a solder film of the first embodiment. 実施の形態１における吹付部の配置を図３〜図８とは異なる方向から見た第１例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the 1st example which looked at arrangement | positioning of the spraying part in Embodiment 1 from the direction different from FIGS. 実施の形態１における吹付部の配置を図３〜図８とは異なる方向から見た第２例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the 2nd example which looked at arrangement | positioning of the spraying part in Embodiment 1 from the direction different from FIGS. 実施の形態１における吹付部の配置を図３〜図８とは異なる方向から見た第３例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the 3rd example which looked at arrangement | positioning of the spraying part in Embodiment 1 from the direction different from FIGS. 比較例のはんだ被膜形成方法の第１工程を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the 1st process of the solder film formation method of a comparative example. 比較例のはんだ被膜形成方法の第２工程を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the 2nd process of the solder film formation method of a comparative example. 比較例のはんだ被膜形成方法の第３工程を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the 3rd process of the solder film formation method of a comparative example. 実施の形態２のはんだ被膜形成装置の構成を示す概略断面図である。FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of a solder film forming device of a second embodiment. 実施の形態２のはんだ被膜形成方法の第１工程を示す概略断面図である。FIG. 14 is a schematic cross-sectional view showing a first step of a solder film forming method of Embodiment 2; 実施の形態２のはんだ被膜形成方法の第２工程を示す概略断面図である。FIG. 14 is a schematic cross-sectional view showing a second step of the method of forming a solder film of the second embodiment. 実施の形態３のはんだ被膜形成装置の構成を示す概略断面図である。FIG. 13 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of a solder film forming device of a third embodiment. 実施の形態３のはんだ被膜形成方法の第１工程を示す概略断面図である。FIG. 18 is a schematic cross-sectional view showing a first step of a solder film forming method of Embodiment 3; 実施の形態３のはんだ被膜形成方法の第２工程を示す概略断面図である。FIG. 18 is a schematic cross-sectional view showing a second step of the method of forming a solder film of the third embodiment. 実施の形態４のはんだ被膜形成装置の構成を示す概略断面図である。FIG. 16 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of a solder film forming device of a fourth embodiment. 実施の形態４のはんだ被膜形成方法の第１工程を示す概略断面図である。FIG. 18 is a schematic cross-sectional view showing a first step of the solder film forming method of the fourth embodiment. 実施の形態４のはんだ被膜形成方法の第２工程を示す概略断面図である。FIG. 18 is a schematic cross-sectional view showing a second step of the method of forming a solder film of the fourth embodiment. 実施の形態５のはんだ被膜形成装置の構成を示す概略断面図である。FIG. 18 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of a solder film forming device of a fifth embodiment. 実施の形態５のはんだ被膜形成方法の第１工程を示す概略断面図である。FIG. 18 is a schematic cross-sectional view showing a first step of a solder film forming method of Embodiment 5; 実施の形態５のはんだ被膜形成方法の第２工程を示す概略断面図である。FIG. 26 is a schematic cross-sectional view showing a second step of the method of forming a solder film of the fifth embodiment. 実施の形態５における吹付部の配置を図２５〜図２６とは異なる方向から見た第１例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the 1st example which looked at arrangement | positioning of the spraying part in Embodiment 5 from the direction different from FIGS. 25-26. 実施の形態５における吹付部の配置を図２５〜図２６とは異なる方向から見た第２例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the 2nd example which looked at arrangement | positioning of the spraying part in Embodiment 5 from the direction different from FIGS. 25-26. 実施の形態６のはんだ被膜形成装置の構成を示す概略断面図である。FIG. 21 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of a solder film forming device of a sixth embodiment. 実施の形態６のはんだ被膜形成方法の第１工程を示す概略断面図である。FIG. 21 is a schematic cross-sectional view showing a first step of a method of forming a solder film of a sixth embodiment. 実施の形態６のはんだ被膜形成方法の第２工程を示す概略断面図である。FIG. 21 is a schematic cross-sectional view showing a second step of the method of forming a solder film of the sixth embodiment. 実施の形態７のはんだ被膜形成装置の構成を示す概略断面図である。FIG. 21 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of a solder film forming device of a seventh embodiment. 実施の形態７のはんだ被膜形成方法の第１工程を示す概略断面図である。FIG. 21 is a schematic cross-sectional view showing a first step of a solder film forming method of Embodiment 7; 実施の形態７のはんだ被膜形成方法の第２工程を示す概略断面図である。FIG. 21 is a schematic cross-sectional view showing a second step of the method of forming a solder film of the seventh embodiment. 実施の形態８のはんだ被膜形成装置の構成を示す概略断面図である。FIG. 21 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of a solder film forming apparatus according to an eighth embodiment. 実施の形態８のはんだ被膜形成方法の第１工程を示す概略断面図である。FIG. 21 is a schematic cross-sectional view showing a first step of a method of forming a solder film of an eighth embodiment. 実施の形態８のはんだ被膜形成方法の第２工程を示す概略断面図である。FIG. 26 is a schematic cross-sectional view showing a second step of the method of forming a solder film according to the eighth embodiment.

以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。
（実施の形態１）
まず本実施の形態のはんだ被膜形成装置およびそれによりはんだ被膜が形成されるリード端子を含む半導体装置の構成について図１および図２を用いて説明する。なお、説明の便宜のため、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向が導入されている。図１において、Ｘ方向は図の左右方向であり、セットされた半導体装置の幅方向であり、当該半導体装置に複数形成されたリード端子が互いに間隔をあけて並ぶ方向である。Ｙ方向は図１の装置を上方から平面視したときにＸ方向に直交する方向であって、図１における紙面奥行き方向である。Ｚ方向はＸ方向およびＹ方向の双方に直交する方向であって、はんだ被膜形成装置の土台に直交する図１の上下方向である。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described based on the drawings.
Embodiment 1
First, the configuration of a solder film forming apparatus according to the present embodiment and a semiconductor device including lead terminals on which a solder film is formed will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. In addition, the X direction, the Y direction, and the Z direction are introduced for the convenience of description. In FIG. 1, the X direction is the left and right direction of the drawing, and is the width direction of the set semiconductor device, and is a direction in which a plurality of lead terminals formed in the semiconductor device are arranged at intervals. The Y direction is a direction orthogonal to the X direction when the device of FIG. 1 is viewed in plan from above, and is the paper depth direction in FIG. The Z direction is a direction orthogonal to both the X direction and the Y direction, and is the vertical direction of FIG. 1 orthogonal to the base of the solder film forming apparatus.

図１を参照して、本実施の形態のはんだ被膜形成装置１００は、溶融はんだ浸漬法を用いて、半導体装置に含まれるたとえばリード端子の表面にあらかじめはんだの被膜を形成するための装置である。はんだ被膜形成装置１００は、溶融はんだ槽１と、半導体装置保持アーム４（半導体装置保持機構）と、液面操作部７とを主に有している。   Referring to FIG. 1, solder film forming apparatus 100 of the present embodiment is an apparatus for forming a film of solder in advance on, for example, the surface of a lead terminal included in a semiconductor device using a molten solder dipping method. . The solder film forming apparatus 100 mainly includes a molten solder tank 1, a semiconductor device holding arm 4 (semiconductor device holding mechanism), and a liquid level operation unit 7.

溶融はんだ槽１は、はんだ被膜形成装置１００の土台としてそのＺ方向最下部に配置された装置基盤３０の一方の主表面上に載置された態様となっている。装置基盤３０は、たとえばＸ方向およびＹ方向に沿う矩形状の平面を有する平板形状となっている。溶融はんだ槽１ははんだ収容部１０を有しており、はんだ収容部１０内に加熱溶融されたはんだである溶融はんだ１３を収容可能となっている。溶融はんだ１３としてはたとえばスズを６３質量％、鉛を３７質量％含む共晶はんだが使用される。溶融はんだ１３ははんだ収容部１０内においてはんだ液面１６を最上面とするように収容されている。溶融はんだ１３ははんだ収容部１０内において２００℃以上３００℃以下程度の温度に加熱されて溶融された状態となっていることが好ましい。ただし溶融はんだ１３としては上記以外の組成のはんだが用いられてもよい。   The molten solder tank 1 is placed on one of the main surfaces of the device base 30 disposed at the lowermost part in the Z direction as a base of the solder film forming device 100. The device base 30 has, for example, a flat plate shape having a rectangular flat surface along the X direction and the Y direction. The molten solder tank 1 has a solder accommodating portion 10 and can accommodate the molten solder 13 which is the solder heated and melted in the solder accommodating portion 10. As the molten solder 13, for example, a eutectic solder containing 63% by mass of tin and 37% by mass of lead is used. The molten solder 13 is accommodated in the solder accommodating portion 10 so that the solder liquid surface 16 is the uppermost surface. It is preferable that the molten solder 13 be heated to a temperature of about 200 ° C. or more and 300 ° C. or less and melted in the solder containing portion 10. However, a solder having a composition other than the above may be used as the molten solder 13.

半導体装置保持アーム４は、半導体装置１９を保持可能なする部材である。図１および図２（Ａ），（Ｂ）を参照して、半導体装置１９は、半導体装置本体２０と、リード端子２２とを有している。半導体装置本体２０は、その内部に半導体素子などを収納可能な、たとえばセラミックスにより形成されるケース状の部材である。半導体装置本体２０は、Ｙ方向に関して互いに対向する１対の半導体装置本体主表面２０ａ，２０ｂを有している。半導体装置１９の幅方向すなわちＸ方向に関する寸法は、半導体装置本体２０のＸ方向の寸法とほぼ等しく、ここでは寸法Ａで表される。   The semiconductor device holding arm 4 is a member capable of holding the semiconductor device 19. Referring to FIGS. 1 and 2A and 2B, the semiconductor device 19 has a semiconductor device body 20 and a lead terminal 22. The semiconductor device main body 20 is a case-like member which can house a semiconductor element or the like therein, for example, formed of a ceramic. The semiconductor device body 20 has a pair of semiconductor device body main surfaces 20a and 20b facing each other in the Y direction. The dimension of the semiconductor device 19 in the width direction, that is, the X direction, is approximately equal to the dimension of the semiconductor device body 20 in the X direction, and is represented by a dimension A here.

リード端子２２は半導体装置本体２０の外側に露出するように配置されており、たとえば半導体装置本体２０の内部に収納された半導体素子などと電気的に導通され、当該半導体素子に対して電気信号を入出力するための部材である。リード端子２２は、半導体装置１９の幅方向（ここではＸ方向）に関して複数（ここでは８本）、互いに間隔をあけて並ぶように配置されている。またリード端子２２は、図２（Ａ）のＺ方向に関して半導体装置本体２０の一方側（上側）および他方側（下側）の双方に配置されていることが好ましい。つまり図１および図２（Ａ）に示すように、リード端子２２のそれぞれは、図２（Ａ）のＺ方向に関する半導体装置本体２０の一方側および他方側の端面である半導体装置本体端面２０ｃ，２０ｄのそれぞれに垂直な方向（すなわちＺ方向）に沿って延びている。リード端子２２のＺ方向に関する寸法はここでは寸法Ｂで表される（寸法Ｂはたとえば２ｍｍ以上３ｍｍ以下程度である）。   The lead terminals 22 are arranged to be exposed to the outside of the semiconductor device body 20, and are electrically conducted to, for example, a semiconductor element or the like housed inside the semiconductor device body 20, and an electric signal is transmitted to the semiconductor element. It is a member for input and output. The lead terminals 22 are arranged in a plurality (here, eight) in the width direction (here, the X direction) of the semiconductor device 19 and spaced apart from one another. The lead terminals 22 are preferably disposed on both the one side (upper side) and the other side (lower side) of the semiconductor device body 20 in the Z direction of FIG. 2A. That is, as shown in FIGS. 1 and 2A, each of the lead terminals 22 is an end face 20c of the semiconductor device body which is an end face of one side and the other side of the semiconductor device body 20 in the Z direction of FIG. It extends along a direction (ie, the Z direction) perpendicular to each of 20 d. Here, the dimension of the lead terminal 22 in the Z direction is represented by a dimension B (a dimension B is, for example, about 2 mm or more and 3 mm or less).

特に図２（Ｂ）に示すように、リード端子２２は部分的に（Ｙ方向に）屈折した形状を有していてもよい。ここでは一例として、リード端子２２は、半導体装置本体２０から離れるにつれてＹ方向に関して半導体装置本体主表面２０ａ側から半導体装置本体主表面２０ｂ側に寄るように屈折している。   In particular, as shown in FIG. 2B, the lead terminal 22 may have a shape that is partially (in the Y direction) bent. Here, as an example, as the lead terminals 22 are separated from the semiconductor device body 20, the lead terminals 22 are bent in the Y direction from the semiconductor device main surface 20a side toward the semiconductor device main surface 20b side.

またリード端子２２のそれぞれは、Ｚ方向に関して半導体装置本体２０から最も離れた端面であるリード端面２２ａを有しており、リード端面２２ａは半導体装置本体端面２０ｃ，２０ｄに沿うように（たとえば平行となるように）拡がる平面となっている。そして再度図１を参照して、半導体装置保持アーム４は半導体装置１９を、複数のリード端面２２ａのそれぞれが、溶融はんだ槽１内に収納された溶融はんだ１３のはんだ液面１６に沿うように（たとえば平行となるように）保持可能となっている（図１においてはそのような態様で半導体装置１９が半導体装置保持アーム４に保持されている）。   Each of the lead terminals 22 has a lead end face 22a which is an end face farthest from the semiconductor device body 20 in the Z direction, and the lead end face 22a is along the semiconductor device body end faces 20c and 20d (for example, parallel To become flat). Then, referring to FIG. 1 again, semiconductor device holding arm 4 has semiconductor device 19 such that each of lead end surfaces 22 a is along solder liquid surface 16 of molten solder 13 housed in molten solder tank 1. It can be held (for example, in parallel) (in FIG. 1, the semiconductor device 19 is held by the semiconductor device holding arm 4 in such a manner).

半導体装置保持アーム４は、その保持する半導体装置１９をＺ方向（上下方向）に移動させることができる。これにより、たとえば図１においては溶融はんだ１３のＺ方向に関する真上に配置される半導体装置１９の、特にＺ方向下側（半導体装置本体端面２０ｄの下側）の複数のリード端子２２のそれぞれは、溶融はんだ１３のはんだ液面１６よりも下方に沈められることにより、溶融はんだ１３内に浸漬されることになる。また溶融はんだ１３内の浸漬が終わった後は、たとえば半導体装置１９がＺ方向上側に移動されることにより、溶融はんだ１３内に浸漬された複数のリード端子２２のそれぞれがたとえば溶融はんだ１３の外側に配置されるように持ち上げられる。   The semiconductor device holding arm 4 can move the semiconductor device 19 to be held in the Z direction (vertical direction). Thus, for example, in FIG. 1, each of the plurality of lead terminals 22 of the semiconductor device 19 arranged directly above the molten solder 13 in the Z direction, particularly in the Z direction lower side (the lower side of the semiconductor device main body end face 20 d) By being submerged below the solder liquid surface 16 of the molten solder 13, the molten solder 13 is immersed in the molten solder 13. In addition, after immersion in molten solder 13 is completed, each of a plurality of lead terminals 22 immersed in molten solder 13 is, for example, the outer side of molten solder 13 by moving semiconductor device 19 upward in the Z direction, for example. Lifted to be placed on the

液面操作部７は、吹付部２５（液面下降機構）と吹付部保持アーム２８とを有している。吹付部２５は、はんだ液面１６のＺ方向上方に配置され、はんだ液面１６に対してその上方から気体を吹き付けることが可能な部材である。吹付部２５は吹付部保持アーム２８により保持されている。吹付部保持アーム２８は吹付部２５を保持するとともに、吹付部２５から放出する気体を供給するための通路としての機能も有している。   The liquid level control unit 7 has a spray unit 25 (liquid level lowering mechanism) and a spray unit holding arm 28. The spray unit 25 is disposed above the solder liquid surface 16 in the Z direction, and is a member capable of spraying a gas onto the solder liquid surface 16 from above. The spray unit 25 is held by a spray unit holding arm 28. The spray unit holding arm 28 holds the spray unit 25 and also has a function as a passage for supplying the gas released from the spray unit 25.

吹付部２５がはんだ液面１６に対してＺ方向下向きに気体を吹き付けることにより、溶融はんだ１３のはんだ液面１６はＺ方向下方に下降させられる。これにより後述するようにはんだ液面１６が局所的に下降された領域である液面下降領域が発生する。また後述するように、このはんだ液面１６の下降により、それまで溶融はんだ１３内に浸漬されていたリード端子２２が溶融はんだ１３の外に相対的に引き上げられることになる。   When the blowing section 25 blows a gas downward to the solder liquid surface 16 in the Z direction, the solder liquid surface 16 of the molten solder 13 is lowered downward in the Z direction. As a result, as will be described later, a liquid level falling area is generated, which is an area where the solder liquid level 16 is locally lowered. Further, as described later, the lowering of the solder liquid surface 16 causes the lead terminals 22 immersed in the molten solder 13 so far to be pulled relatively out of the molten solder 13.

上記気体の例としては空気や窒素などが使用されるが、溶融はんだ１３に対して不活性な気体であることがより好ましい。このようにすれば、はんだ液面１６に酸化物層が生成され、溶融はんだ１３の流動性が低下し、はんだブリッジが発生しやすくなる状況を避けることができる。また上記気体の温度が低ければ溶融はんだ１３の温度が低下し溶融はんだ１３の流動性が低下する。これを抑制する観点から、上記気体の温度は２００℃以上３００℃以下とすることが好ましい。このようにすれば溶融はんだ１３の流動性を確保し、かつ半導体装置１９に熱的なダメージを与える可能性を低減することができる。   Although air, nitrogen, etc. are used as an example of the said gas, it is more preferable that it is inert gas with respect to the fusion | melting solder 13. FIG. In this way, an oxide layer is formed on the solder liquid surface 16, the fluidity of the molten solder 13 is reduced, and the situation where the solder bridge tends to occur can be avoided. If the temperature of the gas is low, the temperature of the molten solder 13 decreases and the fluidity of the molten solder 13 decreases. From the viewpoint of suppressing this, the temperature of the gas is preferably 200 ° C. or more and 300 ° C. or less. In this way, the fluidity of the molten solder 13 can be secured, and the possibility of causing thermal damage to the semiconductor device 19 can be reduced.

本実施の形態においては、吹付部保持アーム２８に吹付部２５が１つのみ取り付けられている。このため液面下降機構としての吹付部２５は、図１に示すように、半導体装置保持アーム４に保持される通常の半導体装置１９のＸ方向に関する幅よりも狭い幅を有している。   In the present embodiment, only one spray unit 25 is attached to the spray unit holding arm 28. Therefore, as shown in FIG. 1, the blowing unit 25 as the liquid level lowering mechanism has a width narrower than the width in the X direction of the normal semiconductor device 19 held by the semiconductor device holding arm 4.

なおここで半導体装置１９の幅とは、Ｘ方向に複数並ぶリード端子２２のうち一方端のリード端子２２と他方端のリード端子２２とのＸ方向に関する間隔（幅）と考える。ただし基本的には吹付部２５のＸ方向に関する幅は、Ｘ方向に複数並ぶリード端子２２のうち互いに隣り合う１対のリード端子２２の中心間距離の０．５倍以上３倍以下程度である。   Here, the width of the semiconductor device 19 is considered to be the distance (width) in the X direction between the lead terminal 22 at one end and the lead terminal 22 at the other end of the plurality of lead terminals 22 arranged in the X direction. However, basically, the width of the blowing portion 25 in the X direction is about 0.5 times to 3 times the center-to-center distance between the pair of lead terminals 22 adjacent to each other among the plurality of lead terminals 22 arranged in the X direction. .

吹付部保持アーム２８は、Ｚ方向下方のはんだ液面１６に対して気体を吹き付ける吹付部２５をＸ方向（半導体装置１９の幅方向）に沿って移動させることが可能である。これにより、吹付部２５の吹き付ける気体によりはんだ液面１６が降下された位置をＸ方向に沿って漸次移動させることができる。したがって、リード端子２２が浸漬されている領域におけるはんだ液面１６を、リード端子２２が複数並ぶＸ方向に関して隣り合う１対のリード端子２２に挟まれた領域ごとに漸次、リード端子２２の最下部であるリード端面２２ａよりも上方の位置に存在する状態から、リード端面２２ａよりも下方の位置に存在する状態へと下降させる。これにより、それまで溶融はんだ１３内に浸漬されていたリード端子２２が、吹付部２５のＸ方向に関する移動に従って漸次、溶融はんだ１３の外に相対的に引き上げられることになる。   The spray unit holding arm 28 can move the spray unit 25 that sprays gas to the solder liquid surface 16 below the Z direction along the X direction (the width direction of the semiconductor device 19). Thus, the position at which the solder liquid surface 16 is lowered by the gas blown by the spray unit 25 can be gradually moved along the X direction. Therefore, the solder liquid surface 16 in the region in which the lead terminal 22 is immersed is gradually formed in the lowermost portion of the lead terminal 22 for each region sandwiched between the pair of lead terminals 22 adjacent in the X direction in which the plurality of lead terminals 22 are arranged. From the state above the lead end face 22a, the state is lowered to the state below the lead end face 22a. As a result, the lead terminals 22 that have been immersed in the molten solder 13 are pulled up relatively out of the molten solder 13 gradually as the spray unit 25 moves in the X direction.

なお上記においては半導体装置保持アーム４がＺ方向に移動することにより、半導体装置１９のリード端子２２を溶融はんだ２２内に浸漬したり、逆に持ち上げたりしている。しかしこれに限らず、たとえば（半導体装置保持アーム４はＺ方向に移動せず）溶融はんだ槽１がＺ方向に移動することにより、半導体装置１９のリード端子２２を溶融はんだ２２内に浸漬したりそこから持ち上げたりしてもよい。その場合は図１の装置基盤３０がＺ方向に移動し、はんだ被膜形成装置１００全体は支柱８により支えられる。   In the above, by moving the semiconductor device holding arm 4 in the Z direction, the lead terminals 22 of the semiconductor device 19 are immersed in the molten solder 22 or lifted up. However, the present invention is not limited to this. For example (the semiconductor device holding arm 4 does not move in the Z direction), the molten solder tank 1 moves in the Z direction to immerse the lead terminals 22 of the semiconductor device 19 in the molten solder 22 You may lift it from there. In that case, the device base 30 of FIG. 1 moves in the Z direction, and the entire solder film forming device 100 is supported by the support 8.

同様に、上記においては吹付部２５がＸ方向に移動することによりはんだ液面１６の下降する領域をＸ方向に移動させている。しかしこれに限らず、たとえば（吹付部２５はＸ方向に移動せず）半導体装置保持アーム４がＸ方向に移動することによりこれが保持する半導体装置１９をＸ方向に移動させる態様であってもよい。   Similarly, in the above description, the downward movement of the solder liquid surface 16 is moved in the X direction by moving the spray unit 25 in the X direction. However, the invention is not limited thereto. For example, the semiconductor device holding arm 4 may move in the X direction by moving the semiconductor device holding arm 4 in the X direction (the blowing unit 25 does not move in the X direction). .

以上をまとめると、溶融はんだ槽１に対して半導体装置保持アーム４をＺ方向に相対的に移動させるように、半導体装置保持アーム４または溶融はんだ槽１が駆動可能となっている。この駆動は、たとえば一般公知のモータまたはシリンダなどの駆動用の部材により可能となっている。   In summary, the semiconductor device holding arm 4 or the molten solder tank 1 can be driven so as to move the semiconductor device holding arm 4 relative to the molten solder tank 1 in the Z direction. This drive is made possible by, for example, a commonly known drive member such as a motor or a cylinder.

以上においては一例として、半導体装置１９のリード端子２２がＸ方向に沿って複数並ぶように配置されており、このため吹付部２５もＸ方向に沿って移動可能となっている。しかしこれに限らず、たとえば図示されないが半導体装置１９のリード端子２２がＹ方向に沿って複数並ぶように配置され、これに伴い吹付部２５もＹ方向に沿って移動可能とされてもよい。   In the above, as an example, a plurality of lead terminals 22 of the semiconductor device 19 are arranged along the X direction, and the spray unit 25 is also movable along the X direction. However, the invention is not limited thereto. For example, although not shown, a plurality of lead terminals 22 of the semiconductor device 19 may be arranged along the Y direction, and the spray unit 25 may also be movable along the Y direction.

次に図３〜図８を用いて、本実施の形態のはんだ被膜形成装置１００を用いたはんだ被膜形成方法について説明する。なお図３〜図８のはんだ被膜形成方法を説明する各図面においては、装置基盤３０、半導体装置保持アーム４など、はんだ被膜形成装置１００を構成する部材の一部の図示が省略されている（以下の各実施の形態についても同じ）。   Next, a solder film forming method using the solder film forming apparatus 100 of the present embodiment will be described using FIGS. 3 to 8. In each of the drawings for explaining the method for forming a solder film shown in FIGS. 3 to 8, some of the members constituting the solder film forming apparatus 100, such as the device base 30, the semiconductor device holding arm 4 and the like are omitted. The same applies to the following embodiments.

図３を参照して、溶融はんだ槽１のはんだ収容部１０が溶融はんだ１３を収納した状態で、当該溶融はんだ１３のＺ方向に関する真上に、図１と同様に半導体装置１９が配置される。このとき半導体装置１９は、図示されない半導体装置保持アーム４により、複数のリード端面２２ａのそれぞれがはんだ液面１６に沿うように（たとえば平行となるように）配置されている。次に、溶融はんだ１３内に浸漬される（半導体装置本体端面２０ｄの下側の）リード端子２２の表面にフラックスが塗布される。   Referring to FIG. 3, in a state where solder accommodating portion 10 of molten solder tank 1 accommodates molten solder 13, semiconductor device 19 is disposed just above FIG. 1 in the Z direction of molten solder 13. . At this time, the semiconductor device 19 is arranged by the semiconductor device holding arm 4 (not shown) so that each of the plurality of lead end faces 22 a is along (for example, in parallel with) the solder liquid surface 16. Next, flux is applied to the surface of the lead terminal 22 (below the semiconductor device body end face 20 d) immersed in the molten solder 13.

図４を参照して、たとえば半導体装置１９がＺ方向下方に下降する（または溶融はんだ槽１がＺ方向上方に上昇する）ことにより、特に半導体装置本体端面２０ｄの下側に互いに間隔をあけて複数並ぶリード端子２２が溶融はんだ１３内に浸漬される。なおこのとき、半導体装置本体端面２０ｄの下側の複数のリード端子２２の全体が溶融はんだ１３内に浸漬されることがより好ましいが、少なくとも溶融はんだ１３側（Ｚ方向下側）のリード端面２２ａを含む少なくとも一部が浸漬される。   Referring to FIG. 4, for example, semiconductor device 19 descends downward in the Z direction (or molten solder tank 1 rises upward in the Z direction), in particular, spaced apart from each other below semiconductor device body end face 20d. A plurality of lead terminals 22 are arranged in the molten solder 13. At this time, it is more preferable that the whole of the plurality of lead terminals 22 below the semiconductor device body end face 20d be immersed in the molten solder 13, but at least the lead end face 22a on the molten solder 13 side (lower side in the Z direction). And at least a portion of the

このとき、リード端子２２が溶融はんだ１３に接触すると、熱とフラックスの還元作用によってリード端子２２の表面の酸化膜が除去され、図４に示すようにリード端子２２に沿って溶融はんだ１３がＺ方向上側に濡れ上がり、リード端子２２の配置される領域においてはんだ液面１６の位置が変化する。ここではリード端子２２を浸漬させる前の溶融はんだ１３のはんだ液面の位置を初期はんだ液面３１として点線で示している。   At this time, when the lead terminal 22 comes in contact with the molten solder 13, the oxide film on the surface of the lead terminal 22 is removed by the heat and flux reducing action, and as shown in FIG. It wets in the upper direction, and the position of the solder liquid surface 16 changes in the region where the lead terminal 22 is disposed. Here, the position of the solder liquid surface of the molten solder 13 before the lead terminals 22 are immersed is indicated by a dotted line as an initial solder liquid surface 31.

図５を参照して、複数のリード端面２２ａの、初期はんだ液面３１（浸漬する工程を行なう前の溶融はんだ１３の初期液面高さ）に対するＺ方向の高さが調整される。   Referring to FIG. 5, the height in the Z direction with respect to initial solder liquid level 31 (initial liquid level of molten solder 13 before the immersion step) of the plurality of lead end faces 22a is adjusted.

具体的には、たとえば半導体装置１９を徐々にＺ方向上方に上昇させる（または溶融はんだ槽１を徐々にＺ方向下方に下降させる）ことにより、複数のリード端子２２が溶融はんだ１３に対して相対的に上方に持ち上げられる。このとき、リード端子２２の最下部すなわちリード端面２２ａの高さが初期はんだ液面３１よりＺ方向上方に持ち上げられても、互いに隣り合う１対のリード端子２２に挟まれた領域においてははんだ液面１６がリード端子２２に釣られるように持ち上げられる。これは表面張力の作用によるものである。図５においてはリード端面２２ａの高さが初期はんだ液面３１よりＺ方向上方に寸法Ｈ１だけ高くなるように持ち上げられており、このとき溶融はんだ１３はリード端子２２の表面に接触したままの状態となっている。   Specifically, for example, by gradually raising semiconductor device 19 upward in the Z direction (or lowering molten solder tank 1 gradually downward in Z direction), the plurality of lead terminals 22 are relative to molten solder 13. Are lifted upwards. At this time, even if the height of the lowermost part of the lead terminal 22, ie, the lead end face 22a, is raised above the initial solder liquid surface 31 in the Z direction, the solder liquid is in a region sandwiched by the pair of adjacent lead terminals 22. The surface 16 is lifted so as to be caught by the lead terminal 22. This is due to the action of surface tension. In FIG. 5, the height of the lead end face 22a is raised so as to be higher by the dimension H1 in the Z direction above the initial solder liquid surface 31. At this time, the molten solder 13 remains in contact with the surface of the lead terminal 22. It has become.

図５のリード端子２２を持ち上げる工程においては、上記のように浸漬されるリード端子２２の最下部のリード端面２２ａは、初期はんだ液面３１よりもＺ方向上方に関して高い位置まで持ち上げられる。   In the step of lifting the lead terminal 22 of FIG. 5, the lowermost lead end surface 22 a of the lead terminal 22 immersed as described above is lifted to a position higher in the Z direction upper than the initial solder liquid surface 31.

またリード端子２２を持ち上げ続けるとやがて後述するように１対のリード端子２２に挟まれた領域において溶融はんだ１３が離脱し始めるが、その離脱が発生する高さよりもＺ方向に関して低い位置まで、リード端子２２がＺ方向に関して持ち上げられる。このことを言い換えれば、複数のリード端子２２のうち隣り合う１対のリード端子２２に挟まれたすべての領域において溶融はんだ１３が落下することなく存在することが可能な程度の位置まで、リード端面２２ａがＺ方向に関して持ち上げられる。   Further, as the lead terminal 22 continues to be lifted, the molten solder 13 begins to separate in a region sandwiched between the pair of lead terminals 22 as described later, but the lead is lowered to a position lower in the Z direction than the height at which the separation occurs. The terminals 22 are lifted in the Z direction. In other words, the end surface of the lead 13 is at such a position that the molten solder 13 can exist without falling in all the regions sandwiched between the pair of adjacent lead terminals 22 among the plurality of lead terminals 22. 22a is lifted in the Z direction.

図６を参照して、高さが調整され図５のようにリード端子２２が持ち上げられた状態で、液面操作部７に含まれる吹付部２５を用いてそこから溶融はんだ１３の液面に向けてＺ方向下方に気体が吹き付けられる（このときは半導体装置１９、溶融はんだ槽１ともにＺ方向に関して移動しない）。この吹付部２５は、半導体装置１９の幅方向に沿うＸ方向に関して一方（たとえば図の右側）の端に配置されるリード端子２２側から他方（たとえば図の左側）の端に配置されるリード端子２２側に向けて、矢印Ｍで示すようにＸ方向に沿って移動しながら、気体３４を吹き付ける。ただし吹付部２５の移動する方向は上記と逆（図の左側から右側に向けて）であってもよい。   Referring to FIG. 6, in a state where the height is adjusted and lead terminals 22 are lifted as shown in FIG. 5, the spray section 25 included in liquid level operation section 7 is used to increase the level of molten solder 13 therefrom. A gas is blown downward in the Z direction (in this case, neither the semiconductor device 19 nor the molten solder tank 1 moves in the Z direction). The spray unit 25 is disposed at one end (for example, the right side in the figure) of the semiconductor device 19 along the width direction of the semiconductor device 19 from the lead terminal 22 side to the other (for example, the left side in the figure). A gas 34 is blown toward the side 22 while moving along the X direction as shown by the arrow M. However, the moving direction of the blowing unit 25 may be opposite to that described above (from the left side to the right side in the drawing).

これにより溶融はんだ１３の液面は、気体が吹き付けられた領域（の近く）において、他の領域よりもＺ方向下方に下降される。図６においては吹付部２５により溶融はんだ１３の液面が下降された領域を液面下降領域３７として表現している。   As a result, the liquid surface of the molten solder 13 is lowered downward in the Z direction than (in the vicinity of) the area where the gas is blown, than the other areas. In FIG. 6, a region in which the liquid level of the molten solder 13 is lowered by the spray unit 25 is expressed as a liquid level falling region 37.

液面下降領域３７においては、はんだ液面１６は、少なくともリード端子２２の最下部のリード端面２２ａよりも下方にまで下降するが、初期はんだ液面３１の高さよりもＺ方向下方にまで下降することがより好ましい。   In the liquid level descent region 37, the solder liquid level 16 descends below at least the lowermost lead end surface 22a of the lead terminal 22, but lowers in the Z direction below the height of the initial solder liquid level 31. Is more preferred.

これにより、液面下降領域３７における１対の隣り合うリード端子２２に挟まれた領域の溶融はんだ１３が、１対の隣り合うリード端子２２に挟まれた領域から離れてその下方に引き戻される。これにより、当該領域におけるリード端子２２は、相対的に溶融はんだ１３の外に引き上げられる。   As a result, the molten solder 13 in the region sandwiched by the pair of adjacent lead terminals 22 in the liquid level falling region 37 is separated from the region sandwiched by the pair of adjacent lead terminals 22 and pulled back downward. Thereby, the lead terminal 22 in the said area | region is pulled up relatively out of the fusion | melting solder 13 relatively.

図７を参照して、吹付部２５の矢印Ｍに示すＸ方向に沿う移動に伴い、液面下降領域３７がＸ方向左側に漸次移動する。この吹付部２５は、半導体装置１９の幅方向に沿うＸ方向に関して半導体装置１９よりも狭い幅を有する。このため、吹付部２５の移動に伴い、Ｘ方向に関する右側の１対のリード端子２２間の領域から左側の１対のリード端子２２間の領域に向けて順次、溶融はんだ１３の液面が、当初はリード端面２２ａよりも上方の位置にあるがそこからリード端面２２ａよりも下方の位置に引き戻される。このようにしてすべてのリード端子２２が溶融はんだ１３の外に引き上げられる。   Referring to FIG. 7, with the movement of sprayer 25 along the X direction shown by arrow M, liquid surface descent region 37 gradually moves to the left in the X direction. The spray unit 25 has a width smaller than that of the semiconductor device 19 in the X direction along the width direction of the semiconductor device 19. Therefore, as the spray unit 25 moves, the liquid surface of the molten solder 13 sequentially from the area between the pair of lead terminals 22 on the right side in the X direction toward the area between the pair of lead terminals 22 on the left side, Initially, it is at a position above the lead end surface 22a, but from there it is pulled back to a position below the lead end surface 22a. Thus, all the lead terminals 22 are pulled out of the molten solder 13.

図８を参照して、リード端面２２ａの高さが初期はんだ液面３１よりＺ方向上方に寸法Ｈ１だけ高くなるように持ち上げられている。このため、いったん溶融はんだ槽１のはんだ収容部１０内に引き戻された溶融はんだ１３は、その液面の高さが初期はんだ液面３１と同じ定常状態に戻った後においても、再度リード端子２２に付着し濡れ上がることはない。このようにして、リード端子２２の表面のみに薄いはんだの被膜を均一に供給させることができる。   Referring to FIG. 8, the height of lead end face 22a is raised by dimension H1 above the initial solder liquid surface 31 in the Z direction. For this reason, the molten solder 13 once pulled back into the solder accommodating portion 10 of the molten solder tank 1 has the lead terminal 22 again even after the liquid level has returned to the same steady state as the initial solder liquid level 31. It does not get wet on the skin. In this manner, a thin solder coating can be uniformly supplied only to the surface of the lead terminal 22.

なお、以上においては図３における半導体装置本体端面２０ｄの下側のリード端子２２へのはんだ被膜の形成についてのみ述べているが、同様の手法により（図３の上下を反転させることにより）、半導体装置本体端面２０ｃの上側のリード端子２２へのはんだ被膜の形成も可能である。   Although only the formation of the solder film on the lead terminals 22 under the semiconductor device main body end face 20d in FIG. 3 has been described above, the semiconductor is made by the same method (by inverting the upper and lower sides in FIG. 3) It is also possible to form a solder film on the lead terminals 22 on the upper side of the device body end face 20c.

ところで図９を参照して、図６〜図７においては半導体装置１９のＹ方向に関するやや手前側に吹付部２５から気体３４が吹き付けられている。このため図９におけるＹ方向すなわち図の左右方向に関して、半導体装置１９（リード端子２２）と吹付部２５との間には少し間隔が形成されている。   Referring to FIG. 9, in FIGS. 6 to 7, the gas 34 is sprayed from the spray unit 25 on the slightly front side of the semiconductor device 19 in the Y direction. For this reason, a slight gap is formed between the semiconductor device 19 (lead terminal 22) and the spray unit 25 in the Y direction in FIG.

しかし気体３４の吹き付けにより形成される液面下降領域３７にはある範囲を有している。具体的には、液面下降領域３７はＺ方向の上方ほど範囲が広く、下方に向かうにつれて範囲が狭くなるすり鉢のような断面形状を有している。つまりはんだ液面１６に沿う方向に関する液面下降領域３７の幅は、通常は吹付部２５の幅よりも広くなっている。このため、たとえＹ方向に関して吹付部２５（により気体３４が吹き付けられる領域）と半導体装置１９（リード端子２２）との間に距離Ｃを有していたとしても、吹付部２５の気体３４により１対のリード端子２２間に挟まれた領域を液面下降領域３７として、当該領域の溶融はんだ１３を下降させ溶融はんだ槽１内に引き戻させることができる。   However, there is a certain range in the liquid level falling area 37 formed by the spray of the gas 34. Specifically, the liquid level descent region 37 has a cross-sectional shape like a mortar whose range becomes wider as it goes upward in the Z direction and becomes narrower as it goes downward. That is, the width of the liquid level descent area 37 in the direction along the solder liquid level 16 is usually wider than the width of the spray portion 25. Therefore, even if there is a distance C between the blowing part 25 (the area to which the gas 34 is blown) and the semiconductor device 19 (lead terminal 22) in the Y direction, the gas 34 of the blowing part 25 An area sandwiched between the pair of lead terminals 22 is used as a liquid level falling area 37, and the molten solder 13 in the area can be lowered and pulled back into the molten solder tank 1.

上記の距離Ｃは、液面下降領域３７のＹ方向（またはＸ方向）に沿う範囲の最大（たとえばＺ方向最上部）の寸法Ｄよりも小さければ許容され、他の条件によって変化する。具体的には、上記の距離Ｃは２ｍｍ以上３ｍｍ以下程度とすることが好ましい。ただし半導体装置１９の（図５などにおける）Ｘ方向およびＹ方向に関する寸法は一般的に１０ｍｍ以上あるのに対し、本実施の形態のように半導体装置１９の幅よりも（かなり）狭い幅を有する吹付部２５を用いる場合には、上記寸法Ｄは基本的にはそれよりも小さい。このため、たとえば吹付部２５が図６の右端のリード端子２２の近くに配置される状態においてはそこで発生する液面下降領域３７をリード端子２２の配置される領域全体に（図６の左端のリード端子２２まで）及ばせることは困難である。したがって、リード端子２２の全体において溶融はんだ１３を下降させるためには、上記のように吹付部２５をリード端子２２が並ぶＸ方向に沿って左側に向けて移動させることが好ましい。   The above distance C is allowed to be smaller than the dimension D of the range (for example, the top in the Z direction) of the range along the Y direction (or the X direction) of the liquid level falling region 37, and changes according to other conditions. Specifically, the distance C is preferably about 2 mm or more and 3 mm or less. However, while the dimensions of the semiconductor device 19 in the X and Y directions (in FIG. 5 etc.) are generally 10 mm or more, it has a width (much) narrower than the width of the semiconductor device 19 as in this embodiment. When the spray unit 25 is used, the dimension D is basically smaller than that. For this reason, for example, in the state where the spray unit 25 is disposed near the lead terminal 22 at the right end of FIG. 6, the liquid level descent region 37 generated there is the entire region where the lead terminal 22 is disposed ( It is difficult to extend to the lead terminal 22). Therefore, in order to lower the molten solder 13 in the whole of the lead terminal 22, it is preferable to move the spraying portion 25 to the left along the X direction in which the lead terminals 22 are arranged as described above.

なお図１０を参照して、よりリード端子２２と平面視において重なる領域において確実に１対のリード端子２２の間の領域の溶融はんだ１３を下降させる観点からは、吹付部２５を傾けることがより好ましい。このようにすれば、Ｙ方向に関してリード端子２２からやや離れた領域から、リード端子２２と平面的に重なる領域に向けて確実に気体３４を吹き付けることができる。また図１１を参照して、Ｙ方向に関してリード端子２２（半導体装置１９）を挟んでその両側に吹付部２５を設置し、Ｙ方向に関する液面下降領域３７の寸法Ｅを図９の寸法Ｄよりも広くすることにより、Ｘ方向についても液面下降領域３７の範囲を図９よりもいっそう広げることができる。   Referring to FIG. 10, from the viewpoint of lowering the molten solder 13 in the region between the pair of lead terminals 22 more reliably in the region overlapping with the lead terminals 22 in plan view, it is possible to incline the blowing portion 25 more preferable. In this way, the gas 34 can be reliably sprayed toward the area overlapping in a planar manner with the lead terminal 22 from the area slightly away from the lead terminal 22 in the Y direction. Further, referring to FIG. 11, the blowing portion 25 is installed on both sides of the lead terminal 22 (semiconductor device 19) in the Y direction, and the dimension E of the liquid level descent region 37 in the Y direction is as shown by the dimension D in FIG. By widening the range, the range of the liquid level falling region 37 can be further broadened in the X direction as compared with FIG.

以上においては、液面操作部７を用いる前にリード端子２２をＺ方向上方に持ち上げる工程を「持ち上げる」、液面操作部７を用いてはんだ液面を下降させることによりはんだに対して相対的にリード端子２２をＺ方向上方に配置させる工程を「引き上げる」と表現している。また意図的に溶融はんだ１３の液面を下降させることを「下降」、意図せずリード端子２２間の領域の溶融はんだ１３が落下する現象を「離脱」と表現している。   In the above, the step of lifting the lead terminal 22 upward in the Z direction before using the liquid level operation unit 7 is “lifted”, and the solder liquid level is lowered using the liquid level operation unit 7 relative to the solder. The step of arranging the lead terminal 22 in the upper side in the Z direction is referred to as "pulling up". In addition, lowering the liquid surface of the molten solder 13 intentionally is referred to as “falling”, and a phenomenon in which the molten solder 13 in the region between the lead terminals 22 falls unintentionally is referred to as “disengagement”.

次に、図１２〜図１４の比較例を参照しながら、本実施の形態の作用効果について説明する。   Next, the operation and effect of the present embodiment will be described with reference to the comparative examples of FIGS. 12 to 14.

図１２を参照して、比較例においては、まず本実施の形態の上記図３〜図４と同様の処理がなされリード端子２２が溶融はんだ１３内に浸漬される。しかしその後に半導体装置１９を徐々にＺ方向上方に上昇させる（または溶融はんだ槽１を徐々にＺ方向下方に下降させる）工程において、本実施の形態の図５に示すよりもさらに高い位置まで半導体装置１９が持ち上げられる。   Referring to FIG. 12, in the comparative example, first, the same process as in FIGS. 3 to 4 of the present embodiment is performed to immerse the lead terminal 22 in the molten solder 13. However, thereafter, in the process of gradually raising semiconductor device 19 upward in the Z direction (or gradually lowering molten solder tank 1 downward in the Z direction), the semiconductor is further advanced to a position higher than that shown in FIG. The device 19 is lifted.

つまり図１２のリード端子２２を持ち上げる工程においては、浸漬されるリード端子２２の最下部のリード端面２２ａは、初期はんだ液面３１（浸漬する工程を行なう前の溶融はんだ１３の初期液面高さ）よりもＺ方向上方に関して高い位置まで持ち上げられる。さらにリード端子２２を持ち上げ続けるとやがて後述するように１対のリード端子２２に挟まれた領域において溶融はんだ１３が離脱し始めるが、その離脱が発生する高さ（とほぼ等しい位置）まで、リード端子２２が持ち上げられる。具体的には図１２においてはリード端面２２ａの高さが初期はんだ液面３１よりＺ方向上方に寸法Ｈ２だけ高くなるように持ち上げられ、Ｈ２はＨ１より大きい。   That is, in the step of lifting the lead terminal 22 of FIG. 12, the lowermost lead end surface 22a of the lead terminal 22 to be immersed is the initial solder liquid level 31 (the initial liquid level of the molten solder 13 before the immersion process is performed). ) Is raised to a higher position with respect to the upper side in the Z direction. When the lead terminal 22 continues to be lifted, the molten solder 13 begins to separate in a region sandwiched between the pair of lead terminals 22 as described later, but the lead reaches the height at which the separation occurs (approximately the same position) The terminal 22 is lifted. Specifically, in FIG. 12, the height of the lead end face 22a is lifted by the dimension H2 above the initial solder liquid surface 31 in the Z direction, and H2 is larger than H1.

このようにリード端子２２（半導体装置１９）を溶融はんだ１３に対して相対的に上方に持ち上げ続けると、持ち上げられる溶融はんだ１３の量が漸次増加する。このため、やがて溶融はんだ１３の表面張力による上向きの力Ｔよりもリード端子２２に付着しリード端子２２とともに持ち上げられた溶融はんだ１３への重力による下向きの力Ｇが大きくなる瞬間がある。   As the lead terminal 22 (semiconductor device 19) continues to be lifted relative to the molten solder 13 in this manner, the amount of the molten solder 13 to be lifted gradually increases. For this reason, there is a moment when the downward force G due to gravity on the molten solder 13 attached to the lead terminal 22 and lifted with the lead terminal 22 becomes larger than the upward force T due to the surface tension of the molten solder 13.

図１３を参照して、その瞬間にリード端子２２に付着していた溶融はんだ１３がリード端子２２から離脱し、それぞれのリード端子２２間に挟まれた領域に付着していた溶融はんだ１３が一気に溶融はんだ槽１内に落下する。   Referring to FIG. 13, molten solder 13 adhering to lead terminals 22 at that moment is detached from lead terminals 22 and molten solder 13 adhering to the region sandwiched between the respective lead terminals 22 makes a burst. It falls into the molten solder tank 1.

図１４を参照して、この溶融はんだ１３の離脱および落下の際には、すべての溶融はんだ１３が落下せず、一斉の溶融はんだ１３の落下に追従できなかった一部の溶融はんだ１３が、残留はんだとして、一部の１対のリード端子２２間の領域に滞留する。この残留はんだがこれを挟む１対のリード端子２２の双方と接触していれば、当該１対のリード端子２２を短絡させるはんだブリッジ４０として形成される。   Referring to FIG. 14, when the molten solder 13 separates and falls, all the molten solder 13 does not fall, and some of the molten solders 13 that can not follow the simultaneous falling of the molten solder 13 As residual solder, it stagnates in the area between a pair of lead terminals 22. If this residual solder is in contact with both of the pair of lead terminals 22 sandwiching it, it is formed as a solder bridge 40 which shorts the pair of lead terminals 22.

これに対して、本実施の形態においては上記の離脱が起こる前の段階（図１２〜図１４より低い図５〜図８のＨ１にセットされた段階）で、吹付部２５により強制的にはんだ液面１６をリード端面２２ａよりも下側に下降させることができる。この下降は比較例のようにすべての１対のリード端子２２間の領域に対して一時に起こるのではなく、個々の１対のリード端子２２間の領域ごとに順番に起こる。このため比較例における溶融はんだ１３の離脱に比べて緩やかであり、この下降に伴って溶融はんだ１３が部分的に残存してはんだブリッジ４０が形成される可能性は低い。このため本実施の形態の手法を用いれば、互いに間隔をあけて複数配置されるリード端子２２のそれぞれの表面に溶融はんだ浸漬法によりはんだ被膜を形成する際の、隣り合う１対のリード端子２２の間の領域でのはんだブリッジ４０の形成を抑制することができる。   On the other hand, in the present embodiment, the solder is forcibly soldered by the spray unit 25 at a stage before the above-mentioned detachment occurs (stage set to H1 in FIGS. 5 to 8 lower than FIGS. 12 to 14). The liquid level 16 can be lowered below the lead end face 22a. This lowering does not occur at one time for the area between all the pair of lead terminals 22 as in the comparative example, but sequentially for each area between the individual pair of lead terminals 22. For this reason, it is gentler compared to the detachment of the molten solder 13 in the comparative example, and the possibility that the molten solder 13 partially remains and the solder bridge 40 is formed along with the descent is low. For this reason, if the method of the present embodiment is used, a pair of adjacent lead terminals 22 when forming a solder coating on each surface of a plurality of lead terminals 22 spaced apart from each other by the molten solder immersion method The formation of solder bridges 40 in the area between them can be suppressed.

液面下降機構として吹付部２５を用いることにより、吹付部２５は溶融はんだ１３に対して非接触とすることができる。これにより、吹き付けられた気体３４ははんだ液面１６上において自由に形を変えることができる。したがって、気体３４の吹き付けられる位置がリード端子２２と平面的に重なる領域から多少大きくずれたとしても、１対のリード端子２２に挟まれた領域のはんだ液面１６を下降させ当該領域を液面下降領域３７とすることが可能となる。   By using the blowing unit 25 as the liquid level lowering mechanism, the blowing unit 25 can be in non-contact with the molten solder 13. Thereby, the sprayed gas 34 can be freely reshaped on the solder level 16. Therefore, even if the position where the gas 34 is sprayed deviates a little from the area overlapping with the lead terminals 22 in a plane, the solder liquid level 16 in the area sandwiched by the pair of lead terminals 22 is lowered to the liquid level. It is possible to make the falling area 37.

なお以上においては、リード端面２２ａがはんだ液面１６に沿うように（たとえば平行となるように）半導体装置保持アーム４が半導体装置１９を保持した例が示されている。しかしこれに限らず、はんだ液面１６に対してリード端面２２ａが傾斜した状態でリード端子２２の浸漬および引き上げ等がなされてもよい。   In the above, an example is shown in which the semiconductor device holding arm 4 holds the semiconductor device 19 so that the lead end face 22 a is along (for example, parallel to) the solder liquid surface 16. However, the present invention is not limited to this, and the lead terminal 22 may be immersed and pulled up in a state where the lead end face 22a is inclined with respect to the solder liquid surface 16.

次に、本実施の形態の応用例について説明する。
たとえば再度図２（Ａ）を参照して、隣り合う１対のリード端子２２の中心間距離Ｆが０．６５ｍｍ未満である半導体装置１９においては、当該隣り合う１対のリード端子２２の間の領域にはんだブリッジ４０（図１４参照）が発生しやすい。このためこのような半導体装置１９においては、リード端子２２の表面へのはんだ被膜の形成には、溶融はんだ浸漬法を用いずに電気めっきが用いられることが多い。しかしこのようなリード端子２２の間隔が比較的狭い半導体装置においても、本実施の形態の適用により、溶融はんだ浸漬法を用いて、リード端子２２の表面上に膜厚が２０μｍ以上のはんだ被膜を形成することができる。 Next, application examples of the present embodiment will be described.
For example, referring to FIG. 2A again, in a semiconductor device 19 in which the distance F between centers of a pair of adjacent lead terminals 22 is less than 0.65 mm, the distance between the pair of adjacent lead terminals 22 is The solder bridge 40 (see FIG. 14) is likely to occur in the area. Therefore, in such a semiconductor device 19, electroplating is often used to form a solder film on the surface of the lead terminal 22 without using a molten solder dipping method. However, even in such a semiconductor device in which the distance between the lead terminals 22 is relatively narrow, a solder film having a thickness of 20 μm or more is formed on the surface of the lead terminal 22 by using the molten solder immersion method by applying this embodiment. It can be formed.

はんだ被膜を厚くすることにより、リード端子２２を構成する材料とはんだ被膜の材料との金属間化合物の成長による、当該はんだ被膜形成部のはんだ付け性の低下が抑制される。また、リード端子２２の中心間距離Ｆが短くなると、半導体装置１９をプリント配線板などの上にはんだ付けにより実装する際に供給されるはんだ量が不足しクラックが発生しやすくなり、形成される実装品の長期信頼性が低下する可能性がある。しかし本実施の形態を用いて、あらかじめリード端子２２の表面上に厚いはんだ被膜を形成することにより、このような不具合の発生を抑制することができる。   By thickening the solder film, it is possible to suppress the decrease in the solderability of the solder film forming portion due to the growth of the intermetallic compound of the material of the lead terminal 22 and the material of the solder film. In addition, when the distance F between centers of the lead terminals 22 becomes short, the amount of solder supplied when mounting the semiconductor device 19 on a printed wiring board or the like is insufficient and cracks are likely to occur. There is a possibility that the long-term reliability of the mounted product may deteriorate. However, by forming a thick solder film on the surface of the lead terminal 22 in advance using this embodiment, it is possible to suppress the occurrence of such a defect.

（実施の形態２）
図１５を参照して、本実施の形態のはんだ被膜形成装置２００は、液面操作部７を構成する吹付部２５が、吹付部保持アーム２８の延在するＸ方向に沿って複数並んでいる点において、吹付部２５を１つのみ有する実施の形態１のはんだ被膜形成装置１００と構成上の差異がある。これらの複数並ぶ吹付部２５は、Ｘ方向に沿って順次、気体をＺ方向下方に向けて吹き付けることにより、溶融はんだ１３の液面を、リード端子２２の最下部であるリード端面２２ａよりも上方の位置からリード端面２２ａよりも下方の位置へと下降させる。このようにして、実施の形態１と同様に、たとえばＸ方向右側から左側へ順次、リード端子２２を溶融はんだ１３外（はんだ液面１６の上側）に引き上げさせる。 Second Embodiment
Referring to FIG. 15, in the solder film forming apparatus 200 of the present embodiment, a plurality of spray units 25 constituting the liquid level control unit 7 are arranged along the X direction in which the spray unit holding arms 28 extend. In terms of points, there is a difference in configuration from the solder film forming apparatus 100 of the first embodiment having only one spray portion 25. The plurality of spray units 25 spray the gas downward in the Z direction sequentially along the X direction, whereby the liquid surface of the molten solder 13 is higher than the lead end surface 22 a which is the lowermost portion of the lead terminal 22. Is lowered to a position below the lead end surface 22a. In this manner, as in the first embodiment, for example, the lead terminals 22 are sequentially pulled out from the molten solder 13 (upper side of the solder liquid surface 16) sequentially from the right side to the left side in the X direction.

複数並ぶ吹付部２５同士は、Ｘ方向において互いに接していることが好ましいが、必ずしも接していなくてもよい。また複数並ぶ吹付部２５をすべてＸ方向につなげた長さは、Ｘ方向に関する半導体装置１９の幅よりも広い幅となることが好ましい（ただし半導体装置１９の幅に満たなくてもよい場合もある）。なお複数並ぶ吹付部２５同士がＸ方向において互いに接していない場合には、隣り合う１対の吹付部２５のＸ方向に関する間隔を含めた、Ｘ方向に関する吹付部２５の一方端と他方端との幅が、Ｘ方向に関する半導体装置１９の幅よりも広い幅となることが好ましい。   The plurality of spray units 25 are preferably in contact with each other in the X direction, but may not necessarily be in contact with each other. In addition, it is preferable that the length in which the plurality of spray units 25 are all connected in the X direction be wider than the width of the semiconductor device 19 in the X direction (however, the width may not be less than the width of the semiconductor device 19). ). When the plurality of spray units 25 are not in contact with each other in the X direction, one end and the other end of the spray units 25 in the X direction, including the interval between the pair of adjacent spray units 25 in the X direction. The width is preferably wider than the width of the semiconductor device 19 in the X direction.

はんだ被膜形成装置２００は上記の点以外の各点については基本的に実施の形態１のはんだ被膜形成装置１００と同様の構成であり、吹付部２５がＸ方向に関して半導体装置１９の幅よりも狭い幅を有する点についても実施の形態１と同様である（実施の形態１の吹付部２５と同じ幅を有している）。このため同一の要素については同一の番号または符号を付し、ここではその説明を繰り返さない。   Solder film forming apparatus 200 basically has the same configuration as solder film forming apparatus 100 of the first embodiment in all points other than the above-described points, and spray portion 25 is narrower than the width of semiconductor device 19 in the X direction. The point having a width is also the same as that of the first embodiment (it has the same width as the spray part 25 of the first embodiment). Therefore, the same elements will be denoted by the same numbers or symbols, and the description thereof will not be repeated here.

次に、図１６および図１７を参照して、本実施の形態のはんだ被膜形成装置２００を用いたはんだ被膜形成方法について説明する。   Next, with reference to FIGS. 16 and 17, a solder film forming method using the solder film forming apparatus 200 of the present embodiment will be described.

図１６を参照して、実施の形態１の図３〜図５と同様に、リード端子２２が溶融はんだ１３内に浸漬され、溶融はんだ１３に対して相対的に上方に持ち上げられる。このとき実施の形態１と同様に、リード端面２２ａの高さが初期はんだ液面３１よりＺ方向上方に寸法Ｈ１だけ高くなるように持ち上げられる。   Referring to FIG. 16, lead terminals 22 are immersed in molten solder 13 and lifted upward relative to molten solder 13 as in FIGS. 3 to 5 of the first embodiment. At this time, as in the first embodiment, the lead end face 22a is lifted so as to be higher than the initial solder liquid surface 31 by the dimension H1 in the Z direction.

その後、Ｘ方向に沿って複数並ぶ吹付部２５が、図示しない吹付部保持アーム２８（図１５参照）により、たとえば半導体装置１９とＸ方向に関する位置が重なり、図９に示すようにＹ方向に関して半導体装置１９との間に少しの距離Ｃを有する位置にセットされる。ここで、たとえば複数並ぶ吹付部２５のＸ方向に関する全体の寸法が半導体装置１９のＸ方向に関する幅よりも広くなるように配置された場合は、半導体装置１９が配置される領域とＸ方向に関する座標が等しい位置の全体に、吹付部２５が配置される。なお隣り合う吹付部２５同士の間に間隔を有する場合には、当該間隔も含めた各吹付部２５のＸ方向に関する位置が、半導体装置１９のＸ方向に関する位置と重なるように吹付部２５が配置される。   Thereafter, a plurality of spray units 25 aligned along the X direction are overlapped by, for example, the position with respect to the semiconductor device 19 with the semiconductor device 19 by the spray unit holding arm 28 (see FIG. 15) not shown. It is set to a position having a small distance C between it and the device 19. Here, if, for example, the entire dimensions of the plurality of spray units 25 in the X direction are arranged to be wider than the width of the semiconductor device 19 in the X direction, the coordinates of the region in which the semiconductor device 19 is arranged and the X direction The spraying part 25 is arrange | positioned at the whole of an equal position. When there is a space between the adjacent blowing parts 25, the blowing parts 25 are disposed such that the position of each blowing part 25 including the space in the X direction overlaps the position of the semiconductor device 19 in the X direction. Be done.

そして、リード端子２２が持ち上げられた状態で、たとえばＸ方向に関するもっとも右側に配置される吹付部２５から、気体３４がＺ方向下方に吹き付けられる。これによりその真下には液面下降領域３７が発生する。   Then, in a state where the lead terminal 22 is lifted, the gas 34 is sprayed downward in the Z direction, for example, from the spraying unit 25 disposed on the rightmost side in the X direction. As a result, a liquid level descent region 37 is generated immediately below.

図１６および図１７を参照して、Ｘ方向に沿う順番に（右側から左側に向かう順番に）順次、吹付部２５から気体３４が吹き付けられ液面下降領域３７が発生する。すなわち最初のある時間は図１６および図１７の最も右側の吹付部２５から気体３４が吹き付けられるが、ある時間の経過後にはその最も右側の吹付部２５からの気体３４の吹き付けはされなくなり、代わりに図１６および図１７の右端から２番目に配置される吹付部２５から気体３４が吹き付けられる。右端から２番目に配置される吹付部２５からの気体３４の吹き付けが終了すれば、次は図１６に示すように右端から３番目の吹付部２５から気体３４が吹き付けられる。このように各吹付部２５が順次気体３４を吹き付けることにより、当初リード端面２２ａよりも上方の位置にある溶融はんだ１３の液面が、リード端面２２ａよりも下方の位置へ下降される。このようにしてリード端子２２が溶融はんだ１３の外に引き上げられる領域が、漸次半導体装置１９のＸ方向右側の領域から左側の領域へと移動する。やがて図１７に示す左から３番目の吹付部２５から気体３４が吹き付けられる時間が巡ってくる。   Referring to FIGS. 16 and 17, gas 34 is sprayed from blowing section 25 sequentially in the order along the X direction (from right to left) to generate a liquid level falling area 37. That is, although the gas 34 is sprayed from the rightmost sprayer 25 in FIGS. 16 and 17 for the first certain time, the spray of the gas 34 from the rightmost sprayer 25 is not performed after a certain time, The gas 34 is sprayed from the spraying unit 25 disposed second from the right end of FIGS. When the spraying of the gas 34 from the spraying unit 25 disposed second from the right end is completed, the gas 34 is sprayed from the third spraying unit 25 from the right end as shown in FIG. In this manner, when the blowing portions 25 sequentially blow the gas 34, the liquid level of the molten solder 13 which is initially above the lead end surface 22a is lowered to a position below the lead end surface 22a. Thus, the region where the lead terminal 22 is pulled out of the molten solder 13 gradually moves from the region on the right side in the X direction of the semiconductor device 19 to the region on the left side. Eventually, the time during which the gas 34 is sprayed from the third spray unit 25 from the left shown in FIG.

本実施の形態においても、実施の形態１と同様に、リード端面２２ａの高さが初期はんだ液面３１よりＺ方向上方に寸法Ｈ１だけ高くなるように持ち上げられている。このため、いったん溶融はんだ槽１のはんだ収容部１０内に引き戻された溶融はんだ１３は、その液面の高さが初期と同じ定常状態に戻った後においても、再度リード端子２２に付着し濡れ上がることはない。このようにして最終的にすべてのリード端子２２が溶融はんだ１３の外に引き上げられる。   Also in the present embodiment, as in the first embodiment, the height of the lead end face 22a is raised so as to be higher than the initial solder liquid surface 31 by the dimension H1 in the Z direction. For this reason, the molten solder 13 once pulled back into the solder accommodating portion 10 of the molten solder tank 1 adheres again to the lead terminal 22 and gets wet even after the liquid level has returned to the same steady state as the initial level. It will not go up. Thus, all the lead terminals 22 are finally pulled out of the molten solder 13.

以上の点において、本実施の形態のはんだ被膜形成方法は実施の形態１のはんだ被膜形成方法と異なっているが、他の点については実施の形態１と基本的に同様である。このため同一の要素については同一の番号または符号を付し、ここではその説明を繰り返さない。   Although the solder film forming method of the present embodiment is different from the solder film forming method of the first embodiment in the above points, the other points are basically the same as the first embodiment. Therefore, the same elements will be denoted by the same numbers or symbols, and the description thereof will not be repeated here.

次に、本実施の形態の作用効果について説明する。
本実施の形態のように複数の半導体装置１９の幅より狭い幅を有する吹付部２５がＸ方向に並び、これがＸ方向に沿って順次気体３４を吹き付ける構成は、実施の形態１のように単一の半導体装置１９の幅より狭い幅を有する吹付部２５がＸ方向に移動しながら気体３４を吹き付ける構成と同様の作用効果を奏する。たとえば複数並ぶ吹付部２５をすべてＸ方向につなげた長さは、Ｘ方向に関する半導体装置１９の幅よりも広い幅となっている。このため、複数並ぶ吹付部２５をＸ方向に関して半導体装置１９の配置される位置と同じ位置に配置することにより、すべてのリード端子２２間の領域の溶融はんだ１３を下降させ、リード端子２２を溶融はんだ１３外に引き上げさせることができる。つまり本実施の形態の手法を用いれば、互いに間隔をあけて複数配置されるリード端子２２のそれぞれの表面に溶融はんだ浸漬法によりはんだ被膜を形成する際の、隣り合う１対のリード端子２２の間の領域でのはんだブリッジ４０の形成を抑制することができる。 Next, the operation and effect of the present embodiment will be described.
As in the present embodiment, the configuration in which the blowing portions 25 having a width smaller than the width of the plurality of semiconductor devices 19 are arranged in the X direction and sequentially blows the gas 34 along the X direction is single as in the first embodiment. The same effect as the configuration in which the blowing unit 25 having a width narrower than the width of one semiconductor device 19 blows the gas 34 while moving in the X direction is achieved. For example, the length in which the plurality of spray units 25 are all connected in the X direction is wider than the width of the semiconductor device 19 in the X direction. For this reason, the molten solder 13 in the area between all the lead terminals 22 is lowered by disposing the plurality of spray parts 25 arranged in the X direction at the same position as the position where the semiconductor device 19 is arranged, and the lead terminals 22 are melted. The solder 13 can be pulled out. That is, according to the method of the present embodiment, a pair of adjacent lead terminals 22 when forming a solder coating on each surface of a plurality of lead terminals 22 arranged with a space between each other by a molten solder immersion method The formation of the solder bridge 40 in the area between them can be suppressed.

（実施の形態３）
図１８を参照して、本実施の形態のはんだ被膜形成装置３００は、液面操作部７を構成する吹付部２５の幅が実施の形態１などの吹付部２５の幅よりも広い。具体的には、当該吹付部２５はたとえば、吹付部保持アーム２８の延在するＸ方向に関して、半導体装置１９の幅よりも広い幅を有している。なおここで半導体装置１９の幅とは、半導体装置本体２０の幅と考えてもよいが、Ｘ方向に複数並ぶリード端子２２のうち一方端のリード端子２２と他方端のリード端子２２とのＸ方向に関する間隔（幅）と考えてもよい。あるいはここでの吹付部２５の幅は、たとえば実施の形態２において複数並ぶ吹付部２５をすべてＸ方向につなげた長さと等しくしてもよい。 Third Embodiment
Referring to FIG. 18, in the solder film forming device 300 of the present embodiment, the width of the spray portion 25 constituting the liquid level control portion 7 is wider than the width of the spray portion 25 of the first embodiment and the like. Specifically, for example, the spray unit 25 has a width larger than the width of the semiconductor device 19 in the X direction in which the spray unit holding arm 28 extends. Here, the width of the semiconductor device 19 may be considered as the width of the semiconductor device main body 20, but X of the lead terminal 22 at one end and the lead terminal 22 of the other end of the plurality of lead terminals 22 arranged in the X direction. It may be considered as a distance (width) in the direction. Alternatively, the width of the spray section 25 here may be equal to, for example, the length of the plurality of spray sections 25 aligned in the second embodiment all connected in the X direction.

ただし図１２〜図１４で説明したように、液面下降領域３７は吹付部２５の幅よりも広くなるため、吹付部２５は必ずしも半導体装置１９の幅よりも広い幅を有していなくてもよい。いずれにせよ、吹付部２５の幅は、少なくとも複数並ぶリード端子２２のＸ方向に関する一方端から他方端までの中心間距離の８０％以上あることが好ましい。この点においてはんだ被膜形成装置３００は、比較的狭い幅を有する吹付部２５を１つのみ有する実施の形態１のはんだ被膜形成装置１００と構成上の差異がある。   However, as described in FIGS. 12 to 14, since the liquid level falling region 37 is wider than the width of the spray unit 25, the spray unit 25 does not necessarily have a width wider than the width of the semiconductor device 19. Good. In any case, it is preferable that the width of the spray unit 25 be 80% or more of the center-to-center distance from one end to the other end of at least a plurality of lead terminals 22 in the X direction. In this respect, the solder film forming apparatus 300 is structurally different from the solder film forming apparatus 100 of the first embodiment having only one spray portion 25 having a relatively narrow width.

この幅の広い吹付部２５が気体を吹き付けることにより、複数のリード端子２２のうち隣り合う１対のリード端子２２に挟まれた複数の領域のすべてにおける溶融はんだ１３の液面を同時に、リード端子２２の最下部であるリード端面２２ａよりも上方の位置からリード端面２２ａよりも下方の位置へと下降させることが可能である。   When the wide spray section 25 blows a gas, the liquid level of the molten solder 13 in all of a plurality of regions sandwiched between a pair of adjacent lead terminals 22 among the plurality of lead terminals 22 is simultaneously a lead terminal. It is possible to lower from a position above the lead end surface 22a which is the lowermost part of the part 22 to a position below the lead end surface 22a.

はんだ被膜形成装置３００は上記の点以外の各点については基本的に実施の形態１のはんだ被膜形成装置１００と同様の構成である。   The solder film forming apparatus 300 basically has the same configuration as the solder film forming apparatus 100 according to the first embodiment in each point other than the above-described point.

次に、図１９および図２０を参照して、本実施の形態のはんだ被膜形成装置３００を用いたはんだ被膜形成方法について説明する。   Next, with reference to FIGS. 19 and 20, a solder film forming method using the solder film forming apparatus 300 of the present embodiment will be described.

図１９を参照して、実施の形態１の図３〜図５と同様に、リード端子２２が溶融はんだ１３内に浸漬される。そして複数のリード端面２２ａの、初期はんだ液面３１（浸漬する工程を行なう前の溶融はんだ１３の初期液面高さ）に対するＺ方向の高さが調整される。ただしここでは実施の形態１と異なり、リード端面２２ａの高さが初期はんだ液面３１よりＺ方向下方に寸法Ｌ１だけ低い位置となるように複数のリード端面２２ａのＺ方向の位置が調整される。このため溶融はんだ１３内に浸漬された複数のリード端子２２のそれぞれが持ち上げられてもよいが、持ち上げられずリード端子２２が溶融はんだ１３内に浸漬されたままの状態を維持させてもよい。あるいはリード端子２２をさらに下降させてもよい。以上により必然的に、図１３に示す１対のリード端子２２に挟まれた領域における溶融はんだ１３の離脱が発生する高さよりも低い位置にリード端面２２ａが配置されることになる。   Referring to FIG. 19, lead terminals 22 are immersed in molten solder 13 as in FIGS. 3 to 5 of the first embodiment. Then, the height of the plurality of lead end faces 22a in the Z direction with respect to the initial solder liquid surface 31 (the initial liquid surface height of the molten solder 13 before performing the immersion step) is adjusted. However, unlike the first embodiment, the positions in the Z direction of the plurality of lead end faces 22a are adjusted such that the height of the lead end face 22a is lower than the initial solder surface 31 by the dimension L1 in the Z direction. . Therefore, although each of the plurality of lead terminals 22 immersed in the molten solder 13 may be lifted, the lead terminals 22 may be kept immersed in the molten solder 13 without being lifted. Alternatively, the lead terminal 22 may be further lowered. From the above, the lead end face 22a is necessarily disposed at a position lower than the height at which the molten solder 13 is separated in the region sandwiched by the pair of lead terminals 22 shown in FIG.

このようにリード端子２２の高さが調整された状態で、液面操作部７に含まれる吹付部２５を用いてそこから溶融はんだ１３の液面に向けてＺ方向下方に気体が吹き付けられる。この吹付部２５は、実施の形態１と同様に、矢印Ｍで示すようにＸ方向に沿って移動しながら、気体３４を吹き付けてもよい。   Thus, in the state where the height of the lead terminal 22 is adjusted, a gas is sprayed downward in the Z direction toward the liquid surface of the molten solder 13 from there using the blowing unit 25 included in the liquid level operation unit 7. Similar to the first embodiment, the spray unit 25 may spray the gas 34 while moving along the X direction as indicated by the arrow M.

図２０を参照して、吹付部２５の矢印Ｍで示す方向の移動によりやがて、たとえば半導体装置１９とＸ方向に関する位置が重なり、図９に示すようにＹ方向に関して半導体装置１９との間に少しの距離Ｃを有する位置に達する。ここで、たとえば吹付部２５のＸ方向に関する全体の寸法が半導体装置１９のＸ方向に関する幅よりも広ければ、半導体装置１９が配置される領域とＸ方向に関する座標が等しい位置の全体に、吹付部２５が配置される。   Referring to FIG. 20, due to the movement of blowing portion 25 in the direction shown by arrow M, for example, semiconductor device 19 and the position in the X direction overlap, and as shown in FIG. Reaching a position having a distance C of Here, if, for example, the entire dimension of the blowing portion 25 in the X direction is wider than the width of the semiconductor device 19 in the X direction, the blowing portion is located at the entire position where the coordinate in the X direction is equal to the region where the semiconductor device 19 is disposed. 25 are placed.

この状態で吹付部２５から気体３４がＺ方向下方に吹き付けられる。これにより、１対のリード端子２２に挟まれたすべての領域における溶融はんだ１３の液面が同時に、当初のリード端面２２ａよりも上方の位置からリード端面２２ａよりも下方の位置へ下降される。   In this state, the gas 34 is sprayed downward in the Z direction from the spray unit 25. As a result, the liquid surface of the molten solder 13 in all the regions between the pair of lead terminals 22 is simultaneously lowered from a position above the initial lead end surface 22a to a position below the lead end surface 22a.

このようにして液面下降領域３７の形成によりリード端子２２が溶融はんだ１３の外に引き上げられる。なお本実施の形態においてはリード端面２２ａの高さが初期はんだ液面３１よりＺ方向下方に寸法Ｌ１だけ低くなるように調整されている。このため、この後さらに吹付部２５がたとえばＸ方向左方に移動することにより再度リード端面２２ａの真下のはんだ液面１６が上昇して初期はんだ液面３１に戻れば、再度リード端面２２ａを含むリード端子２２の少なくとも一部が溶融はんだ１３に浸漬される。したがって、吹付部２５によりリード端子２２が溶融はんだ１３外に引き上げられたところで、図示しない半導体装置保持アーム４（図１８参照）を用いて速やかに半導体装置１９をさらにＺ方向上方に引き上げることが好ましい。   Thus, the lead terminal 22 is pulled out of the molten solder 13 by the formation of the liquid level falling area 37. In the present embodiment, the height of the lead end face 22a is adjusted to be lower than the initial solder liquid level 31 by the dimension L1 in the Z direction. For this reason, when the solder liquid surface 16 immediately below the lead end surface 22a rises again to return to the initial solder liquid surface 31 again by, for example, moving the spray part 25 further to the left in the X direction thereafter, the lead end surface 22a is included again. At least a part of the lead terminal 22 is immersed in the molten solder 13. Therefore, when the lead terminal 22 is pulled out of the molten solder 13 by the blowing portion 25, it is preferable to quickly pull the semiconductor device 19 further upward in the Z direction using the semiconductor device holding arm 4 (see FIG. 18) not shown. .

以上の点において、本実施の形態のはんだ被膜形成方法は実施の形態１のはんだ被膜形成方法と異なっているが、他の点については実施の形態１と基本的に同様である。このため同一の要素については同一の番号または符号を付し、ここではその説明を繰り返さない。   Although the solder film forming method of the present embodiment is different from the solder film forming method of the first embodiment in the above points, the other points are basically the same as the first embodiment. Therefore, the same elements will be denoted by the same numbers or symbols, and the description thereof will not be repeated here.

次に、本実施の形態の作用効果について説明する。
本実施の形態においては、幅方向に関する半導体装置１９の全体について同時に、はんだ液面１６をリード端面２２ａの下方に下降させすべてのリード端子２２を溶融はんだ１３外に引き上げさせることができる。このため、リード端面２２ａを初期はんだ液面３１よりＺ方向下方の位置までのみ持ち上げたとしても、その後にすべての１対のリード端子２２間の領域における溶融はんだ１３の液面を同時にリード端面２２ａの下方まで下降させることにより、隣り合う１対のリード端子２２間の領域におけるはんだブリッジの形成を抑制することができる。 Next, the operation and effect of the present embodiment will be described.
In the present embodiment, it is possible to simultaneously lower the solder liquid level 16 below the lead end face 22a and pull up all the lead terminals 22 out of the molten solder 13 for the entire semiconductor device 19 in the width direction. Therefore, even if the lead end face 22a is lifted only to a position lower than the initial solder liquid level 31 in the Z direction, thereafter, the liquid level of the molten solder 13 in the region between all the pair of lead terminals 22 is simultaneously the lead end face 22a. By lowering to the lower side of the above, formation of a solder bridge in a region between a pair of adjacent lead terminals 22 can be suppressed.

実施の形態１の比較例（図１２〜図１４）で説明したように、初期はんだ液面３１よりもＺ方向にたとえば寸法Ｈ２だけ上方までリード端面２２ａを移動させれば、これに追従する溶融はんだ１３の大きな重力により瞬間的な離脱が起こり、はんだブリッジ４０が形成される。しかしたとえ上記寸法Ｈ２までリード端面２２ａを持ち上げなくても、様々な要因により溶融はんだ１３の量が変化しはんだ液面１６のＺ方向に関する位置が上下すれば、はんだ液面１６に対するリード端面２２ａの高さが変動するためにはんだブリッジ４０が形成される可能性がある。たとえば実施の形態１のように寸法Ｈ１までのみリード端面２２ａを持ち上げた場合においても、溶融はんだ１３の量の変動により、その後寸法Ｈ２まで持ち上げた場合と同じ状態となり、瞬間的な離脱が発生しはんだブリッジ４０が形成されてしまう可能性もある。   As described in the comparative example (FIGS. 12 to 14) of the first embodiment, if lead end face 22a is moved upward in the Z direction by, for example, dimension H2 in the Z direction from initial solder liquid surface 31, melting follows this. The large gravity of the solder 13 causes an instantaneous detachment to form the solder bridge 40. However, even if the lead end face 22a is not lifted to the dimension H2, if the amount of the molten solder 13 changes due to various factors and the position of the solder liquid surface 16 in the Z direction goes up and down, the lead end face 22a with respect to the solder liquid surface 16 Solder bridges 40 may be formed due to height variations. For example, even when the lead end face 22a is lifted up to the dimension H1 as in the first embodiment, the amount of the molten solder 13 fluctuates to be in the same state as when it is subsequently lifted up to the dimension H2 and an instantaneous detachment occurs. The solder bridge 40 may be formed.

しかし本実施の形態においては、リード端面２２ａが初期はんだ液面３１のＺ方向下方に配置されるように調整される（持ち上げられる）。このためはんだブリッジ４０が形成されるリード端面２２ａの高さとの差が大きくなるため、たとえ溶融はんだ１３の量が変動しはんだ液面１６の位置に大きな変動が生じても、はんだブリッジ４０の形成が発生する可能性を大幅に低減することができる。   However, in the present embodiment, the lead end face 22a is adjusted (lifted) so as to be disposed below the initial solder level 31 in the Z direction. For this reason, the difference with the height of the lead end face 22a on which the solder bridge 40 is formed becomes large, so even if the amount of the molten solder 13 fluctuates and the position of the solder liquid surface 16 largely fluctuates, the solder bridge 40 is formed. Can be significantly reduced.

なお本実施の形態においてはすべての１対のリード端子２２間の領域に対して一時にはんだ液面１６を下降させる。このため仮に本実施の形態においても実施の形態１と同様にリード端面２２ａを初期はんだ液面３１より上方に移動させれば、溶融はんだ１３の下降する量およびその溶融はんだ１３に加わる重力Ｇ（図１２参照）が大きくなる。したがって瞬間的な離脱およびはんだブリッジ４０（図１４参照）が発生しやすくなる。このため、上記の現象を抑制する観点からも、本実施の形態においては、（リード端子２２を持ち上げることなく）リード端面２２ａが初期はんだ液面３１のＺ方向下方に配置されるように、浸漬された状態をそのまま維持することがより好ましい。   In the present embodiment, the solder liquid surface 16 is lowered at one time to the region between all the pair of lead terminals 22. Therefore, also in the present embodiment, if lead end face 22a is moved upward from initial solder liquid surface 31 as in the first embodiment, the amount of descent of molten solder 13 and the gravity G applied to molten solder 13 ( 12) becomes larger. Therefore, momentary detachment and solder bridge 40 (see FIG. 14) are likely to occur. Therefore, also from the viewpoint of suppressing the above phenomenon, in the present embodiment, the immersion is performed so that the lead end face 22a is disposed below the initial solder liquid surface 31 in the Z direction (without lifting the lead terminal 22). It is more preferable to maintain the condition as it is.

（実施の形態４）
図２１を参照して、本実施の形態のはんだ被膜形成装置４００は、液面操作部７を構成する吹付部２６（液面下降機構）が、吹付部保持アーム２８の延在するＸ方向に沿って複数並んでいる。この点において、はんだ被膜形成装置４００は、実施の形態２のはんだ被膜形成装置２００と同様である。 Embodiment 4
Referring to FIG. 21, in solder film forming apparatus 400 of the present embodiment, spray unit 26 (liquid level lowering mechanism) forming liquid level operation unit 7 extends in the X direction in which spray unit holding arm 28 extends. There are multiple lines along. In this point, the solder film forming apparatus 400 is the same as the solder film forming apparatus 200 of the second embodiment.

ただし本実施の形態の複数並ぶ吹付部２６は、たとえばＸ方向に沿う順番に漸次、気体をＺ方向下方に向けて吹き付け始めることにより、気体を吹き付けている吹付部２６の数が漸次増加する構成となっている。これにより、溶融はんだ１３の液面がリード端子２２の最下部であるリード端面２２ａよりも上方の位置からリード端面２２ａよりも下方の位置へと下降される液面下降領域３７が漸次Ｘ方向に沿って広くなっていく。このようにして最終的にはすべての吹付部２６が溶融はんだ１３の液面を下降させる。この点において本実施の形態の吹付部２６は、１つずつ順次気体を吹き付ける実施の形態２の吹付部２５と異なっている。しかしその他の点（サイズなど）については吹付部２６は基本的に吹付部２５と同様である。   However, the configuration in which the plurality of spraying units 26 in the present embodiment gradually starts to spray gas downward in the Z direction, for example, in order sequentially along the X direction, the number of spraying units 26 spraying gas gradually increases. It has become. Thereby, the liquid level descent area 37 where the liquid level of the molten solder 13 is lowered from the position above the lead end surface 22a which is the lowermost portion of the lead terminal 22 to the position below the lead end surface 22a gradually in the X direction. Become wider along. Thus, finally, all the spray parts 26 lower the liquid level of the molten solder 13. In this point, the spraying unit 26 of the present embodiment is different from the spraying unit 25 of the second embodiment in which the gas is sprayed one by one sequentially. However, the spray unit 26 is basically the same as the spray unit 25 in other points (size and the like).

実施の形態２の吹付部２５と同様に、個々の吹付部２６のＸ方向に関する幅は半導体装置１９の幅より狭いが、複数並ぶ吹付部２６をすべてＸ方向につなげた長さは、Ｘ方向に関する半導体装置１９の幅よりも広い幅となることが好ましい。これにより、実施の形態３と同様に、複数のリード端子２２のうち隣り合う１対のリード端子２２に挟まれた複数の領域のすべてにおける溶融はんだ１３の液面を同時に、リード端子２２の最下部であるリード端面２２ａよりも上方の位置からリード端面２２ａよりも下方の位置へと下降させることができる。   Similar to the spray unit 25 of the second embodiment, the width of each spray unit 26 in the X direction is narrower than the width of the semiconductor device 19, but the length of the plurality of spray units 26 connected in the X direction is the X direction. Preferably, the width is wider than the width of the semiconductor device 19. Thus, as in the third embodiment, the liquid level of the molten solder 13 in all of the plurality of regions sandwiched between the pair of adjacent lead terminals 22 among the plurality of lead terminals 22 is simultaneously the maximum of the lead terminals 22. It can be lowered to a position below the lead end surface 22a from a position above the lead end surface 22a which is the lower part.

はんだ被膜形成装置４００は上記の点以外の各点については基本的に実施の形態２のはんだ被膜形成装置２００と同様の構成である。このため同一の要素については同一の番号または符号を付し、ここではその説明を繰り返さない。   The solder film forming apparatus 400 basically has the same configuration as the solder film forming apparatus 200 of the second embodiment in each point other than the above-described point. Therefore, the same elements will be denoted by the same numbers or symbols, and the description thereof will not be repeated here.

次に、図２２および図２３を参照して、本実施の形態のはんだ被膜形成装置４００を用いたはんだ被膜形成方法について説明する。   Next, with reference to FIGS. 22 and 23, a solder film forming method using the solder film forming apparatus 400 of the present embodiment will be described.

図２２を参照して、実施の形態１の図３〜図５と同様に、リード端子２２が溶融はんだ１３内に浸漬され、溶融はんだ１３に対するＺ方向の高さが調整される。このとき、実施の形態３の図１９と同様に、リード端面２２ａの高さが初期はんだ液面３１よりＺ方向下方に寸法Ｌ１だけ低い位置となるように、（たとえば持ち上げることにより）浸漬された複数のリード端子２２のそれぞれのＺ方向高さが調整される。   Referring to FIG. 22, as in FIGS. 3 to 5 of the first embodiment, lead terminals 22 are immersed in molten solder 13, and the height in the Z direction with respect to molten solder 13 is adjusted. At this time, similarly to FIG. 19 of the third embodiment, the lead end surface 22a is immersed (for example, by lifting) so that the height is lower by a dimension L1 below the initial solder liquid surface 31 in the Z direction. The heights of the plurality of lead terminals 22 in the Z direction are adjusted.

次に、Ｘ方向に沿って複数並ぶ吹付部２６が、実施の形態２の図１６とほぼ同じ位置にセットされる。つまり、たとえば複数並ぶ吹付部２６のＸ方向に関する全体の寸法が半導体装置１９のＸ方向に関する幅よりも広くなるように配置された場合は、半導体装置１９が配置される領域とＸ方向に関する座標が等しい位置の全体に、吹付部２６が配置される。   Next, a plurality of spray units 26 aligned in the X direction are set at substantially the same positions as in FIG. 16 of the second embodiment. That is, for example, in the case where the plurality of spray units 26 arranged in the X direction is wider than the width of the semiconductor device 19 in the X direction, the area in which the semiconductor device 19 is arranged and the coordinates in the X direction. The spraying part 26 is arrange | positioned in the whole of an equal position.

そして、リード端子２２が持ち上げられた状態で、たとえばＸ方向に関するもっとも右側に配置される吹付部２６から、気体３４がＺ方向下方に吹き付けられる。これによりその真下には液面下降領域３７が発生する。   Then, in a state where the lead terminal 22 is lifted, the gas 34 is sprayed downward in the Z direction, for example, from the spraying unit 26 disposed on the rightmost side in the X direction. As a result, a liquid level descent region 37 is generated immediately below.

図２２および図２３を参照して、その後、たとえばＸ方向に沿う順番に（右側から左側に向かう順番に）漸次、気体３４を吹き付ける吹付部２６の数が増加していく。すなわち最初のある時間は図２２および図２３の最も右側の吹付部２６のみから気体３４が吹き付けられるが、ある時間の経過後には最も右側の吹付部２６に加えてその左隣の吹付部２６からも気体３４が吹き付けられ始める。またある時間の経過後には、図２２に示すように、最も右側およびその左隣の吹付部２６に加えてその左隣の吹付部２６からも気体３４が吹き付けられ始める。このように各吹付部２６が（順番に）漸次気体３４を吹き付けることにより、当初リード端面２２ａよりも上方の位置にある溶融はんだ１３の液面が、リード端面２２ａよりも下方の位置へ下降される。このようにしてリード端子２２が溶融はんだ１３の外に引き上げられる領域が、漸次半導体装置１９のＸ方向右側の領域から左側の領域へと広くなっていく。   Referring to FIGS. 22 and 23, thereafter, for example, the number of spray units 26 that blow the gas 34 gradually increases in order along the X direction (from the right to the left). That is, although the gas 34 is sprayed only from the rightmost spray section 26 in FIGS. 22 and 23 for the first certain time, in addition to the rightmost spray section 26 after a certain time, from the spray section 26 next to the left. Also the gas 34 starts to be blown. Further, after a certain time, as shown in FIG. 22, the gas 34 starts to be sprayed from the spray section 26 on the left side in addition to the spray section 26 on the right side and the left side thereof. The level of the molten solder 13 initially located above the lead end surface 22a is lowered to a position below the lead end surface 22a by gradually blowing the gas 34 (in order) in this manner. Ru. Thus, the region where the lead terminal 22 is pulled out of the molten solder 13 gradually widens from the region on the right side in the X direction of the semiconductor device 19 to the region on the left side.

やがて図２３に示すように、右端から左端まですべての吹付部２６から気体３４が吹き付けられる時間が巡ってくる。これにより、すべての１対のリード端子２２に挟まれた領域における溶融はんだ１３の液面が同時に、当初のリード端面２２ａよりも上方の位置からリード端面２２ａよりも下方の位置へ下降され、広範囲に液面下降領域３７が形成される。この状態は、幅の広い吹付部２５を用いて同時に広範囲に液面下降領域３７を形成させる実施の形態３と同様である。   Eventually, as shown in FIG. 23, the time in which the gas 34 is sprayed from all the spraying parts 26 from the right end to the left end comes around. As a result, the liquid surface of the molten solder 13 in the region between all the pair of lead terminals 22 is simultaneously lowered from the position above the initial lead end surface 22a to the position below the lead end surface 22a, The liquid level falling area 37 is formed on the This state is the same as that of the third embodiment in which the liquid level falling area 37 is simultaneously formed in a wide range by using the wide spray section 25.

このようにして液面下降領域３７の形成によりリード端子２２が溶融はんだ１３の外に引き上げられる。本実施の形態においてもリード端面２２ａの高さが初期はんだ液面３１よりＺ方向下方に寸法Ｌ１だけ低くなるように調整されている。このため実施の形態３と同様の観点から、吹付部２５によりリード端子２２が溶融はんだ１３外に引き上げられたところで、図示しない半導体装置保持アーム４（図２１参照）を用いて速やかに半導体装置１９をさらにＺ方向上方に引き上げることが好ましい。   Thus, the lead terminal 22 is pulled out of the molten solder 13 by the formation of the liquid level falling area 37. Also in the present embodiment, the height of the lead end face 22a is adjusted to be lower than the initial solder liquid level 31 by the dimension L1 in the Z direction. Therefore, from the same point of view as the third embodiment, when the lead terminal 22 is pulled out of the molten solder 13 by the blowing portion 25, the semiconductor device 19 can be promptly used using the semiconductor device holding arm 4 (see FIG. 21). Is preferably further pulled upward in the Z direction.

以上の点において、本実施の形態のはんだ被膜形成方法は実施の形態２，３のはんだ被膜形成方法と異なっているが、他の点については実施の形態２，３と基本的に同様である。このため同一の要素については同一の番号または符号を付し、ここではその説明を繰り返さない。   In the above points, the solder film forming method of the present embodiment is different from the solder film forming method of the second and third embodiments, but the other points are basically the same as the second and third embodiments. . Therefore, the same elements will be denoted by the same numbers or symbols, and the description thereof will not be repeated here.

次に、本実施の形態の作用効果について説明する。
本実施の形態の作用効果は、基本的に実施の形態３の作用効果と同様である。すなわち本実施の形態のはんだ被膜形成装置４００を用いても、はんだ被膜形成装置３００を用いた場合と同様に、すべての吹付部２６から同時にすべての１対のリード端子２２に挟まれた領域のはんだ液面１６を同時に下降させることができる。すべてのリード端子２２を溶融はんだ１３外に引き上げることができる。このため実施の形態３と同様に、リード端面２２ａを初期はんだ液面３１よりＺ方向下方の位置までのみ持ち上げたとしても、その後にすべての１対のリード端子２２間の領域における溶融はんだ１３の液面を同時にリード端面２２ａの下方まで下降させることにより、隣り合う１対のリード端子２２間の領域におけるはんだブリッジの形成を抑制することができる。 Next, the operation and effect of the present embodiment will be described.
The operational effects of the present embodiment are basically the same as the operational effects of the third embodiment. That is, even in the case of using solder film forming apparatus 400 of the present embodiment, as in the case of using solder film forming apparatus 300, in the region sandwiched by all the pair of lead terminals 22 simultaneously from all the spraying portions 26. The solder level 16 can be lowered simultaneously. All lead terminals 22 can be pulled out of the molten solder 13. Therefore, even if lead end face 22a is lifted only to a position lower than initial solder liquid surface 31 in the Z direction as in the third embodiment, molten solder 13 in the region between all the pair of lead terminals 22 is thereafter formed. By simultaneously lowering the liquid level to the lower side of the lead end face 22a, it is possible to suppress the formation of the solder bridge in the region between the pair of adjacent lead terminals 22.

上記においては、半導体装置１９の幅方向（Ｘ方向）に沿う順番に漸次、気体３４を吹き付ける吹付部２６の数を増加させている。このようにすれば、たとえば一時にすべての吹付部２６から気体３４を吹き付ける場合に比べてはんだ液面１６の下降が緩やかになるため、この下降に伴って溶融はんだ１３が部分的に残存してはんだブリッジ４０が形成される可能性が低減される。   In the above, the number of the spray units 26 that spray the gas 34 is gradually increased in the order along the width direction (X direction) of the semiconductor device 19. In this way, for example, the lowering of the solder liquid surface 16 becomes gentler compared to the case where the gas 34 is sprayed from all the spraying parts 26 at one time, and the molten solder 13 partially remains along with this lowering. The possibility of forming the solder bridge 40 is reduced.

また、上記においてはＸ方向に沿う順番に（図の右側から左側へ）漸次、吹付部２６から気体３４を供給し始めているが、たとえばＸ方向に関する中央部から左右両側に漸次気体３４を吹き付ける吹付部２６の数が増加するようにしてもよい。あるいは無秩序な順序で気体３４を吹き付ける吹付部２６の数を漸次増加させてもよい。   In the above, the gas 34 is gradually supplied from the spray unit 26 in order along the X direction (from the right to the left in the figure), but for example, the gas 34 is sprayed gradually from the center to the left and right in the X direction. The number of units 26 may be increased. Alternatively, the number of spray units 26 that spray the gas 34 in a random order may be gradually increased.

（実施の形態５）
図２４を参照して、本実施の形態のはんだ被膜形成装置５００は、基本的に実施の形態１のはんだ被膜形成装置１００と同様の構成を有している。しかしはんだ被膜形成装置５００は、液面操作部７が、液面下降ブロック４３（液面下降機構）と、ブロック保持アーム２９とを有している。液面下降ブロック４３は実施の形態１の吹付部２５に相当し、ブロック保持アーム２９は実施の形態１の吹付部保持アーム２８に相当する部材である。すなわち液面下降ブロック４３およびブロック保持アーム２９の基本的な機能は、吹付部２５および吹付部保持アーム２８の基本的な機能に準ずる。 Fifth Embodiment
Referring to FIG. 24, the solder film forming apparatus 500 of the present embodiment basically has the same configuration as the solder film forming apparatus 100 of the first embodiment. However, in the solder film forming apparatus 500, the liquid level control unit 7 includes the liquid level lowering block 43 (liquid level lowering mechanism) and the block holding arm 29. The liquid level lowering block 43 corresponds to the spray unit 25 of the first embodiment, and the block holding arm 29 is a member corresponding to the spray unit holding arm 28 of the first embodiment. That is, the basic functions of the liquid level lowering block 43 and the block holding arm 29 conform to the basic functions of the spray unit 25 and the spray unit holding arm 28.

ただし液面下降ブロック４３は、実施の形態１のように気体を吹き付けるのではなく、それ自体が溶融はんだ１３に対して相対的に下方に移動することにより溶融はんだ１３のはんだ液面１６をＺ方向下方に押し付ける。つまり液面下降ブロック４３自体がＺ方向下方に下降してもよいし、液面下降ブロック４３はＺ方向に移動せず溶融はんだ槽１がＺ方向上方に上昇することにより相対的に液面下降ブロック４３が下降する構成であってもよい。これにより、溶融はんだ１３のはんだ液面１６はＺ方向下方に下降させられ、液面下降領域を形成することができる。   However, the liquid level lowering block 43 does not spray a gas as in the first embodiment, but itself moves downward relative to the molten solder 13 so that the solder liquid level 16 of the molten solder 13 is Z Press down in the direction. That is, the liquid level lowering block 43 itself may be lowered downward in the Z direction, and the liquid level lowering block 43 does not move in the Z direction, so that the molten solder tank 1 rises relatively upward in the Z direction. The block 43 may be configured to descend. As a result, the solder liquid surface 16 of the molten solder 13 can be lowered downward in the Z direction to form a liquid surface descent region.

液面下降ブロック４３は、溶融はんだ１３の熱により損傷を受けず、かつ溶融はんだ１３により表面が極めて濡れにくい任意の材質により形成される。このため液面下降ブロック４３を下方に押しつけてもこれは溶融はんだ１３内に浸漬されることなく溶融はんだ１３に対して弾かれる態様となり、はんだ液面１６を下降させる。また本実施の形態においては、半導体装置１９のＸ方向に関する幅よりも狭い幅を有する液面下降ブロック４３が、ブロック保持アーム２９に１つのみ取り付けられている。   The liquid level lowering block 43 is formed of any material which is not damaged by the heat of the molten solder 13 and whose surface is extremely difficult to get wet by the molten solder 13. For this reason, even if the liquid level lowering block 43 is pressed downward, it does not immerse in the molten solder 13 and is repelled by the molten solder 13, and the solder liquid level 16 is lowered. Further, in the present embodiment, only one liquid level lowering block 43 having a width narrower than the width of the semiconductor device 19 in the X direction is attached to the block holding arm 29.

はんだ被膜形成装置５００は上記の点以外の各点については基本的に実施の形態１のはんだ被膜形成装置１００と同様の構成である。たとえばブロック保持アーム２９が液面下降ブロック４３をＸ方向に沿って（半導体装置１９に対して相対的に）移動させることにより、はんだ液面１６が降下された位置をＸ方向に沿って漸次移動させることができる。このため同一の要素については同一の番号または符号を付し、ここではその説明を繰り返さない。   The solder film forming apparatus 500 basically has the same configuration as the solder film forming apparatus 100 of the first embodiment in each point other than the above point. For example, the block holding arm 29 moves the liquid level lowering block 43 along the X direction (relative to the semiconductor device 19) to gradually move the position where the solder liquid level 16 is lowered along the X direction. It can be done. Therefore, the same elements will be denoted by the same numbers or symbols, and the description thereof will not be repeated here.

次に、図２５および図２６を参照して、本実施の形態のはんだ被膜形成装置５００を用いたはんだ被膜形成方法について説明する。   Next, with reference to FIGS. 25 and 26, a solder film forming method using solder film forming apparatus 500 of the present embodiment will be described.

図２５を参照して、実施の形態１の図３〜図５と同様の処理がなされる。つまり実施の形態１と同様に、リード端面２２ａの高さが初期はんだ液面３１よりＺ方向上方に寸法Ｈ１だけ高くなるように持ち上げられる。   Referring to FIG. 25, the same processes as in FIGS. 3 to 5 of the first embodiment are performed. That is, as in the first embodiment, the lead end face 22a is lifted so as to be higher than the initial solder liquid surface 31 by the dimension H1 in the Z direction.

次に、リード端子２２が持ち上げられた状態で、液面操作部７に含まれる液面下降ブロック４３が、溶融はんだ槽１に対して相対的にＸ方向に沿ってたとえば矢印Ｍに示す方向に移動しながら、溶融はんだ１３内に向けてＺ方向下方に力を加える。つまり液面下降ブロック４３は、はんだ液面１６に対して下向きの力を加えながらはんだ液面１６を下方に押しつける。   Next, in a state where lead terminal 22 is lifted, liquid level lowering block 43 included in liquid level operation unit 7 is in the direction shown by arrow M, for example, along the X direction relatively to molten solder tank 1. While moving, a force is applied downward in the Z direction toward the molten solder 13. That is, the liquid level lowering block 43 presses the solder liquid surface 16 downward while applying a downward force to the solder liquid surface 16.

これにより図６の工程と同様に、溶融はんだ１３の液面は、気体が吹き付けられた領域（の近く）において、他の領域よりもＺ方向下方に下降され、液面下降領域３７が形成される。これにより実施の形態１と同様に、液面下降領域３７におけるリード端子２２は、相対的に溶融はんだ１３の外に引き上げられる。   As a result, in the same manner as in the process of FIG. 6, the liquid surface of the molten solder 13 is lowered downward in the Z direction relative to the other regions in (the vicinity of) the area where the gas is blown, and a liquid level falling area 37 is formed. Ru. As a result, as in the first embodiment, the lead terminals 22 in the liquid level falling area 37 are relatively pulled out of the molten solder 13.

図２６を参照して、液面下降ブロック４３の矢印Ｍに示すＸ方向に沿う移動に伴い、液面下降領域３７がＸ方向左側に漸次移動する。これにより図７の工程と同様に、最終的にすべてのリード端子２２が溶融はんだ１３の外に引き上げられる。なお本実施の形態においては実施の形態１と同様に、リード端面２２ａの高さが初期はんだ液面３１よりＺ方向上方に寸法Ｈ１だけ高くなるように持ち上げられている。このため、いったん溶融はんだ槽１のはんだ収容部１０内に引き戻された溶融はんだ１３は、その液面の高さが初期と同じ定常状態に戻った後においても、再度リード端子２２に付着し濡れ上がることはない。   Referring to FIG. 26, with the movement of liquid level descent block 43 along the X direction shown by arrow M, liquid level descent region 37 gradually moves to the left in the X direction. As a result, all the lead terminals 22 are finally pulled out of the molten solder 13 as in the process of FIG. In the present embodiment, as in the first embodiment, the height of the lead end face 22a is raised so as to be higher than the initial solder liquid surface 31 by the dimension H1 in the Z direction. For this reason, the molten solder 13 once pulled back into the solder accommodating portion 10 of the molten solder tank 1 adheres again to the lead terminal 22 and gets wet even after the liquid level has returned to the same steady state as the initial level. It will not go up.

図２７を参照して、本実施の形態のように吹付部２５の代わりに液面下降ブロック４３を用いた場合においても、実施の形態１（図９）と同様に、Ｙ方向に関する液面下降ブロック４３（によりはんだ液面が押し付けられる領域）と半導体装置１９（リード端子２２）との間の距離Ｃが存在する。この距離Ｃは、形成される液面下降領域３７のＹ方向（またはＸ方向）に沿う範囲の最大（たとえばＺ方向最上部）の寸法Ｄよりも小さければ許容される。また図２８を参照して、Ｙ方向に関してリード端子２２（半導体装置１９）を挟んでその両側に液面下降ブロック４３を設置し、Ｙ方向に関する液面下降領域３７の寸法Ｅを図２７の寸法Ｄよりも広くすることにより、Ｘ方向についても液面下降領域３７の範囲を図２７よりもいっそう広げることができる。   Referring to FIG. 27, even when liquid level lowering block 43 is used instead of spray unit 25 as in the present embodiment, the liquid level lowering in the Y direction is performed as in the first embodiment (FIG. 9). There is a distance C between the block 43 (the area against which the solder liquid surface is pressed) and the semiconductor device 19 (lead terminal 22). This distance C is acceptable if it is smaller than the dimension D of the maximum (for example, the top in the Z direction) of the range along the Y direction (or the X direction) of the liquid level falling region 37 to be formed. Further, referring to FIG. 28, the liquid level lowering block 43 is installed on both sides of the lead terminal 22 (semiconductor device 19) in the Y direction, and the dimension E of the liquid level falling region 37 in the Y direction is the size of FIG. By making it wider than D, the range of the liquid level falling region 37 can be further expanded in the X direction as compared with FIG.

以上のように、本実施の形態のはんだ被膜形成方法は実施の形態１のはんだ被膜形成方法に対し、液面下降機構として吹付部２５の代わりに液面下降ブロック４３が用いられる点において異なるが、他の点については実施の形態１と基本的に同様である。このため同一の要素については同一の番号または符号を付し、ここではその説明を繰り返さない。   As described above, the solder film forming method of the present embodiment is different from the solder film forming method of the first embodiment in that the liquid level lowering block 43 is used instead of the spray unit 25 as the liquid level lowering mechanism. The other points are basically the same as in the first embodiment. Therefore, the same elements will be denoted by the same numbers or symbols, and the description thereof will not be repeated here.

次に、本実施の形態の作用効果について説明する。
基本的に液面下降機構として吹付部２５の代わりに液面下降ブロック４３を用いた場合においても、実施の形態１の吹付部２５を用いた場合と同様の理論に基づき、はんだブリッジ４０を抑制することができる。 Next, the operation and effect of the present embodiment will be described.
Basically, even when the liquid level lowering block 43 is used instead of the spraying section 25 as the liquid level lowering mechanism, the solder bridge 40 is suppressed based on the same theory as the case of using the spraying section 25 of the first embodiment. can do.

加えて、本実施の形態においては、液面下降ブロック４３が溶融はんだ１３と直接接触するため、吹付部２５からの気体により液面下降領域３７が生じる実施の形態１よりもいっそう確実に液面下降領域３７を形成させることができる。   In addition, in the present embodiment, since the liquid level lowering block 43 is in direct contact with the molten solder 13, the liquid level is more reliably generated than in the first embodiment in which the liquid level falling area 37 is generated by the gas from the blowing portion 25. A descent area 37 can be formed.

（実施の形態６）
図２９を参照して、本実施の形態のはんだ被膜形成装置６００は、基本的に実施の形態２のはんだ被膜形成装置２００の吹付部２５および吹付部保持アーム２８が、液面下降ブロック４３およびブロック保持アーム２９に置き換わった構成を有しており、他の点についてはすべてはんだ被膜形成装置２００と同様である。すなわちここでは、半導体装置１９よりも幅の狭い液面下降ブロック４３が複数、ブロック保持アーム２９の延在するＸ方向に沿って複数並んでいる。これらの液面下降ブロック４３はＸ方向に沿って順次下降してはんだ液面を押し付ける。上記しない内容は基本的に実施の形態２と同様であるため、ここではその説明を繰り返さない。 Sixth Embodiment
Referring to FIG. 29, in the solder film forming apparatus 600 of the present embodiment, basically, the spray unit 25 and the spray unit holding arm 28 of the solder film forming apparatus 200 of the second embodiment It has a configuration in which the block holding arm 29 is replaced, and all other points are the same as the solder film forming apparatus 200. That is, here, a plurality of liquid level lowering blocks 43 narrower than the semiconductor device 19 are arranged along the extending X direction of the block holding arm 29. These liquid level lowering blocks 43 sequentially descend along the X direction to press the solder liquid level. The contents not described above are basically the same as in the second embodiment, and therefore the description thereof will not be repeated here.

次に図３０および図３１を参照して、本実施の形態のはんだ被膜形成装置６００を用いたはんだ被膜形成方法について説明する。   Next, with reference to FIGS. 30 and 31, a solder film forming method using the solder film forming apparatus 600 of the present embodiment will be described.

図３０および図３１を参照して、本実施の形態のはんだ被膜形成方法は、吹付部２５が液面下降ブロック４３に置き換わっているが、基本的に実施の形態２のはんだ被膜形成方法と同様である。すなわちここでは、Ｘ方向に沿って複数並ぶ液面下降ブロック４３がＸ方向に沿って順次下降し、液面下降領域３７が発生することにより、最終的にはすべてのリード端子２２が溶融はんだ１３の外に引き上げられる。上記しない内容は基本的に実施の形態２と同様であるため、ここではその説明を繰り返さない。   Referring to FIGS. 30 and 31, in the solder film forming method of the present embodiment, spray portion 25 is replaced with liquid level lowering block 43, but basically the same as the solder film forming method of the second embodiment. It is. That is, in this case, a plurality of liquid level lowering blocks 43 arranged in a row along the X direction are sequentially lowered along the X direction, and the generation of the liquid level lowering region 37 finally causes all the lead terminals 22 to be melted solder 13 Out of the The contents not described above are basically the same as in the second embodiment, and therefore the description thereof will not be repeated here.

本実施の形態の作用効果は基本的に実施の形態２と同様であるため、ここではその説明を繰り返さない。   The operational effects of the present embodiment are basically the same as those of the second embodiment, and therefore the description thereof will not be repeated here.

（実施の形態７）
図３２を参照して、本実施の形態のはんだ被膜形成装置７００は、基本的に実施の形態３のはんだ被膜形成装置３００の吹付部２５および吹付部保持アーム２８が、液面下降ブロック４３およびブロック保持アーム２９に置き換わった構成を有しており、他の点についてはすべてはんだ被膜形成装置３００と同様である。すなわちここでは、実施の形態５の液面下降ブロック４３よりもＸ方向に関する幅の広い（たとえば半導体装置１９の幅よりも広い）液面下降ブロック４３を有している。これが下降してすべての１対のリード端子２２間の領域に同時に液面下降領域３７を形成させることができる。上記しない内容は基本的に実施の形態３と同様であるため、ここではその説明を繰り返さない。 Seventh Embodiment
Referring to FIG. 32, in the solder film forming apparatus 700 of the present embodiment, basically, the spray unit 25 and the spray unit holding arm 28 of the solder film forming apparatus 300 of the third embodiment It has a configuration in which the block holding arm 29 is replaced, and all other points are the same as the solder film forming apparatus 300. That is, here, the liquid level falling block 43 is wider (for example, wider than the width of the semiconductor device 19) in the X direction than the liquid level falling block 43 of the fifth embodiment. This can be lowered to simultaneously form a liquid level descent region 37 in the region between all the pair of lead terminals 22. The contents not described above are basically the same as in the third embodiment, and therefore the description thereof will not be repeated here.

次に図３３および図３４を参照して、本実施の形態のはんだ被膜形成装置７００を用いたはんだ被膜形成方法について説明する。   Next, with reference to FIGS. 33 and 34, a method of forming a solder film using solder film forming apparatus 700 of the present embodiment will be described.

図３３および図３４を参照して、本実施の形態のはんだ被膜形成方法は、吹付部２５が液面下降ブロック４３に置き換わっているが、基本的に実施の形態３のはんだ被膜形成方法と同様である。すなわちここでは、幅の広い液面下降ブロック４３が下降して液面下降領域３７を形成させることにより、すべての１対のリード端子２２に挟まれた領域における溶融はんだ１３の液面が同時に、当初のリード端面２２ａよりも上方の位置からリード端面２２ａよりも下方の位置へ下降される。上記しない内容は基本的に実施の形態３と同様であるため、ここではその説明を繰り返さない。   Referring to FIGS. 33 and 34, in the solder film forming method of the present embodiment, spray portion 25 is replaced with liquid level lowering block 43, but basically the same as the solder film forming method of the third embodiment. It is. That is, in this case, the wide liquid level descent block 43 descends to form the liquid level descent area 37, whereby the liquid level of the molten solder 13 in the area sandwiched between all the pair of lead terminals 22 simultaneously. It is lowered from a position above the initial lead end surface 22a to a position below the lead end surface 22a. The contents not described above are basically the same as in the third embodiment, and therefore the description thereof will not be repeated here.

本実施の形態の作用効果は基本的に実施の形態３と同様であるため、ここではその説明を繰り返さない。   The operational effects of the present embodiment are basically the same as those of the third embodiment, and therefore the description thereof will not be repeated here.

（実施の形態８）
図３５を参照して、本実施の形態のはんだ被膜形成装置８００は、基本的に実施の形態４のはんだ被膜形成装置４００の吹付部２６および吹付部保持アーム２８が、液面下降ブロック４４（液面下降機構）およびブロック保持アーム２９に置き換わった構成を有しており、他の点についてはすべてはんだ被膜形成装置４００と同様である。すなわちここでは、半導体装置１９よりも幅の狭い液面下降ブロック４４が複数、ブロック保持アーム２９の延在するＸ方向に沿って複数並んでいる。これらの液面下降ブロック４４はＸ方向に沿う順番に漸次下降し溶融はんだ１３のはんだ液面１６を押し付けることにより、下降した液面下降ブロック４４の数が漸次増加する。これにより液面下降領域３７が漸次Ｘ方向に沿って広くなっていくことが可能な構成を有している。液面下降ブロック４４は上記の点を除き、たとえばサイズなどは液面下降ブロック４３と同様である。上記しない内容は基本的に実施の形態４と同様であるため、ここではその説明を繰り返さない。 Eighth Embodiment
Referring to FIG. 35, basically, in the solder film forming apparatus 800 of the present embodiment, the spray unit 26 and the spray unit holding arm 28 of the solder film forming apparatus 400 of the fourth embodiment It has a configuration in which the liquid level lowering mechanism) and the block holding arm 29 are replaced, and all other points are the same as the solder film forming apparatus 400. That is, here, a plurality of liquid level lowering blocks 44 narrower than the semiconductor device 19 are arranged along the extending X direction of the block holding arm 29. These liquid level lowering blocks 44 are gradually lowered in order along the X direction, and the solder liquid level 16 of the molten solder 13 is pressed, whereby the number of the lowered liquid level falling blocks 44 gradually increases. As a result, the liquid level descent region 37 can be gradually widened along the X direction. The liquid level lowering block 44 is similar to the liquid level lowering block 43, for example, in size, etc., except for the above-mentioned point. The contents not described above are basically the same as in the fourth embodiment, and therefore the description thereof will not be repeated here.

次に図３６および図３７を参照して、本実施の形態のはんだ被膜形成装置８００を用いたはんだ被膜形成方法について説明する。   Next, with reference to FIGS. 36 and 37, a solder film forming method using the solder film forming apparatus 800 of the present embodiment will be described.

図３６および図３７を参照して、本実施の形態のはんだ被膜形成方法は、吹付部２６が液面下降ブロック４４に置き換わっているが、基本的に実施の形態４のはんだ被膜形成方法と同様である。すなわちここでは、Ｘ方向に沿って複数並ぶ液面下降ブロック４４がＸ方向に沿う順番に漸次下降し始め、液面下降領域３７が発生する。下降した液面下降ブロック４４の数が漸次増加することにより、リード端子２２が溶融はんだ１３の外に引き上げられる領域が、漸次半導体装置１９のＸ方向右側の領域から左側の領域へと広くなっていく。そして最終的にはすべてのリード端子２２が同時に溶融はんだ１３の外に引き上げられる。上記しない内容は基本的に実施の形態４と同様であるため、ここではその説明を繰り返さない。   Referring to FIGS. 36 and 37, in the method of forming a solder film according to the present embodiment, spray portion 26 is replaced with liquid level lowering block 44, but basically the same method as the method of forming a solder film according to the fourth embodiment. It is. That is, in this case, the plurality of liquid surface descent blocks 44 arranged in the X direction gradually descend in order along the X direction, and the liquid surface descent region 37 is generated. As the number of lowered liquid level falling blocks 44 gradually increases, the region where the lead terminal 22 is pulled out of the molten solder 13 gradually widens from the region on the right side in the X direction of the semiconductor device 19 to the region on the left side. Go. Finally, all the lead terminals 22 are simultaneously pulled out of the molten solder 13. The contents not described above are basically the same as in the fourth embodiment, and therefore the description thereof will not be repeated here.

本実施の形態の作用効果は基本的に実施の形態４と同様であるため、ここではその説明を繰り返さない。   The operational effects of the present embodiment are basically the same as those of the fourth embodiment, and therefore the description thereof will not be repeated here.

以上に述べた各実施の形態（に含まれる各例）に記載した特徴を、技術的に矛盾のない範囲で適宜組み合わせるように適用してもよい。また以上においては半導体装置１９に構成される端子としてリード端子２２に特化して説明したが、リード端子以外にも、複数並列しており、その表面に溶融はんだ被膜法を用いてあらかじめ被膜を形成する用途に用いられる任意の端子が上記各実施の形態の適用対象となる。   The features described in the above-described embodiments (each example included in the embodiments) may be applied as appropriate in a technically consistent range. In the above description, although the lead terminals 22 are specifically described as the terminals configured in the semiconductor device 19, a plurality of lead terminals are also arranged in parallel, and a coating is formed in advance on the surface using a molten solder coating method. An arbitrary terminal used for the purpose of application is an application target of each of the above embodiments.

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。   It should be understood that the embodiments disclosed herein are illustrative and non-restrictive in every respect. The scope of the present invention is indicated not by the above description but by the claims, and is intended to include all the modifications within the meaning and scope equivalent to the claims.

１ 溶融はんだ槽、４ 半導体装置保持アーム、７ 液面操作部、８ 支柱、１０ はんだ収容部、１３ 溶融はんだ、１６ はんだ液面、１９ 半導体装置、２０ 半導体装置本体、２０ａ，２０ｂ 半導体装置本体主表面、２０ｃ，２０ｄ 半導体装置本体端面、２２ リード端子、２２ａ リード端面、２５，２６ 吹付部、２８ 吹付部保持アーム、２９ ブロック保持アーム、３０ 装置基盤、３１ 初期はんだ液面、３４ 気体、３７ 液面下降領域、４０ はんだブリッジ、４３，４４ 液面下降ブロック、１００，２００，３００，４００，５００，６００，７００，８００ はんだ被膜形成装置。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Melt soldering tank, 4 Semiconductor device holding arm, 7 Liquid level operation part, 8 pillars, 10 Solder accommodation part, 13 Molten solder, 16 Solder liquid level, 19 Semiconductor device, 20 Semiconductor device main body, 20a, 20b Semiconductor device main Surface, 20c, 20d Semiconductor device body end face, 22 lead terminal, 22a lead end face, 25, 26 spray part, 28 spray part holding arm, 29 block holding arm, 30 device base, 31 initial solder liquid level, 34 gas, 37 liquid Surface descent area, 40 solder bridge, 43, 44 Liquid surface descent block, 100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800 Solder film forming device.

Claims (12)

溶融はんだを収容可能な溶融はんだ槽と、
幅方向に関して複数間隔をあけて並ぶリード端子を含む半導体装置を保持可能な半導体装置保持機構と、
前記溶融はんだの液面を下降させることにより、前記リード端子を前記溶融はんだ外に相対的に引き上げる液面下降機構とを備え、
前記溶融はんだ槽に対して前記半導体装置保持機構を相対的に移動させるように駆動可能であり、
前記液面下降機構は、前記溶融はんだの液面に対し気体を吹き付けることにより前記溶融はんだの液面を下降させる吹付部である、はんだ被膜形成装置。 A molten solder tank capable of containing molten solder;
A semiconductor device holding mechanism capable of holding a semiconductor device including lead terminals arranged at a plurality of intervals in the width direction;
And a liquid level lowering mechanism for relatively pulling the lead terminal out of the molten solder by lowering the liquid level of the molten solder;
Wherein Ri drivable der so as to relatively move the semiconductor device holding mechanism relative to the molten solder bath,
The liquid surface lowering mechanism, the Ru blowing portion der lowering the liquid surface of the molten solder by blowing a gas to the liquid surface of the molten solder, solder coating forming device. 溶融はんだを収容可能な溶融はんだ槽と、
幅方向に関して複数間隔をあけて並ぶリード端子を含む半導体装置を保持可能な半導体装置保持機構と、
前記溶融はんだの液面を下降させることにより、前記リード端子を前記溶融はんだ外に相対的に引き上げる液面下降機構とを備え、
前記溶融はんだ槽に対して前記半導体装置保持機構を相対的に移動させるように駆動可能であり、
前記液面下降機構は、前記溶融はんだの液面に対して下方に押しつけることにより前記溶融はんだの液面を下降させる液面下降ブロックである、はんだ被膜形成装置。 A molten solder tank capable of containing molten solder;
A semiconductor device holding mechanism capable of holding a semiconductor device including lead terminals arranged at a plurality of intervals in the width direction;
And a liquid level lowering mechanism for relatively pulling the lead terminal out of the molten solder by lowering the liquid level of the molten solder;
Wherein Ri drivable der so as to relatively move the semiconductor device holding mechanism relative to the molten solder bath,
The liquid surface lowering mechanism, the Ru liquid level falling blocks der lowering the liquid surface of the molten solder by pressing downwardly with respect to the molten solder liquid surface, solder coating forming device. 溶融はんだを収容可能な溶融はんだ槽と、
幅方向に関して複数間隔をあけて並ぶリード端子を含む半導体装置を保持可能な半導体装置保持機構と、
前記溶融はんだの液面を下降させることにより、前記リード端子を前記溶融はんだ外に相対的に引き上げる液面下降機構とを備え、
前記溶融はんだ槽に対して前記半導体装置保持機構を相対的に移動させるように駆動可能であり、
前記液面下降機構は前記半導体装置の幅よりも狭い幅を有し、前記半導体装置保持機構に保持された前記半導体装置の幅方向に沿って移動しながら、複数の前記リード端子のうち隣り合う１対のリード端子に挟まれた領域における前記溶融はんだの液面を漸次、前記リード端子の最下部であるリード端面よりも上方の位置から前記リード端面よりも下方の位置へ下降させる、はんだ被膜形成装置。 A molten solder tank capable of containing molten solder;
A semiconductor device holding mechanism capable of holding a semiconductor device including lead terminals arranged at a plurality of intervals in the width direction;
And a liquid level lowering mechanism for relatively pulling the lead terminal out of the molten solder by lowering the liquid level of the molten solder;
Wherein Ri drivable der so as to relatively move the semiconductor device holding mechanism relative to the molten solder bath,
The liquid level lowering mechanism has a width smaller than the width of the semiconductor device, and moves along the width direction of the semiconductor device held by the semiconductor device holding mechanism and adjacent ones of the plurality of lead terminals progressively the molten solder liquid surface in the region sandwiched between a pair of lead terminals, wherein Ru is lowered from a position above the lead end surface is a bottom of the lead terminal to the position below the lead end surface, solder Coating formation device. 溶融はんだを収容可能な溶融はんだ槽と、
幅方向に関して複数間隔をあけて並ぶリード端子を含む半導体装置を保持可能な半導体装置保持機構と、
前記溶融はんだの液面を下降させることにより、前記リード端子を前記溶融はんだ外に相対的に引き上げる液面下降機構とを備え、
前記溶融はんだ槽に対して前記半導体装置保持機構を相対的に移動させるように駆動可能であり、
前記液面下降機構は前記半導体装置の幅よりも狭い幅を有し、前記半導体装置保持機構に保持された前記半導体装置の幅方向に沿って複数並び、複数の前記液面下降機構が前記半導体装置の幅方向に沿って順次、前記溶融はんだの液面を前記リード端子の最下部であるリード端面よりも上方の位置から前記リード端面よりも下方の位置へ下降させる、はんだ被膜形成装置。 A molten solder tank capable of containing molten solder;
A semiconductor device holding mechanism capable of holding a semiconductor device including lead terminals arranged at a plurality of intervals in the width direction;
And a liquid level lowering mechanism for relatively pulling the lead terminal out of the molten solder by lowering the liquid level of the molten solder;
Wherein Ri drivable der so as to relatively move the semiconductor device holding mechanism relative to the molten solder bath,
The liquid level lowering mechanism has a width smaller than the width of the semiconductor device, and a plurality of the liquid level lowering mechanisms are arranged along the width direction of the semiconductor device held by the semiconductor device holding mechanism, and the plurality of liquid level lowering mechanisms are the semiconductor sequentially along the width direction of the device, Ru lowers the molten solder liquid surface to a position lower than the lead end surface from a position above the lead end surface is a bottom of the lead terminals, solder coating forming device. 溶融はんだを収容可能な溶融はんだ槽と、
幅方向に関して複数間隔をあけて並ぶリード端子を含む半導体装置を保持可能な半導体装置保持機構と、
前記溶融はんだの液面を下降させることにより、前記リード端子を前記溶融はんだ外に相対的に引き上げる液面下降機構とを備え、
前記溶融はんだ槽に対して前記半導体装置保持機構を相対的に移動させるように駆動可能であり、
前記液面下降機構は、複数の前記リード端子のうち隣り合う１対のリード端子に挟まれた複数の領域のすべてにおける前記溶融はんだの液面を前記リード端子の最下部であるリード端面よりも上方の位置から前記リード端面よりも下方の位置へ同時に下降させることが可能である、はんだ被膜形成装置。 A molten solder tank capable of containing molten solder;
A semiconductor device holding mechanism capable of holding a semiconductor device including lead terminals arranged at a plurality of intervals in the width direction;
And a liquid level lowering mechanism for relatively pulling the lead terminal out of the molten solder by lowering the liquid level of the molten solder;
Wherein Ri drivable der so as to relatively move the semiconductor device holding mechanism relative to the molten solder bath,
The liquid level lowering mechanism is configured such that the liquid level of the molten solder in all of a plurality of regions sandwiched by a pair of adjacent lead terminals among the plurality of lead terminals is higher than the lead end surface which is the lowermost portion of the lead terminals. than the lead end surface from the position of the upper Ru der it can be lowered simultaneously into the lower position, solder coating forming device. 溶融はんだを収容可能な溶融はんだ槽と、
幅方向に関して複数間隔をあけて並ぶリード端子を含む半導体装置を保持可能な半導体装置保持機構と、
前記溶融はんだの液面を下降させることにより、前記リード端子を前記溶融はんだ外に相対的に引き上げる液面下降機構とを備え、
前記溶融はんだ槽に対して前記半導体装置保持機構を相対的に移動させるように駆動可能であり、
前記液面下降機構は前記半導体装置の幅よりも狭い幅を有し、前記半導体装置保持機構に保持された前記半導体装置の幅方向に沿って複数並び、前記溶融はんだの液面を前記リード端子の最下部であるリード端面よりも上方の位置から前記リード端面よりも下方の位置へ下降させることにより、前記溶融はんだの液面を下降させている前記液面下降機構の数が漸次増加する、はんだ被膜形成装置。 A molten solder tank capable of containing molten solder;
A semiconductor device holding mechanism capable of holding a semiconductor device including lead terminals arranged at a plurality of intervals in the width direction;
And a liquid level lowering mechanism for relatively pulling the lead terminal out of the molten solder by lowering the liquid level of the molten solder;
Wherein Ri drivable der so as to relatively move the semiconductor device holding mechanism relative to the molten solder bath,
The liquid level lowering mechanism has a width narrower than the width of the semiconductor device, and a plurality of the liquid level lowering mechanisms are arranged along the width direction of the semiconductor device held by the semiconductor device holding mechanism, and the liquid level of the molten solder is the lead terminal by lowering to a position below the lead end surface from a position above the lead end surface is a bottom of the number of the liquid level lowering mechanism that lowers the molten solder liquid surface you increase gradually , Solder film forming device. 溶融はんだ内に、半導体装置において幅方向に関して複数間隔をあけて並ぶように含まれるリード端子のうち前記溶融はんだ側のリード端面を含む少なくとも一部を、浸漬する工程と、
複数の前記リード端面の、前記浸漬する工程を行なう前の前記溶融はんだの初期液面高さに対する上下方向の高さを調整する工程と、
前記リード端面の上下方向の高さが調整された状態で、液面下降機構を用いて前記溶融はんだの液面を下降させることにより、前記リード端子を前記溶融はんだ外に相対的に引き上げる工程とを備え、
前記調整する工程は、複数の前記リード端子を前記溶融はんだに対して相対的に上方に持ち上げる工程を含み、
前記持ち上げる工程においては、前記リード端面が前記浸漬する工程を行なう前の前記溶融はんだの前記初期液面高さよりも高く、かつ複数の前記リード端子のうち隣り合う１対のリード端子に挟まれたすべての領域において前記溶融はんだが存在可能な位置まで、複数の前記リード端面が、上下方向に関して持ち上げされる、はんだ被膜形成方法。 Immersing at least a part of the lead terminals included in the molten solder in the semiconductor device so as to be spaced apart in the width direction with a plurality of intervals, including the lead end face on the molten solder side;
Adjusting the vertical height of the plurality of lead end surfaces with respect to the initial liquid level of the molten solder before performing the immersing step;
A step of pulling up the lead terminal relatively out of the molten solder by lowering the liquid level of the molten solder using a liquid level lowering mechanism in a state where the height of the lead end face is adjusted in the vertical direction; Equipped with
The step of adjusting includes the step of lifting a plurality of the lead terminals upward relative to the molten solder,
In the lifting step, the lead end face is sandwiched between a pair of adjacent lead terminals of the plurality of lead terminals, which is higher than the initial liquid level of the molten solder before the immersion step is performed. in all regions to the molten solder can be present position, a plurality of the lead end surface, Ru is lifted in the vertical direction, the solder coating forming method. 前記引き上げる工程においては、前記半導体装置の幅よりも狭い幅を有する前記液面下降機構が前記半導体装置の幅方向に沿って移動しながら、前記１対のリード端子に挟まれた領域における前記溶融はんだの液面を順次、前記リード端面よりも上方の位置から前記リード端面よりも下方の位置へ下降させる、請求項７に記載のはんだ被膜形成方法。 In the pulling step, the melt in a region sandwiched between the pair of lead terminals while the liquid level lowering mechanism having a width smaller than the width of the semiconductor device moves along the width direction of the semiconductor device. The solder film forming method according to claim 7 , wherein the liquid surface of the solder is sequentially lowered from a position above the lead end face to a position below the lead end face. 前記引き上げる工程においては、前記半導体装置の幅よりも狭い幅を有する前記液面下降機構が前記半導体装置の幅方向に沿って複数並び、複数の前記液面下降機構が前記半導体装置の幅方向に沿って順次、前記溶融はんだの液面を前記リード端面よりも上方の位置から前記リード端面よりも下方の位置へ下降させる、請求項７に記載のはんだ被膜形成方法。 In the pulling step, a plurality of the liquid level lowering mechanisms having a width narrower than the width of the semiconductor device are arranged along the width direction of the semiconductor device, and a plurality of the liquid level lowering mechanisms are in the width direction of the semiconductor device The method for forming a solder film according to claim 7 , wherein the liquid surface of the molten solder is sequentially lowered from a position above the lead end surface to a position below the lead end surface. 溶融はんだ内に、半導体装置において幅方向に関して複数間隔をあけて並ぶように含まれるリード端子のうち前記溶融はんだ側のリード端面を含む少なくとも一部を、浸漬する工程と、
複数の前記リード端面の、前記浸漬する工程を行なう前の前記溶融はんだの初期液面高さに対する上下方向の高さを調整する工程と、
前記リード端面の上下方向の高さが調整された状態で、液面下降機構を用いて前記溶融はんだの液面を下降させることにより、前記リード端子を前記溶融はんだ外に相対的に引き上げる工程とを備え、
前記調整する工程においては、前記リード端面が前記浸漬する工程を行なう前の前記溶融はんだの前記初期液面高さよりも低い位置となるように複数の前記リード端面の位置が調整される、はんだ被膜形成方法。 Immersing at least a part of the lead terminals included in the molten solder in the semiconductor device so as to be spaced apart in the width direction with a plurality of intervals, including the lead end face on the molten solder side;
Adjusting the vertical height of the plurality of lead end surfaces with respect to the initial liquid level of the molten solder before performing the immersing step;
A step of pulling up the lead terminal relatively out of the molten solder by lowering the liquid level of the molten solder using a liquid level lowering mechanism in a state where the height of the lead end face is adjusted in the vertical direction; Equipped with
Wherein in the step of adjusting, the lead end surface Ru is adjusted the initial liquid level height plurality of positions of the lead edge such that the lower position than the molten solder prior to the step of the immersion, the solder coating Formation method. 前記引き上げる工程においては、前記液面下降機構が、複数の前記リード端子のうち隣り合う１対のリード端子に挟まれたすべての領域における前記溶融はんだの液面を同時に前記リード端面よりも上方の位置から前記リード端面よりも下方の位置へ下降させる、請求項１０に記載のはんだ被膜形成方法。 In the pulling-up step, the liquid level lowering mechanism simultaneously sets the liquid level of the molten solder in all the regions between the pair of adjacent lead terminals among the plurality of lead terminals above the end surface of the lead. The method for forming a solder film according to claim 10 , wherein the solder film is lowered from a position to a position below the end surface of the lead. 前記引き上げる工程においては、前記半導体装置の幅よりも狭い幅を有する前記液面下降機構が前記半導体装置の幅方向に沿って複数並び、前記溶融はんだの液面を前記リード端面よりも上方の位置から前記リード端面よりも下方の位置へ下降させることにより、前記溶融はんだの液面を下降させている前記液面下降機構の数が漸次増加する、請求項１０に記載のはんだ被膜形成方法。 In the pulling step, a plurality of the liquid level lowering mechanisms having a width narrower than the width of the semiconductor device are arranged along the width direction of the semiconductor device, and the liquid level of the molten solder is positioned above the end surface of the lead. solder coating formed how according to the by lowering into a position below the lead end surfaces, the number of the liquid level lowering mechanism that lowers the molten solder liquid surface increases gradually, claim 10.
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