JP6494716B2 - Circuit board and manufacturing method thereof - Google Patents

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Description

本発明は回路基板およびその製造方法に関し、特に、均一な厚さの導電層を有する回路基板およびその製造方法に関する。   The present invention relates to a circuit board and a manufacturing method thereof, and more particularly to a circuit board having a conductive layer having a uniform thickness and a manufacturing method thereof.

プリント回路基板(printed circuit board,PCB)は、回路設計に応じ、回路部品を接続する導電配線の配線パターンを描画してから、機械および化学加工、表面処理などの方式により絶縁体上に電気的な導体を形成した回路基板である。上述の回路パターンは、印刷、リソグラフィー、エッチングおよび電気メッキなどの技術により精密な配線となり、電子部品および部品間の回路の相互接続をサポートする組み立てのプラットフォームになる。   A printed circuit board (PCB) is printed on the insulator by a mechanical, chemical processing, or surface treatment method after drawing a wiring pattern of conductive wiring to connect circuit components according to the circuit design. Circuit board on which a simple conductor is formed. The circuit pattern described above becomes a precision wiring by techniques such as printing, lithography, etching and electroplating, and becomes an assembly platform that supports the interconnection of electronic components and circuits between components.

現在、基板導電層の大半は依然として電気メッキの方式で形成されているが、製品の機能性の設計要素のために、ビアホール数の設計は、チップ実装領域にますます多くかつ集中するようになっており、ビアホール数の分布が不均一となっている。分布が不均一なために、電気メッキの過程でホール数高密度領域で電流が分散し、ホール数低密度領域では電流が集中してしまい、電気メッキ後にホール数高密度(密集)領域とホール数低密度(過疎)領域で導電層の厚さが不均一となる現象が生じてしまう。このことは製品の抵抗、インピーダンスに影響し、また後続の工程、例えばパッケージング時の半田ボール実装/半田ペースト印刷の安定性にも影響を及ぼす。   Currently, most of the conductive layer of the substrate is still formed by electroplating, but due to the design elements of the product functionality, the design of the number of via holes is becoming more and more concentrated in the chip mounting area. The distribution of the number of via holes is uneven. Due to the non-uniform distribution, current is dispersed in the high-density region of the number of holes during the electroplating process, and the current is concentrated in the low-density region of the number of holes. A phenomenon that the thickness of the conductive layer becomes uneven in a few low density (depopulated) region occurs. This affects the resistance and impedance of the product, and also affects the stability of subsequent processes such as solder ball mounting / solder paste printing during packaging.

図1Aは、チップ実装領域Aおよび非チップ実装領域Bを含む従来技術による回路基板の上面図を示している。図1Bは、従来技術による回路基板の断面図を示している。回路基板は、基板100、複数の第1の導電ブロック200、第1の絶縁層210、第1の導電層250、複数の第2の導電ブロック300、第2の絶縁層310、および第2の導電層350を含む。図1Bから、チップ実装領域A中の開口密集領域202、302上方に位置する第1の導電層250、第2の導電層350の厚さは比較的薄く、非チップ実装領域B中の開口過疎領域204、304上方に位置する第1の導電層250、第2の導電層350の厚さは比較的厚いという状況が見て取れる。上述したように、このような導電層の厚さ不均一の現象は、製品の抵抗、インピーダンスに影響し、また後続工程の安定性にも影響する。   FIG. 1A shows a top view of a circuit board according to the prior art including a chip mounting area A and a non-chip mounting area B. FIG. FIG. 1B shows a cross-sectional view of a circuit board according to the prior art. The circuit board includes a substrate 100, a plurality of first conductive blocks 200, a first insulating layer 210, a first conductive layer 250, a plurality of second conductive blocks 300, a second insulating layer 310, and a second insulating layer. A conductive layer 350 is included. From FIG. 1B, the thicknesses of the first conductive layer 250 and the second conductive layer 350 located above the aperture dense regions 202 and 302 in the chip mounting region A are relatively thin, and the aperture sparseness in the non-chip mounting region B It can be seen that the first conductive layer 250 and the second conductive layer 350 located above the regions 204 and 304 are relatively thick. As described above, such a phenomenon of non-uniform thickness of the conductive layer affects the resistance and impedance of the product, and also affects the stability of subsequent processes.

よって、均一な厚さの導電層を備える回路基板およびその製造方法を開発することが目下の急務である。   Therefore, there is an urgent need to develop a circuit board having a conductive layer with a uniform thickness and a method for manufacturing the circuit board.

1実施形態によれば、本発明は、対向する第1の表面および第2の表面を有する基板と、基板の第1の表面上に間隔をあけて配列する、開口密集領域の第1の導電ブロックおよび開口過疎領域の第1の導電ブロックを含む複数の第1の導電ブロックと、基板の第1の表面上に設置され、かつ開口密集領域を構成する複数の第1の開口および開口過疎領域を構成する複数の第2の開口を備えて、開口密集領域の第1の導電ブロックおよび開口過疎領域の第1の導電ブロックをそれぞれ露出させる第1の絶縁層と、第1の絶縁層上に間隔をあけて配列する複数の導電部材とを含む回路基板であって、導電部材が、第1の開口に対応して充填されて、開口密集領域の第1の導電ブロックと電気的に接続する複数の第1の導電部材と、第2の開口に対応して充填されて、開口過疎領域の第1の導電ブロックと電気的に接続する複数の第2の導電部材とを含み、導電部材は均一な厚さを有する、回路基板を提供する。   According to one embodiment, the present invention provides a substrate having opposing first and second surfaces, and a first conductive in an aperture dense region that is spaced apart on the first surface of the substrate. A plurality of first conductive blocks including a block and a first conductive block of an opening-depopulated region, and a plurality of first openings and opening-depopulated regions that are disposed on the first surface of the substrate and constitute an opening dense region A first insulating layer that includes a plurality of second openings that form a plurality of openings, and that exposes the first conductive block in the densely populated region and the first conductive block in the depopulated region, and the first insulating layer on the first insulating layer A circuit board including a plurality of conductive members arranged at intervals, wherein the conductive members are filled corresponding to the first openings and are electrically connected to the first conductive blocks in the dense area of the openings. Paired with a plurality of first conductive members and a second opening Is filled with, and a plurality of second conductive members connecting the first conductive block and electrically opening depopulated region, the conductive member has a uniform thickness, to provide a circuit board.

別の実施形態によれば、本発明は、基板の第1の表面上に、間隔をあけて配列する、開口密集領域の第1の導電ブロックおよび開口過疎領域の第1の導電ブロックを含む複数の第1の導電ブロックを形成する工程と、基板の第1の表面上に第1の絶縁層を形成する工程と、第1の絶縁層に、開口密集領域を構成する複数の第1の開口、および開口過疎領域を構成する複数の第2の開口を形成し、開口密集領域の第1の導電ブロックおよび開口過疎領域の第1の導電ブロックをそれぞれ露出させる工程と、第1の絶縁層上に、パターン化された第1のドライフィルムを形成し、第1の開口および第2の開口は露出させる工程と、電気メッキプロセスを行って第1の導電層を形成する工程と、少なくとも開口密集領域上方に位置すると共に、第1の導電層とは付着しないように、パターン化されたドライフィルム上に第1の冶具を置く工程と、エッチングプロセスを行い、第1の導電層の一部を除去して第1の導電層に均一な厚さを持たせる工程と、第1の冶具を取り除く工程と、パターン化された第1のドライフィルムを除去して、第1の絶縁層上に、間隔をあけて配列する複数の導電部材を形成する工程と、を含む回路基板の製造方法を提供する。   According to another embodiment, the present invention includes a plurality of first conductive blocks in an aperture dense region and first conductive blocks in an aperture sparse region that are spaced apart on a first surface of a substrate. Forming a first conductive block, forming a first insulating layer on the first surface of the substrate, and a plurality of first openings constituting an opening dense region in the first insulating layer And forming a plurality of second openings constituting the aperture depopulated region, exposing the first conductive block in the aperture dense region and the first conductive block in the aperture depopulated region, respectively, on the first insulating layer Forming a patterned first dry film and exposing the first opening and the second opening; performing an electroplating process to form the first conductive layer; and at least concentrating the openings. Located above the region and the first Place the first jig on the patterned dry film so as not to adhere to the conductive layer and perform an etching process to remove a part of the first conductive layer and make it uniform to the first conductive layer A plurality of conductive members arranged to be spaced apart on the first insulating layer by removing the first dry film patterned and removing the first jig. Forming a circuit board, and a method of manufacturing a circuit board.

別の実施形態によれば、本発明は、基板の第1の表面上に間隔をあけて配列する、開口密集領域の第1の導電ブロックおよび開口過疎領域の第1の導電ブロックを含む複数の第1の導電ブロックを形成する工程と、基板の第1の表面上に第1の絶縁層を形成する工程と、第1の絶縁層に、開口密集領域を構成する複数の第1の開口、および開口過疎領域を構成する複数の第2の開口を形成し、開口密集領域の第1の導電ブロックおよび開口過疎領域の第1の導電ブロックをそれぞれ露出させる工程と、第1の絶縁層上に、パターン化された第1のドライフィルムを形成し、第1の開口および第2の開口を露出させる工程と、電気メッキプロセスを行って第1の導電層を形成する工程と、少なくとも開口密集領域上方に位置し、かつ第1の導電層に付着するように、第1の導電層およびパターン化された第1のドライフィルム上に第1のドライフィルム層を形成する工程と、エッチングプロセスを行って、第1の導電層の一部を除去し、第1の導電層に均一な厚さを持たせる工程と、第1のドライフィルム層および前記パターン化された第1のドライフィルムを除去して、前記第1の絶縁層上に、間隔をあけて配列する複数の導電部材を形成する工程と、を含む回路基板の製造方法を提供する。   According to another embodiment, the present invention comprises a plurality of first conductive blocks in an aperture dense region and first conductive blocks in an aperture sparse region that are spaced apart on a first surface of a substrate. A step of forming a first conductive block; a step of forming a first insulating layer on a first surface of the substrate; and a plurality of first openings constituting an aperture dense region in the first insulating layer; And forming a plurality of second openings constituting the aperture sparse region, exposing the first conductive block of the aperture dense region and the first conductive block of the aperture sparse region, respectively, on the first insulating layer Forming a patterned first dry film and exposing the first opening and the second opening; performing an electroplating process to form the first conductive layer; and at least an aperture dense region Located above and the first conductive Forming a first dry film layer on the first conductive layer and the patterned first dry film and an etching process so that a part of the first conductive layer is attached Removing the first conductive layer to have a uniform thickness, removing the first dry film layer and the patterned first dry film, on the first insulating layer, Forming a plurality of conductive members arranged at intervals, and a method of manufacturing a circuit board.

本発明の上述ならびにその他の目的、特徴および利点をより明瞭かつ分かりやすくするため、以下に好ましい実施形態を挙げ、添付の図面と対応させながら、詳細に説明する。   In order to make the aforementioned and other objects, features, and advantages of the present invention clearer and easier to understand, preferred embodiments will be described below in detail with reference to the accompanying drawings.

均一な厚さの導電層を備える回路基板およびその製造方法を提案する。   A circuit board having a conductive layer having a uniform thickness and a method for manufacturing the circuit board are proposed.

図1Aは回路基板の上面図である。FIG. 1A is a top view of a circuit board. 図1Bは、従来技術により製造された回路基板の断面説明図を示している。FIG. 1B shows a cross-sectional explanatory view of a circuit board manufactured by the prior art. 本発明のいくつかの実施形態による回路基板の製造方法の中間段階の断面説明図である。It is a section explanatory view of an intermediate stage of a manufacturing method of a circuit board by some embodiments of the present invention. 本発明のいくつかの実施形態による回路基板の製造方法の中間段階の断面説明図である。It is a section explanatory view of an intermediate stage of a manufacturing method of a circuit board by some embodiments of the present invention. 本発明のいくつかの実施形態による回路基板の製造方法の中間段階の断面説明図である。It is a section explanatory view of an intermediate stage of a manufacturing method of a circuit board by some embodiments of the present invention. 本発明のいくつかの実施形態による回路基板の製造方法の中間段階の断面説明図である。It is a section explanatory view of an intermediate stage of a manufacturing method of a circuit board by some embodiments of the present invention. 本発明のいくつかの実施形態による回路基板の製造方法の中間段階の断面説明図である。It is a section explanatory view of an intermediate stage of a manufacturing method of a circuit board by some embodiments of the present invention. 本発明のいくつかの実施形態による回路基板の製造方法の中間段階の断面説明図である。It is a section explanatory view of an intermediate stage of a manufacturing method of a circuit board by some embodiments of the present invention. 図8Aは、本発明の1実施形態による、図4の丸く囲んだ箇所の拡大図である。図8B〜8Dは、本発明のいくつかの実施形態による、図4の丸く囲んだ箇所のエッチング後の拡大図である。8A is an enlarged view of the circled area of FIG. 4 according to one embodiment of the present invention. 8B-8D are enlarged views after etching of the circled area of FIG. 4 according to some embodiments of the present invention. 図9Aは、本発明の1実施形態による、図6の丸く囲んだ箇所の拡大図である。図9B〜9Dは、本発明のいくつかの実施形態による、図6の丸く囲んだ箇所のエッチング後の拡大図である。9A is an enlarged view of the circled portion of FIG. 6 according to one embodiment of the present invention. 9B-9D are enlarged views after etching of the circled area of FIG. 6 according to some embodiments of the present invention.

以下に、本発明の実施形態による回路基板およびその製造方法を説明する。しかしながら、本発明で提示する実施形態は、特定の方法で本発明を作製および使用することを説明するものにすぎず、本発明の範囲を限定するものではない。また、本発明の実施形態の図および記載においては、同じ符号を用いて同一または類似する部材を示すものとする。   Hereinafter, a circuit board and a manufacturing method thereof according to an embodiment of the present invention will be described. However, the embodiments presented herein are merely illustrative of making and using the invention in a particular way and are not intended to limit the scope of the invention. In the drawings and descriptions of the embodiments of the present invention, the same reference numerals are used to indicate the same or similar members.

図5を参照されたい。この図は本発明の実施形態による回路基板の断面説明図を示している。本実施形態において、回路基板は、基板100、複数の第1の導電ブロック200、第1の絶縁層210、一表面側にある複数の導電部材280、複数の第2の導電ブロック300、第2の絶縁層310、および、他表面側にある複数の導電部材380を含む。基板100は、対向する第1の表面102および第2の表面104を有する。本実施形態では、基板100は樹脂材料からなるものであってよい。本実施形態において、第1の絶縁層210、第2の絶縁層310はABF(Ajinomoto Build-up Film)またはPP(プリプレグ)材料からなるものであってよい。   Please refer to FIG. This figure shows a sectional view of a circuit board according to an embodiment of the present invention. In the present embodiment, the circuit board includes the substrate 100, the plurality of first conductive blocks 200, the first insulating layer 210, the plurality of conductive members 280 on one surface side, the plurality of second conductive blocks 300, the second And a plurality of conductive members 380 on the other surface side. The substrate 100 has a first surface 102 and a second surface 104 that face each other. In the present embodiment, the substrate 100 may be made of a resin material. In the present embodiment, the first insulating layer 210 and the second insulating layer 310 may be made of an ABF (Ajinomoto Build-up Film) or PP (prepreg) material.

第1の導電ブロック200は、基板100の第1の表面102上に間隔をあけて配列している。第1の導電ブロック200は、開口密集領域202の第1の導電ブロック200および開口過疎領域204の第1の導電ブロック200を含む。第1の絶縁層210は第1の導電ブロック200および基板100の第1の表面102上に設けられ、かつ複数の第1の開口220と、それら第1の開口220から構成される開口密集領域202とを備えると共に、複数の第2の開口222と、それら第2の開口222から構成される開口過疎領域204とを備える(図2に表示)。複数の第1の開口220が開口密集領域202の第1の導電ブロック200を露出させ、また複数の第2の開口222が開口過疎領域204の第1の導電ブロック200を露出させる。第1の表面102側にある導電部材280は第1の絶縁層210上に間隔をあけて配列している。導電部材280は、第1の開口220に対応して充填されて、開口密集領域202の第1の導電ブロック200に電気的に接続する複数の第1の導電部材281と、第2の開口222に対応して充填されて、開口過疎領域204の第1の導電ブロック200に電気的に接続する複数の第2の導電部材282と、を含む。導電部材280は均一な厚さを有する。導電部材280は均一な厚さを有することで、開口密集領域202および開口過疎領域204にある各導電部材280の表面の高さ位置が、略均一に揃っている。本実施形態において、第2の導電部材282の第1の導電部材281に隣接する部分の上表面は平滑な接合面である。   The first conductive blocks 200 are arranged on the first surface 102 of the substrate 100 at intervals. The first conductive block 200 includes a first conductive block 200 in the aperture dense region 202 and a first conductive block 200 in the aperture sparse region 204. The first insulating layer 210 is provided on the first conductive block 200 and the first surface 102 of the substrate 100, and has a plurality of first openings 220 and an opening dense region composed of the first openings 220. 202 and a plurality of second openings 222 and an opening depopulated region 204 composed of the second openings 222 (shown in FIG. 2). The plurality of first openings 220 exposes the first conductive block 200 in the densely packed area 202, and the plurality of second openings 222 exposes the first conductive block 200 in the open sparse area 204. The conductive members 280 on the first surface 102 side are arranged on the first insulating layer 210 at intervals. The conductive member 280 is filled corresponding to the first opening 220, and a plurality of first conductive members 281 that are electrically connected to the first conductive block 200 in the densely packed region 202, and the second opening 222. And a plurality of second conductive members 282 that are electrically connected to the first conductive block 200 of the opening sparsely populated region 204. The conductive member 280 has a uniform thickness. Since the conductive member 280 has a uniform thickness, the height positions of the surfaces of the conductive members 280 in the aperture dense region 202 and the aperture depopulated region 204 are substantially uniform. In the present embodiment, the upper surface of the portion of the second conductive member 282 adjacent to the first conductive member 281 is a smooth joint surface.

本実施形態では、導電部材280中の第2の導電部材282の厚さと第1の導電部材281の厚さとの差の値は第1の導電部材281の厚さの−50〜100%であってよい。「差の値」を求めるときには、開口密集領域202において、第1の開口220内における第1の導電部材281の底部から表面までの高さを、「第1の導電部材281の厚さ」とする。また、「差の値」を求めるときには、開口過疎領域204において、第2の開口222内における第2の導電部材282の底部から表面までの高さを、「第2の導電部材282の厚さ」とする。例えば、1実施形態において、第2の導電部材282の厚さは第1の導電部材281の厚さよりも大きくてよく、この場合、第2の導電部材282の厚さと第1の導電部材281の厚さとの差の値は第1の導電部材281の厚さの0%から100%の間であってよく、例えば1%〜99%または10%〜50%であってよい。あるいは、別の実施形態において、第2の導電部材282の厚さは第1の導電部材281の厚さにほぼ等しく、この場合、第2の導電部材282の厚さと第1の導電部材281の厚さとの差の値は第1の導電部材281の厚さの0%にほぼ等しく、例えば−5%〜5%または−1%〜1%である。またあるいは、別の実施形態では、第2の導電部材282の厚さは第1の導電部材281の厚さより小さくてよく、この場合、第2の導電部材282の厚さと第1の導電部材281の厚さとの差の値は第1の導電部材281の厚さの0%から−50%の間であってよく、例えば−1%〜−49%または−10%〜−25%とすることができる。   In this embodiment, the value of the difference between the thickness of the second conductive member 282 and the thickness of the first conductive member 281 in the conductive member 280 is −50 to 100% of the thickness of the first conductive member 281. It's okay. When obtaining the “difference value”, the height from the bottom to the surface of the first conductive member 281 in the first opening 220 in the dense aperture region 202 is referred to as “thickness of the first conductive member 281”. To do. Further, when obtaining the “difference value”, the height from the bottom of the second conductive member 282 to the surface in the second opening 222 in the opening sparse region 204 is expressed as “the thickness of the second conductive member 282”. " For example, in one embodiment, the thickness of the second conductive member 282 may be greater than the thickness of the first conductive member 281, in which case the thickness of the second conductive member 282 and the thickness of the first conductive member 281 are the same. The value of the difference from the thickness may be between 0% and 100% of the thickness of the first conductive member 281 and may be, for example, 1% to 99% or 10% to 50%. Alternatively, in another embodiment, the thickness of the second conductive member 282 is approximately equal to the thickness of the first conductive member 281, in this case, the thickness of the second conductive member 282 and the thickness of the first conductive member 281. The value of the difference from the thickness is approximately equal to 0% of the thickness of the first conductive member 281 and is, for example, -5% to 5% or -1% to 1%. Alternatively, in another embodiment, the thickness of the second conductive member 282 may be smaller than the thickness of the first conductive member 281. In this case, the thickness of the second conductive member 282 and the first conductive member 281 are the same. The difference between the thickness of the first conductive member 281 and the thickness of the first conductive member 281 may be between 0% and -50%, for example, -1% to -49% or -10% to -25%. Can do.

同様に、複数の第2の導電ブロック300が、基板100の第2の表面104上に間隔をあけて配列している。第2の導電ブロック300は、開口密集領域302の第2の導電ブロック300、および開口過疎領域304の第2の導電ブロック300を含む。第2の絶縁層310は第2の導電ブロック300および基板100の第2の表面104上に設けられ、かつ複数の第3の開口320と、それら第3の開口320から構成される開口密集領域302とを備えると共に、複数の第4の開口322と、それら第4の開口322から構成される開口過疎領域304とを備える(図2に表示)。複数の第3の開口320が開口密集領域302の第2の導電ブロック300を露出させ、また複数の第4の開口322が開口過疎領域304の第2の導電ブロック300を露出させる。第2の表面104側にある別の導電部材380は第2の絶縁層310上に間隔をあけて配列している。導電部材380は、第3の開口320に対応して充填されて、開口密集領域302の第2の導電ブロック300に電気的に接続する複数の第3の導電部材381と、第4の開口322に対応して充填されて、開口過疎領域304の第2の導電ブロック300に電気的に接続する複数の第4の導電部材382と、を含む。導電部材380は均一な厚さを有する。導電部材380は均一な厚さを有することで、開口密集領域302および開口過疎領域304にある各導電部材380の表面の高さ位置が、略均一に揃っている。本実施形態において、第4の導電部材382の第3の導電部材381に隣接する部分の上表面は平滑な接合面である。   Similarly, a plurality of second conductive blocks 300 are arranged on the second surface 104 of the substrate 100 at intervals. The second conductive block 300 includes a second conductive block 300 in the opening dense region 302 and a second conductive block 300 in the opening sparse region 304. The second insulating layer 310 is provided on the second conductive block 300 and the second surface 104 of the substrate 100, and has a plurality of third openings 320 and an opening dense region including the third openings 320. 302, and a plurality of fourth openings 322 and an opening depopulated region 304 composed of the fourth openings 322 (shown in FIG. 2). The plurality of third openings 320 expose the second conductive block 300 in the densely packed area 302, and the plurality of fourth openings 322 expose the second conductive block 300 in the open sparse area 304. Another conductive member 380 on the second surface 104 side is arranged on the second insulating layer 310 at an interval. The conductive member 380 is filled corresponding to the third opening 320, and a plurality of third conductive members 381 that are electrically connected to the second conductive block 300 of the densely packed region 302, and a fourth opening 322. And a plurality of fourth conductive members 382 electrically connected to the second conductive block 300 of the open sparse region 304. The conductive member 380 has a uniform thickness. Since the conductive member 380 has a uniform thickness, the height positions of the surfaces of the respective conductive members 380 in the aperture dense region 302 and the aperture depopulated region 304 are substantially uniform. In the present embodiment, the upper surface of the portion of the fourth conductive member 382 adjacent to the third conductive member 381 is a smooth joint surface.

本実施形態において、導電部材380中の第4の導電部材382の厚さと第3の導電部材381の厚さとの差の値は第3の導電部材381の厚さの−50〜100%とすることができる。「差の値」を求めるときには、開口密集領域302において、第3の開口320内における第3の導電部材381の底部から表面までの高さを、「第3の導電部材381の厚さ」とする。また、「差の値」を求めるときには、開口過疎領域304において、第4の開口322内における第4の導電部材382の底部から表面までの高さを、「第4の導電部材382の厚さ」とする。第4の導電部材382の厚さと第3の導電部材381の厚さとの差の値の関係は、上記した第2の導電部材282の厚さと第1の導電部材281の厚さとの差の値の関係についての記載を参照することができるため、ここでは繰り返し述べない。   In this embodiment, the value of the difference between the thickness of the fourth conductive member 382 and the thickness of the third conductive member 381 in the conductive member 380 is −50 to 100% of the thickness of the third conductive member 381. be able to. When obtaining the “difference value”, the height from the bottom to the surface of the third conductive member 381 in the third opening 320 in the dense aperture region 302 is referred to as “thickness of the third conductive member 381”. To do. When the “difference value” is obtained, the height from the bottom to the surface of the fourth conductive member 382 in the fourth opening 322 in the opening sparse region 304 is expressed as “the thickness of the fourth conductive member 382”. " The relationship between the difference between the thickness of the fourth conductive member 382 and the thickness of the third conductive member 381 is the difference between the thickness of the second conductive member 282 and the thickness of the first conductive member 281 described above. Since the description of the relationship can be referred to, it will not be repeated here.

図7を参照されたい。この図は、本発明の別の実施形態による回路基板の断面説明図を示している。図5と同じ構成要素には同じ符号を使用している。本実施形態の回路基板の構造は図5の実施形態と類似しているが、第2の導電部材292の第1の導電部材291に隣接する部分の上表面が、垂直な段差(L字状段差)を有した接合面であり、かつ第4の導電部材392の第3の導電部材391に隣接する部分の上表面が、垂直な段差(L字状段差)を有した接合面であるという点が異なっている。   Please refer to FIG. This figure shows a sectional view of a circuit board according to another embodiment of the present invention. The same components as those in FIG. 5 are denoted by the same reference numerals. The structure of the circuit board of this embodiment is similar to that of the embodiment of FIG. 5, but the upper surface of the second conductive member 292 adjacent to the first conductive member 291 has a vertical step (L-shaped). The upper surface of the portion adjacent to the third conductive member 391 of the fourth conductive member 392 is a bonded surface having a vertical step (L-shaped step). The point is different.

本明細書において、第1の導電部材の厚さについて記載するとき、それは第1の導電部材における最も低い部分(箇所)での厚さを指し、同様に、第2の導電部材の厚さについて記載するとき、それは第2の導電部材における最も低い部分(箇所)での厚さを指している。本発明の実施形態では、第2の導電部材の厚さと第1の導電部材の厚さは異なる差の値を有していてよいが、導電部材全体は依然均一な厚さを有するため、上述した従来技術に比して、本発明で形成される回路基板では、第2の導電部材の厚さと第1の導電部材の厚さとの間の差の値が大幅に低減され、導電部材全体の均一性を高める目的が達成されるという点に留意すべきである。また、本発明のいくつかの実施形態では、第2の導電部材の厚さが第1の導電部材の厚さよりも大きい場合、導電部材全体の均一性を高める目的を達成できる他、さらに細線、微細化も実現でき、抵抗またはインピーダンスの制御という要求を満たすこともできる。   In this specification, when describing the thickness of the first conductive member, it refers to the thickness at the lowest portion (location) of the first conductive member, and similarly, the thickness of the second conductive member. When describing, it refers to the thickness at the lowest portion (location) of the second conductive member. In the embodiment of the present invention, the thickness of the second conductive member and the thickness of the first conductive member may have different values. However, since the entire conductive member still has a uniform thickness, Compared with the related art, in the circuit board formed by the present invention, the value of the difference between the thickness of the second conductive member and the thickness of the first conductive member is greatly reduced, It should be noted that the purpose of increasing uniformity is achieved. In some embodiments of the present invention, when the thickness of the second conductive member is larger than the thickness of the first conductive member, the object of increasing the uniformity of the entire conductive member can be achieved, Miniaturization can also be realized and the requirement of resistance or impedance control can be satisfied.

図2〜5は、本発明の実施形態による回路基板の製造方法の中間段階を示す断面説明図である。   2 to 5 are cross-sectional explanatory views showing intermediate stages of the circuit board manufacturing method according to the embodiment of the present invention.

図2を参照されたい。対向する第1の表面102および第2の表面104を有する基板100を準備する。本実施形態において、基板100は樹脂材料からなるものであってよい。基板100の第1の表面102および第2の表面104上に導電層(図示せず)をそれぞれ形成し、そしてリソグラフィーおよびエッチングプロセスにより導電層をパターン化して、第1の表面102および第2の表面104上に、間隔をあけて配列する複数の第1の導電ブロック200および複数の第2の導電ブロック300をそれぞれ形成する。本実施形態では、第1の導電ブロック200は、開口密集領域202の第1の導電ブロック200および開口過疎領域204の第1の導電ブロック200を含み、第2の導電ブロック300は、開口密集領域302の第2の導電ブロック300および開口過疎領域304の第2の導電ブロック300を含む。次いで、ラミネートプロセスを行い、基板100の第1の表面102および第2の表面104上に第1の絶縁層210および第2の絶縁層310をそれぞれ形成して第1の導電ブロック200および第2の導電ブロック300をそれぞれ覆う。本実施形態では、第1の絶縁層210または第2の絶縁層310はABFまたはPP材料からなるものとすることができる。次いで、レーザ穴あけ加工プロセスにより第1の絶縁層210に複数の第1の開口220および複数の第2の開口222を形成し、開口密集領域202を構成すると共に開口密集領域202の第1の導電ブロック200を露出させ、開口過疎領域204を構成すると共に開口過疎領域204の第1の導電ブロック200を露出させる。さらに、レーザ穴あけ加工プロセスにより第2の絶縁層310に複数の第3の開口320および複数の第4の開口322を形成し、開口密集領域302を構成すると共に開口密集領域302の第2の導電ブロック300を露出させ、開口過疎領域304を構成すると共に開口過疎領域304の第2の導電ブロック300を露出させることができる。レーザ穴あけ加工プロセスを行った後に、デスミアのステップを実行し、レーザ穴あけ加工後の第1の開口220、第2の開口222、第3の開口320、第4の開口322内の残留物(図示せず)を除去することができる。   Please refer to FIG. A substrate 100 having a first surface 102 and a second surface 104 facing each other is provided. In the present embodiment, the substrate 100 may be made of a resin material. A conductive layer (not shown) is formed on the first surface 102 and the second surface 104 of the substrate 100, respectively, and the conductive layer is patterned by a lithographic and etching process to form the first surface 102 and the second surface A plurality of first conductive blocks 200 and a plurality of second conductive blocks 300 arranged at intervals are formed on the surface 104. In the present embodiment, the first conductive block 200 includes the first conductive block 200 in the opening dense region 202 and the first conductive block 200 in the opening sparse region 204, and the second conductive block 300 includes the opening dense region. 302 includes the second conductive block 300 and the second conductive block 300 in the opening sparse region 304. Next, a laminating process is performed to form a first insulating layer 210 and a second insulating layer 310 on the first surface 102 and the second surface 104 of the substrate 100, respectively. The conductive blocks 300 are respectively covered. In the present embodiment, the first insulating layer 210 or the second insulating layer 310 can be made of ABF or PP material. Next, a plurality of first openings 220 and a plurality of second openings 222 are formed in the first insulating layer 210 by a laser drilling process to form the opening dense region 202 and the first conductive of the opening dense region 202. The block 200 is exposed to form the opening sparse region 204 and the first conductive block 200 in the opening sparse region 204 is exposed. Further, a plurality of third openings 320 and a plurality of fourth openings 322 are formed in the second insulating layer 310 by a laser drilling process to form the opening dense region 302 and the second conductive of the opening dense region 302. The block 300 can be exposed to form the open sparse region 304 and the second conductive block 300 in the open sparse region 304 can be exposed. After performing the laser drilling process, a desmear step is performed, and residues in the first opening 220, the second opening 222, the third opening 320, and the fourth opening 322 after the laser drilling (see FIG. (Not shown) can be removed.

図3を参照されたい。蒸着プロセス(例えば、化学銅蒸着プロセス)により、第1の絶縁層210および第2の絶縁層310上に第1のシード(seed)層230および第2のシード層330をそれぞれ形成し、第1の開口220、第2の開口222(図2に表示)および第3の開口320、第4の開口322(図2に表示)内までそれぞれ延伸させる。次いで、第1のシード層230および第2のシード層330上に第1のドライフィルムおよび第2のドライフィルムを形成する。次いで、露光および現像プロセスにより、パターン化された第1のドライフィルム240およびパターン化された第2のドライフィルム340を形成し、一部の第1のシード層230および第2のシード層330をそれぞれ露出させる。次いで、露出した第1のシード層230および第2のシード層330上に電気メッキプロセスを行って、第1の絶縁層210および第2の絶縁層310上に、第1のシード層230または第2のシード層330を介在させて、第1の導電層250および第2の導電層350をそれぞれ形成する。   Please refer to FIG. A first seed layer 230 and a second seed layer 330 are formed on the first insulating layer 210 and the second insulating layer 310 by a deposition process (eg, a chemical copper deposition process), respectively. The first opening 220, the second opening 222 (shown in FIG. 2), the third opening 320, and the fourth opening 322 (shown in FIG. 2) are extended. Next, a first dry film and a second dry film are formed on the first seed layer 230 and the second seed layer 330. Next, a patterned first dry film 240 and a patterned second dry film 340 are formed by an exposure and development process, and a part of the first seed layer 230 and the second seed layer 330 are formed. Expose each one. Next, an electroplating process is performed on the exposed first seed layer 230 and the second seed layer 330, and the first seed layer 230 or the second seed layer 230 is formed on the first insulating layer 210 and the second insulating layer 310. The first conductive layer 250 and the second conductive layer 350 are formed with the two seed layers 330 interposed therebetween.

続いて、図4を参照されたい。第1の冶具260および第2の冶具360を、パターン化された第1のドライフィルム240およびパターン化された第2のドライフィルム340上にそれぞれ置く。本実施形態において、第1の冶具260は少なくとも開口密集領域202上方に位置し、かつ第1の導電層250とは付着しない。第2の冶具360は少なくとも開口密集領域302上方に位置し、かつ第2の導電層350とは付着しない。1実施形態において、第1の冶具260は開口密集領域202の範囲より大きいか、または同範囲に等しくてよく、第2の冶具360は開口密集領域302の範囲より大きいか、または同範囲に等しくてよい。次いで、エッチングプロセスにより、第1の冶具260にカバーされていない第1の導電層250の部分および第2の冶具360にカバーされていない第2の導電層350の部分を除去して、第1の導電層250および第2の導電層350に均一な厚さを持たせるようにする。   Next, please refer to FIG. A first jig 260 and a second jig 360 are placed on the patterned first dry film 240 and the patterned second dry film 340, respectively. In the present embodiment, the first jig 260 is located at least above the dense opening area 202 and does not adhere to the first conductive layer 250. The second jig 360 is located at least above the dense opening region 302 and does not adhere to the second conductive layer 350. In one embodiment, the first jig 260 may be greater than or equal to the range of the open dense region 202, and the second jig 360 may be greater than or equal to the range of the open dense region 302. It's okay. Next, an etching process is performed to remove the portion of the first conductive layer 250 not covered by the first jig 260 and the portion of the second conductive layer 350 not covered by the second jig 360. The conductive layer 250 and the second conductive layer 350 have a uniform thickness.

本実施形態では、エッチング液の使用量を調整することにより、第1の導電層250および第2の導電層350のうち、第1の冶具260および第2の冶具360にカバーされていない部分のエッチング量を制御することができる。なお、本実施形態においては、第1の導電層250および第2の導電層350は第1の冶具260および第2の冶具360にカバーされていない部分が除去される他、第1の冶具260および第2の冶具360にカバーされている部分も少量除去されて、第1の導電層250および第2の導電層350のカバー領域(開口密集領域202、302にほぼ相当)と未カバー領域(開口過疎領域204、304にほぼ相当)との間に平滑な接合面が形成されるようになる、という点に留意すべきである。これは、第1の冶具260および第2の冶具360はそれぞれパターン化された第1のドライフィルム240およびパターン化された第2のドライフィルム340上に置かれるのみで、第1の導電層250および第2の導電層350とは付着しないため、少量のエッチング液が第1の冶具260と第1の導電層250との間の空隙および第2の冶具360と第2の導電層350との間の空隙にそれぞれ滲入することができ、ひいては第1の導電層250および第2の導電層350の第1の冶具260および第2の冶具360にカバーされている部分が少量除去されることとなるからである。   In the present embodiment, by adjusting the amount of the etching solution used, the portions of the first conductive layer 250 and the second conductive layer 350 that are not covered by the first jig 260 and the second jig 360 are used. The etching amount can be controlled. In the present embodiment, the first conductive layer 250 and the second conductive layer 350 are not removed from the first jig 260 and the second jig 360, and the first jig 260 is removed. Also, a small amount of the portion covered with the second jig 360 is also removed, so that the cover region of the first conductive layer 250 and the second conductive layer 350 (corresponding substantially to the opening dense regions 202 and 302) and the uncovered region ( It should be noted that a smooth joint surface is formed between the open-sparsely populated regions 204 and 304). This is because the first jig 260 and the second jig 360 are only placed on the patterned first dry film 240 and the patterned second dry film 340 respectively, and the first conductive layer 250. And the second conductive layer 350 does not adhere, so that a small amount of the etching solution is formed between the gap between the first jig 260 and the first conductive layer 250 and between the second jig 360 and the second conductive layer 350. A small amount of the portion covered by the first jig 260 and the second jig 360 of the first conductive layer 250 and the second conductive layer 350 can be removed. Because it becomes.

例えば図8A〜8Dを参照されたい。これらの図は、本発明のいくつかの実施形態による図4で丸く囲んだ部分のエッチング前後の拡大図を示しており、第1の導電層250の第1の冶具260にカバーされた部分をa、第1の冶具260にカバーされていない部分をbと表示している。エッチングプロセス実行前、図8Aで示されるように、未カバー領域bの厚さはカバー領域aの厚さよりも大きく、両者の差の値はHである。エッチングプロセス実行後、図8B〜8Dに示されるように、未カバー領域bの厚さは顕著に減少し、未カバー領域bの厚さとカバー領域aの厚さとの差の値は異なる状況となり得る。1実施形態では、図8Bに示されるように、未カバー領域bの厚さは依然としてカバー領域aの厚さより大きく、両者の差の値はH1である。別の実施形態では、図8Cに示されるように、未カバー領域bの厚さはカバー領域aの厚さに近く、両者の差の値はH2である。また別の実施形態では、図8Dに示されるように、未カバー領域bの厚さはカバー領域aの厚さよりも小さく、両者の差の値はH3である。エッチング液の使用量が増加するのに伴って、未カバー領域bの厚さとカバー領域aの厚さとの差の値は小さくなって、H>H1>H2となる(ただし、H>0、H1>0、H2≧0)。エッチング液の使用量は、未カバー領域bの厚さがカバー領域aの厚さよりも小さくなるまで増やすこともできる。なお、上記で述べたように、エッチングプロセスを行った後、第1の導電層250のカバー領域a (開口密集領域202にほぼ相当)と未カバー領域b (開口過疎領域204にほぼ相当)との間に平滑な接合面が備わるという点に注目されたい。しかし、図8B〜8Dで示される特定の構造は説明のためのものにすぎず、本発明を限定するものではないということが理解されよう。 See, for example, FIGS. These figures show enlarged views of a portion encircled in FIG. 4 before and after etching according to some embodiments of the present invention before and after the portion covered by the first jig 260 of the first conductive layer 250. a, a portion not covered by the first jig 260 is indicated as b. Before execution of the etching process, as shown in FIG. 8A, the thickness of the uncovered region b is larger than the thickness of the covered region a, and the difference between the two is H. After performing the etching process, as shown in FIGS. 8B to 8D, the thickness of the uncovered area b is significantly reduced, and the difference between the thickness of the uncovered area b and the thickness of the covered area a can be different. . In one embodiment, as shown in FIG. 8B, the thickness of the uncovered area b is still greater than the thickness of the covered area a, and the difference between the two is H 1 . In another embodiment, as shown in FIG. 8C, the thickness of the uncovered area b is close to the thickness of the covered area a, and the difference between the two is H 2 . In another embodiment, as shown in FIG. 8D, the thickness of the uncovered area b is smaller than the thickness of the covered area a, and the difference between the two is H 3 . As the amount of the etching solution used increases, the value of the difference between the thickness of the uncovered area b and the thickness of the covered area a decreases to H> H 1 > H 2 (where H> 0 , H 1 > 0, H 2 ≧ 0). The amount of the etching solution used can be increased until the thickness of the uncovered area b becomes smaller than the thickness of the cover area a. As described above, after the etching process is performed, the cover region a (substantially corresponding to the aperture dense region 202) and the uncovered region b (substantially corresponding to the aperture sparse region 204) of the first conductive layer 250 are formed. Note that a smooth joint surface is provided between the two. However, it will be understood that the specific structure shown in FIGS. 8B-8D is for illustration only and is not intended to limit the invention.

エッチングプロセスを行った後、続いて第1の冶具260および第2の冶具360を取り除くと共に、パターン化された第1のドライフィルム240およびパターン化された第2のドライフィルム340を除去して、下方の第1のシード層230および第2のシード層330の部分を露出させる。次いで、エッチングプロセスにより、露出した第1のシード層230および第2のシード層330を除去し、第1の絶縁層210および第2の絶縁層310上に、間隔をあけて配列する複数の導電部材280および複数の導電部材380をそれぞれ形成する。図5に示されるように、複数の導電部材280は複数の第1の導電部材281および複数の第2の導電部材282を含み、第1の開口220および第2の開口222内にそれぞれ対応して充填され、開口密集領域202の第1の導電ブロック200および開口過疎領域204の第1の導電ブロック200にそれぞれ電気的に接続する。複数の導電部材380は複数の第3の導電部材381および複数の第4の導電部材382を含み、第3の開口320および第4の開口322内にそれぞれ対応して充填され、開口密集領域302の第2の導電ブロック300および開口過疎領域304の第2の導電ブロック300にそれぞれ電気的に接続する。   After performing the etching process, the first jig 260 and the second jig 360 are subsequently removed, and the patterned first dry film 240 and the patterned second dry film 340 are removed, The portions of the first seed layer 230 and the second seed layer 330 below are exposed. Next, the exposed first seed layer 230 and second seed layer 330 are removed by an etching process, and a plurality of conductive layers arranged on the first insulating layer 210 and the second insulating layer 310 are spaced apart from each other. A member 280 and a plurality of conductive members 380 are formed. As shown in FIG. 5, the plurality of conductive members 280 include a plurality of first conductive members 281 and a plurality of second conductive members 282, corresponding to the first opening 220 and the second opening 222, respectively. And electrically connected to the first conductive block 200 in the densely populated region 202 and the first conductive block 200 in the depopulated region 204, respectively. The plurality of conductive members 380 include a plurality of third conductive members 381 and a plurality of fourth conductive members 382, and the third openings 320 and the fourth openings 322 are filled correspondingly, respectively. Are electrically connected to the second conductive block 300 and the second conductive block 300 in the open sparse region 304, respectively.

このようにして、本発明の1実施形態による回路基板は作製できる。図5からわかるように、導電部材280および導電部材380全体がそれぞれ均一な厚さを有し、上に述べた先行技術(図1Bに示す)に比べ、本実施形態による回路基板では、第2の導電部材282の厚さと第1の導電部材281の厚さとの差の値、および第4の導電部材382の厚さと第3の導電部材381の厚さとの差の値がいずれも大幅に低減されており、導電部材全体の均一性を高める目的を達成している。   In this way, a circuit board according to an embodiment of the present invention can be manufactured. As can be seen from FIG. 5, the conductive member 280 and the entire conductive member 380 have uniform thicknesses, respectively, and the circuit board according to the present embodiment has the second thickness compared to the prior art described above (shown in FIG. 1B). The value of the difference between the thickness of the first conductive member 281 and the thickness of the first conductive member 281 and the value of the difference between the thickness of the fourth conductive member 382 and the thickness of the third conductive member 381 are both greatly reduced. Therefore, the object of increasing the uniformity of the entire conductive member is achieved.

図2〜3、6〜7は、本発明の別の実施形態による回路基板の製造方法の中間段階の断面説明図を示している。   2 to 3 and 6 to 7 show cross-sectional explanatory views in an intermediate stage of a circuit board manufacturing method according to another embodiment of the present invention.

図2を参照されたい。対向する第1の表面102および第2の表面104を有する基板100を準備する。本実施形態において、基板100は樹脂材料からなるものであってよい。基板100の第1の表面102および第2の表面104上に導電層(図示せず)をそれぞれ形成する。そしてリソグラフィーエッチングプロセスにより導電層をパターン化して、第1の表面102および第2の表面104上に、間隔をあけて配列する複数の第1の導電ブロック200および複数の第2の導電ブロック300をそれぞれ形成する。本実施形態において、第1の導電ブロック200は開口密集領域202の第1の導電ブロック200および開口過疎領域204の第1の導電ブロック200を含み、第2の導電ブロック300は開口密集領域302の第2の導電ブロック300および開口過疎領域304の第2の導電ブロック300を含む。次いで、ラミネートプロセスを行い、基板100の第1の表面102および第2の表面104上に第1の絶縁層210および第2の絶縁層310をそれぞれ形成して、第1の導電ブロック200および第2の導電ブロック300をそれぞれ被覆する。本実施形態では、第1の絶縁層210または第2の絶縁層310はABFまたはPP材料からなるものとすることができる。次いで、レーザ穴あけ加工プロセスにより、第1の絶縁層210に複数の第1の開口220および複数の第2の開口222を形成して、開口密集領域202を構成すると共に開口密集領域の第1の導電ブロック200を露出させ、開口過疎領域204を構成すると共に開口過疎領域204の第1の導電ブロック200を露出させる。さらに、レーザ穴あけ加工プロセスにより、第2の絶縁層310に複数の第3の開口320および複数の第4の開口322を形成して、開口密集領域302を構成すると共に開口密集領域302の第2の導電ブロック300を露出させ、開口過疎領域304を構成すると共に開口過疎領域304の第2の導電ブロック300を露出させる。レーザ穴あけ加工プロセスを行った後に、デスミアのステップを実行して、レーザ穴あけ加工後の第1の開口220、第2の開口222、第3の開口320、第4の開口322内の残留物(図示せず)を除去することができる。   Please refer to FIG. A substrate 100 having a first surface 102 and a second surface 104 facing each other is provided. In the present embodiment, the substrate 100 may be made of a resin material. Conductive layers (not shown) are respectively formed on the first surface 102 and the second surface 104 of the substrate 100. Then, the conductive layer is patterned by a lithographic etching process, and a plurality of first conductive blocks 200 and a plurality of second conductive blocks 300 arranged at intervals on the first surface 102 and the second surface 104 are formed. Form each one. In the present embodiment, the first conductive block 200 includes the first conductive block 200 in the aperture dense region 202 and the first conductive block 200 in the aperture sparse region 204, and the second conductive block 300 includes the aperture dense region 302. It includes the second conductive block 300 and the second conductive block 300 in the opening sparse region 304. Next, a laminating process is performed to form a first insulating layer 210 and a second insulating layer 310 on the first surface 102 and the second surface 104 of the substrate 100, respectively. Each of the two conductive blocks 300 is covered. In the present embodiment, the first insulating layer 210 or the second insulating layer 310 can be made of ABF or PP material. Next, a plurality of first openings 220 and a plurality of second openings 222 are formed in the first insulating layer 210 by a laser drilling process to form the opening dense region 202 and the opening dense region first. The conductive block 200 is exposed to form the open sparse region 204 and the first conductive block 200 in the open sparse region 204 is exposed. Further, a plurality of third openings 320 and a plurality of fourth openings 322 are formed in the second insulating layer 310 by a laser drilling process to constitute the opening dense region 302 and the second of the opening dense region 302. The conductive block 300 is exposed to form the open sparse region 304 and the second conductive block 300 in the open sparse region 304 is exposed. After the laser drilling process is performed, a desmear step is performed so that residues in the first opening 220, the second opening 222, the third opening 320, and the fourth opening 322 after the laser drilling process ( (Not shown) can be removed.

図3を参照されたい。蒸着プロセス(例えば、化学銅蒸着プロセス)により、第1の絶縁層210および第2の絶縁層310上に第1のシード(seed)層230および第2のシード層330をそれぞれ形成し、かつ第1の開口220、第2の開口222(図2に表示)、および、第3の開口320、第4の開口322(図2に表示)内までそれぞれ延伸させる。次いで、第1のシード層230および第2のシード層330上に第1のドライフィルムおよび第2のドライフィルムを形成する。次いで、露光および現像プロセスにより、パターン化された第1のドライフィルム240およびパターン化された第2のドライフィルム340を形成し、一部の第1のシード層230および第2のシード層330をそれぞれ露出させる。次いで、露出した第1のシード層230および第2のシード層330上に電気メッキプロセスを行って、第1の絶縁層210および第2の絶縁層310上に、第1のシード層230または第2のシード層330を介在させて、第1の導電層250および第2の導電層350をそれぞれ形成する。   Please refer to FIG. A first seed layer 230 and a second seed layer 330 are formed on the first insulating layer 210 and the second insulating layer 310, respectively, by a deposition process (eg, a chemical copper deposition process); The first opening 220, the second opening 222 (shown in FIG. 2), and the third opening 320 and the fourth opening 322 (shown in FIG. 2) are extended. Next, a first dry film and a second dry film are formed on the first seed layer 230 and the second seed layer 330. Next, a patterned first dry film 240 and a patterned second dry film 340 are formed by an exposure and development process, and a part of the first seed layer 230 and the second seed layer 330 are formed. Expose each one. Next, an electroplating process is performed on the exposed first seed layer 230 and the second seed layer 330, and the first seed layer 230 or the second seed layer 230 is formed on the first insulating layer 210 and the second insulating layer 310. The first conductive layer 250 and the second conductive layer 350 are formed with the two seed layers 330 interposed therebetween.

続いて図6を参照されたい。第1の導電層250およびパターン化された第1のドライフィルム240上に第1のドライフィルム層270を形成すると共に、第2の導電層350およびパターン化された第2のドライフィルム340上に第2のドライフィルム層370を形成する。本実施形態では、第1のドライフィルム層270は少なくとも開口密集領域202上方に位置し、かつ第1の導電層250に付着し、また第2のドライフィルム層370は少なくとも開口密集領域302上方に位置し、かつ第2の導電層350に付着する。次いで、エッチングプロセスにより、第1のドライフィルム層270に覆われていない第1の導電層250の部分、および第2のドライフィルム層370に覆われていない第2の導電層350の部分を除去して、第1の導電層250および第2の導電層350が均一な厚さを有するようにする。   Next, please refer to FIG. A first dry film layer 270 is formed on the first conductive layer 250 and the patterned first dry film 240, and on the second conductive layer 350 and the patterned second dry film 340. A second dry film layer 370 is formed. In the present embodiment, the first dry film layer 270 is located at least above the dense aperture region 202 and adheres to the first conductive layer 250, and the second dry film layer 370 is at least above the dense aperture region 302. And is attached to the second conductive layer 350. Next, an etching process removes a portion of the first conductive layer 250 not covered with the first dry film layer 270 and a portion of the second conductive layer 350 not covered with the second dry film layer 370. Thus, the first conductive layer 250 and the second conductive layer 350 have a uniform thickness.

本実施形態では、エッチング液の使用量を調整することにより、第1の導電層250および第2の導電層350のうち、第1のドライフィルム層270および第2のドライフィルム層370にカバーされていない部分でのエッチング量を制御することができる。なお、本実施形態においては、第1の導電層250および第2の導電層350は、第1のドライフィルム層270および第2のドライフィルム層370にカバーされていない部分のみが除去されて、第1の導電層250および第2の導電層350のカバー領域(開口密集領域202、302にほぼ相当)と未カバー領域(開口過疎領域204、304にほぼ相当)との間に、垂直な段差を有した接合面が形成されるようになる、という点に留意すべきである。これは、第1のドライフィルム層270および第2のドライフィルム層370は第1の導電層250および第2の導電層350に緊密に付着することから、エッチング液が、第1の導電層250および第2の導電層350の、第1のドライフィルム層270および第2のドライフィルム層370にカバーされている部分に滲入しないためである。またこれにより、本実施形態では、第1の導電層250および第2の導電層350のカバー領域(開口密集領域202、302にほぼ相当)と未カバー領域(開口過疎領域204、304にほぼ相当)との間の厚さの差の値をより精度よく制御および推測することもできる。   In the present embodiment, the first dry film layer 270 and the second dry film layer 370 out of the first conductive layer 250 and the second conductive layer 350 are covered by adjusting the amount of the etchant used. It is possible to control the etching amount in the unexposed portion. In the present embodiment, only the portions of the first conductive layer 250 and the second conductive layer 350 that are not covered by the first dry film layer 270 and the second dry film layer 370 are removed. There is a vertical step between the covered region of the first conductive layer 250 and the second conductive layer 350 (substantially equivalent to the dense aperture regions 202 and 302) and the uncovered region (substantially equivalent to the aperture sparse regions 204 and 304). It should be noted that a joining surface having a shape is formed. This is because the first dry film layer 270 and the second dry film layer 370 are closely attached to the first conductive layer 250 and the second conductive layer 350, so that the etching solution is used in the first conductive layer 250. This is because the second conductive layer 350 does not penetrate into the portion covered with the first dry film layer 270 and the second dry film layer 370. In this embodiment, the first conductive layer 250 and the second conductive layer 350 cover regions (corresponding to the aperture dense regions 202 and 302) and uncovered regions (corresponding to the aperture sparse regions 204 and 304). ) Can be controlled and estimated with higher accuracy.

例えば図9A〜9Dを参照されたい。これらの図は、本発明のいくつかの実施形態による図6で丸く囲んだ部分のエッチング前後の拡大図を示しており、第1の導電層250の第1のドライフィルム層270にカバーされた部分をa、第1のドライフィルム層270にカバーされていない部分をbと表示している。エッチングプロセスを行う前、図9Aで示されるように、未カバー領域bの厚さはカバー領域aの厚さよりも大きく、両者の差の値はH’である。エッチングプロセスを行った後、図9B〜9Dに示されるように、未カバー領域bの厚さは顕著に減少し、未カバー領域bの厚さとカバー領域aの厚さとの差の値は異なる状況となり得る。1実施形態では、図9Bに示されるように、未カバー領域bの厚さは依然としてカバー領域aの厚さより大きく、両者の差の値はH’である。別の実施形態では、図9Cに示されるように、未カバー領域bの厚さはカバー領域aの厚さに近く、両者の差の値はH’である。また別の実施形態では、図9Dに示されるように、未カバー領域bの厚さはカバー領域aの厚さよりも小さく、両者の差の値はH’3である。エッチング液の使用量が増加するのに伴って、未カバー領域bの厚さとカバー領域aの厚さとの差の値は小さくなって、H’>H’>H’となる(ただし、H’>0、H’>0、H’≧0)。エッチング液の使用量は、未カバー領域bの厚さがカバー領域aの厚さよりも小さくなるまで増やすこともできる。なお、上記で述べたように、エッチングプロセスを行った後、第1の導電層250のカバー領域a(開口密集領域202にほぼ相当)と未カバー領域b(開口過疎領域204にほぼ相当)との間に、垂直な段差を有した接合面が備わるという点に注目されたい。しかし、図9B〜9Dで示される特定の構造は説明のためのものにすぎず、本発明を限定するものではないということが理解される。 See, for example, Figures 9A-9D. These figures show enlarged views before and after etching of the circled portion in FIG. 6 according to some embodiments of the present invention, covered by the first dry film layer 270 of the first conductive layer 250. The portion is indicated as a, and the portion not covered by the first dry film layer 270 is indicated as b. Before performing the etching process, as shown in FIG. 9A, the thickness of the uncovered area b is larger than the thickness of the covered area a, and the difference between the two is H ′. After performing the etching process, as shown in FIGS. 9B to 9D, the thickness of the uncovered area b is significantly reduced, and the value of the difference between the thickness of the uncovered area b and the thickness of the covered area a is different. Can be. In one embodiment, as shown in Figure 9B, the thickness of the uncovered region b is still greater than the thickness of the cover region a, the value of the difference between them is H '1. In another embodiment, as shown in FIG. 9C, the thickness of the uncovered area b is close to the thickness of the covered area a, and the difference between the two is H′2. In another embodiment, as shown in FIG. 9D, the thickness of the uncovered region b is smaller than the thickness of the cover region a, the value of the difference between them is H '3. As the amount of the etching solution used increases, the value of the difference between the thickness of the uncovered region b and the thickness of the covered region a decreases to satisfy H ′> H ′ 1 > H ′ 2 (however, H ′> 0, H ′ 1 > 0, H ′ 2 ≧ 0). The amount of the etching solution used can be increased until the thickness of the uncovered area b becomes smaller than the thickness of the cover area a. As described above, after the etching process is performed, the cover region a (substantially corresponding to the opening dense region 202) and the uncovered region b (substantially corresponding to the opening sparse region 204) of the first conductive layer 250 are formed. It should be noted that a joint surface having a vertical step is provided between the two. However, it is understood that the specific structure shown in FIGS. 9B-9D is for illustration only and is not intended to limit the invention.

エッチングプロセスを行った後、続いて第1のドライフィルム層270および第2のドライフィルム層370除去すると共に、パターン化された第1のドライフィルム240およびパターン化された第2のドライフィルム340を除去して、下方の第1のシード層230および第2のシード層330の一部を露出させる。次いで、エッチングプロセスにより、露出した第1のシード層230および第2のシード層330を除去し、第1の絶縁層210および第2の絶縁層310上に、間隔をあけて配列する複数の導電部材290および複数の導電部材390をそれぞれ形成する。図7に示されるように、複数の導電部材290は複数の第1の導電部材291および複数の第2の導電部材292を含み、第1の開口220および第2の開口222内にそれぞれ対応して充填され、開口密集領域202の第1の導電ブロック200および開口過疎領域204の第1の導電ブロック200にそれぞれ電気的に接続する。複数の導電部材390は複数の第3の導電部材391および複数の第4の導電部材392を含み、第3の開口320および第4の開口322内にそれぞれ対応して充填され、開口密集領域302の第2の導電ブロック300および開口過疎領域304の第2の導電ブロック300にそれぞれ電気的に接続する。   After performing the etching process, the first dry film layer 270 and the second dry film layer 370 are subsequently removed, and the patterned first dry film 240 and the patterned second dry film 340 are removed. A part of the lower first seed layer 230 and second seed layer 330 is exposed by removing. Next, the exposed first seed layer 230 and second seed layer 330 are removed by an etching process, and a plurality of conductive layers arranged on the first insulating layer 210 and the second insulating layer 310 are spaced apart from each other. A member 290 and a plurality of conductive members 390 are formed. As shown in FIG. 7, the plurality of conductive members 290 include a plurality of first conductive members 291 and a plurality of second conductive members 292, corresponding to the first opening 220 and the second opening 222, respectively. And electrically connected to the first conductive block 200 in the densely populated region 202 and the first conductive block 200 in the depopulated region 204, respectively. The plurality of conductive members 390 include a plurality of third conductive members 391 and a plurality of fourth conductive members 392, and the third openings 320 and the fourth openings 322 are filled correspondingly, respectively. Are electrically connected to the second conductive block 300 and the second conductive block 300 in the open sparse region 304, respectively.

このようにして、本発明の別の実施形態による回路基板は作製できる。図7からわかるように、導電部材290および導電部材390全体がそれぞれ均一な厚さを有し、上に述べた先行技術(図1Bに示す)に比べ、本実施形態による回路基板では、第2の導電部材292の厚さと第1の導電部材291の厚さとの差の値、および第4の導電部材392の厚さと第3の導電部材391の厚さとの差の値はいずれも顕著に低減されており、導電部材全体の均一性を高めるという目的を達成している。   In this manner, a circuit board according to another embodiment of the present invention can be manufactured. As can be seen from FIG. 7, the entire conductive member 290 and the conductive member 390 have uniform thicknesses, and the circuit board according to the present embodiment has the second thickness compared to the prior art described above (shown in FIG. 1B). The values of the difference between the thickness of the conductive member 292 and the thickness of the first conductive member 291 and the value of the difference between the thickness of the fourth conductive member 392 and the thickness of the third conductive member 391 are significantly reduced. The purpose of improving the uniformity of the entire conductive member is achieved.

製品の機能性の設計要素のために、ビアホール数の設計は、チップ実装領域にますます多くかつ集中するようになっており、これによりビアホール数の分布が不均一となり、ひいては電気メッキ後にホール数密集領域(開口密集領域)とホール数過疎領域(開口過疎領域)とでの導電層の厚さが不均一となる現象が生じている。本発明の提供する回路基板の製造方法は、冶具およびドライフィルム層を用い、画像転写を組み合わせる方式により、導電層の厚さの比較的小さい領域(ここでは開口密集領域)をカバーまたは被覆して、局所的エッチングを行うため、ホール数密集領域とホール数過疎領域の導電層の厚さの差を大幅に縮めて、導電層全体の厚さの均一性を高めることができる。導電層の厚さが均一である状況下においては、後続の回路形成のためのエッチングプロセスを行うときに安定した線幅が維持され、配線幅が不安定になるという事態、または残留物が残るという事態が回避される。導電層の厚さの均一性が高まると、後続のプロセス、例えばパッケージプロセスの安定性もさらに向上し得る。また、本発明が提供する回路基板の製造方法によれば、導電層の厚さの差を有効に制御することもでき、ひいては細線、微細化を実現し、抵抗またはインピーダンスを制御するという要求を満たすことができる。   Due to the design elements of product functionality, the design of the number of via holes is becoming more and more concentrated in the chip mounting area, which results in a non-uniform distribution of the number of via holes and thus the number of holes after electroplating. There is a phenomenon in which the thickness of the conductive layer is nonuniform in the dense region (open dense region) and the hole depopulated region (open depopulated region). The method for manufacturing a circuit board provided by the present invention covers or covers a relatively thin region (here, an open dense region) of a conductive layer by using a jig and a dry film layer and combining image transfer. Since the local etching is performed, the difference in the thickness of the conductive layer between the hole number dense region and the hole number sparse region can be greatly reduced, and the thickness uniformity of the entire conductive layer can be improved. In a situation where the thickness of the conductive layer is uniform, a stable line width is maintained when performing an etching process for forming a subsequent circuit, and a situation in which the wiring width becomes unstable or a residue remains. This situation is avoided. As the thickness uniformity of the conductive layer increases, the stability of subsequent processes, such as the packaging process, may be further improved. In addition, according to the method for manufacturing a circuit board provided by the present invention, it is possible to effectively control the difference in the thickness of the conductive layer, and thus to achieve a demand for controlling the resistance or impedance by realizing fine lines and miniaturization. Can be satisfied.

以下に実施例を提示し、従来技術の回路基板と本発明が提供する回路基板との差異を説明する。   Examples will be presented below to explain the difference between the circuit board of the prior art and the circuit board provided by the present invention.

表1は、図1Bで示した従来技術により製造した回路基板と、本発明の図2〜7で示した方法により製造した回路基板との導電層(銅)の厚さにおける差異を示している。表1の結果からわかるように、CO側またはSO側のいずれであるかにかかわらず、図1Bに示した従来技術により製造した回路基板に比べ、本発明の図2〜7で示した方法により製造した回路基板は、導電層(銅)全体の厚さの差の値が低減しており、導電層(銅)の厚さの均一性が大幅に改善されている。   Table 1 shows the difference in the thickness of the conductive layer (copper) between the circuit board manufactured by the prior art shown in FIG. 1B and the circuit board manufactured by the method shown in FIGS. . As can be seen from the results in Table 1, the method shown in FIGS. 2 to 7 of the present invention compared to the circuit board manufactured by the prior art shown in FIG. 1B regardless of whether it is the CO side or the SO side. In the manufactured circuit board, the value of the thickness difference of the entire conductive layer (copper) is reduced, and the uniformity of the thickness of the conductive layer (copper) is greatly improved.

Figure 0006494716
Figure 0006494716

以上のように、本発明を、いくつかの好ましい実施形態により開示したが、それらは本発明を限定するものではなく、当業者であれば、本発明の精神および範囲を逸脱することなく、任意の変化および修飾を加えることができる。よって、本発明の保護範囲は、以下の特許請求の範囲で定められたものに基づかなければならない。   As mentioned above, although this invention was disclosed by some preferable embodiment, they do not limit this invention, Those skilled in the art are arbitrary, without deviating from the mind and range of this invention. Changes and modifications can be made. Therefore, the protection scope of the present invention must be based on what is defined in the following claims.

100…基板
102…第1の表面
104…第2の表面
200…第1の導電ブロック
202、302 …開口密集領域
204、304 …開口過疎領域
210…第1の絶縁層
220…第1の開口
222…第2の開口
230…第1のシード層
240…パターン化された第1のドライフィルム
250…第1の導電層
260…第1の冶具
270…第1のドライフィルム層
280、380…導電部材
281、291…第1の導電部材
282、292…第2の導電部材
300…第2の導電ブロック
310…第2の絶縁層
320…第3の開口
322…第4の開口
330…第2のシード層
340…パターン化された第2のドライフィルム
350…第2の導電層
360…第2の冶具
370…第2のドライフィルム層
381、391…第3の導電部材
382、392…第4の導電部材
A…チップ実装領域
B…非チップ実装領域
H、H、H、H、H’、H’、H’、H’…差の値
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 ... Substrate 102 ... 1st surface 104 ... 2nd surface 200 ... 1st conductive block 202, 302 ... Opening dense area 204, 304 ... Opening sparse region 210 ... 1st insulating layer 220 ... 1st opening 222 ... second opening 230 ... first seed layer 240 ... patterned first dry film 250 ... first conductive layer 260 ... first jig 270 ... first dry film layer 280, 380 ... conductive member 281, 291 ... 1st conductive member 282, 292 ... 2nd conductive member 300 ... 2nd conductive block 310 ... 2nd insulating layer 320 ... 3rd opening 322 ... 4th opening 330 ... 2nd seed Layer 340 ... Patterned second dry film 350 ... Second conductive layer 360 ... Second jig 370 ... Second dry film layers 381, 391 ... Third conductive members 382, 392 Fourth conductive member A ... chip mounting region B ... non-chip mounting regions H, H 1, H 2, H 3, H ', H' 1, H '2, H' 3 ... difference between the values

Claims (17)

対向する第1の表面および第2の表面を有する基板と、
前記基板の前記第1の表面上に間隔をあけて配列している、開口密集領域の第1の導電ブロックおよび開口過疎領域の第1の導電ブロックを含む複数の第1の導電ブロックと、
前記基板の前記第1の表面上に設けられ、かつ複数の第1の開口およびこれら第1の開口から構成される前記開口密集領域、ならびに複数の第2の開口およびこれら第2の開口から構成される前記開口過疎領域を有する第1の絶縁層であって、前記複数の第1の開口が前記開口密集領域の前記複数の第1の導電ブロックを露出させ、前記複数の第2の開口が前記開口過疎領域の前記複数の第1の導電ブロックを露出させる、第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層上に間隔をあけて配列しており、前記複数の第1の開口に対応して充填されて前記開口密集領域の前記複数の第1の導電ブロックに電気的に接続する複数の第1の導電部材、および前記複数の第2の開口に対応して充填されて前記開口過疎領域の前記複数の第1の導電ブロックに電気的に接続する複数の第2の導電部材を含み、前記複数の第2の導電部材の前記複数の第1の導電部材と隣接する部分の上表面が垂直な接合面を有する、複数の導電部材と、
を含んでなり、
前記複数の導電部材が均一な厚さを有する、回路基板。
A substrate having opposing first and second surfaces;
A plurality of first conductive blocks, including a first conductive block in an aperture dense region and a first conductive block in an aperture sparse region, spaced apart on the first surface of the substrate;
The opening dense region provided on the first surface of the substrate and composed of a plurality of first openings and the first openings, and a plurality of second openings and the second openings. The first insulating layer having the opening sparse region, wherein the plurality of first openings expose the plurality of first conductive blocks in the opening dense region, and the plurality of second openings are A first insulating layer that exposes the plurality of first conductive blocks in the open-sparse region;
The first insulating layers are arranged at intervals, are filled in correspondence with the plurality of first openings, and are electrically connected to the plurality of first conductive blocks in the dense opening region. A plurality of first conductive members, and a plurality of second conductive members filled corresponding to the plurality of second openings and electrically connected to the plurality of first conductive blocks in the opening-sparse region. seen including, upper surface of a portion adjacent to the plurality of first conductive members of said plurality of second conductive member has a vertical junction surface, and a plurality of conductive members,
Comprising
A circuit board in which the plurality of conductive members have a uniform thickness.
前記複数の第2の導電部材の厚さと前記複数の第1の導電部材の厚さとの差の値が前記複数の第1の導電部材の厚さの−50〜100%である、請求項1に記載の回路基板。   The value of the difference between the thickness of the plurality of second conductive members and the thickness of the plurality of first conductive members is -50 to 100% of the thickness of the plurality of first conductive members. Circuit board as described in. 前記基板の前記第2の表面上に間隔をあけて配列している、開口密集領域の第2の導電ブロックおよび開口過疎領域の第2の導電ブロックを含む複数の第2の導電ブロックと、
前記基板の前記第2の表面に設けられ、かつ複数の第3の開口およびこれら第3の開口から構成される前記開口密集領域、ならびに複数の第4の開口およびこれら第4の開口から構成される前記開口過疎領域を有する第2の絶縁層であって、前記複数の第3の開口が前記開口密集領域の前記複数の第2の導電ブロックを露出させ、前記複数の第4の開口が前記開口過疎領域の前記複数の第2の導電ブロックを露出させる、第2の絶縁層と、
前記第2の絶縁層上に間隔をあけて配列しており、前記複数の第3の開口に対応して充填されて前記開口密集領域の前記複数の第2の導電ブロックに電気的に接続する複数の第3の導電部材、および前記複数の第4の開口に対応して充填されて前記開口過疎領域の前記複数の第2の導電ブロックに電気的に接続する複数の第4の導電部材を含む別の複数の導電部材と、
をさらに含み、
前記別の複数の導電部材が均一な厚さを有する、請求項1に記載の回路基板。
A plurality of second conductive blocks including a second conductive block in an aperture dense region and a second conductive block in an aperture sparse region, spaced apart on the second surface of the substrate;
The opening dense region is provided on the second surface of the substrate and includes a plurality of third openings and the third openings, and includes a plurality of fourth openings and the fourth openings. The second insulating layer having the opening sparse region, wherein the plurality of third openings expose the plurality of second conductive blocks in the opening dense region, and the plurality of fourth openings are the second insulating layer. A second insulating layer exposing the plurality of second conductive blocks in the open-sparse region;
It is arranged on the second insulating layer at intervals, and is filled in correspondence with the plurality of third openings and is electrically connected to the plurality of second conductive blocks in the dense opening region. A plurality of third conductive members, and a plurality of fourth conductive members filled corresponding to the plurality of fourth openings and electrically connected to the plurality of second conductive blocks in the opening-sparse region. A plurality of other conductive members including,
Further including
The circuit board according to claim 1, wherein the another plurality of conductive members have a uniform thickness.
前記複数の第4の導電部材の厚さと前記複数の第3の導電部材の厚さとの差の値が前記複数の第3の導電部材の厚さの−50〜100%である、請求項に記載の回路基板。 Is -50 to 100% of the thickness of the plurality of fourth conductive member having a thickness and the plurality of third third value of the difference between the thickness of the conductive member of the plurality of conductive members, claim 3 Circuit board as described in. 前記複数の第4の導電部材の、前記複数の第3の導電部材に隣接する部分の上表面が、平滑な接合面、または、垂直な段差を有した接合面である、請求項に記載の回路基板。 Said plurality of fourth conductive member, the surface on the part adjacent to the plurality of third conductive members, smooth joint surface, or a bonding surface having a vertical step, according to claim 3 Circuit board. 基板の第1の表面上に、間隔をあけて配列する複数の第1の導電ブロックを形成する工程であって、前記複数の第1の導電ブロックが、開口密集領域の第1の導電ブロックおよび開口過疎領域の第1の導電ブロックを含む、工程と、
前記基板の前記第1の表面上に第1の絶縁層を形成する工程と、
前記第1の絶縁層に、前記開口密集領域を構成する複数の第1の開口、および前記開口過疎領域を構成する複数の第2の開口を形成する工程であって、前記複数の第1の開口が前記開口密集領域の前記複数の第1の導電ブロックを露出させ、前記複数の第2の開口が前記開口過疎領域の前記複数の第1の導電ブロックを露出させる、工程と、
前記第1の絶縁層上に、パターン化された第1のドライフィルムを形成し、前記複数の第1の開口および前記複数の第2の開口を露出させる工程と、
電気メッキプロセスを行って第1の導電層を形成する工程と、
少なくとも前記開口密集領域上方に位置し、かつ前記第1の導電層とは付着しないように、かつ前記パターン化された第1のドライフィルムに直接接触するように、前記パターン化された第1のドライフィルム上に第1の冶具を置く工程と、
エッチングプロセスを行って、前記第1の導電層の一部を除去し、前記第1の導電層に均一な厚さを持たせる工程と、
前記第1の冶具を取り除く工程と、
前記パターン化された第1のドライフィルムを除去して、前記第1の絶縁層上に、間隔をあけて配列する複数の導電部材を形成する工程と、
を含む、回路基板の製造方法。
Forming a plurality of first conductive blocks arranged at intervals on a first surface of a substrate, wherein the plurality of first conductive blocks includes a first conductive block in an aperture dense region and Including a first conductive block in an open-sparse region;
Forming a first insulating layer on the first surface of the substrate;
Forming a plurality of first openings forming the opening dense region and a plurality of second openings forming the opening depopulated region in the first insulating layer, wherein the plurality of first openings An opening exposes the plurality of first conductive blocks in the dense aperture region, and a plurality of the second openings expose the plurality of first conductive blocks in the depopulated region; and
Forming a patterned first dry film on the first insulating layer, exposing the plurality of first openings and the plurality of second openings;
Performing an electroplating process to form a first conductive layer;
The patterned first layer is located at least above the dense area of the opening, does not adhere to the first conductive layer, and directly contacts the patterned first dry film . Placing the first jig on the dry film;
Performing an etching process to remove a portion of the first conductive layer and providing the first conductive layer with a uniform thickness;
Removing the first jig;
Removing the patterned first dry film and forming a plurality of conductive members arranged at intervals on the first insulating layer; and
A method for manufacturing a circuit board, comprising:
前記複数の導電部材が、
前記複数の第1の開口に対応して充填されて前記開口密集領域の前記複数の第1の導電ブロックに電気的に接続する複数の第1の導電部材と、
前記複数の第2の開口に対応して充填されて前記開口過疎領域の前記複数の第1の導電ブロックに電気的に接続する複数の第2の導電部材と、
を含む、請求項に記載の回路基板の製造方法。
The plurality of conductive members are
A plurality of first conductive members filled corresponding to the plurality of first openings and electrically connected to the plurality of first conductive blocks in the dense aperture region;
A plurality of second conductive members filled corresponding to the plurality of second openings and electrically connected to the plurality of first conductive blocks in the aperture sparse region;
The manufacturing method of the circuit board of Claim 6 containing this.
前記複数の第2の導電部材の厚さと前記複数の第1の導電部材の厚さとの差の値が前記複数の第1の導電部材の厚さの−50〜100%である、請求項に記載の回路基板の製造方法。 Is -50 to 100% of the thickness of said plurality of second conductive members in the thickness and the plurality of first conductive first value of the difference between the thickness of the member of the plurality of conductive members, claim 7 A method for manufacturing a circuit board according to claim 1. 前記基板の前記第1の表面に対向する第2の表面上に、間隔をあけて配列する複数の第2の導電ブロックを形成する工程であって、前記複数の第2の導電ブロックが、開口密集領域の第2の導電ブロックおよび開口過疎領域の第2の導電ブロックを含む、工程と、
前記基板の前記第2の表面上に第2の絶縁層を形成する工程と、
前記第2の絶縁層に、前記開口密集領域を構成する複数の第3の開口、および前記開口過疎領域を構成する複数の第4の開口を形成する工程であって、前記複数の第3の開口が前記開口密集領域の前記複数の第2の導電ブロックを露出させ、前記複数の第4の開口が前記開口過疎領域の前記複数の第2の導電ブロックを露出させる、工程と、
前記第2の絶縁層上に、パターン化された第2のドライフィルムを形成して、前記複数の第3の開口および前記複数の第4の開口を露出させる工程と、
電気メッキプロセスを行って第2の導電層を形成する工程と、
少なくとも前記開口密集領域上方に位置し、かつ前記第2の導電層とは付着しないように、前記パターン化された第2のドライフィルム上に第2の冶具を置く工程と、
エッチングプロセスを行って、前記第2の導電層の一部を除去し、前記第2の導電層に均一な厚さを持たせる工程と、
前記第2の冶具を取り除く工程と、
前記パターン化された第2のドライフィルムを除去して、前記第2の絶縁層上に、間隔をあけて配列する別の複数の導電部材を形成する工程と、
をさらに含む、請求項に記載の回路基板の製造方法。
Forming a plurality of second conductive blocks arranged at intervals on a second surface opposite to the first surface of the substrate, wherein the plurality of second conductive blocks are openings; Including a second conductive block in a dense region and a second conductive block in an open-sparse region;
Forming a second insulating layer on the second surface of the substrate;
Forming a plurality of third openings constituting the opening dense region and a plurality of fourth openings constituting the opening sparse region in the second insulating layer, wherein the plurality of third openings An opening exposes the plurality of second conductive blocks in the aperture dense region, and a plurality of the fourth openings exposes the plurality of second conductive blocks in the aperture sparse region; and
Forming a patterned second dry film on the second insulating layer to expose the plurality of third openings and the plurality of fourth openings;
Performing an electroplating process to form a second conductive layer;
Placing a second jig on the patterned second dry film so as to be positioned at least above the dense area of the opening and not attached to the second conductive layer;
Performing an etching process to remove a portion of the second conductive layer and providing the second conductive layer with a uniform thickness;
Removing the second jig;
Removing the patterned second dry film and forming another plurality of conductive members arranged at intervals on the second insulating layer; and
The circuit board manufacturing method according to claim 6 , further comprising:
前記別の複数の導電部材が、
前記複数の第3の開口に対応して充填されて、前記開口密集領域の前記複数の第2の導電ブロックに電気的に接続する複数の第3の導電部材と、
前記複数の第4の開口に対応して充填されて、前記開口過疎領域の前記複数の第2の導電ブロックに電気的に接続する複数の第4の導電部材と、
を含む、請求項に記載の回路基板の製造方法。
The other plurality of conductive members are
A plurality of third conductive members filled corresponding to the plurality of third openings and electrically connected to the plurality of second conductive blocks in the dense area of the openings;
A plurality of fourth conductive members filled corresponding to the plurality of fourth openings and electrically connected to the plurality of second conductive blocks in the aperture sparse region;
The manufacturing method of the circuit board of Claim 9 containing this.
前記複数の第4の導電部材の厚さと前記複数の第3の導電部材の厚さとの差の値が前記複数の第3の導電部材の厚さの−50〜100%である、請求項10に記載の回路基板の製造方法。 Is -50 to 100% of the thickness of the plurality of fourth conductive member having a thickness and the plurality of third third value of the difference between the thickness of the conductive member of the plurality of conductive members, claim 10 A method for manufacturing a circuit board according to claim 1. 基板の第1の表面上に、間隔をあけて配列する複数の第1の導電ブロックを形成する工程であって、前記複数の第1の導電ブロックが、開口密集領域の第1の導電ブロックおよび開口過疎領域の第1の導電ブロックを含む、工程と、
前記基板の前記第1の表面上に第1の絶縁層を形成する工程と、
前記第1の絶縁層に、前記開口密集領域を構成する複数の第1の開口、および前記開口過疎領域を構成する複数の第2の開口を形成する工程であって、前記複数の第1の開口が前記開口密集領域の前記複数の第1の導電ブロックを露出させ、前記複数の第2の開口が前記開口過疎領域の前記複数の第1の導電ブロックを露出させる、工程と、
前記第1の絶縁層上に、パターン化された第1のドライフィルムを形成し、前記複数の第1の開口および前記複数の第2の開口を露出させる工程と、
電気メッキプロセスを行って第1の導電層を形成し、前記第1の導電層の上表面は前記パターン化された第1のドライフィルムの上表面より低い、工程と、
少なくとも前記開口密集領域上方に位置し、かつ前記第1の導電層に付着するように、前記第1の導電層および前記パターン化された第1のドライフィルム上に第1のドライフィルム層を形成し、前記パターン化された第1のドライフィルムの一部は前記第1のドライフィルム層の中にある、工程と、
エッチングプロセスを行って、前記第1の導電層の一部を除去し、前記第1の導電層に均一な厚さを持たせる工程と、
前記第1のドライフィルム層および前記パターン化された第1のドライフィルムを除去して、前記第1の絶縁層上に、間隔をあけて配列する複数の導電部材を形成する工程と、
を含む、回路基板の製造方法。
Forming a plurality of first conductive blocks arranged at intervals on a first surface of a substrate, wherein the plurality of first conductive blocks includes a first conductive block in an aperture dense region and Including a first conductive block in an open-sparse region;
Forming a first insulating layer on the first surface of the substrate;
Forming a plurality of first openings forming the opening dense region and a plurality of second openings forming the opening depopulated region in the first insulating layer, wherein the plurality of first openings An opening exposes the plurality of first conductive blocks in the dense aperture region, and a plurality of the second openings expose the plurality of first conductive blocks in the depopulated region; and
Forming a patterned first dry film on the first insulating layer, exposing the plurality of first openings and the plurality of second openings;
Performing an electroplating process to form a first conductive layer , wherein the upper surface of the first conductive layer is lower than the upper surface of the patterned first dry film; and
A first dry film layer is formed on the first conductive layer and the patterned first dry film so as to be at least above the dense area of the opening and to adhere to the first conductive layer A portion of the patterned first dry film is in the first dry film layer; and
Performing an etching process to remove a portion of the first conductive layer and providing the first conductive layer with a uniform thickness;
Removing the first dry film layer and the patterned first dry film, and forming a plurality of conductive members arranged at intervals on the first insulating layer;
A method for manufacturing a circuit board, comprising:
前記複数の導電部材が、
前記複数の第1の開口に対応して充填されて前記開口密集領域の前記複数の第1の導電ブロックに電気的に接続する複数の第1の導電部材と、
前記複数の第2の開口に対応して充填されて前記開口過疎領域の前記複数の第1の導電ブロックに電気的に接続する複数の第2の導電部材と、
を含む、請求項12に記載の回路基板の製造方法。
The plurality of conductive members are
A plurality of first conductive members filled corresponding to the plurality of first openings and electrically connected to the plurality of first conductive blocks in the dense aperture region;
A plurality of second conductive members filled corresponding to the plurality of second openings and electrically connected to the plurality of first conductive blocks in the aperture sparse region;
The manufacturing method of the circuit board of Claim 12 containing this.
前記複数の第2の導電部材の厚さと前記複数の第1の導電部材の厚さとの差の値が前記複数の第1の導電部材の厚さの−50〜100%である、請求項13に記載の回路基板の製造方法。 Is -50 to 100% of the thickness of said plurality of second conductive members in the thickness and the plurality of first conductive first value of the difference between the thickness of the member of the plurality of conductive members, claim 13 A method for manufacturing a circuit board according to claim 1. 前記基板の前記第1の表面に対向する第2の表面上に、間隔をあけて配列する複数の第2の導電ブロックを形成する工程であって、前記複数の第2の導電ブロックが、開口密集領域の第2の導電ブロックおよび開口過疎領域の第2の導電ブロックを含む、工程と、
前記基板の前記第2の表面上に第2の絶縁層を形成する工程と、
前記第2の絶縁層に、前記開口密集領域を構成する複数の第3の開口、および前記開口過疎領域を構成する複数の第4の開口を形成する工程であって、前記複数の第3の開口が前記開口密集領域の前記複数の第2の導電ブロックを露出させ、前記複数の第4の開口が前記開口過疎領域の前記複数の第2の導電ブロックを露出させる、工程と、
前記第2の絶縁層上に、パターン化された第2のドライフィルムを形成して、前記複数の第3の開口および前記複数の第4の開口を露出させる工程と、
電気メッキプロセスを行って第2の導電層を形成する工程と、
少なくとも前記開口密集領域上方に位置し、かつ前記第2の導電層に付着するように、前記第2の導電層および前記パターン化された第2のドライフィルム上に第2のドライフィルム層を形成する工程と、
エッチングプロセスを行って、前記第2の導電層の一部を除去し、前記第2の導電層に均一な厚さを持たせる工程と、
前記第2のドライフィルム層および前記パターン化された第2のドライフィルムを除去して、前記第2の絶縁層上に、間隔をあけて配列する別の複数の導電部材を形成する工程と、
をさらに含む、請求項12に記載の回路基板の製造方法。
Forming a plurality of second conductive blocks arranged at intervals on a second surface opposite to the first surface of the substrate, wherein the plurality of second conductive blocks are openings; Including a second conductive block in a dense region and a second conductive block in an open-sparse region;
Forming a second insulating layer on the second surface of the substrate;
Forming a plurality of third openings constituting the opening dense region and a plurality of fourth openings constituting the opening sparse region in the second insulating layer, wherein the plurality of third openings An opening exposes the plurality of second conductive blocks in the aperture dense region, and a plurality of the fourth openings exposes the plurality of second conductive blocks in the aperture sparse region; and
Forming a patterned second dry film on the second insulating layer to expose the plurality of third openings and the plurality of fourth openings;
Performing an electroplating process to form a second conductive layer;
A second dry film layer is formed on the second conductive layer and the patterned second dry film so as to be at least above the dense area of the opening and to adhere to the second conductive layer And a process of
Performing an etching process to remove a portion of the second conductive layer and providing the second conductive layer with a uniform thickness;
Removing the second dry film layer and the patterned second dry film to form another plurality of conductive members arranged at intervals on the second insulating layer;
The method for manufacturing a circuit board according to claim 12 , further comprising:
前記別の複数の導電部材が、
前記複数の第3の開口に対応して充填されて前記開口密集領域の前記複数の第2の導電ブロックに電気的に接続する複数の第3の導電部材と、
前記複数の第4の開口に対応して充填されて前記開口過疎領域の前記複数の第2の導電ブロックに電気的に接続する複数の第4の導電部材と、
を含む、請求項15に記載の回路基板の製造方法。
The other plurality of conductive members are
A plurality of third conductive members filled corresponding to the plurality of third openings and electrically connected to the plurality of second conductive blocks in the dense opening region;
A plurality of fourth conductive members filled corresponding to the plurality of fourth openings and electrically connected to the plurality of second conductive blocks in the aperture sparse region;
The manufacturing method of the circuit board of Claim 15 containing this.
前記複数の第4の導電部材の厚さと前記複数の第3の導電部材の厚さとの差の値が前記複数の第3の導電部材の厚さの−50〜100%である、請求項16に記載の回路基板の製造方法。 Is -50 to 100% of the thickness of the plurality of fourth conductive member having a thickness and the plurality of third third value of the difference between the thickness of the conductive member of the plurality of conductive members, claim 16 A method for manufacturing a circuit board according to claim 1.
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