JP6490771B1 - POSITION DETECTION DEVICE, POSITION DETECTION METHOD, AND DEPOSITION DEVICE - Google Patents

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Abstract

【課題】基板の位置の検出精度を向上可能とした位置検出装置、位置検出方法、および、蒸着装置を提供する。【解決手段】画像処理部20は、表面撮影部の各カメラ11が基板マークWmを撮影した結果から、表面撮影部のカメラ11間の相対位置を算出し、当該カメラ11間の相対位置と、表面撮影部の各カメラ11が処理基板Wを撮影した結果とを用い、表面撮影による処理基板Wの位置を算出し、かつ、裏面撮影部の各カメラ12が基板マークWmの透過画像を撮影した結果から、裏面撮影部のカメラ12間の相対位置を算出し、当該カメラ12間の相対位置と、裏面撮影部の各カメラ12が処理基板Wを撮影した結果とを用い、裏面撮影による処理基板Wの位置を算出する。【選択図】図1A position detection apparatus, a position detection method, and a vapor deposition apparatus capable of improving the detection accuracy of the position of a substrate are provided. An image processing unit calculates a relative position between cameras of a surface photographing unit based on a result obtained by photographing each substrate mark by each camera of the surface photographing unit, and calculates a relative position between the cameras. Using the result of each camera 11 of the front surface photographing unit photographing the processing substrate W, the position of the processing substrate W by front surface photographing is calculated, and each camera 12 of the rear surface photographing unit images a transmission image of the substrate mark Wm. From the result, the relative position between the cameras 12 of the back surface photographing unit is calculated, and the processing substrate by the back surface photographing using the relative position between the cameras 12 and the result of each camera 12 of the back surface photographing unit photographing the processing substrate W. The position of W is calculated. [Selection] Figure 1

Description

本発明は、基板の位置を検出する位置検出装置、位置検出方法、および、位置検出装置を備えた蒸着装置に関する。   The present invention relates to a position detection device that detects the position of a substrate, a position detection method, and a vapor deposition apparatus that includes the position detection device.

蒸着装置は、基板の成膜面と蒸着源との間に蒸着マスクを配置し、蒸着マスクの開口に追従した形状のパターンを基板の成膜面に形成する。蒸着装置は、基板のアライメントマークである基板マークから基板の位置を算出する。蒸着装置は、算出された基板の位置と、蒸着マスクの位置とが合うように、基板の位置や蒸着マスクの位置を調整する(例えば、特許文献1を参照)。   The vapor deposition apparatus arranges a vapor deposition mask between a film formation surface of a substrate and a vapor deposition source, and forms a pattern having a shape following the opening of the vapor deposition mask on the film formation surface of the substrate. The vapor deposition apparatus calculates the position of the substrate from the substrate mark which is an alignment mark of the substrate. The vapor deposition apparatus adjusts the position of the substrate and the position of the vapor deposition mask so that the calculated position of the substrate matches the position of the vapor deposition mask (see, for example, Patent Document 1).

特開2013−1947号公報JP 2013-1947 A

ところで、上述した基板マークは、通常、基板の成膜面に位置し、基板マークを検出する検出部は、成膜面に対して、蒸着源と同じ側に位置する。一方、成膜面に対する蒸着源側の空間は、蒸着源で昇華された蒸着物質の飛行する空間であり、この空間に位置する検出部の光学系には、少なからず蒸着物質が堆積する。光学系に蒸着物質が堆積した検出部では、基板マークを精度良く検出することが不可能であるため、上述した蒸着装置には、基板と蒸着マスクとの位置合わせの精度を高める技術が望まれている。なお、基板の位置を精度よく検出する要請は、基板と蒸着マスクとの位置合わせを行う蒸着装置に限らず、基板の位置を検出する装置において共通している。
本発明は、基板の位置の検出精度を向上可能とした位置検出装置、位置検出方法、および、蒸着装置を提供することを目的とする。
By the way, the substrate mark described above is usually located on the film formation surface of the substrate, and the detection unit for detecting the substrate mark is located on the same side as the vapor deposition source with respect to the film formation surface. On the other hand, the space on the vapor deposition source side with respect to the film formation surface is a space where the vapor deposition material sublimated by the vapor deposition source flies, and the vapor deposition material is deposited in the optical system of the detection unit located in this space. Since the detection unit in which the vapor deposition substance is deposited on the optical system cannot detect the substrate mark with high accuracy, the above-described vapor deposition apparatus is required to have a technique for improving the alignment accuracy between the substrate and the vapor deposition mask. ing. In addition, the request | requirement which detects the position of a board | substrate with high precision is common in the apparatus which detects the position of a board | substrate not only in the vapor deposition apparatus which aligns a board | substrate and a vapor deposition mask.
An object of the present invention is to provide a position detection apparatus, a position detection method, and a vapor deposition apparatus that can improve the detection accuracy of the position of a substrate.

上記課題を解決するための位置検出装置は、非透過性の基板である処理基板の位置を検出する位置検出装置であって、光透過性の基板である校正用基板の表面が複数の基板マークを備え、前記位置検出装置は、各基板マークに対応付けられたカメラで基板の表面を撮影する表面撮影部と、各基板マークに対応付けられたカメラで基板の裏面を撮影する裏面撮影部とを備える。そして、この位置検出装置は、前記表面撮影部の各カメラが前記基板マークの撮影結果から、前記表面撮影部のカメラ間の相対位置を算出し、当該カメラ間の相対位置と、前記表面撮影部の各カメラが前記処理基板を撮影した結果とを用い、表面撮影による前記処理基板の位置を算出し、かつ、前記裏面撮影部の各カメラが前記基板マークの透過画像を撮影した結果から、前記裏面撮影部のカメラ間の相対位置を算出し、当該カメラ間の相対位置と、前記裏面撮影部の各カメラが前記処理基板を撮影した結果とを用い、裏面撮影による前記処理基板の位置を算出する画像処理部と、を備える。   A position detection device for solving the above problem is a position detection device for detecting the position of a processing substrate which is a non-transparent substrate, wherein the surface of the calibration substrate which is a light-transmitting substrate has a plurality of substrate marks. The position detection device includes a front surface photographing unit that photographs the surface of the substrate with a camera associated with each substrate mark, and a back surface photographing unit that photographs the back surface of the substrate with a camera associated with each substrate mark. Is provided. And this position detection apparatus calculates the relative position between the cameras of the said surface imaging | photography part from each camera of the said surface imaging | photography part from the imaging | photography result of the said board mark, The relative position between the said cameras, and the said surface imaging | photography part Using the results obtained by photographing each processing substrate by each camera, the position of the processing substrate by front surface photography is calculated, and from the result obtained by each camera of the back surface photographing unit photographing the transmission image of the substrate mark, Calculate the relative position between the cameras of the back surface photographing unit, and calculate the position of the processing substrate by back surface photographing using the relative position between the cameras and the result of each camera of the back surface photographing unit photographing the processing substrate. An image processing unit.

上記課題を解決するための位置検出方法は、非透過性の基板である処理基板の位置を検出する位置検出方法であって、表面に複数の基板マークを備えた光透過性の基板である校正用基板を用い、前記基板マークに対応付けられたカメラで当該基板マークを前記校正用基板の表面側から表面撮影部が撮影すると共に、前記基板マークに対応付けられたカメラで当該基板マークを前記校正用基板の裏面側から裏面撮影部が撮影することを含む。また、この位置検出方法は、前記表面撮影部の各カメラが前記基板マークを撮影した結果から、前記表面撮影部のカメラ間の相対位置を画像処理部が算出し、当該カメラ間の相対位置と、前記表面撮影部の各カメラが前記処理基板を撮影した結果とを用い、表面撮影による前記処理基板の位置を前記画像処理部が算出することを含む。そして、この位置検出方法は、前記裏面撮影部の各カメラが前記基板マークの透過画像を撮影した結果から、前記裏面撮影部のカメラ間の相対位置を前記画像処理部が算出し、当該カメラ間の相対位置と、前記裏面撮影部の各カメラが前記処理基板を撮影した結果とを用い、裏面撮影による前記処理基板の位置を前記画像処理部が算出することとを含む。   A position detection method for solving the above-described problem is a position detection method for detecting the position of a processing substrate that is a non-transparent substrate, and is a calibration that is a light-transmissive substrate having a plurality of substrate marks on the surface. The substrate photographing unit is used to photograph the substrate mark from the front surface side of the calibration substrate by the camera associated with the substrate mark, and the substrate mark is captured by the camera associated with the substrate mark. It includes that the back surface photographing unit photographs from the back surface side of the calibration substrate. Further, in this position detection method, the image processing unit calculates the relative position between the cameras of the front surface photographing unit based on the result of each camera of the front surface photographing unit photographing the substrate mark, and the relative position between the cameras. The image processing unit calculates the position of the processing substrate by surface imaging using the result of each camera of the surface imaging unit imaging the processing substrate. Then, in this position detection method, the image processing unit calculates the relative position between the cameras of the back surface photographing unit based on the result of each camera of the back surface photographing unit capturing the transmission image of the substrate mark, and And the image processing unit calculates the position of the processing substrate by backside imaging using the relative position of each and the result of each camera of the backside imaging unit imaging the processing substrate.

上記課題を解決するための蒸着装置は、非透過性の基板である処理基板の表面に蒸着を行うための蒸着チャンバーと、前記処理基板の位置を検出する位置検出装置と、を備える。光透過性の基板である校正用基板の表面は、複数の基板マークを備える。そして、前記位置検出装置は、各基板マークに対応付けられたカメラで基板の表面を撮影する表面撮影部と、各基板マークに対応付けられたカメラで基板の裏面を撮影する裏面撮影部と、前記表面撮影部の各カメラが前記基板マークを撮影した結果から、前記表面撮影部のカメラ間の相対位置を算出し、当該カメラ間の相対位置と、前記表面撮影部の各カメラが前記処理基板を撮影した結果とを用い、表面撮影による前記処理基板の位置を算出し、かつ、前記裏面撮影部の各カメラが前記基板マークの透過画像を撮影した結果から、前記裏面撮影部のカメラ間の相対位置を算出し、当該カメラ間の相対位置と、前記裏面撮影部の各カメラが前記処理基板を撮影した結果とを用い、裏面撮影による前記処理基板の位置を算出する画像処理部と、を備える。   A vapor deposition apparatus for solving the above problems includes a vapor deposition chamber for performing vapor deposition on the surface of a processing substrate that is a non-permeable substrate, and a position detection device that detects the position of the processing substrate. The surface of the calibration substrate, which is a light transmissive substrate, includes a plurality of substrate marks. And the said position detection apparatus, the surface imaging | photography part which image | photographs the surface of a board | substrate with the camera matched with each board | substrate mark, the back surface imaging | photography part which image | photographs the back surface of a board | substrate with the camera matched with each board | substrate mark, The relative position between the cameras of the front surface photographing unit is calculated from the result of each camera of the front surface photographing unit photographing the substrate mark, and the relative position between the cameras and each camera of the front surface photographing unit is the processing substrate. Between the cameras of the rear surface photographing unit, based on the result of the front surface photographing and the result of each camera of the rear surface photographing unit photographing the transmission image of the substrate mark. An image processing unit that calculates a relative position, calculates a position of the processing substrate by backside imaging using a relative position between the cameras, and a result of each camera of the backside imaging unit capturing the processing substrate; Provided.

上記各構成によれば、表面撮影部のカメラと、裏面撮影部のカメラとは、これらに共通する基板マークを撮影する。画像処理部は、共通する基板マークを表裏で撮影した結果から、表面撮影部のカメラ間の相対位置と、裏面撮影部のカメラ間の相対位置とを算出する。そして、画像処理部は、表面撮影部が処理基板を撮影した結果と、表面撮影部のカメラ間の相対位置とを用い、表面撮影による処理基板の位置を算出する。また、画像処理部は、裏面撮影部が処理基板を撮影した結果と、裏面撮影部のカメラ間の相対位置とを用い、裏面撮影による処理基板の位置を算出する。これによって、裏面撮影部による処理基板の位置の検出精度を、表面撮影部による処理基板の位置の検出精度にまで、すなわち、基板マークの撮影による検出精度と同じ程度にまで高められる。結果として、裏面の撮影結果のみが得られる処理の環境、例えば、上述した蒸着処理の行われる環境であっても、表面撮影による位置の検出精度と同じ程度に、基板の位置の検出精度を向上させることが可能となる。   According to each said structure, the camera of a surface imaging | photography part and the camera of a back surface imaging | photography part image | photograph the board | substrate mark common to these. The image processing unit calculates a relative position between the cameras of the front surface photographing unit and a relative position between the cameras of the rear surface photographing unit from the result of photographing the common board mark on the front and back sides. Then, the image processing unit calculates the position of the processing substrate by the surface photographing using the result of the surface photographing unit photographing the processing substrate and the relative position between the cameras of the surface photographing unit. In addition, the image processing unit calculates the position of the processing substrate by the rear surface photographing using the result of the rear surface photographing unit photographing the processing substrate and the relative position between the cameras of the rear surface photographing unit. Thereby, the detection accuracy of the position of the processing substrate by the back surface photographing unit is increased to the detection accuracy of the position of the processing substrate by the front surface photographing unit, that is, the same as the detection accuracy by photographing the substrate mark. As a result, the detection accuracy of the position of the substrate is improved to the same extent as the detection accuracy of the position by the front imaging even in the processing environment where only the imaging result of the back surface is obtained, for example, the environment where the above-described vapor deposition processing is performed. It becomes possible to make it.

上記位置検出装置において、前記表面撮影部の撮影する対象は、前記処理基板の表面に位置する基板マークを含み、前記裏面撮影部の撮影する対象は、前記処理基板の裏面に位置する平坦部と、該平坦部につながるベベル部との境界を含み、前記画像処理部は、前記裏面撮影部の各カメラが撮影した前記平坦部と前記ベベル部との境界をこれらのコントラストに基づいて抽出し、該抽出された境界を、前記裏面撮影部の各カメラが前記処理基板を撮影した結果として用いてもよい。   In the position detection device, the object to be imaged by the front surface imaging unit includes a substrate mark located on the surface of the processing substrate, and the object to be imaged by the back surface imaging unit is a flat part positioned on the back surface of the processing substrate. , Including a boundary with the bevel portion connected to the flat portion, the image processing unit extracts the boundary between the flat portion and the bevel portion captured by each camera of the back surface photographing unit based on these contrasts, You may use this extracted boundary as a result of having image | photographed the said process board | substrate with each camera of the said back surface imaging | photography part.

基板の輪郭を定めるベベル部は、通常、基板の厚さ方向に所定の曲率を有した曲面である。ベベル部を撮影した画像では、例えば、基板の輪郭に向けて明度が徐々に低下し、また、ぼけ量も徐々に高くなる。ベベル部を撮影した画像から基板の輪郭を検出する技術では、ぼけ量が高くなることなどに起因して、輪郭の位置に大きな誤差が含まれてしまう。これに対して、ベベル部と平坦部との境界は、基板において面方向が大きく変わる境界であり、例えば、平坦部と対向する方向からの撮影では、その境界が明確に検出される部分でもある。上記位置検出装置であれば、画像処理部は、平坦部とベベル部との境界をコントラストに基づいて抽出し、その抽出された境界から処理基板の位置を得る。そのため、裏面撮影の結果から処理基板の位置を算出する際に、その精度をさらに向上することが可能となる。   The bevel portion that defines the outline of the substrate is usually a curved surface having a predetermined curvature in the thickness direction of the substrate. In an image obtained by photographing the bevel portion, for example, the brightness gradually decreases toward the outline of the substrate, and the blur amount gradually increases. In the technique of detecting the outline of the substrate from the image obtained by photographing the bevel portion, a large error is included in the position of the outline due to an increase in the amount of blur. On the other hand, the boundary between the bevel portion and the flat portion is a boundary where the surface direction changes greatly on the substrate. For example, in photographing from a direction facing the flat portion, the boundary is also a portion where the boundary is clearly detected. . If it is the said position detection apparatus, an image processing part will extract the boundary of a flat part and a bevel part based on contrast, and will obtain the position of a process board | substrate from the extracted boundary. Therefore, it is possible to further improve the accuracy when calculating the position of the processing substrate from the result of the backside imaging.

上記位置検出方法において、前記裏面撮影部の各カメラは、テレセントリック光学系を備え、前記処理基板を収容する筐体の外側から前記処理基板を撮影し、前記校正用基板は、光反射性の各基板マークと、当該基板マークの周囲とを覆う反射防止膜を備えてもよい。   In the position detection method, each camera of the back surface photographing unit includes a telecentric optical system, photographs the processing substrate from the outside of the housing that accommodates the processing substrate, and the calibration substrate includes light-reflective materials. An antireflection film that covers the substrate mark and the periphery of the substrate mark may be provided.

筐体の外側に位置し、かつ、テレセントリック光学系を備えるカメラは、通常、筐体の内側に位置するカメラなどと比べて、校正用基板と対物レンズとの距離、すなわち、カメラの作動距離を大きくする。結果として、こうしたカメラを裏面撮影部が備える構成では、対物面からの光以外の光が、対物レンズに入射しやすくなる。この点、上述した構成であれば、光反射性の各基板マーク、および、その周囲を覆う反射防止膜が、対物面での反射を抑える。そのため、作動距離が大きいカメラであっても、各基板マークを明確に撮影することが可能となる。   Cameras that are located outside the housing and have a telecentric optical system usually have a longer distance between the calibration substrate and the objective lens, that is, the working distance of the camera than a camera located inside the housing. Enlarge. As a result, in the configuration in which the back surface photographing unit includes such a camera, light other than the light from the objective surface easily enters the objective lens. In this regard, with the above-described configuration, each of the light-reflective substrate marks and the antireflection film covering the periphery thereof suppresses reflection on the objective surface. Therefore, even if the camera has a large working distance, each board mark can be clearly photographed.

上記位置検出方法において、前記校正用基板の熱膨張率は、3ppm/℃以下であってもよい。蒸着処理やプラズマ処理などの加熱を含む処理が、処理基板に対して行われる場合、通常、処理基板に対する処理の効率を高める観点から、加熱を行う環境、すなわち、処理基板の処理が行われる環境は、室温よりも高い高温に保たれ続ける。この際、校正用基板の熱膨張率が3ppm/℃以下であれば、校正用基板に生じる熱膨張が十分に小さい範囲に抑えられ、結果として、校正用基板の熱膨張に起因した検出の誤差を低減することが可能ともなる。   In the position detection method, the coefficient of thermal expansion of the calibration substrate may be 3 ppm / ° C. or less. When processing including heating such as vapor deposition processing or plasma processing is performed on a processing substrate, normally, from the viewpoint of increasing the efficiency of processing on the processing substrate, the environment in which heating is performed, that is, the processing substrate processing is performed. Is kept at a higher temperature than room temperature. At this time, if the thermal expansion coefficient of the calibration substrate is 3 ppm / ° C. or less, the thermal expansion occurring in the calibration substrate is suppressed to a sufficiently small range, and as a result, detection errors due to the thermal expansion of the calibration substrate are detected. Can also be reduced.

上記蒸着装置において、2つの前記裏面撮影部と、外部から蒸着装置に基板を搬入する前段モジュールと、前記前段モジュールが搬入した基板の表裏を反転させて前記蒸着チャンバーに基板を搬入する反転チャンバーと、を備え、一方の前記裏面撮影部は、前記表面撮影部と共に前記前段モジュールに搭載され、他方の前記裏面撮影部は、前記蒸着チャンバーに搭載されてもよい。   In the vapor deposition apparatus, the two back surface photographing units, a front module for carrying a substrate into the vapor deposition apparatus from the outside, and a reversing chamber for carrying the substrate into the vapor deposition chamber by reversing the front and back of the substrate loaded by the front module. The one back surface photographing unit may be mounted on the front module together with the front surface photographing unit, and the other back surface photographing unit may be mounted on the vapor deposition chamber.

上記構成によれば、裏面撮影の結果に基づいて、前段モジュールでの処理基板の位置と、蒸着チャンバーでの処理基板の位置との整合が図られる。そのため、蒸着チャンバーにおける処理基板の位置の検出精度を、前段モジュールでの表面撮影の結果、これを用いた検出精度と同じ程度にまで向上させることが可能となる。   According to the said structure, based on the result of back surface photography, matching with the position of the process board | substrate in a front | former stage module and the position of the process board | substrate in a vapor deposition chamber is achieved. Therefore, the detection accuracy of the position of the processing substrate in the vapor deposition chamber can be improved to the same level as the detection accuracy using this as a result of surface imaging in the previous module.

EFEMの構成を示す構成図。The block diagram which shows the structure of EFEM. 各カメラの撮影領域を示す平面図であり、(a)はマークカメラの撮影領域を示し、(b)はロードカメラの撮影領域を示す。It is a top view which shows the imaging region of each camera, (a) shows the imaging region of a mark camera, (b) shows the imaging region of a road camera. 画像処理部が行う校正処理の流れを示すフローチャート。The flowchart which shows the flow of the calibration process which an image process part performs. EFEMの構成を基板と共に示す構成図であり、(a)は基板の平面図と共に構成を示し、(b)は基板の断面図とカメラの撮影領域との相対位置を示す。It is a block diagram which shows the structure of EFEM with a board | substrate, (a) shows a structure with the top view of a board | substrate, (b) shows the relative position of sectional drawing of a board | substrate, and the imaging | photography area | region of a camera. ロードカメラが撮影した画像の一例を示す図。The figure which shows an example of the image which the road camera image | photographed. 蒸着装置の構成を示す構成図。The block diagram which shows the structure of a vapor deposition apparatus. 蒸着チャンバーの構成を示すブロック図。The block diagram which shows the structure of a vapor deposition chamber. 蒸着カメラの撮影領域とともに示す基板の平面図。The top view of the board | substrate shown with the imaging | photography area | region of a vapor deposition camera. 制御装置が行う校正処理の流れを示すフローチャート。The flowchart which shows the flow of the calibration process which a control apparatus performs. 蒸着装置が行う各種の処理を説明するためのブロック図。The block diagram for demonstrating the various processes which a vapor deposition apparatus performs.

位置検出装置、位置検出方法、および、蒸着装置の一実施形態を説明する。
[EFEM]
図1および図2を参照して、前段モジュールの一例であるEFEM(Equipment Front End Module)10の構成を説明する。以下では、EFEM10の構成のなかで、表面撮影部および裏面撮影部の構成を主に説明する。
An embodiment of a position detection device, a position detection method, and a vapor deposition apparatus will be described.
[EFEM]
A configuration of an EFEM (Equipment Front End Module) 10 that is an example of a front-stage module will be described with reference to FIGS. 1 and 2. Below, the structure of a front surface imaging | photography part and a back surface imaging | photography part is mainly demonstrated among the structures of EFEM10.

図1が示すように、EFEM10は、ステージ10S、表面撮影部を構成する複数のマークカメラ11、および、裏面撮影部を構成する複数のロードカメラ12を備える。複数のロードカメラ12は、例えば、基板を収容する筐体13の外側に位置する。以下では、EFEM10が、3台のマークカメラ11と、3台のロードカメラ12とを備える例を説明する。   As shown in FIG. 1, the EFEM 10 includes a stage 10 </ b> S, a plurality of mark cameras 11 constituting a front surface photographing unit, and a plurality of road cameras 12 constituting a back surface photographing unit. The plurality of road cameras 12 are located, for example, outside the housing 13 that accommodates the substrate. Hereinafter, an example in which the EFEM 10 includes three mark cameras 11 and three road cameras 12 will be described.

ステージ10Sは、ストッカーに収容された処理前の基板を1枚ずつ支持する。ステージ10Sの支持する基板は、非透過性の処理基板Wと、光透過性の校正用基板W0とを含む。処理基板Wは、例えば、光反射性の薄膜に覆われたガラス基板や、基板そのものが非透過性を有するシリコン基板である。校正用基板W0は、例えば、石英基板やアルミナ基板である。処理基板Wおよび校正用基板W0は、それぞれ表面WFと裏面WRとを含む。校正用基板W0の有する熱膨張率は、高温下での熱膨張が抑えられる観点において、3ppm/℃以下であることが好ましい。   The stage 10S supports the unprocessed substrates accommodated in the stocker one by one. The substrate supported by the stage 10S includes a non-transparent processing substrate W and a light-transmissive calibration substrate W0. The processing substrate W is, for example, a glass substrate covered with a light reflective thin film or a silicon substrate in which the substrate itself is non-transmissive. The calibration substrate W0 is, for example, a quartz substrate or an alumina substrate. The processing substrate W and the calibration substrate W0 each include a front surface WF and a back surface WR. The thermal expansion coefficient of the calibration substrate W0 is preferably 3 ppm / ° C. or less from the viewpoint of suppressing thermal expansion at high temperatures.

EFEM10は、表面WFを上方に向けて基板を配置する。表面WFは、3個の基板マークWmを有する。基板マークWmは、例えば、表面WFのなかで高い光反射性を有した薄膜のパターン、あるいは、表面WFのなかで高い光吸収性を有した薄膜のパターンである。基板マークWmは、表面WFと対向する平面視において、例えば、矩形状や十字状などを有する。処理基板Wの基板マークWmは、表面WFの特定位置と、蒸着マスクの開口とを合わせるために用いられる。校正用基板W0の基板マークWmは、3台のマークカメラ11間の相対位置を算出するために用いられる。校正用基板W0の基板マークWmは、3台のロードカメラ12間の相対位置を算出するために用いられる。   The EFEM 10 arranges the substrate with the surface WF facing upward. The front surface WF has three substrate marks Wm. The substrate mark Wm is, for example, a thin film pattern having high light reflectivity in the surface WF, or a thin film pattern having high light absorption in the surface WF. The substrate mark Wm has, for example, a rectangular shape or a cross shape in a plan view facing the surface WF. The substrate mark Wm of the processing substrate W is used to match the specific position of the surface WF with the opening of the vapor deposition mask. The substrate mark Wm of the calibration substrate W0 is used to calculate the relative position between the three mark cameras 11. The substrate mark Wm of the calibration substrate W0 is used to calculate the relative position between the three load cameras 12.

各マークカメラ11は、例えば、CCDカメラであり、各基板マークWmに1台ずつ対応づけられる。各マークカメラ11は、ステージ10Sに支持される基板W,W0よりも上方(表側)に位置する。1台のマークカメラ11の光軸1Aの位置は、他のマークカメラ11の光軸1Aの位置に対して固定されている。各マークカメラ11は、基板W,W0の表面WFと対向し、別々の基板マークWmを撮影する(表面撮影する)。   Each mark camera 11 is a CCD camera, for example, and is associated with each substrate mark Wm one by one. Each mark camera 11 is located above (front side) the substrates W and W0 supported by the stage 10S. The position of the optical axis 1A of one mark camera 11 is fixed with respect to the position of the optical axis 1A of the other mark camera 11. Each mark camera 11 opposes the surface WF of the substrates W and W0 and images different substrate marks Wm (surface imaging).

各マークカメラ11の撮影した画像は、表面画像IM1である。画像処理部20は、校正用基板W0の表面画像IM1を校正処理に用いる。また、画像処理部20は、処理基板Wの表面画像IM1を表面位置の特定処理に用いる。   An image captured by each mark camera 11 is a surface image IM1. The image processing unit 20 uses the surface image IM1 of the calibration substrate W0 for calibration processing. Further, the image processing unit 20 uses the surface image IM1 of the processing substrate W for the surface position specifying process.

各ロードカメラ12は、例えば、CCDカメラであり、各基板マークWmに1台ずつ対応づけられる。各ロードカメラ12は、ステージ10Sに支持される基板W,W0よりも下方(裏側)に位置する。1台のロードカメラ12の光軸2Aの位置は、他のロードカメラ12の光軸2Aの位置に対して固定されている。各ロードカメラ12は、基板W,W0の裏面WRと対向し、別々の部分を撮影する(裏面撮影する)。   Each road camera 12 is a CCD camera, for example, and is associated with each substrate mark Wm one by one. Each road camera 12 is located below (back side) the substrates W and W0 supported by the stage 10S. The position of the optical axis 2 </ b> A of one road camera 12 is fixed with respect to the position of the optical axis 2 </ b> A of another road camera 12. Each road camera 12 opposes the back surface WR of the substrates W and W0, and shoots a separate part (back surface shooting).

各ロードカメラ12の撮影した画像は、第1裏面画像IM2である。校正用基板W0の第1裏面画像IM2は、校正用基板W0を通した基板マークWmの画像である透過画像を含む。画像処理部20は、校正用基板W0の第1裏面画像IM2を校正処理に用いる。処理基板Wの第1裏面画像IM2は、処理基板Wの外周部Wpを含む。画像処理部20は、処理基板Wの第1裏面画像IM2を裏面位置の特定処理に用いる。   The image captured by each road camera 12 is a first back image IM2. The first back image IM2 of the calibration substrate W0 includes a transmission image that is an image of the substrate mark Wm that has passed through the calibration substrate W0. The image processing unit 20 uses the first back image IM2 of the calibration substrate W0 for calibration processing. The first back image IM2 of the processing substrate W includes the outer peripheral portion Wp of the processing substrate W. The image processing unit 20 uses the first back surface image IM2 of the processing substrate W for back surface position specifying processing.

図2(a)を参照して、マークカメラ11の撮影する領域を説明し、図2(b)を参照して、ロードカメラ12の撮影する領域を説明する。図2(a)(b)は、各基板W,W0の表面WFと対向する平面視での基板の平面構造と、各カメラ11,12の撮影する領域とを示す。なお、処理基板Wと校正用基板W0とでは、形状、大きさ、基板マークの配列が共通しているため、図2(a)(b)では、説明の便宜上、円板状の校正用基板W0を例示し、また、各マークカメラ11が撮影する領域と、各ロードカメラ12が撮影する領域とを、校正用基板W0に重ねて示す。   With reference to FIG. 2 (a), the area | region which the mark camera 11 image | photographs is demonstrated, and the area | region which the road camera 12 image | photographs is demonstrated with reference to FIG.2 (b). FIGS. 2A and 2B show the planar structure of the substrate in plan view facing the surface WF of each of the substrates W and W0, and the areas to be photographed by the cameras 11 and 12, respectively. Since the processing substrate W and the calibration substrate W0 share the same shape, size, and arrangement of substrate marks, in FIGS. 2A and 2B, a disk-shaped calibration substrate is used for convenience of explanation. W0 is exemplified, and an area photographed by each mark camera 11 and an area photographed by each road camera 12 are shown superimposed on the calibration substrate W0.

図2(a)が示すように、ステージ10Sに校正用基板W0を載置するロボットは、仮想的な配置領域WA(図2(a)における二点鎖線の大円)を定める。配置領域WAは、校正用基板W0を配置するべき目標の領域である。ステージ10Sに校正用基板W0を載置するロボットは、配置領域WAと、校正用基板W0の輪郭E(図2(a)の実線)とがほぼ一致するように、校正用基板W0を配置する。   As shown in FIG. 2A, the robot placing the calibration substrate W0 on the stage 10S defines a virtual placement area WA (a great circle of a two-dot chain line in FIG. 2A). The placement area WA is a target area where the calibration substrate W0 is to be placed. The robot placing the calibration substrate W0 on the stage 10S places the calibration substrate W0 so that the placement area WA and the outline E (solid line in FIG. 2A) of the calibration substrate W0 substantially coincide. .

校正用基板W0の表面WFは、3個の基板マークWmを備える。3個の基板マークWmは、校正用基板W0の周方向に並び、校正用基板W0の外周部Wpよりも基板の中心寄りに位置している。なお、処理基板Wの表面WFもまた同様に、3個の基板マークWmを備える。   The surface WF of the calibration substrate W0 includes three substrate marks Wm. The three substrate marks Wm are arranged in the circumferential direction of the calibration substrate W0 and are located closer to the center of the substrate than the outer peripheral portion Wp of the calibration substrate W0. Similarly, the surface WF of the processing substrate W includes three substrate marks Wm.

各マークカメラ11は、画像を撮影する領域を、撮影領域1Z(図2(a)における二点鎖線の小円)として定める。各撮影領域1Zは、配置領域WAの周方向にほぼ等配されている。マークカメラ11の光軸1Aは、撮影領域1Zの中心に位置する。各撮影領域1Zは、基板マークWmを1個ずつ含む。なお、基板W,W0の搬送において、搬送後の位置と、その目標位置との差異は、搬送精度であり、基板W,W0の搬送精度は、所定の範囲内に設定されている。マークカメラ11の撮影領域1Zは、こうした搬送精度の範囲よりも十分に大きい。   Each mark camera 11 defines an area in which an image is to be captured as an imaging area 1Z (a two-dot chain small circle in FIG. 2A). The photographing areas 1Z are substantially equally arranged in the circumferential direction of the arrangement area WA. The optical axis 1A of the mark camera 11 is located at the center of the imaging region 1Z. Each imaging region 1Z includes one substrate mark Wm. In the transport of the substrates W and W0, the difference between the post-transport position and the target position is the transport accuracy, and the transport accuracy of the substrates W and W0 is set within a predetermined range. The shooting area 1Z of the mark camera 11 is sufficiently larger than the range of such conveyance accuracy.

各ロードカメラ12は、画像を撮影する領域を、撮影領域2Z(図2(b)における二点鎖線の小円)として定める。各撮影領域2Zは、配置領域WAの周方向にほぼ等配されている。ロードカメラ12の光軸2Aは、撮影領域2Zの中心に位置する。各撮影領域2Zは、別々の基板マークWmの透過画像(図2(b)における破線の矩形)を1個ずつ含む。また、各撮影領域2Zは、外周部Wpにおける平坦部Wp1とベベル部Wp2との境界を含む。   Each road camera 12 defines a region for capturing an image as a capturing region 2Z (a small circle of a two-dot chain line in FIG. 2B). The photographing areas 2Z are substantially equally arranged in the circumferential direction of the arrangement area WA. The optical axis 2A of the road camera 12 is located at the center of the imaging region 2Z. Each imaging region 2Z includes one transmission image (a broken-line rectangle in FIG. 2B) of a separate substrate mark Wm. Each imaging region 2Z includes a boundary between the flat portion Wp1 and the bevel portion Wp2 in the outer peripheral portion Wp.

上述したように、EFEM10には位置検出装置が搭載され、位置検出装置は、表面撮影部を校正する複数のマークカメラ11、裏面撮像部を校正する複数のロードカメラ12、および、画像処理部20を含む。   As described above, the EFEM 10 is equipped with a position detection device, and the position detection device includes a plurality of mark cameras 11 that calibrate the front surface imaging unit, a plurality of road cameras 12 that calibrate the back surface imaging unit, and the image processing unit 20. including.

[校正処理:EFEM10]
画像処理部20は、中央演算処理装置、および、メモリを備えて、校正処理、表面位置の特定処理、裏面位置の特定処理を全てソフトウェアで処理するものに限らない。例えば、画像処理部20は、各種処理のうちの少なくとも一部の処理を実行する専用のハードウェア(特定用途向け集積回路:ASIC)を備えてもよい。つまり画像処理部20は、1)ASICなどの1つ以上の専用のハードウェア回路、2)コンピュータプログラム(ソフトウェア)に従って動作する1つ以上のプロセッサ(マイクロコンピュータ)、あるいは、3)それらの組み合わせ、を含む回路として構成される。画像処理部20は、3つの基板マークWmの位置を、相対座標系の座標である相対座標として記憶している。
[Calibration processing: EFEM10]
The image processing unit 20 includes a central processing unit and a memory, and is not limited to the one that performs all of the calibration process, the front surface position specifying process, and the back surface position specifying process by software. For example, the image processing unit 20 may include dedicated hardware (an application specific integrated circuit: ASIC) that executes at least a part of various processes. That is, the image processing unit 20 includes 1) one or more dedicated hardware circuits such as an ASIC, 2) one or more processors (microcomputers) that operate according to a computer program (software), or 3) a combination thereof. It is comprised as a circuit containing. The image processing unit 20 stores the positions of the three substrate marks Wm as relative coordinates that are coordinates in the relative coordinate system.

図3が示すように、画像処理部20は、校正処理において、校正用基板W0の表面画像IM1に対する画像解析を行う(ステップS11)。すなわち、画像処理部20は、基板マークWmを検出するためのエッジ検出などを表面画像IM1に施し、マークカメラ11のカメラ座標系において、光軸1Aに対する基板マークWmの相対位置を算出する。なお、画像処理部20は、カメラ座標系における光軸1Aの位置を、例えば、表面画像IM1の中心とする。   As shown in FIG. 3, the image processing unit 20 performs image analysis on the surface image IM1 of the calibration substrate W0 in the calibration process (step S11). That is, the image processing unit 20 performs edge detection or the like for detecting the substrate mark Wm on the surface image IM1, and calculates the relative position of the substrate mark Wm with respect to the optical axis 1A in the camera coordinate system of the mark camera 11. Note that the image processing unit 20 sets the position of the optical axis 1A in the camera coordinate system as the center of the surface image IM1, for example.

次いで、画像処理部20は、校正用基板W0の第1裏面画像IM2に対する画像解析を行う(ステップS12)。すなわち、画像処理部20は、エッジ検出などを第1裏面画像IM2に施し、ロードカメラ12のカメラ座標系において、光軸2Aに対する基板マークWmの相対位置を算出する。なお、画像処理部20は、カメラ座標系での光軸2Aの位置を、例えば、第1裏面画像IM2の中心とする。   Next, the image processing unit 20 performs image analysis on the first back surface image IM2 of the calibration substrate W0 (step S12). That is, the image processing unit 20 performs edge detection and the like on the first back image IM2, and calculates the relative position of the substrate mark Wm with respect to the optical axis 2A in the camera coordinate system of the road camera 12. Note that the image processing unit 20 sets the position of the optical axis 2A in the camera coordinate system as the center of the first back image IM2, for example.

次いで、画像処理部20は、マークカメラ11のカメラ座標系での基板マークWmの位置、および、その基板マークWmの相対座標を用い、上記相対座標系において、マークカメラ11の光軸位置を算出する。また、画像処理部20は、ロードカメラ12のカメラ座標系での基板マークWmの位置、および、その基板マークWmの相対座標を用い、ロードカメラ12の光軸位置を、上記相対座標系で算出する(ステップS13)。すなわち、画像処理部20は、3つのマークカメラ11の光軸1A間における相対位置、および、3つのロードカメラ12の光軸2A間における相対位置を算出する。画像処理部20は、カメラ間の相対位置の一例として、各マークカメラ11の光軸位置、および、各ロードカメラ12の光軸位置を記憶する。画像処理部20は、校正処理を行う都度、各マークカメラ11の光軸位置、および、各ロードカメラ12の光軸位置を更新する。   Next, the image processing unit 20 calculates the optical axis position of the mark camera 11 in the relative coordinate system using the position of the substrate mark Wm in the camera coordinate system of the mark camera 11 and the relative coordinates of the substrate mark Wm. To do. The image processing unit 20 calculates the optical axis position of the road camera 12 in the relative coordinate system using the position of the board mark Wm in the camera coordinate system of the road camera 12 and the relative coordinates of the board mark Wm. (Step S13). That is, the image processing unit 20 calculates a relative position between the optical axes 1A of the three mark cameras 11 and a relative position between the optical axes 2A of the three road cameras 12. The image processing unit 20 stores the optical axis position of each mark camera 11 and the optical axis position of each road camera 12 as an example of a relative position between the cameras. The image processing unit 20 updates the optical axis position of each mark camera 11 and the optical axis position of each road camera 12 each time calibration processing is performed.

このように、表面撮影部でのカメラ間の相対位置と、裏面撮影部でのカメラ間の相対位置とが、共通する基板マークWmの撮影によって算出される。一方、これら表面撮影部でのカメラ間の相対位置と、裏面撮影部でのカメラ間の相対位置とは、以下の形態でも得られる。すなわち、各マークカメラ11が、第1の校正用基板の基板マークWmを撮影し、各ロードカメラ12が、第2の校正用基板の基板マークWmを撮影し、これらの撮影結果から、各別の相対位置を算出することも可能ではある。但し、各別の校正用基板を撮影する形態では、校正用基板間での基板マークWmの位置の誤差や、校正用基板間での搬送誤差などが、表裏の撮影結果に各別に含まれてしまう。この点、共通する基板マークWmを表裏で一度に撮影する形態であれば、表面撮影部でのカメラ間の相対位置と、裏面撮影部でのカメラ間の相対位置とに、上述した誤差が含まれることが抑えられる。   As described above, the relative position between the cameras in the front surface photographing unit and the relative position between the cameras in the back surface photographing unit are calculated by photographing the common substrate mark Wm. On the other hand, the relative position between the cameras in the front surface photographing unit and the relative position between the cameras in the back surface photographing unit can also be obtained in the following forms. That is, each mark camera 11 photographs the substrate mark Wm of the first calibration substrate, and each load camera 12 photographs the substrate mark Wm of the second calibration substrate. It is also possible to calculate the relative position of. However, in the case of photographing each calibration board, the position error of the substrate mark Wm between the calibration boards and the transport error between the calibration boards are included in the front and back photographing results. End up. In this regard, if the common substrate mark Wm is photographed at the same time on the front and back, the above-described error is included in the relative position between the cameras in the front surface photographing unit and the relative position between the cameras in the rear surface photographing unit. Is suppressed.

[表面位置の特定処理:EFEM10]
画像処理部20は、表面位置の特定処理において、処理基板Wの各表面画像IM1を用い、パターン中心の位置を算出する。すなわち、画像処理部20は、エッジ検出などを各表面画像IM1に施し、マークカメラ11のカメラ座標系において、基板マークWmの位置を算出する。次いで、画像処理部20は、上記各マークカメラ11の光軸位置と、カメラ座標系での基板マークWmの位置とから、基板マークWm間の相対位置を算出する。そして、画像処理部20は、パターン中心を中心とする仮想円が、各基板マークWmの相対位置を通るように、上記相対座標系において、パターン中心の位置を算出する。
[Specification of surface position: EFEM10]
The image processing unit 20 calculates the position of the pattern center using each surface image IM1 of the processing substrate W in the surface position specifying process. That is, the image processing unit 20 performs edge detection and the like on each surface image IM1, and calculates the position of the substrate mark Wm in the camera coordinate system of the mark camera 11. Next, the image processing unit 20 calculates the relative position between the substrate marks Wm from the optical axis position of each mark camera 11 and the position of the substrate mark Wm in the camera coordinate system. Then, the image processing unit 20 calculates the position of the pattern center in the relative coordinate system so that the virtual circle centered on the pattern center passes through the relative position of each substrate mark Wm.

[裏面位置の特定処理:EFEM10]
次に、処理基板Wを用いた裏面位置の特定処理を説明する。図4(a)は、裏面WRと対向する方向から見た処理基板Wの平面図であり、図4(b)は、平坦部Wp1とベベル部Wp2との境界と、光軸2Aとの相対位置を示す図である。なお、図4(a)(b)では、平坦部Wp1とベベル部Wp2との境界を説明する便宜上、3台のロードカメラ12のなかの1台のみを図示する。
[Back surface position specifying process: EFEM10]
Next, the back surface position specifying process using the processing substrate W will be described. 4A is a plan view of the processing substrate W viewed from the direction facing the back surface WR, and FIG. 4B is a diagram illustrating the relative relationship between the boundary between the flat portion Wp1 and the bevel portion Wp2 and the optical axis 2A. It is a figure which shows a position. In FIGS. 4A and 4B, only one of the three road cameras 12 is shown for convenience of explaining the boundary between the flat portion Wp1 and the bevel portion Wp2.

図4が示すように、処理基板Wの外周部Wpは、平坦部Wp1とベベル部Wp2とを備える。平坦部Wp1は、処理基板Wの側面に沿う平面に沿って広がる平坦状の部分である。各ベベル部Wp2は、処理基板Wの厚さ方向に沿う断面(図4(b)参照)において、曲率中心がベベル部Wp2に対して処理基板Wの中心側に位置する曲率を有する。   As shown in FIG. 4, the outer peripheral portion Wp of the processing substrate W includes a flat portion Wp1 and a bevel portion Wp2. The flat portion Wp1 is a flat portion that extends along a plane along the side surface of the processing substrate W. Each bevel portion Wp2 has a curvature in which the center of curvature is located on the center side of the processing substrate W with respect to the bevel portion Wp2 in a cross section (see FIG. 4B) along the thickness direction of the processing substrate W.

ロードカメラ12の撮影領域2Zは、平坦部Wp1の一部と、その一部につながるベベル部Wp2とを含む。ロードカメラ12の光軸2Aは、例えば、平坦部Wp1とベベル部Wp2との境界の近傍に位置する。外周部Wpに照射される光は、処理基板Wに対するロードカメラ12側(裏面側)から、ロードカメラ12の光軸2Aに沿って進行する平行光でもよいし、ロードカメラ12の光軸2Aとは異なる方向に進行する平行光であってもよい。外周部Wpに照射される光の光軸と、ロードカメラ12の光軸2Aとが一致するテレセントリック光学系をロードカメラ12が備える場合、ロードカメラ12は、例えば、テレセントリック光学系を用い、外周部Wpに光を照射する。処理基板Wの外周部Wpに照射される光の光軸と、ロードカメラ12の光軸2Aとが異なる場合、外周部Wpに光を照射する照射部は、ロードカメラ12とは別体であり、処理基板Wに対して、ロードカメラ12と同じ側に位置する。   The shooting area 2Z of the road camera 12 includes a part of the flat part Wp1 and a bevel part Wp2 connected to the part. The optical axis 2A of the road camera 12 is located, for example, near the boundary between the flat portion Wp1 and the bevel portion Wp2. The light irradiated to the outer peripheral portion Wp may be parallel light traveling along the optical axis 2A of the road camera 12 from the road camera 12 side (back side) with respect to the processing substrate W, or the optical axis 2A of the road camera 12 and May be parallel light traveling in different directions. When the road camera 12 includes a telecentric optical system in which the optical axis of the light applied to the outer peripheral portion Wp and the optical axis 2A of the road camera 12 coincide, the road camera 12 uses a telecentric optical system, for example. Wp is irradiated with light. When the optical axis of the light irradiated to the outer peripheral portion Wp of the processing substrate W is different from the optical axis 2A of the road camera 12, the irradiation portion that irradiates the outer peripheral portion Wp is separate from the road camera 12. It is located on the same side as the load camera 12 with respect to the processing substrate W.

ロードカメラ12は、撮影領域2Zから反射される光による画像を形成する。ロードカメラ12の撮影する第1裏面画像IM2は、平坦部Wp1で反射された光による第1像IM21と、その平坦部Wp1につながるベベル部Wp2で反射された光による第2像IM22とを含む。   The road camera 12 forms an image by light reflected from the imaging region 2Z. The first back image IM2 captured by the road camera 12 includes a first image IM21 by light reflected by the flat portion Wp1 and a second image IM22 by light reflected by the bevel portion Wp2 connected to the flat portion Wp1. .

例えば、裏面WRと直交する方向に沿って裏面WRに平行光が照射されるとき、平坦部Wp1に入射する光の入射角はほぼ0°であり、平坦部Wp1から射出される正反射光の反射角もほぼ0°である。そのため、裏面WRと直交する光軸を有したロードカメラ12は、非常に高い明度で第1像IM21を生成する。これに対して、ベベル部Wp2は曲面であるため、ベベル部Wp2に入射した光の入射角は、0°から処理基板Wの輪郭Eに向けて連続的に変わり、ベベル部Wp2から射出される正反射光の反射角は、0°よりもさらに大きく変わる。そのため、裏面WRと直交する光軸を有したロードカメラ12は、第1像IM21と比べて非常に低い明度で第2像IM22を生成する。結果として、第1裏面画像IM2では、第1像IM21と第2像IM22との間で、コントラストに大きな差異が生じる。   For example, when parallel light is irradiated onto the back surface WR along the direction orthogonal to the back surface WR, the incident angle of the light incident on the flat portion Wp1 is approximately 0 °, and the regularly reflected light emitted from the flat portion Wp1 The reflection angle is also almost 0 °. Therefore, the road camera 12 having the optical axis orthogonal to the back surface WR generates the first image IM21 with very high brightness. On the other hand, since the bevel portion Wp2 is a curved surface, the incident angle of light incident on the bevel portion Wp2 continuously changes from 0 ° toward the contour E of the processing substrate W, and is emitted from the bevel portion Wp2. The reflection angle of specularly reflected light varies much more than 0 °. Therefore, the road camera 12 having an optical axis orthogonal to the back surface WR generates the second image IM22 with very low brightness compared to the first image IM21. As a result, in the first back image IM2, there is a large difference in contrast between the first image IM21 and the second image IM22.

画像処理部20は、第1裏面画像IM2に対して、コントラストに基づくエッジ検出を行い、第1像IM21と第2像IM22との境界を抽出する。そして、画像処理部20は、抽出された第1像IM21と第2像IM22との境界、すなわち、平坦部Wp1とベベル部Wp2との境界を、処理基板Wの外形の一部(境界部分)として特定する。画像処理部20は、第1像IM21と第2像IM22との境界の位置を相対座標系で算出し、それによって、処理基板Wの外形を特定する。   The image processing unit 20 performs edge detection based on contrast for the first back surface image IM2, and extracts a boundary between the first image IM21 and the second image IM22. Then, the image processing unit 20 defines a boundary between the extracted first image IM21 and the second image IM22, that is, a boundary between the flat portion Wp1 and the bevel portion Wp2, and a part of the outer shape (boundary portion) of the processing substrate W. As specified. The image processing unit 20 calculates the position of the boundary between the first image IM21 and the second image IM22 in the relative coordinate system, and thereby specifies the outer shape of the processing substrate W.

図5は、ロードカメラ12が撮影した画像の一例である。
図5が示すように、第1裏面画像IM2は、処理基板Wの像IMWと、処理基板Wの背景像IMBとを含む。処理基板Wの像IMWのなかで、相対的に明度の高い部分が、平坦部Wp1の像、すなわち、第1像IM21である。これに対して、処理基板Wの像IMWのなかで、相対的に明度の低い部分が、ベベル部Wp2の像、すなわち、第2像IM22である。処理基板Wの背景像IMBにおける明度は、第1像IM21の明度よりも低く、かつ、第2像IM22の明度よりも高い。
FIG. 5 is an example of an image captured by the road camera 12.
As shown in FIG. 5, the first back image IM2 includes an image IMW of the processing substrate W and a background image IMB of the processing substrate W. In the image IMW of the processing substrate W, the portion having relatively high brightness is the image of the flat portion Wp1, that is, the first image IM21. On the other hand, in the image IMW of the processing substrate W, the portion having a relatively low brightness is the image of the bevel portion Wp2, that is, the second image IM22. The brightness of the background image IMB of the processing substrate W is lower than the brightness of the first image IM21 and higher than the brightness of the second image IM22.

ここで、処理基板Wの輪郭Eとは、処理基板Wにおいて最も外側に位置する点を結んだ外形線であり、ベベル部Wp2の外形線でもある。上述したように、このベベル部Wp2は、通常、所定の曲率を有した曲面で構成される。ベベル部Wp2の曲面は、処理基板Wの輪郭Eに向けて、処理基板Wの像IMWの明度を徐々に低くし、ベベル部Wp2の像である第2像IM22と、処理基板Wの背景像IMBとの境界を、不明りょうとする。そして、第2像IM22と背景像IMBとの境界から処理基板Wの輪郭Eを検出する際には、その位置の精度に大きな誤差を生じさせてしまう。特に、処理基板Wの位置に数μmの精度が求められる検出では、上述した境界での不明りょうさが非常に大きな誤差となる。   Here, the outline E of the processing substrate W is an outline connecting the points located on the outermost side of the processing substrate W, and is also an outline of the bevel portion Wp2. As described above, the bevel portion Wp2 is generally configured by a curved surface having a predetermined curvature. The curved surface of the bevel portion Wp2 gradually decreases the brightness of the image IMW of the processing substrate W toward the contour E of the processing substrate W, the second image IM22 that is an image of the bevel portion Wp2, and the background image of the processing substrate W. The boundary with the IMB is unclear. When detecting the contour E of the processing substrate W from the boundary between the second image IM22 and the background image IMB, a large error is caused in the accuracy of the position. In particular, in the detection where accuracy of several μm is required at the position of the processing substrate W, the above-described unknown uncertainty at the boundary is a very large error.

これに対して、ベベル部Wp2と平坦部Wp1との境界は、処理基板Wにおいて面方向が変わる境界であり、例えば、平坦部Wp1と対向する方向からの撮影では、それが明確に検出される境界でもある。それゆえに、第1像IM21と第2像IM22との境界が、処理基板Wの外形として特定される上記構成であれば、その外形を用いた処理基板Wの位置の検出において、検出の精度を向上することが可能となる。   On the other hand, the boundary between the bevel portion Wp2 and the flat portion Wp1 is a boundary where the surface direction changes in the processing substrate W. For example, when photographing from the direction facing the flat portion Wp1, it is clearly detected. It is also a boundary. Therefore, if the boundary between the first image IM21 and the second image IM22 is the above-described configuration specified as the outer shape of the processing substrate W, the detection accuracy can be improved in the detection of the position of the processing substrate W using the outer shape. It becomes possible to improve.

画像処理部20は、裏面位置の特定処理において、処理基板Wの各第1裏面画像IM2を用い、第1裏面中心の位置を算出する。すなわち、画像処理部20は、エッジ検出などを各第1裏面画像IM2に施し、ロードカメラ12のカメラ座標系において、平坦部Wp1とベベル部Wp2との境界部分の位置を算出する。次いで、画像処理部20は、各ロードカメラ12の光軸位置と、カメラ座標系での境界部分の位置とから、境界部分間の相対位置を算出する。そして、画像処理部20は、第1裏面中心を中心とする仮想円が、各境界部分を通るように、上記相対座標系において、第1裏面中心の位置を算出する。   The image processing unit 20 calculates the position of the center of the first back surface using each first back image IM2 of the processing substrate W in the back surface position specifying process. That is, the image processing unit 20 performs edge detection and the like on each first back image IM2, and calculates the position of the boundary portion between the flat portion Wp1 and the bevel portion Wp2 in the camera coordinate system of the road camera 12. Next, the image processing unit 20 calculates a relative position between the boundary portions from the optical axis position of each road camera 12 and the position of the boundary portion in the camera coordinate system. Then, the image processing unit 20 calculates the position of the first back surface center in the relative coordinate system so that a virtual circle centered on the first back surface center passes through each boundary portion.

[蒸着装置]
図6を参照して、上記EFEM10を搭載した蒸着装置30を説明する。なお、蒸着装置30は、EFEM10と蒸着チャンバー34とを備えていればよい。
図6が示すように、蒸着装置30は、搬送チャンバー31を備え、搬送チャンバー31には、ゲートバルブを介して搬出入チャンバー32が接続されている。搬送チャンバー31は、基板W,W0を搬送する搬送ロボットを備える。搬出入チャンバー32は、搬送チャンバー31の外部から搬送チャンバー31に基板W,W0を搬入し、かつ、搬送チャンバー31から搬送チャンバー31の外部に基板W,W0を搬出する。搬出入チャンバー32には、ゲートバルブを介してEFEM10が接続されている。EFEM10は、搬出入チャンバー32に校正用基板W0を搬送し、かつ、搬出入チャンバー32から校正用基板W0を搬入する。EFEM10は、搬出入チャンバー32に成膜前の処理基板Wを搬送し、かつ、搬出入チャンバー32から成膜後の処理基板Wを搬入する。
[Vapor deposition equipment]
With reference to FIG. 6, the vapor deposition apparatus 30 carrying the said EFEM10 is demonstrated. The vapor deposition apparatus 30 only needs to include the EFEM 10 and the vapor deposition chamber 34.
As FIG. 6 shows, the vapor deposition apparatus 30 is provided with the conveyance chamber 31, and the conveyance chamber 31 is connected to the conveyance chamber 31 via the gate valve. The transfer chamber 31 includes a transfer robot that transfers the substrates W and W0. The carry-in / out chamber 32 carries the substrates W and W0 into the transfer chamber 31 from the outside of the transfer chamber 31, and carries the substrates W and W0 out of the transfer chamber 31 from the transfer chamber 31. The EFEM 10 is connected to the carry-in / out chamber 32 through a gate valve. The EFEM 10 transports the calibration substrate W0 to the carry-in / out chamber 32 and carries the calibration substrate W0 from the carry-in / out chamber 32. The EFEM 10 transports the processing substrate W before film formation to the carry-in / out chamber 32, and carries in the processing substrate W after film formation from the carry-in / out chamber 32.

搬送チャンバー31には、2つの蒸着チャンバー34、反転チャンバー35、および、スパッタチャンバー36が接続されている。各チャンバーは、ゲートバルブを介して搬送チャンバー31に接続されている。蒸着チャンバー34は、真空蒸着法によって処理基板Wに所定の薄膜を形成する。反転チャンバー35は、反転チャンバー35に搬入された処理基板Wを反転させる。反転チャンバー35での反転は、鉛直方向における処理基板Wの表面WFと裏面WRとの位置を、処理基板Wが反転チャンバー35に搬入されたときと、反転チャンバー35から搬出されるときとの間において、反対にすることである。スパッタチャンバー36は、スパッタ法によって処理基板Wに所定の薄膜を形成する。   Two vapor deposition chambers 34, an inversion chamber 35, and a sputtering chamber 36 are connected to the transfer chamber 31. Each chamber is connected to the transfer chamber 31 via a gate valve. The deposition chamber 34 forms a predetermined thin film on the processing substrate W by a vacuum deposition method. The inversion chamber 35 inverts the processing substrate W carried into the inversion chamber 35. The reversal in the reversing chamber 35 is performed when the position of the front surface WF and the back surface WR of the processing substrate W in the vertical direction is between when the processing substrate W is loaded into the reversing chamber 35 and when it is unloaded from the reversing chamber 35. In the opposite. The sputtering chamber 36 forms a predetermined thin film on the processing substrate W by a sputtering method.

蒸着装置30は、制御装置30Cを備え、制御装置30Cは、上述した画像処理部20を含み、蒸着装置30が備える各チャンバー31,32,34,35,36の駆動を制御する。制御装置30Cは、例えば、搬送ロボットの駆動を制御して、搬送チャンバー31に接続された1つのチャンバーから他のチャンバーに、搬送チャンバー31を介して搬送ロボットに処理基板Wを搬送させる。制御装置30Cは、例えば、各蒸着チャンバー34における成膜処理、および、スパッタチャンバー36における成膜処理に関わる機構の駆動を制御することによって、各蒸着チャンバー34、および、スパッタチャンバー36に所定の薄膜を形成させる。   The vapor deposition apparatus 30 includes a control device 30C. The control device 30C includes the image processing unit 20 described above, and controls driving of the chambers 31, 32, 34, 35, and 36 included in the vapor deposition apparatus 30. For example, the control device 30C controls the drive of the transfer robot, and causes the transfer robot to transfer the processing substrate W from one chamber connected to the transfer chamber 31 to the other chamber via the transfer chamber 31. The control device 30C controls, for example, a film formation process in each vapor deposition chamber 34 and a mechanism related to the film formation process in the sputter chamber 36, whereby a predetermined thin film is provided in each vapor deposition chamber 34 and the sputter chamber 36. To form.

[蒸着チャンバーの構成]
図7から図9を参照して、蒸着チャンバー34の構成を説明する。以下では、蒸着チャンバー34の構成のなかで、校正処理に用いられる構成、および、処理基板Wに蒸着を行うための機構である蒸着機構の構成を主に説明する。
[Configuration of deposition chamber]
The configuration of the vapor deposition chamber 34 will be described with reference to FIGS. Below, the structure used for a calibration process in the structure of the vapor deposition chamber 34 and the structure of the vapor deposition mechanism which is a mechanism for performing vapor deposition on the process board | substrate W are mainly demonstrated.

図7が示すように、蒸着チャンバー34は、昇華させた蒸着材料を放出する蒸着源41と、複数の蒸着カメラ42と、基板W,W0を支持する基板ホルダー43と、蒸着マスクMを支持するマスクホルダー44と、駆動源45と、駆動機構46とを備える。蒸着チャンバー34において、蒸着源41、基板ホルダー43、および、マスクホルダー44を収容する筐体47は、排気系に接続されて所定の圧力まで減圧される。なお、以下では、3台の蒸着カメラ42を備える例を説明する。   As shown in FIG. 7, the vapor deposition chamber 34 supports a vapor deposition source 41 that discharges the sublimated vapor deposition material, a plurality of vapor deposition cameras 42, a substrate holder 43 that supports the substrates W and W 0, and a vapor deposition mask M. A mask holder 44, a drive source 45, and a drive mechanism 46 are provided. In the vapor deposition chamber 34, the housing 47 that accommodates the vapor deposition source 41, the substrate holder 43, and the mask holder 44 is connected to an exhaust system and is decompressed to a predetermined pressure. Hereinafter, an example in which three vapor deposition cameras 42 are provided will be described.

蒸着源41は、蒸着材料を加熱することによって、蒸着材料42Mによる薄膜を処理基板Wの表面WFに形成する。蒸着源41には、例えば、抵抗加熱式の蒸着源、誘導加熱式の蒸着源、および、電子ビームを備える蒸着源などを用いることができる。蒸着材料42Mは、蒸着源41によって加熱されることによって蒸発する材料であり、処理基板Wの表面WFに形成される薄膜の材料である。蒸着材料42Mは、例えば有機物であるが、無機物であってもよい。   The vapor deposition source 41 forms a thin film of the vapor deposition material 42M on the surface WF of the processing substrate W by heating the vapor deposition material. As the vapor deposition source 41, for example, a resistance heating vapor deposition source, an induction heating vapor deposition source, a vapor deposition source including an electron beam, or the like can be used. The vapor deposition material 42M is a material that evaporates when heated by the vapor deposition source 41, and is a thin film material formed on the surface WF of the processing substrate W. The vapor deposition material 42M is, for example, an organic material, but may be an inorganic material.

3台の蒸着カメラ42は、例えば、CCDカメラであり、各基板マークに1台ずつ対応づけられる。各蒸着カメラ42は、基板ホルダー43に支持される基板W,W0よりも上方(裏側)で、かつ、筐体47の外側に固定されている。1台の蒸着カメラ42の光軸4Aの位置は、他の蒸着カメラ42の光軸4Aの位置に対して固定されている。各蒸着カメラ42は、基板W,W0の裏面WRと対向し、別々の部分を撮影する(裏面撮影する)。   The three vapor deposition cameras 42 are, for example, CCD cameras, and one unit is associated with each substrate mark. Each vapor deposition camera 42 is fixed to the upper side (back side) of the substrates W and W0 supported by the substrate holder 43 and to the outside of the housing 47. The position of the optical axis 4A of one vapor deposition camera 42 is fixed with respect to the position of the optical axis 4A of the other vapor deposition camera 42. Each vapor deposition camera 42 faces the back surface WR of the substrates W and W0 and photographs separate portions (photographs the back surface).

各蒸着カメラ42の撮影した画像は、第2裏面画像IM4である。校正用基板W0の第2裏面画像IM4は、校正用基板W0を通した基板マークWmの透過画像を含む。画像処理部20は、校正用基板W0の第2裏面画像IM4を校正処理に用いる。処理基板Wの第2裏面画像IM4は、処理基板Wの外周部Wpを含む。画像処理部20は、処理基板Wの第2裏面画像IM4を裏面位置の特定処理に用いる。   The image captured by each vapor deposition camera 42 is a second back surface image IM4. The second back image IM4 of the calibration substrate W0 includes a transmission image of the substrate mark Wm that has passed through the calibration substrate W0. The image processing unit 20 uses the second back image IM4 of the calibration substrate W0 for the calibration process. The second back surface image IM4 of the processing substrate W includes the outer peripheral portion Wp of the processing substrate W. The image processing unit 20 uses the second back surface image IM4 of the processing substrate W for back surface position specifying processing.

基板ホルダー43は、3台の蒸着カメラ42と蒸着源41との間に位置する。基板ホルダー43は、仮想的な配置領域WAを定める。配置領域WAは、基板W,W0の配置されるべき目標の領域である。基板ホルダー43は、反転チャンバー35から蒸着チャンバー34に搬入される基板W,W0を支持する。基板ホルダー43は、蒸着チャンバー34から反転チャンバー35に基板W,W0を搬出可能とする。基板ホルダー43は、処理基板Wの表面WFを蒸着源41側(図7の下側)に向けて表面WFの外周部Wpを支持し、処理基板Wの裏面WRと3台の蒸着カメラ42とを対向させる。   The substrate holder 43 is located between the three vapor deposition cameras 42 and the vapor deposition source 41. The substrate holder 43 defines a virtual arrangement area WA. The placement area WA is a target area where the substrates W and W0 are to be placed. The substrate holder 43 supports the substrates W and W0 carried into the vapor deposition chamber 34 from the inversion chamber 35. The substrate holder 43 can carry out the substrates W and W0 from the vapor deposition chamber 34 to the inversion chamber 35. The substrate holder 43 supports the outer peripheral portion Wp of the front surface WF with the front surface WF of the processing substrate W facing the vapor deposition source 41 (lower side in FIG. 7), the rear surface WR of the processing substrate W, three vapor deposition cameras 42, Face each other.

この際、例えば、基板ホルダー43などの障害物が存在するため、表面WFに位置する基板マークWmは、表面WFと対向する側からは撮影され難い。また、表面WFに位置する基板マークWmは、処理基板Wが非透過性を有するため、処理基板Wが収容された状態では、裏面WRと対向する側からも撮影され難い。すなわち、基板ホルダー43が基板W,W0を支持する状態では、基板マークWmの位置を検出することが困難となっている。   At this time, for example, since an obstacle such as the substrate holder 43 exists, the substrate mark Wm located on the surface WF is difficult to be photographed from the side facing the surface WF. Further, the substrate mark Wm positioned on the front surface WF is difficult to be photographed from the side facing the back surface WR when the processed substrate W is accommodated because the processed substrate W is impermeable. That is, it is difficult to detect the position of the substrate mark Wm when the substrate holder 43 supports the substrates W and W0.

マスクホルダー44は、3台の蒸着カメラ42と蒸着源41との間に位置する。マスクホルダー44は、仮想的な配置領域MAを定める。配置領域MAは、蒸着マスクMの配置されるべき目標の領域である。マスクホルダー44は、蒸着マスクMの外周部を支持し、基板W,W0の表面WFと蒸着マスクMとを対向させる。蒸着マスクMは、基板Wの表面WFに所定のパターンを形成するための開口を有する。マスクホルダー44は、基板W,W0に対する蒸着源41側に蒸着マスクMを配置する。蒸着マスクMは、処理基板Wでの周方向の全体で、処理基板Wからはみ出す大きさを有する。蒸着マスクMは、処理基板Wからはみ出した部分に、3個のマスクマークMmを有する。なお、蒸着マスクMが有するマスクマークMmは、蒸着カメラ42による撮影によって、蒸着マスクの中心位置を特定することが可能となっている。   The mask holder 44 is located between the three vapor deposition cameras 42 and the vapor deposition source 41. The mask holder 44 defines a virtual placement area MA. The arrangement area MA is a target area where the vapor deposition mask M is to be arranged. The mask holder 44 supports the outer peripheral portion of the vapor deposition mask M, and makes the surface WF of the substrates W and W0 and the vapor deposition mask M face each other. The vapor deposition mask M has an opening for forming a predetermined pattern on the surface WF of the substrate W. The mask holder 44 arranges the vapor deposition mask M on the vapor deposition source 41 side with respect to the substrates W and W0. The vapor deposition mask M has a size that protrudes from the processing substrate W in the entire circumferential direction of the processing substrate W. The vapor deposition mask M has three mask marks Mm in a portion protruding from the processing substrate W. Note that the mask mark Mm of the vapor deposition mask M can identify the center position of the vapor deposition mask by photographing with the vapor deposition camera 42.

駆動源45は、駆動機構46を駆動するための動力を出力する。駆動機構46は、駆動源45の動力を受けて、基板ホルダー43を水平方向に移動させる。また、駆動機構46は、駆動源45の動力を受けて、マスクホルダー44と基板ホルダー43とを基板W,W0の周方向に回転させる。駆動機構46は、基板ホルダー43の独立した回転と、マスクホルダー44の独立した回転と、基板ホルダー43とマスクホルダー44とを一体とした回転とを切り換える。また、駆動機構46は、駆動源45の動力を受けて、マスクホルダー44と基板ホルダー43とを昇降させる。駆動機構46は、基板ホルダー43の独立した昇降と、マスクホルダー44の独立した昇降と、基板ホルダー43とマスクホルダー44とを一体とした昇降とを切り換える。   The drive source 45 outputs power for driving the drive mechanism 46. The drive mechanism 46 receives the power of the drive source 45 and moves the substrate holder 43 in the horizontal direction. Further, the drive mechanism 46 receives power from the drive source 45 and rotates the mask holder 44 and the substrate holder 43 in the circumferential direction of the substrates W and W0. The drive mechanism 46 switches between independent rotation of the substrate holder 43, independent rotation of the mask holder 44, and rotation in which the substrate holder 43 and the mask holder 44 are integrated. Further, the drive mechanism 46 raises and lowers the mask holder 44 and the substrate holder 43 under the power of the drive source 45. The drive mechanism 46 switches between independent raising / lowering of the substrate holder 43, independent raising / lowering of the mask holder 44, and raising / lowering in which the substrate holder 43 and the mask holder 44 are integrated.

例えば、基板ホルダー43の独立した水平方向での移動や、基板ホルダー43の独立した回転は、処理基板Wのパターン中心と、蒸着マスクMの中心であるマスク中心との整合に用いられる。マスクホルダー44の独立した回転は、蒸着マスクMを所定の位置に配置するために用いられる。基板ホルダー43とマスクホルダー44とを一体とした回転は、処理基板Wの表面に蒸着材料を蒸着させるときに用いられる。   For example, the independent horizontal movement of the substrate holder 43 and the independent rotation of the substrate holder 43 are used to align the pattern center of the processing substrate W with the mask center which is the center of the vapor deposition mask M. Independent rotation of the mask holder 44 is used to place the vapor deposition mask M in place. The rotation in which the substrate holder 43 and the mask holder 44 are integrated is used when a deposition material is deposited on the surface of the processing substrate W.

例えば、基板ホルダー43の独立した昇降は、基板W,W0の搬入および搬出や、蒸着用の所定位置への処理基板Wの配置に用いられる。マスクホルダー44の独立した昇降は、蒸着マスクMの搬入および搬出や、蒸着用の所定位置への蒸着マスクMの配置に用いられる。基板ホルダー43とマスクホルダー44とを一体とした昇降は、処理基板Wおよび蒸着マスクMを一体として回転させる際の移動に用いられる。   For example, the independent raising and lowering of the substrate holder 43 is used for loading and unloading the substrates W and W0 and for arranging the processing substrate W at a predetermined position for vapor deposition. The independent raising / lowering of the mask holder 44 is used for carrying in and carrying out the vapor deposition mask M and arranging the vapor deposition mask M at a predetermined position for vapor deposition. Elevating and lowering the substrate holder 43 and the mask holder 44 is used for movement when the processing substrate W and the vapor deposition mask M are rotated together.

図8は、各蒸着カメラ42の撮影する領域を示す。なお、処理基板Wと校正用基板W0とでは、各蒸着カメラ42の撮影する領域に対する相対的な位置がほぼ等しいため、図8では、説明の便宜上、各蒸着カメラ42が撮影する領域を校正用基板W0に重ねて示す。   FIG. 8 shows a region to be photographed by each vapor deposition camera 42. In addition, since the relative position with respect to the area | region which each vapor deposition camera 42 image | photographs is substantially equal in the process board | substrate W and the board | substrate for calibration W0, in FIG. 8, the area | region which each vapor deposition camera 42 image | photographs for calibration for convenience. Overlaid on the substrate W0.

図8が示すように、校正用基板W0は、配置領域WAに配置され、蒸着マスクMは、配置領域MAに配置される。マスクマークMmの位置は、校正用基板W0の輪郭Eよりも外側に位置する。マスクマークMmは、校正用基板W0の裏面WRと対向する平面視において矩形状を有するが、矩形状とは異なる形状、例えば、十字状などを有してもよい。   As shown in FIG. 8, the calibration substrate W0 is arranged in the arrangement area WA, and the vapor deposition mask M is arranged in the arrangement area MA. The position of the mask mark Mm is located outside the contour E of the calibration substrate W0. The mask mark Mm has a rectangular shape in a plan view facing the back surface WR of the calibration substrate W0, but may have a shape different from the rectangular shape, for example, a cross shape.

各蒸着カメラ42は、画像を撮影する領域を撮影領域4Z(図8における二点鎖線の小円)として定める。各撮影領域4Zは、配置領域WAの周方向にほぼ等配されている。蒸着カメラ42の光軸4Aは、撮影領域4Zの中心に位置する。各撮影領域4Zは、別々のマスクマークMmと、別々の基板マークWmの透過画像とを含む。また、撮影領域4Zは、平坦部Wp1とベベル部Wp2との境界を含む。   Each vapor deposition camera 42 defines a region where an image is to be captured as a photographing region 4Z (a two-dot chain small circle in FIG. 8). Each photographing area 4Z is substantially equally arranged in the circumferential direction of the arrangement area WA. The optical axis 4A of the vapor deposition camera 42 is located at the center of the imaging region 4Z. Each imaging region 4Z includes a separate mask mark Mm and a transmission image of a separate substrate mark Wm. Further, the imaging region 4Z includes a boundary between the flat portion Wp1 and the bevel portion Wp2.

[校正処理:蒸着チャンバー34]
図9が示すように、画像処理部20は、校正処理において、校正用基板W0の第2裏面画像IM4に対する画像解析を行う(ステップS21)。すなわち、画像処理部20は、エッジ検出などを各第2裏面画像IM4に施し、蒸着カメラ42のカメラ座標系において、光軸4Aに対する基板マークWmの相対位置を算出する。なお、画像処理部20は、カメラ座標系における光軸4Aの位置を、例えば、第2裏面画像IM4の中心とする。
[Calibration process: Deposition chamber 34]
As shown in FIG. 9, the image processing unit 20 performs image analysis on the second back image IM4 of the calibration substrate W0 in the calibration process (step S21). That is, the image processing unit 20 performs edge detection and the like on each second back image IM4, and calculates the relative position of the substrate mark Wm with respect to the optical axis 4A in the camera coordinate system of the vapor deposition camera 42. Note that the image processing unit 20 sets the position of the optical axis 4A in the camera coordinate system as the center of the second back image IM4, for example.

次いで、画像処理部20は、蒸着カメラ42のカメラ座標系での基板マークWmの位置、および、その基板マークWmの相対座標を用い、上記相対座標系において、蒸着カメラ42の光軸位置を算出する(ステップS22)。すなわち、画像処理部20は、3つの蒸着カメラ42の光軸4A間における相対位置を算出する。画像処理部20は、カメラ間の相対位置の一例として、各蒸着カメラ42の光軸位置を記憶する。画像処理部20は、校正処理を行う都度、各蒸着カメラ42の光軸位置を更新する。   Next, the image processing unit 20 calculates the optical axis position of the vapor deposition camera 42 in the relative coordinate system using the position of the substrate mark Wm in the camera coordinate system of the vapor deposition camera 42 and the relative coordinates of the substrate mark Wm. (Step S22). That is, the image processing unit 20 calculates the relative position between the optical axes 4A of the three vapor deposition cameras 42. The image processing unit 20 stores the optical axis position of each vapor deposition camera 42 as an example of the relative position between the cameras. The image processing unit 20 updates the optical axis position of each vapor deposition camera 42 each time calibration processing is performed.

[裏面位置の特定処理:蒸着チャンバー34]
画像処理部20は、裏面位置の特定処理において、蒸着マスクMの各第2裏面画像IM4を用い、マスク中心の位置を算出する。すなわち、画像処理部20は、エッジ検出などを各第2裏面画像IM4に施し、蒸着カメラ42のカメラ座標系において、マスクマークMmの位置を算出する。次いで、画像処理部20は、各蒸着カメラ42の光軸位置と、カメラ座標系でのマスクマークMmの位置とから、マスクマークMm間の相対位置を算出する。そして、画像処理部20は、マスク中心を中心とする仮想円が、各マスクマークMmの相対位置を通るように、上記相対座標系において、マスク中心の位置を算出する。
[Specification of back surface position: evaporation chamber 34]
The image processing unit 20 calculates the position of the mask center using each second back surface image IM4 of the vapor deposition mask M in the back surface position specifying process. That is, the image processing unit 20 performs edge detection and the like on each second back image IM4, and calculates the position of the mask mark Mm in the camera coordinate system of the vapor deposition camera 42. Next, the image processing unit 20 calculates a relative position between the mask marks Mm from the optical axis position of each vapor deposition camera 42 and the position of the mask mark Mm in the camera coordinate system. Then, the image processing unit 20 calculates the position of the mask center in the relative coordinate system so that the virtual circle centered on the mask center passes through the relative position of each mask mark Mm.

画像処理部20は、裏面位置の特定処理において、処理基板Wの各第2裏面画像IM4を用い、第2裏面中心の位置を算出する。すなわち、画像処理部20は、エッジ検出などを各第2裏面画像IM4に施し、蒸着カメラ42のカメラ座標系において、平坦部Wp1とベベル部Wp2との境界部分の位置を算出する。次いで、画像処理部20は、各蒸着カメラ42の光軸位置と、カメラ座標系での境界部分の位置とから、境界部分間の相対位置を算出する。そして、画像処理部20は、第2裏面中心を中心とする仮想円が、各境界部分を通るように、上記相対座標系において、第2裏面中心の位置を算出する。   The image processing unit 20 calculates the position of the center of the second back surface using each second back surface image IM4 of the processing substrate W in the back surface position specifying process. That is, the image processing unit 20 performs edge detection and the like on each second back image IM4, and calculates the position of the boundary portion between the flat portion Wp1 and the bevel portion Wp2 in the camera coordinate system of the vapor deposition camera 42. Next, the image processing unit 20 calculates the relative position between the boundary portions from the optical axis position of each vapor deposition camera 42 and the position of the boundary portion in the camera coordinate system. Then, the image processing unit 20 calculates the position of the center of the second back surface in the relative coordinate system so that the virtual circle centered on the center of the second back surface passes through each boundary portion.

[作用]
図10を参照して、制御装置30Cが行う校正処理、表面位置の特定処理、裏面位置の特定処理、および、位置合わせ処理を説明する。
[校正処理:制御装置30C]
制御装置30Cは、校正処理において、まず、EFEM10の配置領域WAに校正用基板W0を配置させる。次いで、制御装置30Cは、基板マークWmを含む表面画像IM1を、各マークカメラ11に撮影させる。また、制御装置30Cは、基板マークWmの透過画像を含む第1裏面画像IM2を、各ロードカメラ12に撮影させる。続いて、制御装置30Cは、校正用基板W0を蒸着チャンバー34に搬入し、基板マークWmの透過画像、および、マスクマークMmを含む第2裏面画像IM4を、蒸着カメラ42に撮影させる。
[Action]
With reference to FIG. 10, a calibration process, a front surface position specifying process, a back surface position specifying process, and an alignment process performed by the control device 30C will be described.
[Calibration processing: control device 30C]
In the calibration process, the control device 30C first places the calibration substrate W0 in the placement area WA of the EFEM 10. Next, the control device 30C causes each mark camera 11 to photograph the surface image IM1 including the substrate mark Wm. In addition, the control device 30C causes each road camera 12 to capture the first back image IM2 including the transmission image of the substrate mark Wm. Subsequently, the control device 30C carries the calibration substrate W0 into the vapor deposition chamber 34, and causes the vapor deposition camera 42 to capture the transmission image of the substrate mark Wm and the second back surface image IM4 including the mask mark Mm.

そして、制御装置30Cは、表面画像IM1と、基板マークWmの相対座標とを用い、カメラ間の相対位置である、各マークカメラ11の光軸位置を算出する。また、制御装置30Cは、第1裏面画像IM2と、基板マークWmの相対座標とを用い、カメラ間の相対位置である、各ロードカメラ12の光軸位置を算出する。制御装置30Cは、第2裏面画像IM4と、基板マークWmの相対座標とを用い、カメラ間の相対位置である、各蒸着カメラ42の光軸位置を算出する。   Then, the control device 30C calculates the optical axis position of each mark camera 11, which is a relative position between the cameras, using the surface image IM1 and the relative coordinates of the substrate mark Wm. In addition, the control device 30C calculates the optical axis position of each road camera 12, which is a relative position between the cameras, using the first back image IM2 and the relative coordinates of the board mark Wm. The control device 30C calculates the optical axis position of each vapor deposition camera 42, which is a relative position between the cameras, using the second back surface image IM4 and the relative coordinates of the substrate mark Wm.

制御装置30Cは、これら各マークカメラ11の光軸位置P1、各ロードカメラ12の光軸位置P2、および、各蒸着カメラ42の光軸位置P3を記憶する。なお、制御装置30Cは、所定枚数の処理基板Wの処理が行われる都度、上記校正処理を行う。   The control device 30C stores the optical axis position P1 of each mark camera 11, the optical axis position P2 of each road camera 12, and the optical axis position P3 of each vapor deposition camera 42. The control device 30C performs the calibration process every time a predetermined number of processing substrates W are processed.

[表面位置の特定処理]
制御装置30Cは、表面位置の特定処理において、まず、配置領域WAに処理基板Wを配置させる。次いで、制御装置30Cは、基板マークWmを含む表面WFの表面画像IM1を、各マークカメラ11に撮影させる。
[Specification of surface position]
In the surface position specifying process, the control device 30C first arranges the processing substrate W in the arrangement area WA. Next, the control device 30C causes each mark camera 11 to photograph the surface image IM1 of the surface WF including the substrate mark Wm.

そして、制御装置30Cは、表面画像IM1と、各マークカメラ11の光軸位置とを用い、パターン中心を中心とする仮想円が、各基板マークWmを通るように、上記相対座標系において、パターン中心の位置を算出する。   Then, the control device 30C uses the surface image IM1 and the optical axis position of each mark camera 11 so that a virtual circle centered on the pattern center passes through each substrate mark Wm in the relative coordinate system. The center position is calculated.

[裏面位置の特定処理]
制御装置30Cは、裏面位置の特定処理において、まず、平坦部Wp1とベベル部Wp2との境界を含む第1裏面画像IM2を、各ロードカメラ12に撮影させる。次いで、制御装置30Cは、処理基板Wを蒸着チャンバー34に搬入し、平坦部Wp1とベベル部Wp2との境界、および、マスクマークMmを含む第2裏面画像IM4を、各蒸着カメラ42に撮影させる。
[Specification of back side position]
In the back surface position specifying process, the control device 30C first causes each road camera 12 to capture the first back image IM2 including the boundary between the flat portion Wp1 and the bevel portion Wp2. Next, the control device 30C carries the processing substrate W into the vapor deposition chamber 34, and causes each vapor deposition camera 42 to capture the second back surface image IM4 including the boundary between the flat portion Wp1 and the bevel portion Wp2 and the mask mark Mm. .

そして、制御装置30Cは、第1裏面画像IM2と、各ロードカメラ12の光軸位置とを用い、第1裏面中心を中心とする仮想円が、平坦部Wp1とベベル部Wp2との境界を通るように、上記相対座標系において、第1裏面中心の位置を算出する。また、制御装置30Cは、第2裏面画像IM4と、各蒸着カメラ42の光軸位置とを用い、第2裏面中心を中心とする仮想円が、平坦部Wp1とベベル部Wp2との境界を通るように、上記相対座標系において、第2裏面中心の位置を算出する。また、制御装置30Cは、第2裏面画像IM4と、各蒸着カメラ42の光軸位置とを用い、マスク中心を中心とする仮想円が、各マスクマークMmを通るように、上記相対座標系において、マスク中心の位置を算出する。   Then, the control device 30C uses the first back image IM2 and the optical axis position of each road camera 12, and a virtual circle centered on the center of the first back surface passes through the boundary between the flat portion Wp1 and the bevel portion Wp2. As described above, the position of the center of the first back surface is calculated in the relative coordinate system. Further, the control device 30C uses the second back surface image IM4 and the optical axis position of each vapor deposition camera 42, and a virtual circle centered on the center of the second back surface passes through the boundary between the flat portion Wp1 and the bevel portion Wp2. Thus, in the relative coordinate system, the position of the center of the second back surface is calculated. Further, the control device 30C uses the second back image IM4 and the optical axis position of each vapor deposition camera 42 so that a virtual circle centered on the mask center passes through each mask mark Mm in the relative coordinate system. The position of the mask center is calculated.

なお、裏面位置の特定処理は、上述した表面位置の特定処理とともに、EFEM10の配置領域WAに配置された処理基板Wに対して行うことが可能である。この際に、EFEM10における各マークカメラ11による基板マークWmの撮影と、各ロードカメラ12による平坦部Wp1およびベベル部Wp2の撮影とは、同時に行ってもよいし、各別のタイミングで行ってもよい。2つの撮影を各別のタイミングで行うときには、各マークカメラ11による撮影を各ロードカメラ12による撮影よりも先に行ってもよいし、各ロードカメラ12による撮影を各マークカメラ11による撮影よりも先に行ってもよい。2つの撮影を各別のタイミングで行うときには、2つの撮影の間に処理基板Wを回転させてもよい。   The back surface position specifying process can be performed on the processing substrate W arranged in the arrangement area WA of the EFEM 10 together with the above-described front surface position specifying process. At this time, the imaging of the substrate mark Wm by each mark camera 11 in the EFEM 10 and the imaging of the flat portion Wp1 and the bevel portion Wp2 by each road camera 12 may be performed simultaneously or at different timings. Good. When the two shootings are performed at different timings, shooting by each mark camera 11 may be performed before shooting by each road camera 12, and shooting by each road camera 12 is performed by shooting each mark camera 11. You may go first. When two photographings are performed at different timings, the processing substrate W may be rotated between the two photographings.

また、各マークカメラ11による基板マークWmの撮影は、同時に行ってもよいし、各別のタイミングで行ってもよいし、各ロードカメラ12による平坦部Wp1およびベベル部Wp2の撮影も、同時に行ってもよいし、各別のタイミングで行ってもよい。加えて、1つのカメラによって撮影を行うごとに処理基板Wを回転させてもよい。特に、基板マークWmの位置は、処理基板Wごとに異なることがあり、また、処理基板Wの位置を1つの位置に固定した状態では、全ての基板マークWmを撮影することができないことがある。この場合には、1つの基板マークWmを撮影するごとに、処理基板Wを回転させればよい。処理基板Wを回転させつつ複数の基板マークを撮影する場合には、複数の基板マーク間における相対位置を基板Wの回転角度によって把握することができる。なお、処理基板Wの回転角度は、回転角度を検出する検出部によって検出することが可能であり、検出部には、例えばエンコーダーを用いることができる。   Further, the image of the substrate mark Wm by each mark camera 11 may be performed simultaneously or at different timings, and the flat portion Wp1 and the bevel portion Wp2 by each road camera 12 are also simultaneously photographed. Alternatively, it may be performed at different timings. In addition, the processing substrate W may be rotated every time shooting is performed by one camera. In particular, the position of the substrate mark Wm may be different for each processing substrate W, and in the state where the position of the processing substrate W is fixed at one position, all the substrate marks Wm may not be photographed. . In this case, the processing substrate W may be rotated every time one substrate mark Wm is photographed. When photographing a plurality of substrate marks while rotating the processing substrate W, the relative positions between the plurality of substrate marks can be grasped by the rotation angle of the substrate W. The rotation angle of the processing substrate W can be detected by a detection unit that detects the rotation angle, and an encoder can be used as the detection unit, for example.

[位置合わせ処理]
制御装置30Cは、例えば、n枚目(nは1以上の整数)の処理基板Wの撮影によるパターン中心、および、第1裏面中心を用い、パターン中心と第1裏面中心とのずれ量(Δx,Δy,Δθ)を算出する。次いで、制御装置30Cは、n枚目の処理基板Wを蒸着チャンバー34に搬入する。そして、制御装置30Cは、n枚目の処理基板Wの第2裏面中心に上記ずれ量を反映させて、反映後の第2裏面中心をマスク中心に合わせるための補正量を算出する。制御装置30Cは、この補正量に相当する駆動量で駆動機構46を駆動させるべく、駆動源45を駆動するための駆動信号SIGを出力する。
[Alignment processing]
The control device 30C uses, for example, the pattern center obtained by photographing the n-th processing substrate W (n is an integer equal to or greater than 1) and the first back surface center, and the deviation amount (Δx , Δy, Δθ). Next, the control device 30 </ b> C carries the n-th processing substrate W into the vapor deposition chamber 34. Then, the control device 30C reflects the shift amount on the second back surface center of the n-th processing substrate W, and calculates a correction amount for aligning the reflected second back surface center with the mask center. The control device 30C outputs a drive signal SIG for driving the drive source 45 so as to drive the drive mechanism 46 with a drive amount corresponding to the correction amount.

このように、上述した蒸着装置30によれば、マークカメラ11のカメラ座標系、ロードカメラ12のカメラ座標系、および、蒸着カメラ42のカメラ座標系という3つの各別のカメラ座標系を、単一の校正用基板W0によって校正することが可能である。これにより、各カメラ座標系において相互に座標の変換を行うことが可能である。言い換えれば、各カメラ座標系において相互に座標の変換を行う際に、座標の変換に伴う位置のずれを抑えることが可能である。   As described above, according to the above-described vapor deposition apparatus 30, three different camera coordinate systems, that is, the camera coordinate system of the mark camera 11, the camera coordinate system of the road camera 12, and the camera coordinate system of the vapor deposition camera 42, are simply set. Calibration can be performed with one calibration substrate W0. Thereby, it is possible to mutually convert coordinates in each camera coordinate system. In other words, it is possible to suppress a positional shift caused by the coordinate conversion when the coordinate conversion is performed in each camera coordinate system.

以上説明したように、上記実施形態によれば、以下に列挙する効果が得られる。
(1)裏面撮影による処理基板Wの位置の検出精度を、表面撮影による処理基板Wの位置の検出精度、すなわち、基板マークWmの撮影による検出精度と同じ程度にまで高められる。結果として、裏面撮影の結果のみが得られる処理の環境、例えば、上述した蒸着処理の行われる環境であっても、表面撮影の結果による位置の精度と同じ程度に、基板Wの位置の検出精度を高められる。
As described above, according to the embodiment, the effects listed below can be obtained.
(1) The detection accuracy of the position of the processing substrate W by backside imaging is increased to the same level as the detection accuracy of the position of the processing substrate W by frontside imaging, that is, the detection accuracy by imaging the substrate mark Wm. As a result, the detection accuracy of the position of the substrate W is as high as the accuracy of the position based on the result of the front surface imaging even in the processing environment where only the result of the rear surface imaging is obtained, for example, the environment where the vapor deposition process described above is performed. Can be enhanced.

(2)特に、パターン位置に従って基板の搬送が行われるスパッタ成膜と、裏面位置に従って基板の搬送が行われる蒸着成膜との間で、各処理状態の整合を図ることが可能ともなる。   (2) In particular, it is possible to match each processing state between sputtering film formation in which the substrate is transferred according to the pattern position and vapor deposition film formation in which the substrate is transferred according to the back surface position.

(3)EFEM10で裏面撮影が行われ、かつ、蒸着チャンバー34でも裏面撮影が行われ、EFEM10での第1裏面位置と、蒸着チャンバー34での第2裏面位置とを整合させるように、処理基板Wが蒸着チャンバー34に搬送される。結果として、EFEM10で得られる上記(1)に準じた効果を、蒸着チャンバー34で得ることが可能ともなる。   (3) The backside imaging is performed with the EFEM 10 and the backside imaging is also performed with the vapor deposition chamber 34 so that the first back surface position in the EFEM 10 and the second back surface position in the vapor deposition chamber 34 are aligned. W is transferred to the vapor deposition chamber 34. As a result, the effect according to the above (1) obtained with the EFEM 10 can be obtained with the vapor deposition chamber 34.

(4)特に、蒸着成膜やプラズマ成膜などの加熱を伴う処理は、その処理の環境下に置かれたカメラの光軸を経時的に変位させてしまう。この点、上述した構成であれば、蒸着チャンバー34における蒸着カメラ42間の相対位置が、校正処理ごとに更新されるため、(3)に準じた効果を長期間にわたり得ることが可能ともなる。   (4) In particular, processing involving heating, such as vapor deposition film formation or plasma film formation, displaces the optical axis of the camera placed in the processing environment over time. In this regard, with the above-described configuration, the relative position between the vapor deposition cameras 42 in the vapor deposition chamber 34 is updated for each calibration process, so that the effect according to (3) can be obtained over a long period of time.

(5)校正用基板W0の形状やサイズが、処理基板Wとほぼ等しいため、処理基板Wの搬送系と校正用基板W0の搬送系との共通化を図ることが可能となる。これにより、例えば、所定枚数の処理基板Wが処理されるごとに、搬送系の稼働状態を大幅に変えることなく、校正用基板W0を用いた校正処理を行うことが可能である。結果として、蒸着装置の稼働効率の低下を抑えつつ、校正処理の頻度を確保することが可能ともなる。   (5) Since the shape and size of the calibration substrate W0 are substantially equal to the processing substrate W, it is possible to make the transport system for the processing substrate W and the transport system for the calibration substrate W0 common. Thereby, for example, every time a predetermined number of processing substrates W are processed, it is possible to perform calibration processing using the calibration substrate W0 without significantly changing the operating state of the transport system. As a result, it is possible to ensure the frequency of the calibration process while suppressing a decrease in the operating efficiency of the vapor deposition apparatus.

(6)校正用基板W0の熱膨張率が3ppm/℃以下であれば、校正用基板W0に生じる熱膨張が十分に小さい範囲に抑えられ、結果として、校正用基板W0の熱膨張に起因した検出の誤差を低減することが可能ともなる。   (6) If the coefficient of thermal expansion of the calibration substrate W0 is 3 ppm / ° C. or less, the thermal expansion occurring in the calibration substrate W0 can be suppressed to a sufficiently small range, and as a result, the calibration substrate W0 is caused by the thermal expansion. It also becomes possible to reduce detection errors.

(7)第1像IM21と第2像IM22との境界をコントラストに基づいて検出し、検出された境界を用いて、処理基板Wの裏面位置が検出される。そのため、処理基板Wの輪郭Eから裏面位置が検出される構成と比べて、裏面位置の検出精度を高めることが可能となる。   (7) The boundary between the first image IM21 and the second image IM22 is detected based on the contrast, and the back surface position of the processing substrate W is detected using the detected boundary. Therefore, the detection accuracy of the back surface position can be improved as compared with the configuration in which the back surface position is detected from the contour E of the processing substrate W.

(8)特に、処理基板Wが非透過性を有する構成では、裏面WRと対向する側から基板マークWmを光学的に検出できないため、上述した点において有用性が高い。   (8) In particular, in the configuration in which the processing substrate W is impermeable, the substrate mark Wm cannot be optically detected from the side facing the back surface WR.

(9)蒸着マスクMに対する処理基板Wの位置精度を向上可能であるから、処理基板Wと蒸着マスクMとの相対位置に関わる処理において、その処理精度を高めることが可能ともなる。   (9) Since the positional accuracy of the processing substrate W with respect to the vapor deposition mask M can be improved, it is possible to increase the processing accuracy in the processing related to the relative position between the processing substrate W and the vapor deposition mask M.

なお、上述した実施形態は、以下のように適宜変更して実施することができる。
[位置の特定処理]
・位置検出装置が処理基板Wの位置の特定に用いる境界は、処理基板Wの外周部Wpのなかの1箇所であってもよいし、1箇所以上であってもよい。
例えば、平坦部Wp1とベベル部Wp2との境界の形状は、微視的には、ベベル部Wp2の加工ごと、すなわち、処理基板Wごとに異なり、各処理基板Wにおいて固有の形状である場合がある。外周部Wpのなかの1箇所の境界から処理基板Wの位置を特定する構成では、まず、平坦部Wp1とベベル部Wp2との境界の形状を、処理基板Wの全体にわたり、全周形状として予め収集する。そして、抽出された平坦部Wp1とベベル部Wp2との境界の形状が、全周形状のなかのどの部位であるかを特定することによって、処理基板Wの位置を特定する。
The embodiment described above can be implemented with appropriate modifications as follows.
[Location identification process]
The boundary used by the position detection device for specifying the position of the processing substrate W may be one location in the outer peripheral portion Wp of the processing substrate W, or may be one or more locations.
For example, the shape of the boundary between the flat portion Wp1 and the bevel portion Wp2 is microscopically different for each processing of the bevel portion Wp2, that is, for each processing substrate W, and may be a unique shape in each processing substrate W. is there. In the configuration in which the position of the processing substrate W is specified from one boundary in the outer peripheral portion Wp, first, the shape of the boundary between the flat portion Wp1 and the bevel portion Wp2 is preliminarily set as the entire peripheral shape over the entire processing substrate W. collect. And the position of the process board | substrate W is pinpointed by pinpointing which site | part in the perimeter shape the shape of the boundary of the extracted flat part Wp1 and bevel part Wp2 is.

なお、第1裏面中心を算出するときと、第2裏面中心を算出するときとでは、外周部Wpのなかで略同一のベベル部Wp2を含む部分を撮影することが好ましい。これにより、処理基板Wの位置を検出する精度をより高めることができる。なお、制御装置30Cは、処理基板Wが備えるノッチなどの特徴点の位置と、処理基板Wの回転角度とに基づき、ロードカメラ12の撮影領域2Zと蒸着カメラ42の撮影領域4Zとに、外周部Wpにおける略同一のベベル部Wp2を含む部分を位置させることができる。   It should be noted that when calculating the center of the first back surface and when calculating the center of the second back surface, it is preferable to photograph a portion including substantially the same bevel portion Wp2 in the outer peripheral portion Wp. Thereby, the precision which detects the position of the process board | substrate W can be improved more. Note that the control device 30 </ b> C generates an outer periphery on the imaging region 2 </ b> Z of the road camera 12 and the imaging region 4 </ b> Z of the vapor deposition camera 42 based on the position of a feature point such as a notch provided on the processing substrate W and the rotation angle of the processing substrate W. A portion including substantially the same bevel portion Wp2 in the portion Wp can be positioned.

[校正用基板W0]
・校正用基板W0は、基板マークWmとして、例えば、校正用基板W0を貫通する貫通孔を備えることも可能である。基板マークWmが貫通孔である構成であっても、上記(1)〜(9)に準じた効果は得られる。
[Calibration substrate W0]
The calibration substrate W0 may include a through-hole that penetrates the calibration substrate W0 as the substrate mark Wm, for example. Even if the substrate mark Wm is a through-hole, the effects according to the above (1) to (9) can be obtained.

なお、基板マークWmが薄膜パターンである構成であれば、基板マークWmの厚みが薄いため、表面観察による基板マークWmの位置と、裏面観察による基板マークWmの透過画像の位置とが、ほぼ一致する。そのため、基板マークWmが薄膜パターンである構成は、基板マークWmが貫通孔である構成よりも、表裏における基板マークWmの検出精度、ひいては、基板の位置の検出精度を高められる。   If the substrate mark Wm is a thin film pattern, since the thickness of the substrate mark Wm is thin, the position of the substrate mark Wm by the front surface observation and the position of the transmission image of the substrate mark Wm by the back surface observation are almost the same. To do. For this reason, the configuration in which the substrate mark Wm is a thin film pattern can improve the detection accuracy of the substrate mark Wm on the front and back, and thus the detection accuracy of the position of the substrate, as compared with the configuration in which the substrate mark Wm is a through hole.

・校正用基板W0は、例えば、光反射性の基板マークWmと、その周囲を覆う反射防止膜とを備えることも可能である。筐体13,47の外側に位置し、かつ、テレセントリック光学系を備えるカメラ12,42では、通常、筐体13,47の内側に位置するカメラや、テレセントリック光学系を備えないカメラと比べて、校正用基板W0と対物レンズとの距離、すなわち、カメラの作動距離が大きく、対物面からの光以外の光が対物レンズに入射しやすい。   The calibration substrate W0 can include, for example, a light reflective substrate mark Wm and an antireflection film covering the periphery thereof. The cameras 12 and 42 that are located outside the housings 13 and 47 and have a telecentric optical system are usually compared to cameras that are located inside the housings 13 and 47 and cameras that do not have a telecentric optical system. The distance between the calibration substrate W0 and the objective lens, that is, the working distance of the camera is large, and light other than light from the objective surface is likely to enter the objective lens.

この点、反射防止膜を備える校正用基板W0であれば、光反射性の各基板マークWmと、その周囲とを覆う反射防止膜が、対物面での反射を抑える。結果として、作動距離が大きいカメラ12,42であっても、各基板マークWmを明確に撮影することが可能となる。   In this regard, if the calibration substrate W0 includes an antireflection film, the antireflection film covering each of the light-reflective substrate marks Wm and the periphery thereof suppresses reflection on the object surface. As a result, even with the cameras 12 and 42 having a large working distance, it is possible to clearly photograph each board mark Wm.

[蒸着装置]
・蒸着装置は、EFEM10に表面撮影部のみを備え、蒸着チャンバー34に裏面撮影部を備えることも可能である。表面撮影部と裏面撮影部とが別々の筐体13,47に搭載される構成であっても、上記(1)に準じた効果を得ることは可能である。
[Vapor deposition equipment]
The vapor deposition apparatus may include only the front surface photographing unit in the EFEM 10 and the rear surface photographing unit in the vapor deposition chamber 34. Even if the front surface photographing unit and the rear surface photographing unit are mounted in separate casings 13 and 47, it is possible to obtain the effect according to the above (1).

なお、EFEM10が表面撮影部と裏面撮影部とを備える構成であれば、表面撮影部のカメラと裏面撮影部のカメラとが1つの基板マークWmを一度に撮影することが可能である。そのため、基板マークWmの相対位置が、環境の変化によって変位することを抑えること、ひいては、基板の位置の検出精度をさらに高めることが可能ともなる。   If the EFEM 10 is configured to include a front surface photographing unit and a back surface photographing unit, the camera of the front surface photographing unit and the camera of the rear surface photographing unit can photograph one substrate mark Wm at a time. For this reason, it is possible to suppress the relative position of the substrate mark Wm from being displaced due to a change in the environment, and to further increase the detection accuracy of the position of the substrate.

E…輪郭、M…蒸着マスク、W…処理基板、MA,WA…配置領域、Mm…マスクマーク、P1,P2,P3…光軸位置、W0…校正用基板、WF…表面、Wm…基板マーク、Wp…外周部、WR…裏面、IM1…表面画像、IM2…第1裏面画像、IM4…第2裏面画像、IMB…背景像、SIG…駆動信号、Wp1…平坦部、Wp2…ベベル部、IM21…第1像、IM22…第2像、1A,2A,4A…光軸、1Z,2Z,4Z…撮影領域、10…EFEM、10S…ステージ、11…マークカメラ、12…ロードカメラ、13,47…筐体、20…画像処理部、30…蒸着装置、30C…制御装置、31…搬送チャンバー、32…搬出入チャンバー、34…蒸着チャンバー、35…反転チャンバー、36…スパッタチャンバー、41…蒸着源、42…蒸着カメラ、42M…蒸着材料、43…基板ホルダー、44…マスクホルダー、45…駆動源、46…駆動機構。
E ... contour, M ... evaporation mask, W ... processing substrate, MA, WA ... arrangement area, Mm ... mask mark, P1, P2, P3 ... optical axis position, W0 ... calibration substrate, WF ... surface, Wm ... substrate mark , Wp ... outer peripheral part, WR ... back surface, IM1 ... front surface image, IM2 ... first back surface image, IM4 ... second back surface image, IMB ... background image, SIG ... driving signal, Wp1 ... flat part, Wp2 ... bevel part, IM21 ... 1st image, IM22 ... 2nd image, 1A, 2A, 4A ... Optical axis, 1Z, 2Z, 4Z ... Shooting area, 10 ... EFEM, 10S ... Stage, 11 ... Mark camera, 12 ... Road camera, 13, 47 DESCRIPTION OF SYMBOLS ... Housing | casing 20 ... Image processing part 30 ... Deposition apparatus, 30C ... Control apparatus, 31 ... Transfer chamber, 32 ... Carry-in / out chamber, 34 ... Deposition chamber, 35 ... Inversion chamber, 36 ... Sputter chamber, 41 Deposition source, 42 ... vapor deposition camera, 42M ... deposition material, 43 ... substrate holder, 44 ... mask holder, 45 ... drive source, 46 ... drive mechanism.

Claims (7)

非透過性の基板である処理基板の位置を検出する位置検出装置であって、
光透過性の基板である校正用基板の表面が複数の基板マークを備え、
前記位置検出装置は、
各基板マークに対応付けられたカメラで基板の表面を撮影する表面撮影部と、
各基板マークに対応付けられたカメラで基板の裏面を撮影する裏面撮影部と、
前記表面撮影部の各カメラが前記基板マークを撮影した結果から、前記表面撮影部のカメラ間の相対位置を算出し、当該カメラ間の相対位置と、前記表面撮影部の各カメラが前記処理基板を撮影した結果とを用い、表面撮影による前記処理基板の位置を算出し、かつ、
前記裏面撮影部の各カメラが前記基板マークの透過画像を撮影した結果から、前記裏面撮影部のカメラ間の相対位置を算出し、当該カメラ間の相対位置と、前記裏面撮影部の各カメラが前記処理基板を撮影した結果とを用い、裏面撮影による前記処理基板の位置を算出する画像処理部と、を備える
位置検出装置。
A position detection device for detecting the position of a processing substrate which is a non-transparent substrate,
The surface of the calibration substrate, which is a light transmissive substrate, has a plurality of substrate marks,
The position detection device includes:
A surface photographing unit that photographs the surface of the substrate with a camera associated with each substrate mark;
A back side photographing unit for photographing the back side of the board with a camera associated with each board mark;
The relative position between the cameras of the front surface photographing unit is calculated from the result of each camera of the front surface photographing unit photographing the substrate mark, and the relative position between the cameras and each camera of the front surface photographing unit is the processing substrate. And using the result of photographing, the position of the processing substrate by surface photographing is calculated, and
From the result of each camera of the back surface photographing unit photographing the transmission image of the substrate mark, the relative position between the cameras of the back surface photographing unit is calculated, and the relative position between the cameras and each camera of the back surface photographing unit are calculated. An image processing unit that calculates a position of the processing substrate by backside imaging using a result of imaging the processing substrate.
前記表面撮影部の撮影する対象は、前記処理基板の表面に位置する基板マークを含み、
前記裏面撮影部の撮影する対象は、前記処理基板の裏面に位置する平坦部と、該平坦部につながるベベル部との境界を含み、
前記画像処理部は、前記裏面撮影部の各カメラが撮影した前記平坦部と前記ベベル部との境界をこれらのコントラストに基づいて抽出し、該抽出された境界を、前記裏面撮影部の各カメラが前記処理基板を撮影した結果として用いる
請求項1に記載の位置検出装置。
The object to be photographed by the surface photographing unit includes a substrate mark located on the surface of the processing substrate,
The object to be photographed by the back surface photographing unit includes a boundary between a flat part located on the back surface of the processing substrate and a bevel part connected to the flat part,
The image processing unit extracts a boundary between the flat portion and the bevel portion captured by each camera of the back surface photographing unit based on the contrast, and extracts the extracted boundary from each camera of the back surface photographing unit. The position detection device according to claim 1, wherein the position detection device is used as a result of imaging the processing substrate.
非透過性の基板である処理基板の位置を検出する位置検出方法であって、
表面に複数の基板マークを備えた光透過性の基板である校正用基板を用い、前記基板マークに対応付けられたカメラで当該基板マークを前記校正用基板の表面側から表面撮影部が撮影すると共に、前記基板マークに対応付けられたカメラで当該基板マークを前記校正用基板の裏面側から裏面撮影部が撮影することと、
前記表面撮影部の各カメラが前記基板マークを撮影した結果から、前記表面撮影部のカメラ間の相対位置を画像処理部が算出し、当該カメラ間の相対位置と、前記表面撮影部の各カメラが前記処理基板を撮影した結果とを用い、表面撮影による前記処理基板の位置を前記画像処理部が算出することと、
前記裏面撮影部の各カメラが前記基板マークの透過画像を撮影した結果から、前記裏面撮影部のカメラ間の相対位置を前記画像処理部が算出し、当該カメラ間の相対位置と、前記裏面撮影部の各カメラが前記処理基板を撮影した結果とを用い、裏面撮影による前記処理基板の位置を前記画像処理部が算出することとを含む
位置検出方法。
A position detection method for detecting the position of a processing substrate which is a non-transparent substrate,
Using a calibration substrate, which is a light-transmitting substrate having a plurality of substrate marks on the surface, the surface photographing unit photographs the substrate mark from the surface side of the calibration substrate with a camera associated with the substrate mark. In addition, the back surface photographing unit photographs the substrate mark from the back surface side of the calibration substrate with a camera associated with the substrate mark,
The image processing unit calculates the relative position between the cameras of the front surface photographing unit from the result of each camera of the front surface photographing unit photographing the substrate mark, and the relative position between the cameras and each camera of the front surface photographing unit. Using the result of photographing the processing substrate, the image processing unit calculates the position of the processing substrate by surface photographing;
The image processing unit calculates the relative position between the cameras of the back surface photographing unit from the result of each camera of the back surface photographing unit photographing the transmission image of the substrate mark, and the relative position between the cameras and the back surface photographing The image processing unit calculates the position of the processing substrate by backside imaging using the result of each camera of the unit imaging the processing substrate. A position detection method.
前記裏面撮影部の各カメラは、テレセントリック光学系を備え、前記処理基板を収容する筐体の外側から前記処理基板を撮影し、
前記校正用基板は、光反射性の各基板マークと、当該基板マークの周囲とを覆う反射防止膜を備える
請求項3に記載の位置検出方法。
Each camera of the back surface photographing unit includes a telecentric optical system, photographs the processing substrate from the outside of the housing that houses the processing substrate,
The position detection method according to claim 3, wherein the calibration substrate includes an antireflection film that covers each of the light-reflective substrate marks and the periphery of the substrate mark.
前記校正用基板の熱膨張率は、3ppm/℃以下である
請求項4に記載の位置検出方法。
The position detection method according to claim 4, wherein the calibration substrate has a coefficient of thermal expansion of 3 ppm / ° C. or less.
非透過性の基板である処理基板の表面に蒸着を行うための蒸着チャンバーと、
前記処理基板の位置を検出する位置検出装置と、を備え、
光透過性の基板である校正用基板の表面は、複数の基板マークを備え、
前記位置検出装置は、
各基板マークに対応付けられたカメラで基板の表面を撮影する表面撮影部と、
各基板マークに対応付けられたカメラで基板の裏面を撮影する裏面撮影部と、
前記表面撮影部の各カメラが前記基板マークを撮影した結果から、前記表面撮影部のカメラ間の相対位置を算出し、当該カメラ間の相対位置と、前記表面撮影部の各カメラが前記処理基板を撮影した結果とを用い、表面撮影による前記処理基板の位置を算出し、かつ、
前記裏面撮影部の各カメラが前記基板マークの透過画像を撮影した結果から、前記裏面撮影部のカメラ間の相対位置を算出し、当該カメラ間の相対位置と、前記裏面撮影部の各カメラが前記処理基板を撮影した結果とを用い、裏面撮影による前記処理基板の位置を算出する画像処理部と、を備える
蒸着装置。
A deposition chamber for performing deposition on the surface of the processing substrate which is a non-permeable substrate;
A position detection device for detecting the position of the processing substrate,
The surface of the calibration substrate, which is a light transmissive substrate, includes a plurality of substrate marks,
The position detection device includes:
A surface photographing unit that photographs the surface of the substrate with a camera associated with each substrate mark;
A back side photographing unit for photographing the back side of the board with a camera associated with each board mark;
The relative position between the cameras of the front surface photographing unit is calculated from the result of each camera of the front surface photographing unit photographing the substrate mark, and the relative position between the cameras and each camera of the front surface photographing unit is the processing substrate. And using the result of photographing, the position of the processing substrate by surface photographing is calculated, and
From the result of each camera of the back surface photographing unit photographing the transmission image of the substrate mark, the relative position between the cameras of the back surface photographing unit is calculated, and the relative position between the cameras and each camera of the back surface photographing unit are calculated. A vapor deposition apparatus, comprising: an image processing unit that calculates a position of the processing substrate by backside imaging using a result of imaging the processing substrate.
2つの前記裏面撮影部と、
外部から蒸着装置に基板を搬入する前段モジュールと、
前記前段モジュールが搬入した基板の表裏を反転させて前記蒸着チャンバーに基板を搬入する反転チャンバーと、を備え、
一方の前記裏面撮影部は、前記表面撮影部と共に前記前段モジュールに搭載され、
他方の前記裏面撮影部は、前記蒸着チャンバーに搭載される
請求項6に記載の蒸着装置。
Two back side imaging sections;
A pre-stage module for bringing the substrate into the vapor deposition apparatus from the outside;
A reversing chamber for reversing the front and back of the substrate loaded by the front module and loading the substrate into the vapor deposition chamber,
One of the back surface photographing units is mounted on the front module together with the front surface photographing unit,
The vapor deposition apparatus according to claim 6, wherein the other rear surface photographing unit is mounted on the vapor deposition chamber.
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