JP6488593B2 - 照明装置 - Google Patents

Description

本発明は照明装置に関し、特に有機ＥＬ素子を用いた照明装置等の光取り出し効率向上に関するものであり、発光層表面に凹凸形状を作らずに光り取り出しの機構を作ることによって、効率よく光を取り出しつつ、陽極端子部を低抵抗化することに用いて好適な技術に関する。

一般的な有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子のような照明装置の場合、ガラス基板から空気中へ放射される光取出し効率はわずか２０％に過ぎない。そこで、パネル量産性等を勘案し、外付けフィルムを素子に貼付するケースが多い。パネルの素子構造に依存するが外付けフィルムを素子に貼付した場合でも光取出し効率は２５％程度であり、光のロスが大きい。この理由としては有機層と基板、主にガラス基板やプラスチック製基板の屈折率が異なり、その界面にて全反射することが要因として上げられる。さらに光取出し効率を向上させるには、素子内部にも光取出し構造を設ける必要ある。照明装置の光取出し効率を検討したものとして、例えば特許文献１及び２が知られている。

特許文献１は、基板上に外付けフィルムを貼付した一例であり、基板と空気層の界面での光の全反射を抑制し、光取出し効率を向上することが可能となる（図1）。
特許文献２は、有機層と基板の屈折率差を緩和するために母型を使用し凹凸を設ける方法である。
特許文献３は、ＩＴＯ等の透明陽における低抵抗化のために、補助配線を設ける方法が記載されている。

特開平８−８３６８８号公報 特開２００９−００９８６１号公報 特開２００３−３１６２９１号公報

しかし、特許文献１では、光を取り出す際に光散乱性のフィルム表面と、アルミや銀等の陰極部での再帰反射を利用し、光を外部に取り出すために、光散乱性のフィルムによる外部取り出し効率が上昇する半面、再帰反射の際の透明陽極部及び発光素子部、陰極での光の吸収があり、光がロスするという問題がある。また、先にも述べた通り、取り出し効果は有機層と基板の屈折率差を考慮しておらず、その点において取り出し効果は十分とは言えない。

また、特許文献２は、特許文献１と同様再帰反射の際の透明陽極部及び発光素子部、陰極での光の吸収があり、光がロスするという問題がある。また、このように有機層にまで凹凸形状が及ぶと、陽極陰極間のリークあるいはショートが発生することが多くなり、生産性の低いものとなってしまう欠点があった。

また、ディスプレイや照明用途での有機ＥＬ素子は、発光した光を外部に放出する必要があるため電極を透明にする必要がある。この透明電極は一般的にＩＴＯ等を用いることが多く、抵抗値が通常のＡｌやＡｇと比較して高いことが一般的である。抵抗値が高いため、発光面積が大きくなると外部から供給した電力が電圧降下してしまう。それにより、発光面内で電力供給部の近辺は明るく、電力供給部から遠くなるにつれて暗くなるといった輝度ムラが発生するという課題がある。この場合、課題の回避策として、Ａｌ等の抵抗値の低い補助電極を用いることが一般的であるが、補助電極を用いた場合、その部分が発光しないか、発光しても隠蔽されてしまうため、発光面積が減るという問題がある。

さらに、特許文献３の技術であると、補助配線により陽極の低抵抗化を図っているが、一般的な構成だと、通常補助配線した箇所は発光しないため、照明装置の発光面内に発光部と非発光部ができることになり、製品のデザインを損ねる原因となる。

本発明は、上記の事情に鑑みてなされたもので、有機ＥＬ素子を利用した照明装置等の光取り出し効率向上を図るものであり、発光層表面に凹凸形状を作ることなく光り取り出しの機構を作ることによって、効率よく光を取り出しつつ、陽極端子部を低抵抗化する以下の目的を達成しようとするものである。

本発明は、透光性基板に、透明陽極部と発光素子部と陰極部とが積層されて、島状の発光領域とその周囲の非発光領域とが形成される照明装置である。
この照明装置は、透光性基板と透明陽極部との間に積層され透光性基板よりも屈折率が高く設定された高屈折平坦層と、非発光領域における透明陽極部の透光性基板側に積層されて導電性及び光反射性を有する電気伝導光反射層とを備える。
透明陽極部の一部は、発光領域において電気伝導光反射層を貫通しており、発光素子部の一部は、発光領域において電気伝導光反射層の厚さの範囲内に位置している。

本発明によれば、発光領域において、発光素子部から発せられた光が透光性基板と高屈折平坦層との界面で全反射した場合でも、非発光領域の電気伝送光反射層によって反射して外部に光を取り出すことが可能となる。また、発光領域において、発光素子部から発せられた光が透光性基板と外部との界面で全反射した場合でも、非発光領域の電気伝送光反射層によって反射して外部に光を取り出すことが可能となる。これにより、透光性基板の両表面位置において発光素子部から発せられた光が全反射して発光素子部に戻ってしまうことを低減して、効率よく光を取り出すことが可能となる。

本発明は、前記非発光領域に設けられた散乱部を具備することより、発光領域において、発光素子部から発せられた光が透光性基板と高屈折平坦層との界面で全反射した場合でも、非発光領域の散乱部によって外部に光を取り出すことが可能となる。また、発光領域において、発光素子部から発せられた光が透光性基板と外部との界面で全反射した場合でも、非発光領域の散乱部によって反射して外部に光を取り出すことが可能となる。これにより、透光性基板の両表面位置において発光素子部から発せられた光が全反射して発光素子部に戻ってしまうことを低減して、さらに効率よく光を取り出すことが可能となる。

本発明は、前記発光領域における前記発光素子部と前記透明基板との厚さ方向距離が、厚さ方向に屈折率が１．５以上として設定され、前記発光素子部からの光を前記透光性基板との界面側で全反射可能とされることにより、発光素子部から発せられた光が全反射して発光素子部に戻ってしまうことを低減して、効率よく光を取り出すことが可能となる。

本発明では、前記発光領域における前記発光素子部から前記透光性基板までの厚さ寸法Ｂと、前記発光領域の径寸法Ａとが、
Ｂ＞（Ａ／２）
となるように設定されることにより、発光素子部から発せられた光が透光性基板と高屈折平坦層との界面で全反射して発光素子部に戻ってしまうことを低減して、非発光領域において効率よく光を取り出すことが可能となる。

本発明の前記非発光領域には、前記透明陽極部と前記発光素子部との間に、絶縁層が積層されることにより、電気伝導光反射層部でのロスとなる発光が無くなり、発光素子部のパターニングの必要が無く製造工程を簡単化することができる。

本発明は、前記散乱部として、前記高屈折平坦層と前記透明陽極部との間に、高屈折散乱層が設けられる手段か、前記散乱部として、前記透光性基板側の前記高屈折平坦層に、散乱凹凸形状が設けられる手段か、前記散乱部として、前記透光性基板の前記高屈折率層と反対側面に微細凹凸形状が設けられる手段を採用することにより、効率よく非発光層において全反射してきた光を散乱して外に取り出すことが容易にできる。

本発明は、前記高屈折散乱層に、光散乱性を有する微粒子が含まれることにより、容易に散乱により全反射してきた光を外に取り出せるため、構造の自由度を向上することができる。

本発明によれば、全反射して発光ロスとなるはずの光を効率よく取り出し、且つ、透明陽極を低抵抗化できる、さらに、発光素子部（発光層）の存在する厚み方向に、光散乱層が無く、平坦性を確保できることから、発光層を長寿命化することができ、信頼性も向上することができるという効果を奏することが可能となる。

本発明に係る照明装置の第１実施形態を示す側断面図である。 本発明に係る照明装置の第１実施形態における導電反射部及び開口部の配置を示す平面図である。 本発明に係る照明装置の第１実施形態における照明装置の製造方法を示す工程断面図である。 本発明に係る照明装置の第１実施形態における照明装置の製造方法を示す工程断面図である。 本発明に係る照明装置の第１実施形態における照明装置の製造方法を示す工程断面図である。 本発明に係る照明装置の第１実施形態における照明装置の製造方法を示す工程断面図である。 本発明に係る照明装置の第１実施形態における導電反射部及び開口部の配置の他の例を示す平面図である。 本発明に係る照明装置の第２実施形態を示す側断面図である。 本発明に係る照明装置の第２実施形態における照明装置の製造方法を示す工程断面図である。 本発明に係る照明装置の第２実施形態における照明装置の製造方法を示す工程断面図である。 本発明に係る照明装置の第２実施形態における照明装置の製造方法を示す工程断面図である。 本発明に係る照明装置の第３実施形態を示す側断面図である。

以下、本発明に係る有機ＥＬ素子用前面板、照明装置の第１実施形態を、図面に基づいて説明する。
図１は、本実施形態における照明装置を示す側断面図、図２は、本実施形態における照明装置を示す平面図であり、図において、符号１は、照明装置である。

本実施形態に係る照明装置（有機ＥＬ素子）１は、図１、図２に示すように、透光性基板１１と、透光性基板１１に積層された高屈折率層１２と、高屈折率層１２に積層された透明陽極部１３と、透明陽極部１３に積層された電気絶縁層１４と、電気絶縁層１４に積層された発光素子部１５と、発光素子部１５に積層された陰極部１６と、高屈折率層１２に積層された高屈折散乱層（散乱部）１７と、高屈折散乱層に積層されて透明陽極部１３が積層された電気伝導光反射層１８とを備えている。照明装置１は、図１、図２に示すように、発光素子部１５の発光する発光領域Ｒ１とその周囲の非発光領域Ｒ２とを有する。
これら、透光性基板側１１と、高屈折率層１２と、高屈折散乱層（散乱部）１７と、電気伝導光反射層１８とは、有機ＥＬ素子用前面板１ａを構成する。

透光性基板１１は、ガラスあるいはＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）等のプラスチック材質でシート状に形成されている。透光性基板１１の厚さは、例えば０．３〜３ｍｍ程度である。一般的に、透光性基板１１が薄ければ曲げることが可能となり、フレキシブル用途に用いられ、また、ロールtoロールとしての巻回された長尺基板に有機ＥＬ素子を製造することもできる。また、透光性基板１１が厚い場合には、剛性が必要とされる用途に用いることが可能となる。

高屈折率層１２は、発光素子部１５の屈折率以上の屈折率とすることが好ましい。具体的には、高屈折率層１２の屈折率は、１．５以上２．０以下であることが好ましく、より好ましくは１．７以上１．８５以下とすることが望ましい。なお、本発明において、高屈折率層１２の屈折率とは、透光性基板１１の法線方向、または、照明装置１の視認方向における屈折率を意味するものとされ、屈折率の異方性があった場合でもこの方向における屈折率が上述の範囲に設定されていればよく、透光性基板１１の面内方向における高屈折率層１２の屈折率が上記の範囲外であることも可能である。

高屈折率層１２は、例えばアクリル樹脂やウレタン樹脂、有機物質と無機物質とのハイブリッド材料を用いることができる。高屈折率層１２の厚さは、０．５μｍ（マイクロメートル）〜３０μｍの範囲であることが好ましい。
高屈折率層１２の厚さが、０．５μmより薄くなってくると干渉作用、トンネル効果等の作用により幾何光学的な界面として機能しなくなってしまうため、光を散乱部１７に十分に導波できないため好ましくない。また、高屈折率層１２の厚さが３０μｍを超える場合には、高屈折率層１２の材料に含まれる水分量が大きすぎて発光素子部１５にダメージを与えたり、高屈折率層１２が散乱層として厚すぎるため、光の透過性が弱くなり好ましくない。
また、高屈折率層１２の透明陽極部１３と接する面の粗さは、Ｒａ＜１０ｎｍが好ましい。これより粗いと、透明陽極部１３の表面を研磨したとしても十分に平滑にできず、発光素子部１５で均一な発光が得られないため好ましくない。高屈折率層１２の透明陽極部１３と接する面の粗さの下限値は、特にないが、Ｒａが０．０５ｎｍ以上に平滑であれば十分であり、これより平滑であっても発光面内の均一性には影響しないため、Ｒａが０．０５ｎｍ以上の平滑であればよい。
高屈折率層１２は、透光性基板１１における視認側とされる表面とは反対側の面に全面にわたり積層されている。

透明陽極部１３は、例えば、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）等の透明な材料で形成することができる。透明陽極部１３は、高屈折率層１２の透光性基板１１とは反対側に積層されている。透明陽極部１３は、有機ＥＬ素子としてのタイプによって、全面積層あるいは、パターニングされた部分積層のどちらかが適応される。透明陽極部１３は、後述する発光領域Ｒ２でのみ高屈折率層１２と接触し、後述する非発光領域Ｒ１では高屈折率層１２との間に、高屈折散乱層（散乱部）１７や電気伝導光反射層１８が積層される。

高屈折散乱層（散乱部）１７は、高屈折率層１２と同等の材料からなり、その中に後述する光散乱性を有する微粒子を入れることができる。この場合、微粒子の粒径を高屈折散乱層１７の厚さよりも小さくする必要がある。
散乱性微粒子（微粒子）にはＴｉＯ_２，ＳｉＯ_２，Ａｌ_２Ｏ_３，ＺｒＯ，ＣａＣＯ_３，ＢａＳＯ_４，Ｍｇ_３Ｓｉ_４Ｏ１０（ＯＨ）_２等を適用することができ、粒径も数十ｎｍから数百μｍ 等さまざま有り、これに限るものではないが、粒径が小さいと散乱効果があまりでなく、粒径が１００ｎｍより小さいと十分な散乱効果が得られない。サイズが大きくなればさらに散乱効果は増えるが、限界があり、３０μｍ以上の粒径のフィラーを入れてもそれ以上は散乱の効果を期待できないため、粒径は１００ｎｍから３０μｍ範囲で調整することが好ましい。
また、高屈折散乱層１７の厚さが０．５μｍよりも薄いと、添加できる微粒子の粒径が小さすぎて光の散乱性が弱まり、散乱材として機能しないため、好ましくない。
高屈折散乱層（散乱部）１７は、後述する非発光領域Ｒ１のみに設けられ、発光領域Ｒ２には設けられない。
なお、本実施形態では、高屈折散乱層１７を高屈折率層１２と一体として、微粒子含有の有無のみで後述する非発光領域Ｒ１と発光領域Ｒ２との領域を区別して形成することも可能である。

電気伝導光反射層１８は、Ｍｏ（モリブデン）、Ｎｉ（ニッケル）、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）等で形成され、電気を効率良く伝導させる導電性、及び光を反射させる光反射性を有する層である。
電気伝導光反射層１８は、透明陽極部１３に蒸着でつけることもでき、その場合、厚さが数１０ｎｍ（ナノメートル）以上あれば強く光を反射させることが可能となる。この場合光を反射させるだけではなく、電気伝導光反射層１８と透明陽極部１３とで、あわせて全体の抵抗値を下げる効果もある。電気伝導光反射層１８と透明陽極部１３との合計として厚膜化すればするほど、抵抗値は下がるが、材料コストもかかり、蒸着でも厚膜化には限界があるため、電気伝導光反射層１８厚さの上限としては１０μｍ程度とすることが好ましい。電気伝導光反射層１８は、側面視で（透光性基板１１の厚さ方向に直交する方向に見たときに）矩形状に形成されている。

電気伝導光反射層１８は、例えば、透光性基板１１側からＭｏ／Ａｌ／Ｍｏの積層構造とすることや、Ａｌ／Ｍｏまたは、Ａｌ／Ｎｉ、Ａｇ／Ｍｏ，Ａｇ／Ｎｉとして視認側となる透光性基板１１側に反射率の高いＡｌ，Ａｇ等を設けることができる。
この場合、Ｍｏは反射率は低いもののＩＴＯ等とされる透明陽極部１３や発光素子層１５に対するバリア層とすることができる。
電気伝導光反射層１８は、パターニングされた透明陽極部１３に対応して積層されることもでき、また、非発光領域Ｒ１の全体に積層されることもできる。

本実施形態の照明装置１は、図１に示すように、高屈折散乱層（散乱部）１７および電気伝導光反射層１８が、発光領域Ｒ２を除く非発光領域Ｒ１全面に積層されている。これにより、電気伝導光反射層１８の透光性基板１１と反対側の面で見ると、発光領域Ｒ２が非発光領域Ｒ１に設けられた穴部のようになっている。つまり、内壁が高屈折散乱層（散乱部）１７および電気伝導光反射層１８の二層からなり、底面が高屈折率層１２とされた凹部が形成されていることになる。また、内壁が高屈折散乱層（散乱部）１７および電気伝導光反射層１８の二層からなり、底面が高屈折率層１２とされた凹部の内面全部、および、その外側である非発光領域Ｒ１の全面に積層されている。透明陽極部１３は、透明陽極部１３は、内壁が高屈折散乱層（散乱部）１７および電気伝導光反射層１８の二層からなり、底面が高屈折率層１２とされた凹部の内面全部に積層されるとともに、その外側である非発光領域Ｒ１では、所定の形状にパターニングされることができる。
さらに、発光素子部１５は、内壁が高屈折散乱層（散乱部）１７および電気伝導光反射層１８の二層からなり底面が高屈折率層１２とされた凹部において、その内面の透明陽極部１３表面全部、および、その外側である非発光領域Ｒ１の全面に積層されている。

電気絶縁層（絶縁層）１４は、非発光領域Ｒ１における発光素子部１５を覆うように積層されている。
電気絶縁層１４は光を伝導させない遮光性の層であり、アクリル樹脂やウレタン樹脂等の多くのプラスチック材料、無機材料で形成することができる。なお、電気絶縁層１４を非発光領域Ｒ１全面に形成する場合には、透明電極１３を電気を伝導させない（絶縁性を有する）ために、電気絶縁層１４の厚さは、１ｎｍ以上あれば絶縁として問題ないが、電気絶縁層１４にある程度のラフネスがある場合には厚膜にする必要がある。また、電気絶縁層１４を形成する下地のラフネスも考慮する必要があり、下地の表面粗さＲａに対して１０倍程度の厚みを設けると、十分な電気絶縁性が得られるため漏電等を防げ安全性上好ましい。

なお、図２に示すように、視認方向に見たときに、電気絶縁層１４が積層された範囲が後述する光Ｌ２を反射する導電反射部（非発光領域）Ｒ１となり、電気絶縁層１４が積層されていない範囲が発光素子部１５の発光する開口部（発光領域）Ｒ２となる。
図２に示すように、各発光領域Ｒ２は島状に形成され、複数の発光領域Ｒ２は所定の間隔を有して六方最密状に配列されている。開口部（発光領域）Ｒ２は円形であれば、発光した光が非発光領域Ｒ１の高屈折散乱層（散乱部）１７に効率的に拡散され、外部に取り出されるため、高い外部発光効率を得られ好ましい。また、開口部（発光領域）Ｒ２が六方最密状に配置されていれば、導電反射部（非発光領域）Ｒ１のうち、開口部（発光領域）Ｒ２からの光が到達しない領域を最小限にできるため好ましい。
電気絶縁層１４により各発光領域Ｒ２をこのように構成することで、発光領域Ｒ２の１つ１つを目立たなくし、複数の発光領域Ｒ２全体で面発光しているのと同等に見せることができる。

この例では、電気絶縁層１４は、非発光領域Ｒ１における透明陽極部１３の電気伝導光反射層１８とは反対側の面、及び、発光領域Ｒ２において、内壁が高屈折散乱層（散乱部）１７および電気伝導光反射層１８の二層からなり底面が高屈折率層１２とされた凹部に形成された透明陽極部１３のうち、凹部の内側壁面に沿って積層されている。また、非発光領域Ｒ１において透明陽極部１３がパターニングされている場合には、透明陽極部１３の有無と関係なく電気伝導光反射層１８を覆って電気絶縁層１４が積層され、非発光領域Ｒ１の全域に電気絶縁層１４が積層される。発光素子部１５の一部は、凹部の底面で透明陽極部１３に直接接触している。

発光素子部１５は、透明陽極部１３の電気伝導光反射層１８とは反対側に電気絶縁層１４を介して積層される。本実施形態では、発光素子部１５は、発光領域Ｒ２および非発光領域Ｒ１の全面に積層されている。
発光素子部１５には、電極から注入された電荷を移動させ、正孔と電子が再結合する材料を用いることが好ましい。
具体的には、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）や、ビス（ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯体（ＢｅＢｑ）、トリ（ジベンゾイルメチル）フェナントロリンユーロピウム錯体（Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ））、ジトルイルビニルビフェニル（ＤＴＶＢｉ）等を用いることができる。
発光素子部１５の厚さは構成によって異なるが、数１００ｎｍ以下であることが好ましい。

陰極部１６は、電気伝導光反射層１８と同様にＡｌやＡｇ等で形成され、導電性及び光反射性を有する層である。
陰極部１６の厚さは、数ｎｍ〜５００ｎｍであることが好ましい。
陰極部１６は、発光領域Ｒ２における発光素子部１５の全面、および、非発光領域Ｒ１における発光素子部１５の電気絶縁層１４とは反対側に積層されている。非発光領域Ｒ１においては、透明陽極部１３と同様に、全面積層あるいはパターニングされた部分積層のどちらかが適応される。

本実施形態における照明装置１では、図１に示すように、発光領域Ｒ２における発光素子部１５から透光性基板１１までの厚さ寸法Ｂと、発光領域Ｒ２の径寸法Ａとが、
Ｂ＞（Ａ／２）
となるように設定される。この設定から外れると、全反射した光が再度発光素子側に戻る可能性が高くなり、素子側の反射率は低いためその分光のロスになる。

このように構成された照明装置１では、透光性基板１１、高屈折率層１２、透明陽極部１３、電気絶縁層１４、発光素子部１５、陰極部１６、高屈折散乱層（散乱部）１７、電気伝導光反射層１８等は、従来の有機ＥＬ素子と同様に、蒸着やエッチングなどの公知の手法により所定のパターン形状に形成するとともに、公知のロールｔｏロール方式にて製造することができる。

以下、本実施形態における照明装置１の製造方法を説明する。
図３〜図６は、本実施形態における照明装置の製造方法を示す工程断面図である。

本実施形態における照明装置１の製造方法は、まず透光性基板準備工程として、図３（ａ）に示すように、透光性基板１１を用意する。こここで、透光性基板１１の厚さによって、薄い場合には、ロールｔｏロールでの製造を選択することもでき、厚い場合には、複数領域の有機ＥＬ素子として、枚葉の処理とすることもできる。

次いで、高屈折平坦層塗工程として、図３（ｂ）に示すように、透光性基板１１の必要な領域全面に、上述した高屈折率層１２を塗布・貼着等の方法によって積層する。

次いで、高屈折散乱層塗工程として、図３（ｃ）に示すように、高屈折率層１２上の透光性基板１１と反対側の面で必要な領域全面に、上述した高屈折散乱層（散乱部）１７を塗布・貼着等の方法によって積層する。

次いで、高屈折散乱層パターニング工程として、図３（ｄ）に示すように、高屈折率層１２上で非発光領域Ｒ１となる部分に、フォトリソグラフ法等によりマスクＭを形成し、図３（ｅ）に示すように、マスクＭにより、高屈折散乱層（散乱部）１７をドライエッチング・ウエットエッチング等の方法により、発光領域Ｒ２となる部分のみ除去し、高屈折率層１２まで達する凹部を形成する。

次いで、電気伝導光反射層成膜工程として、図４（ａ）に示すように、高屈折率層１２および高屈折散乱層（散乱部）１７上の全面に、上述した電気伝導光反射層１８を蒸着・スパッタリング等の方法によって積層する。

次いで、電気伝導光反射層パターニング工程として、図４（ｂ）に示すように、電気伝導光反射層１８上で非発光領域Ｒ１となる部分に、フォトリソグラフ法等によりマスクＭを形成し、図４（ｃ）に示すように、マスクＭにより、電気伝導光反射層１８をドライエッチング・ウエットエッチング等の方法により、発光領域Ｒ２となる部分のみ除去し、高屈折率層１２まで達する凹部を形成する。

図４（ｃ）に示すようにマスクＭを除去した後、透明陽極部成膜工程として、図４（ｄ）に示すように、高屈折率層１２上の非発光領域Ｒ１領域全面および上記凹部の内部に、上述した透明陽極部１３をスパッタリング等の方法によって積層する。

次いで、透明陽極部パターニング工程として、図５（ａ）に示すように、透明陽極部１３上で必要な部分に、フォトリソグラフ法等によりマスクＭを形成し、マスクＭにより、透明陽極部１３をドライエッチング・ウエットエッチング等の方法により、必要な形状となるようにパターニングする。

次いで、電気絶縁層成膜工程として、図５（ｂ）に示すように、透明陽極部１３上、電気伝導光反射層１８上および発光領域Ｒ２となる凹部内の全面に、上述した電気絶縁層１４を積層する。

次いで、電気絶縁層パターニング工程として、図５（ｃ）に示すように、電気絶縁層１４上で非発光領域Ｒ１となる部分に、フォトリソグラフ法等によりマスクＭを形成し、図６（ａ）に示すように、マスクＭにより、電気絶縁層１４を、ドライエッチング・ウエットエッチング等の方法によって発光領域Ｒ２となる部分のみ除去し、発光領域Ｒ２の透明陽極部１３を露出させる。

マスクＭを除去した後、発光層成膜工程として、図６（ｂ）に示すように、電気絶縁層１４および、発光領域Ｒ２の露出した透明陽極部１３上の全面に、上述した蒸着等の方法によって上述した発光素子部１５を積層する。

次いで、陰極成膜工程として、図６（ｃ）に示すように、発光素子部１５上の必要な領域全面に、上述した陰極部１６を蒸着・スパッタリング等の方法によって積層する。必要であればフォトリソ等によってパターニングした後、封止等の仕上げ工程をおこない照明装置１を完成する。

以下、このように構成され製造される本照明装置１における光の効率的な取り出しについて説明する。
通常、高屈折率層１２がない場合には、発光領域Ｒ２の発光素子部１５で発した光は、透光性基板１１から外部へ放射される際に、透光性基板１１と内部の透明陽極部１３との屈折率の差により、界面で全反射を起こして積層部分の内側に向けて反射されてしまう。同様に、発光領域Ｒ２の発光素子部１５で発した光は、透光性基板１１と外部の空気との屈折率の差により、界面で全反射を起こして積層部分の内側に向けて反射されてしまう。
このままでは、有意ＥＬ素子（照明装置）の外部に光が出られず、光のロスが発生する。

しかし、本実施形態の照明装置１では、図１に示すように、発光領域Ｒ２の発光素子部１５で発した光Ｌ１は、高屈折率層１２が設けられているために、高屈折率層１２と透光性基板１１との界面で全反射して光Ｌ２となる。
この光Ｌ２は、高屈折散乱層（散乱部）１７内部で含有されている微粒子により、散乱しながら電気伝導光反射層１８に当たるため、光Ｌ３の向きが光Ｌ１の向きに対して変化して、元々全反射しロスするはずであった光Ｌ２を透光性基板１１より外部へ取り出すことが可能となる。
光Ｌ１の向きに対して光Ｌ３の向きを変えるために、高屈折散乱層（散乱部）１７に含有させる微粒子（フィラー）の大きさ、密度等を所定の値に設定することができる。

同様に、発光領域Ｒ２の発光素子部１５で発した光Ｌ４も、透光性基板１１と外部の空気との屈折率の差により、界面で全反射を起こした場合でも、この光Ｌ５も、高屈折散乱層（散乱部）１７内部で含有されている微粒子により、散乱しながら電気伝導光反射層１８に当たるため、光の向きが変化して、元々全反射しロスするはずであった光Ｌ４を透光性基板１１より外部へ取り出すことが可能となる。

さらに、実施形態の照明装置１では、電気伝導光反射層１８の表面が、散乱部として、平坦ではなくある程度粗く設定されることができる。
これにより、図１に示すように、発光領域Ｒ２の発光素子部１５で発した光Ｌ１が界面で反射された光Ｌ２は、電気伝導光反射層１８の透明陽極部１３側の表面に当たって反射されて光Ｌ３となる。反射されることにより、光Ｌ３の向きが光Ｌ１の向きに対して変化して、元々全反射しロスするはずであった光Ｌ２を透光性基板１１より外部へ取出すことが可能となる。光Ｌ１の向きに対して光Ｌ３の向きを変えるために、電気伝導光反射層１８の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）は、例えば１００μｍ以上５００μｍ以下であることが好ましい。

電気伝導光反射層１８の表面がさらに粗い（算術平均粗さが大きい）場合には、図１に示した高屈折散乱層（散乱部）１７と同様に、光Ｌ２が電気伝導光反射層１８の表面で散乱して散乱光Ｌ３となる。
このように、高屈折散乱層（散乱部）１７と同等の性能を電気伝導光反射層１８に付与することができる。さらに、高屈折率層１２に微粒子を添加し散乱効果を持たせることも可能である。

また、電気伝導光反射層１８は発光領域Ｒ２から放射する光の放射方向となる位置に沿って、発光領域Ｒ２の全周となる非発光領域Ｒ１全体に配置されているため、電気伝導光反射層部１８は光っていないにもかかわらず、外部から照明を視認した際に、あたかも電気伝導光反射層１８が光っているように見せて、これにより、面発光させたように見せることが可能となる。また、高屈折散乱層（散乱部）１７に散乱性微粒子（微粒子）を入れることによって、有機ＥＬ素子（パネル）１の非点灯時にも点灯時にも、外部から見た際の電気伝導光反射層１８そのものをより隠蔽する効果がある。さらに透光性基板１１から光を取り出す効果をさらに高めることに寄与する効果がある。

また、高屈折散乱層（散乱部）１７に含有させる散乱性微粒子の添加量は４０ｗｔ％以下であることが好ましく、それ以上になると、散乱微粒子が凝集し、好ましくない。また、添加量が、５ｗｔ％より少ないと十分な散乱効果が得られないため、好ましくない。そのため、散乱性微粒子の添加量としては、５ｗｔ％〜４０ｗｔ％が好ましい。また高屈折率化のためにＺｒＯ_２やＴｉＯ_２等の微粒子を添加し屈折率を制御することができる。

また、高屈折率層１２および高屈折散乱層（散乱部）１７の厚みの和は１〜１００μｍの範囲とすることが好ましい。この高屈折率層１２および高屈折散乱層１７の厚みの和が１μｍより小さく薄いと、その中に入れる散乱性微粒子の粒径を厚みより小さくする必要があるため、微粒子の粒径が小さすぎて光の散乱性が弱まり、散乱材として機能しないため、好ましくない。また、厚みの和が１００μｍ以上の場合には材料に含まれる水分量が大きすぎ、発光素子部１５にダメージを与える可能性があり、また、散乱微粒子を入れた場合の表面粗さが大きくなり過ぎてリークの原因となる可能性がある。さらに、厚みの和が１００μｍ以上の場合には散乱層として厚すぎるため、光の透過性が弱くなるため、好ましくない。

また、照明装置１として、発光素子全体の面積に対する、発光する面積の割合を開口率とすると、（発光領域Ｒ２／発光領域Ｒ２＋非発光領域Ｒ１）で示される開口率が大きい場合には、発光素子の輝度値は大きくなるものの、発光効率は低下し、逆に開口率が小さい場合には、発光効率は高まるものの、面内輝度は低下する。よって、面内輝度と、発光効率のどちらを重視するかで、開口率を決める必要がある。

実施形態の照明装置１では、図１に示すように、凹部内壁での発光素子部１５の間隔をＡ、発光領域Ｒ２において透明陽極部１３に接した発光素子部１５から透光性基板１１までの距離をＢとした場合、Ｂ＞（Ａ／２）となることが好ましい。Ｂ＜（Ａ／２）の場合、ガラス表面にて全反射した光が再度発光面側に戻ってしまう可能性が高くなり、その結果取り出し効率が下がってしまう。ここで、発光素子部１５の間隔Ａは、発光領域Ｒ２の径寸法として設定できる。

また、開口率を小さくした場合、電気伝導光反射層１８の表面積割合が必然的に増えることになるが、これにより、発光素子での熱を伝達し、素子全体の熱上昇を緩和する効果がある。これにより、照明装置（発光素子）１の寿命を高めることが可能となる。

また、本実施形態の照明装置１では、高屈折散乱層（散乱部）１７の散乱により光を外部に取り出せるため、高屈折率層１２へ散乱微粒子を入れないことも可能である。高屈折率層１２に散乱微粒子を入れない場合には、また、高屈折率層１２と透明陽極部１３との界面において散乱微粒子による凹凸ができないことから、透明陽極部１３と発光素子部１５との界面も下地の影響による粗面になることがないため、透明陽極部１３と発光素子部１５との界面を容易に平滑化しやすく、均一な発光を得ることができるため好ましい。
このとき、発光領域Ｒ２における発光素子部１５から透光性基板１１までの厚さ寸法Ｂと、発光領域Ｒ２の径寸法Ａとが、
Ｂ＞（Ａ／２）
となるように設定することにより、発光素子部１５から発せられた光が透光性基板１１と高屈折平坦層１２との界面で全反射して発光素子部１５に戻ってしまうことを低減して、非発光領域Ｒ１において効率よく光を取り出すことが可能となる。
また、高屈折散乱層１７を設けない場合、電気伝導光反射層１８と高屈折率層１２との界面に散乱部として凹凸を設け、これにより散乱効果を持たせることも可能である。

また、高屈折率層１２を発光素子部側へ向けていることで、透光性基板の表面を平坦にすることができるため、清掃を簡単にし、デザイン性能も向上することができる。

また、透光性基板１１、高屈折率層１２、高屈折散乱層１７、電気伝導光反射層１８、透明陽極部１３等の構成は、ロールｔｏロールにて製造することが可能であるため、有機材料の製膜についても同様にロールｔｏロールで作製することが可能となるため、従来のガラス基板へ素子構造部を作製し、光散乱性のフィルムをプラスチック基材上に成型し、その後粘着材等を介してガラス基板上へ光散乱性のフィルムをプ密着させるといった製造工程と比較し工程を簡単化し、製造のリードタイムを上げ、低コスト化を図ることが可能となる。

透明陽極部１３を薄膜化することは、陽極としての抵抗値が上昇することを意味する。有機ＥＬ素子の給電は発光面の端部から行う場合が多く、端部から給電した場合、透明電極の抵抗による電圧降下により発光面内の電流密度を均一に保つことが難しく、発光面中央付近での発光量が減少するため、発光面の面内における明るさの分布の悪化の原因となる。陽極の抵抗値を下げるためは厚みを厚くするのが一番簡単な方法であるが、外部に対する発光の透過率を下げるため、トレードオフの関係となる。
また、透明陽極部１３の低抵抗化のために、２００℃程度もしくはそれ以上でのアニールによって、透明陽極部１３を結晶化し抵抗を下げる工程を付加することが一般的である。その場合、加熱対象の基板がその温度まで耐えうる必要があり、材料に有機材料が用いられている場合には、高温のため材料が劣化する可能性がある。これに対し本実施形態における構成によれば、光の反射材料として使用している電気伝導光反射層１８が透明陽極部１３の低抵抗化にも寄与しているため、透明陽極部１３に対する高温でのアニールは絶対必須条件ではなくなり、本実施形態における構成の場合はアニールをおこなわなくても、十分に陽極の抵抗値を抑えることが可能となっている。よって、本実施形態の構成においては、透明陽極部１３にはＩＴＯ等の一般的なものに加え、ＰＥｄｏｔ等の導電性高分子のような比較的高抵抗のものも使用可能とすることができる。

さらに、特許文献３のように補助配線をした部分が発光しないということがないため、照明装置の発光面内に発光する部分と非発光の部分ができてしまうことがなく、製品のデザイン性を毀損することがない。
本実施形態の照明装置１では、電気伝導光反射層１８によって、透光性基板１１と空気界面での全反射が少ない構造としているが、全反射し、素子側へ戻る光についてもなるべく素子の陰極側で反射させるのではなく、電気伝導光反射層１８にて反射させる構造となっているため、全反射によって戻った光が発光素子部１５を通過して吸収されてしまうことを避けることができる。

本実施形態では、電気伝導光反射層１８が、光の反射だけでなく透明陽極部１３の抵抗値を下げる役割もしており、電気伝導光反射層１８があることによって、透明陽極部１３の厚みを極力薄くして照明装置１における発光素子部１５から発光させた光のうち吸収されてしまう割合を低減することが可能となる。

電気伝導光反射層１８のある部位の透明陽極部１３に密着するように電気絶縁層１４を設けたことにより、電気伝導光反射層部１８で隠れた部分でのロスとなる発光を無くすことができるとともに、発光素子部１５の積層においてこの発光素子部１５のパターニングの必要が無く製造工程を簡単化することができる。

したがって、本実施形態における照明装置１においては、透明陽極部１３における低抵抗を保ちつつ、光の取り出し効率を向上することができるという効果を確認することができる。

以上説明したように、本実施形態のＥＬ素子とされる照明装置１によれば、高屈折率層１２、高屈折散乱層１７、電気伝導光反射層１８を備えているため、発光素子部１５で発した光が透光性基板１１の界面で反射されても、その光を電気伝導光反射層１８で再び反射することができる。これにより、照明装置１の光取出し効率を向上させ、効率良く光を取出すことができる。

電気伝導光反射層１８は発光領域Ｒ２の周囲にある非発光領域Ｒ１に配置されているため、電気伝導光反射層１８自体は光っていないにもかかわらず、照明装置１を透光性基板１１側から見た際に、あたかも電気伝導光反射層１８が光っているように見せることができる。このように、全反射して素子側（発光素子部１５側）へ戻る光を、照明装置１の陰極部１６側で反射させるのではなく、より透光性基板側１１側の電気伝導光反射層１８にてなるべく反射させる構造となっているため、全反射によって戻った光が発光素子部１５を通過して吸収される確率が低い。

また本実施形態では、発光領域Ｒ２を平面視円形として形成したが、図７に示すように、矩形として格子状に配置してもよい。

以下、本発明に係る照明装置の第２実施形態を、図面に基づいて説明する。
図８は、本実施形態における照明装置１Ａを示す即断面図である。
本実施形態において上述した第１実施形態と異なるのは散乱部２７および高屈折散乱層１７に関する点であり、これ以外の対応する構成要素に関しては、同一の符号を付してその説明を省略する。

本実施形態の照明装置１Ａにおいては、図８に示すように、高屈折散乱層１７が設けられていない代わりに、非発光領域Ｒ１となる高屈折率層１２の透光性基板１１側に微細凹凸形状（散乱部）２７が設けられている。
これら、透光性基板側１１と、高屈折率層１２と、微細凹凸形状（散乱部）２７と、電気伝導光反射層１８とは、有機ＥＬ素子用前面板１ｂを構成する。

微細凹凸形状（散乱部）２７における微細凹凸形状としては、外径が０．１μｍ〜５００μｍ程度のマイクロレンズ形状（例えば、半球状や楕円球状）のものや、四角錐形状、微細な粒子を散りばめた形状のもの等がある。
いずれの形状の微細凹凸形状も、光の散乱する向きを変え、照明装置１中で発光した光を透光性基板１１より外側に取出すことを目的とする。微細凹凸形状（散乱部）２７における屈折率は、高屈折率層１２の屈折率よりも低くすることができる。
透光性基板１１に微細凹凸形状を設けることで、光の射出角度及び光取出し効率のコントロールをすることができる。

発光領域Ｒ２の発光素子部１５で発した光のうち非発光領域Ｒ１に照射された光Ｌ１は、微細凹凸形状（散乱部）２７が設けられているために、高屈折率層１２と透光性基板１１との界面位置の微細凹凸形状（散乱部）２７によって光Ｌ１の向きが光Ｌ２の向きに対して変化して、元々全反射しロスするはずであった光Ｌ１を透光性基板１１より外部へ取り出すことが可能となる。

さらに、高屈折率層１２と透光性基板１１との界面で反射した光Ｌ３は、高屈折率層１２と電気伝導光反射層部１８との界面で反射して再度微細凹凸形状（散乱部）２７に入射して、この微細凹凸形状（散乱部）２７によって光Ｌ２の向きが変えられて、透光性基板１１より外部へ取り出すことが可能となる。

さらに、本実施形態では、図８に示すように、発光領域Ｒ２において透明陽極部１３に接した発光素子部１５から透光性基板１１までの距離をＢＡとした場合、距離ＢＡを、図１に示したＢよりも小さくすることができる。このため、開口率を大きくする、つまり、発光領域Ｒ２の径寸法Ａを大きくしても、ＢＡ＞（Ａ／２）を維持することが容易となる。このため、同じ発光領域Ｒ２の径寸法Ａであっても、非発光領域Ｒ１に入射した光が再度発光面側に戻ってしまう可能性が高くなるＢ＜（Ａ／２）となることがなく、その結果取り出し効率低下を防止できる。これにより、開口率を大きくして、発光量を増大させることができる。

同時に、距離ＢＡを設定することにより、さらに光の配光角も制御することが可能となる。

以下、本実施形態における照明装置１Ａの製造方法を説明する。
図９〜図１１は、本実施形態における照明装置の製造方法を示す工程断面図である。

本実施形態における照明装置の製造方法は、まず透光性基板準備工程として、図９（ａ）に示すように、透光性基板１１を用意する。こここで、透光性基板１１の厚さによって、薄い場合には、ロールｔｏロールでの製造を選択することもでき、厚い場合には、複数領域の有機ＥＬ素子として、枚葉の処理とすることもできる。

次いで、微細凹凸形状形成工程として、図９（ｂ）に示すように、非発光領域Ｒ１となる透光性基板１１上に、微細凹凸形状（散乱部）２７が形成された樹脂フィルムを貼着する、あるいは、樹脂層を塗布した後成形して凹凸形状（散乱部）２７を形成する。

次いで、高屈折平坦層塗工工程として、図９（ｃ）に示すように、凹凸形状（散乱部）２７の形成された透光性基板１１の必要な領域全面に、上述した高屈折率層１２を塗布・貼着等の方法によって積層する。

次いで、電気伝導光反射層成膜工程として、図９（ｄ）に示すように、高屈折率層１２上の全面に、上述した電気伝導光反射層１８を蒸着・スパッタリング等の方法によって積層する。

次いで、電気伝導光反射層パターニング工程として、図９（ｅ）に示すように、電気伝導光反射層１８上で非発光領域Ｒ１となる部分に、フォトリソグラフ法等によりマスクＭを形成し、図４（ｃ）に示すように、マスクＭにより、電気伝導光反射層１８をドライエッチング・ウエットエッチング等の方法により、発光領域Ｒ２となる部分のみ除去し、高屈折率層１２まで達する凹部を形成する。

マスクＭを除去した後、透明陽極部成膜工程として、図１０（ａ）に示すように、電気伝導光反射層１８上の非発光領域Ｒ１領域全面および上記凹部の内部の高屈折率層１２上に、上述した透明陽極部１３をスパッタリング等の方法によって積層する。

次いで、透明陽極部パターニング工程として、図１０（ｂ）に示すように、透明陽極部１３上で必要な部分に、フォトリソグラフ法等によりマスクＭを形成し、マスクＭにより、透明陽極部１３をドライエッチング・ウエットエッチング等の方法により、必要な形状となるようにパターニングする。

次いで、電気絶縁層成膜工程として、図１０（ｃ）に示すように、透明陽極部１３上、電気伝導光反射層１８上および発光領域Ｒ２となる凹部内の全面に、上述した電気絶縁層１４を積層する。

次いで、電気絶縁層パターニング工程として、図１０（ｄ）に示すように、電気絶縁層１４上で非発光領域Ｒ１となる部分に、フォトリソグラフ法等によりマスクＭを形成し、図１１（ａ）に示すように、マスクＭにより、電気絶縁層１４を、ドライエッチング・ウエットエッチング等の方法によって発光領域Ｒ２となる部分のみ除去し、発光領域Ｒ２の透明陽極部１３を露出させる。

マスクＭを除去した後、発光層成膜工程として、図１１（ｂ）に示すように、電気絶縁層１４および、発光領域Ｒ２の露出した透明陽極部１３上の全面に、上述した蒸着等の方法によって上述した発光素子部１５を積層する。

次いで、陰極成膜工程として、図１１（ｃ）に示すように、発光素子部１５上の必要な領域全面に、上述した陰極部１６を蒸着・スパッタリング等の方法によって積層する。必要であればフォトリソ等によってパターニングした後、封止等の仕上げ工程をおこない照明装置１Ａを完成する。

本実施形態の照明装置１Ａでは、上述した第1実施形態と同様の効果を奏することができるとともに、透光性基板１１と電気伝導光反射層１８との厚さ距離を縮小して、凹凸形状（散乱部）２７への入射を増やして、より一層光り取り出し効率を高めることができる。

以下、本発明に係る照明装置の第３実施形態を、図面に基づいて説明する。
図１２は、本実施形態における照明装置１Ｂを示す即断面図である。
本実施形態において上述した第１実施形態と異なるのは散乱部３７に関する点であり、これ以外の対応する構成要素に関しては、同一の符号を付してその説明を省略する。

本実施形態の照明装置１Ｂにおいては、図１２に示すように、透光性基板側１１の視認側表面に、発光領域Ｒ２および非発光領域Ｒ１全面に微細凹凸形状（散乱部）３７が設けられている。
これら、透光性基板側１１と、高屈折率層１２と、高屈折散乱層（散乱部）１７と、微細凹凸形状（散乱部）３７と、電気伝導光反射層１８とは、有機ＥＬ素子用前面板１ｃを構成する。

微細凹凸形状（散乱部）３７における微細な凹凸形状としては、外径が０．１μｍ〜５００μｍ程度のマイクロレンズ形状（例えば、半球状や楕円球状）のものや、四角錐形状、微細な粒子を散りばめた形状のもの等がある。
いずれの形状の微細凹凸形状も、光の散乱する向きを変え、照明装置１中で発光した光を透光性基板１１より外側に取出すことを目的とする。微細凹凸形状（散乱部）３７における屈折率は、高屈折率層１２の屈折率よりも低くすることができる。
透光性基板１１に微細凹凸形状を設けることで、光の射出角度及び光取出し効率のコントロールをすることができる。

以下、本発明にかかる実施例を説明する。

図1に示す照明装置１を、隣り合う発光素子部１５の間隔である発光素子部１５のピッチ；２００μｍ、発光領域Ｒ１の径寸法Ａを１０μｍ、発光素子部１５から透光性基板１１までの距離Ｂを１０μｍとして作製した。
透明陽極部１３にはＩＴＯを使用し１５０ｎｍスパッタにて製膜した。高屈折率層１２はＰＥＴフィルム１８８μｍ上に作製し、透湿性対策のためにＰＥＴフィルムの高屈折率層１２とは逆側をガラス面へ透明粘着フィルムにて貼り合せた。

透光性基板１１としては、本実施例ではガラス基板及びＰＥＮとされる。高屈折率層１２の屈折率を１．７とし、電気伝導光反射層１８の厚みを、３μｍとした。
高屈折散乱層１６としては、高屈折率層１２へ散乱粒子として、ＳｉＯ_２の粒径φ２．０μｍのものを２０ｗ％添加した。

電気伝導光反射層１８としてアルミを使用し、高屈折率層１２側に蒸着した。
素子構造はＩＴＯ上にα−ｎｐｄを７０ｎｍ、Ａｌｑ３を６０ｎｍ、Ａｌを１００ｎｍとした。

このような本発明の実施例においては、単純にガラス上に作製したリファレンスと比較し、約１．９倍の効率向上を確認することができた。

本発明の活用例として、薄く自在な形の照明を実現できるため、インテリア照明として用いることができ、また薄いという特性から自動車などの室内空間などに用いることができる。

１…照明装置
１ａ，１ｂ，１ｃ…有機ＥＬ素子用前面板
１１…透光性基板
１２…高屈折率層
１３…透明陽極部
１４…電気絶縁層
１５…発光素子部
１６…陰極部
１７…高屈折散乱層（散乱部）
１８…電気伝導光反射層
２７，３７…凹凸形状（散乱部）
Ｒ１…非発光領域
Ｒ２…発光領域

Claims (9)

1. 透光性基板に、透明陽極部と発光素子部と陰極部とが積層されて、島状の発光領域とその周囲の非発光領域とが形成される照明装置であって、
   前記透光性基板と前記透明陽極部との間に積層され前記透光性基板よりも屈折率が高く設定された高屈折平坦層と、
   前記非発光領域における前記透明陽極部の前記透光性基板側に積層されて導電性及び光反射性を有する電気伝導光反射層と、
   を備え、
   前記透明陽極部の一部が、前記発光領域において前記電気伝導光反射層を貫通し、
   前記発光素子部の一部が、前記発光領域において前記電気伝導光反射層の厚さの範囲内に位置している、
   照明装置。
2. 前記非発光領域に設けられた散乱部をさらに備える、請求項１に記載の照明装置。
3. 前記高屈折率平坦層の厚さ方向における屈折率が１．５以上として設定され、前記発光素子部からの光が前記透光性基板と前記高屈折率平坦層との界面側で全反射可能とされている、請求項１または２に記載の照明装置。
4. 前記発光領域における前記発光素子部から前記透光性基板までの厚さ寸法Ｂと、前記発光領域の径寸法Ａとが、
   Ｂ＞（Ａ／２）
   となるように設定されている、請求項１から３のいずれか一項に記載の照明装置。
5. 前記非発光領域には、前記透明陽極部と前記発光素子部との間に、絶縁層が積層されている、請求項１から４のいずれか一項に記載の照明装置。
6. 前記散乱部として、前記高屈折平坦層と前記透明陽極部との間に、高屈折散乱層が設けられている、請求項２に記載の照明装置。
7. 前記高屈折散乱層に、光散乱性を有する微粒子が含まれている、請求項６に記載の照明装置。
8. 前記散乱部として、前記透光性基板側の前記高屈折平坦層に、散乱凹凸形状が設けられている、請求項２に記載の照明装置。
9. 前記散乱部として、前記透光性基板の前記高屈折率層と反対側面に微細凹凸形状が設けられている、請求項２に記載の照明装置。

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