JP6463697B2 - 磁気素子及びスキルミオンメモリ - Google Patents
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Description
2 磁気センサ
10 磁気素子
11 上流側非磁性金属
12 下流側非磁性金属
13 磁性体
14 電源
15 磁場発生部
S スキルミオン
Claims (28)
- スキルミオンを転送可能な薄層状の磁気素子であって、
薄層状の磁性体と、
前記磁性体の延展方向に接続された薄層状の導電体である上流側非磁性金属と、
前記上流側非磁性金属と離間して前記磁性体に接続された薄層状の導電体である下流側非磁性金属と、
を備えることを特徴とする磁気素子。 - 前記下流側非磁性金属は、前記磁性体の延展方向に接続されていることを特徴とする請求項1記載の磁気素子。
- 前記下流側非磁性金属は、前記磁性体に積層されて接続されていることを特徴とする請求項1記載の磁気素子。
- 前記上流側非磁性金属と前記下流側非磁性金属は、Cu、W、Ti、TiN、Al、Pt及びAuのうち何れか1つより形成されていることを特徴とする請求項1から3の何れか1項記載の磁気素子。
- 前記磁性体はカイラル磁性体よりなることを特徴とする請求項1から4の何れか1項記載の磁気素子。
- 前記磁性体はダイポール磁性体よりなることを特徴とする請求項1から4の何れか1項記載の磁気素子。
- 前記磁性体はフラストレート磁性体よりなることを特徴とする請求項1から4の何れか1項記載の磁気素子。
- 薄層状の磁性体、前記磁性体の延展方向に接続された薄層状の導電体である上流側非磁性金属及び前記上流側非磁性金属と離間して前記磁性体に接続された薄層状の導電体である下流側非磁性金属を有する磁気素子と、
前記磁気素子の前記上流側非磁性金属及び前記下流側非磁性金属に接続され、前記上流側非磁性金属から前記下流側非磁性金属に向けて電流を印加する電源と、
前記磁性体の一面側に対向して設けられた磁場発生部と、
を備えて構成されることを特徴とするスキルミオンメモリ。 - 前記下流側非磁性金属は、前記磁性体の延展方向に接続されていることを特徴とする請求項8記載のスキルミオンメモリ。
- 前記下流側非磁性金属は、前記磁性体に積層されて接続されていることを特徴とする請求項8記載のスキルミオンメモリ。
- 前記上流側非磁性金属と前記下流側非磁性金属は、Cu、Al、Pt及びAuのうち何れか1つより形成されていることを特徴とする請求項8から10の何れか1項記載のスキルミオンメモリ。
- 前記磁性体はカイラル磁性体よりなることを特徴とする請求項8から11の何れか1項記載のスキルミオンメモリ。
- 前記磁性体はダイポール磁性体よりなることを特徴とする請求項8から11の何れか1項記載のスキルミオンメモリ。
- 前記磁性体はフラストレート磁性体よりなることを特徴とする請求項8から11の何れか1項記載のスキルミオンメモリ。
- 請求項8から14の何れか1項記載のスキルミオンメモリとCMOS−LSIデバイスが同一チップ内に形成されていることを特徴とするスキルミオンメモリ搭載CMOS−LSIデバイス。
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