JP6448594B2 - 導電性プローブ、電気特性評価システム、走査型プローブ顕微鏡、導電性プローブ製造方法、及び、電気特性測定方法 - Google Patents
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Description
[1]弾性部材に設けられた突起部と、
この突起部先端を少なくとも覆う導電性金属膜と、
前記突起部先端に設けられた前記導電性金属膜を覆う絶縁性薄膜と、を備えている導電性プローブ。
[2]前記絶縁性薄膜中に、前記導電性金属膜から拡散した金属イオンにより形成された導電性フィラメントを有する[1]に記載の導電性プローブ。
[3]前記弾性部材は片持ち梁状であり、前記突起部は前記弾性部材の先端部に設けられている[1]或いは[2]に記載の導電性プローブ。
[4]前記導電性金属膜は、Ag,Cu,Ni,Ti及びWから選ばれる少なくとも一つを含む[1]乃至[3]のいずれかに記載の導電性プローブ。
[5]前記絶縁性薄膜はSiO 2 ,SiON,Ta 2 O 5 ,AlO,GeSe,W m O n 及びMo m O n から選ばれる少なくとも一つを含む[1]乃至[4]のいずれかに記載の導電性プローブ。
[6][1]乃至[5]のいずれかに記載の導電性プローブと、
被測定物である試料を保持可能に設けられたサンプルステージと、
前記導電性プローブと前記サンプルステージの相対位置を変化させて試料表面を走査させる走査機構と、
前記導電性プローブと前記サンプルステージに保持された前記試料間に所定電圧を印加する電源部と、
前記導電性プローブの走査に伴って変化する電流値を検出する検出部と、を備えている電気特性評価システム。
[7][1]乃至[5]のいずれかに記載の導電性プローブと、
被測定物である試料を保持可能に設けられたサンプルステージと、
前記導電性プローブと前記サンプルステージの相対位置を変化させて試料表面を走査させる走査機構と、
前記導電性プローブと前記サンプルステージに保持された前記試料間に所定電圧を印加する電源部と、
前記導電性プローブの走査に伴って変化する電流値を検出する検出部と、
前記走査機構と前記検出部との出力に基づいて画像を形成する画像生成部と、を備えている走査型プローブ顕微鏡。
[8]弾性部材に設けられた突起部の少なくとも先端に導電性金属膜を形成し、
前記突起部先端に形成された前記導電性金属膜の少なくとも一部を覆う絶縁性薄膜を形成し、
前記突起部に電圧を印可することで、前記導電性金属膜から金属イオンを拡散させ、導電性フィラメントを形成させる導電性プローブ製造方法。
[9]試料の電気特性を測定する電気特性測定方法において、
前記試料と[2]に記載の導電性プローブとの間に電圧を印加し、
前記導電性プローブにより前記試料上を走査し、
前記導電性プローブの走査に伴って変化する電流値を検出する電気特性測定方法。
Claims (8)
- 弾性部材に設けられた突起部と、
この突起部先端を少なくとも覆う導電性金属膜と、
前記突起部先端に設けられた前記導電性金属膜を覆う絶縁性薄膜とを具備し、前記絶縁性薄膜中に、前記導電性金属膜から拡散した金属イオンにより形成された導電性フィラメントを有することを特徴とする導電性プローブ。 - 前記弾性部材は片持ち梁状であり、前記突起部は前記弾性部材の先端部に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の導電性プローブ。
- 前記導電性金属膜は、Ag,Cu,Ni,Ti及びWから選ばれる少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項1或いは2に記載の導電性プローブ。
- 前記絶縁性薄膜はSiO2,SiON,Ta2O5,AlO,GeSe,WmOn及びMomOnから選ばれる少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の導電性プローブ。
- 請求項1乃至4のいずれかに記載の導電性プローブと、
被測定物である試料を保持可能に設けられたサンプルステージと、
前記導電性プローブと前記サンプルステージの相対位置を変化させて試料表面を走査させる走査機構と、
前記導電性プローブと前記サンプルステージに保持された前記試料間に所定電圧を印加する電源部と、
前記導電性プローブの走査に伴って変化する電流値を検出する検出部と、を備えていることを特徴とする電気特性評価システム。 - 請求項1乃至4のいずれかに記載の導電性プローブと、
被測定物である試料を保持可能に設けられたサンプルステージと、
前記導電性プローブと前記サンプルステージの相対位置を変化させて試料表面を走査させる走査機構と、
前記導電性プローブと前記サンプルステージに保持された前記試料間に所定電圧を印加する電源部と、
前記導電性プローブの走査に伴って変化する電流値を検出する検出部と、
前記走査機構と前記検出部との出力に基づいて画像を形成する画像生成部と、を備えていることを特徴とする走査型プローブ顕微鏡。 - 弾性部材に設けられた突起部の少なくとも先端に導電性金属膜を形成し、
前記突起部先端に形成された前記導電性金属膜の少なくとも一部を覆う絶縁性薄膜を形成し、
前記突起部に電圧を印可することで、前記導電性金属膜から金属イオンを拡散させ、導電性フィラメントを形成させることを特徴とする導電性プローブ製造方法。 - 試料の電気特性を測定する電気特性測定方法において、
前記試料と請求項1に記載の導電性プローブとの間に電圧を印加し、
前記導電性プローブにより前記試料上を走査し、
前記導電性プローブの走査に伴って変化する電流値を検出することを特徴とする電気特性測定方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016178212A JP6448594B2 (ja) | 2016-09-13 | 2016-09-13 | 導電性プローブ、電気特性評価システム、走査型プローブ顕微鏡、導電性プローブ製造方法、及び、電気特性測定方法 |
US15/701,495 US10466270B2 (en) | 2016-09-13 | 2017-09-12 | Conductive probe, electrical property evaluating system, scanning probe microscope, conductive probe manufacturing method, and electrical property measuring method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016178212A JP6448594B2 (ja) | 2016-09-13 | 2016-09-13 | 導電性プローブ、電気特性評価システム、走査型プローブ顕微鏡、導電性プローブ製造方法、及び、電気特性測定方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018044805A JP2018044805A (ja) | 2018-03-22 |
JP6448594B2 true JP6448594B2 (ja) | 2019-01-09 |
Family
ID=61559812
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016178212A Active JP6448594B2 (ja) | 2016-09-13 | 2016-09-13 | 導電性プローブ、電気特性評価システム、走査型プローブ顕微鏡、導電性プローブ製造方法、及び、電気特性測定方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10466270B2 (ja) |
JP (1) | JP6448594B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7102797B2 (ja) | 2018-03-12 | 2022-07-20 | 株式会社リコー | 光学装置、これを用いた距離計測装置、及び移動体 |
JP2021139714A (ja) * | 2020-03-04 | 2021-09-16 | キオクシア株式会社 | 走査型プローブ顕微鏡用プローブの製造方法およびプローブ |
Family Cites Families (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2016
- 2016-09-13 JP JP2016178212A patent/JP6448594B2/ja active Active
-
2017
- 2017-09-12 US US15/701,495 patent/US10466270B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20180074093A1 (en) | 2018-03-15 |
JP2018044805A (ja) | 2018-03-22 |
US10466270B2 (en) | 2019-11-05 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
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