JP6447292B2 - Light processing equipment - Google Patents
Light processing equipment Download PDFInfo
- Publication number
- JP6447292B2 JP6447292B2 JP2015060856A JP2015060856A JP6447292B2 JP 6447292 B2 JP6447292 B2 JP 6447292B2 JP 2015060856 A JP2015060856 A JP 2015060856A JP 2015060856 A JP2015060856 A JP 2015060856A JP 6447292 B2 JP6447292 B2 JP 6447292B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing
- supply
- gas
- processing gas
- discharge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 56
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 29
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 94
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 64
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 23
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 17
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 14
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 14
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 14
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 10
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 5
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002083 X-ray spectrum Methods 0.000 description 3
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 3
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005108 dry cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
本発明は、光処理装置および光処理方法に関する。更に詳しくは、本発明は、例えば、半導体や液晶パネル等の製造工程におけるレジストの光アッシング処理、ナノインプリント装置におけるテンプレートのパターン面に付着したレジストの除去処理、液晶用のガラス基板やシリコンウエハなどのドライ洗浄処理、プリント基板製造工程におけるスミアの除去(デスミア)処理などに好適な光処理装置および光処理方法に関する。 The present invention relates to an optical processing apparatus and an optical processing method. More specifically, the present invention relates to, for example, resist ashing processing in a manufacturing process of a semiconductor or a liquid crystal panel, removal processing of a resist attached to a pattern surface of a template in a nanoimprint apparatus, a glass substrate for liquid crystal, a silicon wafer, etc. The present invention relates to an optical processing apparatus and an optical processing method suitable for dry cleaning processing, smear removal (desmear) processing in a printed circuit board manufacturing process, and the like.
従来、例えば、半導体や液晶パネル等の製造工程におけるレジストの光アッシング処理、ナノインプリント装置におけるテンプレートのパターン面に付着したレジストの除去処理、液晶用のガラス基板やシリコンウエハなどのドライ洗浄処理、プリント基板製造工程におけるスミアの除去(デスミア)処理などに用いられる光処理装置および光処理方法として、紫外線を用いた光処理装置および光処理方法が知られている。特に、エキシマランプなどから放射される真空紫外線により生成されるオゾンや酸素ラジカル等の活性種を利用した装置や方法は、より効率良く短時間で所定の処理を行うことができることから、好適に利用されている。
例えば特許文献1では、ビアホールのデスミア処理として、基板に紫外線を照射する方法が提案されており、酸素を含む雰囲気下で、ビアホールを形成した基板に紫外線を照射することが提案されている。
Conventionally, for example, photo-ashing processing of resist in the manufacturing process of semiconductors, liquid crystal panels, etc., removal processing of resist adhering to the pattern surface of the template in the nanoimprint apparatus, dry cleaning processing of glass substrates for silicon and silicon wafers, printed circuit boards 2. Description of the Related Art As an optical processing apparatus and optical processing method used for smear removal (desmear) processing in a manufacturing process, an optical processing apparatus and optical processing method using ultraviolet rays are known. In particular, an apparatus and method using active species such as ozone and oxygen radicals generated by vacuum ultraviolet rays radiated from an excimer lamp or the like can be used preferably because a predetermined treatment can be performed more efficiently and in a short time. Has been.
For example, Patent Document 1 proposes a method of irradiating a substrate with ultraviolet rays as a desmear process for via holes, and proposes irradiating a substrate with via holes formed with ultraviolet rays in an atmosphere containing oxygen.
本発明者らは、鋭意検討の結果、デスミア処理のための紫外線処理について、(1)酸素やオゾン等のガス(処理ガス)、または酸素やオゾン等を含むガス(処理ガス)を介して、基板に対して紫外線を照射すること、(2)処理用ガスは、処理室内に封じるよりも、基板上を流れるように移動させることにより、処理効率が高まることを見出している。
しかしながら、本発明者らは実験の結果、処理用ガスが基板上を流れるに従って、スミアが除去される速度(デスミアの処理速度)が徐々に低下し、流れの上流と下流では処理速度が異なること、言い換えればスミアの除去処理について基板内にむらが生じることを見出した。
本発明は、光処理が行われる物体における処理むらを抑制することを課題とする。
As a result of intensive studies, the present inventors have made (1) a gas (processing gas) such as oxygen or ozone, or a gas (processing gas) containing oxygen, ozone, etc., for ultraviolet processing for desmear processing. It has been found that the processing efficiency is improved by irradiating the substrate with ultraviolet rays and (2) moving the processing gas so that it flows over the substrate rather than sealing it into the processing chamber.
However, as a result of experiments, the present inventors have found that as the processing gas flows on the substrate, the speed at which smear is removed (desmear processing speed) gradually decreases, and the processing speed differs between upstream and downstream of the flow. In other words, the present inventors have found that unevenness occurs in the substrate with respect to the smear removing process.
An object of the present invention is to suppress processing unevenness in an object on which light processing is performed.
上記課題を解決するために、本発明に係る光処理装置の一態様は、光を発する光源部と、前記光源部から発せられた光に被処理物体の表面が処理気体の雰囲気中で曝される処理部と、前記表面に沿って前記処理気体を流す気体給排部と、前記処理気体が流れる方向を逆転させる逆転部と、を備える。
このような光処理装置によれば、処理気体の流れが逆転することで、流れの上流と下流とでの処理速度の相違も逆転し、その結果、被処理物体(例えば、基板)内での処理速度の相違は総合的に縮小して処理むらも抑制される。
ここで「処理気体」とは、被処理物体を処理する気体であって、光源部からの光に曝されることで処理能力を得る気体である。光と処理気体との好ましい組み合わせとしては、例えば真空紫外光と酸素との組み合わせがある。酸素が真空紫外光に曝されると酸素ラジカル(活性種)やオゾンが発生して被処理物体の表面や付着物を酸化する。
In order to solve the above problems, an aspect of an optical processing device according to the present invention includes a light source unit that emits light, and a surface of an object to be processed exposed to light emitted from the light source unit in an atmosphere of a processing gas. A processing section, a gas supply / discharge section for flowing the processing gas along the surface, and a reversing section for reversing the direction in which the processing gas flows.
According to such an optical processing apparatus, the flow of the processing gas is reversed, so that the difference in the processing speed between the upstream and downstream of the flow is also reversed, and as a result, the processing object (for example, the substrate) is reversed. Differences in processing speed are comprehensively reduced to suppress processing unevenness.
Here, the “processing gas” is a gas for processing an object to be processed, and is a gas that obtains processing capability by being exposed to light from the light source unit. A preferable combination of light and processing gas is, for example, a combination of vacuum ultraviolet light and oxygen. When oxygen is exposed to vacuum ultraviolet light, oxygen radicals (active species) and ozone are generated to oxidize the surface and deposits of the object to be treated.
本発明に係る光処理装置において、前記気体給排部が、前記被処理物体を前記処理気体の流れ方向に挟んだ両側のうちの一方に開口し該処理気体の供給および排出の双方に用いられる第1の給排路と、前記両側のうちの前記一方に対する他方に開口し該処理気体の供給および排出の双方に用いられる第2の給排路と、前記第1の給排路および前記第2の給排路のそれぞれに接続されて前記処理気体を供給する供給機と、前記第1の給排路および前記第2の給排路のそれぞれに接続されて前記処理気体を排出する排出機と、前記第1の給排路に前記供給機と前記排出機とを選択的に接続する第1接続器と、前記第2の給排路に前記供給機と前記排出機とを選択的に接続する第2接続器と、を備えてもよい。また、前記逆転部が、前記第1接続器および前記第2接続器による前記供給機および前記排出機の接続を切り換えることで前記処理気体の流れを逆転させてもよい。
この構造の光処理装置によれば、処理気体の流れを逆転させるための構造が簡素で製造が容易である。
In the optical processing apparatus according to the present invention, the gas supply / exhaust section opens on one of both sides of the object to be processed sandwiched in the flow direction of the process gas, and is used for both supply and discharge of the process gas. A first supply / discharge path, a second supply / discharge path that opens to the other of the two sides and that is used for both supply and discharge of the processing gas, the first supply / discharge path, and the first A supply device connected to each of the two supply / discharge passages for supplying the processing gas, and a discharge device connected to each of the first supply / discharge passage and the second supply / discharge passage for discharging the processing gas A first connector for selectively connecting the feeder and the discharger to the first supply / exhaust passage, and the feeder and the discharger selectively to the second supply / exhaust passage. And a second connector to be connected. The reversing unit may reverse the flow of the processing gas by switching the connection of the supply device and the discharge device by the first connector and the second connector.
According to the optical processing apparatus having this structure, the structure for reversing the flow of the processing gas is simple and easy to manufacture.
また、本発明に係る光処理装置において、前記逆転部は、前記気体給排部による前記処理気体の流れが前記被処理物体の前記表面を通過する所要時間以上の時間間隔を空けて該処理気体の流れを逆転させるものであってもよい。
このような光処理装置によれば、流れの逆転は十分な時間経過後に行われるので、基板上に処理の排ガスが滞る事態が回避される。
上記課題を解決するために、本発明に係る光処理方法の一態様は、被処理物体の表面に沿って流れる処理気体の雰囲気中で該被処理物体の該表面を光に曝す第1の露光工程と、前記処理気体の流れを逆転させる逆転工程と、前記第1の露光工程で光に曝された前記表面を、前記逆転工程によって逆転した方向に流れる前記処理気体の雰囲気中で続けて光に曝す第2の露光工程と、を経る。
このような光処理方法によれば、逆転工程によって処理気体の流れが逆転することで、流れの上流と下流とでの処理速度の相違も逆転し、その結果、基板内での処理速度の相違は総合的に縮小して処理むらも抑制される。
Further, in the optical processing apparatus according to the present invention, the reversing unit includes the processing gas with a time interval longer than a required time for the flow of the processing gas by the gas supply / discharge unit to pass through the surface of the object to be processed. It is also possible to reverse the flow.
According to such an optical processing apparatus, since the reversal of the flow is performed after a sufficient time has elapsed, it is possible to avoid a situation in which the processing exhaust gas is stagnated on the substrate.
In order to solve the above-described problem, an aspect of the light processing method according to the present invention is a first exposure in which the surface of the object to be processed is exposed to light in an atmosphere of a processing gas flowing along the surface of the object to be processed. A process, a reversing process for reversing the flow of the processing gas, and the surface exposed to light in the first exposure process in the atmosphere of the processing gas flowing in the direction reversed by the reversing process. Through a second exposure step.
According to such a light processing method, the flow of the processing gas is reversed by the reversing step, so that the difference in the processing speed between the upstream and downstream of the flow is also reversed, and as a result, the difference in the processing speed in the substrate. Is reduced overall and processing unevenness is also suppressed.
また、本発明に係る光処理方法において、前記逆転工程が、1つの被処理物体の1表面に対する光処理の間に複数回実行されてもよい。このような複数回の逆転工程により、処理気体の撹拌作用がはたらくことが考えられ、流れの上流と下流との処理むらが一層軽減される。
また、本発明に係る光処理方法において、前記逆転工程が、前記処理気体の流れが前記被処理物体の前記表面を通過する所要時間以上の時間間隔を空けて実行されてもよい。
このような光処理方法によれば、流れの逆転は十分な時間経過後に行われるので、基板上に処理の排ガスが滞る事態が回避される。
In the light processing method according to the present invention, the reversing step may be executed a plurality of times during the light processing on one surface of one object to be processed. It is conceivable that the stirring action of the processing gas works by such a plurality of reversing steps, and the processing unevenness between the upstream and downstream of the flow is further reduced.
In the optical processing method according to the present invention, the reversing step may be performed with a time interval equal to or longer than a required time for the flow of the processing gas to pass through the surface of the object to be processed.
According to such an optical processing method, since the reversal of the flow is performed after a sufficient time has elapsed, it is possible to avoid a situation in which the exhaust gas of the processing stagnates on the substrate.
本発明の光処理装置および光処理方法によれば、光処理が行われる物体における処理むらが抑制される。 According to the light processing apparatus and the light processing method of the present invention, processing unevenness in an object on which light processing is performed is suppressed.
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図1は、本実施形態の光処理装置を示す概略構成図である。本実施形態では光処理装置の一例として例えばデスミア処理装置への応用例が示されている。
(光処理装置の構成)
光処理装置100は、基板Wを内部に保持して処理する処理部20と、例えば真空紫外線を発する複数の紫外線光源11を内部に収納し、処理部20の基板Wにその紫外線光源11からの光を照射する光照射部10と、処理部20に対する処理用ガスの給気と排気を行う給排部40とを備える。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a schematic configuration diagram illustrating an optical processing apparatus according to the present embodiment. In this embodiment, an application example to a desmear processing apparatus is shown as an example of an optical processing apparatus.
(Configuration of light processing equipment)
The
光照射部10が、本発明にいう光源部の一例に相当し、処理部20が、本発明にいう処理部の一例に相当し、給排部40が、本発明にいう気体給排部の一例に相当する。
光照射部10は箱型形状のケーシング14を備え、このケーシング14の下方側に位置する面には、例えば真空紫外線を透過する例えば石英ガラス等の窓部材12が気密に設けられている。光照射部10の内部には供給口15から例えば窒素ガス等の不活性ガスが供給されて不活性ガス雰囲気に保たれている。光照射部10内の紫外線光源11の上方には反射鏡13が設けられていて、紫外線光源11から発せられた光を窓部材12側に反射する。反射鏡13の全幅にほぼ対応した有効照射領域Rの全体に対してほぼ均等に紫外線光源11の光が照射される。
The
The
紫外線光源11は、例えば真空紫外光(波長200nm以下の紫外線)を出射するものであって、種々の公知のランプを利用できる。例えば、紫外線光源11は、キセノンガスを封入したキセノンエキシマランプ(波長172nm)、低圧水銀ランプ(波長185nm)などである。デスミア処理に用いるものとしては、例えばキセノンエキシマランプが好適である。
処理部20には、紫外線照射処理(デスミア処理)を行う基板Wを表面に吸着して保持するステージ21が光照射部10の窓部材12に対向して設けられている。ステージ21の外周部分には外周溝21aが設けられていて、この外周溝21aと光照射部10の窓部材12との間にOリング22が挟まれることで光照射部10と処理部20とが気密に組み付けられている。ステージ21には図示が省略された熱抵抗ヒータが組み込まれており、デスミア処理の際にはステージ21上の基板Wごと加熱される。
The
The
給排部40は、ステージ21上の基板Wを図1の左右方向に挟んだ両側それぞれに開口した給排気管41を有し、各給排気管41が処理用ガスの給気と排気との双方に用いられる。図1では基板Wを挟んで一対の給排気管41が図示されているが、給排部40には基板Wの両側それぞれに給排気管41が複数ずつ設けられていて、これら複数の給排気管41は図1の紙面に垂直な方向に並んでいる。
基板Wを挟んだ左右両方の給排気管41には、三方弁44を介して、処理用ガスを供給する供給装置42と排ガスなどを排気する排気装置43が接続されている。三方弁44は電磁弁であり、供給装置42からの配管(ガス供給ライン)と排気装置43への配管(排気ライン)とを選択的かつ切り換え自在に給排気管41に接続するものである。この三方弁44による接続の切り換えは制御部45によって制御される。図1に示すような、供給と排出とで兼用される給排気管41が用いられ、三方弁44などによって供給と排出が切り換えられる構造は簡素で製造が容易である。
The supply /
A
基板Wを挟んだ左右の給排気管41が、本発明にいう第1の給排路および第2の給排路の一例に相当し、供給装置42が本発明にいう供給機の一例に相当し、排気装置43が本発明にいう排出機の一例に相当し、三方弁44が、本発明にいう第1接続器および第2接続器の一例に相当し、制御部45が、本発明にいう逆転部の一例に相当する。
制御部45は、基板Wを挟んだ左右の給排気管41のうち、一方に供給装置42が接続され他方に排気装置43が接続されるように三方弁44による接続を制御する。この結果、左右の給排気管41のうち一方から処理用ガスが供給されて他方から排出されるので、処理用ガスは窓部材12と基板Wとの間を図1の右から左へ、あるいは左から右へと流れていくこととなる。
The left and right supply /
The
処理用ガスが流されている間、光照射部10は基板Wに紫外線を照射する。また、基板Wに紫外線が照射されている間、制御部45は、設定された時間が経過する毎に、2つの三方弁44における接続を切り換え、処理用ガスの流れを定期的に逆転させる。
ここで、処理用ガスとしては、例えば、酸素ガス、酸素とオゾンや水蒸気の混合ガス、これらのガスに不活性ガスなどを混合したガスなどが考えられるが、本実施形態では酸素ガスが用いられるものとする。
While the processing gas is flowing, the
Here, as the processing gas, for example, oxygen gas, a mixed gas of oxygen and ozone or water vapor, a gas obtained by mixing these gases with an inert gas, or the like can be considered. In this embodiment, oxygen gas is used. Shall.
(基板構造)
光処理装置100による処理対象である基板Wとしては各種の構造の基板Wが用いられるが、ここでは単純化された構造例について説明する。
図2は、基板Wの概略的構造を示す断面構造図である。
基板Wは、例えば、半導体集積回路素子等の半導体素子を搭載するための多層配線基板を製造する途中の中間的な配線基板材料である。
多層配線基板においては、一の配線層と他の配線層とを電気的に接続するため、1つのもしくは複数の絶縁層を厚み方向に貫通して伸びるビアホールが形成される。多層配線基板の製造工程においては、絶縁層31と配線層32とが積層されてなる配線基板材料に、例えばレーザ加工を施すことによって絶縁層31の一部を除去することにより、ビアホール33が形成される。
(Substrate structure)
As the substrate W to be processed by the
FIG. 2 is a sectional view showing a schematic structure of the substrate W. As shown in FIG.
The substrate W is an intermediate wiring board material in the middle of manufacturing a multilayer wiring board for mounting a semiconductor element such as a semiconductor integrated circuit element.
In a multilayer wiring board, a via hole extending through one or a plurality of insulating layers in the thickness direction is formed in order to electrically connect one wiring layer and another wiring layer. In the manufacturing process of the multilayer wiring board, via
しかし、形成されたビアホール33の底部や側部の表面には、絶縁層31を構成する材料に起因するスミア(残渣)Sが付着する。このスミアSが付着したままの状態でビアホール33内にメッキ処理を施すと、配線層間の接続不良を引き起こすことがある。このため、ビアホール33が形成された配線基板材料(基板W)に対して、ビアホール33に付着したスミアSを除去するデスミア処理が行われる。
基板Wが図1に示すステージ21上に載置される際には、ビアホール33の開口が光照射部10に向くように、即ちスミアSが紫外線光源11からの紫外線に曝されるように載置される。
However, smear (residue) S resulting from the material constituting the insulating
When the substrate W is placed on the
(デスミア処理の手順)
次に、図1に戻り、光処理装置100で実行されるデスミア処理の手順について説明する。
先ず、処理部20の外から処理対象の基板Wが処理部20の中へと搬送されて来て、ステージ21上に載せられる。基板Wは真空吸着などでステージ21に保持される。また、制御部45によって三方弁44の接続が制御されて、一方の給排気管41にガス供給ラインが接続され、他方の給排気管41に排気ラインが接続される。その後、供給装置42により一方の給排気管41から処理用ガスが処理部20に供給される。
(Desmear processing procedure)
Next, returning to FIG. 1, the procedure of desmear processing executed by the
First, the substrate W to be processed is transferred from outside the
処理用ガスの供給と同時に、紫外線光源11が点灯し、照射部10から紫外線が処理部20に向けて照射され、基板Wに対し処理用ガスを介して紫外線が照射される。
紫外線が照射された処理用ガスは、例えばオゾンや酸素ラジカルなどの活性種を生成し、後で詳しく説明するように、ビアホール内のスミアと反応してこれを除去する。処理用ガスとスミアとが反応して生じた例えば二酸化炭素等のガスは、新しく供給される処理用ガスの流れに乗って下流に運ばれ、他方の給排気管41から引き込まれて排気装置43により排出される。
制御部45は、基板Wの1面処理中に三方弁44の接続を切り換えて処理用ガスの流れを逆転させる。流れの逆転後も引き続き基板Wに対し処理用ガスを介して紫外線が照射され、処理用ガスとスミアとの反応が継続される。
処理が終わった基板Wは、ステージ21上から取り除かれて処理部20の外に搬出される。
Simultaneously with the supply of the processing gas, the
The processing gas irradiated with ultraviolet rays generates active species such as ozone and oxygen radicals, and reacts with and removes smear in the via hole, as will be described in detail later. A gas such as carbon dioxide generated by the reaction between the processing gas and smear is carried downstream along the flow of the newly supplied processing gas, and drawn into the other air supply /
The
The processed substrate W is removed from the
(デスミア処理の作用)
ここで、デスミア処理における詳細な作用について説明する。
図3〜図6は、デスミア処理における作用の各段階を示す図である。
図3に示す第1段階では、供給された処理用ガスに、図の上方から下方を向いた矢印で示されるように紫外線が照射されることにより、処理用ガスに含まれる酸素から活性種34であるオゾンや酸素ラジカル(ここでは酸素ラジカルのみを図示)が生成される。この活性種34は、基板Wのビアホール33内に進入する。
図4に示す第2段階では、活性種34がビアホール33内のスミアSと反応してスミアSの一部が分解されるとともに、紫外線がスミアSに照射されることでもスミアSの一部が分解される。このようなスミアSの分解によって、例えば二酸化炭素ガスや水蒸気などの反応生成ガス35が生成される。
(Desmear treatment effect)
Here, a detailed operation in the desmear process will be described.
3-6 is a figure which shows each step of the effect | action in a desmear process.
In the first stage shown in FIG. 3, the supplied processing gas is irradiated with ultraviolet rays as indicated by an arrow pointing from the upper side to the lower side in the drawing, so that the
In the second stage shown in FIG. 4, the
そして、図5に示す第3段階で反応生成ガス35は、給気側(例えば図の右側)から流れてくる、活性種34を含んだ新しい処理用ガスにより、ビアホール33から排気側(例えば図の左側)へと押し流される。反応生成ガス35の排出に伴って、活性種34を含んだ新しい処理用ガスがビアホール33内に進入する。
紫外線の照射、活性種34の進入、および反応生成ガス35の排出が繰り返された結果、図6に示す最終段階では、ビアホール33内からスミアが完全に除去される。ビアホール33外に押し流された反応生成ガス35は、基板W上の処理用ガスの流れに乗って、図1に示す給排気管41から排出される。
図3〜図6に示す光処理の工程が、本発明にいう処理工程の一例に相当する。
Then, in the third stage shown in FIG. 5, the
As a result of repeated irradiation of ultraviolet rays, entry of the
The optical processing steps shown in FIGS. 3 to 6 correspond to an example of the processing steps according to the present invention.
このように、デスミア処理では、紫外線の照射によって例えば酸素ラジカルやオゾンなどの活性種が生成されてビアホール33内に進入するとともに紫外線そのものがビアホール33内に照射されることが処理効率向上の為に重要である。このため、図1に示す窓部材12と基板Wとの間の距離は、例えば1.0mm以下とされることが好ましく、特に0.5mm以下とされることが好ましく、更に好ましくは0.3mm程度である。これにより、酸素ラジカルやオゾンを安定して生成することができると共に基板Wの表面に到達する真空紫外線を十分な大きさの強度(光量)とすることができる。
As described above, in desmear treatment, for example, active species such as oxygen radicals and ozone are generated by ultraviolet irradiation and enter the via
(処理量の評価)
デスミア処理によってスミアの除去が完了した程度(処理量)を評価する評価基準として周知のものは存在しないが、何らかの評価基準がないと客観的な評価を行うことができない。そこで、本発明者らは、EDX分析(Energy dispersive X−ray spectrometry;エネルギー分散型X線分析)を用いた評価基準を用いることとした。具体的には、ビアホールの底に電子線を当てた際に発生する特性X線スペクトルのうち、炭素(C)と銅(Cu)の信号の比(C/Cu値)に着目して評価している。炭素の特性X線スペクトルはビアホール内のスミアに起因し、銅の特性X線スペクトルはビアホールの底の導電層に起因するので、C/Cu値が大きければ、ビアホール内にスミアが多く残っている(デスミア処理が進んでいない)ことになり、C/Cu値が小さければ、ビアホール内にスミアが残っていない(デスミア処理が進んでいる)ことになるからである。このようなC/Cu値による評価は、SEM(走査型電子顕微鏡)によるビアホールの外観観察結果とよく一致しており、評価基準として適切であることが分かった。また、実験などに基づいた鋭意検討の結果、デスミア処理が完了したことの判断基準としては、C/Cu値が0.05以下(C/Cu≦0.05)になるという基準を採用している。一方、デスミア開始前のC/Cu値は、今回の評価例(後述)において用いたビアホールでは0.3程度であった。
(Evaluation of throughput)
Although there is no known evaluation standard for evaluating the degree (processing amount) of removal of smear by desmear processing, objective evaluation cannot be performed without some evaluation standard. Therefore, the present inventors decided to use an evaluation standard using EDX analysis (Energy dispersive X-ray spectroscopy). Specifically, in the characteristic X-ray spectrum generated when an electron beam is applied to the bottom of the via hole, evaluation is performed by paying attention to the signal ratio (C / Cu value) of carbon (C) and copper (Cu). ing. Since the characteristic X-ray spectrum of carbon is caused by smear in the via hole and the characteristic X-ray spectrum of copper is caused by the conductive layer at the bottom of the via hole, if the C / Cu value is large, a large amount of smear remains in the via hole. This is because if the C / Cu value is small, no smear remains in the via hole (the desmear process is in progress). Such evaluation by the C / Cu value is in good agreement with the appearance observation result of the via hole by SEM (scanning electron microscope), and it was found that it is appropriate as an evaluation standard. In addition, as a result of intensive studies based on experiments and the like, as a criterion for determining that the desmear process has been completed, a criterion that the C / Cu value is 0.05 or less (C / Cu ≦ 0.05) is adopted. Yes. On the other hand, the C / Cu value before the start of desmear was about 0.3 in the via hole used in this evaluation example (described later).
このような評価基準を用いたデスミア処理の具体的な評価例を以下に示す。
図7は、デスミア処理の具体的な評価例を示す図である。
図7に示す評価例では、基板の表面に沿って一定方向に処理用ガスを流した場合における基板上の各箇所での単位時間当たりのスミアの処理量が示されている。
図7の横軸は、処理用ガスの流れに沿う方向での基板上の位置を示しており、最上流の基板の端が「0mm」で、最下流の基板の端が「510mm」である。また、縦軸は、1秒当たりのC/Cu値の変化量(減少量)を示しており、この変化量は、1秒毎に処理されるスミアの量を表している。
A specific evaluation example of desmear processing using such an evaluation criterion will be shown below.
FIG. 7 is a diagram illustrating a specific evaluation example of the desmear process.
The evaluation example shown in FIG. 7 shows the amount of smear processing per unit time at each location on the substrate when the processing gas is flowed in a certain direction along the surface of the substrate.
The horizontal axis of FIG. 7 shows the position on the substrate in the direction along the flow of the processing gas, and the end of the most upstream substrate is “0 mm” and the end of the most downstream substrate is “510 mm”. . The vertical axis represents the change amount (decrease amount) of the C / Cu value per second, and this change amount represents the amount of smear processed per second.
図7のグラフには、流れの上流に位置した「45mm」の箇所と、流れの中流に位置した「255mm」の箇所と、流れの下流に位置した「465mm」の箇所とにおけるC/Cu値の変化量が示されている。グラフからは、上流側でC/Cu値の変化量が大きいこと、即ち、上流側では下流側よりも単位時間当たりのスミアの処理量が多く、デスミア処理が早く進行することが分かる。これは処理用ガスに含まれる活性種が、下流側に向かうに従って徐々に減少するためと考えられる。 The graph of FIG. 7 shows the C / Cu value at a “45 mm” position located upstream of the flow, a “255 mm” position located in the middle of the flow, and a “465 mm” position located downstream of the flow. The amount of change is shown. From the graph, it can be seen that the amount of change in the C / Cu value is large on the upstream side, that is, the amount of smear processing per unit time is larger on the upstream side than on the downstream side, and the desmear process proceeds faster. This is considered because the active species contained in the processing gas gradually decrease toward the downstream side.
次に、このグラフに示された上流、中流、下流の各箇所におけるデスミア処理の時間経過について説明する。
図8は、図7に示すデスミア処理例におけるC/Cu値の時間経過を表すグラフである。
グラフの横軸はデスミア処理の経過時間を表し、縦軸はC/Cu値を表している。また、グラフに示された太い実線L1は、上述した上流の箇所におけるデスミア処理の経過を示しており、点線L2は、上述した中流の箇所における経過を示しており、細い実線L3は、上述した下流の箇所における経過を示している。
Next, the time course of desmear processing at each of the upstream, middle stream, and downstream locations shown in this graph will be described.
FIG. 8 is a graph showing the passage of time of the C / Cu value in the desmear process example shown in FIG.
The horizontal axis of the graph represents the elapsed time of desmear processing, and the vertical axis represents the C / Cu value. In addition, the thick solid line L1 shown in the graph indicates the progress of the desmear process at the upstream location described above, the dotted line L2 indicates the progress at the midstream location described above, and the thin solid line L3 indicates the above-described progress. The progress in the downstream part is shown.
グラフに示された各線L1,L2,L3の傾きは、図7に示されたC/Cu値の変化量(減少量)に等しく、上述したようにデスミア処理の開始時点では各箇所のC/Cu値はいずれも0.3となっている。また、C/Cu値が0.05を示した基準ラインL0に各線L1,L2,L3が達した時点が、各箇所におけるデスミア処理の完了時点である。
上流箇所ではデスミア処理の進行が速いので太い実線L1は傾きが大きく、C/Cu値が0.3から0.05まで減少するのに112秒で済むのに対し、中流箇所では156秒を要し、下流箇所では185秒を要することが分かった。
The slope of each of the lines L1, L2, and L3 shown in the graph is equal to the change amount (decrease amount) of the C / Cu value shown in FIG. Both Cu values are 0.3. Further, the time when each of the lines L1, L2, and L3 reaches the reference line L0 having a C / Cu value of 0.05 is the time when the desmear process is completed at each location.
Since the progress of the desmear process is fast at the upstream location, the thick solid line L1 has a large slope, and it takes 112 seconds to decrease the C / Cu value from 0.3 to 0.05, whereas it takes 156 seconds at the midstream location. And it turned out that 185 seconds are required in the downstream part.
つまり、定常方向に流れる処理用ガスの雰囲気では、上記例の基板全面についてデスミア処理を完了させるためには、下流箇所における処理時間である185秒が必要であることを意味している。しかしながら、上流箇所では、スミア除去の完了後に185−112=73秒の過剰な処理が行われることになり、基板内で処理むらを生じている。このような過剰な処理は、活性種が、スミアだけでなく、除去を望まない絶縁層と反応することとなり、絶縁層表面が荒れたり、ビアホールの径が拡大したりするなど、好ましくない結果を生むので、処理むらを抑制して過剰処理を短縮することが望ましい。 That is, in the atmosphere of the processing gas flowing in the steady direction, it means that 185 seconds, which is the processing time at the downstream location, is required to complete the desmearing process for the entire substrate surface in the above example. However, at the upstream location, after the smear removal is completed, an excessive process of 185-112 = 73 seconds is performed, resulting in process unevenness in the substrate. Such excessive treatment causes the active species to react not only with smear but also with the insulating layer that is not desired to be removed, resulting in undesirable results such as roughening of the surface of the insulating layer and enlargement of the diameter of the via hole. Therefore, it is desirable to suppress the processing unevenness and shorten the excessive processing.
(逆転の作用)
図1に示す光処理装置100では、給排部40に設けられた三方弁44の接続が制御部45によって切り換えられることにより、窓部材12と基板Wとの間に流れる処理用ガスの向きが逆転する。このような逆転は、1つの基板Wの1面を処理する間に実行され、以下説明するように、過剰処理の時間短縮と、デスミア処理の時間短縮を実現することができる。
図9は、処理用ガスの流れをデスミア処理の途中で逆転した場合のC/Cu値の時間経過を表すグラフである。
このグラフでも、横軸はデスミア処理の経過時間を表し、縦軸はC/Cu値を表している。また、グラフに示された太い実線L4は、上述した上流の箇所におけるデスミア処理の経過を示しており、点線L5は、上述した中流の箇所における経過を示しており、細い実線L6は、上述した下流の箇所における経過を示している。
(Reverse action)
In the
FIG. 9 is a graph showing the passage of time of the C / Cu value when the flow of the processing gas is reversed during the desmear process.
Also in this graph, the horizontal axis represents the elapsed time of the desmear process, and the vertical axis represents the C / Cu value. Further, the thick solid line L4 shown in the graph indicates the progress of the desmear process at the upstream location described above, the dotted line L5 indicates the progress at the midstream location described above, and the thin solid line L6 indicates the above-described progress. The progress in the downstream part is shown.
処理用ガスの流れは、デスミア処理の開始後70秒の時点で逆転され、流れに沿う方向における活性種の濃度分布も逆転されている。この結果、処理開始時における上流箇所は、流れの逆転後は下流箇所となって処理速度が低下するので、太い実線L4は70秒の時点で傾きが減少している。逆に、処理開始時における下流箇所は、流れの逆転後は上流箇所となって処理速度が上昇するので、細い実線L6は70秒の時点で傾きが増加している。このように、処理用ガスの流れの逆転によって上流箇所および下流箇所での処理速度が変化するので、上流、中流、下流の各箇所でデスミア完了に要する時間はそれぞれ140秒、156秒、140秒となった。 The flow of the processing gas is reversed at 70 seconds after the start of the desmear process, and the concentration distribution of the active species in the direction along the flow is also reversed. As a result, the upstream location at the start of processing becomes a downstream location after the reversal of the flow, and the processing speed decreases, so that the slope of the thick solid line L4 decreases at 70 seconds. On the contrary, the downstream portion at the start of the processing becomes the upstream portion after the reversal of the flow and the processing speed increases, so that the thin solid line L6 increases in inclination at the time of 70 seconds. In this way, the processing speed at the upstream and downstream locations changes due to the reversal of the flow of the processing gas, so that the time required for completion of desmearing at each of the upstream, midstream, and downstream locations is 140 seconds, 156 seconds, and 140 seconds, respectively. It became.
デスミア処理の開始から70秒までの工程が、本発明にいう第1の露光工程の一例に相当し、70秒の時点での逆転が、本発明にいう逆転工程の一例に相当し、デスミア処理の開始から70秒以降の工程が、本発明にいう第2の露光工程の一例に相当する。
図9に示す例では、デスミア完了の時間差は、図8に示す73秒に対し、156−140=16秒まで短縮され、基板内での処理むらが大幅に抑制されている。更に、基板全面についてデスミア処理が完了するのに必要な時間についても、中流箇所におけるデスミア処理の完了に必要な156秒となり、図8に示す場合に較べて19秒(11%)短縮されている。
The process from the start of the desmear process to 70 seconds corresponds to an example of the first exposure process according to the present invention, and the reverse at the time of 70 seconds corresponds to an example of the reverse process according to the present invention. The process after 70 seconds from the start corresponds to an example of the second exposure process in the present invention.
In the example shown in FIG. 9, the time difference of desmear completion is shortened to 156-140 = 16 seconds with respect to 73 seconds shown in FIG. 8, and processing unevenness in the substrate is greatly suppressed. Furthermore, the time required to complete the desmear process on the entire surface of the substrate is also 156 seconds required to complete the desmear process at the midstream location, which is 19 seconds (11%) shorter than the case shown in FIG. .
このように、1つの基板の1面に対するデスミア処理の途中で処理用ガスの流れを逆転させると、基板の一方の側だけ活性種の濃度が高くて他方の側は濃度が薄いという状態が続くことを防ぐことができ、デスミア処理の処理むらが抑制されて過剰処理の時間短縮が実現できることが分かった。また、処理用ガスの流れを処理中に逆転させると、活性種の濃度が常に低い箇所がなくなるので、基板全面におけるデスミア処理の完了に要する時間も短縮されることが分かった。
なお、図9に示す例では、処理中に1度だけ流れが逆転する例が示されているが、流れが逆転する際に撹拌作用が強くはたらく条件では、処理中に流れが複数回逆転することで活性種の濃度の平均化が促進されて処理むらが一層抑制される。このため、図1に示す制御部45は、上述したように定期的に処理用ガスの流れを逆転させる。
As described above, when the flow of the processing gas is reversed during the desmear process for one surface of one substrate, the concentration of active species is high on one side of the substrate and the concentration is low on the other side. It was found that the processing unevenness of the desmear process can be suppressed and the time for the excessive process can be reduced. Further, it was found that when the flow of the processing gas is reversed during the processing, there is no portion where the concentration of the active species is always low, so that the time required for completing the desmear processing on the entire surface of the substrate is shortened.
In the example shown in FIG. 9, an example in which the flow is reversed only once during the process is shown. However, the flow is reversed a plurality of times during the process under the condition that the stirring action is strong when the flow is reversed. As a result, the concentration of the active species is promoted and the processing unevenness is further suppressed. Therefore, the
(逆転周期の検討)
ここで、処理用ガスの流れを逆転させる周期について検討する。
逆転の周期が短すぎると、活性種の濃度が低下して排ガスが増加した処理用ガスが基板上から排出される前に流れが逆転してしまい、排ガス等が基板上に滞ってしまうこととなる。従って、少なくとも処理用ガスが基板上を一方向に通過するのに要する時間より長い時間周期で逆転させることが望ましい。つまり、流れに沿った方向での基板の長さをL(m)とし、処理用ガスの流速をV(m/s)とすると、逆転の周期T(s)は、T>L/Vで表すことができる。例えば、L=600mm、V=300mm/sの場合、処理用ガスを逆転させる周期Tは2秒より長い方が好ましいということになる。
なお、上記説明では、本発明の光処理装置の一例としてデスミア処理装置への応用例が示されているが、本発明の光処理装置は、例えば光アッシング処理装置やレジストの除去処理装置やドライ洗浄処理装置などに応用されてもよい。
(Examination of reverse cycle)
Here, the period for reversing the flow of the processing gas is examined.
If the reversal cycle is too short, the flow is reversed before the processing gas whose exhaust species has increased due to the decrease in the concentration of the active species is discharged from the substrate, and the exhaust gas etc. will stagnate on the substrate. Become. Therefore, it is desirable to reverse at least a time period longer than the time required for the processing gas to pass over the substrate in one direction. In other words, when the length of the substrate in the direction along the flow is L (m) and the flow velocity of the processing gas is V (m / s), the reverse rotation period T (s) is T> L / V. Can be represented. For example, when L = 600 mm and V = 300 mm / s, the period T for reversing the processing gas is preferably longer than 2 seconds.
In the above description, an application example to a desmear processing apparatus is shown as an example of the optical processing apparatus of the present invention. However, the optical processing apparatus of the present invention is, for example, an optical ashing processing apparatus, a resist removal processing apparatus, or a dry processing apparatus. You may apply to a washing | cleaning processing apparatus etc.
また、上記説明では、処理用ガスの流れを一定時間毎に切り換える制御部が例示されているが、本発明にいう逆転部は、例えば図9に示す例のように、処理時間の半分程度で1度だけ流れを切り換えるものであってもよい。
また、上記説明では、供給と排出とで兼用される給排気管が例示されているが、本発明にいう気体給排部は、供給と排出それぞれの専用配管を基板の両脇に備えたものであってもよい。
また、上記説明では、本発明にいう気体給排部として、給気装置や排気装置で給気および排気を行う例が示されているが、本発明にいう気体給排部は、例えばボンベの圧力などを用いた自然給排によって処理用ガスを流すものであってもよい。
In the above description, the control unit that switches the flow of the processing gas at regular intervals is illustrated. However, the reversing unit referred to in the present invention is, for example, about half the processing time as shown in FIG. The flow may be switched only once.
In the above description, the supply / exhaust pipe used for both supply and discharge is illustrated, but the gas supply / discharge section referred to in the present invention is provided with dedicated supply and discharge pipes on both sides of the substrate. It may be.
In the above description, an example of supplying and exhausting air with an air supply device or an exhaust device is shown as the gas supply / exhaust unit according to the present invention. However, the gas supply / exhaust unit according to the present invention is, for example, a cylinder The processing gas may be flowed by natural supply / discharge using pressure or the like.
100…光処理装置、W…基板、10…光照射部、20…処理部、40…給排部、41…給排気管、42…供給装置、43…排気装置、44…三方弁、45…制御部
DESCRIPTION OF
Claims (3)
前記光源部から発せられた光に被処理物体の表面が処理気体の雰囲気中で曝される処理部と、
前記表面に沿って前記処理気体を流す気体給排部と、
前記処理気体が流れる方向を逆転させる逆転部と、
を備え、
前記気体給排部は、
前記被処理物体を前記処理気体の流れ方向に挟んだ両側のうちの一方に開口し該処理気体の供給および排出の双方に用いられる第1の給排路と、
前記両側のうちの前記一方に対する他方に開口し該処理気体の供給および排出の双方に用いられる第2の給排路と、
前記第1の給排路および前記第2の給排路のそれぞれに接続されて前記処理気体を供給する供給機と、
前記第1の給排路および前記第2の給排路のそれぞれに接続されて前記処理気体を排出する排出機と、
前記第1の給排路に前記供給機と前記排出機とを選択的に接続する第1接続器と、
前記第2の給排路に前記供給機と前記排出機とを選択的に接続する第2接続器と、
を備え、
前記逆転部は、前記第1接続器および前記第2接続器による前記供給機および前記排出機の接続を切り換えることで前記処理気体の流れを逆転させるものであることを特徴とする光処理装置。 A light source that emits light;
A processing unit in which the surface of the object to be processed is exposed to the light emitted from the light source unit in an atmosphere of a processing gas;
A gas supply / exhaust section for flowing the processing gas along the surface;
A reversing part for reversing the direction in which the processing gas flows;
Equipped with a,
The gas supply / exhaust section is
A first supply / exhaust passage that opens on one of both sides sandwiching the object to be processed in the flow direction of the processing gas and is used for both supply and discharge of the processing gas;
A second supply / exhaust path that opens to the other of the two sides and that is used for both supply and discharge of the processing gas;
A feeder connected to each of the first supply / discharge passage and the second supply / discharge passage for supplying the processing gas;
A discharger connected to each of the first supply / discharge path and the second supply / discharge path to discharge the processing gas;
A first connector for selectively connecting the feeder and the discharger to the first supply / discharge path;
A second connector for selectively connecting the feeder and the discharger to the second supply / discharge path;
With
The optical processing apparatus , wherein the reversing unit reverses the flow of the processing gas by switching the connection of the supply device and the discharge device by the first connector and the second connector .
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015060856A JP6447292B2 (en) | 2015-03-24 | 2015-03-24 | Light processing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015060856A JP6447292B2 (en) | 2015-03-24 | 2015-03-24 | Light processing equipment |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016181596A JP2016181596A (en) | 2016-10-13 |
JP6447292B2 true JP6447292B2 (en) | 2019-01-09 |
Family
ID=57131159
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015060856A Active JP6447292B2 (en) | 2015-03-24 | 2015-03-24 | Light processing equipment |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6447292B2 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020020343A (en) * | 2019-10-30 | 2020-02-06 | ヤンマー株式会社 | Ship |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61194830A (en) * | 1985-02-25 | 1986-08-29 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Organic material removing device for substrate |
JP2003159571A (en) * | 2001-11-27 | 2003-06-03 | Ushio Inc | Ultraviolet irradiation apparatus |
JP3959634B2 (en) * | 2002-11-27 | 2007-08-15 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP4185514B2 (en) * | 2005-08-23 | 2008-11-26 | 積水化学工業株式会社 | Atmospheric pressure plasma processing method and apparatus |
-
2015
- 2015-03-24 JP JP2015060856A patent/JP6447292B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016181596A (en) | 2016-10-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20170252781A1 (en) | Method and apparatus for treating substrates | |
KR100677661B1 (en) | Apparatus and method for irradiating ultraviolet light | |
JP6303008B2 (en) | System for processing substrates using two or more ultraviolet light sources of different wavelengths | |
JP2013510332A5 (en) | ||
WO2015098387A1 (en) | Light irradiation device | |
JP2011155160A (en) | Optical processing apparatus and optical processing method | |
US20110262870A1 (en) | Purge ring with split baffles for photonic thermal processing systems | |
US20080296258A1 (en) | Plenum reactor system | |
JP6738414B2 (en) | Method of treating a substrate with an aqueous liquid medium exposed to ultraviolet light | |
JP6447292B2 (en) | Light processing equipment | |
JP2015022150A (en) | Cleaning method of photomask-related substrate, and production method of the substrate | |
JP2009234815A (en) | Method and apparatus for processing graphene sheet-based material | |
WO2015083435A1 (en) | Ashing method and ashing device | |
JP4640421B2 (en) | UV irradiation equipment | |
JP6183202B2 (en) | Ashing apparatus and ashing method | |
JP2005317555A (en) | Excimer lamp and excimer irradiation device | |
JP6459578B2 (en) | Optical processing apparatus and optical processing method | |
JP2001176865A (en) | Processing apparatus and method of processing | |
JP6507701B2 (en) | Light processing apparatus and light processing method | |
JP2015103545A (en) | Light source device, and desmear treatment device | |
TWI588925B (en) | Light irradiation device | |
JP2016219656A (en) | Optical processing apparatus and optical processing method | |
JP2001191044A (en) | Uv treatment method and scrubbing method and scrubbing device | |
JPH0429220B2 (en) | ||
JP2007149938A (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method and display device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170922 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180723 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180731 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180912 |
|
RD13 | Notification of appointment of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7433 Effective date: 20180926 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20180926 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181106 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181119 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6447292 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |