JP6444663B2 - アルカリに安定なピリミジン誘導体含有触媒による誘電体の無電解メタライゼーション - Google Patents
アルカリに安定なピリミジン誘導体含有触媒による誘電体の無電解メタライゼーション Download PDFInfo
- Publication number
- JP6444663B2 JP6444663B2 JP2014180021A JP2014180021A JP6444663B2 JP 6444663 B2 JP6444663 B2 JP 6444663B2 JP 2014180021 A JP2014180021 A JP 2014180021A JP 2014180021 A JP2014180021 A JP 2014180021A JP 6444663 B2 JP6444663 B2 JP 6444663B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- metal
- copper
- palladium
- catalyst
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
- C23C18/28—Sensitising or activating
- C23C18/30—Activating or accelerating or sensitising with palladium or other noble metal
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J31/00—Catalysts comprising hydrides, coordination complexes or organic compounds
- B01J31/16—Catalysts comprising hydrides, coordination complexes or organic compounds containing coordination complexes
- B01J31/18—Catalysts comprising hydrides, coordination complexes or organic compounds containing coordination complexes containing nitrogen, phosphorus, arsenic or antimony as complexing atoms, e.g. in pyridine ligands, or in resonance therewith, e.g. in isocyanide ligands C=N-R or as complexed central atoms
- B01J31/1805—Catalysts comprising hydrides, coordination complexes or organic compounds containing coordination complexes containing nitrogen, phosphorus, arsenic or antimony as complexing atoms, e.g. in pyridine ligands, or in resonance therewith, e.g. in isocyanide ligands C=N-R or as complexed central atoms the ligands containing nitrogen
- B01J31/181—Cyclic ligands, including e.g. non-condensed polycyclic ligands, comprising at least one complexing nitrogen atom as ring member, e.g. pyridine
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/1803—Pretreatment of the material to be coated of metallic material surfaces or of a non-specific material surfaces
- C23C18/1824—Pretreatment of the material to be coated of metallic material surfaces or of a non-specific material surfaces by chemical pretreatment
- C23C18/1837—Multistep pretreatment
- C23C18/1844—Multistep pretreatment with use of organic or inorganic compounds other than metals, first
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/1851—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
- C23C18/1872—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by chemical pretreatment
- C23C18/1886—Multistep pretreatment
- C23C18/1893—Multistep pretreatment with use of organic or inorganic compounds other than metals, first
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
- C23C18/2006—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30
- C23C18/2046—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30 by chemical pretreatment
- C23C18/2073—Multistep pretreatment
- C23C18/2086—Multistep pretreatment with use of organic or inorganic compounds other than metals, first
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
- H05K3/422—Plated through-holes or plated via connections characterised by electroless plating method; pretreatment therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2531/00—Additional information regarding catalytic systems classified in B01J31/00
- B01J2531/10—Complexes comprising metals of Group I (IA or IB) as the central metal
- B01J2531/17—Silver
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2531/00—Additional information regarding catalytic systems classified in B01J31/00
- B01J2531/10—Complexes comprising metals of Group I (IA or IB) as the central metal
- B01J2531/18—Gold
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2531/00—Additional information regarding catalytic systems classified in B01J31/00
- B01J2531/80—Complexes comprising metals of Group VIII as the central metal
- B01J2531/82—Metals of the platinum group
- B01J2531/824—Palladium
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2531/00—Additional information regarding catalytic systems classified in B01J31/00
- B01J2531/80—Complexes comprising metals of Group VIII as the central metal
- B01J2531/82—Metals of the platinum group
- B01J2531/828—Platinum
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2531/00—Additional information regarding catalytic systems classified in B01J31/00
- B01J2531/80—Complexes comprising metals of Group VIII as the central metal
- B01J2531/84—Metals of the iron group
- B01J2531/845—Cobalt
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2531/00—Additional information regarding catalytic systems classified in B01J31/00
- B01J2531/80—Complexes comprising metals of Group VIII as the central metal
- B01J2531/84—Metals of the iron group
- B01J2531/847—Nickel
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
17mL分量の5g/L HDMPストック溶液を400mLのDI水で希釈することにより、1リットルの水中に75ppmのパラジウムイオンおよび85ppmの6−ヒドロキシ−2,4−ジメチルピリミジン(HDMP)を含む水性アルカリ触媒溶液を調製した。1Mの水酸化ナトリウムを使って溶液のpHを10.5に調節した。188mgのパラジウム硝酸塩水和物を最小限のDI水中に溶解し、HDMP溶液に加えた。1.9gの四ホウ酸ナトリウム・10水和物を、400mLのDI水と硝酸パラジウムを含む1リットルのビーカーに溶解し、HDMP溶液をそれに加えた。次に、混合物を1リットルに希釈し、室温で30分間攪拌した。HDMPのパラジウムイオンに対するモル比は、1:1であった。溶液のpHは9であった。
複数のスルーホールを有する次の6枚の異なるパネルを2枚ずつ用意した:TUC−662、SY−1141、SY−1000−2、IT−158、IT−180およびNPG−150。パネルは、4層または8層銅−クラッドパネルとした。TUC−662は、Taiwan Union Technologyから入手し、SY−1141とSY−1000−2は、Shengyiから入手した。また、IT−158とIT−180は、ITEQ Corp.から入手し、NPG−150は、NanYaから入手した。パネルのTg値は、140℃〜180℃の範囲であった。各パネルは、5cm×12cmとした。各パネルのルーホールを以下のように処理した:
1.各パネルのスルーホールをCIRCUPOSIT(商標)MLB Conditioner211溶液を使って80℃で7分間、スミア除去した。
2.各パネルのスルーホールを、流れている水道水で4分間すすいだ。
3.スルーホールをCIRCUPOSIT(商標)MLB Promoter3308水性過マンガン酸塩溶液を使い、80℃で10分間処理した。
4.スルーホールを、流れている水道水で4分間すすいだ。
5.スルーホールを、3wt%硫酸/3wt%過酸化水素中和剤を使って、室温で2分間処理した。
6.各パネルのスルーホールを、流れている水道水で4分間すすいだ。
7.各パネルのスルーホールを、CIRCUPOSIT(商標)Conditioner3325アルカリ溶液を使って60℃で5分間処理した。
8.スルーホールを、流れている水道水で4分間すすいだ。
9.スルーホールを過硫酸ナトリウム/硫酸エッチング溶液を使って、室温で2分間処理した。
10.各パネルのスルーホールを、流れているDI水で4分間すすいだ。
11.半分のパネルを室温で1分間、CATAPREP(商標)404前ディップ溶液に浸漬し、続けて、パネルを過剰のスズを含む75ppmのパラジウム金属を有する従来のパラジウム/スズ触媒の溶液中に40℃で5分間浸漬した。他方で、残りの半分のパネルを実施例1で調製したパラジウムイオン/HDMP触媒中に40℃で5分間、浸漬した。
12.パラジウムイオンおよびHDMPを含む触媒で処理したパネルを0.25M溶液の次亜リン酸ナトリウム還元剤中に50℃で1分間浸漬し、パラジウムイオンをパラジウム金属に還元し、その後、流れているDI水で30秒間すすいだ。
13.パネルを38℃、pH13下でCIRCUPOSIT(登録商標)880無電解銅メッキ浴中に浸漬し、スルーホールの壁上に15分間、銅を堆積させた。
14.銅メッキパネルを流れている水道水で4分間すすいだ。
15.各銅メッキパネルを圧縮空気で乾燥した。
16.パネルのスルーホールの壁の銅メッキ被覆率を、下記のバックライトプロセスを使って調べた。
21mLの分量の5g/L ADMPストック溶液を400mLのDI水で希釈することにより、1リットルの水中に75ppmのパラジウムイオンおよび105ppmの2−アミノ−4,6−ジメチルピリミジン(ADMP)を含む水性アルカリ触媒溶液を調製した。188mgの硝酸パラジウム水和物を最小限のDI水中に溶解し、ADMP溶液に加えた。1M水酸化ナトリウムを使って溶液のpHを8.5に調節した。1.9gの四ホウ酸ナトリウム・10水和物を、400mLのDI水および硝酸パラジウムを含む1リットルのビーカーに溶解し、それにADMP溶液を加えた。その後、混合物を1リットルに希釈し、室温で30分間攪拌した。ADMPのパラジウムイオンに対するモル比は、1.2:1であった。溶液のpHは9であった。
実施例2と同様に、複数のスルーホールを有する次の6枚の異なる多層の銅クラッドパネルを2枚ずつ用意した:TUC−662、SY−1141、SY−1000−2、IT−158、IT−180およびNPG−150。各パネルのルーホールを以下のように処理した:
1.各パネルのスルーホールをCIRCUPOSIT(商標)MLB Conditioner211溶液を使って80℃で7分間、スミア除去した。
2.各パネルのスルーホールを、流れている水道水で4分間すすいだ。
3.スルーホールをCIRCUPOSIT(商標)MLB Promoter3308水性過マンガン酸塩溶液を使い、80℃で10分間処理した。
4.スルーホールを、流れている水道水で4分間すすいだ。
5.スルーホールを、3wt%硫酸/3wt%過酸化水素中和剤を使って、室温で2分間処理した。
6.各パネルのスルーホールを、流れている水道水で4分間すすいだ。
7.各パネルのスルーホールを、CIRCUPOSIT(商標)Conditioner3320Aアルカリ溶液を使って45℃で5分間処理した。
8.スルーホールを、流れている水道水で4分間すすいだ。
9.スルーホールを過硫酸ナトリウム/硫酸エッチング溶液を使って、室温で2分間処理した。
10.各パネルのスルーホールを、流れているDI水で4分間すすいだ。
11.半分のパネルを室温で1分間、CATAPREP(商標)404前ディップ溶液に浸漬し、続けて、パネルを過剰のスズを含む75ppmのパラジウム金属を有する従来のパラジウム/スズ触媒の溶液中に40℃で5分間浸漬した。他方で、残りの半分のパネルを、実施例3と同様に調製したパラジウムイオン/AMDP触媒中に40℃で5分間、浸漬した。
12.パラジウムイオンおよびAMDPを含む触媒で処理したパネルを0.25M溶液の次亜リン酸ナトリウム還元剤中に50℃で1分間浸漬し、パラジウムイオンをパラジウム金属に還元し、その後、流れているDI水で30秒間すすいだ。
13.パネルを38℃、pH13下でCIRCUPOSIT(商標)880Electroless Copperメッキ浴中に浸漬し、スルーホールの壁上に15分間、銅を堆積させた。
14.銅メッキパネルを流れている水道水で4分間すすいだ。
15.各銅メッキパネルを圧縮空気で乾燥した。
16.パネルのスルーホールの壁の銅メッキ被覆率を、下記のバックライトプロセスを使って調べた。
下表に挙げたピリミジン誘導体の触媒安定性および活性を40mL規模で試験した。75ppmのパラジウムイオン、およびpHを約9に維持するためのpH緩衝剤として1.9g/Lの四ホウ酸ナトリウム・10水和物を使って触媒を調製した。実施例9、13および14を除いて、各錯体形成剤の試料を2種の異なる量で試験した。パラジウムイオンの錯体形成剤に対するモル比は、1:1または1:2とした。実施例9、13および14のパラジウムイオンの錯体形成剤に対するモル比は、1:1とした。
a)錯体形成剤溶液濃度:5g/L。
b)5g/Lのパラジウムイオン溶液を硝酸パラジウム水和物から調製した。
c)四ホウ酸ナトリウム・10水和物溶液濃度:25g/L。
1.一定分割量の錯体形成剤を30mLのDI水中に希釈した。
2.実施例5〜8、10〜14および16〜17に対し、1M水酸化ナトリウムを使って錯体形成剤溶液のpHを約10.5に調節した。
3.0.6mLのパラジウムイオン溶液を加え、触媒を室温で5分間攪拌し、1M水酸化ナトリウムを加えて、実施例9および15の2−アミノピリミジンベース錯体形成剤のpHを約8.5に調節し、さらに、
4.3.05mLのホウ酸塩溶液を加えて、触媒を40mLに希釈し、pHを約9に調節した。
5.非クラッド積層体NY−1140試料(NanYa)を使って小規模(ビーカー)試験で下記のプロセスによりメッキ活性の選別を行った:
a)実施例5〜8、10〜14および16〜17の積層体に、10%のCIRCUPOSIT(商標)Conditioner3325アルカリ溶液を、また、実施例9および15の積層体に7%のCIRCUPOSIT(商標)Conditioner3320A酸溶液を50℃で5分間適用した後、DI水ですすいだ。
b)触媒浴を40℃で5分間積層体に適用した。
c)0.25MのNaH2PO2還元剤を50℃で1分間積層体に適用し、続けて、DI水ですすいだ。
d)積層体をCIRCUPOSIT(商標)880Electroless Copperメッキ浴を使って40℃で15分間、銅でメッキし、続けて、DI水ですすいだ後、室温で乾燥した。
e)積層体の銅メッキ性能を調査した。結果を表1に示す。
使用した錯体形成剤が下表2に示す内容であることを除いて、積層体NY−1140試料に対する安定性試験および無電解銅メッキを繰り返した。ピリミジン誘導体は、ピリミジン環の2位置では置換を行わないで4と6位置でヒドロキシル置換を行うか、または、4と6位置およびアミン基のNo.2位置でヒドロキシル置換を行うか、またはピリミジン環の位置2、4および6でアミン置換を行った。溶液を実施例5〜17の記載と同様の方法で調製した。
Claims (9)
- a)誘電体を含む基板を用意すること、
b)前記誘電体を含む基板に水性アルカリ触媒溶液を適用することであって、前記水性アルカリ触媒が、金属イオンと、1種または複数種の式:
c)工程b)の後で、かつ工程d)の前に、前記誘電体を含む基板に還元剤を適用すること、および
d)前記誘電体を含む基板をアルカリ金属メッキ浴中に浸漬し、前記誘電体を含む基板上に金属を無電解メッキすること、
を含む方法。 - 前記1種または複数種のピリミジン誘導体が、2−アミノピリミジン、6−ヒドロキシ−2,4,6−トリアミノピリミジン、2−ヒドロキシピリミジン、4,6−ジクロロピリミジン、2,4−ジメトキシピリミジン、2−アミノ−4,6−ジメチルピリミジンおよび2−ヒドロキシ−4,6−ジメチルピリミジンから選択される請求項1に記載の方法。
- 前記金属イオンに対する前記1種または複数種のピリミジン誘導体のモル比が、1:1〜4:1である請求項1に記載の方法。
- 前記金属イオンが、パラジウム、銀、金、白金、銅、ニッケルおよびコバルトから選択される請求項1に記載の方法。
- 前記基板上に無電解メッキされる前記金属が、銅、銅合金、ニッケルまたはニッケル合金である請求項1に記載の方法。
- 前記水性アルカリ触媒溶液が、8.5以上のpHである請求項1に記載の方法。
- 前記水性アルカリ触媒溶液が、9以上のpHである請求項6に記載の方法。
- 前記誘電体を含む基板が、複数のスルーホールをさらに含む請求項1に記載の方法。
- 前記誘電体を含む基板が、金属クラッドをさらに含む請求項8に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201361873389P | 2013-09-04 | 2013-09-04 | |
US61/873,389 | 2013-09-04 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015063755A JP2015063755A (ja) | 2015-04-09 |
JP2015063755A5 JP2015063755A5 (ja) | 2018-10-25 |
JP6444663B2 true JP6444663B2 (ja) | 2018-12-26 |
Family
ID=51494103
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014180021A Expired - Fee Related JP6444663B2 (ja) | 2013-09-04 | 2014-09-04 | アルカリに安定なピリミジン誘導体含有触媒による誘電体の無電解メタライゼーション |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP2845922A1 (ja) |
JP (1) | JP6444663B2 (ja) |
KR (1) | KR20150027726A (ja) |
CN (1) | CN104513974B (ja) |
TW (1) | TWI567233B (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI384081B (zh) * | 2008-06-13 | 2013-02-01 | China Steel Corp | Manufacture of Medium Carbon and Sulfur Series Fast Cutting Steel |
JP6479641B2 (ja) * | 2015-12-11 | 2019-03-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP6563324B2 (ja) * | 2015-12-11 | 2019-08-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
US20170251557A1 (en) * | 2016-02-29 | 2017-08-31 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Horizontal method of electroless metal plating of substrates with ionic catalysts |
TWI638821B (zh) * | 2016-08-24 | 2018-10-21 | 李長榮化學工業股份有限公司 | 金屬觸媒及其製備與應用 |
CN106435543B (zh) * | 2016-09-21 | 2018-07-06 | 芜湖扬展新材料科技服务有限公司 | 航空钛合金的制备方法 |
KR102662397B1 (ko) * | 2018-10-23 | 2024-05-02 | 솔브레인 주식회사 | 전기도금 조성물 및 전기도금 방법 |
US20210140051A1 (en) * | 2019-11-11 | 2021-05-13 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Electroless copper plating and counteracting passivation |
CN113445031B (zh) * | 2021-06-24 | 2022-07-08 | 广东硕成科技股份有限公司 | 一种金属活性剂及其制备方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2116389C3 (de) | 1971-03-30 | 1980-04-03 | Schering Ag, 1000 Berlin Und 4619 Bergkamen | Lösung zur Aktivierung von Oberflächen für die Metallisierung |
DE3149919A1 (de) * | 1981-12-11 | 1983-06-23 | Schering Ag, 1000 Berlin Und 4619 Bergkamen | Verfahren zum haftfesten metallisieren von polyimid |
DE3328765A1 (de) * | 1983-08-05 | 1985-02-14 | Schering AG, 1000 Berlin und 4709 Bergkamen | Loesung zur vorbehandlung von polyimid |
US4976990A (en) * | 1986-09-30 | 1990-12-11 | Macdermid, Incorporated | Process for metallizing non-conductive substrates |
GB8725148D0 (en) * | 1987-10-27 | 1987-12-02 | Omi International Gb Ltd | Catalyst |
US5503877A (en) | 1989-11-17 | 1996-04-02 | Atotech Deutschalnd Gmbh | Complex oligomeric or polymeric compounds for the generation of metal seeds on a substrate |
JP3892730B2 (ja) * | 2002-01-30 | 2007-03-14 | 関東化学株式会社 | 無電解金めっき液 |
JP2004190075A (ja) * | 2002-12-10 | 2004-07-08 | Kanto Chem Co Inc | 無電解金めっき液 |
JP5434222B2 (ja) * | 2009-04-17 | 2014-03-05 | コニカミノルタ株式会社 | 金属パターン形成方法および金属パターン |
JP5780920B2 (ja) * | 2011-10-31 | 2015-09-16 | 新光電気工業株式会社 | 無電解銅めっき浴 |
-
2014
- 2014-09-03 EP EP14183347.5A patent/EP2845922A1/en not_active Withdrawn
- 2014-09-04 TW TW103130538A patent/TWI567233B/zh not_active IP Right Cessation
- 2014-09-04 JP JP2014180021A patent/JP6444663B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2014-09-04 KR KR20140117768A patent/KR20150027726A/ko not_active Application Discontinuation
- 2014-09-04 CN CN201410719690.6A patent/CN104513974B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201525192A (zh) | 2015-07-01 |
KR20150027726A (ko) | 2015-03-12 |
CN104513974A (zh) | 2015-04-15 |
EP2845922A1 (en) | 2015-03-11 |
CN104513974B (zh) | 2018-09-21 |
JP2015063755A (ja) | 2015-04-09 |
TWI567233B (zh) | 2017-01-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6444663B2 (ja) | アルカリに安定なピリミジン誘導体含有触媒による誘電体の無電解メタライゼーション | |
JP6444664B2 (ja) | アルカリに安定なピラジン誘導体含有触媒による誘電体の無電解メタライゼーション | |
TWI629374B (zh) | 無電極電鍍的方法 | |
JP5937343B2 (ja) | めっき触媒及び方法 | |
JP2013049920A (ja) | 無電解金属化のための安定な触媒 | |
US9914115B2 (en) | Catalysts for electroless metallization containing five-membered heterocyclic nitrogen compounds | |
US9918389B2 (en) | Electroless metallization of dielectrics with alkaline stable pyrazine derivative containing catalysts | |
TWI614372B (zh) | 無電極電鍍的方法 | |
TWI617700B (zh) | 無電極電鍍的方法 | |
JP6491689B2 (ja) | 無錫イオン性銀含有触媒による基材のスルーホール及びビアの無電解金属被覆 | |
US20170044671A1 (en) | Electroless metallization of dielectrics with alkaline stable pyrimidine derivative containing catalysts | |
JP6562597B2 (ja) | イミノ二酢酸および誘導体を含む無電解金属化のための触媒 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20150116 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170821 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180622 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180912 |
|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20180912 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181105 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181128 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6444663 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |