CN104513974B - 利用含碱稳定嘧啶衍生物的催化剂的化学镀金属化电介质 - Google Patents

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Abstract

环上含有一个或多个供电子基团的嘧啶衍生物，在水性碱性环境中被用作催化金属络合剂以催化在金属包层和无包层基体上的化学镀金属镀。催化剂为单体并且不含锡和抗氧化剂。

Description

利用含碱稳定嘧啶衍生物的催化剂的化学镀金属化电介质
发明领域
本发明涉及利用含有碱稳定单体嘧啶衍生物的催化剂对电介质化学镀金属化。更具体的，本发明涉及用含有碱稳定单体嘧啶衍生物的催化剂替代钯/锡胶体催化剂对电介质进行化学镀金属化。
发明背景
传统的印刷电路板(PCB)由层压非导电电介质基体组成，该基体依靠钻孔和镀通孔(PTH)在板的相对侧和/或内层间形成连接。化学镀是一种众所周知的在表面上制备金属涂层的方法。电介质表面的化学镀需要催化剂的预先沉积。在化学镀之前催化或激活层压非导电电介质基板区的最常用方法是在酸性氯化物介质中用水溶性的锡-钯胶体处理电路板。胶体由被锡离子(II)稳定层包围的钯金属核组成。[SnCl3]-络合物外壳作为表面稳定基团以避免悬浮中的胶体凝聚。
在活化过程中，钯基胶体被吸附到例如环氧树脂或聚酰亚胺的绝缘基体上，以活化化学镀铜的沉积。理论上，对于化学镀金属沉积，催化剂颗粒作为将电子从还原剂转移到镀浴中的金属离子上的转移路径载体。尽管化学镀铜工艺的性能受到许多因素的影响，例如沉积溶液的组成和配体的选择，但是活化步骤仍然是控制化学镀沉积速率和机理的关键因素。锡/钯胶体作为化学镀金属沉积的活化剂已经在商业上使用几十年了，其结构被广泛地研究，然而其对空气的敏感和高成本，为改进和替代留有空间。
虽然钯胶体催化剂表现出了优秀的服务水准，但随着制造的印刷电路板质量的提高，其具有越来越明显的许多缺点。近年来，伴随着电子器件尺寸缩小和性能提高，电路的组装密度变得更高，并随之要求化学镀后无缺陷。因此对于可靠的替代催化剂组合物的需求更大。胶体钯催化剂稳定性也让人担忧。如上所述，锡/钯胶体由一锡(II)离子层稳定，其反离子能避免钯凝聚。锡(II)离子易被氧化为锡(IV)，从而胶体不能保持其胶体结构。温度的升高和搅拌会促进这种氧化。如果将锡(II)浓度降低至接近零，钯微粒会增长尺寸，凝聚和沉淀。
已经做出相当多的努力来寻找新的和更好的催化剂。例如，由于钯的高成本，很多的努力投向发展无钯的或双金属的替代催化剂。过去，问题包括对于通孔镀覆时它们的活性不足和不足够可靠的事实。此外，这些催化剂一旦静置，通常会变的活性会逐减，活性的这种变化导致这样的催化剂不可靠和不适用于商业应用。U.S.4,248,632公开了一种用于化学镀的非钯/锡催化剂。该催化剂包括催化金属，例如钯或者替代金属，如银和金，含氮配体和酸根的络合物；然而酸性环境对其催化性能是关键的。酸性环境通常引起许多电介质基体上金属包层的不期望的腐蚀，导致次品。这个问题在制造印刷电路板中很常见，其中所述电路板通常用铜大量包覆，因而在工业中酸性环境是非常不期望的。
优选地，在碱性环境下化学镀金属包层电介质，但许多非钯/锡催化剂在这种条件下不稳定和不可靠。U.S.5,503,877公开了另一种可用于酸性环境以及碱性环境的非钯/锡催化剂。该催化剂由催化金属，例如钯、银和金，含氮配体和溶剂组分构成；然而，该催化剂在使用前首先必须要长时间来加热形成低聚物/多聚物，否则其活性不充分。另外，在大规模催化剂制备中，由于人工和设备费用增加，长时间加热和随继的冷却导致更多的成本。因而，仍然需要钯/锡的替代催化剂。
发明概述
方法包括：提供含电介质的基体；将水性碱性催化剂溶液施用到含电介质的基体上，水性碱性催化剂含有金属离子和一种或多种嘧啶衍生物的单体络合物，所述嘧啶衍生物具有通式：
其中R1、R2、R3和R4可以相同或不同，是氢、(C1-C3)烷基、-N(R)2、羟基、羟基(C1-C3)烷基、(C1-C3)烷氧基、羧基或卤素，并且其中R可以相同或不同，是氢或(C1-C3)烷基，并且附带条件是当R2和R4是羟基时，R1也是羟基，R1，R2和R4不能同样是-N(R)2，并且当R2是烷基时，R1，R3和R4不能全是氢，并且R1，R2，R3和R4不同样为氢；或它们的盐；将还原剂施用于含电解质的基体上；将含电介质的基体浸入碱性金属镀浴，以将金属化学镀到含电介质的基体上。
水性碱性催化剂可以用于将金属化学镀到电介质材料的基体上和也包含金属包层的基体上。水性碱性催化剂贮存稳定并甚至在碱性化学镀金属镀覆环境下在化学镀金属镀覆过程中是稳定的。与传统锡/钯催化剂相比，他们不易氧化，即使水性碱性催化剂不含抗氧化剂。他们不需要强酸来制备或维持稳定性，因而他们比传统催化剂腐蚀性更少。他们不需要锡化合物用于稳定并且可以不含有卤素。也不需要延长加热时间形成低聚物/多聚物复合体，以形成稳定且有催化活性的配体络合物，因而提供了一种更高效化学镀方法。在印刷电路板的制造中，该催化剂能实现贯穿孔及通孔填充过程中很好的金属覆盖。
附图简要说明
图1为钯/6-羟基-2，4-二甲基嘧啶催化剂对比传统锡/钯胶体催化剂在多个基体通孔壁上的背光性能曲线图。
图2为钯/2-氨基-4，6-二甲基嘧啶催化剂对比传统锡/钯催化剂在多个基体通孔壁上的背光性能曲线图。
发明的详述
除非本文另有明确说明，说明书全文中使用的下列缩写具有如下含义：g＝克；mg＝毫克；mL＝毫升；L＝升；cm＝厘米；m＝米；mm＝毫米；μm＝微米；；ppm＝百万分之一；M＝摩尔；℃＝摄氏度；g/L＝克每升；DI＝去离子；Pd＝钯；wt％＝重量百分数；和Tg＝玻璃转化温度。
术语“单体”或者“单体的”表示可以与一个或多个相同或类似分子结合的单分子。术语“低聚物”表示两个或三个单体结合以形成一个单分子。术语“多聚物”表示两个或多个单体结合或者两个或多个低聚物结合以形成一个单分子。术语“卤素”表示氯、溴、氟、和碘。术语“印刷电路板“和“印刷线路板”在本说明书全文中可以互换使用。术语“电镀”和“沉积”在本说明书全文中可以互换使用。除非另有说明，所有的量为重量百分比。所有数值范围可以相容并可以任何顺序组合，除非逻辑上这些数值范围被限制合计达100％。
水性碱性催化剂溶液包括选自银、金、铂、钯、铜、钴和镍的金属离子以及一种或多种嘧啶衍生物络合化合物的络合物，所述嘧啶衍生物具有通式：
其中R1、R2、R3和R4可以相同或不同，是氢、(C1-C3)烷基、-N(R)2、羟基、羟基(C1-C3)烷基、(C1-C3)烷氧基、羧基或卤素，并且其中R可以相同或不同，是氢或(C1-C3)烷基，且附带条件是当R2和R4是羟基时，R1也是羟基，R1、R2和R4不能同样是-N(R)2，并且当R2是烷基时，R1、R3和R4不能全是氢，并且R1、R2、R3和R4不同样为氢；或它们的盐。优选R1、R2、R3和R4独立地为氢、(C1-C2)烷基、-N(R)2，其中R可以相同或不同，是氢或(C1-C2)烷基；羟基、(C1-C2)烷氧基、羧基或氯，且附带条件是当R2和R4是羟基时，R1也是羟基，R1、R3和R4不能同样是-N(R)2，且当R2是烷基时，R1、R3和R4不能全是氢，R1、R2、R3和R4不同样是氢。更优选地，R1、R2、R3和R4各自独立地为氢、甲基、-NH2、羟基、甲氧基、羧基或者氯，附带条件是当R2和R4是羟基时，R1也是羟基，R1、R3和R4不同样是-NH2并且当R2是甲基，R1、R3和R4不能全是氢，且R1、R2、R3和R4不同样是氢。最优选地，R1、R2、R3和R4独立地为氢、甲基、-NH2或羟基，附带条件是当R2和R4是羟基，R1也是羟基，R1、R3和R4不能同样是-NH2并且当R2是甲基时，R1、R3和R4不能全是氢，且R1、R2、R3和R4不同样是氢。通常，这种嘧啶衍生物以10ppm至500ppm，通常浓度为60ppm至300ppm的量被包含于所述催化剂中。
这些嘧啶衍生物的例子有尿嘧啶、巴比妥酸、乳清酸、胸腺嘧啶、2-氨基嘧啶、6-羟基-2，4-二甲基嘧啶、6-甲基尿嘧啶、2-羟基嘧啶、4，6-二氯嘧啶、2，4-二甲氧基嘧啶、2-氨基-4，6-二甲基嘧啶、2-羟基-4，6-二甲基嘧啶和6-甲基异胞嘧啶。
金属离子源包括任何本领域和文献中已知的常规的水溶性金属盐，其提供具有催化活性的金属。可以使用一种催化的金属离子，也可使用两种或更多催化金属离子的混合物。所述包括的的盐可提供20ppm至350ppm，优选25ppm至250ppm量的金属离子。银盐包括但不限于硝酸银、醋酸银、三氟醋酸银、甲苯磺酸银、三氟甲基磺酸银、氟化银、氧化银、硫代硫酸银三钠和氰化钾银。钯盐包括但不限于氯化钯、醋酸钯、四氯钯酸钾、四氯钯钠、四氯钯钠和硝酸钯。金盐包括但不限于氰化金、三氯化金、三溴化金、氯化金钾、氰化金钾、氯化金钠和氰化金钠。铂盐包括但下限于氯化铂和硫酸铂。铜盐包括但不限于硫酸铜和氯化铜。镍盐包括但下限于氯化镍和硫酸镍。钴盐包括但不限于醋酸钴、氯化钴、溴化钴和硫酸铵钴。优选地，金属离子是银、钯和金离子。更优选地，金属离子是银和钯。最优选地，所述离子是钯。
组成水性碱性催化剂的组分可以任何顺序组合。可使用本领域和文献中已知的任何合适的方法制备水性催化剂。然而，不用加热来形成络合嘧啶衍生物和金属离子来形成低聚物或多聚物。水性碱性催化剂溶液实质上是嘧啶衍生物络合物和金属离子的单体溶液。水性碱性催化剂溶液中所含的嘧啶衍生物络合物和一种或多种金属离子的量是络合物与金属离子的摩尔比为1∶1到4∶1，优选从1∶1到2∶1。通常首先将一种或者多种络合物溶于足量的水中。一种或多种金属离子源溶于最少量的水中，然后在搅拌下与络合物溶液结合以形成均匀的水溶液。催化剂溶液一般在室温下制备，但需要一定的加热来加速组分的溶解。用四硼酸钠、碳酸钠或者碱金属的氢氧化物，例如氢氧化钾或氢氧化钠或它们的混合物将水性催化剂溶液的pH调至碱性pH。水性碱性催化剂溶液的pH范围为8.5及更大，优选从9及更大，更优选地从9到13，最优选地从9到12。水性碱性催化剂不含锡、锡离子和抗氧化剂。优选地，水性碱性催化剂不含卤素。
将催化剂应用于基体之后和金属化之前，将一种或多种还原剂施用于催化的基体来将金属离子还原为其金属态。可以使用常规已知的还原剂来将金属离子还原为金属。此类还原剂包括但不限于，二甲胺硼烷、硼氢化钠、抗坏血酸、异抗坏血酸、次磷酸钠、水合肼、蚁酸和甲醛。优选的还原剂是次磷酸钠。还原剂的含量为基本上将全部的金属离子还原成金属。这种用量通常是常规的用量且为本领域技术人员熟知的。
水性碱性催化剂可以用于化学镀金属镀多种基体，例如半导体、金属包层和无包层基体，例如印刷电路板。这些金属包层和无包层的印刷电路板可以包括热固性树脂、热塑性树脂及其组合物，包括纤维，例如玻璃纤维，和前面所述的浸渍的实施方式。优选地，基体是金属包层印刷电路板或线路板。
热塑性树脂包括但不限于缩醛树脂，丙烯酸树脂，如丙烯酸甲酯、纤维素树脂，如乙酸乙酯、丙酸纤维素，乙酸丁酸纤维素和硝酸纤维素、聚醚、尼龙、聚乙烯、聚苯乙烯、苯乙烯混合物，例如丙烯腈苯乙烯和共聚物和丙烯腈-丁二烯苯乙烯共聚物、聚碳酸酯、聚氯三氟乙烯，和乙烯基聚合物和共聚物，例如乙酸乙烯酯、乙烯醇、乙烯基丁缩醛、氯乙烯，氯乙烯-醋酸酯共聚物、偏二氯乙烯和乙烯基甲醛。
热固性树脂包括但不限于邻苯二甲酸烯丙基酯、呋喃、三聚氰胺-甲醛、苯酚－甲醛和苯酚-糠醛共聚物，单独或与下述复合：丁二烯丙烯腈共聚物或丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、聚丙烯酸酯、硅酮、尿素甲醛、环氧树脂、烯丙基树脂、邻苯二甲酸甘油酯以及聚酯。
催化剂可用于用低和高Tg的树脂镀基体。低Tg树脂具有低于160℃的Tg，高Tg树脂具有160℃及以上的Tg。通常高Tg树脂具有160℃至280℃的Tg，或者例如170℃至240℃。高Tg聚合物树脂包括但不限于聚四氟乙烯(PTFE)和聚四氟乙烯混合物。所述混合物包括，例如含聚苯醚和氰酸酯的PTFE。其他类包含具有高Tg树脂的聚合物树脂，包括但不限于环氧树脂，如双功能或多功能环氧树脂，双马来酰亚胺/三嗪和环氧树脂(BT环氧)，环氧/聚苯醚树脂，丙烯腈丁二烯苯乙烯，聚碳酸酯(PC)，聚苯醚(PPO)，聚苯醚(PPE)，聚苯硫醚(PPS)，聚砜(PS)，聚酰胺，聚酯如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)和聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)，聚醚酮(PEEK)，液晶聚合物，聚氨酯，聚醚酰亚胺，环氧树脂以及它们的复合物。
催化剂可用于将金属沉积在电介质材料和印刷电路板的通孔或贯穿孔壁上。催化剂可用于生产印刷电路板的水平或垂直工艺。
水性催化剂可与常规碱性化学镀金属镀浴一起使用。可以预期，该催化剂可用于化学镀沉积任何可被化学镀的金属，优选地，所述金属选自铜、铜合金、镍或镍合金。金属更优选自铜和铜合金，最优选的金属是铜。商业上可购得的化学镀铜镀浴一个例子就是CIRCUPOSITTM 880化学镀铜浴。(可以从陶氏高级材料(马尔堡，马萨诸塞州)获得)
通常铜离子源包括但不限于铜的水溶性卤化物，硝酸盐，醋酸盐，硫酸盐和铜的其它有机或无机酸盐。一种或多种所述铜盐的混合物可被用于提供铜离子。例子包括硫酸铜，如五水硫酸铜、氯化铜、硝酸铜、氢氧化铜和氨基磺酸铜。可在组合物中使用常规量的铜盐。通常组合物中的铜离子浓度范围可以是0.5g/L至30g/L。
在化学镀组合物中也可以包括一种或多种合金金属。此种合金金属包括但不限于镍和锡。铜合金的例子包括铜/镍和铜/锡。通常地，铜合金是铜/镍。
用于镍和镍合金化学镀浴的镍离子源可包括一种或多种常规水溶性镍盐。镍离子源包括但不限于硫酸镍和卤化镍。化学镀合金组合物中也可包括常规量的镍离子源。通常所含镍离子源的量为0.5g/L至10g/L。
用于化学镀金属镀覆基体的常规步骤中可以使用催化剂；但是，水性碱性催化剂不需要如许多传统方法中的加速步骤，该步骤中使锡被剥离暴露于钯用于化学镀。因此，使用催化剂时加速步骤被排除。优选地，将催化剂施加到被化学镀金属的基体表面，接着在被催化的基体上施加还原剂，然后应用金属镀浴。化学镀参数如温度和时间可以是常规的。化学镀金属镀浴的pH是碱性的。可使用常规的基体制备方法，如基体表面的清洁或去油污，表面的粗糙化或微粗糙化，表面的蚀刻或微蚀刻，应用溶剂溶胀，通孔去污和各种漂洗和防锈处理。所述方法和制剂都是本领域已知和文献中公开的。
优选的，待金属镀的基体是具有电介质材料和大量通孔的金属包层的基体，如印刷电路板。所述板用水漂洗、清洁和去油污，随后对通孔壁进行去污。通常地，电介质的预处理或软化或通孔的去污开始于溶剂溶胀的施加。
可使用任何常规的溶剂溶胀。具体的类型可根据电介质材料的类型而改变。电介质的例子公开如上。可进行小型实验以确定哪种溶剂溶胀适用于特定的电介质材料。电介质的Tg通常决定了要用的溶剂溶胀的类型。溶剂溶胀包括但不限于乙二醇醚和与其结合的醋酸醚。可使用常规量的乙二醇醚和与其结合的醋酸醚。商业上可购得的溶剂溶胀例子是CIRCUPOSITTM Conditioner 3302A，CIRCUPOSITTM Hole Prep 3303和CIRCUPOSITTM HolePrep 4120溶液(可以从陶氏高级材料有限公司获得)。
溶剂溶胀之后可以使用促进剂。可使用常规的促进剂。所述促进剂包括硫酸、铬酸、碱性高锰酸盐或等离子蚀刻。通常使用碱性高锰酸盐作为促进剂。商业上可购得的的促进剂的例子是CIRCUPOSITTM Promoter 4130和CIRCUPOSITTMMLB Promoter 3308溶液(可以从陶氏高级材料有限公司获得)。任选地，用水漂洗基体和通孔。
然后，使用中和剂来中和促进剂剩下的任何残余物。可使用常规的中和剂。通常中和剂是含有一种或多种胺的酸性水溶液或3wt％过氧化氢和3wt％硫酸的溶液。商业上可购得的中和剂的例子是CIRCUPOSITTM MLB Neutralizer 216-5。任选地，基体和通孔用水漂洗然后干燥。
中和之后使用酸或碱调节剂。可用常规的调节剂。此种调节剂可包括一种或多种阳离子表面活性剂、非离子表面活性剂、络合剂和pH调节剂或缓冲剂。商业上可购得的酸调节剂的例子是CIRCUPOSITTMConditioner 3302A和3327(可以从陶氏高级材料有限公司获得)。合适的碱调节剂包括但不限于含有一种或多种季胺和聚胺的水性碱性表面活性剂溶液。商业上可购得的碱性表面活性剂的例子是CIRCUPOSITTM Conditioner 231、3325、813和860制剂。任选地，基体和通孔用水进行漂洗。
调节之后可以是微蚀刻。可使用常规的微蚀刻组合物。微蚀刻被设计为在暴露金属(例如，内层和表面蚀刻)的金属表面提供微粗糙化以增强随后化学镀金属的吸附和之后的化学镀。微蚀刻包括但不限于60g/L至120g/L的过硫酸钠或氧化单过硫酸钠或氧化单过硫酸钾和硫酸(2％)的混合物，或者是通用硫酸/过氧化氢。商业上可购得的微蚀刻组合物的例子是可由陶氏高级材料有限公司获得的CIRCUPOSITTM Microetch 3330蚀刻溶液和CIRCUPOSITTM 748蚀刻溶液。任选地，用水漂洗基体。
任选地，然后可以施加预浸至微蚀刻基体和通孔。预浸的实例包括有机酸盐，如酒石酸钾钠或柠檬酸钠，0.5％至3％的硫酸或25g/L至75g/L氯化钠的酸性溶液。
然后，将水性碱性催化剂施加于基体。可使用本领域所用的任何常规方法进行施加，例如将基体浸入催化剂溶液，或者用常规装置喷射或雾化。催化剂停留时间范围在1分钟到10分钟，通常对于垂直设备2分钟到8分钟，对于水平设备25至120秒。催化剂可以在室温至80℃，通常为30℃至60℃的温度下施加。施加催化剂后可以任选地用水漂洗基体和通孔。
然后，将还原溶液施加于基体以将催化剂的金属离子还原为其金属态。还原溶液的施加可以是通过将基体浸入到还原溶液中，喷射还原溶液到基体上或通过雾化施加所述溶液。溶液的温度可以为室温至65℃，通常为30℃至55℃。在施加化学镀金属镀浴前，还原溶液和被催化的基体的接触时间范围在30秒至5分钟。通常还原溶液pH为6及更高。
然后，利用化学镀浴，用金属对基体和通孔壁进行化学镀，例如铜、铜合金、镍或镍合金。优选铜被镀覆在通孔壁上。镀覆时间和温度是常规的。通常金属沉积在20℃至80℃温度的温度下进行，更通常是30℃至60℃。基体可以浸入化学镀镀浴，或者可以将化学镀浴喷射到基体上。通常化学镀可以进行5秒至30分钟；然而，镀覆时间可以根据所需的金属厚度而变化。镀覆在碱性环境下进行以防止基体金属包层的不期望腐蚀。通常镀覆溶液的pH是8及更高，优选pH是8.5及更高，更优选pH是9至13。
任选地，可对金属施加防锈处理。可使用常规的防锈组合物。商业上可获得的防锈剂的例子是ANTITARNISHTM7130溶液(可由陶氏高级材料有限公司获得)。可选地，用水清洗基体然后干燥板。
进一步的加工可包括通过感光成像(photoimaging)的常规处理以及在基体上的进一步金属沉积，如电解金属沉积，如铜、铜合金、锡和锡合金。
水性碱性催化剂可以用于化学镀金属到电介质材料的基体上和也含金属包层的基体上。水性碱性催化剂在贮存中稳定，甚至在碱性化学镀金属环境下，在化学镀金属过程中稳定。尽管水性碱性催化剂不含抗氧化剂，相比于常规的锡/钯催化剂，上述催化剂不易氧化。他们不需要强酸来制备或者保持稳定性，因此他们比常规催化剂的腐蚀性更小。他们不要求锡化合物来稳定并且可以不含卤素。另外，不需要用长时间加热低聚物/多聚物复合物来形成稳定并且有催化活性的金属配体的络合物，该络合物提供更高效的化学镀方法。在印刷电路板的制造中，催化剂能够实现在贯穿孔和通孔填充过程中的良好金属覆盖。
下述实施例不是意欲限制本发明的范围，而是进一步阐述本发明。
实施例1
通过用400mL去离子水稀释17mL等分的5g/L HDMP储液，制备在一升水中的包含75ppm钯离子和85ppm 6-羟基-2，4-二甲基嘧啶(HDMP)的水性碱性催化剂溶液。用1M氢氧化钠将溶液pH调至10.5。将188mg硝酸钯水合物溶解于最少量的去离子水并加至HDMP溶液。将1.9g十水四硼酸钠溶解于含400mL去离子水和硝酸钯的一升烧杯中并向其加入HDMP溶液。然后，将混合物稀释至一升并于室温下搅拌30分钟。HDMP与钯离子摩尔比为1∶1。溶液的pH为9。
实施例2
提供两组每组6个带大量通孔的不同板：TUC-662，SY-1141，SY-1000-2，IT-158，IT-180和NPG-150。所述板是四层或八层铜包层薄板。TUC-662可以从台湾联合科技公司获得，SY-1141和SY-1000-2从生益(Shengyi)获得。IT-158和IT-180从ITEQ公司获得，NPG-150从南亚(Nanya)公司获得。板Tg值从140℃到180℃。每个板为5cm×12cm。每个板的通孔进行以下处理：
1、在80℃下，用CIRCUPOSITTM MLB Conditioner 211溶液对每个板的通孔去污7分钟；
2、然后，每个板的通孔用流动自来水漂洗4分钟；
3、然后，在80℃下，每个板的通孔用CIRCUPOSITTMMLB Promoter3308水性高锰酸盐溶液处理10分钟；
4、然后，通孔用流动自来水漂洗4分钟；
5、然后，在室温下，每个板的通孔用3wt％硫酸/3wt％过氧化氢中和剂处理2分钟；
6、然后，每个板的通孔用流动自来水漂洗4分钟；
7、在60℃下，每个板的通孔用CIRCUPOSITTM Conditioner 3325碱性溶液处理5分钟；
8、然后，通孔用流动自来水漂洗4分钟；
9、然后，通孔用过硫酸钠/硫酸的蚀刻液在室温下处理2分钟；
10、然后，每个板的通孔用流动去离子水漂洗4分钟；
11、然后，室温下，将板的一半浸入CIRCUPOSITTM404 Pre-Dip溶液1分钟，接着在40℃下，将所述板浸入含有75ppm钯金属和过量锡的常规钯/锡催化剂中5分钟；同时在40℃下，将板的另一半浸入实施例1中制备的钯离子/HDMP催化剂中5分钟；
12、在50℃下，用含钯离子和HDMP催的化剂处理过的板被浸入0.25M次磷酸钠还原剂溶液中1分钟，将钯离子还原为钯金属，接着用流动去离子水漂洗30秒；
13、然后，在38℃和pH＝13条件下，将板浸入CIRCUPOSITTM880化学镀铜镀浴里，铜在通孔壁上沉积15分钟；
14、然后，铜镀板用流动自来水漂洗4分钟；
15、然后，每块铜镀板用压缩空气干燥；并
16、用下面描述的背光法检查板通孔壁的镀铜覆盖率。
每块板从通孔接近中央部分横切以暴露铜镀壁。从每块板取距通孔中央部分不超过3mm厚的横截切面，来测定通孔壁覆盖率。使用欧洲背光分级量表。每个板的横截面被放置在传统的50倍放大率光学显微镜下，光源在样品背后。铜沉积的质量由穿过样品而由显微镜下观察到的光的量来确定。只有在未完全被化学镀覆盖的镀覆通孔区域，通过的光才是可见的。如果没有光通过，切面完全是黑的，背光分级是5级，其表示铜完全覆盖通孔壁。如光通过整个切面不存在黑暗区，则表示很少甚至于没有铜沉积在壁上，切面是0级。如果切面有一些黑暗区和亮区，其级别在0和5之间。每块板最少检查和评价十个通孔。
图1是表示两种催化剂用于每组六种镀板的背光性能的背光等级分布曲线。图中的曲线代表的每块板所切的十个通孔的背光等级，其置信区间为95％。通过每个曲线中间的水平线表示所测量的每组十个通孔切片的平均背光值。钯/HDMP催化剂与常规钯/锡胶体催化剂基本上是相同的，背光值大于4.5。背光值4.5和更大表示在电镀行业是商业上可接受的催化剂。
实施例3
通过用400mL去离子稀释21mL等分的5g/LADMP储液，来制备一升水中包含75ppm钯离子和105ppm 2-氨基-4，6-二甲基嘧啶(ADMP)的水性碱性催化剂溶液。188mg硝酸钯水合物溶于最少量的去离子水并加至ADMP溶液。用1M氢氧化钠将溶液pH调至8.5。将1.9g十水四硼酸钠溶解于含400mL去离子水和硝酸钯的一升烧杯里并加入ADMP溶液。混合物被稀释至一升并于室温下搅拌30分钟。ADMP与钯离子的摩尔比为1.2∶1。溶液的pH为9。
实施例4
实施例2提供了两组每组6个不同的带大量通孔的多层铜包层板，：
TUC-662，SY-1141，SY-1000-2，IT-158，IT-180和NPG-150。每个板的通孔进行以下处理：
1、在80℃下，用CIRCUPOSITTM MLB Conditioner 211溶液对每个薄板的通孔去污7分钟；
2、然后，每个板的通孔用流动自来水漂洗4分钟；
3、然后，在80℃下，每个板的通孔用CIRCUPOSITTM MLB Promoter3308水性高锰酸盐溶液处理10分钟；
4、然后，通孔用流动自来水漂洗4分钟；
5、然后，每个板的通孔用3wt％硫酸/3wt％过氧化氢的中和剂在室温下处理2分钟；
6、然后，每个板的通孔用流动自来水漂洗4分钟；
7、然后，在45℃下，每个板的通孔用CIRCUPOSITTM Conditioner3320A碱性溶液处理5分钟；
8、然后，通孔用流动自来水漂洗4分钟；
9、然后，通孔用过硫酸钠/硫酸的蚀刻液在室温下处理2分钟；
10、然后，每个板的通孔用流动去离子水漂洗4分钟；
11、然后，室温下，将薄板的一半浸入CIRCUPOSITTM 404 Pre-Dip溶液1分钟，接着在40℃下，将板浸入含有75ppm钯金属和过量锡的常规钯/锡催化剂中5分钟；同时在40℃下，将板的另一半浸入实施例3中制备的钯离子/ADMP催化剂中5分钟；
12、在50℃下，用含钯离子和ADMP催化剂处理过的薄板被浸入0.25M次磷酸钠还原剂溶液中1分钟，将钯离子还原为钯金属，接着用流动去离子水漂洗30秒；
13、然后，38℃和pH＝13条件下，将板浸入到CIRCUPOSITTM 880化学镀铜镀浴里，铜在通孔壁上沉积15分钟；
14、然后，铜镀板用流动自来水漂洗4分钟；
15、然后，每块铜镀板用压缩空气干燥；并
16、用下面描述的背光法检查薄板通孔壁的镀铜覆盖率。
每块板被从接近通孔中央部分横切以暴露铜镀壁。从每块板取距通孔中央部分不超过3mm厚横截切面，来测定通孔壁覆盖率。使用实施例2中所述的欧洲背光分级量表。
图2是表示两种催化剂用于每组六种镀板的背光性能的背光等级分布曲线。图中的曲线代表的每块板所切的十个通孔的背光等级，其置信区间为95％。通过每个曲线中间的水平线表示所测量的每组十个通孔切片的平均背光值。钯/ADMP催化剂的性能优于常规钯/锡胶体催化剂，背光值大于4.5，而常规催化剂背光值为4.5或仅稍高于4.5。
实施例5-17
在40mL规模上，检测下表中所列嘧啶衍生物的催化剂稳定性和活性。所有的催化剂用75ppm钯离子和1.9g/L十水四硼酸钠作为pH缓冲液以维持pH为9左右来制备。除了实施例9、13和14之外，检测不同量的每种络合剂两个样本。钯离子与络合剂摩尔比为1∶1或1∶2。实施例9、13和14中钯离子与络合剂摩尔比为1∶1。
储液：
a)络合剂溶液为5g/L；
b)5g/L钯离子溶液由硝酸钯水合物制备；并且
c)十水四硼酸钠溶液为25g/L。
工作浴液制剂和方法：
1.用30mL去离子水稀释每等份络合剂；
2.用1M氢氧化钠将实施例5-8，10-14和16-17络合剂溶液pH调至10.5左右；
3.加入0.6mL钯离子溶液，室温下搅拌催化剂5分钟，将1M氢氧化钠加入到实施例9和15中2-氨基嘧啶基的络合剂调节pH至8.5左右；并
4.加入3.05mL硼酸盐溶液，催化剂被稀释至40mL，将pH调至9左右。
5.用来自南亚的无包层层压板NY-1140样品以小规模(烧杯)试验来筛选镀覆活性，依照下面方法：
a)将10％CIRCUPOSITTM Conditioner 3325碱性溶液施用于实施例5-8，10-14和16-17中的层压板，将7％CIRCUPOSITTM Conditioner 3320A酸性溶液施用于实施例9和15中的层压板，50℃下持续5分钟，然后用去离子水漂洗；
b)40℃下，将催化剂浴液施加于层压板5分钟；
c)50℃下，将0.25M NaH2PO2还原剂用于层压板1分钟，接下来用去离子水漂洗；
d)40℃下，层压板用CIRCUPOSITTM 880化学镀铜镀浴进行镀铜15分钟，接下来在室温下用去离子水漂洗；并且
e)检查层压板铜镀覆性能。结果见表1
表1
所有的层压板都有光亮的铜沉积，具有完全均匀的覆盖，除了实施例13，其中的络合剂为4，6-二氯嘧啶；而且，覆盖的层压板切面有光泽。
除了铜沉积的外观，制备层压板和铜镀期间络合剂溶液的稳定性于40℃下也要观察2-4小时的时间，接着当溶液冷却至室温时镀覆，然后过夜。大多数测试样在加热和过夜中是稳定的。除了实施例7和9，没有观察到沉淀和浑浊。然而，乳清酸和2-氨基嘧啶都能在层压板上提供完全的铜覆盖。
比较例1-4
重复稳定性试验和在NY-1140样品上化学镀铜，除非采用的络合剂为下面表2中所列。嘧啶衍生物在嘧啶环4和6位上有羟基取代基，2位上没有取代基，或在嘧啶环4和6位上有羟基取代基，2位上氨代基，或者在嘧啶环2，4和6位上有胺取代基。用实施例5-17中描述的相同方法来制备溶液。
表2
虽然比较例1和4的催化剂是稳定的，但是他们不能催化在层压板上化学镀铜镀。比较例2和3的催化剂是不稳定的。络合剂和硝酸钯水合物混合后几分钟内观察到沉淀。

Claims (6)

1.一种方法包括：
a）提供一种包含电介质和多个通孔或贯穿孔的基体，所述电介质选自玻璃纤维、环氧树脂、丙烯腈-丁二烯苯乙烯、聚苯醚、聚苯硫醚、聚砜和聚四氟乙烯中的一种或多种；
b）将水性碱性催化剂溶液施用于包含电介质和多个通孔或贯穿孔的基体，所述水性碱性催化剂包含金属离子和一种或多种嘧啶衍生物的单体络合物，其中金属离子选自钯、银或金，嘧啶衍生物具有通式：
其中R1、R2、R3和R4各自是氢、甲基、-NH2或羟基，并且附带条件是当R2和R4是羟基时， R1也是羟基，R1、R2和R4不同样是-NH2并且当R2是甲基时，R1、R3和R4不能全是氢，并且R1、R2、R3和R4不同样为氢；或一种或多种嘧啶衍生物的盐；
c）对包含电介质和多个通孔或贯穿孔的基体施用还原剂，以将银、钯或金金属离子还原成银、钯或金金属；并且
d）将包含电介质和多个通孔或贯穿孔的基体浸入碱性铜、铜合金、镍或镍合金镀浴，以化学镀铜、铜合金、镍或镍合金到所述包含电介质和多个通孔或贯穿孔的基材上，以及化学镀覆通孔或贯穿孔的壁。
2.权利要求1所述的方法，其中一种或多种嘧啶衍生物选自2-氨基嘧啶、6-羟基-2,4,6-三氨基嘧啶、2-羟基嘧啶、2,4-二甲氧基嘧啶、2-氨基-4,6-二甲基嘧啶和2-羟基-4,6-二甲基嘧啶。
3.权利要求1所述的方法，其中一种或多种嘧啶衍生物与金属离子的摩尔比为1:1至4:1。
4.权利要求1所述的方法，其中水性碱性催化剂溶液pH为8.5或更高。
5.权利要求4所述的方法，其中水性碱性催化剂溶液pH为9或更高。
6.权利要求1所述的方法，其中包含电介质的基体上还含有金属包层。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI384081B (zh) * 2008-06-13 2013-02-01 China Steel Corp Manufacture of Medium Carbon and Sulfur Series Fast Cutting Steel
JP6563324B2 (ja) * 2015-12-11 2019-08-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP6479641B2 (ja) * 2015-12-11 2019-03-06 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US20170251557A1 (en) * 2016-02-29 2017-08-31 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Horizontal method of electroless metal plating of substrates with ionic catalysts
TWI638821B (zh) * 2016-08-24 2018-10-21 李長榮化學工業股份有限公司 金屬觸媒及其製備與應用
CN106435543B (zh) * 2016-09-21 2018-07-06 芜湖扬展新材料科技服务有限公司 航空钛合金的制备方法
KR102662397B1 (ko) * 2018-10-23 2024-05-02 솔브레인 주식회사 전기도금 조성물 및 전기도금 방법
US20210140051A1 (en) * 2019-11-11 2021-05-13 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Electroless copper plating and counteracting passivation
CN113445031B (zh) * 2021-06-24 2022-07-08 广东硕成科技股份有限公司 一种金属活性剂及其制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4248632A (en) * 1971-03-30 1981-02-03 Schering Aktiengesellschaft Solution and process for the activation of surfaces for metallization
EP0139090A1 (de) * 1983-08-05 1985-05-02 Schering Aktiengesellschaft Verfahren zur Vorbehandlung von Polyimid
US4517254A (en) * 1981-12-11 1985-05-14 Schering Aktiengesellschaft Adhesive metallization of polyimide
EP0317092A1 (en) * 1987-10-27 1989-05-24 OMI International Corporation Catalyst for electroless plating process

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4976990A (en) * 1986-09-30 1990-12-11 Macdermid, Incorporated Process for metallizing non-conductive substrates
US5503877A (en) 1989-11-17 1996-04-02 Atotech Deutschalnd Gmbh Complex oligomeric or polymeric compounds for the generation of metal seeds on a substrate
JP3892730B2 (ja) * 2002-01-30 2007-03-14 関東化学株式会社 無電解金めっき液
JP2004190075A (ja) * 2002-12-10 2004-07-08 Kanto Chem Co Inc 無電解金めっき液
JP5434222B2 (ja) * 2009-04-17 2014-03-05 コニカミノルタ株式会社 金属パターン形成方法および金属パターン
JP5780920B2 (ja) * 2011-10-31 2015-09-16 新光電気工業株式会社 無電解銅めっき浴

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4248632A (en) * 1971-03-30 1981-02-03 Schering Aktiengesellschaft Solution and process for the activation of surfaces for metallization
US4517254A (en) * 1981-12-11 1985-05-14 Schering Aktiengesellschaft Adhesive metallization of polyimide
EP0139090A1 (de) * 1983-08-05 1985-05-02 Schering Aktiengesellschaft Verfahren zur Vorbehandlung von Polyimid
EP0317092A1 (en) * 1987-10-27 1989-05-24 OMI International Corporation Catalyst for electroless plating process

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