JP6433662B2 - 多軸角速度センサ - Google Patents

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Description

本発明は、多軸角速度センサ及び当該多軸角速度センサに好適に利用可能なセンサ素子に関する。
角速度センサとして、いわゆる圧電振動式のものが知られている(例えば特許文献1)。具体的には、角速度センサは圧電体を有し、当該圧電体は、基部と、当該基部から延びる1又は複数の腕とを有している。そして、圧電体の腕は、交流電圧が印加されて励振される。腕が励振されている圧電体が回転されると、回転速度(角速度)に応じた大きさで、励振方向と直交する方向にコリオリの力が生じ、このコリオリの力によっても圧電体の腕は振動する。そして、このコリオリの力に起因する腕の変形に応じて生じる電気信号を検出することにより、圧電体の角速度が検出される。
また、特許文献2では、複数の1軸用の角速度センサを互いに異なる向きで基板に装着することにより、多軸の角速度を検出可能とした圧電装置を開示している。この圧電装置において、基板に装着される1軸用の角速度センサそれぞれは、上述したような圧電体をパッケージングすることにより構成されている。
特開平10−197253号公報 特開2006−229121号公報
特許文献2の技術においては、複数のパッケージングされた角速度センサを互いに異なる向きで基板に装着することから、全体として装置が大きくなりがちである。特に、特許文献2の技術では、薄型直方体状にパッケージングされた角速度センサを基板に垂直に装着していることから、基板の厚み方向において大きなスペースが必要である。
従って、小型化が可能な多軸角速度センサ及びセンサ素子が提供されることが望まれる。
本発明の一態様に係る角速度センサは、第1基部及び前記第1基部から延びる第1腕を有する第1圧電体を含み、所定の第1軸回りの角速度に応じた電気信号を出力可能な圧電振動式の第1センサ素子と、第2基部及び前記第2基部から延びる第2腕を有する第2圧電体を含み、所定の第2軸回りの角速度に応じた電気信号を出力可能な圧電振動式の第2センサ素子と、を有し、前記第1基部及び前記第2基部は、前記第1軸と前記第2軸とが互いに異なる方向となる位置関係で互いに固定されている。
好適には、前記第1センサ素子は、所定の並び方向に並べられ、この並び方向に交差する延在方向の同一側へ延びる複数の前記第1腕を有し、前記第2センサ素子は、所定の並び方向に並べられ、この並び方向に交差する延在方向の同一側へ延びる複数の前記第2腕を有し、前記第1基部及び前記第2基部は、前記第1基部の、前記複数の第1腕の延在方向及び並び方向に沿う面と、前記第2基部の、前記複数の第2腕の延在方向及び並び方向に沿う面とが互いに対向する位置関係で互いに固定されている。
好適には、実装面を有する実装基体を更に有し、前記第1基部の、前記第2基部に対向する面とは反対側の面は、前記実装面に対向するとともに前記実装面に固定されている。
好適には、前記第1腕の延在方向と前記第2腕の延在方向とは互いに異なる。
好適には、前記第1基部は、前記第2基部側の面において、前記第1腕側の第1非重複領域に対して前記第1腕とは反対側の第1重複領域が低くされることにより、前記第1重複領域における厚みが前記第1非重複領域における厚みよりも薄くされており、前記第2基部は、前記第1基部側の面において、前記第2腕側の第2非重複領域に対して前記第2腕とは反対側の第2重複領域が低くされることにより、前記第2重複領域における厚みが前記第2非重複領域における厚みよりも薄くされており、前記第1重複領域と前記第2重複領域とが重ねられ、前記第1非重複領域と前記非重複領域とは重ねられていない。
好適には、前記実装面のうち前記第1腕と前記第2腕とに挟まれた領域に少なくとも一部が位置する集積回路素子を更に有する。
好適には、前記第1圧電体は、前記第1基部のうち前記第1腕が延びる側にのみ、前記第1腕を含む全ての腕を有し、前記第2圧電体は、前記第2基部のうち前記第2腕が延びる側にのみ、前記第2腕を含む全ての腕を有し、前記第1基部の前記第2基部側の第1面のうち前記第1腕とは反対側の領域と、前記第2基部の前記第1基部側の第2面のうち前記第2腕とは反対側の領域とが互いに固定され、前記第1面のうち前記第1腕側の領域と前記第2面のうち前記第2腕側の領域とは互いに固定されていない。
本発明の一態様に係るセンサ素子は、基部、並びに、前記基部から互いに並列に延び、その延在方向に交差する並び方向に並べられた複数の腕を有する圧電体を含む圧電振動式のセンサ素子であって、前記基部は、前記複数の腕の延在方向及び並び方向に沿う面において、前記複数の腕側の非重複領域に対して前記複数の腕とは反対側の重複領域が低くされることにより、前記重複領域における厚みが前記非重複領域における厚みよりも薄くされている。
上記の構成によれば、小型化しつつ多軸の角速度を検出できる。
本発明の第1の実施形態に係る角速度センサの構成を示す分解斜視図。 図2(a)は図1の角速度センサの一部を取り外して角速度センサの内部を示す平面図、図2(b)は図2(a)のIIb−IIb線における断面図。 図3(a)は図1の角速度センサのセンサ素子を示す斜視図、図3(b)は図3(a)のIIIb−IIIb線における断面図、図3(c)はセンサ素子の駆動腕及び検出腕における電位等を説明する図。 図1の角速度センサの配線の一例を示す模式的な斜視図。 図5(a)は本発明の第2の実施形態に係る角速度センサのセンサ素子を示す分解斜視図、図5(b)は図5(a)のセンサ素子を固定した状態で示す斜視図。 図5(a)の角速度センサの断面図。 本発明の第3の実施形態に係る角速度センサの配線の一例を示す模式的な斜視図。 図7の角速度センサの断面図。
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。なお、以下の図面は、模式的なものである。従って、細部は省略されることがあり、また、寸法比率等は現実のものと必ずしも一致しない。
同一又は類似する構成については、「第1励振電極5A」、「第2励振電極5B」のように、同一名称に対して互いに異なる番号及びアルファベットを付して呼称することがあり、また、この場合において、単に「励振電極5」といい、これらを区別しないことがある。
<第1の実施形態>
(角速度センサの概略構成)
図1は、本発明の実施形態に係る角速度センサ51の構成を示す分解斜視図である。図2(a)は、角速度センサ51の一部(蓋体59)を取り外して角速度センサ51の内部を示す平面図である。図2(b)は、図2(a)のIIb−IIb線における角速度センサ51の断面図である。
これらの図においては、説明の便宜のために、角速度センサ51に対して直交座標系XYZ(大文字)を定義している。なお、角速度センサ51は、いずれの方向が上方又は下方とされて利用されてもよい。
角速度センサ51は、多軸(本実施形態では2軸)の角速度を検出する多軸角速度センサとして構成されている。具体的には、角速度センサ51は、X軸回りの角速度及びY軸回りの角速度を検出可能に構成されている。
角速度センサ51は、X軸回りの角速度を検出するためのX軸センサ素子1Xと、Y軸回りの角速度を検出するためのY軸センサ素子1Yと(以下、両者を区別せずに、単に「センサ素子1」ということがある。)、これらの制御を行うIC53(図1、図2(a))と、センサ素子1及びIC53を収容するパッケージ55とを有している。パッケージ55は、例えば、箱状の実装基体57と、その上方開口を塞ぐ蓋体59(図1、図2(b))とを有している。
センサ素子1は、圧電体に電極を設けた構成である。IC53は、センサ素子1に電圧を印加してセンサ素子1を励振する。その励振された状態でセンサ素子1(角速度センサ51)がX軸回り又はY軸回りに回転されると、励振方向に交差する方向に角速度に応じた大きさのコリオリの力が生じ、センサ素子1の圧電体が変形する。IC53は、この変形に基づく電気信号を検出して出力する。
実装基体57は、例えば、箱状の絶縁基体61と、絶縁基体61の内部の底面(実装面57a)に設けられた複数の基体パッド63と、絶縁基体61の外部の下面に設けられた複数の外部端子65(図2(b))と、複数の基体パッド63及び複数の外部端子65を接続する不図示の配線とを有している。
絶縁基体61は、例えば、セラミック又は樹脂により構成されている。複数の基体パッド63及び複数の外部端子65は、例えば、Cu,Al等の金属により構成された層状導体からなる。不図示の配線は、例えば、絶縁基体61の内面及び/又は内部に設けられた層状導体、並びに、絶縁基体61の内部に設けられたビア導体により構成されている。
センサ素子1及びIC53は、例えば、バンプ73(図2(b))又はボンディングワイヤ75(図2(a)及び図2(b))によって基体パッド63に接続されている。そして、センサ素子1とIC53とは、基体パッド63同士を接続する実装基体57の不図示の配線により接続されている。また、IC53と外部端子65とは、実装基体57の不図示の配線により接続されている。
蓋体59は、例えば、絶縁体又は金属により構成されている。蓋体59は、例えば、実装基体57の壁部上端に接着される。これにより、パッケージ55の内部は密閉される。接着は、接着剤を用いたり、金属溶着を利用したりするなど、適宜な方法によりなされてよい。パッケージ55の内部は、例えば、真空雰囲気又は窒素雰囲気である。
角速度センサ51は、例えば、不図示の回路基板等に対して、パッケージ55の下面を対向させて配置される。そして、外部端子65と回路基板等のパッドとが不図示のバンプを介して接着されることにより、回路基板等に実装される。角速度センサ51は、複数の外部端子65のいずれかを介して電力等が供給され、また、検出した角速度に応じた電気信号を複数の外部端子65のいずれかを介して出力する。
(センサ素子の構成及び動作)
図3(a)は、センサ素子1を示す斜視図である。なお、図3(a)においては、X軸センサ素子1XとY軸センサ素子1Yとの相違部分については省略し、両者の共通部分のみを図示している。
図3(a)においては、説明の便宜のために、センサ素子1に対して直交座標系xyz(小文字)を付している。なお、直交座標系xyzは、センサ素子(圧電体)の形状に基づいて定義されている。すなわち、x軸、y軸及びz軸は、結晶の電気軸、機械軸及び光軸を示すとは限らない。
センサ素子1は、例えば、y軸回りの角速度を検出するように構成されている。センサ素子1は、x軸方向に励振され、z軸方向にコリオリの力が生じるように構成されている。具体的には、以下のとおりである。
センサ素子1は、圧電体3と、圧電体3に電圧を印加するための第1励振電極5A及び第2励振電極5Bと、圧電体3に生じた電気信号を取り出すための第1検出電極7A及び第2検出電極7Bとを有している。
圧電体3は、その全体が一体的に形成されている。圧電体3は、単結晶であってもよし、多結晶であってもよい。また、圧電体3の材料は適宜に選択されてよく、例えば、水晶(SiO)、LiTaO、LiNbO、PZTである。
圧電体3において、電気軸乃至は分極軸(以下、両者を代表して分極軸のみに言及することがある。)は、x軸に一致するように設定されている。なお、分極軸は、所定の範囲(例えば15°以内)でx軸に対して傾斜していてもよい。また、圧電体3が単結晶である場合において、機械軸及び光軸は、適宜な方向とされてよいが、例えば、機械軸はy軸方向、光軸はz軸方向とされている。
圧電体3は、概略U字状に形成されている。すなわち、圧電体3は、基部9と、基部9からy軸方向に互いに並列に延びる駆動腕11及び検出腕13とを有している。
駆動腕11は、電圧(電界)が印加されることによってx軸方向(以下、「励振方向」ということがある。)に励振される部分である。検出腕13は、コリオリの力によってz軸方向(以下、「検出方向」ということがある。)に振動され、角速度に応じた電気信号を生成する部分である。基部9は、これら駆動腕11及び検出腕13を支持する部分である。これらの位置及び形状等は、例えば、以下のように設定されている。
圧電体3は、例えば、全体として厚さ(z軸方向)が一定にされており、また、例えば、y軸方向に延びる中心線CL0に対して線対称の形状に形成されている。
基部9は、例えば、概ね直方体状とされている。基部9の3軸方向の寸法比率は適宜に設定されてよい。例えば、基部9は、z軸方向の大きさがx軸方向の大きさ及びy軸方向の大きさに比較して小さくされ、ひいては、概ね長方形の板状とされている。
駆動腕11は、例えば、y軸方向を長手方向とする直方体状とされている。なお、駆動腕11は、先端の幅が大きくされたり(ハンマ形状にされたり)、z軸方向の正側及び負側の面にy軸方向に延びる凹溝が形成されたりしてもよい。
駆動腕11が励振方向(x軸方向)に大きくなると励振方向における固有振動数は高くなり、駆動腕11が延在方向(y軸方向)に大きくなると励振方向における固有振動数は低くなる。従って、駆動腕11の幅(x軸方向)及び長さ(y軸方向)の寸法比率は、励振させたい周波数に応じて設定される。なお、xz断面の形状及び寸法は、駆動腕11のx軸方向の固有振動数とz軸方向の固有振動数とが等しくなるように設定されることが好ましい。
検出腕13は、例えば、駆動腕11と同様に、y軸方向に長い直方体状とされている。なお、検出腕13は、先端の幅が大きくされたり(ハンマ形状にされたり)、z軸方向に貫通し、y軸方向に延びる貫通溝が形成されたりしてもよい。検出腕13のx軸方向及びz軸方向における固有振動数は、例えば、駆動腕11と同等とされる。
図3(b)は、図3(a)のIIIb−IIIb線における断面図である。
図3(a)及び図3(b)に示すように、励振電極5は、駆動腕11の表面に形成された層状電極である。また、検出電極7は、検出腕13の表面に形成された層状電極である。これらの電極は、例えば、Cu,Al等の適宜な金属によって形成されている。
図3(b)に示すように、第1励振電極5Aは、駆動腕11のz軸方向の正側の面及びz軸方向の負側の面にそれぞれ設けられている。また、第2励振電極5Bは、駆動腕11において、x軸方向の正側の面及びx軸方向の負側の面にそれぞれ設けられている。
2つの第1励振電極5A及び2つの第2励振電極5Bは、例えば、駆動腕11の各面を概ね覆うように設けられている。ただし、第1励振電極5A及び第2励振電極5Bは、互いに短絡しないように、少なくとも一方(本実施形態では第1励振電極5A)が各面よりも幅方向において小さく形成されている。
2つの第1励振電極5Aは、例えば互いに同電位とされる。例えば、2つの第1励振電極5Aは、圧電体3上の配線等により互いに接続されている。また、2つの第2励振電極5Bは、例えば互いに同電位とされる。例えば、2つの第2励振電極5Bは、圧電体3上の配線等により互いに接続されている。
第1検出電極7Aは、検出腕13において、x軸方向の負側の面のうちのz軸方向の正側の領域、及び、x軸方向の正側の面のうちのz軸方向の負側の領域にそれぞれ設けられている。第2検出電極7Bは、検出腕13において、x軸方向の負側の面のうちのz軸方向の負側の領域、及び、x軸方向の正側の面のうちのz軸方向の正側の領域にそれぞれ設けられている。第1検出電極7A及び第2検出電極7Bは、互いに短絡しないように適宜な間隔を空けて、検出腕13に沿って延びている。
2つの第1検出電極7Aは、例えば、圧電体3上の配線等により互いに接続されている。同様に、2つの第2検出電極7Bは、例えば、圧電体3上の配線等により互いに接続されている。
IC53は、例えば、励振電極5に電圧を印加する励振回路67と、検出電極7からの電気信号を検出する検出回路69とを有している。なお、励振回路67及び検出回路69は、制御回路71を構成している。
励振回路67は、例えば、発振回路や増幅器を含んで構成されており、所定の周波数の交流電圧を第1励振電極5Aと第2励振電極5Bとの間に印加する。なお、周波数は、角速度センサ51内にて予め定められていてもよいし、外部の機器等から指定されてもよい。
検出回路69は、例えば、増幅器や検波回路を含んで構成されており、第1検出電極7Aと第2検出電極7Bとの電位差を検出し、その検出結果に応じた電気信号を出力する。より具体的には、例えば、上記の電位差は、交流電圧として検出され、検出回路69は、検出した交流電圧の振幅に応じた信号を出力する。この振幅に基づいてy軸回りの角速度が特定される。また、検出回路69は、励振回路67の印加電圧と検出した電気信号との位相差に応じた信号を出力する。この位相差に基づいてy軸回りの回転の向きが特定される。
図3(c)は、駆動腕11及び検出腕13における電位等を説明する図であり、図3(b)に対応する模式図である。
第1励振電極5Aに正の電位が付与され、第2励振電極に負の電位(又は基準電位)が付与されると、同図において矢印で示すような電界が生じる。一方、分極軸は、x軸方向に一致している。従って、電界のx軸方向の成分に着目すると、駆動腕11のうちx軸方向の一方側部分においては電界の向きと分極軸の向きは一致し、他方側部分においては電界の向きと分極軸の向きは逆になる。
その結果、駆動腕11のうちx軸方向の一方側部分はy軸方向において収縮し、他方側部分はy軸方向において伸長する。そして、駆動腕11は、バイメタルのようにx軸方向の一方側へ湾曲する。第1励振電極5A及び第2励振電極5Bに印加される電圧が逆にされると、駆動腕11は逆方向に湾曲する。このような原理により、交流電圧が第1励振電極5A及び第2励振電極5Bに印加されると、駆動腕11はx軸方向において振動する。
駆動腕11及び検出腕13は基部9によって連結されているから、駆動腕11がx軸方向に振動すると、その振動が基部9を介して検出腕13に伝達され、検出腕13もx軸方向において振動する。具体的には、検出腕13は、駆動腕11の湾曲する側とは反対側に湾曲するように、駆動腕11とは逆の位相で振動する。
センサ素子1がX軸方向に延びる中心線CL0回りに回転されると、x軸方向において振動している検出腕13には、慣性力の一つである、その角速度に応じた大きさのコリオリの力が加わる。その結果、検出腕13はz軸方向において振動する。なお、駆動腕11もz軸方向において振動する。
検出腕13がz軸方向に湾曲すると、図3(c)において矢印で示すように、z軸方向に平行な電界が生じる。電界の向きは、x軸(電極軸)方向の正側部分と負側部分とで互いに逆である。また、電界の向きは、電極軸の向きと、湾曲の向き(z軸方向の正側又は負側)とで決定される。この電圧(電界)が第1検出電極7A及び第2検出電極7Bに出力される。検出腕13がz軸方向に振動すると、電圧は交流電圧として検出される。
(センサ素子の実装構造)
図1、図2(a)及び図2(b)に示すように、X軸センサ素子1X及びY軸センサ素子1Yは、互いに重ね合わされて実装面57aに支持(固定)されている。すなわち、これら2つのセンサ素子1は、個別には、実装基体57の実装面57aに支持されない。従って、実装面57aの平面視において、2つのセンサ素子1全体としての面積は、重ね合わされた面積分で小さくされており、従来と比較して小型化することができる。具体的には、以下のとおりである。
X軸センサ素子1X及びY軸センサ素子1Yは、それぞれ、実装面57aに対して平行になるように配置されている。すなわち、各センサ素子1において、駆動腕11及び検出腕13は、実装面57aに沿って延びている。
X軸センサ素子1X及びY軸センサ素子1Yは、角速度が検出される回転軸(中心線CL0)が互いに異なるように(具体的には互いに直交するように)配置される。本実施形態では、これらのセンサ素子1は、いずれも、腕(11及び13)に平行な軸(中心線CL0)回りの回転を検出するものであるから、これら2つのセンサ素子1は、腕の延びる方向が互いに直交するように配置される。このため、これら2つのセンサ素子1でそれぞれ異なる方向の回転を検出することができ、2方向の角速度を検出することが可能となる。
そして、X軸センサ素子1Xは、実装面57aに直接固定され、Y軸センサ素子1Yは、X軸センサ素子1Xの上面に固定され、これらセンサ素子1は重ね合わされる。なお、X軸センサ素子1X及びY軸センサ素子1Yの上下関係は逆であってもよい。
より具体的には、2つのセンサ素子1は、基部9同士が重ね合わされる。例えば、基部9は、平面視において、腕が延びる方向(図3のx軸方向)の長さが腕の並び方向(図3のy軸方向)よりも長い長方形とされている。そして、2つのセンサ素子1は、図2(a)及び図2(b)に示すように、基部9の主面のうち腕(11及び13)が配置される側とは反対側の領域(重複領域9a)同士が重ね合わされ、互いに固定される。一方、2つのセンサ素子1は、基部9の主面のうち腕が配置される側の領域(非重複領域9b)については、互いに重なっておらず、また、固定されていない。
2つのセンサ素子1同士の固定は、適宜な方法によりなされてよい。例えば、2つのセンサ素子1同士は、接着されてもよいし、両者をZ軸方向において挟持するような留め具によって固定されてもよい。接着がなされる場合、その方法も適宜なものとされてよい。例えば、接着は、接着剤によってなされてもよいし、両者に設けられた金属膜の溶着によってなされてもよい。接着剤は、有機系のものであってもよいし、無機系のもの(半田を含む)であってもよい。接着は、2つのセンサ素子1の互いに対向する面の全面に亘ってなされてもよいし、4隅等の一部についてなされてもよい。
X軸センサ素子1Xの実装面57aに対する固定は、例えば、バンプ73(図2(b))によってなされる。具体的には、図2(b)に示すように、X軸センサ素子1Xは、基部9の実装面57a側の面に複数の素子パッド15を有している。複数の素子パッド15は、圧電体3に設けられた配線(図2(b)では不図示)を介して励振電極5及び検出電極7に接続されている。複数の素子パッド15は、バンプ73により実装面57aに設けられた基体パッド63に接着されている。
これにより、X軸センサ素子1Xは、実装基体105に固定されるとともに、実装基体105と電気的に接続される。また、X軸センサ素子1Xの腕(11及び13)は、素子パッド15、バンプ73及び基体パッド63の厚みで実装面57aから離間し、振動可能に基部9に支持される。
なお、バンプ73は、半田(鉛フリー半田を含む)であってもよいし、導電性接着剤(導電粒子が混入された有機系接着剤)であってもよい。
Y軸センサ素子1Yの実装基体57との電気的な接続は、例えば、ボンディングワイヤ75(図2(a)及び図2(b))によってなされる。具体的には、図2(a)及び図2(b)に示すように、Y軸センサ素子1Yは、基部9のX軸センサ素子1Xとは反対側の面に複数の素子パッド16を有している。複数の素子パッド16は、圧電体3に設けられた配線(図2では不図示)を介して励振電極5及び検出電極7に接続されている。複数の素子パッド16は、ボンディングワイヤ75により実装面57aに設けられた基体パッド63に接続されている。
2つのセンサ素子1が上記のように実装面57a上に配置されると、2つのセンサ素子1においては、互いに重ねられた基部9から腕(11及び13)が互いに直交するように延びるから、2つのセンサ素子1全体としては実装面57aの平面視においてL字に配置される。そのL字の内側(2つのセンサ素子1の腕に挟まれた領域)は、IC53の配置領域として利用可能である。なお、平面視において、IC53は、2つのセンサ素子1により構成されるL字(の外側の線)を2辺とする矩形の範囲内にその全体が収まっていることが好ましい。
図4は、上記のような実装を実現する素子パッド15及び16の配置、並びに、これらパッドと励振電極5及び検出電極7とを接続する配線の一例を示す模式的な斜視図である。なお、この図では、電極や配線等を視認しやすいように、図1〜図3に比較して、電極及びパッドは小さく示されている。
この例のX軸センサ素子1Xにおいて、第1素子パッド15A及び第2素子パッド15Bは、励振電極5に印加される電圧が入力されるパッドである。また、第3素子パッド15C及び第4素子パッド15Dは、検出電極7からの信号を出力するためのパッドである。これら素子パッド15は、基部9の実装面57a側の面において、適宜な位置に配置されてよい。例えば、これら素子パッド15は、X軸センサ素子1Xの基部9のうちY軸センサ素子1Yの基部9と重なる領域(重複領域9a)の4隅側に配置されている。
X軸センサ素子1Xにおいて、第1素子パッド15Aからは、第1配線17Aが延びている。第1配線17Aは、第1励振電極5Aに接続されている。第2素子パッド15Bからは、第2配線17Bが延びている。第2配線17Bは、第2励振電極5Bに接続されている。第3素子パッド15Cからは、第3配線17Cが延びている。第3配線17Cは、第1検出電極7Aに接続されている。第4素子パッド15Dからは、第4配線17Dが延びている。第4配線17Dは、第2検出電極7Bに接続されている。
また、この例のY軸センサ素子1Yにおいて、第1素子パッド16A及び第2素子パッド16Bは、励振電極5に印加される電圧が入力されるパッドである。また、第3素子パッド16C及び第4素子パッド16Dは、検出電極7からの信号を出力するためのパッドである。これら素子パッド16は、基部9のX軸センサ素子1Xとは反対側の面において、適宜な位置に配置されてよい。例えば、これら素子パッド16は、Y軸センサ素子1Yの基部9のうち、X軸センサ素子1X及びY軸センサ素子1Yの腕(11及び13)が延びる方向とは反対側の2辺に沿って配置されている。
Y軸センサ素子1Yにおいて、第1素子パッド16A〜第4素子パッド16Dからは、第1配線17A〜第4配線17Dが延びている。この第1配線17A〜第4配線17Dは、X軸センサ素子1Xの第1配線17A〜第4配線17Dと同様に、第1励振電極5A、第2励振電極5B、第1検出電極7A及び第2検出電極7Bに接続されている。
各センサ素子1において、配線17は、互いに交差しないように、基部9の主面及び側面、腕部の根元側部分及び先端側部分の4面等に適宜に配置され、また、適宜に分岐又は合流している。
なお、図4に示す配線は、あくまで一例であり、他の種々のパターンによって、動作説明において言及した電極の接続関係が実現されてよい。例えば、配線17は、絶縁体を介して互いに立体交差するように設けられてもよい。また、図4の例では、配線17は、パッド付近を除いて、2つのセンサ素子1間において概ね同一のパターンとされているが、2つのセンサ素子1間で全く異なるパターンとされてもよい。
以上のとおり、本実施形態では、X軸センサ素子1X及びY軸センサ素子1Yの基部9は、複数の腕(駆動腕11及び検出腕13)の延在方向及び並び方向に沿う面(z(Z)軸方向に面する面)同士が互いに対向し、且つ、X軸センサ素子1Xが角速度を検出する回転軸とY軸センサ素子1Yが角速度を検出する回転軸とが互いに異なる方向となる位置関係で互いに固定されている。
従って、例えば、既に述べたように、実装面57aの平面視における2つのセンサ素子1全体としての面積は、基部9が重複している面積分で小さくなる。その結果、角速度センサ51も小型化が可能となる。
また、本実施形態では、X軸センサ素子1Xの基部9の、Y軸センサ素子1Yの基部9に対向する面とは反対側の面は、実装面57aに対向するとともに実装面57aに固定されている。すなわち、2つのセンサ素子1は、駆動腕11及び検出腕13が実装面57aに沿って延びるように配置されている。従って、角速度センサ51(パッケージ55)を実装面57aに交差する方向において小型化(薄型化)することが容易である。
また、本実施形態では、2つのセンサ素子1間において、腕(11及び13)の延在方向は互いに異なっている。従って、例えば、各センサ素子1において基部9の厚みと腕の厚みとが同一であり、また、2つのセンサ素子1の基部9同士を当接させたとしても、2つのセンサ素子1の腕同士は当接しない。その結果、例えば、基部9同士を密着させることができる。密着により、例えば、互いの固定を強固にしたり、2つのセンサ素子1全体としての厚みを薄くしたりすることができる。
また、本実施形態では、角速度センサ51は、実装面57aのうち2つのセンサ素子1の腕(11及び13)に挟まれた領域に少なくとも一部が位置するIC53を有している。従って、例えば、2つのセンサ素子1及びIC53全体としての配置領域を小さくすることができる。なお、2つのセンサ素子1の腕に挟まれた領域は、例えば、2つのセンサ素子の腕と、この腕の先端同士を結ぶ直線とに囲まれる領域である。
また、本実施形態では、各センサ素子1において、圧電体3は、基部9に対して一方側(y軸方向の正側)にのみ、全ての腕(11及び13)を有している。また、2つのセンサ素子1は、基部の互いに対向する面のうち、腕とは反対側の重複領域9a同士が互いに固定され、腕側の非重複領域9bは互いに固定されていない。
従って、例えば、基部9の一部を互いに重複させて小型化を図ることができる。また、腕側の非重複領域9bが互いに固定されていないので、基部9の腕の近辺において、2つのセンサ素子1の基部9間の振動に関する相互影響を低減できる。その結果、2軸の角速度の検出精度が向上する。
なお、以上の第1の実施形態において、X軸センサ素子1X及びY軸センサ素子1Yは第1センサ素子及び第2センサ素子の一例であり、これら2つのセンサ素子1の圧電体3は第1圧電体及び第2圧電体の一例であり、これら2つのセンサ素子1の基部9は第1基部及び第2基部の一例であり、これら2つのセンサ素子1の駆動腕11及び/又は検出腕は第1腕及び第2腕の一例であり、これら2つのセンサ素子1の中心線CL0は第1軸及び第2軸の一例であり、これらの2つのセンサ素子1の基部9の互いに対向する面は第1面及び第2面の一例であり、これら2つのセンサ素子1の重複領域9aは第1重複領域及び第2重複領域の一例であり、これら2つのセンサ素子1の非重複領域9bは第1非重複領域及び第2非重複領域の一例であり、IC103は集積回路素子の一例である。
<第2の実施形態>
図5(a)、図5(b)及び図6は、第2の実施形態に係る角速度センサ251の要部を示す図である。具体的には、図5(a)は、角速度センサ251のX軸センサ素子201X及びY軸センサ素子201Y(以下、単に「センサ素子201」ということがある。)を示す分解斜視図である。図5(b)は、2つのセンサ素子201を固定した状態で示す斜視図である。図6は、角速度センサ251の断面図(第1の実施形態の図2(b)に相当)である。
第2の実施形態は、センサ素子201の基部209の形状が第1の実施形態のセンサ素子1の基部9の形状と異なる。また、当該形状の相違に応じて、第2の実施形態の実装基体257の壁部の高さ(Z軸方向)は、第1の実施形態の実装基体57の壁部の高さと異なる。それ以外は、第2の実施形態は、第1の実施形態と概ね同様である。
2つのセンサ素子201の基部209の互いに対向する面において、腕(11及び13)が延びる側の重複領域209aが、腕とは反対側の非重複領域209bよりも低くされている。ひいては、2つのセンサ素子201の基部209は、重複領域209aにおける厚みが非重複領域209bにおける厚みよりも薄くされている。
具体的には、例えば、重複領域209aにおける厚みは、非重複領域209bにおける厚みの半分とされている。別の観点では、一方のセンサ素子201の、非重複領域209bにおける厚みと重複領域209aにおける厚みとの差は、他方のセンサ素子201の重複領域209aにおける厚みと等しい。
従って、2つのセンサ素子201が重複領域209aにおいて互いに重ねられると、図5(b)及び図6に示すように、互いに固定された2つのセンサ素子201全体の厚みは、第1の実施形態における、互いに固定された2つのセンサ素子1全体の厚みよりも薄くなる。具体的には、互いに固定された2つのセンサ素子201全体の厚みは、1つのセンサ素子201の厚みと同等になる。
その結果、例えば、図2(b)及び図6の比較から理解されるように、第2の実施形態の実装基体257(パッケージ255)は、第1の実施形態の実装基体57(パッケージ55)に比較して、1つのセンサ素子201(センサ素子1)の厚み分で薄型化可能である。また、例えば、一方のセンサ素子201の基部209における重複領域209aと非重複領域209bとの段差を、他方のセンサ素子201の基部209の側面に係合させることができる。従って、2つのセンサ素子201のXY平面における位置決めが容易化される。
なお、以上の第2の実施形態において、X軸センサ素子201X及びY軸センサ素子201Yは、第1センサ素子及び第2センサ素子の一例である。
<第3の実施形態>
図7及び図8は、第3の実施形態に係る角速度センサ351の要部を示す図である。具体的には、図7は、角速度センサ351におけるパッド及び配線の一例を示す模式的な斜視図(第1の実施形態の図4に相当)である。図8は、角速度センサ351の断面図(第1の実施形態の図2(b)に相当)である。
第1の実施形態では、Y軸センサ素子1Yは、ボンディングワイヤ75を介して実装基体57と電気的に接続された。これに対して、第3の実施形態のY軸センサ素子301Yは、バンプ73(図8)によりX軸センサ素子301Xに接続され、X軸センサ素子301Xに設けられた配線17を介して実装基体57と電気的に接続されている。それ以外は、第3の実施形態は、第1の実施形態と概ね同様である。
X軸センサ素子301Xは、基部9のY軸センサ素子301Y側の面のうち、Y軸センサ素子301Yに重ねられる重複領域9aにおいて、複数の素子パッド315を有している。一方、Y軸センサ素子301Yは、基部9のX軸センサ素子1X側の面のうち、X軸センサ素子301Xに重ねられる重複領域9aにおいて、複数の素子パッド15を有している。そして、これら素子パッド315と素子パッド15とはバンプ73により接着される。これにより、Y軸センサ素子301Yは、X軸センサ素子301Xに対して固定されるとともに、X軸センサ素子301Xと電気的に接続される。
X軸センサ素子301Xの素子パッド315及びY軸センサ素子301Yの素子パッド15は、重複領域9aの適宜な位置に配置されてよい。図7の例では、これら素子パッド315及び15は、重複領域9aの4隅側に配置されている。
Y軸センサ素子301Yの構成は、例えば、第1の実施形態のX軸センサ素子1Xの構成と同様とされてよく、説明は省略する。
X軸センサ素子301Xは、例えば、第1の実施形態のX軸センサ素子1Xに対して、上述の複数の素子パッド315と、Y軸センサ素子301Yからの検出信号を実装基体57(IC53)に出力するための2つの素子パッド316と、素子パッド315と素子パッド316及びX軸センサ素子301Xの素子パッド15とを接続するための配線317を追加した構成である。
Y軸センサ素子301Yの電圧印加用の第1素子パッド15Aと接着されるX軸センサ素子301Xの第1素子パッド315Aは、例えば、第1配線317Aを介してX軸センサ素子301Xの第2素子パッド15Bと接続されている。また、Y軸センサ素子301Yの電圧印加用の第2素子パッド15Bと接着されるX軸センサ素子301Xの第2素子パッド315Bは、例えば、第2配線317Bを介してX軸センサ素子301Xの第1素子パッド15Aと接続されている。
すなわち、X軸センサ素子301Xにおいて励振電極5に電圧を印加するための第1素子パッド15A及び第2素子パッド15Bは、Y軸センサ素子301Yの励振電極5に電圧を印加することにも利用される。このようにして、Y軸センサ素子301Yの第1素子パッド15A及び第2素子パッド15Bは、X軸センサ素子301Xを介して実装基体57に電気的に接続される。なお、Y軸センサ素子301Yの励振電極5にのみ電圧を印加するための素子パッドがX軸センサ素子301Xに設けられてもよい。
Y軸センサ素子301Yの検出信号用の第3素子パッド15Cと接着されるX軸センサ素子301Xの第3素子パッド315Cは、例えば、第3配線317Cを介してX軸センサ素子301Xの第1素子パッド316Aと接続されている。また、Y軸センサ素子301Yの検出信号用の第4素子パッド15Dと接着されるX軸センサ素子301Xの第4素子パッド315Dは、例えば、第4配線317Dを介してX軸センサ素子301Xの第2素子パッド316Bと接続されている。
素子パッド316は、X軸センサ素子301Xの素子パッド15と同様に、バンプ73により実装基体57の基体パッド63に接着される。このようにして、Y軸センサ素子301Yの第3素子パッド15C及び第4素子パッド15Dは、X軸センサ素子301Xを介して実装基体57に電気的に接続される。
なお、以上の第3の実施形態において、X軸センサ素子301X及びY軸センサ素子301Yは、第1センサ素子及び第2センサ素子の一例である。
本発明は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。
第3の実施形態では、第1の実施形態のように厚みが一定の圧電体を有するセンサ素子に対して、第2センサ素子を第1センサ素子を介して実装基体に電気的に接続する構成を適用した態様を示したが、第2の実施形態のように重複領域が薄くされた圧電体を有するセンサ素子に対して、第2センサ素子を第1センサ素子を介して実装基体に電気的に接続する構成が適用されてもよい。
角速度センサは、2軸の角速度を検出するものに限定されず、3軸以上の角速度を検出するものであってもよい。また、3つ以上のセンサ素子が互いに重ねられてもよい。なお、誤差を修正したり、予備の目的で、互いに平行な回転軸の角速度を検出する2つのセンサ素子が設けられてもよい。複数の回転軸は、一般には互いに直交するように設定されるが、直交しなくてもよい(互いに傾斜していてもよい。)。
重ねられるセンサ素子は、互いに異なる構成であってもよい。
例えば、腕の延在方向、腕の励振方向、及び、角速度が検出される回転軸の相対的な位置関係が互いに異なるものであってもよい。例えば、実施形態では、腕に平行な軸回りの回転を検出するセンサ素子を例示したが、複数の腕の並び方向に平行な軸回りの回転を検出する圧電振動式のセンサ素子、及び、腕の延在方向及び並び方向に直交する軸回りの回転を検出する圧電振動式のセンサ素子も公知である。このような腕と回転軸との位置関係が互いに異なるセンサ素子が互いに重ねられてもよい。
また、上記の位置関係が互いに同一のセンサ素子が用いられる場合においても、重ねられるセンサ素子は、互いに異なる構成であってもよい。例えば、重ねられるセンサ素子は、駆動腕の本数及び/又は検出腕の本数が互いに異なるものであってもよい。
角速度センサが取り付けられる機器によっては、想定される角速度の大きさが回転軸間で異なったり、要求される精度が回転軸間で異なったりする。このような場合において、互いに異なる構成のセンサを組み合わせることが好適な場合がある。また、例えば、本実施形態のような2つのセンサ素子と、腕の延在方向及び並び方向に直交する軸回りの回転を検出する圧電振動式のセンサ素子とを組み合わせ、これら3つのセンサ素子のうち少なくとも2つを重ねれば、実装面の面積を縮小するとともにパッケージを薄型化できる3軸用の角速度が実現される。
センサ素子は、全ての腕が並列に延びる(全ての腕が延在方向の同一側に延びる)ものに限定されず、延在方向の一方側に延びる腕と、延在方向の他方側に延びる腕とを有するものであってもよい。例えば、センサ素子は、基部の一方側に1又は複数の駆動腕が延び、それとは反対側に1又は複数の検出腕が延びるものであってもよい。なお、駆動腕と検出腕とが逆方向に延びる構成においては、駆動腕の振動が検出腕へ伝わりやすいように、第3の実施形態のように、重複領域のうち一部においてセンサ素子の基部同士を固定することが好ましい。
また、実施形態のように、全ての腕が基部に対して一方側へ延びる場合においても、その本数及び回転軸等は適宜に設定されてよい。例えば、駆動腕が2本又は4本配列され、その内側又は両側に検出腕が2本又は4本配列されてもよい。駆動腕と検出腕との本数が互いに異なっていてもよい。
また、センサ素子は、駆動腕と検出腕とを有するものに限定されず、一の腕が駆動腕と検出腕とを兼ねるものであってもよい。センサ素子は、一の腕のみを有するものであってもよい。センサ素子は、センサ素子単体で2軸以上の回転を検出可能なものであってもよい。
2つのセンサ素子は、その形状が、実施形態のように並列に延びる複数の腕を有することによって全体として薄型形状である場合、2つのセンサ素子の互いに重なる領域(重複領域)を大きくする観点から、実施形態のように、その厚み方向(腕の延在方向及び並び方向に交差する方向)において重ねられることが好ましい。ただし、2つのセンサ素子は、腕の並び方向において重ねられるなどしてもよい。この場合、重複領域が非重複領域よりも薄く(腕の並び方向において小さく)されている構成とされることが好ましい。
第2の実施形態のように、センサ素子の基部を重複領域において非重複領域よりも薄くする場合、2つのセンサ素子の重複領域における和が、1つのセンサ素子の非重複領域における厚みと同等にならなくてもよい。多少なりとも重複領域において基部が薄くされれば、2つのセンサ素子全体として薄型化される。また、2つのセンサ素子のうち、一方のみにおいて重複領域が薄くされてもよい。
重複領域は、基部のうち腕とは反対側の全領域でなくてもよい。例えば、基部に対して一方側に延びる腕と、基部に対して他方側に延びる腕とが設けられている場合において、基部の、腕の延びる方向の中央側の一部においてのみ、重複領域が設けられてよい。全ての腕が一方側にのみ延びる場合においても、基部の中央側の一部においてのみ重複領域が設けられてもよい。なお、重複領域及び非重複領域の大きさは適宜に設定されてよい。
2つのセンサ素子の基部は、互いに重複しない非重複領域を有している必要は無い。ただし、基部のうち腕側の領域は、腕が好適に振動するように互いに固定されていないことが好ましい。従って、例えば、2つの基部の全領域が互いに重なりつつ、2つの基部の固定は、腕とは反対側の領域においてのみ行われてもよい。
センサ素子の実装基体に対する固定は、バンプによるものに限定されない。例えば、センサ素子は、実装基体に設けられた弾性端子に固定されてもよい。また、当該固定は、一方のセンサ素子の、他方のセンサ素子に対向する面とは反対側の面が、実装面に平行に配置され、且つ、実装面に固定されるものに限定されない。例えば、センサ素子の基部の、腕が延びる側とは反対側の端部が実装基体に固定されてもよい。
実施形態において図示したパッケージは、一例に過ぎず、その形状及び材質等は適宜に変更されてよい。また、パッケージは、バンプを介して回路基板等に実装されるものに限定されず、ボンディングワイヤを利用する実装方法等の他の実装方法によって実装されるものであってもよい。
1X…X軸センサ素子(第1センサ素子)、1Y…Y軸センサ素子(第2センサ素子)、3…圧電体、9…基部、11…駆動腕(第1腕、第2腕)、13…検出腕(第1腕、第2腕)、51…角速度センサ、57…実装基体、57a…実装面、CL0…中心線(第1軸、第2軸)。

Claims (3)

  1. 第1基部、及び所定の並び方向に並べられ、この並び方向に交差する延在方向の同一側へ前記第1基部から延びる複数の第1腕を有する第1圧電体を含み、所定の第1軸回りの角速度に応じた電気信号を出力可能な圧電振動式の第1センサ素子と、
    第2基部、及び所定の並び方向に並べられ、この並び方向に交差する延在方向の同一側へ前記第2基部から延びる複数の第2腕を有する第2圧電体を含み、所定の第2軸回りの角速度に応じた電気信号を出力可能な圧電振動式の第2センサ素子と、
    実装面を有する実装基体と、
    を有し、
    前記第1基部及び前記第2基部は、前記第1軸と前記第2軸とが互いに異なる方向となり、前記第1基部の、前記複数の第1腕の延在方向及び並び方向に沿う面と、前記第2基部の、前記複数の第2腕の延在方向及び並び方向に沿う面とが互いに対向し、かつ前記第1腕の延在方向と前記第2腕の延在方向とが互いに異なる方向となる位置関係で互いに固定されており、
    前記第1基部は、前記第2基部側の面において、前記第1腕側の第1非重複領域に対して前記第1腕とは反対側の第1重複領域が低くされることにより、前記第1重複領域における厚みが前記第1非重複領域における厚みよりも薄くされており、
    前記第2基部は、前記第1基部側の面において、前記第2腕側の第2非重複領域に対して前記第2腕とは反対側の第2重複領域が低くされることにより、前記第2重複領域における厚みが前記第2非重複領域における厚みよりも薄くされており、
    前記第1重複領域と前記第2重複領域とが重ねられ、前記第1非重複領域と前記第2非重複領域とは重ねられておらず、
    前記第1重複領域は、前記複数の第1腕の並び方向において前記複数の第1腕全体の両側外側の面間に亘る幅を有しており、
    前記第2重複領域は、前記複数の第2腕の並び方向において前記複数の第2腕全体の両側外側の面間に亘る幅を有しており、
    前記第1基部の、前記第2基部に対向する面とは反対側の面は、前記実装面に対向するとともに、平面透視において前記第1重複領域と重複する範囲において当該反対側の面と前記実装面との間に介在するバンプによって、前記実装面に固定されている
    多軸角速度センサ。
  2. 前記実装面のうち前記第1腕と前記第2腕とに挟まれた領域に少なくとも一部が位置する集積回路素子を更に有する
    請求項1に記載の多軸角速度センサ。
  3. 前記第1圧電体は、前記第1基部のうち前記第1腕が延びる側にのみ、前記第1腕を含む全ての腕を有し、
    前記第2圧電体は、前記第2基部のうち前記第2腕が延びる側にのみ、前記第2腕を含む全ての腕を有している
    請求項1又は2に記載の多軸角速度センサ。
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JP2009128351A (ja) * 2007-11-19 2009-06-11 Microstone Corp ジャイロセンサ振動体
JP4678427B2 (ja) * 2008-06-23 2011-04-27 株式会社村田製作所 振動ジャイロ
JP5181938B2 (ja) * 2008-09-03 2013-04-10 株式会社大真空 音叉型水晶振動子
JP2010101727A (ja) * 2008-10-23 2010-05-06 Citizen Holdings Co Ltd 振動体パッケージ及びそれを用いた振動ジャイロセンサ
JP2011133246A (ja) * 2009-12-22 2011-07-07 Sony Corp 角速度センサ及び電子機器

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