JP6432936B2 - Small equipment maintenance mechanism - Google Patents

Small equipment maintenance mechanism Download PDF

Info

Publication number
JP6432936B2
JP6432936B2 JP2014244229A JP2014244229A JP6432936B2 JP 6432936 B2 JP6432936 B2 JP 6432936B2 JP 2014244229 A JP2014244229 A JP 2014244229A JP 2014244229 A JP2014244229 A JP 2014244229A JP 6432936 B2 JP6432936 B2 JP 6432936B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chamber
film
wafer
drawer
drawer body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2014244229A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2016108577A (en
Inventor
史朗 原
史朗 原
久人 小木曽
久人 小木曽
禅 中野
禅 中野
龍一郎 亀井
龍一郎 亀井
勇気 薮田
勇気 薮田
寿史 水口
寿史 水口
旭彦 加藤
旭彦 加藤
正清 呉
正清 呉
宇 孫
宇 孫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Original Assignee
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST filed Critical National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Priority to JP2014244229A priority Critical patent/JP6432936B2/en
Publication of JP2016108577A publication Critical patent/JP2016108577A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6432936B2 publication Critical patent/JP6432936B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

本発明は、成膜源に対してチャンバが取り付けられた成膜装置、および外気から遮断された処理室内にウェハ処理部が設けられたミニマルファブシステム用処理装置に関する。   The present invention relates to a film forming apparatus in which a chamber is attached to a film forming source, and a processing apparatus for a minimal fab system in which a wafer processing unit is provided in a processing chamber cut off from outside air.

近年、半導体デバイスの製造ラインとして、0.5インチサイズ(ハーフインチサイズ)のウェハに1個のデバイスを作成することを基本とし、そのために製造工程を複数の可搬性の単位処理装置で構成し、これら複数の単位処理装置をフローシップやジョブショップに再配置することを容易にすることで、超少量生産でかつ多品種生産に適切に対応できるようにしたミニマルファブシステムが提案されている(例えば、特許文献1参照。)。   In recent years, as a semiconductor device production line, it is fundamental to create one device on a 0.5-inch (half-inch) wafer. For this purpose, the manufacturing process is composed of a plurality of portable unit processing devices. , A minimal fab system has been proposed that makes it easy to relocate these multiple unit processing devices to flowships and job shops, making it suitable for ultra-low volume production and multi-product production ( For example, see Patent Document 1.)

このミニマルファブシステムに適合させた単位処理装置は、上下方向に長手方向を有する略直方体状に形成され外気から遮断された構成の筐体を備えており、この筐体内に、ハーフインチサイズのウェハを処理するためのウェハ処理部を収容させて構成されている(例えば、特許文献2参照。)。   A unit processing apparatus adapted to this minimal fab system is provided with a casing formed in a substantially rectangular parallelepiped shape having a longitudinal direction in the vertical direction and shielded from the outside air, and a half-inch size wafer is provided in the casing. (See, for example, Patent Document 2).

国際公開第2012/029775号International Publication No. 2012/029775 国際公開第2013/084574号International Publication No. 2013/084574

上記特許文献1のミニマルファブシステムは、ハーフインチサイズのウェハを単位処理装置で一枚ずつ処理する方法であり、ミニマルファブシステムに適合させた単位処理装置として、上記特許文献2に記載の装置が知られているものの、ハーフインチサイズのウェハの表面に、所定の膜を成膜する成膜装置については、何ら提案されていない。特に、この種の成膜装置は、一般に、成膜時に生じるターゲット原子のチャンバ内への付着を防着板にて防止する構成となっており、防着板の交換が必須であるため、チャンバ内のメンテナンス性の向上が求められている。   The minimal fab system of Patent Document 1 is a method of processing half-inch wafers one by one with a unit processing apparatus. As the unit processing apparatus adapted to the minimal fab system, the apparatus described in Patent Document 2 is used. Although known, no film forming apparatus for forming a predetermined film on the surface of a half-inch wafer has been proposed. In particular, this type of film-forming apparatus is generally configured to prevent adhesion of target atoms generated during film formation into the chamber with an anti-adhesion plate, and replacement of the anti-adhesion plate is essential. There is a need for improvement in maintenance.

本発明は、上述した従来技術における実状からなされたもので、その目的は、上記したミニマルファブシステム等に使用することのできる、ハーフインチサイズのようなきわめて小さいウェハの成膜に適し、チャンバ内のメンテナンス性が向上する成膜装置および、ミニマルファブシステム用処理装置を提供することにある。   The present invention has been made from the above-described state of the art, and its purpose is suitable for forming a very small wafer such as a half inch size which can be used in the above-described minimal fab system and the like. An object of the present invention is to provide a film forming apparatus and a processing apparatus for a minimal fab system that improve the maintainability.

上記目的を達成するために、本発明は、 成膜源を備え、一側面に開口部が設けられ中空なチャンバと、前記チャンバの前記開口部に引き出し可能に取り付けられて前記開口部を密閉し前記チャンバの一側面を構成する引き出し体と、を具備し、前記引き出し体は、前記チャンバに取り付けた状態で、前記チャンバ内の少なくとも上下面および一側面を覆う防着板を有していることを特徴とする成膜装置とした。 To achieve the above object, the present invention includes a deposition source, a sealed hollow chamber which is provided with an opening on one side, the opening withdrawable attached to the opening in the chamber and anda drawer body which constitute one aspect of the chambers, the drawer body is in a state attached to the Chang bar, a deposition preventing plate for covering at least the upper and lower surfaces and one side of the chamber It was set as the film-forming apparatus characterized by having.

このように構成された本発明によれば、チャンバの開口部から引き出し体を引き出すことによって、チャンバの一側面が開放され、外部からのチャンバ内へのアクセスが可能となり、かつチャンバ内の少なくとも上下面および一側面を覆う防着板を引き出し体とともにチャンバから引き出すことができる。この結果、チャンバ内のメンテナンス性を向上でき、防着板の交換をより容易にできる。 According to the present invention configured as described above, by pulling out the drawer body from the opening of the chamber , one side surface of the chamber is opened, access to the inside of the chamber from the outside is possible, and at least above the inside of the chamber An adhesion-preventing plate that covers the lower surface and one side surface can be pulled out of the chamber together with the drawer . As a result, the maintainability in the chamber can be improved and the replacement of the deposition preventing plate can be facilitated.

また本発明は、上記発明において、前記引き出し体は、枠体を有し、前記防着板は、前記枠体に取り外し可能に取り付けられていることを特徴とする成膜装置とした。   Further, the present invention is the film forming apparatus according to the above invention, wherein the drawer body has a frame body, and the deposition preventing plate is detachably attached to the frame body.

このように構成された本発明によれば、チャンバから引き出し体を引き出すことによって、チャンバから枠体を取り出すことができる。よって、チャンバ内から取り出した状態の枠体から防着板を取り外すことができるので、防着板の交換をより容易に行うことができる。   According to the present invention configured as described above, the frame body can be taken out from the chamber by pulling out the drawer body from the chamber. Therefore, since the adhesion prevention plate can be removed from the frame body taken out from the chamber, the adhesion prevention plate can be replaced more easily.

また本発明は、上記発明において、前記引き出し体は、前記成膜源にて成膜する被成膜体が設置されるステージを有していることを特徴とする成膜装置とした。   Further, the present invention is the film forming apparatus according to the above invention, wherein the drawer has a stage on which a film formation target film formed by the film formation source is placed.

このように構成された本発明は、チャンバから引き出し体を引き出すことによって、チャンバ内からステージを引き出すことができる。よって、チャンバから引き出し体を引き出すことによって、チャンバ内のメンテナンス性とともに、ステージのメンテナンス性を向上することができる。   In the present invention configured as above, the stage can be pulled out from the chamber by pulling out the drawer from the chamber. Therefore, by pulling out the drawer from the chamber, the maintainability of the stage can be improved along with the maintainability within the chamber.

また本発明は、上記発明において、前記引き出し体は、前記成膜源に対し、前記ステージに設置した被成膜体を遮蔽するシャッタを有していることを特徴とする成膜装置とした。   In addition, the present invention is the film forming apparatus according to the above invention, wherein the drawer has a shutter that shields the film formation target placed on the stage from the film formation source.

このように構成された本発明は、チャンバから引き出し体を引き出すことによって、チャンバからシャッタを引き出すことができる。よって、チャンバ内のメンテナンス性に加え、シャッタのメンテナンス性を向上することができる。   In the present invention configured as described above, the shutter can be pulled out from the chamber by pulling out the drawer from the chamber. Therefore, in addition to the maintainability in the chamber, the maintainability of the shutter can be improved.

また本発明は、上記発明において、前記引き出し体は、前記ステージを上下動させる昇降機構を有していることを特徴とする成膜装置とした。   Further, the present invention is the film forming apparatus according to the above invention, wherein the drawer body has an elevating mechanism for moving the stage up and down.

このように構成された本発明は、チャンバから引き出し体を引き出すことによって、ステージを上下動させる昇降機構をチャンバから引き出すことができる。よって、チャンバ内のメンテナンス性に加え、ステージの昇降機構のメンテナンス性を向上することができる。   In the present invention configured as described above, an elevating mechanism for moving the stage up and down can be pulled out from the chamber by pulling out the drawer from the chamber. Therefore, in addition to the maintainability in the chamber, the maintainability of the stage lifting mechanism can be improved.

また本発明は、上記発明において、前記引き出し体は、前記ステージに設置された被成膜体の温度調整をするための温度制御機構を有していることを特徴とする成膜装置とした。   Further, the present invention is the film forming apparatus according to the above invention, wherein the drawer body has a temperature control mechanism for adjusting the temperature of the film forming body installed on the stage.

このように構成された本発明は、チャンバから引き出し体を引き出すことによって、ステージに設置された被成膜体の温度調整をするための温度制御機構をチャンバから引き出すことができる。よって、チャンバ内のメンテナンス性に加え、被成膜体の温度調整をするための温度制御機構のメンテナンス性を向上することができる。   In the present invention configured as described above, a temperature control mechanism for adjusting the temperature of the film formation target placed on the stage can be pulled out from the chamber by pulling out the drawer from the chamber. Therefore, in addition to the maintainability in the chamber, the maintainability of the temperature control mechanism for adjusting the temperature of the deposition target can be improved.

また本発明は、外気から遮断された処理室と、前記処理室内に設けられ、ウェハを処理するウェハ処理部とを具備し、前記ウェハ処理部は、前記ウェハの処理時に前記ウェハを収容するチャンバと、前記チャンバから引き出し可能に取り付けられた引き出し体と、を備え、前記チャンバは、一側面に開口部が設けられた中空形状であり、前記引き出し体は、前記チャンバの前記開口部に引き出し可能に取り付けられて前記開口部を密閉し前記チャンバの一側面を構成し、前記チャンバに取り付けた状態で、前記チャンバの少なくとも上下面および一側面を覆う防着板を有していることを特徴とするミニマルファブシステム用処理装置とした。 The present invention further includes a processing chamber that is shielded from outside air, and a wafer processing unit that is provided in the processing chamber and processes a wafer, and the wafer processing unit accommodates the wafer during processing of the wafer. And a drawer body attached so as to be able to be pulled out from the chamber. The chamber has a hollow shape with an opening provided on one side surface, and the drawer body can be pulled out into the opening of the chamber. And the opening is sealed to form one side of the chamber, and in the state of being attached to the chamber, there is a deposition plate that covers at least the upper and lower surfaces and one side of the chamber. The processing device for a minimal fab system.

このように構成された本発明は、チャンバの開口部から引き出し体を引き出すことによって、チャンバの一側面が開放し、外部からのチャンバ内へのアクセスが容易になる。同時に、チャンバ内の少なくとも上下面および一側面を覆う防着板を引き出し体とともにチャンバから引き出すことができる。したがって、ミニマルファブシステムに適合させた種々の処理装置において、チャンバ内のメンテナンス性を向上でき、防着板の交換をより容易にできる。 In the present invention configured as described above, by pulling out the drawer from the opening of the chamber , one side surface of the chamber is opened, and access to the inside of the chamber from the outside becomes easy. At the same time, an adhesion-preventing plate covering at least the upper and lower surfaces and one side surface in the chamber can be pulled out from the chamber together with the drawer body. Therefore, in various processing apparatuses adapted to the minimal fab system, the maintainability in the chamber can be improved , and the replacement of the deposition plate can be facilitated .

また本発明は、上記発明において、前記ウェハは、外径12.5mmの円盤状であることを特徴とするミニマルファブシステム用処理装置とした。   The present invention is the processing apparatus for a minimal fab system according to the above invention, wherein the wafer has a disk shape having an outer diameter of 12.5 mm.

このように構成された本発明は、きわめて小さな外径12.5mmの円盤状のウェハを処理する、ミニマルファブシステムに適合させた種々の処理を行う処理装置における、チャンバ内のメンテナンス性を向上することができる。   The present invention configured as described above improves the maintainability in the chamber in a processing apparatus that processes a disc-shaped wafer having a very small outer diameter of 12.5 mm and performs various processes adapted to the minimal fab system. be able to.

本発明によれば、チャンバから引き出し体を引き出すことによって、外部からのチャンバ内へのアクセスが可能となり、引き出し体とともに防着板をチャンバから引き出すことができるから、チャンバ内のメンテナンス性を向上でき、防着板の交換をより容易にできる。   According to the present invention, by pulling out the drawer body from the chamber, it is possible to access the inside of the chamber from the outside, and the deposition plate can be pulled out from the chamber together with the drawer body, so that the maintainability in the chamber can be improved. In addition, it is possible to more easily replace the protection plate.

本発明の一実施形態に係るミニマルファブシステム用処理装置の外観を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the external appearance of the processing apparatus for minimal fab systems which concerns on one Embodiment of this invention. 上記ミニマルファブシステム用処理装置の内部構造を示す概略図である。It is the schematic which shows the internal structure of the processing apparatus for said minimal fab systems. 上記ミニマルファブシステム用処理装置に収容された成膜装置の概要を示す図で、(a)は側面図、(b)は平面図である。It is a figure which shows the outline | summary of the film-forming apparatus accommodated in the said processing apparatus for minimal fab systems, (a) is a side view, (b) is a top view. 上記成膜装置の引き出し体を引き出した状態を示す概略図で、(a)は側面図、(b)は平面図である。It is the schematic which shows the state which pulled out the drawer body of the said film-forming apparatus, (a) is a side view, (b) is a top view. 上記成膜装置の引き出し体に取り付けられた枠体および防着板の概要を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the outline | summary of the frame attached to the drawer body of the said film-forming apparatus, and an adhesion prevention board.

以下、本発明の実施形態を図に基づいて説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

<全体構成>
本発明の一実施形態に係るミニマルファブシステム用処理装置1は、図1に示すように、予め規格された大きさの筐体2内に収容されたミニマルファブ(minimal fabrication)構想に基づく単位処理装置(小型装置)である。ミニマルファブシステム用処理装置1は、例えばウェハW上に所定の膜を成膜する際に用いられる成膜装置、すなわちミニマルスパッタ装置等である。ここで、ミニマルファブ構想とは、多品種少量という半導体製造市場に最適なもので、省資源・省エネルギー・省投資・高性能な多様なファブに対応でき、例えば特開2012−54414号公報に記載の生産をミニマル化させるミニマル生産システムを実現させるものである。
<Overall configuration>
As shown in FIG. 1, a processing apparatus 1 for a minimal fab system according to an embodiment of the present invention is based on a unit processing based on a minimal fabrication concept housed in a case 2 having a standardized size. It is a device (small device). The minimal fab system processing apparatus 1 is a film forming apparatus used when a predetermined film is formed on the wafer W, for example, a minimal sputtering apparatus. Here, the minimal fab concept is optimal for the semiconductor manufacturing market with a small amount of various products, and can cope with various fabs that save resources, save energy, save investment, and have high performance. For example, it is described in JP 2012-54414 A It realizes a minimal production system that minimizes production.

筐体2は、上下方向に長手方向を有する略直方体状に形成された、幅(x)0.294m×奥行(y)0.45m×高さ(z)1.44mの大きさに統一され、内部への微粒子およびガス分子のそれぞれの侵入を遮断し、外気から遮断された処理室である。筐体2の上側の装置上部2aには、ウェハWを処理するための種々の処理装置本体3が収容されている。処理装置本体3は、例えばウェハWの表面に所定の膜を成膜する成膜工程を行うことが可能なウェハ処理部となっている。装置上部2aのうち、処理装置本体3の上側には、処理装置本体3の電源となるスパッタ用電源4、ガスボンベ・質量流量計(マスフロー)5等が収容されている。   The casing 2 is formed in a substantially rectangular parallelepiped shape having a longitudinal direction in the vertical direction, and is unified to a size of width (x) 0.294 m × depth (y) 0.45 m × height (z) 1.44 m. The processing chamber is configured to block the intrusion of fine particles and gas molecules into the interior and from the outside air. Various processing apparatus main bodies 3 for processing the wafers W are accommodated in the upper part 2 a of the upper side of the housing 2. The processing apparatus main body 3 is a wafer processing unit capable of performing a film forming process for forming a predetermined film on the surface of the wafer W, for example. In the upper part 2a of the apparatus, on the upper side of the processing apparatus main body 3, a sputtering power source 4 serving as a power source for the processing apparatus main body 3, a gas cylinder / mass flow meter (mass flow) 5, and the like are accommodated.

筐体2の下側は、処理装置本体3を制御する制御ユニット・DC電源6、ポンプ7、ラジエータユニット8等を内蔵するための装置下部2bが設けられている。装置下部2bには、筐体2を支持するための支持部mが設けられている。   The lower part of the housing 2 is provided with a device lower part 2b for incorporating a control unit / DC power source 6 for controlling the processing device main body 3, a pump 7, a radiator unit 8, and the like. The apparatus lower part 2 b is provided with a support part m for supporting the housing 2.

筐体2の装置上部2aの上下方向の中間部には、この装置上部2aの正面側が上方に凹状に切り欠かれた形状とされている。装置上部2aの上側の正面側には、操作パネル2cが取り付けられている。装置上部2aの下側の部分は、ウェハWを筐体2内に搬入させる前室2dとされている。前室2dの上面の略中央部には、搬送容器としてのシャトル(図示せず)を設置するためのシャトル収容部としての略円形状のドッキングポート2eが設けられている。ドッキングポート2eには、このドッキングポート2eに嵌合させたシャトルを固定するためクランプ(図示せず)が設けられている。前室2dは、筐体2内への微粒子およびガス分子のそれぞれを遮断する構成となっている。前室2dには、シャトル内に収容されているウェハWを外気に曝す等することなく筐体2内へ出し入れできるようにするPLAD(Particle Lock Air-tight Docking)システム9が取り付けられている。   In the middle part of the upper part 2a of the device upper part 2a of the housing 2, the front side of the device upper part 2a is cut into a concave shape upward. An operation panel 2c is attached to the upper front side of the apparatus upper portion 2a. The lower part of the upper part 2 a of the apparatus is a front chamber 2 d for carrying the wafer W into the housing 2. A substantially circular docking port 2e as a shuttle accommodating portion for installing a shuttle (not shown) as a transfer container is provided at a substantially central portion on the upper surface of the front chamber 2d. The docking port 2e is provided with a clamp (not shown) for fixing the shuttle fitted to the docking port 2e. The front chamber 2d is configured to block each of fine particles and gas molecules into the housing 2. A PLAD (Particle Lock Air-tight Docking) system 9 is attached to the front chamber 2d so that the wafer W accommodated in the shuttle can be taken in and out of the housing 2 without being exposed to the outside air.

<処理装置本体>
処理装置本体3は、所定の大きさに成形された円盤状のウェハWの表面を成膜する成膜装置であるスパッタ装置を構成する成膜ユニットである。処理装置本体3にて処理するウェハWは、所定の大きさ、例えば直径12.5mm(ハーフインチサイズ)の円形状の表面を有する円盤状に形成されている。なお、ウェハWとしては、ベアシリコンウェハ等の種々の基板であっても用いることができる。
<Processing device body>
The processing apparatus main body 3 is a film forming unit that constitutes a sputtering apparatus that is a film forming apparatus for forming a film on the surface of a disk-shaped wafer W formed in a predetermined size. The wafer W to be processed by the processing apparatus main body 3 is formed in a disk shape having a circular surface having a predetermined size, for example, a diameter of 12.5 mm (half inch size). As the wafer W, various substrates such as a bare silicon wafer can be used.

処理装置本体3は、成膜源としてのスパッタ源31を備えた真空容器としてのプロセス室32と、このプロセス室32の下方に設置されたターボ分子ポンプ33とを有している。スパッタ源31は、ターゲット(材料)が取り付けられ、このターゲットに高電圧を印加し、アルゴン等のイオン化させた不活性ガスを材料に衝突させることで、ターゲット原子がはじき飛ばされ、プロセス室32内に設置されたウェハWの表面に、ターゲット原子を到達させて付着させて成膜(スパッタ)する。プロセス室32は、図3(a)および図3(b)に示すように、中空な立方体状のチャンバ34を備えている。チャンバ34は、プロセス室32でのウェハWのスパッタ処理時にウェハWを収容するプロセス容器である。チャンバ34とPLADシステム9とは、搬送室としてのロードロック室11を介して接続されており、大気に暴露することなくシャトル内のウェハWをPLADシステム9にてロードロック室11を介して処理装置本体3のチャンバ34内の所定位置へ搬出入できる構成となっている。   The processing apparatus main body 3 has a process chamber 32 as a vacuum container provided with a sputtering source 31 as a film forming source, and a turbo molecular pump 33 installed below the process chamber 32. A target (material) is attached to the sputter source 31, a high voltage is applied to the target, and an ionized inert gas such as argon is collided with the material, so that target atoms are repelled and enter the process chamber 32. A target atom is made to reach and adhere to the surface of the installed wafer W to form a film (sputtering). As shown in FIGS. 3A and 3B, the process chamber 32 includes a hollow cubic chamber 34. The chamber 34 is a process container that accommodates the wafer W when the wafer W is sputtered in the process chamber 32. The chamber 34 and the PLAD system 9 are connected via a load lock chamber 11 as a transfer chamber, and the wafer W in the shuttle is processed by the PLAD system 9 via the load lock chamber 11 without being exposed to the atmosphere. The apparatus main body 3 is configured to be able to carry in and out to a predetermined position in the chamber 34.

ロードロック室11とは反対側のチャンバ34の一側面には、矩形状の開口部34aが設けられている。この開口部34aには、チャンバ34から引き出し可能に引き出し体35が取り付けられている。引き出し体35は、上方が開口した略立方体状に形成された引き出し本体35aと、引き出し本体35aの一側面に取り付けられチャンバ34の開口部34aを閉塞するための矩形平板状の扉体35bとを備えた保守機構である。チャンバ34の両側部には、スライダーとなる一対のガイドレール36a,36bが水平に設置されている。引き出し体35は、図4(a)および図4(b)に示すように、チャンバ34の開口部34aからチャンバ34より外側に、ガイドレール36a,36bによって水平方向に沿って完全に引き出すことができ、かつこの状態からチャンバ34内の所定位置に収納できる構成となっている。 A rectangular opening 34 a is provided on one side surface of the chamber 34 opposite to the load lock chamber 11. A drawer body 35 is attached to the opening 34 a so as to be able to be pulled out from the chamber 34. The drawer body 35 includes a drawer body 35a formed in a substantially cubic shape with an upper opening, and a rectangular flat door body 35b that is attached to one side surface of the drawer body 35a and closes the opening 34a of the chamber 34. It is a maintenance mechanism provided . On both sides of the switch Yanba 34, a pair of guide rails 36a serving as a slider, 36b is installed horizontally. As shown in FIGS. 4A and 4B, the drawer body 35 can be completely pulled out along the horizontal direction by the guide rails 36a and 36b from the opening 34a of the chamber 34 to the outside of the chamber 34. This configuration can be stored in a predetermined position in the chamber 34 from this state.

引き出し体35の扉体35bは、引き出し体35の引き出し本体35aをチャンバ34の開口部34aからチャンバ34内に収容させた際に、このチャンバ34の開口部34aを気密に閉塞できるように、チャンバ34の一側面を構成する構造になっている。扉体35bの内側面には、図3(b)に示すように、成膜対象となる被成膜体であるウェハWを設置するためのステージ35cと、このステージ35cに設置されたウェハWをスパッタ源31に対して遮蔽するためのシャッタ35dと、ステージ35cおよびシャッタ35dを跨ぐように略コの字状の防着板35mとが取り付けられている。ステージ35cは、ステージ本体35eと、このステージ本体35eの上側に昇降可能に取り付けられウェハWを設置して保持するための設置部35fと、この設置部35fを上下方向に昇降すなわち上下動させる昇降機構35gと、設置部35fに設置されたウェハWの温度調整、具体的には冷却するための温度調整機構としての冷却機構35hとを備えている。なお、処理装置本体3による処理に応じ、冷却機構35hではなく、ステージ35cの設置部35fに設置されたウェハWを過熱する過熱機構とすることもでき、必要に応じ、ウェハW上に形成する膜の密着性の向上や、膜質の向上を図ることもできる。   The door body 35b of the drawer body 35 is formed so that when the drawer body 35a of the drawer body 35 is accommodated in the chamber 34 from the opening 34a of the chamber 34, the opening 34a of the chamber 34 can be hermetically closed. 34 has a structure constituting one side surface. On the inner side surface of the door 35b, as shown in FIG. 3B, a stage 35c for installing a wafer W as a film formation target to be formed, and a wafer W installed on the stage 35c. A shutter 35d for shielding the sputtering source 31 and a substantially U-shaped attachment plate 35m are attached so as to straddle the stage 35c and the shutter 35d. The stage 35c includes a stage main body 35e, an installation part 35f that is attached to the upper side of the stage main body 35e so as to be movable up and down, and that holds and holds the wafer W. A mechanism 35g, and a cooling mechanism 35h as a temperature adjustment mechanism for adjusting the temperature of the wafer W installed in the installation unit 35f, specifically, for cooling, are provided. In addition, according to the process by the processing apparatus main body 3, it is possible to use a superheating mechanism that superheats the wafer W installed on the installation unit 35f of the stage 35c, instead of the cooling mechanism 35h, and forms on the wafer W as necessary. It is also possible to improve film adhesion and film quality.

シャッタ35dは、扉体35bの外側面に取り付けられた駆動源としてのモータ35iにて駆動する構成となっており、ステージ35cの設置部35fに設置されたウェハWをスパッタ源31に対して遮蔽できるように、水平方向に移動可能となっている。設置部35fは、PLADシステム9にてロードロック室11を介してプロセス室32内へ搬送されてくるウェハWが設置される。プロセス室32にて処理、すなわち成膜処理された後のウェハWは、PLADシステム9により、設置部35fからロードロック室11を介して、ドッキングポート2eに嵌合させたシャトル内に収容される。昇降機構35gは、駆動源となるモータ35jと、モータ35jにて上下方向に駆動する駆動部35kとを備え、モータ35jの駆動にて駆動部35kを昇降させることで設置部35fを昇降駆動させる。冷却機構35hは、例えばポンプ7からの冷却水の循環供給によってステージ35cのステージ本体35eおよび設置部35fを冷却することによって、設置部35f上のウェハWを冷却する。   The shutter 35d is configured to be driven by a motor 35i as a drive source attached to the outer surface of the door body 35b, and shields the wafer W installed on the installation portion 35f of the stage 35c from the sputtering source 31. It can move in the horizontal direction so that it can. In the installation unit 35 f, the wafer W transferred into the process chamber 32 through the load lock chamber 11 by the PLAD system 9 is installed. The wafer W that has been processed in the process chamber 32, that is, after film formation, is accommodated in the shuttle fitted into the docking port 2e by the PLAD system 9 through the load lock chamber 11 from the installation portion 35f. . The elevating mechanism 35g includes a motor 35j serving as a drive source and a drive unit 35k that is driven in the vertical direction by the motor 35j, and moves the installation unit 35f up and down by moving the drive unit 35k up and down by driving the motor 35j. . The cooling mechanism 35h cools the wafer W on the installation part 35f by cooling the stage main body 35e and the installation part 35f of the stage 35c by circulating supply of cooling water from the pump 7, for example.

引き出し本体35aには、図4(a)、図4(b)および図5に示すように、複数、例えば5枚の矩形平板状の防着板37a〜37eを有する防着板機構37が取り外し可能に収容されている。防着板機構37は、チャンバ34内に引き出し体35を収容させた状態で、チャンバ34内の少なくとも一部、具体的にはチャンバ34内の上下面、両側面、ロードロック室11側の一側面を覆う構成となっている。防着板機構37は、チャンバ34の開口部34aから引き出し体35を引き出した状態で、引き出し本体35aの上方へ取り外すことができる構成となっている。防着板機構37は、図5に示すように、一方の面が開口した立法体の各辺を有する枠状のフレームである枠体38を備えている。枠体38は、上下面、両側面、およびロードロック室11側の一側面のそれぞれに防着板37a〜37eを取り外し可能に取り付けることができる構成となっている。   As shown in FIG. 4A, FIG. 4B and FIG. 5, the drawer body 35a is provided with an adhesion prevention plate mechanism 37 having a plurality of, for example, five rectangular flat plate adhesion prevention plates 37a to 37e. Contained as possible. The protection plate mechanism 37 is a state in which the drawer body 35 is accommodated in the chamber 34, and at least a part of the chamber 34, specifically, the upper and lower surfaces, both side surfaces of the chamber 34, and the load lock chamber 11 side. It is configured to cover the side. The protection plate mechanism 37 is configured to be removable above the drawer main body 35 a in a state where the drawer body 35 is pulled out from the opening 34 a of the chamber 34. As shown in FIG. 5, the adherence plate mechanism 37 includes a frame body 38 that is a frame-like frame having each side of a legislative body that is open on one surface. The frame body 38 has a configuration in which the adhesion preventing plates 37a to 37e can be removably attached to the upper and lower surfaces, both side surfaces, and one side surface of the load lock chamber 11, respectively.

各防着板35m,37a〜37eは、チャンバ34内へのターゲット原子(材料)の付着を防止し、この付着したターゲット原子が剥がれてチャンバ34内へ舞い上がることにより、スパッタ処理の品質悪化を防止するものであり、所定のスパッタ処理を行った場合にメンテナンス、すなわち交換あるいは洗浄が必要な部品である。防着板35mは、扉体35bの内側面に対して取り外し可能に取り付けられている。   Each of the adhesion preventing plates 35m, 37a to 37e prevents the target atoms (materials) from adhering to the chamber 34, and the adhering target atoms are peeled off to rise into the chamber 34, thereby preventing deterioration of the quality of the sputtering process. It is a part that requires maintenance, that is, replacement or cleaning when a predetermined sputtering process is performed. The adhesion preventing plate 35m is detachably attached to the inner surface of the door body 35b.

枠体38の上面に取り付ける防着板37aには、スパッタ源31からのターゲット原子を通過させるための円形状の開口部37fが設けられている。枠体38のロードロック室11側に取り付ける防着板37eにもまた、PLADシステム9によってロードロック室11から搬送されてくるウェハWをチャンバ34内に搬出入可能とさせる開口部37gが設けられている。防着板37a〜37eが取り付けられない枠体38の他側面は、引き出し本体35aの扉体35b側に位置する部分であり、扉体35bの内側面に取り付けられているステージ35cおよびシャッタ35d等を跨いで防着板機構37を引き出し体35の所定位置に取り付け、引き出し本体35a内に収容できる構成になっている。   The adhesion preventing plate 37a attached to the upper surface of the frame body 38 is provided with a circular opening 37f for allowing the target atoms from the sputtering source 31 to pass therethrough. The adhesion preventing plate 37e attached to the load lock chamber 11 side of the frame 38 is also provided with an opening 37g that allows the wafer W transferred from the load lock chamber 11 by the PLAD system 9 to be carried in and out of the chamber 34. ing. The other side surface of the frame body 38 to which the adhesion preventing plates 37a to 37e are not attached is a portion located on the door body 35b side of the drawer body 35a, and a stage 35c and a shutter 35d attached to the inner side surface of the door body 35b. The adhesion preventing plate mechanism 37 is attached to a predetermined position of the drawer body 35 so as to be accommodated in the drawer main body 35a.

次に、上記一実施形態に係るミニマルファブシステム用処理装置1の動作について説明する。   Next, the operation of the minimal fab system processing apparatus 1 according to the embodiment will be described.

<成膜処理>
まず、ウェハWが収容されたシャトルを、ミニマルファブシステム用処理装置1のドッキングポート2eに嵌合させる。この状態で、クランプを操作し、ドッキングポート2eに嵌合させたシャトルを固定する。次いで、操作パネル2cを操作し、所定のレシピを選択してから、ウェハWの成膜処理をスタートさせる。
<Film formation process>
First, the shuttle accommodating the wafer W is fitted into the docking port 2e of the minimal fab system processing apparatus 1. In this state, the clamp is operated to fix the shuttle fitted to the docking port 2e. Next, the operation panel 2c is operated to select a predetermined recipe, and then the film forming process for the wafer W is started.

すると、PLADシステム9により、シャトル内からウェハWが取り出され、ロードロック室11を介して、処理装置本体3のステージ35c上へウェハWが搬送される。次いで、昇降機構35gにより、ステージ35c上に設置されたウェハWの上下位置の調整が行われる。   Then, the wafer W is taken out from the shuttle by the PLAD system 9, and the wafer W is transferred onto the stage 35 c of the processing apparatus main body 3 through the load lock chamber 11. Next, the vertical position of the wafer W placed on the stage 35c is adjusted by the lifting mechanism 35g.

そして、チャンバ34内の真空排気が行われてから、アルゴン等の不活性ガスをチャンバ34内に導入した上で、チャンバ34内の圧力調整が行われる。また、必定に応じ、冷却機構35hが駆動され、ステージ35c上のウェハWの冷却、すなわち温度調整が行われる。また、必要に応じ、シャッタ35dが駆動され、ウェハWの表面の少なくとも一部がスパッタ源31から遮蔽される。この状態で、スパッタ源31からのターゲット原子の放出が開始され、ウェハWの表面に対する成膜処理、具体的にはプレスパッタおよびメインスパッタが行われる。   Then, after the chamber 34 is evacuated, an inert gas such as argon is introduced into the chamber 34, and then the pressure in the chamber 34 is adjusted. Further, if necessary, the cooling mechanism 35h is driven to cool the wafer W on the stage 35c, that is, to adjust the temperature. If necessary, the shutter 35d is driven to shield at least part of the surface of the wafer W from the sputtering source 31. In this state, emission of target atoms from the sputtering source 31 is started, and film formation processing on the surface of the wafer W, specifically, pre-sputtering and main sputtering are performed.

この後、PLADシステム9によって、ステージ35c上のウェハWがロードロック室11を介してシャトル内へ搬送される。そして、ドッキングポート2eのクランプによる固定を解除することによって、成膜処理が行われたウェハWを収容したシャトルを、ドッキングポート2eから取り外すことができる。   Thereafter, the wafer W on the stage 35 c is transferred into the shuttle via the load lock chamber 11 by the PLAD system 9. And the shuttle which accommodated the wafer W in which the film-forming process was performed can be removed from the docking port 2e by canceling | releasing fixation with the clamp of the docking port 2e.

<メンテナンス>
チャンバ34内の防着板37a〜37eを交換する場合には、まず、ミニマルファブシステム用処理装置1の筐体2の背面に取り付けられたパネル(図示せず)を取り外して処理装置本体3の扉体を露出させてから、図4(a)および図4(b)に示すように、ガイドレール36a,36bに沿って扉体35bをチャンバ34内から引き出す。
<Maintenance>
When replacing the deposition prevention plates 37 a to 37 e in the chamber 34, first, a panel (not shown) attached to the back surface of the housing 2 of the minimal fab system processing apparatus 1 is removed to remove the processing apparatus main body 3. After the door body is exposed, the door body 35b is pulled out from the chamber 34 along the guide rails 36a and 36b, as shown in FIGS. 4 (a) and 4 (b).

この結果、チャンバ34外へ引き出し体35を完全に引き出すことができる。この状態で、枠体38の所定の面に防着板37a〜37eが取り付けられた防着板機構37を、持ち上げる等して上方に移動させて引き出し本体35aから取り外す。そして、図5に示すように、防着板機構37の各防着板37a〜37eを枠体38から取り外すことによって、各防着板37a〜37eの交換および洗浄が可能となる。   As a result, the drawer body 35 can be completely pulled out of the chamber 34. In this state, the deposition preventing plate mechanism 37 having the deposition preventing plates 37a to 37e attached to predetermined surfaces of the frame body 38 is moved upward by lifting or the like, and removed from the drawer body 35a. Then, as shown in FIG. 5, by removing the respective adhesion preventing plates 37 a to 37 e of the adhesion preventing plate mechanism 37 from the frame body 38, the respective adhesion preventing plates 37 a to 37 e can be replaced and cleaned.

引き出し体35をチャンバ34から引き出した状態においては、引き出し体35とともに、ステージ35c、シャッタ35d、昇降機構35gおよび冷却機構35hのそれぞれがチャンバ34外へと引き出されるため、これらステージ35c、シャッタ35d、昇降機構35gおよび冷却機構35hのそれぞれについても、チャンバ34から取り出した状態でメンテナンスを行うことができる。   In the state where the drawer body 35 is pulled out from the chamber 34, the stage 35c, the shutter 35d, the elevating mechanism 35g, and the cooling mechanism 35h are pulled out of the chamber 34 together with the drawer body 35. Therefore, the stage 35c, shutter 35d, Each of the elevating mechanism 35g and the cooling mechanism 35h can also be maintained in the state of being taken out from the chamber 34.

チャンバ34から引き出し体35を引き出し、かつ防着板機構37を引き出し本体35aから取り外した状態においては、単に引き出し体35をチャンバ34から引き出した状態に比べ、チャンバ34の開口部34aをより大きく開口することができるため、チャンバ34内へのアクセスがより容易になり、チャンバ34内のメンテナンスがより容易になる。   In a state where the drawer body 35 is pulled out from the chamber 34 and the adhesion preventing plate mechanism 37 is detached from the drawer body 35a, the opening 34a of the chamber 34 is opened larger than in a state where the drawer body 35 is simply pulled out from the chamber 34. Thus, access to the chamber 34 becomes easier, and maintenance in the chamber 34 becomes easier.

そして、洗浄した防着板37a〜37e、あるいは新しい防着板37a〜37eを枠体38に取り付けた防着板機構37を、引き出し本体35aに収容させて取り付けてから、扉体35bを押す等して引き出し体35をチャンバ34内に収容させることによって、防着板37a〜37eの交換、およびチャンバ34内のメンテナンスが完了する。   Then, after the washed adhesion prevention plates 37a to 37e or new adhesion prevention plates 37a to 37e attached to the frame body 38 are accommodated in the drawer body 35a and attached, the door body 35b is pushed, etc. Then, by accommodating the drawer body 35 in the chamber 34, the replacement of the adhesion preventing plates 37 a to 37 e and the maintenance in the chamber 34 are completed.

<作用効果>
上記一実施形態に係るミニマルファブシステム用処理装置1においては、筐体2の背面のパネルを取り外してから、処理装置本体3の扉体35bをガイドレール36a,36bに沿って移動させることによって、チャンバ34から引き出し体35を引き出すことができる構成としている。この結果、チャンバ34から引き出し体35を引き出すことにより、チャンバ34の開口部34aが大きく開口し、外部からのチャンバ34内へのアクセスが可能となるため、例えばチャンバ34の側面を開口する場合等に比べ、チャンバ34内のメンテナンス性を向上でき、部品交換の必要性が高いチャンバ内の部品交換を容易にできる。よって、きわめて小さな外径12.5mmの円盤状のハーフインチサイズのウェハWを処理する、ミニマルファブ構想に適合させた種々の処理を行うミニマルファブシステム用処理装置1における、チャンバ34内のメンテナンス性をも向上できる。また、何等かの不具合で処理装置本体3のチャンバ34内にウェハWが取り残された場合であっても、チャンバ34から引き出し体35を引き出すことによって、チャンバ34内のウェハWを取り除くことができる。
<Effect>
In the minimal fab system processing apparatus 1 according to the above-described embodiment, after removing the rear panel of the housing 2, the door body 35b of the processing apparatus main body 3 is moved along the guide rails 36a and 36b. The drawer body 35 can be pulled out from the chamber 34. As a result, by pulling out the drawer body 35 from the chamber 34, the opening 34a of the chamber 34 opens greatly, and access to the inside of the chamber 34 from the outside becomes possible. For example, when opening the side surface of the chamber 34, etc. Compared to the above, it is possible to improve the maintainability in the chamber 34, and it is possible to easily replace the components in the chamber where the necessity of replacing the components is high. Therefore, the maintainability in the chamber 34 in the processing apparatus 1 for the minimal fab system for processing various processes adapted to the minimal fab concept for processing a disc-shaped half-inch wafer W having a very small outer diameter of 12.5 mm. Can also be improved. Even if the wafer W is left in the chamber 34 of the processing apparatus main body 3 due to some trouble, the wafer W in the chamber 34 can be removed by pulling out the drawer 35 from the chamber 34. .

特に、引き出し体35の引き出し本体35aに、防着板37a〜37eを取り付けた防着板機構37を収容させているため、チャンバ34から引き出し体35を引き出すことによって、引き出し体35とともに防着板機構37をチャンバ34から引き出すことができる。よって、チャンバ34から引き出した引き出し本体35aから防着板機構37を取り外し、防着板機構37の枠体38から防着板37a〜37eを取り外すことによって、これら防着板37a〜37eの交換あるいは洗浄が可能となるため、これら防着板37a〜37eのメンテナンス作業を容易にできる。このとき、各防着板37a〜37eを枠体38に取り付けた防着板機構37を、引き出し本体35aに収容させて引き出し体35に取り付ける構成としているため、防着板機構37を引き出し本体35aから取り外すことによって、複数枚の防着板37a〜37eを引き出し体35から一度に取り外すことができ、これら防着板37a〜37eの引き出し体35からの取り外しを容易に行うことができる。また、引き出し本体35aから防着板機構37を取り外すことにより、扉体35bの内側面に取り付けられている防着板35mの交換も容易に行うことができる。   In particular, because the drawer body 35a of the drawer body 35 accommodates the adhesion prevention plate mechanism 37 with the adhesion prevention plates 37a to 37e attached thereto, the drawer body 35 and the adhesion prevention plate are pulled out by pulling out the drawer body 35 from the chamber 34. The mechanism 37 can be withdrawn from the chamber 34. Therefore, by removing the adhesion preventing plate mechanism 37 from the drawer body 35a drawn out from the chamber 34 and removing the adhesion preventing plates 37a to 37e from the frame body 38 of the adhesion preventing plate mechanism 37, these adhesion preventing plates 37a to 37e can be replaced or removed. Since cleaning becomes possible, the maintenance work of these adhesion prevention plates 37a-37e can be made easy. At this time, since the adhesion prevention plate mechanism 37 in which the adhesion prevention plates 37a to 37e are attached to the frame body 38 is accommodated in the drawer body 35a and attached to the drawer body 35, the adhesion prevention plate mechanism 37 is attached to the drawer body 35a. By removing from the drawer body 35, it is possible to remove the plurality of adhesion prevention plates 37a to 37e from the drawer body 35 at once, and to easily remove the adhesion prevention plates 37a to 37e from the drawer body 35. Further, by removing the adhesion preventing plate mechanism 37 from the drawer body 35a, the adhesion preventing plate 35m attached to the inner surface of the door body 35b can be easily replaced.

さらに、処理装置本体3のステージ35c、シャッタ35d、昇降機構35g、および冷却機構35hのそれぞれを引き出し体35の扉体35bの内側面に取り付けた構成としている。このため、チャンバ34から引き出し体35を引き出すことによって、引き出し体35とともにチャンバ34内からステージ35c、シャッタ35d、昇降機構35gおよび冷却機構35hのそれぞれを引き出すことができる。よって、チャンバ34から引き出し体35を引き出すことによって、チャンバ34内のメンテナンス性とともに、ステージ35c、シャッタ35d、昇降機構35gおよび冷却機構35hそれぞれのメンテナンス性を向上できる。   Further, the stage 35 c, the shutter 35 d, the elevating mechanism 35 g, and the cooling mechanism 35 h of the processing apparatus body 3 are each attached to the inner surface of the door body 35 b of the drawer body 35. Therefore, by pulling out the drawer body 35 from the chamber 34, the stage 35c, the shutter 35d, the lifting mechanism 35g, and the cooling mechanism 35h can be pulled out from the chamber 34 together with the drawer body 35. Therefore, by pulling out the drawer body 35 from the chamber 34, the maintainability of the stage 35c, the shutter 35d, the elevating mechanism 35g, and the cooling mechanism 35h can be improved along with the maintainability in the chamber 34.

また、チャンバ34から引き出し体35を引き出す際に、引き出し体35をガイドレール36a,36bに沿って移動させる構成とし、引き出し体35をチャンバ34外へ完全に引き出すことができる構成としている。よって、ガイドレール36a,36bを用いず、引き出し体35の一部がチャンバ34に係止するようにした場合に比べ、チャンバ34の開口部34aをより大きく開口できる。したがって、チャンバ34内へのアクセスをより容易に行うことができるから、チャンバ34内のメンテナンス性をより向上できる。またさらに、ガイドレール36a,36bを用いず、引き出し体35をチャンバ34から引き出した際に引き出し体35がチャンバ34からすぐに外れるようにした場合に比べ、チャンバ34から引き出し体35を引き出した際の、引き出し体35の思わぬ落下や損傷を防止できるため、処理装置本体3のメンテナンス性をより向上できる。   Further, when the drawer body 35 is pulled out from the chamber 34, the drawer body 35 is moved along the guide rails 36 a and 36 b so that the drawer body 35 can be completely pulled out of the chamber 34. Therefore, the opening 34 a of the chamber 34 can be opened larger than when the guide rails 36 a and 36 b are not used and a part of the drawer body 35 is locked to the chamber 34. Therefore, since access to the chamber 34 can be performed more easily, the maintainability in the chamber 34 can be further improved. Further, when the drawer body 35 is pulled out of the chamber 34 when the drawer body 35 is pulled out of the chamber 34 without using the guide rails 36a and 36b, the drawer body 35 is pulled out of the chamber 34. Since the unexpected drop and damage of the drawer body 35 can be prevented, the maintainability of the processing apparatus main body 3 can be further improved.

<その他>
なお、上記一実施形態においては、ミニマルファブ構想に適合させたハーフインチサイズのウェハWの表面を成膜する処理装置本体3を備えたミニマルファブシステム用処理装置1について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、ウェハを処理するためのチャンバ34を有する種々の処理装置本体3を備えたミニマルファブシステム用処理装置1であっても、チャンバ34の引き出し構造を用いることができる。さらに、引き出し体35の構造については、チャンバ34内のアクセスや、防着板37a〜37eの交換が容易になる構成であればよい。すなわち、例えば、引き出し体35とは別個に、ステージ35cおよびシャッタ35dの少なくとも一方をチャンバ34内に設け、少なくとも防着板37a〜37eが引き出し体35とともにチャンバ34外へ引き出すことができる構成でも良く、様々な構成にすることもできる。
<Others>
In the above embodiment, the minimal fab system processing apparatus 1 including the processing apparatus main body 3 for forming the surface of the half-inch wafer W adapted to the minimal fab concept has been described. However, the present invention is not limited to this, and the pull-out structure of the chamber 34 can be used even in the processing apparatus 1 for the minimal fab system including the various processing apparatus main bodies 3 having the chamber 34 for processing the wafer. . Furthermore, the structure of the drawer body 35 may be a configuration that facilitates access in the chamber 34 and replacement of the adhesion preventing plates 37a to 37e. That is, for example, at least one of the stage 35 c and the shutter 35 d may be provided in the chamber 34 separately from the drawer body 35, and at least the deposition preventing plates 37 a to 37 e may be pulled out of the chamber 34 together with the drawer body 35. Various configurations are possible.

1 ミニマルファブシステム用処理装置
2 筐体(処理室)
2a 装置上部
2b 装置下部
2c 操作パネル
2d 前室
2e ドッキングポート
3 処理装置本体(ウェハ処理部、成膜装置)
4 スパッタ用電源
5 ガスボンベ・マスフロー
6 制御ユニット・DC電源
7 ポンプ
8 ラジエータユニット
9 PLADシステム
11 ロードロック室
31 スパッタ源(成膜源)
32 プロセス室
33 ターボ分子ポンプ
34 チャンバ
34a 開口部
35 引き出し体
35a 引き出し本体
35b 扉体
35c ステージ
35d シャッタ
35e ステージ本体
35f 設置部
35g 昇降機構
35h 冷却機構(温度調整機構)
35i モータ
35j モータ
35k 駆動部
35m 防着板
36a,36b ガイドレール
37 防着板機構
37a〜37e 防着板
37f 開口部
37g 開口部
38 枠体
W ウェハ(被成膜体)
m 支持部
1 Processing equipment for minimal fab system 2 Housing (processing room)
2a Upper part of the apparatus 2b Lower part of the apparatus 2c Operation panel 2d Front chamber 2e Docking port 3 Processing apparatus main body (wafer processing part, film forming apparatus)
4 Power supply for sputtering 5 Gas cylinder / mass flow 6 Control unit / DC power supply 7 Pump 8 Radiator unit 9 PLAD system 11 Load lock chamber 31 Sputtering source (deposition source)
32 Process chamber 33 Turbo molecular pump 34 Chamber 34a Opening 35 Drawer 35a Drawer body 35b Door 35c Stage 35d Shutter 35e Stage body 35f Installation part 35g Lifting mechanism 35h Cooling mechanism (temperature adjustment mechanism)
35i motor 35j motor 35k drive unit 35m deposition plate 36a, 36b guide rail 37 deposition plate mechanism 37a to 37e deposition plate 37f opening 37g opening 38 frame W wafer (film formation body)
m Support part

Claims (8)

成膜源を備え、一側面に開口部が設けられ中空なチャンバと、
前記チャンバの前記開口部に引き出し可能に取り付けられて前記開口部を密閉し前記チャンバの一側面を構成する引き出し体と、を具備し、
前記引き出し体は、前記チャンバに取り付けた状態で、前記チャンバ内の少なくとも上下面および一側面を覆う防着板を有している
ことを特徴とする成膜装置。
A hollow chamber having a film forming source and having an opening on one side ;
Anda drawer body which withdrawable attached to the opening of the chamber to seal the opening constitute one aspect of said chamber,
The drawer body is in a state attached to the Chang bar, deposition apparatus characterized in that it has a deposition preventing plate for covering at least the upper and lower surfaces and one side surface of the chamber.
請求項1に記載の成膜装置において、
前記引き出し体は、枠体を有し、
前記防着板は、前記枠体に取り外し可能に取り付けられている
ことを特徴とする成膜装置。
The film forming apparatus according to claim 1,
The drawer body has a frame body,
The deposition apparatus, wherein the deposition preventing plate is detachably attached to the frame.
請求項1または2に記載の成膜装置において、
前記引き出し体は、前記成膜源にて成膜する被成膜体が設置されるステージを有している
ことを特徴とする成膜装置。
In the film-forming apparatus of Claim 1 or 2,
The drawer body has a stage on which a film formation target film is formed by the film formation source.
請求項3に記載の成膜装置において、
前記引き出し体は、前記成膜源に対し、前記ステージに設置した被成膜体を遮蔽するシャッタを有している
ことを特徴とする成膜装置。
In the film-forming apparatus of Claim 3,
The film-drawing apparatus is characterized in that the drawer has a shutter that shields the film-forming body placed on the stage from the film-forming source.
請求項3または4に記載の成膜装置において、
前記引き出し体は、前記ステージを上下動させる昇降機構を有している
ことを特徴とする成膜装置。
In the film-forming apparatus of Claim 3 or 4,
The drawer has a lifting mechanism for moving the stage up and down.
請求項3ないし5のいずれか一項に記載の成膜装置において、
前記引き出し体は、前記ステージに設置された被成膜体の温度調整をするための温度制御機構を有している
ことを特徴とする成膜装置。
In the film-forming apparatus as described in any one of Claims 3 thru | or 5,
The film-drawing apparatus characterized in that the drawer has a temperature control mechanism for adjusting the temperature of the film-forming object installed on the stage.
外気から遮断された処理室と、
前記処理室内に設けられ、ウェハを処理するウェハ処理部とを具備し、
前記ウェハ処理部は、前記ウェハの処理時に前記ウェハを収容するチャンバと、前記チャンバから引き出し可能に取り付けられた引き出し体と、を備え
前記チャンバは、一側面に開口部が設けられた中空形状であり、
前記引き出し体は、前記チャンバの前記開口部に引き出し可能に取り付けられて前記開口部を密閉し前記チャンバの一側面を構成し、前記チャンバに取り付けた状態で、前記チャンバの少なくとも上下面および一側面を覆う防着板を有している
ことを特徴とするミニマルファブシステム用処理装置。
A processing chamber isolated from the outside air;
A wafer processing unit provided in the processing chamber for processing a wafer;
The wafer processing unit includes a chamber that accommodates the wafer when the wafer is processed, and a drawer attached so as to be able to be pulled out from the chamber .
The chamber has a hollow shape with an opening provided on one side surface,
The drawer body is detachably attached to the opening of the chamber to seal the opening to constitute one side of the chamber, and at least the upper and lower sides and one side of the chamber in a state of being attached to the chamber. A processing apparatus for a minimal fab system, characterized in that it has a deposition preventing plate .
請求項7に記載のミニマルファブシステム用処理装置であって、
前記ウェハは、外径12.5mmの円盤状である
ことを特徴とするミニマルファブシステム用処理装置。
A processing apparatus for a minimal fab system according to claim 7,
The processing apparatus for a minimal fab system, wherein the wafer has a disk shape with an outer diameter of 12.5 mm.
JP2014244229A 2014-12-02 2014-12-02 Small equipment maintenance mechanism Active JP6432936B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014244229A JP6432936B2 (en) 2014-12-02 2014-12-02 Small equipment maintenance mechanism

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014244229A JP6432936B2 (en) 2014-12-02 2014-12-02 Small equipment maintenance mechanism

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016108577A JP2016108577A (en) 2016-06-20
JP6432936B2 true JP6432936B2 (en) 2018-12-05

Family

ID=56123276

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014244229A Active JP6432936B2 (en) 2014-12-02 2014-12-02 Small equipment maintenance mechanism

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6432936B2 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2022180914A1 (en) * 2021-02-26 2022-09-01

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03219075A (en) * 1990-01-23 1991-09-26 Shin Meiwa Ind Co Ltd Charging and discharging device for sputtering device
JP3909608B2 (en) * 1994-09-30 2007-04-25 株式会社アルバック Vacuum processing equipment
JPH1161386A (en) * 1997-08-22 1999-03-05 Fuji Electric Co Ltd Film forming device of organic thin film light emitting element
JP2000178712A (en) * 1998-12-16 2000-06-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd Film forming device and method of cathode maintenance
JP2001316797A (en) * 2000-05-08 2001-11-16 Mitsubishi Electric Corp Film deposition system, and deposition shield member used for film deposition system
JP5116525B2 (en) * 2008-03-25 2013-01-09 株式会社アルバック Sputtering equipment
JP5361002B2 (en) * 2010-09-01 2013-12-04 独立行政法人産業技術総合研究所 Device manufacturing apparatus and method

Also Published As

Publication number Publication date
JP2016108577A (en) 2016-06-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100854803B1 (en) A substrate processing apparatus and a lid supporting apparatus
TWI806837B (en) Apparatus and methods for atomic layer deposition
US7883579B2 (en) Substrate processing apparatus and lid supporting apparatus for the substrate processing apparatus
KR101387178B1 (en) Sputtering device and manufacturing method for electronic device
JP4608455B2 (en) Substrate coating apparatus and module
JP6607795B2 (en) Substrate processing equipment
RU2294395C2 (en) Installation for the vacuum ionic-plasma treatment of the surfaces
JP6432936B2 (en) Small equipment maintenance mechanism
US20150107516A1 (en) Plasma treatment apparatus and substrate treatment system
KR20180098448A (en) Apparatus for removing residual gas and substrate treating facility including the same
TWI454587B (en) Sputter apparatus
JP2012017497A (en) Plasma processing apparatus
KR102378336B1 (en) Bake apparatus and bake method
JP2008081770A (en) Adhesion preventive body in vacuum film deposition system, and vacuum film deposition system
JP6043210B2 (en) Mirrortron sputtering equipment
JP6930878B2 (en) Vacuum processing equipment
TWI474373B (en) Airtight module and exhaust method of the airtight module
JP7360845B2 (en) Sputtered particle adhesion prevention plate and ion beam sputtering equipment
JP2006307291A (en) Sputtering system
JP6474286B2 (en) Clean exhaust system
US10784075B2 (en) Ion beam irradiation apparatus
JP6155490B2 (en) Deposition equipment
JP4625783B2 (en) Substrate stage and substrate processing apparatus
JP6677485B2 (en) Vacuum processing equipment
KR20100051099A (en) Methods and apparatus for ex situ seasoning of electronic device manufacturing process components

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20171121

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20171120

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180621

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180626

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180822

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20181002

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20181031

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6432936

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250