JP6431505B2 - 半導体圧力センサ - Google Patents

Description

本発明は、半導体圧力センサに関する。

近年、ＭＥＭＳ（Micro Electro-Mechanical Systems）技術を用いて製造され、ピエゾ抵抗効果（ピエゾ抵抗に加わる応力によって抵抗率が変化する現象）を利用して圧力を測定する半導体圧力センサが開発されている。この半導体圧力センサは、シリコン基板に形成されたダイヤフラム（受圧部）と、ダイヤフラムに上に拡散やイオン打ち込み等によって形成されたピエゾ抵抗とを備えており、ダイヤフラムが圧力を受けて撓んだ際に、撓みに応じた応力がピエゾ抵抗に加わることによって生ずる抵抗率の変化を検出して圧力を測定するセンサである。このような半導体圧力センサは、超小型、超軽量という特徴を有することから、腕時計、携帯電話機、その他の携帯用の機器をはじめとして種々の機器に用いられている。

以下の特許文献１には、ピエゾ抵抗効果を利用した従来の半導体圧力センサが開示されている。具体的に、以下の特許文献１には、絶縁膜を介してピエゾ抵抗の上方を覆うように形成され、ブリッジ回路（ピエゾ抵抗によって構成されて、上述の抵抗率の変化を検出する回路）の最高電位部に接続される導電体膜を備える半導体圧力センサが開示されている。この半導体圧力センサでは、上記の導電体膜によって、センサ表面のイオンや帯電によって生ずるピエゾ抵抗の抵抗値の変化に起因する測定誤差を低減するようにしている。

特許第５００２４６８号公報

ところで、上述した特許文献１に開示された半導体圧力センサでは、全てのピエゾ抵抗がブリッジ回路の最高電位部に接続される導電体膜によって覆われているため、ピエゾ抵抗と導電体膜との間の電位差がピエゾ抵抗の位置に応じて異なる。これにより、シリコン基板表面のキャリアの分布がピエゾ抵抗の位置に応じて変化することから、出力オフセット或いは感度の変化が生じ、測定誤差が生じてしまうという問題がある。

また、上述した特許文献１に開示された半導体圧力センサでは、導電体膜とピエゾ抵抗との間に形成される寄生容量によって、半導体圧力センサの立ち上がり特性が悪化する。このような立ち上がり特性の悪化が生ずると、間欠動作をさせて半導体圧力センサの消費電力を抑える場合に、測定誤差が生ずる原因となるという問題がある。尚、測定誤差は、ピエゾ抵抗と導電体膜との間の電位差が小さいほど小さくなる。これは、ピエゾ抵抗と導電体膜との間の電位差が小さいほど、寄生容量に蓄積される電荷が小さくなり、且つピエゾ抵抗の抵抗値変化が小さくなるためである。

また、上述した特許文献１に開示された半導体圧力センサでは、導電体膜が全てのピエゾ抵抗を覆うように形成されていることから、導電体膜とダイヤフラム（或いは、絶縁体）との熱膨張係数の差によって生ずる応力が大きくなる。このような応力が大きくなると、ダイヤフラムが圧力を受けた際の撓みの程度が変化するため、測定誤差が生じてしまうという問題がある。

本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、従来よりも測定誤差を低減することが可能な半導体圧力センサを提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明の半導体圧力センサは、ダイヤフラム部（１０ａ）を有する半導体基板（１０）と、前記ダイヤフラム部表面に形成された複数のピエゾ抵抗（１１〜１４）と、前記複数のピエゾ抵抗を接続してブリッジ回路（ＢＲ１〜ＢＲ５）を構成する配線（２１〜２４、５１〜５４）とを備える半導体圧力センサ（１）において、前記ピエゾ抵抗の表面を含む前記半導体基板の表面を覆うように形成された絶縁膜（３０）と、前記複数のピエゾ抵抗の各々に対応して前記絶縁膜上に個別に形成され、対応する前記ピエゾ抵抗の一端又は他端に接続される複数の導電体膜（４１〜４４）とを備えることを特徴としている。
また、本発明の半導体圧力センサは、前記導電体膜が、対応する前記ピエゾ抵抗を平面視で覆うように前記絶縁膜上に形成されていることを特徴としている。
また、本発明の半導体圧力センサは、前記配線が、前記絶縁膜上に形成された第１配線（５１〜５４）と、前記ダイヤフラム部表面に形成されており、前記絶縁膜に形成されたコンタクト部（ＣＮ）を介して前記第１配線に接続される第２配線（２１〜２４）とを備えることを特徴としている。
また、本発明の半導体圧力センサは、前記導電体膜が、前記絶縁膜上において、対応する前記ピエゾ抵抗の一端又は他端に接続される前記第１配線に延びるように形成されていることを特徴としている。
また、本発明の半導体圧力センサは、前記ピエゾ抵抗が、一端が互いに接続された第１ピエゾ抵抗（１１ａ、１２ａ、１３ａ、１４ａ）と第２ピエゾ抵抗（１１ｂ、１２ｂ、１３ｂ、１４ｂ）とをそれぞれ備えており、前記導電体膜が、前記第１ピエゾ抵抗に対応して形成された第１導電体膜（４１ａ、４２ａ、４３ａ、４４ａ）と、前記第２ピエゾ抵抗に対応して形成された第２導電体膜（４１ｂ、４２ｂ、４３ｂ、４４ｂ）とをそれぞれ備えることを特徴としている。
また、本発明の半導体圧力センサは、前記第１ピエゾ抵抗と前記第２ピエゾ抵抗とが、長手方向が同じ方向になるように並べて形成されていることを特徴としている。
また、本発明の半導体圧力センサは、前記導電体膜が、一部が平面視で前記ダイヤフラム部の外側に位置するように前記絶縁膜上に形成されていることを特徴としている。
また、本発明の半導体圧力センサは、前記導電体膜の前記ダイヤフラム部上における平面視形状が、前記ダイヤフラム部の中央部に対して点対称形状であることを特徴としている。

本発明によれば、ダイヤフラム部表面に形成された複数のピエゾ抵抗の各々に対応して個別に導電体膜を設け、各々の導電体膜を対応するピエゾ抵抗の一端又は他端に接続するようにしているため、ピエゾ抵抗と導電体膜との間の電位差を小さくすることができ、これにより従来よりも測定誤差を低減することが可能であるという効果がある。
また、導電体膜は、ピエゾ抵抗の各々に対応して設けられており、従来のように全てのピエゾ抵抗を覆うように形成されている訳ではないため、導電体膜とダイヤフラム部との熱膨張係数の差によって生ずる応力を小さくすることができ、これによっても測定誤差を低減することが可能であるという効果がある。

本発明の第１実施形態による半導体圧力センサの平面透視図である。 図１中の符号Ｘで指し示されている部分の拡大図である。 図１中のＡ−Ａ線に沿う断面矢視図である。 本発明の第１実施形態で構成されるブリッジ回路を示す図である。 本発明の第２実施形態で構成されるブリッジ回路を示す図である。 本発明の第３実施形態で構成されるブリッジ回路を示す図である。 本発明の第４実施形態で構成されるブリッジ回路を示す図である。 本発明の第５実施形態で構成されるブリッジ回路を示す図である。 本発明の第５実施形態による半導体圧力センサの要部構成を示す平面図である。

以下、図面を参照して本発明の実施形態による半導体圧力センサについて詳細に説明する。尚、以下では理解を容易にするために、図中に設定したＸＹＺ直交座標系（原点の位置は適宜変更する）を必要に応じて参照しつつ各部材の位置関係について説明する。また、以下で参照する図面では、理解を容易にするために、必要に応じて各部材の寸法を適宜変えて図示している。

〔第１実施形態〕
図１は、本発明の第１実施形態による半導体圧力センサの平面透視図である。図２は、図１中の符号Ｘで指し示されている部分の拡大図である。図３は、図１中のＡ−Ａ線に沿う断面矢視図である。これら図１〜図３に示す通り、本実施形態の半導体圧力センサ１は、半導体基板１０、ピエゾ抵抗１１〜１４、拡散配線２１〜２４（第２配線）、絶縁膜３０、導電体膜４１〜４４、及び金属配線５１〜５４（第１配線）を備える。

半導体基板１０は、例えば平面視形状が矩形形状であるシリコン基板である。この半導体基板１０の中央部には、平面視形状が矩形形状のダイヤフラム部１０ａが形成されている。ダイヤフラム部１０ａは、測定対象（例えば、流体）の圧力が作用する部位であり、受けた圧力に応じた撓みが生ずるようにされている。このダイヤフラム部１０ａは、例えば半導体基板１０の裏面を予め規定された厚みになるまでエッチングすることによって形成される。

ピエゾ抵抗１１〜１４は、ピエゾ抵抗効果（加わる応力によって抵抗率が変化する現象）が生ずる素子であり、ダイヤフラム部１０ａに作用する圧力を測定するために設けられる。これらピエゾ抵抗１１〜１４は、それぞれ平面視でダイヤフラム部１０ａの４つの辺ＳＤ１〜ＳＤ４に近接するようにダイヤフラム部１０ａの表面（＋Ｚ側の面）に形成されている。尚、ピエゾ抵抗１１〜１４は、例えば不純物をダイヤフラム部１０ａの表面に拡散させることによって形成される。

ピエゾ抵抗１１〜１４は、一端が互いに接続されて近接配置された一対のピエゾ抵抗をそれぞれ備える。具体的に、ピエゾ抵抗１１は、ピエゾ抵抗１１ａ（第１ピエゾ抵抗）とピエゾ抵抗１１ｂ（第２ピエゾ抵抗）とを備えており、ピエゾ抵抗１２は、ピエゾ抵抗１２ａ（第１ピエゾ抵抗）とピエゾ抵抗１２ｂ（第２ピエゾ抵抗）とを備えている。また、ピエゾ抵抗１３は、ピエゾ抵抗１３ａ（第１ピエゾ抵抗）とピエゾ抵抗１３ｂ（第２ピエゾ抵抗）とを備えており、ピエゾ抵抗１４は、ピエゾ抵抗１４ａ（第１ピエゾ抵抗）とピエゾ抵抗１４ｂ（第２ピエゾ抵抗）とを備えている。

ピエゾ抵抗１１ａ，１１ｂ，１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂ，１４ａ，１４ｂは何れも、Ｙ方向に延びるように（長手方向が同じ方向になるように）形成されている。ピエゾ抵抗１１ａ，１１ｂは、平面視でダイヤフラム部１０ａの辺ＳＤ１に近接する位置においてＸ方向に並べて形成されており、ピエゾ抵抗１２ａ，１２ｂは、平面視でダイヤフラム部１０ａの辺ＳＤ２に近接する位置においてＸ方向に並べて形成されている。また、ピエゾ抵抗１３ａ，１３ｂは、平面視でダイヤフラム部１０ａの辺ＳＤ３に近接する位置においてＸ方向に並べて形成されており、ピエゾ抵抗１４ａ，１４ｂは、平面視でダイヤフラム部１０ａの辺ＳＤ４に近接する位置においてＸ方向に並べて形成されている。

拡散配線２１〜２４は、ピエゾ抵抗１１〜１４のブリッジ回路ＢＲ１（図４参照）を構成するために、ダイヤフラム部１０ａの表面に形成される配線である。尚、拡散配線２１〜２４は、例えば不純物をダイヤフラム部１０ａの表面に拡散させることによって形成される。

拡散配線２１は、ピエゾ抵抗１１ａの他端に接続された拡散配線２１ａ、ピエゾ抵抗１１ａ，１１ｂの一端を互いに接続する拡散配線２１ｂ、及びピエゾ抵抗１１ｂの他端に接続された拡散配線２１ｃからなる。拡散配線２２は、ピエゾ抵抗１２ａの他端に接続された拡散配線２２ａ、ピエゾ抵抗１２ａ，１２ｂの一端を互いに接続する拡散配線２２ｂ、及びピエゾ抵抗１２ｂの他端に接続された拡散配線２２ｃからなる。

拡散配線２３は、ピエゾ抵抗１３ａの他端に接続された拡散配線２３ａ、ピエゾ抵抗１３ａ，１３ｂの一端を互いに接続する拡散配線２３ｂ、及びピエゾ抵抗１３ｂの他端に接続された拡散配線２３ｃからなる。拡散配線２４は、ピエゾ抵抗１４ａの他端に接続された拡散配線２４ａ、ピエゾ抵抗１４ａ，１４ｂの一端を互いに接続する拡散配線２４ｂ、及びピエゾ抵抗１４ｂの他端に接続された拡散配線２４ｃからなる。

絶縁膜３０は、ピエゾ抵抗１１〜１４及び拡散配線２１〜２４が形成された半導体基板１０の表面を絶縁するものである。この絶縁膜３０は、図１，図３に示す通り、ピエゾ抵抗１１〜１４の表面及び拡散配線２１〜２４の表面を含む半導体基板１０の表面の全面に亘って形成されている。絶縁膜３０の材料としては、例えば酸化膜（ＳｉＯ_２）や窒化シリコン（ＳｉＮ）を用いることができ、絶縁膜３０の厚みは、例えば１００［ｎｍ］程度に設定される。

導電体膜４１〜４４は、ピエゾ抵抗１１〜１４の各々に対応して絶縁膜３０上に個別に形成されており、半導体基板１０の表面のイオンや帯電によって生ずるピエゾ抵抗１１〜１４の抵抗値の変化に起因する測定誤差を低減するために設けられる。これら導電体膜４１〜４４は、対応するピエゾ抵抗１１〜１４を平面視で覆うように形成されている。導電体膜４１〜４４の材料としては、例えばポリシリコンを用いることができ、導電体膜４１〜４４の厚みは、例えば１００〜５００［ｎｍ］程度に設定される。

導電体膜４１〜４４は、ピエゾ抵抗１１〜１４が備える一対のピエゾ抵抗に対応して形成された一対の導電体膜をそれぞれ備える。具体的に、導電体膜４１は、ピエゾ抵抗１１ａに対応し、ピエゾ抵抗１１ａを平面視で覆うように形成された導電体膜４１ａ（第１導電体膜）と、ピエゾ抵抗１１ｂに対応し、ピエゾ抵抗１１ｂを平面視で覆うように形成された導電体膜４１ｂ（第２導電体膜）とを備える。導電体膜４２は、ピエゾ抵抗１２ａに対応し、ピエゾ抵抗１２ａを平面視で覆うように形成された導電体膜４２ａ（第１導電体膜）と、ピエゾ抵抗１２ｂに対応し、ピエゾ抵抗１２ｂを平面視で覆うように形成された導電体膜４２ｂ（第２導電体膜）とを備える。

また、導電体膜４３は、ピエゾ抵抗１３ａに対応し、ピエゾ抵抗１３ａを平面視で覆うように形成された導電体膜４３ａ（第１導電体膜）と、ピエゾ抵抗１３ｂに対応し、ピエゾ抵抗１３ｂを平面視で覆うように形成された導電体膜４３ｂ（第２導電体膜）とを備える。導電体膜４４は、ピエゾ抵抗１４ａに対応し、ピエゾ抵抗１４ａを平面視で覆うように形成された導電体膜４４ａ（第１導電体膜）と、ピエゾ抵抗１４ｂに対応し、ピエゾ抵抗１４ｂを平面視で覆うように形成された導電体膜４４ｂ（第２導電体膜）とを備える。

これら導電体膜４１ａ，４１ｂ，４２ａ，４２ｂ，４３ａ，４３ｂ，４４ａ，４４ｂは何れも、対応するピエゾ抵抗１１ａ，１１ｂ，１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂ，１４ａ，１４ｂの他端にそれぞれ接続される。例えば、図１，図２に示す通り、導電体膜４１ａは、金属配線５１及び拡散配線２１ａを介して対応するピエゾ抵抗１１ａの他端に接続され、導電体膜４１ｂは、金属配線５２及び拡散配線２１ｃを介して対応するピエゾ抵抗１１ｂの他端に接続される。このような接続を行うのは、導電体膜４１ａ，４１ｂ，４２ａ，４２ｂ，４３ａ，４３ｂ，４４ａ，４４ｂと、対応するピエゾ抵抗１１ａ，１１ｂ，１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂ，１４ａ，１４ｂとの間の電位差を極力小さくして、測定誤差を低減するためである。

また、導電体膜４１〜４４（導電体膜４１ａ，４１ｂ，４２ａ，４２ｂ，４３ａ，４３ｂ，４４ａ，４４ｂ）は何れも、平面視でダイヤフラム部１０ａの内側から外側に延在するように絶縁膜３０上に形成されている。即ち、導電体膜４１〜４４は、その一部が平面視でダイヤフラム部１０ａの外側に位置するように形成されている。このようにするのは、主として測定誤差を低減するためである。

ダイヤフラム部１０ａの上方（ダイヤフラム部１０ａの＋Ｚ側における絶縁膜３０上）に金属配線が存在すると、金属配線の変形によりダイヤフラム部１０ａに大きな応力変化が現れて測定圧力に誤差が生ずる。本実施形態では、図１に示す通り、金属配線５１〜５４を平面視でダイヤフラム部１０ａの外側に形成するとともに、導電体膜４１〜４４の一部を平面視でダイヤフラム部１０ａの外側に位置するように形成し、これら金属配線５１〜５４と導電体膜４１〜４４との接続を、ダイヤフラム部１０ａの外側（平面視での外側）で行うようにしている。このようにして、金属配線５１〜５４の変形による応力がダイヤフラム部１０ａに加わるのを防ぐことで、測定圧力に誤差が生ずるのを防止している。

尚、上記の構成とはせずに、平面視でダイヤフラム部１０ａの内側に形成された導電体膜と平面視でダイヤフラム部１０ａの外側に形成された金属配線とを配線によって接続した構成にすることも考えられる。具体的には、上記の導電体膜とダイヤフラム部１０ａの表面とを接続する第１コンタクト部と、上記の金属配線と半導体基板１０の表面とを接続する第２コンタクト部とが形成され、これら第１，第２コンタクト部が、半導体基板１０（ダイヤフラム部１０ａ）の表面に形成された拡散配線で接続された構成である。しかしながら、このような構成では、ダイヤフラム部１０ａ上の絶縁膜３０を削って第１コンタクト部を形成する必要があり、応力が第１コンタクト部に集中しやすい構造となることから、センサ感度が低下してしまう。

また、導電体膜４１〜４４（導電体膜４１ａ，４１ｂ，４２ａ，４２ｂ，４３ａ，４３ｂ，４４ａ，４４ｂ）は、少なくともダイヤフラム部１０ａ上における平面視形状が、図１に示す通り、ダイヤフラム部１０ａの中央部Ｑに対して点対称形状にされる。このようにするのは、主として、半導体圧力センサ１の出力に誤差が生ずるのを防止するためである。

半導体圧力センサ１では、ダイヤフラム部１０ａが圧力を受けて撓んだ際に、ダイヤフラム部１０ａの中央部Ｑに関して対向する位置に配置されたピエゾ抵抗（ピエゾ抵抗１１，１３、或いはピエゾ抵抗１２，１４）に同じ応力変化が生ずることが望ましい。このため、ピエゾ抵抗１１〜１４は、図１に示す通り、ダイヤフラム部１０ａの中央部Ｑに対して点対称に配置されている。このようなピエゾ抵抗１１〜１４に対応して形成されている導電体膜４１〜４４の平面視形状（ダイヤフラム部１０ａ上における平面視形状）が、ダイヤフラム部１０ａの中央部Ｑに対して非対称である場合には、ピエゾ抵抗１１〜１４に加わる応力が非対称となって、半導体圧力センサ１の出力に誤差が生ずる。

本実施形態では、図１に示す通り、導電体膜４１〜４４の平面視形状（ダイヤフラム部１０ａ上における平面視形状）を、ダイヤフラム部１０ａの中央部Ｑに対して点対称形状にすることで、半導体圧力センサ１の出力に誤差が生ずるのを防止している。尚、導電体膜４１〜４４のダイヤフラム部１０ａ上における平面視形状のみならず、導電体膜４１〜４４の全体形状（平面視でダイヤフラム部１０ａの外側に延在する部分の形状を含む）を、ダイヤフラム部１０ａの中央部Ｑに対して点対称形状にしても良い。

金属配線５１〜５４は、拡散配線２１〜２４とともにピエゾ抵抗１１〜１４のブリッジ回路ＢＲ１（図４参照）を構成するために、絶縁膜３０上に形成された配線である。この金属配線５１〜５４の材料としては、例えばアルミニウム（Ａｌ）を用いることができ、金属配線５１〜５４の厚みは、例えば１５００［ｎｍ］程度に設定される。

金属配線５１は、絶縁膜３０の紙面左上隅部に設けられるパッド部５１ａ、パッド部５１ａから−Ｙ方向に延びる配線部５１ｂ、及びパッド部５１ａから＋Ｘ方向に延びる配線部５１ｃを備える。金属配線５２は、絶縁膜３０の紙面右上隅部に設けられるパッド部５２ａ、パッド部５２ａから−Ｘ方向に延びる配線部５２ｂ、及びパッド部５２ａから−Ｙ方向に延びる配線部５２ｃを備える。

金属配線５３は、絶縁膜３０の紙面右下隅部に設けられるパッド部５３ａ、パッド部５３ａから＋Ｙ方向に延びる配線部５３ｂ、及びパッド部５３ａから−Ｘ方向に延びる配線部５３ｃを備える。金属配線５４は、絶縁膜３０の紙面左下隅部に設けられるパッド部５４ａ、パッド部５４ａから＋Ｘ方向に延びる配線部５４ｂ、及びパッド部５４ａから＋Ｙ方向に延びる配線部５４ｃを備える。

金属配線５１〜５４は、絶縁膜３０に形成されたコンタクト部を介して拡散配線２１〜２４と接続されている。具体的には、図２に示す通り、金属配線５１（配線部５１ｃ）は、コンタクト部ＣＮを介して拡散配線２１（拡散配線２１ａ）に接続され、金属配線５２（配線部５２ｂ）は、コンタクト部ＣＮを介して拡散配線２１（拡散配線２１ｃ）に接続されている。同様に、金属配線５２（配線部５２ｃ）は、不図示のコンタクト部を介して拡散配線２２（拡散配線２２ａ）に接続され、金属配線５３（配線部５３ｂ）は、不図示のコンタクト部を介して拡散配線２２（拡散配線２２ｃ）に接続されている。ここで、コンタクト部は、例えば絶縁膜３０をエッチングすることによって形成され、このコンタクト部に金属配線が充填されることによって、金属配線と拡散配線とが接続される。

また、金属配線５３（配線部５３ｃ）は、不図示のコンタクト部を介して拡散配線２３（拡散配線２３ａ）に接続され、金属配線５４（配線部５４ｂ）は、不図示のコンタクト部を介して拡散配線２３（拡散配線２３ｃ）に接続されている。金属配線５４（配線部５４ｃ）は、不図示のコンタクト部を介して拡散配線２４（拡散配線２４ａ）に接続され、金属配線５１（配線部５１ｂ）は、不図示のコンタクト部を介して拡散配線２４（拡散配線２４ｃ）に接続されている。

ここで、図１，図２に示す通り、導電体膜４１ａは、金属配線５１（配線部５１ｃ）に延びるように形成されており、導電体膜４１ｂは、金属配線５２（配線部５２ｂ）に延びるように形成されている。金属配線５１（配線部５１ｃ）は、コンタクト部ＣＮ及び拡散配線２１ａを介してピエゾ抵抗１１ａの他端に接続されており、金属配線５２（配線部５２ｂ）は、コンタクト部ＣＮ及び拡散配線２１ｃを介してピエゾ抵抗１１ｂの他端に接続されている。従って、導電体膜４１ａは、絶縁膜３０上において、対応するピエゾ抵抗１１ａの他端に接続される金属配線５１（配線部５１ｃ）に延びるように形成されており、導電体膜４１ｂは、絶縁膜３０上において、対応するピエゾ抵抗１１ｂの他端に接続される金属配線５２（配線部５２ｂ）に延びるように形成されている。

同様に、導電体膜４２ａは、絶縁膜３０上において、対応するピエゾ抵抗１２ａの他端に接続される金属配線５２（配線部５２ｃ）に延びるように形成されており、導電体膜４２ｂは、絶縁膜３０上において、対応するピエゾ抵抗１２ｂの他端に接続される金属配線５３（配線部５３ｂ）に延びるように形成されている。また、導電体膜４３ａは、絶縁膜３０上において、対応するピエゾ抵抗１３ａの他端に接続される金属配線５３（配線部５３ｃ）に延びるように形成されており、導電体膜４３ｂは、絶縁膜３０上において、対応するピエゾ抵抗１３ｂの他端に接続される金属配線５４（配線部５４ｂ）に延びるように形成されている。また、導電体膜４４ａは、絶縁膜３０上において、対応するピエゾ抵抗１４ａの他端に接続される金属配線５４（配線部５４ｃ）に延びるように形成されており、導電体膜４４ｂは、絶縁膜３０上において、対応するピエゾ抵抗１４ｂの他端に接続される金属配線５１（配線部５１ｂ）に延びるように形成されている。

図４は、本発明の第１実施形態で構成されるブリッジ回路を示す図である。尚、図４においては、図１〜図３に示す部材に相当する構成には同一の符号を付してある。図４に示す通り、ブリッジ回路ＢＲ１は、ピエゾ抵抗１１（１１ａ，１１ｂ）、ピエゾ抵抗１２（１２ａ，１２ｂ）、ピエゾ抵抗１３（１３ａ，１３ｂ）、及びピエゾ抵抗１４（１４ａ，１４ｂ）が環状に接続され、ピエゾ抵抗１４，１１間に金属配線５１が接続され、ピエゾ抵抗１１，１２間に金属配線５２が接続され、ピエゾ抵抗１２，１３間に金属配線５３が接続され、ピエゾ抵抗１３，１４間に金属配線５４が接続された回路である。尚、図４に示すブリッジ回路ＢＲ１は、例えば金属配線５１が電源に接続され、金属配線５３が接地され、金属配線５２，５４が電圧出力端子に接続される。

また、図４に示すブリッジ回路ＢＲ１では、ピエゾ抵抗１１（１１ａ，１１ｂ）、ピエゾ抵抗１２（１２ａ，１２ｂ）、ピエゾ抵抗１３（１３ａ，１３ｂ）、及びピエゾ抵抗１４（１４ａ，１４ｂ）に対応して、導電体膜４１（４１ａ，４１ｂ）、導電体膜４２（４２ａ，４２ｂ）、導電体膜４３（４３ａ，４３ｂ）、及び導電体膜４４（４４ａ，４４ｂ）がそれぞれ設けられている。そして、導電体膜４１ａ，４１ｂ，４２ａ，４２ｂ，４３ａ，４３ｂ，４４ａ，４４ｂは、対応するピエゾ抵抗１１ａ，１１ｂ，１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂ，１４ａ，１４ｂの他端にそれぞれ接続されている。

以上の構成を有する半導体圧力センサ１において、ダイヤフラム部１０ａに圧力が加わるとダイヤフラム部１０ａに撓みが生ずる。すると、ダイヤフラム部１０ａの撓みに応じた応力が、ピエゾ抵抗１１（１１ａ，１１ｂ）、ピエゾ抵抗１２（１２ａ，１２ｂ）、ピエゾ抵抗１３（１３ａ，１３ｂ）、及びピエゾ抵抗１４（１４ａ，１４ｂ）に作用し、これにより抵抗値が変化する。このような抵抗値の変化が生ずると、金属配線５２，５４が接続された電圧出力端子間の電圧が変化し、この電圧出力端子間の電圧変化を検出することによってダイヤフラム部１０ａに加わる圧力を求めることができる。

ここで、ピエゾ抵抗と導電体膜との間の電位差について考察する。ここでは理解を容易にするために、電源電圧が４［Ｖ］であり、ピエゾ抵抗１１ａ，１１ｂ，１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂ，１４ａ，１４ｂの抵抗値が全て等しいものとする。従来の半導体圧力センサのように、導電体膜が全てのピエゾ抵抗を覆うように形成されている場合には、導電体膜とピエゾ抵抗との電位差は最大で電源電圧（４［Ｖ］）と同程度になる。これに対し、本実施形態では、ピエゾ抵抗に対応する導電体膜が個別に形成されており、対応するピエゾ抵抗の他端に接続されているため、導電体膜とピエゾ抵抗との電位差は最大で個々のピエゾ抵抗の電圧降下と同程度（１［Ｖ］）になり、従来よりも大幅に電位差を小さくすることができる。これにより、従来よりも測定誤差を低減することができる。

以上の通り、本実施形態では、ブリッジ回路ＢＲ１を構成するピエゾ抵抗１１ａ，１１ｂ，１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂ，１４ａ，１４ｂの各々に対応する導電体膜４１ａ，４１ｂ，４２ａ，４２ｂ，４３ａ，４３ｂ，４４ａ，４４ｂを絶縁膜３０上に個別に設けている。そして、これら導電体膜４１ａ，４１ｂ，４２ａ，４２ｂ，４３ａ，４３ｂ，４４ａ，４４ｂを、対応するピエゾ抵抗１１ａ，１１ｂ，１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂ，１４ａ，１４ｂの他端に接続するようにしている。これにより、ピエゾ抵抗と、対応する導電体膜との間の電位差を従来よりも小さくすることができ、従来よりも測定誤差を低減することが可能である。

また、本実施形態では、従来のように導電体膜が全てのピエゾ抵抗を覆うように形成されている訳ではなく、ピエゾ抵抗の各々を平面視で覆うように個別に形成されていることから、導電体膜とダイヤフラム部１０ａ（或いは、絶縁膜３０）との熱膨張係数の差によって生ずる応力を小さくすることができる。これによっても、測定誤差を低減することが可能である。

〔第２実施形態〕
図５は、本発明の第２実施形態で構成されるブリッジ回路を示す図である。尚、図５においては、図４に示す構成と同じものには同一の符号を付してある。図５に示す通り、本実施形態で構成されるブリッジ回路ＢＲ２は、図４に示すブリッジ回路ＢＲ１と同様に、ピエゾ抵抗１１（１１ａ，１１ｂ）、ピエゾ抵抗１２（１２ａ，１２ｂ）、ピエゾ抵抗１３（１３ａ，１３ｂ）、及びピエゾ抵抗１４（１４ａ，１４ｂ）が環状に接続され、ピエゾ抵抗１４，１１間に金属配線５１が接続され、ピエゾ抵抗１１，１２間に金属配線５２が接続され、ピエゾ抵抗１２，１３間に金属配線５３が接続され、ピエゾ抵抗１３，１４間に金属配線５４が接続された回路である。

但し、本実施形態で構成されるブリッジ回路ＢＲ２は、図４に示すブリッジ回路ＢＲ１とは異なり、導電体膜４１ａ，４１ｂ，４２ａ，４２ｂ，４３ａ，４３ｂ，４４ａ，４４ｂが、対応するピエゾ抵抗１１ａ，１１ｂ，１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂ，１４ａ，１４ｂの一端にそれぞれ接続されている。つまり、本実施形態では、図１に示す導電体膜４１〜４４が、金属配線５１〜５２に接続されておらず、拡散配線２１〜２４に接続されている点が、第１実施形態とは異なる。

具体的に、導電体膜４１（４１ａ，４１ｂ）は、金属配線５１，５２（配線部５１ｃ，５２ｂ）に接続されておらず、拡散配線２１（２１ｂ）に接続されている。また、導電体膜４２（４２ａ，４２ｂ）は、金属配線５２，５３（配線部５２ｃ，５３ｂ）に接続されておらず、拡散配線２２（２２ｂ）に接続されている。また、導電体膜４３（４３ａ，４３ｂ）は、金属配線５３，５４（配線部５３ｃ，５４ｂ）に接続されておらず、拡散配線２３（２３ｂ）に接続されている。また、導電体膜４４（４４ａ，４４ｂ）は、金属配線５４，５１（配線部５４ｃ，５１ｂ）に接続されておらず、拡散配線２４（２４ｂ）に接続されている。

以上の通り、本実施形態の半導体圧力センサは、ピエゾ抵抗１１ａ，１１ｂ，１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂ，１４ａ，１４ｂに対する導電体膜４１ａ，４１ｂ，４２ａ，４２ｂ，４３ａ，４３ｂ，４４ａ，４４ｂの接続点の位置が異なるだけで、基本的な構成は、第１実施形態の半導体圧力センサと同じである。このため、本実施形態においても、従来よりも測定誤差を低減することが可能である。

〔第３実施形態〕
図６は、本発明の第３実施形態で構成されるブリッジ回路を示す図である。尚、図６においても、図５と同様に、図４に示す構成と同じものには同一の符号を付してある。上述した第１，第２実施形態の半導体圧力センサは、ピエゾ抵抗１１〜１４が、一端が互いに接続されて近接配置された一対のピエゾ抵抗をそれぞれ備えおり、導電体膜４１〜４４が、ピエゾ抵抗１１〜１４が備える一対のピエゾ抵抗に対応して形成された一対の導電体膜をそれぞれ備えるものであった。これに対し、本実施形態の半導体圧力センサは、ピエゾ抵抗１１〜１４の各々が１つの素子からなり、これらピエゾ抵抗１１〜１４に対して導電体膜４１〜４４がそれぞれ設けられたものである。

このため、本実施形態で構成されるブリッジ回路ＢＲ３は、図６に示す通り、４つのピエゾ抵抗１１〜１４が環状に接続され、ピエゾ抵抗１４，１１間に金属配線５１が接続され、ピエゾ抵抗１１，１２間に金属配線５２が接続され、ピエゾ抵抗１２，１３間に金属配線５３が接続され、ピエゾ抵抗１３，１４間に金属配線５４が接続された回路である。導電体膜４１〜４４は、それぞれピエゾ抵抗１１〜１４に対応して設けられていればよく、ピエゾ抵抗１１〜１４に対する導電体膜４１〜４４の接続点の位置は任意である。

例えば、図６（ａ）に示す通り、導電体膜４１〜４４は、ピエゾ抵抗１１〜１４の一端に接続されていても良く、図６（ｂ）に示す通り、導電体膜４１〜４４は、ピエゾ抵抗１１〜１４の他端に接続されていても良い。図６（ａ）に示す例では、導電体膜４１，４４が金属配線５１に接続されて同電位になり、導電体膜４２，４３が金属配線５３に接続されて同電位になる。また、図６（ｂ）に示す例では、導電体膜４１，４２が金属配線５２に接続されて同電位になり、導電体膜４３，４４が金属配線５４に接続されて同電位になる。

また、図６（ｃ）に示す通り、導電体膜４１がピエゾ抵抗１１の一端に接続され、導電体膜４２がピエゾ抵抗１２の他端に接続され、導電体膜４３がピエゾ抵抗１３の一端に接続され、導電体膜４４がピエゾ抵抗１４の他端に接続されていても良い。図６（ｃ）に示す例では、導電体膜４１〜４４が異なる金属配線５１〜５４にそれぞれ接続されることになる。つまり、導電体膜４１が金属配線５１に接続され、導電体膜４２が金属配線５２に接続され、導電体膜４３が金属配線５３に接続され、導電体膜４４が金属配線５４に接続される。

以上の通り、本実施形態の半導体圧力センサは、ピエゾ抵抗１１〜１４が１つの素子からなり、これらピエゾ抵抗１１〜１４に対応して導電体膜４１〜４４がそれぞれ設けられたものである。このように、本実施形態の半導体圧力センサは、第１，第２実施形態の半導体圧力センサとは、ピエゾ抵抗及び導電体膜の数が異なるものの、ピエゾ抵抗の各々に対応して個別に導電体膜が形成されており、導電体膜が対応するピエゾ抵抗の一端又は他端に接続されている点においては、第１，第２実施形態と同様である。このため、本実施形態においても、従来よりも測定誤差を低減することが可能である。

〔第４実施形態〕
図７は、本発明の第４実施形態で構成されるブリッジ回路を示す図である。尚、図７においても、図５，図６と同様に、図４に示す構成と同じものには同一の符号を付してある。上述した第１〜第３実施形態の半導体圧力センサは何れも、１つのピエゾ抵抗に対応して１つの導電体膜が形成されているものであった。これに対し、本実施形態の半導体圧力センサは、１つのピエゾ抵抗に対応して複数の導電体膜が形成されているものである。

具体的に、第１，第２実施形態の半導体圧力センサでは、ピエゾ抵抗１１（１１ａ，１１ｂ）、ピエゾ抵抗１２（１２ａ，１２ｂ）、ピエゾ抵抗１３（１３ａ，１３ｂ）、及びピエゾ抵抗１４（１４ａ，１４ｂ）に対応して、導電体膜４１（４１ａ，４１ｂ）、導電体膜４２（４２ａ，４２ｂ）、導電体膜４３（４３ａ，４３ｂ）、及び導電体膜４４（４４ａ，４４ｂ）がそれぞれ形成されていた。また、第３実施形態では、ピエゾ抵抗１１〜１４に対して導電体膜４１〜４４がそれぞれ形成されていた。

これに対し、本実施形態の半導体圧力センサは、１つのピエゾ抵抗１１に対応して２つの導電体膜４１ａ，４１ｂからなる導電体膜４１が対応して形成されており、１つのピエゾ抵抗１２に対応して２つの導電体膜４２ａ，４２ｂからなる導電体膜４２が対応して形成されている。同様に、１つのピエゾ抵抗１３に対応して２つの導電体膜４３ａ，４３ｂからなる導電体膜４３が対応して形成されており、１つのピエゾ抵抗１４に対応して２つの導電体膜４４ａ，４４ｂからなる導電体膜４４が対応して形成されている。つまり、本実施形態の半導体圧力センサは、図４に示すブリッジ回路ＢＲ１を構成するピエゾ抵抗１１〜１４（一対のピエゾ抵抗をそれぞれ備えるピエゾ抵抗）を、図６に示す１つの素子からなるピエゾ抵抗１１〜１４に代えた構成である。

以上の通り、本実施形態の半導体圧力センサは、ピエゾ抵抗１１〜１４が１つの素子からなり、これらピエゾ抵抗１１〜１４に対応して複数の導電体膜がそれぞれ設けられたものである。このように、本実施形態の半導体圧力センサにおいても、ピエゾ抵抗の各々に対応して個別に導電体膜が形成されており、導電体膜が対応するピエゾ抵抗の一端又は他端に接続されている点においては、第１〜第３実施形態と同様である。このため、本実施形態においても、従来よりも測定誤差を低減することが可能である。

〔第５実施形態〕
図８は、本発明の第５実施形態で構成されるブリッジ回路を示す図である。尚、図８においても、図５〜図７と同様に、図４に示す構成と同じものには同一の符号を付してある。本実施形態の半導体圧力センサは、ピエゾ抵抗１１〜１４の各々に設けられるピエゾ抵抗の数、及び導電体膜４１〜４４の各々に設けられる導電体膜の数を、第１，第２実施形態よりも増加させたものである。具体的に、本実施形態の半導体圧力センサは、ピエゾ抵抗１１〜１４の各々に４つのピエゾ抵抗が設けられており、導電体膜４１〜４４の各々に４つの導電体膜が設けられている。

図８に示す通り、本実施形態で構成されるブリッジ回路ＢＲ５は、ピエゾ抵抗１１（１１ａ〜１１ｄ）、ピエゾ抵抗１２（１２ａ〜１２ｄ）、ピエゾ抵抗１３（１３ａ〜１３ｄ）、及びピエゾ抵抗１４（１４ａ〜１４ｄ）が環状に接続され、ピエゾ抵抗１４，１１間に金属配線５１が接続され、ピエゾ抵抗１１，１２間に金属配線５２が接続され、ピエゾ抵抗１２，１３間に金属配線５３が接続され、ピエゾ抵抗１３，１４間に金属配線５４が接続された回路である。

具体的に、ピエゾ抵抗１１ａ，１１ｂの一端は互いに接続されており、ピエゾ抵抗１１ｃ，１１ｄの一端は互いに接続されており、ピエゾ抵抗１１ｂの他端とピエゾ抵抗１１ｃの他端とが互いに接続されている。ピエゾ抵抗１２ａ，１２ｂの一端は互いに接続されており、ピエゾ抵抗１２ｃ，１２ｄの一端は互いに接続されており、ピエゾ抵抗１２ｂの他端とピエゾ抵抗１２ｃの他端とが互いに接続されている。

同様に、ピエゾ抵抗１３ａ，１３ｂの一端は互いに接続されており、ピエゾ抵抗１３ｃ，１３ｄの一端は互いに接続されており、ピエゾ抵抗１３ｂの他端とピエゾ抵抗１３ｃの他端とが互いに接続されている。ピエゾ抵抗１４ａ，１４ｂの一端は互いに接続されており、ピエゾ抵抗１４ｃ，１４ｄの一端は互いに接続されており、ピエゾ抵抗１４ｂの他端とピエゾ抵抗１４ｃの他端とが互いに接続されている。

また、図８に示すブリッジ回路ＢＲ５では、ピエゾ抵抗１１（１１ａ〜１１ｄ）、ピエゾ抵抗１２（１２ａ〜１２ｄ）、ピエゾ抵抗１３（１３ａ〜１３ｄ）、及びピエゾ抵抗１４（１４ａ〜１４ｄ）に対応して、導電体膜４１（４１ａ〜４１ｄ）、導電体膜４２（４２ａ〜４２ｄ）、導電体膜４３（４３ａ〜４３ｄ）、及び導電体膜４４（４４ａ〜４４ｄ）がそれぞれ設けられている。そして、導電体膜４１ａ〜４１ｄ，４２ａ〜４２ｄ，４３ａ〜４３ｄ，４４ａ〜４４ｄは、対応するピエゾ抵抗１１ａ〜１１ｄ，１２ａ〜１２ｄ，１３ａ〜１３ｄ，１４ａ〜１４ｄの他端にそれぞれ接続されている。

図９は、本発明の第５実施形態による半導体圧力センサの要部構成を示す平面図であり、図２に相当するものである。尚、図９においては、図２に示す構成と同じものには同一の符号を付してある。前述の通り、本実施形態の半導体圧力センサは、ピエゾ抵抗１１〜１４の各々に設けられるピエゾ抵抗の数、及び導電体膜４１〜４４の各々に設けられる導電体膜の数を、第１実施形態の２倍にしたものである。このため、図１中の符号Ｘで指し示されている部分の構成は、図９に示す通り、概ね図２に示す構成をＸ方向に２つ並べたものになっている。

具体的に、ピエゾ抵抗１１に設けられたピエゾ抵抗１１ａ〜１１ｄはいずれも、Ｙ方向に延びるように（長手方向が同じ方向になるように）形成されており、これらピエゾ抵抗１１ａ〜１１ｄは、Ｘ方向に並べて配列されている。拡散配線２１は、ピエゾ抵抗１１ａの他端に接続された拡散配線２１ａ、ピエゾ抵抗１１ａ，１１ｂの一端を互いに接続する拡散配線２１ｂ、及びピエゾ抵抗１１ｂの他端に接続された拡散配線２１ｃ、ピエゾ抵抗１１ｃの他端に接続された拡散配線２１ｄ、ピエゾ抵抗１１ｃ，１１ｄの一端を互いに接続する拡散配線２１ｅ、及びピエゾ抵抗１１ｄの他端に接続された拡散配線２１ｆからなる。

導電体膜４１は、ピエゾ抵抗１１ａに対応し、ピエゾ抵抗１１ａを平面視で覆うように形成された導電体膜４１ａと、ピエゾ抵抗１１ｂに対応し、ピエゾ抵抗１１ｂを平面視で覆うように形成された導電体膜４１ｂと、ピエゾ抵抗１１ｃに対応し、ピエゾ抵抗１１ｃを平面視で覆うように形成された導電体膜４１ｃと、ピエゾ抵抗１１ｄに対応し、ピエゾ抵抗１１ｄを平面視で覆うように形成された導電体膜４１ｄとを備える。尚、導電体膜４１ｂと導電体膜４１ｃとは、−Ｙ側の端部が接続されている。

これら導電体膜４１ａ〜４１ｄは何れも、対応するピエゾ抵抗１１ａ〜１１ｄの他端にそれぞれ接続される。具体的に、導電体膜４１ａは、金属配線５１及び拡散配線２１ａを介して対応するピエゾ抵抗１１ａの他端に接続され、導電体膜４１ｂ，４１ｃは、金属配線５５及び拡散配線２１ｃ，２１ｄを介して対応するピエゾ抵抗１１ｂ，１１ｃの他端にそれぞれ接続され、導電体膜４１ｄは、金属配線５２及び拡散配線２１ｆを介して対応するピエゾ抵抗１１ｄの他端に接続される。尚、上記の金属配線５５は、拡散配線２１ｃ、拡散配線２１ｄ、及び導電体膜４１ｂ，４１ｃを接続するために、絶縁膜３０上に形成された配線である。

以上の通り、本実施形態の半導体圧力センサは、ピエゾ抵抗１１〜１４の各々に設けられるピエゾ抵抗の数、及び導電体膜４１〜４４の各々に設けられる導電体膜の数が異なるだけで、基本的な構成は、第１実施形態の半導体圧力センサと同じである。このため、本実施形態においても、従来よりも測定誤差を低減することが可能である。

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に制限されることなく、本発明の範囲内で自由に変更が可能である。例えば、上述した実施形態では、ダイヤフラム部１０ａの平面視形状が矩形形状である半導体圧力センサ１を例に挙げて説明したが、ダイヤフラム部１０ａの平面視形状は矩形形状に制限されることはなく、任意の形状（例えば、円形形状）であって良い。

また、上述した実施形態では、ピエゾ抵抗１１〜１４の表面及び拡散配線２１〜２４の表面を含む半導体基板１０の表面の全面に亘って絶縁膜３０が形成されている例について説明した。しかしながら、ダイヤフラム部１０ａの上方（ピエゾ抵抗１１〜１４、拡散配線２１〜２４、及び導電体膜４１〜４４が形成された部分を除く）の絶縁膜３０は省かれていても良い。

１…半導体圧力センサ、１０…半導体基板、１０ａ…ダイヤフラム部、１１〜１４…ピエゾ抵抗、１１ａ〜１１ｄ…ピエゾ抵抗、１２ａ〜１２ｄ…ピエゾ抵抗、１３ａ〜１３ｄ…ピエゾ抵抗、１４ａ〜１４ｄ…ピエゾ抵抗、２１〜２４…拡散配線、３０…絶縁膜、４１〜４４…導電体膜、４１ａ〜４１ｄ…導電体膜、４２ａ〜４２ｄ…導電体膜、４３ａ〜４３ｄ…導電体膜、４４ａ〜４４ｄ…導電体膜、５１〜５４…金属配線、ＢＲ１〜ＢＲ５…ブリッジ回路、ＣＮ…コンタクト部

Claims (7)

1. ダイヤフラム部を有する半導体基板と、前記ダイヤフラム部表面に形成された複数のピエゾ抵抗と、前記複数のピエゾ抵抗を接続してブリッジ回路を構成する配線とを備える半導体圧力センサにおいて、
   前記ピエゾ抵抗の表面を含む前記半導体基板の表面を覆うように形成された絶縁膜と、
   前記複数のピエゾ抵抗の各々に対応して前記絶縁膜上に個別に形成され、対応する前記ピエゾ抵抗の一端又は他端に接続される半導体からなる複数の導電体膜と
   を備え、
   前記配線は、前記絶縁膜上であって、平面視で前記ダイヤフラム部の外側に形成された金属配線である第１配線と、前記ダイヤフラム部表面に形成されており、前記絶縁膜に形成されたコンタクト部を介して前記第１配線に接続される拡散配線である第２配線とを備え、
   前記導電体膜は、前記絶縁膜上において、対応する前記ピエゾ抵抗の一端又は他端に接続される前記第１配線に延びて前記第１配線を突き抜けるように形成されている
   ことを特徴とする半導体圧力センサ。
2. 前記導電体膜は、前記コンタクト部と接触しないことを特徴とする請求項１記載の半導体圧力センサ。
3. 前記導電体膜は、対応する前記ピエゾ抵抗を平面視で覆うように前記絶縁膜上に形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の半導体圧力センサ。
4. 前記ピエゾ抵抗は、１つのピエゾ抵抗体をそれぞれ備えており、
   前記導電体膜は、前記１つのピエゾ抵抗体に対して複数設けられている、
   ことを特徴とする請求項１から請求項３の何れか一項に記載の半導体圧力センサ。
5. 前記ピエゾ抵抗は、一端が互いに接続された第１ピエゾ抵抗体と第２ピエゾ抵抗体とをそれぞれ備えており、
   前記導電体膜は、前記第１ピエゾ抵抗体に対応して形成された第１導電体膜と、前記第２ピエゾ抵抗体に対応して形成された第２導電体膜とをそれぞれ備える
   ことを特徴とする請求項１から請求項３の何れか一項に記載の半導体圧力センサ。
6. 前記ピエゾ抵抗は、第１ピエゾ抵抗体と、一端が前記第１ピエゾ抵抗体の一端に接続された第２ピエゾ抵抗体と、他端が前記第２ピエゾ抵抗体の他端に接続された第３ピエゾ抵抗体と、一端が前記第３ピエゾ抵抗体の一端に接続された第４ピエゾ抵抗体とをぞれぞれ備えており、
   前記導電体膜は、前記第１ピエゾ抵抗体に対応して形成された第１導電体膜と、前記第２ピエゾ抵抗体に対応して形成された第２導電体膜と、前記第３ピエゾ抵抗体に対応して形成されて前記第２導電体膜に接続される第３導電体膜と、前記第４ピエゾ抵抗体に対応して形成された第４導電体膜とをそれぞれ備える
   ことを特徴とする請求項１から請求項３の何れか一項に記載の半導体圧力センサ。
7. 前記絶縁膜上であって、平面視で前記ダイヤフラム部の外側に形成され、前記第２ピエゾ抵抗体と前記第３ピエゾ抵抗体との他端を互いに接続するとともに、前記前記第２導電体膜及び前記第３導電体膜が接続される金属配線である第３配線を備えることを特徴とする請求項６記載の半導体圧力センサ。

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