JP6426407B2 - Wafer processing method - Google Patents
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Description
本発明は、半導体基板の表面に積層されたＬｏｗ−ｋ膜に格子状に形成された複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの加工方法に関する。 The present invention relates to a method of processing a wafer in which devices are formed in a plurality of areas divided by a plurality of planned dividing lines formed in a grid shape on a Low-k film stacked on the surface of a semiconductor substrate.
当業者には周知の如く、半導体デバイス製造工程においては、シリコン等の半導体基板の表面に絶縁膜と機能膜が積層された機能層によって複数のＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスをマトリックス状に形成した半導体ウエーハが形成される。このように形成された半導体ウエーハは上記デバイスが格子状に形成された分割予定ラインによって区画されており、この分割予定ラインに沿って分割することによって個々の半導体デバイスを製造している。 As well known to those skilled in the art, in a semiconductor device manufacturing process, a semiconductor in which a plurality of devices such as IC and LSI are formed in a matrix by a functional layer in which an insulating film and a functional film are laminated on the surface of a semiconductor substrate such as silicon. A wafer is formed. In the semiconductor wafer thus formed, the above-mentioned devices are partitioned by planned dividing lines formed in a lattice, and individual semiconductor devices are manufactured by dividing along the planned dividing lines.
近時においては、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体チップの処理能力を向上するために、シリコン等の半導体基板の表面にＳｉＯＦ、ＢＳＧ（ＳｉＯＢ）等の無機物系の膜やポリイミド系、パリレン系等のポリマー膜である有機物系の膜からなる低誘電率絶縁体被膜と銅、アルミニウム等の金属箔とが絡み合うように積層された積層体によってデバイスを形成せしめた形態の半導体ウエーハが実用化されている。このように低誘電率絶縁体被膜と銅、アルミニウム等の金属箔とが絡み合うように積層された積層体はＬｏｗ−ｋ膜と呼ばれ、このＬｏｗ−ｋ膜は分割予定ラインにも積層されている。 Recently, in order to improve the processing capability of semiconductor chips such as ICs and LSIs, inorganic films such as SiOF and BSG (SiOB), and polymers such as polyimides and parylenes on the surface of a semiconductor substrate such as silicon A semiconductor wafer in which a device is formed by a laminated body in which a low dielectric constant insulator film made of an organic material film, which is a film, and a metal foil of copper, aluminum, etc. are entangled is in practical use. A laminate in which the low dielectric insulator film and the metal foil of copper, aluminum, etc. are intertwined in this way is called a low-k film, and this low-k film is also laminated on the dividing lines. There is.
このような半導体ウエーハの分割予定ラインに沿った分割は、通常、ダイサーと呼ばれている切削装置によって行われている。この切削装置は、被加工物である半導体ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された半導体ウエーハを切削するための切削手段と、チャックテーブルと切削手段とを相対的に移動せしめる移動手段とを具備している。切削手段は、高速回転せしめられる回転スピンドルと該スピンドルに装着された切削ブレードを含んでいる。切削ブレードは円盤状の基台と該基台の側面外周部に装着された環状の切れ刃からなっており、切れ刃は例えば粒径３μｍ程度のダイヤモンド砥粒を電鋳によって固定して形成されている。 Such division along a planned dividing line of a semiconductor wafer is usually performed by a cutting device called a dicer. The cutting apparatus includes a chuck table for holding a semiconductor wafer as a workpiece, a cutting means for cutting the semiconductor wafer held by the chuck table, and a movement for relatively moving the chuck table and the cutting means. And means. The cutting means includes a rotating spindle which is rotated at high speed and a cutting blade mounted on the spindle. The cutting blade consists of a disk-shaped base and an annular cutting edge mounted on the outer periphery of the side surface of the base. The cutting edge is formed, for example, by electroforming a diamond abrasive having a particle size of about 3 μm. ing.
しかるに、上述したＬｏｗ−ｋ膜は、切削ブレードによって切削することが困難である。即ち、Ｌｏｗ−ｋ膜は雲母のように非常に脆いことから、切削ブレードにより分割予定ラインに沿って切削すると、Ｌｏｗ−ｋ膜が剥離し、この剥離が回路にまで達しデバイスに致命的な損傷を与えるという問題がある。 However, the low-k film described above is difficult to cut by the cutting blade. That is, since the low-k film is very fragile like mica, when the cutting blade cuts along the planned dividing line, the low-k film peels, and the peeling reaches the circuit and fatal damage to the device There is a problem of giving
上記問題を解消するために、半導体ウエーハに形成された分割予定ライン沿ってレーザー光線を照射し、分割予定ラインに沿ってレーザー加工溝を形成することによってＬｏｗ−ｋ膜を除去して分断し、このレーザー加工溝に切削ブレードを位置付けて切削ブレードと半導体ウエーハを相対移動することにより、半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切断するウエーハの分割方法が下記特許文献１に開示されている。 In order to solve the above problems, the low-k film is removed and divided by irradiating a laser beam along the planned dividing line formed on the semiconductor wafer and forming a laser processing groove along the planned dividing line. The following Patent Document 1 discloses a wafer dividing method of cutting a semiconductor wafer along a planned dividing line by positioning a cutting blade in a laser processing groove and moving the cutting blade and the semiconductor wafer relative to each other.
しかるに、上述したように半導体ウエーハに形成された分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射し、分割予定ラインに沿ってＬｏｗ−ｋ膜を除去するレーザー加工溝を形成すると、基板にレーザー加工溝に沿って歪が残存し、デバイスの抗折強度が低下するという問題がある。
また、半導体ウエーハの分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射すると、照射された領域に熱エネルギーが集中してデブリが発生し、このデブリがデバイスの表面に付着してデバイスの品質を低下させることから、半導体ウエーハの表面にポリビニルアルコール等の保護膜を被覆し、保護膜を通して半導体ウエーハにレーザー光線を照射するようにしている（例えば、特許文献２参照）。
However, as described above, when the laser beam is irradiated along the planned dividing line formed on the semiconductor wafer and the laser processing groove for removing the Low-k film is formed along the planned dividing line, the laser processing groove is formed on the substrate. As a result, distortion remains and there is a problem that the bending strength of the device is reduced.
In addition, when a laser beam is irradiated along a planned dividing line of a semiconductor wafer, thermal energy is concentrated in the irradiated area to generate debris, and this debris adheres to the surface of the device to deteriorate the quality of the device. A protective film of polyvinyl alcohol or the like is coated on the surface of the semiconductor wafer, and the semiconductor wafer is irradiated with a laser beam through the protective film (see, for example, Patent Document 2).
而して、上記特許文献２に開示された技術においては、半導体ウエーハの表面に保護膜を被覆する工程を実施しなければならず、生産性が悪いとともに、設備費が嵩むという問題がある。 Thus, in the technique disclosed in Patent Document 2, the process of coating the surface of the semiconductor wafer with a protective film has to be performed, and there is a problem that the productivity is poor and the equipment cost is increased.
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、ウエーハに形成された分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射してＬｏｗ−ｋ膜を分断することなく、分割予定ラインに沿って直接切削ブレードによってＬｏｗ−ｋ膜を切削しても、Ｌｏｗ−ｋ膜を剥離することなく分断することができるウエーハの加工方法を提供することである。 The present invention has been made in view of the above-mentioned facts, and the main technical problem is to divide the Low-k film without dividing it by irradiating the laser beam along the dividing line formed on the wafer. It is an object of the present invention to provide a method of processing a wafer which can be cut without peeling off the low-k film even if the low-k film is cut directly by a cutting blade along the same.
上記主たる技術的課題を解決するため、本発明によれば、半導体基板の表面に積層されたＬｏｗ−ｋ膜に格子状に形成された複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの加工方法であって、
切削装置の被加工物保持手段にウエーハの裏面側を保持するウエーハ保持工程と、
該被加工物保持手段に保持されたウエーハの分割予定ラインに外周に切れ刃を有し高速回転する切削ブレードを位置付けて、該被加工物保持手段と該切削ブレードを相対的に加工送りすることにより、少なくともＬｏｗ−ｋ膜を分割予定ラインに沿って分断するＬｏｗ−ｋ膜切削工程と、を含み、
該Ｌｏｗ−ｋ膜切削工程においては、有機酸と酸化剤を含有した切削水が該切削ブレードの切れ刃によるＬｏｗ−ｋ膜の切削領域に対して直接供給される、
ことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
In order to solve the above-mentioned main technical problems, according to the present invention, a device is provided in a plurality of areas divided by a plurality of planned dividing lines formed in a grid shape on a Low-k film stacked on the surface of a semiconductor substrate. A processing method of the formed wafer,
A wafer holding step of holding the back side of the wafer in the workpiece holding means of the cutting device;
Positioning a cutting blade having a cutting edge on the outer periphery at a planned dividing line of a wafer held by the workpiece holding means and rotating at high speed, and relatively machining-feed the workpiece holding means and the cutting blade Low-k film cutting process for dividing at least the low-k film along a planned dividing line by
The In Low-k film cutting step, cutting water containing an organic acid oxidant is supplied directly against the cutting area of the Low-k film by the cutting edge of the cutting blade,
A method of processing a wafer is provided.
上記切削水には、防食剤が混入されていることが望ましい。
上記Ｌｏｗ−ｋ膜切削工程は、Ｌｏｗ−ｋ膜とともに半導体基板を分割予定ラインに沿って切断する。
また、上記Ｌｏｗ−ｋ膜切削工程を実施した後に、Ｌｏｗ−ｋ膜が分断され分割予定ラインに沿って露出された半導体基板を分割予定ラインに沿って切断する切断工程を実施する。
It is desirable that an anticorrosive be mixed in the cutting water.
In the low-k film cutting step, the semiconductor substrate is cut along the planned dividing line together with the low-k film.
In addition, after the low-k film cutting process is performed, a cutting process is performed to cut the semiconductor substrate which is divided along the low-k film and exposed along the planned dividing line along the planned dividing line.
本発明によるウエーハの加工方法においては、被加工物保持手段に保持されたウエーハの分割予定ラインに外周に切れ刃を有し高速回転する切削ブレードを位置付けて、被加工物保持手段と切削ブレードを相対的に加工送りすることにより、少なくともＬｏｗ−ｋ膜を分割予定ラインに沿って分断するＬｏｗ−ｋ膜切削工程は、有機酸と酸化剤を含有した切削水が切削ブレードの切れ刃によるＬｏｗ−ｋ膜の切削領域に対して直接供給されるので、切削水に含まれる酸化剤によってＬｏｗ−ｋ膜を構成する金属箔が改質されて延性が抑えられことに加え、有機酸によって金属箔が脆くなり加工性が促進されるため、Ｌｏｗ−ｋ膜は剥離することなく切断される。 In the method of processing a wafer according to the present invention, a cutting blade having a cutting edge on the outer periphery and positioned at high speed and rotating at a planned dividing line of the wafer held by the workpiece holding means is positioned to rotate the workpiece holding means and the cutting blade. by relatively processing feed, Low-k film cutting step of cutting along the dividing line at least Low-k film, cutting water containing an organic acid oxidizer by cutting edge of the cutting blade Low- since fed directly against the cutting region of k film, a metal foil constituting the Low-k film is reformed by oxidation agent contained in the cutting water in addition to the ductility is suppressed, a metal foil with an organic acid The low-k film is cut without peeling because it becomes brittle and the processability is promoted.
以下、本発明によるウエーハの加工方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して、更に詳細に説明する。 Hereinafter, preferred embodiments of a method of processing a wafer according to the present invention will be described in more detail with reference to the attached drawings.
図１には、本発明によるウエーハの加工方法を実施するための切削装置の斜視図が示されている。図１に示す切削装置１は、略直方体状の装置ハウジング２を具備している。この装置ハウジング２内には、被加工物を保持する被加工物保持手段としてのチャックテーブル３が切削送り方向である矢印Ｘで示す方向（Ｘ軸方向）に移動可能に配設されている。チャックテーブル３は、吸着チャック支持台３１と、該吸着チャック支持台３１上に配設された吸着チャック３２を具備しており、該吸着チャック３２の上面である保持面上に被加工物を図示しない吸引手段を作動することによって吸引保持するようになっている。また、チャックテーブル３は、図示しない回転機構によって回転可能に構成されている。なお、チャックテーブル３には、被加工物として後述するウエーハをダイシングテープを介して支持する環状のフレームを固定するためのクランプ３３が配設されている。このように構成されたチャックテーブル３は、図示しない切削送り手段によって、矢印Ｘで示す加工送り方向（Ｘ軸方向）に移動せしめられるようになっている。 FIG. 1 shows a perspective view of a cutting apparatus for carrying out the method of processing a wafer according to the present invention. The cutting device 1 shown in FIG. 1 has a substantially rectangular parallelepiped device housing 2. In the device housing 2, a chuck table 3 as a workpiece holding means for holding a workpiece is disposed movably in a direction (X-axis direction) indicated by an arrow X which is a cutting feed direction. The chuck table 3 comprises a suction chuck support 31 and a suction chuck 32 disposed on the suction chuck support 31. A workpiece is shown on a holding surface which is the upper surface of the suction chuck 32. Suction is held by operating the suction means. Further, the chuck table 3 is configured to be rotatable by a rotating mechanism (not shown). The chuck table 3 is provided with a clamp 33 for fixing an annular frame for supporting a wafer, which will be described later as a workpiece, through a dicing tape. The chuck table 3 configured in this way is moved in the processing feed direction (X-axis direction) indicated by the arrow X by a cutting feed unit (not shown).
図１に示す切削装置１は、切削手段としてのスピンドルユニット４を具備している。スピンドルユニット４は、加工送り方向（Ｘ軸方向）と直交する矢印Yで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に沿って配設されている。スピンドルユニット４は、図示しない割り出し送り手段によって割り出し送り方向（Y軸方向）に移動せしめられるとともに、図示しない切り込み送り手段によって図１において矢印Ｚで示す切り込み送り方向（Ｚ軸方向）に移動せしめられるようになっている。このスピンドルユニット４は、図示しない移動基台に装着され割り出し方向（Y軸方向）および切り込み方向（Ｚ軸方向）に移動調整されるスピンドルハウジング４１と、該スピンドルハウジング４１に回転自在に支持された回転スピンドル４２と、該回転スピンドル４２の前端部に装着された切削ブレード４３とを具備している。回転スピンドル４２は、図示しないサーボモータによって回転せしめられるように構成されている。上記切削ブレード４３は、例えば図２に示すようにアルミニウムによって形成された円盤状の基台４３１と、該基台４３１の外周部側面にダイヤモンド砥粒をニッケルメッキで固めて厚さが例えば５０μmに形成された環状の切刃４３２からなっている。 The cutting device 1 shown in FIG. 1 includes a spindle unit 4 as a cutting means. The spindle unit 4 is disposed along an indexing feed direction (Y axis direction) indicated by an arrow Y orthogonal to the machining feed direction (X axis direction). The spindle unit 4 is moved in the indexing feed direction (Y-axis direction) by the indexing feed means not shown, and is moved in the feed direction (Z-axis direction) shown by the arrow Z in FIG. It is supposed to be. The spindle unit 4 is mounted on a moving base (not shown), and is rotatably supported by the spindle housing 41 and a spindle housing 41 which is moved and adjusted in an indexing direction (Y axis direction) and a cutting direction (Z axis direction). A rotating spindle 42 and a cutting blade 43 mounted on the front end of the rotating spindle 42 are provided. The rotating spindle 42 is configured to be rotated by a servomotor (not shown). The cutting blade 43 has a disk-like base 431 made of aluminum as shown in FIG. 2 for example, and a diamond abrasive grain is nickel-plated on the side surface of the outer periphery of the base 431 to a thickness of 50 μm. It consists of a formed annular cutting edge 432.
上記スピンドルハウジング４１の前端部には、切削ブレード４３の上半部を覆うブレードカバー４４が取り付けられている。ブレードカバー４４は、図示の実施形態においてはスピンドルハウジング４１に装着された第１のカバー部材４４１と、該第１のカバー部材４４１に装着される第２のカバー部材４４２とからなっている。第１のカバー部材４４１は、一端部が切削ブレード４３側に突出して形成された前カバー部４４１aを備えている。また、第１のカバー部材４４１の側面には雌ネジ穴４４１bと２個の位置決めピン４４１cが設けられており、第２のカバー部材４４２には上記雌ネジ穴４４１bと対応する位置に挿通穴４４２aが設けられている。また、第２のカバー部材４４２の第１のカバー部材４４１と対向する面には、上記２個の位置決めピン４４１cが嵌合する図示しない２個の凹部が形成されている。このように構成された第１のカバー部材４４１と第２のカバー部材４４２は、第２のカバー部材４４２に形成された図示しない２個の凹部を第１のカバー部材４４１に設けられた２個の位置決めピン４４１cに嵌合することによって位置決めする。そして、締結ボルト４４３を第２のカバー部材４４２の挿通穴４４２aに挿通し、第１のカバー部材４４１に設けられた雌ネジ穴４４１bと螺合することにより、第２のカバー部材４４２を第１のカバー部材４４１に装着する。 At the front end of the spindle housing 41, a blade cover 44 covering the upper half of the cutting blade 43 is attached. The blade cover 44 comprises a first cover member 441 mounted to the spindle housing 41 in the illustrated embodiment, and a second cover member 442 mounted to the first cover member 441. The first cover member 441 includes a front cover portion 441 a having one end projecting toward the cutting blade 43. Also, a female screw hole 441b and two positioning pins 441c are provided on the side surface of the first cover member 441, and the second cover member 442 has an insertion hole 442a at a position corresponding to the female screw hole 441b. Is provided. Further, on the surface of the second cover member 442 opposed to the first cover member 441, two not-shown concave portions in which the two positioning pins 441c are fitted are formed. The first cover member 441 and the second cover member 442 configured in this way have two recesses (not shown) formed in the second cover member 442 provided in the first cover member 441. Positioning by fitting to the positioning pin 441c of Then, the fastening bolt 443 is inserted into the insertion hole 442 a of the second cover member 442 and screwed with the female screw hole 441 b provided in the first cover member 441, thereby the first cover member 442 is firstly The cover member 441 of FIG.
図２を参照して説明を続けると、図示の実施形態における切削装置１は、上記切削ブレード４３の環状の切刃４３２による切削加工部に切削水を供給する切削水供給機構５を具備している。この切削水供給機構５は、上記ブレードカバー４４を構成する第１のカバー部材４４１および第２のカバー部材４４２に配設された第１の切削水供給管５１１および第２の切削水供給管５１２と、該第１の切削水供給管５１１および第２の切削水供給管５１２に切削水を送給する切削水送給手段５２と、上記第１の切削水供給管５１１および第２の切削水供給管５１２にそれぞれ接続された第１の切削水供給ノズル５３１および第２の切削水供給ノズル５３２を具備している。 Continuing with the description with reference to FIG. 2, the cutting device 1 in the illustrated embodiment has a cutting water supply mechanism 5 that supplies cutting water to the cutting portion by the annular cutting edge 432 of the cutting blade 43. There is. The cutting water supply mechanism 5 includes a first cutting water supply pipe 511 and a second cutting water supply pipe 512 disposed on the first cover member 441 and the second cover member 442 constituting the blade cover 44. A cutting water supply means 52 for supplying cutting water to the first cutting water supply pipe 511 and the second cutting water supply pipe 512; the first cutting water supply pipe 511 and the second cutting water A first cutting water supply nozzle 531 and a second cutting water supply nozzle 532 respectively connected to the supply pipe 512 are provided.
第１の切削水供給管５１１および第２の切削水供給管５１２は、それぞれ上記ブレードカバー４４を構成する第１のカバー部材４４１および第２のカバー部材４４２に配設されており、その上端が切削水送給手段５２に接続され、その下端にはそれぞれ第１の切削水供給ノズル５３１および第２の切削水供給ノズル５３２が接続される。 The first cutting water supply pipe 511 and the second cutting water supply pipe 512 are disposed on the first cover member 441 and the second cover member 442 that constitute the blade cover 44, respectively, and the upper end thereof is The first cutting water supply nozzle 531 and the second cutting water supply nozzle 532 are connected to the lower end of the cutting water supply means 52, respectively.
上記切削水送給手段５２は、切削水を構成するための純水を貯留する純水貯留タンク５２１と、有機酸を貯留するための有機酸貯留タンク５２２と、酸化剤を貯留するための酸化剤貯留タンク５２３と、防食剤を貯留するための防食剤貯留タンク５２４を具備している。純水貯留タンク５２１には、従来一般に切削水として用いられている純水が貯留される。 The cutting water feed means 52 includes a pure water storage tank 521 for storing pure water for forming cutting water, an organic acid storage tank 522 for storing an organic acid, and an oxidation for storing an oxidizing agent. An agent storage tank 523 and an anticorrosive storage tank 524 for storing an anticorrosive are provided. The pure water storage tank 521 stores pure water conventionally used as cutting water.
上記有機酸貯留タンク５２２には、有機酸として用いることのできるアミノ酸、アミノポリ酸、カルボン酸が貯留される。
有機酸として用いることのできるアミノ酸としては、グリシン、ジヒドロキシエチルグリシン、グリシルグリシン、ヒドロキシエチルグリシン、Ｎ−メチルグリシン、β−アラニン、Ｌ−アラニン、Ｌ−２−アミノ酪酸、Ｌ−ノルバリン、Ｌ−バリン、Ｌ−ロイシン、Ｌ−ノルロイシン、Ｌ−アロイソロイシン、Ｌ−イソロイシン、Ｌ−フェニルアラニン、Ｌ−プロリン、サルコシン、Ｌ−オルニチン、Ｌ−リシン、タウリン、Ｌ−セリン、Ｌ−トレオニン、Ｌ−アロトレオニン、Ｌ−ホモセリン、Ｌ−チロキシン、Ｌ−チロシン、３，５−ジヨード−Ｌ−チロシン、β−（３，４−ジヒドロキシフェニル）−Ｌ−アラニン、４−ヒドロキシ−Ｌ−プロリン、Ｌ−システィン、Ｌ−メチオニン、Ｌ−エチオニン、Ｌ−ランチオニン、Ｌ−シスタチオニン、Ｌ−シスチン、Ｌ−システィン酸、Ｌ−グルタミン酸、Ｌ−アスパラギン酸、Ｓ−（カルボキシメチル）−Ｌ−システィン、４−アミノ酪酸、Ｌ−アスパラギン、Ｌ−グルタミン、アザセリン、Ｌ−カナバニン、Ｌ−シトルリン、Ｌ−アルギニン、δ−ヒドロキシ−Ｌ−リシン、クレアチン、Ｌ−キヌレニン、Ｌ−ヒスチジン、１−メチル−Ｌ−ヒスチジン、３−メチル−Ｌ−ヒスチジン、Ｌ−トリプトファン、アクチノマイシンＣ１、エルゴチオネイン、アパミン、アンギオテンシンＩ、アンギオテンシンＩＩ及びアンチパイン等が挙げられる。中でも、グリシン、Ｌ−アラニン、Ｌ−プロリン、Ｌ−ヒスチジン、Ｌ−リシン、ジヒドロキシエチルグリシンが好ましい。
In the organic acid storage tank 522, amino acids, aminopoly acids and carboxylic acids that can be used as organic acids are stored.
Examples of amino acids that can be used as organic acids include glycine, dihydroxyglycine, glycylglycine, hydroxyethylglycine, N-methylglycine, β-alanine, L-alanine, L-2-aminobutyric acid, L-norvaline, L -Valine, L-leucine, L-norleucine, L-alloisoleucine, L-isoleucine, L-phenylalanine, L-proline, sarcosine, L-ornithine, L-lysine, taurine, L-serine, L-threonine, L- Allothreonine, L-homoserine, L-thyroxine, L-tyrosine, 3,5-diiodo-L-tyrosine, β- (3,4-dihydroxyphenyl) -L-alanine, 4-hydroxy-L-proline, L- Cysteine, L-methionine, L-ethionine, L-lanthionine, L-cysta Thionine, L-cystine, L-cysteine acid, L-glutamic acid, L-aspartic acid, S- (carboxymethyl) -L-cysteine, 4-aminobutyric acid, L-asparagine, L-glutamine, azaserine, L-canavanine, L-citrulline, L-arginine, δ-hydroxy-L-lysine, creatine, L-kynurenine, L-histidine, 1-methyl-L-histidine, 3-methyl-L-histidine, L-tryptophan, actinomycin C1, Ergotionein, apamin, angiotensin I, angiotensin II, antipain and the like can be mentioned. Among them, glycine, L-alanine, L-proline, L-histidine, L-lysine and dihydroxyethyl glycine are preferable.
また、有機酸として用いることのできるアミノポリ酸としては、イミノジ酢酸、ニトリロ三酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、エチレンジアミン四酢酸、ヒドロキシエチルイミノジ酢酸、ニトリロトリスメチレンホスホン酸、エチレンジアミン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチレンスルホン酸、１，２−ジアミノプロパン四酢酸、グリコールエーテルジアミン四酢酸、トランスシクロヘキサンジアミン四酢酸、エチレンジアミンオルトヒドロキシフェニル酢酸、エチレンジアミンジ琥珀酸（ＳＳ体）、β−アラニンジ酢酸、Ｎ−（２−カルボキシラートエチル）−Ｌ−アスパラギン酸、Ｎ，Ｎ’−ビス（２−ヒドロキシベンジル）エチレンジアミン−Ｎ，Ｎ’−ジ酢酸等が挙げられる。 Moreover, as an aminopoly acid which can be used as an organic acid, iminodiacetic acid, nitrilotriacetic acid, diethylenetriaminepentaacetic acid, ethylenediaminetetraacetic acid, hydroxyethyl iminodiacetic acid, nitrilotris methylene phosphonic acid, ethylenediamine-N, N, N ', N'-Tetramethylene sulfonic acid, 1,2-Diaminopropane tetraacetic acid, glycol ether diamine tetraacetic acid, trans cyclohexane diamine tetraacetic acid, ethylenediamine orthohydroxyphenylacetic acid, ethylenediaminediboric acid (SS form), β-alanine diacetic acid, N -(2-carboxylate ethyl) -L-aspartic acid, N, N'-bis (2-hydroxybenzyl) ethylenediamine-N, N'-diacetic acid and the like.
また、有機酸として用いることのできるカルボン酸としては、ギ酸、グリコール酸、プロピオン酸、酢酸、酪酸、吉薬酸、ヘキサン酸、シュウ酸、マロン酸、グルタル酸、アジピン酸、リンゴ酸、コハク酸、ピメリン酸、メルカプト酢酸、グリオキシル酸、クロロ酢酸、ピルビン酸、アセト酢酸、グルタル酸等の飽和カルボン酸や、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、フマル酸、マレイン酸、メサコン酸、シトラコン酸、アコニット酸等の不飽和カルボン酸、安息香酸類、トルイル酸、フタル酸類、ナフトエ酸類、ピロメット酸、ナフタル酸等の環状不飽和カルボン酸等が挙げられる。 Moreover, as a carboxylic acid that can be used as an organic acid, formic acid, glycolic acid, propionic acid, acetic acid, butyric acid, butyric acid, bevacicic acid, hexanoic acid, oxalic acid, malonic acid, glutaric acid, adipic acid, malic acid, succinic acid Saturated carboxylic acids such as pimelic acid, mercaptoacetic acid, glyoxylic acid, chloroacetic acid, pyruvic acid, acetoacetic acid, glutaric acid, acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, fumaric acid, maleic acid, mesaconic acid, citraconic acid, aconit Examples thereof include unsaturated carboxylic acids such as acids, benzoic acids, toluic acids, phthalic acids, naphthoic acids, cyclic unsaturated carboxylic acids such as pyromellitic acid and naphthalic acid, and the like.
上記酸化剤貯留タンク５２３に貯留される酸化剤としては、過酸化水素、過酸化物、硝酸塩、ヨウ素酸塩、過ヨウ素酸塩、次亜塩素酸塩、亜塩素酸塩、塩素酸塩、過塩素酸塩、過硫酸塩、重クロム酸塩、過マンガン酸塩、セリウム酸塩、バナジン酸塩、オゾン水および銀（ＩＩ）塩、鉄（ＩＩＩ）塩や、その有機錯塩等を用いることができる。 Examples of the oxidant stored in the oxidant reservoir tank 523 include hydrogen peroxide, peroxide, nitrate, iodate, periodate, hypochlorite, chlorite, chlorate, and peroxide. Chlorate, persulfate, bichromate, permanganate, cerate, vanadate, ozone water and silver (II) salt, iron (III) salt, organic complex salt thereof, etc. it can.
上記防食剤貯留タンク５２４に貯留される防食剤としては、分子内に３つ以上の窒素原子を有し、且つ、縮環構造を有する複素芳香環化合物、又は、分子内に４つ以上の窒素原子を有する複素芳香環化合物を用いることが好ましい。更に、芳香環化合物は、カルボキシル基、スルホ基、ヒドロキシ基、アルコキシ基を含むことが好ましい。具体的には、テトラゾール誘導体、１，２，３−トリアゾール誘導体、及び１，２，４−トリアゾール誘導体であることが好ましい。 As the anticorrosive agent stored in the above anticorrosive agent storage tank 524, a heteroaromatic ring compound having three or more nitrogen atoms in the molecule and having a condensed ring structure, or four or more nitrogens in the molecule It is preferable to use a heteroaromatic ring compound having an atom. Furthermore, the aromatic ring compound preferably contains a carboxyl group, a sulfo group, a hydroxy group or an alkoxy group. Specifically, tetrazole derivatives, 1,2,3-triazole derivatives, and 1,2,4-triazole derivatives are preferable.
防食剤として用いることのできるテトラゾール誘導体としては、テトラゾール環を形成する窒素原子上に置換基を有さず、且つ、テトラゾールの５位に、スルホ基、アミノ基、カルバモイル基、カルボンアミド基、スルファモイル基、及びスルホンアミド基からなる群より選択された置換基、又は、ヒドロキシ基、カルボキシ基、スルホ基、アミノ基、カルバモイル基、カルボンアミド基、スルファモイル基、及びスルホンアミド基からなる群より選択された少なくとも１つの置換基で置換されたアルキル基が導入されたものが挙げられる。 As a tetrazole derivative which can be used as an anticorrosive, there is no substituent on the nitrogen atom forming a tetrazole ring, and a sulfo group, an amino group, a carbamoyl group, a carbonamide group, a sulfamoyl group at the 5-position of tetrazole. Group, and a substituent selected from the group consisting of a sulfonamide group, or a group selected from the group consisting of a hydroxy group, a carboxy group, a sulfo group, an amino group, a carbamoyl group, a carbonamido group, a sulfamoyl group, and a sulfonamide group Those in which an alkyl group substituted by at least one substituent is introduced.
また、防食剤として用いることのできる１，２，３−トリアゾール誘導体としては、１，２，３−トリアゾール環を形成する窒素原子上に置換基を有さず、且つ、１，２，３−トリアゾールの４位及び／又は５位に、ヒドロキシ基、カルボキシ基、スルホ基、アミノ基、カルバモイル基、カルボンアミド基、スルファモイル基、及びスルホンアミド基からなる群より選択された置換基、或いは、ヒドロキシ基、カルボキシ基、スルホ基、アミノ基、カルバモイル基、カルボンアミド基、スルファモイル基、及びスルホンアミド基からなる群より選択された少なくとも１つの置換基で置換されたアルキル基又はアリール基が導入されたものが挙げられる。 In addition, as a 1,2,3-triazole derivative which can be used as an anticorrosive agent, it has no substituent on the nitrogen atom forming the 1,2,3-triazole ring, and 1,2,3- A substituent selected from the group consisting of a hydroxy group, a carboxy group, a sulfo group, an amino group, a carbamoyl group, a carbonamido group, a sulfamoyl group, and a sulfonamide group at position 4 and / or 5 of triazole, or hydroxy At least one substituent selected from the group consisting of a carboxy group, a sulfo group, an amino group, a carbamoyl group, a carbonamide group, a sulfamoyl group, and a sulfonamide group introduced with an alkyl group or aryl group substituted by at least one substituent The thing is mentioned.
更に、防食剤として用いることのできる１，２，４−トリアゾール誘導体としては、１，２，４−トリアゾール環を形成する窒素原子上に置換基を有さず、且つ、１，２，４−トリアゾールの２位及び／又は５位に、スルホ基、カルバモイル基、カルボンアミド基、スルファモイル基、及びスルホンアミド基からなる群より選択された置換基、或いは、ヒドロキシ基、カルボキシ基、スルホ基、アミノ基、カルバモイル基、カルボンアミド基、スルファモイル基、及びスルホンアミド基からなる群より選択された少なくとも１つの置換基で置換されたアルキル基又はアリール基が導入されたものが挙げられる。 Furthermore, as a 1,2,4-triazole derivative that can be used as an anticorrosive agent, it has no substituent on the nitrogen atom forming the 1,2,4-triazole ring, and 1,2,4-, Substituent selected from the group consisting of sulfo group, carbamoyl group, carbonamide group, sulfamoyl group, and sulfonamide group at 2-position and / or 5-position of triazole, or hydroxy group, carboxy group, sulfo group, amino Examples thereof include those into which an alkyl group or aryl group substituted by at least one substituent selected from the group consisting of a group, a carbamoyl group, a carbonamido group, a sulfamoyl group, and a sulfonamide group is introduced.
図２を参照して説明を続けると、上記純水貯留タンク５２１と有機酸貯留タンク５２２と酸化剤貯留タンク５２３と防食剤貯留タンク５２４は、それぞれ電磁開閉弁５２１a，５２２a，５２３a，５２４aを介して切削水貯留タンク５２５に接続されている。この切削水貯留タンク５２５には、電磁開閉弁５２１a，５２２a，５２３a，５２４aを開路することにより純水貯留タンク５２１と有機酸貯留タンク５２２と酸化剤貯留タンク５２３と防食剤貯留タンク５２４に貯留された純水と有機酸と酸化剤と防食剤が流入される。なお、切削水貯留タンク５２５に貯留される切削水を構成する純水と有機酸と酸化剤と防食剤の割合は、図示の実施形態においては純水１０００ccに対して有機酸が５０cc、酸化剤が２０cc、防食剤が１ccに設定されている。 To continue the description with reference to FIG. 2, the pure water storage tank 521, the organic acid storage tank 522, the oxidant storage tank 523 and the anticorrosive storage tank 524 are respectively connected via the electromagnetic on-off valves 521a, 522a, 523a, 524a. It is connected to the cutting water storage tank 525. The cutting water storage tank 525 is stored in the pure water storage tank 521, the organic acid storage tank 522, the oxidant storage tank 523 and the anticorrosive storage tank 524 by opening the electromagnetic on-off valves 521a, 522a, 523a, 524a. Pure water, organic acid, oxidizing agent and anticorrosive are introduced. In the illustrated embodiment, the ratio of pure water, organic acid, oxidizing agent and anticorrosive agent constituting cutting water stored in the cutting water storage tank 525 is 50 cc of organic acid per 1000 cc of pure water in the illustrated embodiment. Is set to 20 cc, and the corrosion inhibitor is set to 1 cc.
上述した純水と有機酸と酸化剤と防食剤とからなる切削水を貯留する切削水貯留タンク５２５は、切削水供給ポンプ５２６および電磁開閉弁５２６aを介して上記第１の切削水供給管５１１および第２の切削水供給管５１２にそれぞれ接続される。従って、電磁開閉弁５２６aを開路するとともに切削水供給ポンプ５２６を作動することにより、切削水貯留タンク５２５に貯留された切削水が第１の切削水供給管５１１および第２の切削水供給管５１２を介して第１の切削水供給ノズル５３１および第２の切削水供給ノズル５３２に供給される。 The cutting water storage tank 525 for storing cutting water composed of pure water, organic acid, oxidizing agent and anticorrosive is the first cutting water supply pipe 511 via the cutting water supply pump 526 and the electromagnetic on-off valve 526a. And the second cutting water supply pipe 512 respectively. Therefore, by opening the electromagnetic on-off valve 526 a and operating the cutting water supply pump 526, the cutting water stored in the cutting water storage tank 525 is the first cutting water supply pipe 511 and the second cutting water supply pipe 512. Through the first cutting water supply nozzle 531 and the second cutting water supply nozzle 532.
図２を参照して説明を続けると、図示の切削水送給手段５２は、第１の切削水供給ノズル５３１および第２の切削水供給ノズル５３２から噴出され上記切削ブレード４３の切刃４３２による切削領域に供給された切削水を受ける切削水受け容器５２７と、該切削水受け容器５２７に受け入れられた切削水を上記切削水貯留タンク５２５に戻す切削水戻しポンプ５２８と、該切削水戻しポンプ５２８と切削水貯留タンク５２５とを接続する配管中に配設されたフィルター５２９とを具備している。従って、切削水戻しポンプ５２８を作動することにより、切削作業時に切削ブレード４３の切刃４３２による切削領域に供給され切削水受け容器５２７に受け入れられた切削水は、フィルター５２９を介して切削水貯留タンク５２５に戻される。このようにして、切削水貯留タンク５２５に貯留された切削水を循環して用いる。そして、切削水貯留タンク５２５に貯留されている切削水の水位が所定値以下に達したら、上記電磁開閉弁５２１a，５２２a，５２３a，５２４aを開路して純水貯留タンク５２１と有機酸貯留タンク５２２と酸化剤貯留タンク５２３と防食剤貯留タンク５２４から純水と有機酸と酸化剤と防食剤をそれぞれ設定された量だけ切削水貯留タンク５２５に供給される。 Continuing with the description with reference to FIG. 2, the illustrated cutting water feed means 52 is spouted from the first cutting water supply nozzle 531 and the second cutting water supply nozzle 532 by the cutting blade 432 of the cutting blade 43. A cutting water receiving container 527 for receiving cutting water supplied to a cutting region, a cutting water return pump 528 for returning cutting water received by the cutting water receiving container 527 to the cutting water storage tank 525, and the cutting water return pump A filter 529 disposed in a pipe connecting the 528 and the cutting water storage tank 525 is provided. Therefore, by operating the cutting water return pump 528, the cutting water supplied to the cutting area by the cutting blade 432 of the cutting blade 43 at the time of cutting operation and received by the cutting water receiving container 527 stores cutting water through the filter 529. It is returned to the tank 525. Thus, the cutting water stored in the cutting water storage tank 525 is circulated and used. Then, when the water level of the cutting water stored in the cutting water storage tank 525 reaches a predetermined value or less, the electromagnetic on-off valves 521a, 522a, 523a, 524a are opened to make the pure water storage tank 521 and the organic acid storage tank 522 The pure water, the organic acid, the oxidizing agent and the anticorrosive are respectively supplied to the cutting water storage tank 525 from the oxidant storage tank 523 and the anticorrosive storage tank 524 in the amounts set respectively.
図１に戻って説明を続けると、図示の実施形態における切削装置１は、上記チャックテーブル３上に保持された被加工物の表面を撮像し、上記切削ブレード４３によって切削すべき領域を検出するための撮像手段７を具備している。この撮像手段７は、顕微鏡やＣＣＤカメラ等の光学手段からなっている。また、切削装置は、撮像手段７によって撮像された画像を表示する表示手段８を具備している。 Referring back to FIG. 1, the cutting device 1 in the illustrated embodiment images the surface of the workpiece held on the chuck table 3 and detects the area to be cut by the cutting blade 43. An imaging means 7 is provided. The imaging means 7 is composed of an optical means such as a microscope or a CCD camera. The cutting device also includes display means 8 for displaying an image captured by the imaging means 7.
上記装置ハウジング２におけるカセット載置領域９aには、被加工物を収容するカセットを載置するカセット載置テーブル９が配設されている。このカセット載置テーブル９は、図示しない昇降手段によって上下方向に移動可能に構成されている。カセット載置テーブル９上には、後述する半導体ウエーハを収容するカセット１１が載置される。 In the cassette placement area 9a in the device housing 2, a cassette placement table 9 for placing a cassette for containing a workpiece is disposed. The cassette mounting table 9 is configured to be movable in the vertical direction by elevating means (not shown). On the cassette mounting table 9, a cassette 11 for storing a semiconductor wafer described later is mounted.
また、図示の実施形態における切削装置１は、カセット載置テーブル９上に載置されたカセット１１に収容されている後述する半導体ウエーハを仮置きテーブル１２に搬出する搬出・搬入手段１３と、仮置きテーブル１２に搬出された半導体ウエーハを上記チャックテーブル３上に搬送する第１の搬送手段１４と、チャックテーブル３上で切削加工された半導体ウエーハを洗浄する洗浄手段１５と、チャックテーブル３上で切削加工された半導体ウエーハを洗浄手段１５へ搬送する第２の搬送手段１６を具備している。 In addition, the cutting machine 1 in the illustrated embodiment includes a carry-out and carry-in means 13 for carrying out a semiconductor wafer described later contained in the cassette 11 placed on the cassette placing table 9 onto the temporary placement table 12; First conveying means 14 for conveying the semiconductor wafer carried out to the placement table 12 onto the chuck table 3, cleaning means 15 for cleaning the semiconductor wafer cut on the chuck table 3, and the chuck table 3. A second transfer means 16 is provided for transferring the cut semiconductor wafer to the cleaning means 15.
次に、上述した切削装置１を用いて実施する本発明によるウエーハの加工方法について説明する。
図３の（a）および(b)には、本発明によるウエーハの加工方法によって加工される半導体ウエーハの斜視図および要部拡大断面図が示されている。図３の（a）および(b)に示す半導体ウエーハ１０は、厚みが１５０μmのシリコン等の半導体基板１００の表面１００aにＳｉＯＦ、ＢＳＧ（ＳｉＯＢ）等の無機物系の膜やポリイミド系、パリレン系等のポリマー膜である有機物系の膜からなる低誘電率絶縁体被膜と銅、アルミニウム等の金属箔とが絡み合うように積層された積層体からなるＬｏｗ−ｋ膜１１０に格子状に形成された複数の分割予定ライン１１１によって区画された複数の領域にデバイス１１２が形成されている。なお、Ｌｏｗ−ｋ膜１１０の厚みは、図示の実施形態においては１０μmに設定されている。
Next, a method of processing a wafer according to the present invention, which is performed using the above-described cutting apparatus 1, will be described.
FIGS. 3A and 3B show a perspective view and an enlarged cross-sectional view of a main part of a semiconductor wafer processed by the wafer processing method according to the present invention. The semiconductor wafer 10 shown in (a) and (b) of FIG. 3 is an inorganic film such as SiOF or BSG (SiOB), a polyimide type, a parylene type, or the like on the surface 100a of a semiconductor substrate 100 such as silicon having a thickness of 150 μm. And a plurality of low-k films 110 formed in a lattice form on a low-k film 110 laminated so that low-dielectric-constant insulator films made of organic films, which are polymer films, and metal foils such as copper and aluminum are entangled. The devices 112 are formed in a plurality of areas divided by the division planned line 111 of The thickness of the low-k film 110 is set to 10 μm in the illustrated embodiment.
上述した半導体ウエーハ１０を分割予定ライン１１１に沿ってＬｏｗ−ｋ膜１１０を分断し、半導体基板１００を露出せしめるウエーハの加工方法について説明する。
先ず、半導体ウエーハ１０を構成する半導体基板１００の裏面にダイシングテープを貼着し該ダイシングテープの外周部を環状のフレームによって支持するウエーハ支持工程を実施する。即ち、図４に示すように、環状のフレームFの内側開口部を覆うように外周部が装着されたダイシングテープTの表面に半導体ウエーハ１０を構成する半導体基板１００の裏面１００bを貼着する。従って、ダイシングテープTの表面に貼着された半導体ウエーハ１０は、Ｌｏｗ−ｋ膜１１０の表面１１０aが上側となる。このようにしてダイシングテープTを介して環状のフレームFに支持された半導体ウエーハ１０は、上記カセット１１に収容されてカセット載置テーブル９上に載置される。
A method of processing a wafer in which the low-k film 110 is divided along the dividing planned line 111 of the semiconductor wafer 10 described above to expose the semiconductor substrate 100 will be described.
First, a dicing tape is attached to the back surface of the semiconductor substrate 100 constituting the semiconductor wafer 10, and a wafer supporting step of supporting the outer peripheral portion of the dicing tape by an annular frame is performed. That is, as shown in FIG. 4, the back surface 100b of the semiconductor substrate 100 constituting the semiconductor wafer 10 is attached to the surface of the dicing tape T having the outer peripheral portion attached thereto so as to cover the inner opening of the annular frame F. Accordingly, in the semiconductor wafer 10 attached to the surface of the dicing tape T, the surface 110 a of the low-k film 110 is on the upper side. Thus, the semiconductor wafer 10 supported by the annular frame F via the dicing tape T is accommodated in the cassette 11 and placed on the cassette placing table 9.
カセット載置テーブル９上に載置されたカセット１１の所定位置に収容されている半導体ウエーハ１０（環状のフレームFにダイシングテープTを介して支持されている状態）は、図示しない昇降手段によってカセット載置テーブル９が上下動することにより搬出位置に位置付けられる。次に、搬出・搬入手段１３が進退作動して搬出位置に位置付けられた半導体ウエーハ１０を仮置きテーブル１２上に搬出する。仮置きテーブル１２に搬出された半導体ウエーハ１０は、第１の搬送手段１４の旋回動作によって上記チャックテーブル３上に搬送される。 The semiconductor wafer 10 (a state in which the semiconductor wafer 10 is supported by the annular frame F via the dicing tape T) stored at a predetermined position of the cassette 11 mounted on the cassette mounting table 9 is moved by the elevating means (not shown) The loading table 9 is positioned at the unloading position by moving up and down. Next, the unloading / loading means 13 is advanced and retracted to unload the semiconductor wafer 10 positioned at the unloading position onto the temporary placement table 12. The semiconductor wafer 10 unloaded to the temporary placement table 12 is transported onto the chuck table 3 by the turning operation of the first transport unit 14.
チャックテーブル３上に半導体ウエーハ１０が載置されたならば、図示しない吸引手段が作動して半導体ウエーハ１０をチャックテーブル３上に吸引保持する。また、半導体ウエーハ１０をダイシングテープTを介して支持する環状のフレームFは、上記クランプ３３によって固定される。このようにして半導体ウエーハ１０を吸引保持したチャックテーブル３は、撮像手段７の直下まで移動せしめられる。チャックテーブル３が撮像手段７の直下に位置付けられると、撮像手段７によって半導体ウエーハ１０に形成されている分割予定ライン１１１を検出するとともに、スピンドルユニット４を割り出し方向である矢印Ｙ方向に移動調整して分割予定ライン１１１と切削ブレード４３との精密位置合わせ作業を実施する（アライメント工程）。 When the semiconductor wafer 10 is placed on the chuck table 3, a suction unit (not shown) operates to suction and hold the semiconductor wafer 10 on the chuck table 3. Further, an annular frame F supporting the semiconductor wafer 10 through the dicing tape T is fixed by the clamp 33. The chuck table 3 holding the semiconductor wafer 10 by suction in this manner is moved immediately below the imaging means 7. When the chuck table 3 is positioned directly below the imaging means 7, the imaging means 7 detects the planned dividing line 111 formed on the semiconductor wafer 10 and adjusts the movement of the spindle unit 4 in the arrow Y direction, which is the indexing direction. The precise alignment work of the division planned line 111 and the cutting blade 43 is performed (alignment step).
上述したようにアライメント工程が実施されたならば、チャックテーブル３を切削加工領域に移動し、図５の(a)に示すように所定の分割予定ライン１１１の一端を切削ブレード４３の直下より図５の(a)において僅かに右側に位置付ける。このようにして切削装置１のチャックテーブル３上に保持された半導体ウエーハ１０が切削加工領域の切削開始位置に位置付けられたならば、切削ブレード４３を図５の（ａ）において２点鎖線で示す待機位置から矢印Z１で示すように下方に切り込み送りし、図５の（ａ）において実線で示すように所定の切り込み送り位置に位置付ける。この切り込み送り位置は、図５の（ａ）および図５の（ｃ）に示すように切削ブレード４３を構成する環状の切れ刃４３２の下端が半導体ウエーハ１０を構成する半導体基板１００に達する位置に設定されている。 After the alignment process is performed as described above, the chuck table 3 is moved to the cutting area, and one end of the predetermined dividing line 111 is shown from directly below the cutting blade 43 as shown in FIG. 5A. Position slightly on the right in 5 (a). Thus, if the semiconductor wafer 10 held on the chuck table 3 of the cutting apparatus 1 is positioned at the cutting start position in the cutting area, the cutting blade 43 is shown by a two-dot chain line in FIG. From the standby position, the sheet is cut and fed downward as indicated by the arrow Z1, and is positioned at a predetermined cut and feed position as indicated by a solid line in FIG. 5 (a). The cutting feed position is such that the lower end of the annular cutting edge 432 constituting the cutting blade 43 reaches the semiconductor substrate 100 constituting the semiconductor wafer 10 as shown in (a) of FIG. 5 and (c) of FIG. It is set.
次に、切削ブレード４３を図５の（ａ）において矢印４３aで示す方向に所定の回転速度で回転せしめ、チャックテーブル３を図５の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、チャックテーブル３が図５の（ｂ）で示すように分割予定ライン１１１の他端（図５の（ｂ）において右端）が切削ブレード４３の直下より所定量左側に位置するまで達したら、チャックテーブル３の移動を停止する。このようにチャックテーブル３を加工送りすることにより、図５の（d）で示すように半導体ウエーハ１０を構成するＬｏｗ−ｋ膜１１０は分割予定ライン１１１に沿って形成される切削溝１３０によって分断され、半導体基板１００が露出せしめられる(Ｌｏｗ−ｋ膜切削工程)。 Next, the cutting blade 43 is rotated at a predetermined rotational speed in the direction indicated by the arrow 43a in FIG. 5A, and the processing feed rate in the direction indicated by the arrow X1 in FIG. 5A. Move it with Then, when the chuck table 3 reaches the other end (right end in (b) of FIG. 5) of the planned dividing line 111 as shown in (b) of FIG. The movement of the chuck table 3 is stopped. By processing and feeding the chuck table 3 in this manner, the Low-k film 110 constituting the semiconductor wafer 10 is divided by the cutting grooves 130 formed along the planned dividing lines 111 as shown in FIG. 5D. The semiconductor substrate 100 is exposed (Low-k film cutting process).
次に、切削ブレード４３を図５の（ｂ）において矢印Z2で示すように上昇させて２点鎖線で示す待機位置に位置付け、チャックテーブル３を図５の（ｂ）において矢印Ｘ２で示す方向に移動して、図５の（ａ）に示す位置に戻す。そして、チャックテーブル３を紙面に垂直な方向（割り出し送り方向）に分割予定ライン１１１の間隔に相当する量だけ割り出し送りし、次に切削すべき分割予定ライン１１１を切削ブレード４３と対応する位置に位置付ける。このようにして、次に切削すべき分割予定ライン１１１を切削ブレード４３と対応する位置に位置付けたならば、上述したＬｏｗ−ｋ膜切削工程を実施する。 Next, the cutting blade 43 is raised as shown by arrow Z2 in FIG. 5B and positioned at the standby position shown by a two-dot chain line, and the chuck table 3 is in the direction shown by arrow X2 in FIG. It moves and returns to the position shown to (a) of FIG. Then, the chuck table 3 is indexed and fed by an amount corresponding to the interval of the planned dividing line 111 in a direction (indexing feed direction) perpendicular to the paper surface, and the planned dividing line 111 to be cut next is set to a position corresponding to the cutting blade 43 Position. In this manner, when the planned dividing line 111 to be cut next is positioned at a position corresponding to the cutting blade 43, the above-described Low-k film cutting process is performed.
上述したＬｏｗ−ｋ膜切削工程を実施する際には、切削水送給手段５２を構成する電磁開閉弁５２６aを開路するとともに切削水供給ポンプ５２６を作動することにより、切削水貯留タンク５２５に貯留された切削水が第１の切削水供給管５１１および第２の切削水供給管５１２を介して第１の切削水供給ノズル５３１および第２の切削水供給ノズル５３２に供給される。この結果、図６に示すように第１の切削水供給ノズル５３１および第２の切削水供給ノズル５３２から純水１０００ccに対して有機酸が５０cc、酸化剤が２０cc、防食剤が１ccの割合で混合された切削水が切削ブレード４３の切れ刃４３２による切削領域に１分間に２０００ccの割合で供給される。このように、純水と有機酸と酸化剤と防食剤が混合された切削水が切れ刃４３２による切削領域に供給されることにより、切削水に含まれる酸化剤によってＬｏｗ−ｋ膜１１０を構成する金属箔が改質されて延性が抑えられことに加え、有機酸によって金属箔が脆くなり加工性が促進されるため、Ｌｏｗ−ｋ膜１１０は剥離することなく切断される。また、切削水に防食剤を混入することにより、Ｌｏｗ−ｋ膜１１０を構成する金属箔の腐食(溶出)が抑制される。なお、切削ブレードの切れ刃が基台の外周部側面にダイヤモンド砥粒をニッケルメッキで固めて形成された電鋳ブレードやメタルブレードの場合、ビトリファイドブレードやレジンブレードに比べ、有機酸と酸化剤が混入した切削水によって自生発刃作用が促進されて切削能力が向上し、Ｌｏｗ−ｋ膜の剥離が抑制される傾向がある。 When the low-k film cutting process described above is performed, the electromagnetic switching valve 526a constituting the cutting water supply means 52 is opened and the cutting water supply pump 526 is operated to store the cutting water storage tank 525. The obtained cutting water is supplied to the first cutting water supply nozzle 531 and the second cutting water supply nozzle 532 via the first cutting water supply pipe 511 and the second cutting water supply pipe 512. As a result, as shown in FIG. 6, the first cutting water supply nozzle 531 and the second cutting water supply nozzle 532 have a ratio of 50 cc of organic acid, 20 cc of oxidizing agent and 1 cc of corrosion inhibitor to 1000 cc of pure water. The mixed cutting water is supplied to the cutting area by the cutting edge 432 of the cutting blade 43 at a rate of 2000 cc per minute. Thus, the cutting water in which pure water, organic acid, oxidizing agent and anticorrosive are mixed is supplied to the cutting area by the cutting edge 432, whereby the Low-k film 110 is constituted by the oxidizing agent contained in the cutting water. In addition to the modification of the metal foil to suppress ductility, the metal foil becomes brittle and the processability is promoted by the organic acid, so the Low-k film 110 is cut without peeling. Moreover, corrosion (elution) of the metal foil which comprises the Low-k film | membrane 110 is suppressed by mixing an anticorrosive with cutting water. In the case of an electroformed blade or metal blade where the cutting edge of the cutting blade is formed by nickel-plating diamond abrasive grains on the outer peripheral side of the base, the organic acid and the oxidizing agent are better than vitrified blade or resin blade. The mixed cutting water promotes the spontaneous generation blade action to improve the cutting ability, and the peeling of the low-k film tends to be suppressed.
なお、上記Ｌｏｗ−ｋ膜切削工程は、例えば以下の加工条件で行われる。
切削ブレードの切れ刃 ：外径５０ｍｍ、厚み５０μｍ
切削ブレードの回転速度：２００００ｒｐｍ
切削送り速度 ：５０ｍｍ／秒
切削水の供給量 ：２０００cc／分
The low-k film cutting process is performed, for example, under the following processing conditions.
Cutting blade cutting edge: outer diameter 50 mm, thickness 50 μm
Rotation speed of cutting blade: 20000 rpm
Cutting feed rate: 50 mm / sec Cutting water supply rate: 2000 cc / min
以上のようにして、半導体ウエーハ１０に所定方向に形成された全ての分割予定ライン１１１に沿って上記Ｌｏｗ−ｋ膜切削工程を実施したならば、半導体ウエーハ１０を保持したチャックテーブル３を９０度回動する。そして、半導体ウエーハ１０に所定方向と直交する方向に形成された全ての分割予定ライン１１１に沿って上記Ｌｏｗ−ｋ膜切削工程を実施する。 As described above, if the low-k film cutting process is performed along all planned dividing lines 111 formed in the predetermined direction on the semiconductor wafer 10, the chuck table 3 holding the semiconductor wafer 10 is 90 degrees Rotate. Then, the above-described Low-k film cutting process is performed along all planned dividing lines 111 formed on the semiconductor wafer 10 in the direction orthogonal to the predetermined direction.
次に、Ｌｏｗ−ｋ膜切削工程の他の実施形態については、図７を参照して説明する。
図７に示すＬｏｗ−ｋ膜切削工程の他の実施形態においては、図７の（a）に示すように切削ブレード４３を構成する環状の切れ刃４３２の下端が半導体ウエーハ１０を構成する半導体基板１００の裏面が貼着されているダイシングテープTに達する位置に位置付けられる。従って、上記図５に示すＬｏｗ−ｋ膜切削工程と同様に切削ブレード４３を回転しつつ半導体ウエーハ１０を保持したチャックテーブル３を加工送りすることにより、図７の（ｂ）で示すように半導体ウエーハ１０を構成するＬｏｗ−ｋ膜１１０とともに半導体基板１００は分割予定ライン１１１に沿って形成される切削溝１３１によって切断される。このようにして、半導体ウエーハ１０に所定方向に形成された全ての分割予定ライン１１１に沿って上記Ｌｏｗ−ｋ膜切削工程を実施したならば、半導体ウエーハ１０を保持したチャックテーブル３を９０度回動する。そして、半導体ウエーハ１０に所定方向と直交する方向に形成された全ての分割予定ライン１１１に沿って上記Ｌｏｗ−ｋ膜切削工程を実施する。この結果、半導体ウエーハ１０は分割予定ライン１１１に沿って切断され個々のデバイスに分割される。
なお、図７に示すＬｏｗ−ｋ膜切削工程の他の実施形態においても、切削水送給手段５２を作動して純水と有機酸と酸化剤と防食剤が混合された切削水を切れ刃４３２による切削領域に供給する。
Next, another embodiment of the low-k film cutting process will be described with reference to FIG.
In another embodiment of the low-k film cutting step shown in FIG. 7, the semiconductor substrate in which the lower end of the annular cutting edge 432 constituting the cutting blade 43 constitutes the semiconductor wafer 10 as shown in FIG. The back side of the sheet 100 is positioned to reach the dicing tape T to which it is attached. Therefore, as shown in FIG. 7 (b), the chuck table 3 holding the semiconductor wafer 10 is processed and fed while rotating the cutting blade 43 as in the low-k film cutting process shown in FIG. 5 described above. The semiconductor substrate 100 is cut by the cutting groove 131 formed along the planned dividing line 111 together with the Low-k film 110 which constitutes the wafer 10. In this manner, if the above-described low-k film cutting process is performed along all planned dividing lines 111 formed in the predetermined direction on the semiconductor wafer 10, the chuck table 3 holding the semiconductor wafer 10 is rotated 90 degrees. Move. Then, the above-described Low-k film cutting process is performed along all planned dividing lines 111 formed on the semiconductor wafer 10 in the direction orthogonal to the predetermined direction. As a result, the semiconductor wafer 10 is cut along the dividing lines 111 and divided into individual devices.
In the other embodiment of the low-k film cutting process shown in FIG. 7 as well, the cutting water feed means 52 is operated to cut the cutting water in which pure water, organic acid, oxidizing agent and corrosion inhibitor are mixed. Feed to the cutting area according to 432.
なお、上記図５に示すＬｏｗ−ｋ膜切削工程を実施した後には、Ｌｏｗ−ｋ膜１１０が分断され分割予定ライン１１１に沿って露出された半導体基板１００を分割予定ライン１１１に沿って切断する切断工程を実施する。
この切断工程の第１の実施形態について、図８を参照して説明する。なお、図８に示す切断工程の第１の実施形態は、上記切削装置１または同様の切削装置を用いて実施することができるが、切削ブレード４３を構成する環状の切れ刃４３２aの厚さが上記Ｌｏｗ−ｋ膜切削工程を実施した切削ブレード４３を構成する環状の切れ刃４３２の厚さ（５０μm）より薄い例えば３０μmに形成されている。従って、環状の切れ刃４３２a以外は上記切削装置１の各構成部材の符号を用いて説明する。
After the low-k film cutting process shown in FIG. 5 is performed, the semiconductor substrate 100 divided along the low-k film 110 and exposed along the planned dividing line 111 is cut along the planned dividing line 111. Carry out the cutting process.
A first embodiment of this cutting process will be described with reference to FIG. Although the first embodiment of the cutting process shown in FIG. 8 can be carried out using the above-described cutting device 1 or a similar cutting device, the thickness of the annular cutting edge 432a constituting the cutting blade 43 is The thickness is, for example, 30 μm, which is thinner than the thickness (50 μm) of the annular cutting edge 432 which constitutes the cutting blade 43 in which the low-k film cutting process is performed. Therefore, except for the annular cutting edge 432a, the reference numerals of the components of the cutting device 1 will be used.
切断工程の第１の実施形態を実施するには、上記図５に示すＬｏｗ−ｋ膜切削工程が実施された半導体ウエーハ１０をダイシングテープTを介して上述したようにチャックテーブル３上に吸引保持する。このようにして半導体ウエーハ１０を吸引保持したチャックテーブル３は、撮像手段７の直下まで移動せしめられる。チャックテーブル３が撮像手段７の直下に位置付けられると、撮像手段７によって半導体ウエーハ１０に形成されている分割予定ライン１１１に沿って形成された切削溝１３０を検出するとともに、スピンドルユニット４を割り出し方向である矢印Ｙ方向に移動調整して切削溝１３０と切削ブレード４３との精密位置合わせ作業を実施する（アライメント工程）。 In order to carry out the first embodiment of the cutting step, the semiconductor wafer 10 on which the low-k film cutting step shown in FIG. 5 has been carried out is held by suction on the chuck table 3 as described above via the dicing tape T. Do. The chuck table 3 holding the semiconductor wafer 10 by suction in this manner is moved immediately below the imaging means 7. When the chuck table 3 is positioned directly below the imaging means 7, the imaging means 7 detects the cutting groove 130 formed along the planned dividing line 111 formed in the semiconductor wafer 10, and the spindle unit 4 is indexed. The movement is adjusted in the direction of the arrow Y, and precise alignment work of the cutting groove 130 and the cutting blade 43 is performed (alignment step).
上述したようにアライメント工程が実施されたならば、チャックテーブル３を切削加工領域に移動し、図８の(a)に示すように所定の分割予定ライン１１１に沿って形成された切削溝１３０の一端を切削ブレード４３の直下より図８の(a)において僅かに右側に位置付ける。このようにしてチャックテーブル３上に保持された半導体ウエーハ１０が切削加工領域の切削開始位置に位置付けられたならば、切削ブレード４３を図８の（ａ）において２点鎖線で示す待機位置から矢印Z１で示すように下方に切り込み送りし、図８の（ａ）において実線で示すように所定の切り込み送り位置に位置付ける。この切り込み送り位置は、図８の（ａ）および図８の（ｃ）に示すように切削ブレード４３を構成する環状の切れ刃４３２aの下端が半導体ウエーハ１０を構成する半導体基板１００の裏面が貼着されているダイシングテープTに達する位置に設定されている。 After the alignment process is performed as described above, the chuck table 3 is moved to the cutting area, and the cutting grooves 130 formed along the predetermined dividing lines 111 as shown in FIG. One end is positioned slightly to the right in FIG. 8A from immediately below the cutting blade 43. Thus, if the semiconductor wafer 10 held on the chuck table 3 is positioned at the cutting start position in the cutting area, an arrow from the standby position indicated by the two-dot chain line in FIG. As indicated by Z1, the sheet is cut and fed downward, and is positioned at a predetermined cut and feed position as indicated by a solid line in FIG. In this cutting feed position, as shown in FIGS. 8A and 8C, the lower end of the annular cutting edge 432a constituting the cutting blade 43 is attached to the back surface of the semiconductor substrate 100 constituting the semiconductor wafer 10. The position is set to reach the attached dicing tape T.
次に、切削ブレード４３を図８の（ａ）において矢印４３aで示す方向に所定の回転速度で回転せしめ、チャックテーブル３を図８の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、チャックテーブル３が図８の（ｂ）で示すように分割予定ライン１１１に沿って形成された切削溝１３０の他端（図８の（ｂ）において右端）が切削ブレード４３の直下より所定量左側に位置するまで達したら、チャックテーブル３の移動を停止する。このようにチャックテーブル３を加工送りすることにより、図８の（d）で示すように半導体ウエーハ１０を構成する半導体基板１００は分割予定ライン１１１に沿って形成された切削溝１３０に沿って形成される切削溝１３２によって切断される(切断工程)。なお、この切断工程において切れ刃４３２aによる切削領域に供給する切削水としては純水だけでもよい。 Next, the cutting blade 43 is rotated at a predetermined rotational speed in the direction indicated by the arrow 43a in FIG. 8A, and the processing feed rate in the direction indicated by the arrow X1 in FIG. Move it with Then, the other end (right end in (b) of FIG. 8) of the cutting groove 130 formed along the planned dividing line 111 of the chuck table 3 as shown in (b) of FIG. When reaching the position on the left side, the movement of the chuck table 3 is stopped. By processing and feeding the chuck table 3 in this manner, the semiconductor substrate 100 constituting the semiconductor wafer 10 is formed along the cutting grooves 130 formed along the planned dividing lines 111 as shown in FIG. 8D. Cutting is performed by the cutting groove 132 (cutting step). The pure water may be used alone as the cutting water supplied to the cutting area by the cutting edge 432a in this cutting process.
次に、切削ブレード４３を図８の（ｂ）において矢印Z2で示すように上昇させて２点鎖線で示す待機位置に位置付け、チャックテーブル４１を図８の（ｂ）において矢印Ｘ２で示す方向に移動して、図８の（ａ）に示す位置に戻す。そして、チャックテーブル３を紙面に垂直な方向（割り出し送り方向）に分割予定ライン１１１の間隔に相当する量だけ割り出し送りし、次に切削すべき分割予定ライン１１１に沿って形成された切削溝１３０を切削ブレード４３と対応する位置に位置付ける。このようにして、次に切削すべき分割予定ライン１１１に沿って形成された切削溝１３０を切削ブレード４３と対応する位置に位置付けたならば、上述した切断工程を実施する。このようにして、半導体ウエーハ１０に所定方向に形成された全ての分割予定ライン１１１に沿って形成された切削溝１３０に沿って上記切断工程を実施したならば、半導体ウエーハ１０を保持したチャックテーブル３を９０度回動する。そして、半導体ウエーハ１０に所定方向と直交する方向に形成された全ての分割予定ライン１１１に沿って形成された切削溝１３０に沿って上記切断工程を実施する。この結果、半導体ウエーハ１０は分割予定ライン１１１に沿って切断され個々のデバイスに分割される。 Next, the cutting blade 43 is raised as shown by arrow Z2 in (b) of FIG. 8 and positioned at the standby position shown by a two-dot chain line, and the chuck table 41 is in the direction shown by arrow X2 in (b) of FIG. It moves and returns to the position shown to (a) of FIG. Then, the chuck table 3 is indexed and fed by an amount corresponding to the interval of the planned dividing line 111 in the direction (indexing feed direction) perpendicular to the paper surface, and the cutting groove 130 formed along the planned dividing line 111 next. Is positioned at a position corresponding to the cutting blade 43. In this way, if the cutting groove 130 formed along the planned dividing line 111 to be cut next is positioned at a position corresponding to the cutting blade 43, the above-described cutting process is performed. Thus, if the above-mentioned cutting process is carried out along the cutting grooves 130 formed along all the planned dividing lines 111 formed in the predetermined direction in the semiconductor wafer 10, the chuck table holding the semiconductor wafer 10 Rotate 3 90 degrees. Then, the above-described cutting process is performed along the cutting grooves 130 formed along all the planned dividing lines 111 formed in the semiconductor wafer 10 in the direction orthogonal to the predetermined direction. As a result, the semiconductor wafer 10 is cut along the dividing lines 111 and divided into individual devices.
次に、切断工程の第２の実施形態について、図９乃至図１０を参照して説明する。この切断工程の第２の実施形態は、図９に示すレーザー加工装置６０を用いて実施する。図９に示すレーザー加工装置６０は、被加工物を保持するチャックテーブル６１と、該チャックテーブル６１上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段６２と、チャックテーブル６１上に保持された被加工物を撮像する撮像手段６３を具備している。チャックテーブル６１は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない加工送り手段によって図９において矢印Ｘで示す加工送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない割り出し送り手段によって図９において矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。 Next, a second embodiment of the cutting process will be described with reference to FIGS. 9 to 10. The second embodiment of this cutting process is carried out using a laser processing apparatus 60 shown in FIG. The laser processing apparatus 60 shown in FIG. 9 includes a chuck table 61 for holding a workpiece, laser beam irradiation means 62 for irradiating a laser beam onto the workpiece held on the chuck table 61, and holding on the chuck table 61. The imaging means 63 for imaging the processed workpiece is provided. The chuck table 61 is configured to suction and hold the workpiece, and is moved in the processing feed direction indicated by the arrow X in FIG. 9 by the processing feed unit (not shown), and by the indexing feed unit (not shown) in FIG. It can be moved in the indexing feed direction indicated by the arrow Y.
上記レーザー光線照射手段６２は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング６２１を含んでいる。ケーシング６２１内には図示しないパルスレーザー光線発振器や繰り返し周波数設定手段を備えたパルスレーザー光線発振手段が配設されている。上記ケーシング６２１の先端部には、パルスレーザー光線発振手段から発振されたパルスレーザー光線を集光するための集光器６２２が装着されている。なお、レーザー光線照射手段６２は、集光器６２２によって集光されるパルスレーザー光線の集光点位置を調整するための集光点位置調整手段（図示せず）を備えている。 The laser beam application means 62 includes a cylindrical casing 621 disposed substantially horizontally. In the casing 621, a pulse laser beam oscillation means (not shown) provided with a pulse laser beam oscillator and a repetition frequency setting means is disposed. A condenser 622 for condensing the pulse laser beam oscillated from the pulse laser beam oscillation means is attached to the tip of the casing 621. The laser beam application means 62 is provided with focusing point position adjusting means (not shown) for adjusting the focusing point position of the pulse laser beam focused by the light collector 622.
上記レーザー光線照射手段６２を構成するケーシング６２１の先端部に装着された撮像手段６３は、被加工物を照明する照明手段と、該照明手段によって照明された領域を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた像を撮像する撮像素子（ＣＣＤ）等を備え、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。 The imaging means 63 mounted on the tip of the casing 621 constituting the laser beam application means 62 comprises an illumination means for illuminating the workpiece, an optical system for capturing the area illuminated by the illumination means, and the optical system An imaging device (CCD) or the like for capturing a captured image is provided, and the captured image signal is sent to control means (not shown).
上述したレーザー加工装置６０を用いて、切断工程の第２に実施形態を実施するには、上記図５に示すＬｏｗ−ｋ膜切削工程が実施された半導体ウエーハ１０のダイシングテープT側をチャックテーブル６１上に載置する。図示しない吸引手段を作動することにより、ダイシングテープTを介して半導体ウエーハ１０をチャックテーブル６１上に吸引保持する（ウエーハ保持工程）。なお、図９においてはダイシングテープTが装着された環状のフレームFを省いて示しているが、環状のフレームFはチャックテーブル６１に配設された適宜のフレーム保持手段に保持される。このようにして、半導体ウエーハ１０を吸引保持したチャックテーブル６１は、図示しない加工送り手段によって撮像手段６３の直下に位置付けられる。 In order to carry out the second embodiment of the cutting process using the above-described laser processing apparatus 60, the dicing tape T side of the semiconductor wafer 10 on which the Low-k film cutting process shown in FIG. Place on 61 The semiconductor wafer 10 is sucked and held on the chuck table 61 through the dicing tape T by operating suction means (not shown) (wafer holding step). Although the ring-shaped frame F to which the dicing tape T is attached is omitted in FIG. 9, the ring-shaped frame F is held by appropriate frame holding means disposed on the chuck table 61. In this way, the chuck table 61 holding the semiconductor wafer 10 by suction is positioned directly below the imaging means 63 by a processing feed means (not shown).
チャックテーブル６１が撮像手段６３の直下に位置付けられると、撮像手段６３および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ１０のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段６３および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ１０の所定方向に形成されている分割予定ライン１１１に沿って形成された切削溝１３０と、該切削溝１３０に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段６２の集光器６２２との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する（アライメント工程）。また、半導体ウエーハ１０に上記所定方向と直交する方向に形成された分割予定ライン１１１に沿って形成された切削溝１３０に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。 When the chuck table 61 is positioned directly below the imaging means 63, an alignment operation is performed to detect the processing area of the semiconductor wafer 10 to be laser-processed by the imaging means 63 and the control means (not shown). That is, the image pickup means 63 and the control means not shown are a cutting groove 130 formed along a planned dividing line 111 formed in a predetermined direction of the semiconductor wafer 10 and a laser beam for irradiating a laser beam along the cutting groove 130 Image processing such as pattern matching for aligning the light source 62 with the light collector 622 is performed to perform alignment of the laser beam irradiation position (alignment step). Further, the alignment of the laser beam irradiation position is similarly performed on the cutting grooves 130 formed along the planned dividing lines 111 formed in the semiconductor wafer 10 in the direction orthogonal to the predetermined direction.
上述したアライメント工程を実施したならば、図１０で示すようにチャックテーブル６１をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段６２の集光器６２２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、図１０の（ａ）で示すように半導体ウエーハ１０に形成された所定の分割予定ライン１１１に沿って形成された切削溝１３０の一端(図１０の（ａ）において左端)が集光器６２２の直下に位置するように位置付ける。次に、レーザー光線照射手段６２の集光器６２２から半導体ウエーハ１０を構成する半導体基板１００に対して吸収性を有する波長または透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル６１を図１０の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる（レーザー加工工程）。そして、図１０の（ｂ）で示すように分割予定ライン１１１に沿って形成された切削溝１３０の他端（図１０の（ｂ）において右端）が集光器６２２の直下位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル６１の移動を停止する。 After the alignment process described above is performed, as shown in FIG. 10, the chuck table 61 is moved to the laser beam irradiation area where the condenser 622 of the laser beam irradiating means 62 for irradiating the laser beam is located, as shown in FIG. As shown, one end (the left end in (a) of FIG. 10) of the cutting groove 130 formed along the predetermined dividing line 111 formed in the semiconductor wafer 10 is positioned so as to be located directly below the light collector 622 . Next, while irradiating a pulsed laser beam of a wavelength having absorption or a wavelength of transmission to the semiconductor substrate 100 constituting the semiconductor wafer 10 from the condenser 622 of the laser beam application means 62, the chuck table 61 is shown in FIG. The laser beam is moved at a predetermined processing feed rate in the direction indicated by the arrow X1 in (a) (laser processing step). Then, when the other end (right end in (b) of FIG. 10) of the cutting groove 130 formed along the planned dividing line 111 as shown in (b) of FIG. 10 reaches the position directly below the light collector 622, The irradiation of the pulse laser beam is stopped and the movement of the chuck table 61 is stopped.
上述したレーザー加工工程を実施することにより、半導体ウエーハ１０を構成する半導体基板１００は図１０の（c）、(d)に示すように分割予定ライン１１１に沿って形成された切削溝１３０に沿って形成されるレーザー加工溝１３３または改質層１３４によって切断される。このレーザー加工工程を半導体ウエーハ１０に形成された全ての分割予定ライン１１１に沿って形成された切削溝１３０に沿って実施することにより、半導体ウエーハ１０は分割予定ライン１１１に沿って切断され個々のデバイスに分割される。 By carrying out the above-described laser processing process, the semiconductor substrate 100 constituting the semiconductor wafer 10 is along the cutting groove 130 formed along the planned dividing line 111 as shown in (c) and (d) of FIG. It is cut by the laser processing groove 133 or the reforming layer 134 formed. By carrying out this laser processing step along the cutting grooves 130 formed along all the planned dividing lines 111 formed in the semiconductor wafer 10, the semiconductor wafer 10 is cut along the planned dividing lines 111 and individual Divided into devices.
２：装置ハウジング
３：チャックテーブル
４：スピンドルユニット
４３：切削ブレード
４４：ブレードカバー
５：切削水供給機構
５１１：第１の切削水供給管
５１２：第２の切削水供給管
５２：切削水送給手段
５３１：第１の切削水供給ノズル
５３２：第２の切削水供給ノズル
７：撮像手段
１０：半導体ウエーハ
１００：半導体基板
１１０：Ｌｏｗ−ｋ膜程
１１：カセット
１２：仮置きテーブル
１３：搬出・搬入手段
１４：第１の搬送手段
１５：洗浄手段
１６：第２の搬送手段
６０：レーザー加工装置
６１：レーザー加工装置のチャックテーブル
６２：レーザー光線照射手段
６２２：集光器
F：環状の支持フレーム
T：ダイシングテープ
2: Device housing 3: Chuck table 4: Spindle unit 43: Cutting blade 44: Blade cover 5: Cutting water supply mechanism 511: First cutting water supply pipe 512: Second cutting water supply pipe 52: Cutting water supply Means 531: first cutting water supply nozzle 532: second cutting water supply nozzle 7: imaging means 10: semiconductor wafer 100: semiconductor substrate 110: low-k film degree 11: cassette 12: temporary placement table 13: unloading, Loading means 14: first conveying means 15: cleaning means 16: second conveying means 60: laser processing device 61: chuck table 62 of laser processing device: laser beam irradiation means 622: light collector
F: Annular support frame
T: dicing tape
Claims (4)
切削装置の被加工物保持手段にウエーハの裏面側を保持するウエーハ保持工程と、
該被加工物保持手段に保持されたウエーハの分割予定ラインに外周に切れ刃を有し高速回転する切削ブレードを位置付けて、該被加工物保持手段と該切削ブレードを相対的に加工送りすることにより、少なくともＬｏｗ−ｋ膜を分割予定ラインに沿って分断するＬｏｗ−ｋ膜切削工程と、を含み、
該Ｌｏｗ−ｋ膜切削工程においては、有機酸と酸化剤を含有した切削水が該切削ブレードの切れ刃によるＬｏｗ−ｋ膜の切削領域に対して直接供給される、
ことを特徴とするウエーハの加工方法。 A method of processing a wafer in which devices are formed in a plurality of areas divided by a plurality of planned dividing lines formed in a grid shape on a Low-k film laminated on the surface of a semiconductor substrate,
A wafer holding step of holding the back side of the wafer in the workpiece holding means of the cutting device;
Positioning a cutting blade having a cutting edge on the outer periphery at a planned dividing line of a wafer held by the workpiece holding means and rotating at high speed, and relatively machining-feed the workpiece holding means and the cutting blade Low-k film cutting process for dividing at least the low-k film along a planned dividing line by
The In Low-k film cutting step, cutting water containing an organic acid oxidant is supplied directly against the cutting area of the Low-k film by the cutting edge of the cutting blade,
Method of processing a wafer characterized by
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