JP2016054182A - Processing method for wafer - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体基板の表面に積層されたLow−k膜に格子状に形成された複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの加工方法に関する。 The present invention relates to a wafer processing method in which devices are formed in a plurality of regions partitioned by a plurality of division lines formed in a lattice pattern on a low-k film stacked on the surface of a semiconductor substrate.
当業者には周知の如く、半導体デバイス製造工程においては、シリコン等の半導体基板の表面に絶縁膜と機能膜が積層された機能層によって複数のIC、LSI等のデバイスをマトリックス状に形成した半導体ウエーハが形成される。このように形成された半導体ウエーハは上記デバイスが格子状に形成された分割予定ラインによって区画されており、この分割予定ラインに沿って分割することによって個々の半導体デバイスを製造している。 As is well known to those skilled in the art, in a semiconductor device manufacturing process, a semiconductor in which a plurality of devices such as ICs and LSIs are formed in a matrix by a functional layer in which an insulating film and a functional film are laminated on the surface of a semiconductor substrate such as silicon. A wafer is formed. The semiconductor wafer formed in this way is partitioned by the planned division lines in which the above devices are formed in a lattice shape, and individual semiconductor devices are manufactured by dividing along the predetermined division lines.
近時においては、IC、LSI等の半導体チップの処理能力を向上するために、シリコン等の半導体基板の表面にSiOF、BSG(SiOB)等の無機物系の膜やポリイミド系、パリレン系等のポリマー膜である有機物系の膜からなる低誘電率絶縁体被膜と銅、アルミニウム等の金属箔とが絡み合うように積層された積層体によってデバイスを形成せしめた形態の半導体ウエーハが実用化されている。このように低誘電率絶縁体被膜と銅、アルミニウム等の金属箔とが絡み合うように積層された積層体はLow−k膜と呼ばれ、このLow−k膜は分割予定ラインにも積層されている。 Recently, in order to improve the processing capability of semiconductor chips such as IC and LSI, inorganic films such as SiOF and BSG (SiOB) and polymers such as polyimide and parylene are used on the surface of a semiconductor substrate such as silicon. A semiconductor wafer having a form in which a device is formed by a laminated body in which a low dielectric constant insulating film made of an organic film, which is a film, and a metal foil such as copper or aluminum are intertwined has been put into practical use. A laminate in which the low dielectric constant insulator film and the metal foil such as copper and aluminum are entangled with each other is called a Low-k film, and the Low-k film is also laminated on the planned dividing line. Yes.
このような半導体ウエーハの分割予定ラインに沿った分割は、通常、ダイサーと呼ばれている切削装置によって行われている。この切削装置は、被加工物である半導体ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された半導体ウエーハを切削するための切削手段と、チャックテーブルと切削手段とを相対的に移動せしめる移動手段とを具備している。切削手段は、高速回転せしめられる回転スピンドルと該スピンドルに装着された切削ブレードを含んでいる。切削ブレードは円盤状の基台と該基台の側面外周部に装着された環状の切れ刃からなっており、切れ刃は例えば粒径3μm程度のダイヤモンド砥粒を電鋳によって固定して形成されている。 Such a division of the semiconductor wafer along the division line is usually performed by a cutting device called a dicer. This cutting apparatus includes a chuck table for holding a semiconductor wafer as a workpiece, a cutting means for cutting the semiconductor wafer held on the chuck table, and a movement for relatively moving the chuck table and the cutting means. Means. The cutting means includes a rotating spindle that is rotated at a high speed and a cutting blade attached to the spindle. The cutting blade is composed of a disk-shaped base and an annular cutting edge mounted on the outer periphery of the side surface of the base. The cutting edge is formed by fixing diamond abrasive grains having a grain size of about 3 μm, for example, by electroforming. ing.
しかるに、上述したLow−k膜は、切削ブレードによって切削することが困難である。即ち、Low−k膜は雲母のように非常に脆いことから、切削ブレードにより分割予定ラインに沿って切削すると、Low−k膜が剥離し、この剥離が回路にまで達しデバイスに致命的な損傷を与えるという問題がある。 However, the Low-k film described above is difficult to cut with a cutting blade. In other words, the low-k film is very brittle like mica, so when the cutting blade is cut along the planned dividing line, the low-k film is peeled off, and this peeling reaches the circuit, resulting in fatal damage to the device. There is a problem of giving.
上記問題を解消するために、半導体ウエーハに形成された分割予定ライン沿ってレーザー光線を照射し、分割予定ラインに沿ってレーザー加工溝を形成することによってLow−k膜を除去して分断し、このレーザー加工溝に切削ブレードを位置付けて切削ブレードと半導体ウエーハを相対移動することにより、半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切断するウエーハの分割方法が下記特許文献1に開示されている。 In order to solve the above problem, the low-k film is removed and divided by irradiating a laser beam along a planned division line formed on the semiconductor wafer and forming a laser processing groove along the planned division line. Patent Document 1 below discloses a wafer dividing method in which a cutting blade is positioned in a laser processing groove and the cutting blade and the semiconductor wafer are moved relative to each other to cut the semiconductor wafer along a planned dividing line.
しかるに、上述したように半導体ウエーハに形成された分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射し、分割予定ラインに沿ってLow−k膜を除去するレーザー加工溝を形成すると、基板にレーザー加工溝に沿って歪が残存し、デバイスの抗折強度が低下するという問題がある。
また、半導体ウエーハの分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射すると、照射された領域に熱エネルギーが集中してデブリが発生し、このデブリがデバイスの表面に付着してデバイスの品質を低下させることから、半導体ウエーハの表面にポリビニルアルコール等の保護膜を被覆し、保護膜を通して半導体ウエーハにレーザー光線を照射するようにしている(例えば、特許文献2参照)。
However, as described above, when the laser beam is irradiated along the planned division line formed on the semiconductor wafer and the low-k film is removed along the planned division line, the laser processing groove is formed on the substrate. Therefore, there is a problem that strain remains and the bending strength of the device is lowered.
In addition, when laser light is irradiated along the planned division line of the semiconductor wafer, thermal energy concentrates on the irradiated area and debris is generated, and this debris adheres to the surface of the device and degrades the device quality. The surface of the semiconductor wafer is covered with a protective film such as polyvinyl alcohol, and the semiconductor wafer is irradiated with a laser beam through the protective film (see, for example, Patent Document 2).
而して、上記特許文献2に開示された技術においては、半導体ウエーハの表面に保護膜を被覆する工程を実施しなければならず、生産性が悪いとともに、設備費が嵩むという問題がある。 Thus, in the technique disclosed in Patent Document 2, there is a problem that a process for coating the surface of the semiconductor wafer with a protective film has to be performed, resulting in poor productivity and increased equipment costs.
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、ウエーハに形成された分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射してLow−k膜を分断することなく、分割予定ラインに沿って直接切削ブレードによってLow−k膜を切削しても、Low−k膜を剥離することなく分断することができるウエーハの加工方法を提供することである。 The present invention has been made in view of the above-mentioned facts, and its main technical problem is to divide the line to be divided without dividing the Low-k film by irradiating the laser beam along the line to be divided formed on the wafer. A method of processing a wafer that can be cut without peeling off the Low-k film even if the Low-k film is cut directly with a cutting blade along the line.
上記主たる技術的課題を解決するため、本発明によれば、半導体基板の表面に積層されたLow−k膜に格子状に形成された複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの加工方法であって、
切削装置の被加工物保持手段にウエーハの裏面側を保持するウエーハ保持工程と、
該被加工物保持手段に保持されたウエーハの分割予定ラインに外周に切れ刃を有し高速回転する切削ブレードを位置付けて、該被加工物保持手段と該切削ブレードを相対的に加工送りすることにより、少なくともLow−k膜を分割予定ラインに沿って分断するLow−k膜切削工程と、を含み、
該Low−k膜切削工程においては、有機酸と酸化剤を含有した切削水が該切削ブレードの切れ刃による切削領域に供給される、
ことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
In order to solve the above-mentioned main technical problem, according to the present invention, devices are provided in a plurality of regions partitioned by a plurality of division lines formed in a lattice pattern on a low-k film stacked on the surface of a semiconductor substrate. A method of processing a formed wafer,
A wafer holding step for holding the back side of the wafer in the workpiece holding means of the cutting device;
A cutting blade having a cutting edge on the outer periphery is positioned on a scheduled division line of the wafer held by the workpiece holding means, and a high-speed rotating cutting blade is positioned, and the workpiece holding means and the cutting blade are relatively processed and fed. A low-k film cutting step that divides at least the low-k film along the planned dividing line,
In the Low-k film cutting step, cutting water containing an organic acid and an oxidizing agent is supplied to a cutting region by the cutting blade of the cutting blade.
A method for processing a wafer is provided.
上記切削水には、防食剤が混入されていることが望ましい。
上記Low−k膜切削工程は、Low−k膜とともに半導体基板を分割予定ラインに沿って切断する。
また、上記Low−k膜切削工程を実施した後に、Low−k膜が分断され分割予定ラインに沿って露出された半導体基板を分割予定ラインに沿って切断する切断工程を実施する。
It is desirable that an anticorrosive agent is mixed in the cutting water.
In the low-k film cutting step, the semiconductor substrate is cut along the planned division line together with the low-k film.
In addition, after performing the Low-k film cutting step, a cutting step is performed in which the Low-k film is divided and the semiconductor substrate exposed along the planned division line is cut along the planned division line.
本発明によるウエーハの加工方法においては、被加工物保持手段に保持されたウエーハの分割予定ラインに外周に切れ刃を有し高速回転する切削ブレードを位置付けて、被加工物保持手段と切削ブレードを相対的に加工送りすることにより、少なくともLow−k膜を分割予定ラインに沿って分断するLow−k膜切削工程は、有機酸と酸化剤を含有した切削水が切削ブレードの切れ刃による切削領域に供給されるので、切削水に含まれる酸化剤によってLow−k膜を構成する金属箔が改質されて延性が抑えられことに加え、有機酸によって金属箔が脆くなり加工性が促進されるため、Low−k膜は剥離することなく切断される。 In the method of processing a wafer according to the present invention, a cutting blade having a cutting edge on the outer periphery and positioned at a high speed is positioned on a planned division line of the wafer held by the workpiece holding means, and the workpiece holding means and the cutting blade are arranged. The low-k film cutting process in which at least the low-k film is divided along the line to be divided by processing and feeding relatively, the cutting water containing the organic acid and the oxidizing agent is cut by the cutting edge of the cutting blade. Since the metal foil constituting the Low-k film is modified by the oxidizing agent contained in the cutting water to suppress ductility, the metal foil becomes brittle with the organic acid and the workability is promoted. Therefore, the Low-k film is cut without peeling.
以下、本発明によるウエーハの加工方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して、更に詳細に説明する。 Preferred embodiments of a wafer processing method according to the present invention will be described below in more detail with reference to the accompanying drawings.
図1には、本発明によるウエーハの加工方法を実施するための切削装置の斜視図が示されている。図1に示す切削装置1は、略直方体状の装置ハウジング2を具備している。この装置ハウジング2内には、被加工物を保持する被加工物保持手段としてのチャックテーブル3が切削送り方向である矢印Xで示す方向(X軸方向)に移動可能に配設されている。チャックテーブル3は、吸着チャック支持台31と、該吸着チャック支持台31上に配設された吸着チャック32を具備しており、該吸着チャック32の上面である保持面上に被加工物を図示しない吸引手段を作動することによって吸引保持するようになっている。また、チャックテーブル3は、図示しない回転機構によって回転可能に構成されている。なお、チャックテーブル3には、被加工物として後述するウエーハをダイシングテープを介して支持する環状のフレームを固定するためのクランプ33が配設されている。このように構成されたチャックテーブル3は、図示しない切削送り手段によって、矢印Xで示す加工送り方向(X軸方向)に移動せしめられるようになっている。 FIG. 1 is a perspective view of a cutting apparatus for carrying out the wafer processing method according to the present invention. A cutting device 1 shown in FIG. 1 includes a device housing 2 having a substantially rectangular parallelepiped shape. In the apparatus housing 2, a chuck table 3 as a work holding means for holding a work is disposed so as to be movable in a direction (X-axis direction) indicated by an arrow X which is a cutting feed direction. The chuck table 3 includes a suction chuck support 31 and a suction chuck 32 disposed on the suction chuck support 31. A workpiece is illustrated on a holding surface which is the upper surface of the suction chuck 32. Suction holding is performed by operating a suction means that does not. The chuck table 3 is configured to be rotatable by a rotation mechanism (not shown). The chuck table 3 is provided with a clamp 33 for fixing an annular frame that supports a wafer, which will be described later, as a work piece via a dicing tape. The chuck table 3 configured as described above can be moved in a machining feed direction (X-axis direction) indicated by an arrow X by a cutting feed means (not shown).
図1に示す切削装置1は、切削手段としてのスピンドルユニット4を具備している。スピンドルユニット4は、加工送り方向(X軸方向)と直交する矢印Yで示す割り出し送り方向(Y軸方向)に沿って配設されている。スピンドルユニット4は、図示しない割り出し送り手段によって割り出し送り方向(Y軸方向)に移動せしめられるとともに、図示しない切り込み送り手段によって図1において矢印Zで示す切り込み送り方向(Z軸方向)に移動せしめられるようになっている。このスピンドルユニット4は、図示しない移動基台に装着され割り出し方向(Y軸方向)および切り込み方向(Z軸方向)に移動調整されるスピンドルハウジング41と、該スピンドルハウジング41に回転自在に支持された回転スピンドル42と、該回転スピンドル42の前端部に装着された切削ブレード43とを具備している。回転スピンドル42は、図示しないサーボモータによって回転せしめられるように構成されている。上記切削ブレード43は、例えば図2に示すようにアルミニウムによって形成された円盤状の基台431と、該基台431の外周部側面にダイヤモンド砥粒をニッケルメッキで固めて厚さが例えば50μmに形成された環状の切刃432からなっている。 A cutting apparatus 1 shown in FIG. 1 includes a spindle unit 4 as cutting means. The spindle unit 4 is disposed along an indexing feed direction (Y-axis direction) indicated by an arrow Y orthogonal to the machining feed direction (X-axis direction). The spindle unit 4 is moved in the index feed direction (Y-axis direction) by an index feed means (not shown), and is moved in the cut feed direction (Z-axis direction) indicated by an arrow Z in FIG. 1 by a not-shown cut feed means. It is like that. The spindle unit 4 is mounted on a moving base (not shown) and is adjusted to move in an indexing direction (Y-axis direction) and a cutting direction (Z-axis direction), and is rotatably supported by the spindle housing 41. A rotary spindle 42 and a cutting blade 43 attached to the front end of the rotary spindle 42 are provided. The rotary spindle 42 is configured to be rotated by a servo motor (not shown). The cutting blade 43 has a disk-shaped base 431 formed of aluminum, for example, as shown in FIG. 2, and diamond abrasive grains hardened by nickel plating on the outer peripheral side surface of the base 431 to a thickness of, for example, 50 μm. An annular cutting edge 432 is formed.
上記スピンドルハウジング41の前端部には、切削ブレード43の上半部を覆うブレードカバー44が取り付けられている。ブレードカバー44は、図示の実施形態においてはスピンドルハウジング41に装着された第1のカバー部材441と、該第1のカバー部材441に装着される第2のカバー部材442とからなっている。第1のカバー部材441は、一端部が切削ブレード43側に突出して形成された前カバー部441aを備えている。また、第1のカバー部材441の側面には雌ネジ穴441bと2個の位置決めピン441cが設けられており、第2のカバー部材442には上記雌ネジ穴441bと対応する位置に挿通穴442aが設けられている。また、第2のカバー部材442の第1のカバー部材441と対向する面には、上記2個の位置決めピン441cが嵌合する図示しない2個の凹部が形成されている。このように構成された第1のカバー部材441と第2のカバー部材442は、第2のカバー部材442に形成された図示しない2個の凹部を第1のカバー部材441に設けられた2個の位置決めピン441cに嵌合することによって位置決めする。そして、締結ボルト443を第2のカバー部材442の挿通穴442aに挿通し、第1のカバー部材441に設けられた雌ネジ穴441bと螺合することにより、第2のカバー部材442を第1のカバー部材441に装着する。 A blade cover 44 that covers the upper half of the cutting blade 43 is attached to the front end of the spindle housing 41. The blade cover 44 includes a first cover member 441 mounted on the spindle housing 41 and a second cover member 442 mounted on the first cover member 441 in the illustrated embodiment. The first cover member 441 includes a front cover portion 441a formed with one end portion protruding toward the cutting blade 43 side. Further, a female screw hole 441b and two positioning pins 441c are provided on the side surface of the first cover member 441. The second cover member 442 has an insertion hole 442a at a position corresponding to the female screw hole 441b. Is provided. Further, on the surface of the second cover member 442 facing the first cover member 441, two recesses (not shown) into which the two positioning pins 441c are fitted are formed. The first cover member 441 and the second cover member 442 configured in this way are provided with two recesses (not shown) formed in the second cover member 442 provided in the first cover member 441. Positioning is performed by fitting to the positioning pin 441c. Then, the fastening bolt 443 is inserted into the insertion hole 442a of the second cover member 442, and is screwed into the female screw hole 441b provided in the first cover member 441, whereby the second cover member 442 is engaged with the first cover member 442. The cover member 441 is attached.
図2を参照して説明を続けると、図示の実施形態における切削装置1は、上記切削ブレード43の環状の切刃432による切削加工部に切削水を供給する切削水供給機構5を具備している。この切削水供給機構5は、上記ブレードカバー44を構成する第1のカバー部材441および第2のカバー部材442に配設された第1の切削水供給管511および第2の切削水供給管512と、該第1の切削水供給管511および第2の切削水供給管512に切削水を送給する切削水送給手段52と、上記第1の切削水供給管511および第2の切削水供給管512にそれぞれ接続された第1の切削水供給ノズル531および第2の切削水供給ノズル532を具備している。 Continuing the description with reference to FIG. 2, the cutting device 1 in the illustrated embodiment includes a cutting water supply mechanism 5 that supplies cutting water to a cutting portion by the annular cutting edge 432 of the cutting blade 43. Yes. The cutting water supply mechanism 5 includes a first cutting water supply pipe 511 and a second cutting water supply pipe 512 disposed on the first cover member 441 and the second cover member 442 constituting the blade cover 44. A cutting water supply means 52 for supplying cutting water to the first cutting water supply pipe 511 and the second cutting water supply pipe 512, and the first cutting water supply pipe 511 and the second cutting water. A first cutting water supply nozzle 531 and a second cutting water supply nozzle 532 connected to the supply pipe 512 are provided.
第1の切削水供給管511および第2の切削水供給管512は、それぞれ上記ブレードカバー44を構成する第1のカバー部材441および第2のカバー部材442に配設されており、その上端が切削水送給手段52に接続され、その下端にはそれぞれ第1の切削水供給ノズル531および第2の切削水供給ノズル532が接続される。 The first cutting water supply pipe 511 and the second cutting water supply pipe 512 are respectively disposed on the first cover member 441 and the second cover member 442 constituting the blade cover 44, and the upper ends thereof are arranged. The first cutting water supply nozzle 531 and the second cutting water supply nozzle 532 are connected to the lower ends of the cutting water supply means 52 and the lower ends thereof, respectively.
上記切削水送給手段52は、切削水を構成するための純水を貯留する純水貯留タンク521と、有機酸を貯留するための有機酸貯留タンク522と、酸化剤を貯留するための酸化剤貯留タンク523と、防食剤を貯留するための防食剤貯留タンク524を具備している。純水貯留タンク521には、従来一般に切削水として用いられている純水が貯留される。 The cutting water feeding means 52 includes a pure water storage tank 521 for storing pure water for forming cutting water, an organic acid storage tank 522 for storing organic acid, and an oxidation for storing oxidant. An agent storage tank 523 and an anticorrosive agent storage tank 524 for storing the anticorrosive agent are provided. The pure water storage tank 521 stores pure water that has been conventionally used as cutting water.
上記有機酸貯留タンク522には、有機酸として用いることのできるアミノ酸、アミノポリ酸、カルボン酸が貯留される。
有機酸として用いることのできるアミノ酸としては、グリシン、ジヒドロキシエチルグリシン、グリシルグリシン、ヒドロキシエチルグリシン、N−メチルグリシン、β−アラニン、L−アラニン、L−2−アミノ酪酸、L−ノルバリン、L−バリン、L−ロイシン、L−ノルロイシン、L−アロイソロイシン、L−イソロイシン、L−フェニルアラニン、L−プロリン、サルコシン、L−オルニチン、L−リシン、タウリン、L−セリン、L−トレオニン、L−アロトレオニン、L−ホモセリン、L−チロキシン、L−チロシン、3,5−ジヨード−L−チロシン、β−(3,4−ジヒドロキシフェニル)−L−アラニン、4−ヒドロキシ−L−プロリン、L−システィン、L−メチオニン、L−エチオニン、L−ランチオニン、L−シスタチオニン、L−シスチン、L−システィン酸、L−グルタミン酸、L−アスパラギン酸、S−(カルボキシメチル)−L−システィン、4−アミノ酪酸、L−アスパラギン、L−グルタミン、アザセリン、L−カナバニン、L−シトルリン、L−アルギニン、δ−ヒドロキシ−L−リシン、クレアチン、L−キヌレニン、L−ヒスチジン、1−メチル−L−ヒスチジン、3−メチル−L−ヒスチジン、L−トリプトファン、アクチノマイシンC1、エルゴチオネイン、アパミン、アンギオテンシンI、アンギオテンシンII及びアンチパイン等が挙げられる。中でも、グリシン、L−アラニン、L−プロリン、L−ヒスチジン、L−リシン、ジヒドロキシエチルグリシンが好ましい。
The organic acid storage tank 522 stores amino acids, aminopolyacids, and carboxylic acids that can be used as organic acids.
Examples of amino acids that can be used as organic acids include glycine, dihydroxyethyl glycine, glycyl glycine, hydroxyethyl glycine, N-methyl glycine, β-alanine, L-alanine, L-2-aminobutyric acid, L-norvaline, L -Valine, L-leucine, L-norleucine, L-alloisoleucine, L-isoleucine, L-phenylalanine, L-proline, sarcosine, L-ornithine, L-lysine, taurine, L-serine, L-threonine, L- Allothreonine, L-homoserine, L-thyroxine, L-tyrosine, 3,5-diiodo-L-tyrosine, β- (3,4-dihydroxyphenyl) -L-alanine, 4-hydroxy-L-proline, L- Cysteine, L-methionine, L-ethionine, L-lanthionine, L-cysta Thionine, L-cystine, L-cysteic acid, L-glutamic acid, L-aspartic acid, S- (carboxymethyl) -L-cysteine, 4-aminobutyric acid, L-asparagine, L-glutamine, azaserine, L-canavanine, L-citrulline, L-arginine, δ-hydroxy-L-lysine, creatine, L-kynurenine, L-histidine, 1-methyl-L-histidine, 3-methyl-L-histidine, L-tryptophan, actinomycin C1, Examples include ergothioneine, apamin, angiotensin I, angiotensin II, and antipine. Of these, glycine, L-alanine, L-proline, L-histidine, L-lysine, and dihydroxyethylglycine are preferable.
また、有機酸として用いることのできるアミノポリ酸としては、イミノジ酢酸、ニトリロ三酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、エチレンジアミン四酢酸、ヒドロキシエチルイミノジ酢酸、ニトリロトリスメチレンホスホン酸、エチレンジアミン−N,N,N’,N’−テトラメチレンスルホン酸、1,2−ジアミノプロパン四酢酸、グリコールエーテルジアミン四酢酸、トランスシクロヘキサンジアミン四酢酸、エチレンジアミンオルトヒドロキシフェニル酢酸、エチレンジアミンジ琥珀酸(SS体)、β−アラニンジ酢酸、N−(2−カルボキシラートエチル)−L−アスパラギン酸、N,N’−ビス(2−ヒドロキシベンジル)エチレンジアミン−N,N’−ジ酢酸等が挙げられる。 Examples of aminopolyacids that can be used as organic acids include iminodiacetic acid, nitrilotriacetic acid, diethylenetriaminepentaacetic acid, ethylenediaminetetraacetic acid, hydroxyethyliminodiacetic acid, nitrilotrismethylenephosphonic acid, ethylenediamine-N, N, N ′, N'-tetramethylenesulfonic acid, 1,2-diaminopropanetetraacetic acid, glycol etherdiaminetetraacetic acid, transcyclohexanediaminetetraacetic acid, ethylenediamine orthohydroxyphenylacetic acid, ethylenediamine disuccinic acid (SS form), β-alanine diacetic acid, N -(2-carboxylate ethyl) -L-aspartic acid, N, N′-bis (2-hydroxybenzyl) ethylenediamine-N, N′-diacetic acid and the like.
また、有機酸として用いることのできるカルボン酸としては、ギ酸、グリコール酸、プロピオン酸、酢酸、酪酸、吉薬酸、ヘキサン酸、シュウ酸、マロン酸、グルタル酸、アジピン酸、リンゴ酸、コハク酸、ピメリン酸、メルカプト酢酸、グリオキシル酸、クロロ酢酸、ピルビン酸、アセト酢酸、グルタル酸等の飽和カルボン酸や、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、フマル酸、マレイン酸、メサコン酸、シトラコン酸、アコニット酸等の不飽和カルボン酸、安息香酸類、トルイル酸、フタル酸類、ナフトエ酸類、ピロメット酸、ナフタル酸等の環状不飽和カルボン酸等が挙げられる。 Examples of carboxylic acids that can be used as organic acids include formic acid, glycolic acid, propionic acid, acetic acid, butyric acid, valeric acid, hexanoic acid, oxalic acid, malonic acid, glutaric acid, adipic acid, malic acid, and succinic acid. , Pimelic acid, mercaptoacetic acid, glyoxylic acid, chloroacetic acid, pyruvic acid, acetoacetic acid, glutaric acid and other saturated carboxylic acids, acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, fumaric acid, maleic acid, mesaconic acid, citraconic acid, aconite Examples include unsaturated carboxylic acids such as acids, cyclic unsaturated carboxylic acids such as benzoic acids, toluic acid, phthalic acids, naphthoic acids, pyrometic acid, and naphthalic acid.
上記酸化剤貯留タンク523に貯留される酸化剤としては、過酸化水素、過酸化物、硝酸塩、ヨウ素酸塩、過ヨウ素酸塩、次亜塩素酸塩、亜塩素酸塩、塩素酸塩、過塩素酸塩、過硫酸塩、重クロム酸塩、過マンガン酸塩、セリウム酸塩、バナジン酸塩、オゾン水および銀(II)塩、鉄(III)塩や、その有機錯塩等を用いることができる。 Examples of the oxidant stored in the oxidant storage tank 523 include hydrogen peroxide, peroxide, nitrate, iodate, periodate, hypochlorite, chlorite, chlorate, hydrogen peroxide, Use of chlorate, persulfate, dichromate, permanganate, cerate, vanadate, ozone water, silver (II) salt, iron (III) salt, organic complex salts thereof, etc. it can.
上記防食剤貯留タンク524に貯留される防食剤としては、分子内に3つ以上の窒素原子を有し、且つ、縮環構造を有する複素芳香環化合物、又は、分子内に4つ以上の窒素原子を有する複素芳香環化合物を用いることが好ましい。更に、芳香環化合物は、カルボキシル基、スルホ基、ヒドロキシ基、アルコキシ基を含むことが好ましい。具体的には、テトラゾール誘導体、1,2,3−トリアゾール誘導体、及び1,2,4−トリアゾール誘導体であることが好ましい。 The anticorrosive agent stored in the anticorrosive agent storage tank 524 includes a heteroaromatic ring compound having three or more nitrogen atoms in the molecule and a condensed ring structure, or four or more nitrogen atoms in the molecule. It is preferable to use a heteroaromatic ring compound having an atom. Furthermore, the aromatic ring compound preferably contains a carboxyl group, a sulfo group, a hydroxy group, or an alkoxy group. Specifically, tetrazole derivatives, 1,2,3-triazole derivatives, and 1,2,4-triazole derivatives are preferable.
防食剤として用いることのできるテトラゾール誘導体としては、テトラゾール環を形成する窒素原子上に置換基を有さず、且つ、テトラゾールの5位に、スルホ基、アミノ基、カルバモイル基、カルボンアミド基、スルファモイル基、及びスルホンアミド基からなる群より選択された置換基、又は、ヒドロキシ基、カルボキシ基、スルホ基、アミノ基、カルバモイル基、カルボンアミド基、スルファモイル基、及びスルホンアミド基からなる群より選択された少なくとも1つの置換基で置換されたアルキル基が導入されたものが挙げられる。 The tetrazole derivative that can be used as an anticorrosive agent has no substituent on the nitrogen atom forming the tetrazole ring, and a sulfo group, amino group, carbamoyl group, carbonamido group, sulfamoyl group at the 5-position of the tetrazole ring. A substituent selected from the group consisting of a group and a sulfonamide group, or a group selected from the group consisting of a hydroxy group, a carboxy group, a sulfo group, an amino group, a carbamoyl group, a carbonamido group, a sulfamoyl group, and a sulfonamide group In addition, an alkyl group substituted with at least one substituent is introduced.
また、防食剤として用いることのできる1,2,3−トリアゾール誘導体としては、1,2,3−トリアゾール環を形成する窒素原子上に置換基を有さず、且つ、1,2,3−トリアゾールの4位及び/又は5位に、ヒドロキシ基、カルボキシ基、スルホ基、アミノ基、カルバモイル基、カルボンアミド基、スルファモイル基、及びスルホンアミド基からなる群より選択された置換基、或いは、ヒドロキシ基、カルボキシ基、スルホ基、アミノ基、カルバモイル基、カルボンアミド基、スルファモイル基、及びスルホンアミド基からなる群より選択された少なくとも1つの置換基で置換されたアルキル基又はアリール基が導入されたものが挙げられる。 Moreover, as a 1,2,3-triazole derivative which can be used as an anticorrosive, it does not have a substituent on the nitrogen atom which forms a 1,2,3-triazole ring, and 1,2,3- A substituent selected from the group consisting of a hydroxy group, a carboxy group, a sulfo group, an amino group, a carbamoyl group, a carbonamido group, a sulfamoyl group, and a sulfonamide group at the 4-position and / or 5-position of the triazole; An alkyl group or an aryl group substituted with at least one substituent selected from the group consisting of a group, a carboxy group, a sulfo group, an amino group, a carbamoyl group, a carbonamido group, a sulfamoyl group, and a sulfonamido group was introduced Things.
更に、防食剤として用いることのできる1,2,4−トリアゾール誘導体としては、1,2,4−トリアゾール環を形成する窒素原子上に置換基を有さず、且つ、1,2,4−トリアゾールの2位及び/又は5位に、スルホ基、カルバモイル基、カルボンアミド基、スルファモイル基、及びスルホンアミド基からなる群より選択された置換基、或いは、ヒドロキシ基、カルボキシ基、スルホ基、アミノ基、カルバモイル基、カルボンアミド基、スルファモイル基、及びスルホンアミド基からなる群より選択された少なくとも1つの置換基で置換されたアルキル基又はアリール基が導入されたものが挙げられる。 Furthermore, the 1,2,4-triazole derivative that can be used as an anticorrosive agent has no substituent on the nitrogen atom forming the 1,2,4-triazole ring, and 1,2,4- A substituent selected from the group consisting of a sulfo group, a carbamoyl group, a carbonamido group, a sulfamoyl group, and a sulfonamido group at the 2-position and / or 5-position of the triazole, or a hydroxy group, a carboxy group, a sulfo group, an amino group And an alkyl group or aryl group substituted with at least one substituent selected from the group consisting of a group, a carbamoyl group, a carbonamido group, a sulfamoyl group, and a sulfonamido group.
図2を参照して説明を続けると、上記純水貯留タンク521と有機酸貯留タンク522と酸化剤貯留タンク523と防食剤貯留タンク524は、それぞれ電磁開閉弁521a,522a,523a,524aを介して切削水貯留タンク525に接続されている。この切削水貯留タンク525には、電磁開閉弁521a,522a,523a,524aを開路することにより純水貯留タンク521と有機酸貯留タンク522と酸化剤貯留タンク523と防食剤貯留タンク524に貯留された純水と有機酸と酸化剤と防食剤が流入される。なお、切削水貯留タンク525に貯留される切削水を構成する純水と有機酸と酸化剤と防食剤の割合は、図示の実施形態においては純水1000ccに対して有機酸が50cc、酸化剤が20cc、防食剤が1ccに設定されている。 Continuing the description with reference to FIG. 2, the pure water storage tank 521, the organic acid storage tank 522, the oxidant storage tank 523, and the anticorrosive storage tank 524 are respectively connected via electromagnetic open / close valves 521a, 522a, 523a, and 524a. And connected to the cutting water storage tank 525. The cutting water storage tank 525 stores the pure water storage tank 521, the organic acid storage tank 522, the oxidant storage tank 523, and the anticorrosive storage tank 524 by opening the electromagnetic on-off valves 521 a, 522 a, 523 a, and 524 a. Pure water, organic acid, oxidizer and anticorrosive are introduced. Note that the ratio of pure water, organic acid, oxidizing agent, and anticorrosive constituting the cutting water stored in the cutting water storage tank 525 is 50 cc of organic acid and oxidizer for 1000 cc of pure water in the illustrated embodiment. Is set to 20 cc, and the anticorrosive is set to 1 cc.
上述した純水と有機酸と酸化剤と防食剤とからなる切削水を貯留する切削水貯留タンク525は、切削水供給ポンプ526および電磁開閉弁526aを介して上記第1の切削水供給管511および第2の切削水供給管512にそれぞれ接続される。従って、電磁開閉弁526aを開路するとともに切削水供給ポンプ526を作動することにより、切削水貯留タンク525に貯留された切削水が第1の切削水供給管511および第2の切削水供給管512を介して第1の切削水供給ノズル531および第2の切削水供給ノズル532に供給される。 The cutting water storage tank 525 for storing the cutting water composed of the pure water, the organic acid, the oxidizing agent, and the anticorrosive is the first cutting water supply pipe 511 via the cutting water supply pump 526 and the electromagnetic opening / closing valve 526a. And a second cutting water supply pipe 512. Therefore, by opening the electromagnetic on-off valve 526a and operating the cutting water supply pump 526, the cutting water stored in the cutting water storage tank 525 becomes the first cutting water supply pipe 511 and the second cutting water supply pipe 512. Then, the first cutting water supply nozzle 531 and the second cutting water supply nozzle 532 are supplied.
図2を参照して説明を続けると、図示の切削水送給手段52は、第1の切削水供給ノズル531および第2の切削水供給ノズル532から噴出され上記切削ブレード43の切刃432による切削領域に供給された切削水を受ける切削水受け容器527と、該切削水受け容器527に受け入れられた切削水を上記切削水貯留タンク525に戻す切削水戻しポンプ528と、該切削水戻しポンプ528と切削水貯留タンク525とを接続する配管中に配設されたフィルター529とを具備している。従って、切削水戻しポンプ528を作動することにより、切削作業時に切削ブレード43の切刃432による切削領域に供給され切削水受け容器527に受け入れられた切削水は、フィルター529を介して切削水貯留タンク525に戻される。このようにして、切削水貯留タンク525に貯留された切削水を循環して用いる。そして、切削水貯留タンク525に貯留されている切削水の水位が所定値以下に達したら、上記電磁開閉弁521a,522a,523a,524aを開路して純水貯留タンク521と有機酸貯留タンク522と酸化剤貯留タンク523と防食剤貯留タンク524から純水と有機酸と酸化剤と防食剤をそれぞれ設定された量だけ切削水貯留タンク525に供給される。 The description will be continued with reference to FIG. 2. The illustrated cutting water supply means 52 is ejected from the first cutting water supply nozzle 531 and the second cutting water supply nozzle 532 by the cutting blade 432 of the cutting blade 43. A cutting water receiving container 527 that receives cutting water supplied to the cutting region, a cutting water return pump 528 that returns the cutting water received in the cutting water receiving container 527 to the cutting water storage tank 525, and the cutting water return pump 528 and the cutting water storage tank 525 are provided with a filter 529 disposed in a pipe. Therefore, by operating the cutting water return pump 528, the cutting water supplied to the cutting area by the cutting blade 432 of the cutting blade 43 and received by the cutting water receiving container 527 during the cutting operation is stored in the cutting water via the filter 529. Returned to tank 525. In this way, the cutting water stored in the cutting water storage tank 525 is circulated and used. When the water level of the cutting water stored in the cutting water storage tank 525 reaches a predetermined value or less, the electromagnetic open / close valves 521a, 522a, 523a, and 524a are opened, and the pure water storage tank 521 and the organic acid storage tank 522 are opened. Pure water, an organic acid, an oxidizing agent, and an anticorrosive agent are supplied from the oxidant storage tank 523 and the anticorrosive agent storage tank 524 to the cutting water storage tank 525 in a set amount.
図1に戻って説明を続けると、図示の実施形態における切削装置1は、上記チャックテーブル3上に保持された被加工物の表面を撮像し、上記切削ブレード43によって切削すべき領域を検出するための撮像手段7を具備している。この撮像手段7は、顕微鏡やCCDカメラ等の光学手段からなっている。また、切削装置は、撮像手段7によって撮像された画像を表示する表示手段8を具備している。 Returning to FIG. 1, the description continues and the cutting apparatus 1 in the illustrated embodiment images the surface of the workpiece held on the chuck table 3 and detects an area to be cut by the cutting blade 43. The image pickup means 7 is provided. The imaging means 7 is composed of optical means such as a microscope and a CCD camera. In addition, the cutting apparatus includes a display unit 8 that displays an image captured by the imaging unit 7.
上記装置ハウジング2におけるカセット載置領域9aには、被加工物を収容するカセットを載置するカセット載置テーブル9が配設されている。このカセット載置テーブル9は、図示しない昇降手段によって上下方向に移動可能に構成されている。カセット載置テーブル9上には、後述する半導体ウエーハを収容するカセット11が載置される。 In the cassette mounting area 9a of the apparatus housing 2, a cassette mounting table 9 for mounting a cassette for storing a workpiece is disposed. This cassette mounting table 9 is configured to be movable in the vertical direction by a lifting means (not shown). On the cassette mounting table 9, a cassette 11 for storing a semiconductor wafer to be described later is mounted.
また、図示の実施形態における切削装置1は、カセット載置テーブル9上に載置されたカセット11に収容されている後述する半導体ウエーハを仮置きテーブル12に搬出する搬出・搬入手段13と、仮置きテーブル12に搬出された半導体ウエーハを上記チャックテーブル3上に搬送する第1の搬送手段14と、チャックテーブル3上で切削加工された半導体ウエーハを洗浄する洗浄手段15と、チャックテーブル3上で切削加工された半導体ウエーハを洗浄手段15へ搬送する第2の搬送手段16を具備している。 Further, the cutting apparatus 1 in the illustrated embodiment includes a carry-out / carry-in means 13 for carrying out a semiconductor wafer (described later) accommodated in a cassette 11 placed on a cassette placement table 9 to a temporary placement table 12, and a temporary On the chuck table 3, a first transport means 14 for transporting the semiconductor wafer carried to the placing table 12 onto the chuck table 3, a cleaning means 15 for cleaning the semiconductor wafer cut on the chuck table 3, and There is provided second transport means 16 for transporting the cut semiconductor wafer to the cleaning means 15.
次に、上述した切削装置1を用いて実施する本発明によるウエーハの加工方法について説明する。
図3の(a)および(b)には、本発明によるウエーハの加工方法によって加工される半導体ウエーハの斜視図および要部拡大断面図が示されている。図3の(a)および(b)に示す半導体ウエーハ10は、厚みが150μmのシリコン等の半導体基板100の表面100aにSiOF、BSG(SiOB)等の無機物系の膜やポリイミド系、パリレン系等のポリマー膜である有機物系の膜からなる低誘電率絶縁体被膜と銅、アルミニウム等の金属箔とが絡み合うように積層された積層体からなるLow−k膜110に格子状に形成された複数の分割予定ライン111によって区画された複数の領域にデバイス112が形成されている。なお、Low−k膜110の厚みは、図示の実施形態においては10μmに設定されている。
Next, a wafer processing method according to the present invention that is performed using the above-described cutting apparatus 1 will be described.
3A and 3B are a perspective view and an enlarged cross-sectional view of a main part of a semiconductor wafer processed by the wafer processing method according to the present invention. A semiconductor wafer 10 shown in FIGS. 3A and 3B has an inorganic film such as SiOF and BSG (SiOB), a polyimide film, a parylene film, etc. on the surface 100a of a semiconductor substrate 100 such as silicon having a thickness of 150 μm. A plurality of low-k insulating films made of organic film, which is a polymer film, and a low-k film 110 made of a laminated body in which metal foils such as copper and aluminum are entangled with each other in a lattice shape The devices 112 are formed in a plurality of regions partitioned by the scheduled division lines 111. Note that the thickness of the low-k film 110 is set to 10 μm in the illustrated embodiment.
上述した半導体ウエーハ10を分割予定ライン111に沿ってLow−k膜110を分断し、半導体基板100を露出せしめるウエーハの加工方法について説明する。
先ず、半導体ウエーハ10を構成する半導体基板100の裏面にダイシングテープを貼着し該ダイシングテープの外周部を環状のフレームによって支持するウエーハ支持工程を実施する。即ち、図4に示すように、環状のフレームFの内側開口部を覆うように外周部が装着されたダイシングテープTの表面に半導体ウエーハ10を構成する半導体基板100の裏面100bを貼着する。従って、ダイシングテープTの表面に貼着された半導体ウエーハ10は、Low−k膜110の表面110aが上側となる。このようにしてダイシングテープTを介して環状のフレームFに支持された半導体ウエーハ10は、上記カセット11に収容されてカセット載置テーブル9上に載置される。
A wafer processing method for dividing the semiconductor wafer 10 described above along the planned division line 111 to divide the Low-k film 110 to expose the semiconductor substrate 100 will be described.
First, a wafer support process is performed in which a dicing tape is attached to the back surface of the semiconductor substrate 100 constituting the semiconductor wafer 10 and the outer peripheral portion of the dicing tape is supported by an annular frame. That is, as shown in FIG. 4, the back surface 100b of the semiconductor substrate 100 constituting the semiconductor wafer 10 is bonded to the surface of the dicing tape T on which the outer peripheral portion is mounted so as to cover the inner opening of the annular frame F. Therefore, in the semiconductor wafer 10 adhered to the surface of the dicing tape T, the surface 110a of the low-k film 110 is on the upper side. Thus, the semiconductor wafer 10 supported by the annular frame F via the dicing tape T is accommodated in the cassette 11 and placed on the cassette placement table 9.
カセット載置テーブル9上に載置されたカセット11の所定位置に収容されている半導体ウエーハ10(環状のフレームFにダイシングテープTを介して支持されている状態)は、図示しない昇降手段によってカセット載置テーブル9が上下動することにより搬出位置に位置付けられる。次に、搬出・搬入手段13が進退作動して搬出位置に位置付けられた半導体ウエーハ10を仮置きテーブル12上に搬出する。仮置きテーブル12に搬出された半導体ウエーハ10は、第1の搬送手段14の旋回動作によって上記チャックテーブル3上に搬送される。 The semiconductor wafer 10 (in a state supported by the annular frame F via the dicing tape T) accommodated in a predetermined position of the cassette 11 placed on the cassette placement table 9 is moved by the lifting means (not shown). The mounting table 9 is positioned at the carry-out position by moving up and down. Next, the carry-out / carry-in means 13 moves forward and backward to carry the semiconductor wafer 10 positioned at the carry-out position onto the temporary placement table 12. The semiconductor wafer 10 carried out to the temporary placement table 12 is transferred onto the chuck table 3 by the turning operation of the first transfer means 14.
チャックテーブル3上に半導体ウエーハ10が載置されたならば、図示しない吸引手段が作動して半導体ウエーハ10をチャックテーブル3上に吸引保持する。また、半導体ウエーハ10をダイシングテープTを介して支持する環状のフレームFは、上記クランプ33によって固定される。このようにして半導体ウエーハ10を吸引保持したチャックテーブル3は、撮像手段7の直下まで移動せしめられる。チャックテーブル3が撮像手段7の直下に位置付けられると、撮像手段7によって半導体ウエーハ10に形成されている分割予定ライン111を検出するとともに、スピンドルユニット4を割り出し方向である矢印Y方向に移動調整して分割予定ライン111と切削ブレード43との精密位置合わせ作業を実施する(アライメント工程)。 When the semiconductor wafer 10 is placed on the chuck table 3, suction means (not shown) is operated to suck and hold the semiconductor wafer 10 on the chuck table 3. An annular frame F that supports the semiconductor wafer 10 via the dicing tape T is fixed by the clamp 33. The chuck table 3 that sucks and holds the semiconductor wafer 10 in this way is moved to a position immediately below the imaging means 7. When the chuck table 3 is positioned immediately below the image pickup means 7, the image pickup means 7 detects the division line 111 formed on the semiconductor wafer 10, and moves and adjusts the spindle unit 4 in the arrow Y direction that is the indexing direction. Then, a precise alignment operation between the division line 111 and the cutting blade 43 is performed (alignment process).
上述したようにアライメント工程が実施されたならば、チャックテーブル3を切削加工領域に移動し、図5の(a)に示すように所定の分割予定ライン111の一端を切削ブレード43の直下より図5の(a)において僅かに右側に位置付ける。このようにして切削装置1のチャックテーブル3上に保持された半導体ウエーハ10が切削加工領域の切削開始位置に位置付けられたならば、切削ブレード43を図5の(a)において2点鎖線で示す待機位置から矢印Z1で示すように下方に切り込み送りし、図5の(a)において実線で示すように所定の切り込み送り位置に位置付ける。この切り込み送り位置は、図5の(a)および図5の(c)に示すように切削ブレード43を構成する環状の切れ刃432の下端が半導体ウエーハ10を構成する半導体基板100に達する位置に設定されている。 When the alignment step is performed as described above, the chuck table 3 is moved to the cutting region, and one end of the predetermined division line 111 is viewed from directly below the cutting blade 43 as shown in FIG. Position 5 (a) slightly to the right. When the semiconductor wafer 10 held on the chuck table 3 of the cutting apparatus 1 is positioned at the cutting start position in the cutting region in this way, the cutting blade 43 is indicated by a two-dot chain line in FIG. Cut from the standby position as indicated by an arrow Z1, and is positioned at a predetermined cut feed position as indicated by a solid line in FIG. This cutting feed position is a position where the lower end of the annular cutting edge 432 constituting the cutting blade 43 reaches the semiconductor substrate 100 constituting the semiconductor wafer 10 as shown in FIGS. 5 (a) and 5 (c). Is set.
次に、切削ブレード43を図5の(a)において矢印43aで示す方向に所定の回転速度で回転せしめ、チャックテーブル3を図5の(a)において矢印X1で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、チャックテーブル3が図5の(b)で示すように分割予定ライン111の他端(図5の(b)において右端)が切削ブレード43の直下より所定量左側に位置するまで達したら、チャックテーブル3の移動を停止する。このようにチャックテーブル3を加工送りすることにより、図5の(d)で示すように半導体ウエーハ10を構成するLow−k膜110は分割予定ライン111に沿って形成される切削溝130によって分断され、半導体基板100が露出せしめられる(Low−k膜切削工程)。 Next, the cutting blade 43 is rotated at a predetermined rotational speed in the direction indicated by the arrow 43a in FIG. 5A, and the chuck table 3 is rotated in the direction indicated by the arrow X1 in FIG. 5A. Move with. Then, when the chuck table 3 reaches the other end of the planned dividing line 111 (the right end in FIG. 5B) until it is positioned to the left by a predetermined amount from just below the cutting blade 43, as shown in FIG. The movement of the chuck table 3 is stopped. By processing and feeding the chuck table 3 in this manner, the low-k film 110 constituting the semiconductor wafer 10 is divided by the cutting grooves 130 formed along the planned division lines 111 as shown in FIG. Then, the semiconductor substrate 100 is exposed (Low-k film cutting step).
次に、切削ブレード43を図5の(b)において矢印Z2で示すように上昇させて2点鎖線で示す待機位置に位置付け、チャックテーブル3を図5の(b)において矢印X2で示す方向に移動して、図5の(a)に示す位置に戻す。そして、チャックテーブル3を紙面に垂直な方向(割り出し送り方向)に分割予定ライン111の間隔に相当する量だけ割り出し送りし、次に切削すべき分割予定ライン111を切削ブレード43と対応する位置に位置付ける。このようにして、次に切削すべき分割予定ライン111を切削ブレード43と対応する位置に位置付けたならば、上述したLow−k膜切削工程を実施する。 Next, the cutting blade 43 is raised as shown by an arrow Z2 in FIG. 5B and positioned at a standby position shown by a two-dot chain line, and the chuck table 3 is moved in the direction shown by an arrow X2 in FIG. Move and return to the position shown in FIG. Then, the chuck table 3 is indexed and fed in the direction perpendicular to the paper surface (index feed direction) by an amount corresponding to the interval between the scheduled division lines 111, and the next divided division line 111 to be cut is placed at a position corresponding to the cutting blade 43. Position. Thus, if the division | segmentation scheduled line 111 which should be cut next is located in the position corresponding to the cutting blade 43, the Low-k film | membrane cutting process mentioned above will be implemented.
上述したLow−k膜切削工程を実施する際には、切削水送給手段52を構成する電磁開閉弁526aを開路するとともに切削水供給ポンプ526を作動することにより、切削水貯留タンク525に貯留された切削水が第1の切削水供給管511および第2の切削水供給管512を介して第1の切削水供給ノズル531および第2の切削水供給ノズル532に供給される。この結果、図6に示すように第1の切削水供給ノズル531および第2の切削水供給ノズル532から純水1000ccに対して有機酸が50cc、酸化剤が20cc、防食剤が1ccの割合で混合された切削水が切削ブレード43の切れ刃432による切削領域に1分間に2000ccの割合で供給される。このように、純水と有機酸と酸化剤と防食剤が混合された切削水が切れ刃432による切削領域に供給されることにより、切削水に含まれる酸化剤によってLow−k膜110を構成する金属箔が改質されて延性が抑えられことに加え、有機酸によって金属箔が脆くなり加工性が促進されるため、Low−k膜110は剥離することなく切断される。また、切削水に防食剤を混入することにより、Low−k膜110を構成する金属箔の腐食(溶出)が抑制される。なお、切削ブレードの切れ刃が基台の外周部側面にダイヤモンド砥粒をニッケルメッキで固めて形成された電鋳ブレードやメタルブレードの場合、ビトリファイドブレードやレジンブレードに比べ、有機酸と酸化剤が混入した切削水によって自生発刃作用が促進されて切削能力が向上し、Low−k膜の剥離が抑制される傾向がある。 When the Low-k film cutting process described above is performed, the electromagnetic open / close valve 526a constituting the cutting water feeding means 52 is opened and the cutting water supply pump 526 is operated to store in the cutting water storage tank 525. The cut water thus supplied is supplied to the first cutting water supply nozzle 531 and the second cutting water supply nozzle 532 via the first cutting water supply pipe 511 and the second cutting water supply pipe 512. As a result, as shown in FIG. 6, the organic acid is 50 cc, the oxidizing agent is 20 cc, and the anticorrosive is 1 cc with respect to 1000 cc of pure water from the first cutting water supply nozzle 531 and the second cutting water supply nozzle 532. The mixed cutting water is supplied to the cutting area of the cutting blade 43 by the cutting edge 432 at a rate of 2000 cc per minute. In this way, the cutting water in which pure water, organic acid, oxidizing agent, and anticorrosive agent are mixed is supplied to the cutting region by the cutting edge 432, so that the Low-k film 110 is configured by the oxidizing agent contained in the cutting water. In addition to the fact that the metal foil is modified and ductility is suppressed, the metal foil becomes brittle and the workability is accelerated by the organic acid, so that the low-k film 110 is cut without peeling. Moreover, corrosion (elution) of the metal foil constituting the Low-k film 110 is suppressed by mixing an anticorrosive into the cutting water. In addition, in the case of an electroformed blade or metal blade in which the cutting blade of the cutting blade is formed by solidifying diamond abrasive grains on the outer peripheral side surface of the base with nickel plating, the organic acid and the oxidizing agent are less than those of the vitrified blade and the resin blade. The mixed cutting water promotes the self-generated blade action, improves the cutting ability, and tends to suppress peeling of the Low-k film.
なお、上記Low−k膜切削工程は、例えば以下の加工条件で行われる。
切削ブレードの切れ刃 :外径50mm、厚み50μm
切削ブレードの回転速度:20000rpm
切削送り速度 :50mm/秒
切削水の供給量 :2000cc/分
In addition, the said Low-k film | membrane cutting process is performed on the following process conditions, for example.
Cutting blade cutting edge: outer diameter 50 mm, thickness 50 μm
Cutting blade rotation speed: 20000 rpm
Cutting feed rate: 50 mm / sec Supply amount of cutting water: 2000 cc / min
以上のようにして、半導体ウエーハ10に所定方向に形成された全ての分割予定ライン111に沿って上記Low−k膜切削工程を実施したならば、半導体ウエーハ10を保持したチャックテーブル3を90度回動する。そして、半導体ウエーハ10に所定方向と直交する方向に形成された全ての分割予定ライン111に沿って上記Low−k膜切削工程を実施する。 As described above, when the low-k film cutting process is performed along all the scheduled division lines 111 formed in the predetermined direction on the semiconductor wafer 10, the chuck table 3 holding the semiconductor wafer 10 is moved 90 degrees. Rotate. Then, the low-k film cutting process is performed along all the planned division lines 111 formed on the semiconductor wafer 10 in the direction orthogonal to the predetermined direction.
次に、Low−k膜切削工程の他の実施形態については、図7を参照して説明する。
図7に示すLow−k膜切削工程の他の実施形態においては、図7の(a)に示すように切削ブレード43を構成する環状の切れ刃432の下端が半導体ウエーハ10を構成する半導体基板100の裏面が貼着されているダイシングテープTに達する位置に位置付けられる。従って、上記図5に示すLow−k膜切削工程と同様に切削ブレード43を回転しつつ半導体ウエーハ10を保持したチャックテーブル3を加工送りすることにより、図7の(b)で示すように半導体ウエーハ10を構成するLow−k膜110とともに半導体基板100は分割予定ライン111に沿って形成される切削溝131によって切断される。このようにして、半導体ウエーハ10に所定方向に形成された全ての分割予定ライン111に沿って上記Low−k膜切削工程を実施したならば、半導体ウエーハ10を保持したチャックテーブル3を90度回動する。そして、半導体ウエーハ10に所定方向と直交する方向に形成された全ての分割予定ライン111に沿って上記Low−k膜切削工程を実施する。この結果、半導体ウエーハ10は分割予定ライン111に沿って切断され個々のデバイスに分割される。
なお、図7に示すLow−k膜切削工程の他の実施形態においても、切削水送給手段52を作動して純水と有機酸と酸化剤と防食剤が混合された切削水を切れ刃432による切削領域に供給する。
Next, another embodiment of the Low-k film cutting step will be described with reference to FIG.
In another embodiment of the Low-k film cutting step shown in FIG. 7, the semiconductor substrate in which the lower end of the annular cutting edge 432 constituting the cutting blade 43 constitutes the semiconductor wafer 10 as shown in FIG. It is positioned at a position reaching the dicing tape T to which the back surface of 100 is stuck. Accordingly, as in the Low-k film cutting process shown in FIG. 5, the chuck table 3 holding the semiconductor wafer 10 is processed and fed while rotating the cutting blade 43, so that the semiconductor as shown in FIG. The semiconductor substrate 100 together with the Low-k film 110 constituting the wafer 10 is cut by a cutting groove 131 formed along the planned dividing line 111. In this way, when the Low-k film cutting process is performed along all the division lines 111 formed in the predetermined direction on the semiconductor wafer 10, the chuck table 3 holding the semiconductor wafer 10 is rotated 90 degrees. Move. Then, the low-k film cutting process is performed along all the planned division lines 111 formed on the semiconductor wafer 10 in the direction orthogonal to the predetermined direction. As a result, the semiconductor wafer 10 is cut along the planned division line 111 and divided into individual devices.
In another embodiment of the Low-k film cutting step shown in FIG. 7, the cutting water feeding means 52 is operated to cut the cutting water mixed with pure water, organic acid, oxidizing agent and anticorrosive. 432 to the cutting area.
なお、上記図5に示すLow−k膜切削工程を実施した後には、Low−k膜110が分断され分割予定ライン111に沿って露出された半導体基板100を分割予定ライン111に沿って切断する切断工程を実施する。
この切断工程の第1の実施形態について、図8を参照して説明する。なお、図8に示す切断工程の第1の実施形態は、上記切削装置1または同様の切削装置を用いて実施することができるが、切削ブレード43を構成する環状の切れ刃432aの厚さが上記Low−k膜切削工程を実施した切削ブレード43を構成する環状の切れ刃432の厚さ(50μm)より薄い例えば30μmに形成されている。従って、環状の切れ刃432a以外は上記切削装置1の各構成部材の符号を用いて説明する。
After the low-k film cutting step shown in FIG. 5 is performed, the semiconductor substrate 100 in which the low-k film 110 is divided and exposed along the planned division line 111 is cut along the planned division line 111. A cutting process is performed.
A first embodiment of this cutting step will be described with reference to FIG. The first embodiment of the cutting step shown in FIG. 8 can be performed using the cutting device 1 or a similar cutting device, but the thickness of the annular cutting edge 432a constituting the cutting blade 43 is the same. The annular cutting edge 432 constituting the cutting blade 43 that has performed the Low-k film cutting step is formed to have a thickness of, for example, 30 μm, which is thinner than the thickness (50 μm). Therefore, it demonstrates using the code | symbol of each structural member of the said cutting device 1 except the cyclic | annular cutting edge 432a.
切断工程の第1の実施形態を実施するには、上記図5に示すLow−k膜切削工程が実施された半導体ウエーハ10をダイシングテープTを介して上述したようにチャックテーブル3上に吸引保持する。このようにして半導体ウエーハ10を吸引保持したチャックテーブル3は、撮像手段7の直下まで移動せしめられる。チャックテーブル3が撮像手段7の直下に位置付けられると、撮像手段7によって半導体ウエーハ10に形成されている分割予定ライン111に沿って形成された切削溝130を検出するとともに、スピンドルユニット4を割り出し方向である矢印Y方向に移動調整して切削溝130と切削ブレード43との精密位置合わせ作業を実施する(アライメント工程)。 In order to implement the first embodiment of the cutting process, the semiconductor wafer 10 on which the Low-k film cutting process shown in FIG. 5 is performed is sucked and held on the chuck table 3 through the dicing tape T as described above. To do. The chuck table 3 that sucks and holds the semiconductor wafer 10 in this way is moved to a position immediately below the imaging means 7. When the chuck table 3 is positioned immediately below the image pickup means 7, the image pickup means 7 detects the cutting groove 130 formed along the planned division line 111 formed in the semiconductor wafer 10, and the spindle unit 4 is indexed. Then, a precise alignment operation between the cutting groove 130 and the cutting blade 43 is performed by adjusting the movement in the arrow Y direction (alignment process).
上述したようにアライメント工程が実施されたならば、チャックテーブル3を切削加工領域に移動し、図8の(a)に示すように所定の分割予定ライン111に沿って形成された切削溝130の一端を切削ブレード43の直下より図8の(a)において僅かに右側に位置付ける。このようにしてチャックテーブル3上に保持された半導体ウエーハ10が切削加工領域の切削開始位置に位置付けられたならば、切削ブレード43を図8の(a)において2点鎖線で示す待機位置から矢印Z1で示すように下方に切り込み送りし、図8の(a)において実線で示すように所定の切り込み送り位置に位置付ける。この切り込み送り位置は、図8の(a)および図8の(c)に示すように切削ブレード43を構成する環状の切れ刃432aの下端が半導体ウエーハ10を構成する半導体基板100の裏面が貼着されているダイシングテープTに達する位置に設定されている。 When the alignment step is performed as described above, the chuck table 3 is moved to the cutting region, and the cutting grooves 130 formed along the predetermined division line 111 as shown in FIG. One end is positioned slightly to the right in FIG. 8A from directly below the cutting blade 43. If the semiconductor wafer 10 held on the chuck table 3 is positioned at the cutting start position in the cutting region in this way, the cutting blade 43 is moved from the standby position indicated by the two-dot chain line in FIG. As shown by Z1, the sheet is cut and fed downward, and is positioned at a predetermined cutting and feeding position as shown by a solid line in FIG. As shown in FIGS. 8A and 8C, the cutting feed position is such that the lower end of the annular cutting edge 432a constituting the cutting blade 43 is attached to the back surface of the semiconductor substrate 100 constituting the semiconductor wafer 10. It is set at a position that reaches the dicing tape T that is being worn.
次に、切削ブレード43を図8の(a)において矢印43aで示す方向に所定の回転速度で回転せしめ、チャックテーブル3を図8の(a)において矢印X1で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、チャックテーブル3が図8の(b)で示すように分割予定ライン111に沿って形成された切削溝130の他端(図8の(b)において右端)が切削ブレード43の直下より所定量左側に位置するまで達したら、チャックテーブル3の移動を停止する。このようにチャックテーブル3を加工送りすることにより、図8の(d)で示すように半導体ウエーハ10を構成する半導体基板100は分割予定ライン111に沿って形成された切削溝130に沿って形成される切削溝132によって切断される(切断工程)。なお、この切断工程において切れ刃432aによる切削領域に供給する切削水としては純水だけでもよい。 Next, the cutting blade 43 is rotated at a predetermined rotational speed in the direction indicated by an arrow 43a in FIG. 8A, and the chuck table 3 is rotated in a direction indicated by an arrow X1 in FIG. 8A. Move with. Then, the other end (the right end in FIG. 8B) of the cutting groove 130 in which the chuck table 3 is formed along the scheduled dividing line 111 as shown in FIG. 8B is located immediately below the cutting blade 43. When reaching the fixed amount left side, the movement of the chuck table 3 is stopped. By processing and feeding the chuck table 3 in this way, the semiconductor substrate 100 constituting the semiconductor wafer 10 is formed along the cutting groove 130 formed along the planned division line 111 as shown in FIG. The cutting groove 132 is cut (cutting step). In this cutting step, pure water may be used as the cutting water supplied to the cutting area by the cutting edge 432a.
次に、切削ブレード43を図8の(b)において矢印Z2で示すように上昇させて2点鎖線で示す待機位置に位置付け、チャックテーブル41を図8の(b)において矢印X2で示す方向に移動して、図8の(a)に示す位置に戻す。そして、チャックテーブル3を紙面に垂直な方向(割り出し送り方向)に分割予定ライン111の間隔に相当する量だけ割り出し送りし、次に切削すべき分割予定ライン111に沿って形成された切削溝130を切削ブレード43と対応する位置に位置付ける。このようにして、次に切削すべき分割予定ライン111に沿って形成された切削溝130を切削ブレード43と対応する位置に位置付けたならば、上述した切断工程を実施する。このようにして、半導体ウエーハ10に所定方向に形成された全ての分割予定ライン111に沿って形成された切削溝130に沿って上記切断工程を実施したならば、半導体ウエーハ10を保持したチャックテーブル3を90度回動する。そして、半導体ウエーハ10に所定方向と直交する方向に形成された全ての分割予定ライン111に沿って形成された切削溝130に沿って上記切断工程を実施する。この結果、半導体ウエーハ10は分割予定ライン111に沿って切断され個々のデバイスに分割される。 Next, the cutting blade 43 is raised as shown by the arrow Z2 in FIG. 8B and positioned at the standby position shown by the two-dot chain line, and the chuck table 41 is moved in the direction shown by the arrow X2 in FIG. Move and return to the position shown in FIG. Then, the chuck table 3 is indexed and fed in the direction perpendicular to the paper surface (index feed direction) by an amount corresponding to the interval between the scheduled division lines 111, and the cutting groove 130 formed along the scheduled division line 111 to be cut next. Is positioned at a position corresponding to the cutting blade 43. Thus, if the cutting groove 130 formed along the scheduled division line 111 to be cut next is positioned at a position corresponding to the cutting blade 43, the above-described cutting process is performed. In this way, if the above-described cutting process is performed along the cutting grooves 130 formed along all the planned dividing lines 111 formed in the predetermined direction on the semiconductor wafer 10, the chuck table holding the semiconductor wafer 10. 3 is rotated 90 degrees. Then, the cutting process is performed along the cutting grooves 130 formed along all the planned division lines 111 formed in the semiconductor wafer 10 in the direction orthogonal to the predetermined direction. As a result, the semiconductor wafer 10 is cut along the planned division line 111 and divided into individual devices.
次に、切断工程の第2の実施形態について、図9乃至図10を参照して説明する。この切断工程の第2の実施形態は、図9に示すレーザー加工装置60を用いて実施する。図9に示すレーザー加工装置60は、被加工物を保持するチャックテーブル61と、該チャックテーブル61上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段62と、チャックテーブル61上に保持された被加工物を撮像する撮像手段63を具備している。チャックテーブル61は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない加工送り手段によって図9において矢印Xで示す加工送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない割り出し送り手段によって図9において矢印Yで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。 Next, a second embodiment of the cutting process will be described with reference to FIGS. The second embodiment of this cutting step is performed using a laser processing apparatus 60 shown in FIG. A laser processing apparatus 60 shown in FIG. 9 includes a chuck table 61 that holds a workpiece, laser beam irradiation means 62 that irradiates a workpiece held on the chuck table 61 with a laser beam, and a chuck table 61 that holds the workpiece. An image pickup means 63 for picking up an image of the processed workpiece is provided. The chuck table 61 is configured to suck and hold the workpiece. The chuck table 61 is moved in a processing feed direction indicated by an arrow X in FIG. 9 by a processing feed means (not shown), and in FIG. 9 by an index feed means (not shown). It can be moved in the index feed direction indicated by the arrow Y.
上記レーザー光線照射手段62は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング621を含んでいる。ケーシング621内には図示しないパルスレーザー光線発振器や繰り返し周波数設定手段を備えたパルスレーザー光線発振手段が配設されている。上記ケーシング621の先端部には、パルスレーザー光線発振手段から発振されたパルスレーザー光線を集光するための集光器622が装着されている。なお、レーザー光線照射手段62は、集光器622によって集光されるパルスレーザー光線の集光点位置を調整するための集光点位置調整手段(図示せず)を備えている。 The laser beam irradiation means 62 includes a cylindrical casing 621 disposed substantially horizontally. In the casing 621, a pulsed laser beam oscillation means including a pulsed laser beam oscillator and a repetition frequency setting means (not shown) are arranged. A condenser 622 for condensing the pulse laser beam oscillated from the pulse laser beam oscillating means is attached to the tip of the casing 621. The laser beam irradiating unit 62 includes a condensing point position adjusting unit (not shown) for adjusting the condensing point position of the pulse laser beam collected by the condenser 622.
上記レーザー光線照射手段62を構成するケーシング621の先端部に装着された撮像手段63は、被加工物を照明する照明手段と、該照明手段によって照明された領域を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた像を撮像する撮像素子(CCD)等を備え、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。 The imaging means 63 attached to the tip of the casing 621 constituting the laser beam irradiation means 62 includes an illumination means for illuminating the workpiece, an optical system for capturing an area illuminated by the illumination means, and the optical system. An image pickup device (CCD) or the like for picking up the captured image is provided, and the picked-up image signal is sent to a control means (not shown).
上述したレーザー加工装置60を用いて、切断工程の第2に実施形態を実施するには、上記図5に示すLow−k膜切削工程が実施された半導体ウエーハ10のダイシングテープT側をチャックテーブル61上に載置する。図示しない吸引手段を作動することにより、ダイシングテープTを介して半導体ウエーハ10をチャックテーブル61上に吸引保持する(ウエーハ保持工程)。なお、図9においてはダイシングテープTが装着された環状のフレームFを省いて示しているが、環状のフレームFはチャックテーブル61に配設された適宜のフレーム保持手段に保持される。このようにして、半導体ウエーハ10を吸引保持したチャックテーブル61は、図示しない加工送り手段によって撮像手段63の直下に位置付けられる。 In order to implement the second embodiment of the cutting process using the laser processing apparatus 60 described above, the dicing tape T side of the semiconductor wafer 10 on which the Low-k film cutting process shown in FIG. 61 is mounted. By operating a suction means (not shown), the semiconductor wafer 10 is sucked and held on the chuck table 61 via the dicing tape T (wafer holding step). In FIG. 9, the annular frame F to which the dicing tape T is attached is omitted, but the annular frame F is held by appropriate frame holding means provided on the chuck table 61. In this way, the chuck table 61 that sucks and holds the semiconductor wafer 10 is positioned directly below the imaging unit 63 by a processing feed unit (not shown).
チャックテーブル61が撮像手段63の直下に位置付けられると、撮像手段63および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ10のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段63および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ10の所定方向に形成されている分割予定ライン111に沿って形成された切削溝130と、該切削溝130に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段62の集光器622との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する(アライメント工程)。また、半導体ウエーハ10に上記所定方向と直交する方向に形成された分割予定ライン111に沿って形成された切削溝130に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。 When the chuck table 61 is positioned immediately below the image pickup means 63, an alignment operation for detecting a processing region to be laser processed of the semiconductor wafer 10 is executed by the image pickup means 63 and a control means (not shown). That is, the imaging unit 63 and a control unit (not shown) are configured to cut the cutting groove 130 formed along the predetermined division line 111 formed in the predetermined direction of the semiconductor wafer 10 and the laser beam that irradiates the laser beam along the cutting groove 130. Image processing such as pattern matching for performing alignment with the condenser 622 of the irradiation unit 62 is performed, and alignment of the laser beam irradiation position is performed (alignment process). In addition, the alignment of the laser beam irradiation position is similarly performed on the cutting groove 130 formed along the planned dividing line 111 formed in the semiconductor wafer 10 in a direction orthogonal to the predetermined direction.
上述したアライメント工程を実施したならば、図10で示すようにチャックテーブル61をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段62の集光器622が位置するレーザー光線照射領域に移動し、図10の(a)で示すように半導体ウエーハ10に形成された所定の分割予定ライン111に沿って形成された切削溝130の一端(図10の(a)において左端)が集光器622の直下に位置するように位置付ける。次に、レーザー光線照射手段62の集光器622から半導体ウエーハ10を構成する半導体基板100に対して吸収性を有する波長または透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル61を図10の(a)において矢印X1で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる(レーザー加工工程)。そして、図10の(b)で示すように分割予定ライン111に沿って形成された切削溝130の他端(図10の(b)において右端)が集光器622の直下位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル61の移動を停止する。 When the alignment step described above is performed, the chuck table 61 is moved to the laser beam irradiation region where the condenser 622 of the laser beam irradiation means 62 for irradiating the laser beam is located as shown in FIG. As shown, one end of the cutting groove 130 formed along a predetermined division line 111 formed in the semiconductor wafer 10 (left end in FIG. 10A) is positioned so as to be located immediately below the condenser 622. . Next, the chuck table 61 is applied to the semiconductor substrate 100 constituting the semiconductor wafer 10 from the condenser 622 of the laser beam irradiation means 62 while irradiating a pulsed laser beam having an absorptive wavelength or a transmissive wavelength as shown in FIG. In (a), it is moved at a predetermined processing feed speed in the direction indicated by the arrow X1 (laser processing step). Then, when the other end of the cutting groove 130 formed along the planned division line 111 as shown in FIG. 10B (the right end in FIG. 10B) reaches a position directly below the condenser 622, The irradiation of the pulse laser beam is stopped and the movement of the chuck table 61 is stopped.
上述したレーザー加工工程を実施することにより、半導体ウエーハ10を構成する半導体基板100は図10の(c)、(d)に示すように分割予定ライン111に沿って形成された切削溝130に沿って形成されるレーザー加工溝133または改質層134によって切断される。このレーザー加工工程を半導体ウエーハ10に形成された全ての分割予定ライン111に沿って形成された切削溝130に沿って実施することにより、半導体ウエーハ10は分割予定ライン111に沿って切断され個々のデバイスに分割される。 By performing the above-described laser processing step, the semiconductor substrate 100 constituting the semiconductor wafer 10 is formed along the cutting groove 130 formed along the division line 111 as shown in FIGS. 10 (c) and 10 (d). It is cut by the laser processed groove 133 or the modified layer 134 formed in this manner. By performing this laser processing step along the cutting grooves 130 formed along all the division lines 111 formed on the semiconductor wafer 10, the semiconductor wafer 10 is cut along the division lines 111 to be individually separated. Divided into devices.
2:装置ハウジング
3:チャックテーブル
4:スピンドルユニット
43:切削ブレード
44:ブレードカバー
5:切削水供給機構
511:第1の切削水供給管
512:第2の切削水供給管
52:切削水送給手段
531:第1の切削水供給ノズル
532:第2の切削水供給ノズル
7:撮像手段
10:半導体ウエーハ
100:半導体基板
110:Low−k膜程
11:カセット
12:仮置きテーブル
13:搬出・搬入手段
14:第1の搬送手段
15:洗浄手段
16:第2の搬送手段
60:レーザー加工装置
61:レーザー加工装置のチャックテーブル
62:レーザー光線照射手段
622:集光器
F:環状の支持フレーム
T:ダイシングテープ
2: Device housing 3: Chuck table 4: Spindle unit 43: Cutting blade 44: Blade cover 5: Cutting water supply mechanism 511: First cutting water supply pipe 512: Second cutting water supply pipe 52: Cutting water feed Means 531: First cutting water supply nozzle 532: Second cutting water supply nozzle 7: Imaging means 10: Semiconductor wafer 100: Semiconductor substrate 110: Low-k film length 11: Cassette 12: Temporary placement table 13: Unloading Carry-in means 14: First transport means 15: Cleaning means 16: Second transport means 60: Laser processing device 61: Chuck table 62 of laser processing device: Laser beam irradiation means 622: Condenser
F: Annular support frame
T: Dicing tape
Claims (4)
切削装置の被加工物保持手段にウエーハの裏面側を保持するウエーハ保持工程と、
該被加工物保持手段に保持されたウエーハの分割予定ラインに外周に切れ刃を有し高速回転する切削ブレードを位置付けて、該被加工物保持手段と該切削ブレードを相対的に加工送りすることにより、少なくともLow−k膜を分割予定ラインに沿って分断するLow−k膜切削工程と、を含み、
該Low−k膜切削工程においては、有機酸と酸化剤を含有した切削水が該切削ブレードの切れ刃による切削領域に供給される、
ことを特徴とするウエーハの加工方法。 A wafer processing method in which devices are formed in a plurality of regions defined by a plurality of division lines formed in a lattice pattern in a low-k film stacked on the surface of a semiconductor substrate,
A wafer holding step for holding the back side of the wafer in the workpiece holding means of the cutting device;
A cutting blade having a cutting edge on the outer periphery is positioned on a scheduled division line of the wafer held by the workpiece holding means, and a high-speed rotating cutting blade is positioned, and the workpiece holding means and the cutting blade are relatively processed and fed. A low-k film cutting step that divides at least the low-k film along the planned dividing line,
In the Low-k film cutting step, cutting water containing an organic acid and an oxidizing agent is supplied to a cutting region by the cutting blade of the cutting blade.
A method for processing a wafer.
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