JP6424735B2 - Ca−Ge−F系化合物、複合材料、及び半導体 - Google Patents
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Description
CaGe2は、CaSi2のSiをGeに置き換えた化合物であり、CaSi2と類似した性質を持つ。例えば、特許文献2には、トポ化学反応を用いて、CaGe2薄膜からポリゲルミン:(GeH)nを得る方法が開示されている。
同文献には、
(a)Si(111)基板上に分子線エピタキシー法(MBE法)又は有機金属気相成長法(MOCVD法)を用いてCaF2層とSi層とを交互に成長させることにより、このような超格子熱電材料が得られる点、及び、
(b)(111)配向Si/CaF2系超格子において、Si層の厚みが0.75nmであって、CaF2層の厚みが1.25nm(=4ML(モノ・レイヤー))である場合に、ZT値が最大に近づく点、
が記載されている。
例えば、非特許文献1には、Ni基板上にCaF2をバッファ層として約500nmの膜厚で成長させ、その上にGeを成長させる方法が開示されている。
また、非特許文献2には、CaF2基板上にGeをエピタキシャル成長させる方法が開示されている。
すなわち、数原子層のCaF2層と数原子層のGe層とが交互に積層された多層構造を備えたCa−Ge−F系化合物(特に、Ge面とF面とが対峙している構造を備えた化合物)が合成された例は、従来にはない。
また、本発明が解決しようとする他の課題は、このようなCa−Ge−F系化合物を用いた複合材料、及び半導体を提供することにある。
(1)前記Ca−Ge−F系化合物は、組成式:CaGe2Fx(0<x≦3)で表される組成を有する化合物(CaGe2Fx化合物)を含む。
(2)前記CaGe2Fx化合物は、1〜6原子層のGe層と、1〜6原子層のCaF2層とが交互に積層した積層構造を備えている。
少なくとも表面がGe(111)面、Si(111)面、又は、CaF2(111)面からなる基板と、
前記基板上に合成された、本発明に係るCa−Ge−F系化合物と
を備えていることを要旨とする。
さらに、本発明に係る半導体は、本発明に係るCa−Ge−F系化合物、又は本発明に係る複合材料を用いたことを要旨とする。
[1. Ca−Ge−F系化合物]
本発明に係るCa−Ge−F系化合物は、以下の構成を備えている。
(1)前記Ca−Ge−F系化合物は、組成式:CaGe2Fx(0<x≦3)で表される組成を有する化合物(CaGe2Fx化合物)を含む。
(2)前記CaGe2Fx化合物は、1〜6原子層のGe層と、1〜6原子層のCaF2層とが交互に積層した積層構造を備えている。
Ca−Ge−F系化合物は、
(a)CaGe2Fx化合物のみからなる場合と、
(b)CaGe2Fx化合物に加えて、他の化合物を含む場合と、
がある。他の化合物については、後述する。
[1.1.1. 組成]
「CaGe2Fx化合物」とは、Ca、Ge、及びFを所定の比率で含む化合物をいう。
CaGe2Fx化合物は、製造条件に応じて、
(a)結晶質となる場合と、
(b)アモルファス又はアモルファスに近い状態(以下、これらを総称して「アモルファス状」という)となる場合と、
がある。
本発明において、単に「CaGe2Fx化合物」というときは、結晶質、又はアモルファス状のいずれも含まれる。
化学量論組成からのずれの程度は、フッ素の含有量、空孔の含有量、CaGe2からCaGe2Fx化合物への変態の進行程度などにより異なる。後述する方法を用いた場合、Ge/Ca比は、2.0±0.15程度となる。
(a)x=1.0である化合物(以下、「CaGe2F1.0組成」ともいう)。
(b)x=1.25である化合物(以下、「CaGe2F1.25組成」ともいう)。
(c)x=1.5である化合物(以下、「CaGe2F1.5組成」ともいう)。
(d)x=1.75である化合物(以下、「CaGe2F1.75組成」ともいう)。
(e)x=2.00である化合物(以下、「CaGe2F2組成」ともいう)。
(f)x=2.25である化合物(以下、「CaGe2F2.25組成」ともいう)。
(g)x=2.50である化合物(以下、「CaGe2F2.5組成」ともいう)。
(h)x=2.75である化合物(以下、「CaGe2F2.75組成」ともいう)。
(i)x=3.00である化合物(以下、「CaGe2F3組成」ともいう)。
所定のx値からのずれの程度は、製造条件により異なる。後述する方法を用いた場合、CaGe2F1.5組成のx値は、1.5±0.10程度となる。この点は、上述した残りの組成物も同様である。
また、原料として所定の粒径を有するCaGe2粉末を用いた場合、製造条件を最適化することによって、粒子全体を特定の組成にすることもできる。
[A. 原子層数]
結晶質のCaGe2Fx化合物は、1〜6原子層のGe層と、1〜6原子層のCaF2層とが交互に積層した積層構造を備えている。CaGe2F2化合物は、3原子層のGe層と、3原子層のCaF2層とが交互に積層した構造が主な構造であるが、両層とも製造条件に応じて1〜6原子層の範囲で原子層数が変化する。
これに対し、Ge層は、原子層数に応じて、原子配列が異なっている。1原子層のGe層、及び、3〜6原子層のGe層は、バルクのGe(111)と同様の原子配列を持つ。
一方、2原子層のGe層(以下、これを「2層Ge」ともいう)は、バルクのGe(111)と同様の原子配列をもつものと、バルクのGe構造とは異なる特異な構造を持つものとがある。
(a)バルクのGeと同じ原子配列であるキュービックダイヤモンド(3C)構造を有する3層Ge、及び、
(b)3Cとは原子配列が同じでスタッキングが異なるヘキサゴナルダイヤモンド(2H又は4H)構造を有する3層Ge、
が確認されている。
(a)バルクのGe構造とは異なる特異な構造であって、ある一方の端面(エッジ面)が四員環と五員環で構成される構造を持つもの(新規構造)、
(b)バルクのGeと同じ原子配列であるキュービックダイヤモンド(3C)構造を有する2層Ge、及び、
(c)3Cとは原子配列が同じでスタッキングが異なるヘキサゴナルダイヤモンド(2H)構造を有する2層Ge、
が確認されている。
3原子層以上のGe層は、主としてx>1.5の領域に現れる。一方、2層Geは、主として、x≦1.5の領域に現れる。
1原子層のGeは、原料のCaGe2がキュービックダイヤモンド構造の(111)に相当するGeモノレイヤーとCaモノレイヤーが交互に積層した構造を有するため、F濃度が低いと、モノレイヤーGeが残っている。
Si(111)基板上にCaF2をエピタキシャル成長させた場合、Si層とCaF2層の界面は、Si(111)面とCa面が対峙した構造となる。この場合、界面に存在するSi原子及びCa原子は、CaSi2と同じスタッキングとなるため、界面のSi−Ca間にはイオン結合が形成され、界面Siにはダングリングボンドが形成されない(参考文献1〜3参照)。
[参考文献1]R. M. Tromp and M. C. Reuter, Phys. Rev. Lett., 61, 1756 (1988)
[参考文献2]E. Rothenberg and J. D. Denlinger, Phys. Rev. B, 50, 11052 (1994)
[参考文献3]C. Deiter, et al., Phys. Rev. B, 085449 (2010)
また、キュービックダイヤモンド構造、ヘキサゴナルダイヤモンド構造、及び、ある一方向の端面が四員環と五員環で構成されている2層Geは、これまで報告がなく、本発明に係る方法のみで形成可能である。
[参考文献4]Germanene, New Journal of Physics 16 (2014)095002
後述するように、フッ素が共存する環境下においてCaGe2を熱処理すると、CaGe2中にフッ素が拡散する。そのため、熱処理条件を最適化すると、理想的には、CaGe2のすべてをCaGe2Fx化合物に変態させることができる。
一方、熱処理条件を最適化すると、CaGe2Fx化合物以外の他の化合物を含むCa−Ge−F系化合物が得られる場合がある。
本発明に係るCa−Ge−F系化合物は、
(a)CaGe2を含む原料を準備し、
(b)CaGe2にフッ素を拡散させる
ことにより製造することができる。
まず、CaGe2を含む原料を準備する(原料準備工程)。原料は、CaGe2を含むものであれば良い。CaGe2へのフッ素の拡散が可能な限りにおいて、原料の結晶構造、大きさ、形状等は、特に限定されない。
CaGe2を含む原料としては、例えば、
(a)CaGe2の多結晶、単結晶、又はアモルファスからなるバルク又は粉末、
(b)Ge基板、Si基板などの基板上に形成されたCaGe2薄膜、
などがある。
次に、CaGe2にフッ素を拡散させ、本発明に係るCa−Ge−F系化合物を合成する(拡散工程)。CaGe2へのフッ素の拡散方法は、特に限定されるものではなく、原料の種類や目的に応じて、最適な方法を選択することができる。
フッ素の拡散方法は、特に、フッ素を含有する液相中において、原料を熱処理する方法が好ましい。このような方法により、容易にCa−Ge−F系化合物を合成することができる。
フッ素を含有する液相としては、例えば、
(a)フッ素ガスを溶媒に溶解させた溶液、
(b)フッ素を含有する化合物を溶媒に溶解させた溶液、
(c)フッ素を含有する化合物の融液
などがある。
液相を用いてフッ素を拡散させる場合、熱処理(アニール)は、原料を液相中に浸漬した状態で行う。熱処理条件は、所定量のフッ素を効率よく拡散させることが可能な条件であれば良い。
フッ素源の種類によっては、フッ素の拡散は、室温近傍においても生ずる。すなわち、本発明において「熱処理」というときは、室温近傍での保持も含まれる。
一方、CaGe2へのフッ素の拡散量には限界がある。そのため、フッ素濃度の上昇という点において、必要以上の熱処理には実益がない。また、過度の熱処理は、Ca−Ge−F系化合物の構造の変化を引き起こす場合もある。
最適な熱処理時間は、Ca−Ge−F系化合物の用途や熱処理温度にもよるが、通常、10〜200時間程度である。
得られたCa−Ge−F系化合物は、そのまま各種の用途に用いても良い。あるいは、合成物から目的とする組成物のみを抽出し、これを各種の用途に用いても良い。
本発明に係る複合材料は、
少なくとも表面がGe(111)面、Si(111)面、又は、CaF2(111)面からなる基板と、
前記基板上に合成された、本発明に係るCa−Ge−F系化合物と
を備えている。
あるいは、Ca−Ge−F系化合物は、製造条件によっては、表面から内部に向かってフッ素濃度が段階的に変化している場合がある。この場合、熱処理直後の複合材料の表層部分のみを選択的に除去し、目的とする組成を有するCaGe2Fx化合物を表面に露出させた状態で、各種の用途に用いることもできる。
本発明に係るCa−Ge−F系化合物又は複合材料は、半導体として用いることができる。
例えば、CaGe2層/CaGe2Fx化合物層からなる接合体は、ショットキー結合として機能する。そのため、Ca−Ge−F系化合物は、ショットキーバリアダイオード、金属−半導体電界効果トランジスタなどに利用することができる。
CaGe2にフッ素を拡散させると、CaGe2の全部又は一部が新規な化合物(CaGe2Fx化合物)に変態する。この時、反応条件に応じて、フッ素濃度の異なる様々なCaGe2Fx化合物が生成する。これらのCaGe2Fx化合物は、いずれも1〜6原子層のGe層と、1〜6原子層のCaF2層とが交互に積層した構造を備えている。また、2つのCaF2層の間、又は、CaF2層とCaGe2層との間に挟まれた2原子層のGe層は、3種類の異なる構造を備えている。さらに、新規構造の2原子層Ge及び3原子層以上のGe層とCaF2層との界面は、Ge面とF面とが対峙した構造を備えている。そのため、本発明に係るCa−Ge−F系化合物は、フッ素濃度を制御し、Ge層の構造を変化させることによって、種々の特性を示す。
キュービックダイヤモンド(3C)構造を有する2層Geは、グラフェンと同様、線形分散なバンド構造を持つことが期待される。そのため、3C構造の2層Geを電界効果型トランジスタのチャネル材料として使用すれば、高速度デバイスの実現が期待される。
また、Si基板上にCaGe2層をエピタキシャル成長させ、CaGe2層にFを拡散させることにより、Si基板上に種々の特性を有するデバイスを作製することができる。
さらに、CaGe2Fx化合物は、Ca及びFの濃度によって、金属、半導体、絶縁体へと変化する。そのため、オーミック接合やショットキー接合の形成技術となりうる。
[1. 試料の作製]
CaGe2の結晶粒をイオン液体[BMIM][BF4]中で250℃−10hアニールすることで、CaGe2Fx化合物を得た。
[2.1. CaGe2Fx化合物の組成]
250℃−10hアニールを行ったCaGe2Fx結晶粒の組成分析をEPMAで行った。図1に、アニール後の2つの結晶粒の反射電子像((a)結晶粒1、(b)結晶粒2)を示す。図2に、図1に示すCaGe2Fx結晶粒のEPMA定量線分析結果((a)結晶粒1、(b)結晶粒2)を示す。測定方向は、図1中に矢印で示した方向である。
結晶粒によって拡散するF量にバラツキはあるものの、250−10hアニールでは、組成範囲がCaGe2Fx(0<x≦1.8)になることが確認された。
図3に、CaGe2F1.0-1.8組成エリアの高角度散乱暗視野−走査型透過電子顕微鏡(HAADF−STEM)像を示す。一般に、HAADF−STEM像のコントラストは、試料厚さ方向に投影した平均原子番号に依存し、投影原子番号が大きいほど明るくなる。明るいコントラスト相はGeであり、暗いコントラスト相はCaFxである。図3より、1〜6層のGeと1〜6層のCaF2が交互に積層しているのが確認される。3層Geの構造は、通常のバルクSiと同じキュービックダイヤモンド(3C)構造、並びに、これとはスタッキングが異なる2タイプのヘキサゴナルダイヤモンド(2H及び4H)構造が確認された。
図5に、CaGe2F1.0-1.8組成エリアにおける[11−2]Ge and CaF2方位のHAADF−STEM像及びEDSマッピングを示す。図5は、主に3層積層構造が形成されているエリアで撮影されたものである。nmオーダーで、Ge相とCaF2相に相分離していることが確認された。
図6に、2層Geの構造モデルを示す。キュービックダイヤモンド(3C)構造の2層Geは、通常のバルクGeの{111}面のスタッキングと同じスタッキングであり、Ge6員環を反転操作で重ねた構造である。これに対し、ヘキサゴナルダイヤモンド(2H)構造の2層Geは、Ge6員環を鏡映操作で重ねた構造である。
図7に、新規構造2層Geの外観図を示す。新規構造2層Geは、図7に示すように、2枚のGe−6員環ネットワークの積層からなる2次元周期構造体である。通常のダイヤモンド型Ge結晶の(111)原子面とは異なり、Ge−6員環ネットワークは、変形チェア型とボート型の6員環で構成されている。そして、2枚のGe−6員環ネットワークは、端面の4員環及び5員環を介して結合する。
図8に、この新規構造2層Geを各方向から見たモデルを示す。図8中、投影方向は、それぞれ、(a)積層方向、(b)[01]方向、(c)[13]方向、(d)[11]方向、及び、(e)[10]方向である。
図10に、3層Geの構造モデルを示す。3層Geの構造は、3タイプの結晶多形(ポリタイプ)が存在する。図10(a)に示した構造は、通常のバルクGeであるキュービックダイヤモンド(3C)構造の{111}面スタッキングの3層Geであり、3次元結晶で表した場合の空間群はFd−3m(227)である。他は、図9(b)、(c)の2タイプのヘキサゴナルダイヤモンド(2Hと4H)構造の3層Geである。3次元結晶で表した場合、どちらも空間群はP63/mmc(194)であるが、スタッキング周期が2周期と4周期で異なっている。
表2に、この3タイプの結晶構造をまとめて示す。尚、格子定数は、平均値である。
CaGe2結晶粒をイオン液体[BMIM][BF4]中で300℃−5hアニールすることで、CaGe2Fx化合物を得た。
EPMA分析の結果、組成は、CaGe2Fx(2.8≦x≦3.0)であった。よって、CaGe2Fxは、x=3.0まで変態することが確認された。
Claims (10)
- 以下の(1)及び(2)の構成を備えたCa−Ge−F系化合物。
(1)前記Ca−Ge−F系化合物は、組成式:CaGe2Fx(0<x≦3)で表される組成を有する化合物(CaGe2Fx化合物)を含む。
(2)前記CaGe2Fx化合物は、1〜6原子層のGe層と、1〜6原子層のCaF2層とが交互に積層した積層構造を備えている。 - 前記Ge層と前記CaF2層との界面は、Ge面とF面とが対峙した構造を備えている請求項1に記載のCa−Ge−F系化合物。
- 前記CaGe2Fx化合物は、バルクのGe構造とは異なる構造であって、ある一方の端面(エッジ面)が四員環と五員環で構成される構造を有する2原子層のGe層を含む請求項1又は2に記載のCa−Ge−F系化合物。
- 前記CaGe2Fx化合物は、キュービックダイヤモンド(3C)構造を有する2原子層のGe層を含む請求項1に記載のCa−Ge−F系化合物。
- 前記CaGe2Fx化合物は、ヘキサゴナルダイヤモンド(2H)構造を有する2原子層のGe層を含む請求項1に記載のCa−Ge−F系化合物。
- 前記CaGe2Fx化合物は、キュービックダイヤモンド(3C)構造を有する3原子層のGe層を含む請求項1又は2に記載のCa−Ge−F系化合物。
- 前記CaGe2Fx化合物は、ヘキサゴナルダイヤモンド(2H又は4H)構造を有する3原子層のGe層を含む請求項1又は2に記載のCa−Ge−F系化合物。
- x=1.0、1.25、1.5、1.75、2.0、2.25、2.50、2.75、又は、3.0である請求項1から7までのいずれか1項に記載のCa−Ge−F系化合物。
- 少なくとも表面がGe(111)面、Si(111)面、又は、CaF2(111)面からなる基板と、
前記基板上に合成された、請求項1から8までのいずれか1項に記載のCa−Ge−F系化合物と
を備えた複合材料。 - 請求項1から8までのいずれか1項に記載のCa−Ge−F系化合物、又は請求項9に記載の複合材料を用いた半導体。
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