JP6415931B2 - テラヘルツ波測定装置、及び、テラヘルツ波測定方法 - Google Patents
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Description
以下のサンプルを用意した。
続いて、図8に示す薄膜の多層膜干渉モデルを用いて、シミュレーションによる検証を行った。図8に示すように、Siからなる三角プリズムがあり、その反射面(全反射面)の下側に空気層を介して試料が存在する。そして試料はバルク層(Si層)の表面にドープ層が存在するとした。
シミュレーションでは、以下の計算モデル(1)を用いて検証を行った。
2 レーザ光源
3 ビームスプリッタ
4 光伝導アンテナ(テラヘルツ波発信側)
5 プリズム
5a 入射面
5b 反射面
5c 出射面
6 光遅延器
7 光伝導アンテナ(テラヘルツ波受信側;検出部)
8 移動ステージ
20 試料
21 設置台
21a 設置面
22 制御部
23 距離調整機構
24 凹部
25 突出面
Claims (6)
- テラヘルツ波を照射する光源と、
前記テラヘルツ波を入射する入射面、入射された前記テラヘルツ波を反射する反射面、及び反射した前記テラヘルツ波を外部に出射する出射面を備えたプリズムと、
前記出射面から出射された前記テラヘルツ波を検出する検出部と、
前記反射面側に、試料を支持する設置面が形成される設置台を備え、前記設置台と前記反射面との相対的な距離を調整する距離調整機構と、
を有し、
前記プリズムには、前記反射面よりも前記試料の方向に突き出る突出面が、前記プリズムと一体的にあるいは別体として前記反射面の周囲の少なくとも一部に設けられており、
前記距離調整機構により前記試料を前記突出面に突き当てたときに、前記反射面と前記試料との間に形成される空間により、前記試料と前記反射面との距離が一定距離に保たれていることを特徴とするテラヘルツ波測定装置。 - 前記プリズムに、前記反射面と前記突出面との間に凹部が設けられ、
前記凹部により前記空間が形成され、前記空間により前記試料と前記反射面との距離が一定距離に保たれていることを特徴とする請求項1に記載のテラヘルツ波測定装置。 - 前記プリズムは、前記試料と同等の材質、あるいは同等の屈折率を有する材質で形成されることを特徴とする請求項1又は2に記載のテラヘルツ波測定装置。
- 前記プリズムと前記設置台は、同等の材質、あるいは同等の屈折率を有する材質で形成されることを特徴とする請求項3に記載のテラヘルツ波測定装置。
- 請求項1ないし4のいずれかに記載されたテラヘルツ波測定装置を用いて、前記距離調整機構により、前記試料あるいは前記試料を設置する前記設置台と前記反射面との間を、試料データ取得時の前記試料と前記反射面との間の前記空間の距離よりも離した状態として、リファレンスデータを取得し、前記距離調整機構により前記試料と前記反射面との間の前記空間の距離を一定に保った状態で試料データを取得し、各データに基づいて、前記試料を分析することを特徴とするテラヘルツ波測定方法。
- 前記プリズムの前記反射面と前記試料との間の前記空間を一定の距離に保ったうえで、前記プリズムの前記反射面からテラヘルツ波の一部が前記試料の方向に漏れ出す光の干渉現象を利用して、前記試料の分析を行うことを特徴とする請求項5に記載のテラヘルツ波測定方法。
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