JP6414747B2 - Electronic device and manufacturing method thereof - Google Patents
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Description
本発明は、薄膜サーミスタ素子等の電子デバイスにレーザ光を照射して所望の抵抗値に合わせるため電極又は抵抗膜にトリミング等を行った電子デバイス及びその製造方法に関する。 The present invention relates to an electronic device in which trimming or the like is performed on an electrode or a resistance film in order to irradiate an electronic device such as a thin film thermistor element with a laser beam to match a desired resistance value, and a manufacturing method thereof.
従来、温度検出用や温度補償用として用いられている薄膜あるいは厚膜タイプのサーミスタとしては、絶縁性基板（シリコン基板やアルミナ基板等）上に感温抵抗膜であるサーミスタ部を形成し、その両端に端子電極部を形成した構造のものが知られている。このようなサーミスタを含む感温抵抗膜等の抵抗値精度を向上させる手段として、従来、抵抗薄膜である感温抵抗膜（サーミスタ膜）やその表面に形成された櫛形電極（櫛歯電極とも言う）をレーザトリミングして調整する方法が知られている。特に、近年はサブミクロンの膜から形成される薄膜素子や薄膜サーミスタ素子、温度係数の大きな素子をレーザトリミングして抵抗値調整するニーズがある。 Conventionally, as a thin film or thick film type thermistor used for temperature detection or temperature compensation, a thermistor portion which is a temperature sensitive resistance film is formed on an insulating substrate (such as a silicon substrate or an alumina substrate). A structure in which terminal electrode portions are formed at both ends is known. As means for improving the resistance value accuracy of a temperature sensitive resistance film including such a thermistor, a temperature sensitive resistance film (thermistor film) that is a resistance thin film or a comb-shaped electrode (also referred to as a comb-like electrode) formed on the surface thereof has been conventionally used. ) Is known by laser trimming. In particular, in recent years, there is a need to adjust the resistance value by laser trimming a thin film element, a thin film thermistor element, or an element having a large temperature coefficient formed from a submicron film.
例えば、特許文献１には、ＮＴＣサーミスタ薄膜と、ＮＴＣサーミスタ薄膜上に設けられた電極対とからなる薄膜ＮＴＣサーミスタ素子の製造方法について、電極対に、レーザ光を照射してその一部を切断して薄膜サーミスタ素子の抵抗値調整を行うためのトリミング用電極パターンを設けたものが記載されている。 For example, Patent Document 1 discloses a method of manufacturing a thin film NTC thermistor element comprising an NTC thermistor thin film and an electrode pair provided on the NTC thermistor thin film, and the electrode pair is irradiated with laser light and a part thereof is cut. A thin film thermistor element is provided with a trimming electrode pattern for adjusting the resistance value.
上記従来の技術には、以下の課題が残されている。
すなわち、レーザ光を照射して電極や抵抗膜を切断した場合、レーザ光の照射によって電極材料や抵抗膜材料の金属が飛散し、切断された部分に露出した絶縁性基板上に付着してショートしたり、切断時にショートしなくても、この付着した金属飛散物や切断した電極端部の金属のマイグレーションによって切断後にショートしてしまうおそれがあった。
The following problems remain in the conventional technology.
That is, when the electrode or resistance film is cut by laser light irradiation, the metal of the electrode material or resistance film material is scattered by the laser light irradiation, and adheres to the insulating substrate exposed to the cut portion and shorts. Even if it is not short-circuited at the time of cutting, there is a risk of short-circuiting after cutting due to the scattered metal adhering matter or metal migration at the end of the cut electrode.
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、抵抗値調整等のために切断された電極等のショートを抑制することができる電子デバイス及びその製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide an electronic device that can suppress short-circuiting of electrodes and the like cut for resistance value adjustment and the like, and a manufacturing method thereof.
本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、第１の発明に係る電子デバイスは、絶縁性フィルムと、前記絶縁性フィルム上に形成された抵抗膜と、前記抵抗膜上に複数の櫛部を有して互いに対向してパターン形成された一対の櫛形電極とを備え、前記抵抗膜又は複数の前記櫛部のうち一部が切断されていると共に、前記切断された部分に露出した前記絶縁性フィルムの少なくとも一部が盛り上がっていることを特徴とする。 The present invention employs the following configuration in order to solve the above problems. That is, the electronic device according to the first aspect of the present invention is patterned with an insulating film, a resistance film formed on the insulating film, and a plurality of comb portions on the resistance film facing each other. A pair of comb-shaped electrodes, wherein a part of the resistive film or the plurality of comb parts is cut, and at least a part of the insulating film exposed to the cut part is raised. And
この電子デバイスでは、抵抗膜又は複数の櫛部のうち一部が切断されていると共に、切断された部分に露出した絶縁性フィルムの少なくとも一部が盛り上がっているので、抵抗膜又は櫛部の切断端部間に絶縁性フィルムの盛り上がり部が介在していることで、切断端部間の沿面距離が平坦面の場合に比べて長くなってマイグレーションを抑制すると共に、盛り上がり部が障壁になって飛散物の付着を抑制することで、ショートを防止することができる。 In this electronic device, a part of the resistive film or the plurality of comb parts is cut, and at least a part of the insulating film exposed in the cut part is raised, so that the cut end part of the resistive film or the comb part As the rising portion of the insulating film is interposed between them, the creepage distance between the cut ends is longer than that of a flat surface, and migration is suppressed, and the rising portion becomes a barrier to prevent scattered objects. By suppressing the adhesion, a short circuit can be prevented.
第２の発明に係る電子デバイスは、第１の発明において、前記切断された部分に露出した前記絶縁性フィルムが、前記切断された部分の全長にわたって前記櫛部表面の平坦部分と同じ又はそれ以上に盛り上がっていることを特徴とする。
すなわち、切断された部分に露出した絶縁性フィルムが、切断された部分の全長にわたって櫛部表面の平坦部分と同じ又はそれ以上に盛り上がっているので、高い盛り上がり部によって切断された部分の全長にわたって飛散物の付着及びショートを抑制することができる。
The electronic device according to a second invention is the electronic device according to the first invention, wherein the insulating film exposed to the cut portion is equal to or more than a flat portion of the surface of the comb portion over the entire length of the cut portion. It is characterized by being raised.
That is, since the insulating film exposed in the cut portion swells over the entire length of the cut portion to the same or more than the flat portion of the surface of the comb portion, the scattered matter extends over the entire length of the portion cut by the high bulge portion. Adhesion and short circuit can be suppressed.
第３の発明に係る電子デバイスは、第１又は第２の発明において、前記抵抗膜が、サーミスタ薄膜であることを特徴とする。
すなわち、この電子デバイスでは、抵抗膜が、サーミスタ薄膜であり、いわゆる薄膜サーミスタ素子であるので、抵抗値調整等によって櫛部やサーミスタ薄膜が切断されてもショート等を防止することができる。
An electronic device according to a third invention is characterized in that, in the first or second invention, the resistance film is a thermistor thin film.
That is, in this electronic device, since the resistance film is a thermistor thin film, which is a so-called thin film thermistor element, even if the comb portion or the thermistor thin film is cut by adjusting the resistance value or the like, a short circuit or the like can be prevented.
第４の発明に係る電子デバイスの製造方法は、第１から第３の発明のいずれかの製造方法であって、前記抵抗膜又は前記櫛部の一部にレーザ光を照射して切断を行う工程を有し、前記切断時に、前記切断された部分に露出した前記絶縁性フィルムの少なくとも一部を前記レーザ光の照射により溶融させて盛り上げることを特徴とする。
すなわち、この電子デバイスの製造方法では、レーザ光による切断時に、切断された部分に露出した絶縁性フィルムの少なくとも一部をレーザ光の照射により溶融させて盛り上げるので、抵抗膜又は櫛部の切断時に同時にレーザ光照射によって露出した絶縁性フィルムを盛り上げることができる。また、露出した絶縁性フィルムにレーザ光が照射されることで、飛散物の付着も抑制することができる。
A method for manufacturing an electronic device according to a fourth invention is the method for manufacturing an electronic device according to any one of the first to third inventions, wherein the resistance film or a part of the comb portion is irradiated with a laser beam for cutting. And at the time of the cutting, at least a part of the insulating film exposed at the cut portion is melted by the irradiation of the laser beam and raised.
That is, in this method of manufacturing an electronic device, at the time of cutting with a laser beam, at least a part of the insulating film exposed to the cut portion is melted and raised by irradiation with the laser beam. The insulating film exposed by laser light irradiation can be raised. Moreover, adhesion of scattered matter can be suppressed by irradiating the exposed insulating film with laser light.
本発明によれば、以下の効果を奏する。
すなわち、本発明に係る電子デバイスによれば、抵抗膜又は複数の櫛部のうち一部が切断されていると共に、切断された部分に露出した絶縁性フィルムの少なくとも一部が盛り上がっているので、マイグレーションを抑制すると共に飛散物の付着を抑制することで、ショートを防止することができる。また、本発明に係る電子デバイスの製造方法によれば、レーザ光による切断時に、切断された部分に露出した絶縁性フィルムの少なくとも一部をレーザ光の照射により溶融させて盛り上げるので、切断時に同時に絶縁性フィルムを盛り上げることができ、飛散物の付着も抑制することができる。
The present invention has the following effects.
That is, according to the electronic device according to the present invention, a part of the resistance film or the plurality of comb parts is cut, and at least a part of the insulating film exposed to the cut part is raised, It is possible to prevent short-circuiting by suppressing the adhesion of scattered objects while suppressing the above. Further, according to the method for manufacturing an electronic device according to the present invention, at the time of cutting with a laser beam, at least a part of the insulating film exposed to the cut portion is melted and raised by irradiation with the laser beam. The insulating film can be raised and adhesion of scattered matter can be suppressed.
以下、本発明に係る電子デバイス及びその製造方法における一実施形態を、図１及び図２を参照しながら説明する。なお、以下の説明に用いる図面の一部では、各部を認識可能又は認識容易な大きさとするために必要に応じて縮尺を適宜変更している。 Hereinafter, an embodiment of an electronic device and a manufacturing method thereof according to the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2. Note that in some of the drawings used for the following description, the scale is appropriately changed as necessary to make each part recognizable or easily recognizable.
本実施形態の電子デバイス１は、図１及び図２に示すように、絶縁性フィルム２と、絶縁性フィルム２上に形成された抵抗膜３と、抵抗膜３上に複数の櫛部４ａを有して互いに対向してパターン形成された一対の櫛形電極４とを備え、抵抗膜３又は複数の櫛部４ａのうち一部が切断されていると共に、切断された部分Ｃに露出した絶縁性フィルム２の少なくとも一部が盛り上がっている。 As shown in FIGS. 1 and 2, the electronic device 1 of the present embodiment includes an insulating film 2, a resistance film 3 formed on the insulating film 2, and a plurality of comb portions 4 a on the resistance film 3. The insulating film 2 includes a pair of comb-shaped electrodes 4 that are patterned to face each other, and part of the resistive film 3 or the plurality of comb parts 4a is cut and exposed to the cut part C. At least some of them are exciting.
この絶縁性フィルム２の盛り上がり部２ａは、切断された部分Ｃにおいて一部又は複数部分に部分的に形成されているが、切断された部分Ｃの全長にわたって形成されていても良い。
なお、本実施形態では、櫛部４ａの一部を切断している。
上記盛り上がり部２ａは、図１に示すように、上記切断された部分Ｃに山型で形成されており、その高さは、櫛部４ａ表面の平坦部分と同じ又はそれ以上に盛り上がっている。特に、切断された部分Ｃに露出した絶縁性フィルム２は、切断された部分Ｃの全長にわたって櫛部４ａ表面の平坦部分と同じ又はそれ以上に盛り上がっていることが好ましい。
The raised portion 2a of the insulating film 2 is partially formed in a part or a plurality of portions in the cut portion C, but may be formed over the entire length of the cut portion C.
In the present embodiment, a part of the comb portion 4a is cut.
As shown in FIG. 1, the raised portion 2a is formed in a mountain shape at the cut portion C, and its height rises to the same or higher level than the flat portion on the surface of the comb portion 4a. In particular, it is preferable that the insulating film 2 exposed in the cut portion C swells to the same or more than the flat portion on the surface of the comb portion 4a over the entire length of the cut portion C.
上記電子デバイス１は、フィルム型サーミスタセンサであって、抵抗膜３をサーミスタ薄膜とした薄膜サーミスタ素子である。
上記絶縁性フィルム２は、例えば厚さ７．５〜１２５μｍのポリイミド樹脂シートで矩形状に形成されている。なお、絶縁性フィルム２としては、他にＰＥＴ：ポリエチレンテレフタレート，ＰＥＮ：ポリエチレンナフタレート等でも構わない。
The electronic device 1 is a film type thermistor sensor, and is a thin film thermistor element in which the resistance film 3 is a thermistor thin film.
The said insulating film 2 is formed in the rectangular shape with the polyimide resin sheet of thickness 7.5-125 micrometers, for example. In addition, as the insulating film 2, PET: polyethylene terephthalate, PEN: polyethylene naphthalate, or the like may be used.
上記抵抗膜３は、例えばＴｉＡｌＮのサーミスタ材料で形成されているサーミスタ薄膜である。特に、このサーミスタ薄膜は、一般式：ＴｉｘＡｌｙＮｚ（０．７０≦ｙ／（ｘ＋ｙ）≦０．９５、０．４≦ｚ≦０．５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相である。 The resistance film 3 is a thermistor thin film made of, for example, a TiAlN thermistor material. In particular, this thermistor thin film has a metal nitride represented by the general formula: Ti x Al y N z (0.70 ≦ y / (x + y) ≦ 0.95, 0.4 ≦ z ≦ 0.5, x + y + z = 1). The crystal structure of this is a hexagonal wurtzite single phase.
上記絶縁性フィルム２の両端部上には、図２に示すように、一対の櫛形電極４に接続された一対の端子電極６がパターン形成されている。
上記端子電極６及び櫛形電極４は、例えば抵抗膜３上に形成された膜厚５〜１００ｎｍのＣｒ又はＮｉＣｒの接合層と、該接合層上にＡｕ等の貴金属で膜厚５０〜１０００ｎｍで形成された電極層とを有している。
As shown in FIG. 2, a pair of terminal electrodes 6 connected to a pair of comb electrodes 4 are formed on both ends of the insulating film 2 in a pattern.
The terminal electrode 6 and the comb-shaped electrode 4 are formed, for example, on a resistive film 3 with a thickness of 5 to 100 nm of Cr or NiCr, and a noble metal such as Au on the bonding layer with a thickness of 50 to 1000 nm. Electrode layer.
抵抗値調整のために上記切断を行う電子デバイス１の抵抗値は、一対の端子電極６に一対の測定用プローブ７ａを接触させ、一対の測定用プローブ７ａに接続されている抵抗計測器７によって測定する。 The resistance value of the electronic device 1 that performs the cutting for adjusting the resistance value is determined by the resistance measuring instrument 7 that is connected to the pair of measurement probes 7a by bringing the pair of measurement probes 7a into contact with the pair of terminal electrodes 6. taking measurement.
本実施形態の電子デバイス１の製造方法では、抵抗膜３又は櫛部４ａの一部にレーザ光Ｌを照射して切断を行う工程を有している。この工程では、切断時に、切断された部分Ｃに露出した絶縁性フィルム２の少なくとも一部をレーザ光Ｌの照射により溶融させて盛り上げている。
上記切断を行う工程は、例えば電子デバイス１の抵抗値を調整する際に行われる工程であり、切断した際に電子デバイス１の抵抗値が目標抵抗値になるように抵抗膜３や櫛部４ａの切断が行われる。
In the manufacturing method of the electronic device 1 of this embodiment, it has the process of irradiating the laser beam L to a part of the resistive film 3 or the comb part 4a, and cut | disconnecting. In this step, at the time of cutting, at least a part of the insulating film 2 exposed in the cut portion C is melted and raised by irradiation with the laser beam L.
The step of cutting is, for example, a step performed when the resistance value of the electronic device 1 is adjusted. When the cutting is performed, the resistance film 3 and the comb portion 4a are set so that the resistance value of the electronic device 1 becomes the target resistance value. Cutting is done.
上記切断を行う工程の際、電子デバイス１は、図示しない真空吸着用の複数の吸着孔を有した吸着プレート上に載置されると共に、吸着孔に吸引されて吸着プレート表面に密着固定される。なお、上記吸着プレートは、温度調整機構（図示略）によって一定の温度に調整されている。 During the cutting step, the electronic device 1 is placed on a suction plate having a plurality of suction holes for vacuum suction (not shown), and is sucked into the suction holes and is closely fixed to the surface of the suction plate. . The suction plate is adjusted to a constant temperature by a temperature adjusting mechanism (not shown).
上記レーザ光Ｌは、例えばＳＨＧレーザを光源とした波長５３２ｎｍのレーザ光Ｌが採用される。なお、レーザ光Ｌの照射としては、波長５３２ｎｍ以下で、発熱の少ないアブレーションモードによる照射が好ましい。また、このレーザ光Ｌは、抵抗膜３や櫛部４ａを切断するが、その下の絶縁性フィルム２を除去せずに溶融させ、切断された部分Ｃに膨出させたまま硬化させ、盛り上がり部２ａを形成する程度の条件で照射されることが好ましい。 As the laser beam L, for example, a laser beam L having a wavelength of 532 nm using an SHG laser as a light source is employed. Note that the laser beam L is preferably irradiated in an ablation mode with a wavelength of 532 nm or less and less heat generation. Further, the laser light L cuts the resistive film 3 and the comb portion 4a, but melts the insulating film 2 below without removing it, and cures the cut portion C so as to bulge, thereby raising the raised portion. It is preferable to irradiate on the conditions of the grade which forms 2a.
このように本実施形態の電子デバイス１では、抵抗膜３又は複数の櫛部４ａのうち一部が切断されていると共に、切断された部分に露出した絶縁性フィルム２の少なくとも一部が盛り上がっているので、抵抗膜３又は櫛部４ａの切断端部間に絶縁性フィルム２の盛り上がり部２ａが介在していることで、切断端部間の沿面距離が平坦面の場合に比べて長くなってマイグレーションを抑制すると共に、盛り上がり部２ａが障壁になって飛散物の付着を抑制することで、ショートを防止することができる。
特に、切断された部分Ｃに露出した絶縁性フィルム２が、切断された部分Ｃの全長にわたって櫛部４ａ表面の平坦部分と同じ又はそれ以上に盛り上がっていることで、高い盛り上がり部２ａによって切断された部分Ｃの全長にわたって飛散物の付着及びショートを抑制することができる。
Thus, in the electronic device 1 of the present embodiment, a part of the resistance film 3 or the plurality of comb parts 4a is cut, and at least a part of the insulating film 2 exposed in the cut part is raised. Therefore, since the raised portion 2a of the insulating film 2 is interposed between the cut ends of the resistance film 3 or the comb portion 4a, the creepage distance between the cut ends becomes longer than that in the case of a flat surface, thereby causing migration. While suppressing, the rise | swell part 2a becomes a barrier, and it can prevent a short circuit by suppressing adhesion of a scattered matter.
In particular, the insulating film 2 exposed at the cut portion C is raised by the high raised portion 2a because the insulating film 2 is raised to the same or more than the flat portion of the surface of the comb portion 4a over the entire length of the cut portion C. Adherence and short-circuiting of scattered objects can be suppressed over the entire length of the portion C.
また、この電子デバイス１の製造方法では、レーザ光Ｌによる切断時に、切断された部分に露出した絶縁性フィルム２の少なくとも一部をレーザ光Ｌの照射により溶融させて盛り上げるので、抵抗膜３又は櫛部４ａの切断時に同時にレーザ光照射によって露出した絶縁性フィルム２を盛り上げることができる。また、露出した絶縁性フィルム２にレーザ光Ｌが照射されることで、飛散物の付着も抑制することができる。
したがって、電子デバイス１を、抵抗膜３がサーミスタ薄膜である薄膜サーミスタ素子とすることで、抵抗値調整のために櫛部４ａやサーミスタ薄膜が切断されてもショート等を防止することができ、高精度に抵抗値調整された薄膜サーミスタ素子を得ることができる。
In the method for manufacturing the electronic device 1, at the time of cutting with the laser beam L, at least a part of the insulating film 2 exposed at the cut portion is melted and raised by irradiation with the laser beam L. The insulating film 2 exposed by laser beam irradiation at the same time when the comb portion 4a is cut can be raised. Moreover, adhesion of scattered matter can also be suppressed by irradiating the exposed insulating film 2 with the laser beam L.
Therefore, when the electronic device 1 is a thin film thermistor element in which the resistance film 3 is a thermistor thin film, a short circuit or the like can be prevented even if the comb portion 4a or the thermistor thin film is cut to adjust the resistance value. It is possible to obtain a thin film thermistor element whose resistance value is adjusted.
次に、本発明に係る電子デバイス及びその製造方法について、上記実施形態に基づいて実際にレーザトリミングを行った結果を、図３から図８を参照して説明する。 Next, with respect to the electronic device and the manufacturing method thereof according to the present invention, the results of actual laser trimming based on the above embodiment will be described with reference to FIGS.
本発明の実施例では、電子デバイス１としてフレキシブルサーミスタ（フィルム型の薄膜サーミスタ素子）の抵抗値調整を行った。
この電子デバイス１及びレーザ光Ｌは、以下の条件のものとした。
・絶縁性フィルム２：厚み５０μｍのポリイミドシート
・櫛形電極（櫛部４ａ）の厚み：２００ｎｍ
・抵抗膜３（サーミスタ膜）の厚み：１００ｎｍ
・レーザ光Ｌ：第２高調波レーザ（波長：５３２ｎｍ）
In the example of the present invention, the resistance value of a flexible thermistor (film-type thin film thermistor element) was adjusted as the electronic device 1.
The electronic device 1 and the laser beam L were under the following conditions.
Insulating film 2: Polyimide sheet having a thickness of 50 μm Thickness of comb-shaped electrode (comb portion 4a): 200 nm
-Thickness of resistance film 3 (thermistor film): 100 nm
Laser light L: second harmonic laser (wavelength: 532 nm)
上記条件において、絶縁性フィルム２に盛り上がり部２ａを形成しない条件のレーザ光Ｌの照射で櫛部４ａ及び抵抗膜３を切断する比較例と、絶縁性フィルム２に盛り上がり部２ａを形成する条件のレーザ光Ｌの照射で櫛部４ａ及び抵抗膜３を切断する本発明の実施例とを行った。
すなわち、上記比較例では、レーザ光Ｌを、出力：０．００６Ｗ、Bitesize：３μｍ、Rate：７０００Ｈｚのパルスレーザとした。このレーザ光照射した比較例の拡大写真及び切断された部分Ｃの断面プロファイルを、図３から図５に示す。
また、上実施例では、レーザ光Ｌを、出力：０．００６Ｗ、Bitesize：１μｍ、Rate：３０００Ｈｚのパルスレーザとした。このレーザ光照射した実施例の拡大写真及び切断された部分Ｃの断面形状プロファイルを、図６から図８に示す。
Under the above conditions, a comparative example in which the comb portion 4a and the resistance film 3 are cut by irradiation with the laser light L under the condition that the raised portion 2a is not formed on the insulating film 2, and a laser under the condition that the raised portion 2a is formed on the insulating film 2 The embodiment of the present invention in which the comb portion 4a and the resistance film 3 were cut by irradiation with light L was performed.
That is, in the comparative example, the laser beam L is a pulse laser with an output of 0.006 W, a Bitesize of 3 μm, and a Rate of 7000 Hz. An enlarged photograph of the comparative example irradiated with the laser beam and a cross-sectional profile of the cut portion C are shown in FIGS.
In the above embodiment, the laser beam L is a pulse laser with an output of 0.006 W, a Bitesize of 1 μm, and a Rate of 3000 Hz. An enlarged photograph of the example irradiated with the laser beam and a cross-sectional profile of the cut portion C are shown in FIGS.
このレーザ光照射の結果、櫛部４ａをトリミングした後に抵抗値を測定すると、比較例では、櫛部４ａを切断したにもかかわらず抵抗値が上がらなかった。これは、切断された部分Ｃに飛散物が付着してショート状態となっていると考えられる。なお、切断された部分Ｃでは、露出した絶縁性フィルム２がほぼ平坦となっている。
これに対して本発明の実施例では、櫛部４ａをトリミングした後に抵抗値を測定すると、抵抗値が上がっており、飛散物の付着によるショートが生じていなかった。また、図６から図８に示すように、切断された部分Ｃには、絶縁性フィルム２の複数の盛り上がり部２ａが形成されていることが分かる。さらに、切断された部分Ｃに露出した絶縁性フィルム２が、切断された部分Ｃの全長にわたって櫛部４ａ表面の平坦部分と同じ又はそれ以上に盛り上がっている。なお、図７では、切断された部分Ｃの中で最も低い盛り上がり部２ａの部分で測定を行っている。
As a result of this laser light irradiation, when the resistance value was measured after trimming the comb portion 4a, in the comparative example, the resistance value did not increase despite the comb portion 4a being cut. This is thought to be a short-circuited state due to scattered matter adhering to the cut portion C. In the cut portion C, the exposed insulating film 2 is substantially flat.
On the other hand, in the example of the present invention, when the resistance value was measured after trimming the comb portion 4a, the resistance value was increased, and no short circuit occurred due to adhesion of scattered objects. Moreover, as shown in FIGS. 6 to 8, it can be seen that a plurality of raised portions 2a of the insulating film 2 are formed in the cut portion C. Furthermore, the insulating film 2 exposed in the cut portion C is raised to the same or more than the flat portion on the surface of the comb portion 4a over the entire length of the cut portion C. In FIG. 7, the measurement is performed at the lowest raised portion 2a in the cut portion C.
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態及び実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。 The technical scope of the present invention is not limited to the above-described embodiments and examples, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
１……電子デバイス、２…絶縁性フィルム、２ａ…盛り上がり部、３…抵抗膜、４…櫛形電極、４ａ…櫛部、Ｃ…切断された部分、Ｌ…レーザ光 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Electronic device, 2 ... Insulating film, 2a ... Swelling part, 3 ... Resistive film, 4 ... Comb electrode, 4a ... Comb part, C ... Cut part, L ... Laser beam
Claims (4)
前記抵抗膜又は複数の前記櫛部のうち一部が切断されていると共に、前記切断された部分に露出した前記絶縁性フィルムの少なくとも一部が盛り上がっていることを特徴とする電子デバイス。 An insulating film, a resistance film formed on the insulating film, and a pair of comb-shaped electrodes having a plurality of comb portions on the resistance film and patterned to face each other,
An electronic device, wherein a part of the resistive film or the plurality of comb parts is cut and at least a part of the insulating film exposed to the cut part is raised.
前記切断された部分に露出した前記絶縁性フィルムが、前記切断された部分の全長にわたって前記櫛部表面の平坦部分と同じ又はそれ以上に盛り上がっていることを特徴とする電子デバイス。 The electronic device according to claim 1.
2. The electronic device according to claim 1, wherein the insulating film exposed at the cut portion is swelled to be equal to or higher than a flat portion of the surface of the comb portion over the entire length of the cut portion.
前記抵抗膜が、サーミスタ薄膜であることを特徴とする電子デバイス。 The electronic device according to claim 1 or 2,
The electronic device, wherein the resistance film is a thermistor thin film.
前記抵抗膜又は前記櫛部の一部にレーザ光を照射して切断を行う工程を有し、
前記切断時に、前記切断された部分に露出した前記絶縁性フィルムの少なくとも一部を前記レーザ光の照射により溶融させて盛り上げることを特徴とする電子デバイスの製造方法。 It is a manufacturing method of the electronic device according to any one of claims 1 to 3,
A step of irradiating a part of the resistive film or the comb part with a laser beam to perform cutting;
A method of manufacturing an electronic device, wherein at the time of cutting, at least a part of the insulating film exposed at the cut portion is melted and raised by irradiation with the laser beam.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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