JP6413496B2 - Manufacturing method of liquid crystal display panel - Google Patents

Manufacturing method of liquid crystal display panel Download PDF

Info

Publication number
JP6413496B2
JP6413496B2 JP2014175097A JP2014175097A JP6413496B2 JP 6413496 B2 JP6413496 B2 JP 6413496B2 JP 2014175097 A JP2014175097 A JP 2014175097A JP 2014175097 A JP2014175097 A JP 2014175097A JP 6413496 B2 JP6413496 B2 JP 6413496B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
line
brittle substrate
main surface
crack
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2014175097A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2016050992A (en
Inventor
曽山 浩
浩 曽山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd
Original Assignee
Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd filed Critical Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd
Priority to JP2014175097A priority Critical patent/JP6413496B2/en
Priority to TW104125387A priority patent/TWI667515B/en
Priority to KR1020150117130A priority patent/KR20160026706A/en
Priority to CN201510514509.2A priority patent/CN105388651B/en
Publication of JP2016050992A publication Critical patent/JP2016050992A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6413496B2 publication Critical patent/JP6413496B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133351Manufacturing of individual cells out of a plurality of cells, e.g. by dicing

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)

Description

本発明は液晶表示パネルの製造方法に関するものである。   The present invention relates to a method for manufacturing a liquid crystal display panel.

液晶ディスプレイ(LCD)パネルの製造において、ガラス基板などの脆性基板を分断することが必要となる。まず基板上にスクライブラインが形成され、次にこのスクライブラインに沿って基板が分断される。スクライブラインは、刃先を用いて基板を機械的に加工することによって形成され得る。カッタが基板上で変位させられることで、基板上に塑性変形によるトレンチが形成されると同時に、このトレンチの直下には垂直クラックが形成される。その後、ブレーク工程と称される応力付与がなされる。ブレーク工程によりクラックを厚さ方向に完全に進行させることで、基板が分断される。   In manufacturing a liquid crystal display (LCD) panel, it is necessary to cut a brittle substrate such as a glass substrate. First, a scribe line is formed on the substrate, and then the substrate is divided along the scribe line. The scribe line can be formed by mechanically processing the substrate using the cutting edge. When the cutter is displaced on the substrate, a trench due to plastic deformation is formed on the substrate, and at the same time, a vertical crack is formed immediately below the trench. Thereafter, stress is applied, which is called a break process. The substrate is divided by causing the crack to advance completely in the thickness direction by the break process.

特許文献1はパネル製品の製造方法を例示している。この例によれば、まず第1の基板と第2の基板とが貼り合わされた構造を有するガラス基板が準備される。ガラス基板の表面および裏面の各々にスクライブラインが形成される。ガラス基板の表面および裏面の各々にブレークローラが押し付けられることにより、ガラス基板が分断される。   Patent Document 1 exemplifies a method for manufacturing a panel product. According to this example, first, a glass substrate having a structure in which a first substrate and a second substrate are bonded together is prepared. A scribe line is formed on each of the front and back surfaces of the glass substrate. When the break roller is pressed against each of the front and back surfaces of the glass substrate, the glass substrate is divided.

特開2011−161674号公報JP 2011-161694 A

上記公報に記載の技術によれば、ブレークローラをガラス基板(セル基板)の一方の面および他方の面の各々に押し付けなければならなかった。このため、一方の面に対する処理の後、他方の面に対する処理を行うために、セル基板を反転させる必要があった。   According to the technique described in the above publication, the break roller must be pressed against each of one surface and the other surface of the glass substrate (cell substrate). For this reason, after processing for one surface, it was necessary to invert the cell substrate in order to perform processing for the other surface.

本発明は以上のような課題を解決するためになされたものであり、その目的は、セル基板を反転させることなくブレーク工程を行うことができる液晶表示パネルの製造方法を提供することである。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a liquid crystal display panel that can perform a break process without inverting the cell substrate.

本発明の液晶表示パネルの製造方法は次の工程を有する。   The manufacturing method of the liquid crystal display panel of the present invention includes the following steps.

第1の主面と、第1の主面と反対の第2の主面とを有し、第1の主面に垂直な厚さ方向を有する第1の脆性基板が準備される。第3の主面と、第3の主面と反対の第4の主面とを有する第2の脆性基板が準備される。   A first brittle substrate having a first main surface and a second main surface opposite to the first main surface and having a thickness direction perpendicular to the first main surface is prepared. A second brittle substrate having a third main surface and a fourth main surface opposite to the third main surface is prepared.

第1の脆性基板の第1の主面に刃先が押し付けられる。押し付けられた刃先を第1の脆性基板の第1の主面上で摺動させることによって第1の脆性基板の第1の主面上に塑性変形を発生させることで、溝形状を有する第1のトレンチラインが形成される。第1のトレンチラインは、第1のトレンチラインの直下において第1の脆性基板が第1のトレンチラインと交差する方向において連続的につながっている状態であるクラックレス状態が得られるように形成される。   The cutting edge is pressed against the first main surface of the first brittle substrate. By causing the pressed blade edge to slide on the first main surface of the first brittle substrate, plastic deformation is generated on the first main surface of the first brittle substrate, so that the first having a groove shape is formed. Trench lines are formed. The first trench line is formed so as to obtain a crackless state in which the first brittle substrate is continuously connected in a direction intersecting the first trench line immediately below the first trench line. The

第1のトレンチラインが形成された後、第1の脆性基板の第1の主面と第2の脆性基板の第3の主面とが対向するように第1の脆性基板および第2の脆性基板が互いに貼り合わされる。第1の脆性基板および第2の脆性基板は、第1の脆性基板に形成された第1のトレンチラインが第2の脆性基板に少なくとも部分的に覆われるように、互いに貼り合わされる。   After the first trench line is formed, the first brittle substrate and the second brittleness so that the first main surface of the first brittle substrate and the third main surface of the second brittle substrate face each other. The substrates are bonded together. The first brittle substrate and the second brittle substrate are bonded together such that the first trench line formed in the first brittle substrate is at least partially covered by the second brittle substrate.

第1の脆性基板および第2の脆性基板が互いに貼り合わされた後に、第1のトレンチラインに沿って厚さ方向における第1の脆性基板のクラックを伸展させることによって、第1のクラックラインが形成される。第1のクラックラインによって第1のトレンチラインの直下において第1の脆性基板は第1のトレンチラインと交差する方向において連続的なつながりが断たれている。   After the first brittle substrate and the second brittle substrate are bonded to each other, the first crack line is formed by extending the crack of the first brittle substrate in the thickness direction along the first trench line. Is done. The first brittle substrate is disconnected from the first crack line immediately below the first trench line in the direction intersecting the first trench line.

第2の脆性基板の第4の主面上に第2のクラックラインが形成される。   A second crack line is formed on the fourth main surface of the second brittle substrate.

第1の脆性基板の第2の主面上において局所的に荷重を加えることによって第1の脆性基板および第2の脆性基板を反らすことにより、第1のクラックラインおよび第2のクラックラインのそれぞれに沿って第1の脆性基板および第2の脆性基板が分断される。   Each of the first crack line and the second crack line is obtained by warping the first brittle substrate and the second brittle substrate by locally applying a load on the second main surface of the first brittle substrate. A 1st brittle board | substrate and a 2nd brittle board | substrate are parted along this.

本発明によれば、第1の脆性基板および第2の脆性基板のブレーク工程が、第1の脆性基板の第2の主面上における荷重印加により行われる。これによりブレーク工程において、第1の脆性基板および第2の脆性基板を有するセル基板を反転させる必要がない。よってブレーク工程をより容易に行うことができる。   According to the present invention, the break process of the first brittle substrate and the second brittle substrate is performed by applying a load on the second main surface of the first brittle substrate. Thereby, it is not necessary to invert the cell substrate having the first brittle substrate and the second brittle substrate in the break process. Therefore, the break process can be performed more easily.

本発明の実施の形態1における液晶表示パネルの構成を概略的に示す斜視図(A)、および図1(A)の線IB−IBに沿う概略断面図(B)である。1A is a perspective view schematically showing a configuration of a liquid crystal display panel in Embodiment 1 of the present invention, and FIG. 1B is a schematic sectional view taken along line IB-IB in FIG. 図1の液晶表示パネルの製造方法を概略的に示すフロー図である。It is a flowchart which shows schematically the manufacturing method of the liquid crystal display panel of FIG. 本発明の実施の形態1における液晶表示パネルの製造方法における基板スクライブ方法の第1工程を概略的に示す、線IIIA−IIIA(図4)に沿う端面図(A)、第2工程を概略的に示す、線IIIB−IIIB(図5)に沿う端面図(B)、第3工程を概略的に示す、線IIIC−IIIC(図6)に沿う端面図(C)、および第4工程を概略的に示す、線IIID−IIID(図7)に沿う端面図(D)である。End view (A) along line IIIA-IIIA (FIG. 4) schematically showing the first step of the substrate scribing method in the method of manufacturing a liquid crystal display panel in Embodiment 1 of the present invention, the second step schematically , End view (B) along line IIIB-IIIB (FIG. 5), end view (C) along line IIIC-IIIC (FIG. 6) schematically showing the third step, and fourth step schematically. FIG. 8D is an end view (D) taken along line IIID-IIID (FIG. 7). 本発明の実施の形態1における液晶表示パネルの製造方法における基板スクライブ方法の第1工程を概略的に示す平面図である。It is a top view which shows roughly the 1st process of the substrate scribing method in the manufacturing method of the liquid crystal display panel in Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1における液晶表示パネルの製造方法における基板スクライブ方法の第2工程を概略的に示す平面図である。It is a top view which shows roughly the 2nd process of the substrate scribing method in the manufacturing method of the liquid crystal display panel in Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1における液晶表示パネルの製造方法における基板スクライブ方法の第3工程を概略的に示す平面図である。It is a top view which shows roughly the 3rd process of the substrate scribing method in the manufacturing method of the liquid crystal display panel in Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1における液晶表示パネルの製造方法における基板スクライブ方法の第4工程を概略的に示す平面図である。It is a top view which shows roughly the 4th process of the substrate scribing method in the manufacturing method of the liquid crystal display panel in Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1における液晶表示パネルの製造方法における基板スクライブ方法において形成されるトレンチラインの構成を概略的に示す端面図(A)、およびクラックラインの構成を概略的に示す端面図(B)である。The end view (A) which shows schematically the structure of the trench line formed in the board | substrate scribe method in the manufacturing method of the liquid crystal display panel in Embodiment 1 of this invention, and the end view which shows the structure of a crack line schematically ( B). 本発明の実施の形態1における液晶表示パネルの製造方法における基板ブレーク方法の第1工程を概略的に示す端面図(A)、および第2工程を概略的に示す、線IXB−IXB(図12)に沿う端面図(B)である。FIG. 12 is an end view (A) schematically showing a first step of a substrate break method in the method of manufacturing a liquid crystal display panel in Embodiment 1 of the present invention, and a line IXB-IXB (FIG. 12) schematically showing a second step. FIG. 図9(A)における荷重印加がブレークバーによって行われる場合の様子を概略的に示す正面図(A)、および図10(A)の線XB−XBに沿う概略断面図(B)である。It is the front view (A) which shows a mode when the load application in FIG. 9 (A) is performed by a break bar, and the schematic sectional drawing (B) along line XB-XB of FIG. 10 (A). 図9(A)における荷重印加がブレークローラによって行われる場合の様子を概略的に示す正面図(A)、および図11(A)の線XIB−XIBに沿う概略断面図(B)である。It is the front view (A) which shows a mode when the load application in FIG. 9 (A) is performed with a break roller, and the schematic sectional drawing (B) which follows the line XIB-XIB of FIG. 11 (A). 図9(B)に対応する概略平面図である。FIG. 10 is a schematic plan view corresponding to FIG. 第1の比較例における第1および第2工程のそれぞれを示す端面図(A)および(B)である。It is an end elevation (A) and (B) which shows each of the 1st and 2nd process in the 1st comparative example. 第2の比較例における第1〜第3工程のそれぞれを示す端面図(A)〜(C)である。It is an end view (A)-(C) which shows each of the 1st-3rd process in the 2nd comparative example. 本発明の実施の形態2における液晶表示パネルの製造方法の第1工程を概略的に示す、線XVA−XVA(図16)に沿う端面図(A)、第2工程を概略的に示す、線XVB−XVB(図17)に沿う端面図(B)、第3工程を概略的に示す、線XVC−XVC(図18)に沿う端面図(C)、第4工程を概略的に示す、線XVD−XVD(図19)に沿う端面図(D)、および第5工程を概略的に示す、線XVE−XVE(図20)に沿う端面図(E)である。End view (A) along line XVA-XVA (FIG. 16) schematically showing the first step of the manufacturing method of the liquid crystal display panel in Embodiment 2 of the present invention, line schematically showing the second step End view (B) along XVB-XVB (FIG. 17), schematically showing the third step, end view (C) along line XVC-XVC (FIG. 18), schematically showing the fourth step, FIG. 20 is an end view (D) along XVD-XVD (FIG. 19) and an end view (E) along line XVE-XVE (FIG. 20) schematically showing the fifth step. 本発明の実施の形態2における液晶表示パネルの製造方法の第1工程を概略的に示す平面図である。It is a top view which shows roughly the 1st process of the manufacturing method of the liquid crystal display panel in Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施の形態2における液晶表示パネルの製造方法の第2工程を概略的に示す平面図である。It is a top view which shows roughly the 2nd process of the manufacturing method of the liquid crystal display panel in Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施の形態2における液晶表示パネルの製造方法の第3工程を概略的に示す平面図である。It is a top view which shows roughly the 3rd process of the manufacturing method of the liquid crystal display panel in Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施の形態2における液晶表示パネルの製造方法の第4工程を概略的に示す平面図である。It is a top view which shows roughly the 4th process of the manufacturing method of the liquid crystal display panel in Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施の形態2における液晶表示パネルの製造方法の第5工程を概略的に示す平面図である。It is a top view which shows roughly the 5th process of the manufacturing method of the liquid crystal display panel in Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施の形態3における液晶表示パネルの製造方法を概略的に示すフロー図である。It is a flowchart which shows schematically the manufacturing method of the liquid crystal display panel in Embodiment 3 of this invention. 本発明の実施の形態3における液晶表示パネルの製造方法の第1工程を概略的に示す、線XXIIA−XXIIA(図23)に沿う端面図(A)、第2工程を概略的に示す、線XXIIB−XXIIB(図24)に沿う端面図(B)、第3工程を概略的に示す、線XXIIC−XXIIC(図25)に沿う端面図(C)、第4工程を概略的に示す、線XXIID−XXIID(図26)に沿う端面図(D)、および第5工程を概略的に示す、線XXIIE−XXIIE(図27)に沿う端面図(E)である。End view (A) along line XXIIA-XXIIA (FIG. 23) schematically showing the first step of the liquid crystal display panel manufacturing method in Embodiment 3 of the present invention, line schematically showing the second step, End view (B) along XXIB-XXIIB (FIG. 24), schematically showing the third step, end view (C) along line XXIIC-XXIIC (FIG. 25), schematically showing the fourth step, FIG. 26 is an end view (D) along XXIID-XXIID (FIG. 26) and an end view (E) along line XXIIE-XXIIE (FIG. 27) schematically showing the fifth step. 本発明の実施の形態3における液晶表示パネルの製造方法の第1工程を概略的に示す平面図である。It is a top view which shows roughly the 1st process of the manufacturing method of the liquid crystal display panel in Embodiment 3 of this invention. 本発明の実施の形態3における液晶表示パネルの製造方法の第2工程を概略的に示す平面図である。It is a top view which shows roughly the 2nd process of the manufacturing method of the liquid crystal display panel in Embodiment 3 of this invention. 本発明の実施の形態3における液晶表示パネルの製造方法の第3工程を概略的に示す平面図である。It is a top view which shows roughly the 3rd process of the manufacturing method of the liquid crystal display panel in Embodiment 3 of this invention. 本発明の実施の形態3における液晶表示パネルの製造方法の第4工程を概略的に示す平面図である。It is a top view which shows roughly the 4th process of the manufacturing method of the liquid crystal display panel in Embodiment 3 of this invention. 本発明の実施の形態3における液晶表示パネルの製造方法の第5工程を概略的に示す平面図である。It is a top view which shows roughly the 5th process of the manufacturing method of the liquid crystal display panel in Embodiment 3 of this invention. 本発明の実施の形態3の変形例における液晶表示パネルの製造方法を概略的に示すフロー図である。It is a flowchart which shows schematically the manufacturing method of the liquid crystal display panel in the modification of Embodiment 3 of this invention. 本発明の実施の形態3の変形例における液晶表示パネルの製造方法の一工程を概略的に示す、線XXIX−XXIX(図30)に沿う端面図である。FIG. 32 is an end view along line XXIX-XXIX (FIG. 30) schematically showing one step of a method of manufacturing a liquid crystal display panel in a modification of Embodiment 3 of the present invention. 本発明の実施の形態3の変形例における液晶表示パネルの製造方法の一工程を概略的に示す平面図である。It is a top view which shows roughly 1 process of the manufacturing method of the liquid crystal display panel in the modification of Embodiment 3 of this invention. 本発明の実施の形態4における液晶表示パネルの製造方法を概略的に示すフロー図である。It is a flowchart which shows schematically the manufacturing method of the liquid crystal display panel in Embodiment 4 of this invention. 本発明の実施の形態4における液晶表示パネルの製造方法の第1工程を概略的に示す、線XXXIIA−XXXIIA(図33)に沿う端面図(A)、第2工程を概略的に示す、線XXXIIB−XXXIIB(図34)に沿う端面図(B)、第3工程を概略的に示す、線XXXIIC−XXXIIC(図35)に沿う端面図(C)、第4工程を概略的に示す、線XXXIID−XXXIID(図36)に沿う端面図(D)、および第5工程を概略的に示す、線XXXIIE−XXXIIE(図37)に沿う端面図(E)である。End view (A) along line XXXIIA-XXXIIA (FIG. 33), schematically showing the second step, schematically showing the first step of the liquid crystal display panel manufacturing method in Embodiment 4 of the present invention, XXXIIB-XXXIIB (FIG. 34) end view (B), schematically showing the third step, line XXXIIC-XXXIIC (FIG. 35) end view (C), schematically showing the fourth step, line FIG. 37 is an end view (D) along XXXIID-XXXIID (FIG. 36), and an end view (E) along line XXXIIE-XXXIIE (FIG. 37) schematically showing the fifth step. 本発明の実施の形態4における液晶表示パネルの製造方法の第1工程を概略的に示す平面図である。It is a top view which shows roughly the 1st process of the manufacturing method of the liquid crystal display panel in Embodiment 4 of this invention. 本発明の実施の形態4における液晶表示パネルの製造方法の第2工程を概略的に示す平面図である。It is a top view which shows roughly the 2nd process of the manufacturing method of the liquid crystal display panel in Embodiment 4 of this invention. 本発明の実施の形態4における液晶表示パネルの製造方法の第3工程を概略的に示す平面図である。It is a top view which shows roughly the 3rd process of the manufacturing method of the liquid crystal display panel in Embodiment 4 of this invention. 本発明の実施の形態4における液晶表示パネルの製造方法の第4工程を概略的に示す平面図である。It is a top view which shows roughly the 4th process of the manufacturing method of the liquid crystal display panel in Embodiment 4 of this invention. 本発明の実施の形態4における液晶表示パネルの製造方法の第5工程を概略的に示す平面図である。It is a top view which shows roughly the 5th process of the manufacturing method of the liquid crystal display panel in Embodiment 4 of this invention. 本発明の実施の形態4の変形例における液晶表示パネルの製造方法を概略的に示すフロー図である。It is a flowchart which shows schematically the manufacturing method of the liquid crystal display panel in the modification of Embodiment 4 of this invention. 本発明の実施の形態4の変形例における液晶表示パネルの製造方法の一工程を概略的に示す、線XXXIX−XXXIX(図40)に沿う端面図である。FIG. 49 is an end view along line XXXIX-XXXIX (FIG. 40) schematically showing one step of a method for manufacturing a liquid crystal display panel in a modification of Embodiment 4 of the present invention. 本発明の実施の形態4の変形例における液晶表示パネルの製造方法の一工程を概略的に示す平面図である。It is a top view which shows roughly 1 process of the manufacturing method of the liquid crystal display panel in the modification of Embodiment 4 of this invention. 本発明の実施の形態5における液晶表示パネルの製造方法を概略的に示すフロー図である。It is a flowchart which shows schematically the manufacturing method of the liquid crystal display panel in Embodiment 5 of this invention. 本発明の実施の形態6における液晶表示パネルの製造方法に用いられる器具の構成を概略的に示す側面図(A)、および、上記器具が有する刃先の構成を図42(A)の矢印XLIIBの視点で概略的に示す平面図(B)である。FIG. 42A is a side view schematically showing the configuration of the instrument used in the method for manufacturing a liquid crystal display panel according to Embodiment 6 of the present invention, and the configuration of the cutting edge of the instrument is indicated by the arrow XLIIB in FIG. It is a top view (B) shown roughly from a viewpoint. 本発明の実施の形態6における液晶表示パネルの製造方法の第1および第2工程のそれぞれを概略的に示す平面図(A)および(B)である。It is a top view (A) and (B) which shows each roughly the 1st and 2nd process of the manufacturing method of the liquid crystal display panel in Embodiment 6 of this invention. 本発明の実施の形態6の第1の変形例の液晶表示パネルの製造方法の第1および第2工程のそれぞれを概略的に示す平面図(A)および(B)である。It is a top view (A) and (B) which shows each roughly the 1st and 2nd process of the manufacturing method of the liquid crystal display panel of the 1st modification of Embodiment 6 of this invention. 本発明の実施の形態6の第2の変形例の液晶表示パネルの製造方法を概略的に示す平面図である。It is a top view which shows roughly the manufacturing method of the liquid crystal display panel of the 2nd modification of Embodiment 6 of this invention. 本発明の実施の形態6の第3の変形例の液晶表示パネルの製造方法を概略的に示す平面図である。It is a top view which shows roughly the manufacturing method of the liquid crystal display panel of the 3rd modification of Embodiment 6 of this invention. 本発明の実施の形態7における液晶表示パネルの製造方法の第1の工程を概略的に示す平面図である。It is a top view which shows roughly the 1st process of the manufacturing method of the liquid crystal display panel in Embodiment 7 of this invention. 本発明の実施の形態7における液晶表示パネルの製造方法の第2の工程を概略的に示す平面図である。It is a top view which shows roughly the 2nd process of the manufacturing method of the liquid crystal display panel in Embodiment 7 of this invention. 本発明の実施の形態7における液晶表示パネルの製造方法の第3の工程を概略的に示す平面図である。It is a top view which shows roughly the 3rd process of the manufacturing method of the liquid crystal display panel in Embodiment 7 of this invention. 本発明の実施の形態7の第2の変形例の液晶表示パネルの製造方法を概略的に示す平面図である。It is a top view which shows roughly the manufacturing method of the liquid crystal display panel of the 2nd modification of Embodiment 7 of this invention. 本発明の実施の形態8における液晶表示パネルの製造方法の第1および第2工程のそれぞれを概略的に示す平面図(A)および(B)である。It is a top view (A) and (B) which shows each roughly the 1st and 2nd process of the manufacturing method of the liquid crystal display panel in Embodiment 8 of this invention. 本発明の実施の形態9における液晶表示パネルの製造方法の第1および第2工程のそれぞれを概略的に示す平面図(A)および(B)である。It is a top view (A) and (B) which shows each roughly the 1st and 2nd process of the manufacturing method of the liquid crystal display panel in Embodiment 9 of this invention. 本発明の実施の形態9の変形例の液晶表示パネルの製造方法を概略的に示す平面図である。It is a top view which shows roughly the manufacturing method of the liquid crystal display panel of the modification of Embodiment 9 of this invention. 本発明の実施の形態10における液晶表示パネルの製造方法に用いられる器具の構成を概略的に示す側面図(A)、および、上記器具が有する刃先の構成を図54(A)の矢印LIVBの視点で概略的に示す平面図(B)である。A side view (A) schematically showing the configuration of the instrument used in the method for manufacturing a liquid crystal display panel according to Embodiment 10 of the present invention, and the configuration of the cutting edge of the instrument shown by the arrow LIVB in FIG. 54 (A) It is a top view (B) shown roughly from a viewpoint.

以下、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は繰返さない。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following drawings, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals, and description thereof will not be repeated.

(実施の形態1)
図1(A)および(B)を参照して、本実施の形態のLCDパネル101は、CF(カラーフィルタ)基板11(本実施の形態における第1の脆性基板)と、TFT(薄膜トランジスタ)基板12(本実施の形態における第2の脆性基板)と、シール部21と、液晶層20とを有する。
(Embodiment 1)
Referring to FIGS. 1A and 1B, LCD panel 101 of the present embodiment includes a CF (color filter) substrate 11 (first brittle substrate in the present embodiment) and a TFT (thin film transistor) substrate. 12 (second brittle substrate in the present embodiment), a seal portion 21, and a liquid crystal layer 20.

CF基板11は、主面として、内面SF1(本実施の形態における第1の主面)とその反対の外面SF2(本実施の形態における第2の主面)とを有する。CF基板11は、内面SF1に垂直な厚さ方向DTを有する。CF基板11は、具体的にはガラス基板であり、カラーフィルタ、ブラックマトリックスおよび配向膜(図示せず)を有する。TFT基板12は、主面として、内面SF3(本実施の形態における第3の主面)とその反対の外面SF4(本実施の形態における第4の主面)とを有する。TFT基板12は、内面SF3に垂直な厚さ方向DTを有する。TFT基板12は、具体的にはガラス基板であり、配線、アクティブ素子、電極および配向膜(図示せず)を有する。   The CF substrate 11 has an inner surface SF1 (first main surface in the present embodiment) and an opposite outer surface SF2 (second main surface in the present embodiment) as main surfaces. The CF substrate 11 has a thickness direction DT perpendicular to the inner surface SF1. The CF substrate 11 is specifically a glass substrate, and has a color filter, a black matrix, and an alignment film (not shown). The TFT substrate 12 has, as main surfaces, an inner surface SF3 (third main surface in the present embodiment) and an opposite outer surface SF4 (fourth main surface in the present embodiment). The TFT substrate 12 has a thickness direction DT perpendicular to the inner surface SF3. The TFT substrate 12 is specifically a glass substrate, and includes wiring, active elements, electrodes, and an alignment film (not shown).

CF基板11およびTFT基板12は、内面SF1およびSF3が対向するように、シール部21を介して互いに貼り合わされている。液晶層20は、内面SF1およびSF3の間のギャップ内に配置されており、シール部21によって封止されている。TFT基板12の内面SF3は、液晶層20またはシール部21によって覆われた部分を有する。また内面SF3は、露出された端子領域SF3eを有してもよい。端子領域SF3eは、TFT基板12を外部配線と接続するために用い得る。   The CF substrate 11 and the TFT substrate 12 are bonded to each other through the seal portion 21 so that the inner surfaces SF1 and SF3 face each other. The liquid crystal layer 20 is disposed in the gap between the inner surfaces SF1 and SF3 and is sealed by the seal portion 21. The inner surface SF3 of the TFT substrate 12 has a portion covered with the liquid crystal layer 20 or the seal portion 21. The inner surface SF3 may have an exposed terminal region SF3e. The terminal region SF3e can be used for connecting the TFT substrate 12 to external wiring.

次にLCDパネル101の製造方法における基板スクライブ方法について、以下に説明する。   Next, a substrate scribing method in the manufacturing method of the LCD panel 101 will be described below.

図3(A)および図4を参照して、CF基板11が準備される(図2:ステップS11)。この時点ではCF基板11は、複数の最終製品を得るために切り出される複数の領域を含む基板(マザー基板)である。次にCF基板11の内面SF1に刃先が押し付けられる(図2:ステップS12)。押し付けられた刃先がCF基板11の内面SF1上で摺動させられることによってCF基板11の内面SF1上に塑性変形を発生させることで、溝形状を有するトレンチラインTLが形成される(図2:ステップS13)。   Referring to FIGS. 3A and 4, a CF substrate 11 is prepared (FIG. 2: step S11). At this time, the CF substrate 11 is a substrate (mother substrate) including a plurality of regions cut out to obtain a plurality of final products. Next, the blade edge is pressed against the inner surface SF1 of the CF substrate 11 (FIG. 2: step S12). The pressed blade edge is slid on the inner surface SF1 of the CF substrate 11 to cause plastic deformation on the inner surface SF1 of the CF substrate 11, thereby forming a trench line TL having a groove shape (FIG. 2: Step S13).

図8(A)を参照して、CF基板11のトレンチラインTLはクラックレス状態が得られるように形成される。クラックレス状態とは、トレンチラインTLの直下において、トレンチラインTLの延在方向(図8(A)が示す断面に垂直な方向)と交差する方向DCにおいて基板(図中ではCF基板11)が連続的につながっている状態のことである。クラックレス状態においては、塑性変形によるトレンチラインTLは形成されているものの、それに沿ったクラックは形成されていない。よって従来のブレーク工程のように基板に単純に曲げモーメントが生じるような外力を加えても、トレンチラインTLに沿った分断は容易には生じない。このためクラックレス状態においてはトレンチラインTLに沿ったブレーク工程は行われない。   Referring to FIG. 8A, trench line TL of CF substrate 11 is formed so as to obtain a crackless state. The crackless state means that the substrate (CF substrate 11 in the figure) is in a direction DC that is directly below the trench line TL and intersects the extending direction of the trench line TL (the direction perpendicular to the cross section shown in FIG. 8A). It is a state of continuous connection. In the crackless state, the trench line TL is formed by plastic deformation, but no crack is formed along the trench line TL. Therefore, even if an external force that simply generates a bending moment is applied to the substrate as in the conventional break process, the division along the trench line TL does not easily occur. Therefore, the break process along the trench line TL is not performed in the crackless state.

図3(B)および図5を参照して、TFT基板12が準備される(図2:ステップS21)。この時点ではTFT基板12は、複数の最終製品を得るために切り出される複数の領域を含む基板(マザー基板)である。次にTFT基板12の外面SF4に刃先が押し付けられる(図2:ステップS22)。押し付けられた刃先がTFT基板12の外面SF4上で摺動させられることによってTFT基板12の外面SF4上に塑性変形を発生させることで、溝形状を有するトレンチラインTLが形成される(図2:ステップS23)。   Referring to FIGS. 3B and 5, the TFT substrate 12 is prepared (FIG. 2: step S21). At this time, the TFT substrate 12 is a substrate (mother substrate) including a plurality of regions cut out to obtain a plurality of final products. Next, the blade edge is pressed against the outer surface SF4 of the TFT substrate 12 (FIG. 2: Step S22). The pressed blade edge is slid on the outer surface SF4 of the TFT substrate 12 to cause plastic deformation on the outer surface SF4 of the TFT substrate 12, thereby forming a trench line TL having a groove shape (FIG. 2: Step S23).

図3(C)および図6を参照して、次に、CF基板11の内面SF1とTFT基板12の内面SF3とが対向するようにCF基板11およびTFT基板12が互いに貼り合わされる(図2:ステップS40)。これにより、CF基板11およびTFT基板12の積層体であるセル基板10が得られる。CF基板11に形成されたトレンチラインTLはTFT基板12に覆われる。本実施の形態においては、CF基板11に形成されたトレンチラインTLがTFT基板12に部分的に覆われる。言い換えれば、CF基板11の内面SF1上に形成されたトレンチラインTLが部分的に露出される。   3C and 6, next, the CF substrate 11 and the TFT substrate 12 are bonded to each other so that the inner surface SF1 of the CF substrate 11 and the inner surface SF3 of the TFT substrate 12 face each other (FIG. 2). : Step S40). Thereby, the cell substrate 10 which is a laminate of the CF substrate 11 and the TFT substrate 12 is obtained. The trench line TL formed in the CF substrate 11 is covered with the TFT substrate 12. In the present embodiment, the trench line TL formed in the CF substrate 11 is partially covered by the TFT substrate 12. In other words, the trench line TL formed on the inner surface SF1 of the CF substrate 11 is partially exposed.

図3(D)および図7を参照して、次に、CF基板11およびTFT基板12のトレンチラインTLに沿って、基板上においてクラックが延在しているラインであるクラックラインCLが形成される(図2:ステップS60)。クラックラインCLの形成は、トレンチラインTLに沿って厚さ方向における基板のクラックを伸展させることによって行なわれる。   Next, referring to FIG. 3D and FIG. 7, along the trench line TL of the CF substrate 11 and the TFT substrate 12, a crack line CL, which is a line in which a crack extends on the substrate, is formed. (FIG. 2: Step S60). Formation of the crack line CL is performed by extending a crack in the substrate in the thickness direction along the trench line TL.

図8(B)を参照して、クラックラインCLによってトレンチラインTLの直下においてCF基板11はトレンチラインTLの延在方向(図8(B)が示す断面に垂直な方向)と交差する方向DCにおいて連続的なつながりが断たれている。ここで「連続的なつながり」とは、言い換えれば、クラックによって遮られていないつながりのことである。なお、上述したように連続的なつながりが断たれている状態において、クラックラインCLのクラックを介して基板の部分同士が接触していてもよい。TFT基板12についても同様である。   Referring to FIG. 8B, the direction DC where the CF substrate 11 intersects the extending direction of the trench line TL (the direction perpendicular to the cross section shown in FIG. 8B) immediately below the trench line TL by the crack line CL. The continuous connection is broken. Here, “continuous connection” means a connection that is not interrupted by a crack. In addition, in the state where the continuous connection is cut as described above, the portions of the substrate may be in contact with each other through the cracks of the crack line CL. The same applies to the TFT substrate 12.

CF基板11のクラックラインCLの形成は、露出されたトレンチラインTLの端部においてCF基板11にトレンチラインTL付近の内部応力の歪みを解放するような応力を印加することによって開始される。応力の印加は、たとえば、形成されたトレンチラインTL上に再度刃先を押し付けることによる外部応力の印加、または、レーザ光の照射などによる加熱によって行ない得る。これによりCF基板11のトレンチラインTLのうち露出された部分から、TFT基板12によって覆われた部分へと、トレンチラインTLに沿ってクラックが伸展させられる。TFT基板12についても同様である。   Formation of the crack line CL of the CF substrate 11 is started by applying a stress that releases the distortion of the internal stress in the vicinity of the trench line TL to the CF substrate 11 at the exposed end of the trench line TL. The application of stress can be performed, for example, by applying external stress by pressing the blade edge again on the formed trench line TL, or by heating by laser light irradiation. As a result, a crack extends along the trench line TL from the exposed portion of the trench line TL of the CF substrate 11 to the portion covered with the TFT substrate 12. The same applies to the TFT substrate 12.

次に、上記スクライブ工程が行われたセル基板10(図3(D))に対するブレーク工程について、以下に説明する。   Next, the break process with respect to the cell substrate 10 (FIG. 3D) subjected to the scribe process will be described below.

図9(A)を参照して、クラックラインCLが形成されていない面であるCF基板11の外面SF2が露出するように、テーブル60に貼られたブレーク用敷物61上にセル基板10が配置される。   With reference to FIG. 9A, the cell substrate 10 is arranged on the break rug 61 affixed to the table 60 so that the outer surface SF2 of the CF substrate 11 which is a surface where the crack line CL is not formed is exposed. Is done.

次に、外面SF2上において局所的に荷重を加えることによってCF基板11およびTFT基板12が反らされる。具体的には、外面SF2上におけるブレーク箇所B0〜B2において順次荷重が加えられる。ブレーク箇所B0は平面視においてCF基板11およびTFT基板12の各々のクラックラインCLと重なっており、よってCF基板11およびTFT基板12のそれぞれのクラックラインCLに沿ってCF基板11およびTFT基板12が分断される。ブレーク箇所B1は平面視においてCF基板11のクラックラインCLのみと重なっており、よってCF基板11のクラックラインCLに沿ってCF基板11が分断される。ブレーク箇所B2は平面視においてTFT基板12のクラックラインCLのみと重なっており、よってTFT基板12のクラックラインCLに沿ってTFT基板12が分断される。   Next, the CF substrate 11 and the TFT substrate 12 are warped by applying a load locally on the outer surface SF2. Specifically, loads are sequentially applied at break points B0 to B2 on the outer surface SF2. The break point B0 overlaps with the crack lines CL of the CF substrate 11 and the TFT substrate 12 in a plan view, so that the CF substrate 11 and the TFT substrate 12 move along the crack lines CL of the CF substrate 11 and the TFT substrate 12, respectively. Divided. The break point B1 overlaps only with the crack line CL of the CF substrate 11 in plan view, and thus the CF substrate 11 is divided along the crack line CL of the CF substrate 11. The break portion B2 overlaps only with the crack line CL of the TFT substrate 12 in plan view, and thus the TFT substrate 12 is divided along the crack line CL of the TFT substrate 12.

図10(A)および(B)を参照して、荷重LDはブレークバー71を用いることでクラックラインCL全体に対して印加され得る。この場合、クラックラインCLの全体に沿った分断がほぼ同時に行われる。図11(A)および(B)を参照して、あるいは荷重LDはブレークローラ72を用いることで印加され得る。この場合、外面SF2上での回転RTによるブレークローラ72の進行PRに伴って、クラックラインCLに沿った分断が徐々に進行する。   Referring to FIGS. 10A and 10B, load LD can be applied to the entire crack line CL by using break bar 71. In this case, the division along the entire crack line CL is performed almost simultaneously. Referring to FIGS. 11A and 11B, or the load LD can be applied by using a break roller 72. In this case, the division along the crack line CL gradually proceeds with the progress PR of the break roller 72 by the rotation RT on the outer surface SF2.

図9(B)および図12を参照して、上述したように、ステップS90(図2)として、CF基板11のクラックラインCLに沿ってCF基板11が分断され、またTFT基板12のクラックラインCLに沿ってTFT基板12が分断される。すなわち、セル基板10のブレーク工程が行なわれる。   9B and 12, as described above, as step S90 (FIG. 2), the CF substrate 11 is divided along the crack line CL of the CF substrate 11, and the crack line of the TFT substrate 12 is also divided. The TFT substrate 12 is divided along CL. That is, a break process for the cell substrate 10 is performed.

再び図1(B)を参照して、次にCF基板11およびTFT基板12の間のギャップ内に液晶が注入されることによって液晶層20が形成される。以上により、一のセル基板10(図9(A))から複数のLCDパネル101が得られる。   Referring to FIG. 1B again, the liquid crystal layer 20 is formed by injecting liquid crystal into the gap between the CF substrate 11 and the TFT substrate 12. Thus, a plurality of LCD panels 101 can be obtained from one cell substrate 10 (FIG. 9A).

次に第1の比較例について説明する。図13(A)および(B)を参照して、CF基板11およびTFT基板12が互いに貼り合わされる。次にCF基板11およびTFT基板12のそれぞれの外面SF2およびSF4にスクライブラインSLが形成される。スクライブラインSLは、公知の典型的なスクライブ技術によって形成され得るものであり、スクライブ時に形成された垂直クラックのラインを有する。すなわち、スクライブラインSLはクラックラインを含んでいる。次にスクライブラインSLに沿ってCF基板11およびTFT基板12が分断される。この際、CF基板11のスクライブラインSLに沿った分断にはTFT基板12の外面SF4上への荷重印加L1が必要であり、TFT基板12のスクライブラインSLに沿った分断にはCF基板11の外面SF2上への荷重印加L2が必要である。このためブレーク工程においてセル基板10を反転させる必要がある。   Next, a first comparative example will be described. Referring to FIGS. 13A and 13B, CF substrate 11 and TFT substrate 12 are bonded to each other. Next, scribe lines SL are formed on the outer surfaces SF2 and SF4 of the CF substrate 11 and the TFT substrate 12, respectively. The scribe line SL can be formed by a known typical scribe technique, and has a line of a vertical crack formed at the time of scribing. That is, the scribe line SL includes a crack line. Next, the CF substrate 11 and the TFT substrate 12 are divided along the scribe line SL. At this time, the load application L1 on the outer surface SF4 of the TFT substrate 12 is necessary for the division along the scribe line SL of the CF substrate 11, and the division of the CF substrate 11 along the scribe line SL of the TFT substrate 12 is necessary. The load application L2 on the outer surface SF2 is necessary. For this reason, it is necessary to invert the cell substrate 10 in the break process.

これに対して本実施の形態によれば、図9(A)において説明したように、荷重印加がCF基板11の外面SF2上のみで行われる。よってセル基板10を反転させる必要がない。これによりブレーク工程をより容易に行うことができる。たとえば、ブレーク工程のための装置を簡素化することができる。またブレーク工程に要する時間を短縮することができる。   On the other hand, according to the present embodiment, as described with reference to FIG. 9A, the load is applied only on the outer surface SF2 of the CF substrate 11. Therefore, it is not necessary to invert the cell substrate 10. Thereby, a break process can be performed more easily. For example, the apparatus for a break process can be simplified. In addition, the time required for the break process can be shortened.

次に第2の比較例について説明する。図14(A)および(B)を参照して、スクライブラインSLが形成されたCF基板11とスクライブラインSLが形成されたTFT基板12とが個別に準備される。図14(C)を参照してCF基板11およびTFT基板12が互いに貼り合わされる。その後、図9(A)と同様の方法で、スクライブラインSLに沿ってCF基板11およびTFT基板12が分断される。本比較例においては、垂直クラックを伴うスクライブラインSLが形成された後にCF基板11およびTFT基板12が貼り合わされることから、スクライブラインSLのクラックが厚さ方向に意図せず伸展することによって、意図していた時点より前にCF基板11およびTFT基板12の少なくともいずれかが分断してしまいやすい。この結果、LCDパネル101(図1(B))の製造工程の継続が困難となり得る。   Next, a second comparative example will be described. 14A and 14B, the CF substrate 11 on which the scribe line SL is formed and the TFT substrate 12 on which the scribe line SL is formed are separately prepared. Referring to FIG. 14C, the CF substrate 11 and the TFT substrate 12 are bonded to each other. Thereafter, the CF substrate 11 and the TFT substrate 12 are divided along the scribe line SL by the same method as in FIG. In this comparative example, since the CF substrate 11 and the TFT substrate 12 are bonded together after the scribe line SL accompanied by the vertical crack is formed, the crack of the scribe line SL extends unintentionally in the thickness direction, At least one of the CF substrate 11 and the TFT substrate 12 tends to be divided before the intended time point. As a result, it may be difficult to continue the manufacturing process of the LCD panel 101 (FIG. 1B).

これに対して本実施の形態によれば、CF基板11が分断される位置を規定するラインとして、その直下にクラックを有しないトレンチラインTL(図8(A))が形成される。分断の直接のきっかけとして用いられることになるクラックラインCL(図8(B))は、トレンチラインTLの形成後に形成される。これにより、トレンチラインTLの形成後かつクラックラインCLの形成前のCF基板11は、分断される位置がトレンチラインTLによって規定されつつも、クラックラインCLが未だ形成されていないので容易に分断は生じない安定状態(クラックレス状態)にある。この安定状態において、CF基板11のトレンチラインTL、すなわち、CF基板11が分断される位置を規定するライン上にTFT基板12が配置される。その後、分断の直接のきっかけとして用いられることになるクラックラインCLが、トレンチラインTLに沿ってクラックを伸展させることで形成される。これによりクラックラインCLを、TFT基板12に覆われた位置にも形成することができる。以上のように、CF基板11およびTFT基板12の貼り合わせに関連した作業中にCF基板11が意図せず分断してしまうことを避けつつ、CF基板11上におけるTFT基板12に覆われた部分にも、それに沿った分断が行なわれることになるラインを設けることができる。   On the other hand, according to the present embodiment, a trench line TL (FIG. 8A) that does not have a crack is formed immediately below the line that defines the position where the CF substrate 11 is divided. The crack line CL (FIG. 8B) to be used as a direct trigger for the division is formed after the formation of the trench line TL. Thereby, the CF substrate 11 after the formation of the trench line TL and before the formation of the crack line CL is easily divided because the position to be divided is defined by the trench line TL but the crack line CL is not yet formed. It is in a stable state (crackless state) that does not occur. In this stable state, the TFT substrate 12 is disposed on the trench line TL of the CF substrate 11, that is, on a line that defines a position where the CF substrate 11 is divided. Thereafter, the crack line CL to be used as a direct trigger for the division is formed by extending the crack along the trench line TL. Thereby, the crack line CL can be formed at a position covered with the TFT substrate 12. As described above, the portion covered with the TFT substrate 12 on the CF substrate 11 while avoiding the CF substrate 11 being unintentionally divided during the work related to the bonding of the CF substrate 11 and the TFT substrate 12. In addition, it is possible to provide a line to be divided along the line.

また同様に、貼り合わせに関連した作業中にTFT基板12が意図せず分断してしまうことを避けつつ、TFT基板12上におけるCF基板11に覆われた部分にも、それに沿った分断が行なわれることになるラインを設けることができる。   Similarly, while avoiding unintentional division of the TFT substrate 12 during work related to bonding, the portion covered by the CF substrate 11 on the TFT substrate 12 is also divided along that line. A line can be provided.

なお本実施の形態におけるクラックラインCLの形成工程は、従来のいわゆるブレーク工程と本質的に異なっている。ブレーク工程は、既に形成されているクラックを厚さ方向にさらに伸展させるものである。一方、本実施の形態におけるクラックラインCLの形成工程は、トレンチラインTLの形成によって得られたクラックレス状態から、クラックを有する状態への変化をもたらすものである。この変化は、クラックレス状態が有する内部応力の開放によって生じると考えられる。トレンチラインTLの形成時の塑性変形、およびトレンチラインTLの形成によって生成される内部応力の大きさや方向性などの状態は、回転刃の転動が用いられる場合と、本実施の形態のように刃先の摺動が用いられる場合とでは異なると考えられ、刃先の摺動が用いられる場合には、より広いスクライブ条件においてクラックが発生しやすくなる。また内部応力の開放には何らかのきっかけが必要であり、上述したような外部からの応力印加によるトレンチラインTL上のクラックの発生がそのようなきっかけとして作用すると考えられる。トレンチラインTLおよびクラックラインCLの好適な形成方法の詳細は後述される。   Note that the formation process of the crack line CL in the present embodiment is essentially different from a conventional so-called break process. In the break process, the already formed crack is further extended in the thickness direction. On the other hand, the formation process of the crack line CL in the present embodiment brings about a change from a crackless state obtained by forming the trench line TL to a state having a crack. This change is considered to be caused by the release of internal stress that the crackless state has. The state of the plastic deformation at the time of forming the trench line TL and the magnitude and directionality of the internal stress generated by the formation of the trench line TL are the same as in the case where rolling of the rotary blade is used, as in this embodiment. This is considered to be different from the case where the sliding of the blade edge is used, and when the sliding of the blade edge is used, cracks are likely to occur in a wider scribe condition. Moreover, some kind of trigger is necessary to release the internal stress, and it is considered that the occurrence of cracks on the trench line TL due to the application of external stress as described above acts as such a trigger. Details of a preferable method of forming the trench line TL and the crack line CL will be described later.

(実施の形態2)
図15(A)〜(E)のそれぞれは、本実施の形態における液晶表示パネル101(図1(A)および(B))の製造方法の第1〜第5工程を概略的に示す断面図である。図15(A)〜(E)のそれぞれの断面は、線XVA−XVA(図16)、線XVB−XVB(図17)、線XVC−XVC(図18)、線XVD−XVD(図19)および線XVE−XVE(図20)に沿っている。なお本実施の形態においては実施の形態1と異なり、TFT基板12が第1の脆性基板に対応し、CF基板11が第2の脆性基板に対応する。また内面SF3が第1の主面に対応し、外面SF4が第2の主面に対応し、内面SF1が第3の主面に対応し、外面SF2が第4の主面に対応する。
(Embodiment 2)
15A to 15E are cross-sectional views schematically showing first to fifth steps of the method of manufacturing liquid crystal display panel 101 (FIGS. 1A and 1B) in the present embodiment. It is. The cross sections of FIGS. 15A to 15E are line XVA-XVA (FIG. 16), line XVB-XVB (FIG. 17), line XVC-XVC (FIG. 18), and line XVD-XVD (FIG. 19). And along the line XVE-XVE (FIG. 20). In the present embodiment, unlike the first embodiment, the TFT substrate 12 corresponds to the first brittle substrate, and the CF substrate 11 corresponds to the second brittle substrate. The inner surface SF3 corresponds to the first main surface, the outer surface SF4 corresponds to the second main surface, the inner surface SF1 corresponds to the third main surface, and the outer surface SF2 corresponds to the fourth main surface.

本実施の形態においては、TFT基板12のトレンチラインTLが内面SF3上に形成され(図15(A))、またCF基板11のトレンチラインTLが外面SF2上に形成される(図15(B))。これによりTFT基板12のクラックラインCLが内面SF3上に形成され、またCF基板11のクラックラインCLが外面SF2上に形成される(図15(D))。ステップS90(図2)としてのブレーク方法自体は実施の形態1の図9(A)とほぼ同様であるが、荷重印加が外面SF2上ではなく外面SF4上で行われる。   In the present embodiment, the trench line TL of the TFT substrate 12 is formed on the inner surface SF3 (FIG. 15A), and the trench line TL of the CF substrate 11 is formed on the outer surface SF2 (FIG. 15B). )). Thereby, the crack line CL of the TFT substrate 12 is formed on the inner surface SF3, and the crack line CL of the CF substrate 11 is formed on the outer surface SF2 (FIG. 15D). The break method itself as step S90 (FIG. 2) is substantially the same as that in FIG. 9A of the first embodiment, but the load is applied not on the outer surface SF2 but on the outer surface SF4.

なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態1の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。   Since the configuration other than the above is substantially the same as the configuration of the first embodiment described above, the same or corresponding elements are denoted by the same reference numerals, and description thereof is not repeated.

本実施の形態によっても、実施の形態1とほぼ同様の効果が得られる。また本実施の形態によれば、カラーフィルタおよびブラックマトリックスなどが配置されることによって複雑な構成を有することが多い内面SF1の代わりに外面SF2にトレンチラインTLを配置することができる。これによりCF基板11のトレンチラインTLを安定的に形成することができる。   Also according to the present embodiment, substantially the same effect as in the first embodiment can be obtained. In addition, according to the present embodiment, the trench line TL can be arranged on the outer surface SF2 instead of the inner surface SF1, which often has a complicated configuration by arranging a color filter, a black matrix, and the like. Thereby, the trench line TL of the CF substrate 11 can be stably formed.

(実施の形態3)
図21は、本実施の形態におけるLCDパネル101(図1(A)および(B))の製造方法を概略的に示すフロー図である。図22(A)〜(E)のそれぞれの断面は、線XXIIA−XXIIA(図23)、線XXIIB−XXIIB(図24)、線XXIIC−XXIIC(図25)、線XXIID−XXIID(図26)および線XXIIE−XXIIE(図27)に沿っている。
(Embodiment 3)
FIG. 21 is a flowchart schematically showing a method for manufacturing LCD panel 101 (FIGS. 1A and 1B) in the present embodiment. Each of the cross sections of FIGS. 22A to 22E is a line XXIIA-XXIIA (FIG. 23), a line XXIIB-XXIIB (FIG. 24), a line XXIIC-XXIIC (FIG. 25), and a line XXIID-XXIID (FIG. 26). And along the line XXIIE-XXIIE (FIG. 27).

図22(A)および図23を参照して、実施の形態1と同様のステップS11〜S13(図21)により、トレンチラインTLが形成されたCF基板11が準備される。   With reference to FIG. 22A and FIG. 23, the CF substrate 11 on which the trench line TL is formed is prepared by steps S11 to S13 (FIG. 21) similar to those of the first embodiment.

図22(B)および図24を参照して、TFT基板12が準備される(図21:ステップS21)。CF基板11の内面SF1とTFT基板12の内面SF3とが対向するようにCF基板11およびTFT基板12が互いに貼り合わされる(図21:ステップS40)。これにより、CF基板11およびTFT基板12の積層体であるセル基板10が得られる。CF基板11に形成されたトレンチラインTLはTFT基板12に覆われる。本実施の形態においては、CF基板11に形成されたトレンチラインTLがTFT基板12に部分的に覆われる。言い換えれば、CF基板11の内面SF1上に形成されたトレンチラインTLが部分的に露出される。   With reference to FIG. 22 (B) and FIG. 24, the TFT substrate 12 is prepared (FIG. 21: step S21). The CF substrate 11 and the TFT substrate 12 are bonded to each other so that the inner surface SF1 of the CF substrate 11 and the inner surface SF3 of the TFT substrate 12 face each other (FIG. 21: Step S40). Thereby, the cell substrate 10 which is a laminate of the CF substrate 11 and the TFT substrate 12 is obtained. The trench line TL formed in the CF substrate 11 is covered with the TFT substrate 12. In the present embodiment, the trench line TL formed in the CF substrate 11 is partially covered by the TFT substrate 12. In other words, the trench line TL formed on the inner surface SF1 of the CF substrate 11 is partially exposed.

図22(C)および図25を参照して、次に、CF基板11のトレンチラインTLに沿ってクラックラインCLが形成される(図21:ステップS61)。   With reference to FIG. 22C and FIG. 25, next, a crack line CL is formed along the trench line TL of the CF substrate 11 (FIG. 21: Step S61).

図22(D)および図26を参照して、次に、TFT基板12の外面SF4上にスクライブラインSLが形成される(図21:ステップS72)。スクライブラインSLは、前述したように、スクライブ時に形成された垂直クラックのライン(クラックライン)を含むものである。スクライブラインSLは、それが形成されることになるラインに沿ってTFT基板12の外面SF4上で刃先を変位させることにより形成される。   With reference to FIG. 22D and FIG. 26, next, scribe line SL is formed on outer surface SF4 of TFT substrate 12 (FIG. 21: step S72). As described above, the scribe line SL includes a vertical crack line (crack line) formed during scribing. The scribe line SL is formed by displacing the blade edge on the outer surface SF4 of the TFT substrate 12 along the line where the scribe line SL is to be formed.

さらに図22(E)および図27を参照して、ステップS90(図21)として、CF基板11のクラックラインCLに沿ってCF基板11が分断され、またTFT基板12のスクライブラインSLに沿ってTFT基板12が分断される。なお分断の方法は、図9(A)とほぼ同様である。   Further, referring to FIGS. 22E and 27, as step S90 (FIG. 21), the CF substrate 11 is divided along the crack line CL of the CF substrate 11, and along the scribe line SL of the TFT substrate 12. The TFT substrate 12 is divided. Note that the dividing method is almost the same as that in FIG.

再び図1(B)を参照して、次にCF基板11およびTFT基板12の間のギャップ内に液晶が注入されることによって液晶層20が形成される。以上により、一のセル基板10(図22(D))から複数のLCDパネル101が得られる。   Referring to FIG. 1B again, the liquid crystal layer 20 is formed by injecting liquid crystal into the gap between the CF substrate 11 and the TFT substrate 12. Thus, a plurality of LCD panels 101 can be obtained from one cell substrate 10 (FIG. 22D).

なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態1の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。   Since the configuration other than the above is substantially the same as the configuration of the first embodiment described above, the same or corresponding elements are denoted by the same reference numerals, and description thereof is not repeated.

本実施の形態によっても、実施の形態1とほぼ同様の効果が得られる。   Also according to the present embodiment, substantially the same effect as in the first embodiment can be obtained.

また本実施の形態によれば、スクライブラインSLが形成された時点で既に、CF基板11およびTFT基板12が互いに貼り合わされており、さらにCF基板11にクラックラインCLが形成されている。よってスクライブラインSLの垂直クラックが何らかの要因で伸展することによってスクライブラインSLに沿った分断が意図せず生じたとしても、通常、特に差し支えがない。   Further, according to the present embodiment, the CF substrate 11 and the TFT substrate 12 are already bonded to each other when the scribe line SL is formed, and the crack line CL is formed in the CF substrate 11. Therefore, even if the vertical crack of the scribe line SL is extended for some reason and the division along the scribe line SL is unintentionally caused, there is usually no problem.

またTFT基板12のスクライブラインSLは、TFTなどが配置されることによって複雑な構成を有することが多い内面SF3ではなく外面SF4に形成される。これによりスクライブラインSLを安定的に形成することができる。   In addition, the scribe line SL of the TFT substrate 12 is formed on the outer surface SF4 instead of the inner surface SF3, which often has a complicated configuration due to the arrangement of TFTs and the like. Thereby, the scribe line SL can be stably formed.

図28を参照して、本実施の形態の変形例においては、前述したステップS61およびS72(図21)の順番が入れ替えられる。図29および図30は、ステップS72にてスクライブラインSLが形成された時点での構成を概略的に示す。   Referring to FIG. 28, in the modification of the present embodiment, the order of steps S61 and S72 (FIG. 21) described above is switched. 29 and 30 schematically show the configuration at the time when the scribe line SL is formed in step S72.

(実施の形態4)
図31は、本実施の形態におけるLCDパネル101(図1(A)および(B))の製造方法を概略的に示すフロー図である。図32(A)〜(E)のそれぞれの断面は、線XXXIIA−XXXIIA(図33)、線XXXIIB−XXXIIB(図34)、線XXXIIC−XXXIIC(図35)、線XXXIID−XXXIID(図36)および線XXXIIE−XXXIIE(図37)に沿っている。
(Embodiment 4)
FIG. 31 is a flowchart schematically showing a method for manufacturing LCD panel 101 (FIGS. 1A and 1B) in the present embodiment. The cross sections of FIGS. 32A to 32E are respectively the line XXXIIA-XXXIIA (FIG. 33), the line XXXIIB-XXXIIB (FIG. 34), the line XXXIIC-XXXIIC (FIG. 35), and the line XXXIID-XXXIIID (FIG. 36). And along the line XXXIIE-XXXIIE (FIG. 37).

図32(A)および図33を参照して、実施の形態1と同様のステップS21〜S23(図31)により、トレンチラインTLが形成されたTFT基板12が準備される。   Referring to FIGS. 32A and 33, TFT substrate 12 on which trench line TL is formed is prepared by steps S21 to S23 (FIG. 31) similar to those of the first embodiment.

図32(B)および図34を参照して、CF基板11が準備される(図31:ステップS11)。CF基板11の内面SF1とTFT基板12の内面SF3とが対向するようにCF基板11およびTFT基板12が互いに貼り合わされる(図31:ステップS40)。これにより、CF基板11およびTFT基板12の積層体であるセル基板10が得られる。TFT基板12に形成されたトレンチラインTLはCF基板11に覆われる。本実施の形態においては、TFT基板12に形成されたトレンチラインTLがCF基板11に部分的に覆われる。言い換えれば、TFT基板12の内面SF3上に形成されたトレンチラインTLが部分的に露出される。   Referring to FIGS. 32B and 34, the CF substrate 11 is prepared (FIG. 31: step S11). The CF substrate 11 and the TFT substrate 12 are bonded together so that the inner surface SF1 of the CF substrate 11 and the inner surface SF3 of the TFT substrate 12 face each other (FIG. 31: Step S40). Thereby, the cell substrate 10 which is a laminate of the CF substrate 11 and the TFT substrate 12 is obtained. The trench line TL formed in the TFT substrate 12 is covered with the CF substrate 11. In the present embodiment, the trench line TL formed in the TFT substrate 12 is partially covered with the CF substrate 11. In other words, the trench line TL formed on the inner surface SF3 of the TFT substrate 12 is partially exposed.

図32(C)および図35を参照して、次に、TFT基板12のトレンチラインTLに沿ってクラックラインCLが形成される(図31:ステップS62)。   Referring to FIG. 32C and FIG. 35, next, a crack line CL is formed along the trench line TL of the TFT substrate 12 (FIG. 31: step S62).

図32(D)および図36を参照して、次に、CF基板11の外面SF2上にスクライブラインSLが形成される(図31:ステップS71)。スクライブラインSLは、前述したように、公知の典型的なスクライブ技術によって形成され得るものであり、スクライブ時に形成された垂直クラックのラインを有する。   Referring to FIGS. 32 (D) and 36, scribe line SL is then formed on outer surface SF2 of CF substrate 11 (FIG. 31: step S71). As described above, the scribe line SL can be formed by a known typical scribe technique, and has a line of a vertical crack formed at the time of scribing.

さらに図32(E)および図37を参照して、ステップS90(図31)として、TFT基板12のクラックラインCLに沿ってTFT基板12が分断され、またCF基板11のスクライブラインSLに沿ってCF基板11が分断される。   32E and 37, as step S90 (FIG. 31), the TFT substrate 12 is divided along the crack line CL of the TFT substrate 12, and along the scribe line SL of the CF substrate 11. The CF substrate 11 is divided.

次にCF基板11およびTFT基板12の間のギャップ内に液晶が注入されることによって液晶層20(図1(B))が形成される。以上により、一のセル基板10(図32(D))から複数のLCDパネル101(図1(B))が得られる。   Next, liquid crystal is injected into the gap between the CF substrate 11 and the TFT substrate 12 to form the liquid crystal layer 20 (FIG. 1B). Thus, a plurality of LCD panels 101 (FIG. 1B) are obtained from one cell substrate 10 (FIG. 32D).

なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態2の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。   Since the configuration other than the above is substantially the same as the configuration of the second embodiment described above, the same or corresponding elements are denoted by the same reference numerals, and description thereof will not be repeated.

本実施の形態によっても、実施の形態1とほぼ同様の効果が得られる。   Also according to the present embodiment, substantially the same effect as in the first embodiment can be obtained.

また本実施の形態によれば、スクライブラインSLが形成された時点で既に、CF基板11およびTFT基板12が互いに貼り合わされており、さらにTFT基板12にクラックラインCLが形成されている。よってスクライブラインSLの垂直クラックが何らかの要因で伸展することによってスクライブラインSLに沿った分断が意図せず生じたとしても、通常、特に差し支えがない。   In addition, according to the present embodiment, the CF substrate 11 and the TFT substrate 12 are already bonded to each other when the scribe line SL is formed, and the crack line CL is formed on the TFT substrate 12. Therefore, even if the vertical crack of the scribe line SL is extended for some reason and the division along the scribe line SL is unintentionally caused, there is usually no problem.

またCF基板11のスクライブラインSLは、カラーフィルタおよびブラックマトリックスなどが配置されることによって複雑な構成を有することが多い内面SF1ではなく外面SF2に形成される。これによりスクライブラインSLを安定的に形成することができる。   Further, the scribe line SL of the CF substrate 11 is formed on the outer surface SF2 instead of the inner surface SF1, which often has a complicated configuration, by arranging a color filter, a black matrix, and the like. Thereby, the scribe line SL can be stably formed.

図38を参照して、本実施の形態の変形例においては、前述したステップS62およびS71(図31)の順番が入れ替えられる。図39および図40は、ステップS71にてスクライブラインSLが形成された時点での構成を概略的に示す。   Referring to FIG. 38, in the modification of the present embodiment, the order of steps S62 and S71 (FIG. 31) described above is switched. 39 and 40 schematically show the configuration at the time when the scribe line SL is formed in step S71.

(実施の形態5)
図41は、本実施の形態におけるLCDパネル101(図1(A)および(B))の製造方法を概略的に示すフロー図である。実施の形態2〜4と異なり本実施の形態においては、CF基板11およびTFT基板12のいずれかについて、分断される位置の規定が、トレンチラインTLの形成(ステップS13またはS23)と、スクライブラインSLの形成(ステップS70)とに分けて行なわれる。この分け方は任意であり、たとえば、平面レイアウトのXY直交座標において、X軸に沿ったトレンチラインTLと、Y軸に沿ったスクライブラインSLとが形成される。なおステップS60およびS70の順序は入れ替えられてもよい。
(Embodiment 5)
FIG. 41 is a flowchart schematically showing a method for manufacturing LCD panel 101 (FIGS. 1A and 1B) in the present embodiment. Unlike the second to fourth embodiments, in this embodiment, the definition of the position to be divided for either the CF substrate 11 or the TFT substrate 12 is the formation of the trench line TL (step S13 or S23) and the scribe line. This is performed separately from the formation of SL (step S70). This division method is arbitrary. For example, in the XY orthogonal coordinates of the planar layout, a trench line TL along the X axis and a scribe line SL along the Y axis are formed. Note that the order of steps S60 and S70 may be changed.

なお上記以外の構成については、上述した実施の形態2〜4の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。   Since the configuration other than the above is substantially the same as the configuration of the above-described second to fourth embodiments, the same or corresponding elements are denoted by the same reference numerals, and description thereof is not repeated.

(実施の形態6)
上記各実施の形態におけるトレンチラインTLの形成に用いられる、刃先を有するカッティング器具について、以下に説明する。
(Embodiment 6)
A cutting tool having a cutting edge used for forming the trench line TL in each of the above embodiments will be described below.

図42(A)および(B)は、刃先51がCF基板11に押し付けられている様子を示す。カッティング器具50は刃先51およびシャンク52を有する。刃先51には、天面SD1(第1の面)と、天面SD1を取り囲む複数の面とが設けられている。これら複数の面は側面SD2(第2の面)および側面SD3(第3の面)を含む。天面SD1、側面SD2およびSD3(第1〜第3の面)は、互いに異なる方向を向いており、かつ互いに隣り合っている。刃先51は、天面SD1、側面SD2およびSD3が合流する頂点を有し、この頂点によって刃先51の突起部PPが構成されている。また側面SD2およびSD3は、刃先51の側部PSを構成する稜線をなしている。側部PSは突起部PPから線状に延びている。また側部PSは、上述したように稜線であることから、線状に延びる凸形状を有する。   42A and 42B show a state in which the blade edge 51 is pressed against the CF substrate 11. The cutting instrument 50 has a cutting edge 51 and a shank 52. The blade edge 51 is provided with a top surface SD1 (first surface) and a plurality of surfaces surrounding the top surface SD1. The plurality of surfaces include a side surface SD2 (second surface) and a side surface SD3 (third surface). The top surface SD1, the side surfaces SD2, and SD3 (first to third surfaces) face different directions and are adjacent to each other. The blade edge 51 has a vertex at which the top surface SD1, the side surfaces SD2 and SD3 merge, and the protrusion PP of the blade edge 51 is configured by this vertex. Further, the side surfaces SD2 and SD3 form ridge lines constituting the side portion PS of the blade edge 51. The side part PS extends linearly from the protrusion part PP. Moreover, since the side part PS is a ridgeline as mentioned above, it has the convex shape extended linearly.

刃先51はダイヤモンドポイントであることが好ましい。すなわち刃先51は、硬度および表面粗さを小さくすることができる点からダイヤモンドから作られていることが好ましい。より好ましくは刃先51は単結晶ダイヤモンドから作られている。さらに好ましくは結晶学的に言って、天面SD1は{001}面であり、側面SD2およびSD3の各々は{111}面である。この場合、側面SD2およびSD3は、異なる向きを有するものの、結晶学上、互いに等価な結晶面である。   The cutting edge 51 is preferably a diamond point. That is, the cutting edge 51 is preferably made of diamond from the viewpoint that the hardness and the surface roughness can be reduced. More preferably, the cutting edge 51 is made of single crystal diamond. More preferably, crystallographically, the top surface SD1 is a {001} plane, and each of the side surfaces SD2 and SD3 is a {111} plane. In this case, although the side surfaces SD2 and SD3 have different orientations, they are crystal surfaces that are equivalent to each other in terms of crystallography.

なお単結晶でないダイヤモンドが用いられてもよく、たとえば、CVD(Chemical Vapor Deposition)法で合成された多結晶体ダイヤモンドが用いられてもよい。あるいは、微粒のグラファイトや非グラファイト状炭素から、鉄族元素などの結合材を含まずに焼結された多結晶体ダイヤモンドや、ダイヤモンド粒子を鉄族元素などの結合材によって結合させた焼結ダイヤモンドが用いられてもよい。   Diamond that is not a single crystal may be used. For example, polycrystalline diamond synthesized by a CVD (Chemical Vapor Deposition) method may be used. Alternatively, polycrystalline diamond that is sintered from fine graphite or non-graphitic carbon without containing a binder such as an iron group element, or sintered diamond obtained by bonding diamond particles with a binder such as an iron group element May be used.

シャンク52は軸方向AXに沿って延在している。刃先51は、天面SD1の法線方向が軸方向AXにおおよそ沿うようにシャンク52に取り付けられることが好ましい。   The shank 52 extends along the axial direction AX. The blade edge 51 is preferably attached to the shank 52 so that the normal direction of the top surface SD1 is approximately along the axial direction AX.

カッティング器具50を用いてトレンチラインTL(図8(A))を形成するためには、CF基板11の内面SF1に、刃先51の突起部PPおよび側部PSが、CF基板11が有する厚さ方向DTへ押し付けられる。次に側部PSを内面SF1上に射影した方向におおよそ沿って、刃先51が内面SF1上を摺動させられる。これにより内面SF1上に、垂直クラックを伴わない溝状のトレンチラインTLが形成される。トレンチラインTLはCF基板11の塑性変形によって生じるが、この際にCF基板11が若干削れてもよい。ただしこのような削れは微細な破片を生じ得ることから、なるべく少ないことが好ましい。   In order to form the trench line TL (FIG. 8A) using the cutting tool 50, the protrusion PP and the side PS of the cutting edge 51 on the inner surface SF1 of the CF substrate 11 have the thickness that the CF substrate 11 has. Pressed in the direction DT. Next, the cutting edge 51 is slid on the inner surface SF1 approximately along the direction in which the side portion PS is projected onto the inner surface SF1. Thus, a groove-like trench line TL without a vertical crack is formed on the inner surface SF1. Although the trench line TL is generated by plastic deformation of the CF substrate 11, the CF substrate 11 may be slightly shaved at this time. However, since such scraping can generate fine fragments, it is preferable that the amount is as small as possible.

刃先51の摺動によって、トレンチラインTLおよびクラックラインCLが同時に形成される場合(図8(B))と、トレンチラインTLのみが形成される場合(図8(A))とがある。クラックラインCLは、トレンチラインTLのくぼみから厚さ方向DTに伸展したクラックであり、内面SF1上においては線状に延びている。後述する方法によれば、トレンチラインTLのみが形成された後、それに沿ってクラックラインCLを形成することができる。   There are a case where the trench line TL and the crack line CL are simultaneously formed by sliding the blade edge 51 (FIG. 8B), and a case where only the trench line TL is formed (FIG. 8A). The crack line CL is a crack extending in the thickness direction DT from the recess of the trench line TL, and extends linearly on the inner surface SF1. According to the method described later, after only the trench line TL is formed, the crack line CL can be formed along the trench line TL.

次に、CF基板11(本実施の形態における第1の脆性基板)の分断方法について特に着目して、以下に説明する。なお、図および説明を分かりやすくするために、一の方向(各平面図中、横方向)に沿った分断についてのみ説明するが、分断は、実施の形態1〜5で説明したように、複数の方向(たとえば、各平面図中、横方向および縦方向)に沿った分断が行なわれ得る。またTFT基板12(本実施の形態における第2の脆性基板)についても同様の分断方法を適用し得る。またTFT基板12が第1の脆性基板とされCF基板11が第2の脆性基板とされてもよい。またCF基板11とTFT基板12との間の貼り付けについては実施の形態1〜5において説明したとおりであり、その図示を省略する。   Next, the method for dividing the CF substrate 11 (first brittle substrate in the present embodiment) will be described below with particular attention paid. For easy understanding of the drawings and the explanation, only the division along one direction (the horizontal direction in each plan view) will be described. However, as described in the first to fifth embodiments, the division may be performed in plural. (For example, the horizontal direction and the vertical direction in each plan view) can be divided. A similar dividing method can be applied to the TFT substrate 12 (second brittle substrate in the present embodiment). The TFT substrate 12 may be a first brittle substrate and the CF substrate 11 may be a second brittle substrate. Further, the attachment between the CF substrate 11 and the TFT substrate 12 is as described in the first to fifth embodiments, and the illustration thereof is omitted.

図43(A)を参照して、CF基板11は平坦な内面SF1を有する。内面SF1を囲む縁は、互いに対向する辺ED1(第1の辺)および辺ED2(第2の辺)を含む。図43(A)で示す例においては、縁は長方形状である。よって辺ED1およびED2は互いに平行な辺である。また図43(A)で示す例においては辺ED1およびED2は長方形の短辺である。   Referring to FIG. 43A, the CF substrate 11 has a flat inner surface SF1. The edge surrounding the inner surface SF1 includes a side ED1 (first side) and a side ED2 (second side) that face each other. In the example shown in FIG. 43A, the edge has a rectangular shape. Therefore, the sides ED1 and ED2 are sides parallel to each other. In the example shown in FIG. 43A, the sides ED1 and ED2 are rectangular short sides.

内面SF1に刃先51が位置N1で押し付けられる。位置N1の詳細は後述する。刃先51の押し付けは、図42(A)を参照して、CF基板11の内面SF1上で刃先51の突起部PPが辺ED1および側部PSの間に配置されるように、かつ刃先51の側部PSが突起部PPと辺ED2の間に配置されるように行なわれる。   The blade edge 51 is pressed against the inner surface SF1 at the position N1. Details of the position N1 will be described later. 42A, the blade tip 51 is pressed such that the projection PP of the blade tip 51 is disposed between the side ED1 and the side portion PS on the inner surface SF1 of the CF substrate 11 with reference to FIG. The side PS is arranged between the protrusion PP and the side ED2.

次に、内面SF1上に複数のトレンチラインTL(図中では2つのライン)が形成される。トレンチラインTLの形成は、位置N1(第1の位置)および位置N3の間で行なわれる。位置N1およびN3の間には位置N2(第2の位置)が位置する。よってトレンチラインTLは、位置N1およびN2の間と、位置N2およびN3の間とに形成される。位置N1およびN3はCF基板11の内面SF1の縁から離れて位置してもよく、あるいは、その一方または両方が内面SF1の縁に位置してもよい。形成されるトレンチラインTLは、前者の場合はCF基板11の縁から離れており、後者の場合はCF基板11の縁に接している。位置N1およびN2のうち位置N1の方が辺ED1により近く、また位置N1およびN2のうち位置N2の方が辺ED2により近い。なお図43(A)に示す例では、位置N1は辺ED1およびED2のうち辺ED1に近い。位置N2は辺ED1およびED2のうち辺ED2に近いが、位置N1およびN2の両方が辺ED1またはED2のいずれか一方の近くに位置してもよい。   Next, a plurality of trench lines TL (two lines in the drawing) are formed on the inner surface SF1. The formation of the trench line TL is performed between the position N1 (first position) and the position N3. A position N2 (second position) is located between the positions N1 and N3. Therefore, trench line TL is formed between positions N1 and N2 and between positions N2 and N3. The positions N1 and N3 may be located away from the edge of the inner surface SF1 of the CF substrate 11, or one or both of them may be located at the edge of the inner surface SF1. The formed trench line TL is separated from the edge of the CF substrate 11 in the former case, and is in contact with the edge of the CF substrate 11 in the latter case. Of the positions N1 and N2, the position N1 is closer to the side ED1, and the position N2 of the positions N1 and N2 is closer to the side ED2. In the example shown in FIG. 43A, the position N1 is close to the side ED1 of the sides ED1 and ED2. The position N2 is close to the side ED2 of the sides ED1 and ED2, but both the positions N1 and N2 may be located near either one of the sides ED1 or ED2.

トレンチラインTLが形成される際には、本実施の形態においては、位置N1から位置N2へ刃先51が変位させられ、さらに位置N2から位置N3へ変位させられる。すなわち、図42(A)を参照して、刃先51が、辺ED1から辺ED2へ向かう方向である方向DAへ変位させられる。方向DAは、刃先51から延びる軸方向AXを内面SF1上へ射影した方向に対応している。この場合、刃先51はシャンク52によって内面SF1上を引き摺られる。   When the trench line TL is formed, in the present embodiment, the blade edge 51 is displaced from the position N1 to the position N2, and is further displaced from the position N2 to the position N3. That is, with reference to FIG. 42A, the blade edge 51 is displaced in the direction DA that is the direction from the side ED1 toward the side ED2. The direction DA corresponds to a direction in which the axial direction AX extending from the blade edge 51 is projected onto the inner surface SF1. In this case, the blade edge 51 is dragged on the inner surface SF <b> 1 by the shank 52.

次に、実施の形態1で説明したクラックレス状態(図8(A))が所望の時間に渡って維持される。その間に、実施の形態1〜5で説明したように、CF基板11とTFT基板12(図示せず)との貼り付けが行なわれる。   Next, the crackless state (FIG. 8A) described in Embodiment 1 is maintained over a desired time. Meanwhile, the CF substrate 11 and the TFT substrate 12 (not shown) are attached as described in the first to fifth embodiments.

図43(B)を参照して、トレンチラインTLが形成された後に、トレンチラインTLに沿って位置N2から位置N1の方へ(図中、破線矢印参照)、厚さ方向DTにおけるCF基板11のクラックを伸展させることによってクラックラインCLが形成される。クラックラインCLの形成は、アシストラインALおよびトレンチラインTLが位置N2で互いに交差することによって開始される。この目的で、トレンチラインTLを形成した後にアシストラインALが形成される。アシストラインALは、厚さ方向DTにおけるクラックを伴う通常のスクライブラインである。アシストラインALの形成方法は、特に限定されないが、図43(B)に示すように、内面SF1の縁を基点として形成されてもよい。   Referring to FIG. 43B, after the trench line TL is formed, the CF substrate 11 in the thickness direction DT extends from the position N2 toward the position N1 along the trench line TL (see the broken line arrow in the figure). The crack line CL is formed by extending the cracks. Formation of the crack line CL is started when the assist line AL and the trench line TL intersect each other at the position N2. For this purpose, the assist line AL is formed after the trench line TL is formed. The assist line AL is a normal scribe line with a crack in the thickness direction DT. The method of forming the assist line AL is not particularly limited, but may be formed using the edge of the inner surface SF1 as a base point as shown in FIG.

なお位置N2から位置N1への方向に比して、位置N2から位置N3への方向へは、クラックラインCLが形成されにくい。つまりクラックラインCLの伸展のしやすさには方向依存性が存在する。よってクラックラインCLが位置N1およびN2の間には形成され位置N2およびN3の間には形成されないという現象が生じ得る。本実施の形態は位置N1およびN2間に沿ったCF基板11の分断を目的としており、位置N2およびN3間に沿ったCF基板11の分離は目的としていない。よって位置N1およびN2間でクラックラインCLが形成されることが必要である一方で、位置N2およびN3間でのクラックラインCLの形成されにくさは問題とはならない。   Note that the crack line CL is less likely to be formed in the direction from the position N2 to the position N3 than in the direction from the position N2 to the position N1. That is, the ease of extension of the crack line CL has a direction dependency. Therefore, the phenomenon that the crack line CL is formed between the positions N1 and N2 but not between the positions N2 and N3 may occur. This embodiment is intended to divide the CF substrate 11 along the positions N1 and N2, and is not intended to separate the CF substrate 11 along the positions N2 and N3. Therefore, while it is necessary to form the crack line CL between the positions N1 and N2, the difficulty of forming the crack line CL between the positions N2 and N3 is not a problem.

次に、クラックラインCLに沿ってCF基板11が分断される。具体的にはブレーク工程が行なわれる。なおクラックラインCLがその形成時に厚さ方向DTに完全に進行した場合は、クラックラインCLの形成とCF基板11の分断とが同時に生じ得る。この場合、ブレーク工程を省略し得る。   Next, the CF substrate 11 is divided along the crack line CL. Specifically, a break process is performed. If the crack line CL is completely advanced in the thickness direction DT when the crack line CL is formed, the formation of the crack line CL and the division of the CF substrate 11 may occur at the same time. In this case, the break process can be omitted.

以上によりCF基板11の分断が行なわれる。   Thus, the CF substrate 11 is divided.

次に、上記分断方法の第1〜第3の変形例について、以下に説明する。   Next, the 1st-3rd modification of the said dividing method is demonstrated below.

図44(A)を参照して、第1の変形例は、アシストラインALとトレンチラインTLとの交差が、クラックラインCL(図43(B))の形成開始のきっかけとして不十分な場合に関するものである。図44(B)を参照して、CF基板11へ、曲げモーメントなどを発生させる外力を加えることでアシストラインALに沿って厚さ方向DTにおけるクラックが伸展し、その結果、CF基板11が分離される。これによりクラックラインCLの形成が開始される。なお、図44(A)においてはアシストラインALがCF基板11の内面SF1上に形成されるが、CF基板11を分離するためのアシストラインALはCF基板11の外面SF2上に形成されてもよい。この場合、アシストラインALおよびトレンチラインTLは、平面レイアウト上、位置N2で互いに交差するが、互いに直接接触はしない。この場合には、第1の実施の形態と異なり、CF基板11のトレンチラインTLの端部が露出している必要がない。   Referring to FIG. 44A, the first modified example relates to a case where the intersection of the assist line AL and the trench line TL is insufficient as a trigger for starting the formation of the crack line CL (FIG. 43B). Is. Referring to FIG. 44B, an external force that generates a bending moment or the like is applied to the CF substrate 11 so that a crack in the thickness direction DT extends along the assist line AL. As a result, the CF substrate 11 is separated. Is done. Thereby, formation of the crack line CL is started. In FIG. 44A, the assist line AL is formed on the inner surface SF1 of the CF substrate 11. However, the assist line AL for separating the CF substrate 11 may be formed on the outer surface SF2 of the CF substrate 11. Good. In this case, the assist line AL and the trench line TL intersect each other at the position N2 in the planar layout, but do not directly contact each other. In this case, unlike the first embodiment, the end of the trench line TL of the CF substrate 11 does not need to be exposed.

また第1の変形例においては、CF基板11の分離によりトレンチラインTL付近の内部応力の歪みが解放され、それによりクラックラインCLの形成が開始される。したがってアシストラインAL自身が、トレンチラインTLに応力を加えることで形成されたクラックラインCLであってもよい。   Further, in the first modified example, the separation of the internal stress in the vicinity of the trench line TL is released by the separation of the CF substrate 11, thereby starting the formation of the crack line CL. Therefore, the assist line AL itself may be a crack line CL formed by applying stress to the trench line TL.

図45を参照して、第2の変形例においては、CF基板11の内面SF1に刃先51が位置N3で押し付けられる。トレンチラインTLが形成される際には、本変形例においては、位置N3から位置N2へ刃先51が変位させられ、さらに位置N2から位置N1へ変位させられる。すなわち、図42を参照して、刃先51が、辺ED2から辺ED1へ向かう方向である方向DBへ変位させられる。方向DBは、刃先51から延びる軸方向AXを内面SF1上へ射影した方向と反対方向に対応している。この場合、刃先51はシャンク52によって内面SF1上を押し進められる。   Referring to FIG. 45, in the second modification, the blade edge 51 is pressed against the inner surface SF1 of the CF substrate 11 at the position N3. When the trench line TL is formed, in the present modification, the blade edge 51 is displaced from the position N3 to the position N2, and is further displaced from the position N2 to the position N1. That is, with reference to FIG. 42, the blade edge 51 is displaced in a direction DB that is a direction from the side ED2 toward the side ED1. The direction DB corresponds to a direction opposite to the direction in which the axial direction AX extending from the blade edge 51 is projected onto the inner surface SF1. In this case, the blade edge 51 is pushed forward on the inner surface SF <b> 1 by the shank 52.

図46を参照して、第3の変形例においては、トレンチラインTLが形成される際に、刃先51はCF基板11の内面SF1に位置N1に比して位置N2でより大きな力で押し付けられる。具体的には、位置N4を位置N1およびN2の間の位置として、トレンチラインTLの形成が位置N4に至った時点で、刃先51の荷重が高められる。言い換えれば、トレンチラインTLの荷重が、位置N1に比して、トレンチラインTLの終端部である位置N4およびN3の間で高められる。これにより、終端部以外での荷重を軽減しつつ、位置N2からのクラックラインCLの形成を誘起されやすくすることができる。   Referring to FIG. 46, in the third modified example, when trench line TL is formed, cutting edge 51 is pressed against inner surface SF1 of CF substrate 11 with a greater force at position N2 than at position N1. . Specifically, the load on the blade edge 51 is increased when the position of the trench line TL reaches the position N4 with the position N4 as the position between the positions N1 and N2. In other words, the load on the trench line TL is increased between the positions N4 and N3, which are the end portions of the trench line TL, as compared with the position N1. Thereby, formation of the crack line CL from the position N2 can be easily induced while reducing a load at a portion other than the terminal portion.

本実施の形態によれば、トレンチラインTLからクラックラインCLを、より確実に形成することができる。   According to the present embodiment, the crack line CL can be more reliably formed from the trench line TL.

また、後述する実施の形態7と異なり本実施の形態においては、トレンチラインTLが形成された時点(図43(A))ではアシストラインALは未だ形成されていない。よってクラックレス状態を、アシストラインALからの影響なく、より安定的に維持することができる。なお、クラックレス状態の安定性が問題とならない場合は、アシストラインALが形成されていない図43(A)の状態の代わりに、アシストラインALが形成された図43(A)の状態でクラックレス状態が維持されてもよい。   Further, unlike the seventh embodiment described later, in the present embodiment, the assist line AL has not yet been formed at the time when the trench line TL is formed (FIG. 43A). Therefore, the crackless state can be maintained more stably without being affected by the assist line AL. If the stability in the crackless state does not matter, the crack in the state of FIG. 43A where the assist line AL is formed instead of the state of FIG. 43A where the assist line AL is not formed. The less state may be maintained.

(実施の形態7)
本実施の形態における液晶表示パネルの製造方法について、図47〜図49を用いつつ、以下に説明する。
(Embodiment 7)
A method for manufacturing the liquid crystal display panel in the present embodiment will be described below with reference to FIGS.

図47を参照して、本実施の形態においてはアシストラインALがトレンチラインTLの形成前に形成される。アシストラインALの形成方法自体は、図43(B)(実施の形態6)と同様である。   Referring to FIG. 47, in the present embodiment, assist line AL is formed before formation of trench line TL. The method of forming the assist line AL is the same as that in FIG. 43B (Embodiment 6).

図48を参照して、次に、内面SF1に刃先51が押し付けられ、そしてトレンチラインTLが形成される。トレンチラインTLの形成方法自体は、図43(A)(実施の形態6)と同様である。アシストラインALおよびトレンチラインTLは位置N2で互いに交差する。次に、実施の形態1〜5で説明したように、CF基板11とTFT基板12(図示せず)との貼り付けが行なわれる。   Referring to FIG. 48, next, the blade edge 51 is pressed against the inner surface SF1, and the trench line TL is formed. The formation method itself of the trench line TL is the same as that in FIG. 43A (Embodiment 6). The assist line AL and the trench line TL intersect each other at the position N2. Next, as described in the first to fifth embodiments, the CF substrate 11 and the TFT substrate 12 (not shown) are attached.

図49を参照して、次に、CF基板11へ曲げモーメントなどを発生させる外力を加える通常のブレーク工程によってアシストラインALに沿ってCF基板11が分離される。これにより、クラックラインCL(図8(B))の形成が開始される(図中、破線矢印参照)。なお、図47においてはアシストラインALがCF基板11の内面SF1上に形成されるが、CF基板11を分離するためのアシストラインALはCF基板11の外面SF2上に形成されてもよい。この場合、アシストラインALおよびトレンチラインTLは、平面レイアウト上、位置N2で互いに交差するが、互いに直接接触はしない。   Referring to FIG. 49, next, the CF substrate 11 is separated along the assist line AL by a normal break process in which an external force that generates a bending moment or the like is applied to the CF substrate 11. Thereby, formation of the crack line CL (FIG. 8B) is started (see the broken line arrow in the figure). 47, the assist line AL is formed on the inner surface SF1 of the CF substrate 11. However, the assist line AL for separating the CF substrate 11 may be formed on the outer surface SF2 of the CF substrate 11. In this case, the assist line AL and the trench line TL intersect each other at the position N2 in the planar layout, but do not directly contact each other.

なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態6の構成とほぼ同じである。   The configuration other than the above is almost the same as the configuration of the sixth embodiment described above.

図50を参照して、変形例においては、トレンチラインTLが形成される際に、刃先51はCF基板11の内面SF1に位置N1に比して位置N2でより大きな力で押し付けられる。具体的には、位置N4を位置N1およびN2の間の位置として、トレンチラインTLの形成が位置N4に至った時点で、刃先51の荷重が高められる。言い換えれば、トレンチラインTLの荷重が、位置N1に比して、トレンチラインTLの終端部である位置N4およびN3の間で高められる。これにより、終端部以外での荷重を軽減しつつ、位置N2からのクラックラインCLの形成を誘起されやすくすることができる。   Referring to FIG. 50, in the modification, when the trench line TL is formed, the blade edge 51 is pressed against the inner surface SF1 of the CF substrate 11 with a greater force at the position N2 than at the position N1. Specifically, the load on the blade edge 51 is increased when the position of the trench line TL reaches the position N4 with the position N4 as the position between the positions N1 and N2. In other words, the load on the trench line TL is increased between the positions N4 and N3, which are the end portions of the trench line TL, as compared with the position N1. Thereby, formation of the crack line CL from the position N2 can be easily induced while reducing a load at a portion other than the terminal portion.

(実施の形態8)
図51(A)を参照して、本実施の形態における液晶表示パネルの製造方法においては、位置N1から位置N2を経由して辺ED2へ達するトレンチラインTLが形成される。次に、実施の形態1で説明したクラックレス状態(図8(A))が所望の時間に渡って維持される。その間に、実施の形態1〜5で説明したように、CF基板11とTFT基板12(図示せず)との貼り付けが行なわれる。
(Embodiment 8)
Referring to FIG. 51A, in the method of manufacturing the liquid crystal display panel according to the present embodiment, trench line TL reaching position ED2 from position N1 via position N2 is formed. Next, the crackless state (FIG. 8A) described in Embodiment 1 is maintained over a desired time. Meanwhile, the CF substrate 11 and the TFT substrate 12 (not shown) are attached as described in the first to fifth embodiments.

図51(B)を参照して、次に位置N2と辺ED2との間に、トレンチラインTL付近の内部応力の歪みを解放させるような応力が加えられる。これによりトレンチラインTLに沿ったクラックラインの形成が誘起される。   Referring to FIG. 51B, next, a stress is applied between position N2 and side ED2 so as to release the distortion of internal stress in the vicinity of trench line TL. This induces the formation of crack lines along the trench line TL.

応力の印加として具体的には、内面SF1上において位置N2と辺ED2との間(図中、破線および辺ED2の間の領域)で、押し付けられた刃先51が摺動させられる。この摺動は辺ED2に達するまで行なわれる。刃先51は好ましくは最初に形成されたトレンチラインTLの軌道に交差するように、より好ましくは最初に形成されたトレンチラインTLの軌道に重なるように摺動される。この再度の摺動の長さは、たとえば0.5mm程度である。   Specifically, as the application of stress, the pressed blade edge 51 is slid on the inner surface SF1 between the position N2 and the side ED2 (a region between the broken line and the side ED2 in the drawing). This sliding is performed until the side ED2 is reached. The cutting edge 51 is preferably slid so as to intersect the track of the trench line TL formed first, and more preferably to overlap the track of the trench line TL formed first. The length of this second sliding is, for example, about 0.5 mm.

変形例として、位置N2と辺ED2との間に応力を加えるために、上述した刃先51の再度の摺動に代えて、内面SF1上において位置N2と辺ED2との間にレーザ光が照射されてもよい。これにより生じた熱応力によっても、トレンチラインTL付近の内部応力の歪みが解放され、それによりクラックラインの形成開始を誘起することができる。   As a modification, in order to apply a stress between the position N2 and the side ED2, a laser beam is irradiated between the position N2 and the side ED2 on the inner surface SF1 instead of the sliding of the cutting edge 51 described above. May be. Due to the thermal stress generated thereby, the distortion of the internal stress in the vicinity of the trench line TL is released, thereby inducing the start of formation of the crack line.

なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態6の構成とほぼ同じである。   The configuration other than the above is almost the same as the configuration of the sixth embodiment described above.

(実施の形態9)
図52(A)を参照して、本実施の形態における液晶表示パネルの製造方法においては、位置N1から位置N2へ、そしてさらに位置N3へ刃先51を変位させることによって、内面SF1の縁から離れたトレンチラインTLが形成される。トレンチラインTLの形成方法自体は図43(A)(実施の形態6)とほぼ同様である。
(Embodiment 9)
Referring to FIG. 52A, in the method of manufacturing the liquid crystal display panel in the present embodiment, the blade edge 51 is displaced from the position N1 to the position N2, and further to the position N3, thereby moving away from the edge of the inner surface SF1. A trench line TL is formed. The method of forming the trench line TL itself is almost the same as that in FIG. 43A (Embodiment 6).

次に、実施の形態1で説明したクラックレス状態(図8(A))が所望の時間に渡って維持される。その間に、実施の形態1〜5で説明したように、CF基板11とTFT基板12(図示せず)との貼り付けが行なわれる。   Next, the crackless state (FIG. 8A) described in Embodiment 1 is maintained over a desired time. Meanwhile, the CF substrate 11 and the TFT substrate 12 (not shown) are attached as described in the first to fifth embodiments.

図52(B)を参照して、図51(B)(実施の形態8またはその変形例)と同様の応力印加が行なわれる。これによりトレンチラインTLに沿ったクラックラインの形成が誘起される。   Referring to FIG. 52B, the same stress application as in FIG. 51B (Embodiment 8 or a modification thereof) is performed. This induces the formation of crack lines along the trench line TL.

図53を参照して、図52(A)の工程の変形例として、トレンチラインTLの形成において、刃先51が位置N3から位置N2へそして位置N2から位置N1へ変位させられてもよい。   Referring to FIG. 53, as a modification of the process of FIG. 52A, in forming trench line TL, cutting edge 51 may be displaced from position N3 to position N2 and from position N2 to position N1.

なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態6の構成とほぼ同じである。   The configuration other than the above is almost the same as the configuration of the sixth embodiment described above.

(実施の形態10)
図54(A)および(B)を参照して、上記各実施の形態において、刃先51(図42(A)および(B))に代わり、刃先51vが用いられてもよい。刃先51vは、頂点と、円錐面SCとを有する円錐形状を有する。刃先51vの突起部PPvは頂点で構成されている。刃先の側部PSvは頂点から円錐面SC上に延びる仮想線(図54(B)における破線)に沿って構成されている。これにより側部PSvは、線状に延びる凸形状を有する。
(Embodiment 10)
Referring to FIGS. 54 (A) and (B), in each of the above embodiments, blade edge 51v may be used instead of blade edge 51 (FIGS. 42 (A) and (B)). The blade edge 51v has a conical shape having a vertex and a conical surface SC. The protruding part PPv of the blade edge 51v is constituted by a vertex. The side part PSv of the blade edge is configured along a virtual line (broken line in FIG. 54B) extending from the apex to the conical surface SC. Thereby, the side part PSv has a convex shape extending linearly.

なお上記実施の形態6〜10においては基板の縁の第1および第2の辺が長方形の短辺であるが、第1および第2の辺は長方形の長辺であってもよい。また縁の形状は長方形に限定されるものではなく、たとえば正方形であってもよい。また第1および第2の辺は直線状のものに限定されるものではなく曲線状であってもよい。また上記各実施の形態においては基板の主面が平坦であるが、基板の主面は湾曲していてもよい。   In Embodiments 6 to 10, the first and second sides of the edge of the substrate are rectangular short sides, but the first and second sides may be rectangular long sides. The shape of the edge is not limited to a rectangle, and may be a square, for example. Further, the first and second sides are not limited to being linear, and may be curved. In each of the above embodiments, the main surface of the substrate is flat, but the main surface of the substrate may be curved.

また上記各実施の形態において、複数の液晶表示パネルを得るために、まず、脆性基板を有する一のセル基板が複数の部分に分断され、次に各部分がさらに分断されることによって複数の表示パネルが得られてもよい。たとえば、セル基板がまず長方形状の部分へ分断され、次にその長辺が分割されるようにこの長方形状の部分がさらに分断されることによって複数の表示パネルが得られてもよい。   In each of the above embodiments, in order to obtain a plurality of liquid crystal display panels, first, one cell substrate having a brittle substrate is divided into a plurality of parts, and then each part is further divided into a plurality of displays. A panel may be obtained. For example, a plurality of display panels may be obtained by first dividing the cell substrate into rectangular portions and then further dividing the rectangular portion so that the long side is divided.

また上述した分断方法に特に適した脆性基板としてガラス基板が用いられるが、脆性基板はガラス基板に限定されるものではなく、たとえばサファイア基板が用いられてもよい。   Moreover, although a glass substrate is used as a brittle substrate particularly suitable for the dividing method described above, the brittle substrate is not limited to a glass substrate, and for example, a sapphire substrate may be used.

また上述した液晶表示パネルの製造方法においては、ガラス基板にカラーフィルタ、ブラックマトリックスおよび配向膜を設けたCF基板11と、ガラス基板に配線、アクティブ素子、電極および配向膜を設けたTFT基板12とに対してトレンチラインが形成されるが、ガラス基板にトレンチラインが形成された後に、ガラス基板に対してCF基板11やTFT基板12としての構成を設けるための加工が行われてもよい。   In the liquid crystal display panel manufacturing method described above, a CF substrate 11 provided with a color filter, a black matrix and an alignment film on a glass substrate, and a TFT substrate 12 provided with wiring, active elements, electrodes and an alignment film on the glass substrate, However, after the trench line is formed on the glass substrate, processing for providing a configuration as the CF substrate 11 or the TFT substrate 12 may be performed on the glass substrate.

本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。   The present invention can be freely combined with each other within the scope of the invention, and each embodiment can be appropriately modified or omitted.

11 CF基板(脆性基板)
12 TFT基板(脆性基板)
20 液晶層
21 シール部
51,51v 刃先
60 テーブル
61 ブレーク用敷物
71 ブレークバー
72 ブレークローラ
101 LCDパネル(液晶表示パネル)
AL アシストライン
CL クラックライン
ED1 辺(第1の辺)
ED2 辺(第2の辺)
N1 位置(第1の位置)
N2 位置(第2の位置)
SF1,SF3 内面(主面)
SF2,SF4 外面(主面)
SL スクライブライン
TL トレンチライン
PP,PPv 突起部
PS,PSv 側部
11 CF substrate (brittle substrate)
12 TFT substrate (brittle substrate)
20 Liquid crystal layer 21 Seal part 51, 51v Cutting edge 60 Table 61 Breaking rug 71 Break bar 72 Break roller 101 LCD panel (liquid crystal display panel)
AL assist line CL crack line ED1 side (first side)
ED2 side (second side)
N1 position (first position)
N2 position (second position)
SF1, SF3 inner surface (main surface)
SF2, SF4 Outer surface (main surface)
SL Scribe line TL Trench line PP, PPv Protrusion PS, PSv Side

Claims (4)

第1の主面と前記第1の主面と反対の第2の主面とを有し、前記第1の主面に垂直な厚さ方向を有する第1の脆性基板を準備する工程と、
第3の主面と前記第3の主面と反対の第4の主面とを有する第2の脆性基板を準備する工程と、
前記第1の脆性基板の前記第1の主面に刃先を押し付ける工程と、
前記押し付ける工程によって押し付けられた前記刃先を前記第1の脆性基板の前記第1の主面上で摺動させることによって前記第1の脆性基板の前記第1の主面上に塑性変形を発生させることで、溝形状を有する第1のトレンチラインを形成する工程とを備え、前記第1のトレンチラインを形成する工程は、前記第1のトレンチラインの直下において前記第1の脆性基板が前記第1のトレンチラインと交差する方向において連続的につながっている状態であるクラックレス状態が得られるように行なわれ、さらに
前記第1のトレンチラインを形成する工程の後、前記第1の脆性基板の前記第1の主面と前記第2の脆性基板の前記第3の主面とが対向するように前記第1の脆性基板および前記第2の脆性基板を互いに貼り合わせる工程を備え、前記第1の脆性基板および前記第2の脆性基板を互いに貼り合わせる工程は、前記第1の脆性基板に形成された前記第1のトレンチラインが前記第2の脆性基板に少なくとも部分的に覆われるように行なわれ、さらに
前記第1の脆性基板および前記第2の脆性基板を互いに貼り合わせる工程の後に、前記第1のトレンチラインに沿って前記厚さ方向における前記第1の脆性基板のクラックを伸展させることによって、第1のクラックラインを形成する工程を備え、前記第1のクラックラインによって前記第1のトレンチラインの直下において前記第1の脆性基板は前記第1のトレンチラインと交差する方向において連続的なつながりが断たれており、さらに
前記第2の脆性基板の前記第4の主面上に第2のクラックラインを形成する工程と、
前記第1の脆性基板の前記第2の主面上において局所的に荷重を加えることによって前記第1の脆性基板および前記第2の脆性基板を反らすことにより、前記第1のクラックラインおよび前記第2のクラックラインのそれぞれに沿って前記第1の脆性基板および前記第2の脆性基板を分断する工程とを備える、
液晶表示パネルの製造方法。
Providing a first brittle substrate having a first main surface and a second main surface opposite to the first main surface and having a thickness direction perpendicular to the first main surface;
Providing a second brittle substrate having a third main surface and a fourth main surface opposite to the third main surface;
Pressing the blade edge against the first main surface of the first brittle substrate;
Plastic deformation is generated on the first main surface of the first brittle substrate by sliding the blade edge pressed by the pressing step on the first main surface of the first brittle substrate. A step of forming a first trench line having a groove shape, wherein the step of forming the first trench line includes the step of forming the first brittle substrate directly under the first trench line. A crackless state that is continuously connected in a direction intersecting with one trench line is obtained, and after the step of forming the first trench line, Bonding the first brittle substrate and the second brittle substrate to each other so that the first main surface and the third main surface of the second brittle substrate face each other, In the step of bonding the first brittle substrate and the second brittle substrate together, the first trench line formed in the first brittle substrate is at least partially covered by the second brittle substrate. And, after the step of bonding the first brittle substrate and the second brittle substrate together, cracks in the first brittle substrate in the thickness direction along the first trench line. A step of forming a first crack line by extending, wherein the first brittle substrate intersects the first trench line immediately below the first trench line by the first crack line; And the step of forming a second crack line on the fourth main surface of the second brittle substrate;
By warping the first brittle substrate and the second brittle substrate by locally applying a load on the second main surface of the first brittle substrate, the first crack line and the second Dividing the first brittle substrate and the second brittle substrate along each of the two crack lines,
A method for manufacturing a liquid crystal display panel.
前記第2のクラックラインを形成する工程は、前記第1の脆性基板および前記第2の脆性基板を互いに貼り合わせる工程の後に、前記第2のクラックラインが形成されることになるラインに沿って前記第2の脆性基板の前記第4の主面上で刃先を変位させることにより行われる、請求項1に記載の液晶表示パネルの製造方法。   The step of forming the second crack line is along the line where the second crack line is to be formed after the step of bonding the first brittle substrate and the second brittle substrate together. The manufacturing method of the liquid crystal display panel of Claim 1 performed by displacing a blade edge | tip on the said 4th main surface of a said 2nd brittle board | substrate. 前記第2のクラックラインを形成する工程は、前記第2の脆性基板の前記第4の主面上に塑性変形を発生させることで、溝形状を有する第2のトレンチラインを形成する工程を含む、請求項1に記載の液晶表示パネルの製造方法。   The step of forming the second crack line includes the step of forming a second trench line having a groove shape by generating plastic deformation on the fourth main surface of the second brittle substrate. The manufacturing method of the liquid crystal display panel of Claim 1. 前記第2のトレンチラインを形成する工程は、前記第1の脆性基板および前記第2の脆性基板を互いに貼り合わせる工程の前に行われる、請求項3に記載の液晶表示パネルの製造方法。   4. The method of manufacturing a liquid crystal display panel according to claim 3, wherein the step of forming the second trench line is performed before the step of bonding the first brittle substrate and the second brittle substrate together.
JP2014175097A 2014-08-29 2014-08-29 Manufacturing method of liquid crystal display panel Expired - Fee Related JP6413496B2 (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014175097A JP6413496B2 (en) 2014-08-29 2014-08-29 Manufacturing method of liquid crystal display panel
TW104125387A TWI667515B (en) 2014-08-29 2015-08-05 Manufacturing method of liquid crystal display panel
KR1020150117130A KR20160026706A (en) 2014-08-29 2015-08-20 Method of manufacturing liquid crystal display panel
CN201510514509.2A CN105388651B (en) 2014-08-29 2015-08-20 Method for manufacturing liquid crystal display panel

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014175097A JP6413496B2 (en) 2014-08-29 2014-08-29 Manufacturing method of liquid crystal display panel

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016050992A JP2016050992A (en) 2016-04-11
JP6413496B2 true JP6413496B2 (en) 2018-10-31

Family

ID=55421091

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014175097A Expired - Fee Related JP6413496B2 (en) 2014-08-29 2014-08-29 Manufacturing method of liquid crystal display panel

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6413496B2 (en)
KR (1) KR20160026706A (en)
CN (1) CN105388651B (en)
TW (1) TWI667515B (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6432245B2 (en) * 2014-09-26 2018-12-05 三星ダイヤモンド工業株式会社 Substrate cutting method
JP2018150191A (en) 2017-03-13 2018-09-27 日本電気硝子株式会社 Production method of glass sheet

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE60331423D1 (en) * 2002-04-01 2010-04-08 Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd PARTIAL PROCESS FOR SUBSTRATE FROM FRAGILE MATERIAL AND SUBSTRATE USING THE PROCESS
KR100972488B1 (en) * 2005-12-29 2010-07-26 엘지디스플레이 주식회사 Apparatus and method of cutting liquid crystal display device and method of fabricating liquid crystal display device using thereof
WO2008126742A1 (en) * 2007-04-05 2008-10-23 Cyber Laser Inc. Laser machining method, laser cutting method, and method for dividing structure having multilayer board
WO2010029660A1 (en) * 2008-09-12 2010-03-18 シャープ株式会社 Method of manufacturing display panel
JP5129826B2 (en) 2010-02-05 2013-01-30 三星ダイヤモンド工業株式会社 Breaking method for brittle material substrate
CN102910809B (en) * 2012-10-24 2015-04-15 深圳市华星光电技术有限公司 Base plate and cutting method thereof
JP6043149B2 (en) * 2012-10-29 2016-12-14 三星ダイヤモンド工業株式会社 Breaking device for brittle material substrate and method for breaking brittle material substrate
JP6421472B2 (en) * 2014-06-24 2018-11-14 三星ダイヤモンド工業株式会社 Method for dividing brittle substrate and method for manufacturing display panel

Also Published As

Publication number Publication date
CN105388651B (en) 2020-09-01
CN105388651A (en) 2016-03-09
TW201608305A (en) 2016-03-01
JP2016050992A (en) 2016-04-11
KR20160026706A (en) 2016-03-09
TWI667515B (en) 2019-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI660828B (en) Manufacturing method of liquid crystal display panel
JP6201608B2 (en) Scribing method
JP6288258B2 (en) Method for dividing brittle substrate
JP6421472B2 (en) Method for dividing brittle substrate and method for manufacturing display panel
JP6413496B2 (en) Manufacturing method of liquid crystal display panel
JP6311798B2 (en) Method for dividing brittle substrate
JP6555354B2 (en) Method for dividing brittle substrate
JP6288260B2 (en) Method for dividing brittle substrate
JPWO2015198748A1 (en) Method for dividing brittle substrate and scribing apparatus
WO2016047317A1 (en) Method for cutting brittle substrate
JP6493537B2 (en) Method for dividing brittle substrate
JP6288293B2 (en) Method for dividing brittle substrate
JP2017149078A (en) Segmentation method for brittle substrate
JP2017149079A (en) Method for segmenting brittle substrate
JP6544179B2 (en) Method of dividing brittle substrate
JP2017065007A (en) Method of segmenting brittle substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170720

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180312

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180327

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180904

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180917

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6413496

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees