JP6409767B2 - 光受信装置およびその制御方法 - Google Patents

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Description

本発明は、光受信装置およびその制御方法に関する。
近年、盗聴行為に対して情報理論的安全性を持つ暗号通信を実現する方法として量子鍵配送(quantum key distribution:QKD)が盛んに研究され(非特許文献1)、実用化に向けた開発が進められている。
QKDでは、1パルス中に光子を1つしか含まない「単一光子」(もしくは通常のレーザ光を極度に減衰させた「擬似単一光子」)を通信媒体としているので、通常の光通信で用いられるような光検出器ではなく、単一光子を検出可能な光子検出器が用いられる。光子検出器としては、ブレークダウン電圧を超えるバイアスを印加したアバランシェフォトダイオード(avalanche photodiode:APD)や、数Kまで冷却した超伝導素子が一般的に用いられている。
QKDには様々な方式が提案されているが、2個もしくは4個の光子検出器を用いる方式が一般的である(たとえば非特許文献2を参照)。複数の光子検出器を用いる場合、QKDによって生成される暗号鍵の安全性を担保するためには全ての光子検出器の特性ができるだけ均一であることが望ましいが、一般的に、APD素子や超伝導素子の特性には大きなばらつきがあり、さらに環境温度の変動や素子の劣化などによっても変化する。したがって、QKDを長時間稼働させる際には定期的に特性をチェックし、バイアス電圧などの外部パラメータを個別に調整して特性の均一化を図る必要がある。
光子検出器の特性を示す主要なパラメータとしては量子効率および暗計数確率が挙げられる。量子効率は1つの光子を含むパルスを光子検出器が受光した際に正しく検出信号を出力する確率(光子の検出確率)である。暗計数確率は光子が存在しないにも拘わらず検出信号を出力してしまう確率であり、雑音の大きさを示す。典型的な値としては、量子効率が10%程度、暗計数確率が10−5程度である。
複数の光子検出器の特性を均一化する方法として、測定された検出データの偏りから量子効率の差異を推定し、偏りがなくなるように検出器のバイアス電圧などを調整する方法がある(特許文献1)。図10はこの技術を示すブロック図である。この光受信装置は、複数の光子検出器201(ここでは201aと201bの2つ)と、各光子検出器201のバイアス電圧を制御するバイアス電圧制御手段202と、各光子検出器201の出力から光子数をカウントする検出数測定手段203を有する。この装置では、信号光204a、204bを入力したときに、2つの光子検出器201aと202bの検出数に偏りがあった場合、バイアス電圧制御手段202によって、2つの光子検出器201それぞれのバイアス電圧を調整し、偏りを解消することができる。すなわち複数の光子検出器201の量子効率を均一化することができる。
特許第4883273号公報
ベネット(Bennett)、ブラッサード(Brassard)著 IEEEコンピュータ、システム、信号処理国際会議(IEEE Int. Conf. on Computers, Systems, and Signal Processing, Bangalore, India, p. 175, 1984) M. Sasaki et al.,"Field test of quantum key distribution in the Tokyo QKD Network" Opt. Express 19, 10387 (2011)
これまでの方法では検出器の量子効率を均一化することができるが、暗計数確率を均一化することはできない。暗計数確率が検出器ごとに異なる場合の安全性理論は現時点では確立されていないため、暗計数確率の均一化は必須である。
そこで、本発明の目的は、複数の光子検出器の量子効率と暗計数確率の両方を均一化できる光受信装置および制御方法を提供することにある。
上記の課題を解決するために、本発明による光受信装置は、複数の光子検出器の暗計数確率または量子効率の一方を均一化する第1の均一化手段と、一方の均一化に影響を与えずに他方を均一化する第2の均一化手段を有することを特徴とする。
本発明によれば、複数の光子検出器の量子効率と暗計数確率とを同時に均一化することができる。
本発明の第1の実施形態の構成を示すブロック図である。 本発明の第2の実施形態の構成を示すブロック図である。 本発明の第2の実施形態の一例を示すブロック図である。 本発明の第2の実施形態の手順を示すフローチャートである。 本発明の第3の実施形態の構成を示すブロック図である。 本発明の第4の実施形態の構成を示すブロック図である。 本発明の第4の実施形態の手順を示すフローチャートである。 本発明の第5の実施形態の構成を示すブロック図である。 本発明の第5の実施形態の手順を示すフローチャートである。 特許文献1の構成を示すブロック図である。
以下、図面を参照しながら本発明について詳細に説明する。
〔第1の実施形態〕図1は本発明の第一の実施形態を示すブロック図である。本実施の形態の光受信装置100は、複数の光子検出器1(1a、1b)と、前記複数の光子検出器の暗計数確率または量子効率の一方を均一化する第1の均一化手段2と、一方の均一化に影響を与えずに他方を均一化する第2の均一化手段3と、を有している。本実施の形態によれば、複数の光子検出器の量子効率と暗計数確率の両方を同時に均一化することができる。
〔第2の実施形態〕図2は本実施の形態の光受信装置100を示すブロック図である。本実施の形態の光受信装置100は、複数の検出系を有している。各々の検出系は、光子検出器1と、光子検出器1のバイアス電圧を制御するバイアス電圧制御手段4と、光子検出器1に入射する光の強度を調整する光強度調整手段5と、を有する。また各々の検出系は、光強度調整手段5を制御する光強度制御手段6と、信号光7を検出系に導く光伝送路8を有する。また、光受信装置100は検出数測定手段9を有し、各々の光子検出器1、バイアス電圧制御手段4、光強度制御手段6に接続されている。検出数測定手段9は各光子検出器1で検出された光子数を算出するとともに、各バイアス電圧制御手段4および各光強度制御手段6を制御する。なお光伝送路8は多くの場合光ファイバなどの光導波路であるが、何もない空間であっても良い。
ここでは一例として、検出系が2系統の場合について説明する。一方の検出系は光子検出器1a、バイアス電圧制御手段4a、光強度調整手段5a、光強度制御手段6a、光伝送路8aを有する。もう一方の検出系は光子検出器1b、バイアス電圧制御手段4b、光強度調整手段5b、光強度制御手段6b、光伝送路8bを有する。
図3は光受信装置の具体的な構成例を示すブロック図である。光子検出器1としてAPD10(アバランシェフォトダイオード)を用いている。逆バイアス状態にあるAPD10に光子が入射すると、キャリアが雪崩的に発生し、大きな電流が流れる。この増幅作用により、光子を高感度に検出することが可能である。そして、この感度はバイアス電圧に依存する。本実施の形態では、APD10はレベル調整器11を介してバイアス電源12に接続されている。またAPD10の他方はパルスカウンターに13に接続されている。レベル調整器11は、検出数測定手段9に設けられた制御手段14によって制御され、APD10に印加されるバイアスを調整する。
パルスカウンター13はAPD10で発生した電流を、電流電圧変換などの手段を用いてパルスとしてカウントする。パルスカウンター13は制御手段14に接続されており、検出したパルスに基づき、制御手段14で光子数が算出される。
光強度調整手段5には、一般的な光強度調整手段を用いることができる。例えば、電気光学効果や磁気光学効果を用いた可変光減衰器(VOA、Variable Optical Attenuator)や、電界吸収型光変調器(EA変調器、Electro-Absorption Modulator)、マッハツェンダ型の光変調器(MZ変調器、Mach-Zehnder modulator)などである。これらのデバイスの動作や使用方法は周知であるため、ここでは詳述しないが、それぞれ電気的制御により光強度を調整することができる。ここでは、光強度調整手段5は光強度制御手段6によって制御される。また光強度制御手段6は制御手段14によって制御される。
次に光受信装置の光子検出動作について説明する。本実施の形態では検出系が2系統あるが、動作は同じなのでaの系統を用いて説明する。まず光伝送路8aを通って、光強度調整手段5aに信号光7aが入射する。次に信号光7aは光強度調整手段5aで減衰されAPD10aに入射する。光子の入射によってAPD10aにはパルス的に電流が流れる。電流はパルスカウンター13aによってパルスとしてカウントされる。このパルスカウントに基づき制御手段14で検出光子数が算出される。
次に本発明の特徴である、「複数の光子検出器1の暗計数確率を均一化する方法」、および「暗計数確率に影響を与えずに量子効率を均一化する方法」について説明する。
図4はこの手順を示すフローチャートである。まず信号光7を遮断する(S11)。次に、検出数測定手段7により各光子検出器1(APD10)の検出数を測定する(S12)。これが暗計数確率に対応する。次に、各バイアス電圧制御手段4(レベル調整器11)によって各光子検出器1に印加されるバイアス電圧を制御して感度を調整し、各光子検出器1の検出数が均一となるようにする。これにより暗計数確率を均一化することができる(S13)。このとき各光子検出器1の固体差により、一般的に量子効率は異なったものになる。次に信号光7を入力する(S14)。この状態で各光子検出器1の検出数を測定する(S15)。量子効率がそれぞれ異なるため、各検出器の検出数は一般的には不均一である。そこで検出数が多い方の光子検出器1に付属する光強度調整手段5の透過率を下げるように光強度を調整し、検出数が均一となるようにする(S16)。これにより実効的な量子効率を均一化することができる。ここで光強度調整手段5に対する操作は暗計数確率に影響を与えない。したがって、以上により、量子効率と暗計数確率の両方を同時に均一化することができる。なお。前述したように、本実施の形態は検出系が2つに限られるものではなく3つ以上の場合にも同様に適用できる。
〔第3の実施形態〕本実施の形態では光子検出器1として、SSPD15(Superconducting Single Photon Detector)を用いている。SSPD15は超伝導体を用いた光子検出器であり、その動作は概略以下のようなものである。超伝導体によって形成された細線を超伝導状態に保ち、バイアスを印加し、抵抗ゼロの状態で電流を流しておく。ここに光子が入射すると、局所的に超伝導状態が破壊され抵抗を生じる。この抵抗変化により発生した電圧パルスを検出することにより、光子を検出することができる。
図5は本発明第3の実施の形態を示すブロック図である。光子検出器1として2つのSSPD15、15aおよび15bが設けられている。SSPD15a、15bはそれぞれクライオスタット16a、16bによって冷却され超伝導状態になっている。また、それぞれのSSPD15はレベル調整器11を介してバイアス電源12に接続されている。SSPD15の他端はパルスカウンター13に接続されている。光強度調整手段5および光強度制御手段6の構成は実施の形態2と同じであるため、説明を省略する。
上記の説明で明らかなように、以上の構成は、実施の形態2のAPD10をSSPD15に置き換えたものになっている。また動作についても、SSPD15で発生した電圧パルスをパルスカウンター13でカウントする点で、実施の形態2と同様である。なおバイアス電圧等の個々の条件が実施の形態2と異なることは言うまでもない。
また本実施の形態で用いるSSPD15の感度は、APD10と同様バイアス電圧に依存して変動する。このためバイアス電圧を調整することによって、実施の形態1と同様の方法により、複数の光子検出器1の暗計数確率を均一化し、暗計数確率に影響を与えずに量子効率を均一化することができる。
以上の説明から明らかなように、本発明は、APD10、SSPD15に限らず、電圧を印加して動作させる光子検出器であって、その感度がバイアス電圧に依存するものであれば、同様に適用することができる。
〔第4の実施形態〕図6は第4の実施の形態を示すブロック図である。本実施の形態においては、それぞれの検出系で光子検出器1の前段に、雑音光源17、雑音光源制御手段18、光合波器19が設けられている。雑音光源17は光子検出器1が感度を有する波長の光を発する光源であり、例えば一般的な連続発振レーザなどである。雑音光源制御手段18は雑音光源17から出射される光の強度を制御する。光合波器19は光伝送路8と雑音光源17に接続され、両者から入射する光を合波する。光合波器19は信号光7の損失を抑制するため、例えば信号99に対し雑音1となるような分岐比99:1などの光合波器が望ましい。光子検出器1、バイアス電圧制御手段4の構成については実施の形態2および3と同様である。
次に本実施の形態の光受信機の光子検出動作について説明する。光伝送路8を伝わってきた信号光7は、光合波器19において雑音光源17からの光と合波される。次いで合波された光はそれぞれの光子検出器1に入力される。光子検出器1の出力から検出数測定手段9が光子検出数を算出する。
次に本実施の形態の特徴である、「複数の光子検出器1の量子効率を均一化する方法」、および「量子効率に影響を与えずに暗計数確率を均一化する方法」について説明する。
本実施の形態では、まず各光子検出器1の量子効率の均一化を行う。最初に、各雑音光源17を駆動せずに信号光7のみを各光子検出器1に入力する。このとき、各光子検出器1の検出数にはバラツキがあるが、それぞれのバイアス電圧制御手段4を操作してバイアス電圧を調整することにより、出力を均一にすることができる。これが「量子効率を均一化する手段」に相当する。
バイアス電圧を変動させると、量子効率と暗計数確率の両方が同時に変動する。このため次に暗計数確率の均一化を行う。複数設けられた検出系それぞれにおいて、雑音光源17からの光は、信号光7が無い状態でも検出数測定手段9により検出される。このため、暗計数として扱うことができる。そこで、各検出系において、信号光5を遮断して、雑音光源17からの光だけが光子検出器1に入力されるようにする。次いで、各雑音光源制御手段18を操作し、各光子検出器1の検出数が均一になるように各雑音光源17の光強度を調整する。これで暗計数確率の均一化が完了する。
図7は以上の手順を示すフローチャートである。まず雑音光源17を駆動せず、信号光7のみを光子検出器1に入力する(S21)。この状態で各光子検出器1の検出数を測定する(S22)。これがほぼ量子効率に対応する。厳密にはこの検出数には暗計数も含まれているが、その寄与は小さいため無視することができる。次に、2つの光子検出器1の検出数が均一となるようにバイアス電圧を調整する(S23)。これにより量子効率を均一化することができる。このとき各光子検出器1の固体差により、一般的に暗計数確率は異なったものになる。次に信号光7を遮断する(S24)。この状態で各光子検出器1の検出数を測定する(S25)。これが光子検出器1の持つ暗計数確率に対応し、各光子検出器1の検出数は一般的には不均一である。そこで検出数が少ない方の光子検出器1に付属する雑音光源17を駆動し、雑音光を入力する(S26)。次に光子検出数が均一となるように雑音光源17の光強度を調整する(S27)。これにより実効的な暗計数確率を均一化することができる。雑音光源17に対する操作は光子検出器1の量子効率に影響を与えない。以上により量子効率と暗計数確率の両方を同時に均一化することができる。
第2の実施の形態では光子検出器1の直前に光強度調整手段5を用いており、その光学損失は小さいものでも0.6dB以上であるが、本実施の形態では光合波器19を用いており、その光学損失は0.1dB以下である。したがって、本実施の形態では第2および第3の実施形態に比べて0.5dB(約12%)以上の効率向上が見込めるという利点がある。
〔第5の実施形態〕 第4の実施の形態では各検出系に別々に雑音光源17を設けているが、雑音光源17は必ずしも検出系の数だけ設けなくとも良い。図8は雑音光源17を2系統の検出系に対し1つ設けた光受信装置を示すブロック図である。1つの雑音光源17の後段に光分波器20が設けられている。光分波器20によって分波された光の、一方の経路には光強度調整手段5aが設けられ、これを制御するための光強度制御手段6aが接続されている。光強度調整手段5aの後方には、光合波器19aが設けられ、ここで信号光7aと雑音光が合波される。光合波器19aから出た光は光子検出器1aに入力され光子数が検出される。光分波器20から出射されるもう一方の検出系であるbの系統についても同様に構成される。
次に本実施の形態における、暗計数確率の均一化および量子効率の均一化の方法について説明する。図9はこの手順を示すフローチャートである。まず雑音光源17を駆動せずに、各光子検出器1に信号光7を入力する(S31)。次に各光子検出器1の検出数を測定する(S32)。次にそれぞれのバイアス電圧制御手段4によって光子検出器1に印加されるバイアス電圧を調整し、検出数を均一にする(S33)。これにより量子効率を均一化することができる。次に信号光7を遮断する(S34)。この状態で各光子検出器1の検出数を測定する(S35)。これが光子検出器1の持つ暗計数確率に対応し、各光子検出器1の検出数は一般的には不均一である。次に雑音光を入力する(S36)。次に、それぞれの光強度調整手段5を光強度制御手段6によって制御して、光子検出器1の検出数が均一となるように調整する(S37)。以上により量子効率と暗計数確率の両方を同時に均一化することができる。
上記実施形態では量子効率や暗計数確率を調整する方法として光子検出器1のバイアス電圧を例に挙げたが、この他にも光子検出器1を活性化するために用いるゲートパルスの振幅や時間幅、検出閾値などによっても調整可能である。
また、上記実施の形態では光子検出器1が2つの場合について説明したが、光子検出器1が3つ以上の場合にも同様の構成および手順で本発明を実施し、効果を得ることが可能である。
(付記1)
複数の光子検出器と、前記複数の光子検出器の暗計数確率または量子効率の一方を均一化する第1の均一化手段と、一方の均一化に影響を与えずに他方を均一化する第2の均一化手段と、を有することを特徴とする光受信装置。
(付記2)
前記第1の均一化手段が前記暗計数確率の均一化手段であり、前記第2の均一化手段が前記量子効率の均一化手段である、ことを特徴とする付記1に記載の光受信装置。
(付記3)
前記第1の均一化手段が前記量子効率の均一化手段であり、前記第2の均一化手段が前記暗計数確率の均一化手段である、ことを特徴とする付記1に記載の光受信装置。
(付記4)
前記光子検出器がアバランシェフォトダイオードである、ことを特徴とする付記1乃至付記3いずれか一項に記載の光受信装置。
(付記5)
前記光子検出器が超伝導単一光子検出器である、ことを特徴とする付記1乃至付記4いずれか一項に記載の光受信装置。
(付記6)
前記第1の均一化手段がそれぞれの前記光子検出器に印加するバイアス電圧を制御するバイアス電圧制御手段であり、前記第2の均一化手段がそれぞれの前記光子検出器に入力される信号光の強度を調整する可変光強度調整器である、ことを特徴とする付記2に記載の光受信装置。
(付記7)
前記第1の均一化手段がそれぞれの前記光子検出器に印加するバイアス電圧を制御するバイアス電圧制御手段であり、前記第2の均一化手段が雑音光を出射する雑音光源と前記雑音光をそれぞれの前記光子検出器に入力させる雑音光入力手段と前記雑音光入力手段から前記光子検出器に入力される前記雑音光の強度を調整する雑音光強度調整手段を有する、ことを特徴とする付記3に記載の光受信装置。
(付記8)
前記雑音光入力手段が前記雑音光と信号光とを合波する合波手段を有する、ことを特徴とする付記7記載の光受信装置。
(付記9)
前記雑音光強度調整手段が、前記雑音光入力手段と前記光子検出器の間に設けられた可変光強度調整器である、ことを特徴とする付記7または付記8に記載の光受信装置。
(付記10)
前記雑音光源の光をそれぞれの前記雑音光入力手段に導く分波手段を有する、ことを特徴とする付記9記載の光受信装置。
(付記11)
前記雑音光源がそれぞれの前記光子検出器に対応して設けられ、前記光強度調整手段がそれぞれの前記雑音光源の光強度を調整する雑音光源光強度調整手段である、ことを特徴とする付記7に記載の光受信装置。
(付記12)
複数の光子検出器を有する光受信装置の制御方法であって、前記光子検出器の暗計数確率を均一化し、前記暗計数確率に影響を与えずに前記光子検出器の量子効率を均一化する、ことを特徴とする光受信装置の制御方法。
(付記13)
前記暗計数確率を均一化が、前記光子検出器に印加するバイアス電圧の調整である、ことを特徴とする付記12に記載の光受信装置の制御方法。
(付記14)
前記量子効率を均一化が、前記光子検出器の入力側に設けられた可変光強度調整器の調整である、ことを特徴とする付記12または付記13の光受信装置の制御方法。
(付記15)
複数の光子検出器を有する光受信装置の制御方法であって、前記光子検出器の量子効率を均一化し、量子効率に影響を与えずに前記光子検出器の暗計数確率を均一化する、ことを特徴とする光受信装置の制御方法。
(付記16)
前記量子効率の均一化が、前記光子検出器に印加するバイアス電圧の調整である、ことを特徴とする付記15に記載の光受信装置の制御方法。
(付記17)
前記暗計数確率を均一化が、前記光子検出器に雑音光を入射し、前記雑音光の強度を調整することである、ことを特徴とする付記15または付記16に記載の光受信装置の制御方法。
(付記18)
前記雑音光の強度を調整することが、雑音光源の光強度調整である、ことを特徴とする付記17に記載の光受信装置の制御方法。
(付記19)
前記雑音光の強度を調整することが、可変光強度調整器による雑音光の光強度調整である、ことを特徴とする付記17に記載の光受信装置の制御方法。
この出願は、2013年2月27日に出願された日本出願特願2013−036506を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
1、201 光子検出器
2 第1の均一化手段
3 第2の均一化手段
4、202 バイアス電圧制御手段
5 光強度制御手段
6 光強度制御手段
7、204 信号光
8 光伝送路
9、203 検出数測定手段
10 APD
11 レベル調整器
12 バイアス電源
13 パルスカウンター
14 制御手段
15 SSPD
16 クライオスタット
17 雑音光源
18 雑音光源制御手段
19 光合波器
20 光分波器

Claims (10)

  1. 複数の光子検出器と、
    信号光を入力した際に複数の前記光子検出器の量子効率を、暗計数確率に影響を与えずに、均一化する第1の均一化手段と、
    信号光を遮断した際に複数の前記光子検出器の暗計数確率を、前記量子効率に影響を与えずに、均一化する第2の均一化手段と、
    を有することを特徴とする光受信装置。
  2. 前記第1の均一化手段が、それぞれの前記光子検出器に入力される前記信号光の強度を調整する光強度調整手段を有し、
    前記第2の均一化手段が、それぞれの前記光子検出器に印加するバイアス電圧を制御するバイアス電圧制御手段を有する、
    ことを特徴とする請求項1に記載の光受信装置。
  3. 前記光強度調整手段が可変光強度調整器を有する、
    ことを特徴とする請求項2に記載の光受信装置。
  4. 前記光強度調整手段が、
    雑音光を出力する雑音光源と、
    前記雑音光をそれぞれの前記光子検出器に入力させる雑音光入力手段と、
    前記雑音光入力手段から前記光子検出器に入力される前記雑音光の強度を調整する雑音光強度調整手段と、を有する、
    ことを特徴とする請求項2または3に記載の光受信装置。
  5. 前記雑音光強度調整手段が、
    前記雑音光源と前記光子検出器の間に設けられた可変光調整器を有する
    ことを特徴とする請求項4に記載の光受信装置。
  6. 前記雑音光源がそれぞれの前記光子検出器に対応して設けられ、
    前記雑音光強度調整手段が、
    それぞれの前記雑音光源が出力する光の強度を調整する雑音光源光強度調整手段を有する
    ことを特徴とする請求項4または5に記載の光受信装置。
  7. 前記雑音光入力手段が、
    前記雑音光と前記信号光とを合波する合波手段を有する、
    ことを特徴とする請求項4乃至6のいずれか一項に記載の光受信装置。
  8. 前記光子検出器がアバランシェフォトダイオードまたは超伝導単一光子検出器である、
    ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の光受信装置。
  9. 複数の光子検出器を有する光受信装置の制御方法であって、
    信号光を入力した際に複数の前記光子検出器の量子効率を、暗計数確率に影響を与えずに、均一化し、
    信号光を遮断した際に複数の前記光子検出器の暗計数確率を、量子効率に影響を与えずに、均一化する、
    ことを特徴とする光受信装置の制御方法。
  10. それぞれの前記光子検出器に入射する前記信号光の強度を調整して前記光子検出器の量子効率を均一化し、
    それぞれの前記光子検出器に印加するバイアス電圧を調整して前記光子検出器の暗計数確率を均一化する、
    ことを特徴とする請求項9に記載の光受信装置の制御方法。
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