JP6409358B2 - External processing apparatus and device manufacturing system - Google Patents

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Description

本発明は、極小単位のデバイスを作製するウェハに対してそれぞれ単一のプロセスを実行する複数の小型処理装置を含むデバイス製造装置に対して外付けで組み込まれる、外付け処理装置、および、デバイス製造装置と外付け処理装置とを備えたデバイス製造システムに関する。   The present invention relates to an external processing apparatus and a device which are externally incorporated into a device manufacturing apparatus including a plurality of small processing apparatuses each performing a single process on a wafer for manufacturing a micro unit device. The present invention relates to a device manufacturing system including a manufacturing apparatus and an external processing apparatus.

従来の半導体デバイスの製造ラインは、広大なクリーンルーム内に、複数の大型の処理装置を配置し、各処理装置内で12インチ(304.8mm)などの大口径のウェハを処理することにより、1枚のウェハから数千個の半導体チップを製造することが一般的である。しかしながら、従来の巨大な半導体製造システムにおいては、個々の製造装置が巨大であり、工場内で容易に移動できるものではなかった。また、設備投資額が数千億円程度に達し、巨額であるという問題や、半導体等のデバイス製造に関する研究開発の成果を実際の製造ラインで実用化することが難しいという問題等があった。   A conventional semiconductor device production line includes a plurality of large processing apparatuses arranged in a large clean room, and a large diameter wafer such as 12 inches (304.8 mm) is processed in each processing apparatus. It is common to manufacture thousands of semiconductor chips from a single wafer. However, in the conventional huge semiconductor manufacturing system, each manufacturing apparatus is huge and cannot be easily moved in the factory. In addition, there are problems such as the fact that the amount of capital investment has reached several hundred billion yen, which is huge, and that it is difficult to put the results of research and development related to device manufacturing such as semiconductors into practical production lines.

これに対して、近年、いわゆる「ミニマルファブ」とよばれる少量生産半導体製造生産システムが開発されてきている(特許文献1参照)。すなわち、「ミニマルファブ」とは、必ずしもクリーン度が制御されていない通常の処理室内に、それぞれデバイス製造プロセスの単一の処理プロセスを実行する複数の小型処理装置を配置し、各小型処理装置間でウェハを搬送しながらウェハに各種の処理プロセスを実行することにより、デバイスを製造するものである。   On the other hand, in recent years, a production system for manufacturing a small amount of semiconductor called a “minimal fab” has been developed (see Patent Document 1). In other words, “minimal fab” means that a plurality of small processing devices each executing a single processing process of a device manufacturing process are arranged in a normal processing chamber whose cleanness is not necessarily controlled. The device is manufactured by executing various processing processes on the wafer while transporting the wafer.

この場合、製造ラインを収容する大きなクリーンルームが必要ないことなどから、従来の半導体デバイスの製造ラインに比べ、製造に係るエネルギー効率を大幅に向上させることができる利点がある。また、「ミニマルファブ」においては、製造ラインを構築するための設備投資額を、従来の半導体デバイスの製造ラインと比較して大幅に抑制することができるという利点もある。   In this case, since there is no need for a large clean room for accommodating the production line, there is an advantage that the energy efficiency related to the production can be greatly improved as compared with the conventional production line for semiconductor devices. In addition, the “minimal fab” has an advantage that the amount of capital investment for constructing a production line can be significantly reduced as compared with a conventional production line for semiconductor devices.

特開2012−054414号公報JP 2012-054414 A

ところで、このような少量生産半導体製造生産システム(ミニマルファブ)におけるリソグラフィプロセスとしては、小型レーザ露光装置を用いる技術が開発されてきている。しかしながら、小型レーザ露光装置を用いた場合、1μm以下の微細パターンを形成することは困難であると考えられる。一方、従来の電子線描画装置は、1μm以下の微細パターンを形成することは可能であるが、装置を小型化すると振動に弱くなる等の問題があることから、電子線描画装置を少量生産半導体製造生産システム(ミニマルファブ)内に組み込むことは難しいと考えられる。このため、少量生産半導体製造生産システム(ミニマルファブ)において、他の小型処理装置と同様の大きさをもつ小型化された電子線描画装置は開発されていない。   By the way, as a lithography process in such a low-volume production semiconductor manufacturing production system (minimal fab), a technique using a small laser exposure apparatus has been developed. However, when a small laser exposure apparatus is used, it is considered difficult to form a fine pattern of 1 μm or less. On the other hand, the conventional electron beam lithography apparatus can form a fine pattern of 1 μm or less, but there is a problem that if the device is downsized, it becomes weak against vibration. It is considered difficult to incorporate it into a manufacturing production system (minimal fab). For this reason, a miniaturized electron beam drawing apparatus having the same size as other small processing apparatuses has not been developed in a small volume production semiconductor manufacturing production system (minimal fab).

本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、その目的は、少量生産半導体製造生産システムの基本概念を大きく変更することなく、大型の処理装置を少量生産半導体製造生産システムに組み込むことが可能な、外付け処理装置およびデバイス製造システムを提供することにある。   The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and its purpose is to change a large processing apparatus into a low-volume production semiconductor production system without greatly changing the basic concept of the low-volume production semiconductor production system. An object is to provide an external processing apparatus and a device manufacturing system that can be incorporated.

本発明の一実施の形態による外付け処理装置は、極小単位のデバイスを作製するウェハに対してそれぞれ単一のプロセスを実行する複数の小型処理装置を含むデバイス製造装置に対して外付けで組み込まれる、外付け処理装置であって、内部のクリーン度が制御された処理室と、前記処理室内に配置され、前記ウェハに対して前記極小単位のデバイスを作製する複数のプロセスのうちの一のプロセスを実行する大型処理装置と、前記処理室に前記ウェハを搬送する際に開閉する開閉部を有する受渡しユニットとを備え、前記大型処理装置と前記受渡しユニットとの間で、自動でウェハの受け渡しが行われることを特徴とするものである。   An external processing apparatus according to an embodiment of the present invention is externally incorporated into a device manufacturing apparatus including a plurality of small processing apparatuses each performing a single process on a wafer for manufacturing a device in a very small unit. An external processing apparatus, the processing chamber having an internal cleanness controlled, and one of a plurality of processes that are disposed in the processing chamber and that manufactures the ultra-small device for the wafer A large-scale processing apparatus for performing a process, and a delivery unit having an opening / closing portion that opens and closes when the wafer is transferred to the processing chamber, and automatically transfers a wafer between the large-scale processing apparatus and the delivery unit. Is performed.

本発明の一実施の形態による外付け処理装置において、前記大型処理装置は、電子線描画装置であってもよい。   In the external processing apparatus according to an embodiment of the present invention, the large processing apparatus may be an electron beam drawing apparatus.

本発明の一実施の形態による外付け処理装置において、前記外付け処理装置は、移動可能であってもよい。   In the external processing device according to an embodiment of the present invention, the external processing device may be movable.

本発明の一実施の形態による外付け処理装置において、前記処理室は、長さが6.0m〜6.1m、高さが2.5m〜2.6m、幅が2.4m〜2.5mであってもよい。   In the external processing apparatus according to an embodiment of the present invention, the processing chamber has a length of 6.0 m to 6.1 m, a height of 2.5 m to 2.6 m, and a width of 2.4 m to 2.5 m. It may be.

本発明の一実施の形態による外付け処理装置において、前記ウェハは円形であり、前記ウェハの直径は、0.5インチ(12.7mm)であってもよい。   In the external processing apparatus according to an embodiment of the present invention, the wafer may be circular, and the diameter of the wafer may be 0.5 inches (12.7 mm).

本発明の一実施の形態による外付け処理装置において、前記デバイス製造装置の各小型処理装置と前記外付け処理装置との間で前記ウェハを搬送する搬送ラインが設けられ、前記受渡しユニットは、前記搬送ラインから搬送されてきた前記ウェハを受け取ってもよい。   In the external processing apparatus according to an embodiment of the present invention, a transport line for transporting the wafer is provided between each small processing apparatus of the device manufacturing apparatus and the external processing apparatus, and the delivery unit includes You may receive the said wafer conveyed from the conveyance line.

本発明の一実施の形態によるデバイス製造システムは、極小単位のデバイスを作製するウェハに対してそれぞれ単一のプロセスを実行する複数の小型処理装置を含むデバイス製造装置と、前記デバイス製造装置に対して外付けで組み込まれた、前記外付け処理装置とを備えたことを特徴とするものである。   A device manufacturing system according to an embodiment of the present invention includes a device manufacturing apparatus including a plurality of small processing apparatuses that respectively execute a single process on a wafer for manufacturing a device of an extremely small unit, and the device manufacturing apparatus. And the external processing device incorporated externally.

本発明の一実施の形態によるデバイス製造システムにおいて、前記大型処理装置は電子線描画装置であり、前記複数の小型処理装置の少なくとも1つは露光装置であり、前記デバイス製造装置の各小型処理装置と前記外付け処理装置との間で前記ウェハを搬送する搬送ラインが設けられ、前記搬送ラインは、前処理工程が施された前記ウェハを、前記電子線描画装置又は前記露光装置へ切換自在に搬送してもよい。   In the device manufacturing system according to an embodiment of the present invention, the large processing apparatus is an electron beam drawing apparatus, at least one of the plurality of small processing apparatuses is an exposure apparatus, and each of the small processing apparatuses of the device manufacturing apparatus. A transfer line for transferring the wafer is provided between the wafer and the external processing apparatus, and the transfer line is capable of switching the wafer that has been subjected to the preprocessing step to the electron beam drawing apparatus or the exposure apparatus. It may be conveyed.

本発明によれば、少量生産半導体製造生産システムの基本概念を大きく変更することなく、大型処理装置を少量生産半導体製造生産システムに組み込むことができる。 According to the present invention, it is possible to incorporate a large processing apparatus into a low-volume production semiconductor production system without greatly changing the basic concept of the low-volume production semiconductor production system.

図1は、本発明の一実施形態に係る外付け処理装置と、該外付け処理装置が組み込まれるデバイス製造装置とを示す概略平面図である。FIG. 1 is a schematic plan view showing an external processing apparatus according to an embodiment of the present invention and a device manufacturing apparatus in which the external processing apparatus is incorporated. 図2は、小型処理装置を示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing a small processing apparatus. 図3は、本発明の一実施形態に係る外付け処理装置を示す概略断面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing an external processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 図4は、変形例による外付け処理装置とデバイス製造装置とを示す概略平面図である。FIG. 4 is a schematic plan view showing an external processing apparatus and a device manufacturing apparatus according to a modification.

以下、図面を参照しながら本発明の各実施形態について説明する。図面は例示であり、説明のために特徴部を誇張することがあり、実物とは異なる場合がある。また、技術思想を逸脱しない範囲において適宜変更して実施することが可能である。なお、以下の各図において、同一部分には同一の符号を付しており、一部詳細な説明を省略する場合がある。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. Drawing is an illustration and may exaggerate a characteristic part for explanation, and may differ from an actual thing. In addition, the present invention can be implemented with appropriate modifications without departing from the technical idea. Note that, in the following drawings, the same portions are denoted by the same reference numerals, and some detailed description may be omitted.

まず、本発明の一実施形態に係る外付け処理装置が組み込まれる、デバイス製造装置の構成について説明する。図1は、本実施形態に係る外付け処理装置と、外付け処理装置が組み込まれるデバイス製造装置とを示す概略平面図である。   First, a configuration of a device manufacturing apparatus in which an external processing apparatus according to an embodiment of the present invention is incorporated will be described. FIG. 1 is a schematic plan view showing an external processing apparatus according to the present embodiment and a device manufacturing apparatus in which the external processing apparatus is incorporated.

図1に示すデバイス製造装置10は、いわゆる「ミニマルファブ」とよばれる少量生産半導体製造生産システムであり、建屋11と、建屋11内に配置された複数の小型処理装置20とを含んでいる。建屋11の外部には、本実施形態に係る外付け処理装置30が配置されている。なお、デバイス製造装置10と、外付け処理装置30とにより、本実施形態に係るデバイス製造システム60が構成されている。   A device manufacturing apparatus 10 shown in FIG. 1 is a so-called “minimal fab”, a small-scale production semiconductor manufacturing production system, and includes a building 11 and a plurality of small processing devices 20 arranged in the building 11. An external processing device 30 according to the present embodiment is arranged outside the building 11. The device manufacturing apparatus 10 and the external processing apparatus 30 constitute a device manufacturing system 60 according to this embodiment.

建屋11は、クリーン度が制御されていない例えば通常の工場の建屋であっても良い。この建屋11には、小型処理装置20と外付け処理装置30との間でウェハWを移動させる扉12が設けられている。   The building 11 may be, for example, a normal factory building whose cleanness is not controlled. The building 11 is provided with a door 12 for moving the wafer W between the small processing apparatus 20 and the external processing apparatus 30.

各小型処理装置20は、極小単位の半導体デバイスを作製するウェハWに対してそれぞれ単一のプロセスを実行するものであり、例えばコータ(塗工機)、露光機、エッチャー(エッチング装置)、ディベロッパ(現像機)、洗浄機、CVD炉、スパッタリング装置等を含む。   Each of the small processing apparatuses 20 executes a single process on the wafer W on which a semiconductor device of an extremely small unit is manufactured. For example, a coater (coating machine), an exposure machine, an etcher (etching apparatus), a developer, and the like. (Developer), cleaning machine, CVD furnace, sputtering apparatus and the like.

この小型処理装置20は、後述するように、極小単位の半導体デバイス、本実施形態としては典型的には、円形の0.5インチ(12.7mm)サイズのウェハWから1個あるいは少数個の半導体デバイスを作製するウェハサイズを処理対象とし、それを1枚ずつ処理するものである。このような直径0.5インチのウェハからは、1cmの半導体デバイスを1個作製することができる。つまり、本実施形態によるデバイス製造装置10は、極小単位の半導体デバイスを作製するウェハサイズのウェハを用い、そのウェハを1枚ずつ枚葉処理する処理方式を採用している。なお、本明細書において「ウェハ」は、外形が円形に限るものではなく、任意の外形形状のものを含む。 As will be described later, the small processing apparatus 20 includes one or a small number of semiconductor devices of a very small unit, typically, a circular 0.5 inch (12.7 mm) size wafer W. A wafer size for manufacturing a semiconductor device is set as a processing target and is processed one by one. From such a 0.5 inch diameter wafer, one 1 cm 2 semiconductor device can be fabricated. That is, the device manufacturing apparatus 10 according to the present embodiment employs a processing method in which wafers of a wafer size for manufacturing a semiconductor device in a minimum unit are used, and the wafers are processed one by one. In the present specification, the “wafer” is not limited to a circular outer shape, but includes a wafer having an arbitrary outer shape.

この場合、ウェハWは、1枚ずつ密閉搬送容器13に収容され、この状態で各小型処理装置20間を順次搬送される。ウェハWは、小型処理装置20で密閉搬送容器13から取り出され、小型処理装置20内で半導体デバイスを作製するための各種処理が行われる。その後、ウェハWは、当該小型処理装置20で密閉搬送容器13に収容され、小型処理装置20から搬出される。   In this case, the wafers W are stored one by one in the hermetic transfer container 13 and are sequentially transferred between the small processing apparatuses 20 in this state. The wafer W is taken out from the hermetic transfer container 13 by the small processing apparatus 20, and various processes for manufacturing semiconductor devices are performed in the small processing apparatus 20. Thereafter, the wafer W is accommodated in the hermetic transfer container 13 by the small processing apparatus 20 and unloaded from the small processing apparatus 20.

各小型処理装置20は、幅約294mm×奥行き約450mm×高さ約1440mmの外形寸法に規格統一された略直方体とされ、その重量はそれぞれの小型処理装置20によって異なるが、標準的には約60キログラムとされている。このうち、プロセス処理本体部21は、縦横が約30cm、高さが約70cmに規格統一された略直方体のデスクトップサイズとされ、その重量は標準的には約30キログラムとされている。なお、本明細書において、「小型処理装置」とは、上記規格統一された外形寸法をもつ処理装置をいう。また、「大型処理装置」とは、「小型処理装置」よりも外形寸法が大きい処理装置をいい、例えば従来の形状をもつ処理装置も含まれる。   Each small processing apparatus 20 is a substantially rectangular parallelepiped standardized to an external dimension of width about 294 mm × depth about 450 mm × height about 1440 mm, and its weight varies depending on each small processing apparatus 20, but is typically about 60 kilograms. Of these, the process processing main body 21 has a substantially rectangular parallelepiped desktop size standardized to be about 30 cm in length and width and about 70 cm in height, and its weight is typically about 30 kilograms. In the present specification, the “small processing apparatus” refers to a processing apparatus having the above-mentioned standardized outer dimensions. The “large processing apparatus” refers to a processing apparatus having a larger outer dimension than the “small processing apparatus”, and includes, for example, a processing apparatus having a conventional shape.

図2に示すように、各小型処理装置20は、単一の処理プロセスを行うための処理空間を有するプロセス処理本体部21と、プロセス処理本体部21に対する原料供給系や排気系、制御装置等を内蔵する装置下部22と、プロセス処理本体部21と装置下部22とを分離可能に接続する上下連結スペーサ23とを有している。   As shown in FIG. 2, each small processing apparatus 20 includes a process processing main body 21 having a processing space for performing a single processing process, a raw material supply system, an exhaust system, a control device, and the like for the process processing main body 21. And an upper and lower connecting spacer 23 that connects the process main body 21 and the apparatus lower part 22 in a separable manner.

このうちプロセス処理本体部21は、外気と遮断することができる密閉型となっており、装置下部22に内包した、或いは小型処理装置20の外部に設けた局所クリーン化装置によって、内部のクリーン化が行えるようになっている。   Among these, the process main body 21 is a sealed type that can be shut off from the outside air, and is cleaned inside by a local cleaning device included in the lower part 22 of the apparatus or provided outside the small processing apparatus 20. Can be done.

また、各小型処理装置20の一面には、1枚のウェハWを各小型処理装置20と密閉搬送容器13との間で受け渡すためのウェハ入出前室24が連結されている。ウェハ入出前室24は、規格化された外形を有しているとともに同一の構成を有しており、どの小型処理装置20に対しても所定位置に配置され、同様に機能するように構成されている。ウェハ入出前室24は、従来の半導体製造装置における処理チャンバーに設けられるロードロック室及びアンロードロック室と同様な機能を有するものであり、密閉搬送容器13との接続のためのドッキングポート25がその上部に設けられている。   In addition, a wafer entrance / exit chamber 24 for transferring one wafer W between each small processing apparatus 20 and the hermetic transfer container 13 is connected to one surface of each small processing apparatus 20. The wafer entrance / exit chamber 24 has a standardized outer shape and the same configuration, and is arranged at a predetermined position with respect to any small processing apparatus 20 and configured to function in the same manner. ing. The wafer entrance / exit chamber 24 has a function similar to that of a load lock chamber and an unload lock chamber provided in a processing chamber in a conventional semiconductor manufacturing apparatus, and a docking port 25 for connection to the hermetic transfer container 13 is provided. It is provided at the top.

また、各小型処理装置20間には、ウェハWを収納する密閉搬送容器13を搬送するための搬送ライン14が設けられている。この搬送ライン14には、ベルト式やメカニカル式などの半導体製造装置に通常用いられる機構を用いることができる。該搬送ライン14は、小型処理装置20のウェハ入出前室24の間で、密閉搬送容器13を搬送するように構成されている。   Further, a transfer line 14 for transferring the hermetic transfer container 13 for storing the wafer W is provided between the small processing apparatuses 20. The transport line 14 may be a mechanism that is normally used in a semiconductor manufacturing apparatus such as a belt type or a mechanical type. The transfer line 14 is configured to transfer the sealed transfer container 13 between the wafer entrance / exit chambers 24 of the small processing apparatus 20.

次に、図3を参照して、本実施形態に係る外付け処理装置30の概要について説明する。   Next, an outline of the external processing device 30 according to the present embodiment will be described with reference to FIG.

図3に示すように、外付け処理装置30は、クリーンルームからなる処理室31と、処理室31内に配置された大型処理装置40と、処理室31の側面に設けられた受渡しユニット32とを備えている。外付け処理装置30は、処理室31ごと移動可能な構成を有しており、例えばフォークリフト等の搬送手段によって適宜移動することができる。   As shown in FIG. 3, the external processing device 30 includes a processing chamber 31 composed of a clean room, a large processing device 40 disposed in the processing chamber 31, and a delivery unit 32 provided on the side surface of the processing chamber 31. I have. The external processing apparatus 30 has a configuration capable of moving together with the processing chamber 31 and can be appropriately moved by a conveying means such as a forklift.

処理室31には、例えば空気中の塵埃を除去する給排気システム33が設けられており、これにより処理室31内部のクリーン度を制御し、クリーン度を高めるようになっている。また処理室31には、図示しない環境制御装置により、処理室31内の温度、湿度、気流、振動、交流磁場等の環境を制御可能となっている。前記環境制御装置は処理室内部に組み込まれているか、あるいは温度及び湿度等については外部から制御された空気を導入する方式でも良い。   The processing chamber 31 is provided with, for example, an air supply / exhaust system 33 for removing dust in the air, thereby controlling the cleanness inside the processing chamber 31 and increasing the cleanness. In addition, the processing chamber 31 can control the environment such as temperature, humidity, airflow, vibration, AC magnetic field and the like in the processing chamber 31 by an environment control device (not shown). The environmental control device may be incorporated in the processing chamber, or may be a system that introduces air controlled from the outside with respect to temperature, humidity, and the like.

処理室31は、一般的なコンテナサイズをもつ直方体形状を有しており、その大きさ(外形)は、例えば長さが6.0m〜6.1m、高さが2.5m〜2.6m、幅が2.4m〜2.5mである。これにより、フォークリフトやコンテナ用トラックなど一般的なコンテナ輸送手段を用いて、外付け処理装置30を容易に搬送することできる。また、外付け処理装置30が自走式である場合、これにより、容易に移動可能となる。なお、本明細書中、処理室31の長さとは、処理室31を構成する直方体の一辺のうち鉛直軸(Z軸)に直交する軸(X軸)に沿った長さをいい、処理室31の高さとは、処理室31を構成する直方体の一辺のうち鉛直軸(Z軸)に沿った長さをいい、処理室31の幅とは、処理室31を構成する直方体の一辺のうち鉛直軸(Z軸)および上記長さ方向の軸(X軸)に直交する軸(Y軸)に沿った長さをいう。   The processing chamber 31 has a rectangular parallelepiped shape having a general container size, and the size (outer shape) is, for example, 6.0 m to 6.1 m in length and 2.5 m to 2.6 m in height. The width is 2.4 m to 2.5 m. Thus, the external processing device 30 can be easily transported using a general container transportation means such as a forklift or a container truck. Moreover, when the external processing apparatus 30 is a self-propelled type, this becomes easy to move. In the present specification, the length of the processing chamber 31 refers to the length along the axis (X axis) orthogonal to the vertical axis (Z axis) of one side of the rectangular parallelepiped constituting the processing chamber 31. The height of 31 refers to the length along the vertical axis (Z axis) of one side of the rectangular parallelepiped constituting the processing chamber 31, and the width of the processing chamber 31 refers to the one side of the rectangular parallelepiped constituting the processing chamber 31. The length along the axis (Y axis) perpendicular to the vertical axis (Z axis) and the longitudinal axis (X axis) is said.

受渡しユニット32は、処理室31にウェハWを搬送する際に開閉する開閉窓(開閉部)34を有している。この開閉窓34により、処理室31に対して密閉搬送容器13を搬入搬出することができる。なお、受渡しユニット32は、上述した小型処理装置20のウェハ入出前室24と同一の構成を有しており、開閉窓34は、小型処理装置20のドッキングポート25と同一の構成を有している。この場合、受渡しユニット32が、規格化されたウェハ入出前室24と同一の構成を有するので、外付け処理装置30を、様々なデバイス製造装置10に対して外付けで組み込むことが容易となる。   The delivery unit 32 has an opening / closing window (opening / closing part) 34 that opens and closes when the wafer W is transferred to the processing chamber 31. With this open / close window 34, the sealed transfer container 13 can be carried into and out of the processing chamber 31. The delivery unit 32 has the same configuration as the wafer entrance / exit chamber 24 of the small processing apparatus 20 described above, and the open / close window 34 has the same configuration as the docking port 25 of the small processing apparatus 20. Yes. In this case, since the delivery unit 32 has the same configuration as the standardized wafer entrance / exit chamber 24, the external processing apparatus 30 can be easily incorporated externally into various device manufacturing apparatuses 10. .

受渡しユニット32は、上述したデバイス製造装置10の搬送ライン14に接続されている。この場合、受渡しユニット32は、搬送ライン14から搬送されてきた密閉搬送容器13に収容されたウェハWを受け取るようになっている。また、受渡しユニット32は、大型処理装置40との間で、自動でウェハWの受渡しを行うように構成されている。   The delivery unit 32 is connected to the transfer line 14 of the device manufacturing apparatus 10 described above. In this case, the delivery unit 32 is configured to receive the wafer W accommodated in the sealed transfer container 13 transferred from the transfer line 14. Further, the delivery unit 32 is configured to automatically deliver the wafer W to and from the large processing apparatus 40.

すなわち、受渡しユニット32は、開放された開閉窓34から密閉搬送容器13を搬入した後、開閉窓34を閉鎖する。その後、内部のクリーン度を高めた状態で密閉搬送容器13からウェハWを取り出して、ウェハWを大型処理装置40に対して受け渡す。一方、大型処理装置40でウェハWに対して処理を行った後、受渡しユニット32は、ウェハWを大型処理装置40から受け取り、密閉搬送容器13に収容する。その後、開閉窓34を開放して、密閉搬送容器13に収容されたウェハWを搬送ライン14に対して受け渡す。   That is, the delivery unit 32 closes the opening / closing window 34 after carrying the sealed transport container 13 through the opened opening / closing window 34. Thereafter, the wafer W is taken out from the hermetic transfer container 13 in a state where the degree of cleanliness inside is increased, and the wafer W is delivered to the large processing apparatus 40. On the other hand, after processing the wafer W by the large processing apparatus 40, the delivery unit 32 receives the wafer W from the large processing apparatus 40 and stores it in the hermetic transfer container 13. Thereafter, the opening / closing window 34 is opened, and the wafer W accommodated in the sealed transfer container 13 is transferred to the transfer line 14.

また、大型処理装置40は、ウェハWに対して極小単位のデバイスを作製する複数のプロセスのうちの一のプロセスを実行するものであり、例えば電子線描画装置からなっている。   Further, the large processing apparatus 40 executes one of a plurality of processes for manufacturing a device in a minimum unit for the wafer W, and includes, for example, an electron beam drawing apparatus.

図3に示すように、大型処理装置(電子線描画装置)40は、例えばコータからなる小型処理装置20によって電子線レジストが塗布されたウェハWに対して電子線を照射することにより、電子線レジストに対して所定のパターン形状を描画するものである。   As shown in FIG. 3, a large processing apparatus (electron beam drawing apparatus) 40 irradiates an electron beam onto a wafer W coated with an electron beam resist by a small processing apparatus 20 made of a coater, for example. A predetermined pattern shape is drawn on the resist.

この大型処理装置40は、たとえば、陰極41、ウェーネルト42及び陽極43から構成される電子銃44と、アライメントコイル45と、第1アパーチャ46と、縮小レンズ系47と、第2アパーチャ48と、対物レンズ49とを有している。また、電子銃44、アライメントコイル45、第1アパーチャ46、縮小レンズ系47、第2アパーチャ48および対物レンズ49は、筐体50によって取り囲まれている。また、ウェハWは、電子線が照射される際、ステージ51上に載置されており、ステージ51によって水平移動可能となっている。なお、電子線描画装置の基本構成は従来公知のものと略同様であり、ここでは詳細な説明を省略する。   The large processing apparatus 40 includes, for example, an electron gun 44 including a cathode 41, a Wehnelt 42, and an anode 43, an alignment coil 45, a first aperture 46, a reduction lens system 47, a second aperture 48, an objective, and the like. And a lens 49. The electron gun 44, the alignment coil 45, the first aperture 46, the reduction lens system 47, the second aperture 48, and the objective lens 49 are surrounded by the housing 50. The wafer W is placed on the stage 51 when the electron beam is irradiated, and can be moved horizontally by the stage 51. The basic configuration of the electron beam drawing apparatus is substantially the same as that conventionally known, and detailed description thereof is omitted here.

次に、このような構成からなる本実施の形態の作用について述べる。   Next, the operation of the present embodiment having such a configuration will be described.

まず、デバイス製造装置10の小型処理装置20のうち、例えばスピンコータ等のコータからなる小型処理装置20において、ウェハWの表面全域に電子線レジストが塗布される。電子線レジスト塗布処理が完了した後、ウェハWは、密閉搬送容器13に収容された状態で、小型処理装置20(コータ)のウェハ入出前室24から取り出される。   First, in the small processing apparatus 20 of the device manufacturing apparatus 10, an electron beam resist is applied to the entire surface of the wafer W in the small processing apparatus 20 made of a coater such as a spin coater. After the electron beam resist coating process is completed, the wafer W is taken out from the wafer entrance / exit chamber 24 of the small processing apparatus 20 (coater) while being accommodated in the hermetic transfer container 13.

次に、ウェハWは、搬送ライン14を介してプリベーク装置からなる小型処理装置20に搬送される。続いて、ウェハWは、小型処理装置20(プリベーク装置)のウェハ入出前室24内で密閉搬送容器13から取り出され、プリベーク処理が施される。具体的には、ウェハWに塗布された電子線レジストのうち、溶剤が除去される。プリベーク処理が完了した後、ウェハWは、密閉搬送容器13に収容された状態で、小型処理装置20(プリベーク装置)のウェハ入出前室24から取り出される。   Next, the wafer W is transferred to the small processing apparatus 20 including a pre-baking apparatus via the transfer line 14. Subsequently, the wafer W is taken out from the hermetic transfer container 13 in the wafer entrance / exit chamber 24 of the small processing apparatus 20 (pre-baking apparatus) and subjected to pre-baking processing. Specifically, the solvent is removed from the electron beam resist applied to the wafer W. After the pre-baking process is completed, the wafer W is taken out from the wafer entrance / exit chamber 24 of the small processing apparatus 20 (pre-baking apparatus) while being accommodated in the hermetic transfer container 13.

続いて、ウェハWは、搬送ライン14によってデバイス製造装置10の建屋11から搬出され、外付け処理装置30に向けて搬送される。外付け処理装置30に到達した後、ウェハWは、搬送ライン14から外付け処理装置30の受渡しユニット32に受け渡される。受渡しユニット32は、開放された開閉窓34から密閉搬送容器13を搬入した後、開閉窓34を閉鎖する。その後、受渡しユニット32は、内部のクリーン度を高めるとともに、密閉搬送容器13からウェハWを取り出し、取り出したウェハWを電子線描画装置からなる大型処理装置40に自動的に受け渡す。   Subsequently, the wafer W is unloaded from the building 11 of the device manufacturing apparatus 10 by the transfer line 14 and transferred toward the external processing apparatus 30. After reaching the external processing apparatus 30, the wafer W is transferred from the transfer line 14 to the delivery unit 32 of the external processing apparatus 30. The delivery unit 32 closes the opening / closing window 34 after carrying the sealed transport container 13 through the opened opening / closing window 34. Thereafter, the delivery unit 32 increases the cleanliness of the interior, takes out the wafer W from the hermetic transfer container 13, and automatically delivers the taken-out wafer W to the large-scale processing apparatus 40 including an electron beam drawing apparatus.

この大型処理装置40(電子線描画装置)において、ウェハWには電子線が照射され、ウェハW上の電子線レジストに対して所定のパターン形状が描画される。この場合、大型処理装置40(電子線描画装置)の電子銃44から電子ビームが放出され、この電子ビームは、アライメントコイル45によりビーム中心が光軸に調節され、第1アパーチャ46で周辺のボケ部分がカットされ、縮小レンズ系47を経てビーム径が縮小され、第2アパーチャ48によりビーム成形され、対物レンズ49によりウェハW上に集束されて描画が施される。   In the large processing apparatus 40 (electron beam drawing apparatus), the wafer W is irradiated with an electron beam, and a predetermined pattern shape is drawn on the electron beam resist on the wafer W. In this case, an electron beam is emitted from the electron gun 44 of the large processing apparatus 40 (electron beam drawing apparatus), and the center of the electron beam is adjusted to the optical axis by the alignment coil 45, and the first aperture 46 blurs the surrounding blur. The portion is cut, the beam diameter is reduced through the reduction lens system 47, the beam is shaped by the second aperture 48, focused on the wafer W by the objective lens 49, and drawing is performed.

このようにして電子線描画処理が完了した後、ウェハWは、大型処理装置40(電子線描画装置)から受渡しユニット32に自動的に受け渡される。受渡しユニット32は、内部のクリーン度を高めた状態で、ウェハWを密閉搬送容器13に収容し、その後、開閉窓34を開放して、密閉搬送容器13を搬送ライン14に受け渡す。   After the electron beam drawing process is completed in this way, the wafer W is automatically delivered from the large processing apparatus 40 (electron beam drawing apparatus) to the delivery unit 32. The delivery unit 32 accommodates the wafer W in the sealed transfer container 13 with the internal cleanliness enhanced, and then opens the opening / closing window 34 to deliver the sealed transfer container 13 to the transfer line 14.

次に、ウェハWは、搬送ライン14によって外付け処理装置30からデバイス製造装置10の建屋11内に再度搬入され、現像装置からなる小型処理装置20に送られる。続いて、ウェハWは、小型処理装置20(現像装置)のウェハ入出前室24内で密閉搬送容器13から取り出され、現像処理が施される。具体的には、ウェハWに塗布された電子線レジストのうち、未感光部が現像液によって除去される。現像処理が完了した後、ウェハWは、密閉搬送容器13に収容された状態で、小型処理装置20(現像装置)のウェハ入出前室24から取り出される。   Next, the wafer W is again carried into the building 11 of the device manufacturing apparatus 10 from the external processing apparatus 30 by the transfer line 14 and is sent to the small processing apparatus 20 including a developing device. Subsequently, the wafer W is taken out from the hermetic transfer container 13 in the chamber 24 before entering / exiting the wafer in the small processing apparatus 20 (developing apparatus) and subjected to development processing. Specifically, the unexposed portion of the electron beam resist applied to the wafer W is removed by the developer. After the development processing is completed, the wafer W is taken out from the wafer entrance / exit chamber 24 of the small processing apparatus 20 (developing apparatus) while being accommodated in the hermetic transfer container 13.

その後、エッチャー等の小型処理装置20を順次経ることにより、ウェハWに対して各種プロセス処理が施され、これにより極小単位のデバイスが作製される。   Thereafter, various processes are performed on the wafer W by sequentially passing through a small processing apparatus 20 such as an etcher, thereby producing a device in a minimum unit.

このように本実施の形態によれば、外付け処理装置30は、極小単位のデバイスを作製するウェハWに対してそれぞれ単一のプロセスを実行する複数の小型処理装置20によって構成されたデバイス製造装置10に対して外付けで組み込まれるようになっている。また、デバイス製造装置10は、ウェハWに対して極小単位のデバイスを作製する複数のプロセスのうちの一のプロセスを実行する大型処理装置40を有している。これにより、少量生産半導体製造生産システム(ミニマルファブ)の基本概念を大きく変更することなく、大型処理装置40を少量生産半導体製造生産システムに組み込むことができる。   As described above, according to the present embodiment, the external processing apparatus 30 is a device manufacturing device configured by a plurality of small processing apparatuses 20 each performing a single process on a wafer W for manufacturing a device of a minimum unit. Incorporated externally to the device 10. In addition, the device manufacturing apparatus 10 includes a large processing apparatus 40 that executes one of a plurality of processes for manufacturing a device in an extremely small unit with respect to the wafer W. Thereby, the large-sized processing apparatus 40 can be incorporated in a low-volume production semiconductor manufacturing production system without significantly changing the basic concept of the low-volume production semiconductor production production system (minimal fab).

また本実施の形態によれば、大型処理装置40は、電子線描画装置であるので、ウェハWに対して1μm以下、とりわけ100nm以下の微細パターンを高解像かつ高精度で形成することが可能となる。とりわけ、振動に弱くなる等の問題があるため小型化が難しいと考えられている電子線描画装置を、少量生産半導体製造生産システム(ミニマルファブ)に連係させることができる。   Further, according to the present embodiment, since the large processing apparatus 40 is an electron beam drawing apparatus, it is possible to form a fine pattern of 1 μm or less, particularly 100 nm or less on the wafer W with high resolution and high accuracy. It becomes. In particular, it is possible to link an electron beam lithography apparatus, which is considered difficult to downsize due to problems such as weakness to vibration, to a small-volume production semiconductor manufacturing production system (minimal fab).

また本実施の形態によれば、外付け処理装置30は移動自在であるので、デバイス製造装置10のレイアウトを変更したり、デバイス製造装置10を移動したりする際の運搬や位置決め作業等を容易に行うことができる。また、外付け処理装置30は、一般的なコンテナサイズを有しているので、フォークリフトやコンテナ用トラックなど一般的な輸送手段を用いて輸送することができる。   Further, according to the present embodiment, since the external processing apparatus 30 is movable, it is easy to carry and position the work when changing the layout of the device manufacturing apparatus 10 or moving the device manufacturing apparatus 10. Can be done. Further, since the external processing device 30 has a general container size, it can be transported using a general transportation means such as a forklift or a container truck.

また本実施の形態によれば、外付け処理装置30は移動自在であるので、同一の外付け処理装置30を、複数のデバイス製造ラインで必要な場合のみ使用することも可能となる。   In addition, according to the present embodiment, since the external processing apparatus 30 is movable, the same external processing apparatus 30 can be used only when necessary in a plurality of device manufacturing lines.

また本実施の形態によれば、デバイス製造装置10は、各小型処理装置20間でウェハWを搬送する搬送ライン14を有し、外付け処理装置30の受渡しユニット32は、搬送ラインから搬送されてきたウェハWを受け取る。これにより、外付け処理装置30および各小型処理装置20間で、ウェハWを自動で搬送することができ、作業の省力化を図ることができる。   Further, according to the present embodiment, the device manufacturing apparatus 10 has the transfer line 14 for transferring the wafer W between the small processing apparatuses 20, and the delivery unit 32 of the external processing apparatus 30 is transferred from the transfer line. Received wafer W. Thereby, the wafer W can be automatically transferred between the external processing apparatus 30 and each small processing apparatus 20, and labor saving can be achieved.

なお、これに限らず、処理の枚数が少ない場合等、外付け処理装置30と各小型処理装置20と間で、作業者が手作業で密閉搬送容器13を搬送しても良い。この場合、様々な処理プロセスに対して柔軟に対応することができる。   However, the present invention is not limited to this, and when the number of processes is small, an operator may manually transfer the hermetic transfer container 13 between the external processing apparatus 30 and each small processing apparatus 20. In this case, it is possible to flexibly cope with various processing processes.

上記実施形態では、外付け処理装置30の大型処理装置40(電子線描画装置)を用いてウェハW上のレジストを感光させる場合を例にとって説明した。しかしながら、これに限らず、小型処理装置20の少なくとも1つが、小型レーザ露光装置等からなる露光装置であり、この露光装置と上記大型処理装置40(電子線描画装置)とが、選択的にウェハW上のレジストを感光させるようになっていても良い。   In the above-described embodiment, the case where the resist on the wafer W is exposed using the large processing apparatus 40 (electron beam drawing apparatus) of the external processing apparatus 30 has been described as an example. However, the present invention is not limited to this, and at least one of the small processing apparatuses 20 is an exposure apparatus including a small laser exposure apparatus or the like, and the exposure apparatus and the large processing apparatus 40 (electron beam drawing apparatus) are selectively used as a wafer. The resist on W may be exposed.

この場合、図4に示すように、デバイス製造装置10の建屋11内に、小型処理装置20A(コータ)、小型処理装置20B(プリベーク装置)、小型処理装置20C(露光装置)、小型処理装置20D(現像装置)、小型処理装置20E(エッチャー)が配置されている。また、建屋11の外部に、大型処理装置(電子線描画装置)40を有する外付け処理装置30が配置されている。搬送ライン14は、小型処理装置20(コータ)および小型処理装置20B(プリベーク装置)によって前処理工程が施されたウェハWを、外付け処理装置30又は小型処理装置20C(露光装置)へ切換自在に搬送するようになっている。これにより、例えば単品のデバイスを生産する場合や微細なパターンを形成する場合には大型処理装置(電子線描画装置)40を用い、微細なパターンを含まない多数のデバイスを生産する場合には小型処理装置20C(露光装置)を用いるなど、デバイスに応じて柔軟に処理方法を切り換ることが可能となる。なお、図4において、図1乃至図3に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付してある。   In this case, as shown in FIG. 4, in the building 11 of the device manufacturing apparatus 10, a small processing apparatus 20A (coater), a small processing apparatus 20B (pre-baking apparatus), a small processing apparatus 20C (exposure apparatus), and a small processing apparatus 20D. (Developing device) and a small processing device 20E (Etcher) are arranged. An external processing device 30 having a large processing device (electron beam drawing device) 40 is disposed outside the building 11. In the transfer line 14, the wafer W that has been subjected to the pretreatment process by the small processing apparatus 20 (coater) and the small processing apparatus 20B (pre-baking apparatus) can be switched to the external processing apparatus 30 or the small processing apparatus 20C (exposure apparatus). It is designed to be transported. Thus, for example, when a single device is produced or when a fine pattern is formed, a large processing apparatus (electron beam drawing apparatus) 40 is used, and when a large number of devices that do not include a fine pattern are produced, a small size is used. The processing method can be flexibly switched according to the device, such as using the processing apparatus 20C (exposure apparatus). In FIG. 4, the same parts as those in the embodiment shown in FIGS. 1 to 3 are denoted by the same reference numerals.

また、上記実施の形態では、大型処理装置40が電子線描画装置である場合を例にとって説明したが、これに限らず、大型処理装置40は、例えばCVD装置、イオン注入装置等であっても良い。   In the above embodiment, the case where the large processing apparatus 40 is an electron beam drawing apparatus has been described as an example. However, the present invention is not limited thereto, and the large processing apparatus 40 may be, for example, a CVD apparatus or an ion implantation apparatus. good.

上記実施の形態および変形例に開示されている複数の構成要素を必要に応じて適宜組合せることも可能である。あるいは、上記実施の形態および変形例に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。   It is also possible to appropriately combine a plurality of constituent elements disclosed in the embodiment and the modification examples as necessary. Or you may delete a some component from all the components shown by the said embodiment and modification.

10 デバイス製造装置
13 密閉搬送容器
14 搬送ライン
20 小型処理装置
21 プロセス処理本体部
22 装置下部
23 上下連結スペーサ
24 ウェハ入出前室
30 外付け処理装置
31 処理室
32 受渡しユニット
33 給排気システム
34 開閉窓(開閉部)
40 大型処理装置
60 デバイス製造システム
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Device manufacturing apparatus 13 Sealed conveyance container 14 Conveyance line 20 Small processing apparatus 21 Process processing main-body part 22 Apparatus lower part 23 Vertical connection spacer 24 Wafer entrance / exit room 30 External processing apparatus 31 Processing chamber 32 Delivery unit 33 Supply / exhaust system 34 Opening / closing window 34 (Opening and closing part)
40 Large processing equipment 60 Device manufacturing system

Claims (8)

クリーン度が制御されていない建屋と、前記建屋内に配置され、極小単位のデバイスを作製するウェハに対してそれぞれ単一のプロセスを実行する複数の小型処理装置と、を含むデバイス製造装置に対して前記建屋の外部において外付けで組み込まれる、外付け処理装置であって、
内部のクリーン度が制御された処理室と、
前記処理室内に配置され、前記ウェハに対して前記極小単位のデバイスを作製する複数のプロセスのうちの一のプロセスを実行する大型処理装置と、
前記処理室に前記ウェハを搬送する際に開閉する開閉部を有する受渡しユニットとを備え、
前記大型処理装置と前記受渡しユニットとの間で、自動でウェハの受渡しが行われることを特徴とする外付け処理装置。
A device manufacturing apparatus comprising: a building whose degree of cleanness is not controlled; and a plurality of small processing apparatuses each performing a single process on a wafer which is arranged in the building and which produces a device of a minimum unit An external processing device incorporated externally outside the building ,
A processing chamber with a controlled internal cleanliness,
A large-scale processing apparatus that is disposed in the processing chamber and that executes one of a plurality of processes for manufacturing the ultra-small device on the wafer;
A delivery unit having an opening / closing part that opens and closes when the wafer is transported to the processing chamber;
An external processing apparatus, wherein a wafer is automatically transferred between the large processing apparatus and the transfer unit.
前記大型処理装置は、電子線描画装置であることを特徴とする請求項1記載の外付け処理装置。   The external processing apparatus according to claim 1, wherein the large processing apparatus is an electron beam drawing apparatus. 前記外付け処理装置は、移動可能であることを特徴とする請求項1又は2記載の外付け処理装置。   3. The external processing apparatus according to claim 1, wherein the external processing apparatus is movable. 前記処理室は、長さが6.0m〜6.1m、高さが2.5m〜2.6m、幅が2.4m〜2.5mであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項記載の外付け処理装置。   4. The method according to claim 1, wherein the processing chamber has a length of 6.0 m to 6.1 m, a height of 2.5 m to 2.6 m, and a width of 2.4 m to 2.5 m. An external processing apparatus according to claim 1. 前記ウェハは円形であり、前記ウェハの直径は、0.5インチ(12.7mm)であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項記載の外付け処理装置。   5. The external processing apparatus according to claim 1, wherein the wafer is circular, and the diameter of the wafer is 0.5 inches (12.7 mm). 前記デバイス製造装置の各小型処理装置と前記外付け処理装置との間で前記ウェハを搬送する搬送ラインが設けられ、前記受渡しユニットは、前記搬送ラインから搬送されてきた前記ウェハを受け取ることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項記載の外付け処理装置。   A transfer line for transferring the wafer is provided between each small processing apparatus of the device manufacturing apparatus and the external processing apparatus, and the delivery unit receives the wafer transferred from the transfer line. An external processing apparatus according to any one of claims 1 to 5. 極小単位のデバイスを作製するウェハに対してそれぞれ単一のプロセスを実行する複数の小型処理装置を含むデバイス製造装置と、
前記デバイス製造装置に対して外付けで組み込まれた、請求項1乃至6のいずれか一項記載の外付け処理装置とを備えたことを特徴とするデバイス製造システム。
A device manufacturing apparatus including a plurality of small processing apparatuses each performing a single process on a wafer for manufacturing a device in a very small unit;
A device manufacturing system comprising: the external processing apparatus according to claim 1, which is externally incorporated into the device manufacturing apparatus.
前記大型処理装置は電子線描画装置であり、前記複数の小型処理装置の少なくとも1つは露光装置であり、前記デバイス製造装置の各小型処理装置と前記外付け処理装置との間で前記ウェハを搬送する搬送ラインが設けられ、前記搬送ラインは、前処理工程が施された前記ウェハを、前記電子線描画装置又は前記露光装置へ切換自在に搬送することを特徴とする請求項7記載のデバイス製造システム。   The large processing apparatus is an electron beam drawing apparatus, at least one of the plurality of small processing apparatuses is an exposure apparatus, and the wafer is placed between each small processing apparatus of the device manufacturing apparatus and the external processing apparatus. 8. A device according to claim 7, wherein a transfer line for transferring is provided, and the transfer line transfers the pre-processed wafer to the electron beam drawing apparatus or the exposure apparatus in a switchable manner. Manufacturing system.
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