JP6409358B2 - External processing apparatus and device manufacturing system - Google Patents
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Description
本発明は、極小単位のデバイスを作製するウェハに対してそれぞれ単一のプロセスを実行する複数の小型処理装置を含むデバイス製造装置に対して外付けで組み込まれる、外付け処理装置、および、デバイス製造装置と外付け処理装置とを備えたデバイス製造システムに関する。 The present invention relates to an external processing apparatus and a device which are externally incorporated into a device manufacturing apparatus including a plurality of small processing apparatuses each performing a single process on a wafer for manufacturing a micro unit device. The present invention relates to a device manufacturing system including a manufacturing apparatus and an external processing apparatus.
従来の半導体デバイスの製造ラインは、広大なクリーンルーム内に、複数の大型の処理装置を配置し、各処理装置内で12インチ(304.8mm)などの大口径のウェハを処理することにより、1枚のウェハから数千個の半導体チップを製造することが一般的である。しかしながら、従来の巨大な半導体製造システムにおいては、個々の製造装置が巨大であり、工場内で容易に移動できるものではなかった。また、設備投資額が数千億円程度に達し、巨額であるという問題や、半導体等のデバイス製造に関する研究開発の成果を実際の製造ラインで実用化することが難しいという問題等があった。 A conventional semiconductor device production line includes a plurality of large processing apparatuses arranged in a large clean room, and a large diameter wafer such as 12 inches (304.8 mm) is processed in each processing apparatus. It is common to manufacture thousands of semiconductor chips from a single wafer. However, in the conventional huge semiconductor manufacturing system, each manufacturing apparatus is huge and cannot be easily moved in the factory. In addition, there are problems such as the fact that the amount of capital investment has reached several hundred billion yen, which is huge, and that it is difficult to put the results of research and development related to device manufacturing such as semiconductors into practical production lines.
これに対して、近年、いわゆる「ミニマルファブ」とよばれる少量生産半導体製造生産システムが開発されてきている(特許文献1参照)。すなわち、「ミニマルファブ」とは、必ずしもクリーン度が制御されていない通常の処理室内に、それぞれデバイス製造プロセスの単一の処理プロセスを実行する複数の小型処理装置を配置し、各小型処理装置間でウェハを搬送しながらウェハに各種の処理プロセスを実行することにより、デバイスを製造するものである。 On the other hand, in recent years, a production system for manufacturing a small amount of semiconductor called a “minimal fab” has been developed (see Patent Document 1). In other words, “minimal fab” means that a plurality of small processing devices each executing a single processing process of a device manufacturing process are arranged in a normal processing chamber whose cleanness is not necessarily controlled. The device is manufactured by executing various processing processes on the wafer while transporting the wafer.
この場合、製造ラインを収容する大きなクリーンルームが必要ないことなどから、従来の半導体デバイスの製造ラインに比べ、製造に係るエネルギー効率を大幅に向上させることができる利点がある。また、「ミニマルファブ」においては、製造ラインを構築するための設備投資額を、従来の半導体デバイスの製造ラインと比較して大幅に抑制することができるという利点もある。 In this case, since there is no need for a large clean room for accommodating the production line, there is an advantage that the energy efficiency related to the production can be greatly improved as compared with the conventional production line for semiconductor devices. In addition, the “minimal fab” has an advantage that the amount of capital investment for constructing a production line can be significantly reduced as compared with a conventional production line for semiconductor devices.
ところで、このような少量生産半導体製造生産システム(ミニマルファブ)におけるリソグラフィプロセスとしては、小型レーザ露光装置を用いる技術が開発されてきている。しかしながら、小型レーザ露光装置を用いた場合、1μm以下の微細パターンを形成することは困難であると考えられる。一方、従来の電子線描画装置は、1μm以下の微細パターンを形成することは可能であるが、装置を小型化すると振動に弱くなる等の問題があることから、電子線描画装置を少量生産半導体製造生産システム(ミニマルファブ)内に組み込むことは難しいと考えられる。このため、少量生産半導体製造生産システム(ミニマルファブ)において、他の小型処理装置と同様の大きさをもつ小型化された電子線描画装置は開発されていない。 By the way, as a lithography process in such a low-volume production semiconductor manufacturing production system (minimal fab), a technique using a small laser exposure apparatus has been developed. However, when a small laser exposure apparatus is used, it is considered difficult to form a fine pattern of 1 μm or less. On the other hand, the conventional electron beam lithography apparatus can form a fine pattern of 1 μm or less, but there is a problem that if the device is downsized, it becomes weak against vibration. It is considered difficult to incorporate it into a manufacturing production system (minimal fab). For this reason, a miniaturized electron beam drawing apparatus having the same size as other small processing apparatuses has not been developed in a small volume production semiconductor manufacturing production system (minimal fab).
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、その目的は、少量生産半導体製造生産システムの基本概念を大きく変更することなく、大型の処理装置を少量生産半導体製造生産システムに組み込むことが可能な、外付け処理装置およびデバイス製造システムを提供することにある。 The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and its purpose is to change a large processing apparatus into a low-volume production semiconductor production system without greatly changing the basic concept of the low-volume production semiconductor production system. An object is to provide an external processing apparatus and a device manufacturing system that can be incorporated.
本発明の一実施の形態による外付け処理装置は、極小単位のデバイスを作製するウェハに対してそれぞれ単一のプロセスを実行する複数の小型処理装置を含むデバイス製造装置に対して外付けで組み込まれる、外付け処理装置であって、内部のクリーン度が制御された処理室と、前記処理室内に配置され、前記ウェハに対して前記極小単位のデバイスを作製する複数のプロセスのうちの一のプロセスを実行する大型処理装置と、前記処理室に前記ウェハを搬送する際に開閉する開閉部を有する受渡しユニットとを備え、前記大型処理装置と前記受渡しユニットとの間で、自動でウェハの受け渡しが行われることを特徴とするものである。 An external processing apparatus according to an embodiment of the present invention is externally incorporated into a device manufacturing apparatus including a plurality of small processing apparatuses each performing a single process on a wafer for manufacturing a device in a very small unit. An external processing apparatus, the processing chamber having an internal cleanness controlled, and one of a plurality of processes that are disposed in the processing chamber and that manufactures the ultra-small device for the wafer A large-scale processing apparatus for performing a process, and a delivery unit having an opening / closing portion that opens and closes when the wafer is transferred to the processing chamber, and automatically transfers a wafer between the large-scale processing apparatus and the delivery unit. Is performed.
本発明の一実施の形態による外付け処理装置において、前記大型処理装置は、電子線描画装置であってもよい。 In the external processing apparatus according to an embodiment of the present invention, the large processing apparatus may be an electron beam drawing apparatus.
本発明の一実施の形態による外付け処理装置において、前記外付け処理装置は、移動可能であってもよい。 In the external processing device according to an embodiment of the present invention, the external processing device may be movable.
本発明の一実施の形態による外付け処理装置において、前記処理室は、長さが6.0m〜6.1m、高さが2.5m〜2.6m、幅が2.4m〜2.5mであってもよい。 In the external processing apparatus according to an embodiment of the present invention, the processing chamber has a length of 6.0 m to 6.1 m, a height of 2.5 m to 2.6 m, and a width of 2.4 m to 2.5 m. It may be.
本発明の一実施の形態による外付け処理装置において、前記ウェハは円形であり、前記ウェハの直径は、0.5インチ(12.7mm)であってもよい。 In the external processing apparatus according to an embodiment of the present invention, the wafer may be circular, and the diameter of the wafer may be 0.5 inches (12.7 mm).
本発明の一実施の形態による外付け処理装置において、前記デバイス製造装置の各小型処理装置と前記外付け処理装置との間で前記ウェハを搬送する搬送ラインが設けられ、前記受渡しユニットは、前記搬送ラインから搬送されてきた前記ウェハを受け取ってもよい。 In the external processing apparatus according to an embodiment of the present invention, a transport line for transporting the wafer is provided between each small processing apparatus of the device manufacturing apparatus and the external processing apparatus, and the delivery unit includes You may receive the said wafer conveyed from the conveyance line.
本発明の一実施の形態によるデバイス製造システムは、極小単位のデバイスを作製するウェハに対してそれぞれ単一のプロセスを実行する複数の小型処理装置を含むデバイス製造装置と、前記デバイス製造装置に対して外付けで組み込まれた、前記外付け処理装置とを備えたことを特徴とするものである。 A device manufacturing system according to an embodiment of the present invention includes a device manufacturing apparatus including a plurality of small processing apparatuses that respectively execute a single process on a wafer for manufacturing a device of an extremely small unit, and the device manufacturing apparatus. And the external processing device incorporated externally.
本発明の一実施の形態によるデバイス製造システムにおいて、前記大型処理装置は電子線描画装置であり、前記複数の小型処理装置の少なくとも1つは露光装置であり、前記デバイス製造装置の各小型処理装置と前記外付け処理装置との間で前記ウェハを搬送する搬送ラインが設けられ、前記搬送ラインは、前処理工程が施された前記ウェハを、前記電子線描画装置又は前記露光装置へ切換自在に搬送してもよい。 In the device manufacturing system according to an embodiment of the present invention, the large processing apparatus is an electron beam drawing apparatus, at least one of the plurality of small processing apparatuses is an exposure apparatus, and each of the small processing apparatuses of the device manufacturing apparatus. A transfer line for transferring the wafer is provided between the wafer and the external processing apparatus, and the transfer line is capable of switching the wafer that has been subjected to the preprocessing step to the electron beam drawing apparatus or the exposure apparatus. It may be conveyed.
本発明によれば、少量生産半導体製造生産システムの基本概念を大きく変更することなく、大型処理装置を少量生産半導体製造生産システムに組み込むことができる。 According to the present invention, it is possible to incorporate a large processing apparatus into a low-volume production semiconductor production system without greatly changing the basic concept of the low-volume production semiconductor production system.
以下、図面を参照しながら本発明の各実施形態について説明する。図面は例示であり、説明のために特徴部を誇張することがあり、実物とは異なる場合がある。また、技術思想を逸脱しない範囲において適宜変更して実施することが可能である。なお、以下の各図において、同一部分には同一の符号を付しており、一部詳細な説明を省略する場合がある。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. Drawing is an illustration and may exaggerate a characteristic part for explanation, and may differ from an actual thing. In addition, the present invention can be implemented with appropriate modifications without departing from the technical idea. Note that, in the following drawings, the same portions are denoted by the same reference numerals, and some detailed description may be omitted.
まず、本発明の一実施形態に係る外付け処理装置が組み込まれる、デバイス製造装置の構成について説明する。図1は、本実施形態に係る外付け処理装置と、外付け処理装置が組み込まれるデバイス製造装置とを示す概略平面図である。 First, a configuration of a device manufacturing apparatus in which an external processing apparatus according to an embodiment of the present invention is incorporated will be described. FIG. 1 is a schematic plan view showing an external processing apparatus according to the present embodiment and a device manufacturing apparatus in which the external processing apparatus is incorporated.
図1に示すデバイス製造装置10は、いわゆる「ミニマルファブ」とよばれる少量生産半導体製造生産システムであり、建屋11と、建屋11内に配置された複数の小型処理装置20とを含んでいる。建屋11の外部には、本実施形態に係る外付け処理装置30が配置されている。なお、デバイス製造装置10と、外付け処理装置30とにより、本実施形態に係るデバイス製造システム60が構成されている。
A
建屋11は、クリーン度が制御されていない例えば通常の工場の建屋であっても良い。この建屋11には、小型処理装置20と外付け処理装置30との間でウェハWを移動させる扉12が設けられている。
The
各小型処理装置20は、極小単位の半導体デバイスを作製するウェハWに対してそれぞれ単一のプロセスを実行するものであり、例えばコータ(塗工機)、露光機、エッチャー(エッチング装置)、ディベロッパ(現像機)、洗浄機、CVD炉、スパッタリング装置等を含む。
Each of the
この小型処理装置20は、後述するように、極小単位の半導体デバイス、本実施形態としては典型的には、円形の0.5インチ(12.7mm)サイズのウェハWから1個あるいは少数個の半導体デバイスを作製するウェハサイズを処理対象とし、それを1枚ずつ処理するものである。このような直径0.5インチのウェハからは、1cm2の半導体デバイスを1個作製することができる。つまり、本実施形態によるデバイス製造装置10は、極小単位の半導体デバイスを作製するウェハサイズのウェハを用い、そのウェハを1枚ずつ枚葉処理する処理方式を採用している。なお、本明細書において「ウェハ」は、外形が円形に限るものではなく、任意の外形形状のものを含む。
As will be described later, the
この場合、ウェハWは、1枚ずつ密閉搬送容器13に収容され、この状態で各小型処理装置20間を順次搬送される。ウェハWは、小型処理装置20で密閉搬送容器13から取り出され、小型処理装置20内で半導体デバイスを作製するための各種処理が行われる。その後、ウェハWは、当該小型処理装置20で密閉搬送容器13に収容され、小型処理装置20から搬出される。
In this case, the wafers W are stored one by one in the
各小型処理装置20は、幅約294mm×奥行き約450mm×高さ約1440mmの外形寸法に規格統一された略直方体とされ、その重量はそれぞれの小型処理装置20によって異なるが、標準的には約60キログラムとされている。このうち、プロセス処理本体部21は、縦横が約30cm、高さが約70cmに規格統一された略直方体のデスクトップサイズとされ、その重量は標準的には約30キログラムとされている。なお、本明細書において、「小型処理装置」とは、上記規格統一された外形寸法をもつ処理装置をいう。また、「大型処理装置」とは、「小型処理装置」よりも外形寸法が大きい処理装置をいい、例えば従来の形状をもつ処理装置も含まれる。
Each
図2に示すように、各小型処理装置20は、単一の処理プロセスを行うための処理空間を有するプロセス処理本体部21と、プロセス処理本体部21に対する原料供給系や排気系、制御装置等を内蔵する装置下部22と、プロセス処理本体部21と装置下部22とを分離可能に接続する上下連結スペーサ23とを有している。
As shown in FIG. 2, each
このうちプロセス処理本体部21は、外気と遮断することができる密閉型となっており、装置下部22に内包した、或いは小型処理装置20の外部に設けた局所クリーン化装置によって、内部のクリーン化が行えるようになっている。
Among these, the process
また、各小型処理装置20の一面には、1枚のウェハWを各小型処理装置20と密閉搬送容器13との間で受け渡すためのウェハ入出前室24が連結されている。ウェハ入出前室24は、規格化された外形を有しているとともに同一の構成を有しており、どの小型処理装置20に対しても所定位置に配置され、同様に機能するように構成されている。ウェハ入出前室24は、従来の半導体製造装置における処理チャンバーに設けられるロードロック室及びアンロードロック室と同様な機能を有するものであり、密閉搬送容器13との接続のためのドッキングポート25がその上部に設けられている。
In addition, a wafer entrance /
また、各小型処理装置20間には、ウェハWを収納する密閉搬送容器13を搬送するための搬送ライン14が設けられている。この搬送ライン14には、ベルト式やメカニカル式などの半導体製造装置に通常用いられる機構を用いることができる。該搬送ライン14は、小型処理装置20のウェハ入出前室24の間で、密閉搬送容器13を搬送するように構成されている。
Further, a
次に、図3を参照して、本実施形態に係る外付け処理装置30の概要について説明する。
Next, an outline of the
図3に示すように、外付け処理装置30は、クリーンルームからなる処理室31と、処理室31内に配置された大型処理装置40と、処理室31の側面に設けられた受渡しユニット32とを備えている。外付け処理装置30は、処理室31ごと移動可能な構成を有しており、例えばフォークリフト等の搬送手段によって適宜移動することができる。
As shown in FIG. 3, the
処理室31には、例えば空気中の塵埃を除去する給排気システム33が設けられており、これにより処理室31内部のクリーン度を制御し、クリーン度を高めるようになっている。また処理室31には、図示しない環境制御装置により、処理室31内の温度、湿度、気流、振動、交流磁場等の環境を制御可能となっている。前記環境制御装置は処理室内部に組み込まれているか、あるいは温度及び湿度等については外部から制御された空気を導入する方式でも良い。
The
処理室31は、一般的なコンテナサイズをもつ直方体形状を有しており、その大きさ(外形)は、例えば長さが6.0m〜6.1m、高さが2.5m〜2.6m、幅が2.4m〜2.5mである。これにより、フォークリフトやコンテナ用トラックなど一般的なコンテナ輸送手段を用いて、外付け処理装置30を容易に搬送することできる。また、外付け処理装置30が自走式である場合、これにより、容易に移動可能となる。なお、本明細書中、処理室31の長さとは、処理室31を構成する直方体の一辺のうち鉛直軸(Z軸)に直交する軸(X軸)に沿った長さをいい、処理室31の高さとは、処理室31を構成する直方体の一辺のうち鉛直軸(Z軸)に沿った長さをいい、処理室31の幅とは、処理室31を構成する直方体の一辺のうち鉛直軸(Z軸)および上記長さ方向の軸(X軸)に直交する軸(Y軸)に沿った長さをいう。
The
受渡しユニット32は、処理室31にウェハWを搬送する際に開閉する開閉窓(開閉部)34を有している。この開閉窓34により、処理室31に対して密閉搬送容器13を搬入搬出することができる。なお、受渡しユニット32は、上述した小型処理装置20のウェハ入出前室24と同一の構成を有しており、開閉窓34は、小型処理装置20のドッキングポート25と同一の構成を有している。この場合、受渡しユニット32が、規格化されたウェハ入出前室24と同一の構成を有するので、外付け処理装置30を、様々なデバイス製造装置10に対して外付けで組み込むことが容易となる。
The
受渡しユニット32は、上述したデバイス製造装置10の搬送ライン14に接続されている。この場合、受渡しユニット32は、搬送ライン14から搬送されてきた密閉搬送容器13に収容されたウェハWを受け取るようになっている。また、受渡しユニット32は、大型処理装置40との間で、自動でウェハWの受渡しを行うように構成されている。
The
すなわち、受渡しユニット32は、開放された開閉窓34から密閉搬送容器13を搬入した後、開閉窓34を閉鎖する。その後、内部のクリーン度を高めた状態で密閉搬送容器13からウェハWを取り出して、ウェハWを大型処理装置40に対して受け渡す。一方、大型処理装置40でウェハWに対して処理を行った後、受渡しユニット32は、ウェハWを大型処理装置40から受け取り、密閉搬送容器13に収容する。その後、開閉窓34を開放して、密閉搬送容器13に収容されたウェハWを搬送ライン14に対して受け渡す。
That is, the
また、大型処理装置40は、ウェハWに対して極小単位のデバイスを作製する複数のプロセスのうちの一のプロセスを実行するものであり、例えば電子線描画装置からなっている。
Further, the
図3に示すように、大型処理装置(電子線描画装置)40は、例えばコータからなる小型処理装置20によって電子線レジストが塗布されたウェハWに対して電子線を照射することにより、電子線レジストに対して所定のパターン形状を描画するものである。
As shown in FIG. 3, a large processing apparatus (electron beam drawing apparatus) 40 irradiates an electron beam onto a wafer W coated with an electron beam resist by a
この大型処理装置40は、たとえば、陰極41、ウェーネルト42及び陽極43から構成される電子銃44と、アライメントコイル45と、第1アパーチャ46と、縮小レンズ系47と、第2アパーチャ48と、対物レンズ49とを有している。また、電子銃44、アライメントコイル45、第1アパーチャ46、縮小レンズ系47、第2アパーチャ48および対物レンズ49は、筐体50によって取り囲まれている。また、ウェハWは、電子線が照射される際、ステージ51上に載置されており、ステージ51によって水平移動可能となっている。なお、電子線描画装置の基本構成は従来公知のものと略同様であり、ここでは詳細な説明を省略する。
The
次に、このような構成からなる本実施の形態の作用について述べる。 Next, the operation of the present embodiment having such a configuration will be described.
まず、デバイス製造装置10の小型処理装置20のうち、例えばスピンコータ等のコータからなる小型処理装置20において、ウェハWの表面全域に電子線レジストが塗布される。電子線レジスト塗布処理が完了した後、ウェハWは、密閉搬送容器13に収容された状態で、小型処理装置20(コータ)のウェハ入出前室24から取り出される。
First, in the
次に、ウェハWは、搬送ライン14を介してプリベーク装置からなる小型処理装置20に搬送される。続いて、ウェハWは、小型処理装置20(プリベーク装置)のウェハ入出前室24内で密閉搬送容器13から取り出され、プリベーク処理が施される。具体的には、ウェハWに塗布された電子線レジストのうち、溶剤が除去される。プリベーク処理が完了した後、ウェハWは、密閉搬送容器13に収容された状態で、小型処理装置20(プリベーク装置)のウェハ入出前室24から取り出される。
Next, the wafer W is transferred to the
続いて、ウェハWは、搬送ライン14によってデバイス製造装置10の建屋11から搬出され、外付け処理装置30に向けて搬送される。外付け処理装置30に到達した後、ウェハWは、搬送ライン14から外付け処理装置30の受渡しユニット32に受け渡される。受渡しユニット32は、開放された開閉窓34から密閉搬送容器13を搬入した後、開閉窓34を閉鎖する。その後、受渡しユニット32は、内部のクリーン度を高めるとともに、密閉搬送容器13からウェハWを取り出し、取り出したウェハWを電子線描画装置からなる大型処理装置40に自動的に受け渡す。
Subsequently, the wafer W is unloaded from the
この大型処理装置40(電子線描画装置)において、ウェハWには電子線が照射され、ウェハW上の電子線レジストに対して所定のパターン形状が描画される。この場合、大型処理装置40(電子線描画装置)の電子銃44から電子ビームが放出され、この電子ビームは、アライメントコイル45によりビーム中心が光軸に調節され、第1アパーチャ46で周辺のボケ部分がカットされ、縮小レンズ系47を経てビーム径が縮小され、第2アパーチャ48によりビーム成形され、対物レンズ49によりウェハW上に集束されて描画が施される。
In the large processing apparatus 40 (electron beam drawing apparatus), the wafer W is irradiated with an electron beam, and a predetermined pattern shape is drawn on the electron beam resist on the wafer W. In this case, an electron beam is emitted from the electron gun 44 of the large processing apparatus 40 (electron beam drawing apparatus), and the center of the electron beam is adjusted to the optical axis by the
このようにして電子線描画処理が完了した後、ウェハWは、大型処理装置40(電子線描画装置)から受渡しユニット32に自動的に受け渡される。受渡しユニット32は、内部のクリーン度を高めた状態で、ウェハWを密閉搬送容器13に収容し、その後、開閉窓34を開放して、密閉搬送容器13を搬送ライン14に受け渡す。
After the electron beam drawing process is completed in this way, the wafer W is automatically delivered from the large processing apparatus 40 (electron beam drawing apparatus) to the
次に、ウェハWは、搬送ライン14によって外付け処理装置30からデバイス製造装置10の建屋11内に再度搬入され、現像装置からなる小型処理装置20に送られる。続いて、ウェハWは、小型処理装置20(現像装置)のウェハ入出前室24内で密閉搬送容器13から取り出され、現像処理が施される。具体的には、ウェハWに塗布された電子線レジストのうち、未感光部が現像液によって除去される。現像処理が完了した後、ウェハWは、密閉搬送容器13に収容された状態で、小型処理装置20(現像装置)のウェハ入出前室24から取り出される。
Next, the wafer W is again carried into the
その後、エッチャー等の小型処理装置20を順次経ることにより、ウェハWに対して各種プロセス処理が施され、これにより極小単位のデバイスが作製される。
Thereafter, various processes are performed on the wafer W by sequentially passing through a
このように本実施の形態によれば、外付け処理装置30は、極小単位のデバイスを作製するウェハWに対してそれぞれ単一のプロセスを実行する複数の小型処理装置20によって構成されたデバイス製造装置10に対して外付けで組み込まれるようになっている。また、デバイス製造装置10は、ウェハWに対して極小単位のデバイスを作製する複数のプロセスのうちの一のプロセスを実行する大型処理装置40を有している。これにより、少量生産半導体製造生産システム(ミニマルファブ)の基本概念を大きく変更することなく、大型処理装置40を少量生産半導体製造生産システムに組み込むことができる。
As described above, according to the present embodiment, the
また本実施の形態によれば、大型処理装置40は、電子線描画装置であるので、ウェハWに対して1μm以下、とりわけ100nm以下の微細パターンを高解像かつ高精度で形成することが可能となる。とりわけ、振動に弱くなる等の問題があるため小型化が難しいと考えられている電子線描画装置を、少量生産半導体製造生産システム(ミニマルファブ)に連係させることができる。
Further, according to the present embodiment, since the
また本実施の形態によれば、外付け処理装置30は移動自在であるので、デバイス製造装置10のレイアウトを変更したり、デバイス製造装置10を移動したりする際の運搬や位置決め作業等を容易に行うことができる。また、外付け処理装置30は、一般的なコンテナサイズを有しているので、フォークリフトやコンテナ用トラックなど一般的な輸送手段を用いて輸送することができる。
Further, according to the present embodiment, since the
また本実施の形態によれば、外付け処理装置30は移動自在であるので、同一の外付け処理装置30を、複数のデバイス製造ラインで必要な場合のみ使用することも可能となる。
In addition, according to the present embodiment, since the
また本実施の形態によれば、デバイス製造装置10は、各小型処理装置20間でウェハWを搬送する搬送ライン14を有し、外付け処理装置30の受渡しユニット32は、搬送ラインから搬送されてきたウェハWを受け取る。これにより、外付け処理装置30および各小型処理装置20間で、ウェハWを自動で搬送することができ、作業の省力化を図ることができる。
Further, according to the present embodiment, the
なお、これに限らず、処理の枚数が少ない場合等、外付け処理装置30と各小型処理装置20と間で、作業者が手作業で密閉搬送容器13を搬送しても良い。この場合、様々な処理プロセスに対して柔軟に対応することができる。
However, the present invention is not limited to this, and when the number of processes is small, an operator may manually transfer the
上記実施形態では、外付け処理装置30の大型処理装置40(電子線描画装置)を用いてウェハW上のレジストを感光させる場合を例にとって説明した。しかしながら、これに限らず、小型処理装置20の少なくとも1つが、小型レーザ露光装置等からなる露光装置であり、この露光装置と上記大型処理装置40(電子線描画装置)とが、選択的にウェハW上のレジストを感光させるようになっていても良い。
In the above-described embodiment, the case where the resist on the wafer W is exposed using the large processing apparatus 40 (electron beam drawing apparatus) of the
この場合、図4に示すように、デバイス製造装置10の建屋11内に、小型処理装置20A(コータ)、小型処理装置20B(プリベーク装置)、小型処理装置20C(露光装置)、小型処理装置20D(現像装置)、小型処理装置20E(エッチャー)が配置されている。また、建屋11の外部に、大型処理装置(電子線描画装置)40を有する外付け処理装置30が配置されている。搬送ライン14は、小型処理装置20(コータ)および小型処理装置20B(プリベーク装置)によって前処理工程が施されたウェハWを、外付け処理装置30又は小型処理装置20C(露光装置)へ切換自在に搬送するようになっている。これにより、例えば単品のデバイスを生産する場合や微細なパターンを形成する場合には大型処理装置(電子線描画装置)40を用い、微細なパターンを含まない多数のデバイスを生産する場合には小型処理装置20C(露光装置)を用いるなど、デバイスに応じて柔軟に処理方法を切り換ることが可能となる。なお、図4において、図1乃至図3に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付してある。
In this case, as shown in FIG. 4, in the
また、上記実施の形態では、大型処理装置40が電子線描画装置である場合を例にとって説明したが、これに限らず、大型処理装置40は、例えばCVD装置、イオン注入装置等であっても良い。
In the above embodiment, the case where the
上記実施の形態および変形例に開示されている複数の構成要素を必要に応じて適宜組合せることも可能である。あるいは、上記実施の形態および変形例に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。 It is also possible to appropriately combine a plurality of constituent elements disclosed in the embodiment and the modification examples as necessary. Or you may delete a some component from all the components shown by the said embodiment and modification.
10 デバイス製造装置
13 密閉搬送容器
14 搬送ライン
20 小型処理装置
21 プロセス処理本体部
22 装置下部
23 上下連結スペーサ
24 ウェハ入出前室
30 外付け処理装置
31 処理室
32 受渡しユニット
33 給排気システム
34 開閉窓(開閉部)
40 大型処理装置
60 デバイス製造システム
DESCRIPTION OF
40
Claims (8)
内部のクリーン度が制御された処理室と、
前記処理室内に配置され、前記ウェハに対して前記極小単位のデバイスを作製する複数のプロセスのうちの一のプロセスを実行する大型処理装置と、
前記処理室に前記ウェハを搬送する際に開閉する開閉部を有する受渡しユニットとを備え、
前記大型処理装置と前記受渡しユニットとの間で、自動でウェハの受渡しが行われることを特徴とする外付け処理装置。 A device manufacturing apparatus comprising: a building whose degree of cleanness is not controlled; and a plurality of small processing apparatuses each performing a single process on a wafer which is arranged in the building and which produces a device of a minimum unit An external processing device incorporated externally outside the building ,
A processing chamber with a controlled internal cleanliness,
A large-scale processing apparatus that is disposed in the processing chamber and that executes one of a plurality of processes for manufacturing the ultra-small device on the wafer;
A delivery unit having an opening / closing part that opens and closes when the wafer is transported to the processing chamber;
An external processing apparatus, wherein a wafer is automatically transferred between the large processing apparatus and the transfer unit.
前記デバイス製造装置に対して外付けで組み込まれた、請求項1乃至6のいずれか一項記載の外付け処理装置とを備えたことを特徴とするデバイス製造システム。 A device manufacturing apparatus including a plurality of small processing apparatuses each performing a single process on a wafer for manufacturing a device in a very small unit;
A device manufacturing system comprising: the external processing apparatus according to claim 1, which is externally incorporated into the device manufacturing apparatus.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016006831A JP2016006831A (en) | 2016-01-14 |
JP6409358B2 true JP6409358B2 (en) | 2018-10-24 |
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ID=55225122
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6409358B2 (en) |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4049478B2 (en) * | 1999-04-07 | 2008-02-20 | 株式会社日立製作所 | How to install charged particle beam equipment in a clean room |
US10371394B2 (en) * | 2010-09-20 | 2019-08-06 | Biologics Modular Llc | Mobile, modular cleanroom facility |
JP5780531B2 (en) * | 2013-09-12 | 2015-09-16 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | Device manufacturing system and method |
-
2014
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016006831A (en) | 2016-01-14 |
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