KR101612516B1 - Single platform work piece processing apparatus for dry and wet processing - Google Patents

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Abstract

본 발명의 건식 및 습식 처리를 위한 단일 플랫폼의 기판 처리 설비는 건식 및 습식 처리를 하나의 단일 플랫폼에서 수행하여 피처리 기판의 오염을 방지할 수 있으며 설비의 바닥 면적을 최소화 할 수 있다. 또한 각각의 건식 처리 설비와 습식 처리 설비를 독립적으로 구성하여 운영하는 방식과 비교하여 설비구축 비용이나 운영 및 유지보수 비용 측면에 있어서도 절감 효과를 얻을 수 있다.The single platform substrate processing facility for dry and wet processing of the present invention can perform dry and wet processing on one single platform to prevent contamination of the substrate to be processed and to minimize the floor area of the facility. In addition, compared to the case where each dry processing facility and the wet processing facility are independently constructed, it is possible to reduce the facility construction cost and operation and maintenance cost.

Description

건식 및 습식 처리를 위한 단일 플랫폼의 기판처리설비{SINGLE PLATFORM WORK PIECE PROCESSING APPARATUS FOR DRY AND WET PROCESSING}[0001] SINGLE PLATFORM WORK PIECE PROCESSING APPARATUS FOR DRY AND WET PROCESSING [0002]

본 발명은 웨이퍼나 글라스와 같은 피처리 기판의 반도체 가공을 위한 기판처리설비에 관한 것으로, 구체적으로는 건식 기판 처리와 습식 기판 처리를 하나의 플랫폼에서 수행할 수 있는 건식 및 습식 처리를 위한 단일 플랫폼의 기판처리설비에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus for semiconductor processing of a substrate to be processed such as a wafer or a glass, and more particularly, to a single substrate for dry and wet processing capable of performing dry substrate processing and wet substrate processing on one platform To a substrate processing apparatus.

웨이퍼나 글라스와 같은 피처리 기판을 반도체 가공하기 위한 공정들은 매우 다양한 여러 단계의 반도체 가공 공정을 통하여 진행된다. 예를 들어, 증착, 식각, 노광 공정, 현상 공정, 애싱 공정, 세정 공정 등 매우 다양하다. 이러한 다양한 공정들은 각각의 처리 설비를 통하여 진행된다.BACKGROUND ART [0002] Processes for semiconductor processing a substrate to be processed, such as a wafer or glass, are performed through a very wide variety of semiconductor processing processes. For example, vapor deposition, etching, exposure process, development process, ashing process, and cleaning process are very various. These various processes are performed through respective processing facilities.

한편, 이와 같은 반도체 제조 공정은 바닥 면적을 최소화 하는 것이나 피처리 기판의 오염을 줄이기 위해서는 가급적 단일 플랫폼에서 진행하는 것이 여러모로 유리할 수 있다. 예를 들어, 애싱 설비에서 PR이 도포된 웨이퍼를 애싱 공정을 진행한 후에는 통상적으로 화학적 습식 크리닝 공정을 별도의 습식 세정 설비를 통하여 진행된다. 플라즈마를 이용한 건식 공정으로 애싱 공정을 진행하는 경우 지금까지는 이후 진행되는 화학적 습식 크리닝 공정을 별도의 습식 세정 설비에서 진행되어 왔다.On the other hand, in order to minimize the floor area and to reduce the contamination of the substrate to be processed, it is advantageous for the semiconductor manufacturing process to be performed on a single platform as many as possible. For example, after an ashing process is performed on a wafer coated with PR in an ashing facility, a chemical wet cleaning process is usually performed through a separate wet cleaning equipment. When the ashing process is carried out by the dry process using the plasma, the chemical wet cleaning process which has been performed so far has been carried out in a separate wet cleaning facility.

본 발명의 목적은 건식 및 습식 처리를 하나의 단일 플랫폼에서 수행하여 피처리 기판의 오염을 방지할 수 있으며 설비의 바닥 면적을 최소화 할 수 있는 기판처리 설비를 제공하는데 있다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of performing dry and wet processing on one single platform to prevent contamination of a substrate to be processed and to minimize the floor area of the apparatus.

상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일면은 건식 및 습식 처리를 위한 단일 플랫폼의 기판 처리 설비에 관한 것이다. 본 발명의 일면에 따른 건식 및 습식 처리를 위한 단일 플랫폼의 기판 처리 설비는 피처리 기판이 대기하는 전방단부모듈; 상기 피처리 기판을 건식 처리하기 위한 건식처리모듈; 상기 피처리 기판을 습식 처리하기 위한 습식처리모듈; 상기 전방단부모듈에서 상기 피처리 기판을 로딩/언로딩하기 위한 제1 기판이송모듈; 및 처리전의 피처리 기판을 상기 제1 기판이송모듈로부터 인수받아 상기 건식처리모듈로 로딩하고, 상기 건식처리모듈에서 건식 처리된 피처리 기판을 언로딩하여 상기 습식처리모듈로 로딩하며, 상기 습식처리모듈에서 습식 처리된 피처리 기판을 언로딩하여 상기 제1 기판이송모듈로 인계하는 제2 기판이송모듈을 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for a single platform for dry and wet processing. According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for a single platform for dry and wet processing, including: a front end module on which a substrate to be processed is waiting; A dry processing module for dry processing the substrate to be processed; A wet processing module for wet processing the substrate to be processed; A first substrate transfer module for loading / unloading the substrate to be processed in the front end module; And loading the substrate to be processed before the processing is received from the first substrate transfer module to the dry processing module, unloading the dry processed substrate from the dry processing module, loading the dry processed substrate into the wet processing module, And a second substrate transfer module for unloading the wet-processed substrate from the module and transferring the processed substrate to the first substrate transfer module.

일 실시예에 있어서, 상기 건식처리모듈은 플라즈마 소스를 구비하고 상기 피처리 기판에 대하여 플라즈마 에싱 공정을 수행한다.In one embodiment, the dry processing module has a plasma source and performs a plasma ashing process on the substrate to be processed.

일 실시예에 있어서, 상기 습식처리모듈은 상기 피처리 기판을 초음파 세정하기 위한 세정 플레이트와 세정액을 공급하는 세정액 공급 노즐을 구비하고 상기 피처리 기판에 대하여 화학적 습식 세정 공정을 수행한다.In one embodiment, the wet processing module includes a cleaning plate for ultrasonic cleaning the substrate to be processed and a cleaning liquid supply nozzle for supplying a cleaning liquid, and performs a chemical wet cleaning process on the target substrate.

일 실시예에 있어서, 상기 제2 기판이송모듈은 상기 피처리 기판을 이송하기 위한 복수개의 이송암과 상기 복수개의 이송암을 회동 및 승하강 동작시키는 구동축을 구비하는 이송로봇을 포함한다.In one embodiment, the second substrate transfer module includes a transfer robot having a plurality of transfer arms for transferring the substrate to be processed and a drive shaft for rotating and moving the transfer arms upward and downward.

일 실시예에 있어서, 상기 건식처리모듈은 상기 피처리 기판이 안착되는 복수개의 건식 처리 스테이지를 포함하고, 상기 복수개의 건식 처리 스테이지는 상기 복수개의 이송암의 회동 경로 위에 정렬된다.In one embodiment, the dry processing module includes a plurality of dry processing stages on which the substrate to be processed is placed, and the plurality of dry processing stages are aligned on the rotation path of the plurality of transfer arms.

일 실시예에 있어서, 상기 습식처리모듈은 상기 피처리 기판이 안착되는 복수개의 습식 처리 스테이지를 포함하고, 상기 복수개의 습식 처리 스테이지는 상기 복수개의 이송암의 회동 경로 위에 정렬된다.In one embodiment, the wet processing module includes a plurality of wet processing stages on which the substrate to be processed is seated, and the plurality of wet processing stages are aligned on the rotation path of the plurality of transfer arms.

일 실시예에 있어서, 상기 제2 기판이송모듈은 상기 제1 기판이송모듈과 상기 피처리 기판을 교환하는 과정에서는 대기압 상태를, 상기 건식처리모듈에서 상기 피처리 기판을 로딩/언로딩하는 과정에서는 진공 상태를, 그리고 상기 습식처리모듈에서 상기 피처리 기판을 로딩/언로딩하는 과정에서는 대기압 상태를 각각 갖는다.In one embodiment, the second substrate transfer module transfers an atmospheric pressure state in the process of exchanging the first substrate transfer module and the substrate to be processed, and a process of loading / unloading the substrate in the dry process module A vacuum state, and an atmospheric pressure state in a process of loading / unloading the substrate to be processed in the wet processing module.

일 실시예에 있어서, 상기 기판처리설비의 동작을 제어하기 위한 제어부를 포함하고, 상기 제어부는 상기 건식처리모듈과 상기 습식처리모듈의 동작 가능 여부에 따라 상기 피처리 기판을 상기 건식처리모듈과 상기 습식처리모듈에서 건식 및 습식 처리를 순차적으로 진행하거나 또는 선택적으로 어느 하나만을 처리하도록 제어한다.In one embodiment, the apparatus includes a controller for controlling the operation of the substrate processing apparatus, wherein the controller controls the substrate processing apparatus according to whether the dry processing module and the wet processing module are operable, The wet processing module controls the dry and wet processing to proceed sequentially or, alternatively, to process only one of them.

본 발명의 다른 일면은 건식 및 습식 처리를 위한 단일 플랫폼의 기판 처리 설비에 관한 것이다. 본 발명의 다른 일면에 따른 건식 및 습식 처리를 위한 단일 플랫폼의 기판 처리 설비는 피처리 기판이 대기하는 전방단부모듈; 상기 피처리 기판을 건식 처리하기 위한 건식처리모듈; 상기 피처리 기판을 습식 처리하기 위한 습식처리모듈; 상기 전방단부모듈에서 상기 피처리 기판을 로딩/언로딩하기 위한 제1 기판이송모듈; 처리전의 피처리 기판을 상기 제1 기판이송모듈로부터 인수받아 상기 건식처리모듈로 로딩하고, 상기 건식처리모듈에서 건식 처리된 상기 피처리 기판을 언로딩하여 상기 제1 기판이송모듈로 인계하는 제2 기판이송모듈; 및 상기 건식 처리된 피처리 기판을 상기 제1 기판이송모듈로부터 인수받아 상기 습식처리모듈로 로딩하고, 상기 습식처리모듈에서 습식 처리된 상기 피처리 기판을 언로딩하여 상기 제1 기판이송모듈로 인계하는 제3 기판이송모듈을 포함한다.Another aspect of the invention relates to a single platform substrate processing facility for dry and wet processing. According to another aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus of a single platform for dry and wet processing, including: a front end module on which a substrate to be processed is waiting; A dry processing module for dry processing the substrate to be processed; A wet processing module for wet processing the substrate to be processed; A first substrate transfer module for loading / unloading the substrate to be processed in the front end module; A second substrate transfer module for transferring the substrate to be processed to the first substrate transfer module and receiving the substrate from the first substrate transfer module, loading the substrate to be processed into the dry process module, unloading the dry- A substrate transfer module; And a second substrate transfer module for transferring the wet processed substrate from the first substrate transfer module to the wet process module, And a third substrate transfer module.

일 실시예에 있어서, 상기 건식처리모듈은 플라즈마 소스를 구비하고 상기 피처리 기판에 대하여 플라즈마 에싱 공정을 수행한다.In one embodiment, the dry processing module has a plasma source and performs a plasma ashing process on the substrate to be processed.

일 실시예에 있어서, 상기 습식처리모듈은 상기 피처리 기판을 초음파 세정하기 위한 세정 플레이트와 세정액을 공급하는 세정액 공급 노즐을 구비하고 상기 피처리 기판에 대하여 화학적 습식 세정 공정을 수행한다.In one embodiment, the wet processing module includes a cleaning plate for ultrasonic cleaning the substrate to be processed and a cleaning liquid supply nozzle for supplying a cleaning liquid, and performs a chemical wet cleaning process on the target substrate.

일 실시예에 있어서, 상기 제2 기판이송모듈은 상기 피처리 기판을 이송하기 위한 복수개의 이송암과 상기 복수개의 이송암을 회동 및 승하강 동작시키는 구동축을 구비하는 이송로봇을 포함한다.In one embodiment, the second substrate transfer module includes a transfer robot having a plurality of transfer arms for transferring the substrate to be processed and a drive shaft for rotating and moving the transfer arms upward and downward.

일 실시예에 있어서, 상기 건식처리모듈은 상기 피처리 기판이 안착되는 복수개의 건식 처리 스테이지를 포함하고, 상기 복수개의 건식 처리 스테이지는 상기 복수개의 이송암의 회동 경로 위에 정렬된다.In one embodiment, the dry processing module includes a plurality of dry processing stages on which the substrate to be processed is placed, and the plurality of dry processing stages are aligned on the rotation path of the plurality of transfer arms.

일 실시예에 있어서, 상기 제3 기판이송모듈은 상기 피처리 기판을 이송하기 위한 복수개의 이송암과 상기 복수개의 이송암을 회동 및 승하강 동작시키는 구동축을 구비하는 이송로봇을 포함한다.In one embodiment, the third substrate transfer module includes a transfer robot having a plurality of transfer arms for transferring the substrate to be processed and a drive shaft for rotating and moving up and down the transfer arms.

일 실시예에 있어서, 상기 습식처리모듈은 상기 피처리 기판이 안착되는 복수개의 습식 처리 스테이지를 포함하고, 상기 복수개의 습식 처리 스테이지는 상기 복수개의 이송암의 회동 경로 위에 정렬된다.In one embodiment, the wet processing module includes a plurality of wet processing stages on which the substrate to be processed is seated, and the plurality of wet processing stages are aligned on the rotation path of the plurality of transfer arms.

일 실시예에 있어서, 상기 제2 기판이송모듈은 상기 제1 기판이송모듈과 상기 피처리 기판을 교환하는 과정에서는 대기압 상태를 상기 건식처리모듈에서 상기 피처리 기판을 로딩/언로딩하는 과정에서는 진공 상태를 각각 갖는다.In an exemplary embodiment, the second substrate transfer module may transfer the atmospheric pressure state from the first substrate transfer module to the substrate to be processed in the process of loading / unloading the substrate from the dry processing module, Respectively.

일 실시예에 있어서, 상기 기판처리설비의 동작을 제어하기 위한 제어부를 포함하고, 상기 제어부는 상기 건식처리모듈과 상기 습식처리모듈의 동작 가능 여부에 따라 상기 피처리 기판을 상기 건식처리모듈과 상기 습식처리모듈에서 건식 및 습식 처리를 순차적으로 진행하거나 또는 선택적으로 어느 하나만을 처리하도록 제어한다.In one embodiment, the apparatus includes a controller for controlling the operation of the substrate processing apparatus, wherein the controller controls the substrate processing apparatus according to whether the dry processing module and the wet processing module are operable, The wet processing module controls the dry and wet processing to proceed sequentially or, alternatively, to process only one of them.

본 발명의 다른 일면은 건식 및 습식 처리를 위한 단일 플랫폼의 기판 처리 설비에 관한 것이다. 본 발명의 다른 일면에 따른 건식 및 습식 처리를 위한 단일 플랫폼의 기판 처리 설비는 피처리 기판이 대기하는 전방단부모듈; 상기 피처리 기판을 건식 처리하기 위한 건식처리모듈; 상기 피처리 기판을 습식 처리하기 위한 습식처리모듈; 상기 건식처리모듈에서 건식 처리된 피처리 기판과 상기 습식처리모듈에서 습식 처리된 피처리 기판을 임시 보관하기 위한 버퍼모듈; 상기 전방단부모듈과 상기 버퍼모듈에서 상기 피처리 기판을 로딩/언로딩하기 위한 제1 기판이송모듈; 및 처리전의 피처리 기판을 상기 제1 기판이송모듈로부터 인수받아 상기 건식처리모듈로 로딩하고, 상기 건식처리모듈에서 건식 처리된 피처리 기판을 언로딩하여 상기 제1 기판이송모듈로 인계하는 제2 기판이송모듈; 및 상기 건식 처리된 피처리 기판을 상기 버퍼 모듈에서 인출하여 상기 습식처리모듈로 로딩하고, 상기 습식처리모듈에서 습식 처리된 피처리 기판을 언로딩하여 상기 버퍼 모듈에 적재하는 제3 기판이송모듈을 포함한다.Another aspect of the invention relates to a single platform substrate processing facility for dry and wet processing. According to another aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus of a single platform for dry and wet processing, including: a front end module on which a substrate to be processed is waiting; A dry processing module for dry processing the substrate to be processed; A wet processing module for wet processing the substrate to be processed; A buffer module for temporarily storing a substrate subjected to dry processing by the dry processing module and a substrate subjected to wet processing by the wet processing module; A first substrate transfer module for loading / unloading the substrate to be processed from the front end module and the buffer module; And a second substrate transfer module for transferring the substrate to be processed to the first substrate transfer module, wherein the first substrate transfer module receives the substrate from the first substrate transfer module, loads the substrate to be processed into the dry process module, unloads the dry- A substrate transfer module; And a third substrate transfer module for loading the wet processed substrate from the buffer module and loading the processed substrate into the wet processing module, unloading the wet processed substrate from the wet processing module, and loading the processed substrate on the buffer module .

일 실시예에 있어서, 상기 건식처리모듈은 플라즈마 소스를 구비하고 상기 피처리 기판에 대하여 플라즈마 에싱 공정을 수행한다.In one embodiment, the dry processing module has a plasma source and performs a plasma ashing process on the substrate to be processed.

일 실시예에 있어서, 상기 습식처리모듈은 상기 피처리 기판을 초음파 세정하기 위한 세정 플레이트와 세정액을 공급하는 세정액 공급 노즐을 구비하고 상기 피처리 기판에 대하여 화학적 습식 세정 공정을 수행한다.In one embodiment, the wet processing module includes a cleaning plate for ultrasonic cleaning the substrate to be processed and a cleaning liquid supply nozzle for supplying a cleaning liquid, and performs a chemical wet cleaning process on the target substrate.

일 실시예에 있어서, 상기 제2 기판이송모듈은 상기 피처리 기판을 이송하기 위한 복수개의 이송암과 상기 복수개의 이송암을 회동 및 승하강 동작시키는 구동축을 구비하는 이송로봇을 포함한다.In one embodiment, the second substrate transfer module includes a transfer robot having a plurality of transfer arms for transferring the substrate to be processed and a drive shaft for rotating and moving the transfer arms upward and downward.

일 실시예에 있어서, 상기 건식처리모듈은 상기 피처리 기판이 안착되는 복수개의 건식 처리 스테이지를 포함하고, 상기 복수개의 건식 처리 스테이지는 상기 복수개의 이송암의 회동 경로 위에 정렬된다.In one embodiment, the dry processing module includes a plurality of dry processing stages on which the substrate to be processed is placed, and the plurality of dry processing stages are aligned on the rotation path of the plurality of transfer arms.

일 실시예에 있어서, 상기 습식처리모듈은 상기 피처리 기판이 안착되는 복수개의 습식 처리 스테이지를 포함하고, 상기 복수개의 습식 처리 스테이지는 상기 복수개의 이송암의 회동 경로 위에 정렬된다.In one embodiment, the wet processing module includes a plurality of wet processing stages on which the substrate to be processed is seated, and the plurality of wet processing stages are aligned on the rotation path of the plurality of transfer arms.

일 실시예에 있어서, 상기 제2 기판이송모듈은 상기 제1 기판이송모듈과 상기 피처리 기판을 교환하는 과정에서는 대기압 상태를 상기 건식처리모듈에서 상기 피처리 기판을 로딩/언로딩하는 과정에서는 진공 상태를 각각 갖는다.In an exemplary embodiment, the second substrate transfer module may transfer the atmospheric pressure state from the first substrate transfer module to the substrate to be processed in the process of loading / unloading the substrate from the dry processing module, Respectively.

일 실시예에 있어서, 상기 기판처리설비의 동작을 제어하기 위한 제어부를 포함하고, 상기 제어부는 상기 건식처리모듈과 상기 습식처리모듈의 동작 가능 여부에 따라 상기 피처리 기판을 상기 건식처리모듈과 상기 습식처리모듈에서 건식 및 습식 처리를 순차적으로 진행하거나 또는 선택적으로 어느 하나만을 처리하도록 제어한다.In one embodiment, the apparatus includes a controller for controlling the operation of the substrate processing apparatus, wherein the controller controls the substrate processing apparatus according to whether the dry processing module and the wet processing module are operable, The wet processing module controls the dry and wet processing to proceed sequentially or, alternatively, to process only one of them.

본 발명의 다른 일면은 건식 및 습식 처리를 위한 단일 플랫폼의 기판 처리 설비에 관한 것이다. 본 발명의 다른 일면에 따른 건식 및 습식 처리를 위한 단일 플랫폼의 기판 처리 설비는 피처리 기판이 대기하는 전방단부모듈; 상기 피처리 기판을 건식 처리하기 위한 건식처리모듈; 상기 피처리 기판을 습식 처리하기 위한 습식처리모듈; 상기 전방단부모듈에서 상기 피처리 기판을 로딩/언로딩하기 위한 제1 기판이송모듈; 및 상기 제1 기판이송모듈로부터 처리전의 상기 피처리 기판을 인수받아 상기 건식처리모듈로 로딩하고, 상기 건식처리모듈에서 건식 처리된 상기 피처리 기판을 언로딩하여 상기 제1 기판이송모듈로 인계하는 제2 기판이송모듈을 포함하고, 상기 제1 기판이송모듈은 건식 처리된 상기 피처리 기판을 상기 제2 기판이송모듈로부터 인수받아 상기 습식처리모듈로 로딩하고, 상기 습식처리모듈에서 습식 처리된 상기 피처리 기판을 언로딩하여 상기 전방단부모듈로 로딩한다.Another aspect of the invention relates to a single platform substrate processing facility for dry and wet processing. According to another aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus of a single platform for dry and wet processing, including: a front end module on which a substrate to be processed is waiting; A dry processing module for dry processing the substrate to be processed; A wet processing module for wet processing the substrate to be processed; A first substrate transfer module for loading / unloading the substrate to be processed in the front end module; And a second substrate transfer module for transferring the processed substrate from the first substrate transfer module to the dry processing module after receiving the substrate from the first substrate transfer module, unloading the dry processed substrate from the dry processing module, And a second substrate transfer module, wherein the first substrate transfer module receives the dry substrate from the second substrate transfer module and loads the dry substrate into the wet process module, and the wet process module The target substrate is unloaded and loaded into the front end module.

일 실시예에 있어서, 상기 건식처리모듈은 플라즈마 소스를 구비하고 상기 피처리 기판에 대하여 플라즈마 에싱 공정을 수행한다.In one embodiment, the dry processing module has a plasma source and performs a plasma ashing process on the substrate to be processed.

일 실시예에 있어서, 상기 습식처리모듈은 상기 피처리 기판을 초음파 세정하기 위한 세정 플레이트와 세정액을 공급하는 세정액 공급 노즐을 구비하고 상기 피처리 기판에 대하여 화학적 습식 세정 공정을 수행한다.In one embodiment, the wet processing module includes a cleaning plate for ultrasonic cleaning the substrate to be processed and a cleaning liquid supply nozzle for supplying a cleaning liquid, and performs a chemical wet cleaning process on the target substrate.

일 실시예에 있어서, 상기 제2 기판이송모듈은 상기 피처리 기판을 이송하기 위한 복수개의 이송암과 상기 복수개의 이송암을 회동 및 승하강 동작시키는 구동축을 구비하는 이송로봇을 포함한다.In one embodiment, the second substrate transfer module includes a transfer robot having a plurality of transfer arms for transferring the substrate to be processed and a drive shaft for rotating and moving the transfer arms upward and downward.

일 실시예에 있어서, 상기 건식처리모듈은 상기 피처리 기판이 안착되는 복수개의 건식 처리 스테이지를 포함하고, 상기 복수개의 건식 처리 스테이지는 상기 복수개의 이송암의 회동 경로 위에 정렬된다.In one embodiment, the dry processing module includes a plurality of dry processing stages on which the substrate to be processed is placed, and the plurality of dry processing stages are aligned on the rotation path of the plurality of transfer arms.

일 실시예에 있어서, 상기 습식처리모듈은 상기 피처리 기판이 안착되는 복수개의 습식 처리 스테이지를 포함하고, 상기 복수개의 습식 처리 스테이지는 상기 복수개의 이송암의 회동 경로 위에 정렬된다.In one embodiment, the wet processing module includes a plurality of wet processing stages on which the substrate to be processed is seated, and the plurality of wet processing stages are aligned on the rotation path of the plurality of transfer arms.

일 실시예에 있어서, 상기 제2 기판이송모듈은 상기 제1 기판이송모듈과 상기 피처리 기판을 교환하는 과정에서는 대기압 상태를 상기 건식처리모듈에서 상기 피처리을 로딩/언로딩하는 과정에서는 진공 상태를 각각 갖는다.In one embodiment, in the process of exchanging the first substrate transfer module and the substrate to be processed, the second substrate transfer module performs a vacuum state in the process of loading / unloading the object to be processed from the dry processing module Respectively.

일 실시예에 있어서, 상기 기판처리설비의 동작을 제어하기 위한 제어부를 포함하고, 상기 제어부는 상기 건식처리모듈과 상기 습식처리모듈의 동작 가능 여부에 따라 상기 피처리 기판을 상기 건식처리모듈과 상기 습식처리모듈에서 건식 및 습식 처리를 순차적으로 진행하거나 또는 선택적으로 어느 하나만을 처리하도록 제어한다.In one embodiment, the apparatus includes a controller for controlling the operation of the substrate processing apparatus, wherein the controller controls the substrate processing apparatus according to whether the dry processing module and the wet processing module are operable, The wet processing module controls the dry and wet processing to proceed sequentially or, alternatively, to process only one of them.

본 발명의 건식 및 습식 처리를 위한 단일 플랫폼의 기판 처리 설비는 건식 및 습식 처리를 하나의 단일 플랫폼에서 수행하여 피처리 기판의 오염을 방지할 수 있으며 설비의 바닥 면적을 최소화 할 수 있다. 또한 각각의 건식 처리 설비와 습식 처리 설비를 독립적으로 구성하여 운영하는 방식과 비교하여 설비구축 비용이나 운영 및 유지보수 비용 측면에 있어서도 절감 효과를 얻을 수 있다.The single platform substrate processing facility for dry and wet processing of the present invention can perform dry and wet processing on one single platform to prevent contamination of the substrate to be processed and to minimize the floor area of the facility. In addition, compared to the case where each dry processing facility and the wet processing facility are independently constructed, it is possible to reduce the facility construction cost and operation and maintenance cost.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판처리설비의 전반적인 구성을 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 습식처리모듈에 구비되는 초음파세정장치의 구성을 보여주는 도면이다.
도 3은 도 1의 제2 기판이송모듈의 기판 이송 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 기판처리설비에서 건식처리모듈과 습식처리모듈의 변형 구조들을 보여주는 도면이다.
도 5는 습식처리모듈을 2단 또는 3단으로 구성한 예를 보여주는 도면이다.
도 6은 기판처리설비의 전반적인 동작 수순을 보여주는 순서도이다.
도 7은 도 6의 단계 S200에서의 기판처리설비의 동작 수순을 보여주는 도면이다.
도 8은 도 7의 동작 수순에 따른 기판 이송 경로를 보여주는 도면이다.
도 9는 도 6의 단계 S210에서의 기판처리설비의 동작 수순을 보여주는 도면이다.
도 10은 도 9의 동작 수순에 따른 기판 이송 경로를 보여주는 도면이다.
도 11은 도 6의 단계 S220에서의 기판처리설비의 동작 수순을 보여주는 도면이다.
도 12는 도 11의 동작 수순에 따른 기판 이송 경로를 보여주는 도면이다.
도 13은 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판처리설비의 전반적인 구성을 보여주는 도면이다.
도 14는 도 13의 습식처리모듈을 2단으로 구성한 예를 보여주는 도면이다.
도 15는 본 발명의 제3 실시예에 따른 기판처리설비의 전반적인 구성을 보여주는 도면이다.
도 16 내지 도 20은 본 발명의 제3 실시예에 따른 기판처리설비의 변형예들을 예시하는 도면이다.
도 21은 본 발명의 제4 실시예에 따른 기판처리설비의 전반적인 구성을 보여주는 도면이다.
도 22 및 도 23은 본 발명의 제4 실시예에 따른 기판처리설비의 변형예들을 예시하는 도면이다.FIG. 1 is a view showing the overall configuration of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a view showing a configuration of an ultrasonic cleaning apparatus provided in the wet processing module of FIG. 1;
FIG. 3 is a view for explaining a substrate transferring structure of the second substrate transfer module of FIG. 1. FIG.
4 is a view showing the modified structures of the dry processing module and the wet processing module in the substrate processing facility.
Fig. 5 is a view showing an example in which the wet processing module is composed of two stages or three stages.
6 is a flowchart showing the overall operation procedure of the substrate processing apparatus.
7 is a view showing an operational procedure of the substrate processing equipment in step S200 of Fig.
8 is a view showing a substrate transfer path according to the operation procedure of FIG.
FIG. 9 is a view showing an operation procedure of the substrate processing apparatus in step S210 of FIG.
10 is a view showing a substrate transfer path according to the operation procedure of FIG.
11 is a view showing an operational procedure of the substrate processing equipment in step S220 of FIG.
12 is a view showing a substrate transfer path according to the operation procedure of FIG.
FIG. 13 is a view showing an overall configuration of a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 14 is a view showing an example in which the wet processing module of FIG. 13 is configured in two stages.
15 is a view showing the overall configuration of a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.
16 to 20 are views illustrating modifications of the substrate processing apparatus according to the third embodiment of the present invention.
FIG. 21 is a view showing the overall configuration of a substrate processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.
22 and 23 are views illustrating modifications of the substrate processing apparatus according to the fourth embodiment of the present invention.

본 발명을 충분히 이해하기 위해서 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상세히 설명하는 실시예로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공 되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어 표현될 수 있다. 각 도면에서 동일한 구성은 동일한 참조부호로 도시한 경우가 있음을 유의하여야 한다. 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 기술은 생략된다.For a better understanding of the present invention, a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention may be modified into various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described in detail below. The present embodiments are provided to enable those skilled in the art to more fully understand the present invention. Therefore, the shapes and the like of the elements in the drawings can be exaggeratedly expressed to emphasize a clearer description. It should be noted that the same components are denoted by the same reference numerals in the drawings. Detailed descriptions of well-known functions and constructions which may be unnecessarily obscured by the gist of the present invention are omitted.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판처리설비의 전반적인 구성을 보여주는 도면이고, 도 2는 도 1의 습식처리모듈에 구비되는 초음파세정장치의 구성을 보여주는 도면이다. 그리고 도 3은 도 1의 제2 기판이송모듈의 기판 이송 구조를 설명하기 위한 도면이다.FIG. 1 is a view showing the overall configuration of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a view showing a configuration of an ultrasonic cleaning apparatus provided in the wet processing module of FIG. And FIG. 3 is a view for explaining the substrate transferring structure of the second substrate transfer module of FIG.

도 1 내지 도 3을 참조하여, 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판처리설비(100)는 웨이퍼가 적재된 카세트(210)가 위치하는 전방단부모듈(EFEM)(200), 제1 기판이송모듈(300), 제2 기판이송모듈(400), 건식처리모듈(500), 습식처리모듈(600)을 포함한다. 그리고 제2 기판이송모듈(410)과 건식처리모듈(500)을 위한 진공펌프(440, 540)이 구비된다. 전방단부모듈(200)은 피처리 기판이 대기하는 부분으로 다수 개의 카셋트(210)가 구비된다. 제1 기판이송모듈(300)은 전방단부모듈(200)과 연결되고, 전방단부모듈(200)에서 피처리 기판을 로딩/언로딩하기 위한 제1 기판이송로봇(310)이 구비된다.
제2 기판이송모듈(400)은 피처리 기판을 이송하기 위한 제2 기판이송로봇(410)이 구비된다. 제2 기판이송모듈(400)은 대기압 상태에서 게이트 밸브(700)를 개방하고, 제2 기판이송로봇(410)은 제1 기판이송로봇(310)으로부터 처리전의 피처리 기판을 인수받는다. 제2 기판이송모듈(400)은 게이트 밸브(700)을 닫은 후 진공상태로 전환하고 게이트 밸브(710)를 개방하여 피처리 기판을 건식처리모듈로 로딩한다. 제2 기판이송모듈(400)은 다시 진공상태로 전환하고 게이트 밸브(720)를 개방하여 건식처리모듈에서 건식처리된 피처리 기판을 언로딩한다. 제2 기판이송모듈(400)은 대기압 상태로 전환한 후 게이트 밸브(720)를 개방하여 피처리 기판을 습식처리모듈(600)로 로딩한다. 또한 제2 기판이송모듈(400)은 대기압 상태에서 게이트 밸브(720)를 개방하여 습식처리모듈에서 습식처리된 피처리 기판을 언로딩하여 제1 기판이송모듈(300)의 제1 기판이송로봇(310)으로 인계한다.
제2 기판이송로봇(410)은 피처리 기판을 이송하기 위한 복수 개의 이송암(412) 및 복수 개의 이송암(412)을 회동 및 승하강 동작시키는 구동축(414)으로 구성된다. 복수 개의 이송암(412)은 구동축(414)을 중심으로 회동하며 건식처리모듈(500)과 습식처리모듈(600) 사이에서 기판을 이송한다.
건식처리모듈(500)은 제1 기판이송모듈(300)의 후방에 위치하고, 플라즈마 소스(550)를 구비하여 플라즈마 에싱 공정을 진행한다. 습식처리모듈(600)은 피처리 기판을 초음파 세정하기 위한 세정 플레이트(630)와 세정액을 공급하는 세정액 공급 노즐(634)을 구비하고 피처리 기판에 대하여 화학적 습식 세정 공정을 수행한다. 건식처리모듈(500)과 습식처리모듈(600)은 복수개의 기판을 동시에 처리할 수 있도록 복수개의 처리 스테이지(510, 610)가 구비될 수 있으나 또는 하나의 피처리 기판을 단일로 처리하기 위한 단일 처리 스테이지(510, 610)가 구비될 수도 있다. 건식처리모듈(500)과 습식처리모듈(600)에 구비된 복수 개의 처리스테이지(510, 610)는 제2 기판이송로봇(410)의 이송암(412) 회동경로 위에 정렬된다.
제어부(800)는 기판처리설비(100)의 전반적인 동작을 제어한다. 제어부(800)는 건식처리모듈(500)과 제2 기판이송모듈(400)에 연결된 진공펌프(540, 440)를 제어한다. 각각의 모듈들은 기판 처리나 이송을 위하여 대기압 또는 진공 상태를 갖는다. 제2 기판이송모듈(400)은 제1 기판이송모듈(300)과 피처리 기판을 교환하는 과정에서는 대기압 상태를 유지하고, 건식처리모듈(500)과 피처리 기판을 로딩/언로딩하는 과정에서는 진공펌프(540)를 제어하여 진공상태를 유지한다. 또한 제2 기판이송모듈(400)은 습식처리모듈(600)과 피처리 기판을 로딩/언로딩하는 과정에서는 대기압 상태를 유지한다.
제어부(800)는 기판처리설비(100)의 전반적인 동작을 제어한다. 제어부(800)는 건식처리모듈(500)과 습식처리모듈(600)의 동작 가능 여부에 따라 건식처리모듈(500)과 습식처리모듈(600)에서 건식 및 습식처리를 순차적으로 진행하거나 또는 선택적으로 어느 하나만을 처리하도록 제어한다. 1 to 3, a substrate processing apparatus 100 according to a first embodiment of the present invention includes a front end module (EFEM) 200 in which a cassette 210 on which a wafer is loaded, Module 300, a second substrate transfer module 400, a dry processing module 500, and a wet processing module 600. And vacuum pumps 440 and 540 for the second substrate transfer module 410 and the dry processing module 500 are provided. The front end module 200 is provided with a plurality of cassettes 210 as a waiting portion of the substrate to be processed. The first substrate transfer module 300 is connected to the front end module 200 and includes a first substrate transfer robot 310 for loading / unloading the substrate to be processed from the front end module 200.
The second substrate transfer module 400 includes a second substrate transfer robot 410 for transferring a substrate to be processed. The second substrate transfer robot 400 opens the gate valve 700 at the atmospheric pressure state and the second substrate transfer robot 410 receives the processed substrate before the processing from the first substrate transfer robot 310. The second substrate transfer module 400 closes the gate valve 700 and then switches to a vacuum state and opens the gate valve 710 to load the substrate to be processed into the dry processing module. The second substrate transfer module 400 switches again to the vacuum state and opens the gate valve 720 to unload the dry processed substrate from the dry processing module. After the second substrate transfer module 400 is switched to the atmospheric pressure state, the gate valve 720 is opened to load the substrate to be processed into the wet processing module 600. The second substrate transfer module 400 opens the gate valve 720 in the atmospheric pressure state to unload the wet processed substrate from the wet processing module and transfer the unprocessed substrate to the first substrate transfer robot 300 310).
The second substrate transfer robot 410 includes a plurality of transfer arms 412 for transferring the substrates to be processed and a drive shaft 414 for rotating and moving up and down the plurality of transfer arms 412. The plurality of transfer arms 412 pivot about the drive shaft 414 and transport the substrate between the dry processing module 500 and the wet processing module 600.
The dry processing module 500 is located behind the first substrate transfer module 300 and includes a plasma source 550 to perform the plasma ashing process. The wet processing module 600 includes a cleaning plate 630 for ultrasonic cleaning the substrate to be processed and a cleaning liquid supply nozzle 634 for supplying a cleaning liquid, and performs a chemical wet cleaning process on the substrate to be processed. The dry processing module 500 and the wet processing module 600 may be provided with a plurality of processing stages 510 and 610 for simultaneously processing a plurality of substrates, Processing stages 510 and 610 may be provided. The plurality of processing stages 510 and 610 provided in the dry processing module 500 and the wet processing module 600 are aligned on the rotation path of the transfer arm 412 of the second substrate transfer robot 410.
The control unit 800 controls the overall operation of the substrate processing facility 100. The control unit 800 controls the vacuum processing units 540 and 440 connected to the dry processing module 500 and the second substrate transfer module 400. Each module has an atmospheric pressure or a vacuum for substrate processing or transport. The second substrate transfer module 400 maintains the atmospheric pressure state in the process of exchanging the first substrate transfer module 300 and the substrate to be processed, and in the process of loading / unloading the dry process module 500 and the substrate to be processed The vacuum pump 540 is controlled to maintain the vacuum state. The second substrate transfer module 400 maintains the atmospheric pressure state in the process of loading / unloading the wet processing module 600 and the substrate to be processed.
The control unit 800 controls the overall operation of the substrate processing facility 100. The control unit 800 sequentially performs the dry and wet processes in the dry process module 500 and the wet process module 600 according to whether the dry process module 500 and the wet process module 600 are operable or selectively And controls only one of them to process.

습식처리모듈(600)은 습식처리스테이지(610) 위에 피처리 기판(예를 들어, 웨이퍼 기판)(636)이 놓이고 그 위에 세정 플레이트(630)가 수막을 사이에 두고 밀착하여 초음파 세정을 실시한다. 이때, 세정 플레이트(630)와 습식처리스테이지(610)가 회전한다. 세정액 공급모듈(620)을 통하여 공급되는 화학적 세정액과 DI 워터등의 세정액은 세정액 공급 노즐(634)을 통하여 피처리 기판(636)으로 분사되어 수막(635)을 형성한다. 세정 후에 화학적 세정액과 DI 워터 등의 세정액은 세정액 회수 가이드(637)와 세정액 회수부(624)를 통하여 회수되어 재사용될 수 있다. 세정 플레이트(630)는 메가소닉장치(631), 압전변환기(632), 공명기(633)가 적층된 구조를 가질 수 있다. 세정 플레이트(630)에 사용되는 초음파는 메가 소닉이나 울트라 소닉이 사용될 수 있다.The wet processing module 600 is configured such that a substrate to be processed (for example, a wafer substrate) 636 is placed on the wet processing stage 610 and the cleaning plate 630 is brought into close contact with the water film through the water film to perform ultrasonic cleaning do. At this time, the cleaning plate 630 and the wet processing stage 610 rotate. The cleaning liquid such as the chemical cleaning liquid and DI water supplied through the cleaning liquid supply module 620 is sprayed onto the substrate to be processed 636 through the cleaning liquid supply nozzle 634 to form the water film 635. After the cleaning, the cleaning liquid such as the chemical cleaning liquid and the DI water can be recovered through the cleaning liquid recovery guide 637 and the cleaning liquid recovery unit 624 and reused. The cleaning plate 630 may have a structure in which a megasonic device 631, a piezoelectric transducer 632, and a resonator 633 are laminated. The ultrasonic wave used for the cleaning plate 630 may be megasonic or ultrasonic.

도 4는 기판처리설비에서 건식처리모듈과 습식처리모듈의 변형 구조들을 보여주는 도면이다.4 is a view showing the modified structures of the dry processing module and the wet processing module in the substrate processing facility.

도 4를 참조하여, 제2 기판이송모듈(400)과 건식처리모듈(500) 그리고 습식처리모듈(600)은 도 4의 (a), (b), (c)에 도시한 바와 같이 각각의 모듈에서 처리 스테이지(510, 610)의 개수가 변형될 수 있으며 이에 따라 제2 기판이송로봇(410)의 회동 반경도 그에 적합하게 변형될 수 있다.Referring to FIG. 4, the second substrate transfer module 400, the dry processing module 500, and the wet processing module 600, as shown in FIGS. 4A, 4B, and 4C, The number of the processing stages 510 and 610 in the module can be modified and accordingly the turning radius of the second substrate transfer robot 410 can be appropriately modified.

도 5는 습식처리모듈을 2단 또는 3단으로 구성한 예를 보여주는 도면이다.Fig. 5 is a view showing an example in which the wet processing module is composed of two stages or three stages.

도 5를 참조하여, 습식처리모듈(600)은 2단이나 3단으로 적층된 구성을 가질 수 있으며 1단으로 구성될 수 도 있다. 각각의 단수에 따라 제2 기판이송로봇(410)의 승강 높이가 변경될 수 있다. Referring to FIG. 5, the wet processing module 600 may have a stacked structure of two or three stages and may be configured as a single stage. The elevation height of the second substrate transfer robot 410 can be changed according to the number of stages.

도 6은 기판처리설비의 전반적인 동작 수순을 보여주는 순서도이다.6 is a flowchart showing the overall operation procedure of the substrate processing apparatus.

도 6을 참조하여, 단계 S100에서 건식 공정 가능 상태와 습식 공정 가능 상태를 판단한다. 건식, 습식 처리 가능한 경우에는 단계 S200에서 건식 공정과 습식 공정을 위한 설비 제어가 이루어진다. 건식 공정만 가능한 경우에는 단계 S210)에서 건식 공정을 위한 설비 제어가 이루어진다. 습식공정만 가능한 경우에는 단계 S220에서 습식 공정을 위한 설비 제어가 이루어진다. 그리고 습식 또는 건식 중 어느 하나의 공정만 가능한 경우에는 각각 단계 S300과 S320에서 유지 보수가 필요함을 알람 시킨다. 단계 S400에서는 공정이 완료되었는가를 판단하여 미완료시에는 공정 제어가 순환하여 반복된다.Referring to FIG. 6, in step S100, a dry processable state and a wet processable state are determined. If dry and wet processing is possible, facility control for the dry process and the wet process is performed in step S200. If only the dry process is possible, facility control for the dry process is performed in step S210. If only a wet process is possible, facility control for the wet process is performed in step S220. If only one of the wet process and the dry process is possible, it is alarmed that maintenance is required in steps S300 and S320, respectively. In step S400, it is determined whether or not the process is completed. When the process is incomplete, the process control is repeatedly performed.

도 7은 도 6의 단계 S200에서의 기판처리설비의 동작 수순을 보여주는 도면이고, 도 8은 도 7의 동작 수순에 따른 기판 이송 경로를 보여주는 도면이다.FIG. 7 is a view showing an operation procedure of the substrate processing facility in step S200 of FIG. 6, and FIG. 8 is a view showing a substrate transfer path in accordance with the operation procedure of FIG.

도 7 및 도 8을 참조하여, 단계 S201에서는 전방단부모듈로부터 제1 및 제2 기판이송모듈을 통해서 건식처리모듈로 기판 이송된다. 단계 S202에서는 건식처리모듈에서 피처리 기판 건식 처리된다. 단계 S203에서는 건식처리모듈에서 제2 기판이송모듈을 통해 습식처리모듈로 기판 이송된다. 단계 S204에서는 습식처리모듈에서 피처리 기판 습식 처리된다. 단계 S205에서는 습식처리모듈에서 제2 및 제1 기판이송모듈을 통해 전방단부모듈로 피처리 기판 이송된다.Referring to Figs. 7 and 8, in step S201, the substrate is transferred from the front end module to the dry processing module through the first and second substrate transfer modules. In step S202, the target substrate is dry-processed in the dry process module. In step S203, the substrate is transferred from the dry processing module to the wet processing module via the second substrate transfer module. In step S204, the target substrate is subjected to wet processing in the wet processing module. In step S205, the target substrate is transferred from the wet processing module to the front end module via the second and first substrate transfer modules.

도 9는 도 6의 단계 S210에서의 기판처리설비의 동작 수순을 보여주는 도면이고, 도 10은 도 9의 동작 수순에 따른 기판 이송 경로를 보여주는 도면이다.FIG. 9 is a view showing an operation procedure of the substrate processing facility in step S210 of FIG. 6, and FIG. 10 is a view showing a substrate transfer path in accordance with the operation procedure of FIG.

도 9 및 도 11을 참조하여, 단계 S211에서는 전방단부모듈로부터 제1 및 제2 기판이송모듈을 통해서 건식처리모듈로 기판 이송된다. 단계 S212에서는 건식처리모듈에서 피처리 기판 건식 처리된다. 단계 S213에서는 건식처리모듈에서 제2 및 제1 기판이송모듈을 통해 전방단부모듈로 피처리 기판 이송된다.9 and 11, in step S211, the substrate is transferred from the front end module to the dry processing module through the first and second substrate transfer modules. In step S212, the target substrate is dry-processed in the dry process module. In step S213, the substrate to be processed is transferred from the dry process module to the front end module through the second and first substrate transfer modules.

도 11은 도 6의 단계 S220에서의 기판처리설비의 동작 수순을 보여주는 도면이고, 도 12는 도 11의 동작 수순에 따른 기판 이송 경로를 보여주는 도면이다.FIG. 11 is a view showing an operation procedure of the substrate processing facility in step S220 of FIG. 6, and FIG. 12 is a view showing a substrate transfer path in accordance with the operation procedure of FIG.

도 11 및 도 12를 참조하여, 단계 S221에서는 전방단부모듈로부터 제1 및 제2 기판이송모듈을 통해서 습식처리모듈로 기판 이송된다. 단계 S222에서는 습식처리모듈에서 피처리 기판 습식 처리된다. 단계 S223에서는 습식처리모듈에서 제2 및 제1 기판이송모듈을 통해 전방단부모듈로 피처리 기판 이송된다.11 and 12, in step S221, the substrate is transferred from the front end module to the wet processing module through the first and second substrate transfer modules. In step S222, the target substrate is subjected to wet processing in the wet processing module. In step S223, the target substrate is transferred from the wet processing module to the front end module through the second and first substrate transfer modules.

도 13은 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판처리설비의 전반적인 구성을 보여주는 도면이고, 도 14는 도 13의 습식처리모듈을 2단으로 구성한 예를 보여주는 도면이다.FIG. 13 is a view showing an overall configuration of a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 14 is a view showing an example in which the wet processing module of FIG. 13 is configured in two stages.

도 13 및 도 14를 참조하여, 본 발명의 제2 실시예는 제3 기판이송모듈(420)를 추가로 구비하여 제2 기판이송모듈(400)은 건식처리모듈(500)을 위한 기판 이송을 담당하고, 제3 기판이송모듈(420)은 습식처리모듈(600)의 일측에 구비되어 습식처리모듈(600)을 위한 기판 이송을 담당한다. 제3 기판이송모듈(420)에는 습식처리모듈(600)로 기판을 로딩/언로딩하기 위한 제3 기판이송로봇(430)이 구비된다. 제3 기판이송로봇(430)은 제2 기판이송로봇(410)과 동일한 구조로 구동축을 중심으로 회동한다. 또한 습식처리모듈(600) 내의 복수 개의 처리스테이지(610)는 제2 기판이송로봇(410)의 이송암(412) 회동 경로 위에 정렬된다.
제2 기판이송모듈(410)은 대기압 상태에서 제1 기판이송모듈(300) 사이에 구비된 게이트 밸브(700)를 열어 제1 기판이송모듈(300)로부터 처리전 피처리 기판을 인수받는다. 제2 기판이송모듈(410)은 진공상태로 전환 후 건식처리모듈(500)과의 사이에 구비된 게이트 밸브(710)를 열어 건식처리모듈(500)로 피처리 기판을 로딩한다. 건식처리 후 제2 기판이송모듈(410)은 진공상태에서 다시 게이트 밸브(710)를 열어 건식처리된 피처리 기판을 언로딩하며, 대기압 상태로 다시 전환 후 게이트 밸브(700)를 열어 제1 기판이송모듈(300)로 기판을 인계한다.
제3 기판이송모듈(420)은 대기압 상태에서 제1 기판이송모듈(300)과의 사이에 구비된 게이트 밸브(730)를 열어 제1 기판이송모듈(300)로부터 건식처리된 기판을 인수받고, 대기압 상태에서 습식처리모듈(600)과의 사이에 구비된 게이트 밸브(740)를 열어 습식처리모듈(600)로 기판을 로딩한다. 습식 처리 후 제3 기판이송모듈(420)은 대기압 상테에서 다시 게이트 밸브(740)를 열어 습식처리된 기판을 언로딩하고 게이트 밸브(730)를 열어 제1 기판이송모듈(300)로 처리된 기판을 인계한다.
또한 습식처리모듈(600)이 적층된 구조인 경우, 제3 기판이송모듈(420)의 제3 기판이송로봇(430)은 적층된 습식처리모듈(600)로 피처리 기판을 로딩/ 언로딩할 수 있도록 승강높이를 조절할 수 있다. 제3 기판이송로봇(430)은 제2 기판이송로봇(410)과 동일한 구조로 형성된다. 이외에는 상술한 실시예와 동일하다.
13 and 14, the second embodiment of the present invention further includes a third substrate transfer module 420 so that the second substrate transfer module 400 can transfer the substrate for the dry process module 500 And the third substrate transfer module 420 is provided at one side of the wet processing module 600 to transfer substrates for the wet processing module 600. The third substrate transferring module 420 is provided with a third substrate transfer robot 430 for loading / unloading the substrate with the wet processing module 600. The third substrate transfer robot 430 rotates about the drive shaft in the same structure as the second substrate transfer robot 410. A plurality of processing stages 610 in the wet processing module 600 are aligned on the transfer path of the transfer arm 412 of the second substrate transfer robot 410. [
The second substrate transfer module 410 opens the gate valve 700 provided between the first substrate transfer modules 300 in an atmospheric pressure state to receive the substrate to be processed from the first substrate transfer module 300. The second substrate transfer module 410 opens the gate valve 710 provided between the second substrate transfer module 410 and the dry process module 500 after switching to the vacuum state and loads the substrate to be processed into the dry process module 500. After the dry processing, the second substrate transfer module 410 opens the gate valve 710 again in a vacuum state, unloads the dry substrate to be processed, switches the substrate to the atmospheric pressure state, opens the gate valve 700, The transfer module 300 takes over the substrate.
The third substrate transfer module 420 opens the gate valve 730 provided between the third substrate transfer module 420 and the first substrate transfer module 300 under atmospheric pressure to receive the substrate subjected to the dry process from the first substrate transfer module 300, The substrate is loaded into the wet processing module 600 by opening the gate valve 740 provided between the wet processing module 600 and the atmospheric pressure state. After the wet processing, the third substrate transfer module 420 opens the gate valve 740 again at the atmospheric pressure to unload the wet processed substrate, opens the gate valve 730, and transfers the substrate processed by the first substrate transfer module 300 .
When the wet processing module 600 is stacked, the third substrate transfer robot 430 of the third substrate transfer module 420 loads / unloads the substrate to be processed by the wet processing module 600 The elevation height can be adjusted. The third substrate transfer robot 430 is formed in the same structure as the second substrate transfer robot 410. Otherwise, it is the same as the above-described embodiment.

도 15는 본 발명의 제3 실시예에 따른 기판처리설비의 전반적인 구성을 보여주는 도면이고, 도 16 내지 도 20은 본 발명의 제3 실시예에 따른 기판처리설비의 변형예들을 예시하는 도면이다.FIG. 15 is a view showing an overall configuration of a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention, and FIGS. 16 to 20 are views illustrating modifications of the substrate processing apparatus according to the third embodiment of the present invention.

도 15 내지 도 20을 참조하여, 본 발명의 제3 실시예는 제1 버퍼모듈(770)과 제4 기판이송모듈(910)을 추가로 구비하여 건식처리된 피처리 기판은 제1 버퍼모듈(770)을 통하여 습식처리모듈(600)로 이송된다. 제4 기판이송모듈(910)은 제4 기판이송로봇(920)이 구비되어 제1 버퍼모듈(900)과 습식처리모듈(600) 사이에서 피처리 기판을 로딩/ 언로딩한다.
제2, 3 기판이송모듈(400, 420)은 대기압 상태에서 제1 기판이송모듈(300)과 사이에 구비된 게이트 밸브(700, 730)를 열어 제1 기판이송모듈(300)로부터 처리전 피처리 기판을 인수받고, 진공상태로 전환 후 건식처리모듈(500, 520)과 사이에 구비된 게이트 밸브(710, 740)를 열어 건식처리모듈(500, 520)로 피처리 기판을 로딩한다. 제2, 3 기판이송모듈(400, 420)은 계속 진공상태를 유지하며 건식처리 후 다시 게이트 밸브(710, 740)를 열어 건식처리된 피처리 기판을 언로딩하고, 대기압 상태로 전환 후 게이트 밸브(700, 730)를 열어 제1 기판이송모듈(300)로 건식처리된 피처리 기판을 인계한다. 여기서, 건식처리모듈(500, 520)은 제1 버퍼모듈(770)을 중심으로 양측에 배치되어 동시에 기판 처리를 할 수도 있고 각각 기판 처리를 수행할 수도 있다.
제1 기판이송모듈(300)은 버퍼모듈(770)과 사이에 구비된 게이트 밸브(760)를 열어 제1 버퍼모듈(770) 내에 건식처리된 피처리 기판을 안착한다. 제4 기판이송모듈(910)은 대기압 상태에서 제1 버퍼모듈(770)과 사이에 구비된 게이트 밸브(900)를 열어 제1 버퍼모듈(770) 내에 안착된 기판을 로딩하고, 습식처리모듈(600)과 사이에 구비된 게이트 밸브(750)를 열어 습식처리모듈(600)로 기판을 로딩한다. 제4 기판이송모듈(910)은 게이트 밸브(750)를 열어 습식처리된 기판을 언로딩하며, 게이트 밸브(900)를 열어 제1 버퍼모듈(770)에 기판을 적재한다. 습식처리된 기판은 게이트 밸브(760)을 열어 제1 기판이송모듈(300)로 인계된다.
제1 기판이송모듈(300) 및 제4 기판이송모듈(910)에는 각각 기판 이송을 위한 제1, 4 기판이송로봇(310, 910)이 구비된다.
도 15에서 제4 기판이송모듈(910)은 하나의 제4 기판이송로봇(920)이 구비되어 양측으로 배치된 습식처리모듈(600)로 피처리 기판을 이송한다. 도 16에서 제4 기판이송모듈(910)은 두 개의 제4 기판이송로봇(920)이 양측으로 구비되어 양측으로 배치된 습식처리모듈(600)로 각각 피처리 기판을 이송한다. 그러므로 다수의 피처리 기판을 빠르게 이송한다.
도 17은 제1 버퍼모듈(900)을 전방배치한 구조로, 제1 기판이송로봇(310)은 건식처리모듈(400)과 피처리 기판 교환시에는 좌우로 이동하고, 제1 버퍼모듈(900)과 피처리 기판 교환시에는 전후로 이동한다.
도 18 및 도 19는 추가적으로 제4 기판이송로봇(920)이 제1 버퍼모듈(900)과 피처리 기판 교환시에는 전후 이동하여 피처리 기판을 교환하고, 좌우로 이동하며 습식처리모듈(600)과 피처리 기판을 교환한다. 이외에는 상술한 실시예와 동일한다.
그리고 도 20에 도시된 변형예의 경우에는 다른 하나의 버퍼모듈(930)과 제5 기판이송모듈(940) 그리고 다른 하나의 전방단부모듈(220)을 추가로 구비하여 설비의 전방에서 처리전 피처리기판을 공급하고 후방에서 건식 및 습식 처리된 피처리 기판을 배출하는 구조를 갖는다. 제5 기판이송모듈(940)에는 피처리 기판의 이송을 위한 제5 기판이송로봇(950)이 구비된다. 제2 버퍼모듈(930)은 게이트 밸브(780)가 개방되어 제4 기판이송로봇(920)으로부터 습식처리된 기판이 인계되고, 게이트 밸브(790)가 개방되어 제5 기판이송로봇(950)으로 기판이 인계된다. 이외에는 상술한 실시예와 동일하다.15 to 20, a third embodiment of the present invention further includes a first buffer module 770 and a fourth substrate transfer module 910, and the dry substrate is transferred to the first buffer module 770 to the wet processing module 600. The fourth substrate transfer module 910 is provided with a fourth substrate transfer robot 920 to load / unload the substrate to be processed between the first buffer module 900 and the wet processing module 600.
The second and third substrate transfer modules 400 and 420 open the gate valves 700 and 730 provided between the first substrate transfer module 300 and the first substrate transfer module 300 at the atmospheric pressure, After receiving the processing substrate and switching to the vacuum state, the gate valves 710 and 740 provided between the dry processing modules 500 and 520 are opened to load the target substrates to the dry processing modules 500 and 520. The second and third substrate transfer modules 400 and 420 maintain the vacuum state, open the gate valves 710 and 740 again after the dry processing, unload the dry substrate to be processed, (700, 730) are opened to transfer the dry-processed substrate to the first substrate transfer module (300). Here, the dry process modules 500 and 520 may be disposed on both sides of the first buffer module 770, and may perform the substrate process or the substrate process, respectively.
The first substrate transfer module 300 opens a gate valve 760 provided between the buffer module 770 and the first module transfer module 300 to place the dry processed substrate in the first buffer module 770. The fourth substrate transfer module 910 opens the gate valve 900 provided between the first buffer module 770 and the atmospheric pressure to load the substrate placed in the first buffer module 770, 600 to open the gate valve 750 to load the substrate with the wet processing module 600. [ The fourth substrate transfer module 910 opens the gate valve 750 to unload the wet processed substrate and opens the gate valve 900 to load the substrate in the first buffer module 770. The wet processed substrate is passed to the first substrate transfer module 300 by opening the gate valve 760.
The first substrate transfer module 300 and the fourth substrate transfer module 910 are respectively provided with first and fourth substrate transfer robots 310 and 910 for transferring substrates.
In FIG. 15, the fourth substrate transfer module 910 includes a fourth substrate transfer robot 920, and transfers the substrate to the wet processing module 600 disposed on both sides. 16, the fourth substrate transfer module 910 transfers the substrates to the wet processing modules 600, which are provided on both sides of the four fourth substrate transfer robots 920 on both sides. Therefore, a large number of substrates to be processed are quickly transferred.
17 shows a structure in which the first buffer module 900 is arranged in a forward direction and the first substrate transfer robot 310 moves left and right when the dry processing module 400 and the substrate to be processed are exchanged, ) And the substrate to be processed are moved back and forth.
18 and 19, the fourth substrate transfer robot 920 moves forward and backward when the first buffer module 900 and the substrate to be processed are exchanged, exchanges the substrates to be processed, moves to the left and right, And the substrate to be processed are exchanged. Otherwise, it is the same as the above-described embodiment.
In the modification shown in FIG. 20, another buffer module 930, a fifth substrate transfer module 940 and another front end module 220 are additionally provided, And a structure for supplying the substrate and discharging the dry-processed and wet-processed substrates from behind. The fifth substrate transfer module 940 is provided with a fifth substrate transfer robot 950 for transferring a substrate to be processed. The second buffer module 930 opens the gate valve 780 and takes over the wet processed substrate from the fourth substrate transfer robot 920 and opens the gate valve 790 to the fifth substrate transfer robot 950 The substrate is taken over. Otherwise, it is the same as the above-described embodiment.

도 21은 본 발명의 제4 실시예에 따른 기판처리설비의 전반적인 구성을 보여주는 도면이고, 도 22 및 도 23은 본 발명의 제4 실시예에 따른 기판처리설비의 변형예들을 예시하는 도면이다.FIG. 21 is a view showing the overall configuration of a substrate processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention, and FIGS. 22 and 23 are views illustrating modifications of the substrate processing apparatus according to the fourth embodiment of the present invention.

도 21 내지 도 23에 도시된 제4 실시예에서는 상술한 제3 실시예의 경우와 달리 버퍼모듈과 제4 기판이송모듈을 모두 생략하고 제1 기판이송모듈이 습식처리모듈(600)로의 피처리 기판 이송을 담당하도록 구성될 수 있다.
도 21을 참조하면, 제2 기판이송모듈(400, 420)은 건식처리모듈(500, 520)의 일측에 구비된다. 제2 기판이송모듈(400, 420)은 대기압 상태에서 제1 기판이송모듈(300)과 사이에 구비된 게이트 밸브(700, 730)를 열어 제1 기판이송모듈(300)에 구비된 제1 기판이송로봇(310)으로부터 피처리 기판을 인계받는다. 제2 기판이송모듈(400, 420)은 진공상태로 전환 후 건식처리모듈(500, 520)과 사이에 구비된 게이트 밸브(710, 740)를 열어 건식처리모듈(500, 520)로 피처리 기판을 로딩하고, 진공상태에서 건식처리 후 다시 게이트 밸브(710, 740)를 열어 건식처리된 피처리 기판을 언로딩한다. 제2 기판이송모듈(400, 420)은 대기압 상태로 다시 전환 후 게이트 밸브(700, 730)를 열어 제1 기판이송모듈(300)로 건식처리된 피처리 기판을 인계한다. 제1 기판이송모듈(300)은 습식처리모듈(600)과 사이에 구비된 게이트 밸브(750)를 열어 습식처리모듈(600)로 기판을 로딩하고, 습식처리 후 다시 게이트 밸브(750)를 열어 습식처리된 피처리 기판을 언로딩하여 전방단부모듈(200)로 인계한다. 제1 기판이송로봇(310)은 좌우로 이동하며 제2 기판이송로봇(410)과 피처리 기판을 교환하고, 전후로 이동하며 습식처리모듈(600)과 피처리 기판을 교환한다. 이외에는 상술한 실시예와 동일하다.
도 22를 참조하면, 제1 기판이송모듈(300)에는 두 개의 제1 기판이송로봇(310a, 310b)이 구비된다. 두 개의 제1, 기판이송로봇(310a, 310b)는 제1 기판이송모듈(300)의 양측으로 피처리 기판을 이송할 수 있다. 그러므로 다수의 피처리 기판을 빠르게 이송한다. 도 23은 제1 기판이송모듈(300)은 전방으로 건식처리모듈(500) 및 제2 기판이송모듈(400)이 구비되고, 양측으로 습식처리모듈(600)이 구비된다.In the fourth embodiment shown in FIGS. 21 to 23, the buffer module and the fourth substrate transfer module are omitted in the fourth embodiment, and the first substrate transfer module is mounted on the substrate to be processed And can be configured to handle the transfer.
Referring to FIG. 21, the second substrate transferring modules 400 and 420 are provided at one side of the dry processing modules 500 and 520. The second substrate transfer modules 400 and 420 open the gate valves 700 and 730 provided between the first substrate transfer module 300 and the first substrate transfer module 300 in the atmospheric pressure state, And receives the substrate from the transfer robot 310. The second substrate transfer module 400 or 420 opens the gate valves 710 and 740 provided between the dry processing modules 500 and 520 after switching to the vacuum state and transfers the processed substrates to the dry processing modules 500 and 520, And after the dry processing in the vacuum state, the gate valves 710 and 740 are opened again to unload the dry processed substrate. The second substrate transfer modules 400 and 420 return to the atmospheric pressure state and then open the gate valves 700 and 730 to transfer the substrate subjected to the dry processing to the first substrate transfer module 300. The first substrate transfer module 300 opens the gate valve 750 provided between the wet processing module 600 and the substrate processing module 600 to load the substrate and then open the gate valve 750 again after wet processing The wet processed substrate is unloaded and transferred to the front end module 200. The first substrate transfer robot 310 moves left and right to exchange the second substrate transfer robot 410 and the substrate to be processed and moves back and forth to exchange the substrate with the wet processing module 600. [ Otherwise, it is the same as the above-described embodiment.
Referring to FIG. 22, the first substrate transferring module 300 includes two first substrate transferring robots 310a and 310b. The first and second substrate transfer robots 310a and 310b transfer the substrates to both sides of the first substrate transfer module 300. [ Therefore, a large number of substrates to be processed are quickly transferred. 23, the first substrate transfer module 300 is provided with a dry processing module 500 and a second substrate transfer module 400 on the front side, and the wet processing module 600 is provided on both sides.

제1 내지 제4 실시예와 그 변형예들에 있어서 기판이송모듈들은 이송로봇의 이동을 위한 이송 레일을 구비할 수 있다. 또한 피처리 기판의 교환 과정에서 필요에 따라 대기압 상태와 진공 상태가 교대적으로 상태 변환이 있을 수 있다. 그리고 버펴모듈의 피처리 기판을 냉각하거나 가열하기 위한 구성을 구비할 수 있다.In the first to fourth embodiments and its modifications, the substrate transfer modules may have a transfer rail for transferring the transfer robot. In the process of exchanging the substrate to be processed, there may be a state transition alternately between the atmospheric pressure state and the vacuum state, if necessary. And a structure for cooling or heating the substrate to be processed of the burr module.

이상에서 설명된 본 발명의 건식 및 습식 처리를 위한 단일 플랫폼의 기판 처리 설비의 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속한 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 잘 알 수 있을 것이다. 그럼으로 본 발명은 상기의 상세한 설명에서 언급되는 형태로만 한정되는 것은 아님을 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다. 또한, 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 그 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.The embodiments of the substrate processing equipment of a single platform for the dry and wet processing of the present invention described above are merely illustrative and those skilled in the art will appreciate that various modifications and equivalent It will be appreciated that other embodiments are possible. Accordingly, it is to be understood that the present invention is not limited to the above-described embodiments. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims. It is also to be understood that the invention includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims.

100: 기판처리설비 200, 220: 전방단부모듈
210, 230: 카셋트 300: 제1 기판이송모듈
310: 제1 기판이송로봇 320: 이송경로
400: 제2 기판이송모듈 410: 제2 기판이송로봇
412: 이송암 414: 구동축
420: 제3 기판이송모듈 430: 제3 기판이송로봇
440: 진공펌프 500, 520: 건식처리모듈
510, 530: 건식 처리 스테이지 540: 진공펌프
550: 플라즈마 소스 600: 습식처리모듈
610: 습식 처리 스테이지 620: 세정액 공급모듈
622: 세정액 공급부 624: 세정액 회수부
630: 세정 플레이트 631: 메가소닉장치
632: 압전변환기 633: 공명기
634: 세정액 공급 노즐 635: 수막
636: 웨이퍼 637: 세정액 회수 가이드
700, 710, 720, 730: 게이트 밸브 740, 750, 760, 770: 게이트 밸브
780, 790: 게이트 밸브 800: 제어부
900: 제1 버퍼모듈 910: 제4 기판이송모듈
920: 제4 기판이송로봇 930: 제2 버퍼모듈
940: 제5 기판이송모듈 950: 제5 기판이송로봇100: substrate processing equipment 200, 220: front end module
210, 230: cassette 300: first substrate transfer module
310: first substrate transfer robot 320: transfer path
400: second substrate transfer module 410: second substrate transfer robot
412: Feed arm 414:
420: third substrate transfer module 430: third substrate transfer robot
440: Vacuum pump 500, 520: Dry processing module
510, 530: Dry processing stage 540: Vacuum pump
550: plasma source 600: wet processing module
610: wet processing stage 620: cleaning liquid supply module
622: cleaning liquid supply unit 624: cleaning liquid recovery unit
630: Cleaning plate 631: Megasonic device
632: piezoelectric transducer 633: resonator
634: cleaning liquid supply nozzle 635:
636: Wafer 637: Cleaning liquid recovery guide
700, 710, 720, 730: Gate valve 740, 750, 760, 770: Gate valve
780, 790: gate valve 800:
900: first buffer module 910: fourth substrate transfer module
920: fourth substrate transfer robot 930: second buffer module
940: fifth substrate transfer module 950: fifth substrate transfer robot

Claims (33)

피처리 기판이 대기하는 전방단부모듈;
상기 전방단부모듈에서 상기 피처리 기판을 로딩/언로딩하기 위한 제1 기판이송모듈;
상기 제1 기판이송모듈의 후방에 위치하며, 상기 피처리 기판을 건식 처리하기 위하여 상기 피처리 기판이 안착되는 복수개의 건식 처리 스테이지를 갖는 건식처리모듈;
상기 전방단부모듈의 후방에 위치하며, 상기 피처리 기판을 습식 처리하기 위하여 상기 피처리 기판이 안착되는 복수개의 습식 처리 스테이지를 갖는 습식처리모듈;
상기 건식처리모듈과 상기 습식처리모듈 사이에 위치하며, 상기 피처리 기판을 이송하기 위한 복수개의 이송암과 상기 복수개의 이송암을 회동 및 승하강 동작시키는 구동축을 구비하는 이송로봇을 포함하는 제2 기판이송모듈;
상기 제2 기판이송모듈과 상기 제1 기판이송모듈 사이에 구비되는 제1 게이트 밸브;
상기 제2 기판이송모듈과 상기 건식처리모듈 사이에 구비되는 제2 게이트 밸브; 및
상기 제2 기판이송모듈과 상기 습식처리모듈 사이에 구비되는 제3 게이트 밸브를 포함하고,
상기 복수 개의 건식 스테이지 및 상기 복수 개의 습식 스테이지는 상기 이송로봇의 상기 복수개의 이송암의 회동 경로 위에 정렬되어 상기 이송암의 회동에 의해 상기 피처리 기판의 로딩/언로딩이 이루어지며,
상기 제2 기판이송모듈은 대기압 상태에서 상기 제1 게이트 밸브를 열어 상기 제1 기판이송모듈로부터 처리전 피처리 기판을 인수받고, 진공상태로 전환 후 상기 제2 게이트 밸브를 열어 상기 건식처리모듈로 피처리 기판을 로딩하고, 건식처리 후 다시 상기 제2 게이트 밸브를 열어 건식처리된 피처리 기판을 언로딩하며, 대기압 상태로 다시 전환 후 상기 제3 게이트 밸브를 열어 상기 습식처리모듈로 피처리 기판을 로딩하고 습식처리 후 다시 상기 제3 게이트 밸브를 열어 습식처리된 피처리 기판을 상기 제2 기판이송모듈로 언로딩하여 상기 제1 기판이송모듈로 인계하는 것을 특징으로 하는 단일 플랫폼의 기판처리설비.
A front end module on which a substrate to be processed is waiting;
A first substrate transfer module for loading / unloading the substrate to be processed in the front end module;
A dry processing module having a plurality of dry processing stages positioned on the rear side of the first substrate transfer module and on which the substrate to be processed is placed for dry processing the substrate to be processed;
A wet processing module located behind the front end module and having a plurality of wet processing stages on which the target substrate is placed for wet processing the target substrate;
And a transfer robot which is located between the dry processing module and the wet processing module and includes a plurality of transfer arms for transferring the substrate to be processed and a drive shaft for rotating and lifting and lowering the plurality of transfer arms, A substrate transfer module;
A first gate valve provided between the second substrate transfer module and the first substrate transfer module;
A second gate valve provided between the second substrate transfer module and the dry processing module; And
And a third gate valve provided between the second substrate transfer module and the wet processing module,
Wherein the plurality of dry stages and the plurality of wet stages are aligned on a rotation path of the plurality of transfer arms of the transfer robot so that loading / unloading of the substrate is performed by rotation of the transfer arm,
The second substrate transfer module opens the first gate valve in the atmospheric pressure state to take the substrate to be processed from the first substrate transfer module before the process, switches the substrate to a vacuum state, opens the second gate valve, After the dry processing, the second gate valve is opened to unload the dry processed substrate. After switching to the atmospheric pressure state, the third gate valve is opened, and the wet processing module And transferring the wet processed substrate to the second substrate transfer module and transferring the wet processed substrate to the first substrate transfer module. The substrate processing apparatus according to claim 1, .
제1항에 있어서,
상기 건식처리모듈은 플라즈마 소스를 구비하고 상기 피처리 기판에 대하여 플라즈마 에싱 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 단일 플랫폼의 기판처리설비.
The method according to claim 1,
Wherein the dry processing module has a plasma source and performs a plasma ashing process on the substrate to be processed.
제1항에 있어서,
상기 습식처리모듈은 상기 피처리 기판을 초음파 세정하기 위한 세정 플레이트와 세정액을 공급하는 세정액 공급 노즐을 구비하고 상기 피처리 기판에 대하여 화학적 습식 세정 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 단일 플랫폼의 기판처리설비.
The method according to claim 1,
Wherein the wet processing module includes a cleaning plate for ultrasonic cleaning the substrate to be processed and a cleaning liquid supply nozzle for supplying a cleaning liquid to perform a chemical wet cleaning process on the substrate to be processed .
삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 기판처리설비의 동작을 제어하기 위한 제어부를 포함하고,
상기 제어부는 상기 건식처리모듈과 상기 습식처리모듈의 동작 가능 여부에 따라 상기 피처리 기판을 상기 건식처리모듈과 상기 습식처리모듈에서 건식 및 습식 처리를 순차적으로 진행하거나 또는 선택적으로 어느 하나만을 처리하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 단일 플랫폼의 기판처리설비.
The method according to claim 1,
And a control unit for controlling operation of the substrate processing apparatus,
The control unit sequentially processes the dry and wet processes in the dry process module and the wet process module according to whether the dry process module and the wet process module are operable or selectively processes either one of them Wherein the substrate processing apparatus is a single platform.
피처리 기판이 대기하는 전방단부모듈;
상기 전방단부모듈에서 상기 피처리 기판을 로딩/언로딩하기 위한 제1 기판이송모듈;
상기 제1 기판이송모듈의 후방에 위치하며, 상기 피처리 기판을 건식 처리하기 위하여 상기 피처리 기판이 안착되는 복수개의 건식 처리 스테이지를 갖는 건식처리모듈;
상기 전방단부모듈의 후방에 위치하며, 상기 피처리 기판을 습식 처리하기 위하여 상기 피처리 기판이 안착되는 복수개의 습식 처리 스테이지를 갖는 습식처리모듈;
상기 건식처리모듈의 일측에 위치하며, 상기 피처리 기판을 이송하기 위한 복수개의 이송암과 상기 복수개의 이송암을 회동 및 승하강 동작시키는 구동축을 구비하는 이송로봇을 포함하는 제2 기판이송모듈;
상기 습식처리모듈의 일측에 위치하며, 상기 피처리 기판을 이송하기 위한 복수개의 이송암과 상기 복수개의 이송암을 회동 및 승하강 동작시키는 구동축을 구비하는 이송로봇을 포함하는 제3 기판이송모듈;
상기 제2 기판이송모듈과 상기 제1 기판이송모듈 사이에 구비되는 제1 게이트 밸브;
상기 제2 기판이송모듈과 상기 건식처리모듈 사이에 구비되는 제2 게이트 밸브;
상기 제3 기판이송모듈과 상기 제1 기판이송모듈 사이에 구비되는 제3 게이트 밸브; 및
상기 제3 기판이송모듈과 상기 습식처리모듈 사이에 구비되는 제4 게이트 밸브를 포함하고,
상기 복수 개의 건식 스테이지 및 상기 복수 개의 습식 스테이지는 상기 이송로봇의 상기 복수개의 이송암의 회동 경로 위에 정렬되어 상기 이송암의 회동에 의해 상기 피처리 기판의 로딩/언로딩이 이루어지며,
상기 제2 기판이송모듈은 대기압 상태에서 상기 제1 게이트 밸브를 열어 상기 제1 기판이송모듈로부터 처리전 피처리 기판을 인수받고, 진공상태로 전환 후 상기 제2 게이트 밸브를 열어 상기 건식처리모듈로 피처리 기판을 로딩하고, 건식처리 후 다시 상기 제2 게이트 밸브를 열어 건식처리된 피처리 기판을 언로딩하며, 대기압 상태로 다시 전환 후 상기 제1 게이트 밸브를 열어 상기 제1 기판이송모듈로 기판을 인계하며,
상기 제3 기판이송모듈은 대기압 상태에서 상기 제3 게이트 밸브를 열어 상기 제1 기판이송모듈로부터 건식처리된 기판을 인수받고, 대기압 상태에서 상기 제4 게이트 밸브를 열어 상기 습식처리모듈로 기판을 로딩하고 습식 처리 후 다시 상기 제4 게이트 밸브를 열어 습식처리된 기판을 언로딩하고 상기 제3 게이트 밸브를 열어 상기 제1 기판이송모듈로 인계하는 것을 특징으로 하는 단일 플랫폼의 기판처리설비.
A front end module on which a substrate to be processed is waiting;
A first substrate transfer module for loading / unloading the substrate to be processed in the front end module;
A dry processing module having a plurality of dry processing stages positioned on the rear side of the first substrate transfer module and on which the substrate to be processed is placed for dry processing the substrate to be processed;
A wet processing module located behind the front end module and having a plurality of wet processing stages on which the target substrate is placed for wet processing the target substrate;
A second substrate transfer module located at one side of the dry processing module and including a plurality of transfer arms for transferring the substrate to be processed and a transfer robot for rotating and moving the transfer arms upward and downward;
A third substrate transfer module located at one side of the wet processing module and including a plurality of transfer arms for transferring the substrate to be processed and a transfer robot for rotating and moving the transfer arms upward and downward;
A first gate valve provided between the second substrate transfer module and the first substrate transfer module;
A second gate valve provided between the second substrate transfer module and the dry processing module;
A third gate valve provided between the third substrate transfer module and the first substrate transfer module; And
And a fourth gate valve provided between the third substrate transfer module and the wet processing module,
Wherein the plurality of dry stages and the plurality of wet stages are aligned on a rotation path of the plurality of transfer arms of the transfer robot so that loading / unloading of the substrate is performed by rotation of the transfer arm,
The second substrate transfer module opens the first gate valve in the atmospheric pressure state to take the substrate to be processed from the first substrate transfer module before the process, switches the substrate to a vacuum state, opens the second gate valve, The substrate to be processed is loaded, and after the dry process, the second gate valve is opened to unload the dry substrate to be processed, and after switching to the atmospheric pressure state, the first gate valve is opened, , ≪ / RTI >
The third substrate transfer module opens the third gate valve at the atmospheric pressure to receive the substrate subjected to the dry processing from the first substrate transfer module, opens the fourth gate valve at the atmospheric pressure, loads the substrate with the wet processing module And after the wet processing, the fourth gate valve is opened to unload the wet processed substrate, and the third gate valve is opened to take over to the first substrate transfer module.
제9항에 있어서,
상기 건식처리모듈은 플라즈마 소스를 구비하고 상기 피처리 기판에 대하여 플라즈마 에싱 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 단일 플랫폼의 기판처리설비.
10. The method of claim 9,
Wherein the dry processing module has a plasma source and performs a plasma ashing process on the substrate to be processed.
제9항에 있어서,
상기 습식처리모듈은 상기 피처리 기판을 초음파 세정하기 위한 세정 플레이트와 세정액을 공급하는 세정액 공급 노즐을 구비하고 상기 피처리 기판에 대하여 화학적 습식 세정 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 단일 플랫폼의 기판처리설비.
10. The method of claim 9,
Wherein the wet processing module includes a cleaning plate for ultrasonic cleaning the substrate to be processed and a cleaning liquid supply nozzle for supplying a cleaning liquid to perform a chemical wet cleaning process on the substrate to be processed .
삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제9항에 있어서,
상기 기판처리설비의 동작을 제어하기 위한 제어부를 포함하고, 상기 제어부는 상기 건식처리모듈과 상기 습식처리모듈의 동작 가능 여부에 따라 상기 피처리 기판을 상기 건식처리모듈과 상기 습식처리모듈에서 건식 및 습식 처리를 순차적으로 진행하거나 또는 선택적으로 어느 하나만을 처리하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 단일 플랫폼의 기판처리설비.
10. The method of claim 9,
And a control unit for controlling operation of the substrate processing apparatus, wherein the control unit controls the substrate processing apparatus to perform a dry and / or dry process in the dry processing module and the wet processing module according to whether or not the dry processing module and the wet processing module are operable. Wherein the control unit controls to sequentially process the wet processing or selectively process only one of them.
피처리 기판이 대기하는 전방단부모듈;
상기 전방단부모듈과 버퍼모듈에서 상기 피처리 기판을 로딩/언로딩하기 위한 제1 기판이송모듈;
상기 제1 기판이송모듈의 후방에 위치하며, 상기 피처리 기판을 건식 처리하기 위하여 상기 피처리 기판이 안착되는 복수개의 건식 처리 스테이지를 갖는 건식처리모듈;
상기 건식처리모듈의 후방에 위치하며, 상기 피처리 기판을 습식 처리하기 위한 습식처리모듈;
상기 건식처리모듈에서 건식 처리된 피처리 기판과 상기 습식처리모듈에서 습식 처리된 피처리 기판을 임시 보관하기 위한 버퍼모듈;
상기 건식처리모듈의 일측에 구비되며, 상기 피처리 기판을 이송하기 위한 복수개의 이송암과 상기 복수개의 이송암을 회동 및 승하강 동작시키는 구동축을 구비하는 이송로봇을 포함하는 제2 기판이송모듈;
상기 버퍼모듈의 후방에 위치하며, 상기 건식처리된 피처리 기판을 상기 버퍼 모듈에서 인출하여 상기 습식처리모듈로 로딩하고, 상기 습식처리모듈에서 습식 처리된 피처리 기판을 언로딩하여 상기 버퍼 모듈에 적재하는 제3 기판이송모듈;
상기 제2 기판이송모듈과 상기 제1 기판이송모듈 사이에 구비되는 제1 게이트 밸브;
상기 제2 기판이송모듈과 상기 건식처리모듈 사이에 구비되는 제2 게이트 밸브;
상기 버퍼모듈과 상기 제1 기판이송모듈 사이에 구비되는 제3 게이트 밸브;
상기 버퍼모듈과 상기 제3 기판이송모듈 사이에 구비되는 제4 게이트 밸브; 및
상기 제3 기판이송모듈과 상기 습식처리 모듈 사이에 구비되는 제5 게이트 밸브를 포함하고,
상기 복수 개의 건식 스테이지는 상기 이송로봇의 상기 복수개의 이송암의 회동 경로 위에 정렬되어 상기 이송암의 회동에 의해 상기 피처리 기판의 로딩/언로딩이 이루어지며,
상기 제2 기판이송모듈은 대기압 상태에서 상기 제1 게이트 밸브를 열어 상기 제1 기판이송모듈로부터 처리전 피처리 기판을 인수받고, 진공상태로 전환 후 상기 제2 게이트 밸브를 열어 상기 건식처리모듈로 피처리 기판을 로딩하고 건식처리 후 다시 상기 제2 게이트 밸브를 열어 건식처리된 피처리 기판을 언로딩하고,
상기 제2 기판이송모듈은 대기압 상태로 다시 전환 후 상기 제1 게이트 밸브를 열어 상기 제1 기판이송모듈로 건식처리된 피처리 기판을 인계하고 상기 제1 기판이송모듈은 상기 제3 게이트 밸브를 열어 상기 버퍼모듈에 건식처리된 피처리 기판을 안착하며,
상기 제3 기판이송모듈은 대기압 상태에서 상기 제4 게이트 밸브를 열어 상기 버퍼모듈로부터 피처리 기판을 언로딩하여 상기 제5 게이트 밸브를 열어 기판을 로딩/언로딩한 후 다시 상기 제4 게이트 밸브를 열어 피처리 기판을 상기 버퍼모듈에 적재하고 상기 제3 게이트 밸브를 열어 상기 제1 기판이송모듈로 습식처리된 기판을 인계하는 것을 특징으로 하는 단일 플랫폼의 기판처리설비.
A front end module on which a substrate to be processed is waiting;
A first substrate transfer module for loading / unloading the substrate to be processed in the front end module and the buffer module;
A dry processing module having a plurality of dry processing stages positioned on the rear side of the first substrate transfer module and on which the substrate to be processed is placed for dry processing the substrate to be processed;
A wet processing module located behind the dry processing module for wet processing the substrate to be processed;
A buffer module for temporarily storing a substrate subjected to dry processing in the dry processing module and a processed substrate subjected to wet processing in the wet processing module;
A second substrate transfer module provided on one side of the dry processing module, the transfer robot including a plurality of transfer arms for transferring the substrate to be processed and a drive shaft for rotating and moving up and down the plurality of transfer arms;
The buffer module is located at a rear side of the buffer module. The dry processed substrate is taken out of the buffer module, loaded into the wet processing module, unloaded from the wet processing module, A third substrate transfer module to be loaded;
A first gate valve provided between the second substrate transfer module and the first substrate transfer module;
A second gate valve provided between the second substrate transfer module and the dry processing module;
A third gate valve provided between the buffer module and the first substrate transfer module;
A fourth gate valve provided between the buffer module and the third substrate transfer module; And
And a fifth gate valve provided between the third substrate transfer module and the wet processing module,
Wherein the plurality of dry stages are aligned on a rotation path of the plurality of transfer arms of the transfer robot, and the loading / unloading of the substrate is performed by the rotation of the transfer arm,
The second substrate transfer module opens the first gate valve in the atmospheric pressure state to take the substrate to be processed from the first substrate transfer module before the process, switches the substrate to a vacuum state, opens the second gate valve, Loading the substrate to be processed, performing dry processing, opening the second gate valve again to unload the dry processed substrate,
The second substrate transfer module opens the first gate valve to switch to the atmospheric pressure state, takes over the substrate to be dry-processed by the first substrate transfer module, and the first substrate transfer module opens the third gate valve The buffered module is mounted with the dry-treated substrate,
The third substrate transfer module opens the fourth gate valve at the atmospheric pressure to unload the substrate to be processed from the buffer module, opens the fifth gate valve to load / unload the substrate, Wherein the first substrate transfer module is opened to load the substrate to be processed on the buffer module and the third gate valve to open the substrate to transfer the wet-processed substrate to the first substrate transfer module.
제18항에 있어서,
상기 건식처리모듈은 플라즈마 소스를 구비하고 상기 피처리 기판에 대하여 플라즈마 에싱 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 단일 플랫폼의 기판처리설비.
19. The method of claim 18,
Wherein the dry processing module has a plasma source and performs a plasma ashing process on the substrate to be processed.
제18항에 있어서,
상기 습식처리모듈은 상기 피처리 기판을 초음파 세정하기 위한 세정 플레이트와 세정액을 공급하는 세정액 공급 노즐을 구비하고 상기 피처리 기판에 대하여 화학적 습식 세정 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 단일 플랫폼의 기판처리설비.
19. The method of claim 18,
Wherein the wet processing module includes a cleaning plate for ultrasonic cleaning the substrate to be processed and a cleaning liquid supply nozzle for supplying a cleaning liquid to perform a chemical wet cleaning process on the substrate to be processed .
삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제18항에 있어서,
상기 기판처리설비의 동작을 제어하기 위한 제어부를 포함하고, 상기 제어부는 상기 건식처리모듈과 상기 습식처리모듈의 동작 가능 여부에 따라 상기 피처리 기판을 상기 건식처리모듈과 상기 습식처리모듈에서 건식 및 습식 처리를 순차적으로 진행하거나 또는 선택적으로 어느 하나만을 처리하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 단일 플랫폼의 기판처리설비.
19. The method of claim 18,
And a control unit for controlling operation of the substrate processing apparatus, wherein the control unit controls the substrate processing apparatus to perform a dry and / or dry process in the dry processing module and the wet processing module according to whether or not the dry processing module and the wet processing module are operable. Wherein the control unit controls to sequentially process the wet processing or selectively process only one of them.
피처리 기판이 대기하는 전방단부모듈;
상기 전방단부모듈에서 상기 피처리 기판을 로딩/언로딩하기 위한 제1 기판이송모듈;
상기 제1 기판이송모듈의 후방에 위치하며, 상기 피처리 기판을 건식 처리하기 위하여 상기 피처리 기판이 안착되는 복수개의 건식 처리 스테이지를 갖는 건식처리모듈;
상기 건식처리모듈의 후방에 위치하며, 상기 피처리 기판을 습식 처리하기 위한 습식처리모듈;
상기 건식처리모듈의 일측에 위치하며, 상기 피처리 기판을 이송하기 위한 복수개의 이송암과 상기 복수개의 이송암을 회동 및 승하강 동작시키는 구동축을 구비하는 이송로봇을 포함하는 제2 기판이송모듈;
상기 제2 기판이송모듈과 상기 제1 기판이송모듈 사이에 구비되는 제1 게이트 밸브;
상기 제2 기판이송모듈과 상기 건식처리모듈 사이에 구비되는 제2 게이트 밸브; 및
상기 제1 기판이송모듈과 상기 습식처리모듈 사이에 구비되는 제3 게이트 밸브를 포함하고,
상기 복수 개의 건식 스테이지는 상기 이송로봇의 상기 복수개의 이송암의 회동 경로 위에 정렬되어 상기 이송암의 회동에 의해 상기 피처리 기판의 로딩/언로딩이 이루어지며,
상기 제2 기판이송모듈은 대기압 상태에서 상기 제1 게이트 밸브를 열어 상기 제1 기판이송모듈로부터 처리전 피처리 기판을 인수받고, 진공상태로 전환 후 상기 제2 게이트 밸브를 열어 상기 건식처리모듈로 피처리 기판을 로딩하고 건식처리 후 다시 제2 게이트 밸브를 열어 건식처리된 피처리 기판을 언로딩하며 대기압 상태로 다시 전환 후 상기 제1 게이트 밸브를 열어 상기 제1 기판이송모듈로 건식처리된 피처리 기판을 인계하고,
제1 기판이송모듈은 상기 제3 게이트 밸브를 열어 상기 습식처리모듈로 피처리 기판을 로딩하고, 습식처리 후 다시 상기 제3 게이트 밸브를 열어 습식처리된 피처리 기판을 언로딩하여 상기 전방단부모듈로 인계하는 것을 특징으로 하는 단일 플랫폼의 기판처리설비.
A front end module on which a substrate to be processed is waiting;
A first substrate transfer module for loading / unloading the substrate to be processed in the front end module;
A dry processing module having a plurality of dry processing stages positioned on the rear side of the first substrate transfer module and on which the substrate to be processed is placed for dry processing the substrate to be processed;
A wet processing module located behind the dry processing module for wet processing the substrate to be processed;
A second substrate transfer module located at one side of the dry processing module and including a plurality of transfer arms for transferring the substrate to be processed and a transfer robot for rotating and moving the transfer arms upward and downward;
A first gate valve provided between the second substrate transfer module and the first substrate transfer module;
A second gate valve provided between the second substrate transfer module and the dry processing module; And
And a third gate valve provided between the first substrate transfer module and the wet processing module,
Wherein the plurality of dry stages are aligned on a rotation path of the plurality of transfer arms of the transfer robot, and the loading / unloading of the substrate is performed by the rotation of the transfer arm,
The second substrate transfer module opens the first gate valve in the atmospheric pressure state to take the substrate to be processed from the first substrate transfer module before the process, switches the substrate to a vacuum state, opens the second gate valve, The substrate to be processed is loaded, and after the dry processing, the second gate valve is opened to unload the dry substrate to be processed, and after switching to the atmospheric pressure state, the first gate valve is opened and the dry processed substrate Taking over the processed substrate,
The first substrate transfer module opens the third gate valve to load the substrate to be processed with the wet processing module, and after the wet processing, the third gate valve is opened again to unload the wet processed substrate to be processed, To the substrate processing apparatus.
제26항에 있어서,
상기 건식처리모듈은 플라즈마 소스를 구비하고 상기 피처리 기판에 대하여 플라즈마 에싱 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 단일 플랫폼의 기판처리설비.
27. The method of claim 26,
Wherein the dry processing module has a plasma source and performs a plasma ashing process on the substrate to be processed.
제26항에 있어서,
상기 습식처리모듈은 상기 피처리 기판을 초음파 세정하기 위한 세정 플레이트와 세정액을 공급하는 세정액 공급 노즐을 구비하고 상기 피처리 기판에 대하여 화학적 습식 세정 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 단일 플랫폼의 기판처리설비.
27. The method of claim 26,
Wherein the wet processing module includes a cleaning plate for ultrasonic cleaning the substrate to be processed and a cleaning liquid supply nozzle for supplying a cleaning liquid to perform a chemical wet cleaning process on the substrate to be processed .
삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제26항에 있어서,
상기 기판처리설비의 동작을 제어하기 위한 제어부를 포함하고, 상기 제어부는 상기 건식처리모듈과 상기 습식처리모듈의 동작 가능 여부에 따라 상기 피처리 기판을 상기 건식처리모듈과 상기 습식처리모듈에서 건식 및 습식 처리를 순차적으로 진행하거나 또는 선택적으로 어느 하나만을 처리하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 단일 플랫폼의 기판처리설비.27. The method of claim 26,
And a control unit for controlling operation of the substrate processing apparatus, wherein the control unit controls the substrate processing apparatus to perform a dry and / or dry process in the dry processing module and the wet processing module according to whether or not the dry processing module and the wet processing module are operable. Wherein the control unit controls to sequentially process the wet processing or selectively process only one of them.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006332055A (en) 2005-05-23 2006-12-07 New Power Plasma Co Ltd Plasma processing chamber, plasma reactor, atmospheric pressure plasma processing system and plasma processing system
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Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101290527B1 (en) * 2011-05-31 2013-07-30 주식회사 테스 Substrate processing system and substrate processing method using the same
KR101534832B1 (en) * 2012-09-13 2015-07-07 주식회사 에스디앤티 Wet, dry composite mask cleaning device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006332055A (en) 2005-05-23 2006-12-07 New Power Plasma Co Ltd Plasma processing chamber, plasma reactor, atmospheric pressure plasma processing system and plasma processing system
JP2008053728A (en) 2006-08-24 2008-03-06 Semes Co Ltd Apparatus for processing substrate and method therefore

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