JP6406629B2 - 水素製造システムおよび水素製造方法 - Google Patents
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Description
さらに、特許文献2には、水素分離膜を用いて水蒸気改質反応・脱水素反応などの水素生成反応を行なうメンブレンリアクタの操作方法とそれに用いるメンブレンリアクタが開示されている。
また、特許文献3には、メタン、エタン、エチレンなどの炭化水素を分解して水素を製造するプロセス、および、生成した炭素を燃焼して、触媒の再生と分解反応の反応熱を得る2段の反応器が開示されている。
<1> 炭化水素系燃料および水蒸気が供給される燃料供給管と、前記燃料供給管の内部に設置され、前記炭化水素系燃料の水蒸気改質を促進する触媒と、スイープガスとして水蒸気が供給される水蒸気供給管と、前記水蒸気供給管の壁の少なくとも一部をなし、少なくとも一部が前記触媒と対面しており、前記水蒸気供給管に供給される水蒸気を透過して前記燃料供給管に供給し、かつ、前記炭化水素系燃料の水蒸気改質により生じる水素を透過して前記水蒸気供給管に供給する分子ふるい膜と、を有する水素製造装置である。
水素製造システム10は、図1に示すように、燃料供給手段1、水蒸気供給手段2、配管3、4、恒温槽5、配管6、7および水素製造装置8を備えている。水素製造システム10は、熱源(加熱手段、図示せず)を備え、燃料供給手段1および水蒸気供給手段2より炭化水素系燃料および水蒸気を水素製造装置8に供給した後、水素製造装置8にて炭化水素系燃料の水蒸気改質を行なって水素を製造するシステムである。
なお、例えば炭化水素系燃料が常温で液体(メタノールなど)の場合、配管4から分岐した配管を介さずに、燃料供給手段1にて炭化水素系燃料および水を混合した混合液を、燃料供給手段1から配管3に流し、配管3にて混合液を気化させた後、水素製造装置8に供給してもよい。
水素製造装置8は、図2に示すように、燃料供給管11、水蒸気供給管12、分子ふるい膜13および触媒14を備えている。水素製造装置8は、供給された炭化水素系燃料を水蒸気改質して水素を製造する装置である。
分子ふるい膜13は、水蒸気供給管12の壁の一部をなし、水蒸気供給管12に供給される水蒸気、および、燃料供給管11での炭化水素系燃料の水蒸気改質により生じる水素を透過するための膜である。よって、図2における矢印Dに示すように、水蒸気供給管12に供給される水蒸気は、分子ふるい膜13を透過して燃料供給管11に移動し、図2における矢印Cに示すように、燃料供給管11での炭化水素系燃料の水蒸気改質により生じる水素は、分子ふるい膜13を透過して水蒸気供給管12に移動する。
平均孔径が0.30nm程度以上であることにより、水蒸気分子(分子サイズ0.26nm)および水素分子(分子サイズ0.29nm)を好適に透過させることができ、平均孔径が0.30nm程度以下であることにより、二酸化炭素(分子サイズ0.33nm)、一酸化炭素(分子サイズ0.37nm)が分子ふるい膜13を透過することを抑制でき、メタノール(分子サイズ0.38nm)、窒素分子(分子サイズ0.36nm)などが分子ふるい膜13を透過することも抑制できる。
分子ふるい膜13の平均孔径としては、例えば、0.29nm〜0.33nmであってもよく、0.30nm〜0.32nmであってもよい。
触媒14は、燃料供給管11の内部に設置され、燃料供給管11に供給される炭化水素系燃料の水蒸気改質を促進するためのものである。また、触媒14は、分子ふるい膜13と対面するように設けられている。
炭化水素系燃料は、水蒸気改質により水素を製造する際に用いられ、燃料供給手段1から配管3を介して水素製造装置8に供給される燃料ガスである。炭化水素系燃料としては、水蒸気改質により水素を製造できるものであれば限定されないが、例えば、炭化水素、アルコール、エーテルからなる群より選択される少なくとも一つが挙げられ、特に、アルコールが好ましい。アルコールは、より低温で水蒸気改質することが可能であり、水素を効率よく製造することができる。
次に、本発明に係る水素製造方法の一実施形態について説明する。一実施形態に係る水素製造方法は、水素製造装置8を用いて水素を製造する水素製造方法であり、炭化水素系燃料および水蒸気を燃料供給管11に供給する燃料供給工程と、スイープガスとして水蒸気を水蒸気供給管12に供給する水蒸気供給工程と、前記炭化水素系燃料を水蒸気改質して水素を製造し、製造された水素を分子ふるい膜13を介して水蒸気供給管12に供給し、かつ、水蒸気供給管12に供給された水蒸気を分子ふるい膜13を介して燃料供給管11に供給し、供給された水蒸気を前記炭化水素系燃料の水蒸気改質に用いる、改質工程と、を含む。なお、一例として、炭化水素系燃料としてメタノールを用いた場合について以下にて説明する。
また、水蒸気が、配管4を介して、水蒸気供給手段2から水素製造装置8における水蒸気供給管12に供給される(水蒸気供給工程)。
[式1]
CH3OH+H2O→CO2+3H2・・・・(1)
[式2]
CO2+H2→CO+H2O・・・・(2)
以下、図3を参照しながら、一実施形態に係る水素製造装置8の変形例について説明する。図3は、本発明の一実施形態の変形例に係る水素製造装置18を示す概略構成図である。水素製造装置18は、図3に示すように、分子ふるい膜23が2箇所にて水蒸気供給管22の壁の一部をなし、2つの分子ふるい膜23と対面するように触媒24が燃料供給管21の内部に設けられている。
が設けられた反応場にて未反応であった炭化水素系燃料を、より下流側の触媒24が設けられた反応場にて水蒸気改質することができ、水素の製造効率を向上させることができる。さらに、水蒸気が水蒸気供給管22から燃料供給管21に供給されることによって、下流側の触媒24での水蒸気濃度を増加させる効果が発揮され、下流側の触媒24での水素の製造効率をより上昇させることができる。また、分子ふるい膜23が2箇所に設けられていることにより、より多くの水素が水蒸気供給管22に移動する。よって、より多くの水素を製造することができ、かつ製造した水素を未反応の炭化水素系燃料、一酸化炭素、二酸化炭素などから好適に分離することができる。なお、分子ふるい膜23および触媒24を設置する箇所は、2箇所に限定されず、3箇所以上であってもよい。
反応物のメタノールおよび水はあらかじめ混合しておき,混合液を流量制御可能なマイクロフィーダー(古江サイエンス株式会社製、型番:JP−N)からステンレスパイプ(蒸発器)に供給した。そして、供給した混合液に,リボンヒーターで130℃に保持したステンレスパイプを通過させることで完全に気化させて反応ガスとし、恒温層(自然対流式恒温槽(こすもす)、株式会社いすゞ製作所製、型番:SSN−115)内に供給した。水に対して同様の手順を行なうことで気化させた後、スイープガスとして水蒸気を恒温槽内に供給した。恒温槽にスイープガスおよび反応ガスを供給する前に、ガスクロマトグラフの基準ガスとなる窒素をそれぞれのガスと混合した。
流量の指標としてGHSV(Gas hourly space velocity)を用いた。GHSVは触媒層体積当りの反応場ガス流量を表しており、以下の数式で定義する。
反応ガス供給量:5.11ml/min(水蒸気供給量2.56ml/min、S/C=1)
スイープガス供給量:25.66ml/min
窒素ガス供給量:5ml/min
触媒層体積:12129mm3
触媒量:14.0g
恒温槽内にセラミックヒーター(半円筒型セラミックファイバ−ヒーター、60V450Wタイプ、坂口電熱株式会社、型番:VS−03J06S)を設置し、そのセラミックヒーター内にリアクター(水素製造装置)を設置した。リアクターは、図2に示すように、外径20.0mm、内径17.6mm、長さ320mmのガラス管に水素分離膜(膜外径:6.00mm、膜内径:3.65mm、膜長さ:100mm、(財)ファインセラミックスセンター製)を入れて二重管構造とした。また、二重管構造において、内管と外管との間の水素分離膜と対面する領域(反応場)に触媒を充填して触媒層を形成した。
メタノール水蒸気改質反応の触媒として、市販の銅・亜鉛系触媒(CuO/ZnO/Al2O3)を使用した。触媒の詳細については、以下のとおりである。
触媒名称:MDC−3、クラリアント触媒株式会社製
形状:φ3.2×3.2mmタブレット形状
嵩密度:1.2kg/l
組成:CuO42wt%、ZnO47wt%、Al2O310wt%
分析ガス種
GC−TCD・・・H2、O2、N2、CO2
GC−FID・・・CO2
GC−TCDの仕様
ガスクロマトグラフ・・SHIMADZU GC−8A
カラム・・・・・・・・Molecular−Sieve 13X
キャリアガス・・・・・Ar
一次圧・・・・・・・・600kPa
キャリアガス圧・・・・120kPa
カラム温度・・・・・・50℃
注入温度・・・・・・・100℃
電流・・・・・・・・・80mA
GC−FIDの仕様
ガスクロマトグラフ・・SHIMADZU GC−8A
カラム・・・・・・・・Polapack−Q
キャリアガス・・・・・N2
一次圧・・・・・・・・600kPa
キャリアガス圧・・・・120kPa
カラム温度・・・・・・60℃
注入温度・・・・・・・150℃
レンジ・・・・・・・・102
スの組成だけであり,水素等の生成量を知ることはできない。そこで,基準ガスとなる窒素を生成ガスに添加し,よく混合したのちサンプリングした。窒素ガスは反応に関与することなく流量が一定であるため、これを基準ガスとすることで、以下の数式に基づき、生成されたガスの流量を算出することができる。なお、数式中の各値は以下のとおりである。
Fx:化学種X(X=CO2、CO)の生成量[mol/min]
Xvol%:化学種Xの体積割合[%]
N2vol%:窒素の体積割合[%]
QN2:窒素流量[mol/min]
供給したメタノールの何%が水蒸気改質されたかを示す指標として、化学反応式の量論比に基づき、メタノール転換率ηを以下の数式で定義する。なお、数式中の各値は以下のとおりである。
CCH3OH:反応で消費されたメタノール量(mol/分)
QCH3OH:メタノール供給量(mol/分)
FCO2:CO2生成量(mol/分)
FCO:CO生成量(mol/分)
リアクターに水素分離膜を設けていないこと以外は、実施例1と同様の条件で、メタノールを水蒸気改質した場合を比較例1とし、スイープガスとして窒素(流量:10ml/分)を用いたこと以外は、実施例1と同様の条件で、メタノールを水蒸気改質した場合を比較例2とした。
スイープガスとして水蒸気を用いると,透過側の水蒸気が反応側へ逆透過する。これにより、反応物としての水蒸気が失われるのを防ぐため,高いメタノール転化率が得られる。また,逆水性ガスシフト反応によるCO生成が抑制されるため,CO濃度が下がる。
水蒸気の逆透過によって水素パーミアンスの低下の傾向が見られたが、水素よりも分子径の大きい二酸化炭素や一酸化炭素の方が透過抑制の影響が大きく、結果として水蒸気スイープを用いることで、30%程度、水素選択率が向上した。
2 水蒸気供給手段
3、4 配管
5 恒温槽
6、7 配管
8、18 水素製造装置
10 水素製造システム
11、21 燃料供給管
12、22 水蒸気供給管
13、23 分子ふるい膜
14、24 触媒
Claims (9)
- 炭化水素系燃料および水蒸気が供給される燃料供給管と、
前記燃料供給管の内部に設置され、前記炭化水素系燃料の水蒸気改質を促進する触媒と、
スイープガスとして水蒸気が供給される水蒸気供給管と、
前記水蒸気供給管の壁の少なくとも一部をなし、少なくとも一部が前記触媒と対面しており、前記水蒸気供給管に供給される水蒸気を透過して前記燃料供給管に供給し、かつ、前記炭化水素系燃料の水蒸気改質により生じる水素を透過して前記水蒸気供給管に供給する分子ふるい膜と、
を有する水素製造装置、および少なくとも前記触媒を加熱する加熱手段を備え、
前記触媒はCuO、ZnOおよびAl2O3を組み合わせたものであり、
前記炭化水素系燃料は、メタノールであり、
前記加熱手段は前記触媒を200℃以上250℃以下に加熱し、
前記燃料供給管に供給される前記炭化水素系燃料および水蒸気に窒素が混合され、かつ前記水蒸気供給管に供給される水蒸気に窒素が混合される水素製造システム。 - 前記分子ふるい膜は、一酸化炭素、二酸化炭素および未反応の炭化水素系燃料の透過を抑制する膜である請求項1に記載の水素製造システム。
- 前記分子ふるい膜の平均孔径は、0.29nm〜0.33nmである請求項1または請求項2に記載の水素製造システム。
- 前記分子ふるい膜は、無機系多孔質膜、有機系多孔質膜、または有機−無機複合多孔質膜である請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の水素製造システム。
- 前記無機系多孔質膜は、ゼオライト、シリカ、アルミナ、チタニア、およびジルコニアからなる群より選択される少なくとも一つを含む請求項4に記載の水素製造システム。
- 前記触媒は、前記分子ふるい膜と、該分子ふるい膜と対面する前記燃料供給管の壁と、の間に充填されている請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載の水素製造システム。
- 前記加熱手段は、200℃以上250℃以下の廃熱を供給して前記触媒を加熱する請求項1〜請求項6のいずれか1項に記載の水素製造システム。
- 請求項1〜請求項7のいずれか1項に記載の水素製造システムを用いて水素を製造する水素製造方法であって、
メタノールおよび水蒸気を前記燃料供給管に供給する燃料供給工程と、
スイープガスとして水蒸気を前記水蒸気供給管に供給する水蒸気供給工程と、
メタノールを水蒸気改質して水素を製造し、製造された水素を前記分子ふるい膜を介して前記水蒸気供給管に供給し、かつ、前記水蒸気供給管に供給された水蒸気を前記分子ふるい膜を介して前記燃料供給管に供給し、供給された水蒸気をメタノールの水蒸気改質に用いる、改質工程と、
を含み、
前記改質工程にて、メタノールを水蒸気改質する際の反応温度は、200℃以上250℃以下であり、
前記燃料供給管に供給されるメタノールおよび水蒸気に窒素が混合され、かつ前記水蒸気供給管に供給される水蒸気に窒素が混合される水素製造方法。 - メタノールの水蒸気改質は、廃熱を用いて行なわれる請求項8に記載の水素製造方法。
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