JP6402592B2

JP6402592B2 - Vehicle headlamp

Info

Publication number: JP6402592B2
Application number: JP2014224396A
Authority: JP
Inventors: 和弘村川; 鈴木　英治; 英治鈴木
Original assignee: Ichikoh Industries Ltd
Current assignee: Ichikoh Industries Ltd
Priority date: 2014-11-04
Filing date: 2014-11-04
Publication date: 2018-10-10
Anticipated expiration: 2034-11-04
Also published as: JP2016091777A

Description

この発明は、半導体型光源を備える車両用前照灯に関するものである。 The present invention relates to a vehicle headlamp including a semiconductor-type light source.

この種の車両用前照灯は、従来からある（たとえば、特許文献１）。従来の車両用前照灯は、半導体発光素子および蛍光体を有するＬＥＤと、反射面と、を備えるものである。従来の車両用前照灯は、半導体発光素子からの青色光と、その青色光により励起された蛍光体からの黄色光とが混合（混色）されてなる白色光がＬＥＤから出射し、その白色光が反射面で反射されて外部すなわち車両の前方に所定の配光パターンとして照射される。 This type of vehicle headlamp has been conventionally used (for example, Patent Document 1). A conventional vehicle headlamp includes an LED having a semiconductor light emitting element and a phosphor, and a reflecting surface. A conventional vehicle headlamp emits white light, which is a mixture (color mixture) of blue light from a semiconductor light emitting element and yellow light from a phosphor excited by the blue light, from the LED. The light is reflected by the reflecting surface and irradiated as a predetermined light distribution pattern to the outside, that is, the front of the vehicle.

この種の車両用前照灯においては、ＬＥＤの蛍光体中での光路長に応じて青色光（励起光）と黄色光との混合（混色）程度が変化するため、半導体発光素子から放射状に出射される励起光のうち、蛍光体へ真っ直ぐ向かう光軸を基準とする出射角が大きいものほど、蛍光体中での光路長が長くなり、ひいては黄色がかった白色光となる。すなわち、ＬＥＤの端部からは、黄色がかった白色光が出射される。 In this type of vehicle headlamp, since the degree of mixing (mixing) of blue light (excitation light) and yellow light changes according to the optical path length in the phosphor of the LED, it is emitted radially from the semiconductor light emitting element. Of the emitted excitation light, the larger the emission angle with respect to the optical axis going straight to the phosphor, the longer the optical path length in the phosphor, and thus the yellowish white light. That is, yellowish white light is emitted from the end of the LED.

このために、この種の車両用前照灯においては、配光パターンには黄色がかった部分が生じる。この配光パターンの黄色がかった部分は、車両用前照灯の製造公差や組立公差などにより、ばらつきがあり、好ましくない。また、車両の左右両側に搭載される２つの車両用前照灯の間において、配光パターンの黄色がかった部分にばらつきがあると、好ましくない。 For this reason, in this type of vehicle headlamp, a yellowish portion occurs in the light distribution pattern. This yellowish portion of the light distribution pattern is not preferable because it varies depending on manufacturing tolerances and assembly tolerances of the vehicle headlamp. Moreover, it is not preferable that there is a variation in the yellowish portion of the light distribution pattern between the two vehicle headlamps mounted on the left and right sides of the vehicle.

そこで、従来の車両用前照灯は、反射面を上下方向に移動させて、配光パターンの黄色がかった部分のばらつきを解消するものである。 Therefore, the conventional vehicle headlamp eliminates the variation in the yellowish portion of the light distribution pattern by moving the reflecting surface in the vertical direction.

特開２０１４−８６３２８号公報JP 2014-86328 A

ところが、従来の車両用前照灯は、反射面を上下方向に移動させて、配光パターンの黄色がかった部分のばらつきを解消するものであって、配光パターンの黄色がかった部分を低減するものではない。すなわち、従来の車両用前照灯では、配光パターンの黄色がかった部分を低減することができない。 However, the conventional vehicular headlamp moves the reflecting surface in the vertical direction to eliminate the variation of the yellowish portion of the light distribution pattern, and reduces the yellowish portion of the light distribution pattern. It is not a thing. That is, in the conventional vehicle headlamp, the yellowish portion of the light distribution pattern cannot be reduced.

この発明が解決しようとする課題は、従来の車両用前照灯では、配光パターンの黄色がかった部分を低減することができない、という点にある。 The problem to be solved by the present invention is that the conventional vehicular headlamp cannot reduce the yellowish portion of the light distribution pattern.

この発明（請求項１にかかる発明）は、半導体型光源と、半導体型光源からの光を反射させる反射面を有するリフレクタと、反射面からの反射光を所定の配光パターンで車両の前方に照射するレンズと、を備え、反射面が、第１反射面と第２反射面とを有し、第１反射面が、半導体型光源もしくはその近傍に位置する第１焦点と、レンズの焦点よりも半導体型光源側に位置する第２焦点と、を有し、第２反射面が、半導体型光源もしくはその近傍に位置する第１焦点と、レンズの焦点よりもレンズ側に位置する第２焦点と、を有する、ことを特徴とする。 The present invention (the invention according to claim 1) includes a semiconductor-type light source, a reflector having a reflection surface that reflects light from the semiconductor-type light source, and reflected light from the reflection surface in a predetermined light distribution pattern in front of the vehicle. An irradiating lens, the reflecting surface has a first reflecting surface and a second reflecting surface, and the first reflecting surface is located at or near the semiconductor-type light source, and the focal point of the lens. A second focal point located on the semiconductor-type light source side, and a second reflecting surface located on the lens side with respect to the semiconductor-type light source or the first focal point located near the semiconductor-type light source. And having.

この発明（請求項２にかかる発明）は、半導体型光源が、青色光を放射する発光面を有するチップと、発光面を被覆して青色光により励起されて黄色光を出射する蛍光体と、を備え、青色光と黄色光とが混合されて白色光を放射する、ことを特徴とする。 The present invention (invention according to claim 2) is a semiconductor-type light source having a light emitting surface that emits blue light, a phosphor that covers the light emitting surface and is excited by blue light and emits yellow light, And blue light and yellow light are mixed to emit white light.

この発明（請求項３にかかる発明）は、第１反射面および第２反射面が、共に、回転楕円面を基本とする自由曲面または回転楕円面から構成されている、ことを特徴とする。 The present invention (the invention according to claim 3) is characterized in that the first reflecting surface and the second reflecting surface are both composed of a free-form curved surface or a spheroidal surface based on a spheroidal surface.

この発明の車両用前照灯は、第１反射面により形成される配光パターンが、レンズから車両の前方に照射される配光パターンのうち主に上側の部分の配光パターンであり、一方、第２反射面により形成される配光パターンが、レンズから車両の前方に照射される配光パターンのうち主に下側の部分の配光パターンである。このために、この発明の車両用前照灯は、主に上側の部分の配光パターンのうち色が出ている部分（たとえば、黄色がかった部分）が主に下側の部分の配光パターン中に混ざり込み、一方、主に下側の部分の配光パターンのうち色が出ている部分（たとえば、黄色がかった部分）が主に上側の部分の配光パターン中に混ざり込む。この結果、この発明の車両用前照灯は、レンズから車両の前方に照射される配光パターンのうち色が出ている部分（たとえば、黄色がかった部分）を低減することができる。 In the vehicle headlamp according to the present invention, the light distribution pattern formed by the first reflecting surface is a light distribution pattern mainly in an upper portion of the light distribution pattern irradiated from the lens to the front of the vehicle, The light distribution pattern formed by the second reflecting surface is the light distribution pattern mainly in the lower part of the light distribution pattern irradiated from the lens to the front of the vehicle. For this reason, in the vehicle headlamp according to the present invention, the light distribution pattern of the lower portion is mainly the portion of the light distribution pattern of the upper portion that is colored (for example, the yellowish portion). On the other hand, a portion of the light distribution pattern in the lower portion mainly colored (for example, a yellowish portion) is mainly mixed in the light distribution pattern of the upper portion. As a result, the vehicular headlamp according to the present invention can reduce a portion (for example, a yellowish portion) of a light distribution pattern emitted from the lens to the front of the vehicle.

しかも、この発明の車両用前照灯は、反射面を第１反射面と第２反射面とにするだけのものであるから、反射面を上下方向に移動させる従来の車両用前照灯と比較して、構造が簡単であり、かつ、製造コストが安価である。 In addition, since the vehicle headlamp of the present invention has only the reflection surface as the first reflection surface and the second reflection surface, the conventional vehicle headlamp that moves the reflection surface in the vertical direction In comparison, the structure is simple and the manufacturing cost is low.

図１は、この発明にかかる車両用前照灯の実施形態を示すランプユニットの概略縦断面図（図２におけるＡ−Ａ線概略断面図、図２におけるＢ−Ｂ線概略断面図）である。FIG. 1 is a schematic longitudinal sectional view of a lamp unit (an AA line schematic sectional view in FIG. 2 and a BB line schematic sectional view in FIG. 2) showing an embodiment of a vehicle headlamp according to the present invention. . 図２は、ランプユニットの半導体型光源とリフレクタとを示す概略正面図（図１におけるＩＩ概略矢視図）である。FIG. 2 is a schematic front view showing a semiconductor light source and a reflector of the lamp unit (a schematic view taken along II in FIG. 1). 図３は、ランプユニットの半導体型光源を示す概略説明図である。FIG. 3 is a schematic explanatory view showing a semiconductor light source of the lamp unit. 図４は、ランプユニットのリフレクタの反射面からの半導体型光源の反射像あるいはレンズからの半導体型光源の投影像を示す概略説明図である。FIG. 4 is a schematic explanatory view showing a reflection image of the semiconductor light source from the reflection surface of the reflector of the lamp unit or a projection image of the semiconductor light source from the lens. 図５は、発光チップの発光面の外周縁部からの放射光（出射光）であって第１反射面で反射された反射光で形成される配光パターンを示す説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram showing a light distribution pattern formed by reflected light that is radiated light (emitted light) from the outer peripheral edge portion of the light emitting surface of the light emitting chip and reflected by the first reflecting surface. 図６は、発光チップの発光面の外周縁部からの放射光（出射光）であって第２反射面で反射された反射光で形成される配光パターンを示す説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram showing a light distribution pattern formed by reflected light that is radiated light (emitted light) from the outer peripheral edge portion of the light emitting surface of the light emitting chip and reflected by the second reflecting surface. 図７は、図５に示す配光パターンと図６に示す配光パターンとを合成（重畳）した配光パターン、すなわち、発光チップの発光面の外周縁部からの放射光（出射光）であって第１反射面および第２反射面で反射された反射光で形成される配光パターンを示す説明図である。FIG. 7 shows a light distribution pattern obtained by combining (superimposing) the light distribution pattern shown in FIG. 5 and the light distribution pattern shown in FIG. 6, that is, emitted light (emitted light) from the outer peripheral edge of the light emitting surface of the light emitting chip. It is explanatory drawing which shows the light distribution pattern formed with the reflected light reflected by the 1st reflective surface and the 2nd reflective surface. 図８は、発光チップの発光面の全面からの放射光（出射光）であって第１反射面および第２反射面で反射された反射光で形成される配光パターン、すなわち、ランプユニットから出射される配光パターンを示す説明図である。FIG. 8 shows a light distribution pattern formed from reflected light reflected from the first reflecting surface and the second reflecting surface, that is, emitted light from the entire light emitting surface of the light emitting chip, that is, from the lamp unit. It is explanatory drawing which shows the emitted light distribution pattern.

以下に、この発明にかかる車両用前照灯の実施形態（実施例）の１例を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施形態によりこの発明が限定されるものではない。図１において、半導体型光源のハッチング、投影レンズのハッチング、ヒートシンク部材のハッチングを省略してある。この明細書、別紙の特許請求の範囲において、前、後、上、下、左、右とは、この発明にかかる車両用前照灯を車両に装備した際の前、後、上、下、左、右である。また、図５〜図８において、符号「ＶＵ−ＶＤ」は、スクリーンの上下の垂直線を示す。符号「ＨＬ−ＨＲ」は、スクリーンの左右の水平線を示す。さらに、図５〜図８は、コンピュータシミュレーションにより作図されたスクリーン上の配光パターンを簡略化して示す等光度曲線の説明図である。この等光度曲線の説明図において、中央の等光度曲線は、高光度を示し、外側の等光度曲線は、低光度を示す。 Hereinafter, an example of an embodiment (example) of a vehicle headlamp according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In addition, this invention is not limited by this embodiment. In FIG. 1, the hatching of the semiconductor light source, the hatching of the projection lens, and the hatching of the heat sink member are omitted. In this specification, in the appended claims, front, rear, top, bottom, left, right are front, back, top, bottom, when the vehicle headlamp according to the present invention is mounted on a vehicle. Left and right. 5 to 8, reference sign “VU-VD” indicates vertical lines on the upper and lower sides of the screen. Reference sign “HL-HR” indicates horizontal lines on the left and right of the screen. Further, FIGS. 5 to 8 are explanatory diagrams of isoluminous curves showing the light distribution patterns on the screen drawn by computer simulation in a simplified manner. In the explanatory diagram of the isoluminous curve, the central isoluminous curve indicates high luminous intensity, and the outer isoluminous curve indicates low luminous intensity.

（実施形態の構成の説明）
以下、この実施形態における車両用前照灯の構成について説明する。この例は、たとえば、自動車用前照灯のヘッドランプについて説明する。 (Description of Configuration of Embodiment)
Hereinafter, the configuration of the vehicle headlamp in this embodiment will be described. In this example, for example, a headlamp of an automotive headlamp will be described.

（車両用前照灯１の説明）
図１、図２において、符号１は、この実施形態における車両用前照灯である。前記車両用前照灯１は、車両の前部の左右両側にそれぞれ搭載されている。前記車両用前照灯１は、図１に示すように、ランプハウジング（図示せず）と、ランプレンズ（図示せず）と、半導体型光源２と、レンズとしての投影レンズ３と、リフレクタ４と、ヒートシンク部材５と、を備える。 (Description of the vehicle headlamp 1)
1 and 2, reference numeral 1 denotes a vehicle headlamp according to this embodiment. The vehicle headlamp 1 is mounted on each of the left and right sides of the front portion of the vehicle. As shown in FIG. 1, the vehicle headlamp 1 includes a lamp housing (not shown), a lamp lens (not shown), a semiconductor light source 2, a projection lens 3 as a lens, and a reflector 4. And a heat sink member 5.

前記ランプハウジングおよび前記ランプレンズ（たとえば、素通しのアウターレンズなど）は、灯室（図示せず）を画成する。前記半導体型光源２および前記投影レンズ３および前記リフレクタ４および前記ヒートシンク部材５は、所定の配光パターンこの例では図８に示すハイビーム配光パターンＰ４を外部すなわち車両の前方に照射するプロジェクタタイプのランプユニットを構成する。前記ランプユニット２、３、４、５は、前記灯室内に配置されていて、かつ、上下方向用光軸調整機構（図示せず）および左右方向用光軸調整機構（図示せず）を介して前記ランプハウジングに取り付けられている。 The lamp housing and the lamp lens (for example, a transparent outer lens) define a lamp chamber (not shown). The semiconductor-type light source 2, the projection lens 3, the reflector 4 and the heat sink member 5 are of a projector type that irradiates a predetermined light distribution pattern, in this example, a high beam light distribution pattern P4 shown in FIG. Configure the lamp unit. The lamp units 2, 3, 4, and 5 are disposed in the lamp chamber, and are provided with a vertical optical axis adjustment mechanism (not shown) and a horizontal optical axis adjustment mechanism (not shown). Are attached to the lamp housing.

なお、前記灯室内には、前記ランプユニット２、３、４、５以外のランプユニット、たとえば、ロービーム配光パターン照射ランプユニット、クリアランスランプユニット、ターンシグナルランプユニット、デイタイムランニングランプユニットなどが配置される場合がある。また、前記灯室内には、インナーパネル（図示せず）やインナーハウジング（図示せず）やインナーレンズ（図示せず）などが配置される場合がある。 In addition, lamp units other than the lamp units 2, 3, 4, and 5 such as a low beam light distribution pattern irradiation lamp unit, a clearance lamp unit, a turn signal lamp unit, and a daytime running lamp unit are disposed in the lamp chamber. May be. In addition, an inner panel (not shown), an inner housing (not shown), an inner lens (not shown), or the like may be disposed in the lamp chamber.

（ヒートシンク部材５の説明）
前記ヒートシンク部材５は、たとえば、樹脂や金属製ダイカスト（アルミダイカスト）などの熱伝導率が高い材料からなる。前記ヒートシンク部材５には、前記半導体型光源２および前記投影レンズ３および前記リフレクタ４が取り付けられている。前記ヒートシンク部材５は、放熱部材と取付部材とを兼用する。 (Description of heat sink member 5)
The heat sink member 5 is made of a material having high thermal conductivity such as resin or metal die casting (aluminum die casting). The semiconductor light source 2, the projection lens 3, and the reflector 4 are attached to the heat sink member 5. The heat sink member 5 serves as both a heat radiating member and a mounting member.

前記ヒートシンク部材５は、図２に示すように、取付部としての板部５０と、放熱部としての複数枚のフィン部５１と、から構成されている。前記板部５０は、水平板形状をなす。複数枚の前記フィン部５１は、前記板部５０の一面（下面）に、垂直にかつ前後方向にかつ平行もしくはほぼ平行に一体に設けられている。 As shown in FIG. 2, the heat sink member 5 includes a plate portion 50 as an attachment portion and a plurality of fin portions 51 as heat dissipation portions. The plate portion 50 has a horizontal plate shape. The plurality of fin portions 51 are integrally provided on one surface (lower surface) of the plate portion 50 vertically and in the front-rear direction and in parallel or substantially in parallel.

（半導体型光源２の説明）
前記半導体型光源２は、たとえば、ＬＥＤ、ＯＥＬまたはＯＬＥＤ（有機ＥＬ）などの自発光半導体型光源である。前記半導体型光源２は、図１〜図３に示すように、基板２０と、発光チップ２１と、蛍光体２３と、から構成されている。前記基板２０は、板形状をなす。前記基板２０の一面（下面）は、前記ヒートシンク部材５の前記板部５０の他面（上面）に取り付けられている。 (Description of the semiconductor-type light source 2)
The semiconductor-type light source 2 is a self-luminous semiconductor-type light source such as an LED, an OEL, or an OLED (organic EL). As shown in FIGS. 1 to 3, the semiconductor-type light source 2 includes a substrate 20, a light emitting chip 21, and a phosphor 23. The substrate 20 has a plate shape. One surface (lower surface) of the substrate 20 is attached to the other surface (upper surface) of the plate portion 50 of the heat sink member 5.

前記発光チップ２１は、板形状をなす。前記発光チップ２１の一面（下面）は、前記基板２０の他面（上面）に実装されている。前記発光チップ２１の他面（上面）は、長方形形状をなす。前記発光チップ２１は、複数個のチップ（半導体発光素子）を光軸Ｚに対して垂直方向もしくはほぼ垂直方向（左右方向）に並べて設けてなるものである。なお、前記発光チップ２１は、１個のチップでも良いし、また、上面が正方形をなすものであっても良い。 The light emitting chip 21 has a plate shape. One surface (lower surface) of the light emitting chip 21 is mounted on the other surface (upper surface) of the substrate 20. The other surface (upper surface) of the light emitting chip 21 has a rectangular shape. The light emitting chip 21 is formed by arranging a plurality of chips (semiconductor light emitting elements) in a direction perpendicular to or substantially perpendicular to the optical axis Z (left and right direction). The light emitting chip 21 may be a single chip, or may have a square upper surface.

前記発光チップ２１の全面、すなわち、前記基板２０に実装されている下面以外の面であって、上面、前面、後面、左右両側面は、発光面２２を形成する。前記半導体型光源２に点灯回路（図示せず）からの電流を供給することにより、前記発光面２２から青色光が放射（出射）される。なお、上面の前記発光面２２は、主発光面である。 The entire surface of the light emitting chip 21, that is, the surface other than the lower surface mounted on the substrate 20, and the upper surface, the front surface, the rear surface, and the left and right side surfaces form a light emitting surface 22. By supplying a current from a lighting circuit (not shown) to the semiconductor-type light source 2, blue light is emitted (emitted) from the light emitting surface 22. The light emitting surface 22 on the upper surface is a main light emitting surface.

前記蛍光体２３は、図３に示すように、前記発光面２２を被覆する。前記蛍光体２３は、前記発光面２２から放射される前記青色光により励起されて黄色光を出射（放射）するものである。この結果、前記半導体型光源２は、前記発光面２２から放射される前記青色光と、前記蛍光体２３から出射される前記黄色光とが混合されて白色光（以下、単に「光」と称する場合がある）Ｌ０を放射（出射）するものである。 As shown in FIG. 3, the phosphor 23 covers the light emitting surface 22. The phosphor 23 emits (emits) yellow light when excited by the blue light emitted from the light emitting surface 22. As a result, the semiconductor-type light source 2 is a mixture of the blue light emitted from the light emitting surface 22 and the yellow light emitted from the phosphor 23, and thus white light (hereinafter simply referred to as “light”). (In some cases) L0 is emitted (emitted).

ここで、前記半導体型光源２の前記蛍光体２３中での光路長に応じて励起光（前記発光面２２から放射される前記青色光）と着色光（前記蛍光体２３から出射する前記黄色光）との混合（混色）程度が変化するため、前記発光面２２から放射状に出射される前記励起光のうち、前記蛍光体２３へ真っ直ぐ向かう光軸を基準とする出射角が大きいものほど、前記蛍光体２３中での光路長が長くなり、ひいては黄色がかった前記白色光Ｌ０となる。すなわち、前記半導体型光源２の前記発光面２２の端部からは、黄色がかった前記白色光Ｌ０が出射される。 Here, excitation light (the blue light emitted from the light emitting surface 22) and colored light (the yellow light emitted from the phosphor 23) according to the optical path length of the semiconductor light source 2 in the phosphor 23. ), The degree of mixing (color mixing) changes, and among the excitation light emitted radially from the light emitting surface 22, the larger the emission angle with respect to the optical axis that goes straight to the phosphor 23, the more The optical path length in the phosphor 23 becomes longer, and thus the white light L0 becomes yellowish. That is, the yellowish white light L0 is emitted from the end of the light emitting surface 22 of the semiconductor light source 2.

（投影レンズ３の説明）
前記投影レンズ３は、たとえば、ＰＣ材、ＰＭＭＡ材、ＰＣＯ材などの樹脂製のレンズからなるものである。すなわち、前記半導体型光源２の前記発光面２２から放射される光は、高い熱を持たないので、前記投影レンズ３として樹脂製のレンズを使用することができる。前記投影レンズ３は、図示されていないが、前記ヒートシンク部材５に直接もしくは別個のホルダなどを介して取り付けられている。 (Description of the projection lens 3)
The projection lens 3 is made of a resin lens such as a PC material, a PMMA material, or a PCO material. That is, since the light emitted from the light emitting surface 22 of the semiconductor light source 2 does not have high heat, a resin lens can be used as the projection lens 3. Although not shown, the projection lens 3 is attached to the heat sink member 5 directly or via a separate holder.

前記投影レンズ３は、図１に示すように、前記半導体型光源２からの前記光Ｌ０であって、前記リフレクタ４からの反射光Ｌ１、Ｌ２を、出射光Ｌ１０、Ｌ２０として、すなわち、前記ハイビーム配光パターンＰ４として、外部すなわち車両の前方に照射する。前記投影レンズ３は、焦点（物空間側の焦点面であるメリジオナル像面）Ｆ３および前記光軸Ｚを有する。 As shown in FIG. 1, the projection lens 3 uses the light L0 from the semiconductor-type light source 2 and the reflected lights L1 and L2 from the reflector 4 as emitted lights L10 and L20, that is, the high beam. The light distribution pattern P4 is irradiated to the outside, that is, the front of the vehicle. The projection lens 3 has a focal point (meridional image plane that is a focal plane on the object space side) F3 and the optical axis Z.

前記投影レンズ３は、非球面を基本とする投影レンズである。前記投影レンズ３は、後面の入射面３０と、前面の出射面３１と、から構成されている。前記入射面３０は、前記リフレクタ４と対向する。前記入射面３０は、平面もしくは非球面のほぼ平面（前記リフレクタ４に対して凸面あるいは凹面）をなす。前記出射面３１は、非球面の凸面をなす。 The projection lens 3 is a projection lens based on an aspherical surface. The projection lens 3 includes a rear entrance surface 30 and a front exit surface 31. The incident surface 30 faces the reflector 4. The incident surface 30 is substantially flat or aspheric (convex or concave with respect to the reflector 4). The exit surface 31 is an aspherical convex surface.

（リフレクタ４の説明）
前記リフレクタ４は、たとえば、樹脂部材などの耐熱性が高くかつ光不透過性の材料からなる。前記リフレクタ４は、前記ヒートシンク部材５に取り付けられている。前記リフレクタ４は、図１、図２に示すように、前側部分および下側部分が開口し、かつ、後側部分および上側部分および左右両側部分が閉塞した中空形状をなす。前記リフレクタ４の閉塞部分の凹内面には、回転楕円面（楕円）を基本（基調）とした自由曲面または回転楕円面からなる反射面（収束型反射面）４１、４２が設けられている。前記反射面４１、４２は、主発光面である上面の前記発光面２２に対向している。前記反射面４１、４２は、前記半導体型光源２からの光Ｌ０を前記反射光Ｌ１、Ｌ２として前記投影レンズ３側に反射させて、前記ハイビーム配光パターンＰ４を形成する。 (Description of reflector 4)
The reflector 4 is made of, for example, a highly heat-resistant and light-impermeable material such as a resin member. The reflector 4 is attached to the heat sink member 5. As shown in FIGS. 1 and 2, the reflector 4 has a hollow shape in which a front portion and a lower portion are opened, and a rear portion, an upper portion, and left and right side portions are closed. On the concave inner surface of the closed portion of the reflector 4, there are provided reflecting surfaces (convergent reflecting surfaces) 41, 42 made of a free-form surface or a rotating ellipsoid based on the ellipsoid (ellipse). The reflecting surfaces 41 and 42 are opposed to the light emitting surface 22 on the upper surface which is a main light emitting surface. The reflective surfaces 41 and 42 reflect the light L0 from the semiconductor-type light source 2 to the projection lens 3 side as the reflected lights L1 and L2, thereby forming the high beam light distribution pattern P4.

前記反射面は、第１反射面４１と第２反射面４２とを有する。前記第１反射面４１は、図２に示すように、前記リフレクタ４の正面の中央部分に設けられている。前記第１反射面４１は、図１（Ａ）に示すように、前記半導体型光源２もしくはその近傍に位置する第１焦点Ｆ１１と、前記投影レンズ３の前記焦点Ｆ３よりも前記半導体型光源２側に位置する第２焦点（もしくは第２焦線）Ｆ１２と、光軸（図示せず）と、を有する。 The reflection surface has a first reflection surface 41 and a second reflection surface 42. As shown in FIG. 2, the first reflecting surface 41 is provided at the central portion of the front surface of the reflector 4. As shown in FIG. 1A, the first reflective surface 41 has a first focal point F11 located at or near the semiconductor-type light source 2 and the semiconductor-type light source 2 than the focal point F3 of the projection lens 3. It has a second focal point (or second focal line) F12 located on the side and an optical axis (not shown).

前記第１反射面４１の前記第２焦点Ｆ１２は、前記投影レンズ３の前記焦点Ｆ３よりも前記半導体型光源２側に位置するので、前記第１反射面４１により形成される配光パターンは、前記ハイビーム配光パターンＰ４のうち主に上側の部分の配光パターンを担っている。前記第１反射面４１により形成される配光パターンは、図５に示す上側の部分の配光パターンＰ１とほぼ近似する。前記上側の部分の配光パターンＰ１は、前記発光チップ２１の前記発光面２２の外周縁部からの光Ｌ０であって前記第１反射面４１で反射された前記反射光Ｌ１で形成される配光パターンである。 Since the second focal point F12 of the first reflective surface 41 is located closer to the semiconductor-type light source 2 than the focal point F3 of the projection lens 3, the light distribution pattern formed by the first reflective surface 41 is The high beam distribution pattern P4 mainly bears the upper portion of the light distribution pattern. The light distribution pattern formed by the first reflecting surface 41 is approximately approximate to the light distribution pattern P1 in the upper part shown in FIG. The upper portion of the light distribution pattern P <b> 1 is a light distribution L <b> 0 from the outer peripheral edge of the light emitting surface 22 of the light emitting chip 21 and formed by the reflected light L <b> 1 reflected by the first reflecting surface 41. Light pattern.

前記第２反射面４２は、図２に示すように、前記リフレクタ４の正面の左右両側部分、すなわち、前記第１反射面４１の左右両側部分に設けられている。前記第２反射面４２は、図１（Ｂ）に示すように、前記半導体型光源２もしくはその近傍に位置する第１焦点Ｆ２１と、前記投影レンズ３の前記焦点Ｆ３よりも前記投影レンズ３側に位置する第２焦点（もしくは第２焦線）Ｆ２２と、光軸（図示せず）と、を有する。 As shown in FIG. 2, the second reflection surface 42 is provided on the left and right side portions of the front surface of the reflector 4, that is, on the left and right side portions of the first reflection surface 41. As shown in FIG. 1B, the second reflecting surface 42 has a first focal point F21 located in the semiconductor-type light source 2 or in the vicinity thereof, and the projection lens 3 side of the focal point F3 of the projection lens 3. And a second focal point (or second focal line) F22 located at, and an optical axis (not shown).

前記第２反射面４２の前記第２焦点Ｆ２２は、前記投影レンズ３の前記焦点Ｆ３よりも前記投影レンズ３側に位置するので、前記第２反射面４２により形成される配光パターンは、前記ハイビーム配光パターンＰ４のうち主に下側の部分の配光パターンを担っている。前記第２反射面４２により形成される配光パターンは、図６に示す下側の部分の配光パターンＰ２とほぼ近似する。前記下側の部分の配光パターンＰ２は、前記発光チップ２１の前記発光面２２の外周縁部からの光Ｌ０であって前記第２反射面４２で反射された前記反射光Ｌ２で形成される配光パターンである。 Since the second focal point F22 of the second reflective surface 42 is located closer to the projection lens 3 than the focal point F3 of the projection lens 3, the light distribution pattern formed by the second reflective surface 42 is It mainly bears the light distribution pattern of the lower part of the high beam light distribution pattern P4. The light distribution pattern formed by the second reflecting surface 42 is approximately similar to the light distribution pattern P2 in the lower part shown in FIG. The lower portion of the light distribution pattern P2 is formed by the reflected light L2 that is the light L0 from the outer peripheral edge of the light emitting surface 22 of the light emitting chip 21 and reflected by the second reflecting surface 42. It is a light distribution pattern.

ここで、前記の通り、前記半導体型光源２の前記発光面２２の端部からは、黄色がかった白色光Ｌ０が出射される。このために、図５に示す前記上側の部分の配光パターンＰ１においては、等光度曲線が密であるスクリーンの左右の水平線ＨＬ−ＨＲより下側の部分に黄色が出る傾向にある。この結果、前記第１反射面４１により形成される配光パターンにおいては、スクリーンの左右の水平線ＨＬ−ＨＲより下側の部分に黄色が出る傾向にある。一方、図６に示す前記下側の部分の配光パターンＰ２においては、等光度曲線が密であるスクリーンの左右の水平線ＨＬ−ＨＲより上側の部分に黄色が出る傾向にある。この結果、前記第２反射面４２により形成される配光パターンにおいては、スクリーンの左右の水平線ＨＬ−ＨＲより上側の部分に黄色が出る傾向にある。 Here, as described above, the yellowish white light L0 is emitted from the end of the light emitting surface 22 of the semiconductor-type light source 2. For this reason, in the light distribution pattern P1 of the upper part shown in FIG. 5, yellow tends to appear in the part below the horizontal line HL-HR on the left and right of the screen where the isoluminous curve is dense. As a result, in the light distribution pattern formed by the first reflecting surface 41, yellow tends to appear in a portion below the horizontal line HL-HR on the left and right of the screen. On the other hand, in the light distribution pattern P2 in the lower part shown in FIG. 6, yellow tends to appear in the part above the horizontal line HL-HR on the left and right of the screen having a dense isoluminous curve. As a result, in the light distribution pattern formed by the second reflecting surface 42, yellow tends to appear in a portion above the horizontal line HL-HR on the left and right of the screen.

前記ハイビーム配光パターンＰ４は、前記第１反射面４１により形成される配光パターンと前記第２反射面４２により形成される配光パターンとを合成（重畳）することにより形成される。このために、図８に示す前記ハイビーム配光パターンＰ４は、図５に示す前記上側の部分の配光パターンＰ１と図６に示す前記下側の部分の配光パターンＰ２とを合成（重畳）することにより形成される図７に示す合成された配光パターンＰ３とほぼ近似する。 The high beam light distribution pattern P4 is formed by combining (superimposing) the light distribution pattern formed by the first reflection surface 41 and the light distribution pattern formed by the second reflection surface. For this purpose, the high beam light distribution pattern P4 shown in FIG. 8 combines (superimposes) the light distribution pattern P1 of the upper part shown in FIG. 5 and the light distribution pattern P2 of the lower part shown in FIG. This is approximately similar to the synthesized light distribution pattern P3 shown in FIG.

前記第１反射面４１の前記第１焦点Ｆ１１と、前記第２反射面４２の前記第１焦点Ｆ２１と、主発光面である上面の前記発光面２２の中心点Ｏとは、一致もしくはほぼ一致する。前記第１反射面４１の面積は、前記第２反射面４２の面積よりも広い（大きい）。前記第１反射面４１により形成される配光パターンの最高光度（図５の最高光度ＨＺ参照）は、前記第２反射面４２により形成される配光パターンの最高光度（図６の最高光度ＨＺ参照）よりも低い（小さい）。前記第１反射面４１により形成される配光パターンの最高光度は、前記第２反射面４２により形成される配光パターンの最高光度よりも上側（スクリーンの左右の水平線ＨＬ−ＨＲ側）に位置する。 The first focal point F11 of the first reflecting surface 41, the first focal point F21 of the second reflecting surface 42, and the center point O of the light emitting surface 22 of the upper surface that is the main light emitting surface coincide with or substantially coincide with each other. To do. The area of the first reflective surface 41 is wider (larger) than the area of the second reflective surface 42. The highest luminous intensity of the light distribution pattern formed by the first reflective surface 41 (see the highest luminous intensity HZ in FIG. 5) is the highest luminous intensity of the light distribution pattern formed by the second reflective surface 42 (maximum luminous intensity HZ in FIG. 6). Lower than (see). The maximum luminous intensity of the light distribution pattern formed by the first reflective surface 41 is located above the maximum luminous intensity of the light distribution pattern formed by the second reflective surface 42 (on the horizontal line HL-HR on the left and right sides of the screen). To do.

（実施形態の作用の説明）
この実施形態における車両用前照灯１は、以上のごとき構成からなり、以下、その作用について説明する。 (Description of the operation of the embodiment)
The vehicle headlamp 1 in this embodiment is configured as described above, and the operation thereof will be described below.

半導体型光源２に電流を供給する。すると、発光面２２から青色光が放射される。この青色光により、蛍光体２３が励起されて黄色光を照射する。この青色光と黄色光とが混合（混色）されて白色光Ｌ０となって、半導体型光源２から放射される。半導体型光源２から放射された光Ｌ０は、リフレクタ４の第１反射面４１、第２反射面４２で反射光Ｌ１、Ｌ２として投影レンズ３側に反射される。 A current is supplied to the semiconductor light source 2. Then, blue light is emitted from the light emitting surface 22. The blue light excites the phosphor 23 to emit yellow light. The blue light and yellow light are mixed (colored) to become white light L0, which is emitted from the semiconductor-type light source 2. The light L0 emitted from the semiconductor-type light source 2 is reflected to the projection lens 3 side as reflected light L1 and L2 by the first reflecting surface 41 and the second reflecting surface 42 of the reflector 4.

半導体型光源２からの光Ｌ０の一部であって、図２の正面図における中央部分の光Ｌ０は、第１反射面４１で反射する。その反射光Ｌ１は、投影レンズ３を透過して、出射光Ｌ１０として、すなわち、ハイビーム配光パターンＰ４のうち主に上側の部分の配光パターンとして、外部すなわち車両の前方に照射される。 A part of the light L0 from the semiconductor-type light source 2 and the central part of the light L0 in the front view of FIG. The reflected light L1 passes through the projection lens 3 and is emitted to the outside, that is, the front of the vehicle, as outgoing light L10, that is, as a light distribution pattern mainly in the upper part of the high beam light distribution pattern P4.

半導体型光源２からの光Ｌ０の残りの一部であって、図２の正面図における左右両側部分の光Ｌ０は、第２反射面４２で反射する。その反射光Ｌ２は、投影レンズ３を透過して、出射光Ｌ２０として、すなわち、ハイビーム配光パターンＰ４のうち主に下側の部分の配光パターンとして、外部すなわち車両の前方に照射される。 The remaining part of the light L0 from the semiconductor-type light source 2 and the light L0 on the left and right sides in the front view of FIG. The reflected light L2 passes through the projection lens 3 and is emitted to the outside, that is, the front of the vehicle, as outgoing light L20, that is, as a light distribution pattern mainly in the lower part of the high beam light distribution pattern P4.

上側の部分の配光パターンと下側の部分の配光パターンとが合成（重畳）されて図８に示すハイビーム配光パターンＰ４が得られる。 The light distribution pattern of the upper part and the light distribution pattern of the lower part are combined (superimposed) to obtain a high beam light distribution pattern P4 shown in FIG.

（実施形態の効果の説明）
この実施形態における車両用前照灯１は、以上のごとき構成および作用からなり、以下、その効果について説明する。 (Explanation of effect of embodiment)
The vehicle headlamp 1 in this embodiment has the above-described configuration and operation, and the effects thereof will be described below.

この実施形態における車両用前照灯１は、第１反射面４１により形成される配光パターンが、投影レンズ３から車両の前方に照射されるハイビーム配光パターンＰ４のうち主に上側の部分の配光パターンであり、一方、第２反射面４２により形成される配光パターンが、投影レンズ３から車両の前方に照射されるハイビーム配光パターンＰ４のうち主に下側の部分の配光パターンである。このために、この実施形態における車両用前照灯１は、主に上側の部分の配光パターンのうち黄色が出る傾向にあるスクリーンの左右の水平線ＨＬ−ＨＲより下側の部分が主に下側の部分の配光パターン中に混ざり込み、一方、主に下側の部分の配光パターンのうち黄色が出る傾向にあるスクリーンの左右の水平線ＨＬ−ＨＲより上側の部分が主に上側の部分の配光パターン中に混ざり込む。この結果、この実施形態における車両用前照灯１は、投影レンズ３から車両の前方に照射されるハイビーム配光パターンＰ４のうち黄色がかった部分を低減することができる。 In the vehicle headlamp 1 in this embodiment, the light distribution pattern formed by the first reflecting surface 41 is mainly the upper portion of the high beam light distribution pattern P4 irradiated from the projection lens 3 to the front of the vehicle. On the other hand, the light distribution pattern formed by the second reflecting surface 42 is mainly the light distribution pattern of the lower part of the high beam light distribution pattern P4 irradiated from the projection lens 3 to the front of the vehicle. It is. For this reason, in the vehicle headlamp 1 in this embodiment, the portion below the horizontal line HL-HR on the left and right sides of the screen, which tends to produce yellow in the light distribution pattern of the upper portion, is mainly lower. On the other hand, the portion above the horizontal line HL-HR on the left and right of the screen, which tends to appear yellow in the light distribution pattern of the lower portion, is mainly the upper portion. It mixes in the light distribution pattern. As a result, the vehicle headlamp 1 in this embodiment can reduce the yellowish portion of the high beam light distribution pattern P4 irradiated from the projection lens 3 to the front of the vehicle.

すなわち、第１反射面４１により形成される配光パターンとほぼ近似する図５に示す上側の部分の配光パターンＰ１においては、等光度曲線が密であるスクリーンの左右の水平線ＨＬ−ＨＲより下側の部分に黄色が出る傾向にある。一方、第２反射面４２により形成される配光パターンとほぼ近似する図６に示す下側の部分の配光パターンＰ２においては、等光度曲線が密であるスクリーンの左右の水平線ＨＬ−ＨＲより上側の部分に黄色が出る傾向にある。上側の部分の配光パターンＰ１と下側の部分の配光パターンＰ２とを合成する。すると、上側の部分の配光パターンＰ１の黄色が出る傾向にあるスクリーンの左右の水平線ＨＬ−ＨＲより下側の部分が下側の部分の配光パターンＰ２中に混ざり込む。一方、下側の部分の配光パターンＰ２の黄色が出る傾向にあるスクリーンの左右の水平線ＨＬ−ＨＲより上側の部分が上側の部分の配光パターンＰ１中に混ざり込む。この結果、黄色がかった部分が低減された図７に示す合成された配光パターンＰ３が得られる。図７に示す合成された配光パターンＰ３は、図８に示すハイビーム配光パターンＰ４とほぼ近似する。これにより、図８に示すハイビーム配光パターンＰ４において、黄色がかった部分を低減することができる。 That is, in the upper portion of the light distribution pattern P1 shown in FIG. 5 that is approximately approximate to the light distribution pattern formed by the first reflecting surface 41, the screen is below the horizontal line HL-HR on the left and right of the screen having a dense isoluminous curve. Yellow tends to appear on the side. On the other hand, in the light distribution pattern P2 in the lower part shown in FIG. 6 that is approximately approximate to the light distribution pattern formed by the second reflecting surface 42, the horizontal line HL-HR on the left and right of the screen having a dense isoluminous curve. There is a tendency for yellow to appear in the upper part. The light distribution pattern P1 of the upper part and the light distribution pattern P2 of the lower part are synthesized. Then, the part below the horizontal line HL-HR on the left and right of the screen where the yellow light distribution pattern P1 of the upper part tends to appear is mixed in the light distribution pattern P2 of the lower part. On the other hand, the upper part of the light distribution pattern P2 in the lower part above the left and right horizontal lines HL-HR of the screen, which tends to appear yellow, is mixed in the light distribution pattern P1 in the upper part. As a result, the synthesized light distribution pattern P3 shown in FIG. 7 in which the yellowish portion is reduced is obtained. The synthesized light distribution pattern P3 shown in FIG. 7 is approximately similar to the high beam light distribution pattern P4 shown in FIG. Thereby, in the high beam light distribution pattern P4 shown in FIG. 8, the yellowish portion can be reduced.

以下、単一反射面において、ハイビーム配光パターンＰ４に黄色がかった部分が発生する要因について説明する。 Hereinafter, the cause of the occurrence of a yellowish portion in the high beam light distribution pattern P4 on the single reflection surface will be described.

前記の通り、半導体型光源２の発光面２２の端部からは、黄色がかった白色光Ｌ０が出射される。一方、半導体型光源２からの光Ｌ０が単一反射面で反射し、その反射光が投影レンズ３を透過して出射光として車両の前方に照射される。このとき、図４に示すように、投影レンズ３からの半導体型光源２の発光面２２の投影像Ｉは、中心点Ｏを中心として回転展開した状態で重なり合っている。その投影像Ｉにおいて、多くの辺が重なっている点Ｐが存在する。そして、その投影像Ｉの辺においては、黄色が出ている。このために、この点Ｐにおいて、黄色が強く出る。これにより、単一反射面においては、ハイビーム配光パターンＰ４に黄色がかった部分が発生するものである。 As described above, the yellowish white light L0 is emitted from the end of the light emitting surface 22 of the semiconductor-type light source 2. On the other hand, the light L0 from the semiconductor-type light source 2 is reflected by a single reflecting surface, and the reflected light passes through the projection lens 3 and is emitted to the front of the vehicle as outgoing light. At this time, as shown in FIG. 4, the projection image I of the light emitting surface 22 of the semiconductor light source 2 from the projection lens 3 is overlapped in a state of being rotated and developed around the center point O. In the projection image I, there is a point P where many sides overlap. And in the side of the projection image I, yellow has come out. For this reason, yellow appears strongly at this point P. As a result, on the single reflection surface, a yellowish portion is generated in the high beam light distribution pattern P4.

これに対して、この実施形態における車両用前照灯１は、第１反射面４１により形成される配光パターンが、投影レンズ３から車両の前方に照射されるハイビーム配光パターンＰ４のうち主に上側の部分の配光パターンであり、一方、第２反射面４２により形成される配光パターンが、投影レンズ３から車両の前方に照射されるハイビーム配光パターンＰ４のうち主に下側の部分の配光パターンである。 On the other hand, in the vehicle headlamp 1 according to this embodiment, the light distribution pattern formed by the first reflecting surface 41 is the main light beam among the high beam light distribution patterns P4 irradiated from the projection lens 3 to the front of the vehicle. On the other hand, the light distribution pattern formed by the second reflecting surface 42 is mainly the lower side of the high beam light distribution pattern P4 irradiated from the projection lens 3 to the front of the vehicle. It is a light distribution pattern of a part.

すなわち、この実施形態における車両用前照灯１は、発光チップ２１の発光面２２の外周縁部からの放射光（出射光）Ｌ０であって第１反射面４１で反射された反射光Ｌ１でかつ投影レンズ３から出射された出射光Ｌ１０で形成される配光パターンＰ１は、図５に示すように、スクリーンの左右の水平線ＨＬ−ＨＲよりも上側に位置し、発光チップ２１の発光面２２の外周縁部からの放射光（出射光）Ｌ０であって第２反射面４２で反射された反射光Ｌ２でかつ投影レンズ３から出射された出射光Ｌ２０で形成される配光パターンＰ２は、図６に示すように、スクリーンの左右の水平線ＨＬ−ＨＲよりも下側に位置する。 That is, the vehicle headlamp 1 in this embodiment is a reflected light L1 that is radiated light (emitted light) L0 from the outer peripheral edge of the light emitting surface 22 of the light emitting chip 21 and reflected by the first reflecting surface 41. The light distribution pattern P1 formed by the emitted light L10 emitted from the projection lens 3 is positioned above the horizontal line HL-HR on the left and right of the screen as shown in FIG. The light distribution pattern P2 formed from the emitted light L20 emitted from the projection lens 3 and the reflected light L2 reflected by the second reflecting surface 42, which is the emitted light (emitted light) L0 from the outer peripheral edge of As shown in FIG. 6, it is located below the horizontal line HL-HR on the left and right of the screen.

このために、この実施形態における車両用前照灯１は、図５に示すスクリーンの左右の水平線ＨＬ−ＨＲよりも上側に位置する配光パターンＰ１のうち黄色がかった部分が、図６に示すスクリーンの左右の水平線ＨＬ−ＨＲよりも下側に位置する配光パターンＰ２中に混ざり込み、一方、図６に示すスクリーンの左右の水平線ＨＬ−ＨＲよりも下側に位置する配光パターンＰ２のうち黄色がかった部分が、図５に示すスクリーンの左右の水平線ＨＬ−ＨＲよりも上側に位置する配光パターンＰ１中に混ざり込む。この結果、この実施形態における車両用前照灯１は、投影レンズ３から車両の前方に照射されるハイビーム配光パターンＰ４のうち黄色がかった部分を低減することができる。 Therefore, in the vehicle headlamp 1 according to this embodiment, the yellowish portion of the light distribution pattern P1 located above the horizontal line HL-HR on the left and right of the screen shown in FIG. 5 is shown in FIG. The light distribution pattern P2 is mixed in the light distribution pattern P2 positioned below the horizontal line HL-HR on the left and right of the screen, while the light distribution pattern P2 positioned below the horizontal line HL-HR on the screen shown in FIG. Of these, the yellowish portion is mixed in the light distribution pattern P1 located above the horizontal line HL-HR on the left and right of the screen shown in FIG. As a result, the vehicle headlamp 1 in this embodiment can reduce the yellowish portion of the high beam light distribution pattern P4 irradiated from the projection lens 3 to the front of the vehicle.

特に、この実施形態における車両用前照灯１は、第１反射面４１の面積が第２反射面４２の面積よりも広く、また、第１反射面４１により形成される配光パターンの最高光度が第２反射面４２により形成される配光パターンの最高光度よりも低く、さらに、第１反射面４１により形成される配光パターンの最高光度が第２反射面４２により形成される配光パターンの最高光度よりも上側（スクリーンの左右の水平線ＨＬ−ＨＲ側）に位置する。この結果、この実施形態における車両用前照灯１は、ハイビーム配光パターンＰ４の最高光度の値を向上させることができる。 In particular, in the vehicle headlamp 1 according to this embodiment, the area of the first reflecting surface 41 is larger than the area of the second reflecting surface 42, and the maximum luminous intensity of the light distribution pattern formed by the first reflecting surface 41. Is lower than the maximum luminous intensity of the light distribution pattern formed by the second reflective surface 42, and the maximum luminous intensity of the light distribution pattern formed by the first reflective surface 41 is also formed by the second reflective surface 42. Above the maximum luminous intensity (on the horizontal line HL-HR on the left and right sides of the screen). As a result, the vehicle headlamp 1 in this embodiment can improve the maximum luminous intensity value of the high beam light distribution pattern P4.

しかも、この実施形態における車両用前照灯１は、反射面を第１反射面４１と第２反射面４２とにするだけのものであるから、反射面を上下方向に移動させる従来の車両用前照灯と比較して、構造が簡単であり、かつ、製造コストが安価である。 In addition, since the vehicle headlamp 1 in this embodiment has only the reflection surface as the first reflection surface 41 and the second reflection surface 42, it is for a conventional vehicle that moves the reflection surface in the vertical direction. Compared with the headlamp, the structure is simple and the manufacturing cost is low.

この実施形態における車両用前照灯１は、第１反射面４１および第２反射面４２が共に第１焦点Ｆ１１、Ｆ２１が半導体型光源２の発光面２２の中心点Ｏもしくはその近傍に位置する回転楕円面を基本とする自由曲面または回転楕円面から構成されている。このために、この実施形態における車両用前照灯１は、第１反射面４１と第２反射面４２とにより、所定の配光パターン、この例では、ハイビーム配光パターンＰ４を容易に成形することができる。 In the vehicle headlamp 1 in this embodiment, the first reflecting surface 41 and the second reflecting surface 42 are both located at the first focal point F11, F21 at the center point O of the light emitting surface 22 of the semiconductor light source 2 or in the vicinity thereof. It is composed of a free-form surface or a spheroid surface based on a spheroid. For this reason, the vehicle headlamp 1 in this embodiment easily forms a predetermined light distribution pattern, in this example, a high beam light distribution pattern P4, by the first reflective surface 41 and the second reflective surface 42. be able to.

（実施形態の変形例の説明）
この実施形態の変形例における車両用前照灯は、図１（Ａ）、図２中の二点鎖線にて示すように、第１反射面４１を前側の部分と後側の部分とに分割しても良い。第１反射面４１の前側の部分で得られる配光パターンは、図５に示すスクリーンの左右の水平線ＨＬ−ＨＲよりも上側に位置する配光パターンＰ１のうち主に拡散系の配光パターンである。第１反射面４１の後側の部分で得られる配光パターンは、図５に示すスクリーンの左右の水平線ＨＬ−ＨＲよりも上側に位置する配光パターンＰ１のうち主に集光系の配光パターンである。 (Description of Modified Example of Embodiment)
The vehicle headlamp in the modification of this embodiment divides the first reflecting surface 41 into a front part and a rear part as shown by a two-dot chain line in FIG. 1 (A) and FIG. You may do it. The light distribution pattern obtained at the front portion of the first reflecting surface 41 is mainly a light distribution pattern of a diffusion system among the light distribution patterns P1 positioned above the horizontal line HL-HR on the left and right of the screen shown in FIG. is there. The light distribution pattern obtained at the rear part of the first reflecting surface 41 is mainly the light distribution of the condensing system among the light distribution patterns P1 located above the horizontal line HL-HR on the left and right of the screen shown in FIG. It is a pattern.

また、この実施形態の変形例における車両用前照灯は、第１反射面４１の前側の部分と後側の部分と第２反射面４２の左側の部分と右側の部分とのそれぞれの図８に示すハイビーム配光パターンＰ４の最高光度への寄与率が異なる。すなわち、第１反射面４１の前側の部分の寄与率は約２２％、第１反射面４１の後側の部分の寄与率は約３０％、第２反射面４２の左側の部分の寄与率は約２４％、第２反射面４２の右側の部分の寄与率は約２４％である。すなわち、４つの部分の寄与率はそれぞれ約２０％〜約３０％であり、また、最大と最小との差が約１０％以内である。これにより、この実施形態の変形例における車両用前照灯は、前記の実施形態における車両用前照灯１とほぼ同様に、ハイビーム配光パターンＰ４の最高光度の値を向上させることができる。 Moreover, the vehicle headlamp in the modification of this embodiment is shown in FIG. 8 each of a front part, a rear part, a left part and a right part of the second reflective surface 42 of the first reflective surface 41. The contribution ratio to the maximum luminous intensity of the high beam light distribution pattern P4 shown in FIG. That is, the contribution ratio of the front part of the first reflection surface 41 is approximately 22%, the contribution ratio of the rear part of the first reflection surface 41 is approximately 30%, and the contribution ratio of the left part of the second reflection surface 42 is The contribution ratio of the right part of the second reflecting surface 42 is about 24%. That is, the contribution ratios of the four portions are about 20% to about 30%, respectively, and the difference between the maximum and minimum is within about 10%. Thereby, the vehicle headlamp in the modification of this embodiment can improve the value of the maximum luminous intensity of the high beam light distribution pattern P4 in substantially the same manner as the vehicle headlamp 1 in the above embodiment.

（実施形態以外の例の説明）
なお、この実施形態においては、ハイビーム配光パターンＰ４を照射するものである。ところが、この発明においては、ハイビーム配光パターンＰ４以外の配光パターン、たとえば、可動シェードなどを使用してハイビーム配光パターンとロービーム配光パターンとを切り替えるもの、あるいは、固定シェードなどを使用してロービーム配光パターン、あるいは、高速道路用配光パターン、フォグランプ用配光パターンなどを照射するものであっても良い。 (Description of example other than embodiment)
In this embodiment, the high beam light distribution pattern P4 is irradiated. However, in the present invention, a light distribution pattern other than the high beam light distribution pattern P4, for example, a switch between a high beam light distribution pattern and a low beam light distribution pattern using a movable shade, or a fixed shade is used. A low beam light distribution pattern, a highway light distribution pattern, a fog lamp light distribution pattern, or the like may be irradiated.

また、この実施形態においては、発光面２２が上向きであり、反射面４１、４２が下向きである。ところが、この発明においては、発光面２２が下向きであり、反射面４１、４２が上向きであっても良いし、発光面２２が右向きであり、反射面４１、４２が左向きであっても良いし、発光面２２が左向きであり、反射面４１、４２が右向きであっても良い。 Further, in this embodiment, the light emitting surface 22 is upward, and the reflecting surfaces 41 and 42 are downward. However, in the present invention, the light emitting surface 22 may be facing downward, the reflecting surfaces 41 and 42 may be facing upward, the light emitting surface 22 may be facing right, and the reflecting surfaces 41 and 42 may be facing left. The light emitting surface 22 may be facing left, and the reflecting surfaces 41 and 42 may be facing right.

さらに、この実施例においては、発光チップ２１として、発光面２２から青色光を放射する発光チップ２１を使用し、かつ、蛍光体２３として、発光面２２から放射される青色光により励起されて黄色光を出射（放射）する蛍光体２３を使用するものである。すなわち、この実施形態においては、半導体型光源２として、発光面２２の端部から黄色がかった白色光Ｌ０を出射する半導体型光源２を使用するものである。ところが、この発明においては、発光チップ２１として、発光面２２から青色光以外の色の光を放射する発光チップ２１を使用し、かつ、蛍光体２３として、発光面２２から放射される青色光以外の色の光により励起されて黄色光以外の色の光を出射（放射）する蛍光体２３を使用するものであっても良い。すなわち、この実施形態においては、半導体型光源２として、発光面２２の端部から黄色以外の色がかった白色光Ｌ０を出射する半導体型光源２を使用するものであっても良い。 Furthermore, in this embodiment, the light emitting chip 21 that emits blue light from the light emitting surface 22 is used as the light emitting chip 21, and the phosphor 23 is excited by the blue light emitted from the light emitting surface 22 and yellow. A phosphor 23 that emits (emits) light is used. That is, in this embodiment, the semiconductor light source 2 that emits yellowish white light L <b> 0 from the end of the light emitting surface 22 is used as the semiconductor light source 2. However, in the present invention, the light emitting chip 21 that emits light of a color other than blue light from the light emitting surface 22 is used as the light emitting chip 21, and the phosphor 23 other than the blue light emitted from the light emitting surface 22 is used. It is also possible to use a phosphor 23 that emits (emits) light of a color other than yellow light when excited by light of the color of. That is, in this embodiment, the semiconductor light source 2 that emits white light L0 having a color other than yellow from the end of the light emitting surface 22 may be used as the semiconductor light source 2.

１車両用前照灯
２半導体型光源
２０基板
２１発光チップ
２２発光面
２３蛍光体
３投影レンズ
３０入射面
３１出射面
４リフレクタ
４１第１反射面
４２第２反射面
５ヒートシンク部材
５０板部
５１フィン部
Ｆ１１、Ｆ２１第１焦点
Ｆ１２、Ｆ２２第２焦点
Ｆ３焦点（投影レンズの焦点）
ＨＬ−ＨＲスクリーンの左右の水平線
Ｉ投影像
Ｌ０光（白色光）
Ｌ１、Ｌ２反射光
Ｌ１０、Ｌ２０出射光
Ｏ中心点
Ｐ１上側の部分の配光パターン
Ｐ２下側の部分の配光パターン
Ｐ３合成された配光パターン
Ｐ４ハイビーム配光パターン
ＶＵ−ＶＤスクリーンの上下の垂直線
Ｚ光軸
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Vehicle headlamp 2 Semiconductor type light source 20 Board | substrate 21 Light-emitting chip 22 Light emission surface 23 Phosphor 3 Projection lens 30 Incident surface 31 Output surface 4 Reflector 41 1st reflective surface 42 2nd reflective surface 5 Heat sink member 50 Plate part 51 Fin Part F11, F21 First focus F12, F22 Second focus F3 Focus (projection lens focus)
HL-HR Horizontal lines on the screen I Projected image L0 light (white light)
L1, L2 Reflected light L10, L20 Emitted light O Center point P1 Upper part light distribution pattern P2 Lower part light distribution pattern P3 Combined light distribution pattern P4 High beam light distribution pattern VU-VD Vertical vertical of screen Line Z Optical axis

Claims

A semiconductor light source;
A reflector having a reflecting surface for reflecting light from the semiconductor-type light source;
A lens that irradiates the front of the vehicle with the light reflected from the reflecting surface in a predetermined light distribution pattern;
With
The reflective surface has a first reflective surface and a second reflective surface;
The first reflecting surface has a first focal point located near the semiconductor-type light source or the vicinity thereof, and a second focal point located closer to the semiconductor-type light source than the focal point of the lens,
The second reflecting surface has a first focal point located near the semiconductor-type light source or the vicinity thereof, and a second focal point located closer to the lens than the focal point of the lens.
A vehicle headlamp characterized by that.

The semiconductor-type light source includes: a chip having a light emitting surface that emits blue light; and a phosphor that covers the light emitting surface and is excited by the blue light to emit yellow light. The blue light and the yellow light Mixed with light to emit white light,
The vehicle headlamp according to claim 1.

The first reflecting surface and the second reflecting surface are both composed of a free-form surface or a spheroidal surface based on a spheroidal surface,
The vehicle headlamp according to claim 1 or 2, characterized in that