JP6398381B2 - Light emitting device and manufacturing method thereof - Google Patents

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Description

発光装置及びその製造方法に関する。   The present invention relates to a light emitting device and a manufacturing method thereof.

従来、発光装置のサイズを発光素子に近いレベルまで小型化したＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ又はＣｈｉｐ Ｓｃａｌｅ Ｐａｃｋａｇｅ）構造を有する発光装置において、より一層の小型化を実現するために、基板上に半導体層を形成した後、レーザリフトオフ法やエッチングなどにより基板を除去して発光素子とし、半導体層の実装面側を樹脂層で覆う発明が提案された（特許文献１参照）。   2. Description of the Related Art Conventionally, in a light emitting device having a CSP (Chip Size Package or Chip Scale Package) structure in which the size of the light emitting device is reduced to a level close to that of a light emitting element, a semiconductor layer is formed on the substrate in order to realize further miniaturization. After the formation, an invention has been proposed in which the substrate is removed by a laser lift-off method or etching to form a light emitting element, and the mounting surface side of the semiconductor layer is covered with a resin layer (see Patent Document 1).

特開２０１３−２４７２４７号公報JP 2013-247247 A

発光装置の幅が発光素子の幅と同程度に維持されたＣＳＰ構造を有する発光装置において、発光素子上に設けられた保護素子を樹脂層内に埋没させることができる発光装置を提供することを目的とする。   A light-emitting device having a CSP structure in which the width of the light-emitting device is maintained to be approximately the same as the width of the light-emitting element, and a light-emitting device capable of burying a protective element provided on the light-emitting element in a resin layer. Objective.

上記課題は、次の手段により解決される。   The above problem is solved by the following means.

半導体層の実装面側にｐ側電極及びｎ側電極を備えた発光素子と、前記発光素子のｐ側電極及びｎ側電極を覆う樹脂層と、前記樹脂層内で前記発光素子上に設けられ、前記発光素子のｐ側電極及びｎ側電極に電気的に接続された保護素子と、前記樹脂層内に設けられ、前記発光素子のｐ側電極に接続されるとともに前記樹脂層における前記発光素子とは反対側の面において露出するｐ側導電性部材と、前記樹脂層内に設けられ、前記発光素子のｎ側電極に接続されるとともに前記樹脂層における前記発光素子とは反対側の面において露出するｎ側導電性部材と、を備え、前記ｐ側導電性部材及び前記ｎ側導電性部材は、それぞれワイヤを有することを特徴とする発光装置。   A light-emitting element having a p-side electrode and an n-side electrode on the mounting surface side of the semiconductor layer; a resin layer covering the p-side electrode and the n-side electrode of the light-emitting element; and provided on the light-emitting element in the resin layer A protective element electrically connected to the p-side electrode and the n-side electrode of the light-emitting element, and the light-emitting element provided in the resin layer and connected to the p-side electrode of the light-emitting element and in the resin layer P-side conductive member exposed on the surface opposite to the surface of the resin layer, and provided in the resin layer, connected to the n-side electrode of the light-emitting element and on the surface of the resin layer opposite to the light-emitting element An exposed n-side conductive member, wherein each of the p-side conductive member and the n-side conductive member includes a wire.

半導体層の実装面側にｐ側電極及びｎ側電極を有する発光素子と、ｐ側電極及びｎ側電極を同一面側に有する保護素子と、を準備する工程と、前記発光素子のｐ側電極と前記保護素子のｐ側電極とが電気的に接続され、かつ前記発光素子のｎ側電極と前記保護素子のｎ側電極とが電気的に接続されるように、前記発光素子上に前記保護素子を実装する工程と、ワイヤの一端を前記発光素子のｐ側電極に接続し、かつワイヤの他端を前記発光素子のｎ側電極に接続する工程と、前記半導体層の実装面側に樹脂層を形成し、前記保護素子と前記ワイヤを前記樹脂層内に埋没させる工程と、前記樹脂層の一部を除去して前記樹脂層内に埋没させたワイヤの一部を前記樹脂層における発光素子とは反対側の面において露出させる工程と、を有することを特徴とする発光装置の製造方法。   A step of preparing a light emitting element having a p-side electrode and an n-side electrode on the mounting surface side of the semiconductor layer, and a protective element having a p-side electrode and an n-side electrode on the same surface side; and the p-side electrode of the light-emitting element And the p-side electrode of the protection element are electrically connected, and the protection is provided on the light-emitting element so that the n-side electrode of the light-emitting element and the n-side electrode of the protection element are electrically connected. Mounting the element, connecting one end of the wire to the p-side electrode of the light-emitting element and connecting the other end of the wire to the n-side electrode of the light-emitting element, and mounting the resin on the mounting surface side of the semiconductor layer Forming a layer and burying the protective element and the wire in the resin layer; and removing a part of the resin layer and burying a part of the wire embedded in the resin layer in the resin layer And a step of exposing on a surface opposite to the element. Method of manufacturing a light emitting device according to claim.

半導体層の実装面側にｐ側電極及びｎ側電極を有する発光素子と、ｐ側電極およびｎ側電極を同一面側に有する保護素子と、を準備する工程と、前記発光素子とは反対側にｐ側電極及びｎ側電極を有するように前記保護素子を前記発光素子上に載置する工程と、第１ワイヤの一端を前記発光素子のｐ側電極に接続し、かつ前記第１ワイヤの他端を前記保護素子のｐ側電極に接続するとともに、第２ワイヤの一端を前記発光素子のｎ側電極に接続し、かつ前記第２ワイヤの他端を前記保護素子のｎ側電極に接続する工程と、前記半導体層の実装面側に樹脂層を形成し、前記保護素子と前記第１ワイヤ及び前記第２ワイヤとを前記樹脂層内に埋没させる工程と、前記樹脂層の一部を除去して前記樹脂層内に埋没させた第１ワイヤ及び第２ワイヤの一部を前記樹脂層における発光素子とは反対側の面において露出させる工程と、を有することを特徴とする発光装置の製造方法。   A step of preparing a light-emitting element having a p-side electrode and an n-side electrode on the mounting surface side of the semiconductor layer, and a protective element having a p-side electrode and an n-side electrode on the same surface side; A step of placing the protective element on the light emitting element so as to have a p-side electrode and an n-side electrode, connecting one end of the first wire to the p-side electrode of the light-emitting element, and The other end is connected to the p-side electrode of the protection element, one end of the second wire is connected to the n-side electrode of the light emitting element, and the other end of the second wire is connected to the n-side electrode of the protection element Forming a resin layer on the mounting surface side of the semiconductor layer, burying the protective element, the first wire, and the second wire in the resin layer, and a part of the resin layer. Of the first and second wires removed and buried in the resin layer Method of manufacturing a light emitting device characterized by the light emitting element in the resin layer part and a step of exposing the surface of the opposite side.

上記の発光装置及びその製造方法によれば、発光装置の幅が発光素子の幅と同程度に維持されたＣＳＰ構造を有する発光装置において、発光素子上に設けられた保護素子を樹脂層内に埋没させることができる発光装置を提供することができる。   According to the light emitting device and the manufacturing method thereof, in the light emitting device having a CSP structure in which the width of the light emitting device is maintained to be approximately the same as the width of the light emitting element, the protective element provided on the light emitting element is disposed in the resin layer. A light-emitting device that can be buried can be provided.

実施形態１に係る発光装置の構成を示す模式的平面図である。1 is a schematic plan view showing a configuration of a light emitting device according to Embodiment 1. FIG. 図１Ａ中のＡ−Ａ線断面を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the AA line cross section in FIG. 1A. 実施形態１に係る発光装置の製造方法の一例を説明する模式的断面図である。6 is a schematic cross-sectional view illustrating an example of a method for manufacturing the light emitting device according to Embodiment 1. FIG. 実施形態１に係る発光装置の製造方法の一例を説明する模式的断面図である。6 is a schematic cross-sectional view illustrating an example of a method for manufacturing the light emitting device according to Embodiment 1. FIG. 実施形態１に係る発光装置の製造方法の一例を説明する模式的断面図である。6 is a schematic cross-sectional view illustrating an example of a method for manufacturing the light emitting device according to Embodiment 1. FIG. 実施形態１に係る発光装置の製造方法の一例を説明する模式的断面図である。6 is a schematic cross-sectional view illustrating an example of a method for manufacturing the light emitting device according to Embodiment 1. FIG. 実施形態１に係る発光装置の製造方法の一例を説明する模式的断面図である。6 is a schematic cross-sectional view illustrating an example of a method for manufacturing the light emitting device according to Embodiment 1. FIG. 実施形態１に係る発光装置の製造方法の一例を説明する模式的断面図である。6 is a schematic cross-sectional view illustrating an example of a method for manufacturing the light emitting device according to Embodiment 1. FIG. 実施形態１に係る発光装置の製造方法の一例を説明する模式的断面図である。6 is a schematic cross-sectional view illustrating an example of a method for manufacturing the light emitting device according to Embodiment 1. FIG. 実施形態１に係る発光装置の製造方法の一例を説明する模式的断面図である。6 is a schematic cross-sectional view illustrating an example of a method for manufacturing the light emitting device according to Embodiment 1. FIG. 実施形態２に係る発光装置の構成を示す模式的平面図である。6 is a schematic plan view showing a configuration of a light emitting device according to Embodiment 2. FIG. 図３Ａ中のＡ−Ａ線断面を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the AA cross section in FIG. 3A. 実施形態２に係る発光装置の製造方法の一例を説明する模式的断面図である。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view illustrating an example of a method for manufacturing a light emitting device according to Embodiment 2. 実施形態２に係る発光装置の製造方法の一例を説明する模式的断面図である。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view illustrating an example of a method for manufacturing a light emitting device according to Embodiment 2. 実施形態２に係る発光装置の製造方法の一例を説明する模式的断面図である。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view illustrating an example of a method for manufacturing a light emitting device according to Embodiment 2. 実施形態２に係る発光装置の製造方法の一例を説明する模式的断面図である。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view illustrating an example of a method for manufacturing a light emitting device according to Embodiment 2. 実施形態２に係る発光装置の製造方法の一例を説明する模式的断面図である。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view illustrating an example of a method for manufacturing a light emitting device according to Embodiment 2. 実施形態２に係る発光装置の製造方法の一例を説明する模式的断面図である。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view illustrating an example of a method for manufacturing a light emitting device according to Embodiment 2. 実施形態２に係る発光装置の製造方法の一例を説明する模式的断面図である。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view illustrating an example of a method for manufacturing a light emitting device according to Embodiment 2. 実施形態２に係る発光装置の製造方法の一例を説明する模式的断面図である。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view illustrating an example of a method for manufacturing a light emitting device according to Embodiment 2. 実施形態３に係る発光装置の模式的平面図である。6 is a schematic plan view of a light emitting device according to Embodiment 3. FIG. 図５Ａ中のＡ−Ａ線断面を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the AA line cross section in FIG. 5A. 実施形態４に係る発光装置の模式的平面図である。6 is a schematic plan view of a light emitting device according to Embodiment 4. FIG. 図６Ａ中のＡ−Ａ線断面を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the AA line cross section in FIG. 6A. 図１Ｂ、図３Ｂ、図５Ｂ、及び図６Ｂにおいて模式的に示した発光素子の断面を拡大した図である。It is the figure which expanded the cross section of the light emitting element typically shown in FIG. 1B, FIG. 3B, FIG. 5B, and FIG. 6B.

［実施形態１に係る発光装置１］
図１Ａは実施形態１に係る発光装置の模式的平面図であり、図１Ｂは図１Ａ中のＡ−Ａ線断面を示す模式図である。図１Ａおよび図１Ｂに示すように、実施形態１に係る発光装置１は、半導体層１１の実装面側にｐ側電極１２及びｎ側電極１３を備えた発光素子１０と、発光素子１０のｐ側電極１２及びｎ側電極１３を覆う樹脂層２０と、樹脂層２０内で発光素子１０上に設けられ、発光素子１０のｐ側電極１２及びｎ側電極１３に電気的に接続された保護素子４０と、樹脂層２０内に設けられ、発光素子１０のｐ側電極１２に接続されるとともに樹脂層２０における発光素子１０とは反対側の面において露出するｐ側導電性部材３１と、樹脂層２０内に設けられ、発光素子１０のｎ側電極１３に接続されるとともに樹脂層２０における発光素子１０とは反対側の面において露出するｎ側導電性部材３２と、を備え、ｐ側導電性部材３１及びｎ側導電性部材３２は、それぞれワイヤＷを有する発光装置である。以下、順に説明する。 [Light Emitting Device 1 According to Embodiment 1]
FIG. 1A is a schematic plan view of the light emitting device according to Embodiment 1, and FIG. 1B is a schematic view showing a cross section taken along line AA in FIG. 1A. As shown in FIGS. 1A and 1B, the light emitting device 1 according to Embodiment 1 includes a light emitting element 10 including a p-side electrode 12 and an n-side electrode 13 on the mounting surface side of the semiconductor layer 11, and p of the light emitting element 10. A resin layer 20 covering the side electrode 12 and the n-side electrode 13, and a protection element provided on the light-emitting element 10 in the resin layer 20 and electrically connected to the p-side electrode 12 and the n-side electrode 13 of the light-emitting element 10 40, a p-side conductive member 31 provided in the resin layer 20, connected to the p-side electrode 12 of the light-emitting element 10 and exposed on the surface of the resin layer 20 opposite to the light-emitting element 10, and a resin layer And an n-side conductive member 32 that is connected to the n-side electrode 13 of the light-emitting element 10 and is exposed on the surface of the resin layer 20 opposite to the light-emitting element 10. Member 31 and n-side conductive member 2 is a light-emitting device having a wire W, respectively. Hereinafter, it demonstrates in order.

（発光素子１０）
発光素子１０は、例えば発光ダイオードチップなどである。発光素子１０は、半導体層１１の実装面側にｐ側電極１２とｎ側電極１３とを備えている。半導体層１１の実装面は、成長用基板８０が存在している面（あるいは存在していた面）とは反対側の面である。成長用基板８０が存在している面（あるいは存在していた面）は半導体層１１の光出射面であり、光出射面からは半導体層１１で生成された光が出射される。なお、本実施形態では、成長用基板８０に半導体層１１を積層した後、成長用基板８０が完全に除去され、成長用基板８０が完全に除去された半導体層１１の光出射面に蛍光体層６０が設けられる。 (Light emitting element 10)
The light emitting element 10 is, for example, a light emitting diode chip. The light emitting element 10 includes a p-side electrode 12 and an n-side electrode 13 on the mounting surface side of the semiconductor layer 11. The mounting surface of the semiconductor layer 11 is the surface opposite to the surface on which the growth substrate 80 exists (or the surface on which the growth substrate 80 exists). The surface on which the growth substrate 80 is present (or the surface on which it is present) is the light emitting surface of the semiconductor layer 11, and light generated by the semiconductor layer 11 is emitted from the light emitting surface. In this embodiment, after the semiconductor layer 11 is stacked on the growth substrate 80, the growth substrate 80 is completely removed, and the phosphor is formed on the light emitting surface of the semiconductor layer 11 from which the growth substrate 80 is completely removed. A layer 60 is provided.

半導体層１１は、成長用基板８０の上に例えばＭＯＣＶＤ法（有機金属気相成長法）、ＨＶＰＥ法（ハイドライド気相成長法）、ＭＢＥ法（分子線エピタキシャル成長法）などの方法を用いて積層される。成長用基板８０としては、例えば、サファイアやスピネル（ＭｇＡｌ２Ｏ４）のような絶縁性基板、また炭化ケイ素（ＳｉＣ）、ＺｎＳ、ＺｎＯ、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ダイヤモンド、及び窒化物半導体と格子接合するニオブ酸リチウム、ガリウム酸ネオジム等の酸化物基板を用いることができる。成長用基板８０は、半導体層１１の作製後に完全に除去されていてもよいし、一部が除去されていてもよいし、まったく除去されていなくてもよい。成長用基板８０は、例えばレーザリフトオフ法や研磨やエッチングなどにより除去することができる。 The semiconductor layer 11 is laminated on the growth substrate 80 by using a method such as MOCVD method (metal organic vapor phase epitaxy), HVPE method (hydride vapor phase epitaxy), MBE method (molecular beam epitaxy). The As the growth substrate 80, for example, an insulating substrate such as sapphire or spinel (MgAl 2 O 4 ), and lattice bonding with silicon carbide (SiC), ZnS, ZnO, Si, GaAs, diamond, and a nitride semiconductor. An oxide substrate such as lithium niobate or neodymium gallate can be used. The growth substrate 80 may be completely removed after the semiconductor layer 11 is manufactured, a part thereof may be removed, or it may not be removed at all. The growth substrate 80 can be removed by, for example, a laser lift-off method, polishing, etching, or the like.

蛍光体層６０としては、波長変換材料（例：蛍光体）を含有した樹脂材料を用いることができる。   As the phosphor layer 60, a resin material containing a wavelength conversion material (eg, phosphor) can be used.

樹脂材料としては、半導体層１１や波長変換材料から出射した光に対して透光性を有する材料を用いることができる。このような材料としては、例えば、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、ユリア樹脂、フェノール樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂、フッ素樹脂若しくはこれらの樹脂を少なくとも１種以上含む樹脂、又はハイブリッド樹脂などを好適に用いることができる。   As the resin material, a material having translucency with respect to light emitted from the semiconductor layer 11 or the wavelength conversion material can be used. Examples of such a material include a silicone resin, a modified silicone resin, an epoxy resin, a modified epoxy resin, a urea resin, a phenol resin, an acrylate resin, a urethane resin, a fluororesin, or a resin containing at least one of these resins, or A hybrid resin or the like can be suitably used.

波長変換材料としては、半導体層１１から出射した光を励起光として、この励起光と異なる波長の光を発する材料を用いることができ、特に、粒状の蛍光体を好適に用いることができる。例えば、Ｃｅ（セリウム）で賦活されたＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）系蛍光体、Ｃｅで賦活されたＬＡＧ（ルテチウム・アルミニウム・ガーネット）系蛍光体、Ｅｕ（ユーロピウム）及び／又はＣｒ（クロム）で賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム（ＣａＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２）系蛍光体、Ｅｕで賦活されたシリケート（（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４）系蛍光体、βサイアロン蛍光体、ＫＳＦ（Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ）系蛍光体などは、波長変換材料の一例である。また、量子ドット蛍光体も波長変換材料の一例である。 As the wavelength conversion material, a material that emits light having a wavelength different from that of the excitation light using the light emitted from the semiconductor layer 11 as excitation light can be used. In particular, a granular phosphor can be preferably used. For example, Ce (cerium) activated YAG (yttrium aluminum garnet) phosphor, Ce activated LAG (lutetium aluminum garnet) phosphor, Eu (europium) and / or Cr (chromium) Activated nitrogen-containing calcium aluminosilicate (CaO—Al 2 O 3 —SiO 2 ) -based phosphor, Eu-activated silicate ((Sr, Ba) 2 SiO 4 ) -based phosphor, β sialon phosphor, KSF A (K 2 SiF 6 : Mn) -based phosphor is an example of a wavelength conversion material. A quantum dot phosphor is also an example of a wavelength conversion material.

蛍光体層６０の膜厚は、波長変換材料の含有量や所望する色調などに応じて定めることができるが、例えば、１〜５００μｍとすることができ、５〜２００μｍとすることがより好ましく、１０〜１００μｍとすることが更に好ましい。   The film thickness of the phosphor layer 60 can be determined according to the content of the wavelength conversion material, the desired color tone, etc., for example, can be 1 to 500 μm, more preferably 5 to 200 μm, More preferably, it is 10-100 micrometers.

蛍光体層６０は、半導体層１１の光出射面に設けられていてもよいが、設けられていなくてもよい。蛍光体層６０が半導体層１１の光出射面に設けられない場合は、半導体層１１の光出射面それ自体から光が取り出される。   The phosphor layer 60 may be provided on the light emitting surface of the semiconductor layer 11 or may not be provided. When the phosphor layer 60 is not provided on the light emitting surface of the semiconductor layer 11, light is extracted from the light emitting surface of the semiconductor layer 11 itself.

発光素子１０のｐ側電極１２やｎ側電極１３は、例えば、半導体層１１が有するｐ型半導体層１１３やｎ型半導体層１１１に電気的に接続されるパッド電極である。ｐ側電極１２やｎ側電極１３には、金属材料を用いることができ、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｗなどの単体金属又はこれらの金属を主成分とする合金などを好適に用いることができる。なお、合金を用いる場合は、例えば、ＡｌＳｉＣｕ合金（ＡＳＣ）のように、組成元素としてＳｉなどの非金属元素を含有するものであってもよい。また、ｐ側電極１２やｎ側電極１３としては、これらの金属材料を単層で、又は積層したものを利用することができる。   The p-side electrode 12 and the n-side electrode 13 of the light emitting element 10 are, for example, pad electrodes that are electrically connected to the p-type semiconductor layer 113 and the n-type semiconductor layer 111 included in the semiconductor layer 11. A metal material can be used for the p-side electrode 12 and the n-side electrode 13, for example, a single metal such as Ag, Al, Ni, Rh, Au, Cu, Ti, Pt, Pd, Mo, Cr, W, or the like. An alloy containing these metals as a main component can be preferably used. In addition, when using an alloy, you may contain nonmetallic elements, such as Si, as a composition element like an AlSiCu alloy (ASC), for example. In addition, as the p-side electrode 12 and the n-side electrode 13, a single layer or a laminate of these metal materials can be used.

（樹脂層２０）
樹脂層２０は、発光素子１０のｐ側電極１２とｎ側電極１３とを覆っている。樹脂層２０は例えば半導体層１１の実装面に設けられている。樹脂層２０には、例えば、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、ユリア樹脂、フェノール樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂、フッ素樹脂若しくはこれらの樹脂を少なくとも１種以上含む樹脂、又はハイブリッド樹脂などを用いることができる。樹脂層２０には、粒状のカーボンブラックやＡｌＮ（窒化アルミニウム）、ＳｉＣ（炭化ケイ素）などの熱伝導部材を含有させるようにしてもよい。このようにすれば、熱伝導率が高まるため、発光素子１０で生じた熱を迅速に伝導して外部に放熱させることができる。なお、透光性の樹脂材料を樹脂層２０として用いる場合には、樹脂層２０に光反射性のフィラーを含有させることが好ましい。このようにすれば、半導体層１１の光出射面から効率良く光を取り出すことができる。樹脂層２０の厚みは、機械強度の観点から３０μｍ以上５００μｍ以下程度であることが好ましく、１００μｍ以上３００μｍ以下程度であることが更に好ましい。樹脂層２０は例えば金型を用いた圧縮成形やトランスファーモールド、スピンコートなどにより設けることができる。 (Resin layer 20)
The resin layer 20 covers the p-side electrode 12 and the n-side electrode 13 of the light emitting element 10. For example, the resin layer 20 is provided on the mounting surface of the semiconductor layer 11. Examples of the resin layer 20 include a silicone resin, a modified silicone resin, an epoxy resin, a modified epoxy resin, a urea resin, a phenol resin, an acrylate resin, a urethane resin, a fluororesin, or a resin containing at least one of these resins, or a hybrid Resins can be used. The resin layer 20 may contain a heat conductive member such as granular carbon black, AlN (aluminum nitride), or SiC (silicon carbide). In this way, since the thermal conductivity is increased, the heat generated in the light emitting element 10 can be quickly conducted and radiated to the outside. In addition, when using a translucent resin material as the resin layer 20, it is preferable to make the resin layer 20 contain a light-reflective filler. In this way, light can be efficiently extracted from the light emitting surface of the semiconductor layer 11. The thickness of the resin layer 20 is preferably about 30 μm to 500 μm, more preferably about 100 μm to 300 μm from the viewpoint of mechanical strength. The resin layer 20 can be provided by, for example, compression molding using a mold, transfer molding, spin coating, or the like.

（ｐ側導電性部材３１、ｎ側導電性部材３２）
ｐ側導電性部材３１とｎ側導電性部材３２は、樹脂層２０内に設けられるとともに、樹脂層２０における発光素子１０とは反対側の面において露出する。ｐ側導電性部材３１とｎ側導電性部材３２は、発光素子１０のｐ側電極１２とｎ側電極１３にそれぞれ接続される。ｐ側導電性部材３１及びｎ側導電性部材３２としてはワイヤＷが用いることができる。これにより、発光装置の量産性が向上する。 (P-side conductive member 31, n-side conductive member 32)
The p-side conductive member 31 and the n-side conductive member 32 are provided in the resin layer 20 and exposed on the surface of the resin layer 20 opposite to the light emitting element 10. The p-side conductive member 31 and the n-side conductive member 32 are connected to the p-side electrode 12 and the n-side electrode 13 of the light emitting element 10, respectively. As the p-side conductive member 31 and the n-side conductive member 32, a wire W can be used. Thereby, the mass productivity of the light emitting device is improved.

ワイヤＷとしては、良好な電気伝導性及び熱伝導性を有する金属材料を用いることが好ましく、例えば、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ又はこれらの金属を主成分とする合金などを好適に用いることができる。ワイヤＷの表面にはコーティングを施してもよい。発光素子１０にて生じる熱を効率よく伝導するために、ワイヤＷの径は太いほど好ましい。具体的には、２０μｍ程度以上であることが好ましく、３０μｍ程度以上であることがさらに好ましい。なお、ワイヤＷの径の上限は、発光素子１０のｎ側電極１３及びｐ側電極１２に配線可能なサイズであれば特に限定されるものではないが、ワイヤボンディングを行う際の衝撃で半導体層１１にダメージが生じない程度、例えば、３ｍｍ程度以下とすることが好ましく、１ｍｍ程度以下とすることが更に好ましい。なお、Ｃｕ、Ａｌ又はこれらを主成分とする合金からなる材料をワイヤＷとして用いれば、より太いワイヤＷを安価に利用することができる。ワイヤＷの形状は特に限定されず、円形の断面形状を有するワイヤＷの他に、楕円形や長方形などの断面形状を有するリボン状のワイヤＷを用いるようにしてもよい。   As the wire W, it is preferable to use a metal material having good electrical conductivity and thermal conductivity. For example, Au, Cu, Al, Ag, or an alloy containing these metals as a main component is preferably used. it can. The surface of the wire W may be coated. In order to efficiently conduct the heat generated in the light emitting element 10, the diameter of the wire W is preferably as thick as possible. Specifically, it is preferably about 20 μm or more, and more preferably about 30 μm or more. The upper limit of the diameter of the wire W is not particularly limited as long as it is a size that can be wired to the n-side electrode 13 and the p-side electrode 12 of the light emitting element 10, but the semiconductor layer is affected by an impact when wire bonding is performed. 11 is not damaged, for example, about 3 mm or less, more preferably about 1 mm or less. In addition, if the material which consists of Cu, Al, or an alloy which has these as a main component is used as the wire W, the thicker wire W can be utilized cheaply. The shape of the wire W is not particularly limited. In addition to the wire W having a circular cross-sectional shape, a ribbon-shaped wire W having a cross-sectional shape such as an ellipse or a rectangle may be used.

（保護素子４０）
保護素子４０は、樹脂層２０内で発光素子１０上に設けられ、発光素子１０のｐ側電極１２とｎ側電極１３とに電気的に接続される。より具体的に説明すると、保護素子４０は発光素子１０に対向する側にｐ側電極４１及びｎ側電極４２を有しており、保護素子４０のｐ側電極４１及びｎ側電極４２は接合部材７０（例：半田バンプ、銅バンプ、金バンプ、銀ペースト）を用いて発光素子１０のｐ側電極１２及びｎ側電極１３に電気的に接続される。 (Protective element 40)
The protective element 40 is provided on the light emitting element 10 in the resin layer 20 and is electrically connected to the p-side electrode 12 and the n-side electrode 13 of the light emitting element 10. More specifically, the protection element 40 has a p-side electrode 41 and an n-side electrode 42 on the side facing the light emitting element 10, and the p-side electrode 41 and the n-side electrode 42 of the protection element 40 are joined members. 70 (example: solder bump, copper bump, gold bump, silver paste) is used to electrically connect to the p-side electrode 12 and the n-side electrode 13 of the light emitting element 10.

保護素子４０としては、例えば、発光素子１０に印加される逆方向の電圧を短絡したり、発光素子１０の動作電圧より高い所定の電圧以上の順方向電圧を短絡したりさせることができる素子、つまり、過熱、過電圧、過電流、保護回路、静電保護素子等が挙げられる。具体的には、ツェナーダイオードやトランジスタのダイオード、コンデンサなどを用いることができる。   As the protective element 40, for example, an element capable of short-circuiting a reverse voltage applied to the light-emitting element 10 or short-circuiting a forward voltage equal to or higher than a predetermined voltage higher than the operating voltage of the light-emitting element 10, That is, overheating, overvoltage, overcurrent, a protection circuit, an electrostatic protection element, etc. are mentioned. Specifically, a Zener diode, a transistor diode, a capacitor, or the like can be used.

（ｐ側外部電極５１、ｎ側外部電極５２）
樹脂層２０における発光素子１０とは反対側の面には、ｐ側導電性部材３１とｎ側導電性部材３２とにそれぞれ接続されたｐ側外部電極５１とｎ側外部電極５２とを設けてもよい。ｐ側外部電極５１やｎ側外部電極５２によれば、発光装置１を外部基板に実装することが容易になる。ｐ側外部電極５１やｎ側外部電極５２は、Ａｕ−Ｓｎ共晶半田などのＡｕ合金系の接合材料を用いた実装基板との接合性を高めるため、少なくとも最上層がＡｕで形成されていることが好ましい。例えば、スパッタリング法により、まず、Ｔｉ及びＮｉの薄膜を順次に形成し、Ｎｉ層の上層にＡｕ層を積層して形成することが好ましい。ｐ側外部電極５１やｎ側外部電極５２は、総膜厚が０．１〜５μｍ程度であることが好ましく、０．５〜４μｍ程度であることが更に好ましい。なお、ワイヤＷがＡｕで形成されている場合は、ｐ側外部電極５１やｎ側外部電極５２を設けずに、ワイヤＷの上面を外部との接続面としてもよい。 (P-side external electrode 51, n-side external electrode 52)
A p-side external electrode 51 and an n-side external electrode 52 respectively connected to the p-side conductive member 31 and the n-side conductive member 32 are provided on the surface of the resin layer 20 opposite to the light emitting element 10. Also good. According to the p-side external electrode 51 and the n-side external electrode 52, it becomes easy to mount the light emitting device 1 on the external substrate. The p-side external electrode 51 and the n-side external electrode 52 have at least the uppermost layer formed of Au in order to improve the bondability with a mounting substrate using an Au alloy-based bonding material such as Au—Sn eutectic solder. It is preferable. For example, it is preferable to form a thin film of Ti and Ni sequentially by sputtering, and then stack an Au layer on top of the Ni layer. The p-side external electrode 51 and the n-side external electrode 52 preferably have a total film thickness of about 0.1 to 5 μm, and more preferably about 0.5 to 4 μm. When the wire W is formed of Au, the upper surface of the wire W may be used as a connection surface with the outside without providing the p-side external electrode 51 and the n-side external electrode 52.

以上説明したように、実施形態１に係る発光装置１によれば、発光装置１の幅が発光素子１０の幅と同程度に維持されたＣＳＰ構造を有する発光装置において、発光素子１０上に設けられた保護素子４０を樹脂層４０内に埋没させることができる発光装置を提供することができる。   As described above, according to the light emitting device 1 according to the first embodiment, in the light emitting device having the CSP structure in which the width of the light emitting device 1 is maintained at the same level as the width of the light emitting element 10, the light emitting device 1 is provided on the light emitting element 10. It is possible to provide a light emitting device capable of burying the formed protective element 40 in the resin layer 40.

また、実施形態１に係る発光装置１によれば、ｐ側導電性部材３１とｎ側導電性部材３２が、めっきよりも簡単に形成することが可能なワイヤＷを有して構成されるため、樹脂層２０内に保護素子４０が設けられた樹脂層２０が比較的厚い発光装置の量産性を効果的に向上させることができる。なお、実施形態１は、樹脂層２０内に保護素子４０を設ける発光装置のなかでも、小型化を実現するために成長用基板８０を完全に除去したりその厚さを薄くしたりする発光装置に対して特に好ましく適用することができる。このようにして小型化が図られた発光装置では、このような小型化が図られていない発光装置よりも、発光装置の機械強度を維持するために樹脂層２０が厚く設けられることが多いからである。   Further, according to the light emitting device 1 according to the first embodiment, the p-side conductive member 31 and the n-side conductive member 32 are configured to have the wires W that can be formed more easily than plating. The mass productivity of a light-emitting device having a relatively thick resin layer 20 in which the protective element 40 is provided in the resin layer 20 can be effectively improved. In the first embodiment, among the light-emitting devices in which the protective element 40 is provided in the resin layer 20, the light-emitting device in which the growth substrate 80 is completely removed or the thickness thereof is reduced in order to realize downsizing. It can be particularly preferably applied to. In such a light emitting device that has been reduced in size, the resin layer 20 is often provided thicker in order to maintain the mechanical strength of the light emitting device than in a light emitting device that has not been reduced in size. It is.

［実施形態１に係る発光装置１の製造方法］
図２Ａから図２Ｈは、実施形態１に係る発光装置の製造方法の一例を説明する模式的断面図である。 [Method for Manufacturing Light-Emitting Device 1 According to Embodiment 1]
2A to 2H are schematic cross-sectional views illustrating an example of a method for manufacturing the light emitting device according to Embodiment 1.

（第１工程）
まず、半導体層１１の実装面側にｐ側電極１２およびｎ側電極１３を有する発光素子１０と、ｐ側電極４１およびｎ側電極４２を同一面側に有する保護素子４０と、を準備する。発光素子１０の半導体層１１は、具体的には、ＭＯＣＶＤ法（有機金属気相成長法）、ＨＶＰＥ法（ハイドライド気相成長法）、ＭＢＥ法（分子線エピタキシャル成長法）などの方法により、成長用基板８０の上に半導体層１１を積層し、積層された半導体層１１の上面（実装面）側にｐ側電極１２及びｎ側電極１３を形成する。ｐ側電極１２及びｎ側電極１３は、例えばスパッタリングにより形成する。 (First step)
First, the light emitting element 10 having the p-side electrode 12 and the n-side electrode 13 on the mounting surface side of the semiconductor layer 11 and the protection element 40 having the p-side electrode 41 and the n-side electrode 42 on the same surface side are prepared. Specifically, the semiconductor layer 11 of the light-emitting element 10 is grown for growth by a method such as MOCVD (metal organic vapor phase epitaxy), HVPE (hydride vapor phase epitaxy), MBE (molecular beam epitaxy). The semiconductor layer 11 is laminated on the substrate 80, and the p-side electrode 12 and the n-side electrode 13 are formed on the upper surface (mounting surface) side of the laminated semiconductor layer 11. The p-side electrode 12 and the n-side electrode 13 are formed by sputtering, for example.

（第２工程）
次に、図２Ａに示すように、発光素子１０のｐ側電極１２と保護素子４０のｐ側電極４１とが電気的に接続され、かつ発光素子１０のｎ側電極１３と保護素子４０のｎ側電極４２とが電気的に接続されるように、発光素子１０上に保護素子４０を実装する。具体的には、例えば半田などの接合部材７０を用いて、保護素子４０のｐ側電極４１を発光素子１０のｐ側電極１２に電気的に接続し、かつ保護素子４０のｎ側電極４２を発光素子１０のｎ側電極１３に電気的に接続する。 (Second step)
Next, as shown in FIG. 2A, the p-side electrode 12 of the light-emitting element 10 and the p-side electrode 41 of the protective element 40 are electrically connected, and the n-side electrode 13 of the light-emitting element 10 and the n-side of the protective element 40 The protective element 40 is mounted on the light emitting element 10 so that the side electrode 42 is electrically connected. Specifically, for example, the p-side electrode 41 of the protection element 40 is electrically connected to the p-side electrode 12 of the light emitting element 10 using a bonding member 70 such as solder, and the n-side electrode 42 of the protection element 40 is connected. It is electrically connected to the n-side electrode 13 of the light emitting element 10.

（第３工程）
次に、図２Ｂに示すように、ワイヤボンディング装置により、ワイヤＷの一端を発光素子１０のｐ側電極１２に接続し、かつワイヤＷの他端を発光素子１０のｎ側電極１３に接続する。 (Third step)
Next, as shown in FIG. 2B, one end of the wire W is connected to the p-side electrode 12 of the light emitting element 10 and the other end of the wire W is connected to the n-side electrode 13 of the light emitting element 10 by a wire bonding apparatus. .

（第４工程）
次に、図２Ｃに示すように、金型を用いた圧縮成形により半導体層１１の実装面側に樹脂層２０を形成し、保護素子４０とワイヤＷを樹脂層２０内に埋没させる。 (4th process)
Next, as illustrated in FIG. 2C, the resin layer 20 is formed on the mounting surface side of the semiconductor layer 11 by compression molding using a mold, and the protection element 40 and the wire W are embedded in the resin layer 20.

（第５工程）
次に、図２Ｄに示すように、樹脂層２０を硬化させた後、切削装置を用いて樹脂層２０の一部を除去して樹脂層２０内に埋没させたワイヤＷの一部を樹脂層２０における発光素子１０とは反対側の面において露出させる。これによって、ワイヤＷは、２本のワイヤＷに分離される。また、樹脂層２０の上面と同一面となるように、ワイヤＷの一部が露出する。 (5th process)
Next, as shown in FIG. 2D, after the resin layer 20 is cured, a part of the resin layer 20 is removed by using a cutting device, and a part of the wire W embedded in the resin layer 20 is replaced with the resin layer. 20 is exposed on the surface opposite to the light emitting element 10. As a result, the wire W is separated into two wires W. Further, a part of the wire W is exposed so as to be flush with the upper surface of the resin layer 20.

（第６工程）
次に、図２Ｅに示すように、ワイヤＷの上面及びその近傍の樹脂層２０の上面に、ｎ側外部電極５２及びｐ側外部電極５１としての金属膜を形成する。金属膜は、例えばスパッタリング法により成膜した金属膜をパターニングすることにより形成することができる。金属膜のパターニングは、エッチングによるパターン形成法やリフトオフによるパターン形成法などを用いることができる。 (Sixth step)
Next, as shown in FIG. 2E, a metal film is formed as the n-side external electrode 52 and the p-side external electrode 51 on the upper surface of the wire W and the upper surface of the resin layer 20 in the vicinity thereof. The metal film can be formed, for example, by patterning a metal film formed by a sputtering method. For patterning the metal film, a pattern formation method by etching, a pattern formation method by lift-off, or the like can be used.

（第７工程）
次に、図２Ｆに示すように、例えば、ＬＬＯ（レーザーリフトオフ法）やケミカルリフトオフ法等により、成長用基板８０を除去する。このとき、半導体層１１は、樹脂層２０により補強されているため、割れやひびなどの損傷を受けない。露出した半導体層１１の下面（光出射面）には、研磨やウェットエッチングなどによる粗面化により凹凸形状を形成してもよい。なお、除去した成長用基板８０は、表面を研磨することで、別個の半導体層１１の成長用基板８０として再利用することができる。 (Seventh step)
Next, as shown in FIG. 2F, the growth substrate 80 is removed by, for example, LLO (laser lift-off method) or chemical lift-off method. At this time, since the semiconductor layer 11 is reinforced by the resin layer 20, it is not damaged such as cracks or cracks. An uneven shape may be formed on the exposed lower surface (light emitting surface) of the semiconductor layer 11 by roughening by polishing or wet etching. The removed growth substrate 80 can be reused as the growth substrate 80 of the separate semiconductor layer 11 by polishing the surface.

（第８工程）
次に、図２Ｇに示すように、半導体層１１の下面（光出射面）側に蛍光体層６０を形成する。蛍光体層６０は、例えば、溶剤に樹脂材料及び蛍光体を含有させたスラリーをスプレー塗布することにより形成することができる。 (8th step)
Next, as shown in FIG. 2G, the phosphor layer 60 is formed on the lower surface (light emitting surface) side of the semiconductor layer 11. The phosphor layer 60 can be formed, for example, by spraying a slurry containing a resin material and a phosphor in a solvent.

（第９工程）
次に、図２Ｈに示すように、ダイシングにより集合基板を個片化して複数の発光装置１とする。 (9th step)
Next, as shown in FIG. 2H, the collective substrate is divided into pieces by dicing to form a plurality of light emitting devices 1.

以上説明した製造方法例によれば、実施形態１に係る発光装置１を容易に製造することができる。また、実施形態１に係る発光装置１の量産性を向上させることができる。   According to the manufacturing method example described above, the light-emitting device 1 according to Embodiment 1 can be easily manufactured. Moreover, the mass productivity of the light emitting device 1 according to Embodiment 1 can be improved.

［実施形態２に係る発光装置２］
図３Ａは実施形態２に係る発光装置の模式的平面図であり、図３Ｂは図３Ａ中のＡ−Ａ線断面を示す模式図である。 [Light Emitting Device 2 According to Embodiment 2]
3A is a schematic plan view of the light-emitting device according to Embodiment 2, and FIG. 3B is a schematic diagram showing a cross section taken along line AA in FIG. 3A.

図３Ａ及び図３Ｂに示すように、実施形態２に係る発光装置２は、保護素子４０が発光素子１０とは反対側にｐ側電極４１及びｎ側電極４２を有するとともに、保護素子４０のｐ側電極４１及びｎ側電極４２がワイヤＷを介してｐ側外部電極５１及びｎ側外部電極５２にそれぞれ電気的に接続されている点で、実施形態１に係る発光装置１と相違する。実施形態２によっても、実施形態１と同様に、発光装置２の幅が発光素子１０の幅と同程度に維持されたＣＳＰ構造を有する発光装置において、発光素子１０上に設けられた保護素子４０を樹脂層４０内に埋没させることができる発光装置を提供することができる。また、発光装置２の量産性を向上させることができる。   As illustrated in FIGS. 3A and 3B, in the light emitting device 2 according to the second embodiment, the protection element 40 includes the p-side electrode 41 and the n-side electrode 42 on the side opposite to the light emitting element 10, and the p of the protection element 40. The side electrode 41 and the n-side electrode 42 are different from the light emitting device 1 according to the first embodiment in that the side electrode 41 and the n-side electrode 42 are electrically connected to the p-side external electrode 51 and the n-side external electrode 52 through the wires W, respectively. Also in the second embodiment, similarly to the first embodiment, in the light emitting device having the CSP structure in which the width of the light emitting device 2 is maintained at the same level as the width of the light emitting element 10, the protective element 40 provided on the light emitting element 10. It is possible to provide a light emitting device that can be embedded in the resin layer 40. Further, the mass productivity of the light emitting device 2 can be improved.

実施形態２においては、保護素子４０を発光素子１０上に載置する接合部材７０として、樹脂材料を用いることができる。具体的には、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル系樹脂や不飽和ポリエステルなどの樹脂などが好適に挙げられる。これらは、単独又は２種類以上混合して使用することもできる。   In the second embodiment, a resin material can be used as the bonding member 70 for placing the protection element 40 on the light emitting element 10. Specifically, an epoxy resin, a silicone resin, a polyimide resin, an acrylic resin, an unsaturated polyester resin, or the like is preferably used. These may be used alone or in combination of two or more.

［実施形態２に係る発光装置２の製造方法］
図４Ａから図４Ｈは、実施形態２に係る発光装置の製造方法の一例を説明する模式的断面図である。 [Method for Manufacturing Light-Emitting Device 2 According to Embodiment 2]
4A to 4H are schematic cross-sectional views illustrating an example of a method for manufacturing a light emitting device according to Embodiment 2.

（第１工程）
第１工程は実施形態１の第１工程と同じであるので説明を省略する。 (First step)
Since the first step is the same as the first step of the first embodiment, description thereof is omitted.

（第２工程）
次に、図４Ａに示すように、発光素子１０上に保護素子４０を載置する。具体的には、保護素子４０は、ｐ側電極４１及びｎ側電極４２を同一面側に有しており、発光素子１０とは反対側にｐ側電極４１及びｎ側電極４２が位置するように、発光素子１０上に樹脂材料などの接合部材７０を介して載置される。 (Second step)
Next, as shown in FIG. 4A, the protection element 40 is placed on the light emitting element 10. Specifically, the protection element 40 has a p-side electrode 41 and an n-side electrode 42 on the same surface side, and the p-side electrode 41 and the n-side electrode 42 are located on the opposite side to the light emitting element 10. Then, it is placed on the light emitting element 10 via a bonding member 70 such as a resin material.

（第３工程）
次に、図４Ｂに示すように、ワイヤボンディング装置により、第１ワイヤＷ１の一端を発光素子１０のｐ側電極１２に接続し、かつ第１ワイヤＷ１の他端を保護素子４０のｐ側電極４１に接続するとともに、第２ワイヤＷ２の一端を発光素子１０のｎ側電極１３に接続し、かつ第２ワイヤＷ２の他端を保護素子４０のｎ側電極４２に接続する。 (Third step)
Next, as shown in FIG. 4B, one end of the first wire W1 is connected to the p-side electrode 12 of the light emitting element 10 and the other end of the first wire W1 is connected to the p-side electrode of the protection element 40 by a wire bonding apparatus. 41, one end of the second wire W2 is connected to the n-side electrode 13 of the light emitting element 10, and the other end of the second wire W2 is connected to the n-side electrode 42 of the protection element 40.

（第４工程）
次に、図４Ｃに示すように、金型を用いた圧縮成型により半導体層１１の実装面側に樹脂層２０を形成し、保護素子４０と第１ワイヤＷ１及び第２ワイヤＷ２を樹脂層２０内に埋没させる。 (4th process)
Next, as shown in FIG. 4C, the resin layer 20 is formed on the mounting surface side of the semiconductor layer 11 by compression molding using a mold, and the protective element 40, the first wire W1, and the second wire W2 are connected to the resin layer 20. Buried inside.

（第５工程）
次に、図４Ｄに示すように、樹脂層２０を硬化させた後、切削装置を用いて樹脂層２０の一部を除去して樹脂層２０内に埋没させた第１ワイヤＷ１及び第２ワイヤＷ２の一部を樹脂層２０における発光素子１０とは反対側の面において露出させる。これによって、第１ワイヤＷ１及び第２ワイヤＷ２は、それぞれ２本のワイヤＷに分離される（合計４本）。また、樹脂層２０の上面と同一面となるように、第１ワイヤＷ１及び第２ワイヤＷ２の一部が露出する。 (5th process)
Next, as shown in FIG. 4D, after the resin layer 20 is cured, a part of the resin layer 20 is removed using a cutting device, and the first wire W <b> 1 and the second wire embedded in the resin layer 20. A part of W2 is exposed on the surface of the resin layer 20 opposite to the light emitting element 10. Thereby, the first wire W1 and the second wire W2 are each separated into two wires W (four in total). Moreover, a part of 1st wire W1 and 2nd wire W2 are exposed so that it may become the same surface as the upper surface of the resin layer 20. FIG.

（第６工程）
次に、図４Ｅに示すように、第１ワイヤＷ１及び第２ワイヤＷ２の上面及びその近傍の樹脂層２０の上面に、ｎ側外部電極５２及びｐ側外部電極５１としての金属膜を形成する。金属膜は、例えばスパッタリング法により成膜した金属膜をパターニングすることにより形成することができる。金属膜のパターニングは、エッチングによるパターン形成法やリフトオフによるパターン形成法などを用いることができる。 (Sixth step)
Next, as shown in FIG. 4E, metal films as the n-side external electrode 52 and the p-side external electrode 51 are formed on the top surfaces of the first wire W1 and the second wire W2 and the top surface of the resin layer 20 in the vicinity thereof. . The metal film can be formed, for example, by patterning a metal film formed by a sputtering method. For patterning the metal film, a pattern formation method by etching, a pattern formation method by lift-off, or the like can be used.

（第７工程から第９工程）
第７工程から第９工程（図４Ｆから図４Ｈ参照）は、実施形態１の第７工程から第９工程と同じであるので説明を省略する。 (7th to 9th steps)
Since the seventh step to the ninth step (see FIGS. 4F to 4H) are the same as the seventh step to the ninth step of the first embodiment, description thereof will be omitted.

以上説明した製造方法例によれば、実施形態２に係る発光装置２を容易に製造することができる。また、発光装置２の量産性を向上させることができる。   According to the manufacturing method example described above, the light-emitting device 2 according to Embodiment 2 can be easily manufactured. Further, the mass productivity of the light emitting device 2 can be improved.

［実施形態３に係る発光装置］
図５Ａは実施形態３に係る発光装置の模式的平面図であり、図５Ｂは図５Ａ中のＡ−Ａ線断面を示す模式図である。図５Ａ、図５Ｂに示すように、実施形態３に係る発光装置３は、放熱性を向上させるために、ｐ側導電性部材３１とｎ側導電性部材３２が、発光装置の量産性が悪化しない程度の厚さで、めっき層３１（Ｐ）、３２（Ｐ）をその一部に有している点で、実施形態１と相違する。このように、発光装置の量産性が悪化しない程度の厚さであれば、ｐ側導電性部材３１とｎ側導電性部材３２は、ワイヤ３１（Ｗ）、３２（Ｗ）に加えて、めっき層３１（Ｐ）、３２（Ｐ）をその一部に有していてもよい。 [Light Emitting Device According to Embodiment 3]
FIG. 5A is a schematic plan view of the light emitting device according to Embodiment 3, and FIG. 5B is a schematic view showing a cross section taken along line AA in FIG. 5A. As shown in FIGS. 5A and 5B, in the light emitting device 3 according to Embodiment 3, the p-side conductive member 31 and the n-side conductive member 32 are deteriorated in mass productivity of the light-emitting device in order to improve heat dissipation. This is different from the first embodiment in that the plating layers 31 (P) and 32 (P) are included in a part of the thickness so as not to be used. In this way, the p-side conductive member 31 and the n-side conductive member 32 are plated in addition to the wires 31 (W) and 32 (W) as long as the mass productivity of the light emitting device does not deteriorate. The layers 31 (P) and 32 (P) may be included in a part thereof.

［実施形態４に係る発光装置］
図６Ａは実施形態４に係る発光装置の模式的平面図であり、図６Ｂは図６Ａ中のＡ−Ａ線断面を示す模式図である。図６Ａ、図６Ｂに示すように、実施形態４に係る発光装置４は、保護素子４０が、発光素子１０に対向する側及び発光素子１０とは反対側にｎ側電極４２及びｐ側電極４１をそれぞれ有しており、発光素子１０に対向する側の保護素子４０のｎ側電極４２が接続部材７０によって発光素子１０のｎ側電極１３に電気的に接続され、発光素子１０とは反対側の保護素子４０のｐ側電極４１がワイヤＷによって発光素子１０のｐ側電極１２に電気的に接続されている点で、実施形態１と相違する。保護素子４０のｐ側電極４１及びｎ側電極４２のいずれか一方が発光素子１０とは反対側に設けられ、いずれか他方が発光素子１０に対向する側に設けられる場合には、樹脂層２０が厚く設けられる傾向にあるが、このような場合であっても、実施形態４によれば、発光装置の量産性を向上させることができる。 [Light Emitting Device According to Embodiment 4]
6A is a schematic plan view of the light-emitting device according to Embodiment 4, and FIG. 6B is a schematic diagram showing a cross section taken along line AA in FIG. 6A. As illustrated in FIGS. 6A and 6B, in the light emitting device 4 according to the fourth embodiment, the protection element 40 has an n-side electrode 42 and a p-side electrode 41 on the side facing the light emitting element 10 and the side opposite to the light emitting element 10. And the n-side electrode 42 of the protective element 40 on the side facing the light-emitting element 10 is electrically connected to the n-side electrode 13 of the light-emitting element 10 by the connecting member 70, and is opposite to the light-emitting element 10. This is different from the first embodiment in that the p-side electrode 41 of the protective element 40 is electrically connected to the p-side electrode 12 of the light emitting element 10 by the wire W. When one of the p-side electrode 41 and the n-side electrode 42 of the protection element 40 is provided on the side opposite to the light emitting element 10 and the other is provided on the side facing the light emitting element 10, the resin layer 20 However, even in such a case, according to the fourth embodiment, the mass productivity of the light emitting device can be improved.

［発光素子１０］
図７は図１Ｂ、図３Ｂ、図５Ｂ、及び図６Ｂにおいて模式的に示した発光素子１０の断面を拡大した図である。図７に示すように、発光素子１０は、半導体層１１とｐ側電極１２とｎ側電極１３と絶縁膜１４とを備えている。半導体層１１は、例えば、ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ＜１）などの半導体が用いられる。半導体層１１は、より具体的には、例えばｎ型半導体層１１１、活性層１１２、及びｐ型半導体層１１３などからなる。ｎ型半導体層１１１、活性層１１２、及びｐ型半導体層１１３は、それぞれ単層構造でもよいが、組成及び膜厚等が異なる層を有する積層構造、超格子構造等であってもよい。特に、活性層１１２は、量子効果が生ずる薄膜を積層した単一量子井戸又は多重量子井戸構造であることが好ましい。図７に示した発光素子１０を用いれば、半導体層１１の実装面側におけるｎ側電極１３の高さとｐ側電極１２の高さとを同じ高さ（ほぼ同じ高さを含む。）に形成することができるため、発光素子１０上に保護素子４０を載置しやすくなり、好ましい。 [Light emitting element 10]
FIG. 7 is an enlarged view of a cross section of the light-emitting element 10 schematically shown in FIGS. 1B, 3B, 5B, and 6B. As shown in FIG. 7, the light emitting element 10 includes a semiconductor layer 11, a p-side electrode 12, an n-side electrode 13, and an insulating film 14. The semiconductor layer 11 is, for example, In X Al Y Ga 1- X-Y N (0 ≦ X, 0 ≦ Y, X + Y <1) is a semiconductor like. More specifically, the semiconductor layer 11 includes, for example, an n-type semiconductor layer 111, an active layer 112, a p-type semiconductor layer 113, and the like. The n-type semiconductor layer 111, the active layer 112, and the p-type semiconductor layer 113 may each have a single-layer structure, but may have a stacked structure including layers having different compositions, film thicknesses, or the like, a superlattice structure, or the like. In particular, the active layer 112 preferably has a single quantum well or multiple quantum well structure in which thin films that generate quantum effects are stacked. If the light emitting element 10 shown in FIG. 7 is used, the height of the n-side electrode 13 and the height of the p-side electrode 12 on the mounting surface side of the semiconductor layer 11 are formed at the same height (including almost the same height). Therefore, the protective element 40 can be easily placed on the light emitting element 10, which is preferable.

以上、実施形態について説明したが、これらの説明は一例に関するものであり、特許請求の範囲に記載された構成は、これらの説明によって何ら限定されるものではない。   The embodiments have been described above. However, these descriptions relate to examples, and the configurations described in the claims are not limited by these descriptions.

１ 発光装置
２ 発光装置
３ 発光装置
４ 発光装置
１０ 発光素子
１１ 半導体層
１１１ ｎ型半導体層
１１２ 活性層
１１３ ｐ型半導体層
１２ 発光素子のｐ側電極
１３ 発光素子のｎ側電極
１４ 絶縁膜
２０ 樹脂層
３１ ｐ側導電性部材
３１（Ｗ） ｐ側導電性部材（ワイヤ）
３１（Ｐ） ｐ側導電性部材（めっき層）
３２ ｎ側導電性部材
３２（Ｗ） ｎ側導電性部材（ワイヤ）
３２（Ｐ） ｎ側導電性部材（めっき層）
４０ 保護素子
４１ 保護素子のｐ側電極
４２ 保護素子のｎ側電極
５１ ｐ側外部電極
５２ ｎ側外部電極
６０ 蛍光体層
７０ 接合部材
８０ 成長用基板
Ｗ ワイヤ
Ｗ１ 第１ワイヤ
Ｗ２ 第２ワイヤ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Light-emitting device 2 Light-emitting device 3 Light-emitting device 4 Light-emitting device 10 Light-emitting element 11 Semiconductor layer 111 n-type semiconductor layer 112 Active layer 113 p-type semiconductor layer 12 p-side electrode 13 of light-emitting element n-side electrode 14 of light-emitting element Insulating film 20 Resin Layer 31 P-side conductive member 31 (W) P-side conductive member (wire)
31 (P) p-side conductive member (plating layer)
32 n-side conductive member 32 (W) n-side conductive member (wire)
32 (P) n-side conductive member (plating layer)
40 protection element 41 p-side electrode 42 of protection element n-side electrode 51 of protection element p-side external electrode 52 n-side external electrode 60 phosphor layer 70 bonding member 80 growth substrate W wire W1 first wire W2 second wire

Claims (6)

半導体層の実装面側にｐ側電極及びｎ側電極を備えた発光素子と、
前記発光素子のｐ側電極及びｎ側電極を覆う樹脂層と、
前記樹脂層内で前記発光素子上に設けられ、前記発光素子のｐ側電極及びｎ側電極に電気的に接続された保護素子と、
前記樹脂層内に設けられ、前記発光素子のｐ側電極に接続されるとともに前記樹脂層における前記発光素子とは反対側の面において露出するｐ側導電性部材と、
前記樹脂層内に設けられ、前記発光素子のｎ側電極に接続されるとともに前記樹脂層における前記発光素子とは反対側の面において露出するｎ側導電性部材と、
前記樹脂層における前記発光素子とは反対側の面に、前記ｐ側導電性部材と前記ｎ側導電性部材とにそれぞれ接続されたｐ側外部電極とｎ側外部電極と、を備え、
前記ｐ側導電性部材及び前記ｎ側導電性部材は、それぞれワイヤを有することを特徴とする発光装置。 A light emitting device including a p-side electrode and an n-side electrode on the mounting surface side of the semiconductor layer;
A resin layer covering the p-side electrode and the n-side electrode of the light emitting element;
A protective element provided on the light-emitting element in the resin layer and electrically connected to the p-side electrode and the n-side electrode of the light-emitting element;
A p-side conductive member provided in the resin layer, connected to the p-side electrode of the light-emitting element and exposed on the surface of the resin layer opposite to the light-emitting element;
An n-side conductive member provided in the resin layer, connected to the n-side electrode of the light-emitting element and exposed on the surface of the resin layer opposite to the light-emitting element;
A p-side external electrode and an n-side external electrode respectively connected to the p-side conductive member and the n-side conductive member on a surface of the resin layer opposite to the light emitting element ;
The p-side conductive member and the n-side conductive member each have a wire . 前記保護素子は、前記発光素子に対向する側に第１電極及び第２電極を有し、
前記保護素子の第１電極は、前記発光素子のｐ側電極に電気的に接続され、
前記保護素子の第２電極は、前記発光素子のｎ側電極に電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。 The protective element has a first electrode and a second electrode on a side facing the light emitting element,
The first electrode of the protection element is electrically connected to the p-side electrode of the light emitting element,
The light emitting device according to claim 1, wherein the second electrode of the protection element is electrically connected to the n-side electrode of the light emitting element. 前記保護素子は、前記発光素子に対向する側に第１電極を有し、前記発光素子とは反対側に第２電極を有し、
前記保護素子の第１電極及び第２電極の一方は、前記発光素子のｐ側電極に電気的に接続され、
前記保護素子の第１電極及び第２電極の他方は、前記発光素子のｎ側電極に電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。 The protective element has a first electrode on the side facing the light emitting element, and has a second electrode on the opposite side to the light emitting element,
One of the first electrode and the second electrode of the protection element is electrically connected to the p-side electrode of the light emitting element,
The light emitting device according to claim 1, wherein the other of the first electrode and the second electrode of the protection element is electrically connected to the n-side electrode of the light emitting element. 前記保護素子は、前記発光素子とは反対側に第１電極及び第２電極を有し、
前記保護素子の第１電極及び第２電極の一方は、ワイヤを介して、前記ｐ側外部電極に電気的に接続され、
前記保護素子の第１電極及び第２電極の他方は、ワイヤを介して、前記ｎ側外部電極に電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。 The protective element has a first electrode and a second electrode on a side opposite to the light emitting element,
One of the first electrode and the second electrode of the protection element is electrically connected to the p-side external electrode via a wire,
2. The light emitting device according to claim 1, wherein the other of the first electrode and the second electrode of the protection element is electrically connected to the n-side external electrode through a wire. 半導体層の実装面側にｐ側電極及びｎ側電極を有する発光素子と、第１電極及び第２電極を同一面側に有する保護素子と、を準備する工程と、
前記発光素子のｐ側電極と前記保護素子の第１電極及び第２電極の一方とが電気的に接続され、かつ前記発光素子のｎ側電極と前記保護素子の第１電極及び第２電極の他方とが電気的に接続されるように、前記発光素子上に前記保護素子を実装する工程と、
ワイヤの一端を前記発光素子のｐ側電極に接続し、かつワイヤの他端を前記発光素子のｎ側電極に接続する工程と、
前記半導体層の実装面側に樹脂層を形成し、前記保護素子と前記ワイヤを前記樹脂層内に埋没させる工程と、
前記樹脂層の一部を除去して前記樹脂層内に埋没させたワイヤの一部を前記樹脂層における発光素子とは反対側の面において露出させる工程と、
を有することを特徴とする発光装置の製造方法。 Preparing a light emitting element having a p-side electrode and an n-side electrode on the mounting surface side of the semiconductor layer, and a protection element having a first electrode and a second electrode on the same surface side;
The p-side electrode of the light-emitting element and one of the first electrode and the second electrode of the protection element are electrically connected, and the n-side electrode of the light-emitting element and the first electrode and the second electrode of the protection element Mounting the protective element on the light emitting element so that the other is electrically connected;
Connecting one end of the wire to the p-side electrode of the light-emitting element and connecting the other end of the wire to the n-side electrode of the light-emitting element;
Forming a resin layer on the mounting surface side of the semiconductor layer, and burying the protective element and the wire in the resin layer;
Removing a part of the resin layer and exposing a part of the wire embedded in the resin layer on a surface of the resin layer opposite to the light emitting element;
A method for manufacturing a light-emitting device, comprising: 半導体層の実装面側にｐ側電極及びｎ側電極を有する発光素子と、第１電極及び第２電極を同一面側に有する保護素子と、を準備する工程と、
前記発光素子とは反対側に前記第１電極及び前記第２電極を有するように前記保護素子を前記発光素子上に載置する工程と、
第１ワイヤの一端を前記発光素子のｐ側電極に接続し、かつ前記第１ワイヤの他端を前記保護素子の第１電極及び第２電極の一方に接続するとともに、第２ワイヤの一端を前記発光素子のｎ側電極に接続し、かつ前記第２ワイヤの他端を前記保護素子の第１電極及び第２電極の他方に接続する工程と、
前記半導体層の実装面側に樹脂層を形成し、前記保護素子と前記第１ワイヤ及び前記第２ワイヤとを前記樹脂層内に埋没させる工程と、
前記樹脂層の一部を除去して前記樹脂層内に埋没させた第１ワイヤ及び第２ワイヤの一部を前記樹脂層における発光素子とは反対側の面において露出させる工程と、
を有することを特徴とする発光装置の製造方法。 Preparing a light emitting element having a p-side electrode and an n-side electrode on the mounting surface side of the semiconductor layer, and a protection element having a first electrode and a second electrode on the same surface side;
Placing the protective element on the light emitting element so as to have the first electrode and the second electrode on the opposite side of the light emitting element;
One end of the first wire is connected to the p-side electrode of the light emitting element, the other end of the first wire is connected to one of the first electrode and the second electrode of the protection element, and one end of the second wire is connected Connecting to the n-side electrode of the light-emitting element and connecting the other end of the second wire to the other of the first electrode and the second electrode of the protection element;
Forming a resin layer on the mounting surface side of the semiconductor layer, and burying the protective element, the first wire, and the second wire in the resin layer;
Removing a part of the resin layer and exposing a part of the first wire and the second wire embedded in the resin layer on a surface opposite to the light emitting element in the resin layer;
A method for manufacturing a light-emitting device, comprising:
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6635007B2 (en) 2016-11-30 2020-01-22 日亜化学工業株式会社 Light emitting device manufacturing method
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Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62299092A (en) * 1986-06-18 1987-12-26 Fujitsu Ltd Light emitting diode
JPH0350338U (en) * 1989-09-20 1991-05-16
JP2606267Y2 (en) * 1992-10-22 2000-10-10 日本航空電子工業株式会社 Chip light emitting diode for surface mounting and membrane sheet switch using the same
JP3156399B2 (en) * 1992-11-04 2001-04-16 松下電器産業株式会社 Optical print head and its manufacturing method.
US6333522B1 (en) * 1997-01-31 2001-12-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light-emitting element, semiconductor light-emitting device, and manufacturing methods therefor
JPH11260850A (en) * 1998-03-11 1999-09-24 Toshiba Corp Semiconductor device and its manufacture
JP3985332B2 (en) * 1998-04-02 2007-10-03 松下電器産業株式会社 Semiconductor light emitting device
JP2000012913A (en) * 1998-06-19 2000-01-14 Matsushita Electron Corp Electrostatic protective diode used for semiconductor light-emitting device and manufacture thereof
JP2000150969A (en) * 1998-11-16 2000-05-30 Matsushita Electronics Industry Corp Semiconductor light emitting device
KR100379835B1 (en) * 1998-12-31 2003-06-19 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 Semiconductor Package and Manufacturing Method
JP4296644B2 (en) * 1999-01-29 2009-07-15 豊田合成株式会社 Light emitting diode
JP3655267B2 (en) * 2002-07-17 2005-06-02 株式会社東芝 Semiconductor light emitting device
TWI223890B (en) * 2004-02-06 2004-11-11 Opto Tech Corp Light-emitting diode device with multi-lead pins
JP4926787B2 (en) * 2007-03-30 2012-05-09 アオイ電子株式会社 Manufacturing method of semiconductor device
SG148901A1 (en) * 2007-07-09 2009-01-29 Micron Technology Inc Packaged semiconductor assemblies and methods for manufacturing such assemblies
JP2012015187A (en) * 2010-06-29 2012-01-19 Citizen Holdings Co Ltd Semiconductor light emission element and manufacturing method of the same
JP2014026993A (en) * 2010-11-08 2014-02-06 Panasonic Corp Ceramic substrate and light emitting diode module
KR101761834B1 (en) * 2011-01-28 2017-07-27 서울바이오시스 주식회사 Wafer level led package and method of fabricating the same
US9269878B2 (en) * 2011-05-27 2016-02-23 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device and light emitting apparatus
JP2013219071A (en) * 2012-04-04 2013-10-24 Kyocera Corp Light-emitting element mounting component and light-emitting device
JP5832956B2 (en) * 2012-05-25 2015-12-16 株式会社東芝 Semiconductor light emitting device
JP6116846B2 (en) * 2012-10-01 2017-04-19 株式会社東芝 Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device
JP6057282B2 (en) * 2012-10-04 2017-01-11 セイコーインスツル株式会社 Optical device and method for manufacturing optical device
JP2014086630A (en) * 2012-10-25 2014-05-12 Kyocera Corp Light-emitting element mounting component and light-emitting device

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