JP6395937B2 - メモリ活性化方法および装置 - Google Patents
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Description
第1のメモリアクセス要求を取得するステップであって、第1のメモリアクセス要求が、メモリ内の第1のサブ行へのアクセスを要求するために使用される、ステップと、
第2のメモリアクセス要求を求めてメモリのスケジューリングすべきキューを検索するステップであって、メモリのスケジューリングすべきキューが、複数のメモリアクセス要求を含み、第2のメモリアクセス要求が、メモリ内の第2のサブ行へのアクセスを要求するために使用され、第1のサブ行および第2のサブ行が、メモリ内の同じ行に位置する、ステップと、
第1の活性化命令を生成するために第1のメモリアクセス要求と第2のメモリアクセス要求とを組み合わせるステップであって、第1の活性化命令が、メモリ内の第1のサブ行および第2のサブ行の活性化を命令するために使用される、ステップと、
第1の活性化命令をメモリに送信するステップと
を含む。
サブ行選択ベクトルを生成し、サブ行選択ベクトルをメモリに送信するステップをさらに含み、
サブ行選択ベクトルは、活性化すべきサブ行が第1のサブ行および第2のサブ行であることを確認するために使用される。
メモリコントローラによって送信される第1の活性化命令を受信するステップであって、第1の活性化命令が、メモリ内の第1のサブ行および第2のサブ行の活性化を命令するために使用され、第1のサブ行および第2のサブ行の両方が、メモリ内の同じ行に位置する、ステップと、
第1の活性化命令に従って、メモリ内に位置する第1のサブ行および第2のサブ行を活性化するステップと
を含む。
メモリコントローラによって送信されるサブ行選択ベクトルを受信するステップであって、サブ行選択ベクトルが、活性化すべきサブ行が第1のサブ行および第2のサブ行であることを確認するために使用される、ステップをさらに含み、
第1の活性化命令に従って、メモリ内に位置する第1のサブ行および第2のサブ行を活性化するステップが、
第1の活性化命令内のサブ行選択ベクトルに従って、メモリ内に位置する第1のサブ行および第2のサブ行を活性化するステップを特に含む。
第1のメモリアクセス要求を取得するように構成された要求分配モジュールであって、第1のメモリアクセス要求が、メモリ内の第1のサブ行へのアクセスを要求するために使用される、要求分配モジュールと、
第2のメモリアクセス要求を求めてメモリのスケジューリングすべきキューを検索するように構成されたメモリスケジューラであって、メモリのスケジューリングすべきキューが、複数のメモリアクセス要求を含み、第2のメモリアクセス要求が、メモリ内の第2のサブ行へのアクセスを要求するために使用され、第1のサブ行および第2のサブ行が、メモリ内の同じ行に位置し、
メモリスケジューラが、第1の活性化命令を生成するために第1のメモリアクセス要求と第2のメモリアクセス要求とを組み合わせるようにさらに構成されており、第1の活性化命令が、メモリ内の第1のサブ行および第2のサブ行の活性化を命令するために使用される、メモリスケジューラと、
第1の活性化命令をメモリに送信するように構成されたコマンドスケジューラと
を含む。
サブ行選択ベクトルを生成し、サブ行選択ベクトルをメモリに送信するようにさらに構成され、
サブ行選択ベクトルは、活性化すべきサブ行が第1のサブ行および第2のサブ行であることを確認するために使用される。
メモリコントローラによって送信される第1の活性化命令を受信するように構成されたラッチであって、第1の活性化命令が、メモリ内の第1のサブ行および第2のサブ行の活性化を命令するために使用され、第1のサブ行および第2のサブ行の両方が、メモリ内の同じ行に位置する、ラッチと、
ラッチから取得した第1の活性化命令に従って、メモリ内に位置する第1のサブ行および第2のサブ行を活性化するように構成されたサブ行選択デコーダと
を含む。
メモリコントローラによって送信されるサブ行選択ベクトルを受信するようにさらに構成されており、サブ行選択ベクトルが、活性化すべきサブ行が第1のサブ行および第2のサブ行であることを確認するために使用され、
サブ行選択デコーダが、
第1の活性化命令内のサブ行選択ベクトルに従って、メモリ内に位置する第1のサブ行および第2のサブ行を活性化するように特に構成されている。
第1のメモリアクセス要求を取得するように構成された要求分配モジュールであって、第1のメモリアクセス要求が、メモリ内の第1のサブ行へのアクセスを要求するために使用される、要求分配モジュールと、
要求分配モジュールによって取得された第1のメモリアクセス要求を取得し、第1のメモリアクセス要求に従って第1の活性化命令を生成するように構成されたメモリスケジューラと、
メモリスケジューラから取得した第1の活性化命令をメモリに送信するように構成されたコマンドスケジューラと
を含み、
要求分配モジュールが、第2のメモリアクセス要求を求めてメモリのスケジューリングすべきキューを検索するようにさらに構成されており、メモリのスケジューリングすべきキューが、複数のメモリアクセス要求を含み、第2のメモリアクセス要求が、メモリ内の第2のサブ行へのアクセスを要求するために使用され、第1のサブ行が、第1のサブアレイ内に位置し、第2のサブ行が、第2のサブアレイ内に位置し、
メモリスケジューラが、第2のメモリアクセス要求に従って第2の活性化命令を生成するようにさらに構成されており、
コマンドスケジューラが、メモリスケジューラから取得した第2の活性化命令をメモリに送信するようにさらに構成されており、
第1のサブアレイおよび第2のサブアレイの両方が、少なくとも1つの行を含み、少なくとも1つの行のいずれの行も、少なくとも1つのサブ行を含み、少なくとも1つのサブ行のいずれのサブ行も、少なくとも1つの記憶ユニットを含み、いずれの記憶ユニットも、1つの行番号識別子および1つの列番号識別子に対応しており、
第2のサブ行に含まれるどの記憶ユニットに対応する列番号識別子も、第1のサブ行に含まれるどの記憶ユニットに対応する列番号識別子とも異なる。
第3のメモリアクセス要求を取得するようにさらに構成されており、第3のメモリアクセス要求が、メモリ内の第3のサブ行へのアクセスを要求するために使用され、第3のサブ行および第1のサブ行が、同じ行に位置し、第2のサブ行に含まれるどの記憶ユニットに対応する列番号識別子も、第3のサブ行に含まれるどの記憶ユニットに対応する列番号識別子とも異なり、
メモリスケジューラが、
第1の活性化命令を生成するために第1のメモリアクセス要求と第3のメモリアクセス要求とを組み合わせるように特に構成されている。
第4のメモリアクセス要求を取得するようにさらに構成されており、第4のメモリアクセス要求が、メモリ内の第4のサブ行へのアクセスを要求するために使用され、第4のサブ行および第2のサブ行が、同じ行に位置し、第4のサブ行に含まれるどの記憶ユニットに対応する列番号識別子も、第1のサブ行に含まれるどの記憶ユニットに対応する列番号識別子とも異なり、
メモリスケジューラが、
第2の活性化命令を生成するために第2のメモリアクセス要求と第4のメモリアクセス要求とを組み合わせるように特に構成されている。
メモリコントローラによって送信される第1の活性化命令を受信するように構成された第1のラッチであって、第1の活性化命令が、メモリ内の第1のサブ行の活性化を命令するために使用される、第1のラッチと、
第1の活性化命令に従って、メモリ内に位置する第1のサブ行を活性化するように構成された第1のサブ行選択デコーダと、
メモリコントローラによって送信される第2の活性化命令を受信するように構成された第2のラッチであって、第2の活性化命令が、メモリ内の第2のサブ行の活性化を命令するために使用される、第2のラッチと、
第2の活性化命令に従って、メモリ内に位置する第2のサブ行を活性化するように構成された第2のサブ行選択デコーダと
を含み、
第1のサブ行が、第1のサブアレイ内に位置し、第2のサブ行が、第2のサブアレイ内に位置し、
第1のサブアレイおよび第2のサブアレイの両方が、少なくとも1つの行を含み、少なくとも1つの行のいずれの行も、少なくとも1つのサブ行を含み、少なくとも1つのサブ行のいずれのサブ行も、少なくとも1つの記憶ユニットを含み、いずれの記憶ユニットも、1つの行番号識別子および1つの列番号識別子に対応しており、
第2のサブ行に含まれるどの記憶ユニットに対応する列番号識別子も、第1のサブ行に含まれるどの記憶ユニットに対応する列番号識別子とも異なり、
第1のラッチおよび第2のラッチの両方が、データキャッシングを実行するように構成されたグローバルキャッシュに接続される。
第2のサブ行に含まれるどの記憶ユニットに対応する列番号識別子も、第3のサブ行に含まれるどの記憶ユニットに対応する列番号識別子とも異なる。
第4のサブ行に含まれるどの記憶ユニットに対応する列番号識別子も、第1のサブ行に含まれるどの記憶ユニットに対応する列番号識別子とも異なり、
第4のサブ行に含まれるどの記憶ユニットに対応する列番号識別子も、第3のサブ行に含まれるどの記憶ユニットに対応する列番号識別子とも異なる。
第1のメモリアクセス要求を取得するステップであって、第1のメモリアクセス要求が、メモリ内の第1のサブ行へのアクセスを要求するために使用される、ステップと、
前第1のメモリアクセス要求に従って第1の活性化命令を生成し、第1の活性化命令をメモリに送信するステップと、
第2のメモリアクセス要求を求めてメモリのスケジューリングすべきキューを検索するステップであって、メモリのスケジューリングすべきキューが、複数のメモリアクセス要求を含み、第2のメモリアクセス要求が、メモリ内の第2のサブ行へのアクセスを要求するために使用され、第1のサブ行が、第1のサブアレイ内に位置し、第2のサブ行が、第2のサブアレイ内に位置する、ステップと、
第2のメモリアクセス要求に従って第2の活性化命令を生成し、第2の活性化命令をメモリに送信するステップと
を含み、
第1のサブアレイおよび第2のサブアレイの両方が、少なくとも1つの行を含み、少なくとも1つの行のいずれの行も、少なくとも1つのサブ行を含み、少なくとも1つのサブ行のいずれのサブ行も、少なくとも1つの記憶ユニットを含み、いずれの記憶ユニットも、1つの行番号識別子および1つの列番号識別子に対応しており、
第2のサブ行に含まれるどの記憶ユニットに対応する列番号識別子も、第1のサブ行に含まれるどの記憶ユニットに対応する列番号識別子とも異なる。
第3のメモリアクセス要求を取得するステップであって、第3のメモリアクセス要求が、メモリ内の第3のサブ行へのアクセスを要求するために使用され、第3のサブ行および第1のサブ行が、同じ行に位置し、第2のサブ行に含まれるどの記憶ユニットに対応する列番号識別子も、第3のサブ行に含まれるどの記憶ユニットに対応する列番号識別子とも異なる、ステップをさらに含み、
第1のメモリアクセス要求に従って第1の活性化命令を生成するステップが、
第1の活性化命令を生成するために第1のメモリアクセス要求と第3のメモリアクセス要求とを組み合わせるステップを特に含む。
第4のメモリアクセス要求を取得するステップであって、第4のメモリアクセス要求が、メモリ内の第4のサブ行へのアクセスを要求するために使用され、第4のサブ行および第2のサブ行が、同じ行に位置し、第4のサブ行に含まれるどの記憶ユニットに対応する列番号識別子も、第1のサブ行に含まれるどの記憶ユニットに対応する列番号識別子とも異なる、ステップをさらに含み、
第2のメモリアクセス要求に従って第2の活性化命令を生成するステップが、
第2の活性化命令を生成するために第2のメモリアクセス要求と第4のメモリアクセス要求とを組み合わせるステップを特に含む。
メモリコントローラによって送信される第1の活性化命令を受信するステップであって、第1の活性化命令が、メモリ内の第1のサブ行の活性化を命令するために使用される、ステップと、
第1の活性化命令に従って、メモリ内に位置する第1のサブ行を活性化するステップと、
メモリコントローラによって送信される第2の活性化命令を受信するステップであって、第2の活性化命令が、メモリ内の第2のサブ行の活性化を命令するために使用される、ステップと、
第2の活性化命令に従って、メモリ内に位置する第2のサブ行を活性化するステップと
を含み、
第1のサブ行が、第1のサブアレイ内に位置し、第2のサブ行が、第2のサブアレイ内に位置し、
第1のサブアレイおよび第2のサブアレイの両方が、少なくとも1つの行を含み、少なくとも1つの行のいずれの行も、少なくとも1つのサブ行を含み、少なくとも1つのサブ行のいずれのサブ行も、少なくとも1つの記憶ユニットを含み、いずれの記憶ユニットも、1つの行番号識別子および1つの列番号識別子に対応しており、
第2のサブ行に含まれるどの記憶ユニットに対応する列番号識別子も、第1のサブ行に含まれるどの記憶ユニットに対応する列番号識別子とも異なり、
第1のラッチおよび第2のラッチの両方が、データキャッシングを実行するように構成されたグローバルキャッシュに接続される。
第2のサブ行に含まれるどの記憶ユニットに対応する列番号識別子も、第3のサブ行に含まれるどの記憶ユニットに対応する列番号識別子とも異なり、
第1の活性化命令に従って、メモリ内に位置する第1のサブ行を活性化するステップが、第1の活性化命令に従ってメモリの第1のラッチにより、メモリ内に位置する第1のサブ行および第3のサブ行を活性化するステップを特に含む。
第4のサブ行に含まれるどの記憶ユニットに対応する列番号識別子も、第3のサブ行に含まれるどの記憶ユニットに対応する列番号識別子とも異なり、
第2の活性化命令に従って、メモリ内に位置する第2のサブ行を活性化するステップが、第2の活性化命令に従ってメモリの第2のラッチにより、メモリ内に位置する第2のサブ行および第4のサブ行を活性化するステップを特に含む。
サブ行選択ベクトルを生成し、このサブ行選択ベクトルをメモリに送信する動作であって、
サブ行選択ベクトルが、活性化すべきサブ行が第1のサブ行および第2のサブ行であることを確認するために使用される、動作がさらに含まれる。
メモリコントローラによって送信されるサブ行選択ベクトルを受信する動作であって、
サブ行選択ベクトルが、活性化すべきサブ行が第1のサブ行および第2のサブ行であることを確認するために使用される、動作がさらに含まれる。
第1の活性化命令内のサブ行選択ベクトルに従って、メモリ内に位置する第1のサブ行および第2のサブ行を活性化する手法が使用されてもよい。
サブ行選択ベクトルを生成し、このサブ行選択ベクトルをメモリに送信するようにさらに構成され、
サブ行選択ベクトルは、活性化すべきサブ行が第1のサブ行および第2のサブ行であることを確認するために使用される。
メモリコントローラによって送信されたサブ行選択ベクトルを受信するようにさらに構成され、
サブ行選択ベクトルは、活性化すべきサブ行が第1のサブ行および第2のサブ行であることを確認するために使用される。
第1の活性化命令内のサブ行選択ベクトルに従って、メモリ内に位置する第1のサブ行および第2のサブ行を活性化するように特に構成される。
第3のメモリアクセス要求を取得するようにさらに構成され、第3のメモリアクセス要求は、メモリ内の第3のサブ行へのアクセスを要求するために使用され、第3のサブ行および第1のサブ行は、同じ行に位置し、第2のサブ行に含まれるどの記憶ユニットに対応する列番号識別子も、第3のサブ行に含まれるどの記憶ユニットに対応する列番号識別子とも異なる。
第1の活性化命令を生成するために第1のメモリアクセス要求と第3のメモリアクセス要求とを組み合わせるように特に構成される。
第4のメモリアクセス要求を取得するようにさらに構成され、第4のメモリアクセス要求は、メモリ内の第4のサブ行へのアクセスを要求するために使用され、第4のサブ行および第2のサブ行は、同じ行に位置し、第4のサブ行に含まれるどの記憶ユニットに対応する列番号識別子も、第1のサブ行に含まれるどの記憶ユニットに対応する列番号識別子とも異なる。
第2の活性化命令を生成するために第2のメモリアクセス要求と第4のメモリアクセス要求とを組み合わせるように特に構成される。
第3のメモリアクセス要求を取得する動作であって、第3のメモリアクセス要求が、メモリ内の第3のサブ行へのアクセスを要求するために使用され、第3のサブ行および第1のサブ行が、同じ行に位置し、第2のサブ行に含まれるどの記憶ユニットに対応する列番号識別子も、第3のサブ行に含まれるどの記憶ユニットに対応する列番号識別子とも異なる、動作がさらに含まれる。
第1の活性化命令を生成するために第1のメモリアクセス要求と第3のメモリアクセス要求とを組み合わせることを特に含む。
第4のメモリアクセス要求を取得する動作であって、第4のメモリアクセス要求が、メモリ内の第4のサブ行へのアクセスを要求するために使用され、第4のサブ行および第2のサブ行が、同じ行に位置し、第4のサブ行に含まれるどの記憶ユニットに対応する列番号識別子も、第1のサブ行に含まれるどの記憶ユニットに対応する列番号識別子とも異なる、動作がさらに含まれる。
第2の活性化命令を生成するために第2のメモリアクセス要求と第4のメモリアクセス要求とを組み合わせることを特に含む。
第1の活性化命令に従ってメモリの第1のラッチにより、メモリ内に位置する第1のサブ行および第3のサブ行を活性化することを特に含む。
第2の活性化命令に従ってメモリの第2のラッチにより、メモリ内に位置する第2のサブ行および第4のサブ行を活性化することを特に含む。
第3のメモリアクセス要求を取得するようにさらに構成され、第3のメモリアクセス要求は、メモリ内の第3のサブ行へのアクセスを要求するために使用され、第3のサブ行および第1のサブ行は、同じ行に位置し、第2のサブ行は、記憶ユニットであって、その列番号識別子が、第3のサブ行に含まれる記憶ユニットに対応する列番号識別子と同じである記憶ユニットを含む。
第1の活性化命令を生成するために第1のメモリアクセス要求と第3のメモリアクセス要求とを組み合わせるように特に構成される。
第4のメモリアクセス要求を取得するようにさらに構成され、第4のメモリアクセス要求は、メモリ内の第4のサブ行へのアクセスを要求するために使用され、第4のサブ行および第2のサブ行は、同じ行に位置し、第4のサブ行は、記憶ユニットであって、その列番号識別子が、第1のサブ行に含まれる記憶ユニットに対応する列番号識別子と同じである記憶ユニットを含む。
第2の活性化命令を生成するために第2のメモリアクセス要求と第4のメモリアクセス要求とを組み合わせるように特に構成される。
第4のメモリアクセス要求を取得する動作であって、第4のメモリアクセス要求が、メモリ内の第4のサブ行へのアクセスを要求するために使用され、第4のサブ行および第2のサブ行が、同じ行に位置し、第4のサブ行が、記憶ユニットであって、その列番号識別子が、第1のサブ行に含まれる記憶ユニットに対応する列番号識別子と同じである記憶ユニットを含む、動作がさらに含まれる。
31 メモリスケジューラ
32 コマンドスケジューラ
40 ラッチ
41 サブ行選択デコーダ
50 要求分配モジュール
51 メモリスケジューラ
52 コマンドスケジューラ
60 第1のラッチ
61 第1のサブ行選択デコーダ
62 第2のラッチ
63 第2のサブ行選択デコーダ
90 要求分配モジュール
91 メモリスケジューラ
92 コマンドスケジューラ
100 第1のラッチ
101 第1のサブ行選択デコーダ
102 第2のラッチ
103 第2のサブ行選択デコーダ
3000 メモリコントローラ
4000 メモリモジュール
5000 メモリコントローラ
6000 メモリモジュール
9000 メモリコントローラ
10000 メモリモジュール
Claims (11)
- 第1のメモリアクセス要求を取得するステップであって、前記第1のメモリアクセス要求が、メモリ内の第1のサブ行へのアクセスを要求するために使用される、ステップと、
第2のメモリアクセス要求を求めて前記メモリのスケジューリングすべきキューを検索するステップであって、前記メモリの前記スケジューリングすべきキューが、複数のメモリアクセス要求を含み、前記第2のメモリアクセス要求が、前記メモリ内の第2のサブ行へのアクセスを要求するために使用され、前記第1のサブ行および前記第2のサブ行が、前記メモリ内の同じ行に位置する、ステップと、
サブ行選択ベクトルを生成するステップであって、前記サブ行選択ベクトルが、活性化すべきサブ行が前記第1のサブ行および前記第2のサブ行であることを確認するために使用される、ステップと、
第1の活性化命令を生成するために前記第1のメモリアクセス要求と前記第2のメモリアクセス要求とを組み合わせるステップであって、前記第1の活性化命令が、前記メモリ内の前記第1のサブ行および前記第2のサブ行の活性化を命令するために使用される、ステップと、
前記第1の活性化命令および前記サブ行選択ベクトルを前記メモリに送信するステップと
を含むメモリ活性化方法。 - メモリコントローラであって、
第1のメモリアクセス要求を取得するように構成された要求分配モジュールであって、前記第1のメモリアクセス要求が、メモリ内の第1のサブ行へのアクセスを要求するために使用される、要求分配モジュールと、
第2のメモリアクセス要求を求めて前記メモリのスケジューリングすべきキューを検索するように構成されたメモリスケジューラであって、前記メモリの前記スケジューリングすべきキューが、複数のメモリアクセス要求を含み、前記第2のメモリアクセス要求が、前記メモリ内の第2のサブ行へのアクセスを要求するために使用され、前記第1のサブ行および前記第2のサブ行が、前記メモリ内の同じ行に位置し、
前記メモリスケジューラが、サブ行選択ベクトルを生成するようにさらに構成されており、前記サブ行選択ベクトルが、活性化すべきサブ行が前記第1のサブ行および前記第2のサブ行であることを確認するために使用され、
前記メモリスケジューラが、第1の活性化命令を生成するために前記第1のメモリアクセス要求と前記第2のメモリアクセス要求とを組み合わせるようにさらに構成されており、前記第1の活性化命令が、前記メモリ内の前記第1のサブ行および前記第2のサブ行の活性化を命令するために使用される、メモリスケジューラと、
前記第1の活性化命令および前記サブ行選択ベクトルを前記メモリに送信するように構成されたコマンドスケジューラと
を備えるメモリコントローラ。 - メモリコントローラであって、
第1のメモリアクセス要求を取得するように構成された要求分配モジュールであって、前記第1のメモリアクセス要求が、メモリ内の第1のサブ行へのアクセスを要求するために使用される、要求分配モジュールと、
前記要求分配モジュールによって取得された前記第1のメモリアクセス要求を取得し、前記第1のメモリアクセス要求に従って第1の活性化命令を生成するように構成されたメモリスケジューラと、
前記メモリスケジューラから取得した前記第1の活性化命令を前記メモリに送信するように構成されたコマンドスケジューラと
を備え、
前記要求分配モジュールが、第2のメモリアクセス要求を求めて前記メモリのスケジューリングすべきキューを検索するようにさらに構成されており、前記メモリの前記スケジューリングすべきキューが、複数のメモリアクセス要求を含み、前記第2のメモリアクセス要求が、前記メモリ内の第2のサブ行へのアクセスを要求するために使用され、前記第1のサブ行が、第1のサブアレイ内に位置し、前記第2のサブ行が、第2のサブアレイ内に位置し、
前記メモリスケジューラが、前記第2のメモリアクセス要求に従って第2の活性化命令を生成するようにさらに構成されており、
前記コマンドスケジューラが、前記メモリスケジューラから取得した前記第2の活性化命令を前記メモリに送信するようにさらに構成されており、
前記第1のサブアレイおよび前記第2のサブアレイの両方が、少なくとも1つの行を含み、前記少なくとも1つの行のいずれの行も、少なくとも1つのサブ行を含み、前記少なくとも1つのサブ行のいずれのサブ行も、少なくとも1つの記憶ユニットを含み、いずれの記憶ユニットも、1つの行番号識別子および1つの列番号識別子に対応しており、
前記第2のサブ行に含まれるどの記憶ユニットに対応する列番号識別子も、前記第1のサブ行に含まれるどの記憶ユニットに対応する列番号識別子とも異なり、
前記要求分配モジュールが、
第3のメモリアクセス要求を取得するようにさらに構成されており、前記第3のメモリアクセス要求が、前記メモリ内の第3のサブ行へのアクセスを要求するために使用され、前記第3のサブ行および前記第1のサブ行が、同じ行に位置し、前記第2のサブ行に含まれるどの記憶ユニットに対応する列番号識別子も、前記第3のサブ行に含まれるどの記憶ユニットに対応する列番号識別子とも異なり、
前記メモリスケジューラが、
前記第1の活性化命令を生成するために前記第1のメモリアクセス要求と前記第3のメモリアクセス要求とを組み合わせるように特に構成されている、メモリコントローラ。 - 前記要求分配モジュールが、
第4のメモリアクセス要求を取得するようにさらに構成されており、前記第4のメモリアクセス要求が、前記メモリ内の第4のサブ行へのアクセスを要求するために使用され、前記第4のサブ行および前記第2のサブ行が、同じ行に位置し、前記第4のサブ行に含まれるどの記憶ユニットに対応する列番号識別子も、前記第1のサブ行に含まれるどの記憶ユニットに対応する列番号識別子とも異なり、
前記メモリスケジューラが、
前記第2の活性化命令を生成するために前記第2のメモリアクセス要求と前記第4のメモリアクセス要求とを組み合わせるように特に構成されている、
請求項3に記載のメモリコントローラ。 - メモリコントローラによって送信される第1の活性化命令を受信するように構成された第1のラッチであって、前記第1の活性化命令が、メモリ内の第1のサブ行の活性化を命令するために使用される、第1のラッチと、
前記第1の活性化命令に従って、前記メモリ内に位置する前記第1のサブ行を活性化するように構成された第1のサブ行選択デコーダと、
前記メモリコントローラによって送信される第2の活性化命令を受信するように構成された第2のラッチであって、前記第2の活性化命令が、前記メモリ内の第2のサブ行の活性化を命令するために使用される、第2のラッチと、
前記第2の活性化命令に従って、前記メモリ内に位置する前記第2のサブ行を活性化するように構成された第2のサブ行選択デコーダと
を備え、
前記第1のサブ行が、第1のサブアレイ内に位置し、前記第2のサブ行が、第2のサブアレイ内に位置し、
前記第1のサブアレイおよび前記第2のサブアレイの両方が、少なくとも1つの行を含み、前記少なくとも1つの行のいずれの行も、少なくとも1つのサブ行を含み、前記少なくとも1つのサブ行のいずれのサブ行も、少なくとも1つの記憶ユニットを含み、いずれの記憶ユニットも、1つの行番号識別子および1つの列番号識別子に対応しており、
前記第2のサブ行に含まれるどの記憶ユニットに対応する列番号識別子も、前記第1のサブ行に含まれるどの記憶ユニットに対応する列番号識別子とも異なり、
前記第1のラッチおよび前記第2のラッチの両方が、データキャッシングを実行するように構成されたグローバルキャッシュに接続される、メモリモジュール。 - 前記第1の活性化命令が、前記メモリ内の第3のサブ行の活性化を命令するためにさらに使用され、前記第3のサブ行および前記第1のサブ行が、同じ行に位置し、
前記第2のサブ行に含まれるどの記憶ユニットに対応する列番号識別子も、前記第3のサブ行に含まれるどの記憶ユニットに対応する列番号識別子とも異なる、
請求項5に記載のメモリモジュール。 - 前記第2の活性化命令が、前記メモリ内の第4のサブ行の活性化を命令するためにさらに使用され、前記第4のサブ行および前記第2のサブ行が、同じ行に位置し、
前記第4のサブ行に含まれるどの記憶ユニットに対応する列番号識別子も、前記第1のサブ行に含まれるどの記憶ユニットに対応する列番号識別子とも異なり、
前記第4のサブ行に含まれるどの記憶ユニットに対応する列番号識別子も、前記第3のサブ行に含まれるどの記憶ユニットに対応する列番号識別子とも異なる、
請求項6に記載のメモリモジュール。 - メモリ活性化方法であって、
第1のメモリアクセス要求を取得するステップであって、前記第1のメモリアクセス要求が、メモリ内の第1のサブ行へのアクセスを要求するために使用される、ステップと、
前記第1のメモリアクセス要求に従って第1の活性化命令を生成し、前記第1の活性化命令を前記メモリに送信するステップと、
第2のメモリアクセス要求を求めて前記メモリのスケジューリングすべきキューを検索するステップであって、前記メモリの前記スケジューリングすべきキューが、複数のメモリアクセス要求を含み、前記第2のメモリアクセス要求が、前記メモリ内の第2のサブ行へのアクセスを要求するために使用され、前記第1のサブ行が、第1のサブアレイ内に位置し、前記第2のサブ行が、第2のサブアレイ内に位置する、ステップと、
前記第2のメモリアクセス要求に従って第2の活性化命令を生成し、前記第2の活性化命令を前記メモリに送信するステップと
を含み、
前記第1のサブアレイおよび前記第2のサブアレイの両方が、少なくとも1つの行を含み、前記少なくとも1つの行のいずれの行も、少なくとも1つのサブ行を含み、前記少なくとも1つのサブ行のいずれのサブ行も、少なくとも1つの記憶ユニットを含み、いずれの記憶ユニットも、1つの行番号識別子および1つの列番号識別子に対応しており、
前記第2のサブ行に含まれるどの記憶ユニットに対応する列番号識別子も、前記第1のサブ行に含まれるどの記憶ユニットに対応する列番号識別子とも異なり、前記第1のメモリアクセス要求に従って前記第1の活性化命令を生成する前記ステップの前に、前記方法が、
第3のメモリアクセス要求を取得するステップであって、前記第3のメモリアクセス要求が、前記メモリ内の第3のサブ行へのアクセスを要求するために使用され、前記第3のサブ行および前記第1のサブ行が、同じ行に位置し、前記第2のサブ行に含まれるどの記憶ユニットに対応する列番号識別子も、前記第3のサブ行に含まれるどの記憶ユニットに対応する列番号識別子とも異なる、ステップをさらに含み、
前記第1のメモリアクセス要求に従って前記第1の活性化命令を生成する前記ステップが、
前記第1の活性化命令を生成するために前記第1のメモリアクセス要求と前記第3のメモリアクセス要求とを組み合わせるステップを特に含む、方法。 - 前記第2のメモリアクセス要求に従って前記第2の活性化命令を生成する前記ステップの前に、前記方法が、
第4のメモリアクセス要求を取得するステップであって、前記第4のメモリアクセス要求が、前記メモリ内の第4のサブ行へのアクセスを要求するために使用され、前記第4のサブ行および前記第2のサブ行が、同じ行に位置し、前記第4のサブ行に含まれるどの記憶ユニットに対応する列番号識別子も、前記第1のサブ行に含まれるどの記憶ユニットに対応する列番号識別子とも異なる、ステップをさらに含み、
前記第2のメモリアクセス要求に従って前記第2の活性化命令を生成する前記ステップが、
前記第2の活性化命令を生成するために前記第2のメモリアクセス要求と前記第4のメモリアクセス要求とを組み合わせるステップを特に含む、
請求項8に記載の方法。 - メモリ活性化方法であって、
メモリコントローラによって送信される第1の活性化命令を受信するステップであって、前記第1の活性化命令が、メモリ内の第1のサブ行の活性化を命令するために使用される、ステップと、
前記第1の活性化命令に従って、前記メモリ内に位置する前記第1のサブ行を活性化するステップと、
前記メモリコントローラによって送信される第2の活性化命令を受信するステップであって、前記第2の活性化命令が、前記メモリ内の第2のサブ行の活性化を命令するために使用される、ステップと、
前記第2の活性化命令に従って、前記メモリ内に位置する前記第2のサブ行を活性化するステップと
を含み、
前記第1のサブ行が、第1のサブアレイ内に位置し、前記第2のサブ行が、第2のサブアレイ内に位置し、
前記第1のサブアレイおよび前記第2のサブアレイの両方が、少なくとも1つの行を含み、前記少なくとも1つの行のいずれの行も、少なくとも1つのサブ行を含み、前記少なくとも1つのサブ行のいずれのサブ行も、少なくとも1つの記憶ユニットを含み、いずれの記憶ユニットも、1つの行番号識別子および1つの列番号識別子に対応しており、
前記第2のサブ行に含まれるどの記憶ユニットに対応する列番号識別子も、前記第1のサブ行に含まれるどの記憶ユニットに対応する列番号識別子とも異なり、
第1のラッチおよび第2のラッチの両方が、データキャッシングを実行するように構成されたグローバルキャッシュに接続される、メモリ活性化方法。 - 前記第1の活性化命令が、前記メモリ内の第3のサブ行の活性化を命令するためにさらに使用され、前記第3のサブ行および前記第1のサブ行が、同じ行に位置し、
前記第2のサブ行に含まれるどの記憶ユニットに対応する列番号識別子も、前記第3のサブ行に含まれるどの記憶ユニットに対応する列番号識別子とも異なり、
前記第1の活性化命令に従って、前記メモリ内に位置する前記第1のサブ行を活性化する前記ステップが、前記第1の活性化命令に従って前記メモリの第1のラッチにより、前記メモリ内に位置する前記第1のサブ行および前記第3のサブ行を活性化するステップを特に含む、
請求項10に記載の方法。
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