JP6389443B2 - ハイブリッド集積化光デバイスとその製造方法 - Google Patents
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Description
図3及び図4を用いて、本発明の第1の実施形態に係るハイブリッド集積化光デバイスを説明する。図3は、第1の実施形態に係るハイブリッド集積化光デバイスで用いられる光フィールド分布調整部1401の構成を示す。図3には、入力導波路141と、第1の合分波部142と、第1のアーム導波路143と、第2のアーム導波路144と、位相調整部145と、第2の合分波部146と、を含む光フィールド分布調整部1401が示されている。
図7を用いて、本発明の第2の実施形態に係るハイブリッド集積化光デバイスを説明する。図7には、基板210上に、PLC220と、半導体レーザアレイ230と、が設けられたハイブリッド集積化光デバイスが示されている。図7に示されるように、PLC220には、少なくとも1つの光導波路121と、光導波路121を伝搬する光のフィールド分布を調整することが可能な本実施形態に係る光フィールド分布調整部1403と、が設けられている。光フィールド分布調整部1403は、半導体レーザアレイ230から出力された光と結合する入力側スラブ導波路221と、入力側スラブ導波路221に接続された複数のアレイ導波路222を有するAWG(Arrayed-Waveguide Grating)223と、AWG223に接続され、複数のアレイ導波路222からそれぞれ出力された光を集光して光導波路121に出力する出力側スラブ導波路224と、光路差調整部225と、を含む。
以下、本発明の実施例について説明する。本実施例では、本発明の第2の実施形態を利用した、LAN−WDMの4×25Gb/sハイブリッド集積型送信機の構成を例示する。まず、図8を用いて、本実施例に係るハイブリッド集積化光デバイスにおけるPLCを作製する際の実際の作製手順について説明する。本実施形態では、PLCとして、石英系PLCを用いることができる。石英系PLCは、量産性、低コスト性および高信頼性の面から優れた特徴を有し、様々な光干渉回路が実現可能であり、光通信分野において実用化されている。石英系PLCは、標準的なフォトグラフィー法、エッチング技術およびFHD(Flame Hydrolysis Deposition)等のガラス堆積技術によって作製することが可能である。具体的な製造プロセスを概観すれば、最初に、Si等の基板上に、石英ガラス等を主原料とするアンダークラッド層と、クラッド層より高い屈折率を持つコア層とを堆積させる。その後、コア層に様々な導波路パターンを形成し、最後にオーバークラッド層によってコア層から形成された導波路を埋め込む。このようなプロセスにより、導波路型の光機能回路が作製される。信号光は、上述のようなプロセスを経て作製された導波路内に閉じ込められ、PLC内部を伝搬して分岐、干渉等をさせることができる。
PLC 20、120、220
光導波路 21、121
半導体アクティブ素子 30
半導体レーザ 130
光フィールド分布調整部 1401、1402、1403
入力導波路 141
合分波部 142、146
アーム導波路 143、144
位相調整部 145
スラブ導波路 221、224
アレイ導波路 222
AWG 223
光路長差調整部 225
半導体レーザアレイ 230
Claims (8)
- 半導体レーザ素子と、
前記半導体レーザ素子から出力された光と結合する光導波路を有するPLCと、
が基板上に設けられたハイブリッド集積化光デバイスであって、
前記PLCは、前記光導波路を導波する光のフィールド分布を、前記半導体レーザ素子から前記PLCに光が伝搬する方向及び前記半導体レーザ素子の高さ方向に垂直な方向に関して調整する光フィールド分布調整部を含むことを特徴とするハイブリッド集積化光デバイス。 - 前記光フィールド分布調整部は、
前記半導体レーザ素子から出力された光を入力する入力導波路と、
前記入力導波路を導波する光を0次モード光と1次モード光に分岐する第1の合分波部と、
前記第1の合分波部で分岐された前記0次モード光を伝搬する第1のアーム導波路と、
前記第1の合分波部で分岐された前記1次モード光を伝搬する第2のアーム導波路と、
前記第1及び第2のアーム導波路の少なくとも一方に設けられ、当該アーム導波路を伝搬する光の位相を調整する位相調整部と、
前記第1及び第2のアーム導波路をそれぞれ導波する光を合波して合波光を前記光導波路に出力する第2の合分波部と、
を含むことを特徴とする請求項1に記載のハイブリッド集積化光デバイス。 - 前記入力導波路は、前記1次モード光の伝搬を許容するマルチモード導波路であり、0次モード光のみを導波するようにテーパ状に幅が狭まりながら前記第1のアーム導波路と結合していることを特徴とする請求項2に記載のハイブリッド集積化光デバイス。
- 前記位相調整部は、前記第2のアーム導波路に形成された少なくとも1以上の挿入溝内に樹脂を充填することによって構成されていることを特徴とする請求項2又は3に記載のハイブリッド集積化光デバイス。
- 前記光フィールド分布調整部は、
前記半導体素子から出力された光を入力する入力側スラブ導波路と、
前記入力側スラブ導波路に接続された複数のアレイ導波路を有するAWGと、
前記AWGに接続され、前記複数のアレイ導波路からそれぞれ出力された光を集光して前記光導波路に出力する出力側スラブ導波路と、
隣接する前記アレイ導波路の間の光路長差を調整する光路長差調整部と、
を含むことを特徴とする請求項1に記載のハイブリッド集積化光デバイス。 - 前記光路長差調整部は、前記入力側スラブ導波路、前記AWG及び前記出力側スラブ導波路の少なくとも1つに形成された少なくとも1以上の挿入溝内に樹脂を充填することによって構成されていることを特徴とする請求項5に記載のハイブリッド集積化光デバイス。
- 請求項1乃至6のいずれかに記載のハイブリッド集積化光デバイスがペルチェ素子に搭載されていることを特徴とする装置。
- 請求項4又は6に記載のハイブリッド集積化光デバイスの製造方法であって、
前記半導体レーザ素子と前記PLCとを前記基板上に組み立てた後であって、前記挿入溝に前記樹脂を充填する前に、当該組み立てた光デバイスの出力の温度特性を測定する工程と、
当該測定した温度特性に基づいて、前記出力が最大となるような屈折率の樹脂を選定する工程と、
前記樹脂を前記挿入溝に挿入する工程と、
を含むことを特徴とする製造方法。
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