JP6383148B2

JP6383148B2 - Piezoelectric oscillator

Info

Publication number: JP6383148B2
Application number: JP2013268869A
Authority: JP
Inventors: 晴史乾條; 翔太高井
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2013-12-26
Filing date: 2013-12-26
Publication date: 2018-08-29
Anticipated expiration: 2033-12-26
Also published as: JP2015126345A

Description

本発明は、電子機器等に用いられる圧電発振器に関するものである。 The present invention relates to a piezoelectric oscillator used in an electronic device or the like.

圧電発振器は、水晶素子の圧電効果を利用して、特定の周波数を発生させるものである。例えば、基板と、第一凹部を設けるために基板の上面に枠体とを有しているパッケージと、第二凹部を設けるために基板の下面に接合された実装枠体と、基板の上面に設けられた電極パッドに実装された水晶素子と、基板の下面に実装された集積回路素子と、を備えた圧電発振器が提案されている（例えば、下記特許文献１参照）。 A piezoelectric oscillator generates a specific frequency by using the piezoelectric effect of a crystal element. For example, a substrate, a package having a frame on the upper surface of the substrate to provide the first recess, a mounting frame bonded to the lower surface of the substrate to provide the second recess, and an upper surface of the substrate There has been proposed a piezoelectric oscillator including a crystal element mounted on a provided electrode pad and an integrated circuit element mounted on a lower surface of a substrate (for example, see Patent Document 1 below).

特開２００９−８９４３７号公報JP 2009-89437 A

上述した圧電発振器は、小型化が進んでおり、基板の下面と実装枠体の上面との接合面積が小さくなっているため、落下により、基板の下面から実装枠体及び集積回路素子が剥がれてしまう虞があった。 The piezoelectric oscillator described above has been miniaturized, and since the bonding area between the lower surface of the substrate and the upper surface of the mounting frame is small, the mounting frame and the integrated circuit element are peeled off from the lower surface of the substrate by dropping. There was a risk of it.

本発明は前記課題に鑑みてなされたものであり、基板の下面から実装枠体が剥がれてしまうことを低減することが可能な圧電発振器を提供することを課題とする。 This invention is made | formed in view of the said subject, and makes it a subject to provide the piezoelectric oscillator which can reduce that a mounting frame peels from the lower surface of a board | substrate.

本発明の一つの態様による圧電発振器は、矩形状の基板と、基板の上面に設けられた枠体と、上面の外周縁に沿って設けられた接合パッドを有し、基板の下面の外周縁に沿って設けられた接合端子と接合パッドとが接合されることで、基板の下面に設けられた実装枠体と、枠体で囲まれる領域であって基板の上面に設けられた電極パッドに実装された水晶素子と、実装枠体で囲まれる領域であって基板の下面に設けられた接続パッドに実装された集積回路素子と、枠体の上面に接合された蓋体と、基板の下面と実装枠体との上面との間で設けられた間隙部内及び集積回路素子と接続パッドとの間に設けられた絶縁性樹脂と、を備え、実装枠体の外形形状が、平面視して、基板の外形形状よりも大きくなるように設けられており、絶縁性樹脂が、基板の下面の外周縁から実装枠体の上面にかけて上下方向の厚みが薄くなるように傾斜が設けられていることを特徴とするものである。 A piezoelectric oscillator according to one aspect of the present invention includes a rectangular substrate, a frame provided on the upper surface of the substrate, and a bonding pad provided along the outer peripheral edge of the upper surface. Are bonded to the mounting frame provided on the lower surface of the substrate and the electrode pad provided on the upper surface of the substrate in a region surrounded by the frame. The mounted crystal element, the integrated circuit element mounted on the connection pad provided on the lower surface of the substrate that is surrounded by the mounting frame, the lid bonded to the upper surface of the frame, and the lower surface of the substrate and a et an insulating resin is provided between the gap portion and the integrated circuit element provided with connection pads between the top surface of the mounting frame and outer shape of the mounting frame is, in plan view Te, it is provided to be larger than the outer shape of the substrate, an insulating resin It is characterized in that the inclined such vertical thickness decreases from the outer peripheral edge of the lower surface of the substrate over the upper surface of the mounting frame is provided.

本発明の一つの態様による圧電発振器は、矩形状の基板と、上面の外周縁に沿って設けられた接合パッドを有し、基板の下面の外周縁に沿って設けられた接合端子と接合パッドとが接合されることで、基板の下面に設けられた実装枠体と、基板の下面と、実装枠体との上面との間で設けられた間隙部内及び集積回路素子と接続パッドとの間に設けられた絶縁性樹脂と、を備え、実装枠体の外形形状が、平面視して、基板の外形形状よりも大きくなるように設けられており、絶縁性樹脂が、基板の下面の外周縁から実装枠体の上面にかけて上下方向の厚みが薄くなるように傾斜が設けられている。このようにすることで、圧電発振器の全体構造を小型化する場合であっても、基板に対する絶縁性樹脂の被着面積を広く確保することができるようになり、これによって実装枠体を基板に対し強固に接合させることが可能となる。また、本発明の一つの態様による圧電発振器は、集積回路素子と接続パッドとの間に設けられた絶縁性樹脂によって、集積回路素子を基板に接合することができるので、集積回路素子の基板に対する接合強度を向上させることができる。 A piezoelectric oscillator according to one aspect of the present invention includes a rectangular substrate and a bonding pad provided along the outer peripheral edge of the upper surface, and a bonding terminal and a bonding pad provided along the outer peripheral edge of the lower surface of the substrate. by bets are joined, between the mounting frame member provided on the lower surface of the substrate, and the lower surface of the substrate, the gap portion and the integrated circuit element provided between the upper surface of the mounting frame and the connection pad and an insulating resin provided in the outer shape of the mounting frame is, in plan view, is provided to be larger than the outer shape of the substrate, insulating resin, outside of the lower surface of the substrate Inclination is provided so that the thickness in the vertical direction decreases from the periphery to the upper surface of the mounting frame. In this way, even when the entire structure of the piezoelectric oscillator is reduced in size, it is possible to secure a wide area for the insulating resin to be attached to the substrate. On the other hand, it is possible to bond them firmly. The piezoelectric oscillator according to one aspect of the present invention, by providing et an insulating resin between the connection and the integrated circuit element pad, since the integrated circuit element can be bonded to the substrate, the substrate of the integrated circuit element The joint strength with respect to can be improved.

本実施形態に係る圧電発振器を示す分解斜視図である。It is a disassembled perspective view which shows the piezoelectric oscillator which concerns on this embodiment. （ａ）は、図１のＡ−Ａ断面図であり、（ｂ）は、図１のＢ−Ｂ断面図である。(A) is AA sectional drawing of FIG. 1, (b) is BB sectional drawing of FIG. （ａ）は、本実施形態に係る圧電発振器を構成するパッケージの上面からみた平面透視図であり、（ｂ）は、本実施形態に係る圧電発振器を構成するパッケージの基板の上面からみた平面透視図である。(A) is the plane perspective view seen from the upper surface of the package which comprises the piezoelectric oscillator which concerns on this embodiment, (b) is the plane perspective seen from the upper surface of the board | substrate of the package which comprises the piezoelectric oscillator which concerns on this embodiment. FIG. （ａ）は、本実施形態に係る圧電発振器を構成するパッケージの下面からみた平面透視図であり、（ｂ）は、本実施形態に係る圧電発振器を下面からみた透視平面図である。(A) is the plane perspective view seen from the lower surface of the package which comprises the piezoelectric oscillator which concerns on this embodiment, (b) is the perspective plan view which looked at the piezoelectric oscillator concerning this embodiment from the lower surface. （ａ）は、本実施形態に係る圧電発振器を構成する実装枠体の上面からみた平面図であり、（ｂ）は、本実施形態に係る圧電発振器を構成する実装枠体の下面からみた平面図である。(A) is the top view seen from the upper surface of the mounting frame which comprises the piezoelectric oscillator which concerns on this embodiment, (b) is the plane seen from the lower surface of the mounting frame which comprises the piezoelectric oscillator which concerns on this embodiment. FIG.

本実施形態における圧電発振器は、図１及び図２に示されているように、パッケージ１１０と、パッケージ１１０の上面に接合された水晶素子１２０と、パッケージ１１０の下面に接合された集積回路素子１５０とを含んでいる。パッケージ１１０は、基板１１０ａの上面と枠体１１０ｂの内側面によって囲まれた第一凹部Ｋ１が形成されている。また、基板１１０ａの下面と実装枠体１６０の内側面によって囲まれた第二凹部Ｋ２が形成されている。このような圧電発振器は、電子機器等で使用する基準信号を出力するのに用いられる。 As shown in FIGS. 1 and 2, the piezoelectric oscillator according to the present embodiment includes a package 110, a crystal element 120 bonded to the upper surface of the package 110, and an integrated circuit element 150 bonded to the lower surface of the package 110. Including. The package 110 has a first recess K1 surrounded by the upper surface of the substrate 110a and the inner surface of the frame 110b. A second recess K2 surrounded by the lower surface of the substrate 110a and the inner surface of the mounting frame 160 is formed. Such a piezoelectric oscillator is used to output a reference signal used in an electronic device or the like.

基板１１０ａは、矩形状であり、上面に実装された水晶素子１２０及び下面に実装された集積回路素子１５０を実装するための実装部材として機能するものである。基板１１０ａは、上面に、水晶素子１２０を実装するための電極パッド１１１が設けられており、下面に、集積回路素子１５０を実装するための接続パッド１１５が設けられている。また、基板１１０ａの一辺に沿って、水晶素子１２０を接合するための第一電極パッド１１１ａ及び第二電極パッド１１１ｂが設けられている。基板１１０ａの下面の四隅には、接合端子１１２が設けられている。また、基板１１０ａの下面の中央には、一対の測定パッド１１９が設けられ、その一対の測定パッド１１９を囲むようにして、集積回路素子１５０を実装するための六つの接続パッド１１５が設けられている。また、接合端子１１２は、接続パッド１１５の内の外側にある四つと電気的に接続されている。 The substrate 110a has a rectangular shape and functions as a mounting member for mounting the crystal element 120 mounted on the upper surface and the integrated circuit element 150 mounted on the lower surface. The substrate 110a is provided with an electrode pad 111 for mounting the crystal element 120 on the upper surface and a connection pad 115 for mounting the integrated circuit element 150 on the lower surface. A first electrode pad 111a and a second electrode pad 111b for bonding the crystal element 120 are provided along one side of the substrate 110a. Bonding terminals 112 are provided at the four corners of the lower surface of the substrate 110a. A pair of measurement pads 119 is provided at the center of the lower surface of the substrate 110a, and six connection pads 115 for mounting the integrated circuit element 150 are provided so as to surround the pair of measurement pads 119. Further, the bonding terminals 112 are electrically connected to the four outside the connection pads 115.

基板１１０ａは、例えばアルミナセラミックス又はガラス−セラミックス等のセラミック材料である絶縁層からなる。基板１１０ａは、絶縁層を一層用いたものであっても、絶縁層を複数層積層したものであってもよい。基板１１０ａの表面及び内部には、上面に設けられた電極パッド１１１と、基板１１０ａの下面に設けられた測定パッド１１９とを電気的に接続するための配線パターン１１３及びビア導体１１４が設けられている。また、基板１１０ａの表面には、下面に設けられた接続パッド１１５及び測定パッド１１９と、基板１１０ａの下面に設けられた接合端子１１２とを電気的に接続するための接続パターン１１６が設けられている。 The substrate 110a is made of an insulating layer made of a ceramic material such as alumina ceramic or glass-ceramic. The substrate 110a may be one using an insulating layer or may be a laminate of a plurality of insulating layers. A wiring pattern 113 and a via conductor 114 for electrically connecting the electrode pad 111 provided on the upper surface and the measurement pad 119 provided on the lower surface of the substrate 110a are provided on and inside the substrate 110a. Yes. Further, a connection pattern 116 for electrically connecting the connection pads 115 and the measurement pads 119 provided on the lower surface and the bonding terminals 112 provided on the lower surface of the substrate 110a is provided on the surface of the substrate 110a. Yes.

枠体１１０ｂは、基板１１０ａの上面に配置され、基板１１０ａの上面に第一凹部Ｋ１を形成するためのものである。枠体１１０ｂは、例えばアルミナセラミックス又はガラス−セラミックス等のセラミック材料からなり、基板１１０ａと一体的に形成されている。 The frame 110b is disposed on the upper surface of the substrate 110a, and is for forming the first recess K1 on the upper surface of the substrate 110a. The frame 110b is made of a ceramic material such as alumina ceramics or glass-ceramics, and is formed integrally with the substrate 110a.

電極パッド１１１は、水晶素子１２０を実装するためのものである。電極パッド１１１は、基板１１０ａの上面に一対で設けられており、基板１１０ａの一辺に沿うように隣接して設けられている。電極パッド１１１は、図３及び図４に示されているように基板１１０ａの上面に設けられた配線パターン１１３とビア導体１１４を介して、基板１１０ａの下面に設けられた接合端子１１２と電気的に接続されている。 The electrode pad 111 is for mounting the crystal element 120. A pair of electrode pads 111 are provided on the upper surface of the substrate 110a, and are provided adjacent to each other along one side of the substrate 110a. The electrode pad 111 is electrically connected to the bonding terminal 112 provided on the lower surface of the substrate 110a through the wiring pattern 113 and the via conductor 114 provided on the upper surface of the substrate 110a as shown in FIGS. It is connected to the.

電極パッド１１１は、図３に示すように、第一電極パッド１１１ａ及び第二電極パッド１１１ｂによって構成されている。ビア導体１１４は、第一ビア導体１１４ａ及び第二ビア導体１１４ｂによって構成されている。また、配線パターン１１３は、第一配線パターン１１３ａ及び第二配線パターン１１３ｂによって構成されている。測定パッド１１９は、第一測定パッド１１９ａ及び第二測定パッド１１９ｂによって構成されている。第一電極パッド１１１ａは、基板１１０ａに設けられた第一配線パターン１１３ａの一端と電気的に接続されている。また、第一配線パターン１１３ａの他端は、第一ビア導体１１４ａを介して、第一測定パッド１１９ａと電気的に接続されている。よって、第一電極パッド１１１ａは、第一測定パッド１１９ａと電気的に接続されることになる。第二電極パッド１１１ｂは、基板１１０ａに設けられた第二配線パターン１１３ｂの一端と電気的に接続されている。また、第二配線パターン１１３ｂの他端は、第二ビア導体１１４ｂを介して、第二測定パッド１１９ｂと電気的に接続されている。よって、第二電極パッド１１１ｂは、第二測定パッド１１９ｂと電気的に接続されることになる。また、第一測定パッド１１９ａは、第五接続パターン１１６ｅを介して、第五接続パッド１１５ｅと電気的に接続されている。よって、第一電極パッド１１１ａは、第五接続パッド１１５ｅと電気的に接続されることになる。また、第二測定パッド１１９ｂは、第二接続パターン１１６ｂを介して、第二接続パッド１１５ｂと電気的に接続されている。よって、第二電極パッド１１１ｂは、第二接続パッド１１５ｂと電気的に接続されることになる。 As shown in FIG. 3, the electrode pad 111 is composed of a first electrode pad 111a and a second electrode pad 111b. The via conductor 114 includes a first via conductor 114a and a second via conductor 114b. The wiring pattern 113 is composed of a first wiring pattern 113a and a second wiring pattern 113b. The measurement pad 119 includes a first measurement pad 119a and a second measurement pad 119b. The first electrode pad 111a is electrically connected to one end of the first wiring pattern 113a provided on the substrate 110a. The other end of the first wiring pattern 113a is electrically connected to the first measurement pad 119a through the first via conductor 114a. Therefore, the first electrode pad 111a is electrically connected to the first measurement pad 119a. The second electrode pad 111b is electrically connected to one end of the second wiring pattern 113b provided on the substrate 110a. The other end of the second wiring pattern 113b is electrically connected to the second measurement pad 119b through the second via conductor 114b. Therefore, the second electrode pad 111b is electrically connected to the second measurement pad 119b. The first measurement pad 119a is electrically connected to the fifth connection pad 115e via the fifth connection pattern 116e. Therefore, the first electrode pad 111a is electrically connected to the fifth connection pad 115e. The second measurement pad 119b is electrically connected to the second connection pad 115b via the second connection pattern 116b. Therefore, the second electrode pad 111b is electrically connected to the second connection pad 115b.

接合端子１１２は、実装枠体１６０の接合パッド１６１と電気的に接合するために用いられている。接合端子１１２は、図４（ｂ）に示すように、基板１１０ａの下面の四隅に設けられ、第一接合端子１１２ａ、第二接合端子１１２ｂ、第三接合端子１１２ｃ及び第四接合端子１１２ｄによって構成されている。接合端子１１２は、基板１１０ａの下面に設けられた接続パッド１１５とそれぞれ電気的に接続されている。また、第二接合端子１１２ｂは、グランド用ビア導体１１７を介して、封止用導体パターン１１８と電気的に接続されている。 The joint terminal 112 is used for electrical joining with the joint pad 161 of the mounting frame 160. As shown in FIG. 4B, the joining terminals 112 are provided at the four corners of the lower surface of the substrate 110a, and are configured by the first joining terminals 112a, the second joining terminals 112b, the third joining terminals 112c, and the fourth joining terminals 112d. Has been. The junction terminals 112 are electrically connected to connection pads 115 provided on the lower surface of the substrate 110a. The second joint terminal 112 b is electrically connected to the sealing conductor pattern 118 via the ground via conductor 117.

配線パターン１１３は、基板１１０ａの上面に設けられ、電極パッド１１１から近傍の基板１１０ａのビア導体１１４に向けて引き出されている。また、配線パターン１１３は、図３に示すように、第一配線パターン１１３ａ及び第二配線パターン１１３ｂによって構成されている。 The wiring pattern 113 is provided on the upper surface of the substrate 110a, and is drawn from the electrode pad 111 toward the via conductor 114 of the nearby substrate 110a. Moreover, the wiring pattern 113 is comprised by the 1st wiring pattern 113a and the 2nd wiring pattern 113b, as shown in FIG.

ビア導体１１４は、基板１１０ａの内部に設けられ、その両端は、配線パターン１１３及び測定パッド１１９と電気的に接続されている。ビア導体１１４は、基板１１０ａに設けられた貫通孔の内部に導体を充填することで設けられている。また、ビア導体１１４は、平面視して、図４に示されているように、実装枠体１６０と重なる位置に設けられている。このようにすることで、本実施形態の圧電発振器は、電子機器等の実装基板上の実装パターンと、ビア導体１１４との間で発生する浮遊容量を低減させることで、水晶素子１２０に浮遊容量が付加されないので、水晶素子１２０の発振周波数が変動することを低減することができる。 The via conductor 114 is provided inside the substrate 110a, and both ends thereof are electrically connected to the wiring pattern 113 and the measurement pad 119. The via conductor 114 is provided by filling a conductor in a through hole provided in the substrate 110a. Further, the via conductor 114 is provided at a position overlapping the mounting frame 160 as shown in FIG. 4 in plan view. By doing so, the piezoelectric oscillator according to the present embodiment reduces the stray capacitance generated between the mounting pattern on the mounting substrate of the electronic device or the like and the via conductor 114, thereby allowing the crystal element 120 to have a stray capacitance. Is not added, the fluctuation of the oscillation frequency of the crystal element 120 can be reduced.

接続パッド１１５は、集積回路素子１５０を実装するために用いられている。また、接続パッド１１５は、図４に示すように、第一接続パッド１１５ａ、第二接続パッド１１５ｂ、第三接続パッド１１５ｃ、第四接続パッド１１５ｄ、第五接続パッド１１５ｅ及び第六接続パッド１１５ｆによって構成されている。第一接続パッド１１５ａと第一接合端子１１２ａとは、基板１１０ａの下面に設けられた第一接続パターン１１６ａにより接続されており、第二接続パッド１１５ｂと第二測定パッド１１９ｂとは、基板１１０ａの下面に設けられた第二接続パターン１１６ｂにより接続されている。第三接続パッド１１５ｃと第四接合端子１１２ｄとは、基板１１０ａの下面に設けられた第三接続パターン１１６ｃにより接続されており、第四接続パッド１１５ｄと第三接合端子１１２ｃとは、基板１１０ａの下面に設けられた第四接続パターン１１６ｄにより接続されている。また、第五接続パッド１１５ｅと第一測定パッド１１９ａとは、基板１１０ａの下面に設けられた第五接続パターン１１６ｅにより接続されており、第六接続パッド１１５ｆと第二接合端子１１２ｂとは、基板１１０ａの下面に設けられた第六接続パターン１１６ｆにより接続されている。また、接続パターン１１６は、基板１１０ａの下面に設けられ、接続パッド１１５から近傍の接合端子１１２または測定パッド１１９に向けて引き出されている。 The connection pad 115 is used for mounting the integrated circuit element 150. Further, as shown in FIG. 4, the connection pad 115 includes a first connection pad 115a, a second connection pad 115b, a third connection pad 115c, a fourth connection pad 115d, a fifth connection pad 115e, and a sixth connection pad 115f. It is configured. The first connection pad 115a and the first bonding terminal 112a are connected by a first connection pattern 116a provided on the lower surface of the substrate 110a, and the second connection pad 115b and the second measurement pad 119b are connected to the substrate 110a. They are connected by a second connection pattern 116b provided on the lower surface. The third connection pad 115c and the fourth connection terminal 112d are connected by a third connection pattern 116c provided on the lower surface of the substrate 110a, and the fourth connection pad 115d and the third connection terminal 112c are connected to the substrate 110a. They are connected by a fourth connection pattern 116d provided on the lower surface. The fifth connection pad 115e and the first measurement pad 119a are connected by a fifth connection pattern 116e provided on the lower surface of the substrate 110a, and the sixth connection pad 115f and the second bonding terminal 112b are connected to the substrate. They are connected by a sixth connection pattern 116f provided on the lower surface of 110a. In addition, the connection pattern 116 is provided on the lower surface of the substrate 110a, and is drawn from the connection pad 115 toward the nearby bonding terminal 112 or the measurement pad 119.

封止用導体パターン１１８は、蓋体１３０と封止部材１３１を介して接合する際に、封止部材１３１の濡れ性をよくする役割を果たしている。封止用導体パターン１１８は、図３及び図４に示すように、グランド用ビア導体１１７を介して、第二接合端子１１２ｂと電気的に接続されている。封止用導体パターン１１８は、例えばタングステン又はモリブデン等から成る導体パターンの表面にニッケルメッキ及び金メッキを順次、枠体１１０ｂの上面を環状に囲む形態で施すことによって、例えば１０〜２５μｍの厚みに形成されている。 The sealing conductor pattern 118 plays a role of improving the wettability of the sealing member 131 when it is joined to the lid 130 via the sealing member 131. As shown in FIGS. 3 and 4, the sealing conductor pattern 118 is electrically connected to the second junction terminal 112 b through the ground via conductor 117. The sealing conductor pattern 118 is formed to have a thickness of, for example, 10 to 25 μm by sequentially applying nickel plating and gold plating on the surface of the conductor pattern made of, for example, tungsten or molybdenum so as to surround the upper surface of the frame 110b in an annular shape Has been.

測定パッド１１９は、コンタクトピン等を接触させることによって、水晶素子１２０の特性を測定するためのものである。測定パッド１１９は、第一測定パッド１１９ａ及び第二測定パッド１１９ｂによって構成されている。測定パッド１１９は、基板１１０ａに設けられた配線パターン１１３及びビア導体１１４を介して、基板１１０ａの上面に設けられた電極パッド１１１と電気的に接続されている。第一測定パッド１１９ａは、第五接続パターン１１６ｅを介して第五接続パッド１１５ｅと電気的に接続されている。また、第二測定パッド１１９ｂは、第二接続パターン１１６ｂを介して第二接続パッド１１５ｂと電気的に接続されている。測定パッド１１９は、平面視して、集積回路素子１５０と重なる位置に設けられている。このようにすることで、電子機器等の実装基板上の実装パターンと測定パッド１１９との間で発生する浮遊容量を低減させることで、水晶素子１２０に浮遊容量が付加されないので、水晶素子１２０の発振周波数が変動することを低減することができる。 The measurement pad 119 is for measuring the characteristics of the crystal element 120 by bringing a contact pin or the like into contact therewith. The measurement pad 119 includes a first measurement pad 119a and a second measurement pad 119b. The measurement pad 119 is electrically connected to the electrode pad 111 provided on the upper surface of the substrate 110a through the wiring pattern 113 and the via conductor 114 provided on the substrate 110a. The first measurement pad 119a is electrically connected to the fifth connection pad 115e via the fifth connection pattern 116e. The second measurement pad 119b is electrically connected to the second connection pad 115b via the second connection pattern 116b. The measurement pad 119 is provided at a position overlapping the integrated circuit element 150 in plan view. By doing so, the stray capacitance generated between the mounting pattern on the mounting substrate of the electronic device or the like and the measurement pad 119 is reduced, so that no stray capacitance is added to the crystal element 120. Fluctuation of the oscillation frequency can be reduced.

ここでパッケージ１１０を平面視したときの一辺の寸法が、１．０〜２．０ｍｍである場合を例にして、測定パッド１１９の大きさを説明する。測定パッド１１９の長辺の長さは、０．５〜０．８ｍｍとなり、短辺の長さは、０．４５〜０．７５ｍｍとなる。また、水晶素子１２０の測定をする際は、実装枠体１６０を実装する前に行うので、従来の圧電発振器と比して、測定パッド１１９の面積を大きくすることできる。測定パッド１１９の面積を大きくすることができるので、コンタクトピンと測定パッド１１９との接触不良を低減することができる。よって、コンタクトピンと測定パッド１１９との接触不良により生じる水晶素子１２０の再測定を抑えることができるので、圧電発振器の生産性を向上させることが可能となる。 Here, the size of the measurement pad 119 will be described using an example in which the dimension of one side when the package 110 is viewed in plan is 1.0 to 2.0 mm. The length of the long side of the measurement pad 119 is 0.5 to 0.8 mm, and the length of the short side is 0.45 to 0.75 mm. Further, since the crystal element 120 is measured before the mounting frame 160 is mounted, the area of the measurement pad 119 can be increased as compared with the conventional piezoelectric oscillator. Since the area of the measurement pad 119 can be increased, contact failure between the contact pin and the measurement pad 119 can be reduced. Therefore, since remeasurement of the crystal element 120 caused by poor contact between the contact pin and the measurement pad 119 can be suppressed, the productivity of the piezoelectric oscillator can be improved.

また、水晶素子１２０の特性を測定する際に使用される電気特性測定器としては、水晶素子１２０の共振周波数、クリスタルインピーダンスの他、インダクタンス、容量等の等価パラメータを測定することができるネットワークアナライザ又はインピーダンスアナライザ等が用いられる。そのコンタクトピンは、銅、銀等の合金の表面に金メッキを施した高導電性のピンと、接触時の衝撃を抑制するばね性をもったリセクタブルソケットとで構成され、これを測定パッド１１９に押し付けつつ接触させることで測定が行われる。 Moreover, as an electrical property measuring instrument used when measuring the characteristics of the crystal element 120, a network analyzer that can measure equivalent parameters such as inductance and capacitance in addition to the resonance frequency and crystal impedance of the crystal element 120 or An impedance analyzer or the like is used. The contact pin is composed of a highly conductive pin in which the surface of an alloy such as copper or silver is gold-plated and a re-sectorable socket having a spring property that suppresses an impact at the time of contact. The measurement is performed by contacting with pressing.

ここで、基板１１０ａの作製方法について説明する。基板１１０ａがアルミナセラミックスから成る場合、まず所定のセラミック材料粉末に適当な有機溶剤等を添加・混合して得た複数のセラミックグリーンシートを準備する。また、セラミックグリーンシートの表面或いはセラミックグリーンシートに打ち抜き等を施して予め穿設しておいた貫通孔内に、従来周知のスクリーン印刷等によって所定の導体ペーストを塗布する。さらに、これらのグリーンシートを積層してプレス成形したものを、高温で焼成する。最後に、導体パターンの所定部位、具体的には、電極パッド１１１、接合端子１１２、配線パターン１１３、ビア導体１１４、接続パッド１１５、接続パターン１１６、グランド用ビア導体１１７、封止用導体パターン１１８及び測定パッド１１９となる部位にニッケルメッキ又、金メッキ、銀パラジウム等を施すことにより作製される。また、導体ペーストは、例えばタングステン、モリブデン、銅、銀又は銀パラジウム等の金属粉末の焼結体等から構成されている。 Here, a method for manufacturing the substrate 110a will be described. When the substrate 110a is made of alumina ceramic, first, a plurality of ceramic green sheets obtained by adding and mixing an appropriate organic solvent or the like to a predetermined ceramic material powder is prepared. In addition, a predetermined conductor paste is applied to the surface of the ceramic green sheet or a through-hole previously punched by punching the ceramic green sheet by screen printing or the like. Further, these green sheets are laminated and press-molded and fired at a high temperature. Finally, a predetermined portion of the conductor pattern, specifically, the electrode pad 111, the bonding terminal 112, the wiring pattern 113, the via conductor 114, the connection pad 115, the connection pattern 116, the ground via conductor 117, and the sealing conductor pattern 118. Further, it is produced by applying nickel plating, gold plating, silver palladium, or the like to a portion to be the measurement pad 119. Moreover, the conductor paste is comprised from the sintered compact etc. of metal powders, such as tungsten, molybdenum, copper, silver, or silver palladium, for example.

実装枠体１６０は、基板１１０ａの下面と接合され、基板１１０ａの下面に第二凹部Ｋ２を形成するためのものである。実装枠体１６０の外形形状は、平面視して、基板１１０ａの外形形状よりも大きくなるように設けられている。実装枠体１６０は、例えばガラスエポキシ樹脂等の絶縁性基板からなり、基板１１０ａの下面と導電性接合材１７０を介して接合される。実装枠体１６０の内部には、上面に設けられた接合パッド１６１と、実装枠体１６０の下面に設けられた外部端子１６２とを電気的に接続するための導体部１６３が設けられている。実装枠体１６０の上面の四隅には、接合パッド１６１が設けられ、下面の四隅には、外部端子１６２が設けられている。また、外部端子１６２は、集積回路素子１５０と電気的に接続されている。 The mounting frame 160 is bonded to the lower surface of the substrate 110a, and is for forming the second recess K2 on the lower surface of the substrate 110a. The outer shape of the mounting frame 160 is provided to be larger than the outer shape of the substrate 110a in plan view. The mounting frame 160 is made of, for example, an insulating substrate such as a glass epoxy resin, and is bonded to the lower surface of the substrate 110 a via a conductive bonding material 170. Inside the mounting frame 160, a conductor portion 163 for electrically connecting a bonding pad 161 provided on the upper surface and an external terminal 162 provided on the lower surface of the mounting frame 160 is provided. Bonding pads 161 are provided at the four corners of the upper surface of the mounting frame 160, and external terminals 162 are provided at the four corners of the lower surface. The external terminal 162 is electrically connected to the integrated circuit element 150.

接合パッド１６１は、基板１１０ａの接合端子１１２と導電性接合材１７０を介して電気的に接合するためのものである。接合パッド１６１は、図５に示すように、第一接合パッド１６１ａ、第二接合パッド１６１ｂ、第三接合パッド１６１ｃ及び第四接合パッド１６１ｄによって構成されている。また、外部端子１６２は、図５に示すように第一外部端子１６２ａ、第二外部端子１６２ｂ、第三外部端子１６２ｃ及び第四外部端子１６２ｄによって構成されている。導体部１６３は、第一導体部１６３ａ、第二導体部１６３ｂ、第三導体部１６３ｃ及び第四導体部１６３ｄによって構成されている。第一接合パッド１６１ａは、第一導体部１６３ａを介して、第一外部端子１６２ａと電気的に接続され、第二接合パッド１６１ｂは、第二導体部１６３ｂを介して、第二外部端子１６２ｂと電気的に接続されている。第三接合パッド１６１ｃは、第三導体部１６３ｃを介して、第三外部端子１６２ｃと電気的に接続され、第四接合パッド１６１ｄは、第四導体部１６３ｄを介して、第四外部端子１６２ｄと電気的に接続されている。 The bonding pad 161 is for electrically bonding to the bonding terminal 112 of the substrate 110a via the conductive bonding material 170. As shown in FIG. 5, the bonding pad 161 includes a first bonding pad 161a, a second bonding pad 161b, a third bonding pad 161c, and a fourth bonding pad 161d. As shown in FIG. 5, the external terminal 162 includes a first external terminal 162a, a second external terminal 162b, a third external terminal 162c, and a fourth external terminal 162d. The conductor part 163 includes a first conductor part 163a, a second conductor part 163b, a third conductor part 163c, and a fourth conductor part 163d. The first bonding pad 161a is electrically connected to the first external terminal 162a via the first conductor portion 163a, and the second bonding pad 161b is connected to the second external terminal 162b via the second conductor portion 163b. Electrically connected. The third bonding pad 161c is electrically connected to the third external terminal 162c via the third conductor portion 163c, and the fourth bonding pad 161d is connected to the fourth external terminal 162d via the fourth conductor portion 163d. Electrically connected.

外部端子１６２は、電子機器等の実装基板に実装するためのものである。外部端子１６２は、実装枠体１６０の下面の四隅に設けられている。外部端子１６２は、基板１１０ａの下面に設けられた六つの接続パッド１１５の四つと電気的に接続されている。また、第二外部端子１６２ｂは、電子機器等の実装基板上の基準電位であるグランド電位と接続されている実装パッドと接続されている。これにより、封止用導体パターン１１８に接合された蓋体１３０がグランド電位となっている第二外部端子１６２ｂに接続される。よって、蓋体１３０による第一凹部Ｋ１内のシールド性が向上する。また、第一外部端子１６２ａは、出力端子として用いられ、第三外部端子１６２ｃは、機能端子として用いられ、第四外部端子１６２ｄは、電源電圧端子として用いられる。機能端子は、書込読込端子及び周波数制御端子として用いられる。ここで、書込読込端子は、温度補償用制御データを記憶素子部に書き込んだり、記憶素子部に書き込まれた温度補償用制御データを読み込んだりするための端子のことである。周波数制御端子は、電圧を印加すると発振回路部の可変容量ダイオードの負荷容量を変動させることによって、水晶素子１２０の温度特性を補正させるための端子のことである。 The external terminal 162 is for mounting on a mounting board such as an electronic device. The external terminals 162 are provided at the four corners of the lower surface of the mounting frame 160. The external terminals 162 are electrically connected to four of the six connection pads 115 provided on the lower surface of the substrate 110a. The second external terminal 162b is connected to a mounting pad connected to a ground potential that is a reference potential on a mounting board of an electronic device or the like. As a result, the lid 130 bonded to the sealing conductor pattern 118 is connected to the second external terminal 162b having the ground potential. Therefore, the shielding property in the 1st recessed part K1 by the cover body 130 improves. The first external terminal 162a is used as an output terminal, the third external terminal 162c is used as a functional terminal, and the fourth external terminal 162d is used as a power supply voltage terminal. The function terminal is used as a write / read terminal and a frequency control terminal. Here, the writing / reading terminal is a terminal for writing the temperature compensation control data into the storage element section or reading the temperature compensation control data written in the storage element section. The frequency control terminal is a terminal for correcting the temperature characteristic of the crystal element 120 by changing the load capacitance of the variable capacitance diode of the oscillation circuit section when a voltage is applied.

導体部１６３は、基板１１０ａの上面の接合パッド１６１と、下面の外部端子１６２を電気的に接続するためのものである。導体部１６３は、実装枠体１６０の四隅に貫通孔を設け、貫通孔の内壁面に導電部材を形成し、その上面を接合パッド１６１で塞ぎ、その下面を外部端子１６２で塞ぐことにより形成されている。 The conductor portion 163 is for electrically connecting the bonding pad 161 on the upper surface of the substrate 110a and the external terminal 162 on the lower surface. The conductor portion 163 is formed by providing through holes at the four corners of the mounting frame 160, forming a conductive member on the inner wall surface of the through hole, closing the upper surface with the bonding pad 161, and closing the lower surface with the external terminals 162. ing.

第二凹部Ｋ２の開口部の形状は、平面視して、矩形状となっている。ここで基板１１０ａを平面視したときの長辺の寸法が、１．２〜２．５ｍｍであり、短辺の寸法が、１．０〜２．０ｍｍである場合を例にして、第二凹部Ｋ２の開口部の大きさを説明する。第二凹部Ｋ２の長辺の長さは、０．８〜１．５ｍｍであり、短辺の長さは、０．５〜１．２ｍｍとなっている。 The shape of the opening of the second recess K2 is a rectangular shape in plan view. Here, taking the case where the long side dimension of the substrate 110a in plan view is 1.2 to 2.5 mm and the short side dimension is 1.0 to 2.0 mm, the second concave portion is taken as an example. The size of the opening of K2 will be described. The length of the long side of the second recess K2 is 0.8 to 1.5 mm, and the length of the short side is 0.5 to 1.2 mm.

実装枠体１６０の基板１１０ａへの接合方法について説明する。まず、導電性接合材１７０は、例えばディスペンサ及びスクリーン印刷によって第一接合パッド１６１ａ、第二接合パッド１６１ｂ、第三接合パッド１６１ｃ及び第四接合パッド１６１ｄ上に塗布される。基板１１０ａは、基板１１０ａの接合端子１１２が導電性接合材１７０上に位置するようにして搬送され、導電性接合材１７０上に載置される。そして導電性接合材１７０は、加熱硬化させることによって、硬化収縮される。これによって、基板１１０ａの接合端子１１２は、接合パッド１６１に接合される。つまり、基板１１０ａの第一接合端子１１２ａは、第一接合パッド１６１ａと接合され、基板１１０ａの第二接合端子１１２ｂは、第二接合パッド１６１ｂと接合される。また、基板１１０ａの第三接合端子１１２ｃは、第三接合パッド１６１ｃと接合され、基板１１０ａの第四接合端子１１２ｄは、第四接合パッド１６１ｄと接合されることになる。 A method for joining the mounting frame 160 to the substrate 110a will be described. First, the conductive bonding material 170 is applied onto the first bonding pad 161a, the second bonding pad 161b, the third bonding pad 161c, and the fourth bonding pad 161d by, for example, a dispenser and screen printing. The substrate 110 a is transported so that the bonding terminals 112 of the substrate 110 a are positioned on the conductive bonding material 170, and placed on the conductive bonding material 170. The conductive bonding material 170 is cured and contracted by being heated and cured. As a result, the bonding terminal 112 of the substrate 110a is bonded to the bonding pad 161. That is, the first bonding terminal 112a of the substrate 110a is bonded to the first bonding pad 161a, and the second bonding terminal 112b of the substrate 110a is bonded to the second bonding pad 161b. Further, the third bonding terminal 112c of the substrate 110a is bonded to the third bonding pad 161c, and the fourth bonding terminal 112d of the substrate 110a is bonded to the fourth bonding pad 161d.

また、基板１１０ａの接合端子１１２と実装枠体１６０の接合パッド１６１とを導電性接合材１７０を介して接合されることで、図２（ｂ）に示すように、基板１１０ａと実装枠体１６０との間に導電性接合材１７０の厚みと、接合端子１１２と接合パッド１６１の厚みとを足した分の間隙部Ｈが設けられる。この間隙部Ｈに絶縁性樹脂１８０が入りこみ満たすことで、基板１１０ａと実装枠体１６０との接合強度を向上させることできる。また、実装枠体１６０の外形形状が、平面視して、基板１１０ａの外形形状よりも大きくなるように設けられており、絶縁性樹脂１８０は、基板１１０ａの下面の外周縁から実装枠体１６０の上面にかけて上下方向の厚みが薄くなるように傾斜が設けられている。このようにすることで、圧電デバイスの全体構造を小型化する場合であっても、基板１１０ａに対する絶縁性樹脂１８０の被着面積を広く確保することができるようになり、これによって実装枠体１６０を基板１１０ａに対し強固に接合させることが可能となる。 Further, the bonding terminal 112 of the substrate 110a and the bonding pad 161 of the mounting frame 160 are bonded via the conductive bonding material 170, so that the substrate 110a and the mounting frame 160 are shown in FIG. 2B. A gap H corresponding to the sum of the thickness of the conductive bonding material 170 and the thickness of the bonding terminal 112 and the bonding pad 161 is provided. When the insulating resin 180 enters and fills the gap H, the bonding strength between the substrate 110a and the mounting frame 160 can be improved. Further, the outer shape of the mounting frame 160 is provided so as to be larger than the outer shape of the substrate 110a in plan view, and the insulating resin 180 is mounted from the outer peripheral edge of the lower surface of the substrate 110a. A slope is provided so that the thickness in the vertical direction decreases toward the upper surface of the substrate. In this way, even when the overall structure of the piezoelectric device is reduced in size, it is possible to secure a wide area for attaching the insulating resin 180 to the substrate 110a. Can be firmly bonded to the substrate 110a.

ここで、実装枠体１６０の作製方法について説明する。実装枠体１６０がガラスエポキシ樹脂である場合は、ガラス繊維から成る基材にエポキシ樹脂の前駆体を含浸させ、このエポキシ樹脂前駆体を所定の温度で熱硬化させることによって製作される。また、導体パターンの所定部位、具体的には、接合パッド１６１及び外部端子１６２は、例えば、ガラスエポキシ樹脂から成る樹脂シート上に、所定の形状に加工した銅箔を転写し、銅箔が転写された樹脂シートを積層して接着剤で接着することによって形成する。また、導体部１６３は、導体ペーストの印刷またはめっき法によって樹脂シートに形成した貫通孔の内面に被着形成するか、貫通孔を充填して形成する。このような導体部１６３は、例えば金属箔または金属柱を樹脂成形によって一体化させたり、スパッタリング法，蒸着法等を用いて被着させたりすることで形成される。 Here, a method for manufacturing the mounting frame 160 will be described. When the mounting frame 160 is made of glass epoxy resin, it is manufactured by impregnating a base material made of glass fiber with an epoxy resin precursor and thermally curing the epoxy resin precursor at a predetermined temperature. In addition, a predetermined portion of the conductor pattern, specifically, the bonding pad 161 and the external terminal 162, for example, transfer a copper foil processed into a predetermined shape onto a resin sheet made of glass epoxy resin, and the copper foil is transferred. The formed resin sheets are laminated and bonded with an adhesive. The conductor portion 163 is formed by being deposited on the inner surface of the through hole formed in the resin sheet by printing or plating a conductor paste, or by filling the through hole. Such a conductor part 163 is formed by, for example, integrating a metal foil or a metal column by resin molding, or depositing it using a sputtering method, a vapor deposition method, or the like.

水晶素子１２０は、図１及び図２に示されているように、導電性接着剤１４０を介して電極パッド１１１上に接合されている。水晶素子１２０は、安定した機械振動と圧電効果により、電子装置等の基準信号を発振する役割を果たしている。 As shown in FIGS. 1 and 2, the crystal element 120 is bonded onto the electrode pad 111 via a conductive adhesive 140. The crystal element 120 plays a role of oscillating a reference signal of an electronic device or the like by stable mechanical vibration and a piezoelectric effect.

また、水晶素子１２０は、図１及び図２に示されているように、水晶素板１２１の上面及び下面のそれぞれに励振用電極１２２及び引き出し電極１２３を被着させた構造を有している。励振用電極１２２は、水晶素板１２１の上面及び下面のそれぞれに金属を所定のパターンで被着・形成したものである。励振用電極１２２は、上面に第一励振用電極１２２ａと、下面に第二励振用電極１２２ｂを備えている。引き出し電極１２３は、励振用電極１２２から水晶素板１２１の一辺に向かってそれぞれ延出されている。引き出し電極１２３は、上面に第一引き出し電極１２３ａと、下面に第二引き出し電極１２３ｂとを備えている。第一引き出し電極１２３ａは、第一励振用電極１２２ａから引き出されており、水晶素板１２１の一辺に向かって延出するように設けられている。第二引き出し電極１２３ｂは、第二励振用電極１２２ｂから引き出されており、水晶素板１２１の一辺に向かって延出するように設けられている。つまり、引き出し電極１２３は、水晶素板１２１の長辺又は短辺に沿った形状で設けられている。また、本実施形態においては、第一電極パッド１１１ａ及び第二電極パッド１１１ｂと接続されている水晶素子１２０の一端を基板１１０ａの上面と接続した固定端とし、他端を基板１１０ａの上面と間を空けた自由端とした片持ち支持構造にて水晶素子１２０が基板１１０ａ上に固定されている。 Further, as shown in FIGS. 1 and 2, the crystal element 120 has a structure in which an excitation electrode 122 and an extraction electrode 123 are attached to an upper surface and a lower surface of a crystal base plate 121, respectively. . The excitation electrode 122 is formed by depositing and forming a metal in a predetermined pattern on each of the upper surface and the lower surface of the quartz base plate 121. The excitation electrode 122 includes a first excitation electrode 122a on the upper surface and a second excitation electrode 122b on the lower surface. The extraction electrode 123 extends from the excitation electrode 122 toward one side of the crystal base plate 121. The extraction electrode 123 includes a first extraction electrode 123a on the upper surface and a second extraction electrode 123b on the lower surface. The first extraction electrode 123 a is extracted from the first excitation electrode 122 a and is provided so as to extend toward one side of the crystal base plate 121. The second extraction electrode 123 b is extracted from the second excitation electrode 122 b and is provided so as to extend toward one side of the crystal base plate 121. That is, the extraction electrode 123 is provided in a shape along the long side or the short side of the quartz base plate 121. In the present embodiment, one end of the crystal element 120 connected to the first electrode pad 111a and the second electrode pad 111b is a fixed end connected to the upper surface of the substrate 110a, and the other end is between the upper surface of the substrate 110a. The quartz crystal element 120 is fixed on the substrate 110a by a cantilevered support structure with a free end.

ここで、水晶素子１２０の動作について説明する。水晶素子１２０は、外部からの交番電圧が引き出し電極１２３から励振用電極１２２を介して水晶素板１２１に印加されると、水晶素板１２１が所定の振動モード及び周波数で励振を起こすようになっている。 Here, the operation of the crystal element 120 will be described. In the crystal element 120, when an alternating voltage from the outside is applied from the extraction electrode 123 to the crystal base plate 121 via the excitation electrode 122, the crystal base plate 121 is excited in a predetermined vibration mode and frequency. ing.

ここで、水晶素子１２０の作製方法について説明する。まず、水晶素子１２０は、人工水晶体から所定のカットアングルで切断し、水晶素板１２１の外周の厚みを薄くし、水晶素板１２１の外周部と比べて水晶素板１２１の中央部が厚くなるように設けるベベル加工を行う。そして、水晶素子１２０は、水晶素板１２１の両主面にフォトリソグラフィー技術、蒸着技術又はスパッタリング技術によって、金属膜を被着させることにより、励振用電極１２２、引き出し電極１２３を形成することにより作製される。 Here, a manufacturing method of the crystal element 120 will be described. First, the crystal element 120 is cut from the artificial crystalline lens at a predetermined cut angle to reduce the thickness of the outer periphery of the crystal base plate 121, and the central portion of the crystal base plate 121 is thicker than the outer peripheral portion of the crystal base plate 121. The bevel processing provided is performed. The crystal element 120 is manufactured by forming the excitation electrode 122 and the extraction electrode 123 by depositing a metal film on both main surfaces of the crystal base plate 121 by a photolithography technique, a vapor deposition technique, or a sputtering technique. Is done.

水晶素子１２０の基板１１０ａへの接合方法について説明する。まず、導電性接着剤１４０は、例えばディスペンサによって第一電極パッド１１１ａ及び第二電極パッド１１１ｂ上に塗布される。水晶素子１２０は、導電性接着剤１４０上に搬送され、導電性接着剤１４０上に載置される。そして導電性接着剤１４０は、加熱硬化させることによって、硬化収縮される。水晶素子１２０は、電極パッド１１１に接合される。つまり、水晶素子１２０の第一引き出し電極１２３ａは、第二電極パッド１１１ｂと接合され、第二引き出し電極１２３ｂは、第一電極パッド１１１ａと接合される。これによって、第二接続パッド１１５ｂ及び第五接続パッド１１５ｅは、第一測定パッド１１９ａ及び第二測定パッド１１９ｂを介して水晶素子１２０と電気的に接続されることになる。 A method for bonding the crystal element 120 to the substrate 110a will be described. First, the conductive adhesive 140 is applied onto the first electrode pad 111a and the second electrode pad 111b by a dispenser, for example. The crystal element 120 is transported onto the conductive adhesive 140 and placed on the conductive adhesive 140. The conductive adhesive 140 is cured and contracted by being heated and cured. The crystal element 120 is bonded to the electrode pad 111. That is, the first extraction electrode 123a of the crystal element 120 is bonded to the second electrode pad 111b, and the second extraction electrode 123b is bonded to the first electrode pad 111a. As a result, the second connection pad 115b and the fifth connection pad 115e are electrically connected to the crystal element 120 via the first measurement pad 119a and the second measurement pad 119b.

また、水晶素子１２０は、水晶素子１２０の自由端と対向する位置に第一配線パターン１１３ａ又は第一ビア導体１１４ａが配置されているように実装されている。このようにすることによって、水晶素子１２０の引き出し電極１２３と、電極パッド１１１とが接合している箇所を軸として傾いても、水晶素子１２０の自由端が第一配線パターン１１３ａ又は第一ビア導体１１４ａに接触するので、基板１１０ａの上面に水晶素子１２０の自由端が接触することを抑制することできる。仮に、水晶素子１２０の自由端が基板１１０ａに接触した状態で、落下試験を行うと、水晶素子１２０の自由端が欠けてしまう虞がある。このようにすることで、水晶素子１２０の自由端側が欠けてしまうことを抑えつつ、水晶素子１２０の発振周波数が変動することを低減することができる。 The crystal element 120 is mounted such that the first wiring pattern 113a or the first via conductor 114a is disposed at a position facing the free end of the crystal element 120. By doing so, the free end of the crystal element 120 is not connected to the first wiring pattern 113a or the first via conductor even when the crystal element 120 is tilted about the location where the lead electrode 123 of the crystal element 120 and the electrode pad 111 are joined. Since it contacts 114a, it can suppress that the free end of the crystal element 120 contacts the upper surface of the board | substrate 110a . If the drop test is performed in a state where the free end of the crystal element 120 is in contact with the substrate 110a , the free end of the crystal element 120 may be lost. By doing in this way, it can reduce that the oscillation frequency of the crystal element 120 fluctuates, suppressing that the free end side of the crystal element 120 is missing.

導電性接着剤１４０は、シリコーン樹脂等のバインダーの中に導電フィラーとして導電性粉末が含有されているものであり、導電性粉末としては、アルミニウム、モリブデン、タングステン、白金、パラジウム、銀、チタン、ニッケル又はニッケル鉄のうちのいずれか、或いはこれらの組み合わせを含むものが用いられている。また、バインダーとしては、例えばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂又はビスマレイミド樹脂が用いられる。 The conductive adhesive 140 contains conductive powder as a conductive filler in a binder such as silicone resin, and the conductive powder includes aluminum, molybdenum, tungsten, platinum, palladium, silver, titanium, One containing either nickel or nickel iron, or a combination thereof is used. Moreover, as a binder, a silicone resin, an epoxy resin, a polyimide resin, or a bismaleimide resin is used, for example.

集積回路素子１５０は、例えば、複数個の接続パッドを有した矩形状のフリップチップ型集積回路素子が用いられ、その回路形成面（上面）には、周囲の温度状態を検知する温度センサー、水晶素子１２０の温度特性を補償する温度補償データを格納するための記憶素子部、温度補償データに基づいて水晶素子１２０の振動特性を温度変化に応じて補正する温度補償回路部、その温度補償回路部に接続されて所定の発振出力を生成する発振回路部が設けられている。この発振回路部で生成された出力信号は、実装枠体１６０の第一外部端子１６２ａを介して圧電発振器の外へ出力され、例えば、クロック信号等の基準信号として利用される。 As the integrated circuit element 150, for example, a rectangular flip-chip type integrated circuit element having a plurality of connection pads is used, and a temperature sensor for detecting an ambient temperature state is provided on a circuit forming surface (upper surface), a crystal. Storage element unit for storing temperature compensation data for compensating temperature characteristic of element 120, temperature compensation circuit unit for correcting vibration characteristic of crystal element 120 according to temperature change based on temperature compensation data, and temperature compensation circuit unit thereof And an oscillation circuit unit that generates a predetermined oscillation output. The output signal generated by the oscillation circuit unit is output to the outside of the piezoelectric oscillator via the first external terminal 162a of the mounting frame 160, and is used as a reference signal such as a clock signal, for example.

記憶素子部は、ＰＲＯＭやＥＥＰＲＯＭにより構成されている。温度補償関数である下記に示す三次関数のもととなるパラメータ、例えば三次成分調整値α、一次成分調整値β、０次成分調整値γの各値の温度補償用制御データが第三外部端子１６２ｃである書込読込端子から入力され保存される。記憶素子部には、レジスタマップが記憶されている。レジスタマップとは、各アドレスデータに制御データを入力した場合、制御部がそのデータを読み取り、信号を出力し、どのような動作を行なうかを示したものである。 The storage element unit is composed of PROM or EEPROM. Temperature compensation control data for the following three-dimensional function, which is a temperature compensation function, such as the third-order component adjustment value α, the first-order component adjustment value β, and the zero-order component adjustment value γ, are provided at the third external terminal. It is inputted from the writing / reading terminal 162c and stored. A register map is stored in the storage element section. The register map indicates what operation is performed when the control data is input to each address data and the control section reads the data and outputs a signal.

温度補償回路部は、三次関数発生回路や五次関数発生回路等によって構成されている。例えば、三次関数発生回路の場合は、その記憶素子部に入力された温度補償用制御データを読出して、温度補償用制御データから各温度に対して三次関数で導き出された電圧を発生させる。尚、この時の外部の周囲温度は、集積回路素子１５０内の温度センサーより得られる。温度補償回路部は、可変容量ダイオードのカソードと接続されており、温度補償回路部からの電圧が印加される。このように、可変容量ダイオードに温度補償回路部からの電圧を印加することよって、水晶素子１２０の周波数温度特性を補正することにより、周波数温度特性が平坦化される。 The temperature compensation circuit unit includes a cubic function generating circuit, a quintic function generating circuit, and the like. For example, in the case of a cubic function generation circuit, the temperature compensation control data input to the storage element section is read, and a voltage derived from the temperature compensation control data with a cubic function is generated for each temperature. The external ambient temperature at this time is obtained from a temperature sensor in the integrated circuit element 150. The temperature compensation circuit unit is connected to the cathode of the variable capacitance diode, and a voltage is applied from the temperature compensation circuit unit. As described above, the frequency temperature characteristic is flattened by applying the voltage from the temperature compensation circuit unit to the variable capacitance diode and correcting the frequency temperature characteristic of the crystal element 120.

集積回路素子１５０は、図２（ｂ）に示すように、基板１１０ａの下面に設けられた接続パッド１１５に半田等の導電性接合材１７０を介して実装されている。また、集積回路素子１５０の接続端子１５１は、接続パッド１１５に接続されている。接続パッド１１５は、接続パターン１１６を介して接合端子１１２と電気的に接続されている。接合端子１１２は、導電性接合材１７０を介して、接合パッド１６１と電気的に接続されている。接合パッド１６１は、導体部１６３を介して外部端子１６２と電気的に接続されている。よって、接続パッド１１５は、接合端子１１２を介して、外部端子１６２と電気的に接続されている。この第二外部端子１６２ｂは、電子機器等の実装基板上の基準電位であるグランドと接続されている実装パッドと接続されることにより、グランド端子の役割を果たす。よって、集積回路素子１５０の接続端子１５１の内の一つは、基準電位であるグランドに接続されることになる。 As shown in FIG. 2B, the integrated circuit element 150 is mounted on a connection pad 115 provided on the lower surface of the substrate 110a via a conductive bonding material 170 such as solder. Further, the connection terminal 151 of the integrated circuit element 150 is connected to the connection pad 115. The connection pad 115 is electrically connected to the bonding terminal 112 through the connection pattern 116. The bonding terminal 112 is electrically connected to the bonding pad 161 through the conductive bonding material 170. The bonding pad 161 is electrically connected to the external terminal 162 through the conductor portion 163. Therefore, the connection pad 115 is electrically connected to the external terminal 162 through the bonding terminal 112. The second external terminal 162b serves as a ground terminal by being connected to a mounting pad that is connected to a ground that is a reference potential on a mounting board of an electronic device or the like. Therefore, one of the connection terminals 151 of the integrated circuit element 150 is connected to the ground that is the reference potential.

集積回路素子１５０の基板１１０ａへの接合方法について説明する。まず、導電性接合材１７０は、例えばディスペンサによって接続パッド１１５に塗布される。集積回路素子１５０は、導電性接合材１７０上に載置される。そして導電性接合材１７０は、加熱させることによって溶融接合される。よって、集積回路素子１５０は、接続パッド１１５に接合される。 A method for bonding the integrated circuit element 150 to the substrate 110a will be described. First, the conductive bonding material 170 is applied to the connection pad 115 by a dispenser, for example. The integrated circuit element 150 is placed on the conductive bonding material 170. The conductive bonding material 170 is melt bonded by heating. Therefore, the integrated circuit element 150 is bonded to the connection pad 115.

また、集積回路素子１５０は、図１及び図２に示すように、矩形状であり、その下面に六つの接続端子１５１が設けられている。接続端子１５１は、一辺に沿って三つ設けられており、その一辺と向かい合う一辺に沿って三つ設けられている。集積回路素子１５０の長辺の長さは、０．５〜１．２ｍｍであり、短辺の長さは、０．３〜１．０ｍｍとなっている。集積回路素子１５０の厚み方向の長さは、０．１〜０．３ｍｍとなっている。 As shown in FIGS. 1 and 2, the integrated circuit element 150 has a rectangular shape, and six connection terminals 151 are provided on the lower surface thereof. Three connection terminals 151 are provided along one side, and three connection terminals 151 are provided along one side facing the one side. The long side length of the integrated circuit element 150 is 0.5 to 1.2 mm, and the short side length is 0.3 to 1.0 mm. The length of the integrated circuit element 150 in the thickness direction is 0.1 to 0.3 mm.

導電性接合材１７０は、例えば、銀ペースト又は鉛フリー半田により構成されている。また、導電性接合材には、塗布し易い粘度に調整するための添加した溶剤が含有されている。鉛フリー半田の成分比率は、錫が９５〜９７．５％、銀が２〜４％、銅が０．５〜１．０％のものが使用されている。 The conductive bonding material 170 is made of, for example, silver paste or lead-free solder. The conductive bonding material contains an added solvent for adjusting the viscosity to be easily applied. The component ratio of the lead-free solder is 95 to 97.5% for tin, 2 to 4% for silver, and 0.5 to 1.0% for copper.

絶縁性樹脂１８０は、図２（ａ）に示されているように、基板１１０ａの下面と集積回路素子１５０との間に満たされている。このようにすることにより、絶縁性樹脂１８０は、集積回路素子１５０と基板１１０ａの下面との接着強度を高めることができる。また、仮に、圧電発振器を電子機器等の実装基板の実装パッド上に実装させた際に、半田等の異物が第二凹部Ｋ２内に入り込んだとしても、絶縁性樹脂１８０によって、その異物が集積回路素子１５０の接続端子１５１間に付着することを抑えることになるので、集積回路素子１５０の接続端子１５１間の短絡を低減することができる。また、絶縁性樹脂１８０は、エポキシ樹脂またはエポキシ樹脂を主成分とするコンポジットレジン等の樹脂材料からなる。 The insulating resin 180, as shown in FIG. 2 (a), is filled between the lower surface of the substrate 110a and the integrated circuit element 150. By doing so, the insulating resin 180 can increase the adhesive strength between the integrated circuit element 150 and the lower surface of the substrate 110a. Moreover, even if foreign matter such as solder enters the second recess K2 when the piezoelectric oscillator is mounted on a mounting pad of a mounting board such as an electronic device, the foreign matter is accumulated by the insulating resin 180. Since adhesion between the connection terminals 151 of the circuit element 150 is suppressed, a short circuit between the connection terminals 151 of the integrated circuit element 150 can be reduced. The insulating resin 180 is made of an epoxy resin or a resin material such as a composite resin mainly containing an epoxy resin.

また、絶縁性樹脂１８０は、測定パッド１１９を覆うように設けられている。このようにすることによって、測定パッド１１９に異物が付着することを抑えることになるので、水晶素子１２０にその異物の付加抵抗が加わることを抑制することができる。従って、水晶素子１２０の発振周波数が変動することを低減することが可能となる。 The insulating resin 180 is provided so as to cover the measurement pad 119. By doing so, it is possible to suppress foreign matter from adhering to the measurement pad 119, and thus it is possible to suppress the additional resistance of the foreign matter from being applied to the crystal element 120. Therefore, fluctuations in the oscillation frequency of the crystal element 120 can be reduced.

絶縁性樹脂１８０は、図２に示されているように、基板１１０ａの下面と、実装枠体１６０との上面との間で設けられた間隙部Ｈ内に設けられている。このようにすることにより、絶縁性樹脂１８０は、基板１１０ａの下面と実装枠体１６０の上面との接合強度を向上させることができる。また、絶縁性樹脂１８０は、ビア導体１１４の下面に設けられており、絶縁性樹脂１８０にてビア導体１１４の下面の外周縁を基板１１０ａと固定することになる。このようにすることで、仮に、基板１１０ａの反り等が生じても、絶縁性樹脂１８０にてビア導体が固定されているため、ビア導体１１４の外周縁と基板１１０ａとの界面からビア導体１１４が剥がれてしまうことを低減することができる。また、ビア導体１１４の外周縁と基板１１０ａとの界面からビア導体１１４が剥がれてしまうことを低減することで、ビア導体１１４と基板１１０ａとの界面に隙間が生じることがなく、基板１１０ａの気密性を向上させることができる。 As shown in FIG. 2, the insulating resin 180 is provided in a gap H provided between the lower surface of the substrate 110 a and the upper surface of the mounting frame 160. By doing so, the insulating resin 180 can improve the bonding strength between the lower surface of the substrate 110a and the upper surface of the mounting frame 160. The insulating resin 180 is provided on the lower surface of the via conductor 114, and the outer peripheral edge of the lower surface of the via conductor 114 is fixed to the substrate 110a by the insulating resin 180. By doing so, even if the substrate 110a is warped, the via conductor is fixed by the insulating resin 180. Therefore, the via conductor 114 is formed from the interface between the outer peripheral edge of the via conductor 114 and the substrate 110a. Can be reduced. Further, by reducing the peeling of the via conductor 114 from the interface between the outer peripheral edge of the via conductor 114 and the substrate 110a, there is no gap at the interface between the via conductor 114 and the substrate 110a, and the airtightness of the substrate 110a is reduced. Can be improved.

絶縁性樹脂１８０の基板１１０ａへの形成方法について説明する。コンタクトピンを測定パッド１１９に接触させ、基板１１０ａに接合された水晶素子１２０の特性を測定した後、その樹脂ディスペンサの先端を、第二凹部Ｋ２の隙間に挿入し、絶縁性樹脂１８０の注入を行なう。次に絶縁性樹脂１８０を加熱し、硬化させる。よって、絶縁性樹脂１８０は、基板１１０ａの下面と実装枠体１６０の上面との間で設けられた間隙部Ｈ内及び基板１１ａの下面と集積回路素子１５０との間に満たされる。 A method for forming the insulating resin 180 on the substrate 110a will be described. After the contact pin is brought into contact with the measurement pad 119 and the characteristics of the crystal element 120 bonded to the substrate 110a are measured, the tip of the resin dispenser is inserted into the gap of the second recess K2, and the insulating resin 180 is injected. Do. Next, the insulating resin 180 is heated and cured. Therefore, the insulating resin 180 is filled between the lower surface and the integrated circuit device 150 of the gap H in and a substrate 11a which is provided between the upper surface of the lower surface and the mounting frame 160 of the substrate 110a.

蓋体１３０は、例えば、鉄、ニッケル又はコバルトの少なくともいずれかを含む合金からなる。このような蓋体１３０は、真空状態にある第一凹部Ｋ１又は窒素ガスなどが充填された第一凹部Ｋ１を気密的に封止するためのものである。具体的には、蓋体１３０は、所定雰囲気で、パッケージ１１０の枠体１１０ｂ上に載置され、枠体１１０ｂの封止用導体パターン１１８と蓋体１３０の封止部材１３１とが溶接されるように所定電流を印加してシーム溶接を行うことにより、枠体１１０ｂに接合される。また、蓋体１３０は、封止用導体パターン１１８及びグランド用ビア導体１１７を介して基板１１０ａの下面の第二接合端子１１２ｂに電気的に接続されている。第二接合端子１１２ｂは、導電性接合材１７０を介して第二接合パッド１６１ｂと電気的に接続されている。第二接合パッド１６１ｂは、第二導体部１６３ｂを介して第二外部端子１６２ｂと電気的に接続されている。よって、蓋体１３０は、実装枠体１６０の第二外部端子１６２ｂと電気的に接続されている。 The lid 130 is made of an alloy containing at least one of iron, nickel, and cobalt, for example. Such a lid 130 is for hermetically sealing the first recess K1 in a vacuum state or the first recess K1 filled with nitrogen gas or the like. Specifically, the lid body 130 is placed on the frame body 110b of the package 110 in a predetermined atmosphere, and the sealing conductor pattern 118 of the frame body 110b and the sealing member 131 of the lid body 130 are welded. As described above, by applying a predetermined current and performing seam welding, the frame body 110b is joined. The lid 130 is electrically connected to the second joint terminal 112b on the lower surface of the substrate 110a via the sealing conductor pattern 118 and the ground via conductor 117. The second bonding terminal 112b is electrically connected to the second bonding pad 161b through the conductive bonding material 170 . The second bonding pad 161b is electrically connected to the second external terminal 162b through the second conductor portion 163b. Therefore, the lid body 130 is electrically connected to the second external terminal 162b of the mounting frame body 160.

封止部材１３１は、パッケージ１１０の枠体１１０ｂ上面に設けられた封止用導体パターン１１８に相対する蓋体１３０の箇所に設けられている。封止部材１３１は、例えば、銀ロウ又は金錫によって設けられている。銀ロウの場合は、その厚みは、１０〜２０μｍである。例えば、成分比率は、銀が７２〜８５％、銅が１５〜２８％のものが使用されている。金錫の場合は、その厚みは、１０〜４０μｍである。例えば、成分比率が、金が７８〜８２％、錫が１８〜２２％のものが使用されている。 The sealing member 131 is provided at a position of the lid body 130 facing the sealing conductor pattern 118 provided on the upper surface of the frame 110 b of the package 110. The sealing member 131 is provided by, for example, silver solder or gold tin. In the case of silver wax, the thickness is 10 to 20 μm. For example, the component ratio is 72 to 85% for silver and 15 to 28% for copper. In the case of gold tin, the thickness is 10 to 40 μm. For example, the component ratio is 78 to 82% for gold and 18 to 22% for tin.

本発明の実施形態における圧電発振器は、矩形状の基板１１０ａと、上面の外周縁に沿って設けられた接合パッド１６１を有し、基板１１０ａの下面の外周縁に沿って設けられた接合端子１１２と接合パッド１６１とが接合されることで、基板１１０ａの下面に設けられた実装枠体１６０と、基板１１０ａの下面と実装枠体１６０の上面との間で設けられた間隙部Ｈ内及び基板１１ａの下面と集積回路素子１５０との間に満たされた絶縁性樹脂１８０と、を備え、実装枠体１６０の外形形状が、平面視して、基板１１０ａの外形形状よりも大きくなるように設けられており、絶縁性樹脂１８０が、基板１１０ａの下面の外周縁から実装枠体１６０の上面にかけて上下方向の厚みが薄くなるように傾斜が設けられている。このようにすることで、圧電発振器の全体構造を小型化する場合であっても、基板１１０ａと実装枠体１６０に対する絶縁性樹脂１８０の被着面積を広く確保することができるようになり、これによって実装枠体１６０を基板１１０ａに対し強固に取着・接合させることが可能となる。また、本実施形態の圧電発振器は、基板１１ａの下面と集積回路素子１５０との間に満たされた絶縁性樹脂１８０によって、集積回路素子１５０を基板１１０ａに接合することができるので、集積回路素子１５０の基板１１０ａに対する接続強度を向上させることができる。 The piezoelectric oscillator according to the embodiment of the present invention includes a rectangular substrate 110a and a bonding pad 161 provided along the outer peripheral edge of the upper surface, and a bonding terminal 112 provided along the outer peripheral edge of the lower surface of the substrate 110a. the bonding pads 161 and that are joined, a mounting frame 160 which is provided on the lower surface of the substrate 110a, the gap H in and a substrate which is provided between the upper surface of the lower surface and the mounting frame 160 of the substrate 110a An insulating resin 180 filled between the lower surface of 11a and the integrated circuit element 150, and the outer shape of the mounting frame 160 is larger than the outer shape of the substrate 110a in plan view. The insulating resin 180 is inclined so that the thickness in the vertical direction decreases from the outer peripheral edge of the lower surface of the substrate 110a to the upper surface of the mounting frame 160. In this way, even when the entire structure of the piezoelectric oscillator is reduced in size, it is possible to secure a wide area for attaching the insulating resin 180 to the substrate 110a and the mounting frame 160. Thus, the mounting frame 160 can be firmly attached to and bonded to the substrate 110a. The piezoelectric oscillator of the present embodiment, the filled insulating resin 180 between the lower surface of the substrate 11a and the integrated circuit device 150, since the integrated circuit element 150 can be bonded to the substrate 110a, an integrated circuit device The connection strength with respect to 150 substrates 110a can be improved.

また、本発明の実施形態における圧電発振器は、ビア導体１１４が、平面視して、実装枠体１６０と重なる位置に設けられている。このようにすることで、電子機器等の実装基板上の実装パターンと、ビア導体１１４との間で発生する浮遊容量を低減させることで、水晶素子１２０に浮遊容量が付加されないので、水晶素子１２０の発振周波数が変動することを低減することができる。また、本発明の実施形態における圧電発振器は、測定パッド１１９が、平面視して、集積回路素子１５０と重なる位置に設けられている。このようにすることで、電子機器等の実装基板上の実装パターンと測定パッド１１９との間で発生する浮遊容量を低減させることで、水晶素子１２０に浮遊容量が付加されないので、水晶素子１２０の発振周波数が変動することをさらに低減することができる。 In the piezoelectric oscillator according to the embodiment of the present invention, the via conductor 114 is provided at a position overlapping the mounting frame 160 in plan view. By doing so, the stray capacitance generated between the mounting pattern on the mounting substrate of the electronic device or the like and the via conductor 114 is reduced, so that the stray capacitance is not added to the crystal element 120. It is possible to reduce the fluctuation of the oscillation frequency. In the piezoelectric oscillator according to the embodiment of the present invention, the measurement pad 119 is provided at a position overlapping the integrated circuit element 150 in plan view. By doing so, the stray capacitance generated between the mounting pattern on the mounting substrate of the electronic device or the like and the measurement pad 119 is reduced, so that no stray capacitance is added to the crystal element 120. Fluctuation of the oscillation frequency can be further reduced.

尚、本実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。本実施形態を構成する水晶素子１２０のベベル加工方法について説明する。所定の粒度のメディアと砥粒とを備えた研磨材と、所定の大きさに形成された水晶素板１２１とを用意する。円筒体に用意した研磨材と水晶素板１２１とを入れ、円筒体の開口した端部をカバーで塞ぐ。研磨材と水晶素板１２１とを入れた円筒体を、円筒体の中心軸線を回転軸として回転させる水晶素板１２１が研磨材で研磨されてベベル加工が行われる。 In addition, it is not limited to this embodiment, A various change, improvement, etc. are possible in the range which does not deviate from the summary of this invention. A bevel processing method of the crystal element 120 constituting this embodiment will be described. A polishing material provided with media and abrasive grains having a predetermined particle size and a quartz base plate 121 having a predetermined size are prepared. The abrasive prepared in the cylindrical body and the quartz base plate 121 are placed, and the open end of the cylindrical body is closed with a cover. The beveling is performed by polishing the quartz body 121, which rotates the cylindrical body containing the abrasive and the quartz body 121 with the central axis of the cylinder as the rotation axis, with the abrasive.

上記実施形態では、枠体１１０ｂが基板１１０ａと同様にセラミック材で一体的に形成した場合を説明したが、枠体１１０ｂが金属製であっても構わない。この場合、枠体は、銀−銅等のロウ材を介して基板の導体膜に接合されている。 In the above embodiment, the case where the frame 110b is integrally formed of a ceramic material in the same manner as the substrate 110a has been described. However, the frame 110b may be made of metal. In this case, the frame is joined to the conductor film of the substrate via a brazing material such as silver-copper.

また、上記実施形態では、導体部１６３が基板内に設けられた場合を説明したが、実装枠体１６０の角部に設けられた切れ込みの内部に設けられていても構わない。この際に、導電部は、切り込み内に導体ペーストを印刷するようにして設けられている。 Moreover, although the case where the conductor part 163 was provided in the board | substrate was demonstrated in the said embodiment, you may provide in the inside of the notch provided in the corner | angular part of the mounting frame 160. FIG. At this time, the conductive portion is provided so as to print the conductor paste in the cut.

上記実施形態では、水晶素子は、ＡＴ用水晶素子を用いた場合を説明したが、
基部と、基部の側面より同一の方向に延びる二本の平板形状の振動腕部とを有する音叉型屈曲水晶素子を用いても構わない。 In the above embodiment, the case where the crystal element is an AT crystal element has been described.
A tuning fork-type bent quartz element having a base and two flat plate-shaped vibrating arms extending in the same direction from the side surface of the base may be used.

１１０・・・パッケージ
１１０ａ・・・基板
１１０ｂ・・・枠体
１１１・・・電極パッド
１１２・・・接合端子
１１３・・・配線パターン
１１４・・・ビア導体
１１５・・・接続パッド
１１６・・・接続パターン
１１７・・・グランド用ビア導体
１１８・・・封止用導体パターン
１１９・・・測定パッド
１２０・・・水晶素子
１２１・・・水晶素板
１２２・・・励振用電極
１２３・・・引き出し電極
１３０・・・蓋体
１３１・・・封止部材
１４０・・・導電性接着剤
１５０・・・集積回路素子
１５１・・・接続端子
１６０・・・実装枠体
１６１・・・接合パッド
１６２・・・外部端子
１６３・・・導体部
１７０・・・導電性接合材
１８０・・・絶縁性樹脂
Ｋ１・・・第一凹部
Ｋ２・・・第二凹部
Ｈ・・・間隙部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 110 ... Package 110a ... Board | substrate 110b ... Frame body 111 ... Electrode pad 112 ... Joining terminal 113 ... Wiring pattern 114 ... Via conductor 115 ... Connection pad 116 ... Connection pattern 117: Ground via conductor 118 ... Sealing conductor pattern 119 ... Measurement pad 120 ... Crystal element 121 ... Crystal base plate 122 ... Excitation electrode 123 ... Lead-out Electrode 130 ... Lid 131 ... Sealing member 140 ... Conductive adhesive 150 ... Integrated circuit element 151 ... Connection terminal 160 ... Mounting frame 161 ... Bonding pad 162 .... External terminal 163 ... Conductor 170 ... Conductive bonding material 180 ... Insulating resin K1 ... First recess K2 ... Second recess H ... Gap

Claims

A rectangular substrate;
A frame provided on the upper surface of the substrate;
A bonding pad provided along an outer peripheral edge of the upper surface; and a bonding terminal provided along the outer peripheral edge of the lower surface of the substrate and the bonding pad are bonded to each other to be provided on the lower surface of the substrate. Mounting frame,
A crystal element mounted on an electrode pad provided on an upper surface of the substrate in a region surrounded by the frame;
An integrated circuit element mounted on a connection pad provided on a lower surface of the substrate in a region surrounded by the mounting frame;
A lid joined to the upper surface of the frame;
An insulating resin filled in a gap provided between the lower surface of the substrate and the upper surface of the mounting frame and between the lower surface of the substrate and the integrated circuit element;
The outer shape of the mounting frame is provided so as to be larger than the outer shape of the substrate in plan view.
The insulating resin is filled between the entire lower surface of the substrate and the entire upper surface of the mounting frame body, and extends in the vertical direction from the outer peripheral edge of the entire lower surface of the substrate to the outer peripheral edge of the entire upper surface of the mounting frame body. Inclination is provided to reduce the thickness,
A wiring pattern electrically connected to the electrode pad and provided on the upper surface of the substrate;
A measurement pad provided on the lower surface of the substrate;
A via conductor electrically connected to the wiring pattern and the measurement pad and provided on the substrate;
The piezoelectric oscillator , wherein the insulating resin is provided on a lower surface of the via conductor, and an outer peripheral edge of the lower surface of the via conductor is fixed to the substrate .