JP6892345B2 - Crystal device - Google Patents
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Description
本発明は、電子機器等に用いられる水晶デバイスに関するものである。 The present invention relates to a crystal device used in an electronic device or the like.
水晶デバイスは、水晶素子の圧電効果を利用して、特定の周波数を発生させるものである。例えば、基板と、第一凹部を設けるために基板の上面に枠体とを有しているパッケージと、第二凹部を設けるために基板の下面に接合された実装枠体と、基板の上面に設けられた電極パッドに実装された水晶素子と、基板の下面に実装された集積回路素子と、を備えた水晶デバイスが提案されている(例えば、下記特許文献1参照)。
A crystal device uses the piezoelectric effect of a crystal element to generate a specific frequency. For example, a package having a substrate and a frame on the upper surface of the substrate to provide the first recess, a mounting frame joined to the lower surface of the substrate to provide the second recess, and an upper surface of the substrate A crystal device including a crystal element mounted on an provided electrode pad and an integrated circuit element mounted on a lower surface of a substrate has been proposed (see, for example,
上述した水晶デバイスは、小型化が進んでおり、容器体の接合端子及び実装枠体の接合パッドの面積が小さくなることで、容器体と実装枠体との接合強度が低下してしまう虞があった。 The crystal device described above is becoming smaller and smaller, and the area of the joining terminal of the container body and the joining pad of the mounting frame body becomes smaller, so that the joining strength between the container body and the mounting frame body may decrease. there were.
本発明は前記課題に鑑みてなされたものであり、容器体と実装枠体との接合強度を向上させることができる水晶デバイスを提供することを課題とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a crystal device capable of improving the joint strength between a container body and a mounting frame body.
本発明の一つの態様による水晶デバイスは、矩形状の基板と、基板の上面の外周縁に沿って設けられた枠体と、開口部を有し、上面に接合パッドと下面に外部端子が設けられ、基板の下面に設けられた実装端子と接合パッドを接合させることで基板の下面に接合された実装枠体と、基板の上面に設けられた電極パッド上に実装された水晶素子と、開口部内に収容されるようして、基板の下面に設けられた接続パッドに実装された集積回路素子と、集積回路素子と基板の下面及び実装枠体の上面と基板の下面との間に設けられた絶縁性樹脂と、枠体の上面に接合された蓋体と、実装枠体の接合パッドから外部端子にかけて設けられた切欠き部と、を備え、絶縁性樹脂が切欠き部の上端側に設けられていることを特徴とするものである。 The crystal device according to one aspect of the present invention has a rectangular substrate, a frame body provided along the outer peripheral edge of the upper surface of the substrate, and an opening, and a bonding pad is provided on the upper surface and an external terminal is provided on the lower surface. The mounting frame is joined to the lower surface of the board by joining the mounting terminal provided on the lower surface of the board and the joining pad, and the crystal element mounted on the electrode pad provided on the upper surface of the board and the opening. An integrated circuit element mounted on a connection pad provided on the lower surface of the substrate so as to be accommodated in the portion, and provided between the integrated circuit element and the lower surface of the substrate and between the upper surface of the mounting frame and the lower surface of the substrate. It is provided with an insulating resin, a lid bonded to the upper surface of the frame, and a notch provided from the joint pad of the mounting frame to the external terminal, and the insulating resin is provided on the upper end side of the notch. It is characterized in that it is provided.
本発明の一つの態様による水晶デバイスは、矩形状の基板と、基板の上面の外周縁に沿って設けられた枠体と、開口部を有し、上面に接合パッドと下面に外部端子が設けられ、基板の下面に設けられた実装端子と接合パッドを接合させることで基板の下面に接合された実装枠体と、基板の上面に設けられた電極パッド上に実装された水晶素子と、開口部内に収容されるようして、基板の下面に設けられた接続パッドに実装された集積回路素子と、集積回路素子と基板の下面及び実装枠体の上面と基板の下面との間に設けられた絶縁性樹脂と、枠体の上面に接合された蓋体と、実装枠体の接合パッドから外部端子にかけて設けられた切欠き部と、を備え、絶縁性樹脂が切欠き部の上端側に設けられている。このようにすることで、基板と実装枠体とを接合する際に、導電性接合材が、切欠き部内に入り込むようにして接合されることで、基板と実装枠体との接合強度を向上させることが可能となる。また、絶縁性樹脂が、集積回路素子と基板の下面及び実装枠体の上面と基板の下面との間に設けられる共に、切欠き部の上端側に設けられている。このようにすることで、絶縁性樹脂により、実装枠体が基板の下面から剥がれてしまうことを低減することができる。 The crystal device according to one aspect of the present invention has a rectangular substrate, a frame body provided along the outer peripheral edge of the upper surface of the substrate, and an opening, and a bonding pad is provided on the upper surface and an external terminal is provided on the lower surface. The mounting frame is joined to the lower surface of the board by joining the mounting terminal provided on the lower surface of the board and the joining pad, and the crystal element mounted on the electrode pad provided on the upper surface of the board and the opening. An integrated circuit element mounted on a connection pad provided on the lower surface of the substrate so as to be accommodated in the portion, and provided between the integrated circuit element and the lower surface of the substrate and between the upper surface of the mounting frame and the lower surface of the substrate. It is provided with an insulating resin, a lid bonded to the upper surface of the frame, and a notch provided from the joint pad of the mounting frame to the external terminal, and the insulating resin is provided on the upper end side of the notch. It is provided. By doing so, when the substrate and the mounting frame are joined, the conductive bonding material is joined so as to enter the notch portion, thereby improving the joining strength between the substrate and the mounting frame. It becomes possible to make it. Further, the insulating resin is provided between the integrated circuit element and the lower surface of the substrate, the upper surface of the mounting frame and the lower surface of the substrate, and is provided on the upper end side of the notch portion. By doing so, it is possible to reduce the fact that the mounting frame is peeled off from the lower surface of the substrate due to the insulating resin.
(水晶デバイス) 本実施形態における水晶デバイスは、図1及び図2に示されているように、パッケージ110と、パッケージ110の上面に接合された水晶素子120と、パッケージ110の下面に接合された電子部品の一つである集積回路素子150とを含んでいる。パッケージ110は、基板110aの上面と枠体110bの内側面によって囲まれた第一凹部K1が形成されている。また、基板110aの下面と実装枠体160の内側面によって囲まれた第二凹部K2が形成されている。このような水晶デバイスは、電子機器等で使用する基準信号を出力するのに用いられる。
(Crystal Device) As shown in FIGS. 1 and 2, the crystal device in the present embodiment is bonded to the
基板110aは、矩形状であり、上面に実装された水晶素子120及び下面に実装された集積回路素子150を実装するためのものである。基板110aは、上面に、水晶素子120を実装するための電極パッド111が設けられており、下面に、集積回路素子150を実装するための接続パッド115が設けられている。また、基板110aの一辺に沿って、水晶素子120を接合するための第一電極パッド111a及び第二電極パッド111bが設けられている。基板110aの下面の四隅には、接合端子112が設けられている。また、基板110aの下面の中央には、一対の測定パッド119が設けられ、その一対の測定パッド119を囲むようにして、集積回路素子150を実装するための六つの接続パッド115が設けられている。また、接合端子112は、接続パッド115の内の外側にある四つと電気的に接続されている。
The substrate 110a has a rectangular shape, and is for mounting the
基板110aは、例えばアルミナセラミックス又はガラス−セラミックス等のセラミック材料である絶縁層からなる。基板110aは、絶縁層を一層用いたものであっても、絶縁層を複数層積層したものであってもよい。基板110aの表面及び内部には、上面に設けられた電極パッド111と、基板110aの下面に設けられた測定パッド119とを電気的に接続するための配線パターン113及びビア導体114が設けられている。また、基板110aの表面には、下面に設けられた接続パッド115及び測定パッド119と、基板110aの下面に設けられた接合端子112とを電気的に接続するための接続パターン116が設けられている。
The substrate 110a is made of an insulating layer which is a ceramic material such as alumina ceramics or glass-ceramics. The substrate 110a may be one in which one layer of insulating layers is used, or one in which a plurality of layers of insulating layers are laminated.
枠体110bは、基板110aの上面に配置され、基板110aの上面に第一凹部K1を形成するためのものである。枠体110bは、例えばアルミナセラミックス又はガラス−セラミックス等のセラミック材料からなり、基板110aと一体的に形成されている。 The frame body 110b is arranged on the upper surface of the substrate 110a, and is for forming the first recess K1 on the upper surface of the substrate 110a. The frame body 110b is made of a ceramic material such as alumina ceramics or glass-ceramics, and is integrally formed with the substrate 110a.
電極パッド111は、水晶素子120を実装するためのものである。電極パッド111は、基板110aの上面に一対で設けられており、基板110aの一辺に沿うように隣接して設けられている。電極パッド111は、図3及び図4に示されているように基板110aの上面に設けられた配線パターン113とビア導体114を介して、基板110aの下面に設けられた接合端子112と電気的に接続されている。
The
電極パッド111は、図3に示すように、第一電極パッド111a及び第二電極パッド111bによって構成されている。ビア導体114は、第一ビア導体114a、第二ビア導体114b及び第三ビア導体114cによって構成されている。また、配線パターン113は、第一配線パターン113a及び第二配線パターン113bによって構成されている。測定パッド119は、第一測定パッド119a及び第二測定パッド119bによって構成されている。第一電極パッド111aは、基板110aに設けられた第一配線パターン113aの一端と電気的に接続されている。また、第一配線パターン113aの他端は、第一ビア導体114aを介して、第二測定パッド119bと電気的に接続されている。よって、第一電極パッド111aは、第二測定パッド119bと電気的に接続されることになる。第二電極パッド111bは、基板110aに設けられた第二配線パターン113bの一端と電気的に接続されている。また、第二配線パターン113bの他端は、第二ビア導体114bを介して、第一測定パッド119aと電気的に接続されている。よって、第二電極パッド111bは、第一測定パッド119aと電気的に接続されることになる。また、第一測定パッド119aは、第五接続パターン116eを介して、第五接続パッド115eと電気的に接続されている。よって、第一電極パッド111aは、第五接続パッド115eと電気的に接続されることになる。また、第二測定パッド119bは、第二接続パターン116bを介して、第二接続パッド115bと電気的に接続されている。よって、第二電極パッド111bは、第二接続パッド115bと電気的に接続されることになる。
As shown in FIG. 3, the
接合端子112は、実装枠体160の接合パッド161と電気的に接合するために用いられている。接合端子112は、図4(a)に示すように、基板110aの下面の四隅に設けられ、第一接合端子112a、第二接合端子112b、第三接合端子112c及び第四接合端子112dによって構成されている。接合端子112は、基板110aの下面に設けられた接続パッド115とそれぞれ電気的に接続されている。また、第二接合端子112bは、第三ビア導体114cを介して、封止用導体パターン117と電気的に接続されている。
The joining
配線パターン113は、基板110aの上面に設けられ、電極パッド111から近傍の基板110aのビア導体114に向けて引き出されている。また、配線パターン113は、図3に示すように、第一配線パターン113a及び第二配線パターン113bによって構成されている。
The
ビア導体114は、基板110aの内部に設けられ、その両端は、配線パターン113及び測定パッド119と電気的に接続されている。ビア導体114は、基板110aに設けられた貫通孔の内部に導体を充填することで設けられている。また、ビア導体114は、平面視して、図4に示されているように、実装枠体160と重なる位置に設けられている。このようにすることで、本実施形態の水晶デバイスは、電子機器等の実装基板上の実装パターンと、ビア導体114との間で発生する浮遊容量を低減させることで、水晶素子120に浮遊容量が付加されないので、水晶素子120の発振周波数が変動することを低減することができる。
The via
接続パッド115は、集積回路素子150を実装するために用いられている。また、接続パッド115は、図4に示すように、第一接続パッド115a、第二接続パッド115b、第三接続パッド115c、第四接続パッド115d、第五接続パッド115e及び第六接続パッド115fによって構成されている。第一接続パッド115aと第一接合端子112aとは、基板110aの下面に設けられた第一接続パターン116aにより接続されており、第二接続パッド115bと第二測定パッド119bとは、基板110aの下面に設けられた第二接続パターン116bにより接続されている。第三接続パッド115cと第四接合端子112dとは、基板110aの下面に設けられた第三接続パターン116cにより接続されており、第四接続パッド115dと第三接合端子112cとは、基板110aの下面に設けられた第四接続パターン116dにより接続されている。また、第五接続パッド115eと第一測定パッド119aとは、基板110aの下面に設けられた第五接続パターン116eにより接続されており、第六接続パッド115fと第二接合端子112bとは、基板110aの下面に設けられた第六接続パターン116fにより接続されている。また、接続パターン116は、基板110aの下面に設けられ、接続パッド115から近傍の接合端子112または測定パッド119に向けて引き出されている。
The
封止用導体パターン117は、蓋体130と接合部材131を介して接合する際に、接合部材131の濡れ性をよくする役割を果たしている。封止用導体パターン117は、図3及び図4に示すように、第三ビア導体114cを介して、第三接合端子112cと電気的に接続されている。封止用導体パターン117は、例えばタングステン又はモリブデン等から成る導体パターンの表面にニッケルメッキ及び金メッキを順次、枠体110bの上面を環状に囲む形態で施すことによって、例えば10〜25μmの厚みに形成されている。
The sealing
測定パッド119は、コンタクトピン等を接触させることによって、水晶素子120の特性を測定するためのものである。測定パッド119は、第一測定パッド119a及び第二測定パッド119bによって構成されている。測定パッド119は、基板110aに設けられた配線パターン113及びビア導体114を介して、基板110aの上面に設けられた電極パッド111と電気的に接続されている。第一測定パッド119aは、第五接続パターン116eを介して第五接続パッド115eと電気的に接続されている。また、第二測定パッド119bは、第二接続パターン116bを介して第二接続パッド115bと電気的に接続されている。測定パッド119は、平面視して、集積回路素子150と重なる位置に設けられている。このようにすることで、電子機器等の実装基板上の実装パターンと測定パッド119との間で発生する浮遊容量を低減させることで、水晶素子120に浮遊容量が付加されないので、水晶素子120の発振周波数が変動することを低減することができる。
The
ここでパッケージ110を平面視したときの一辺の寸法が、1.0〜2.0mmである場合を例にして、測定パッド119の大きさを説明する。測定パッド119の長辺の長さは、0.5〜0.8mmとなり、短辺の長さは、0.45〜0.75mmとなる。また、水晶素子120の測定をする際は、実装枠体160を実装する前に行うので、従来の水晶デバイスと比して、測定パッド119の面積を大きくすることできる。測定パッド119の面積を大きくすることができるので、コンタクトピンと測定パッド119との接触不良を低減することができる。よって、コンタクトピンと測定パッド119との接触不良により生じる水晶素子120の再測定を抑えることができるので、圧電発振器の生産性を向上させることが可能となる。
Here, the size of the
また、水晶素子120の特性を測定する際に使用される電気特性測定器としては、水晶素子120の共振周波数、クリスタルインピーダンスの他、インダクタンス、容量等の等価パラメータを測定することができるネットワークアナライザ又はインピーダンスアナライザ等が用いられる。そのコンタクトピンは、銅、銀等の合金の表面に金メッキを施した高導電性のピンと、接触時の衝撃を抑制するばね性をもったリセクタブルソケットとで構成され、これを測定パッド119に押し付けつつ接触させることで測定が行われる。
The electrical characteristic measuring instrument used when measuring the characteristics of the
ここで、基板110aの作製方法について説明する。基板110aがアルミナセラミックスから成る場合、まず所定のセラミック材料粉末に適当な有機溶剤等を添加・混合して得た複数のセラミックグリーンシートを準備する。また、セラミックグリーンシートの表面或いはセラミックグリーンシートに打ち抜き等を施して予め穿設しておいた貫通孔内に、従来周知のスクリーン印刷等によって所定の導体ペーストを塗布する。さらに、これらのグリーンシートを積層してプレス成形したものを、高温で焼成する。最後に、導体パターンの所定部位、具体的には、電極パッド111、接合端子112、配線パターン113、ビア導体114、接続パッド115、接続パターン116、封止用導体パターン117及び測定パッド119となる部位にニッケルメッキ又、金メッキ、銀パラジウム等を施すことにより作製される。また、導体ペーストは、例えばタングステン、モリブデン、銅、銀又は銀パラジウム等の金属粉末の焼結体等から構成されている。
Here, a method of manufacturing the substrate 110a will be described. When the substrate 110a is made of alumina ceramics, first, a plurality of ceramic green sheets obtained by adding and mixing an appropriate organic solvent or the like to a predetermined ceramic material powder are prepared. Further, a predetermined conductor paste is applied to the surface of the ceramic green sheet or the through hole which has been punched or the like in advance by punching or the like to the ceramic green sheet by a conventionally known screen printing or the like. Further, these green sheets are laminated and press-molded, and then fired at a high temperature. Finally, a predetermined portion of the conductor pattern, specifically, an
実装枠体160は、基板110aの下面と接合され、基板110aの下面に第二凹部K2を形成するためのものである。実装枠体160の外形形状は、平面視して、基板110aの外形形状よりも大きくなるように設けられている。実装枠体160は、例えばガラスエポキシ樹脂等の絶縁性基板からなり、基板110aの下面と導電性接合材170を介して接合される。実装枠体160の内部には、上面に設けられた接合パッド161と、実装枠体160の下面に設けられた外部端子162とを電気的に接続するための導体部163が設けられている。実装枠体160の上面の四隅には、接合パッド161が設けられ、下面の四隅には、外部端子162が設けられている。また、外部端子162は、集積回路素子150と電気的に接続されている。
The mounting
接合パッド161は、基板110aの接合端子112と導電性接合材170を介して電気的に接合するためのものである。接合パッド161は、図5に示すように、第一接合パッド161a、第二接合パッド161b、第三接合パッド161c及び第四接合パッド161dによって構成されている。また、外部端子162は、図5に示すように第一外部端子162a、第二外部端子162b、第三外部端子162c及び第四外部端子162dによって構成されている。導体部163は、第一導体部163a、第二導体部163b、第三導体部163c及び第四導体部163dによって構成されている。第一接合パッド161aは、第一導体部163aを介して、第一外部端子162aと電気的に接続され、第二接合パッド161bは、第二導体部163bを介して、第二外部端子162bと電気的に接続されている。第三接合パッド161cは、第三導体部163cを介して、第三外部端子162cと電気的に接続され、第四接合パッド161dは、第四導体部163dを介して、第四外部端子162dと電気的に接続されている。
The
外部端子162は、電子機器等の実装基板に実装するためのものである。外部端子162は、実装枠体160の下面の四隅に設けられている。外部端子162は、基板110aの下面に設けられた六つの接続パッド115の四つと電気的に接続されている。また、第二外部端子162bは、電子機器等の実装基板上の基準電位であるグランド電位と接続されている実装パッドと接続されている。これにより、封止用導体パターン117に接合された蓋体130がグランド電位となっている第二外部端子162bに接続される。よって、蓋体130による第一凹部K1内のシールド性が向上する。また、第一外部端子162aは、出力端子として用いられ、第三外部端子162cは、機能端子として用いられ、第四外部端子162dは、電源電圧端子として用いられる。機能端子は、書込読込端子及び周波数制御端子として用いられる。ここで、書込読込端子は、温度補償用制御データを記憶素子部に書き込んだり、記憶素子部に書き込まれた温度補償用制御データを読み込んだりするための端子のことである。周波数制御端子は、電圧を印加すると発振回路部の可変容量ダイオードの負荷容量を変動させることによって、水晶素子120の温度特性を補正させるための端子のことである。
The
導体部163は、基板110aの上面の接合パッド161と、下面の外部端子162を電気的に接続するためのものである。導体部163は、実装枠体160の四隅に貫通孔を設け、貫通孔の内壁面に導電部材を形成し、その上面を接合パッド161で塞ぎ、その下面を外部端子162で塞ぐことにより形成されている。また、実装枠体160の四隅に設けられた導体部163を備えていることによって、水晶デバイスは、基板110aの上面の接合パッド161と下面の外部端子162を電気的に接続するために、導体部163と切欠き部164の二箇所で行っているために、導通不良を低減することができる。
The
切欠き部164は、基板110aの上面の接合パッド161と、下面の外部端子162を電気的に接続すると共に、基板110aと実装枠体160との接合強度を向上させるためのものである。切欠き部164は、実装枠体160の長辺に沿って、半円柱状に接合パッド161から外部端子162にかけて上下方向に貫通するようにして設けられ、表面には、導電部材が形成されている。このような切欠き部164は、基板110aと実装枠体160とを接合する際に、後述する導電性接合材170が、切欠き部164内に入り込むようにして接合されることで、基板110aと実装枠体160との接合強度を向上させることが可能となる。また、後述する絶縁性樹脂180が、集積回路素子150と基板110aの下面及び実装枠体160の上面と基板110aの下面との間に設けられる共に、切欠き部164の上端側に設けられている。このようにすることで、絶縁性樹脂180により、実装枠体160が基板110aの下面から剥がれてしまうことを低減することができる。
The
保護部材165は、導電性接合材170が溢れ出た場合に、隣り合う接合パッドが短絡することを低減するためのものである。保護部材165は、顔料等を含んだ熱硬化性樹脂(例えばエポキシ樹脂)からなる。保護部材165は、複数の接合パッド161を露出させつつ、隣接する接合パッド161の間の実装枠体160の上面に設けられている。保護部材165は、接合パッド161及び外部端子162よりも厚く形成されている。例えば、接合パッド161及び外部端子162の厚さが15μm以上40μm以下であるのに対して、保護部材165の厚さは、これよりも10μm以上厚く、25μm以上100μm以下である。このように、複数の接合パッド161を露出させつつ、隣接する接合パッド161の間の実装枠体160の上面に設けられていることにより、導電性接合材170が溢れ出た場合に接合パッド161と保護部材165との段差により導電性接合材170が遮られるため、隣り合う接合パッド161が短絡することを低減することができる。
The
保護部材165は、図5に示すように、切欠き部164を囲むようにして、接合パッド161上に設けられている。このようにすることにより、実装枠体160の接合パッド161に塗布された導電性接合材170が、切欠き部164を通じて外部端子161にまで流れ出てしまうことを抑えることができる。よって、基板110aと実装枠体160との接合強度を維持することが可能となる。
As shown in FIG. 5, the
第二凹部K2の開口部の形状は、平面視して、矩形状となっている。ここで基板110aを平面視したときの長辺の寸法が、1.2〜2.5mmであり、短辺の寸法が、1.0〜2.0mmである場合を例にして、第二凹部K2の開口部の大きさを説明する。第二凹部K2の長辺の長さは、0.8〜1.5mmであり、短辺の長さは、0.5〜1.2mmとなっている。 The shape of the opening of the second recess K2 is rectangular in a plan view. Here, taking the case where the dimension of the long side when the substrate 110a is viewed in a plan view is 1.2 to 2.5 mm and the dimension of the short side is 1.0 to 2.0 mm as an example, the second concave portion The size of the opening of K2 will be described. The length of the long side of the second recess K2 is 0.8 to 1.5 mm, and the length of the short side is 0.5 to 1.2 mm.
実装枠体160の基板110aへの接合方法について説明する。まず、導電性接合材170は、例えばディスペンサ及びスクリーン印刷によって第一接合パッド161a、第二接合パッド161b、第三接合パッド161c及び第四接合パッド161d上に塗布される。基板110aは、基板110aの接合端子112が導電性接合材170上に位置するようにして搬送され、導電性接合材170上に載置される。そして導電性接合材170は、加熱硬化させることによって、硬化収縮される。これによって、基板110aの接合端子112は、接合パッド161に接合される。つまり、基板110aの第一接合端子112aは、第一接合パッド161aと接合され、基板110aの第二接合端子112bは、第二接合パッド161bと接合される。また、基板110aの第三接合端子112cは、第三接合パッド161cと接合され、基板110aの第四接合端子112dは、第四接合パッド161dと接合されることになる。
A method of joining the mounting
また、基板110aの接合端子112と実装枠体160の接合パッド161とを導電性接合材170を介して接合されることで、図2(b)に示すように、基板110aと実装枠体160との間に導電性接合材170の厚みと、接合端子112と接合パッド161の厚みとを足した分の間隙部Hが設けられる。この間隙部Hに絶縁性樹脂180が入りこみ満たすことで、基板110aと実装枠体160との接合強度を向上させることできる。また、実装枠体160の外形形状が、平面視して、基板110aの外形形状よりも大きくなるように設けられており、絶縁性樹脂180は、基板110aの下面の外周縁から実装枠体160の上面にかけて上下方向の厚みが薄くなるように傾斜が設けられている。このようにすることで、水晶デバイスの全体構造を小型化する場合であっても、基板110aに対する絶縁性樹脂180の被着面積を広く確保することができるようになり、これによって実装枠体160を基板110aに対し強固に接合させることが可能となる。
Further, as shown in FIG. 2B, the
水晶素子120は、図1及び図2に示されているように、導電性接着剤140を介して電極パッド111上に接合されている。水晶素子120は、安定した機械振動と圧電効果により、電子装置等の基準信号を発振する役割を果たしている。
As shown in FIGS. 1 and 2, the
また、水晶素子120は、図1及び図2に示されているように、水晶素板121の上面及び下面のそれぞれに励振用電極122及び引き出し電極123を被着させた構造を有している。励振用電極122は、水晶素板121の上面及び下面のそれぞれに金属を所定のパターンで被着・形成したものである。励振用電極122は、上面に第一励振用電極122aと、下面に第二励振用電極122bを備えている。引き出し電極123は、励振用電極122から水晶素板121の一辺に向かってそれぞれ延出されている。引き出し電極123は、上面に第一引き出し電極123aと、下面に第二引き出し電極123bとを備えている。第一引き出し電極123aは、第一励振用電極122aから引き出されており、水晶素板121の一辺に向かって延出するように設けられている。第二引き出し電極123bは、第二励振用電極122bから引き出されており、水晶素板121の一辺に向かって延出するように設けられている。つまり、引き出し電極123は、水晶素板121の長辺又は短辺に沿った形状で設けられている。また、本実施形態においては、第一電極パッド111a及び第二電極パッド111bと接続されている水晶素子120の一端を基板110aの上面と接続した固定端とし、他端を基板110aの上面と間を空けた自由端とした片持ち支持構造にて水晶素子120が基板110a上に固定されている。
Further, as shown in FIGS. 1 and 2, the
ここで、水晶素子120の動作について説明する。水晶素子120は、外部からの交番電圧が引き出し電極123から励振用電極122を介して水晶素板121に印加されると、水晶素板121が所定の振動モード及び周波数で励振を起こすようになっている。
Here, the operation of the
ここで、水晶素子120の作製方法について説明する。まず、水晶素子120は、人工水晶体から所定のカットアングルで切断し、水晶素板121の外周の厚みを薄くし、水晶素板121の外周部と比べて水晶素板121の中央部が厚くなるように設けるベベル加工を行う。そして、水晶素子120は、水晶素板121の両主面にフォトリソグラフィー技術、蒸着技術又はスパッタリング技術によって、金属膜を被着させることにより、励振用電極122、引き出し電極123を形成することにより作製される。
Here, a method of manufacturing the
水晶素子120の基板110aへの接合方法について説明する。まず、導電性接着剤140は、例えばディスペンサによって第一電極パッド111a及び第二電極パッド111b上に塗布される。水晶素子120は、導電性接着剤140上に搬送され、導電性接着剤140上に載置される。そして導電性接着剤140は、加熱硬化させることによって、硬化収縮される。水晶素子120は、電極パッド111に接合される。つまり、水晶素子120の第一引き出し電極123aは、第二電極パッド111bと接合され、第二引き出し電極123bは、第一電極パッド111aと接合される。これによって、第二接続パッド115b及び第五接続パッド115eは、第一測定パッド119a及び第二測定パッド119bを介して水晶素子120と電気的に接続されることになる。
A method of joining the
導電性接着剤140は、シリコーン樹脂等のバインダーの中に導電フィラーとして導電性粉末が含有されているものであり、導電性粉末としては、アルミニウム、モリブデン、タングステン、白金、パラジウム、銀、チタン、ニッケル又はニッケル鉄のうちのいずれか、或いはこれらの組み合わせを含むものが用いられている。また、バインダーとしては、例えばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂又はビスマレイミド樹脂が用いられる。
The
集積回路素子150は、例えば、複数個の接続パッドを有した矩形状のフリップチップ型集積回路素子が用いられ、その回路形成面(上面)には、周囲の温度状態を検知する温度センサー、水晶素子120の温度特性を補償する温度補償データを格納するための記憶素子部、温度補償データに基づいて水晶素子120の振動特性を温度変化に応じて補正する温度補償回路部、その温度補償回路部に接続されて所定の発振出力を生成する発振回路部が設けられている。この発振回路部で生成された出力信号は、実装枠体160の第一外部端子162aを介して圧電発振器の外へ出力され、例えば、クロック信号等の基準信号として利用される。
As the
記憶素子部は、PROMやEEPROMにより構成されている。温度補償関数である下記に示す三次関数のもととなるパラメータ、例えば三次成分調整値α、一次成分調整値β、0次成分調整値γの各値の温度補償用制御データが第三外部端子162cである機能端子から入力され保存される。記憶素子部には、レジスタマップが記憶されている。レジスタマップとは、各アドレスデータに制御データを入力した場合、制御部がそのデータを読み取り、信号を出力し、どのような動作を行なうかを示したものである。 The storage element unit is composed of PROM and EEPROM. The temperature compensation control data of the parameters that are the basis of the cubic function shown below, which is the temperature compensation function, such as the cubic component adjustment value α, the primary component adjustment value β, and the 0th component adjustment value γ, is the third external terminal. It is input from the functional terminal of 162c and saved. A register map is stored in the storage element unit. The register map shows how the control unit reads the data, outputs a signal, and performs an operation when the control data is input to each address data.
温度補償回路部は、三次関数発生回路や五次関数発生回路等によって構成されている。例えば、三次関数発生回路の場合は、その記憶素子部に入力された温度補償用制御データを読出して、温度補償用制御データから各温度に対して三次関数で導き出された電圧を発生させる。尚、この時の外部の周囲温度は、集積回路素子150内の温度センサーより得られる。温度補償回路部は、可変容量ダイオードのカソードと接続されており、温度補償回路部からの電圧が印加される。このように、可変容量ダイオードに温度補償回路部からの電圧を印加することよって、水晶素子120の周波数温度特性を補正することにより、周波数温度特性が平坦化される。
The temperature compensation circuit unit is composed of a cubic function generation circuit, a quintic function generation circuit, and the like. For example, in the case of a cubic function generation circuit, the temperature compensation control data input to the storage element unit is read out, and the voltage derived by the cubic function is generated for each temperature from the temperature compensation control data. The external ambient temperature at this time is obtained from the temperature sensor inside the
集積回路素子150は、図2(b)に示すように、基板110aの下面に設けられた接続パッド115に半田等の導電性接合材170を介して実装されている。また、集積回路素子150の接続端子151は、接続パッド115に接続されている。接続パッド115は、接続パターン116を介して接合端子112と電気的に接続されている。接合端子112は、導電性接合材170を介して、接合パッド161と電気的に接続されている。接合パッド161は、導体部163及び切欠き部164を介して外部端子162と電気的に接続されている。よって、接続パッド115は、接合端子112を介して、外部端子162と電気的に接続されている。この第二外部端子162bは、電子機器等の実装基板上の基準電位であるグランドと接続されている実装パッドと接続されることにより、グランド端子の役割を果たす。よって、集積回路素子150の接続端子151の内の一つは、基準電位であるグランドに接続されることになる。
As shown in FIG. 2B, the
集積回路素子150の基板110aへの接合方法について説明する。まず、導電性接合材170は、例えばディスペンサによって接続パッド115に塗布される。集積回路素子150は、導電性接合材170上に載置される。そして導電性接合材170は、加熱させることによって溶融接合される。よって、集積回路素子150は、接続パッド115に接合される。
A method of joining the
また、集積回路素子150は、図1及び図2に示すように、矩形状であり、その下面に六つの接続端子151が設けられている。接続端子151は、一辺に沿って三つ設けられており、その一辺と向かい合う一辺に沿って三つ設けられている。集積回路素子150の長辺の長さは、0.5〜1.2mmであり、短辺の長さは、0.3〜1.0mmとなっている。集積回路素子150の厚み方向の長さは、0.1〜0.3mmとなっている。
Further, as shown in FIGS. 1 and 2, the
導電性接合材170は、例えば、銀ペースト又は鉛フリー半田により構成されている。また、導電性接合材には、塗布し易い粘度に調整するための添加した溶剤が含有されている。鉛フリー半田の成分比率は、錫が95〜97.5%、銀が2〜4%、銅が0.5〜1.0%のものが使用されている。
The
絶縁性樹脂180は、図2(a)に示されているように、集積回路素子150の接続端子151が設けられている面と接続パッド115との間に設けられている。このようにすることにより、絶縁性樹脂180は、集積回路素子150と基板110aの下面との接着強度を高めることができる。また、仮に、水晶デバイスを電子機器等の実装基板の実装パッド上に実装させた際に、半田等の異物が第二凹部K2内に入り込んだとしても、絶縁性樹脂180によって、その異物が集積回路素子150の接続端子151間に付着することを抑えることになるので、集積回路素子150の接続端子151間の短絡を低減することができる。また、絶縁性樹脂180は、エポキシ樹脂またはエポキシ樹脂を主成分とするコンポジットレジン等の樹脂材料からなる。
As shown in FIG. 2A, the insulating
また、絶縁性樹脂180は、測定パッド119を覆うように設けられている。このようにすることによって、測定パッド119に異物が付着することを抑えることになるので、水晶素子120にその異物の付加抵抗が加わることを抑制することができる。従って、水晶素子120の発振周波数が変動することを低減することが可能となる。
Further, the insulating
絶縁性樹脂180は、図2に示されているように、基板110aの下面と、実装枠体160との上面との間で設けられた間隙部H内に設けられている。このようにすることにより、絶縁性樹脂180は、基板110aの下面と実装枠体160の上面との接合強度を向上させることができる。また、絶縁性樹脂180は、ビア導体114の下面に設けられており、絶縁性樹脂180にてビア導体114の下面の外周縁を基板110aと固定することになる。このようにすることで、仮に、基板110aの反り等が生じても、絶縁性樹脂180にてビア導体が固定されているため、ビア導体114の外周縁と基板110aとの界面からビア導体114が剥がれてしまうことを低減することができる。また、ビア導体114の外周縁と基板110aとの界面からビア導体114が剥がれてしまうことを低減することで、ビア導体114と基板110aとの界面に隙間が生じることがなく、基板110aの気密性を向上させることができる。
As shown in FIG. 2, the insulating
絶縁性樹脂180の基板110aへの形成方法について説明する。コンタクトピンを測定パッド119に接触させ、基板110aに接合された水晶素子120の特性を測定した後、その樹脂ディスペンサの先端を、第二凹部K2の隙間に挿入し、絶縁性樹脂180の注入を行なう。次に絶縁性樹脂180を加熱し、硬化させる。よって、絶縁性樹脂180は、基板110aの下面と、実装枠体160との上面との間で設けられた間隙部H内及び集積回路素子150と接続パッド115との間に設けられる。
A method of forming the insulating
蓋体130は、例えば、鉄、ニッケル又はコバルトの少なくともいずれかを含む合金からなる。このような蓋体130は、真空状態にある第一凹部K1又は窒素ガスなどが充填された第一凹部K1を気密的に封止するためのものである。具体的には、蓋体130は、所定雰囲気で、パッケージ110の枠体110b上に載置され、枠体110bの封止用導体パターン117と蓋体130の接合部材131とが溶接されるように所定電流を印加してシーム溶接を行うことにより、枠体110bに接合される。また、蓋体130は、封止用導体パターン117及び第三ビア導体114cを介して基板110aの下面の第二接合端子112bに電気的に接続されている。第二接合端子112bは、導電性接合材170を介して第二接合パッド161bと電気的に接続されている。第二接合パッド161bは、第二導体部163bを介して第二外部端子162bと電気的に接続されている。よって、蓋体130は、実装枠体160の第二外部端子162bと電気的に接続されている。
The
接合部材131は、パッケージ110の枠体110b上面に設けられた封止用導体パターン117に相対する蓋体130の箇所に設けられている。接合部材131は、例えば、銀ロウ又は金錫によって設けられている。銀ロウの場合は、その厚みは、10〜20μmである。例えば、成分比率は、銀が72〜85%、銅が15〜28%のものが使用されている。金錫の場合は、その厚みは、10〜40μmである。例えば、成分比率が、金が78〜82%、錫が18〜22%のものが使用されている。
The joining
本実施形態の水晶デバイスは、矩形状の基板110aと、基板110aの上面の外周縁に沿って設けられた枠体110bと、開口部を有し、上面に接合パッド161と下面に外部端子162が設けられ、基板110aの下面に設けられた実装端子112と接合パッド161を接合させることで基板110aの下面に接合された実装枠体と、基板110aの上面に設けられた電極パッド111上に実装された水晶素子120と、開口部内に収容されるようして、基板110aの下面に設けられた接続パッド115に実装された集積回路素子150と、集積回路素子150と基板110aの下面及び実装枠体161の上面と基板110aの下面との間に設けられた絶縁性樹脂180と、枠体110bの上面に接合された蓋体130と、実装枠体160の接合パッド161から外部端子162にかけて設けられた切欠き部164と、を備え、絶縁性樹脂180が切欠き部164の上端側に設けられている。このような水晶デバイスは、基板110aと実装枠体160とを接合する際に、後述する導電性接合材170が、切欠き部164内に入り込むようにして接合されることで、基板110aと実装枠体160との接合強度を向上させることが可能となる。また、後述する絶縁性樹脂180が、集積回路素子150と基板110aの下面及び実装枠体160の上面と基板110aの下面との間に設けられる共に、切欠き部164の上端側に設けられている。このようにすることで、絶縁性樹脂180により、実装枠体160が基板110aの下面から剥がれてしまうことを低減することができる。
The crystal device of the present embodiment has a rectangular substrate 110a, a frame body 110b provided along the outer peripheral edge of the upper surface of the substrate 110a, and an opening, and has a
また、本実施形態の水晶デバイスは、実装枠体160の上面の接合パッド161の間に設けられた保護部材165を備えている。このような水晶デバイスは、導電性接合材170が溢れ出た場合に接合パッド161と保護部材165との段差により導電性接合材170が遮られるため、隣り合う接合パッド161が短絡することを低減することができる。
Further, the crystal device of the present embodiment includes a
また、本実施形態の水晶デバイスは、保護部材165が、切欠き部164を囲むようにして、接合パッド161上に設けられている。このような水晶デバイスは、このようにすることにより、実装枠体160の接合パッド161に塗布された導電性接合材170が、切欠き部164を通じて外部端子161にまで流れ出てしまうことを抑えることができる。よって、基板110aと実装枠体160との接合強度を維持することが可能となる。
Further, in the crystal device of the present embodiment, the
また、本実施形態の水晶デバイスは、実装枠体160の四隅に設けられた導体部163を備えている。このような水晶デバイスは、基板110aの上面の接合パッド161と下面の外部端子162を電気的に接続するために、導体部163と切欠き部164の二箇所で行っているために、導通不良を低減することができる。
Further, the crystal device of the present embodiment includes
(第一変形例)
本実施形態の第一変形例における水晶デバイスについて説明する。なお、本実施形態の第一変形例における水晶デバイスのうち、上述した水晶デバイスと同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。本実施形態の第一変形例における水晶デバイスは、図6に示すように、実装枠体260に設けられた切欠き部264が実装枠体260の短辺に沿って設けられている点において本実施形態と異なる。
(First modification)
The crystal device in the first modification of the present embodiment will be described. Of the crystal devices in the first modification of the present embodiment, the same parts as those of the crystal device described above are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted as appropriate. As shown in FIG. 6, the crystal device in the first modification of the present embodiment is present in that the
実装枠体260は、基板110aの下面と接合され、基板110aの下面に第二凹部K2を形成するためのものである。実装枠体260の外形形状は、平面視して、基板110aの外形形状よりも大きくなるように設けられている。実装枠体260は、例えばガラスエポキシ樹脂等の絶縁性基板からなり、基板110aの下面と導電性接合材170を介して接合される。実装枠体260の内部には、上面に設けられた接合パッド261と、実装枠体260の下面に設けられた外部端子262とを電気的に接続するための導体部263が設けられている。実装枠体260の上面の四隅には、接合パッド261が設けられ、下面の四隅には、外部端子262が設けられている。また、外部端子262は、集積回路素子150と電気的に接続されている。
The mounting frame 260 is joined to the lower surface of the substrate 110a to form a second recess K2 on the lower surface of the substrate 110a. The outer shape of the mounting frame 260 is provided so as to be larger than the outer shape of the substrate 110a in a plan view. The mounting frame 260 is made of an insulating substrate such as glass epoxy resin, and is bonded to the lower surface of the substrate 110a via a
接合パッド261は、基板110aの接合端子112と導電性接合材170を介して電気的に接合するためのものである。接合パッド261は、図6に示すように、第一接合パッド261a、第二接合パッド261b、第三接合パッド261c及び第四接合パッド261dによって構成されている。また、外部端子262は、図 に示すように第一外部端子262a、第二外部端子262b、第三外部端子262c及び第四外部端子262dによって構成されている。導体部263は、第一導体部263a、第二導体部263b、第三導体部263c及び第四導体部263dによって構成されている。第一接合パッド261aは、第一導体部263aを介して、第一外部端子162aと電気的に接続され、第二接合パッド261bは、第二導体部263bを介して、第二外部端子262bと電気的に接続されている。第三接合パッド261cは、第三導体部263cを介して、第三外部端子262cと電気的に接続され、第四接合パッド261dは、第四導体部263dを介して、第四外部端子262dと電気的に接続されている。
The
外部端子262は、電子機器等の実装基板に実装するためのものである。外部端子162は、実装枠体160の下面の四隅に設けられている。外部端子262は、基板210aの下面に設けられた六つの接続パッド215の四つと電気的に接続されている。また、第二外部端子262bは、電子機器等の実装基板上の基準電位であるグランド電位と接続されている実装パッドと接続されている。これにより、封止用導体パターン117に接合された蓋体130がグランド電位となっている第二外部端子262bに接続される。よって、蓋体130による第一凹部K1内のシールド性が向上する。また、第一外部端子262aは、出力端子として用いられ、第三外部端子262cは、機能端子として用いられ、第四外部端子262dは、電源電圧端子として用いられる。機能端子は、書込読込端子及び周波数制御端子として用いられる。ここで、書込読込端子は、温度補償用制御データを記憶素子部に書き込んだり、記憶素子部に書き込まれた温度補償用制御データを読み込んだりするための端子のことである。周波数制御端子は、電圧を印加すると発振回路部の可変容量ダイオードの負荷容量を変動させることによって、水晶素子120の温度特性を補正させるための端子のことである。
The
導体部263は、基板110aの上面の接合パッド261と、下面の外部端子262を電気的に接続するためのものである。導体部263は、実装枠体260の四隅に貫通孔を設け、貫通孔の内壁面に導電部材を形成し、その上面を接合パッド261で塞ぎ、その下面を外部端子262で塞ぐことにより形成されている。
The
切欠き部264は、基板110aの上面の接合パッド261と、下面の外部端子262を電気的に接続すると共に、基板110aと実装枠体260との接合強度を向上させるためのものである。切欠き部264は、実装枠体260の短辺に沿って、半円柱状に接合パッド261から外部端子262にかけて上下方向に貫通するようにして設けられ、表面には、導電部材が形成されている。このような切欠き部264は、基板110aと実装枠体260とを接合する際に、後述する導電性接合材170が、切欠き部264内に入り込むようにして接合されることで、基板110aと実装枠体260との接合強度を向上させることが可能となる。また、後述する絶縁性樹脂180が、集積回路素子150と基板110aの下面及び実装枠体260の上面と基板110aの下面との間に設けられる共に、切欠き部264の上端側に設けられている。このようにすることで、絶縁性樹脂180により、実装枠体260が基板110aの下面から剥がれてしまうことを低減することができる。
The
保護部材265は、導電性接合材170が溢れ出た場合に、隣り合う接合パッド261が短絡することを低減するためのものである。保護部材265は、顔料等を含んだ熱硬化性樹脂(例えばエポキシ樹脂)からなる。保護部材265は、複数の接合パッド261を露出させつつ、隣接する接合パッド261の間の実装枠体260の上面に設けられている。保護部材265は、接合パッド261及び外部端子262よりも厚く形成されている。例えば、接合パッド261及び外部端子262の厚さが15μm以上40μm以下であるのに対して、保護部材265の厚さは、これよりも10μm以上厚く、25μm以上100μm以下である。このように、複数の接合パッド261を露出させつつ、隣接する接合パッド261の間の実装枠体260の上面に設けられていることにより、導電性接合材170が溢れ出た場合に接合パッド261と保護部材265との段差により導電性接合材170が遮られるため、隣り合う接合パッド261が短絡することを低減することができる。
The
保護部材265は、切欠き部264を囲むようにして、接合パッド261上に設けられている。このようにすることにより、実装枠体260の接合パッド261に塗布された導電性接合材170が、切欠き部264を通じて外部端子261に流れ出てしまうことを抑えることができる。よって、基板110aと実装枠体260との接合強度を維持することが可能となる。
The
第二凹部K2の開口部の形状は、平面視して、矩形状となっている。ここで基板110aを平面視したときの長辺の寸法が、1.2〜2.5mmであり、短辺の寸法が、1.0〜2.0mmである場合を例にして、第二凹部K2の開口部の大きさを説明する。第二凹部K2の長辺の長さは、0.8〜1.5mmであり、短辺の長さは、0.5〜1.2mmとなっている。 The shape of the opening of the second recess K2 is rectangular in a plan view. Here, taking the case where the dimension of the long side when the substrate 110a is viewed in a plan view is 1.2 to 2.5 mm and the dimension of the short side is 1.0 to 2.0 mm as an example, the second concave portion The size of the opening of K2 will be described. The length of the long side of the second recess K2 is 0.8 to 1.5 mm, and the length of the short side is 0.5 to 1.2 mm.
尚、本実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。上記実施形態では、枠体110bが基板110aと同様にセラミック材で一体的に形成した場合を説明したが、枠体110bが金属製であっても構わない。この場合、枠体は、銀−銅等のロウ材を介して基板の導体膜に接合されている。 It should be noted that the present invention is not limited to this embodiment, and various changes and improvements can be made without departing from the gist of the present invention. In the above embodiment, the case where the frame body 110b is integrally formed of the ceramic material like the substrate 110a has been described, but the frame body 110b may be made of metal. In this case, the frame is joined to the conductor film of the substrate via a brazing material such as silver-copper.
また、上記実施形態では、導体部163が基板内に設けられた場合を説明したが、実装枠体160の角部に設けられた切れ込みの内部に設けられていても構わない。この際に、導電部は、切り込み内に導体ペーストを印刷するようにして設けられている。
Further, in the above embodiment, the case where the
上記実施形態では、水晶素子は、AT用水晶素子を用いた場合を説明したが、基部と、基部の側面より同一の方向に延びる二本の平板形状の振動腕部とを有する音叉型屈曲水晶素子を用いても構わない。 In the above embodiment, the case where the crystal element for AT is used as the crystal element has been described, but the tuning fork type bent crystal having a base and two flat plate-shaped vibrating arms extending in the same direction from the side surface of the base. An element may be used.
110・・・パッケージ
110a・・・基板
110b・・・枠体
111・・・電極パッド
112・・・接合端子
113・・・配線パターン
114・・・ビア導体
115・・・接続パッド
116・・・接続パターン
117・・・封止用導体パターン
119・・・測定パッド
120・・・水晶素子
121・・・水晶素板
122・・・励振用電極
123・・・引き出し電極
130・・・蓋体
131・・・接合部材
140・・・導電性接着剤
150・・・集積回路素子
151・・・接続端子
160・・・実装枠体
161・・・接合パッド
162・・・外部端子
163・・・導体部
164・・・切欠き部
170・・・絶縁性接合材
180・・・絶縁性樹脂
K1・・・第一凹部
K2・・・第二凹部(開口部)
H・・・間隙部
110 ・ ・ ・ Package 110a ・ ・ ・ Board 110b ・ ・ ・
H ... Gap
Claims (4)
前記基板の上面の外周縁に沿って設けられた枠体と、
開口部を有し、上面に接合パッドと下面に外部端子が設けられ、前記基板の下面に設けられた実装端子と前記接合パッドを接合させることで前記基板の下面に接合された実装枠体と、
前記基板の上面に設けられた電極パッド上に実装された水晶素子と、
前記開口部内に収容されるようして、前記基板の下面に設けられた接続パッドに実装された集積回路素子と、
前記集積回路素子と前記基板の下面との間、及び前記実装枠体の上面と前記基板の下面との間に設けられた絶縁性樹脂と、
前記枠体の上面に接合された蓋体と、
前記実装枠体の前記接合パッドから前記外部端子にかけて設けられた切欠き部と、
を備え、
前記切欠き部は、前記実装枠体の外周の側面に設けられており、
前記絶縁性樹脂が前記切欠き部の上端側に設けられていることを特徴とする水晶デバイス With a rectangular board
A frame provided along the outer peripheral edge of the upper surface of the substrate and
With an opening, a joining pad is provided on the upper surface and an external terminal is provided on the lower surface, and a mounting frame body joined to the lower surface of the substrate by joining the mounting terminal provided on the lower surface of the substrate and the joining pad. ,
A crystal element mounted on an electrode pad provided on the upper surface of the substrate, and
An integrated circuit element mounted on a connection pad provided on the lower surface of the substrate so as to be housed in the opening.
Insulating resin provided between the integrated circuit element and the lower surface of the substrate, and between the upper surface of the mounting frame and the lower surface of the substrate,
A lid joined to the upper surface of the frame and
A notch provided from the joint pad of the mounting frame to the external terminal, and
With
The notch is provided on the outer peripheral side surface of the mounting frame.
A crystal device characterized in that the insulating resin is provided on the upper end side of the notch portion.
前記実装枠体の上面の接合パッド間に設けられた保護部材を備えていることを特徴とする水晶デバイス The crystal device according to claim 1.
A crystal device including a protective member provided between the joining pads on the upper surface of the mounting frame.
前記保護部材が、前記切欠き部を囲むようにして前記接合パッド上に設けられていることを特徴とする水晶デバイス The crystal device according to claim 2.
A crystal device characterized in that the protective member is provided on the joint pad so as to surround the notch.
前記実装枠体の四隅に設けられた導体部を備えていることを特徴とする水晶デバイス
The crystal device according to claim 1.
A crystal device including conductor portions provided at four corners of the mounting frame.
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