JP6382078B2 - 磁気共鳴イメージング装置およびその制御方法 - Google Patents
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Description
以下図面を用いて本発明に係る一実施形態(以下実施例と記す)について説明する。なお実施例を説明するための全図において、略同一機能を有し略同一作用をなす構成には同一符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。同一符号を付した構成は略同様の効果を奏する。本明細書において用語「演算」は代数計算だけでなく、テーブル検索などの方法を用いて解を得る方法や、既に求められているデータを読み出して望ましい情報を得る方法などを含む広い意味で使用する。
図1は、本発明に係るMRI装置100の全体構成を示すブロック図である。MRI装置100は、被検体11の撮像対象組織を構成する原子核に撮像パラメータ値に基づいて発生した傾斜磁場や高周波磁場パルスを印加することにより、前記撮像対象組織を構成する原子核においてNMR現象を生じさせ、NMR現象に基づいて発生したNMR信号を検出して二次元的なあるいは三次元的な画像を生成する撮像動作を行う装置である。MRI装置100は、撮像動作を含む全体的な制御を行う制御装置60や、シーケンサ20や、静磁場および傾斜磁場パルスを発生する磁場発生装置30、高周波磁場パルス(以下RFパルスと記す)を発生するRFパルス発生装置40や、NMR信号を検出するNMR信号検出装置50や、被検体11を載置する天板82を有する寝台80、を備え、制御装置60はNMR信号検出装置50で検出したNMR信号に基づいて二次元的なあるいは三次元的な画像を生成する機能を有している。
図1に例示したMRI装置100の撮像は設定された撮像パラメータに基づいて行われる。これら撮像パラメータの設定の概要について次に説明する。撮像されて生成された画像の画質、あるいは撮像に要する時間は、撮像のために入力されて設定された撮像パラメータにより大きく変わる。磁場発生装置30やRFパルス発生装置40やNMR信号検出装置50を制御するシーケンサ20のパルスシーケンス自身が撮像パラメータに基づいて大きく変わる。このため操作者は被検体11の症状に基づいて細かに撮像パラメータ値を設定することが必要となる。
図2および図3は撮像パラメータ値の変更可能な範囲を表示する表示の一例である。図2および図3を用いて、撮像パラメータ値の変更可能な範囲が、各撮影パラメータ間の相関関係により定まると共に撮像パラメータ値の変更範囲が他の撮像パラメータ値により制約を受けることを具体例で説明する。
上述したように撮像パラメータの値を変更したい場合に、本実施例では、図4に記載の考え方に基づいて変更に関する処理がCPU62によって行われ、またこの処理に伴い新たに入力された撮像パラメータ値が設定可能範囲の条件を満足するかどうかの判断がCPU62によって図4に記載の考え方に沿って行われる。また新たに撮像パラメータ値が入力されると、入力された撮像パラメータに関係して変更される他の撮像パラメータの設定可能範囲が演算され、演算された撮像パラメータの設定可能範囲が満たされているかどうかの判断や、撮像パラメータ値が設定可能範囲から外れる場合の警告や、新たな入力可能範囲の示唆に関する処理も、図4に記載の考え方に沿って行われる。
先ずハードウエアグループ関係において、撮像可能条件が満たされるかが判断され、安全性グループに属する撮像パラメータの項目に関しては撮像可能条件が満たされるかどうかの判断は、この段階では行わない。今図2や図3に記載した撮像パラメータの項目欄120の撮像パラメータ項目は、ステップS222で設定処理が行われるハードウエアグループに含まれる撮像パラメータ項目である。撮像パラメータの項目欄120に表示の撮像視野(FOV)121の項目からマルチスライスの数(スライス数)125の項目に対して演算された撮像可能条件の範囲が、撮像パラメータ値の許容欄130に、撮像パラメータ値の許容範囲である設定可能範囲131から設定可能範囲135として表示される。また撮像パラメータの項目欄120の項目ごとに入力された撮像パラメータ値が設定値欄140の設定値141から設定値145として表示される。なお、ハードウエアグループに含まれる撮像パラメータは色々あり、図2や図3の撮像パラメータの項目欄120にハードウエアグループに含まれる撮像パラメータを全て記載することは、たいへん煩雑となる。このため図2や図3は一部の撮像パラメータのみを例示している。図4の撮像パラメータBWなど、図2や図3に記載していない撮像パラメータは他にも色々ある。
図4に記載技術は、従来技術に係る処理に代わる処理であり従来技術では得られない効果を奏する。しかしMRI装置100のハードウエアは図4および以下に説明の実施例に沿った処理が可能であると共に、従来技術に基づく処理も可能である。さらに従来技術に基づく処理にも色々な効果がある。従って全ての撮像作業において本発明に係る処理のみを行うのではなく、本発明に係る処理と従来技術に係る処理のどちらの処理を行うか、操作者が選択可能とするようにしても良い。さらに本発明に係る処理と従来技術に係る処理とを組み合わせた処理も可能であり、例えば本発明に係る処理で撮像可能条件を満足するとして決定した撮像パラメータ値について、場合によっては従来技術に係る処理で再度撮像可能条件を満たしているかの再確認を行っても良い。このように本発明に係る処理は従来技術に係る処理を否定するものではなく、従来技術に係る処理との組み合わせや併用を妨げるものではない。
図5に記載のフローチャートを用いて、図4に記載の処理の具体的な内容を説明する。ステップS300で始まるフローチャートは、例えばCPU62により短い周期で繰り返し実行される。この繰り返し周期が操作者の操作時間に対して短い時間であるため、操作者にとってはあたかも常に実行されているように、処理がなされる。ステップS310で操作者による入力の有無が検知され、撮像パラメータ値が入力されると、ステップS310からCPU62の実行がステップS312へ移る。図6に図2で説明した撮像パラメータ画面110を記載する。撮像パラメータ画面110の設定値欄140のスライス数の設定値145の値を例えば3枚から15枚に変更すると、CPU62の実行がステップS310からステップS312へ移る。
例えば操作者が撮像パラメータとしてRFパルスの帯域周波数であるBWを変更し、その結果TEとdB/dtの2つの撮像パラメータの項目で撮像可能条件の条件が満足されない場合を具体例として説明する。従来の処理方法では、TEの項目で撮像可能条件が満足できないと、TEやBWやFreqの項目に関して撮像可能範囲を求める演算が行われる。しかしdB/dtの項目でも撮像可能条件が満足されないため、2つの項目について撮像可能条件を満足する解を求めることが必要である。異なる2つの項目において撮像可能条件を満足する解が線形的な値を持っているとは限らない。このため、従来の処理方法では、撮像可能条件を満足する解を求めることができず、撮像可能範囲を表示できない場合がある。この場合には、図6に記載の示唆画面210において、リセット項目228である「基本条件にリセットする。」の項目のみが表示される場合が生じる。この場合には、操作者の意図に沿うことができず、結果として操作者を満足させることができない。操作性が悪いと考えることができる。図4を用いて説明した本発明に係る実施例では、先ずハードウエアグループであるTEの撮像可能条件を満足する設定を行い、次に安全性グループの設定において、dB/dtを満足する設定を行う。図5の実施例で、ステップS318は先ずTEに関して撮像可能条件を満足する範囲をステップS318で演算し、図6の示唆画面210においてTEに関して撮像可能条件を満足する範囲を演算して表示する。
図5に記載の実施例を用いて先に変更された撮像パラメータ値が、撮像可能条件である設定可能範囲から外れている場合の対応について説明した。操作者が撮像パラメータ値を変更することにより、上述したように変更した撮像パラメータ値自身が設定可能範囲から外れる場合がある。しかしそれだけではなく、撮像パラメータ値の変更により、関連する他の撮像パラメータの設定可能範囲が変化する。操作者が変更した撮像パラメータ値自身が設定可能範囲を満足していても、上記変更に伴う他の撮像パラメータの設定可能範囲の変化より、撮像パラメータ値が設定可能範囲から外れる場合が生じる。
一例を挙げて説明する。なおこの事例に限定するものではない。操作者が例えば撮像パラメータBW(RFパルスの帯域周波数)の値を変更し、その結果撮像パラメータTRと撮像パラメータdB/dtが撮像可能条件を満足しなくなった状態を一例として以下説明する。図7のステップS330で変更された撮像パラメータBW値に基づいてハードウエアグループに属する撮像パラメータTRの撮像可能条件と安全性グループに属する撮像パラメータdB/dtの撮像可能条件を含めた該当する撮像パラメータの撮像可能条件が演算される。演算結果に基づいてステップS334で撮像パラメータTRと撮像パラメータdB/dtの2つの撮像パラメータが撮像可能条件を満足しないことが判断される。
前記処理方法では、撮像パラメータBW値の変更に従って、図7のステップS334の演算でハードウエアグループに属する撮像パラメータTRが撮像可能条件を満足するかどうかの判断だけでなく、安全性グループに属する撮像パラメータdB/dtが撮像可能条件を満足するかどうかの判断も実行した。このように全ての撮像パラメータに関して撮像可能条件を満足するかどうかの判断を行っても良いが、先ず上位のグループにおいてだけ撮像可能条件を満足するかどうかの判断を行い、撮像パラメータTRが撮像可能条件を満足しないことを検知し、ステップS318で撮像パラメータTRが撮像可能条件を満足する解を求める。上位グループであるハードウエアグループに属する撮像パラメータの対応が終わり、上位グループであるハードウエアグループに属する撮像パラメータがそれぞれ撮像可能条件を満足する状態となった後に、ステップS344からCPU62の実行をステップS312に戻し、安全性グループに属する撮像パラメータがそれぞれ撮像可能条件を満足する状態どうかを判断し、撮像パラメータdB/dtが撮像可能条件を満足しないことを見出すようにしても良い、この場合には図7に記載のステップS336や338は使われないかもしれない。しかし、同じグループに属する複数撮像パラメータにおいて、撮像可能条件を満足しないことが起こり得るので、この場合にステップS336やステップS338が使用される。上述のように撮像パラメータTRが撮像可能条件を満足した後に撮像パラメータdB/dtが撮像可能条件を満足するための演算が行われるので、この方法においても先の方法度同様の効果が得られる。
Claims (9)
- 撮像パラメータ値を含む情報の入力および情報の出力を行う入出力装置と、
被検体が載置される検査空間にパルスシーケンスに基づいて磁場を発生する磁場発生装置と、
前記パルスシーケンスに基づいて高周波磁場パルスを前記被検体に印加する高周波磁場パルス発生装置と、
前記被検体から生じるNMR信号を検出し、検出したNMR信号に基づいて前記被検体に関する画像を生成する画像生成装置と、
入力された撮像パラメータ値の撮像可能条件との適合の可否を判断すると共に入力された撮像パラメータ値に従って撮像動作を制御する制御装置と、を備え、
撮像パラメータは、磁気共鳴イメージング装置の前記高周波磁場パルスや前記パルスシーケンスを制御するハードウエア項目に関する撮像パラメータと前記被検体に与える負担に関わる被検体負担項目に関する撮像パラメータとを少なくとも有し、
前記制御装置は、前記ハードウエア項目に関する撮像パラメータが撮像可能条件を満足しない場合に、前記ハードウエア項目に関する撮像パラメータが前記撮像可能条件を満足するための解を求める演算を行って、求めた解を前記入出力装置に出力し、
前記制御装置は、前記ハードウエア項目に関する撮像パラメータが前記撮像可能条件を満足した状態において、前記被検体負担項目に関する撮像パラメータが撮像可能条件を満足しない場合に、前記被検体負担項目に関する撮像パラメータが前記撮像可能条件を満足するための解を求める演算を行って、求めた解を前記入出力装置に出力し、
前記制御装置は、前記ハードウエア項目に関する適合可と判断された前記撮像パラメータと、前記被検体負担項目に関する適合可と判断された前記撮像パラメータ、に従って、前記撮像動作を制御し、
撮像パラメータ値が変更された場合に、前記制御装置は、前記ハードウエア項目に関する撮像パラメータが前記撮像可能条件を満足するかどうか、さらに前記被検体負担項目に関する撮像パラメータが前記撮像可能条件を満足するかどうか、を判断し、
前記ハードウエア項目に関する撮像パラメータと前記被検体負担項目に関する撮像パラメータがそれぞれの前記撮像可能条件を満足しない場合に、前記制御装置は、前記撮像可能条件を満足しない前記ハードウエア項目に関する撮像パラメータが前記撮像可能条件を満足するための解を演算して、求めた解を前記入出力装置に表示し、前記ハードウエア項目に関する前記撮像パラメータが前記撮像可能条件を満足した状態において、前記撮像可能条件を満足しない前記被検体負担項目に関する撮像パラメータが前記撮像可能条件を満足するための解を演算して、求めた解を前記入出力装置に表示する、ことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。 - 請求項1に記載の磁気共鳴イメージング装置において、
撮像パラメータ値が変更された場合に、前記制御装置は、前記ハードウエア項目に関する撮像パラメータが撮像可能条件を満足するかどうかを判断し、前記ハードウエア項目に関する撮像パラメータが撮像可能条件を満足しない場合に、満足しない前記ハードウエア項目に関する撮像パラメータが前記撮像可能条件を満足するための解を演算して、求めた解を前記入出力装置に表示し、
前記ハードウエア項目に関する前記撮像パラメータが前記撮像可能条件を満足した状態において、前記制御装置は、前記被検体負担項目に関する撮像パラメータが撮像可能条件を満足するかどうかを判断し、前記被検体負担項目に関する撮像パラメータが撮像可能条件を満足しない場合に、満足しない前記被検体負担項目に関する撮像パラメータが前記撮像可能条件を満足するための解を演算して、求めた解を前記入出力装置に表示する、ことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。 - 請求項1に記載の磁気共鳴イメージング装置において、
前記ハードウエア項目に関する撮像パラメータと前記被検体負担項目に関する撮像パラメータがそれぞれの前記撮像可能条件を満足しない場合に、前記制御装置は、前記撮像可能条件を満足しない前記被検体負担項目に関する撮像パラメータの処理に優先して前記撮像可能条件を満足しない前記ハードウエア項目に関する撮像パラメータの処理を行い、前記優先処理により、前記撮像可能条件を満足しない前記ハードウエア項目に関する撮像パラメータが前記撮像可能条件を満足するための解を優先して演算する、ことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。 - 請求項1乃至請求項3の何れか1項に記載の磁気共鳴イメージング装置において、
前記ハードウエア項目に関する撮像パラメータは、撮像パラメータBWや撮像パラメータFOVや撮像パラメータTRや撮像パラメータTEを含んでおり、
前記被検体負担項目に関する撮像パラメータは、撮像パラメータdB/dtや撮像パラメータSARを含んでいる、ことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。 - 請求項4に記載の磁気共鳴イメージング装置において、
撮像パラメータ値の変更により、撮像パラメータTRと撮像パラメータdB/dtがそれぞれ前記撮像可能条件を満足しない場合に、前記制御装置は、撮像パラメータTRが撮像パラメータTRに対応する前記撮像可能条件を満足するかどうかの判断を行って撮像パラメータTRが撮像パラメータTRに対応する前記撮像可能条件を満足しないことを判断し、
前記制御装置は、前記撮像パラメータTRが撮像パラメータTRに対応する前記撮像可能条件を満足するための解を演算し、演算した解を前記入出力装置に出力し、
前記撮像パラメータTRが前記撮像可能条件を満足する状態となった後に、前記制御装置は、前記撮像パラメータdB/dtが撮像パラメータdB/dtに対応する前記撮像可能条件を満足するかどうかの判断を行って前記撮像パラメータdB/dtが撮像パラメータdB/dtに対応する前記撮像可能条件を満足しないことを判断し、
さらに前記制御装置は、前記撮像パラメータパラメータdB/dtが撮像パラメータdB/dtに対応する前記撮像可能条件を満足するための解を演算し、演算した解を前記入出力装置に出力する、ことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。 - 請求項4に記載の磁気共鳴イメージング装置において、
撮像パラメータ値の変更により、撮像パラメータTRと撮像パラメータdB/dtがそれぞれ前記撮像可能条件を満足しない場合に、前記制御装置は、前記撮像パラメータTRと前記撮像パラメータdB/dtがそれぞれ前記撮像可能条件を満足するかどうかの判断を行って、前記撮像パラメータTRと前記撮像パラメータdB/dtがそれぞれ前記撮像可能条件を満足しないことを判断し、
前記制御装置は、前記撮像パラメータdB/dtの処理に優先して、前記撮像パラメータTRが撮像パラメータTRに対応する前記撮像可能条件を満足するための解を演算し、演算した解を前記入出力装置に出力し、
前記撮像パラメータTRが前記撮像可能条件を満足する状態となった後に、前記制御装置は、前記撮像パラメータパラメータdB/dtが撮像パラメータdB/dtに対応する前記撮像可能条件を満足するための解を演算し、演算した解を前記入出力装置に出力する、ことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。 - 請求項4に記載の磁気共鳴イメージング装置において、
撮像パラメータ値の変更により、撮像パラメータTEと撮像パラメータdB/dtがそれぞれ前記撮像可能条件を満足しない場合に、前記制御装置は、撮像パラメータTEが撮像パラメータTEに対応する前記撮像可能条件を満足するかどうかの判断を行って撮像パラメータTEが撮像パラメータTEに対応する前記撮像可能条件を満足しないことを判断し、
前記制御装置は、前記撮像パラメータTEが撮像パラメータTEに対応する前記撮像可能条件を満足するための解を演算し、演算した解を前記入出力装置に出力し、
前記撮像パラメータTEが前記撮像可能条件を満足する状態となった後に、前記制御装置は、前記撮像パラメータdB/dtが撮像パラメータdB/dtに対応する前記撮像可能条件を満足するかどうかの判断を行って前記撮像パラメータdB/dtが撮像パラメータdB/dtに対応する前記撮像可能条件を満足しないことを判断し、
さらに前記制御装置は、前記撮像パラメータパラメータdB/dtが撮像パラメータdB/dtに対応する前記撮像可能条件を満足するための解を演算し、演算した解を前記入出力装置に出力する、ことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。 - 請求項4に記載の磁気共鳴イメージング装置において、
撮像パラメータ値の変更により、撮像パラメータTEと撮像パラメータdB/dtがそれぞれ前記撮像可能条件を満足しない場合に、前記制御装置は、前記撮像パラメータTEと前記撮像パラメータdB/dtがそれぞれ前記撮像可能条件を満足するかどうかの判断を行って、前記撮像パラメータTRと前記撮像パラメータdB/dtがそれぞれ前記撮像可能条件を満足しないことを判断し、
前記制御装置は、前記撮像パラメータdB/dtの処理に優先して、前記撮像パラメータTEが撮像パラメータTEに対応する前記撮像可能条件を満足するための解を演算し、演算した解を前記入出力装置に出力し、
前記撮像パラメータTEが前記撮像可能条件を満足する状態となった後に、前記制御装置は、前記撮像パラメータパラメータdB/dtが撮像パラメータdB/dtに対応する前記撮像可能条件を満足するための解を演算し、演算した解を前記入出力装置に出力する、ことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。 - 撮像パラメータ値を含む情報の入力および情報の出力を行う入出力装置と、被検体が載置される検査空間に撮像パラメータ値に基づいて磁場を発生する磁場発生装置と、撮像パラメータ値に基づく高周波磁場パルスを前記被検体に印加する高周波磁場パルス発生装置と、前記被検体から生じるNMR信号を検出し、検出したNMR信号に基づいて前記被検体に関する画像を生成する画像生成装置と、入力された撮像パラメータ値の撮像可能条件との適合の可否を判断すると共に入力された撮像パラメータ値に従って撮像動作を制御する制御装置と、を備える磁気共鳴イメージング装置の制御方法であって、
撮像パラメータは、磁気共鳴イメージング装置のハードウエアの動作を制御するハードウエア項目に関する撮像パラメータと前記被検体に与える負担の規制に関わる被検体負担項目に関する撮像パラメータとを少なくとも有し、
前記ハードウエア項目に関する撮像パラメータが撮像可能条件を満足しない場合に、前記ハードウエア項目に関する撮像パラメータが前記撮像可能条件を満足するための解を求める演算を行って、求めた解を前記入出力装置に出力するステップと、
前記ハードウエア項目に関する撮像パラメータが前記撮像可能条件を満足した状態において、前記被検体負担項目に関する撮像パラメータが撮像可能条件を満足しない場合に、前記被検体負担項目に関する撮像パラメータが前記撮像可能条件を満足するための解を求める演算を行って、求めた解を前記入出力装置に出力するステップと、
前記ハードウエア項目に関する適合可と判断された前記撮像パラメータ、と前記被検体負担項目に関する適合可と判断された前記撮像パラメータ、に従って、前記撮像動作を制御するステップと、
撮像パラメータ値が変更された場合に、前記ハードウエア項目に関する撮像パラメータが前記撮像可能条件を満足するかどうか、さらに前記被検体負担項目に関する撮像パラメータが前記撮像可能条件を満足するかどうか、を判断するステップと、
前記ハードウエア項目に関する撮像パラメータと前記被検体負担項目に関する撮像パラメータがそれぞれの前記撮像可能条件を満足しない場合に、前記撮像可能条件を満足しない前記ハードウエア項目に関する撮像パラメータが前記撮像可能条件を満足するための解を演算して、求めた解を前記入出力装置に表示し、前記ハードウエア項目に関する前記撮像パラメータが前記撮像可能条件を満足した状態において、前記撮像可能条件を満足しない前記被検体負担項目に関する撮像パラメータが前記撮像可能条件を満足するための解を演算して、求めた解を前記入出力装置に表示するステップと、を備えることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置の制御方法。
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