JP6363191B2 - データマスキングを介してメモリi/o電力を低減するためのシステムおよび方法 - Google Patents
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Description
動的電力=kCV2f×密度
ここで、k=データアクティブ率
C=負荷容量
V=電圧
f=周波数またはトグルレート
密度=ギガバイト(GB)単位の全体の容量
式1
102 SoC
104 DRAM
106 メモリクライアント
108 メモリコントローラ
110 SoCバス
112 データマスキング電力低減モジュール
114 SoC物理デバイス
116 データバス
118 接続
120 データバス
122 接続
200 デフォルト状態
202 クロック信号
204 DM信号
206 DQ信号
208 ロー状態
210 信号遷移
212 ハイ状態
214 ビート
216 ビート
300 最終保持状態
302 ロー状態
304 ハイ状態
322 SoC
328 ディスプレイコントローラ
330 タッチスクリーンコントローラ
334 ビデオエンコーダ
336 ビデオ増幅器
338 ビデオポート
340 USBコントローラ
342 USB
346 SIMカード
348 CCD/CMOSカメラ
350 ステレオ/オーディオコーデック
352 オーディオ増幅器
354 ステレオスピーカー
356 ステレオスピーカー
358 マイクロフォン増幅器
360 マイクロフォン
362 FMチューナー
364 FMアンテナ
366 ステレオポート
368 RFトランシーバ
370 RFスイッチ
372 RFアンテナ
376 モノヘッドセット/マイクロフォン
378 バイブレータ
380 電源
388 ネットワークカード
400 ロー保持状態
402 ロー状態
410 第0のコア
412 第1のコア
414 第Nのコア
500 ハイ保持状態
502 ハイ状態
600 トライステート
702 SoCピン
704 DRAMピン
706 抵抗
708 抵抗
710 終端抵抗
712 終端抵抗
714 正のピン
716 負のピン
718 正のピン
720 負のピン
722 抵抗
800 方法
902 ハイ状態
904 ハイ状態
906 ハイ状態
908 ハイ状態
910 ビート
912 ロー状態
914 ビート
916 ロー状態
918 ビート
920 ビート
922 ロー状態
924 ビート
926 ロー状態
1002 I/O論理手段
1004 ラインドライバ
1006 マルチプレクサ
1102 DRAM物理層
1200 ポータブルコンピューティングデバイス
1202 CPU
1204 メモリ
1206 ディスプレイ/タッチスクリーン
Claims (15)
- メモリI/O電力を削減するための方法であって、
複数のDQピンを介してメモリコントローラに結合されるDRAMメモリデバイスのタイプと、前記DRAMメモリデバイスの前記タイプと関連付けられるDQピン終端方式とを決定するステップと、
前記DQピン終端方式に基づいて、データマスキング動作の間に前記DRAMメモリデバイスと関連付けられるメモリI/O電力を削減するために複数のDQピン状態の1つを選択するステップであって、前記複数のDQピン状態が、最終保持状態と、ロー保持状態と、ハイ保持状態と、トライステートとのうちの1つまたは複数を備える、ステップと、
前記データマスキング動作を有効にするステップと、
前記データマスキング動作の間に、前記選択されたDQピン状態に前記複数のDQピンを駆動するステップと
を備える、方法。 - 前記データマスキング動作がメモリ書込み動作の間に発生する、請求項1に記載の方法。
- 前記データマスキング動作がメモリ読取り動作の間に発生する、請求項1に記載の方法。
- 前記DRAMメモリデバイスが、ダブルデータレート(DDR)DRAMメモリデバイスを備える、請求項1に記載の方法。
- 前記データマスキング動作がDDRトランザクションの間に発生する、請求項4に記載の方法。
- 前記データマスキング動作が前記DDRトランザクションの単一のビートに対して有効にされる、請求項5に記載の方法。
- 前記データマスキング動作が前記DDRトランザクションの開始または終了の1つにおいて有効にされる、請求項5に記載の方法。
- メモリI/O電力を削減するためのシステムであって、
複数のDQピンを介してメモリコントローラに結合されるDRAMメモリデバイスのタイプと、前記DRAMメモリデバイスの前記タイプと関連付けられるDQピン終端方式とを決定するための手段と、
前記DQピン終端方式に基づいて、データマスキング動作の間に前記DRAMメモリデバイスと関連付けられるメモリI/O電力を削減するために複数のDQピン状態の1つを選択するための手段であって、前記複数のDQピン状態が、最終保持状態と、ロー保持状態と、ハイ保持状態と、トライステートとのうちの1つまたは複数を備える、手段と、
前記データマスキング動作を有効にするための手段と、
前記データマスキング動作の間に、前記選択されたDQピン状態に前記複数のDQピンを駆動するための手段と
を備える、システム。 - 前記データマスキング動作がメモリ書込み動作の間に発生する、請求項8に記載のシステム。
- 前記データマスキング動作がメモリ読取り動作の間に発生する、請求項8に記載のシステム。
- 前記DRAMメモリデバイスが、ダブルデータレート(DDR)DRAMメモリデバイスを備える、請求項8に記載のシステム。
- 前記データマスキング動作がDDRトランザクションの間に発生する、請求項11に記載のシステム。
- 前記データマスキング動作が前記DDRトランザクションの単一のビートに対して有効にされる、請求項12に記載のシステム。
- 前記データマスキング動作が前記DDRトランザクションの開始または終了の1つにおいて有効にされる、請求項12に記載のシステム。
- コンピュータによって実行されるとき、請求項1〜7のいずれか一項に記載の方法を実行するための命令を備える、コンピュータプログラム。
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