JP6361348B2 - Semiconductor device and manufacturing method thereof - Google Patents

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Description

本発明は、センシング部を有する板状の半導体チップの一部を樹脂で封止し、センシング部を含む半導体チップの残部を樹脂より突出させてなる半導体装置、および、そのような半導体装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a semiconductor device in which a part of a plate-like semiconductor chip having a sensing portion is sealed with resin, and the remaining portion of the semiconductor chip including the sensing portion is protruded from the resin, and the manufacture of such a semiconductor device Regarding the method.

従来より、この種の半導体装置としては、センシング部を有し、表裏の関係にある両板面を有する板状をなす半導体チップと、半導体チップの一部である第１の部位を封止する樹脂と、を備え、半導体チップの残部である第２の部位は樹脂より突出しているものが、提案されている（特許文献１参照）。   Conventionally, as this type of semiconductor device, a semiconductor chip having a sensing portion and having both plate surfaces in a front-back relation and a first part that is a part of the semiconductor chip are sealed. And a second part which is the remaining part of the semiconductor chip has been proposed to protrude from the resin (see Patent Document 1).

ここで、この半導体装置においては、センシング部は、圧力や流量等を検出する素子が形成された部位である。そして、このセンシング部は、半導体チップの第２の部位における突出先端部寄りの位置に設けられている。そして、第２の部位のうち樹脂からの突出根元部とセンシング部との間の部位は、センシング部を支持する支持部とされている。   Here, in this semiconductor device, the sensing unit is a part where an element for detecting pressure, flow rate, or the like is formed. And this sensing part is provided in the position near the protrusion front-end | tip part in the 2nd site | part of a semiconductor chip. And the site | part between the protrusion base part from resin and a sensing part among 2nd site | parts is made into the support part which supports a sensing part.

このように、従来のこの種の半導体装置は、半導体チップを樹脂で片持ちして支持する構成、いわゆる片持ち構成とされたものとなっている。   As described above, this type of conventional semiconductor device has a so-called cantilever configuration in which the semiconductor chip is cantilevered and supported by the resin.

このような半導体装置は、半導体チップの一部が樹脂より露出するように、金型で樹脂成形したり、あるいは、特許文献１に記載されているように、半導体チップ全体を樹脂で封止した後、半導体チップの一部を露出させるようにレーザ照射によって樹脂を除去したりすることで製造される。   In such a semiconductor device, resin molding is performed with a mold so that a part of the semiconductor chip is exposed from the resin, or the entire semiconductor chip is sealed with resin as described in Patent Document 1. Thereafter, the resin is removed by laser irradiation so that a part of the semiconductor chip is exposed.

特開２０１３−１１８２１８号公報JP 2013-118218 A

ところで、上記従来の半導体装置において半導体チップを片持ち構成とする目的は、各部の線膨張係数差等により生じる樹脂からの応力を、第２の部位の突出先端部側に位置するセンシング部へ伝わりにくくさせることにある。そのため、この効果は、第２の部位における支持部長さが長いほど有効である。   By the way, the purpose of the cantilever structure of the semiconductor chip in the conventional semiconductor device described above is to transmit the stress from the resin caused by the difference in linear expansion coefficient of each part to the sensing part located on the protruding tip side of the second part. It is to make it difficult. Therefore, this effect is more effective as the support portion length in the second portion is longer.

しかし、この支持部の長さを長くすることは、結果的に、半導体チップの第２の部位における突出長さの増加を招き、装置体格の大型化等につながるため、好ましくない。   However, it is not preferable to lengthen the length of the support portion because it results in an increase in the protruding length of the second portion of the semiconductor chip, leading to an increase in the size of the device.

本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、センシング部を有する半導体チップを樹脂で片持ちしてなる半導体装置において、樹脂からの応力のセンシング部への伝達を抑制しつつ、支持部長さの低減に適した構成を実現することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and in a semiconductor device in which a semiconductor chip having a sensing portion is cantilevered with a resin, while suppressing the transmission of stress from the resin to the sensing portion, the length of the support portion An object of the present invention is to realize a configuration suitable for reducing the height.

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明は、センシング部（１０ｃ）を有し、表裏の関係にある両板面（１１、１２）を有する板状をなす半導体チップ（１０）と、半導体チップの一部である第１の部位（１）を封止する樹脂（２０）と、を備え、半導体チップの残部である第２の部位（２）は樹脂より突出しており、センシング部は、第２の部位における突出先端部（１０ｂ）寄りの位置に設けられており、第２の部位のうち樹脂からの突出根元部（１０ｄ）とセンシング部との間の部位は、センシング部を支持する支持部（１０ｅ）とされている半導体装置の製造方法であって、次のような工程を有するものである。   In order to achieve the above object, the invention described in claim 1 includes a semiconductor chip (10) having a sensing part (10c) and a plate-like semiconductor chip (10) having both plate surfaces (11, 12) in a front-back relationship. And a resin (20) for sealing the first part (1) which is a part of the semiconductor chip, and the second part (2) which is the remaining part of the semiconductor chip protrudes from the resin, and the sensing part Is provided at a position close to the protruding tip (10b) in the second part, and the part between the protruding base part (10d) from the resin and the sensing part in the second part is the sensing part. A method of manufacturing a semiconductor device which is a supporting portion (10e) to be supported, which includes the following steps.

すなわち、請求項１の製造方法においては、半導体チップを用意する用意工程と、半導体チップのうち少なくとも第１の部位を樹脂で封止する樹脂封止工程と、樹脂封止工程の後、第２の部位に対してレーザ（ＬＺ）を照射し第２の部位のうち支持部のみを削ることにより、第２の部位のうち支持部のみを第１の部位よりも細くなるようにするレーザ整形工程と、を備え、レーザ整形工程では、半導体チップの突出方向に延びる２つの側面のうち一方にのみ凹部が形成されるようにすることを特徴とする。 That is, in the manufacturing method according to claim 1, a preparing step of preparing a semiconductor chip, a resin sealing step of sealing with tree fat at least a first portion of the semiconductor chip, after the resin sealing step, the by lasers (LZ) cut only the support portion of the second region is irradiated with site 2, for only the second portion sac Chi supporting lifting unit to be thinner than the first portion comprising a laser shaping step, a laser shaping step is characterized to Rukoto as recesses are formed only on one of the two sides extending in the projecting direction of the semiconductor chip.

それによれば、レーザ整形工程によって、センシング部を支持する支持部が、第１の部位よりも細いものとされるため、支持部の支持剛性を低いものにできる。この支持部の支持剛性が低くなれば、樹脂からの応力のセンシング部への伝達が抑制できるため、第２の部位における支持部長さを短くしてもかまわない。   According to this, since the support part that supports the sensing part is made thinner than the first part by the laser shaping step, the support rigidity of the support part can be reduced. If the support rigidity of this support part becomes low, since the transmission of the stress from resin to the sensing part can be suppressed, the support part length in the second part may be shortened.

よって、本発明によれば、樹脂からの応力のセンシング部への伝達を抑制しつつ、支持部長さの低減に適した構成を有する半導体装置を適切に製造し得る製造方法を、提供することができる。   Therefore, according to the present invention, it is possible to provide a manufacturing method capable of appropriately manufacturing a semiconductor device having a configuration suitable for reducing the length of the support portion while suppressing transmission of stress from the resin to the sensing portion. it can.

請求項４に記載の発明は、センシング部（１０ｃ）を有し、表裏の関係にある両板面（１１、１２）を有する板状をなす半導体チップ（１０）と、半導体チップの一部である第１の部位（１）を封止する樹脂（２０）と、を備え、半導体チップの残部である第２の部位（２）は樹脂より突出しており、センシング部は、第２の部位における突出先端部（１０ｂ）寄りの位置に設けられており、第２の部位のうち樹脂からの突出根元部（１０ｄ）とセンシング部との間の部位は、センシング部を支持する支持部（１０ｅ）とされている半導体装置であって、半導体チップの突出方向に延びる２つの側面のうち一方にのみ凹部が形成され、第２の部位のうち支持部のみが、第１の部位よりも細いものとされていることを特徴とする。 The invention according to claim 4 includes a semiconductor chip (10) having a sensing portion (10c) and having both plate surfaces (11, 12) in a front-back relationship, and a part of the semiconductor chip. And a resin (20) that seals a certain first part (1), the second part (2) that is the remaining part of the semiconductor chip protrudes from the resin, and the sensing part is in the second part. It is provided at a position near the protruding tip (10b), and the portion between the protruding base portion (10d) from the resin and the sensing portion in the second portion is a support portion (10e) that supports the sensing portion. a semiconductor device which is a, a recess is formed only on one of the two sides extending in the projecting direction of the semiconductor chip, only the second portion sac Chi support portion, has a slender than the first region It is said that it is said.

それによれば、センシング部を支持する支持部が、第１の部位よりも細いものとされることで、支持部の支持剛性を低くできる。この支持部の支持剛性が低くなれば、樹脂からの応力のセンシング部への伝達が抑制できるため、第２の部位における支持部長さを短くしてもかまわない。   According to this, the support rigidity which supports a sensing part can be made low by making a support part thinner than a 1st site | part. If the support rigidity of this support part becomes low, since the transmission of the stress from resin to the sensing part can be suppressed, the support part length in the second part may be shortened.

よって、本発明によれば、センシング部を有する板状の半導体チップの一部を樹脂で封止し、センシング部を含む残部を樹脂より突出させてなる半導体装置において、樹脂からの応力のセンシング部への伝達を抑制しつつ、支持部長さの低減に適した構成を実現することができる。   Therefore, according to the present invention, in a semiconductor device in which a part of a plate-like semiconductor chip having a sensing part is sealed with resin, and the remaining part including the sensing part protrudes from the resin, the sensing part for stress from the resin The structure suitable for reduction of the length of the support portion can be realized while suppressing the transmission to the.

なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。   In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each means described in the claim and this column is an example which shows a corresponding relationship with the specific means as described in embodiment mentioned later.

（ａ）は、本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の概略平面図であり、（ｂ）は、（ａ）中の一点鎖線Ａ−Ａに沿った概略断面図である。(A) is a schematic plan view of the semiconductor device concerning 1st Embodiment of this invention, (b) is a schematic sectional drawing in alignment with the dashed-dotted line AA in (a). （ａ）は、第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法における用意工程を示す概略平面図であり、（ｂ）は、（ａ）中の一点鎖線Ｂ−Ｂに沿った概略断面図である。(A) is a schematic plan view which shows the preparation process in the manufacturing method of the semiconductor device concerning 1st Embodiment, (b) is a schematic sectional drawing along the dashed-dotted line BB in (a). . 第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法における樹脂封止工程を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the resin sealing process in the manufacturing method of the semiconductor device concerning 1st Embodiment. 図３に続く樹脂封止工程を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the resin sealing process following FIG. 図４に続く樹脂封止工程を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the resin sealing process following FIG. 上記樹脂封止工程後の形成物を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows the formation after the said resin sealing process. （ａ）は、第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法におけるレーザ整形工程を示す概略平面図であり、（ｂ）は、（ａ）中の一点鎖線Ｃ−Ｃに沿った概略断面図である。(A) is a schematic plan view which shows the laser shaping process in the manufacturing method of the semiconductor device concerning 1st Embodiment, (b) is a schematic sectional drawing in alignment with the dashed-dotted line CC in (a). is there. （ａ）は、本発明の第２実施形態にかかる半導体装置の概略平面図であり、（ｂ）は、（ａ）中の一点鎖線Ｄ−Ｄに沿った概略断面図である。(A) is a schematic plan view of the semiconductor device concerning 2nd Embodiment of this invention, (b) is a schematic sectional drawing in alignment with the dashed-dotted line DD in (a). （ａ）は、本発明の第３実施形態にかかる半導体装置の概略平面図であり、（ｂ）は、（ａ）中の一点鎖線Ｅ−Ｅに沿った概略断面図である。(A) is a schematic plan view of the semiconductor device concerning 3rd Embodiment of this invention, (b) is a schematic sectional drawing along the dashed-dotted line EE in (a). （ａ）は、本発明の第４実施形態にかかる半導体装置の概略平面図であり、（ｂ）は、（ａ）中の一点鎖線Ｆ−Ｆに沿った概略断面図である。(A) is a schematic plan view of the semiconductor device concerning 4th Embodiment of this invention, (b) is a schematic sectional drawing in alignment with the dashed-dotted line FF in (a). （ａ）は、本発明の第５実施形態にかかる半導体装置の概略平面図であり、（ｂ）は、（ａ）中の一点鎖線Ｇ−Ｇに沿った概略断面図である。(A) is a schematic plan view of the semiconductor device concerning 5th Embodiment of this invention, (b) is a schematic sectional drawing in alignment with the dashed-dotted line GG in (a). 本発明の第６実施形態にかかる半導体装置の概略平面図である。It is a schematic plan view of the semiconductor device concerning 6th Embodiment of this invention.

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, parts that are the same or equivalent to each other are given the same reference numerals in the drawings in order to simplify the description.

（第１実施形態）
本発明の第１実施形態にかかる半導体装置Ｓ１について、図１を参照して述べる。この半導体装置Ｓ１は、たとえば自動車などの車両に搭載され、車両用の各種電子装置を駆動するための装置として適用されるものである。 (First embodiment)
The semiconductor device S1 according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. This semiconductor device S1 is mounted on a vehicle such as an automobile, for example, and is applied as a device for driving various electronic devices for the vehicle.

図１に示されるように、本実施形態の半導体装置Ｓ１は、大きくは、板状をなす半導体チップ１０と、半導体チップ１０の一部を封止する樹脂２０と、を備えて構成されたものである。   As shown in FIG. 1, the semiconductor device S <b> 1 of this embodiment is roughly configured to include a plate-shaped semiconductor chip 10 and a resin 20 that seals a part of the semiconductor chip 10. It is.

半導体チップ１０は、通常の半導体プロセスなどにより形成されたシリコン半導体などよりなり、表裏の関係にある両板面１１、１２および当該両板面１１、１２を連結する側面１３〜１６を有する板状をなす。この半導体チップ１０には、図示しないが、不純物を拡散させてなる拡散配線や、ＳｉＮ、ＳｉＯ２等の無機物質などよりなる膜等が形成されている。 The semiconductor chip 10 is made of a silicon semiconductor formed by a normal semiconductor process or the like, and has a plate shape having both plate surfaces 11 and 12 that are in a front-back relationship and side surfaces 13 to 16 that connect the two plate surfaces 11 and 12. Make. This semiconductor chip 10, although not shown, diffusion line and obtained by diffusing the impurity, SiN, film or the like made of inorganic material such as SiO 2 is formed.

ここでは、半導体チップ１０は典型的な矩形板状をなしているが、具体的には一端部１０ａから他端部１０ｂへ（図１の右から左へ）延びる長方形板状をなすものである。この半導体チップ１０における各外表面については、表裏の関係にある両板面１１、１２の一方の板面を表面１１とし、他方の板面を裏面１２とし、両板面１１、１２の端部を連結する４個の面を側面１３〜１６としている。   Here, the semiconductor chip 10 has a typical rectangular plate shape. Specifically, the semiconductor chip 10 has a rectangular plate shape extending from one end 10a to the other end 10b (from right to left in FIG. 1). . Regarding each outer surface of the semiconductor chip 10, one plate surface of both plate surfaces 11, 12 in a front-back relationship is a surface 11, the other plate surface is a back surface 12, and end portions of both plate surfaces 11, 12. The four surfaces connecting the two are the side surfaces 13-16.

ここで、半導体チップ１０における側面１３〜１６とは、一端部１０ａ側の端面としての第１の側面１３、他端部１０ｂ側の端面としての第２の側面１４、および当該両端部１０ａ、１０ｂ間に延びる（ここではチップ長手方向に延びる）第３の側面１５および第４の側面１６である。そして、半導体チップ１０においては、典型的には表裏の両板面１１、１２が、回路やセンシング部１０ｃ等の素子が形成される素子形成面とされる。   Here, the side surfaces 13 to 16 in the semiconductor chip 10 are the first side surface 13 as the end surface on the one end portion 10a side, the second side surface 14 as the end surface on the other end portion 10b side, and the both end portions 10a and 10b. A third side surface 15 and a fourth side surface 16 extending between them (here extending in the longitudinal direction of the chip). In the semiconductor chip 10, the front and back plate surfaces 11 and 12 are typically element formation surfaces on which elements such as a circuit and a sensing unit 10 c are formed.

本実施形態の半導体チップ１０は、たとえば検出部としてのセンシング部１０ｃを有するセンサチップとして構成される。具体的には、センシング部１０ｃとしてダイアフラムを有する圧力センサや熱式流量センサ、またはセンシング部１０ｃとして可動部を有する加速度センサや角速度センサ等のセンサチップが挙げられる。ここでは、センシング部１０ｃは、半導体チップ１０の他端部１０ｂ側における半導体チップ１０の表面１１に設けられている。   The semiconductor chip 10 of the present embodiment is configured as a sensor chip having a sensing unit 10c as a detection unit, for example. Specifically, a sensor chip such as a pressure sensor or a thermal flow sensor having a diaphragm as the sensing unit 10c, or an acceleration sensor or an angular velocity sensor having a movable part as the sensing unit 10c may be used. Here, the sensing unit 10 c is provided on the surface 11 of the semiconductor chip 10 on the other end 10 b side of the semiconductor chip 10.

そして、半導体チップ１０は、センシング部１０ｃを露出させるべく半導体チップ１０の他端部１０ｂ側を樹脂２０より突出させた状態で、一端部１０ａ側が樹脂２０で封止されている。この樹脂２０は、エポキシ樹脂などのモールド樹脂であり、後述するように金型を用いたトランスファーモールド法等により成形されたものである。   The semiconductor chip 10 is sealed with the resin 20 at the one end 10a side with the other end 10b side of the semiconductor chip 10 protruding from the resin 20 to expose the sensing unit 10c. This resin 20 is a mold resin such as an epoxy resin, and is molded by a transfer molding method using a mold as will be described later.

ここで、半導体チップ１０において、樹脂２０で封止されている部位すなわち被封止部を第１の部位１とし、樹脂２０より突出している部位すなわち突出部を第２の部位２とする。そして、第１の部位１は、半導体チップ１０の一端部１０ａ側に位置し、第２の部位２は、第１の部位１に隣接し第１の部位１よりも他端部１０ｂ側に位置している。   Here, in the semiconductor chip 10, a portion sealed with the resin 20, that is, a sealed portion is referred to as a first portion 1, and a portion protruding from the resin 20, that is, a protruding portion is referred to as a second portion 2. The first part 1 is located on the one end 10 a side of the semiconductor chip 10, and the second part 2 is adjacent to the first part 1 and located on the other end 10 b side than the first part 1. doing.

ここで、樹脂２０からの突出部である第２の部位２における突出先端部は、半導体チップ１０の他端部１０ｂである。つまり、第２の部位２は、半導体チップ１０のうちの樹脂２０の端部に位置する突出根元部１０ｄから半導体チップ１０の他端部１０ｂまでの部位である。そして、上記したセンシング部１０ｃは、半導体チップ１０のうちの第２の部位２に位置しており、樹脂２０より露出している。   Here, the protruding tip portion in the second portion 2 that is a protruding portion from the resin 20 is the other end portion 10 b of the semiconductor chip 10. That is, the second portion 2 is a portion from the protruding root portion 10 d located at the end portion of the resin 20 in the semiconductor chip 10 to the other end portion 10 b of the semiconductor chip 10. The sensing unit 10 c described above is located in the second part 2 of the semiconductor chip 10 and is exposed from the resin 20.

そして、本実施形態では、第２の部位２における半導体チップ１０の表裏の両板面１１、１２および全ての側面（ここでは第２の側面１４、第３の側面１５および第４の側面１６の３個の側面）、つまり半導体チップ１０における第２の部位２の全ての外表面は、樹脂２０で封止されずに露出している。   In this embodiment, both the front and back plate surfaces 11 and 12 of the semiconductor chip 10 in the second portion 2 and all the side surfaces (here, the second side surface 14, the third side surface 15 and the fourth side surface 16). 3 side surfaces), that is, all outer surfaces of the second portion 2 in the semiconductor chip 10 are exposed without being sealed with the resin 20.

このように、本実施形態では、センシング部１０ｃを含む第２の部位２の全外表面を樹脂２０より露出させることで、樹脂２０による応力からセンシング部１０ｃを解放して精度の良い検出を可能としている。   As described above, in this embodiment, by exposing the entire outer surface of the second part 2 including the sensing unit 10c from the resin 20, the sensing unit 10c is released from the stress caused by the resin 20, and accurate detection is possible. It is said.

また、樹脂２０の内部において、半導体チップ１０は、第１の部位１にて基板３０に固定され支持されている。ここでは、半導体チップ１０の裏面１２と基板３０とを対向させた状態で、半導体チップ１０の第１の部位１と基板３０とが接着剤４０を介して接着されている。この接着剤４０は、たとえエポキシ樹脂等よりなる。   Further, inside the resin 20, the semiconductor chip 10 is fixed and supported on the substrate 30 at the first portion 1. Here, the first portion 1 of the semiconductor chip 10 and the substrate 30 are bonded via an adhesive 40 in a state where the back surface 12 of the semiconductor chip 10 and the substrate 30 are opposed to each other. The adhesive 40 is made of an epoxy resin or the like.

また、この基板３０としては、Ｃｕや４２アロイなどの導電性に優れた金属よりなるリードフレームやプリント基板、セラミック基板、フレキシブル基板などの配線基板などが挙げられる。ここでは、基板３０はリードフレームよりなり、半導体チップ１０の第１の部位１とともに、樹脂２０で封止されている。   Moreover, as this board | substrate 30, wiring boards, such as a lead frame which consists of metals excellent in electroconductivity, such as Cu and 42 alloy, a printed board, a ceramic board | substrate, a flexible substrate, etc. are mentioned. Here, the substrate 30 is formed of a lead frame and is sealed with the resin 20 together with the first portion 1 of the semiconductor chip 10.

また、図示しないが、半導体チップ１０と基板３０とは、樹脂２０の内部にてワイヤボンディングなどにより電気的に接続されている。さらに、基板３０の一部は外部端子３１として構成され、この基板３０の外部端子３１は樹脂２０より露出して外部と電気的に接続されるようになっている。ここでは、外部端子３１は、半導体チップ１０と反対側にて樹脂２０より突出している。   Although not shown, the semiconductor chip 10 and the substrate 30 are electrically connected inside the resin 20 by wire bonding or the like. Furthermore, a part of the substrate 30 is configured as an external terminal 31, and the external terminal 31 of the substrate 30 is exposed from the resin 20 and is electrically connected to the outside. Here, the external terminal 31 protrudes from the resin 20 on the side opposite to the semiconductor chip 10.

また、上述のように、本実施形態では、樹脂２０の応力からセンシング部１０ｃを解放して高精度検出を可能とするが、そのために、センシング部１０ｃと樹脂２０との距離を大きくする構成とされている。具体的には、センシング部１０ｃは、第２の部位２において、第２の部位２の突出先端部である半導体チップ１０の他端部１０ｂ寄りの位置に設けられている。   In addition, as described above, in the present embodiment, the sensing unit 10c is released from the stress of the resin 20 to enable high-precision detection. For this purpose, the distance between the sensing unit 10c and the resin 20 is increased. Has been. Specifically, the sensing unit 10 c is provided in the second part 2 at a position near the other end part 10 b of the semiconductor chip 10, which is a protruding tip part of the second part 2.

ここで、第２の部位２のうち半導体チップ１０の他端部１０ｂとセンシング部１０ｃとの間の部位は、センシング部１０ｃを支持する支持部１０ｅとされている。なお、図１では、第２の部位２のうち支持部１０ｅに相当する部位を、両矢印の範囲内の部位として示してあるが、この支持部１０ｅを示す両矢印の長さは、同時に支持部１０ｅの長さＬ２に相当するものであることは言うまでもない。   Here, the part between the other end part 10b of the semiconductor chip 10 and the sensing part 10c in the second part 2 is a support part 10e that supports the sensing part 10c. In FIG. 1, the portion corresponding to the support portion 10e in the second portion 2 is shown as a portion within the range of the double arrow, but the length of the double arrow indicating the support portion 10e is supported simultaneously. Needless to say, this corresponds to the length L2 of the portion 10e.

つまり、樹脂２０からの応力を、センシング部１０ｃへ伝わりにくくさせるためには、第２の部位２における突出根元部１０ｄとセンシング部１０ｃとの距離、すなわち、支持部１０ｅの長さＬ２が長いほど有効である。しかし、この支持部１０ｅの長さＬ２を長くすることは、第２の部位２の突出長さの増加を招き、装置体格の大型化等につながってしまう。   That is, in order to make it difficult for the stress from the resin 20 to be transmitted to the sensing unit 10c, the longer the distance between the projecting root 10d and the sensing unit 10c in the second part 2, that is, the length L2 of the support unit 10e is, It is valid. However, increasing the length L2 of the support portion 10e leads to an increase in the protruding length of the second portion 2, leading to an increase in the size of the apparatus.

そのような点を考慮して、本実施形態においては、半導体チップ１０において、第２の部位２のうち少なくとも支持部１０ｅが第１の部位１よりも細いものとされた構成を、採用している。ここで、第２の部位２のうち支持部１０ｅのみが第１の部位１よりも細いものであってもよいが、本実施形態では、第２の部位２の全体が第１の部位１よりも細いものとされている。   In consideration of such a point, in the present embodiment, the semiconductor chip 10 employs a configuration in which at least the support portion 10e of the second portion 2 is thinner than the first portion 1. Yes. Here, only the support portion 10e of the second part 2 may be thinner than the first part 1, but in the present embodiment, the entire second part 2 is larger than the first part 1. Are also considered to be thin.

具体的には、図１に示されるように、第２の部位２の突出方向（図１（ａ）の左右方向）と直交する方向（図１（ａ）の上下方向）において、支持部１０ｅを含む第２の部位２の全体が、第１の部位１の幅Ｗ１よりも小さい幅Ｗ２とされている。つまり、これら幅Ｗ１およびＷ２は、半導体チップ１０における第２の部位２の突出方向と直交する方向を幅方向としたとき、当該幅方向に沿った寸法である。   Specifically, as shown in FIG. 1, the support portion 10e in a direction (vertical direction in FIG. 1A) perpendicular to the protruding direction of the second portion 2 (horizontal direction in FIG. 1A). The entire second portion 2 including the width W2 is smaller than the width W1 of the first portion 1. That is, these widths W1 and W2 are dimensions along the width direction when the direction perpendicular to the protruding direction of the second portion 2 in the semiconductor chip 10 is the width direction.

ここでは、第２の部位２の全体が、支持部１０ｅの幅Ｗ２と同一の幅とされている。ただし、ここでは、第１の部位１および第２の部位２の両方において、つまり、半導体チップ１０の全体において、板厚は一定とされている。これにより、本実施形態においては、幅Ｗ１、Ｗ２方向において、支持部１０ｅを含む第２の部位２の全体が、第１の部位１よりも細いものとされている。   Here, the entire second portion 2 has the same width as the width W2 of the support portion 10e. However, here, the plate thickness is constant in both the first part 1 and the second part 2, that is, in the entire semiconductor chip 10. Thereby, in this embodiment, the whole 2nd site | part 2 including the support part 10e is made thinner than the 1st site | part 1 in the width W1 and W2 direction.

次に、本実施形態の半導体装置Ｓ１の製造方法について、図２〜図７を参照して述べる。まず、用意工程において、半導体プロセスにより形成された半導体チップ１０を用意する。   Next, a method for manufacturing the semiconductor device S1 of the present embodiment will be described with reference to FIGS. First, in the preparation step, a semiconductor chip 10 formed by a semiconductor process is prepared.

半導体チップ１０は、後述するレーザ照射により削られて最終的に上記したような部分的に幅Ｗ１、Ｗ２が相違する構成となるが、用意工程では、削られる前のもの、すなわち、チップ全体が第１の部位１の幅Ｗ１とされた半導体チップ１０を用意する。   The semiconductor chip 10 is scraped by laser irradiation, which will be described later, and finally has a configuration in which the widths W1 and W2 are partially different as described above. A semiconductor chip 10 having a width W1 of the first part 1 is prepared.

そして、基板３０に半導体チップ１０を接着剤４０により固定し、必要に応じて、ワイヤボンディング等により基板３０と半導体チップ１０とを電気的に接続する。こうして用意工程が終了するが、ここまでの形成物の状態が図２に示される。   Then, the semiconductor chip 10 is fixed to the substrate 30 with an adhesive 40, and the substrate 30 and the semiconductor chip 10 are electrically connected by wire bonding or the like as necessary. The preparation process is thus completed, and the state of the formed product so far is shown in FIG.

次に、図３〜図６に示される樹脂封止工程を行う。この工程は、樹脂２０の成形用の金型１００を用いたトランスファーモールド法により行い、半導体チップ１０のうち少なくとも第１の部位１を樹脂２０で封止するものである。ここでは、半導体チップ１０の第１の部位１、基板３０、および、半導体チップ１０の第２の部位２の一部を、樹脂２０で封止する。   Next, the resin sealing step shown in FIGS. 3 to 6 is performed. This step is performed by a transfer molding method using a mold 100 for molding the resin 20, and at least the first portion 1 of the semiconductor chip 10 is sealed with the resin 20. Here, the first part 1 of the semiconductor chip 10, the substrate 30, and a part of the second part 2 of the semiconductor chip 10 are sealed with the resin 20.

ここでは、金型１００は、典型的な構成を有するもので、図３〜５に示されるように、脱着可能な上型１０１と下型１０２と備えている。そして、これら上下型１０１、１０２を離脱可能に合致させることにより、当該上下型１０１、１０２の間に、樹脂２０の外形に対応する空間形状を有するキャビティ１０４を形成する。   Here, the mold 100 has a typical configuration, and includes an upper mold 101 and a lower mold 102 that are detachable as shown in FIGS. Then, by matching the upper and lower molds 101 and 102 so as to be detachable, a cavity 104 having a spatial shape corresponding to the outer shape of the resin 20 is formed between the upper and lower molds 101 and 102.

具体的には、金型１００の内面は、半導体チップ１０の第２の部位２における表裏両板面１１、１２に対応する位置に突起１０５を有している。そして、用意された上記形成物を金型１００に設置したときには、突起１０５が第２の部位２の表裏両板面１１、１２に接触して樹脂２０が付着しない状態とされる。   Specifically, the inner surface of the mold 100 has protrusions 105 at positions corresponding to the front and back both plate surfaces 11 and 12 in the second portion 2 of the semiconductor chip 10. When the prepared product prepared is placed on the mold 100, the protrusion 105 comes into contact with the front and back plate surfaces 11, 12 of the second part 2 and the resin 20 is not attached.

ただし、この金型１００のキャビティ１０４は、図６に示される樹脂封止工程後の形成物に見られるように、半導体チップ１０の第２の部位２の側面１４〜１６周りに配置され、これら側面１４〜１６を封止している樹脂２０の形状に対応したものである。つまり、このキャビティ１０４は、当該第２の部位２の表裏両板面１１、１２は露出させつつ側面１４〜１６は封止する樹脂２０の外形に対応している。   However, the cavity 104 of this metal mold | die 100 is arrange | positioned around the side surfaces 14-16 of the 2nd site | part 2 of the semiconductor chip 10, as seen in the formation after the resin sealing process shown by FIG. This corresponds to the shape of the resin 20 sealing the side surfaces 14 to 16. In other words, the cavity 104 corresponds to the outer shape of the resin 20 to be sealed while the front and back plate surfaces 11 and 12 of the second portion 2 are exposed and the side surfaces 14 to 16 are sealed.

そして、この金型１００の内面すなわちキャビティ１０４の内面には、ポリイミドやＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレンの略称）等の樹脂よりなるフィルム１０３が貼り付けられ、固定されている。このフィルム１０３の固定は、たとえば金型１００に図示しない孔を設け、その孔を介した吸引力による吸着等の方法により行う。   A film 103 made of a resin such as polyimide or PTFE (abbreviation of polytetrafluoroethylene) is attached and fixed to the inner surface of the mold 100, that is, the inner surface of the cavity 104. The film 103 is fixed, for example, by a method such as providing a hole (not shown) in the mold 100 and adsorbing with a suction force through the hole.

そして、図３、図４に示されるように、金型１００に半導体チップ１０および基板３０を設置し、上下型１０１、１０２を合致させる。   Then, as shown in FIGS. 3 and 4, the semiconductor chip 10 and the substrate 30 are placed on the mold 100, and the upper and lower molds 101 and 102 are matched.

これにより、半導体チップ１０の第２の部位２のうち半導体チップ１０の表裏両板面１１、１２に金型１００を介してフィルム１０３を密着させた状態とする。このフィルム１０３により、半導体チップ１０と金型１００との密着性を確保でき、また、半導体チップ１０へのダメージが緩和される。   Thus, the film 103 is brought into close contact with the front and back plate surfaces 11 and 12 of the semiconductor chip 10 through the mold 100 in the second portion 2 of the semiconductor chip 10. With this film 103, the adhesion between the semiconductor chip 10 and the mold 100 can be secured, and damage to the semiconductor chip 10 can be reduced.

そして、樹脂封止工程では、この状態で、金型１００に樹脂２０を充填する。それにより、第２の部位２における半導体チップ１０の表裏両板面１１、１２は樹脂２０より露出させつつ、第２の部位２における半導体チップの側面１４〜１６と第１の部位１とが樹脂２０で封止される。   In the resin sealing step, the mold 20 is filled with the resin 20 in this state. Thereby, the front and back both plate surfaces 11 and 12 of the semiconductor chip 10 in the second part 2 are exposed from the resin 20, while the side surfaces 14 to 16 of the semiconductor chip and the first part 1 in the second part 2 are made of resin. 20 is sealed.

具体的には、金型１００のキャビティ１０４内にて、樹脂２０は、半導体チップ１０の第１の部位１および基板３０を封止しつつ、半導体チップ１０の第２の部位２における側面１４〜１６に回り込み、これら側面１４〜１６を封止する。このとき、第２の部位２の表裏両板面１１、１２は、上記突起１０５によってフィルム１０３が密着しているので、樹脂２０は付着しない。   Specifically, in the cavity 104 of the mold 100, the resin 20 seals the first portion 1 of the semiconductor chip 10 and the substrate 30, and the side surfaces 14 to 2 in the second portion 2 of the semiconductor chip 10. 16 and the side surfaces 14 to 16 are sealed. At this time, since the film 103 is in close contact with the front and back plate surfaces 11 and 12 of the second portion 2 by the protrusion 105, the resin 20 does not adhere.

この樹脂２０による封止後は、図５に示されるように、上下型１０１、１０２を離脱させて金型１００から形成物を取り出す。こうして、図６に示されるように、第２の部位２における表裏両板面１１、１２が露出しつつ、第２の部位２における全側面１４〜１６、第１の部位１および基板３０が樹脂２０で封止されてなる形成物ができあがる。ここまでが本実施形態の樹脂封止工程である。   After sealing with the resin 20, as shown in FIG. 5, the upper and lower molds 101 and 102 are detached and the formed product is taken out from the mold 100. In this way, as shown in FIG. 6, the front and back both plate surfaces 11 and 12 in the second part 2 are exposed, and all the side surfaces 14 to 16 in the second part 2, the first part 1 and the substrate 30 are made of resin. The formed product is sealed with 20. This is the resin sealing process of this embodiment.

次に、図７に示されるレーザ整形工程を行う。この工程では、第２の部位２における半導体チップ１０の側面１４〜１６に位置する樹脂２０に対してレーザＬＺを照射して、当該樹脂２０を除去する。   Next, the laser shaping process shown in FIG. 7 is performed. In this step, the resin 20 is removed by irradiating the resin 20 positioned on the side surfaces 14 to 16 of the semiconductor chip 10 in the second region 2 with the laser LZ.

それとともに、レーザ整形工程では、半導体チップ１０の第２の部位２に対してレーザＬＺを照射し第２の部位２を削ることにより、支持部１０ｅを含む第２の部位２の全体を第１の部位１よりも細くなるようにする。ここでは、第２の部位２の全体が、第１の部位１の幅Ｗ１よりも小さい幅Ｗ２となるように、第２の部位２の全体を第１の部位１よりも細いものとする。   At the same time, in the laser shaping step, the second part 2 of the semiconductor chip 10 is irradiated with the laser LZ to cut the second part 2, thereby removing the entire second part 2 including the support portion 10 e from the first part 2. It is made thinner than the part 1 of. Here, the entire second portion 2 is thinner than the first portion 1 so that the entire second portion 2 has a width W2 smaller than the width W1 of the first portion 1.

レーザＬＺは、第２の部位２における側面１４〜１６に沿って図７中の破線矢印に示されるように、スキャンしながら照射していく。具体的には、レーザＬＺを、上記図６における第２の部位２と樹脂２０との界面に沿って照射していく。ここで、レーザＬＺの照射は、半導体チップ１０の表面１１側から行ってもよいし、裏面１２側から行うようにしてもよい。   The laser LZ irradiates while scanning as indicated by the broken-line arrows in FIG. 7 along the side surfaces 14 to 16 in the second portion 2. Specifically, the laser LZ is irradiated along the interface between the second portion 2 and the resin 20 in FIG. Here, the laser LZ irradiation may be performed from the front surface 11 side of the semiconductor chip 10 or from the rear surface 12 side.

これにより、当該界面を挟んで樹脂２０および第２の部位２の両方にレーザＬＺが照射されるため、第２の部位２の側面１４〜１６周りの樹脂２０が除去されるとともに、第２の部位２の外郭全体すなわち側面１４〜１６周りの全周部分が削られる。   As a result, both the resin 20 and the second portion 2 are irradiated with the laser LZ across the interface, so that the resin 20 around the side surfaces 14 to 16 of the second portion 2 is removed and the second portion 2 is removed. The entire outline of the portion 2, that is, the entire peripheral portion around the side surfaces 14 to 16 is cut.

こうして、支持部１０ｅを含む第２の部位２の全体が、第１の部位１の幅Ｗ１よりも小さい幅Ｗ２となる。つまり、上記図１に示したような部分的に幅Ｗ１、Ｗ２が相違する半導体チップ１０ができあがる。   Thus, the entire second portion 2 including the support portion 10e has a width W2 that is smaller than the width W1 of the first portion 1. That is, the semiconductor chip 10 having partially different widths W1 and W2 as shown in FIG. 1 is completed.

なお、レーザ整形工程は、上記した幅Ｗ１、Ｗ２の大小関係を実現するべく、第２の部位２を削るものである。そのため、第２の部位２における突出先端部となる第２の側面１４側については、センシング部１０ｃに影響しない程度にレーザＬＺで削ってもよいし、削らなくてもよい。   In the laser shaping process, the second portion 2 is cut away in order to realize the above-described magnitude relationship between the widths W1 and W2. For this reason, the second side surface 14 side that is the protruding tip in the second region 2 may or may not be ground with the laser LZ to the extent that it does not affect the sensing portion 10c.

ここで、本製造方法に用いるレーザＬＺとしては、樹脂２０および半導体チップ１０を焼失できるものであればよい。レーザＬＺとしては通常、短波長のものほどパワーが大きく、半導体チップ１０も削りやすい。   Here, the laser LZ used in the present manufacturing method may be anything that can burn out the resin 20 and the semiconductor chip 10. As the laser LZ, the shorter the wavelength, the larger the power, and the semiconductor chip 10 can be easily cut.

具体的なレーザＬＺとしては、ＹＡＧ（波長：約１μｍ）、ＨｏＹＡＧ（波長：約１．５μｍ）、ＥｒＹＡＧ（波長：約３μｍ）、ＣＯ２（波長：約１０μｍ）、およびファイバーレーザなどが採用される。 Specific examples of the laser LZ include YAG (wavelength: about 1 μm), HoYAG (wavelength: about 1.5 μm), ErYAG (wavelength: about 3 μm), CO 2 (wavelength: about 10 μm), and a fiber laser. The

このように、レーザＬＺとして、樹脂２０および半導体チップ１０の除去を行えるものを用いれば、上記したようにレーザ整形工程において、樹脂２０の除去と半導体チップ１０の第２の部位２の削りを同時に行える。   As described above, when the laser LZ that can remove the resin 20 and the semiconductor chip 10 is used, the removal of the resin 20 and the shaving of the second portion 2 of the semiconductor chip 10 are simultaneously performed in the laser shaping process as described above. Yes.

しかし、たとえばレーザ整形工程の前に、実質的に樹脂２０の除去のみ可能な波長のレーザＬＺを用いて、樹脂２０の除去を行い、続いて、レーザ整形工程では、波長を変えたレーザＬＺを用いて、第２の部位２を削るようにしてもよい。こうして、レーザ整形工程が終了すると、上記図１に示される本実施形態の半導体装置Ｓ１ができあがる。   However, for example, before the laser shaping step, the resin 20 is removed using a laser LZ having a wavelength that can substantially only remove the resin 20, and subsequently, in the laser shaping step, the laser LZ having a changed wavelength is used. It may be used to scrape the second part 2. Thus, when the laser shaping process is completed, the semiconductor device S1 of the present embodiment shown in FIG. 1 is completed.

ところで、本実施形態によれば、レーザ整形工程によって、半導体チップ１０のうちセンシング部１０ｃを支持する支持部１０ｅが、第１の部位１よりも細いものとされるため、支持部１０ｅの支持剛性を低いものにできる。   By the way, according to the present embodiment, the support portion 10e that supports the sensing portion 10c of the semiconductor chip 10 is made thinner than the first portion 1 by the laser shaping process, and thus the support rigidity of the support portion 10e. Can be low.

この支持部１０ｅの支持剛性が低くなれば、樹脂２０からの応力のセンシング部１０ｃへの伝達が抑制できるため、第２の部位２における支持部１０ｅの長さＬ２を短くしてもかまわない。   If the support rigidity of the support portion 10e is reduced, the transmission of stress from the resin 20 to the sensing portion 10c can be suppressed, and therefore the length L2 of the support portion 10e in the second portion 2 may be shortened.

たとえば、樹脂２０からの応力のセンシング部１０ｃへの伝達の影響度は、おおよそ支持部１０ｅの幅の２乗に比例する。そのため、幅Ｗ１と幅Ｗ２との差分のおおよそ２乗に比例して、支持部１０ｅの長さＬ２を短くすることが可能となる。   For example, the degree of influence of transmission of stress from the resin 20 to the sensing unit 10c is approximately proportional to the square of the width of the support unit 10e. Therefore, the length L2 of the support portion 10e can be shortened in proportion to approximately the square of the difference between the width W1 and the width W2.

よって、本実施形態によれば、半導体装置Ｓ１において、樹脂２０からの応力のセンシング部１０ｃへの伝達を抑制しつつ、支持部１０ｅの長さＬ２の低減に適した構成を実現できる。また、本実施形態によれば、そのような効果を有する半導体装置Ｓ１を適切に製造し得る製造方法を、提供することができる。   Therefore, according to the present embodiment, in the semiconductor device S1, it is possible to realize a configuration suitable for reducing the length L2 of the support portion 10e while suppressing transmission of stress from the resin 20 to the sensing portion 10c. Further, according to the present embodiment, it is possible to provide a manufacturing method capable of appropriately manufacturing the semiconductor device S1 having such an effect.

（第２実施形態）
本発明の第２実施形態にかかる半導体装置Ｓ２について、図８を参照して、上記第１実施形態との相違点を中心に述べる。 (Second Embodiment)
The semiconductor device S2 according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 8, focusing on the differences from the first embodiment.

上記第１実施形態は、第２の部位２の突出方向と直交する幅方向において、第２の部位２の全体を第１の部位１の幅Ｗ１よりも小さい幅Ｗ２とするものであった。そして、これを実現するために、第２の部位２における突出方向に延びる２つの側面の両方、すなわち第３の側面１５および第４の側面１６が、レーザＬＺによって削られた構成とするものであった。   In the first embodiment, the entire second portion 2 is set to have a width W2 smaller than the width W1 of the first portion 1 in the width direction orthogonal to the protruding direction of the second portion 2. And in order to implement | achieve this, it is set as the structure by which both the two side surfaces extended in the protrusion direction in the 2nd site | part 2, ie, the 3rd side surface 15 and the 4th side surface 16, were scraped by the laser LZ. there were.

これに対して、図８に示されるように、本実施形態では、当該２つの側面の一方側のみがレーザＬＺで削られた構成、ここでは、第３の側面１５側のみが削られた構成としている。これにより、本実施形態においても、第２の部位２の全体が第１の部位１の幅Ｗ１よりも小さい幅Ｗ２とされている。なお、本実施形態では、第２の部位２における第４の側面１６側のみが削られた構成を採用してもよい。   On the other hand, as shown in FIG. 8, in the present embodiment, a configuration in which only one side of the two side surfaces is scraped by the laser LZ, here, a configuration in which only the third side surface 15 side is scraped. It is said. Thereby, also in this embodiment, the whole 2nd site | part 2 is made into the width W2 smaller than the width W1 of the 1st site | part 1. FIG. In the present embodiment, a configuration in which only the fourth side surface 16 side in the second part 2 is cut may be employed.

本実施形態の半導体装置Ｓ２は、上記第１実施形態のレーザ整形工程においてレーザＬＺの照射位置を調整することで、第２の部位２における第３の側面１５側のみが削られるようにすれば製造できることは言うまでも無い。そして、本実施形態においても、上記第１実施形態と同様の作用効果を期待することができる。   In the semiconductor device S2 of the present embodiment, by adjusting the irradiation position of the laser LZ in the laser shaping process of the first embodiment, only the third side surface 15 side in the second part 2 is scraped. Needless to say, it can be manufactured. In this embodiment, the same effect as that in the first embodiment can be expected.

（第３実施形態）
本発明の第３実施形態にかかる半導体装置Ｓ３について、図９を参照して、上記第１実施形態との相違点を中心に述べる。上記第１実施形態は、第２の部位２の突出方向と直交する幅方向において、第２の部位２の全体を第１の部位１の幅Ｗ１よりも小さい幅Ｗ２とするものであった。 (Third embodiment)
A semiconductor device S3 according to the third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 9, focusing on differences from the first embodiment. In the first embodiment, the entire second portion 2 is set to have a width W2 smaller than the width W1 of the first portion 1 in the width direction orthogonal to the protruding direction of the second portion 2.

これに対して、図９に示されるように、本実施形態では、第２の部位２の突出方向と直交する幅方向において、第２の部位２のうちの支持部１０ｅのみが、第１の部位１の幅Ｗ１よりも小さい幅Ｗ２とされた構成としている。これにより、本実施形態の半導体チップ１０においては、第２の部位２のうち支持部１０ｅのみが第１の部位１よりも細くされたものとなっている。   On the other hand, as shown in FIG. 9, in the present embodiment, only the support portion 10 e of the second part 2 is the first part in the width direction orthogonal to the protruding direction of the second part 2. The width W2 is smaller than the width W1 of the part 1. As a result, in the semiconductor chip 10 of the present embodiment, only the support portion 10 e of the second portion 2 is made thinner than the first portion 1.

本実施形態の半導体装置Ｓ３は、上記第１実施形態のレーザ整形工程においてレーザＬＺの照射位置を調整することで、第２の部位２における支持部１０ｅのみが削られるようにすれば製造できることは言うまでも無い。そして、本実施形態においても、上記第１実施形態と同様の作用効果を期待することができる。   The semiconductor device S3 of the present embodiment can be manufactured by adjusting the irradiation position of the laser LZ in the laser shaping step of the first embodiment so that only the support portion 10e in the second part 2 is scraped. Needless to say. In this embodiment, the same effect as that in the first embodiment can be expected.

なお、図９では、支持部１０ｅにおいて第３の側面１５および第４の側面１６の両側が削られた構成とされているが、本実施形態においても、上記第２実施形態のように、第３の側面１５側のみ、あるいは、第４の側面１６側のみが削られた構成としてもよいことは、言うまでも無い。   In FIG. 9, both sides of the third side surface 15 and the fourth side surface 16 are cut off in the support portion 10e. However, in this embodiment as well, as in the second embodiment, Needless to say, only the side surface 15 side of the third side or only the side surface of the fourth side surface 16 may be cut off.

（第４実施形態）
本発明の第４実施形態にかかる半導体装置Ｓ４について、図１０を参照して述べる。本実施形態は上記第３実施形態を一部変形したところが相違するものであり、上記第３実施形態との相違点を中心に述べる。 (Fourth embodiment)
A semiconductor device S4 according to the fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The present embodiment is different from the third embodiment in part, and the difference from the third embodiment will be mainly described.

図１０に示されるように、本実施形態の半導体装置Ｓ４では、上記図９に示される第３実施形態の半導体装置Ｓ３において、第２の部位２に存在する角部の少なくとも一部が面取りされた角部Ｍとされている。ここで、面取りとは、角部を削って直角よりも大きい鈍角とするものである。   As shown in FIG. 10, in the semiconductor device S4 of the present embodiment, at least part of the corners present in the second portion 2 are chamfered in the semiconductor device S3 of the third embodiment shown in FIG. It is set as the corner M. Here, the chamfering is to make an obtuse angle larger than a right angle by cutting a corner.

具体的に、この角部Ｍは、第２の部位２における第２の側面１４と第３の側面１５との角部、および、第２の側面１４と第４の側面１６との角部である。なお、これらの角部の一方のみが面取りされた構成であってもよい。このような面取りは、レーザ整形工程において当該角部をレーザＬＺの照射で削ることにより実現される。   Specifically, the corner portion M is a corner portion between the second side surface 14 and the third side surface 15 and a corner portion between the second side surface 14 and the fourth side surface 16 in the second portion 2. is there. In addition, the structure by which only one of these corner | angular parts was chamfered may be sufficient. Such chamfering is realized by shaving the corner by laser LZ irradiation in the laser shaping process.

そして、本実施形態によれば、半導体チップ１０において角部が面取りされていない場合には、当該角部に応力集中が発生しやすいが、面取りすることで、そのような半導体チップに発生する応力を緩和できる。また、面取りされていない角部が存在すると、その部分で欠けが発生しやすいが、そのような欠けの防止も期待できる。   According to the present embodiment, when the corner portion is not chamfered in the semiconductor chip 10, stress concentration is likely to occur in the corner portion, but the stress generated in such a semiconductor chip by chamfering. Can be relaxed. In addition, if there are corners that are not chamfered, chipping is likely to occur in those portions, but prevention of such chipping can also be expected.

なお、本実施形態は、第２の部位２の角部を面取りするものであるから、第２の部位２に角部を有する半導体チップ１０を備えたものであるならば、上記第３実施形態以外の各実施形態についても組み合わせて適用することが可能である。   In this embodiment, since the corner portion of the second portion 2 is chamfered, if the semiconductor chip 10 having the corner portion is provided in the second portion 2, the third embodiment described above. It is possible to apply in combination also about each embodiment other than.

（第５実施形態）
本発明の第５実施形態にかかる半導体装置Ｓ５について、図１１を参照して、上記第１実施形態との相違点を中心に述べる。本実施形態では、第２の部位２における削られる部位が第１実施形態とは相違すること、および、後述する対向壁２４〜２６を有することが、相違点である。 (Fifth embodiment)
A semiconductor device S5 according to a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 11, focusing on differences from the first embodiment. The present embodiment is different from the first embodiment in that a portion to be cut in the second portion 2 is different from that in the first embodiment and has opposing walls 24 to 26 described later.

まず、図１１に示されるように、本実施形態の半導体チップ１０では、第２の部位２の全体ではなく、支持部１０ｅのみが、第１の部位１の幅Ｗ１よりも小さい幅Ｗ２とされている。これにより、第２の部位２のうち支持部１０ｅのみが第１の部位１よりも細くされたものとなっている。   First, as shown in FIG. 11, in the semiconductor chip 10 of the present embodiment, only the support portion 10 e, not the entire second portion 2, has a width W2 that is smaller than the width W1 of the first portion 1. ing. As a result, only the support portion 10 e of the second part 2 is made thinner than the first part 1.

これにより、本実施形態によっても、上記第１実施形態と同様の作用効果を期待することができる。なお、本実施形態においても、上記図９と同様に、支持部１０ｅにおいて第３の側面１５および第４の側面１６の両側が削られた構成としてもよいことは、言うまでも無い。   Thereby, also by this embodiment, the effect similar to the said 1st Embodiment can be anticipated. In this embodiment, it is needless to say that both the third side surface 15 and the fourth side surface 16 may be cut off in the support portion 10e as in FIG.

また、本実施形態においては、樹脂２０の一部が、第２の部位２の側面１４〜１６周りを取り囲む対向壁２４〜２６として構成されている。この対向壁２４〜２６は、第２の部位２における側面１４〜１６に隙間２２を有して対向するように、樹脂２０の一部が第１の部位１側から第２の部位２側に延長されたものである。   Moreover, in this embodiment, a part of resin 20 is comprised as the opposing walls 24-26 which surround the surroundings of the side surfaces 14-16 of the 2nd site | part 2. As shown in FIG. The facing walls 24 to 26 are such that a part of the resin 20 moves from the first part 1 side to the second part 2 side so as to face the side surfaces 14 to 16 in the second part 2 with a gap 22. It has been extended.

具体的には、第２の部位２において第２の側面１４に対向する対向壁２４と、第３の側面１５に対向する対向壁２５と、第４の側面１６に対向する対向壁２６とが設けられている。そして、各対向壁２４〜２６は、第１の部位１を封止する樹脂２０ととともに一体となっており、第２の部位２を取り囲む矩形枠状に形成されている。   Specifically, in the second region 2, an opposing wall 24 that faces the second side surface 14, an opposing wall 25 that faces the third side surface 15, and an opposing wall 26 that faces the fourth side surface 16. Is provided. Each of the opposing walls 24 to 26 is integrated with the resin 20 that seals the first part 1 and is formed in a rectangular frame shape surrounding the second part 2.

このように、対向壁２４〜２６が、これに対向する第２の部位２の側面１４〜１６を覆うことで、第２の部位２の周囲が保護されるため、第２の部位２に対する周囲部材の干渉防止や異物の衝突防止等が期待できる。また、対向壁２４〜２６は第２の部位２とは隙間２２を介して離間しているため、樹脂２０による応力が第２の部位２に発生しにくくなるという利点もある。   Thus, since the circumference | surroundings of the 2nd site | part 2 are protected because the opposing walls 24-26 cover the side surfaces 14-16 of the 2nd site | part 2 which opposes this, the circumference | surroundings with respect to the 2nd site | part 2 It can be expected to prevent member interference and foreign matter collision. Further, since the opposing walls 24 to 26 are separated from the second part 2 via the gap 22, there is an advantage that stress due to the resin 20 is hardly generated in the second part 2.

本実施形態の半導体装置Ｓ５は、上記第１実施形態のレーザ整形工程においてレーザＬＺの照射位置を調整することで、製造できることは言うまでも無い。また、対向壁２４〜２６については、上記各実施形態についても組み合わせて適用することが可能であることは言うまでも無い。   Needless to say, the semiconductor device S5 of the present embodiment can be manufactured by adjusting the irradiation position of the laser LZ in the laser shaping step of the first embodiment. Moreover, it cannot be overemphasized that it is possible to apply combining about said each embodiment about the opposing walls 24-26.

（第６実施形態）
本発明の第６実施形態にかかる半導体装置Ｓ６について、図１２を参照して述べる。本実施形態は、上記図８〜図１１に示されるような第２の部位２の外郭全体ではなく、一部のみをレーザ整形工程にてレーザＬＺで削ることによって、当該削られた部位を細くする場合に適用されるものである。 (Sixth embodiment)
A semiconductor device S6 according to a sixth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the present embodiment, not the entire outline of the second part 2 as shown in FIGS. 8 to 11 above, but only a part thereof is shaved with the laser LZ in the laser shaping step, so that the shaved part is thinned. It is applied when doing.

この場合、図１２に示されるように、半導体装置Ｓ６における第２の部位２のうちレーザＬＺで削られない部位では、側面１４〜１６に薄く樹脂２０ａを残すようにしてもよい。   In this case, as shown in FIG. 12, the resin 20 a may be left thin on the side surfaces 14 to 16 in the second portion 2 of the semiconductor device S <b> 6 that is not scraped by the laser LZ.

なお、図１２では、第２の部位２の外郭のうち支持部１０ｅにおける第３の側面１５側のみ削ることで、上記の幅Ｗ２となる部位を形成し、それ以外の外郭の部分には樹脂２０ａを残している。ここで、上記図８〜図１１においても、削られない部位に同様に樹脂２０ａを残すことができることはもちろんである。   In FIG. 12, only the third side surface 15 side of the support portion 10 e in the outer portion of the second portion 2 is scraped to form the portion having the width W 2, and the other outer portion is made of resin. 20a is left. Here, of course, in FIGS. 8 to 11 as well, the resin 20a can be similarly left in a portion that is not shaved.

また、本実施形態は、第２の部位２のうちレーザＬＺで削られない部位に薄く樹脂２０ａを残すものであるから、上記第５実施形態にて述べた対向壁２４〜２６とも組み合わせて適用できることは言うまでも無い。   In addition, since the present embodiment thinly leaves the resin 20a in a portion of the second portion 2 that is not scraped by the laser LZ, the present embodiment is also applied in combination with the facing walls 24-26 described in the fifth embodiment. Needless to say, you can.

（他の実施形態）
なお、上記第１実施形態では、樹脂封止工程において、半導体チップ１０の第１の部位１以外に第２の部位２の一部、すなわち第２の部位２の側面１４〜１６を樹脂２０で封止した。そして、その後、レーザＬＺで第２の部位２周りの樹脂２０を除去した。 (Other embodiments)
In the first embodiment, in the resin sealing step, in addition to the first part 1 of the semiconductor chip 10, a part of the second part 2, that is, the side surfaces 14 to 16 of the second part 2 are made of the resin 20. Sealed. Thereafter, the resin 20 around the second portion 2 was removed with the laser LZ.

これに対して、樹脂封止工程では、第２の部位２の全体を樹脂２０で封止するようにしてもよい。つまり、半導体チップ１０の全体を樹脂２０で封止するようにしてもよい。この場合、金型のキャビティ形状が簡素化される等の利点がある。   On the other hand, in the resin sealing step, the entire second portion 2 may be sealed with the resin 20. That is, the entire semiconductor chip 10 may be sealed with the resin 20. In this case, there is an advantage that the cavity shape of the mold is simplified.

そして、この場合には、続くレーザ整形工程では、たとえば半導体チップ１０の上下左右方向からレーザＬＺを照射し、その照射位置を適宜調整することにより、樹脂２０の除去および第２の部位２の削りを行うようにすればよい。   In this case, in the subsequent laser shaping step, for example, the laser LZ is irradiated from the top, bottom, left, and right directions of the semiconductor chip 10 and the irradiation position is adjusted as appropriate, whereby the resin 20 is removed and the second portion 2 is shaved. Should be done.

また、樹脂封止工程は、トランスファー成形やコンプレッション成形等の金型１００を用いた成形方法以外にも、たとえばポッティング等により樹脂２０の成形を行うようにしてもよい。   Further, in the resin sealing step, the resin 20 may be molded by, for example, potting, in addition to the molding method using the mold 100 such as transfer molding or compression molding.

また、樹脂封止工程において、金型に工夫を持たせる等により、第１の部位１のみを封止し、第２の部位２の全体を露出させるように樹脂２０の成形を行うようにしてもよい。この場合のレーザ整形工程は、上記したような樹脂２０の除去を兼ねたものとする必要は無く、レーザＬＺによって、半導体チップ１０の第２の部位２を削ることのみ行うようにすればよいものとなる。   Further, in the resin sealing process, the resin 20 is molded so that only the first part 1 is sealed and the entire second part 2 is exposed, for example, by giving an idea to the mold. Also good. In this case, the laser shaping process does not need to serve as the removal of the resin 20 as described above, and only needs to be performed by shaving the second portion 2 of the semiconductor chip 10 with the laser LZ. It becomes.

また、上記各実施形態では、半導体チップ１０において第２の部位２のうち少なくとも支持部１０ｅが、第１の部位１の幅Ｗ１よりも小さい幅Ｗ２となるようにすることで、支持部１０ｅを、第１の部位１よりも細いものとしていた。   Further, in each of the above embodiments, in the semiconductor chip 10, at least the support portion 10 e of the second portion 2 has the width W <b> 2 smaller than the width W <b> 1 of the first portion 1. The first part 1 is thinner than the first part 1.

これに対して、第２の部位２のうち少なくとも支持部１０ｅが、第１の部位１の板厚よりも小さい板厚となるようにすることで、支持部１０ｅを、板厚方向にて第１の部位１よりも細いものとしてもよい。   On the other hand, at least the support portion 10e of the second portion 2 has a plate thickness smaller than the plate thickness of the first portion 1, so that the support portion 10e is moved in the plate thickness direction. It is good also as a thing thinner than the site | part 1 of 1.

つまり、支持部１０ｅを第１の部位１よりも細くすることは、半導体チップ１０の幅方向でもよいし板厚方向でもよい。さらには、これら両方向にて細くするようにしてもよい。ただし、半導体チップ１０の機械的強度等を考慮すれば、半導体チップ１０全体の板厚は一定のまま、上記したように幅方向において両幅Ｗ１、Ｗ２を相違させるようにした方が望ましい。   That is, the support portion 10e may be thinner than the first portion 1 in the width direction of the semiconductor chip 10 or in the plate thickness direction. Further, it may be narrowed in both directions. However, considering the mechanical strength of the semiconductor chip 10 and the like, it is desirable to make the widths W1 and W2 different from each other in the width direction as described above while keeping the thickness of the entire semiconductor chip 10 constant.

また、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。また、上記各実施形態は、互いに無関係なものではなく、組み合わせが明らかに不可な場合を除き、適宜組み合わせが可能であり、また、上記各実施形態は、上記の図示例に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、実施形態を構成する要素は、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。また、上記各実施形態において、実施形態の構成要素の個数、数値、量、範囲等の数値が言及されている場合、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に特定の形状、位置関係等に限定される場合等を除き、その形状、位置関係等に限定されるものではない。   Further, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be appropriately changed within the scope described in the claims. The above embodiments are not irrelevant to each other, and can be combined as appropriate unless the combination is clearly impossible, and the above embodiments are not limited to the illustrated examples. Absent. In each of the above-described embodiments, it is needless to say that elements constituting the embodiment are not necessarily indispensable except for the case where it is clearly indicated that the element is essential and the case where the element is clearly considered essential in principle. Yes. Further, in each of the above embodiments, when numerical values such as the number, numerical value, quantity, range, etc. of the constituent elements of the embodiment are mentioned, it is clearly limited to a specific number when clearly indicated as essential and in principle. The number is not limited to the specific number except for the case. Further, in each of the above embodiments, when referring to the shape, positional relationship, etc. of the component, etc., the shape, unless otherwise specified and in principle limited to a specific shape, positional relationship, etc. It is not limited to the positional relationship or the like.

１ 半導体チップの第１の部位
２ 半導体チップの第２の部位
１０ 半導体チップ
１０ｂ 第２の部位における突出先端部としての半導体チップの他端部
１０ｃ センシング部
１０ｄ 第２の部位における突出根元部
１０ｅ 第２の部位における支持部
１１ 半導体チップの表面
１２ 半導体チップの裏面
２０ 樹脂
ＬＺ レーザ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 1st site | part of a semiconductor chip 2 2nd site | part of a semiconductor chip 10 Semiconductor chip 10b The other end part of the semiconductor chip as a protrusion front-end | tip part in a 2nd site | part 10c Sensing part 10d Projection root part 10e 2nd site | part Supporting part 2 2 11 Semiconductor chip surface 12 Semiconductor chip back surface 20 Resin LZ laser

Claims (7)

センシング部（１０ｃ）を有し、表裏の関係にある両板面（１１、１２）を有する板状をなす半導体チップ（１０）と、
前記半導体チップの一部である第１の部位（１）を封止する樹脂（２０）と、を備え、
前記半導体チップの残部である第２の部位（２）は前記樹脂より突出しており、
前記センシング部は、前記第２の部位における突出先端部（１０ｂ）寄りの位置に設けられており、
前記第２の部位のうち前記樹脂からの突出根元部（１０ｄ）と前記センシング部との間の部位は、前記センシング部を支持する支持部（１０ｅ）とされている半導体装置の製造方法であって、
前記半導体チップを用意する用意工程と、
前記半導体チップのうち少なくとも前記第１の部位を前記樹脂で封止する樹脂封止工程と、
前記樹脂封止工程の後、前記第２の部位に対してレーザ（ＬＺ）を照射し前記第２の部位のうち前記支持部のみを削ることにより、前記第２の部位のうち前記支持部のみを前記第１の部位よりも細くなるようにするレーザ整形工程と、を備え、
前記レーザ整形工程では、前記半導体チップの突出方向に延びる２つの側面のうち一方にのみ凹部が形成されるようにすることを特徴とする半導体装置の製造方法。 A plate-shaped semiconductor chip (10) having a sensing part (10c) and having both plate surfaces (11, 12) in a front-back relationship;
A resin (20) for sealing the first part (1) which is a part of the semiconductor chip,
The second part (2) which is the remaining part of the semiconductor chip protrudes from the resin,
The sensing part is provided at a position near the protruding tip (10b) in the second part,
In the method of manufacturing a semiconductor device, a portion between the protruding base portion (10d) from the resin and the sensing portion in the second portion is a support portion (10e) that supports the sensing portion. And
A preparation step of preparing the semiconductor chip;
A resin sealing step of sealing at least the first portion of the semiconductor chip with the resin;
Wherein after the resin sealing step, by cutting only the support portion by irradiating a laser (LZ) relative to said second portion of said second portion, said second portion sac Chi before Symbol support A laser shaping step for making only the part thinner than the first part , and
The laser shaping process, a method of manufacturing a semiconductor device according to claim to Rukoto as recesses are formed only on one of the two sides extending in the projecting direction of the semiconductor chip. 前記レーザ整形工程では、前記第２の部位の突出方向と直交する方向において、前記第２の部位のうち前記支持部のみが、前記第１の部位の幅（Ｗ１）よりも小さい幅（Ｗ２）となるようにすることで、前記第２の部位のうち前記支持部のみを、前記第１の部位よりも細いものとすることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。 The laser shaping step, wherein in the direction orthogonal to the projecting direction of the second region, the only the second portion sac Chi before Symbol support portion, said first portion having a width (W1) smaller width than ( by such a W2), only the second portion sac Chi before Symbol supporting portion, of the semiconductor device according to claim 1, characterized in that shall thinner than the first portion Production method. センシング部（１０ｃ）を有し、表裏の関係にある両板面（１１、１２）を有する板状をなす半導体チップ（１０）と、
前記半導体チップの一部である第１の部位（１）を封止する樹脂（２０）と、を備え、
前記半導体チップの残部である第２の部位（２）は前記樹脂より突出しており、
前記センシング部は、前記第２の部位における突出先端部（１０ｂ）寄りの位置に設けられており、
前記第２の部位のうち前記樹脂からの突出根元部（１０ｄ）と前記センシング部との間の部位は、前記センシング部を支持する支持部（１０ｅ）とされている半導体装置の製造方法であって、
前記半導体チップを用意する用意工程と、
前記半導体チップのうち少なくとも前記第１の部位を前記樹脂で封止する樹脂封止工程と、
前記樹脂封止工程の後、前記第２の部位に対してレーザ（ＬＺ）を照射し前記第２の部位の外郭の全体を削ることにより、前記第２の部位の突出方向と直交する方向において、前記第２の部位の全体が、前記第１の部位の幅（Ｗ１）よりも小さい幅（Ｗ２）となるようにすることで、前記第２の部位の全体を、前記第１の部位よりも細いものとするレーザ整形工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 A plate-shaped semiconductor chip (10) having a sensing part (10c) and having both plate surfaces (11, 12) in a front-back relationship;
A resin (20) for sealing the first part (1) which is a part of the semiconductor chip,
The second part (2) which is the remaining part of the semiconductor chip protrudes from the resin,
The sensing part is provided at a position near the protruding tip (10b) in the second part,
In the method of manufacturing a semiconductor device, a portion between the protruding base portion (10d) from the resin and the sensing portion in the second portion is a support portion (10e) that supports the sensing portion. And
A preparation step of preparing the semiconductor chip;
A resin sealing step of sealing at least the first portion of the semiconductor chip with the resin;
After the resin sealing step, by irradiating the second part with laser (LZ) and cutting the entire outline of the second part, in a direction orthogonal to the protruding direction of the second part The entire second part is made to have a width (W2) smaller than the width (W1) of the first part, so that the entire second part is made smaller than the first part. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: a laser shaping step for making the device thin. センシング部（１０ｃ）を有し、表裏の関係にある両板面（１１、１２）を有する板状をなす半導体チップ（１０）と、
前記半導体チップの一部である第１の部位（１）を封止する樹脂（２０）と、を備え、
前記半導体チップの残部である第２の部位（２）は前記樹脂より突出しており、
前記センシング部は、前記第２の部位における突出先端部（１０ｂ）寄りの位置に設けられており、
前記第２の部位のうち前記樹脂からの突出根元部（１０ｄ）と前記センシング部との間の部位は、前記センシング部を支持する支持部（１０ｅ）とされている半導体装置であって、
前記半導体チップの突出方向に延びる２つの側面のうち一方にのみ凹部が形成され、前記第２の部位のうち前記支持部のみが、前記第１の部位よりも細いものとされていることを特徴とする半導体装置。 A plate-shaped semiconductor chip (10) having a sensing part (10c) and having both plate surfaces (11, 12) in a front-back relationship;
A resin (20) for sealing the first part (1) which is a part of the semiconductor chip,
The second part (2) which is the remaining part of the semiconductor chip protrudes from the resin,
The sensing part is provided at a position near the protruding tip (10b) in the second part,
Of the second part, the part between the protruding base part (10d) from the resin and the sensing part is a semiconductor device that is a support part (10e) that supports the sensing part,
Said recess only on one of the semiconductor chip two sides extending in the projecting direction of is formed, that only the second portion sac Chi before Symbol support portion is assumed thinner than the first portion A semiconductor device characterized by the above. 前記第２の部位の突出方向と直交する方向において、前記第２の部位のうち前記支持部のみが、前記第１の部位の幅（Ｗ１）よりも小さい幅（Ｗ２）とされることで、前記第２の部位のうち前記支持部のみが、前記第１の部位よりも細いものとされていることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。 In the direction orthogonal to the projecting direction of the second region, that only the second portion sac Chi before Symbol supporting portion is the first portion of the width (W1) smaller width than (W2) in semiconductor device according to claim 4 in which only the second portion sac Chi before Symbol supporting portion, characterized in that there is a thin object than said first portion. センシング部（１０ｃ）を有し、表裏の関係にある両板面（１１、１２）を有する板状をなす半導体チップ（１０）と、
前記半導体チップの一部である第１の部位（１）を封止する樹脂（２０）と、を備え、
前記半導体チップの残部である第２の部位（２）は前記樹脂より突出しており、
前記センシング部は、前記第２の部位における突出先端部（１０ｂ）寄りの位置に設けられており、
前記第２の部位のうち前記樹脂からの突出根元部（１０ｄ）と前記センシング部との間の部位は、前記センシング部を支持する支持部（１０ｅ）とされている半導体装置であって、
前記第２の部位の突出方向と直交する方向において、前記第２の部位の全体が、前記第１の部位の幅（Ｗ１）よりも小さい幅（Ｗ２）とされることで、前記第２の部位の全体が、前記第１の部位よりも細いものとされていることを特徴とする半導体装置。 A plate-shaped semiconductor chip (10) having a sensing part (10c) and having both plate surfaces (11, 12) in a front-back relationship;
A resin (20) for sealing the first part (1) which is a part of the semiconductor chip,
The second part (2) which is the remaining part of the semiconductor chip protrudes from the resin,
The sensing part is provided at a position near the protruding tip (10b) in the second part,
Of the second part, the part between the protruding base part (10d) from the resin and the sensing part is a semiconductor device that is a support part (10e) that supports the sensing part,
In the direction orthogonal to the projecting direction of the second part, the entire second part has a width (W2) smaller than the width (W1) of the first part . A semiconductor device characterized in that the whole part is thinner than the first part. 前記第２の部位に存在する角部の少なくとも一部が面取りされたものとされていることを特徴とする請求項４ないし６のいずれか１つに記載の半導体装置。 The semiconductor device according to any one of claims 4 to 6 at least part of the corners present in the second region is characterized in that it is to have been chamfered.
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