JP2009122000A - Sensor having movable section and manufacturing method of the same - Google Patents

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隆行 山地
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To protect a movable section in a sensor having the movable section in a portion of a sensor element, and simplify its manufacturing process. <P>SOLUTION: The sensor is provided with the sensor element 10 having the movable section 18, an upper lid 20 bonded so as to cover an upper surface of the sensor element 10, and a lower lid 30 bonded so as to cover a lower surface of the sensor element. A first recessed movable region 22 is formed in a region corresponding to an operating range of the movable section 18 on the upper lid 20. A second recessed movable region 32 is formed in the region corresponding to the operating range of the movable section 18 on the lower lid 30. Since the upper and lower lids 20, 30 are previously formed with the movable regions 22, 32 and bonded to the sensor element 10, the manufacturing process can be simplified. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、センサ及びその製造方法に関し、特にセンサ素子の一部に可動部を有するセンサ及びその製造方法に関する。   The present invention relates to a sensor and a manufacturing method thereof, and more particularly to a sensor having a movable part in a part of a sensor element and a manufacturing method thereof.

物体に加わる回転角速度を検出するための角速度センサ、物体に加わる加速度を検出するための加速度センサ等をはじめとする各種センサは、カメラの手ぶれ検知、カーナビゲーション、自動車やロボットの姿勢制御システム等に利用されている。角速度や加速度を検出する方法としては、ピエゾ抵抗の抵抗値変化による検出方法や、検知電極間の静電容量変化による検出方法等がある。いずれの方法を用いる場合も、センサ素子の一部に、外力により動作する可動部を形成する必要がある。   Various sensors such as an angular velocity sensor for detecting the rotational angular velocity applied to the object and an acceleration sensor for detecting the acceleration applied to the object are used for camera shake detection, car navigation, attitude control systems for automobiles and robots, etc. It's being used. As a method for detecting angular velocity and acceleration, there are a detection method based on a change in resistance value of a piezoresistor, a detection method based on a change in capacitance between detection electrodes, and the like. In any case, it is necessary to form a movable part that operates by an external force in a part of the sensor element.

センサ素子をパッケージングする前の状態では、センサ素子の可動部が外部に露出しているため、可動部への異物の付着や可動部の損傷により、センサの動作性能や製造歩留まりが低下するという課題があった。これらの課題を解決するために、ウェハレベルでセンサ素子のパッケージングを行うための様々な方法が開発されてきた。   In the state before the sensor element is packaged, the movable part of the sensor element is exposed to the outside, so that the operation performance and the manufacturing yield of the sensor are reduced due to the adhesion of foreign matter to the movable part and the damage to the movable part. There was a problem. In order to solve these problems, various methods for packaging sensor elements at the wafer level have been developed.

図1は従来例に係るセンサの構成を示した断面図である。可動部を有するセンサ素子80が、ガラス基板82の上面に接合されている。センサ素子80の下面の一部にはエッチング加工がされており、可動部が動作するための領域である可動領域84が形成されている。ガラス基板82と接合されたセンサ素子80は、キャビティ85を有するパッケージ86の底面に実装されている。パッケージ86とセンサ素子80とは、ワイヤ88により電気的に接続されている。パッケージ86の上部はパッケージ蓋89により密閉されている。この構成によれば、センサ素子80の可動部がガラス基板82により覆われているため、可動部を保護することができる。   FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration of a sensor according to a conventional example. A sensor element 80 having a movable part is bonded to the upper surface of the glass substrate 82. A part of the lower surface of the sensor element 80 is etched to form a movable region 84 that is a region for operating the movable portion. The sensor element 80 bonded to the glass substrate 82 is mounted on the bottom surface of a package 86 having a cavity 85. The package 86 and the sensor element 80 are electrically connected by a wire 88. The upper part of the package 86 is sealed with a package lid 89. According to this configuration, since the movable part of the sensor element 80 is covered by the glass substrate 82, the movable part can be protected.

図2は特許文献1に記載のセンサの構成を示した断面図である。可動部を有するセンサ素子90が、ガラス基板92及び94により上下方向から封止されている。センサ素子90の上面の一部は、エッチング加工により他の部分に比べ一段低く形成され、可動部が動作するための可動領域96が形成されている。上側のガラス基板92の下面には、外力による可動部の変位を検出するための検出電極91が設けられている。ガラス基板92に設けられた検出用配線93、貫通電極98、及び外部電極99は、検出電極91からの信号を外部に取り出すためのものである。センサ素子90の上面の一部に設けられた金属パッド95は、検出用配線93及び貫通電極98に接続されており、検出電極91において検出された信号を減衰させることなく外部へと伝達する。貫通電極98の開口付近には、ガスケット97が設けられている。
特開2006−46995号公報
FIG. 2 is a cross-sectional view showing the configuration of the sensor described in Patent Document 1. A sensor element 90 having a movable part is sealed from above and below by glass substrates 92 and 94. A part of the upper surface of the sensor element 90 is formed one step lower than the other parts by etching, and a movable region 96 for operating the movable part is formed. On the lower surface of the upper glass substrate 92, a detection electrode 91 for detecting displacement of the movable part due to external force is provided. The detection wiring 93, the through electrode 98, and the external electrode 99 provided on the glass substrate 92 are for taking out a signal from the detection electrode 91 to the outside. The metal pad 95 provided on a part of the upper surface of the sensor element 90 is connected to the detection wiring 93 and the through electrode 98 and transmits the signal detected by the detection electrode 91 to the outside without being attenuated. A gasket 97 is provided near the opening of the through electrode 98.
JP 2006-46995 A

図1及び図2に示される従来のセンサでは、センサ素子の可動部が動作するための可動領域を、センサ素子80及び90の一部をエッチングすることにより形成していた。また、センサ素子と外部とを電気的に接続させるために、図2のように貫通電極98を形成していた。これらの可動領域及び貫通電極の形成には、多くの場合特殊な製造プロセスを必要とし、加工に長時間を要することから、センサの大量生産及びコスト低減が困難であった。   In the conventional sensor shown in FIGS. 1 and 2, the movable region for operating the movable portion of the sensor element is formed by etching a part of the sensor elements 80 and 90. Further, in order to electrically connect the sensor element and the outside, the through electrode 98 is formed as shown in FIG. The formation of the movable region and the through electrode often requires a special manufacturing process and takes a long time for processing, so that mass production of sensors and cost reduction are difficult.

本発明は上記課題に鑑みなされたものであり、パッケージングの際に可動部を保護し、且つ製造プロセスを簡略化したセンサを提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a sensor that protects a movable part during packaging and that has a simplified manufacturing process.

本発明は、可動部を有するセンサ素子と、前記センサ素子の上面を覆うように接合され、前記可動部の動作範囲に対応する領域に凹状の第1可動領域が形成された上蓋と、前記センサ素子の下面を覆うように接合され、前記可動部の動作範囲に対応する領域に凹状の第2可動領域が形成された下蓋と、を具備することを特徴とする可動部を有するセンサである。本発明によれば、第1可動領域を有する上蓋と第2可動領域を有する下蓋によりセンサ素子の可動部を保護することができる。また、製造時にはあらかじめ凹状の可動領域が形成された上蓋と下蓋を、それぞれセンサ素子に接合するだけでよいため、製造プロセスを簡略化することができる。   The present invention includes a sensor element having a movable part, an upper lid joined so as to cover the upper surface of the sensor element, and having a concave first movable area formed in an area corresponding to the operating range of the movable part, and the sensor A sensor having a movable part, comprising: a lower lid joined so as to cover a lower surface of the element and having a concave second movable area formed in an area corresponding to an operation range of the movable part. . According to the present invention, the movable portion of the sensor element can be protected by the upper lid having the first movable area and the lower lid having the second movable area. In addition, the manufacturing process can be simplified because it is only necessary to join the upper lid and the lower lid, each of which has a concave movable region formed in advance, to the sensor element.

上記構成において、前記センサ素子は上面に外部接続電極を有し、
前記上蓋は、前記外部接続電極の上方に前記上蓋を貫通して形成された貫通孔を有する構成とすることができる。この構成によれば、貫通孔及び外部接続電極により、センサ素子を外部と電気的に接続することができる。
In the above configuration, the sensor element has an external connection electrode on the upper surface,
The upper cover may have a through hole formed through the upper cover above the external connection electrode. According to this configuration, the sensor element can be electrically connected to the outside through the through hole and the external connection electrode.

上記構成において、前記上蓋は、上面における周縁部と前記貫通孔との間の領域が、上面における中心部と前記貫通孔との間の領域に比べて低く形成されている構成とすることができる。この構成によれば、センサ素子と外部とを電気的に接続することがさらに容易となる。   In the above configuration, the upper lid may be configured such that a region between the peripheral edge portion on the upper surface and the through hole is formed lower than a region between the central portion on the upper surface and the through hole. . According to this configuration, it becomes easier to electrically connect the sensor element and the outside.

上記構成において、前記上蓋は、上面に前記上蓋の中心部と前記貫通孔とを結ぶ方向に形成された溝を有する構成とすることができる。この構成によれば、モールド時に貫通孔に樹脂を充填することが容易となる。   The said structure WHEREIN: The said upper cover can be set as the structure which has the groove | channel formed in the direction which connects the center part of the said upper cover, and the said through-hole on an upper surface. According to this configuration, it becomes easy to fill the through hole with resin during molding.

上記構成において、前記下蓋を下側にして、前記センサ素子、前記上蓋、及び前記下蓋が実装された実装部と、前記貫通孔の内部を通り、前記外部接続電極と前記実装部とを接続するワイヤと、前記実装部の上面に形成され、前記センサ素子、前記上蓋、前記下蓋、及び前記ワイヤを封止する封止部材と、を具備する構成とすることができる。この構成によれば、センサ素子を封止部材によりさらに効果的に保護することができる。また、センサ素子と実装部とをワイヤボンディングにより接続するため、製造工程を単純化することができる。   In the above configuration, with the lower lid on the lower side, the sensor element, the upper lid, the mounting portion on which the lower lid is mounted, the inside of the through hole, the external connection electrode and the mounting portion A wire to be connected and a sensor member, the upper lid, the lower lid, and a sealing member that seals the wire are formed on the upper surface of the mounting portion. According to this configuration, the sensor element can be more effectively protected by the sealing member. Further, since the sensor element and the mounting portion are connected by wire bonding, the manufacturing process can be simplified.

上記構成において、前記封止部材は、少なくとも前記ワイヤと前記接続電極との接続部を覆うように形成された第1絶縁性樹脂部と、前記センサ素子、前記上蓋、前記下蓋、及び前記第1絶縁性樹脂部を覆うように形成された、前記第1絶縁性樹脂部より弾性率の高い第2絶縁性樹脂部と、を含む構成とすることができる。この構成によれば、外部接続電極とワイヤとの接続部をより効果的に保護することができる。   In the above configuration, the sealing member includes a first insulating resin portion formed to cover at least a connection portion between the wire and the connection electrode, the sensor element, the upper lid, the lower lid, and the first And a second insulating resin portion having a higher elastic modulus than the first insulating resin portion, which is formed so as to cover the first insulating resin portion. According to this structure, the connection part of an external connection electrode and a wire can be protected more effectively.

上記構成において、前記第1絶縁性樹脂部は、前記センサ素子、前記上蓋、及び前記下蓋を覆うように形成されている構成とすることができる。この構成によれば、第1絶縁性樹脂部の形成が容易となる。   The said structure WHEREIN: The said 1st insulating resin part can be set as the structure currently formed so that the said sensor element, the said upper cover, and the said lower cover may be covered. According to this configuration, the first insulating resin portion can be easily formed.

上記構成において、上方から見た場合において、前記外部接続電極の面積は、前記センサ素子と前記上蓋との接合面における前記貫通孔の面積以上である構成とすることができる。この構成によれば、外部接続電極とワイヤとの接続信頼性を高めることができる。   In the above configuration, when viewed from above, the area of the external connection electrode may be greater than or equal to the area of the through hole in the joint surface between the sensor element and the upper lid. According to this configuration, the connection reliability between the external connection electrode and the wire can be improved.

上記構成において、前記下蓋を下側にして、前記センサ素子、前記上蓋、及び前記下蓋が実装された実装部と、前記実装部の上面に形成され、前記センサ素子、前記上蓋、及び前記下蓋を封止する封止部材と、を具備する構成とすることができる。   In the above-described configuration, the sensor element, the upper lid, and the mounting portion on which the lower lid is mounted, the upper surface of the mounting portion, the sensor element, the upper lid, And a sealing member that seals the lower lid.

上記構成において、前記可動部は、角速度を検出するために上下方向に振動するジンバル部を含む構成とすることができる。   The said structure WHEREIN: The said movable part can be set as the structure containing the gimbal part which vibrates to an up-down direction in order to detect an angular velocity.

上記構成において、前記センサ素子は、下部半導体層と、上部半導体層と、前記下部半導体層と前記上部半導体層との間に形成され、前記下部半導体層と前記上部半導体層とを絶縁する第1絶縁層と、からなる構成とすることができる。   In the above configuration, the sensor element is formed between a lower semiconductor layer, an upper semiconductor layer, the lower semiconductor layer, and the upper semiconductor layer, and insulates the lower semiconductor layer from the upper semiconductor layer. And an insulating layer.

上記構成において、前記センサ素子は、前記センサ素子の上面における、前記上蓋との接合面に形成され、前記センサ素子と前記上蓋とを絶縁する第2絶縁層と、前記センサ素子の下面における、前記下蓋との接合面に形成され、前記センサ素子と前記下蓋とを絶縁する第3絶縁層と、を有する構成とすることができる。   In the above configuration, the sensor element is formed on a joint surface with the upper lid on the upper surface of the sensor element, and a second insulating layer that insulates the sensor element and the upper lid, and the lower surface of the sensor element, It can be set as the structure which is formed in a joint surface with a lower cover, and has the 3rd insulating layer which insulates the said sensor element and the said lower cover.

上記構成において、前記第1可動領域及び前記第2可動領域の垂直断面形状は、長方形、台形、または半楕円形のいずれかである構成とすることができる。   The said structure WHEREIN: The perpendicular | vertical cross-sectional shape of the said 1st movable area | region and the said 2nd movable area | region can be set as the structure which is either a rectangle, trapezoid, or a semi-elliptical shape.

本発明は、可動部を有するセンサ素子の上面を覆うように、前記可動部の動作範囲に対応する領域に凹状の第1可動領域が形成された上蓋を接合する工程と、前記センサ素子の下面を覆うように、前記可動部の動作範囲に対応する領域に凹状の第2可動領域が形成された下蓋を接合する工程と、を具備することを特徴とする可動部を有するセンサの製造方法である。本発明によれば、第1可動領域を有する上蓋と第2可動領域を有する下蓋によりセンサ素子の可動部を保護することができる。また、製造時にはあらかじめ凹状の可動領域が形成された上蓋と下蓋を、それぞれセンサ素子に接合するだけでよいため、製造プロセスを簡略化することができる。   The present invention includes a step of joining an upper lid in which a concave first movable region is formed in a region corresponding to an operation range of the movable part so as to cover an upper surface of the sensor element having the movable part, and a lower surface of the sensor element. And a step of joining a lower lid in which a concave second movable region is formed in a region corresponding to the operating range of the movable portion so as to cover the movable portion, and a method for manufacturing a sensor having a movable portion It is. According to the present invention, the movable portion of the sensor element can be protected by the upper lid having the first movable area and the lower lid having the second movable area. In addition, the manufacturing process can be simplified because it is only necessary to join the upper lid and the lower lid, each of which has a concave movable region formed in advance, to the sensor element.

上記構成において、前記上蓋を接合する工程は、上面に外部接続電極を有する前記センサ素子に、貫通孔が設けられた前記上蓋を、前記外部接続電極の上方に前記貫通孔が位置するように接合する構成とすることができる。この構成によれば、貫通孔及び外部接続電極により、センサ素子を外部と電気的に接続することができる。   In the above-described configuration, the step of joining the upper lid includes joining the upper lid provided with a through hole to the sensor element having the external connection electrode on the upper surface so that the through hole is positioned above the external connection electrode. It can be set as the structure to do. According to this configuration, the sensor element can be electrically connected to the outside through the through hole and the external connection electrode.

上記構成において、前記上蓋を接合する工程は、上面に外部接続電極を有する前記センサ素子に前記上蓋を接合し、前記上蓋を接合する工程の後、前記上蓋における前記外部接続電極の上方に、前記上蓋を貫通する貫通孔を形成する工程を具備する構成とすることができる。この構成によれば、上蓋の接合後に外部接続電極の位置に合わせて貫通孔を形成することができる。   In the above configuration, the step of joining the upper lid includes joining the upper lid to the sensor element having the external connection electrode on the upper surface, and after the step of joining the upper lid, above the external connection electrode in the upper lid, It can be set as the structure which comprises the process of forming the through-hole which penetrates an upper cover. According to this configuration, the through hole can be formed in accordance with the position of the external connection electrode after the upper lid is joined.

上記構成において、前記上蓋を接合する工程及び前記下蓋を接合する工程の後、前記センサ素子、前記上蓋、及び前記下蓋を、前記下蓋を下側にして実装部の上面に実装する工程と、前記外部接続電極と前記実装部とを、前記貫通孔の内部を通るワイヤにより接続する工程と、少なくとも前記ワイヤと前記接続電極との接続部を覆うように、第1絶縁性樹脂部を形成する工程と、前記センサ素子、前記上蓋、前記下蓋、前記ワイヤ、及び前記第1絶縁性樹脂を覆うように、前記第1絶縁性樹脂部より弾性率の高い第2絶縁性樹脂部を形成する工程と、を具備する構成とすることができる。この構成によれば、センサ素子を絶縁性樹脂によりさらに効果的に保護することができる。また、センサ素子と実装部とをワイヤボンディングにより接続するため、製造工程を単純化することができる。また、外部接続電極とワイヤとの接続部をより効果的に保護することができる。   In the above configuration, after the step of joining the upper lid and the step of joining the lower lid, the step of mounting the sensor element, the upper lid, and the lower lid on the upper surface of the mounting portion with the lower lid on the lower side. A step of connecting the external connection electrode and the mounting portion with a wire passing through the inside of the through hole, and a first insulating resin portion so as to cover at least the connection portion between the wire and the connection electrode And forming a second insulating resin portion having a higher elastic modulus than the first insulating resin portion so as to cover the sensor element, the upper lid, the lower lid, the wire, and the first insulating resin. And a forming step. According to this configuration, the sensor element can be more effectively protected by the insulating resin. Further, since the sensor element and the mounting portion are connected by wire bonding, the manufacturing process can be simplified. Moreover, the connection part of an external connection electrode and a wire can be protected more effectively.

上記構成において、前記第1絶縁性樹脂部を形成する工程は、前記上蓋の中心部にゲル状の第1絶縁性樹脂を供給し、前記上蓋の上面において前記中心部と前記貫通孔とを結ぶ方向に形成された溝に沿って、前記貫通孔内部に前記第1絶縁性樹脂を供給する工程を含む構成とすることができる。この構成によれば、第1絶縁性樹脂を形成する工程を簡略化することができる。   In the above configuration, in the step of forming the first insulating resin portion, the gel-like first insulating resin is supplied to the central portion of the upper lid, and the central portion and the through hole are connected to the upper surface of the upper lid. It can be set as the structure including the process of supplying the said 1st insulating resin inside the said through-hole along the groove | channel formed in the direction. According to this configuration, the process of forming the first insulating resin can be simplified.

本発明によれば、第1可動領域を有する上蓋と第2可動領域を有する下蓋によりセンサ素子の可動部を保護することができる。また、製造時にはあらかじめ凹状の可動領域が形成された上蓋と下蓋を、それぞれセンサ素子に接合するだけでよいため、製造プロセスを簡略化することができる。   According to the present invention, the movable portion of the sensor element can be protected by the upper lid having the first movable area and the lower lid having the second movable area. In addition, the manufacturing process can be simplified because it is only necessary to join the upper lid and the lower lid, each of which has a concave movable region formed in advance, to the sensor element.

以下、図面を用い本発明に係る実施例について説明する。   Embodiments according to the present invention will be described below with reference to the drawings.

最初に、実施例1に係るセンサの製造方法について説明する。図3(a)から図3(d)は実施例1に係るセンサ100の製造工程を示した断面模式図である。   Initially, the manufacturing method of the sensor which concerns on Example 1 is demonstrated. FIG. 3A to FIG. 3D are schematic cross-sectional views illustrating the manufacturing process of the sensor 100 according to the first embodiment.

図3(a)は可動部を有するセンサ素子10の構成を示した図である。センサ素子10は、支持層である下部半導体層12と、下部半導体層12の上方に形成された上部半導体層14と、下部半導体層12及び上部半導体層14の間に形成され、下部半導体層12と上部半導体層14とを絶縁する第1絶縁層16とからなる。下部半導体層12及び上部半導体層14は例えばシリコンからなり、センサ素子10は例えばシリコンと絶縁体とが積層することにより構成される、いわゆるSOI(Silicon On Insulator)型のセンサ素子である。センサ素子の中央部は、後述する工程において可動部18が形成されるための領域となっている。なお、後述する図5及び図6において示されるように、実施例1に係るセンサ100は、本来は上下方向に振動する2つの独立した可動部(駆動ジンバル部62及び検出ジンバル部64)を備えたものであるが、図3(a)〜(d)においては詳細な構成を省略し、可動部18として図示している。図3(a)を参照に、上部半導体層14に駆動電極、検出電極、及び配線等(後述する図6にて図示)を形成する。また、上部半導体層14の上面に外部と電気的な接続を図るための外部接続電極11を形成する。外部接続電極11は、例えば上部半導体層14の周縁部にパッド状の電極として形成される。   FIG. 3A is a diagram showing a configuration of the sensor element 10 having a movable part. The sensor element 10 is formed between a lower semiconductor layer 12 that is a support layer, an upper semiconductor layer 14 that is formed above the lower semiconductor layer 12, and the lower semiconductor layer 12 and the upper semiconductor layer 14. And a first insulating layer 16 that insulates the upper semiconductor layer 14 from each other. The lower semiconductor layer 12 and the upper semiconductor layer 14 are made of, for example, silicon, and the sensor element 10 is a so-called SOI (Silicon On Insulator) type sensor element configured by stacking, for example, silicon and an insulator. The central portion of the sensor element is a region for forming the movable portion 18 in a process described later. As shown in FIGS. 5 and 6 to be described later, the sensor 100 according to the first embodiment originally includes two independent movable parts (a driving gimbal part 62 and a detection gimbal part 64) that vibrate in the vertical direction. However, in FIGS. 3A to 3D, the detailed configuration is omitted and the movable portion 18 is illustrated. Referring to FIG. 3A, drive electrodes, detection electrodes, wirings, and the like (shown in FIG. 6 described later) are formed in the upper semiconductor layer 14. Further, an external connection electrode 11 is formed on the upper surface of the upper semiconductor layer 14 for electrical connection with the outside. The external connection electrode 11 is formed as a pad-like electrode on the peripheral edge of the upper semiconductor layer 14, for example.

図3(b)を参照に、センサ素子10の上面を覆うように、例えばガラス基板からなる上蓋20をセンサ素子10に接合する。上蓋20の下面には、センサ素子10の可動部18の動作範囲に対応する領域に、凹状の第1可動領域22が形成されている。第1可動領域22は、可動部18が動作するために必要な領域である。例えば後述するように、センサが上下方向に振動するジンバル部を備えた角速度センサである場合には、可動部18であるジンバル部が上蓋20に接触しない程度の空間が必要となる。すなわち、第1可動領域22は可動部18の可動範囲より大きく形成されている。また、上蓋20の上面における周縁部と貫通孔24との間の外側領域25は、中心部と貫通孔24との間の内側領域27に比べて低く形成されている(T1<T2)。   With reference to FIG. 3B, an upper lid 20 made of, for example, a glass substrate is bonded to the sensor element 10 so as to cover the upper surface of the sensor element 10. A concave first movable region 22 is formed on the lower surface of the upper lid 20 in a region corresponding to the operating range of the movable portion 18 of the sensor element 10. The first movable region 22 is a region necessary for the movable unit 18 to operate. For example, as will be described later, when the sensor is an angular velocity sensor having a gimbal portion that vibrates in the vertical direction, a space is required so that the gimbal portion that is the movable portion 18 does not contact the upper lid 20. That is, the first movable region 22 is formed larger than the movable range of the movable portion 18. Further, the outer region 25 between the peripheral edge portion and the through hole 24 on the upper surface of the upper lid 20 is formed lower than the inner region 27 between the center portion and the through hole 24 (T1 <T2).

上蓋20には、外部接続電極11に対応する位置に貫通孔24が形成されている。図3(b)を参照に、貫通孔24が外部接続電極11の上方に位置するように、上蓋20をセンサ素子10に接合する。   A through hole 24 is formed in the upper lid 20 at a position corresponding to the external connection electrode 11. With reference to FIG. 3B, the upper lid 20 is joined to the sensor element 10 so that the through hole 24 is positioned above the external connection electrode 11.

上蓋20のセンサ素子10への接合は、例えば常温接合、陽極接合、直接接合により行うことができる。また、接合部に金属を供給してシリコンと金属との共晶接合により接合を行うこともできる。また、センサ素子10の上蓋20との接合面に第2絶縁層17(図3(c)参照)を形成する。第2絶縁層17により、センサ素子10と上蓋20とが電気的に絶縁される。第2絶縁層17は、例えばシリコンからなる上部半導体層14の表面が、接合時に加熱され酸化シリコンに変化することにより形成される。この方法によれば、第2絶縁層17の形成を上蓋20の接合と同時に行うことができる。   The bonding of the upper lid 20 to the sensor element 10 can be performed by, for example, room temperature bonding, anodic bonding, or direct bonding. It is also possible to perform bonding by supplying a metal to the bonding portion and performing eutectic bonding between silicon and metal. Further, the second insulating layer 17 (see FIG. 3C) is formed on the joint surface with the upper lid 20 of the sensor element 10. The sensor element 10 and the upper lid 20 are electrically insulated by the second insulating layer 17. The second insulating layer 17 is formed by changing the surface of the upper semiconductor layer 14 made of, for example, silicon to silicon oxide by being heated at the time of bonding. According to this method, the second insulating layer 17 can be formed simultaneously with the bonding of the upper lid 20.

図3(c)を参照に、下部半導体層12及び第1絶縁層16(図中の領域34)をエッチングする。これにより、センサ素子10の中央部において、下部半導体層12a、上部半導体層14a、及び第1絶縁層16aからなる可動部18(図3(d)参照)が形成される。なお、図3(c)では加工のためセンサ素子10を上下逆に固定している。また、前記の接合工程により形成された第2絶縁層17が、センサ素子10の上面に形成されている。   Referring to FIG. 3C, the lower semiconductor layer 12 and the first insulating layer 16 (region 34 in the drawing) are etched. Thereby, the movable part 18 (refer FIG.3 (d)) which consists of the lower semiconductor layer 12a, the upper semiconductor layer 14a, and the 1st insulating layer 16a in the center part of the sensor element 10 is formed. In FIG. 3C, the sensor element 10 is fixed upside down for processing. Further, the second insulating layer 17 formed by the bonding process is formed on the upper surface of the sensor element 10.

図3(d)を参照に、センサ素子10の下面を覆うように、例えばガラス基板からなる下蓋30をセンサ素子10に接合する。下蓋30の上面には、可動部18の動作範囲に対応する領域に凹状の第2可動領域32が形成されている。第2可動領域32は、可動部18が動作するために必要な領域であり、第1可動領域22と同じく可動部18の可動範囲より大きく形成されている。   Referring to FIG. 3D, a lower lid 30 made of, for example, a glass substrate is bonded to the sensor element 10 so as to cover the lower surface of the sensor element 10. On the upper surface of the lower lid 30, a concave second movable region 32 is formed in a region corresponding to the operation range of the movable portion 18. The second movable region 32 is a region necessary for the movable portion 18 to operate, and is formed larger than the movable range of the movable portion 18, similar to the first movable region 22.

下蓋30のセンサ素子10への接合は、例えば常温接合、陽極接合、直接接合により行うことができる。また、接合部に金属を供給してシリコンと金属との共晶接合により接合を行うこともできる。また、上蓋20の接合時と同様に、センサ素子10と下蓋30との接合面に第3絶縁層19(図4(a)参照)を形成する。第3絶縁層19により、センサ素子10と下蓋30とが電気的に絶縁される。以上の工程により、実施例1に係るセンサが完成する。   The bonding of the lower lid 30 to the sensor element 10 can be performed by, for example, room temperature bonding, anodic bonding, or direct bonding. It is also possible to perform bonding by supplying a metal to the bonding portion and performing eutectic bonding between silicon and metal. Further, the third insulating layer 19 (see FIG. 4A) is formed on the joint surface between the sensor element 10 and the lower lid 30 in the same manner as when the upper lid 20 is joined. The sensor element 10 and the lower lid 30 are electrically insulated by the third insulating layer 19. The sensor according to Example 1 is completed through the above steps.

図4(a)は実施例1に係るセンサ100の構成を示した断面模式図である。センサ100におけるセンサ素子10は、下部半導体層12、上部半導体層14、及び第1絶縁層16からなるSOI型センサ素子である。センサ素子10は中央部に可動部18を有する。センサ素子10の上面には、凹状の第1可動領域22を有する上蓋が接合されている。センサ素子10の下面には、凹状の第2可動領域32を有する下蓋が接合されている。第1可動領域22及び第2可動領域32は共にセンサ素子10の可動部18の動作範囲に対応した領域に形成され、可動部18が上蓋20及び下蓋30に接触せずに動作することを可能としている。   FIG. 4A is a schematic cross-sectional view illustrating the configuration of the sensor 100 according to the first embodiment. The sensor element 10 in the sensor 100 is an SOI type sensor element including a lower semiconductor layer 12, an upper semiconductor layer 14, and a first insulating layer 16. The sensor element 10 has a movable part 18 at the center. An upper lid having a concave first movable region 22 is joined to the upper surface of the sensor element 10. A lower lid having a concave second movable region 32 is joined to the lower surface of the sensor element 10. Both the first movable region 22 and the second movable region 32 are formed in regions corresponding to the operation range of the movable portion 18 of the sensor element 10, and the movable portion 18 operates without contacting the upper lid 20 and the lower lid 30. It is possible.

センサ素子10の上面には外部接続電極11が設けられ、上蓋20には外部接続電極11に対応した位置に貫通孔24が設けられている。センサ素子10は、外部接続電極11及び貫通孔24により、外部と電気的な接続を図ることができる。また、上蓋20の上面における周縁部と貫通孔24との間の外側領域25は、中心部と貫通孔24との間の内側領域27に比べて低く形成されている(T1<T2)。ここで、センサ素子10の厚み(T3)は例えば300μm、上蓋20及び下蓋30の厚み(T2及びT4)は200μm〜300μmとすることができる。また、上蓋20の外側領域25の厚み(T1)は20〜70μmとすることができ、これによりワイヤボンディングを容易に行うことが可能となる。   An external connection electrode 11 is provided on the upper surface of the sensor element 10, and a through hole 24 is provided in the upper lid 20 at a position corresponding to the external connection electrode 11. The sensor element 10 can be electrically connected to the outside by the external connection electrode 11 and the through hole 24. Further, the outer region 25 between the peripheral edge portion and the through hole 24 on the upper surface of the upper lid 20 is formed lower than the inner region 27 between the center portion and the through hole 24 (T1 <T2). Here, the thickness (T3) of the sensor element 10 can be set to, for example, 300 μm, and the thicknesses (T2 and T4) of the upper lid 20 and the lower lid 30 can be set to 200 μm to 300 μm. Further, the thickness (T1) of the outer region 25 of the upper lid 20 can be set to 20 to 70 μm, which makes it possible to easily perform wire bonding.

図4(b)は図4(a)における貫通孔24及び外部接続電極11を上方向から見た上面図である。外部接続電極11は、上蓋20を透過して破線で示している。図示するように、外部接続電極11の面積は、接合面における貫通孔24の面積より大きい。   FIG. 4B is a top view of the through hole 24 and the external connection electrode 11 in FIG. The external connection electrode 11 passes through the upper lid 20 and is indicated by a broken line. As shown in the drawing, the area of the external connection electrode 11 is larger than the area of the through hole 24 in the bonding surface.

図5(a)及び(b)は実施例1に係るセンサ100の具体的な構成を示した斜視図である。図5(a)は接合前の構成を、図5(b)は接合後の構成をそれぞれ示している。図3(a)及び(b)と共通の部材には、同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。センサ素子10は、中央部に可動部18である駆動ジンバル部62及び検出ジンバル部64(図6にて詳述)を備えた角速度センサであり、周縁部には複数の外部接続電極11が設けられている。上蓋20の中央部27は周縁部25より高く形成されている。中央部27の反対側はエッチングにより凹状に加工され、図4(a)に示す第1可動領域22が形成されている。また、上蓋20の上面には、外部接続電極11に対応した位置に貫通孔24が設けられている。   FIGS. 5A and 5B are perspective views illustrating a specific configuration of the sensor 100 according to the first embodiment. FIG. 5A shows a configuration before joining, and FIG. 5B shows a configuration after joining. Members common to FIGS. 3A and 3B are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted. The sensor element 10 is an angular velocity sensor provided with a drive gimbal part 62 and a detection gimbal part 64 (detailed in FIG. 6) as the movable part 18 at the center part, and a plurality of external connection electrodes 11 are provided at the peripheral part. It has been. The central portion 27 of the upper lid 20 is formed higher than the peripheral edge portion 25. The opposite side of the central portion 27 is processed into a concave shape by etching to form a first movable region 22 shown in FIG. A through hole 24 is provided on the upper surface of the upper lid 20 at a position corresponding to the external connection electrode 11.

図6はセンサ素子10の構成を示した上面図である。ただし、センサ素子10の上面に設けられた配線パターンは省略している。センサ素子10は、それぞれ四角形のフレーム部60、駆動ジンバル部62及び検出ジンバル部64(併せて図4(a)の可動部18に相当)を有している。検出ジンバル部64は、相対する1組の側面に設けられた第1トーションバー66により駆動ジンバル部62に機械的に接続されている。また、検出ジンバル部64は、他の1組の相対する側面に設けられた各々1対の第1櫛歯電極68を有する。各1対の第1櫛歯電極68は、一方が検出ジンバル部64に、他方が駆動ジンバル部62に固定されている。   FIG. 6 is a top view showing the configuration of the sensor element 10. However, the wiring pattern provided on the upper surface of the sensor element 10 is omitted. Each of the sensor elements 10 has a square frame portion 60, a drive gimbal portion 62, and a detection gimbal portion 64 (also corresponding to the movable portion 18 in FIG. 4A). The detection gimbal part 64 is mechanically connected to the drive gimbal part 62 by a first torsion bar 66 provided on a pair of opposing side surfaces. Moreover, the detection gimbal part 64 has a pair of first comb-tooth electrodes 68 provided on another pair of opposing side surfaces. One of the pair of first comb electrodes 68 is fixed to the detection gimbal portion 64 and the other is fixed to the drive gimbal portion 62.

駆動ジンバル部62は、相対する1組の側面に設けられた第2トーションバー70によりフレーム部60に機械的に接続されている。また、駆動ジンバル部62は、他の1組の相対する側面に設けられた各々1対の第2櫛歯電極72を有する。各1対の第2櫛歯電極72は、一方が駆動ジンバル部62に、他方がフレーム部60に固定されている。また、フレーム部60には複数の外部接続電極11が設けられている。   The drive gimbal part 62 is mechanically connected to the frame part 60 by a second torsion bar 70 provided on a pair of opposing side surfaces. In addition, the drive gimbal portion 62 has a pair of second comb electrodes 72 provided on another pair of opposing side surfaces. One of the pair of second comb electrodes 72 is fixed to the drive gimbal portion 62 and the other is fixed to the frame portion 60. The frame portion 60 is provided with a plurality of external connection electrodes 11.

図6を参照に、第1トーションバー66を結ぶ方向をY軸、第2トーションバー70を結ぶ方向をX軸と定義する。また、図示されていないがY軸及びX軸に垂直な方向、すなわちセンサ素子10の上面に対し垂直な方向をZ軸と定義する。第2櫛歯電極72を用い、駆動ジンバル部62を検出ジンバル部64と共にX軸を中心に振動させる。この状態で、検知軸であるZ軸を中心に回転角速度が加わると、X軸に直行する方向にコリオリ力が発生する。このため、駆動ジンバル部62はX軸と直交するY軸を中心に振動しようとするが、駆動ジンバル部は第2トーションバー70によりフレーム部60に固定されているため、Y軸を中心に振動することができない。このため、検出ジンバル部64がY軸を中心に振動し、検出ジンバル部64の振動の大きさを第1櫛歯電極68が検出する。以上のように、検出ジンバル部64の振動の大きさにより、検知軸(Z軸)を中心とする角速度の検知を行うことができる。   With reference to FIG. 6, the direction connecting the first torsion bars 66 is defined as the Y axis, and the direction connecting the second torsion bars 70 is defined as the X axis. Although not shown, a direction perpendicular to the Y axis and the X axis, that is, a direction perpendicular to the upper surface of the sensor element 10 is defined as a Z axis. Using the second comb electrode 72, the drive gimbal part 62 is vibrated around the X axis together with the detection gimbal part 64. In this state, when a rotational angular velocity is applied around the Z axis that is the detection axis, a Coriolis force is generated in a direction perpendicular to the X axis. For this reason, the drive gimbal portion 62 tries to vibrate around the Y axis orthogonal to the X axis, but the drive gimbal portion is fixed to the frame portion 60 by the second torsion bar 70, and therefore vibrates around the Y axis. Can not do it. For this reason, the detection gimbal part 64 vibrates around the Y axis, and the first comb electrode 68 detects the magnitude of the vibration of the detection gimbal part 64. As described above, the angular velocity around the detection axis (Z axis) can be detected based on the magnitude of vibration of the detection gimbal portion 64.

図7を参照に、角速度の検出時には可動部18(図6における駆動ジンバル部62及び検出ジンバル部64)が上下方向(図6においてX軸及びY軸を中心に振動する方向)に振動する。このため、上蓋20及び下蓋30に接触しないための第1可動領域22及び第2可動領域32が必要となる。   Referring to FIG. 7, at the time of detecting the angular velocity, the movable portion 18 (the drive gimbal portion 62 and the detection gimbal portion 64 in FIG. 6) vibrates in the vertical direction (the direction of vibration about the X axis and the Y axis in FIG. 6). For this reason, the 1st movable area | region 22 and the 2nd movable area | region 32 for not contacting the upper cover 20 and the lower cover 30 are needed.

実施例1に係るセンサ100によれば、センサ素子10の上面及び下面が上蓋20及び下蓋30により覆われている。これにより、可動部18に対する異物の付着や、外力による可動部18の損傷を抑制することができ、センサ素子10の可動部18を保護することができる。   According to the sensor 100 according to the first embodiment, the upper surface and the lower surface of the sensor element 10 are covered with the upper lid 20 and the lower lid 30. Thereby, adhesion of a foreign substance to the movable part 18 and damage to the movable part 18 due to an external force can be suppressed, and the movable part 18 of the sensor element 10 can be protected.

また、図1及び図2に示した従来のセンサ素子においては、可動部の動作範囲を確保するために、封止される側のセンサ素子の一部を加工することにより可動領域を形成していた。これに対し、実施例1ではセンサ素子10を封止する側の上蓋20及び下蓋30に、あらかじめ第1可動領域22及び第2可動領域32を形成している。このため、従来のように可動領域を設けるためにセンサ素子を加工する必要がない。上蓋20及び下蓋30に凹状の可動領域を形成することは、従来から知られているエッチング等により行うことができるため、センサ素子側を加工する場合に比べて加工が容易である。以上のことから、実施例1に係るセンサ100は、センサ素子10の可動部18を効果的に保護すると共に、従来例に比べ製造プロセスを簡略化することができる。   Further, in the conventional sensor element shown in FIGS. 1 and 2, the movable region is formed by processing a part of the sensor element to be sealed in order to ensure the operation range of the movable part. It was. On the other hand, in the first embodiment, the first movable region 22 and the second movable region 32 are formed in advance on the upper lid 20 and the lower lid 30 on the side where the sensor element 10 is sealed. For this reason, it is not necessary to process the sensor element in order to provide the movable region as in the prior art. Forming the concave movable regions in the upper lid 20 and the lower lid 30 can be performed by etching or the like that has been conventionally known, so that machining is easier than in the case of machining the sensor element side. From the above, the sensor 100 according to the first embodiment can effectively protect the movable portion 18 of the sensor element 10 and can simplify the manufacturing process as compared with the conventional example.

第1可動領域22及び第2可動領域32の形状は、その形成方法により異なる。図8(a)〜(c)は上蓋20及び下蓋30の垂直断面図であり、第1可動領域22及び第2可動領域32の形状を示したものである。図8(a)を参照に、乾式のDRIE(Deep−trench Reactive−Ion Etching)により可動領域を形成した場合には、その断面形状は長方形となる。図8(b)を参照に、例えばKOHやTMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液)を用いた湿式の異方性エッチングにより可動領域を形成した場合には、その断面形状は台形となる。図8(c)を参照に、例えばHF、HNO、及びCHCOOH(もしくはHO)の混合液を用いて湿式の等方性エッチングを行った場合には、その断面形状は半楕円形となる。以上のように、エッチング方法を適宜選択することにより、任意形状の第1可動領域22及び第2可動領域32を形成することができる。 The shapes of the first movable region 22 and the second movable region 32 differ depending on the formation method. FIGS. 8A to 8C are vertical sectional views of the upper lid 20 and the lower lid 30 and show the shapes of the first movable region 22 and the second movable region 32. Referring to FIG. 8A, when the movable region is formed by dry DRIE (Deep-trench Reactive-Ion Etching), the cross-sectional shape is rectangular. Referring to FIG. 8B, when the movable region is formed by wet anisotropic etching using, for example, KOH or TMAH (tetramethylammonium hydroxide aqueous solution), the cross-sectional shape becomes a trapezoid. Referring to FIG. 8C, for example, when wet isotropic etching is performed using a mixed solution of HF, HNO 3 , and CH 3 COOH (or H 2 O), the cross-sectional shape is a semi-elliptical shape. It becomes a shape. As described above, the first movable region 22 and the second movable region 32 having arbitrary shapes can be formed by appropriately selecting an etching method.

また、図4(a)を参照に上蓋20に可動領域22を形成する場合、可動領域22付近における上蓋20の厚み(T2)は必然的に大きくなってしまう。ここで、上蓋20の外側領域25を内側領域27と同様の厚みに形成した場合(図9参照)、外部接続電極11とのコンタクトには上下方向に長い貫通孔が必要となり、貫通電極の形成にも長い時間かかるため製造工程を短縮することが困難である。図4(a)のように、上蓋20は外側領域25が内側領域27に比べて低く形成することで(T1<T2)、貫通孔24の上下方向の長さを小さくすることができる。また、貫通孔24を通して外部接続電極11を外部とワイヤにより接続することが可能となり、貫通電極を形成する場合に比べて製造工程を大幅に短縮することが可能となる。なお、内側領域27の全面が外側領域25より低く形成される必要はない。外側領域25は、ワイヤボンディングを行う際のワイヤの形成領域(例えば貫通孔24と上蓋20の外周とを結ぶ直線領域)が、他の部分に比べて低く形成されていれば十分である。   In addition, when the movable region 22 is formed in the upper lid 20 with reference to FIG. 4A, the thickness (T2) of the upper lid 20 in the vicinity of the movable region 22 is necessarily increased. Here, when the outer region 25 of the upper lid 20 is formed to have the same thickness as that of the inner region 27 (see FIG. 9), the contact with the external connection electrode 11 requires a long through hole in the vertical direction. However, since it takes a long time, it is difficult to shorten the manufacturing process. As shown in FIG. 4A, the upper lid 20 is formed such that the outer region 25 is lower than the inner region 27 (T1 <T2), so that the vertical length of the through hole 24 can be reduced. In addition, the external connection electrode 11 can be connected to the outside through a wire through the through hole 24, and the manufacturing process can be greatly shortened as compared with the case where the through electrode is formed. Note that the entire inner region 27 does not have to be formed lower than the outer region 25. It is sufficient for the outer region 25 that a wire forming region (for example, a straight region connecting the through hole 24 and the outer periphery of the upper lid 20) is formed lower than other portions when wire bonding is performed.

図9は、外側領域25及び内側領域27の高さが同じになるように上蓋20を形成した場合である。この構成によれば、外側領域をエッチング等により低く加工する工程を省略することができる。ただし、外部との電気的接続を容易に行うためには図4(a)の形態の方が好ましい。   FIG. 9 shows a case where the upper lid 20 is formed so that the outer region 25 and the inner region 27 have the same height. According to this configuration, it is possible to omit the step of processing the outer region to be low by etching or the like. However, the embodiment shown in FIG. 4A is preferable in order to facilitate electrical connection with the outside.

また、図4(b)に示すように、外部接続電極11は貫通孔24より大きいことが好ましい。すなわち、上方から見た場合において、外部接続電極11の面積は、センサ素子10と上蓋20との接合面における貫通孔24の面積以上であることが好ましい。これにより、後述する工程において外部接続電極11にワイヤボンディングを行う際に、外部接続電極11をワイヤと確実に接続することができる。   Further, as shown in FIG. 4B, the external connection electrode 11 is preferably larger than the through hole 24. That is, when viewed from above, the area of the external connection electrode 11 is preferably equal to or larger than the area of the through hole 24 in the joint surface between the sensor element 10 and the upper lid 20. Thereby, when performing wire bonding to the external connection electrode 11 in a process described later, the external connection electrode 11 can be reliably connected to the wire.

実施例1では、あらかじめ貫通孔24が形成された上蓋20をセンサ素子10に接合したが、貫通孔24の形成は上蓋20の接合後に行ってもよい。図10(a)及び(b)は実施例1の変形例に係るセンサの製造方法を示した断面模式図である。図10(a)を参照に、貫通孔の形成されていない上蓋20aを、センサ素子10の上面に接合する。センサ素子10は実施例1(図3(a))と同じである。図10(b)を参照に、センサ素子10の上面に形成された外部接続電極11の上方に、上蓋20を貫通する貫通孔24aを形成する。貫通孔24aは、乾式のDRIEや、湿式の異方性エッチングにより形成することができる。また、貫通孔24aの面積は、実施例1と同じく外部接続電極11より小さいことが好ましい。以後の工程は実施例1の図3(c)以降と共通である。この方法によれば、上蓋20aの接合を行った後に、外部接続電極11の位置及び大きさに合わせて貫通孔24aを形成することができる。   In the first embodiment, the upper lid 20 in which the through hole 24 is formed in advance is joined to the sensor element 10, but the through hole 24 may be formed after the upper lid 20 is joined. 10A and 10B are schematic cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a sensor according to a modification of the first embodiment. With reference to FIG. 10A, the upper lid 20 a having no through hole is joined to the upper surface of the sensor element 10. The sensor element 10 is the same as that of the first embodiment (FIG. 3A). With reference to FIG. 10B, a through hole 24 a penetrating the upper lid 20 is formed above the external connection electrode 11 formed on the upper surface of the sensor element 10. The through holes 24a can be formed by dry DRIE or wet anisotropic etching. The area of the through hole 24a is preferably smaller than that of the external connection electrode 11 as in the first embodiment. The subsequent steps are the same as those in FIG. According to this method, the through hole 24a can be formed in accordance with the position and size of the external connection electrode 11 after the upper lid 20a is joined.

実施例1及び上記の変形例では上蓋20に貫通孔24を設けたが、他の方法でセンサ素子10を外部と電気的に接続する構成とした場合には、貫通孔24を設ける必要はない。   In the first embodiment and the above-described modification, the through-hole 24 is provided in the upper lid 20. However, when the sensor element 10 is configured to be electrically connected to the outside by another method, it is not necessary to provide the through-hole 24. .

多面取りの半導体基板を用いた場合、実施例1に係るセンサ100を一度に複数製造することが可能である。図11(a)及び図11(b)は実施例1の他の変形例に係るセンサの製造方法を示した断面模式図である。図11(a)を参照に、下部半導体層12、上部半導体層14、及び第1絶縁層16からなる多面取りのSOIウェハ50が、後にセンサ素子10となるべき複数の領域52a〜52dに分割されている。領域52a〜52dのそれぞれには実施例1と同じ加工が施され、可動部18a〜18dが形成されている。SOIウェハ50の上面には、複数の可動部18a〜18dのそれぞれの動作範囲に対応する領域に、複数の第1可動領域22a〜22dが設けられた上蓋20が接合されている。SOIウェハ50の下面には、複数の可動部18a〜18dのそれぞれの動作範囲に対応する領域に、複数の第2可動領域32a〜32dが設けられた下蓋30が接合されている。図12は、多面取りのSOIウェハ50に上蓋20及び下蓋30が接合された状態の一部を示した斜視図であり、図11(a)に対応する。ダイシングライン54は破線で示している。   When a multi-sided semiconductor substrate is used, a plurality of sensors 100 according to the first embodiment can be manufactured at a time. FIG. 11A and FIG. 11B are schematic cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a sensor according to another modification of the first embodiment. Referring to FIG. 11A, a multi-chamfered SOI wafer 50 including a lower semiconductor layer 12, an upper semiconductor layer 14, and a first insulating layer 16 is divided into a plurality of regions 52a to 52d to be sensor elements 10 later. Has been. Each of the regions 52a to 52d is subjected to the same processing as in the first embodiment, and movable parts 18a to 18d are formed. On the upper surface of the SOI wafer 50, an upper lid 20 provided with a plurality of first movable regions 22a to 22d is joined to a region corresponding to each operation range of the plurality of movable portions 18a to 18d. On the lower surface of the SOI wafer 50, a lower lid 30 provided with a plurality of second movable regions 32a to 32d is joined to a region corresponding to each operation range of the plurality of movable portions 18a to 18d. FIG. 12 is a perspective view showing a part of the state in which the upper lid 20 and the lower lid 30 are joined to the multi-faceted SOI wafer 50, and corresponds to FIG. The dicing line 54 is indicated by a broken line.

上蓋20には、SOIウェハ50上に形成された複数の外部接続電極11に対応する位置に、複数の貫通孔24が形成されている。上蓋20の上面における貫通孔24の周辺部は、貫通孔24とダイシングライン54の間の領域56が、可動部18の上方の領域58に比べて低く形成されている。図11(a)及び図12を参照に、ダイシングライン54に沿って上蓋20、SOIウェハ50、及び下蓋30を切断する。切断は、例えばウォータージェットやダイヤモンド製のダイシングブレードを用いて行うことができる。   In the upper lid 20, a plurality of through holes 24 are formed at positions corresponding to the plurality of external connection electrodes 11 formed on the SOI wafer 50. In the periphery of the through hole 24 on the upper surface of the upper lid 20, a region 56 between the through hole 24 and the dicing line 54 is formed lower than the region 58 above the movable unit 18. Referring to FIGS. 11A and 12, the upper lid 20, the SOI wafer 50, and the lower lid 30 are cut along the dicing line 54. The cutting can be performed using, for example, a water jet or a diamond dicing blade.

図11(b)を参照に、図11(a)のダイシングライン54に沿って切断されたSOIウェハ50、上蓋20、及び下蓋30のそれぞれは、図4(a)に示したものと同じ構造の複数のセンサ100a〜100dとなる。以上の工程により、多面取りの半導体基板を用いて複数のセンサを一度に製造することができる。これにより、センサ1つあたりの製造時間を短縮することができる。   Referring to FIG. 11B, each of the SOI wafer 50, the upper lid 20, and the lower lid 30 cut along the dicing line 54 in FIG. 11A is the same as that shown in FIG. 4A. It becomes a plurality of sensors 100a-100d of structure. Through the above steps, a plurality of sensors can be manufactured at a time using a multi-sided semiconductor substrate. Thereby, the manufacturing time per sensor can be shortened.

実施例1ではセンサ素子10として、上下方向に振動するジンバル部を備えた角速度センサを例に説明したが、センサ素子10は、可動部18を有するものであれば他の形態であってもよい。例えば他の例として、音叉型の振動センサや検出部に圧電素子を用いたセンサ素子とすることができる。また、センサ素子10の構成はSOI型以外の物を採用してもよい。   In the first embodiment, an angular velocity sensor having a gimbal portion that vibrates in the vertical direction has been described as an example of the sensor element 10. However, the sensor element 10 may have other forms as long as it has a movable portion 18. . For example, as another example, a tuning fork type vibration sensor or a sensor element using a piezoelectric element for the detection unit can be used. Further, the sensor element 10 may employ a configuration other than the SOI type.

実施例2は、実施例1に係るセンサ(図9参照)をさらにモールドパッケージングした例である。図13(a)〜(d)は実施例2に係るセンサの製造方法を示した断面模式図である。実施例1の図9と共通の部材については、一部符号及び説明を省略している。   Example 2 is an example in which the sensor according to Example 1 (see FIG. 9) is further molded and packaged. 13A to 13D are schematic cross-sectional views illustrating a method for manufacturing the sensor according to the second embodiment. About the member common to FIG. 9 of Example 1, the code | symbol and description are abbreviate | omitted.

図13(a)を参照に、実施例1に係るセンサ100(図4にて図示)を、下蓋30を下側にして実装部であるパッケージ40のキャビティ49内に接着剤41を介して実装する。パッケージ40には外部に電気信号を導くためのリードフレーム42が設けられている。   Referring to FIG. 13A, the sensor 100 (illustrated in FIG. 4) according to the first embodiment is placed through the adhesive 41 in the cavity 49 of the package 40 which is the mounting portion with the lower lid 30 on the lower side. Implement. The package 40 is provided with a lead frame 42 for guiding an electrical signal to the outside.

図13(b)を参照に、センサ素子10の上面に設けられた接続電極11とリードフレーム42とを、ワイヤボンディングにより接続する。ワイヤ44は、例えば金やアルミニウムからなり、上蓋20に形成された貫通孔24の内部を通ってセンサ100の外部へと引き出される。このとき、上蓋20の外側領域25は低く形成されているため、ワイヤ44を上蓋20に接触させることなくワイヤボンディングを行うことができる。また、実施例1で述べたように外部接続電極11の面積が貫通孔24の断面積より大きく形成されているため、ワイヤ44と外部接続電極11とを確実に接着させることができる。ワイヤボンディングには、例えば熱圧着方式、超音波熱圧着方式などを用いることができる。   Referring to FIG. 13B, the connection electrode 11 provided on the upper surface of the sensor element 10 and the lead frame 42 are connected by wire bonding. The wire 44 is made of, for example, gold or aluminum, and is drawn out of the sensor 100 through the inside of the through hole 24 formed in the upper lid 20. At this time, since the outer region 25 of the upper lid 20 is formed low, wire bonding can be performed without bringing the wire 44 into contact with the upper lid 20. Moreover, since the area of the external connection electrode 11 is formed larger than the cross-sectional area of the through hole 24 as described in the first embodiment, the wire 44 and the external connection electrode 11 can be reliably bonded. For wire bonding, for example, a thermocompression bonding method, an ultrasonic thermocompression bonding method, or the like can be used.

図13(c)を参照に、貫通孔24の内部及びその周辺に、第1絶縁性樹脂46を供給し硬化させることにより第1絶縁性樹脂部46を形成する。第1絶縁性樹脂部46は、ワイヤ44と外部接続電極11との接続部を保護するために、少なくともワイヤ44と外部接続電極11との接続部を覆うように形成する。第1絶縁性樹脂46は、弾性率が低い樹脂であることが好ましい。これにより、樹脂硬化時に加わる応力によりワイヤ44と外部接続電極11とが乖離してしまうことを抑制することができる。また、第1絶縁性樹脂46は硬化前の流動性が高い材質であることが好ましい。これにより、貫通孔24の内部への充填が容易となる。第1絶縁性樹脂46には、例えば硬化時の弾性率が10MPa以下であり、常温でゲル状のシリコン系樹脂を用いることができる。   Referring to FIG. 13C, the first insulating resin portion 46 is formed by supplying and curing the first insulating resin 46 in and around the through hole 24. The first insulating resin portion 46 is formed so as to cover at least the connection portion between the wire 44 and the external connection electrode 11 in order to protect the connection portion between the wire 44 and the external connection electrode 11. The first insulating resin 46 is preferably a resin having a low elastic modulus. Thereby, it can suppress that the wire 44 and the external connection electrode 11 will separate by the stress added at the time of resin hardening. The first insulating resin 46 is preferably made of a material having high fluidity before curing. Thereby, the inside of the through hole 24 can be easily filled. For the first insulating resin 46, for example, a gel-like silicon-based resin having an elastic modulus at curing of 10 MPa or less and normal temperature can be used.

第1絶縁性樹脂46は、複数の貫通孔24に対し上部から樹脂を滴下するなどして個別に供給してもよいが、図14で示すような形状の上蓋20bを用いて供給を行ってもよい。図14を参照に、上蓋20bの上面には中心部28と貫通孔24とを結ぶ方向に溝26が形成されている。中心部28に設けられた樹脂供給用の凹部に、流動性のある(例えば、常温でゲル状の)第1絶縁性樹脂46を供給する。中心部28に供給された第1絶縁性樹脂46は、溝26を通って貫通孔24の方向に流れ、貫通孔24の内部及びその周辺へと供給される。この方法によれば、複数の貫通孔24のそれぞれに個別に第1絶縁性樹脂46を供給する場合に比べて、樹脂の供給回数を減らすことができるため製造工程を簡略化することができる。なお、図14では上蓋20bの中心部と貫通孔24とを結ぶ方向に溝26を形成したが、溝26の構成はこれに限定されるものではない。すなわち、上蓋20bの中心部以外に樹脂供給用の凹部を設け、複数の貫通孔24に向かって溝26を形成してもよい。また、図14を参照に、溝の深さt1は上蓋20bの厚みt2の50%以下であることが好ましい。   The first insulating resin 46 may be supplied individually by dropping the resin from the upper part to the plurality of through-holes 24, but the first insulating resin 46 is supplied using the upper lid 20 b having a shape as shown in FIG. 14. Also good. Referring to FIG. 14, a groove 26 is formed on the upper surface of the upper lid 20 b in a direction connecting the central portion 28 and the through hole 24. The first insulating resin 46 having fluidity (for example, gel-like at normal temperature) is supplied to the resin supply recess provided in the central portion 28. The first insulating resin 46 supplied to the central portion 28 flows in the direction of the through hole 24 through the groove 26 and is supplied to the inside and the periphery of the through hole 24. According to this method, compared with the case where the first insulating resin 46 is individually supplied to each of the plurality of through holes 24, the number of times of resin supply can be reduced, so that the manufacturing process can be simplified. In FIG. 14, the groove 26 is formed in the direction connecting the central portion of the upper lid 20b and the through hole 24, but the configuration of the groove 26 is not limited to this. That is, a recess for supplying resin may be provided in addition to the central portion of the upper lid 20 b, and the grooves 26 may be formed toward the plurality of through holes 24. Referring to FIG. 14, the depth t1 of the groove is preferably 50% or less of the thickness t2 of the upper lid 20b.

図13(d)を参照に、センサ素子10、上蓋20、下蓋30、ワイヤ44、及び第1絶縁性樹脂46を覆うように第2絶縁性樹脂部48を形成する。第2絶縁性樹脂48は、第1絶縁性樹脂46より弾性率の高い材質を用いる。例えば、弾性率が120MPa以上であるフィラー入りの熱硬化型エポキシ系樹脂を用いることができる。以上の工程により、センサ100へのモールドが完了し、実施例2に係るセンサ102が完成する。   With reference to FIG. 13D, the second insulating resin portion 48 is formed so as to cover the sensor element 10, the upper lid 20, the lower lid 30, the wire 44, and the first insulating resin 46. The second insulating resin 48 is made of a material having a higher elastic modulus than the first insulating resin 46. For example, a thermosetting epoxy resin containing a filler having an elastic modulus of 120 MPa or more can be used. Through the above steps, molding of the sensor 100 is completed, and the sensor 102 according to the second embodiment is completed.

図13(d)を参照に、センサ102の構成を説明する。センサ素子10、上蓋20、及び下蓋30を備えたセンサ100が、実装部であるパッケージ40に下蓋30を下側にして実装されている。センサ素子10に設けられた外部接続電極11とパッケージ40のリードフレーム42とは、上蓋20に設けられた貫通孔24の内部を通るワイヤ44により接続されている。パッケージ40の上面には、センサ素子10、上蓋20、下蓋30、及びワイヤ44を封止する封止部材が設けられている。ここで、封止部材はワイヤ44と外部接続電極11との接続部を覆うように形成された第1絶縁性樹脂部46と、センサ素子10、上蓋20、下蓋30、ワイヤ44、及び第1絶縁性樹脂46を覆うように形成された第2絶縁性樹脂部48とを含む。   The configuration of the sensor 102 will be described with reference to FIG. A sensor 100 including a sensor element 10, an upper lid 20, and a lower lid 30 is mounted on a package 40, which is a mounting portion, with the lower lid 30 on the lower side. The external connection electrode 11 provided in the sensor element 10 and the lead frame 42 of the package 40 are connected by a wire 44 that passes through the inside of the through hole 24 provided in the upper lid 20. A sealing member for sealing the sensor element 10, the upper lid 20, the lower lid 30, and the wire 44 is provided on the upper surface of the package 40. Here, the sealing member includes a first insulating resin portion 46 formed so as to cover the connection portion between the wire 44 and the external connection electrode 11, the sensor element 10, the upper lid 20, the lower lid 30, the wire 44, and the first And a second insulating resin portion 48 formed so as to cover the first insulating resin 46.

実施例2に係るセンサ102によれば、実施例1に係るセンサ100がパッケージ40に実装され、第1絶縁性樹脂46及び第2絶縁性樹脂48により封止されている。これにより、センサ100を外部の衝撃等からより効果的に保護することができる。   According to the sensor 102 according to the second embodiment, the sensor 100 according to the first embodiment is mounted on the package 40 and sealed with the first insulating resin 46 and the second insulating resin 48. Thereby, the sensor 100 can be more effectively protected from an external impact or the like.

また、センサ素子10とパッケージ40とは、貫通孔24を通るワイヤ44により電気的に接続されている。センサ素子10を外部と電気的に接続するための他の方法としては、例えば貫通孔24の内部をメッキして貫通電極を設ける方法があるが、ワイヤボンディングは貫通電極の形成に比べ短時間で行うことができるため、製造工程を短縮することができる。   The sensor element 10 and the package 40 are electrically connected by a wire 44 that passes through the through hole 24. As another method for electrically connecting the sensor element 10 to the outside, for example, there is a method of plating the inside of the through hole 24 to provide a through electrode, but wire bonding takes less time than the formation of the through electrode. Since it can be performed, the manufacturing process can be shortened.

また、センサ100を封止する封止部材は、低弾性の第1絶縁性樹脂部46と、高弾性の第2絶縁性樹脂部48を含んで構成される。このように、まずワイヤ44と外部接続電極11との接合部を低弾性の第1絶縁性樹脂部46で覆い、ワイヤ44と外部接続電極11との接合部を保護した上で、その外側を高弾性の第2絶縁性樹脂部48により覆うことで、ワイヤ44と外部接続電極11との乖離を抑制し、接続信頼性を向上させることができる。   The sealing member that seals the sensor 100 includes a low-elasticity first insulating resin portion 46 and a high-elasticity second insulating resin portion 48. As described above, first, the bonding portion between the wire 44 and the external connection electrode 11 is covered with the low-elasticity first insulating resin portion 46, and the bonding portion between the wire 44 and the external connection electrode 11 is protected, and then the outside is covered. By covering with the highly elastic second insulating resin portion 48, the separation between the wire 44 and the external connection electrode 11 can be suppressed, and the connection reliability can be improved.

実施例2では、図13(c)に示すように第1絶縁性樹脂部46を貫通孔24の周囲にのみ形成したが、図15(a)を参照に、第1絶縁性樹脂部46はセンサ素子10、上蓋20、及び下蓋30を覆うように形成してもよい。その後、図15(b)を参照に、第1絶縁性樹脂46を覆うように第2絶縁性樹脂48を形成してもよい。この方法によれば、図13(c)及び(d)の場合と同じように、ワイヤ44と外部接続電極11との接合部を保護しつつ、センサ100のモールドを行うことができる。また、貫通孔24の周囲に個別に第1絶縁性樹脂部46を形成する場合に比べて、製造工程を簡略化することができる。   In Example 2, the first insulating resin portion 46 was formed only around the through-hole 24 as shown in FIG. 13C. However, referring to FIG. You may form so that the sensor element 10, the upper cover 20, and the lower cover 30 may be covered. Thereafter, referring to FIG. 15B, the second insulating resin 48 may be formed so as to cover the first insulating resin 46. According to this method, as in the case of FIGS. 13C and 13D, the sensor 100 can be molded while protecting the joint portion between the wire 44 and the external connection electrode 11. Further, the manufacturing process can be simplified as compared with the case where the first insulating resin portion 46 is individually formed around the through hole 24.

実施例2では、センサ素子10をワイヤ44により外部と電気的に接続する例について説明したが、センサ素子10と外部とを電気的に接続する方法はこれに限られるものではない。例えば、貫通孔24の内側にメッキにより貫通電極を形成してもよい。また、貫通孔24及びワイヤ44を設けずに外部と電気的な接続を行ってもよい。   In the second embodiment, the example in which the sensor element 10 is electrically connected to the outside by the wire 44 has been described. However, the method of electrically connecting the sensor element 10 and the outside is not limited thereto. For example, the through electrode may be formed inside the through hole 24 by plating. Further, electrical connection to the outside may be performed without providing the through hole 24 and the wire 44.

実施例2では、センサ100をモールドするために2種類の絶縁性樹脂(第1絶縁性樹脂46及び第2絶縁性樹脂48)を用いたが、モールドに使用する樹脂は1種類であってもよい。また、樹脂以外の絶縁性部材を用いてモールドを行ってもよい。   In Example 2, two types of insulating resins (the first insulating resin 46 and the second insulating resin 48) were used to mold the sensor 100. However, even if only one type of resin is used for molding. Good. Moreover, you may mold using insulating members other than resin.

以上、本発明の好ましい実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。   The preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, but the present invention is not limited to such specific embodiments, and various modifications can be made within the scope of the gist of the present invention described in the claims.・ Change is possible.

図1は従来例に係るセンサの構成を示した断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration of a sensor according to a conventional example. 図2は他の従来例に係るセンサの構成を示した断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a configuration of a sensor according to another conventional example. 図3(a)から図3(d)は実施例1に係るセンサの製造工程を示した断面模式図である。FIG. 3A to FIG. 3D are schematic cross-sectional views illustrating the manufacturing process of the sensor according to the first embodiment. 図4(a)は実施例1に係るセンサの構成を示した断面模式図であり、図4(b)は図4(a)の一部を拡大した上面図である。FIG. 4A is a schematic cross-sectional view illustrating the configuration of the sensor according to the first embodiment, and FIG. 4B is a top view in which a part of FIG. 4A is enlarged. 図5(a)は実施例1に係るセンサの接合前の構成を示した斜視図であり、図5(b)は実施例1に係るセンサの接合後の構成を示した斜視図である。FIG. 5A is a perspective view illustrating a configuration before bonding of the sensor according to the first embodiment, and FIG. 5B is a perspective view illustrating a configuration after bonding of the sensor according to the first embodiment. 図6は実施例1に係るセンサの可動部の構成を示した上面図である。FIG. 6 is a top view illustrating the configuration of the movable portion of the sensor according to the first embodiment. 図7は実施例1に係るセンサの動作を示した断面模式図である。FIG. 7 is a schematic cross-sectional view illustrating the operation of the sensor according to the first embodiment. 図8(a)〜(c)は実施例1に係るセンサの上蓋及び下蓋の垂直断面図である。8A to 8C are vertical sectional views of the upper and lower lids of the sensor according to the first embodiment. 図9は実施例1の変形例に係るセンサの構成を示した断面模式図である。FIG. 9 is a schematic cross-sectional view illustrating a configuration of a sensor according to a modification of the first embodiment. 図10(a)及び(b)は実施例1の他の変形例に係るセンサの製造工程を示した断面模式図である。FIGS. 10A and 10B are schematic cross-sectional views illustrating a manufacturing process of a sensor according to another modification of the first embodiment. 図11(a)及び(b)は実施例1の他の変形例に係るセンサの製造工程を示した断面模式図である。FIGS. 11A and 11B are schematic cross-sectional views illustrating a manufacturing process of a sensor according to another modification of the first embodiment. 図12は実施例1の他の変形例に係るセンサの製造工程を示した斜視図であるFIG. 12 is a perspective view illustrating a manufacturing process of a sensor according to another modification of the first embodiment. 図13(a)〜(d)は実施例2に係るセンサの製造工程を示した断面模式図である。13A to 13D are schematic cross-sectional views illustrating the manufacturing process of the sensor according to the second embodiment. 図14は実施例2の変形例に係るセンサの上蓋の構成を示した斜視図である。FIG. 14 is a perspective view illustrating a configuration of an upper lid of a sensor according to a modification of the second embodiment. 図15(a)及び(b)は実施例2の他の変形例に係るセンサの製造工程を示した断面模式図である。FIGS. 15A and 15B are schematic cross-sectional views illustrating a manufacturing process of a sensor according to another modification of the second embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

10 センサ素子
11 外部接続電極
12 下部半導体層
14 上部半導体層
16 第1絶縁層
17 第2絶縁層
19 第3絶縁層
20 上蓋
22 第1可動領域
24 貫通孔
26 溝
30 下蓋
32 第2可動領域
40 パッケージ
41 接着剤
42 リードフレーム
44 ワイヤ
46 第1絶縁性樹脂
48 第2絶縁性樹脂
50 SOIウェハ
60 フレーム部
62 駆動ジンバル部
64 検出ジンバル部
66 第1トーションバー
68 第1櫛歯電極
70 第1トーションバー
72 第2櫛歯電極
100 センサ
102 センサ(モールドパッケージ後)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Sensor element 11 External connection electrode 12 Lower semiconductor layer 14 Upper semiconductor layer 16 1st insulating layer 17 2nd insulating layer 19 3rd insulating layer 20 Upper lid 22 1st movable area 24 Through-hole 26 Groove 30 Lower lid 32 2nd movable area 40 package 41 adhesive 42 lead frame 44 wire 46 first insulating resin 48 second insulating resin 50 SOI wafer 60 frame portion 62 driving gimbal portion 64 detection gimbal portion 66 first torsion bar 68 first comb tooth electrode 70 first Torsion bar 72 Second comb electrode 100 Sensor 102 Sensor (after mold package)

Claims (18)

可動部を有するセンサ素子と、
前記センサ素子の上面を覆うように接合され、前記可動部の動作範囲に対応する領域に凹状の第1可動領域が形成された上蓋と、
前記センサ素子の下面を覆うように接合され、前記可動部の動作範囲に対応する領域に凹状の第2可動領域が形成された下蓋と、
を具備することを特徴とする可動部を有するセンサ。
A sensor element having a movable part;
An upper lid which is joined so as to cover the upper surface of the sensor element and in which a concave first movable region is formed in a region corresponding to the operation range of the movable part;
A lower lid which is joined so as to cover the lower surface of the sensor element, and a concave second movable region is formed in a region corresponding to the operation range of the movable part;
A sensor having a movable part.
前記センサ素子は上面に外部接続電極を有し、
前記上蓋は、前記外部接続電極の上方に前記上蓋を貫通して形成された貫通孔を有することを特徴とする請求項1に記載の可動部を有するセンサ。
The sensor element has an external connection electrode on the upper surface,
The sensor having a movable part according to claim 1, wherein the upper lid has a through hole formed through the upper lid above the external connection electrode.
前記上蓋は、上面における周縁部と前記貫通孔との間の領域が、上面における中心部と前記貫通孔との間の領域に比べて低く形成されていることを特徴とする請求項2に記載の可動部を有するセンサ。   The upper lid is formed such that a region between a peripheral edge portion on the upper surface and the through hole is formed lower than a region between a central portion on the upper surface and the through hole. A sensor having a movable part. 前記上蓋は、上面に前記上蓋の中心部と前記貫通孔とを結ぶ方向に形成された溝を有することを特徴とする請求項2または3に記載の可動部を有するセンサ。   The sensor having a movable part according to claim 2, wherein the upper lid has a groove formed on a top surface thereof in a direction connecting the central portion of the upper lid and the through hole. 前記下蓋を下側にして、前記センサ素子、前記上蓋、及び前記下蓋が実装された実装部と、
前記貫通孔の内部を通り、前記外部接続電極と前記実装部とを接続するワイヤと、
前記実装部の上面に形成され、前記センサ素子、前記上蓋、前記下蓋、及び前記ワイヤを封止する封止部材と、
を具備することを特徴とする請求項2から4のうちいずれか1項に記載の可動部を有するセンサ。
With the lower lid on the lower side, the sensor element, the upper lid, and a mounting portion on which the lower lid is mounted,
A wire that passes through the inside of the through hole and connects the external connection electrode and the mounting portion;
A sealing member that is formed on an upper surface of the mounting portion and seals the sensor element, the upper lid, the lower lid, and the wire;
5. The sensor having a movable part according to claim 2, wherein the sensor has a movable part.
前記封止部材は、
少なくとも前記ワイヤと前記接続電極との接続部を覆うように形成された第1絶縁性樹脂部と、
前記センサ素子、前記上蓋、前記下蓋、及び前記第1絶縁性樹脂部を覆うように形成された、前記第1絶縁性樹脂部より弾性率の高い第2絶縁性樹脂部と、
を含むことを特徴とする請求項5に記載の可動部を有するセンサ。
The sealing member is
A first insulating resin portion formed so as to cover at least a connection portion between the wire and the connection electrode;
A second insulating resin portion having a higher elastic modulus than the first insulating resin portion, formed to cover the sensor element, the upper lid, the lower lid, and the first insulating resin portion;
The sensor which has a movable part of Claim 5 characterized by the above-mentioned.
前記第1絶縁性樹脂部は、前記センサ素子、前記上蓋、及び前記下蓋を覆うように形成されていることを特徴とする請求項6に記載の可動部を有するセンサ。   The sensor having a movable part according to claim 6, wherein the first insulating resin part is formed so as to cover the sensor element, the upper lid, and the lower lid. 上方から見た場合において、前記外部接続電極の面積は、前記センサ素子と前記上蓋との接合面における前記貫通孔の面積以上であることを特徴とする請求項2から7のうちいずれか1項に記載の可動部を有するセンサ。   The area of the external connection electrode when viewed from above is equal to or greater than the area of the through hole in the joint surface between the sensor element and the upper lid. The sensor which has a movable part as described in 4. 前記下蓋を下側にして、前記センサ素子、前記上蓋、及び前記下蓋が実装された実装部と、
前記実装部の上面に形成され、前記センサ素子、前記上蓋、及び前記下蓋を封止する封止部材と、
を具備することを特徴とする請求項1から4のうちいずれか1項に記載の可動部を有するセンサ。
With the lower lid on the lower side, the sensor element, the upper lid, and a mounting portion on which the lower lid is mounted,
A sealing member that is formed on an upper surface of the mounting portion and seals the sensor element, the upper lid, and the lower lid;
The sensor which has a movable part of any one of Claim 1 to 4 characterized by the above-mentioned.
前記可動部は、角速度を検出するために上下方向に振動するジンバル部を含むことを特徴とする請求項1から9のうちいずれか1項に記載の可動部を有するセンサ。   The sensor having a movable part according to any one of claims 1 to 9, wherein the movable part includes a gimbal part that vibrates in the vertical direction in order to detect an angular velocity. 前記センサ素子は、
下部半導体層と、
上部半導体層と、
前記下部半導体層と前記上部半導体層との間に形成され、前記下部半導体層と前記上部半導体層とを絶縁する第1絶縁層と、
からなることを特徴とする請求項1から10のうちいずれか1項に記載の可動部を有するセンサ。
The sensor element is
A lower semiconductor layer;
An upper semiconductor layer;
A first insulating layer formed between the lower semiconductor layer and the upper semiconductor layer and insulating the lower semiconductor layer and the upper semiconductor layer;
The sensor having a movable part according to claim 1, wherein the sensor has a movable part.
前記センサ素子は、
前記センサ素子の上面における、前記上蓋との接合面に形成され、前記センサ素子と前記上蓋とを絶縁する第2絶縁層と、
前記センサ素子の下面における、前記下蓋との接合面に形成され、前記センサ素子と前記下蓋とを絶縁する第3絶縁層と、
を有することを特徴とする請求項1から11のうちいずれか1項に記載の可動部を有するセンサ。
The sensor element is
A second insulating layer that is formed on the upper surface of the sensor element at a joint surface with the upper lid and insulates the sensor element from the upper lid;
A third insulating layer formed on a joint surface of the lower surface of the sensor element with the lower lid and insulating the sensor element and the lower lid;
The sensor having a movable part according to claim 1, wherein the sensor has a movable part.
前記第1可動領域及び前記第2可動領域の垂直断面形状は、長方形、台形、または半楕円形のいずれかであることを特徴とする請求項1から12のうちいずれか1項に記載のセンサ。   13. The sensor according to claim 1, wherein a vertical cross-sectional shape of the first movable region and the second movable region is any one of a rectangle, a trapezoid, and a semi-elliptical shape. . 可動部を有するセンサ素子の上面を覆うように、前記可動部の動作範囲に対応する領域に凹状の第1可動領域が形成された上蓋を接合する工程と、
前記センサ素子の下面を覆うように、前記可動部の動作範囲に対応する領域に凹状の第2可動領域が形成された下蓋を接合する工程と、
を具備することを特徴とする可動部を有するセンサの製造方法。
Bonding a top lid formed with a concave first movable region in a region corresponding to the operating range of the movable unit so as to cover the upper surface of the sensor element having the movable unit;
Joining a lower lid formed with a concave second movable region in a region corresponding to the operating range of the movable part so as to cover the lower surface of the sensor element;
A method for manufacturing a sensor having a movable part.
前記上蓋を接合する工程は、上面に外部接続電極を有する前記センサ素子に、貫通孔が設けられた前記上蓋を、前記外部接続電極の上方に前記貫通孔が位置するように接合することを特徴とする請求項14に記載の可動部を有するセンサの製造方法。   The step of joining the upper lid includes joining the upper lid provided with a through hole to the sensor element having the external connection electrode on the upper surface so that the through hole is located above the external connection electrode. The manufacturing method of the sensor which has a movable part of Claim 14. 前記上蓋を接合する工程は、上面に外部接続電極を有する前記センサ素子に前記上蓋を接合し、
前記上蓋を接合する工程の後、前記上蓋における前記外部接続電極の上方に、前記上蓋を貫通する貫通孔を形成する工程を具備することを特徴とする請求項14に記載の可動部を有するセンサの製造方法。
The step of bonding the upper lid includes bonding the upper lid to the sensor element having an external connection electrode on the upper surface,
15. The sensor having a movable part according to claim 14, further comprising a step of forming a through-hole penetrating the upper lid above the external connection electrode in the upper lid after the step of joining the upper lid. Manufacturing method.
前記上蓋を接合する工程及び前記下蓋を接合する工程の後、前記センサ素子、前記上蓋、及び前記下蓋を、前記下蓋を下側にして実装部の上面に実装する工程と、
前記外部接続電極と前記実装部とを、前記貫通孔の内部を通るワイヤにより接続する工程と、
少なくとも前記ワイヤと前記接続電極との接続部を覆うように、第1絶縁性樹脂部を形成する工程と、
前記センサ素子、前記上蓋、前記下蓋、前記ワイヤ、及び前記第1絶縁性樹脂を覆うように、前記第1絶縁性樹脂部より弾性率の高い第2絶縁性樹脂部を形成する工程と、
を具備することを特徴とする請求項14から16のうちいずれか1項に記載の可動部を有するセンサの製造方法。
After the step of joining the upper lid and the step of joining the lower lid, the step of mounting the sensor element, the upper lid, and the lower lid on the upper surface of the mounting portion with the lower lid on the lower side,
Connecting the external connection electrode and the mounting portion with a wire passing through the inside of the through hole;
Forming a first insulating resin portion so as to cover at least the connection portion between the wire and the connection electrode;
Forming a second insulating resin portion having a higher elastic modulus than the first insulating resin portion so as to cover the sensor element, the upper lid, the lower lid, the wire, and the first insulating resin;
The method for manufacturing a sensor having a movable part according to claim 14, wherein the sensor has a movable part.
前記第1絶縁性樹脂部を形成する工程は、前記上蓋の中心部にゲル状の第1絶縁性樹脂を供給し、前記上蓋の上面において前記中心部と前記貫通孔とを結ぶ方向に形成された溝に沿って、前記貫通孔内部に前記第1絶縁性樹脂を供給する工程を含むことを特徴とする請求項17に記載の可動部を有するセンサの製造方法。   The step of forming the first insulating resin portion is formed in a direction in which the gel-like first insulating resin is supplied to the center portion of the upper lid and the center portion and the through hole are connected on the upper surface of the upper lid. The method of manufacturing a sensor having a movable part according to claim 17, further comprising a step of supplying the first insulating resin into the through hole along the groove.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011247625A (en) * 2010-05-24 2011-12-08 Denso Corp Sensor device
JP2012168154A (en) * 2011-01-26 2012-09-06 Denso Corp Angular velocity sensor

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