JP6344076B2 - 接続部材の製造方法及び電子機器の製造方法 - Google Patents
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Description
[第1の実施の形態]
まず、接続部材を含む電子機器について図1を用いて説明する。
電子機器10は、回路基板20と、回路基板20上に配置されたCPU(Central Processing Unit)等の半導体素子30と、半導体素子30を覆い、有機シーラント60により回路基板20に接着された箱型のヒートスプレッダ50とを含む。さらに、電子機器10は、半導体素子30とヒートスプレッダ50との間に接続部材40が挟まれて配置されている。
図2は、カーボンナノチューブの変形率と接続部材の熱抵抗とを示すグラフである。
図2では、単原子蒸着(Atomic Layer Deposition:ALD)法により、カーボンナノチューブを酸化アルミニウムの薄膜で被覆した場合について示している。
図2(A)は、横軸は薄膜の膜厚([nm])を、縦軸は薄膜で被覆されたカーボンナノチューブをその長さ方向に0.9MPaで荷重をかける前後のカーボンナノチューブの長さの変形率([%])をそれぞれ示している。
次に、接続部材40(図1)について図3を用いて説明する。
図3(A)は、接続部材40と比較するための接続部材140を、図3(B)は、接続部材40を、それぞれ半導体素子30とヒートスプレッダ50との間に配置した場合の要部を示している。
半導体素子30の表面とヒートスプレッダ50の表面には数十μm程度の凹凸が存在している。半導体素子30とヒートスプレッダ50との間に配置される接続部材140は、半導体素子30から発生された熱をヒートスプレッダ50に効率的に伝導させるためには、半導体素子30とヒートスプレッダ50とに密着して、それぞれの表面の凹凸を埋めることが好ましい。このため、接続部材140は、ある程度の弾性力を備えることが好ましい。
図4〜図11は、第1の実施の形態の電子機器の製造方法の一例を示す図である。なお、図4(B)、図5(B)、図6(B)、図7(B)、図8(B)及び図9(B)は、それぞれ、図4(A)、図5(A)、図6(A)、図7(A)、図8(A)、図9(A)の上面図である。
熱酸化膜112を形成する基板として、ここではシリコン基板111を用いるが、一定の耐熱性を有するものであれば、酸化アルミニウム基板、サファイア基板、酸化マグネシウム基板、ガラス基板等、他の基板を用いてもよい。
カーボンナノチューブ41の面密度やサイズは上記に限定されないが、カーボンナノチューブ41による放熱効果の実効を図るには、なるべく高い面密度、例えば1×1010本/cm2以上の面密度でカーボンナノチューブ41を形成するのが好ましい。また、カーボンナノチューブ41の長さは、最終的な電子機器の用途によっても異なるが、第1の実施の形態では、例えば、200μm〜300μm程度とする。
樹脂115には、カーボンナノチューブ41を被膜する薄膜工程の加熱に耐え、レーザー等で剥離できる一定の耐熱性を有する材料を用いる。また、コーティングの方法は、樹脂115をカーボンナノチューブ41の先端部に塗布することができればよく、例えば、スピンコート法等を用いることができる。または、樹脂115は、フォトリソグラフィ技術で用いられるレジスト材を適用することも可能である。
レーザー照射で用いられるレーザー光は、特に限定されず、例えば、YAGレーザー、炭酸ガスレーザー、エキシマレーザー等のガスレーザーを用いることができる。また、レーザー種、レーザー照射時間、レーザー出力は、樹脂115の材質が持つ吸収波長帯域、成膜する膜厚等に応じて、適宜選択することができる。例えば、連続照射型レーザーを使用する場合、照射時の走査の移動速度を変更することで、照射時間を変更することができる。また、パルス型レーザーの場合、発光時間を変更することで、照射時間を調整することができる。また、樹脂115にレジスト材を用いた場合には、フォトリソグラフィ技術で行われるように、樹脂115を加熱した後に、露光及び現像を行ってパターニングして、樹脂115aを形成することも可能である。
そのALD法においては、原料ガスとしてトリメチルアルミニウムと水との混合ガスを使用すると共に、成膜温度を200℃とすることにより、薄膜42の膜厚を10数nmの厚さに形成する。また、図2で説明したように、薄膜42の膜厚が10nm程度を超えると、カーボンナノチューブ43の変形率が10%未満まで低下するので、薄膜42の膜厚は10nm以上が好ましい。
次に、パターニングされた樹脂115aを加熱により溶解させて、樹脂115a上の薄膜42と共に除去する(図9(A))。
この際、樹脂44を少し溶融させておくことで、配置された樹脂44にカーボンナノチューブ41,43の先端部が入り込む。
なお、樹脂44の形状は、フィルム状のほか、ペレット状や棒状でも構わない。
剥離されたカーボンナノチューブ41,43に含浸させた樹脂44の押圧面44aをヒートスプレッダ50に接触させる。加熱しながら、シリコン基板111等が剥離された側のカーボンナノチューブ41,43を治具116によりヒートスプレッダ50側に押圧して、樹脂44の押圧面44aをヒートスプレッダ50に付着させる(図11)。
上記接続部材40の製造方法では、シリコン基板111の中央部の領域Aと領域Aの外側の領域Bとにカーボンナノチューブ41を成長させる。そして、カーボンナノチューブ41に薄膜42となる材料を堆積する。次に、領域Aのカーボンナノチューブ41の先端部を樹脂115aで被覆し、樹脂115aをマスクとして、薄膜42となる材料を堆積し、堆積後に樹脂115aを除去する。これにより、領域Aの外側の領域Bのカーボンナノチューブ43との膜厚を、領域Aのカーボンナノチューブ41の膜厚よりも厚くすることができるようになる。
電子機器100は、電子機器10の箱型のヒートスプレッダ50に代わり、板状のヒートスプレッダ51が適用されている。
但し、ヒートスプレッダ51と半導体素子30との間隙は、接続部材40が圧縮されてカーボンナノチューブ43が屈折しない程度までとする。
上記第1の実施の形態では、基板上のカーボンナノチューブ群のうち、中央部の外側のカーボンナノチューブを選択的に薄膜で被覆する場合を例示した。このほか、基板上のカーボンナノチューブ群を薄膜で被覆し、そのカーボンナノチューブ群に対し、さらにその中央部の外側のカーボンナノチューブを選択的に薄膜で被覆するようにしてもよい。ここでは、このような手法を、第2の実施の形態として、図13及び図14を用いて説明する。なお、第2の実施の形態では、第1の実施の形態と同様の製造工程が適用される場合には、それらの説明を簡略化する。
まず、シリコン基板111上に熱酸化膜112と、下地膜113と、触媒金属膜114とを順に形成し、パターニングして所望の領域のみを残す(図4)。次いで、ホットフィラメントCVD法により触媒金属膜114の上に複数のカーボンナノチューブ41を選択的に成長させる(図5)。
この薄膜45により、シリコン基板111上の各カーボンナノチューブ41の側面及び先端部を覆う。これにより、カーボンナノチューブ41を薄膜45で被覆したカーボンナノチューブ46を得る。カーボンナノチューブ46の薄膜45は、補強する機能の他に、樹脂44に対する濡れ性を向上させる機能を有する。
これにより、中央部の領域Aに薄膜45で被覆されたカーボンナノチューブ46が、領域Aの外側の領域Bに薄膜42(薄膜45にさらに堆積を行ったもの)で被覆されたカーボンナノチューブ43が、それぞれ配置される(図14(B))。
すなわち、カーボンナノチューブ46,43の先端部に熱可塑性の樹脂44を配置し(図10(A)の工程に対応)、加熱しながら樹脂44の押圧面44aをシリコン基板111側に押圧して、カーボンナノチューブ46,43の間隙に樹脂44が徐々に浸透する。カーボンナノチューブ46,43は、それぞれ薄膜45,42で被覆されているために樹脂44との濡れ性が向上し、樹脂44はカーボンナノチューブ46,43の間に広がりやすくなる。
また、第1,第2の実施の形態で製造される接続部材40は、半導体素子30とヒートスプレッダ50との熱的接続に限らず、例えば、素子と回路との電気的接続にも適用することができる。
(付記1) 基板の第1領域と前記第1領域の外側の第2領域とにカーボンナノチューブ群を成長する工程と、
前記第1領域のカーボンナノチューブ群の先端部を第1樹脂層で被覆する工程と、
前記第1樹脂層をマスクとして、前記第2領域のカーボンナノチューブ群に第1材料を堆積し、前記第1材料で前記第2領域のカーボンナノチューブ群を被覆する工程と、
を含むことを特徴とする接続部材の製造方法。
前記第1樹脂層を除去する工程と、
前記基板上のカーボンナノチューブ群を第2樹脂層内に埋設する工程と、
前記基板を剥離する工程と、
をさらに含むことを特徴とする付記1に記載の接続部材の製造方法。
前記基板上のカーボンナノチューブ群に第2材料を堆積し、前記基板上のカーボンナノチューブ群を被覆する工程と、
を含むことを特徴とする付記1又は2に記載の接続部材の製造方法。
前記基板上の前記第1領域及び前記第2領域のカーボンナノチューブ群の先端部に第3樹脂層を配置し、前記第2領域に対応する前記第3樹脂層の部分を除去して前記第1樹脂層を形成する、
ことを特徴とする付記1乃至3のいずれかに記載の接続部材の製造方法。
ことを特徴とする付記1乃至4のいずれかに記載の接続部材の製造方法。
前記第1樹脂層を除去する工程と、
前記基板上のカーボンナノチューブ群に第2材料を堆積し、前記基板上のカーボンナノチューブ群を被覆する工程と、
を含むことを特徴とする付記1に記載の接続部材の製造方法。
前記基板上のカーボンナノチューブ群を第2樹脂層内に埋設する工程と、
前記基板を剥離する工程と、
をさらに含むことを特徴とする付記6に記載の接続部材の製造方法。
前記第1領域のカーボンナノチューブ群の先端部を第1樹脂層で被覆する工程と、
前記第1樹脂層をマスクとして、前記第2領域のカーボンナノチューブ群に第1材料を堆積し、前記第1材料で前記第2領域のカーボンナノチューブ群を被覆する工程と、
前記第1樹脂層を除去する工程と、
前記基板上のカーボンナノチューブ群を第2樹脂層内に埋設する工程と、
前記基板を剥離して、接続部材を形成する工程と、
前記接続部材を半導体素子と放熱部材との間に配置する工程と、
を含むことを特徴とする電子機器の製造方法。
(付記10) 基板の第1領域と、前記第1領域とは異なる第2領域とにカーボンナノチューブ群を成長する工程と、
前記第1領域のカーボンナノチューブ群の先端部を第1樹脂層で被覆する工程と、
前記第1樹脂層をマスクとして、前記第2領域のカーボンナノチューブ群に第1材料を堆積し、前記第1材料で前記第2領域のカーボンナノチューブ群を被覆する工程と、
を含むことを特徴とする接続部材の製造方法。
20 回路基板
30 半導体素子
40,140 接続部材
41,43,46 カーボンナノチューブ
42,45 薄膜
44 樹脂
44a 押圧面
50,51 ヒートスプレッダ
60 有機シーラント
111 シリコン基板
112 熱酸化膜
113 下地膜
114 触媒金属膜
115,115a 樹脂
116 治具
Claims (5)
- 基板の第1領域及び前記第1領域とは異なる第2領域にカーボンナノチューブ群を成長する工程と、
前記第1領域のカーボンナノチューブ群を第1樹脂層で被覆する工程と、
前記第1樹脂層をマスクとして、前記第2領域のカーボンナノチューブ群に第1材料を堆積し、前記第1材料で前記第2領域のカーボンナノチューブ群を被覆する工程と、
前記第1樹脂層を除去する工程と、
前記第1領域及び前記第2領域のカーボンナノチューブ群を第2樹脂層内に埋設する工程と、
前記基板を剥離する工程と、
を含むことを特徴とする接続部材の製造方法。 - 前記第1領域及び前記第2領域にカーボンナノチューブ群を成長する工程後、
前記第1領域及び前記第2領域のカーボンナノチューブ群に第2材料を堆積し、前記第2材料で前記第1領域及び前記第2領域のカーボンナノチューブ群を被覆する工程と、
を含むことを特徴とする請求項1に記載の接続部材の製造方法。 - 前記第1領域のカーボンナノチューブ群を前記第1樹脂層で被覆する工程では、
前記第1領域及び前記第2領域のカーボンナノチューブを第3樹脂層で被覆し、前記第2領域に対応する前記第3樹脂層の部分を除去して前記第1樹脂層を形成する、
ことを特徴とする請求項1または2に記載の接続部材の製造方法。 - 前記第1材料で前記第2領域のカーボンナノチューブ群を被覆する工程後、
前記第1樹脂層を除去する工程と、
前記第1領域及び前記第2領域のカーボンナノチューブ群に第2材料を堆積し、前記第2材料で前記第1領域及び前記第2領域のカーボンナノチューブ群を被覆する工程と、
を含むことを特徴とする請求項1に記載の接続部材の製造方法。 - 基板の第1領域及び前記第1領域とは異なる第2領域にカーボンナノチューブ群を成長する工程と、
前記第1領域のカーボンナノチューブ群を第1樹脂層で被覆する工程と、
前記第1樹脂層をマスクとして、前記第2領域のカーボンナノチューブ群に第1材料を堆積し、前記第1材料で前記第2領域のカーボンナノチューブ群を被覆する工程と、
前記第1樹脂層を除去する工程と、
前記第1領域及び前記第2領域のカーボンナノチューブ群を第2樹脂層内に埋設する工程と、
前記基板を剥離して、接続部材を形成する工程と、
前記接続部材を半導体素子と放熱部材との間に配置する工程と、
を含むことを特徴とする電子機器の製造方法。
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