JP6337780B2 - 送電装置および受電装置 - Google Patents

Description

本願発明は、非接触で電力を送電する送電装置および非接触で電力を受電する受電装置に関する。

下記の特許文献１〜５に記載されているように、従来から非接触で電力を送電する送電装置や非接触で電力を受電する受電装置について各種提案されている。

特許文献６に記載された送電装置は、アルミ製の基板と、この基板上に配置されたＥ型コアと、Ｅ型コアに装着された巻き線と、ポリカーボネイド製の保護カバーとを備える。Ｅ型コアは、複数の板状コアを積層して形成されている。特許文献７に記載された送電装置は、送電用コイルケースと、この送電用コイルケース内に収容された共鳴コイルおよび電磁誘導コイルとを備える。送電用コイルケースの底板の内側には、アルミニウムによって形成されたシールドが配置されており、このシールドの上面には、磁性体コアが配置されている。この磁性体コアの上方に共鳴コイルおよび電磁誘導コイルが配置されている。

特開２０１３−１５４８１５号公報 特開２０１３−１４６１５４号公報 特開２０１３−１４６１４８号公報 特開２０１３−１１０８２２号公報 特開２０１３−１２６３２７号公報 特開２００８−１２０２３９号公報 特開２０１２−１２０４１１号公報

上記の特許文献６に記載された送電装置においては、板状コアが互いに接触するように構成されている。しかし、板状コア同士を接触するように配置した場合には、必要となるフェライト量が多くなる。

そこで、板状コアを間隔をあけて配置することが考えられる。板状コアを間隔をあけて配置すると、板状コア間からアルミ製の基板が露出する。なお、特許文献７に記載された送電装置においてはシールドが露出することになる。

このように、金属板が露出した状態で電力伝送を実施すると、板状コア間の隙間を磁束が通り、この磁束の一部が板状コア間から露出する金属板に入り込むことになる。金属板に磁束が入り込むと金属板が高温化する。その結果、送電装置自体が高温化する。同様の課題は、受電装置においても生じる。

本発明は、上記のようにな課題に鑑みてなされたものであって、その第１の目的は、フェライトの使用量の抑制を図ることができると共に、電力送電時に高温となることが抑制された送電装置を提供することである。第２の目的は、フェライトの使用量の抑制を図ることができると共に、電力受電時に高温となることが抑制された受電装置を提供することである。

本願発明に係る送電装置は、金属板と、金属板上に配置されたフェライトと、フェライト上に配置された送電コイルとを備える。上記フェライトは、互いに間隔をあけて配置された複数の分割フェライトを含み、上記金属板のうち、分割フェライト間に位置する部分に凹部が形成される。

上記のように構成された送電装置においては、電力送電時に、フェライト内を磁束が通り、分割フェライト間の隙間を磁束が通る。金属板のうち分割フェライト間に位置する部分に凹部が形成されているため、分割フェライト間の隙間を通る磁束が、金属板に入り込むことを抑制することができる。これにより、金属板が高温化することを抑制することができ、送電装置が高温となることを抑制することができる。また、フェライトを複数の分割フェライトで形成し、各分割フェライトを間隔をあけて配置しているため、フェライトの使用量の低減を図ることができる。

好ましくは、分割フェライトは凹部の縁部から突出するように配置される。
電力送電時に、磁束が分割フェライト間の隙間を通る際に、磁束の一部は、分割フェライトの下面のうち金属板から露出した部分から出射される。そして、隣り合う分割フェライトの下面のうち金属板から露出した部分に入射する。このように露出した部分からも磁束が出射、入射することで、隣り合う分割フェライト間で良好に磁束が流れ、隣り合う分割フェライト間の磁気抵抗の低減を図ることができる。

好ましくは、分割フェライトが凹部の縁部から突出する突出量よりも、凹部の深さの方が大きい。

このように構成された送電装置において、電力送電時に、分割フェライト間に磁束密度の高い領域が形成される。その一方で、凹部の深さが深いため、磁束密度の高い領域が、金属板に達することが抑制されている。これにより、金属板のうち分割フェライト間に位置する部分が高温となることが抑制される。

好ましくは、上記金属板は、平坦部と、平坦部から上方に突出するように形成された突出部とを含む。上記突出部は、平坦部から上方に向けて延びる周壁部と、周壁部上に配置された天板部とを含む。上記分割フェライトは、平坦部および天板部に配置される。上記分割フェライトは、平坦部に配置されると共に突出部と隣り合う位置に配置された第１分割フェライトと、天板部の外周縁部から突出するように配置されて、第１分割フェライトと一部が上下方向に対向するように配置された第２分割フェライトとを含む。上記送電コイルは、第１分割フェライト上に配置されると共に、周壁部の周囲を取り囲むように配置される。上記周壁部のうち、第１分割フェライトと第２分割フェライトとの間に位置する部分に凹部が形成される。

このように構成された送電装置によれば、電力送電時に、第１分割フェライトと第２分割フェライトの間で多くの磁束が通ることになる。この際、周壁部のうち、第１分割フェライトと第２分割フェライトの間に位置する部分に凹部が形成されているため、第１分割フェライトと第２分割フェライトとの間を通る磁束が周壁部に入り込むことを抑制することができる。

好ましくは、上記天板部から第２分割フェライトが突出する方向を突出方向とすると、突出方向における第１分割フェライトと第２分割フェライトとが対向する長さは、第１分割フェライトと第２分割フェライトの上下方向の距離よりも長い。

上記のように構成された送電装置によれば、電力送電時において、第１分割フェライトと第２分割フェライトとが上下方向に対向する面積が大きくなり、第１分割フェライトと第２分割フェライトの間で良好に磁束が流れることになる。これに伴い、磁束が広い範囲にまで広がることを抑制することができる。

本発明に係る受電装置は、金属板と、金属板の下面に配置されたフェライトと、フェライトの下面に配置された送電コイルとを備える。上記フェライトは、互いに間隔をあけて配置された複数の分割フェライトを含み、金属板のうち、分割フェライト間に位置する部分には、凹部が形成される。

上記のように構成された受電装置によれば、電力受電時に、フェライト内を磁束が通り、分割フェライト間の隙間も磁束が通る。金属板のうち分割フェライト間に位置する部分には、凹部が形成されているため、分割フェライト間の隙間を通る磁束が、金属板に入り込むことを抑制することができる。これにより、金属板が高温化することを抑制することができる。

本願発明に係る送電装置および受電装置においては、フェライトの使用量を低減することができると共に、電力送電または電力受電時に装置自体が高温となることを抑制することができる。

実施の形態１に係る非接触電力伝送システムを示す模式図である。 送電装置４を模式的に示す断面図である。 送電装置４の分解斜視図である。 フェライト３６を示す平面図である。 金属板３５を示す斜視図である。 凹部５０およびその周囲の構成を示す断面図である。 凹部５１およびその周囲の構成を示す断面図である。 分割フェライト４４の端面およびその近傍を示す断面図である。 分割フェライト４４の配置の変形例を示す断面図である。 分割フェライト４５の配置の変形例を示す断面図である。 送電装置４の変形例を示す送電装置４の断面図である。 フェライト３６を示す平面図である。 金属板３５を示す斜視図である。 実施の形態２に係る送電装置４を示す断面図である。 周壁部４２およびその周囲の構成を示す断面図である。 金属板３５を示す斜視図である。 分割フェライトの配置に関する変形例を示す断面図である。 金属板３５を示す斜視図である。 実施の形態３に係る送電装置４を示す断面図である。 受電装置５を示す断面図である。 金属板１０２を示す斜視図である。 分割フェライト１１２および分割フェライト１１２の周囲の構成を示す断面図である。 第３分割フェライト１１１Ａおよび外周フェライト１１１Ｂおよびその周囲の構成を示す断面図である。 第４分割フェライト１１２Ａおよびその周囲の構成を示す断面図である。 受電装置５の変形例を示す断面図である。

（実施の形態１）
図１から図１３を用いて、実施の形態１に係る送電装置および非接触電力伝送システムについて説明する。

図１は、実施の形態１に係る非接触電力伝送システムを示す模式図である。この図１に示すように、非接触電力伝送システム１は、車両２に搭載された受電モジュール３と、受電モジュール３に非接触で電力を送電する送電装置４とを備える。

受電モジュール３は、受電装置５と、受電装置５に接続された整流器６と、整流器６に接続されたバッテリ７とを備える。

受電装置５は、受電コイル８と、受電コイル８に接続されたコンデンサ９を含む。受電コイル８とコンデンサ９とでによって共振器が構成される。整流器６は、受電装置５が受電した交流電力を直流電力に変換すると共に、電圧を調整してバッテリ７に供給する。バッテリ７は、整流器６から供給された電力を貯留すると共に、駆動用モータに供給して車輪を駆動する。

送電装置４は、電源１０に接続されており、電源１０から電力が供給される。送電装置４は、送電コイル１１と、送電コイル１１に接続されたコンデンサ１２と、周波数調整器２３とを含み、送電コイル１１とコンデンサ１２とによって共振器が形成されている。

なお、受電コイル８およびコンデンサ９によって形成された共振器の共振周波数と、送電コイル１１およびコンデンサ１２によって形成された共振器の共振周波数とはいずれも同一または実質的に同一となっている。また、受電装置５のＱ値および送電装置４のＱ値は、いずれも、１００以上である。

このように形成された非接触電力伝送システム１においては、電源１０から周波数調整器に２４に供給される。周波数調整器２４は、供給された電流の周波数を数十ＫＨｚに変換して、送電コイル１１に供給する。そして、送電装置４に供給された電力は送電コイル１１から非接触で受電装置５に送電される。

図２は、送電装置４を模式的に示す断面図である。この図２に示すように、送電装置４は、ケース２０と、ケース２０内に収容されたコイルユニット２１と、複数の低電圧素子２２と、複数の高電圧素子２４とを含む。

ケース２０は、金属板２５と、この金属板２５を覆うように形成された蓋２６とを含む。図３に示すように、金属板２５は、平板状に形成された平板部３０と、平板部３０の上面に形成された壁３１と、平板部３０の上面に形成されると共に壁３１の内側に間隔をあけて配置された壁３２とを含む。なお、図３に示す例においては、壁３１，３２は、環状に形成されている。蓋２６は、たとえば、樹脂によって形成されており、電力伝送時に送電コイル１１の周囲に形成される電磁界を透過する。

その一方で、金属板２５は、電力伝送時に送電コイル１１の周囲に形成される電磁界の透過を抑制する。これにより、送電装置４の周囲に電磁界が漏洩することを抑制する。

図２において、イルユニット２１は、金属板３５と、金属板３５上に配置されたフェライト３６と、フェライト３６上に配置された送電コイル１１と、金属板３５の背面側に配置されたコンデンサ１２とを含む。

金属板３５は、平坦面状に形成された平坦部４０と、この平坦部４０に形成されて上方に突出するように形成された突出部４１とを含む。突出部４１は、平坦部４０の中央部に設けられている。突出部４１は、平坦部４０から上方に向けて延びる周壁部４２と、周壁部４２上に配置された天板部４３とを含む。

図２および図３に示すように、金属板２５上に金属板３５を配置すると、金属板３５は、壁３１および壁３２によって支持され、金属板３５と金属板２５との間に低電圧素子２２や高電圧素子２４を収容する空間が形成される。

低電圧素子２２は、たとえば、センサなどの素子である。複数の高電圧素子２４によって周波数調整器２３が形成されている。周波数調整器２３は、電源１０から供給される交流電力の周波数を調整すると共に送電コイル１１に供給する電圧を調整する。

フェライト３６は、複数の分割フェライト４４，４５を含み、分割フェライト４４は、天板部４３上に配置されており、分割フェライト４５は、平坦部４０上に配置されている。

なお、金属板３５は、環状に形成された壁３１および壁３２によって支持されているため、仮に、車両によって送電装置４が踏まれたとしても、金属板３５が大きく変形することが抑制されている。そして、この金属板３５で分割フェライト４４，４５を支持しているため、車両によって送電装置４が踏まれた際に、分割フェライト４４，４５が割れることが抑制されている。

図４は、フェライト３６を示す平面図である。この図４および図２に示すように、分割フェライト４４は互いに間隔をあけて配置されており、分割フェライト４４間には、空隙４６が形成されている。同様に、分割フェライト４５は互いに間隔をあけて配置されており、分割フェライト４５間には空隙４７が形成されている。このように、フェライト３６を複数の分割フェライトで形成することで、必要となるフェライト量の低減を図ることができる。

なお、この図４に示す例においては、全ての分割フェライト４４同士の間に空隙４６が形成されており、また、全ての分割フェライト４５同士の間に空隙４７が形成されており、空隙４６，４７は、格子状に延びるように形成されている。

図２に示すように、金属板３５の天板部４３には、空隙４６に対応する位置に凹部５０が形成されており、金属板３５の平坦部４０には、空隙４７に対応する位置に凹部５１が形成されている。なお、空隙４６および空隙４７は、格子状に形成されているため、図５に示すように、凹部５０および凹部５１も格子状に形成されている。

なお、図２および図５に示すように、凹部５０が格子状に形成されることで、天板部４３には、複数の台５２が形成され、この台５２に分割フェライト４４が載せられる。同様に、凹部５１が格子状に形成されることで、平坦部４０には複数の台５３が形成され、この台５３上に分割フェライト４５が載せられる。

上記のように構成された非接触電力伝送システム１において、電力伝送をする際には、図２において、送電コイル１１に交流電力が供給され、送電コイル１１の周囲に多くの磁束ＭＦが形成される。

この磁束ＭＦは、たとえば、受電コイル８側から複数の分割フェライト４４内に入り込む。そして、複数の分割フェライト４４のうち、最も天板部４３の外周側に位置する分割フェライト４４から分割フェライト４５内に入り込む。そして、複数の分割フェライト４５のうち、送電コイル１１よりも外周側に位置する分割フェライト４５から上方に向かう。送電コイル１１には交流電力が流れるため、磁束ＭＦは、上記の磁気経路と反対方向の経路もたどる。

なお、天板部４３の外周縁部に配置された分割フェライト４４は、天板部４３の外周縁部から突出するように配置されている。そして、複数の分割フェライト４５の周壁部４２に最も近接する分割フェライト４５と、天板部４３の外周縁部から突出する分割フェライト４４とが、上下方向に重なるように配置されている。これにより、分割フェライト４４から分割フェライト４５に磁束が良好に流れる。

このように磁束が流れる状況において、低電圧素子２２および周波数調整器２３が金属板３５の下面側に配置されているため、送電コイル１１の周囲に形成される磁束が低電圧素子２２および高電圧素子２４に達することが抑制されている。

図６に示すように、電力伝送時には、多くの磁束ＭＦが分割フェライト４４間を通る。そして、分割フェライト４４の端面同士が対向する位置が最も磁気強度が高くなり、当該位置から離れるにつれて磁気強度が低くなる。ここで、天板部４３には、空隙４６に対応する位置に凹部５０が形成されているため、分割フェライト４４間を通る磁束ＭＦが天板部４３に達することが抑制される。これにより、天板部４３内を磁束ＭＦが通ることが抑制され、天板部４３に磁束ＭＦによる渦電流が発生することが抑制される。その結果、電力伝送時に天板部４３が高温となることが抑制される。

図７に示すように、電力伝送時には、多くの磁束ＭＦが分割フェライト４５間を通る。そして、分割フェライト４５の端面同士が対向する位置が最も磁気強度が高くなり、当該位置から離れるにつれて磁気強度が低くなる。ここで、平坦部４０には、空隙４７に対応する位置に凹部５１が形成されているため、分割フェライト４５間を通る磁束ＭＦが平坦部４０に達することが抑制される。これにより、平坦部４０内を磁束ＭＦが通ることが抑制され、平坦部４０に磁束ＭＦによる渦電流が発生することが抑制される。その結果、電力伝送時に平坦部４０が高温となることが抑制される。

図８は、分割フェライト４４の端面およびその近傍を示す断面図である。この図８に示すように、分割フェライト４４は、凹部５０の縁部から突出するように配置されている。このため、分割フェライト４４の下面のうち凹部５０から突出する部分は、天板部４３から露出する露出面６１となっている。

電力伝送時には、一方の分割フェライト４４の端面６０から他方の分割フェライト４４の端面６０に向けて多くの磁束ＭＦＡが出射される。また、一方の分割フェライト４４の露出面６１からも、他方の分割フェライト４４の露出面６１に向けて多くの磁束ＭＦＢ，ＭＦＣが出射される。ここで、磁束ＭＦＢは、磁束ＭＦＣよりも分割フェライト４４の下端辺Ｐ１に近い位置から出射している。

磁束ＭＦＢは、一方の分割フェライト４４の下端辺Ｐ１から距離ＬＢ離れた位置から出射している。この磁束ＭＦＢの多くは、下端辺Ｐ１を中心として距離ＬＢを半径とする円弧状の経路をたどり、下端辺Ｐ１の下方から水平方向に延びる経路をたどる。そして、磁束ＭＦＢの多くは、他方の分割フェライト４４の下端辺Ｐ２の下方に達すると、下端辺Ｐ２を中心として距離ＬＢを半径とする円弧状の経路を通る。

磁束ＭＦＣの多くは、一方の分割フェライト４４の下端辺Ｐ１から距離ＬＣ離れた位置から出射している。この磁束ＭＦＣは、まず、下端辺Ｐ１を中心として距離ＬＣを半径とする円弧状の経路をたどり、下端辺Ｐ１の下方から水平方向に延びる経路をたどる。そして、磁束ＭＦＣは、他方の分割フェライト４４の下端辺Ｐ２の下方に達すると、下端辺Ｐ２を中心として距離ＬＣを半径とする円弧状の経路を通る。

このように、分割フェライト４４が凹部５０の縁部から突出するように配置されているため、互いに隣り合う分割フェライト４４の露出面６１間においても磁気結合がなされ、各分割フェライト４４間の磁気結合を高めることができる。これにより、分割フェライト４４間で磁気飽和することが抑制され、電力伝送効率の向上を図ることができる。

ここで、分割フェライト４４が凹部５０から突出する突出長を突出長ｒ１とし、凹部５０の深さを深さＤ１とすると、深さＤ１の方が突出長ｒ１よりも大きい。ここで、距離ＬＣが突出長ｒ１であるとすると、磁束ＭＦＣの多くは、分割フェライト４４の下方において、下端辺Ｐ１を中心として突出長ｒ１を半径とする円弧状の経路を通ることになる。その一方で、深さＤ１は、突出長ｒ１よりも大きいため、当該磁束ＭＦＣが凹部５０の内表面に達することが抑制されている。

このため、一方の分割フェライト４４から他方の分割フェライト４４に向かう磁束ＭＦが凹部５０の内表面に達することがさらに抑制されており、天板部４３が高温化することがさらに抑制されている。

ここで、凹部５０は、底部５５と、底部５５の一辺部から上方に延びる側壁部５７と、底部５５の他辺部から上方に延びる側壁部５８とによって形成されている。この図８に示す例においては、側壁部５７および側壁部５８は分割フェライト４４の下面から垂下するように形成されているため、露出面６１から出射された磁束ＭＦＣなどの磁束が側壁部５７，５８内に入り込むことが抑制されている。

なお、凹部５０の側壁部５７，５８は、図８の二点鎖線で示すように湾曲させてもよい。この場合、各側壁部５７，５８の曲率半径は、突出長ｒ１よりも大きい。これにより、各側壁部５７，５８に磁束ＭＦが入り込むことが抑制される。

なお、分割フェライト４５においても図７に示すように、分割フェライト４５は凹部５１の縁部から突出するように配置されているため、隣り合う分割フェライト４５同士間の磁気結合の向上が図られている。

また、分割フェライト４５が凹部５１の縁部から突出する突出長を突出長ｒ２とし、凹部５１の深さを深さＤ２とすると、深さＤ２の方が突出長ｒ２よりも大きい。このため、分割フェライト４５間をとおる磁束ＭＦが凹部５１の内表面に達することが抑制されている。これにより、平坦部４０が高温化することが抑制されている。なお、凹部５１を形成する側壁部においても、湾曲状に形成してもよい。この場合、側壁部の曲率半径は、突出長ｒ２よりも大きい。

上記図２などに示す例においては、各分割フェライト４４，４５は、凹部の縁部から突出するように配置されているが、各分割フェライトを凹部から突出させることは必須の構成ではない。

図９において、天板部４３には、空隙４６に対応する位置に凹部５０が形成されており、分割フェライト４４は、凹部５０から突出しないように配置されている。分割フェライト４４は、端面６０が凹部５０の縁部に位置するように配置されている。

ここで、電力伝送時において、一方の分割フェライト４４の端面６０から他方の分割フェライト４４の端面６０に向けて磁束ＭＦが出射される際に、一部の磁束ＭＦ１の経路が外側に膨らむ場合がある。このような場合においても、凹部５０が形成されているため、当該磁束ＭＦ１が凹部５０の内表面に入り込むことを抑制することができる。

同様に、図１０においても、平坦部４０には、空隙４７に対応する位置に凹部５１が形成されている。そして、分割フェライト４５は、端面が凹部５１の縁部に位置するように配置されている。電力伝送時に、一方の分割フェライト４５の端面から他方の分割フェライト４５の端面に向けて磁束ＭＦが出射された際に、一部の磁束ＭＦ２の経路が外方に膨らむ場合がある。このような場合においても、当該磁束ＭＦ２が凹部５１の内表面に入り込むことが抑制される。このため、図９および図１０に示す例においても、送電装置の高温化を抑制することができる。

また、図２などに示す例においては、金属板３５には、空隙４６および空隙４７に対応する位置の全てに凹部５０および凹部５１が形成されているが、空隙４６および空隙４７に対応する位置の全てに凹部を形成する必要はない。

図１１から図１３を用いて、変形例に係る送電装置について説明する。図１１に示すように、フェライト３６は、天板部４３の上面上に配置された複数の分割フェライト４４と、平坦部４０の上面上に配置された複数の分割フェライト４５とを含む。

図１１および図１２において、天板部４３上に配置された分割フェライト４４は、天板部４３の中央に配置された中央フェライト４４Ｂと、この中央フェライト４４Ｂの外周側に配置された複数の第２分割フェライト４４Ａとを含む。この図１２に示す例においては、中央フェライト４４Ｂは、４つ設けられており、第２分割フェライト４４Ａは、中央フェライト４４Ｂの周囲を取り囲むように環状に配置されている。第２分割フェライト４４Ａは、天板部４３の外周縁部に配置されている。

平坦部４０上に配置された分割フェライト４５は、周壁部４２の周囲を取り囲むようにに環状に配置された複数の第１分割フェライト４５Ａと、環状に配置された複数の第１分割フェライト４５Ａの外側に配置された複数の外周フェライト４５Ｂとを含む。複数の第１分割フェライト４５Ａは、周壁部４２と隣り合う位置に配置されている。

図１１に示すように、電力伝送時において、中央フェライト４４Ｂをとおる磁束量よりも第２分割フェライト４４Ａを通る磁束量の方が多い。これは、送電コイル１１に近い位置程、多くの磁束ＭＦが形成されるためである。

また、第２分割フェライト４４Ａの枚数よりも、第１分割フェライト４５Ａの枚数の方が多く、さらに、第２分割フェライト４４Ａの枚数よりも外周フェライト４５Ｂの枚数の方が多い。このため、第２分割フェライト４４Ａを流れる磁束量の方が、第１分割フェライト４５Ａを流れる磁束量よりも多く、また、外周フェライト４５Ｂを流れる磁束量よりも多い。

このように、第２分割フェライト４４Ａを通る磁束量が多いため、第２分割フェライト４４Ａ間を流れる磁束量も多くなっている。そこで、図１３に例においては、金属板３５には、第２分割フェライト４４Ａの周囲に位置する空隙に対応する位置に凹部５０を形成している。このように、金属板３５のうち、各分割フェライト間に位置する空隙に対応する全ての位置に凹部を形成することは本発明の必須構成ではない。

（実施の形態２）
図１４から図１８を用いて、実施の形態２に係る送電装置４について説明する。なお、図１から図１３に示す構成と同一または実質的に同一な構成については同一の符号を付してその説明を省略する場合がある。

図１４に示すように、フェライト３６は、平坦部４０上に配置されると共に突出部４１と隣り合う位置に配置された複数の第１分割フェライト４５Ａと、天板部４３の外周縁部に配置されて一部が天板部４３から突出するように配置された複数の第２分割フェライト４４Ａとを含む。

図１５において、第２分割フェライト４４Ａが天板部４３の外周縁部から突出するように配置されているため、第２分割フェライト４４Ａの下面が天板部４３から露出し、露出面７０が形成されている。

金属板３５のうち、第２分割フェライト４４Ａと第１分割フェライト４５Ａとの間の空隙に対応する位置には、凹部６５が形成されている。凹部６５は、湾曲面状に形成されており、凹部６５は突出部４１の内方に向けて突出するように湾曲している。

ここで、電力伝送時においては、第２分割フェライト４４Ａから第１分割フェライト４５Ａに磁束ＭＦが流れる。この際、金属板３５のうち、第２分割フェライト４４Ａと第１分割フェライト４５Ａとの間に位置する部分に凹部６５が形成されているので、磁束ＭＦが金属板３５内に入り込むことが抑制されている。特に、凹部６５は、磁束ＭＦの流れに沿って湾曲面状に形成されているため、周壁部４２に磁束が入り込むことが良好に抑制されている。

ここで、天板部４３の外周縁部に対して垂直な断面において、第２分割フェライト４４Ａが天板部４３の外周縁部から突出する長さを突出長Ｌ１とし、第１分割フェライト４５Ａおよび第２分割フェライト４４Ａの間の距離を距離Ｌ２とする。そして、天板部４３の外周縁部に対して垂直な断面において、第２分割フェライト４４Ａが天板部４３の外周縁部から突出する方向を突出方向ＤＩとする。

第２分割フェライト４４Ａが天板部４３の外周縁部から突出すると共に、第１分割フェライト４５Ａが周壁部４２の近傍に配置されているため、第１分割フェライト４５Ａの一部と第２分割フェライト４４Ａの一部とは、上下方向に対向する。

そして、突出方向ＤＩにおいて、第１分割フェライト４５Ａと第２分割フェライト４４Ａとが上下方向に対向する長さを対向長さＬ３とすと、対向長さＬ３は、距離Ｌ２よりも長い。このため、第１分割フェライト４５Ａと第２分割フェライト４４Ａとが対向する面積が広く、第１分割フェライト４５Ａと第２分割フェライト４４Ａとの間の磁気結合が高くなっている。これに伴い、多くの磁束ＭＦが第２分割フェライト４４Ａと第１分割フェライト４５Ａとの間で流れたとしても、磁束ＭＦが広い範囲まで広がることを抑制することができ、磁束ＭＦが周壁部４２に達することを抑制することができる。

図１６に示すように、凹部６５は、周壁部４２に環状に形成されており、周壁部４２に磁束ＭＦが入り込むことが良好に抑制されている。

なお、図１６などに示す凹部６５は、周壁部４２の略全面に形成されているが、周壁部４２の一部に凹部６５を形成するようにしてもよい。具体的な変形例について、図１７および図１８を用いて説明する。図１７に示す例においては、平坦部４０上に配置された分割フェライト４５のうち、周壁部４２と隣り合うように配置された第１分割フェライト４５Ａの高さＨ１は、第１分割フェライト４５Ａの外周側に配置された外周フェライト４５Ｂよりも高さが高くなるように配置されている。

第１分割フェライト４５Ａは、平坦部４０上に配置された下面７２と、第２分割フェライト４４Ａの露出面７０と対向する上面７１と、側面７３，７４とを含み、側面７４が周壁部４２と対向するように配置されている。

なお、第１分割フェライト４５Ａと第２分割フェライト４４Ａとの間の距離Ｌ４は、第２分割フェライト４４Ａの突出長Ｌ１よりも小さく、第１分割フェライト４５Ａの上面７１は第２分割フェライト４４Ａの露出面７０に近接している。

そして、周壁部４２と天板部４３との間に位置する部分に凹部６６が形成されている。この凹部６６は、金属板３５のうち第２分割フェライト４４Ａと第１分割フェライト４５Ａとの間の空隙に対応する位置に設けられている。なお、図１８に示すように、凹部６６は環状に形成されている。第１分割フェライト４５Ａは、凹部６６の縁部よりも上方に突出しており、側面７４の一部が凹部６６に位置している。

ここで、電力伝送時において、第２分割フェライト４４Ａから第１分割フェライト４５Ａに向けて磁束ＭＦが流れる。この際、金属板３５のうち、第２分割フェライト４４Ａと第１分割フェライト４５Ａとの間に位置する部分には、凹部６６が形成されているため、磁束ＭＦが周壁部４２に入り込むことを抑制することができる。

第１分割フェライト４５Ａの上面７１は、露出面７０に近接しているため、第２分割フェライト４４Ａから第１分割フェライト４５Ａに良好に磁束が流れる。また、第２分割フェライト４４Ａの露出面７０から第１分割フェライト４５Ａの側面７４のうち、凹部６６に位置している部分に磁束が流れる。このため、第２分割フェライト４４Ａから第１分割フェライト４５Ａに良好に磁束ＭＦが流れ、磁気抵抗の低減が図られている。このように、周壁部４２に形成する凹部としては、周壁部４２の全面に形成する必要はなく、周壁部４２の一部に形成するようにしてもよい。

（実施の形態３）
図１９を用いて、実施の形態３に係る送電装置について説明する。図１９に示す構成のうち、図１から図１８に示す構成と同一または実質的に同一の構成については同一の符号を付して説明を省略する場合がある。

上記実施の形態１，２においては、フェライト３６を支持する金属板３５に凹部５０，５１，６５などを形成した例について説明したが、本実施の形態３においては、シールドとして機能する金属板２５に凹部を形成した例について説明する。

図１９において、送電装置４は、ケース２０と、ケース２０内に収容されたコイルユニット２１とを備える。ケース２０は、金属板２５と、金属板２５を覆うように設けられた蓋２６とを含む。

金属板２５は、平坦部８０と、平坦部８０から上方に突出するように形成された突出部８１とを含む。突出部８１は、上方に向けて延びる周壁部８２と、周壁部８２の上端に設けられた天板部８３とを含む。突出部８１および平坦部８０によって囲まれた空間にコンデンサ１２が収容されている。

電力伝送時には、送電コイル１１の周囲に電磁界が形成される。金属板２５は、送電コイル１１の周囲に形成される電磁界が外部に漏洩することを抑制する。また、コンデンサ１２が平坦部８０および突出部８１によって囲まれた空間内に収容されているため、送電コイル１１の周囲に形成される電磁界がコンデンサ１２に達することが抑制されている。

コイルユニット２１は、金属板２５上に配置されたフェライト３６と、このフェライト３６上に配置された送電コイル１１と、コンデンサ１２とを含む。

フェライト３６は、互いに間隔をあけて配置された複数の分割フェライト４４，４５を含み、複数の分割フェライト４４は、天板部８３上に互いに間隔をあけて配置され、複数の分割フェライト４５は平坦部８０に互いに間隔をあけて配置されている。

複数の分割フェライト４４は、互いに間隔をあけて配置されており、各分割フェライト４４間には、空隙８４が形成されている。分割フェライト４４は、周壁部８２の外周縁部に環状に配置された第２分割フェライト４４Ａと、環状に配置された第２分割フェライト４４Ａの内側に配置された複数の中央フェライト４４Ｂとを含む。

複数の分割フェライト４５は、互いに間隔をあけて配置されており、分割フェライト４５間には、空隙８５が形成されている。複数の分割フェライト４５は、周壁部８２の周囲を取り囲むように配置された第１分割フェライト４５Ａと、環状に配置された複数の第１分割フェライト４５Ａの外側に配置された複数の外周フェライト４５Ｂとを含む。

金属板２５の天板部８３には、分割フェライト４４間の空隙８４に対応する位置に凹部８６が形成されている。金属板２５の平坦部８０には、分割フェライト４５間の空隙８５に対応する位置に凹部８７が形成されている。

第１分割フェライト４５Ａと第２分割フェライト４４Ａとは、互いに上下方向に空隙をあけて配置されており、金属板２５の周壁部８２のうち当該空隙に対応する位置に凹部８８が形成されている。

上記のように構成された送電装置４において、電力伝送時には磁束ＭＦは、たとえば、中央フェライト４４Ｂ、空隙８４、第２分割フェライト４４Ａ、第１分割フェライト４５Ａ、空隙８５、外周フェライト４５Ｂを順次通る。

磁束ＭＦが空隙８４を通る際、天板部８３には凹部８６が形成されているため、磁束ＭＦが天板部８３内に入り込むことが抑制されている。また、磁束ＭＦが第２分割フェライト４４Ａから第１分割フェライト４５Ａに流れる際に、周壁部８２に凹部８８が形成されているため、磁束ＭＦが周壁部８２に入り込むことが抑制されている。

そして、磁束ＭＦが空隙８５を通る際に平坦部８０に凹部８７が形成されているため、磁束ＭＦが平坦部８０に入り込むことが抑制されている。

このように、電力伝送時に送電コイル１１の周囲に形成される磁束ＭＦが金属板２５に入り込むことが抑制されているため、電力伝送時に送電装置４の温度が上昇することを抑制することができる。このように、シールドとして機能する金属板２５にフェライト３６が配置されている場合には、金属板２５に凹部８６，８７，８８を形成するようにしてもよい。

（実施の形態４）
上記の実施の形態１〜３においては、本発明を送電装置に適用した例について説明したが、本実施の形態４においては、図２０から図２５を用いて受電装置に適用した例について説明する。

図２０に示すように、受電装置５は、ケース１００と、ケース１００内に収容されたコイルユニット１０１とを備える。ケース１００は、金属板１０２と、この金属板１０２を下方から覆うように配置された蓋１０３とを含む。蓋１０３は、たとえば、樹脂などから形成されている。

金属板１０２は、平坦部１０４と、平坦部１０４から下方に向けて突出するように形成された突出部１０５とを含む。突出部１０５は、平坦部１０４から下方に向けて延びる周壁部１０６と、周壁部１０６の下端部に設けられた底板部１０７とを含む。金属板１０２は、電力伝送時に受電コイル８の周囲に形成される電磁界が周囲に漏洩することを抑制する。

コイルユニット１０１は、金属板１０２の下面に配置されたフェライト１１０と、コンデンサ９と、受電コイル８とを含む。

フェライト１１０は、複数の分割フェライト１１１，１１２を含む。複数の分割フェライト１１１は、平坦部１０４の下面に互いに間隔をあけて配置されており、各分割フェライト１１１間には、空隙１１５が形成されている。そして、金属板１０２のうち、空隙１１５に対応する位置に凹部１２０が形成されている。

分割フェライト１１１は、周壁部１０６と隣り合う位置に配置された複数の第３分割フェライト１１１Ａと、外周フェライト１１１Ｂの外周側に配置された外周フェライト１１１Ｂとを含む。

複数の第３分割フェライト１１１Ａは、周壁部１０６の周囲を取り囲むように互いに間隔をあけて環状に配置されている。複数の外周フェライト１１１Ｂは、環状に配列する複数の第３分割フェライト１１１Ａの外周側に間隔をあけて配置されており、外周フェライト１１１Ｂ同士も互いに間隔をあけて配置されている。

分割フェライト１１２は、底板部１０７の下面に互いに間隔をあけて配置されており、分割フェライト１１２間には空隙１１６が形成されている。そして、底板部１０７のうち空隙１１６に対応する位置に凹部１２１が形成されている。

分割フェライト１１２は、底板部１０７の外周縁部に環状に配置された複数の第４分割フェライト１１２Ａと、環状に配置された第４分割フェライト１１２Ａの内側に配置された複数の中央フェライト１１２Ｂとを含む。

第４分割フェライト１１２Ａは、底板部１０７の外周縁部から突出するように配置されており、第４分割フェライト１１２Ａの一部と第３分割フェライト１１１Ａの一部とが互いに上下方向に対向するように配置されている。

周壁部１０６のうち、第３分割フェライト１１１Ａと第４分割フェライト１１２Ａとの間の空隙に対応する位置には凹部１２２が形成されている。

図２１は、金属板１０２を示す斜視図である。この図２１に示すように、平坦部１０４に形成された凹部１２０は格子状に形成されており、底板部１０７に形成された凹部１２１も格子状に形成されている。

凹部１２０が格子状に形成されることで、平坦部１０４には、分割フェライト１１１が載せられる台１２５が形成されている。凹部１２１が格子状に形成されることで、底板部１０７には分割フェライト１１２が載せられる台１２６が形成されている。

なお、図２１に示す例においては、分割フェライト１１１間の空隙１１５に対応する位置および分割フェライト１１２間に位置する空隙１１６に対応する位置の全てに凹部が形成されているが、各空隙１１５，１１６の一部に対応するように凹部を形成するようにしてもよい。

図２０において、分割フェライト１１１，１１２が金属板１０２に支持されているため、たとえば、受電装置５が地面や地面に置かれた落下物と接触したときにおいても、分割フェライト１１１，１１２が割れることが抑制される。たとえば、分割フェライト１１１，１１２を柔らかい樹脂板などで支持すると、外力が分割フェライト１１１，１１２に加えられた際に、樹脂板が撓み、これに伴い、分割フェライト１１１，１１２が割れる。その一方で、図２０に示すように、分割フェライト１１１，１１２を金属板１０２で支持することで、分割フェライト１１１，１１２の割れを抑制することができる。

そして、受電装置５が送電装置４から非接触で電力を受電する際には、受電コイル８の周囲を磁束ＭＦが流れる。磁束ＭＦは、たとえば、中央フェライト１１２Ｂ、空隙１１６、第４分割フェライト１１２Ａ、第３分割フェライト１１１Ａ、空隙１１５、外周フェライト１１１Ｂを順次通る。

ここで、底板部１０７には凹部１２１が形成されているため、磁束ＭＦが空隙１１６を通る際に、底板部１０７内に入り込むことを抑制することができる。また、平坦部１０４に凹部１２０が形成されているため、磁束ＭＦが空隙１１５を通る際に、磁束ＭＦが平坦部１０４に入り込むことを抑制することができる。

さらに、周壁部１０６には凹部１２２が形成されているため、第４分割フェライト１１２Ａから第３分割フェライト１１１Ａに磁束ＭＦが通る際に、磁束ＭＦが凹部１２２に入り込むことを抑制することができる。

図２２は、分割フェライト１１２Ａおよび分割フェライト１１２Ｂの周囲の構成を示す断面図である。この図２２に示すように、凹部１２１は、上壁部１２７と、上壁部１２７の一方の辺部に接続された側壁部１２８と、上壁部１２７の他方の辺部に接続された側壁部１２９とを含む。

中央フェライト１１２Ｂおよび第４分割フェライト１１２Ａは、それぞれ、凹部１２１の縁部から突出するように配置されている。

このため、中央フェライト１１２Ｂの上面には、底板部１０７から露出する露出面１３２Ａが形成され、第４分割フェライト１１２Ａの上面には底板部１０７から露出する露出面１３２Ｂが形成されている。

この図２２に示す例においては、電力伝送時に、中央フェライト１１２Ｂと第４分割フェライト１１２Ａとの間を磁束ＭＦＤ，ＭＦＥ，ＭＦＦが流れる。磁束ＭＦＤは、中央フェライト１１２Ｂの端面１３１Ａから出射され、第４分割フェライト１１２Ａの端面１３１Ｂに入射する。磁束ＭＦＥ，ＭＦＦは、露出面１３２Ａから出射し、露出面１３２Ｂに入射する。

このように、中央フェライト１１２Ｂおよび第４分割フェライト１１２Ａが凹部１２１の縁部から突出するように配置されているので、露出面１３２Ａ，１３２Ｂを通る磁束が生じ、中央フェライト１１２Ｂおよび第４分割フェライト１１２Ａ間の磁気結合を向上させることができる。

磁束ＭＦＥの多くは、露出面１３２Ａから出射した後、中央フェライト１１２Ｂの上端辺Ｐ３を中心として距離ＬＥを半径するする円弧状の経路を通り、その後、水平方向に延びる経路を通る。そして、端面１３１Ｂの上端辺Ｐ４の上方に達すると、上端辺Ｐ４を中心として距離ＬＥを半径とする円弧状の経路を通る。

そして、磁束ＭＦＦの多くは、露出面１３２Ａのうち凹部１２１の縁部に最も近い位置から出射している。この磁束ＭＦＦは、上端辺Ｐ３を中心として突出長ｒ３を半径とする円弧状の経路を通り、上端辺Ｐ３の上方に達すると、水平方向に進む。そして、上端辺Ｐ４の上方に達すると、上端辺Ｐ４を中心として突出長ｒ３を半径とする円弧状の経路を通り、露出面１３２Ｂに入射する。

ここで、中央フェライト１１２Ｂおよび第４分割フェライト１１２Ａが、凹部５０の縁部から突出する突出長を突出長ｒ３とし、凹部１２１の深さを深さＤ３とすると、深さＤ３は、突出長ｒ３よりも大きい。その結果、露出面１３２Ａから露出面１３２Ｂに向かう磁束ＭＦの多くの磁束は、凹部１２１に達することが抑制されている。

特に、図２２に示す例においては、側壁部１２８，１２９は、鉛直方向に延びるように形成されているため、円弧状の経路を辿る磁束ＭＦＥ，ＭＦＦが側壁部１２８，１２９に入り込むことが抑制されている。なお、側壁部１２８，１２９は、図２２の二点鎖線に示すように円弧状に形成してもよい。この場合、側壁部１２８，１２９の曲率半径は、突出長ｒ３よりも大きい。

図２３は、第３分割フェライト１１１Ａおよび外周フェライト１１１Ｂおよびその周囲の構成を示す断面図である。この図２５に示すように、凹部１２０は、上壁部１３５と、上壁部１３５の一方の辺部に接続された側壁部１３３と、他方の辺部に接続された側壁部１３４とによって形成されている。第３分割フェライト１１１Ａおよび外周フェライト１１１Ｂは凹部１２０の縁部から突出するように配置されている。このため、第３分割フェライト１１１Ａの上面には、平坦部１０４から露出する露出面１３２Ａが形成されており、外周フェライト１１１Ｂの上面には平坦部１０４から露出する露出面１３２Ｂが形成されている。

このため、電力伝送時に露出面１３２Ａと露出面１３２Ｂとの間を磁束ＭＦが通ることができ、第３分割フェライト１１１Ａと外周フェライト１１１Ｂとの磁気的結合を向上させることができる。

ここで、第３分割フェライト１１１Ａおよび外周フェライト１１１Ｂの突出長を突出長ｒ４とし、凹部１２０の深さを深さＤ４とすると、深さＤ４の方が大きい。このため、第３分割フェライト１１１Ａと外周フェライト１１１Ｂの間を流れる磁束ＭＦが凹部１２０の内表面に入り込むことが抑制されている。

側壁部１３３および側壁部１３４を垂直壁としてもよく、また、側壁部１３３および側壁部１３４を湾曲面状に形成してもよい。湾曲面状に形成する場合、側壁部１３３および側壁部１３４の曲率半径は、突出長ｒ４よりも大きい。このように側壁部１３３，１３４を形成することで、露出面１３２Ａおよび露出面１３２Ｂを通る磁束ＭＦが側壁部１３３，１３４に入り込むことを抑制することができる。

図２４は、第４分割フェライト１１２Ａおよびその周囲の構成を示す断面図であり、底板部１０７の外周縁部に対して垂直な断面を示す断面図である。この図２４に示すように、第４分割フェライト１１２Ａは底板部１０７から突出するように配置されており、第４分割フェライト１１２Ａの突出長さを突出長Ｌ５とし、第３分割フェライト１１１Ａおよび第４分割フェライト１１２Ａの上下方向の距離を距離Ｌ６とする。また、底板部１０７の外周縁部に対して垂直な断面において、第４分割フェライト１１２Ａが底板部１０７の外周縁部から突出する方向を突出方向ＤＩＩとする。

第４分割フェライト１１２Ａが底板部１０７の外周縁部から突出するように配置され、
第３分割フェライト１１１Ａが周壁部１０６の近傍に配置されているため、第３分割フェライト１１１Ａと第４分割フェライト１１２Ａとが上下方向に対向する。

ここで、突出方向ＤＩＩにおいて、第３分割フェライト１１１Ａと第４分割フェライト１１２Ａとが対向する長さを対向長さＬ７とすると、対向長さＬ７は、距離Ｌ６よりも大きい。これにより、第３分割フェライト１１１Ａと第４分割フェライト１１２Ａとが対向する面積が大きくなり、第３分割フェライト１１１Ａと第４分割フェライト１１２Ａとの間を磁束ＭＦが良好に流れる。

凹部１２２は、湾曲面状に形成されているため、第４分割フェライト１１２Ａと第３分割フェライト１１１Ａとの間を通る磁束ＭＦが凹部１２２の内表面に入り込むことを抑制することができる。

なお、上記図１から図２４に示す例においては、受電装置５と整流器６とを別体にした例について説明したが、受電装置５内に整流器６を収容するようにしてもよい。

図２５に示すように、受電装置５は、ケース１００と、ケース１００内に収容されたコイルユニット１０１と、ケース１００内に収容された複数の低電圧素子１６０および高電圧素子１７０とを備える。

コイルユニット１０１は、金属板１４０と、金属板１４０の下面に配置されたフェライト１１０と、フェライト１１０に配置された受電コイル８と、コンデンサ９とを含む。

金属板１４０は、平坦部１４１と、平坦部１４１から下方に向けて突出する突出部１４２とを含む。突出部１４２は、平坦部１４１から下方に向けて延びる周壁部１４３と、周壁部１４３の下端部に設けられた底壁部１４４とを含む。

フェライト１１０は、平坦部１４１に配置された複数の分割フェライト１５０と、底壁部１４４に配置された分割フェライト１５１とを含む。分割フェライト１５０同士は、互いに間隔をあけて配置されており、分割フェライト１５０間には隙間１８１が形成されている。なお、平坦部１４１のうち、隙間１８１に対応する位置には凹部１８３が形成されている。分割フェライト１５１同士も互いに間隔をあけて配置されており、分割フェライト１５１間にも隙間１８０が形成されている。

分割フェライト１５０は、周壁部１４３の周囲に環状配置された複数の第３分割フェライト１５０Ａと、この第３分割フェライト１５０Ａの外周側に配置された複数の外周フェライト１５０Ｂとを含む。分割フェライト１５１は、底壁部１４４の外周縁部に環状に配置された複数の第２分割フェライト１５１Ａと、第２分割フェライト１５１Ａの内側に配置された複数の中央フェライト１５１Ｂとを含む。

複数の高電圧素子１７０は、平坦部１４１の上面に配置されており、この複数の高電圧素子１７０によって整流器６が形成されている。複数の低電圧素子１６０とコンデンサ９とは、底壁部１４４の上面側に配置されている。

このように構成された受電装置５において、電力伝送時に磁束ＭＦが流れると、隙間１８０，１８０を磁束ＭＦが流れる。この際、底壁部１４４のうち隙間１８０の上方に位置する部分には凹部１８２が形成され、平坦部１４１のうち隙間１８１の上方に位置する部分には凹部１８３が形成されている。磁束ＭＦが平坦部１４１に入り込むことを抑制することができる。なお、金属板１４０の周壁部１４３に凹部を形成するようにしてもよい。

なお、今回開示された実施の形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなく特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。

本発明は、非接触で電力を送電する送電装置および非接触で電力を受電する受電装置に適用することができる。

１ 非接触電力伝送システム、２ 車両、３ 受電モジュール、４ 送電装置、５ 受電装置、６，２３ 整流器、７ バッテリ、８ 受電コイル、９，１２ コンデンサ、１０ 電源、１１ 送電コイル、２０，１００ ケース、２１，１０１ コイルユニット、２２，１６０ 低電圧素子、２４，１７０ 高電圧素子、２５，３５，１０２，１４０ 金属板、２６，１０３ 蓋、３０ 平板部、３１，３２ 壁、３６，１１０ フェライト、４０，８０，１０４，１４１ 平坦部、４１，８１，１０５，１４２ 突出部、４２，８２，１０６，１４３ 周壁部、４３，８３ 天板部、４４，４５，１１１，１１２，１５０，１５１ 分割フェライト、４４Ａ，１５１Ａ 第２分割フェライト、４４Ｂ，１１２Ｂ，１５１Ｂ 中央フェライト、４５Ａ，１５０Ａ 第１分割フェライト、４５Ｂ，１１１Ｂ，１５０Ｂ 外周フェライト、４６，４７，８４，８５，１１５，１１６ 空隙、５０，５１ 凹部、５２，５３，１２５，１２６ 台、５５ 底部、５７，５８，１２８，１２９，１３３，１３４ 側壁部、６０，１３１Ａ，１３１Ｂ 端面、６１，７０，１３０Ｂ，１３２Ａ，１３２Ｂ 露出面、７１ 上面、７２ 下面、７３，７４ 側面、１０７ 底板部、１１１Ａ 第３分割フェライト、１１２Ａ 第４分割フェライト、１２７，１３５ 上壁部、１４４ 底壁部、１８０，１８１ 隙間、Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４ 深さ、Ｈ１ 高さ、ＤＩ，ＤＩＩ 突出方向、Ｌ１，Ｌ５，ｒ１，ｒ２，ｒ３，ｒ４ 突出長、Ｌ２，Ｌ４，Ｌ６，ＬＣ，ＬＥ 距離、Ｌ３，Ｌ７ 長さ、ＭＦ，ＭＦ１，ＭＦ２，ＭＦＡ，ＭＦＢ，ＭＦＣ，ＭＦＤ，ＭＦＥ，ＭＦＦ 磁束、Ｐ１，Ｐ２ 下端辺、Ｐ３，Ｐ４ 上端辺。

Claims (10)

1. 金属板と、
   前記金属板上に配置されたフェライトと、
   前記フェライト上に配置された送電コイルと、
   を備え、
   前記フェライトは、空隙をあけて配置された複数の分割フェライトを含み、
   前記金属板は、前記空隙に対応する位置の少なくとも一部に凹部が形成された、送電装置。
2. 前記複数の分割フェライトのうち少なくとも一部の分割フェライトは、前記凹部の縁部から突出するように配置された、請求項１に記載の送電装置。
3. 前記分割フェライトが前記凹部の前記縁部から突出する突出長よりも、前記凹部の深さの方が大きい、請求項２に記載の送電装置。
4. 前記金属板は、平坦部と、前記平坦部から上方に突出するように形成された突出部とを含み、
   前記突出部は、前記平坦部から上方に向けて延びる周壁部と、前記周壁部上に配置された天板部とを含み、
   前記分割フェライトは、前記平坦部および前記天板部に配置され、
   前記分割フェライトは、前記平坦部に配置されると共に前記突出部と隣り合う位置に配置された第１分割フェライトと、前記天板部の外周縁部から突出するように配置されて、前記第１分割フェライトと一部が上下方向に対向するように配置された第２分割フェライトとを含み、
   前記送電コイルは、前記第１分割フェライト上に配置されると共に、前記周壁部の周囲を取り囲むように配置され、
   前記周壁部のうち、前記第１分割フェライトと前記第２分割フェライトとの間に位置する部分に凹部が形成された、請求項１から請求項３のいずれかに記載された送電装置。
5. 前記金属板は、平坦部と、前記平坦部から上方に突出するように形成された突出部とを含み、
   前記突出部は、前記平坦部から上方に向けて延びる周壁部と、前記周壁部上に配置された天板部とを含み、
   前記分割フェライトは、前記平坦部および前記天板部に配置され、
   前記分割フェライトは、前記平坦部に配置されると共に前記突出部と隣り合う位置に配置された第１分割フェライトと、前記天板部の外周縁部から突出するように配置されて、前記第１分割フェライトと一部が上下方向に対向するように配置された第２分割フェライトとを含み、
   前記送電コイルは、前記第１分割フェライト上に配置されると共に、前記周壁部の周囲を取り囲むように配置され、
   前記天板部から前記第２分割フェライトが突出する方向を突出方向とすると、
   前記突出方向における前記第１分割フェライトと前記第２分割フェライトとが対向する長さは、前記第１分割フェライトと前記第２分割フェライトの上下方向の距離よりも長い、請求項１から請求項４のいずれかに記載の送電装置。
6. 金属板と、
   前記金属板の下面に配置されたフェライトと、
   前記フェライトの下面に配置された受電コイルと、
   を備え、
   前記フェライトは、互いに間隔をあけて配置された複数の分割フェライトを含み、
   前記金属板のうち、前記分割フェライト間に位置する部分には、凹部が形成された、受電装置。
7. 前記分割フェライトは、前記凹部の縁部から突出するように配置された、請求項６に記載の受電装置。
8. 前記分割フェライトが前記凹部の前記縁部から突出する突出量よりも、前記凹部の深さの方が大きい、請求項７に記載の受電装置。
9. 前記金属板は、平坦部と、前記平坦部から下方に突出するように形成された突出部とを含み、
   前記突出部は、前記平坦部から下方に向けて延びる周壁部と、前記周壁部の下端部に配置された底板部とを含み、
   前記分割フェライトは、前記平坦部および前記底板部に配置され、
   前記分割フェライトは、前記平坦部に配置されると共に前記突出部と隣り合う位置に配置された第３分割フェライトと、前記底板部の外周縁部から突出するように配置されて、前記第３分割フェライトと一部が上下方向に対向するように配置された第４分割フェライトとを含み、
   前記周壁部のうち、前記第３分割フェライトと前記第４分割フェライトとの間に位置する部分に凹部が形成された、請求項６から請求項８のいずれかに記載された受電装置。
10. 前記金属板は、平坦部と、前記平坦部から下方に突出するように形成された突出部とを含み、
    前記突出部は、前記平坦部から下方に向けて延びる周壁部と、前記周壁部に配置された底板部とを含み、
    前記分割フェライトは、前記平坦部および前記底板部に配置され、
    前記分割フェライトは、前記平坦部に配置されると共に前記突出部と隣り合う位置に配置された第３分割フェライトと、前記底板部の外周縁部に配置されて、前記第３分割フェライトと一部が上下方向に対向するように配置された第４分割フェライトとを含み、
    前記底板部から前記第３分割フェライトが突出する方向を突出方向とすると、
    前記突出方向における前記第３分割フェライトと前記第４分割フェライトとが対向する長さは、前記第３分割フェライトと前記第４分割フェライトの上下方向の距離よりも長い、請求項６から請求項９のいずれかに記載の受電装置。

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