JP6336196B2 - Semiconductor manufacturing equipment - Google Patents
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Description
本技術は、半導体製造装置に関し、特に、移動可能なステージに接続される金属配線を覆う絶縁性の筒状体を有する半導体製造装置に関するものである。 The present technology relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly to a semiconductor manufacturing apparatus having an insulating cylindrical body that covers a metal wiring connected to a movable stage.
炭化珪素（以下、ＳｉＣと称する場合がある）半導体装置の製造方法では、イオン注入装置を用いた不純物のイオン注入により、炭化珪素基板内の不純物濃度の制御が行われている。 In a method for manufacturing a silicon carbide (hereinafter sometimes referred to as SiC) semiconductor device, the impurity concentration in the silicon carbide substrate is controlled by impurity ion implantation using an ion implantation apparatus.
炭化珪素からなる半導体基板上に不純物をイオン注入する際には、炭化珪素半導体基板はステージ上に配置される。そして、当該ステージは、たとえば銅製の金属配線を用いて高温に制御される（半導体ウエハに関する例としては、特許文献１を参照）。 When impurities are ion-implanted onto a semiconductor substrate made of silicon carbide, the silicon carbide semiconductor substrate is placed on the stage. The stage is controlled to a high temperature using, for example, copper metal wiring (see Patent Document 1 for an example of a semiconductor wafer).
上記の温度制御に用いられる金属配線としては、たとえば、直径が０．０５ｍｍ程度の銅製の金属細線を束ねて直径を３ｍｍφ程度とした銅製の金属配線が複数用いられることが想定されるが、通常はさらに、各金属配線間を絶縁するためのカバーとしての、たとえば、内径が３．５ｍｍ程度であり、肉厚が１．７５ｍｍ程度であり、長さが６ｍｍ程度であるセラミックからなる絶縁性の筒状体が個片化されて断続的に取り付けられる。以下、このようなセラミックからなる絶縁性の筒状体の各個片を碍子と称する場合がある。 As the metal wiring used for the above temperature control, for example, it is assumed that a plurality of copper metal wirings having a diameter of about 3 mmφ by bundling copper metal wires having a diameter of about 0.05 mm are usually used. Further, as a cover for insulating between metal wirings, for example, an insulating material made of ceramic having an inner diameter of about 3.5 mm, a thickness of about 1.75 mm, and a length of about 6 mm. A cylindrical body is separated into pieces and attached intermittently. Hereinafter, each piece of such an insulating cylindrical body made of ceramic may be referred to as an insulator.
ステージ上に炭化珪素半導体基板が配置された後、不純物をイオン注入するために、たとえば、水平状態であった当該ステージの主面を垂直状態にする。 After the silicon carbide semiconductor substrate is arranged on the stage, for example, the main surface of the stage that has been in the horizontal state is brought into a vertical state in order to ion-implant impurities.
当該ステージの移動の際には、ステージに取り付けられた複数の金属配線も連動して移動する。そのため、当該ステージの移動の際、金属配線と、当該金属配線に取り付けられている碍子とが接触して擦れ、金属細線が断線してしまう場合がある。断線した金属細線は金属配線を覆う碍子からはみ出てしまう場合があり、はみ出た金属細線が隣接する金属配線と接触することによる短絡が生じる恐れがあった。短絡が生じれば、装置異常の原因となる。 When the stage moves, a plurality of metal wires attached to the stage also move in conjunction with each other. Therefore, when the stage is moved, the metal wiring and the insulator attached to the metal wiring may come into contact with each other and rub against each other, and the metal thin wire may be disconnected. The broken metal wire may protrude from the insulator covering the metal wiring, and a short circuit may occur due to the protruding metal wire coming into contact with the adjacent metal wire. If a short circuit occurs, it will cause a device abnormality.
本技術は、上記のような問題を解決するためのものであり、可動部に接続される金属配線の短絡を抑制できる絶縁性の筒状体を有する半導体製造装置に関するものである。 The present technology is intended to solve the above-described problem, and relates to a semiconductor manufacturing apparatus having an insulating cylindrical body that can suppress a short circuit of a metal wiring connected to a movable portion.
本技術の別の態様に関する半導体製造装置は、移動可能であり、半導体基板を配置するステージと、金属細線が束ねられて形成され、前記ステージに接続される金属配線と、前記金属配線が通され、前記金属配線が屈曲可能なように個片化される、複数の絶縁性の筒状体とを備え、各前記筒状体は、前記金属配線に向き合う内周面を有し、各前記筒状体は、前記金属配線の軸方向と垂直な面における前記内周面の直径が一定である第１部分と、前記金属配線の軸方向と垂直な面における前記内周面の直径が、前記金属配線の軸方向における前記筒状体の第１端部に近づくほど大きくなる第２部分とを有し、少なくとも前記第２部分は、前記金属配線の軸方向において前記筒状体の前記第１端部から連続して形成される部分であり、各前記筒状体は、前記内周面の反対側の面である外周面を有し、前記金属配線の軸方向と垂直な面における前記外周面の直径が、前記第１部分および前記第２部分において、前記第１端部に近づくほど大きくなる。 A semiconductor manufacturing apparatus according to another aspect of the present technology is movable, and includes a stage on which a semiconductor substrate is disposed, a thin metal wire bundled together, a metal wire connected to the stage, and the metal wire passed therethrough. A plurality of insulating cylindrical bodies that are separated into pieces so that the metal wiring can be bent, each cylindrical body having an inner peripheral surface facing the metal wiring, and each cylinder The shape body has a first portion in which a diameter of the inner peripheral surface in a plane perpendicular to the axial direction of the metal wiring is constant, and a diameter of the inner peripheral surface in a plane perpendicular to the axial direction of the metal wiring. A second portion that increases as it approaches the first end portion of the cylindrical body in the axial direction of the metal wiring, and at least the second portion is the first portion of the cylindrical body in the axial direction of the metal wiring. a portion from the end portion Ru formed continuously, each of said tubular Has an outer peripheral surface which is a surface opposite to the inner peripheral surface, and the diameter of the outer peripheral surface in a plane perpendicular to the axial direction of the metal wiring is such that the first portion and the second portion The closer to one end, the larger.
本技術の別の態様に関する半導体製造装置は、移動可能であり、半導体基板を配置するステージと、金属細線が束ねられて形成され、前記ステージに接続される金属配線と、前記金属配線が通され、前記金属配線が屈曲可能なように個片化される、複数の絶縁性の筒状体とを備え、各前記筒状体は、前記金属配線に向き合う内周面を有し、各前記筒状体は、前記金属配線の軸方向と垂直な面における前記内周面の直径が一定である第１部分と、前記金属配線の軸方向と垂直な面における前記内周面の直径が、前記金属配線の軸方向における前記筒状体の第１端部に近づくほど大きくなる第２部分とを有し、少なくとも前記第２部分は、前記金属配線の軸方向において前記筒状体の前記第１端部から連続して形成される部分であり、各前記筒状体は、前記内周面の反対側の面である外周面を有し、前記金属配線の軸方向と垂直な面における前記外周面の直径が、前記第１部分においては一定であり、前記第２部分においては前記第１端部に近づくほど大きくなる。 A semiconductor manufacturing apparatus according to another aspect of the present technology is movable, and includes a stage on which a semiconductor substrate is disposed, a thin metal wire bundled together, a metal wire connected to the stage, and the metal wire passed therethrough. A plurality of insulating cylindrical bodies that are separated into pieces so that the metal wiring can be bent, each cylindrical body having an inner peripheral surface facing the metal wiring, and each cylinder The shape body has a first portion in which a diameter of the inner peripheral surface in a plane perpendicular to the axial direction of the metal wiring is constant, and a diameter of the inner peripheral surface in a plane perpendicular to the axial direction of the metal wiring. A second portion that increases as it approaches the first end portion of the cylindrical body in the axial direction of the metal wiring, and at least the second portion is the first portion of the cylindrical body in the axial direction of the metal wiring. a portion from the end portion Ru formed continuously, each of said tubular Has an outer peripheral surface which is a surface opposite to the inner peripheral surface, and the diameter of the outer peripheral surface in a plane perpendicular to the axial direction of the metal wiring is constant in the first portion, and the second In a portion, it becomes larger as it approaches the first end portion.
このような構成によれば、各筒状体の内周面における端部が面取りされた形状であるため、ステージを移動する際に、金属細線が断線してしまうことが抑制される。よって、金属配線の短絡を抑制することができる。 According to such a structure, since the edge part in the internal peripheral surface of each cylindrical body is the shape chamfered, when moving a stage, it is suppressed that a metal fine wire will be disconnected. Therefore, a short circuit of the metal wiring can be suppressed.
本技術の別の態様に関する半導体製造装置は、移動可能であり、半導体基板を配置するステージと、金属細線が束ねられて形成され、前記ステージに接続される金属配線と、前記金属配線が通され、前記金属配線が屈曲可能なように個片化される、複数の絶縁性の筒状体とを備え、各前記筒状体は、前記金属配線に向き合う内周面を有し、各前記筒状体は、前記金属配線の軸方向と垂直な面における前記内周面の直径が一定である第１部分と、前記金属配線の軸方向と垂直な面における前記内周面の直径が、前記金属配線の軸方向における前記筒状体の第１端部に近づくほど大きくなる第２部分とを有し、少なくとも前記第２部分は、前記金属配線の軸方向において前記筒状体の前記第１端部から連続して形成される部分であり、各前記筒状体は、前記内周面の反対側の面である外周面を有し、前記金属配線の軸方向と垂直な面における前記外周面の直径が、前記第１部分および前記第２部分において、前記第１端部に近づくほど大きくなる。 A semiconductor manufacturing apparatus according to another aspect of the present technology is movable, and includes a stage on which a semiconductor substrate is disposed, a thin metal wire bundled together, a metal wire connected to the stage, and the metal wire passed therethrough. A plurality of insulating cylindrical bodies that are separated into pieces so that the metal wiring can be bent, each cylindrical body having an inner peripheral surface facing the metal wiring, and each cylinder The shape body has a first portion in which a diameter of the inner peripheral surface in a plane perpendicular to the axial direction of the metal wiring is constant, and a diameter of the inner peripheral surface in a plane perpendicular to the axial direction of the metal wiring. A second portion that increases as it approaches the first end portion of the cylindrical body in the axial direction of the metal wiring, and at least the second portion is the first portion of the cylindrical body in the axial direction of the metal wiring. a portion from the end portion Ru formed continuously, each of said tubular Has an outer peripheral surface which is a surface opposite to the inner peripheral surface, and the diameter of the outer peripheral surface in a plane perpendicular to the axial direction of the metal wiring is such that the first portion and the second portion The closer to one end, the larger.
このような構成によれば、金属配線が曲がった場合に１つの筒状体と隣接する筒状体との間の曲がり角度が仮に２０°である場合でも、筒状体間から金属配線がはみ出さないような筒状体間の重なり状態を維持することができる。すなわち、仮に一部の金属細線の断線が発生した場合でも、筒状体間に重なり状態が維持されているため、断線した金属細線が筒状体の外部にはみ出すことが抑制される。よって、金属配線の短絡を抑制することができる。 According to such a configuration, when the metal wiring is bent, even if the bending angle between one cylindrical body and the adjacent cylindrical body is 20 °, the metal wiring protrudes from between the cylindrical bodies. The overlapping state between the cylindrical bodies can be maintained. That is, even if some of the fine metal wires are disconnected, the overlapping state is maintained between the cylindrical bodies, so that the disconnected fine metal wires are suppressed from protruding to the outside of the cylindrical body. Therefore, a short circuit of the metal wiring can be suppressed.
本技術の別の態様に関する半導体製造装置は、移動可能であり、半導体基板を配置するステージと、金属細線が束ねられて形成され、前記ステージに接続される金属配線と、前記金属配線が通され、前記金属配線が屈曲可能なように個片化される、複数の絶縁性の筒状体とを備え、各前記筒状体は、前記金属配線に向き合う内周面を有し、各前記筒状体は、前記金属配線の軸方向と垂直な面における前記内周面の直径が一定である第１部分と、前記金属配線の軸方向と垂直な面における前記内周面の直径が、前記金属配線の軸方向における前記筒状体の第１端部に近づくほど大きくなる第２部分とを有し、少なくとも前記第２部分は、前記金属配線の軸方向において前記筒状体の前記第１端部から連続して形成される部分であり、各前記筒状体は、前記内周面の反対側の面である外周面を有し、前記金属配線の軸方向と垂直な面における前記外周面の直径が、前記第１部分においては一定であり、前記第２部分においては前記第１端部に近づくほど大きくなる。
A semiconductor manufacturing apparatus according to another aspect of the present technology is movable, and includes a stage on which a semiconductor substrate is disposed, a thin metal wire bundled together, a metal wire connected to the stage, and the metal wire passed therethrough. A plurality of insulating cylindrical bodies that are separated into pieces so that the metal wiring can be bent, each cylindrical body having an inner peripheral surface facing the metal wiring, and each cylinder The shape body has a first portion in which a diameter of the inner peripheral surface in a plane perpendicular to the axial direction of the metal wiring is constant, and a diameter of the inner peripheral surface in a plane perpendicular to the axial direction of the metal wiring. A second portion that increases as it approaches the first end portion of the cylindrical body in the axial direction of the metal wiring, and at least the second portion is the first portion of the cylindrical body in the axial direction of the metal wiring. a portion from the end portion Ru formed continuously, each of said tubular Has an outer peripheral surface which is a surface opposite to the inner peripheral surface, and the diameter of the outer peripheral surface in a plane perpendicular to the axial direction of the metal wiring is constant in the first portion, and the second In a portion, it becomes larger as it approaches the first end portion.
このような構成によれば、金属配線が曲がった場合に１つの筒状体と隣接する筒状体との間の曲がり角度が仮に３０°である場合でも、筒状体間から金属配線がはみ出さないような筒状体間の重なり状態を維持することができる。すなわち、仮に一部の金属細線の断線が発生した場合でも、筒状体間に重なり状態が維持されているため、断線した金属細線が筒状体の外部にはみ出すことが抑制される。よって、金属配線の短絡を抑制することができる。 According to such a configuration, when the metal wiring is bent, even if the bending angle between one cylindrical body and the adjacent cylindrical body is 30 °, the metal wiring protrudes from between the cylindrical bodies. The overlapping state between the cylindrical bodies can be maintained. That is, even if some of the fine metal wires are disconnected, the overlapping state is maintained between the cylindrical bodies, so that the disconnected fine metal wires are suppressed from protruding to the outside of the cylindrical body. Therefore, a short circuit of the metal wiring can be suppressed.
本技術の目的、特徴、局面および利点は、以下の詳細な説明と添付図面とによって、より明白となる。 Objects, features, aspects, and advantages of the present technology will become more apparent from the following detailed description and the accompanying drawings.
以下、添付の図面を参照しながら実施形態について説明する。なお、図面は模式的に示されるものであり、異なる図面にそれぞれ示されている画像のサイズおよび位置の相互関係は、必ずしも正確に記載されるものではなく、適宜変更され得るものである。また、以下の説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称および機能についても同様のものとする。よって、それらについての詳細な説明を省略する場合がある。 Hereinafter, embodiments will be described with reference to the accompanying drawings. Note that the drawings are schematically shown, and the correlation between the sizes and positions of the images shown in the different drawings is not necessarily described accurately, and can be appropriately changed. Moreover, in the following description, the same code | symbol is attached | subjected and shown in the same component, and those names and functions are also the same. Therefore, the detailed description about them may be omitted.
また、以下の説明では、「上」、「下」、「側」、「底」、「表」または「裏」などの特定の位置および方向を意味する用語が用いられる場合があるが、これらの用語は、実施形態の内容を理解することを容易にするために便宜上用いられているものであり、実際に実施される際の方向とは関係しない。 In the following description, terms that mean a specific position and direction such as “top”, “bottom”, “side”, “bottom”, “front” or “back” may be used. Is used for convenience in order to facilitate understanding of the contents of the embodiment, and is not related to the direction in which it is actually implemented.
＜第１実施形態＞
＜構成＞
以下、本実施形態に関する半導体製造装置について説明する。<First Embodiment>
<Configuration>
Hereinafter, the semiconductor manufacturing apparatus according to this embodiment will be described.
図１は、本実施形態に関する半導体製造装置の構成を概略的に示す図である。 FIG. 1 is a diagram schematically showing a configuration of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present embodiment.
図１に示されるように、ＳｉＣウエハ１がステージ２上に配置される。また、ステージ２の温度制御に用いられる複数の金属配線１１は、一端にはステージ２が接続され、他端には固定部４が取り付けられている。金属配線１１は、たとえば、直径が０．０５ｍｍ程度の銅製の金属細線を束ねて直径を３ｍｍφ程度とした金属線である。なお、図１においては図示は省略されているが、図１に示される複数の金属配線１１は、各金属配線１１間を絶縁するための碍子でそれぞれ覆われた状態である。 As shown in FIG. 1, SiC wafer 1 is placed on stage 2. In addition, the plurality of metal wirings 11 used for temperature control of the stage 2 are connected to the stage 2 at one end and to the fixed portion 4 at the other end. The metal wiring 11 is a metal wire having a diameter of about 3 mmφ by bundling copper metal wires having a diameter of about 0.05 mm, for example. Although not shown in FIG. 1, the plurality of metal wirings 11 shown in FIG. 1 are covered with insulators for insulating the metal wirings 11.
図１に示されるようにステージ２上にＳｉＣウエハ１が配置されると、ＳｉＣウエハ１内にイオン注入６を行うために、たとえば図２に示されるように、ステージ２の主面を垂直状態にする。 When SiC wafer 1 is arranged on stage 2 as shown in FIG. 1, in order to perform ion implantation 6 into SiC wafer 1, the main surface of stage 2 is in a vertical state as shown in FIG. To.
このとき、碍子で覆われた複数の金属配線１１もステージ２に追従して移動するが、金属配線１１と、当該金属配線１１に取り付けられている碍子とが接触して擦れることにより、直径が０．０５ｍｍ程度である金属細線が断線し、断線した金属細線が金属配線１１を覆う碍子からはみ出してしまう場合がある。 At this time, the plurality of metal wirings 11 covered with the insulator also move following the stage 2, but the diameter of the metal wiring 11 and the insulator attached to the metal wiring 11 come into contact with each other and rubs. In some cases, the fine metal wire having a thickness of about 0.05 mm is broken, and the broken metal wire protrudes from the insulator covering the metal wiring 11.
図３は、上記のように金属配線１１が移動した場合に金属細線が断線し、断線した金属細線が金属配線１１を覆う碍子からはみ出した状態を示す写真である。図３に示されるように、金属細線１１ａが断線し、断線した金属細線１１ａが金属配線１１を覆う碍子３ａからはみ出している。このような状態となれば、図１に示されるように複数の金属配線１１が接続されている場合、はみ出した金属細線１１ａが隣接する金属配線１１と接触することによる短絡が生じる恐れがあり、装置異常の原因となる。 FIG. 3 is a photograph showing a state in which the fine metal wire is broken when the metal wire 11 is moved as described above, and the broken fine metal wire protrudes from the insulator covering the metal wire 11. As shown in FIG. 3, the fine metal wire 11 a is disconnected, and the broken metal wire 11 a protrudes from the insulator 3 a that covers the metal wiring 11. In such a state, when a plurality of metal wirings 11 are connected as shown in FIG. 1, there is a possibility that a short circuit occurs due to the protruding metal thin wires 11 a contacting the adjacent metal wiring 11, It may cause a device abnormality.
ここで、金属配線１１を覆う碍子の構造について説明する。図４は、金属配線１１を覆う一般的な碍子の構造を示す側面図である。 Here, the structure of the insulator covering the metal wiring 11 will be described. FIG. 4 is a side view showing the structure of a general insulator covering the metal wiring 11.
図４に示されるように、碍子３ａは絶縁性の筒状体の各個片であり、金属配線１１の軸周りに配置される。また、図４に示されるように碍子３ａが複数配置される場合には、各碍子３ａの間に隙間が形成され、当該隙間においては金属配線１１が露出している。このように、碍子３ａは、金属配線１１が通され、金属配線１１が屈曲可能なように個片化されている。 As shown in FIG. 4, the insulator 3 a is an individual piece of an insulating cylindrical body, and is arranged around the axis of the metal wiring 11. When a plurality of insulators 3a are arranged as shown in FIG. 4, a gap is formed between each insulator 3a, and the metal wiring 11 is exposed in the gap. Thus, the insulator 3a is separated into pieces so that the metal wiring 11 can be passed therethrough and the metal wiring 11 can be bent.
図５、図６および図７は、碍子３ａの詳細な構造を示す図である。図５は碍子３ａの斜視図であり、図６は碍子３ａの、金属配線１１の軸方向と垂直な面における断面図であり、図７は碍子３ａの側面図である。 5, 6 and 7 are diagrams showing the detailed structure of the insulator 3a. 5 is a perspective view of the insulator 3a, FIG. 6 is a cross-sectional view of the insulator 3a in a plane perpendicular to the axial direction of the metal wiring 11, and FIG. 7 is a side view of the insulator 3a.
図５に示されるように、碍子３ａは中空の円柱形状であり、たとえば、セラミックなどからなる。碍子３ａは、金属配線１１の軸方向に垂直な上面５ａと、上面５ａの反対側の面である下面７ａとを備える。 As shown in FIG. 5, the insulator 3a has a hollow cylindrical shape, and is made of, for example, ceramic. The insulator 3a includes an upper surface 5a perpendicular to the axial direction of the metal wiring 11, and a lower surface 7a which is a surface opposite to the upper surface 5a.
碍子３ａは、図６に示されるように、金属配線１１に向き合う面である内周面９ａを有する。また、碍子３ａは、図６に示されるように、内周面９ａとは反対側の面である外周面８ａを有する。 As shown in FIG. 6, the insulator 3 a has an inner peripheral surface 9 a that is a surface facing the metal wiring 11. Moreover, the insulator 3a has the outer peripheral surface 8a which is a surface on the opposite side to the inner peripheral surface 9a, as FIG. 6 shows.
上面５ａにおいては、図７に示されるように、内周面９ａ側が、外周面８ａ側よりも突出して形成されている。また、下面７ａにおいては、図７に示されるように、外周面８ａ側が、内周面９ａ側よりも突出して形成されている。 In the upper surface 5a, as shown in FIG. 7, the inner peripheral surface 9a side protrudes from the outer peripheral surface 8a side. Further, in the lower surface 7a, as shown in FIG. 7, the outer peripheral surface 8a side is formed so as to protrude from the inner peripheral surface 9a side.
次に、本実施形態に関する碍子について、以下に説明する。 Next, the insulator relating to the present embodiment will be described below.
図８、図９および図１０は、碍子３の詳細な構造を示す図である。図８は碍子３の斜視図であり、図９は碍子３の、金属配線１１の軸方向と平行な面における断面図であり、図１０は碍子３の側面図である。なお、図９は、図６におけるＡ−Ｂ断面図に相当する。 8, 9 and 10 are diagrams showing the detailed structure of the insulator 3. FIG. 8 is a perspective view of the insulator 3, FIG. 9 is a cross-sectional view of the insulator 3 in a plane parallel to the axial direction of the metal wiring 11, and FIG. 10 is a side view of the insulator 3. 9 corresponds to a cross-sectional view taken along the line AB in FIG.
図８に示されるように、碍子３は中空の円柱形状であり、たとえば、セラミックなどからなる。碍子３は、金属配線１１の軸方向に垂直な上面５と、上面５の反対側の面である下面７とを備える。 As shown in FIG. 8, the insulator 3 has a hollow cylindrical shape, and is made of, for example, ceramic. The insulator 3 includes an upper surface 5 that is perpendicular to the axial direction of the metal wiring 11 and a lower surface 7 that is a surface opposite to the upper surface 5.
碍子３は、図９に示されるように、金属配線１１に向き合う面である内周面９を有する。また、碍子３は、図９に示されるように、内周面９とは反対側の面である外周面８を有する。 As shown in FIG. 9, the insulator 3 has an inner peripheral surface 9 that is a surface facing the metal wiring 11. Moreover, the insulator 3 has the outer peripheral surface 8 which is a surface on the opposite side to the inner peripheral surface 9, as FIG. 9 shows.
上面５においては、図１０に示されるように、内周面９側が、外周面８側よりも突出して形成されている。また、下面７においては、図１０に示されるように、外周面８側が、内周面９側よりも突出して形成されている。 On the upper surface 5, as shown in FIG. 10, the inner peripheral surface 9 side is formed so as to protrude from the outer peripheral surface 8 side. Further, as shown in FIG. 10, the lower surface 7 is formed so that the outer peripheral surface 8 side protrudes from the inner peripheral surface 9 side.
図８、図９および図１０に示されるように、内周面９における上面５側の端部１２ａおよび内周面９における下面７側の端部１２ｂが、面取りされた形状である。特に、図９においては、面取りされた範囲が点線で示されており、おおよそこの範囲において、端部１２ａおよび端部１２ｂは滑らかな曲面形状となっている。面取りされた形状である端部１２ａおよび端部１２ｂの曲率半径Ｒは、たとえば、０．１ｍｍ程度以上１．５ｍｍ程度以下である。 As shown in FIGS. 8, 9, and 10, the end 12 a on the upper surface 5 side and the end 12 b on the lower surface 7 side of the inner peripheral surface 9 are chamfered. In particular, in FIG. 9, the chamfered range is indicated by a dotted line, and in this range, the end 12a and the end 12b have a smooth curved surface shape. The radius of curvature R of the end portion 12a and the end portion 12b that are chamfered is, for example, about 0.1 mm or more and about 1.5 mm or less.
＜第２実施形態＞
＜構成＞
以下、本実施形態に関する半導体製造装置の、特に碍子について説明する。Second Embodiment
<Configuration>
Hereinafter, particularly the insulator of the semiconductor manufacturing apparatus according to this embodiment will be described.
以下では、上記実施形態で説明された構成と同様の構成については同じ符号を付して図示し、その詳細な説明については適宜省略する。 In the following, the same components as those described in the above embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted as appropriate.
図１１、図１２および図１３は、碍子３ｂの詳細な構造を示す図である。図１１は碍子３ｂの斜視図であり、図１２は碍子３ｂの、金属配線１１の軸方向と平行な面における断面図であり、図１３は碍子３ｂの側面図である。なお、図１２は、図６におけるＡ−Ｂ断面図に相当する。 11, 12 and 13 are diagrams showing the detailed structure of the insulator 3b. 11 is a perspective view of the insulator 3b, FIG. 12 is a sectional view of the insulator 3b in a plane parallel to the axial direction of the metal wiring 11, and FIG. 13 is a side view of the insulator 3b. 12 corresponds to a cross-sectional view taken along the line AB in FIG.
図１１に示されるように、碍子３ｂは中空の形状であり、たとえば、セラミックなどからなる。碍子３ｂは、金属配線１１の軸方向に垂直な上面５ｂと、上面５ｂの反対側の面である下面７ｂとを備える。 As shown in FIG. 11, the insulator 3b has a hollow shape, and is made of, for example, ceramic. The insulator 3b includes an upper surface 5b perpendicular to the axial direction of the metal wiring 11, and a lower surface 7b that is a surface opposite to the upper surface 5b.
碍子３ｂは、図１２に示されるように、金属配線１１に向き合う面である内周面９０および内周面９１を有する。また、碍子３ｂは、図１２に示されるように、内周面９０および内周面９１とは反対側の面である外周面８ｂを有する。 As shown in FIG. 12, the insulator 3 b has an inner peripheral surface 90 and an inner peripheral surface 91 that are surfaces facing the metal wiring 11. Moreover, the insulator 3b has the outer peripheral surface 8b which is a surface on the opposite side to the inner peripheral surface 90 and the inner peripheral surface 91, as FIG. 12 shows.
配線の軸方向と垂直な面における内周面９０の直径は、一定である。一方、配線の軸方向と垂直な面における内周面９１の直径は、碍子３ｂの下面７ｂに近づくほど大きくなる。また、下面７ｂでの内周面９１の直径は、上面５ｂでの外周面８ｂの配線の軸方向と垂直な面における直径よりも大きい。 The diameter of the inner peripheral surface 90 in a plane perpendicular to the axial direction of the wiring is constant. On the other hand, the diameter of the inner peripheral surface 91 in the plane perpendicular to the axial direction of the wiring increases as it approaches the lower surface 7b of the insulator 3b. The diameter of the inner peripheral surface 91 on the lower surface 7b is larger than the diameter on the surface perpendicular to the axial direction of the wiring on the outer peripheral surface 8b on the upper surface 5b.
また、配線の軸方向と垂直な面における外周面８ｂの直径は、全体に亘って下面７ｂ側に近づくほど大きくなる。 Moreover, the diameter of the outer peripheral surface 8b in the plane perpendicular to the axial direction of the wiring increases as it approaches the lower surface 7b side throughout.
なお、内周面９０は上面５ｂから連続する内周面であり、内周面９１は下面７ｂから連続する内周面である。 The inner peripheral surface 90 is an inner peripheral surface continuous from the upper surface 5b, and the inner peripheral surface 91 is an inner peripheral surface continuous from the lower surface 7b.
また、内周面９０における上面５ｂ側の端部および内周面９１における下面７ｂ側の端部が、第１実施形態における場合と同様に面取りされた形状であってもよい。 Further, the end of the inner peripheral surface 90 on the upper surface 5b side and the end of the inner peripheral surface 91 on the lower surface 7b side may be chamfered as in the first embodiment.
このような構成となっているため、金属配線１１が曲がった場合に１つの碍子３ｂと隣接する碍子３ｂとの間の曲がり角度が仮に２０°である場合でも、碍子３ｂ間から金属配線１１がはみ出さないような碍子３ｂ間の重なり状態を維持することができる。すなわち、仮に一部の金属細線１１ａの断線が発生した場合でも、碍子３ｂ間に重なり状態が維持されているため、断線した金属細線１１ａが碍子３ｂの外部にはみ出すことが抑制される。 Due to such a configuration, when the metal wiring 11 is bent, even if the bending angle between one insulator 3b and the adjacent insulator 3b is 20 °, the metal wiring 11 is provided between the insulators 3b. The overlapping state between the insulators 3b that does not protrude can be maintained. That is, even if some of the fine metal wires 11a are disconnected, the overlapping state is maintained between the insulators 3b, so that the disconnected metal wires 11a are prevented from protruding outside the insulator 3b.
なお、内周面９０の上面５ｂからの距離は、碍子３ｂの寸法が、内径が３．５ｍｍ程度であり、肉厚が１．７５ｍｍ程度であり、長さが６ｍｍ程度である場合に、たとえば、０．２ｍｍ程度以上４ｍｍ程度以下の範囲内で設定可能である。 The distance from the upper surface 5b of the inner peripheral surface 90 is, for example, when the size of the insulator 3b is about 3.5 mm in inner diameter, about 1.75 mm in thickness, and about 6 mm in length. Can be set within a range of about 0.2 mm to 4 mm.
＜第３実施形態＞
＜構成＞
以下、本実施形態に関する半導体製造装置の、特に碍子について説明する。<Third Embodiment>
<Configuration>
Hereinafter, particularly the insulator of the semiconductor manufacturing apparatus according to this embodiment will be described.
以下では、上記実施形態で説明された構成と同様の構成については同じ符号を付して図示し、その詳細な説明については適宜省略する。 In the following, the same components as those described in the above embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted as appropriate.
図１４、図１５および図１６は、碍子３ｃの詳細な構造を示す図である。図１４は碍子３ｃの斜視図であり、図１５は碍子３ｃの、金属配線１１の軸方向と平行な面における断面図であり、図１６は碍子３ｃの側面図である。なお、図１５は、図６におけるＡ−Ｂ断面図に相当する。 14, FIG. 15 and FIG. 16 are diagrams showing the detailed structure of the insulator 3c. 14 is a perspective view of the insulator 3c, FIG. 15 is a sectional view of the insulator 3c on a plane parallel to the axial direction of the metal wiring 11, and FIG. 16 is a side view of the insulator 3c. 15 corresponds to a cross-sectional view taken along the line AB in FIG.
図１４に示されるように、碍子３ｃは中空の形状であり、たとえば、セラミックなどからなる。碍子３ｃは、金属配線１１の軸方向に垂直な上面５ｂと、上面５ｂの反対側の面である下面７ｂとを備える。 As shown in FIG. 14, the insulator 3c has a hollow shape, and is made of, for example, ceramic. The insulator 3c includes an upper surface 5b perpendicular to the axial direction of the metal wiring 11, and a lower surface 7b which is a surface opposite to the upper surface 5b.
碍子３ｃは、図１５に示されるように、金属配線１１に向き合う面である内周面９０および内周面９１を有する。また、碍子３ｃは、図１５に示されるように、内周面９０とは反対側の面である外周面８０を有する。また、碍子３ｃは、図１５に示されるように、内周面９１とは反対側の面である外周面８１を有する。 As shown in FIG. 15, the insulator 3 c has an inner peripheral surface 90 and an inner peripheral surface 91 that are surfaces facing the metal wiring 11. Moreover, the insulator 3c has the outer peripheral surface 80 which is a surface on the opposite side to the inner peripheral surface 90, as FIG. 15 shows. In addition, as shown in FIG. 15, the insulator 3 c has an outer peripheral surface 81 that is a surface opposite to the inner peripheral surface 91.
配線の軸方向と垂直な面における内周面９０の直径は、一定である。一方、配線の軸方向と垂直な面における内周面９１の直径は、碍子３ｃの下面７ｂに近づくほど大きくなる。また、下面７ｂでの内周面９１の直径は、上面５ｂでの外周面８０の配線の軸方向と垂直な面における直径よりも大きい。 The diameter of the inner peripheral surface 90 in a plane perpendicular to the axial direction of the wiring is constant. On the other hand, the diameter of the inner peripheral surface 91 in the plane perpendicular to the axial direction of the wiring increases as it approaches the lower surface 7b of the insulator 3c. Further, the diameter of the inner peripheral surface 91 on the lower surface 7b is larger than the diameter of the outer peripheral surface 80 on the upper surface 5b on the surface perpendicular to the wiring axial direction.
配線の軸方向と垂直な面における外周面８０の直径は、一定である。一方、配線の軸方向と垂直な面における外周面８１の直径は、碍子３ｃの下面７ｂに近づくほど大きくなる。 The diameter of the outer peripheral surface 80 in the plane perpendicular to the axial direction of the wiring is constant. On the other hand, the diameter of the outer peripheral surface 81 in the plane perpendicular to the axial direction of the wiring increases as it approaches the lower surface 7b of the insulator 3c.
なお、内周面９０は上面５ｂから連続する内周面であり、内周面９１は下面７ｂから連続する内周面である。 The inner peripheral surface 90 is an inner peripheral surface continuous from the upper surface 5b, and the inner peripheral surface 91 is an inner peripheral surface continuous from the lower surface 7b.
また、内周面９０における上面５ｂ側の端部および内周面９１における下面７ｂ側の端部が、第１実施形態における場合と同様に面取りされた形状であってもよい。 Further, the end of the inner peripheral surface 90 on the upper surface 5b side and the end of the inner peripheral surface 91 on the lower surface 7b side may be chamfered as in the first embodiment.
このような構成となっているため、金属配線１１が曲がった場合に１つの碍子３ｃと隣接する碍子３ｃとの間の曲がり角度が仮に３０°である場合でも、碍子３ｃ間から金属配線１１がはみ出さないような碍子３ｃ間の重なり状態を維持することができる。すなわち、仮に一部の金属細線１１ａの断線が発生した場合でも、碍子３ｃ間に重なり状態が維持されているため、断線した金属細線１１ａが碍子３ｃの外部にはみ出すことが抑制される。 Due to such a configuration, when the metal wiring 11 is bent, even if the bending angle between one insulator 3c and the adjacent insulator 3c is 30 °, the metal wiring 11 is formed between the insulators 3c. It is possible to maintain the overlapping state between the insulators 3c so as not to protrude. That is, even if some of the fine metal wires 11a are disconnected, the overlapping state is maintained between the insulators 3c, so that the disconnected metal wires 11a are prevented from protruding outside the insulator 3c.
なお、内周面９０の上面５ｂからの距離は、碍子３ｃの寸法が、内径が３．５ｍｍ程度であり、肉厚が１．７５ｍｍ程度であり、長さが６ｍｍ程度である場合に、たとえば、２ｍｍ程度以上４ｍｍ程度以下の範囲内で設定可能である。 The distance from the upper surface 5b of the inner peripheral surface 90 is, for example, when the dimensions of the insulator 3c are about 3.5 mm in inner diameter, about 1.75 mm in thickness, and about 6 mm in length. It can be set within a range of about 2 mm to 4 mm.
＜効果＞
以下に、上記の実施形態による効果を例示する。<Effect>
Below, the effect by said embodiment is illustrated.
上記の実施形態によれば、半導体製造装置が、ステージ２と、金属配線１１と、複数の絶縁性の筒状体に含まれる複数の碍子３とを備える。 According to said embodiment, a semiconductor manufacturing apparatus is provided with the stage 2, the metal wiring 11, and the some insulator 3 contained in a some insulating cylindrical body.
ステージ２は、移動可能であり、半導体基板に含まれるＳｉＣウエハ１を配置する。金属配線１１は、金属細線１１ａが束ねられて形成され、ステージ２に接続される。碍子３は、金属配線１１が通され、金属配線１１が屈曲可能なように個片化される。 The stage 2 is movable, and the SiC wafer 1 included in the semiconductor substrate is disposed. The metal wiring 11 is formed by bundling metal thin wires 11 a and connected to the stage 2. The insulator 3 is separated into pieces so that the metal wiring 11 can be passed through and the metal wiring 11 can be bent.
各碍子３は、金属配線１１に向き合う内周面９の、金属配線１１の軸方向における端部１２ａおよび端部１２ｂが面取りされた形状である。 Each insulator 3 has a shape in which an end portion 12 a and an end portion 12 b of the inner peripheral surface 9 facing the metal wiring 11 in the axial direction of the metal wiring 11 are chamfered.
このような構成によれば、各碍子３の内周面９における端部１２ａおよび端部１２ｂが面取りされた形状であるため、ステージ２を移動する際に、金属細線１１ａが断線してしまうことが抑制される。よって、金属配線１１の短絡を抑制することができる。 According to such a configuration, since the end 12a and the end 12b of the inner peripheral surface 9 of each insulator 3 are chamfered, the metal thin wire 11a is disconnected when the stage 2 is moved. Is suppressed. Therefore, a short circuit of the metal wiring 11 can be suppressed.
また、金属配線１１の短絡が抑制されることで、半導体製造装置を安定に稼動させることができる。また、製造される半導体の加工品質を向上させることにも寄与できる。 In addition, since the short circuit of the metal wiring 11 is suppressed, the semiconductor manufacturing apparatus can be stably operated. Moreover, it can also contribute to improving the processing quality of the manufactured semiconductor.
なお、これらの構成以外の構成については適宜省略することができるが、本明細書に示される少なくとも１つの他の構成を適宜追加した場合でも、上記の効果を生じさせることができる。 Note that configurations other than these configurations can be omitted as appropriate, but the above-described effects can be produced even when at least one other configuration shown in this specification is added as appropriate.
また、上記の実施形態によれば、各碍子３の端部１２ａおよび端部１２ｂの曲率半径Ｒが、０．１ｍｍ以上１．５ｍｍ以下である。 Moreover, according to said embodiment, the curvature radius R of the edge part 12a and the edge part 12b of each insulator 3 is 0.1 mm or more and 1.5 mm or less.
このような構成によれば、各碍子３の端部１２ａおよび端部１２ｂが上記の曲率半径で面取りされているため、ステージ２を移動する際に、金属細線１１ａが断線してしまうことが抑制される。よって、金属配線１１の短絡を抑制することができる。 According to such a structure, since the edge part 12a and the edge part 12b of each insulator 3 are chamfered by said curvature radius, when moving the stage 2, it suppresses that the metal fine wire 11a will be disconnected. Is done. Therefore, a short circuit of the metal wiring 11 can be suppressed.
また、上記の実施形態によれば、半導体製造装置が、ステージ２と、金属配線１１と、複数の絶縁性の筒状体に含まれる複数の碍子３ｂとを備える。 Moreover, according to said embodiment, a semiconductor manufacturing apparatus is provided with the stage 2, the metal wiring 11, and the some insulator 3b contained in a some insulating cylindrical body.
ステージ２は、移動可能であり、半導体基板に含まれるＳｉＣウエハ１を配置する。金属配線１１は、金属細線１１ａが束ねられて形成され、ステージ２に接続される。碍子３ｂは、金属配線１１が通され、金属配線１１が屈曲可能なように個片化される。 The stage 2 is movable, and the SiC wafer 1 included in the semiconductor substrate is disposed. The metal wiring 11 is formed by bundling metal thin wires 11 a and connected to the stage 2. The insulator 3b is separated into pieces so that the metal wiring 11 can be passed therethrough and the metal wiring 11 can be bent.
各碍子３ｂは、金属配線１１に向き合う内周面９０および内周面９１を有する。また、各碍子３ｂは、金属配線１１の軸方向と垂直な面における内周面９０の直径が一定である第１部分と、金属配線１１の軸方向と垂直な面における内周面９１の直径が、金属配線１１の軸方向における碍子３ｂの第１端部としての下面７ｂに近づくほど大きくなる第２部分とを有する。少なくとも第２部分は、金属配線１１の軸方向において碍子３ｂの下面７ｂから連続する部分である。 Each insulator 3 b has an inner peripheral surface 90 and an inner peripheral surface 91 that face the metal wiring 11. Each insulator 3b includes a first portion in which the diameter of the inner peripheral surface 90 in a plane perpendicular to the axial direction of the metal wiring 11 is constant, and a diameter of the inner peripheral surface 91 in a plane perpendicular to the axial direction of the metal wiring 11. However, it has the 2nd part which becomes large, so that the lower surface 7b as a 1st edge part of the insulator 3b in the axial direction of the metal wiring 11 is approached. At least the second portion is a portion that continues from the lower surface 7 b of the insulator 3 b in the axial direction of the metal wiring 11.
また、各碍子３ｂは、内周面９１の反対側の面である外周面８ｂを有する。そして、金属配線１１の軸方向と垂直な面における外周面８ｂの直径が、第１部分および第２部分において、下面７ｂに近づくほど大きくなる。 Each insulator 3b has an outer peripheral surface 8b which is a surface opposite to the inner peripheral surface 91. And the diameter of the outer peripheral surface 8b in the surface perpendicular | vertical to the axial direction of the metal wiring 11 becomes so large that it approaches the lower surface 7b in a 1st part and a 2nd part.
このような構成によれば、金属配線１１が曲がった場合に１つの碍子３ｂと隣接する碍子３ｂとの間の曲がり角度が仮に２０°である場合でも、碍子３ｂ間から金属配線１１がはみ出さないような碍子３ｂ間の重なり状態を維持することができる。すなわち、仮に一部の金属細線１１ａの断線が発生した場合でも、碍子３ｂ間に重なり状態が維持されているため、断線した金属細線１１ａが碍子３ｂの外部にはみ出すことが抑制される。よって、金属配線１１の短絡を抑制することができる。 According to such a configuration, when the metal wiring 11 is bent, even if the bending angle between one insulator 3b and the adjacent insulator 3b is 20 °, the metal wiring 11 protrudes from between the insulators 3b. The overlapping state between the insulators 3b can be maintained. That is, even if some of the fine metal wires 11a are disconnected, the overlapping state is maintained between the insulators 3b, so that the disconnected metal wires 11a are prevented from protruding outside the insulator 3b. Therefore, a short circuit of the metal wiring 11 can be suppressed.
また、金属配線１１の短絡が抑制されることで、半導体製造装置を安定に稼動させることができる。また、製造される半導体の加工品質を向上させることにも寄与できる。 In addition, since the short circuit of the metal wiring 11 is suppressed, the semiconductor manufacturing apparatus can be stably operated. Moreover, it can also contribute to improving the processing quality of the manufactured semiconductor.
なお、これらの構成以外の構成については適宜省略することができるが、本明細書に示される少なくとも１つの他の構成を適宜追加した場合でも、上記の効果を生じさせることができる。 Note that configurations other than these configurations can be omitted as appropriate, but the above-described effects can be produced even when at least one other configuration shown in this specification is added as appropriate.
また、上記の実施形態によれば、第１部分が、金属配線１１の軸方向において、碍子３ｂの下面７ｂの反対側の端部である第２端部としての上面５ｂから連続する部分である。 Moreover, according to said embodiment, a 1st part is a part following the upper surface 5b as a 2nd end part which is an edge part on the opposite side of the lower surface 7b of the insulator 3b in the axial direction of the metal wiring 11. FIG. .
このような構成によれば、碍子３ｂ間から金属配線１１がはみ出さないような碍子３ｂ間の重なり状態を維持することができる。よって、金属配線１１の短絡を抑制することができる。 According to such a configuration, it is possible to maintain an overlapping state between the insulators 3b so that the metal wiring 11 does not protrude from between the insulators 3b. Therefore, a short circuit of the metal wiring 11 can be suppressed.
また、上記の実施形態によれば、第１部分の金属配線１１の軸方向における長さが、０．１ｍｍ以上４ｍｍ以下である。 Moreover, according to said embodiment, the length in the axial direction of the metal wiring 11 of a 1st part is 0.1 mm or more and 4 mm or less.
このような構成によれば、碍子３ｂ間から金属配線１１がはみ出さないような碍子３ｂ間の重なり状態を維持することができる。よって、金属配線１１の短絡を抑制することができる。 According to such a configuration, it is possible to maintain an overlapping state between the insulators 3b so that the metal wiring 11 does not protrude from between the insulators 3b. Therefore, a short circuit of the metal wiring 11 can be suppressed.
また、上記の実施形態によれば、各碍子３ｂが、内周面９０および内周面９１の、金属配線１１の軸方向における端部、すなわち、上面５ｂおよび下面７ｂの内周面側の端部が面取りされた形状である。 Moreover, according to said embodiment, each insulator 3b is the edge part of the inner peripheral surface 90 and the inner peripheral surface 91 in the axial direction of the metal wiring 11, ie, the end on the inner peripheral surface side of the upper surface 5b and the lower surface 7b. The part is chamfered.
このような構成によれば、各碍子３ｂの内周面の端部が面取りされた形状であるため、ステージ２を移動する際に、金属細線１１ａが断線してしまうことが抑制される。よって、金属配線１１の短絡を抑制することができる。 According to such a structure, since the edge part of the internal peripheral surface of each insulator 3b is a chamfered shape, when moving the stage 2, it is suppressed that the metal fine wire 11a will be disconnected. Therefore, a short circuit of the metal wiring 11 can be suppressed.
また、金属配線１１の短絡が抑制されることで、半導体製造装置を安定に稼動させることができる。 In addition, since the short circuit of the metal wiring 11 is suppressed, the semiconductor manufacturing apparatus can be stably operated.
また、上記の実施形態によれば、半導体製造装置が、ステージ２と、金属配線１１と、複数の絶縁性の筒状体に含まれる複数の碍子３ｃとを備える。 Moreover, according to said embodiment, a semiconductor manufacturing apparatus is provided with the stage 2, the metal wiring 11, and the some insulator 3c contained in a some insulating cylindrical body.
ステージ２は、移動可能であり、半導体基板に含まれるＳｉＣウエハ１を配置する。金属配線１１は、金属細線１１ａが束ねられて形成され、ステージ２に接続される。碍子３ｃは、金属配線１１が通され、金属配線１１が屈曲可能なように個片化される。 The stage 2 is movable, and the SiC wafer 1 included in the semiconductor substrate is disposed. The metal wiring 11 is formed by bundling metal thin wires 11 a and connected to the stage 2. The insulator 3c is separated into pieces so that the metal wiring 11 can be passed through and the metal wiring 11 can be bent.
各碍子３ｃは、金属配線１１に向き合う内周面９０および内周面９１を有する。また、各碍子３ｃは、金属配線１１の軸方向と垂直な面における内周面９０の直径が一定である第１部分と、金属配線１１の軸方向と垂直な面における内周面９１の直径が、金属配線１１の軸方向における碍子３ｃの第１端部としての下面７ｂに近づくほど大きくなる第２部分とを有する。少なくとも第２部分は、金属配線１１の軸方向において碍子３ｃの下面７ｂから連続する部分である。 Each insulator 3 c has an inner peripheral surface 90 and an inner peripheral surface 91 that face the metal wiring 11. Each insulator 3c includes a first portion in which the diameter of the inner peripheral surface 90 in a plane perpendicular to the axial direction of the metal wiring 11 is constant, and a diameter of the inner peripheral surface 91 in a plane perpendicular to the axial direction of the metal wiring 11. However, it has the 2nd part which becomes large, so that the lower surface 7b as a 1st edge part of the insulator 3c in the axial direction of the metal wiring 11 is approached. At least the second portion is a portion that continues from the lower surface 7 b of the insulator 3 c in the axial direction of the metal wiring 11.
また、各碍子３ｃは、内周面９１の反対側の面である外周面８０および外周面８１を有する。そして、金属配線１１の軸方向と垂直な面における外周面８０の直径が、第１部分において一定である。また、金属配線１１の軸方向と垂直な面における外周面８１の直径が、第２部分において下面７ｂに近づくほど大きくなる。 Each insulator 3 c has an outer peripheral surface 80 and an outer peripheral surface 81 which are surfaces opposite to the inner peripheral surface 91. The diameter of the outer peripheral surface 80 in the plane perpendicular to the axial direction of the metal wiring 11 is constant in the first portion. In addition, the diameter of the outer peripheral surface 81 on the surface perpendicular to the axial direction of the metal wiring 11 increases as the second portion approaches the lower surface 7b.
このような構成によれば、金属配線１１が曲がった場合に１つの碍子３ｃと隣接する碍子３ｃとの間の曲がり角度が仮に３０°である場合でも、碍子３ｃ間から金属配線１１がはみ出さないような碍子３ｃ間の重なり状態を維持することができる。すなわち、仮に一部の金属細線１１ａの断線が発生した場合でも、碍子３ｃ間に重なり状態が維持されているため、断線した金属細線１１ａが碍子３ｃの外部にはみ出すことが抑制される。よって、金属配線１１の短絡を抑制することができる。 According to such a configuration, when the metal wiring 11 is bent, even if the bending angle between one insulator 3c and the adjacent insulator 3c is 30 °, the metal wiring 11 protrudes from between the insulators 3c. The overlapping state between the insulators 3c can be maintained. That is, even if some of the fine metal wires 11a are disconnected, the overlapping state is maintained between the insulators 3c, so that the disconnected metal wires 11a are prevented from protruding outside the insulator 3c. Therefore, a short circuit of the metal wiring 11 can be suppressed.
また、金属配線１１の短絡が抑制されることで、半導体製造装置を安定に稼動させることができる。また、製造される半導体の加工品質を向上させることにも寄与できる。 In addition, since the short circuit of the metal wiring 11 is suppressed, the semiconductor manufacturing apparatus can be stably operated. Moreover, it can also contribute to improving the processing quality of the manufactured semiconductor.
なお、これらの構成以外の構成については適宜省略することができるが、本明細書に示される少なくとも１つの他の構成を適宜追加した場合でも、上記の効果を生じさせることができる。 Note that configurations other than these configurations can be omitted as appropriate, but the above-described effects can be produced even when at least one other configuration shown in this specification is added as appropriate.
また、上記の実施形態によれば、第１部分が、金属配線１１の軸方向において、碍子３ｃの下面７ｂの反対側の端部である第２端部としての上面５ｂから連続する部分である。 Moreover, according to said embodiment, the 1st part is a part which continues from the upper surface 5b as a 2nd end part which is an edge part on the opposite side of the lower surface 7b of the insulator 3c in the axial direction of the metal wiring 11. FIG. .
このような構成によれば、碍子３ｃ間から金属配線１１がはみ出さないような碍子３ｃ間の重なり状態を維持することができる。よって、金属配線１１の短絡を抑制することができる。 According to such a configuration, it is possible to maintain an overlapping state between the insulators 3c so that the metal wiring 11 does not protrude between the insulators 3c. Therefore, a short circuit of the metal wiring 11 can be suppressed.
また、上記の実施形態によれば、第１部分の金属配線１１の軸方向における長さが、２ｍｍ以上４ｍｍ以下である。 Moreover, according to said embodiment, the length in the axial direction of the metal wiring 11 of a 1st part is 2 mm or more and 4 mm or less.
このような構成によれば、碍子３ｃ間から金属配線１１がはみ出さないような碍子３ｃ間の重なり状態を維持することができる。よって、金属配線１１の短絡を抑制することができる。 According to such a configuration, it is possible to maintain an overlapping state between the insulators 3c so that the metal wiring 11 does not protrude between the insulators 3c. Therefore, a short circuit of the metal wiring 11 can be suppressed.
また、上記の実施形態によれば、各碍子３ｃが、内周面９０および内周面９１の、金属配線１１の軸方向における端部、すなわち、上面５ｂおよび下面７ｂの内周面側の端部が面取りされた形状である。 Moreover, according to said embodiment, each insulator 3c is the edge part of the internal peripheral surface 90 and the internal peripheral surface 91 in the axial direction of the metal wiring 11, ie, the end on the internal peripheral surface side of the upper surface 5b and the lower surface 7b. The part is chamfered.
このような構成によれば、各碍子３ｃの内周面の端部が面取りされた形状であるため、ステージ２を移動する際に、金属細線１１ａが断線してしまうことが抑制される。よって、金属配線１１の短絡を抑制することができる。 According to such a structure, since the edge part of the internal peripheral surface of each insulator 3c is a chamfered shape, when moving the stage 2, it is suppressed that the metal fine wire 11a will be disconnected. Therefore, a short circuit of the metal wiring 11 can be suppressed.
また、金属配線１１の短絡が抑制されることで、半導体製造装置を安定に稼動させることができる。 In addition, since the short circuit of the metal wiring 11 is suppressed, the semiconductor manufacturing apparatus can be stably operated.
＜変形例＞
上記のステージ２の移動は、イオン注入６が行われる場合の移動に限られるものではなく、あらゆる場面におけるステージ２の移動を適用対象とすることができる。<Modification>
The movement of the stage 2 is not limited to the movement when the ion implantation 6 is performed, and the movement of the stage 2 in every scene can be applied.
上記実施形態では、各構成要素の材質、材料、寸法、形状、相対的配置関係または実施の条件などについても記載している場合があるが、これらはすべての局面において例示であって、本明細書に記載されたものに限られることはない。よって、例示されていない無数の変形例が、本技術の範囲内において想定される。たとえば、少なくとも１つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合、さらには、少なくとも１つの実施形態における少なくとも１つの構成要素を抽出し、他の実施形態の構成要素と組み合わせる場合が含まれる。 In the above-described embodiment, the material, material, size, shape, relative arrangement relationship, implementation condition, and the like of each component may be described. It is not limited to what is described in the book. Therefore, innumerable modifications not illustrated are assumed within the scope of the present technology. For example, the case where at least one component is modified, added or omitted, and further, the case where at least one component in at least one embodiment is extracted and combined with the components of other embodiments are included. It is.
また、矛盾が生じない限り、上記実施形態において「１つ」備えられるものとして記載された構成要素は、「１つ以上」備えられていてもよい。さらに、各構成要素は概念的な単位であって、１つの構成要素が複数の構造物から成る場合および１つの構成要素がある構造物の一部に対応する場合、さらには、複数の構成要素が１つの構造物に備えられる場合を含む。また、各構成要素には、同一の機能を発揮する限り、他の構造または形状を有する構造物が含まれる。 In addition, as long as no contradiction arises, “one or more” components described as being provided with “one” in the above-described embodiment may be provided. Furthermore, each component is a conceptual unit. When one component is composed of a plurality of structures and when one component corresponds to a part of the structure, a plurality of components are further included. Is included in one structure. Each component includes a structure having another structure or shape as long as the same function is exhibited.
また、本明細書における説明は、本技術のすべての目的のために参照され、いずれも、従来技術であると認めるものではない。 Also, the descriptions in this specification are referred to for all purposes of the present technology and are not admitted to be prior art.
また、上記実施形態において、特に指定されずに材料名などが記載された場合は、矛盾が生じない限り、当該材料に他の添加物が含まれた、たとえば、合金などが含まれるものとする。 Further, in the above embodiment, when a material name or the like is described without being particularly specified, the material includes other additives, for example, an alloy or the like unless a contradiction arises. .
１ ＳｉＣウエハ、２ ステージ、３，３ａ，３ｂ，３ｃ 碍子、４ 固定部、５，５ａ，５ｂ 上面、６ イオン注入、７，７ａ，７ｂ 下面、８，８ａ，８ｂ，８０，８１
外周面、９，９ａ，９０，９１ 内周面、１１ 金属配線、１１ａ 金属細線、１２ａ，１２ｂ 端部。1 SiC wafer, 2 stage, 3, 3a, 3b, 3c insulator, 4 fixing part, 5, 5a, 5b upper surface, 6 ion implantation, 7, 7a, 7b lower surface, 8, 8a, 8b, 80, 81
Outer peripheral surface, 9, 9a, 90, 91 Inner peripheral surface, 11 metal wiring, 11a metal fine wire, 12a, 12b end.
Claims (8)
金属細線が束ねられて形成され、前記ステージに接続される金属配線と、
前記金属配線が通され、前記金属配線が屈曲可能なように個片化される、複数の絶縁性の筒状体とを備え、
各前記筒状体は、前記金属配線に向き合う内周面を有し、
各前記筒状体は、前記金属配線の軸方向と垂直な面における前記内周面の直径が一定である第１部分と、前記金属配線の軸方向と垂直な面における前記内周面の直径が、前記金属配線の軸方向における前記筒状体の第１端部に近づくほど大きくなる第２部分とを有し、
少なくとも前記第２部分は、前記金属配線の軸方向において前記筒状体の前記第１端部から連続して形成される部分であり、
各前記筒状体は、前記内周面の反対側の面である外周面を有し、
前記金属配線の軸方向と垂直な面における前記外周面の直径が、前記第１部分および前記第２部分において、前記第１端部に近づくほど大きくなる、
半導体製造装置。 Movable, a stage on which a semiconductor substrate is arranged;
Metal wires formed by bundling thin metal wires and connected to the stage;
A plurality of insulative tubular bodies, through which the metal wiring is passed and separated into pieces so that the metal wiring can be bent;
Each cylindrical body has an inner peripheral surface facing the metal wiring,
Each cylindrical body includes a first portion in which a diameter of the inner peripheral surface in a plane perpendicular to the axial direction of the metal wiring is constant, and a diameter of the inner peripheral surface in a plane perpendicular to the axial direction of the metal wiring. Has a second portion that increases as it approaches the first end of the cylindrical body in the axial direction of the metal wiring,
At least the second part is a part formed continuously from the first end of the cylindrical body in the axial direction of the metal wiring,
Each of the cylindrical bodies has an outer peripheral surface that is a surface opposite to the inner peripheral surface,
In the first part and the second part, the diameter of the outer peripheral surface in a plane perpendicular to the axial direction of the metal wiring becomes larger as approaching the first end part.
Semiconductor manufacturing equipment.
請求項１に記載の半導体製造装置。 The first portion is a portion that continues from a second end that is an end on the opposite side of the first end of the cylindrical body in the axial direction of the metal wiring.
The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1 .
請求項１または請求項２に記載の半導体製造装置。 The length in the axial direction of the metal wiring of the first portion is 0.1 mm or more and 4 mm or less.
The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1 or 2 .
請求項１または請求項２に記載の半導体製造装置。 Each cylindrical body has a shape in which an end portion of the inner peripheral surface in the axial direction of the metal wiring is chamfered.
The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1 or 2 .
金属細線が束ねられて形成され、前記ステージに接続される金属配線と、
前記金属配線が通され、前記金属配線が屈曲可能なように個片化される、複数の絶縁性の筒状体とを備え、
各前記筒状体は、前記金属配線に向き合う内周面を有し、
各前記筒状体は、前記金属配線の軸方向と垂直な面における前記内周面の直径が一定である第１部分と、前記金属配線の軸方向と垂直な面における前記内周面の直径が、前記金属配線の軸方向における前記筒状体の第１端部に近づくほど大きくなる第２部分とを有し、
少なくとも前記第２部分は、前記金属配線の軸方向において前記筒状体の前記第１端部から連続して形成される部分であり、
各前記筒状体は、前記内周面の反対側の面である外周面を有し、
前記金属配線の軸方向と垂直な面における前記外周面の直径が、前記第１部分においては一定であり、前記第２部分においては前記第１端部に近づくほど大きくなる、
半導体製造装置。 Movable, a stage on which a semiconductor substrate is arranged;
Metal wires formed by bundling thin metal wires and connected to the stage;
A plurality of insulative tubular bodies, through which the metal wiring is passed and separated into pieces so that the metal wiring can be bent;
Each cylindrical body has an inner peripheral surface facing the metal wiring,
Each cylindrical body includes a first portion in which a diameter of the inner peripheral surface in a plane perpendicular to the axial direction of the metal wiring is constant, and a diameter of the inner peripheral surface in a plane perpendicular to the axial direction of the metal wiring. Has a second portion that increases as it approaches the first end of the cylindrical body in the axial direction of the metal wiring,
At least the second part is a part formed continuously from the first end of the cylindrical body in the axial direction of the metal wiring,
Each of the cylindrical bodies has an outer peripheral surface that is a surface opposite to the inner peripheral surface,
The diameter of the outer peripheral surface in a plane perpendicular to the axial direction of the metal wiring is constant in the first portion, and increases in the second portion as it approaches the first end portion.
Semiconductor manufacturing equipment.
請求項５に記載の半導体製造装置。 The first portion is a portion that continues from a second end that is an end on the opposite side of the first end of the cylindrical body in the axial direction of the metal wiring.
The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 5 .
請求項５または請求項６に記載の半導体製造装置。 The length of the first portion in the axial direction of the metal wiring is 2 mm or more and 4 mm or less.
The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 5 or claim 6.
請求項５または請求項６に記載の半導体製造装置。 Each cylindrical body has a shape in which an end portion of the inner peripheral surface in the axial direction of the metal wiring is chamfered.
The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 5 or claim 6.
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