JP6331793B2 - Power converter and non-contact power feeding system - Google Patents
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Description
本発明は、電力変換装置、及び非接触給電システムに関する。 The present invention relates to a power converter and a contactless power supply system .
従来、下記特許文献1に見られるように、ソフトスイッチングを行うことができる3相インバータ回路が知られている。詳しくは、この回路では、3相インバータ回路を構成する各アームの中点に双方向スイッチを介して各相共通のコイルの第1端が接続されている。また、各アームには、直列接続されたスイッチを備える補助アームが並列接続されている。補助アームの中点には、上記コイルの第2端が接続されている。
Conventionally, as can be seen in
ここで、上記インバータ回路では、ソフトスイッチングを行うために、コイルに流れる電流を検出する電流センサが要求される。この場合、インバータ回路の部品数が増大することで、インバータ回路の体格やコストが増大する懸念がある。 Here, in the inverter circuit, in order to perform soft switching, a current sensor that detects a current flowing in the coil is required. In this case, there is a concern that the size and cost of the inverter circuit may increase due to an increase in the number of parts of the inverter circuit.
本発明は、体格やコストの増大を回避することができる電力変換装置、及び非接触給電システムを提供することを主たる目的とする。 An object of the present invention is to provide a power conversion device and a non-contact power supply system that can avoid an increase in physique and cost.
以下、上記課題を解決するための手段、及びその作用効果について記載する。 Hereinafter, means for solving the above-described problems and the operation and effects thereof will be described.
本発明は、直流電源(12)に並列接続された第1上アームスイッチ(SXp)及び第1下アームスイッチ(SXn)の直列接続体と、前記直流電源に並列接続された第2上アームスイッチ(SYp)及び第2下アームスイッチ(SYn)の直列接続体と、前記第1上アームスイッチ、前記第1下アームスイッチ、前記第2上アームスイッチ、及び前記第2下アームスイッチのそれぞれに逆並列に接続されたダイオード(DXp,DXn,DYp,DYn)と、前記第1上アームスイッチ、前記第1下アームスイッチ、前記第2上アームスイッチ、及び前記第2下アームスイッチのそれぞれに並列接続されたコンデンサ(18a〜18d)と、前記第1上アームスイッチと前記第1下アームスイッチとを直列接続する第1電気経路に第1端が接続され、前記第2上アームスイッチと前記第2下アームスイッチとを直列接続する第2電気経路に第2端が接続されたメインコイル(15a)と、前記第1電気経路及び前記第2電気経路のそれぞれに接続されたサブリアクトル(13b;13c;13d,13e)と、前記サブリアクトルに接続され、オン操作されることにより、前記ダイオードに流れる順方向電流を前記サブリアクトルに流して前記順方向電流を減少させて、かつ前記第1上アームスイッチ、前記第1下アームスイッチ、前記第2上アームスイッチ、及び前記第2下アームスイッチのうち、順方向電流が減少した前記ダイオードに逆並列に接続されたスイッチに流れる電流を増加可能なように設けられたサブスイッチ(Ss1,Ss2;Ssα,Ssβ;Ssa〜Ssd)と、前記第1上アームスイッチ及び前記第2下アームスイッチの組と、前記第1下アームスイッチ及び前記第2上アームスイッチの組とを交互にオン操作するメイン操作手段と、前記第1上アームスイッチ及び前記第2下アームスイッチの組がオン操作される期間の途中から、前記第1下アームスイッチ及び前記第2上アームスイッチの組が次回オン操作される期間の途中までの期間において前記サブスイッチをオン操作する第1操作処理と、前記第1下アームスイッチ及び前記第2上アームスイッチの組がオン操作される期間の途中から、前記第1上アームスイッチ及び前記第2下アームスイッチの組が次回オン操作される期間の途中までの期間において前記サブスイッチをオン操作する第2操作処理とを行うサブ操作手段と、前記第1下アームスイッチ及び前記第2上アームスイッチのうち少なくとも一方を第1操作対象スイッチとし、前記メイン操作手段によって前記第1上アームスイッチ及び前記第2下アームスイッチがオフ操作に切り替えられてからの前記第1操作対象スイッチの端子間電圧の変化速度と相関を有する時間である第1遷移時間を検出する第1遷移時間検出手段(16c,16d,30,31;16h,16l,30,31)と、前記第1遷移時間検出手段によって検出された第1遷移時間を第1目標時間に制御すべく、前記第1操作処理による前記サブスイッチのオン操作時間を設定する第1設定手段(16f;16j,16n)と、前記第1上アームスイッチ及び前記第2下アームスイッチのうち少なくとも一方を第2操作対象スイッチとし、前記メイン操作手段によって前記第1下アームスイッチ及び前記第2上アームスイッチがオフ操作に切り替えられてからの前記第2操作対象スイッチの端子間電圧の変化速度と相関を有する時間である第2遷移時間を検出する第2遷移時間検出手段(16b,16d,30,31;16h,16l,30,31)と、前記第2遷移時間検出手段によって検出された第2遷移時間を第2目標時間に制御すべく、前記第2操作処理による前記サブスイッチのオン操作時間を設定する第2設定手段(16f;16j,16n)とを備えることを特徴とする。 The present invention includes a series connection body of a first upper arm switch (SXp) and a first lower arm switch (SXn) connected in parallel to a DC power source (12), and a second upper arm switch connected in parallel to the DC power source. (SYp) and a second lower arm switch (SYn) connected in series to the first upper arm switch, the first lower arm switch, the second upper arm switch, and the second lower arm switch A diode (DXp, DXn, DYp, DYn) connected in parallel and each of the first upper arm switch, the first lower arm switch, the second upper arm switch, and the second lower arm switch are connected in parallel. The first end is connected to the first electric path connecting the capacitors (18a to 18d), the first upper arm switch, and the first lower arm switch in series. And a main coil (15a) having a second end connected to a second electrical path that connects the second upper arm switch and the second lower arm switch in series, and the first electrical path and the second electrical path. A sub reactor (13b; 13c; 13d, 13e) connected to each of the paths, and connected to the sub reactor and turned on, thereby causing a forward current flowing through the diode to flow through the sub reactor and the forward direction. A direction current is decreased, and the first upper arm switch, the first lower arm switch, the second upper arm switch, and the second lower arm switch are antiparallel to the diode in which the forward current is decreased. Subswitches (Ss1, Ss2; Ssα, Ssβ; Ssa to Ssd) provided so as to increase the current flowing through the switch connected to Main operating means for alternately turning on the first upper arm switch and the second lower arm switch and the first lower arm switch and the second upper arm switch; and the first upper arm switch and the second upper arm switch. In the period from the middle of the period when the set of the arm switch and the second lower arm switch is turned on until the middle of the period when the set of the first lower arm switch and the second upper arm switch is turned on next time The first upper arm switch and the second lower arm switch from the middle of the first operation processing for turning on the sub switch and the period in which the set of the first lower arm switch and the second upper arm switch is turned on. Sub-operation means for performing a second operation process for turning on the sub-switch in a period until the middle of the period when the set of the next is turned on; At least one of the arm switch and the second upper arm switch is a first operation target switch, and the first upper arm switch and the second lower arm switch are switched off by the main operation means. First transition time detecting means (16c, 16d, 30, 31; 16h, 16l, 30, 31) for detecting a first transition time that is a time correlated with the change speed of the voltage between terminals of one operation target switch; In order to control the first transition time detected by the first transition time detection means to the first target time, first setting means (16f; 16j, 16j; 16j; 16n) and at least one of the first upper arm switch and the second lower arm switch as a second operation target switch, A second transition time which is a time correlated with the change speed of the voltage between the terminals of the second operation target switch after the first lower arm switch and the second upper arm switch are switched to the off operation by the in operation means. The second transition time detecting means (16b, 16d, 30, 31; 16h, 16l, 30, 31) for detecting the first transition time and the second transition time detected by the second transition time detecting means are controlled to the second target time. Preferably, the apparatus further comprises second setting means (16f; 16j, 16n) for setting an ON operation time of the sub switch by the second operation process.
上記発明では、極性を交互に反転させながらメインコイルへと矩形波電圧を出力するために、第1上アームスイッチ及び第2下アームスイッチの組と、第1下アームスイッチ及び第2上アームスイッチの組とが交互にオン操作される。 In the above invention, in order to output a rectangular wave voltage to the main coil while alternately inverting the polarities, the first upper arm switch and the second lower arm switch, the first lower arm switch, and the second upper arm switch Are turned on alternately.
ここで、第1下アームスイッチ及び第2上アームスイッチがオン操作に切り替えられる場合のスイッチング損失(ターンオン損失)を低減するためには、第1上アームスイッチ及び第2下アームスイッチがオフ操作に切り替えられた直後における第1下アームスイッチ及び第2上アームスイッチの端子間電圧が低い状態で、第1下アームスイッチ及び第2上アームスイッチをオン操作に切り替えることが要求される。このため、上記第1操作スイッチ(第1下アームスイッチ及び第2上アームスイッチのうち少なくとも一方)の端子間電圧を把握し、第1下アームスイッチ及び第2上アームスイッチのオン操作切り替え時に第1下アームスイッチ及び第2上アームスイッチの端子間電圧を低い状態とすることが必要となる。ここで、第1操作スイッチの端子間電圧の推移は、第1上アームスイッチ及び第2下アームスイッチがオフ操作に切り替えられた直後の第1上アームスイッチに並列接続されたコンデンサ、及び第2下アームスイッチに並列接続されたコンデンサの充電電流に応じて変化する。このため、上記充電電流と上記第1遷移時間とは相関を有することとなる。また、上記充電電流は、第1上アームスイッチ及び第2下アームスイッチのオン操作期間中におけるサブスイッチのオン操作時間が長いほど大きくなる。以上のことから、上記オン操作時間と第1遷移時間とを関係付けることができる。したがって、第1遷移時間が最適値に制御されるように上記オン操作時間を調整することにより、端子間電圧が低い状態で第1下アームスイッチ及び第2上アームスイッチをオン操作に切り替えることができる。この点に鑑み、上記発明では、第1遷移時間検出手段及び第1設定手段を備えた。 Here, in order to reduce the switching loss (turn-on loss) when the first lower arm switch and the second upper arm switch are turned on, the first upper arm switch and the second lower arm switch are turned off. It is required to switch the first lower arm switch and the second upper arm switch to the ON operation in a state where the voltage between the terminals of the first lower arm switch and the second upper arm switch is low immediately after the switching. For this reason, the voltage between the terminals of the first operation switch (at least one of the first lower arm switch and the second upper arm switch) is grasped, and the first operation switch is switched when the first lower arm switch and the second upper arm switch are turned on. It is necessary to make the voltage between the terminals of the 1 lower arm switch and the second upper arm switch low. Here, the transition of the voltage between the terminals of the first operation switch includes the capacitor connected in parallel to the first upper arm switch immediately after the first upper arm switch and the second lower arm switch are switched to the OFF operation, and the second It changes according to the charging current of the capacitor connected in parallel to the lower arm switch. For this reason, the charging current and the first transition time have a correlation. In addition, the charging current becomes larger as the ON operation time of the sub switch is longer during the ON operation period of the first upper arm switch and the second lower arm switch. From the above, the on-operation time and the first transition time can be related. Therefore, the first lower arm switch and the second upper arm switch can be switched to the on operation with the terminal voltage being low by adjusting the on operation time so that the first transition time is controlled to the optimum value. it can. In view of this point, the above invention includes the first transition time detecting means and the first setting means.
一方、第1上アームスイッチ及び第2下アームスイッチがオン操作に切り替えられる場合のスイッチング損失を低減するためには、第1下アームスイッチ及び第2上アームスイッチがオフ操作に切り替えられた直後における第1上アームスイッチ及び第2下アームスイッチの端子間電圧が低い状態で、第1上アームスイッチ及び第2下アームスイッチをオン操作に切り替えることが要求される。このため、上記第2操作スイッチ(第1上アームスイッチ及び第2下アームスイッチのうち少なくとも一方)の端子間電圧を把握し、第1上アームスイッチ及び第2下アームスイッチのオン操作切り替え時に第1上アームスイッチ及び第2下アームスイッチの端子間電圧を低い状態とすることが必要となる。ここで、第2操作スイッチの端子間電圧の推移は、第1下アームスイッチ及び第2上アームスイッチがオフ操作に切り替えられた直後の第1下アームスイッチに並列接続されたコンデンサ、及び第2上アームスイッチに並列接続されたコンデンサの充電電流に応じて変化する。このため、上記充電電流と上記第2遷移時間とは相関を有することとなる。また、上記充電電流は、第1下アームスイッチ及び第2上アームスイッチのオン操作期間中におけるサブスイッチのオン操作時間が長いほど大きくなる。以上のことから、上記オン操作時間と第2遷移時間とを関係付けることができる。したがって、第2遷移時間が最適値に制御されるように上記オン操作時間を調整することにより、端子間電圧が低い状態で第1上アームスイッチ及び第2下アームスイッチをオン操作に切り替えることができる。この点に鑑み、上記発明では、第2遷移時間検出手段及び第2設定手段を備えた。 On the other hand, in order to reduce the switching loss when the first upper arm switch and the second lower arm switch are switched to the on operation, immediately after the first lower arm switch and the second upper arm switch are switched to the off operation. It is required to switch the first upper arm switch and the second lower arm switch to the ON operation in a state where the voltage between the terminals of the first upper arm switch and the second lower arm switch is low. Therefore, the terminal voltage of the second operation switch (at least one of the first upper arm switch and the second lower arm switch) is grasped, and the first operation switch is switched on when the first upper arm switch and the second lower arm switch are turned on. It is necessary to make the voltage between the terminals of the 1 upper arm switch and the second lower arm switch low. Here, the transition of the voltage between the terminals of the second operation switch is as follows: the capacitor connected in parallel to the first lower arm switch immediately after the first lower arm switch and the second upper arm switch are switched to the OFF operation, and the second It changes according to the charging current of the capacitor connected in parallel to the upper arm switch. For this reason, the charging current and the second transition time have a correlation. In addition, the charging current increases as the ON operation time of the sub switch during the ON operation period of the first lower arm switch and the second upper arm switch increases. From the above, the on-operation time and the second transition time can be related. Therefore, the first upper arm switch and the second lower arm switch can be switched to the on operation with the terminal voltage being low by adjusting the on operation time so that the second transition time is controlled to the optimum value. it can. In view of this point, the above invention includes the second transition time detecting means and the second setting means.
このように、上記発明によれば、上記充電電流を検出する電流センサを備えることなく、第1上,下アームスイッチ及び第2上,下アームスイッチのそれぞれのターンオン損失を低減することができる。このため、電力変換装置の体格やコストの増大を回避することができる。 Thus, according to the above invention, the turn-on loss of each of the first upper and lower arm switches and the second upper and lower arm switches can be reduced without providing a current sensor for detecting the charging current. For this reason, the increase in the physique and cost of a power converter device can be avoided.
(第1実施形態)
以下、本発明にかかる電力変換装置を非接触給電システムに適用した第1実施形態について、図面を参照しつつ説明する。
(First embodiment)
Hereinafter, a first embodiment in which a power conversion device according to the present invention is applied to a non-contact power feeding system will be described with reference to the drawings.
図1に示すように、非接触給電システムは、移動体である車両の外部(地上側)に設けられた送電システムPSと、車両に設けられた受電システムPRとを備えている。 As shown in FIG. 1, the non-contact power supply system includes a power transmission system PS provided outside (a ground side) of a vehicle that is a moving body, and a power reception system PR provided in the vehicle.
送電システムPSは、交流電源10(系統電源)から出力された交流電圧が入力されるPFC回路11、DCDCコンバータ12、インバータ13、送電側フィルタ回路14、及び送電パッド15を備えている。PFC回路11は、入力された交流電圧を直流電圧に整流しつつ、入力電圧及び入力電流の力率改善を行う。PFC回路11は、例えば、ダイオードブリッジからなる全波整流回路と、非絶縁型の昇圧チョッパ回路とを備えている。DCDCコンバータ12は、PFC回路11から出力された直流電圧を所定の直流電圧に変換して出力する。DCDCコンバータ12は、例えば、非絶縁型の降圧チョッパ回路である。
The power transmission system PS includes a
インバータ13は、電圧制御形のインバータである。詳しくは、インバータ13は、第1上アームスイッチSXp及び第1下アームスイッチSXnの直列接続体と、第2上アームスイッチSYp及び第2下アームスイッチSYnの直列接続体と、入力電圧を平滑化するコンデンサ13aとを備えるフルブリッジインバータである。第1上アームスイッチSXpには、第1上アームダイオードDXpが逆並列に接続され、第1下アームスイッチSXnには、第1下アームダイオードDXnが逆並列に接続されている。第2上アームスイッチSYpには、第2上アームダイオードDYpが逆並列に接続され、第2下アームスイッチSYnには、第2下アームダイオードDYnが逆並列に接続されている。本実施形態では、各スイッチSXp,SXn,SYp,SYnとして、電圧制御形の半導体スイッチを用いており、具体的には、IGBTを用いている。
The
第1上アームスイッチSXpのコレクタには、インバータ13の第1端子T1を介してDCDCコンバータ12の正極側の出力端子が接続されている。第1上アームスイッチSXpのエミッタには、第1下アームスイッチSXnのコレクタが接続されている。第1下アームスイッチSXnのエミッタには、インバータ13の第2端子T2を介してDCDCコンバータ12の負極側の出力端子が接続されている。第2上アームスイッチSYpのコレクタには、インバータ13の第1端子T1が接続され、第2上アームスイッチSYpのエミッタには、第2下アームスイッチSYnのコレクタが接続されている。第2下アームスイッチSYnのエミッタには、インバータ13の第2端子T2が接続されている。
The output terminal on the positive side of the
インバータ13は、さらに、第1サブスイッチSs1、第1サブダイオードDs1、第2サブスイッチSs2、第2サブダイオードDs2、第1保護用ダイオードDp1、第2保護用ダイオードDp2、及びサブリアクトル13bを備えている。本実施形態では、各サブスイッチSs1,Ss2として、電圧制御形の半導体スイッチを用いており、具体的には、IGBTを用いている。
The
第1サブスイッチSs1には、第1サブダイオードDs1が逆並列に接続され、第2サブスイッチSs2には、第2サブダイオードDs2が逆並列に接続されている。第1上アームスイッチSXpと第1下アームスイッチSXnとの接続点には、第1サブスイッチSs1のエミッタが接続され、第1サブスイッチSs1のコレクタには、サブリアクトル13bの第1端が接続されている。サブリアクトル13bの第2端には、第2サブスイッチSs2のコレクタが接続され、第2サブスイッチSs2のエミッタには、第2上アームスイッチSYpと第2下アームスイッチSYnとの接続点が接続されている。第1サブスイッチSs1及び第2サブスイッチSs2は、これらがオフ操作されることにより、第1サブスイッチSs1のエミッタ側から第2サブスイッチSs2のエミッタ側へと向かう方向の電流の流通と、第2サブスイッチSs2のエミッタ側から第1サブスイッチSs1のエミッタ側へと向かう方向の電流の流通との双方を阻止する機能を有する。
A first sub-diode Ds1 is connected in antiparallel to the first subswitch Ss1, and a second subdiode Ds2 is connected in antiparallel to the second subswitch Ss2. The emitter of the first sub switch Ss1 is connected to the connection point between the first upper arm switch SXp and the first lower arm switch SXn, and the first end of the subreactor 13b is connected to the collector of the first sub switch Ss1. Has been. The collector of the second sub switch Ss2 is connected to the second end of the
第1サブスイッチSs1とサブリアクトル13bとの接続点には、第1保護用ダイオードDp1のアノードが接続され、第1保護用ダイオードDp1のカソードには、第1端子T1が接続されている。第2サブスイッチSs2とサブリアクトル13bとの接続点には、第2保護用ダイオードDp2のアノードが接続され、第2保護用ダイオードDp2のカソードには、第1端子T1が接続されている。第1端子T1には、コンデンサ13aの第1端が接続され、コンデンサ13aの第2端には、第2端子T2が接続されている。 The connection point between the first sub-switch Ss1 and the sub-reactor 13b is connected to the anode of the first protection diode Dp1, and the cathode of the first protection diode Dp1 is connected to the first terminal T1. The connection point between the second sub-switch Ss2 and the sub-reactor 13b is connected to the anode of the second protection diode Dp2, and the cathode of the second protection diode Dp2 is connected to the first terminal T1. A first terminal of the capacitor 13a is connected to the first terminal T1, and a second terminal T2 is connected to the second terminal of the capacitor 13a.
第1上アームスイッチSXpと第1下アームスイッチSXnとの接続点には、送電側フィルタ回路14を介して送電パッド15の第1端が接続され、送電パッド15の第2端には、送電側フィルタ回路14を介して第2上アームスイッチSYpと第2下アームスイッチSYnとの接続点が接続されている。なお、本実施形態では、送電側フィルタ回路14として、バンドパスフィルタを用いている。送電側フィルタ回路14は、送電側第1,第2リアクトル14a,14bの直列接続体と、送電側第3,第4リアクトル14d,14eの直列接続体と、各直列接続体の接続点を接続する送電側コンデンサ14cとを備えている。
A first end of the
送電パッド15は、送電側コイル15a、第1共振コンデンサ15b、及び第2共振コンデンサ15cを備えている。送電側コイル15aの第1端には、第1共振コンデンサ15bを介して送電パッド15の第1端が接続されている。送電側コイル15aの第2端には、第2共振コンデンサ15cを介して送電パッド15の第2端が接続されている。送電パッド15は、LC直列共振回路を構成する。送電パッド15は、電磁誘導によって受電システムPRの備える受電パッド20に電力を送るための回路である。なお、本実施形態において、送電側コイル15aが「メインコイル」に相当し、各共振コンデンサ15b,15cが「送電側共振コンデンサ」に相当する。
The
送電システムPSは、さらに、X,Y相遷移時間検出回路30,31を備えている。各遷移時間検出回路30,31については、後に詳述する。
The power transmission system PS further includes X and Y phase transition
一方、受電システムPRは、受電パッド20、受電側フィルタ回路21、及び整流回路22を備えている。受電パッド20は、受電側コイル20a、第3共振コンデンサ20b、及び第4共振コンデンサ20cを備えている。受電側コイル20aの第1端には、第3共振コンデンサ20bを介して受電パッド20の第1端が接続されている。受電側コイル20aの第2端には、第4共振コンデンサ20cを介して受電パッド20の第2端が接続されている。受電パッド20は、LC直列共振回路を構成する。なお、本実施形態において、各共振コンデンサ20b,20cが「受電側共振コンデンサ」に相当する。
On the other hand, the power receiving system PR includes a
受電パッド20には、受電側フィルタ回路21を介して整流回路22が接続されている。なお、本実施形態では、受電側フィルタ回路21として、バンドパスフィルタを用いている。受電側フィルタ回路21は、受電側第1,第2リアクトル21a,21bの直列接続体と、受電側第3,第4リアクトル21d,21eの直列接続体と、各直列接続体の接続点を接続する受電側コンデンサ21cとを備えている。整流回路22は、受電パッド20から出力された交流電圧を直流電圧に変換して出力する。整流回路22は、例えば、ダイオードブリッジから構成される全波整流回路や、4つのスイッチング素子(例えばMOSFET)から構成される同期整流回路を用いることができる。整流回路22から出力された直流電圧は、車載バッテリを含む車載電気負荷23に供給される。なお、本実施形態において、バッテリは、車載主機としての図示しない回転機(モータジェネレータ)の電力供給源となる。
A
本実施形態において、送電システムPSは送電側制御装置16をさらに備えている。送電側制御装置16は、例えばマイクロコンピュータを主体として構成され、送電側コイル15a及び受電側コイル20aの間で非接触で電力授受を行う。特に本実施形態では、送電側コイル15aから受電側コイル20aへと電力を供給することにより、車両を充電対象とした充電処理を行う。送電側制御装置16は、PFC回路11や、DCDCコンバータ12、インバータ13を操作する。
In the present embodiment, the power transmission system PS further includes a power transmission
送電側制御装置16は、第1上アームスイッチSXp及び第2下アームスイッチSYnの組と、第1下アームスイッチSXn及び第2上アームスイッチSYpの組とを、デッドタイムを挟みつつ交互にオン操作する。これにより、極性を交互に反転させた矩形波電圧を送電パッド15に供給する。ここでは、第1操作信号g1がオン操作指令とされる場合に第1上アームスイッチSXp及び第2下アームスイッチSYnがオン操作され、第1操作信号g1がオフ操作指令とされる場合に各スイッチSXp,SYnがオフ操作される。また、第2操作信号g2がオン操作指令とされる場合に第1下アームスイッチSXn及び第2上アームスイッチSYpがオン操作され、第2操作信号g2がオフ操作指令とされる場合に各スイッチSXn,SYpがオフ操作される。
The power transmission
また、送電側制御装置16は、第1,第2サブスイッチSs1,Ss2をオンオフ操作する。詳しくは、サブ操作信号gsがオン操作指令とされる場合に各サブスイッチSs1,Ss2がオン操作され、サブ操作信号gsがオフ操作指令とされる場合に各サブスイッチSs1,Ss2がオフ操作される。
Further, the power transmission
なお、送電側制御装置16は、DCDCコンバータ12の出力電圧を目標電圧に制御すべく、DCDCコンバータ12を操作する。目標電圧は、送電側と受電側とのインピーダンスマッチングを行うことで高効率の非接触給電を実現可能な値に可変設定される。具体的には例えば、目標電圧は、受電パッド20の受電電力に基づいて可変設定される。ちなみに、本実施形態において、送電側制御装置16が「メイン操作手段」及び「サブ操作手段」に相当する。
The power transmission
ここで、本実施形態では、第1上アームスイッチSXpに第1スナバコンデンサ18aが並列接続され、第1下アームスイッチSXnに第2スナバコンデンサ18bが並列接続されている。また、第2上アームスイッチSYpに第3スナバコンデンサ18cが並列接続され、第2下アームスイッチSYnに第4スナバコンデンサ18dが並列接続されている。各スナバコンデンサ18a〜18dの設置を可能としたのは、本実施形態にかかる特徴的構成であるサブリアクトル13b及び各サブスイッチSs1,Ss2をインバータ13に備えたためである。
Here, in the present embodiment, the
また、本実施形態では、各サブスイッチSs1,Ss2の操作手法にも特徴がある。以下、サブリアクトル13b及び各サブスイッチSs1,Ss2について説明した後、各サブスイッチSs1,Ss2の操作手法について説明する。
In the present embodiment, the operation method of each of the sub switches Ss1, Ss2 is also characterized. Hereinafter, after describing the
<1.サブリアクトル13b及び各サブスイッチSs1,Ss2について>
図2(a)は、送電側コイル15aに流れる共振電流(以下、1次側電流Ip)と送電側コイル15aの印加電圧(以下、1次側電圧Vp)との推移を示し、図2(b)は、第1操作信号g1の推移を示し、図2(c)は、第2操作信号g2の推移を示す。なお、図2(a)において、第1上アームスイッチSXp及び第1下アームスイッチSXnの接続点から第2上アームスイッチSYp及び第2下アームスイッチSYnの接続点へと向かう方向に流れる1次側電流Ipを正と定義している。また、図2(a)において、送電側コイル15aの両端のうち、第2上アームスイッチSYp及び第2下アームスイッチSYnの接続点側の電位に対して第1上アームスイッチSXp及び第1下アームスイッチSXnの接続点側の電位が高くなる場合の1次側電圧Vpを正と定義している。さらに、図2では、デッドタイムの図示を省略している。
<1.
FIG. 2A shows the transition of the resonance current (hereinafter referred to as the primary current Ip) flowing through the power
図示されるように、本実施形態では、各スイッチSXp,SXn,SYp,SYnのスイッチング周期Tswと1次側電流Ipの基本波電流の周期とが同一に設定されている。こうした設定において、理想的には、1次側電流Ipは、1次側電圧Vpが正の場合に正の値となり、1次側電圧Vpが負の場合に負の値となる。この場合、非接触給電システムの送電側の力率は高い水準とされる。しかしながら、非接触給電システムでは、送電パッド15の共振回路の共振周波数等が変化する。この要因としては、例えば、送電パッド15及び受電パッド20の相対位置関係の変化による各コイル15a,20a間の結合係数やインダクタンス値の変化が挙げられる。また、上記要因としては、例えば、送電パッド15及び受電パッド20の間の送受電電力の変化や、共振回路の共振特性を決定するリアクトルやコンデンサ等の部品の初期特性ばらつき、温度変化に伴う共振特性のドリフトや経時変化が挙げられる。
As shown in the figure, in the present embodiment, the switching period Tsw of each switch SXp, SXn, SYp, SYn and the period of the fundamental current of the primary side current Ip are set to be the same. In such a setting, ideally, the primary side current Ip becomes a positive value when the primary side voltage Vp is positive, and becomes a negative value when the primary side voltage Vp is negative. In this case, the power factor on the power transmission side of the non-contact power feeding system is set to a high level. However, in the non-contact power supply system, the resonance frequency of the resonance circuit of the
共振回路の共振周波数等の変化により、1次側電圧Vpに対して1次側電流Ipの位相が進む現象が生じ得る。詳しくは、この現象は、1次側電圧Vpが正となる期間を2分した場合の後の期間において1次側電流Ipが負となり、1次側電圧Vpが負となる期間を2分した場合の後の期間において1次側電流Ipが正となる現象である。 Due to a change in the resonance frequency of the resonance circuit, a phenomenon that the phase of the primary current Ip advances with respect to the primary voltage Vp may occur. Specifically, in this phenomenon, the period in which the primary side voltage Vp is positive becomes negative in the period after the period in which the primary side voltage Vp is positive is divided into two, and the period in which the primary side voltage Vp is negative is divided into two. This is a phenomenon in which the primary side current Ip becomes positive in a later period.
なお、上記要因により、1次側電圧Vpに対して1次側電流Ipの位相が遅れる現象が生じ得る。詳しくは、この現象は、1次側電圧Vpが正となる期間を2分した場合の前の期間において1次側電流Ipが負となり、1次側電圧Vpが負となる期間を2分した場合の前の期間において1次側電流Ipが正となる現象である。 Due to the above factors, a phenomenon in which the phase of the primary current Ip is delayed with respect to the primary voltage Vp may occur. More specifically, this phenomenon is achieved by dividing the period in which the primary side current Ip becomes negative and the period in which the primary side voltage Vp becomes negative in the period before the period in which the primary side voltage Vp is positive in 2 minutes. This is a phenomenon in which the primary current Ip becomes positive in the period before the case.
ここで、1次側電流Ipの位相が進む現象が生じると、比較技術において各ダイオードDXp,DXn,DYp,DYnにリカバリ電流が流れることにより、リカバリ損失が生じる。ここで、比較技術とは、先の図1に示した構成から、サブリアクトル13b、各サブスイッチSs1,Ss2、各保護用ダイオードDp1,Dp2、及び各スナバコンデンサ18a〜18dを除去した構成のことである。以下、リカバリ損失の発生について、図2〜図9を用いて説明する。なお、図3〜図5及び図7〜図9では、送電側フィルタ回路14等の図示を省略している。
Here, when a phenomenon occurs in which the phase of the primary current Ip advances, a recovery loss occurs due to the recovery current flowing through the diodes DXp, DXn, DYp, and DYn in the comparative technique. Here, the comparative technique is a configuration in which the
時刻t1〜t2のMODE1においては、図3に示すように、第1上アームスイッチSXp,第2下アームスイッチSYnの組がオン操作され、第1下アームスイッチSXn,第2上アームスイッチSYpの組がオフ操作されている。MODE1では、第1端子T1側から、第1上アームスイッチSXp、送電側コイル15a、及び第2下アームスイッチSYnを介して、第2端子T2側へと電流が流れる。
In
その後、時刻t2〜t31のMODE2においては、図4に示すように、1次側電流Ipの位相進みにより、電流は、第2端子T2側から、第2下アームダイオードDYn、送電側コイル15a、及び第1上アームダイオードDXpを介して、第1端子T1側へと流れる。ここで、MODE2の途中の時刻t3において、第1上アームスイッチSXp,第2下アームスイッチSYnの組がオフ操作に切り替えられ、第1下アームスイッチSXn,第2上アームスイッチSYpの組がオン操作に切り替えられる。なお、その後、各スイッチSXp,SXn,SYp,SYnが全てオフ操作されるデッドタイム期間(時刻t3〜t31)においても、図4に示す電流流通経路となる。このため、本実施形態では、このデットタイム期間もMODE2に含めている。
Thereafter, in
その後、時刻t31直後のMODE3においては、図5に示すように、第1上アームダイオードDXpのアノードの電位が第2端子T2の電位(0)となり、カソードの電位が第1端子T1の電位VDCとなる。このため、第1上アームダイオードDXpに逆電圧が印加され、第1上アームダイオードDXpにリカバリ電流が流れることとなる。すなわち、第1端子T1側から第1上アームダイオードDXp及び第1下アームスイッチSXnを介して第2端子T2側へと電流が流れることとなる。また、第2下アームダイオードDYnにも逆電圧が印加され、第2下アームダイオードDYnにリカバリ電流が流れることとなる。すなわち、第1端子T1側から第2上アームスイッチSYp及び第2下アームダイオードDYnを介して第2端子T2側へと電流が流れることとなる。リカバリ電流が流れることにより、リカバリ損失が生じる。 Thereafter, in MODE 3 immediately after time t31, as shown in FIG. 5, the anode potential of the first upper arm diode DXp becomes the potential (0) of the second terminal T2, and the cathode potential becomes the potential VDC of the first terminal T1. It becomes. For this reason, a reverse voltage is applied to the first upper arm diode DXp, and a recovery current flows through the first upper arm diode DXp. That is, a current flows from the first terminal T1 side to the second terminal T2 side through the first upper arm diode DXp and the first lower arm switch SXn. A reverse voltage is also applied to the second lower arm diode DYn, and a recovery current flows through the second lower arm diode DYn. That is, a current flows from the first terminal T1 side to the second terminal T2 side via the second upper arm switch SYp and the second lower arm diode DYn. A recovery loss occurs due to the flow of the recovery current.
ここで、図6を用いて、リカバリ電流の流通態様をさらに詳しく説明する。図6(a)は、第1上アームダイオードDXpに流れる電流Idxpの推移を示し、図6(b)は、第1下アームスイッチSXnに流れる電流Isxnの推移を示し、図6(c)は、第1下アームスイッチSXnのエミッタ電位に対する第1上,下アームスイッチSXp,SXnの接続点の電位(以下、第1中間電圧Vx)の推移を示す。図6(d)は、第1操作信号g1の推移を示し、図6(e)は、第2操作信号g2の推移を示す。なお、図6では、第1上アームダイオードDXpに流れる順方向の電流Idxpを負と定義し、第1下アームスイッチSXnのエミッタ電位に対して第1上,下アームスイッチSXp,SXnの接続点の電位が高い場合の第1中間電圧Vxを正と定義する。 Here, the distribution mode of the recovery current will be described in more detail with reference to FIG. 6A shows the transition of the current Idxp flowing through the first upper arm diode DXp, FIG. 6B shows the transition of the current Isxn flowing through the first lower arm switch SXn, and FIG. The transition of the potential at the connection point of the first upper and lower arm switches SXp and SXn (hereinafter referred to as the first intermediate voltage Vx) with respect to the emitter potential of the first lower arm switch SXn is shown. FIG. 6D shows the transition of the first operation signal g1, and FIG. 6E shows the transition of the second operation signal g2. In FIG. 6, the forward current Idxp flowing through the first upper arm diode DXp is defined as negative, and the connection point of the first upper and lower arm switches SXp, SXn with respect to the emitter potential of the first lower arm switch SXn. The first intermediate voltage Vx when the potential is high is defined as positive.
図示されるように、1次側電流Ipの位相進みにより、第1上アームダイオードDXpに順方向電流が流れている。こうした状況下、時刻t3において、第1上アームスイッチSXpがオフ操作に切り替えられ、時刻t3からデッドタイムが経過した時刻t31において、第1下アームスイッチSXnがオン操作に切り替えられる。これにより、第1上アームダイオードDXpの順方向電流Idxpが徐々に減少するとともに、第1下アームスイッチSXnに流れるコレクタ電流Isxnが徐々に増加する。その後、時刻t32において第1上アームダイオードDXpにリカバリ電流が流れ始める。時刻t33において、リカバリ電流がピークとなることで、第1下アームスイッチSXnに流れるコレクタ電流Isxnもピークとなる。その結果、リカバリ損失が増大する。なお、その後時刻t34において、リカバリ電流の流通が停止されることで、第1中間電圧Vxが0とされる。 As shown in the figure, the forward current flows through the first upper arm diode DXp due to the phase advance of the primary current Ip. Under such circumstances, at time t3, the first upper arm switch SXp is switched to the off operation, and at time t31 when the dead time has elapsed from time t3, the first lower arm switch SXn is switched to the on operation. As a result, the forward current Idxp of the first upper arm diode DXp gradually decreases, and the collector current Isxn flowing through the first lower arm switch SXn gradually increases. Thereafter, a recovery current starts to flow through the first upper arm diode DXp at time t32. At time t33, when the recovery current reaches a peak, the collector current Isxn flowing through the first lower arm switch SXn also peaks. As a result, recovery loss increases. At time t34, the first intermediate voltage Vx is set to 0 by stopping the flow of the recovery current.
時刻t34〜t4のMODE4においては、図7に示すように、第1上アームスイッチSXp,第2下アームスイッチSYnの組がオフ操作され、第1下アームスイッチSXn,第2上アームスイッチSYpの組がオン操作されている。MODE4では、第1端子T1側から、第2上アームスイッチSYp、送電側コイル15a、及び第1下アームスイッチSXnを介して、第2端子T2側へと電流が流れる。
In
その後、時刻t4〜t51のMODE5においては、図8に示すように、1次側電流Ipの位相進みにより、電流は、第2端子T2側から、第1下アームダイオードDXn、送電側コイル15a、及び第2上アームダイオードDYpを介して、第1端子T1側へと流れる。ここで、MODE5の途中の時刻t5において、第1上アームスイッチSXp,第2下アームスイッチSYnの組がオン操作に切り替えられ、第1下アームスイッチSXn,第2上アームスイッチSYpの組がオフ操作に切り替えられる。なお、その後、各スイッチSXp,SXn,SYp,SYnが全てオフ操作されるデッドタイム期間(時刻t5〜t51)においても、図8に示す電流流通経路となる。このため、本実施形態では、このデットタイム期間もMODE5に含めている。
Thereafter, in
その後、時刻t51直後のMODE6においては、図9に示すように、第2上アームダイオードDYp及び第1下アームダイオードDXnに逆電圧が印加され、第2上アームダイオードDYp及び第1下アームダイオードDXnにリカバリ電流が流れることとなる。このため、リカバリ損失が生じる。 Thereafter, in MODE 6 immediately after time t51, as shown in FIG. 9, a reverse voltage is applied to the second upper arm diode DYp and the first lower arm diode DXn, and the second upper arm diode DYp and the first lower arm diode DXn are applied. Recovery current will flow through. For this reason, a recovery loss occurs.
ここで、1次側電流Ipの位相進みが生じる場合に各スイッチSXp〜SYnに各スナバコンデンサ18a〜18dを並列接続すると、各スイッチSXp〜SYnに大きな電流が流れ、各スイッチSXp〜SYnの信頼性が低下し得る。以下、第1上アームスイッチSXpを例にして説明する。各スナバコンデンサ18a〜18dが各スイッチSXp〜SYnに並列接続されている場合、先の図8のMODE5において、第2端子T2側から第1下アームダイオードDXnを介して流れてくる電流によって第1スナバコンデンサ18aが充電される。その後、MODE5から図9に示すMODE6に移行すると、第1スナバコンデンサ18aに蓄積された電荷が放電される。第1下アームダイオードDXnのリカバリ電流に加えて、第1スナバコンデンサ18aの放電電流が第1上アームスイッチSXpに流れることに起因して、第1上アームスイッチSXpの信頼性が低下し得る。このように、1次側電流Ipの位相進みが生じる場合、各スナバコンデンサ18a〜18dを設置することにより、設置しない場合と比較して各スイッチSXp〜SYnに大きな電流が流れる。このため、各スナバコンデンサ18a〜18dを設置できない。しかしながら、各スナバコンデンサ18a〜18dは、1次側電流Ipの位相遅れが生じる場合には、各スイッチSXp〜SYnのターンオフ損失の低減に寄与する。このため、1次側電流Ipの位相遅れを考えると、各スナバコンデンサ18a〜18dの設置が望まれる。
Here, if the
そこで、本実施形態では、サブリアクトル13bと、送電側制御装置16によって操作される各サブスイッチSs1,Ss2とをインバータ13に備えた。以下、これについて、図10〜図12を用いて説明する。
Therefore, in the present embodiment, the
図10(a)は、第1上アームダイオードDXpに流れる電流Idxp,第2下アームダイオードDYnに流れる電流Idynの推移を示し、図10(b)は、第1下アームスイッチSXnに流れる電流Isxn,第2上アームスイッチSYpに流れる電流Isypの推移を示す。図10(c)は、サブリアクトル13bに流れる電流ICLの推移を示す。図10(e),(f)は、第1,第2操作信号g1,g2の推移を示し、図10(g)は、第1,第2サブスイッチSs1,Ss2の操作状態の推移を示す。なお、図10(d)は、先の図6(c)に対応している。また、図10において、第1上アームスイッチSXp及び第1下アームスイッチSXnの接続点から第2上アームスイッチSYp及び第2下アームスイッチSYnの接続点へと向かう方向に流れる電流ICLを正と定義する。
FIG. 10A shows the transition of the current Idxp flowing through the first upper arm diode DXp and the current Idyn flowing through the second lower arm diode DYn, and FIG. 10B shows the current Isxn flowing through the first lower arm switch SXn. , Shows the transition of the current Isyp flowing through the second upper arm switch SYp. FIG.10 (c) shows transition of the electric current ICL which flows into the
MODE2の期間のうち第1上アームスイッチSXp,第2下アームスイッチSYnのオフ操作切替タイミングよりも前の時刻taにおいて、第1,第2サブスイッチSs1,Ss2をオン操作する。これにより、第1上アームダイオードDXp及び第2下アームダイオードDYnに流れていた順方向電流の一部がサブリアクトル13bに流れ始める(図11参照)。このため、上記順方向電流は徐々に減少し、サブリアクトル13bに流れる電流ICLは徐々に増加する。これにより、その後、第1上アームスイッチSXp及び第2下アームスイッチSYnをオフ操作に切り替える時刻t3におけるリカバリ電流を低減することができる。その後、時刻tbにおいて第1中間電圧Vxが0になり、時刻t31において、第1下アームスイッチSXn及び第2上アームスイッチSYpがオン操作に切り替えられる。なお、その後、時刻tcにおいて第1,第2サブスイッチSs1,Ss2がオフ操作に切り替えられ、時刻tdにおいてサブリアクトル13bに流れる電流が0となる。
The first and second sub switches Ss1, Ss2 are turned on at a time ta before the timing of switching off the first upper arm switch SXp and the second lower arm switch SYn in the period of MODE2. As a result, a part of the forward current flowing in the first upper arm diode DXp and the second lower arm diode DYn starts flowing in the
その後、MODE5の期間のうち第1下アームスイッチSXn,第2上アームスイッチSYpのオフ操作切替タイミングよりも前のタイミングにおいて、第1,第2サブスイッチSs1,Ss2をオン操作する。これにより、第1下アームダイオードDXn及び第2上アームダイオードDYpに流れていた順方向電流の一部がサブリアクトル13bに流れ始める(図12参照)。このため、上記順方向電流は徐々に減少し、サブリアクトル13bに流れる電流ICLは徐々に増加する。これにより、その後、第1下アームスイッチSXn及び第2上アームスイッチSYpをオフ操作に切り替えるタイミングにおけるリカバリ電流を低減することができる。その後、第1上アームスイッチSXp及び第2下アームスイッチSYnがオン操作に切り替えられた後、第1,第2サブスイッチSs1,Ss2がオフ操作に切り替えられる。
Thereafter, the first and second sub-switches Ss1, Ss2 are turned on at a timing before the OFF operation switching timing of the first lower arm switch SXn and the second upper arm switch SYp in the period of MODE5. As a result, part of the forward current flowing in the first lower arm diode DXn and the second upper arm diode DYp starts to flow in the
なお、第1保護用ダイオードDp1及び第2保護用ダイオードDp2は、以下に説明する理由のために設けられている。サブリアクトル13bに電流が流れている状態で、第1サブスイッチSs1が誤作動によってオフ操作されると、第1サブスイッチSs1の両端にサージ電圧が印加され、第1サブスイッチSs1の信頼性が低下する懸念がある。ここで、第1保護用ダイオードDp1を設けることにより、第1サブスイッチSs1とサブリアクトル13bとの接続点の電位を第1端子T1の電位で制限できる。このため、第1サブスイッチの両端の電位差をインバータ13の入力電圧VDC以下におさめることができ、第1サブスイッチSs1の信頼性の低下を回避することができる。なお、第2保護用ダイオードDp2は、第2サブスイッチSs2の信頼性の低下を回避するためのものである。第2保護用ダイオードDp2の動作原理は、第1保護用ダイオードDp1の動作原理と同じである。
The first protection diode Dp1 and the second protection diode Dp2 are provided for the reasons described below. If the first sub switch Ss1 is turned off due to a malfunction while a current is flowing through the
<2.各サブスイッチSs1,Ss2の操作手法について>
本実施形態では、各サブスイッチSs1,Ss2の操作により、各スイッチSXp,SXn,SYp,SYnのオン操作への切替を、電流センサを用いることなくゼロ電圧スイッチング(ZVS)とする。以下、これについて、図13〜図17を用いて説明する。
<2. Operation method of each sub switch Ss1, Ss2>
In the present embodiment, switching to the ON operation of each switch SXp, SXn, SYp, SYn by the operation of each sub switch Ss1, Ss2 is set to zero voltage switching (ZVS) without using a current sensor. Hereinafter, this will be described with reference to FIGS.
図13に、第1上アームスイッチSXp及び第2下アームスイッチSYnをオフ操作に切り替える場合の各種波形の推移を示す。詳しくは、図13(a),(b)は各スイッチSXp,SXn,SYp,SYn,や各ダイオードDXp,DYnに流れる電流の推移を示し、図13(d)は第1下アームスイッチSXnの端子間電圧Vsxn(第1中間電圧Vx)の推移を示す。なお、図13(c),(e)〜(g)は、先の図10(c),(e)〜(g)に対応している。 FIG. 13 shows transitions of various waveforms when the first upper arm switch SXp and the second lower arm switch SYn are switched to the off operation. Specifically, FIGS. 13A and 13B show transitions of currents flowing through the switches SXp, SXn, SYp, SYn, and the diodes DXp and DYn, and FIG. 13D shows the first lower arm switch SXn. The transition of the terminal voltage Vsxn (first intermediate voltage Vx) is shown. FIGS. 13C and 13E correspond to FIGS. 10C and 10E to 10G.
ちなみに、以降、第2下アームスイッチSYnのエミッタ電位に対する第2上,下アームスイッチSYp,Synの接続点の電位を第2中間電圧Vyと定義する。本実施形態では、第2下アームスイッチSYnのエミッタ電位に対して第2上,下アームスイッチSYp,SYnの接続点の電位が高い場合の第2中間電圧Vyを正と定義する。 Incidentally, hereinafter, the potential at the connection point of the second upper and lower arm switches SYp and Syn with respect to the emitter potential of the second lower arm switch SYn is defined as a second intermediate voltage Vy. In the present embodiment, the second intermediate voltage Vy when the potential at the connection point of the second upper and lower arm switches SYp and SYn is higher than the emitter potential of the second lower arm switch SYn is defined as positive.
図13の実線で示された波形に着目して説明する。第1上アームスイッチSXp,第2下アームスイッチSYnの組がオン操作されてかつ第1下アームスイッチSXn,第2上アームスイッチSYpの組がオフ操作されている状況下、時刻t1b以前において、電流の位相進みによって第1上アームダイオードDXp,第2下アームダイオードDYnに順方向電流Idxp,Idynが流れている。その後、時刻t1bにおいて、第1,第2サブスイッチSs1,Ss2がオン操作に切り替えられる。これにより、サブリアクトル13bに流れる電流ICLが徐々に増加するとともに、第1上アームダイオードDXp,第2下アームダイオードDYnに流れる順方向電流Idxp,Idynが徐々に減少する。順方向電流Idxp,Idynが減少して0になった後、第1上アームスイッチSXp,第2下アームスイッチSYnに流れる電流Isxp,Isynが徐々に増加する。 Description will be made by paying attention to the waveform shown by the solid line in FIG. Before the time t1b under a situation where the first upper arm switch SXp and the second lower arm switch SYn are turned on and the first lower arm switch SXn and the second upper arm switch SYp are turned off, The forward currents Idxp and Idyn flow through the first upper arm diode DXp and the second lower arm diode DYn due to the phase advance of the current. Thereafter, at time t1b, the first and second sub switches Ss1, Ss2 are switched to the on operation. As a result, the current ICL flowing through the subreactor 13b gradually increases, and the forward currents Idxp and Idyn flowing through the first upper arm diode DXp and the second lower arm diode DYn gradually decrease. After the forward currents Idxp and Idyn decrease to zero, the currents Ispp and Isyn flowing through the first upper arm switch SXp and the second lower arm switch SYN are gradually increased.
その後、時刻t2において、第1上アームスイッチSXp,第2下アームスイッチSYnの組がオフ操作に切り替えられる。このため、第1端子T1側から流れてくる電流によって第1,第4スナバコンデンサ18a,18dが充電される。これにより、第1,第4スナバコンデンサ18a,18dの端子間電圧は徐々に上昇する。この際、第1スナバコンデンサ18aの端子間電圧が上昇するに連れて、図13(d)に示すように、第1下アームスイッチSXnの端子間電圧Vsxnは低下して0に近づく。また、第4スナバコンデンサ18dの端子間電圧が上昇するに連れて、第2上アームスイッチSYpの端子間電圧Vsypが低下して0に近づく。このため、第1下アームスイッチSXnの端子間電圧Vsxnが0となるタイミング以降のタイミングを第1下アームスイッチSXnのオン操作切替タイミングになるように設定する。また、第2上アームスイッチSYpの端子間電圧Vsypが0となるタイミング以降のタイミングを第2上アームスイッチSYpのオン操作切替タイミングになるように設定する。これにより、これらスイッチSXn,SYpのオン操作への切替をZVSとすることができる。ここで、図13では、ZVSのための理想的なオン操作切替タイミングを時刻t3bにて示した。ちなみに、本実施形態において、各スイッチSXn,SYpの上記オン操作切替タイミングは、固定されたタイミングであり、設計時にあらかじめ定められたタイミングである。
Thereafter, at time t2, the set of the first upper arm switch SXp and the second lower arm switch SYn is switched to the off operation. For this reason, the first and
なお、ZVSを実現するための第1上アームスイッチSXp及び第2下アームスイッチSYnのオン操作への切替も同様に行うことができる。詳しくは、第1下アームスイッチSXn及び第2上アームスイッチSYpの組がオフ操作に切り替えられると、第1上アームスイッチSXpの端子間電圧Vsxpと第2下アームスイッチSYnの端子間電圧Vsynとは低下して0に近づく。第1上アームスイッチSXpの端子間電圧Vsxpが0となるタイミング以降のタイミングを第1上アームスイッチSXpのオン操作切替タイミングになるように設定する。また、第2下アームスイッチSYnの端子間電圧Vsynが0となるタイミング以降のタイミングを第2下アームスイッチSYnのオン操作切替タイミングになるように設定する。ちなみに、本実施形態において、各スイッチSXp,SYnの上記オン操作切替タイミングは、固定されたタイミングであり、設計時にあらかじめ定められたタイミングである。 It should be noted that the first upper arm switch SXp and the second lower arm switch SYn for realizing ZVS can be similarly switched to the on operation. Specifically, when the set of the first lower arm switch SXn and the second upper arm switch SYp is switched to the off operation, the terminal voltage Vsxp of the first upper arm switch SXp and the terminal voltage Vsyn of the second lower arm switch SYn Falls and approaches zero. The timing after the timing when the inter-terminal voltage Vsxp of the first upper arm switch SXp becomes 0 is set to be the ON operation switching timing of the first upper arm switch SXp. In addition, the timing after the timing when the inter-terminal voltage Vsyn of the second lower arm switch SYn becomes 0 is set to be the ON operation switching timing of the second lower arm switch SYn. Incidentally, in the present embodiment, the on-operation switching timing of each of the switches SXp and SYn is a fixed timing and a timing determined in advance at the time of design.
先の図13の説明に戻り、時刻t2の後、第1下アームスイッチSXn及び第2上アームスイッチSYpのそれぞれの端子間電圧の低下速度は、第1上アームスイッチSXp,第2下アームスイッチSYnがオフ操作に切り替えられた後の第1,第4スナバコンデンサ18a,18dの充電電流Ioffが大きいほど高くなる。図13(a),(c),(d),(f)には、充電電流Ioffが理想的な値よりも大きい場合の各波形の推移を一点鎖線にて示し、充電電流Ioffが理想的な値よりも小さい場合の各波形の推移を破線にて示した。図13(f)には、各サブスイッチSs1,Ss2の理想的なオン操作切替タイミングと第1上アームスイッチSXp,第2下アームスイッチSYnのオフ操作切替タイミング(時刻t2)との理想的な時間差を「Tonb」にて示した。そして、理想的なオフ操作切替タイミングに設定した場合において、時刻t2から第1下アームスイッチSYnの端子間電圧Vsxnが0となるまでの理想時間を「Tswb」にて示した。なお、理想時間Tswbは、例えば、サブリアクトル13bのインダクタンス及び各スナバコンデンサ18a〜18dの静電容量によって定まる共振回路の共振周期の「1/4」である。
Returning to the description of FIG. 13 above, after time t2, the voltage drop rates of the first lower arm switch SXn and the second upper arm switch SYp are the first upper arm switch SXp and the second lower arm switch, respectively. The larger the charging current Ioff of the first and
第1下アームスイッチSXnを例にして説明すると、各サブスイッチSs1,Ss2のオン操作切替タイミング(時刻t1a)と時刻t2との時間差Tonaが理想的な時間差Tonbよりも長い場合、第1スナバコンデンサ18aの充電電流が理想的な充電電流よりも大きくなる。このため、図13(d)に一点鎖線にて示すように、第1下アームスイッチSXnの端子間電圧Vsxnの低下速度が高くなる。その結果、第1操作信号g1がオフ操作指令に切り替えられてから、上記端子間電圧Vsxnが0になるまでの時間Tswaが理想的な時間Tswbよりも短くなる。一方、各サブスイッチSs1,Ss2のオン操作切替タイミング(時刻t1c)と時刻t2との時間差Toncが理想的な時間差Tonbよりも短い場合、第1スナバコンデンサ18aの充電電流が理想的な充電電流よりも小さくなる。その結果、時刻t2から上記端子間電圧Vsxnが0になるタイミング(時刻t3c)までの時間Tswcが、理想的な時間Tswbよりも長くなる。これは、以下に説明する理由による。
The first lower arm switch SXn will be described as an example. When the time difference Tona between the ON operation switching timing (time t1a) of each sub-switch Ss1, Ss2 and the time t2 is longer than the ideal time difference Tonb, the first snubber capacitor The charging current of 18a becomes larger than the ideal charging current. For this reason, as indicated by a one-dot chain line in FIG. 13D, the rate of decrease in the inter-terminal voltage Vsxn of the first lower arm switch SXn increases. As a result, the time Tswa from when the first operation signal g1 is switched to the off operation command until the inter-terminal voltage Vsxn becomes 0 becomes shorter than the ideal time Tswb. On the other hand, when the time difference Tonc between the ON operation switching timing (time t1c) of each sub switch Ss1, Ss2 and time t2 is shorter than the ideal time difference Tonb, the charging current of the
サブリアクトル13bのインダクタンス及び第1,第2スナバコンデンサ18a,18bの静電容量によって定まる共振回路において、ソフトスイッチングに必要な最小限の電流Iminは、下式(eq1)で表される。
In the resonance circuit determined by the inductance of the subreactor 13b and the capacitances of the first and
ここで、本実施形態では、各遷移時間を以下のように定義する。詳しくは、第1下アーム遷移時間Txnは、第1操作信号g1がオフ操作指令に切り替えられてから、第1中間電圧Vxが低下して第1閾値電圧Vth1になるまでの時間である。第2上アーム遷移時間Typは、第1操作信号g1がオフ操作指令に切り替えられてから、第2中間電圧Vyが上昇して第2閾値電圧Vth2になるまでの時間である。第1上アーム遷移時間Txpは、第2操作信号g2がオフ操作指令に切り替えられてから、第1中間電圧Vxが上昇して第2閾値電圧Vth2になるまでの時間である。第2下アーム遷移時間Tynは、第2操作信号g2がオフ操作指令に切り替えられてから、第2中間電圧Vyが低下して第1閾値電圧Vth1になるまでの時間である。各閾値電圧Vth1,Vth2は、第1閾値電圧Vth1が第2閾値電圧Vth2よりも低いことを条件として、各スイッチSXp〜SYnの端子間電圧の上限値(入力電圧VDC)未満であってかつ0よりも高い任意の電圧に設定可能である。本実施形態において、第1閾値電圧Vth1は、入力電圧VDCの5%に設定され、第2閾値電圧Vth2は、入力電圧VDCの95%に設定されている。 Here, in this embodiment, each transition time is defined as follows. Specifically, the first lower arm transition time Txn is the time from when the first operation signal g1 is switched to the OFF operation command until the first intermediate voltage Vx decreases to the first threshold voltage Vth1. The second upper arm transition time Typ is a time from when the first operation signal g1 is switched to the OFF operation command until the second intermediate voltage Vy rises to the second threshold voltage Vth2. The first upper arm transition time Txp is the time from when the second operation signal g2 is switched to the OFF operation command until the first intermediate voltage Vx rises to the second threshold voltage Vth2. The second lower arm transition time Tyn is a time from when the second operation signal g2 is switched to the OFF operation command until the second intermediate voltage Vy decreases to the first threshold voltage Vth1. Each threshold voltage Vth1, Vth2 is less than the upper limit value (input voltage VDC) of the voltage across the terminals of each switch SXp to SYn on condition that the first threshold voltage Vth1 is lower than the second threshold voltage Vth2. It can be set to any voltage higher than. In the present embodiment, the first threshold voltage Vth1 is set to 5% of the input voltage VDC, and the second threshold voltage Vth2 is set to 95% of the input voltage VDC.
本実施形態では、上記充電電流Isnbが最適値となるような各遷移時間の共通の目標値(以下、目標時間Ttgt)を設定する。そして、実際の各遷移時間を目標時間Ttgtに制御すべく、各サブスイッチSs1,Ss2のオン操作時間を調整する。これにより、電流センサを備えることなく、各スイッチSXp〜SYnのオン操作への切替をZVSとする。以下、ZVSを実現するための構成について説明する。 In the present embodiment, a common target value (hereinafter, target time Ttgt) for each transition time is set such that the charging current Isnb becomes an optimum value. Then, in order to control each actual transition time to the target time Ttgt, the on operation time of each of the sub switches Ss1 and Ss2 is adjusted. Thereby, switching to ON operation of each switch SXp-SYn is set to ZVS, without providing a current sensor. Hereinafter, a configuration for realizing ZVS will be described.
図14を用いて、各遷移時間検出回路30,31について説明する。なお、本実施形態では、各遷移時間検出回路30,31の構成は同じである。このため、X相遷移時間検出回路30を例にして説明する。
The transition
図示されるように、X相遷移時間検出回路30は、第1〜第5抵抗体30a〜30eと、第1,第2コンパレータ30f,30gと、第1,第2XOR回路30h,30iとを備えている。
As illustrated, the X-phase transition
第1〜第3抵抗体30a〜30cは、直列接続されている。第1抵抗体30aの両端のうち第2抵抗体30bとの接続点とは反対側には、第1上アームスイッチSXpのコレクタが接続されている。第3抵抗体30cの両端のうち、第2抵抗体30bとの接続点とは反対側には、第1下アームスイッチSXnのエミッタが接続されている。第4抵抗体30dと第5抵抗体30eとは直列接続されている。これら抵抗体30d,30eの直列接続体の両端のうち、第4抵抗体30d側には、第1上,下アームスイッチSXp,SXnの接続点が接続され、第5抵抗体30e側には、第1下アームスイッチSXnのエミッタが接続されている。
The first to third resistors 30a to 30c are connected in series. The collector of the first upper arm switch SXp is connected to the opposite side of the both ends of the first resistor 30a from the connection point with the
第1コンパレータ30fの非反転入力端子には、第1,第2抵抗体30a,30bの接続点が接続され、反転入力端子には、第4,第5抵抗体30d,30eの接続点が接続されている。一方、第2コンパレータ30gの非反転入力端子には、第4,第5抵抗体30d,30eの接続点が接続され、反転入力端子には、第2,第3抵抗体30b,30cの接続点が接続されている。第1XOR回路30hの第1入力端子には、第1コンパレータ30fの出力信号が入力され、第1XOR回路30hの第2入力端子には、第2操作信号g2が送電側制御装置16から入力される。一方、第2XOR回路30iの第1入力端子には、第2コンパレータ30gの出力信号が入力され、第2XOR回路30iの第2入力端子には、第1操作信号g1が送電側制御装置16から入力される。第1XOR回路30hの第1出力信号Sig1と第2XOR回路30iの第2出力信号Sig2とは、送電側制御装置16に入力される。
The connection point of the first and
ここで、上記第1〜第5抵抗体30a〜30eの抵抗値は、図15に示すように、第1操作信号g1がオフ操作指令に切り替えられてから、第1中間電圧Vxが低下して第1閾値電圧Vth1になるまでの期間(時刻t1〜t2)において、第2XOR回路30iの第2出力信号Sig2の論理が「H」となるように設定されている。この設定は、第1下アーム遷移時間Txnを検出するためになされるものである。なお、図15(a)は第1中間電圧Vxの推移を示し、図15(b),(c)は先の図13(e),(g)に対応している。また、図15(d)は第2コンパレータ30gの出力信号の推移を示し、図15(e)は第2XOR回路30iの第2出力信号Sig2の推移を示す。 Here, as shown in FIG. 15, the resistance values of the first to fifth resistors 30a to 30e are such that the first intermediate voltage Vx decreases after the first operation signal g1 is switched to the OFF operation command. In the period until the first threshold voltage Vth1 (time t1 to t2), the logic of the second output signal Sig2 of the second XOR circuit 30i is set to “H”. This setting is made to detect the first lower arm transition time Txn. 15A shows the transition of the first intermediate voltage Vx, and FIGS. 15B and 15C correspond to FIGS. 13E and 13G. FIG. 15D shows the transition of the output signal of the second comparator 30g, and FIG. 15E shows the transition of the second output signal Sig2 of the second XOR circuit 30i.
加えて、上記第1〜第5抵抗体30a〜30eの抵抗値は、図16に示すように、第2操作信号g2がオフ操作指令に切り替えられてから、第1中間電圧Vxが上昇して第2閾値電圧Vth2になるまでの期間において、第1XOR回路30hの第1出力信号Sig1の論理が「H」となるように設定されている。この設定は、第1上アーム遷移時間Txpを検出するためになされるものである。なお、図16(a)は第2中間電圧Vyの推移を示し、図16(b),(c)は先の図15(b),(c)に対応している。また、図16(d)は第1コンパレータ30fの出力信号の推移を示し、図16(e)は第1XOR回路30hの第1出力信号Sig1の推移を示す。
In addition, as shown in FIG. 16, the resistance values of the first to fifth resistors 30a to 30e are such that the first intermediate voltage Vx increases after the second operation signal g2 is switched to the OFF operation command. In the period until reaching the second threshold voltage Vth2, the logic of the first output signal Sig1 of the
なお、Y相遷移時間検出回路31は、第1操作信号g1がオフ操作指令に切り替えられてから、第2中間電圧Vyが上昇して第2閾値電圧Vth2になるまでの期間において、論理「H」となる第3出力信号Sig3を出力する。これは、第2上アーム遷移時間Typを検出するための構成である。また、Y相遷移時間検出回路31は、第2操作信号g2がオフ操作指令に切り替えられてから、第2中間電圧Vyが低下して第1閾値電圧Vth1になるまでの期間において、論理「H」となる第4出力信号Sig4を出力する。これは、第2下アーム遷移時間Tynを検出するための構成である。
Note that the Y-phase transition
続いて、図17を用いて、送電側制御装置16における各スイッチSXp〜SYn,Ss1,Ss2の操作処理について説明する。
Subsequently, an operation process of each of the switches SXp to SYn, Ss1, and Ss2 in the power transmission
図示されるように、送電側制御装置16は、第1〜第4出力信号Sig1〜Sig4、目標時間Ttgt、目標周波数ftgt、及び目標デューティDutyに基づき、第1,第2操作信号g1,g2と、サブ操作信号gsとを生成して出力する。ここで、目標周波数ftgtは、各スイッチSXp〜SYnのスイッチング周波数(上記スイッチング周期Tswの逆数)の目標値である。また、目標デューティDutyは、各スイッチSXp〜SYnの1スイッチング周期Tswに対するオン操作時間の比率の目標値である。
As shown in the figure, the power transmission
メイン操作信号生成部16aは、目標周波数ftgt及び目標デューティDutyに基づき、1スイッチング周期Tswに渡る第1,第2操作信号g1,g2を生成して出力する。なお、この際、各操作信号g1,g2にデッドタイムが付与される。 The main operation signal generator 16a generates and outputs first and second operation signals g1 and g2 over one switching period Tsw based on the target frequency ftgt and the target duty Duty. At this time, a dead time is given to each of the operation signals g1 and g2.
第1時間検出部16bは、X相遷移時間検出回路30から出力された第1出力信号Sig1のパルス幅(論理が「H」とされる時間)を第1上アーム遷移時間Txpとして検出する。また、第1時間検出部16bは、Y相遷移時間検出回路31から出力された第4出力信号Sig4のパルス幅を第2下アーム遷移時間Tynとして検出する。第2時間検出部16cは、X相遷移時間検出回路30から出力された第2出力信号Sig2のパルス幅を第1下アーム遷移時間Txnとして検出する。また、第2時間検出部16cは、Y相遷移時間検出回路31から出力された第3出力信号Sig3のパルス幅を第2上アーム遷移時間Typとして検出する。
The first
選択部16dは、第1時間検出部16bから各遷移時間Txp,Tynが入力される場合、各遷移時間Txp,Tynのうち長い方を実遷移時間Ttrとして出力する。一方、第2時間検出部16cから各遷移時間Txn,Typが入力される場合、各遷移時間Txn,Typのうち長い方を実遷移時間Ttrとして出力する。選択部16dは、ZVSを実現するための実遷移時間Ttrを的確に定めるためのものである。つまり、例えば、上アーム側のスナバコンデンサ18a,18cの静電容量や、下アーム側のスナバコンデンサ18b,18dの静電容量、各スイッチSXp〜SYnのゲートの抵抗値及びゲート容量等がばらつくことにより、第1上アームスイッチSXp,第2下アームスイッチSYnの組や、第1下アームスイッチSXn,第2上アームスイッチSYpの組のターンオフのタイミングがばらつくことがある。この場合、第1下アーム遷移時間Txnと第2上アーム遷移時間Typとが異なったり、第1上アーム遷移時間Txpと第2下アーム遷移時間Tynとが異なったりすることがある。このとき、互いに異なる遷移時間のうち、長い方がZVSを実現できる遷移時間となる。このため、各遷移時間のうち長い方を出力する。
When the transition times Txp and Tyn are input from the first
なお、本実施形態において、第1時間検出部16b、選択部16d及び各遷移時間検出回路30,31が「第2遷移時間検出手段」に相当する。また、本実施形態において、第2時間検出部16c、選択部16d及び各遷移時間検出回路30,31が「第1遷移時間検出手段」に相当する。
In the present embodiment, the first
時間偏差算出部16eは、上記目標時間Ttgtと、選択部16dから出力された実遷移時間Ttrとの時間偏差ΔTcを算出する。具体的には、目標時間Ttgtから実遷移時間Ttrを減算した値として上記時間偏差ΔTcを算出する。時間偏差ΔTcは、正の値によって充電電流(サブリアクトル13bに流れる電流)が過大であることを示し、負の値によって充電電流が過小であることを示す。詳しくは、時間偏差ΔTcが正の値であってかつその絶対値が大きいほど、各サブスイッチSs1,Ss2のオン操作時間が短縮される。また、選択部16dから各遷移時間Txp,Tynのいずれかが出力される場合、時間偏差ΔTcが負の値であってかつその絶対値が大きいほど、各サブスイッチSs1,Ss2のオン操作時間が伸長される。
The time
なお本実施形態において、目標時間Ttgtは、あらかじめ設定された固定値として設定されている。具体的には、目標時間Ttgtは、各スイッチSXp〜SYnのオン操作切替タイミングが、設定時にあらかじめ定めたタイミングになるように設定されている。このため、目標時間Ttgtは、サブリアクトル13bのインダクタンス及び各スナバコンデンサ18a〜18dの静電容量によって定まる共振回路の共振周期に基づき設定されることとなる。具体的には、例えば、目標時間Ttgtを、共振周期の「1/4」に設定することができる。また、各遷移時間検出回路30,31における信号遅延時間等を考慮し、目標時間Ttgtを、共振周期の「1/4」の80%程度に設定することもできる。こうした目標時間Ttgtの設定により、サブリアクトル13bに流す電流をZVSの実現に必要な最小限の電流とすることができ、導通損失やスイッチング損失の低減を図る。
In the present embodiment, the target time Ttgt is set as a fixed value set in advance. Specifically, the target time Ttgt is set such that the ON operation switching timing of each of the switches SXp to SYn is a timing that is predetermined at the time of setting. For this reason, the target time Ttgt is set based on the resonance period of the resonance circuit determined by the inductance of the subreactor 13b and the capacitances of the
遷移時間制御部16fは、時間偏差算出部16eから出力された時間偏差ΔTcの比例積分制御により、基準タイミングからのオン操作時間ΔTrを算出する。オン操作時間ΔTrは、各遷移時間を目標時間Ttgtにフィードバック制御するための操作量であり、例えば送電側制御装置16の制御周期毎に更新される。ここで、上記基準タイミングは、選択部16dから各遷移時間Txp,Tynのいずれかが出力される場合、第2操作信号g2のオフ操作指令への切替タイミングに設定される。この場合、各サブスイッチSs1,Ss2のオン操作切替タイミングは、第2操作信号g2のオフ操作切替タイミングからオン操作時間ΔTrだけ遡ったタイミングとなる。一方、上記基準タイミングは、選択部16dから各遷移時間Txn,Typのいずれかが出力される場合、第1操作信号g1のオフ操作指令への切替タイミングに設定される。この場合、各サブスイッチSs1,Ss2のオン操作切替タイミングは、第1操作信号g1のオフ操作切替タイミングからオン操作時間ΔTrだけ遡ったタイミングとなる。なお、本実施形態において、遷移時間制御部16fが「第1,第2設定手段」に相当する。
The transition
サブ操作信号生成部16gは、メイン操作信号生成部16aから出力された1スイッチング周期Tswに渡る第1,第2操作信号g1,g2と、オン操作時間ΔTrとに基づき、サブ操作信号gsを生成して出力する。
The sub operation
こうした構成によれば、実遷移時間を目標時間Ttgtにフィードバック制御することができる。これにより、サブリアクトル13bに流れる電流を検出する電流センサを備えることなく、各スイッチSXp〜SYnのオン操作への切替をZVSにできる。さらに、本実施形態によれば、サブリアクトル13bのインダクタンスや、各スナバコンデンサ18a〜18dの静電容量、各スイッチSXp〜SYの寄生容量のばらつきにかかわらず、各スイッチSXp〜SYnのオン操作への切替をZVSにすることもできる。
According to such a configuration, the actual transition time can be feedback controlled to the target time Ttgt. Thereby, switching to ON operation of each switch SXp-SYn can be set to ZVS, without providing the current sensor which detects the electric current which flows into the
(第2実施形態)
以下、第2実施形態について、先の第1実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。本実施形態では、図18に示すように、インバータ13に備えられるサブスイッチ及びサブリアクトルの接続手法を変更する。なお、図18において、先の図1に示した部材と同一の部材については、便宜上、同一の符号を付している。
(Second Embodiment)
Hereinafter, the second embodiment will be described with reference to the drawings with a focus on differences from the first embodiment. In this embodiment, as shown in FIG. 18, the connection method of the sub switch and sub reactor provided in the
図示されるように、インバータ13は、第1サブスイッチSsα、第1サブダイオードDsα、第2サブスイッチSsβ、第2サブダイオードDsβ、第1保護用ダイオードDpα、第2保護用ダイオードDpβ、及びサブリアクトル13cを備えている。本実施形態では、各サブスイッチSsα,Ssβとして、電圧制御形の半導体スイッチを用いており、具体的には、IGBTを用いている。
As illustrated, the
第1サブスイッチSsαには、第1サブダイオードDsαが逆並列に接続され、第2サブスイッチSsβには、第2サブダイオードDsβが逆並列に接続されている。第1上アームスイッチSXpと第1下アームスイッチSXnとの接続点には、第1サブスイッチSsαのコレクタが接続され、第1サブスイッチSsαのエミッタには、第2サブスイッチSsβのエミッタが接続されている。第2サブスイッチSsβのコレクタには、サブリアクトル13cの第1端が接続されている。サブリアクトル13bの第2端には、第2上アームスイッチSYpと第2下アームスイッチSYnとの接続点が接続されている。なお、各サブスイッチSsα、Ssβは、オフ操作されている場合、各サブスイッチSsα,Ssβの直列接続体の一対の端子(コレクタ)のうち一方から他方への電流の流通を阻止する機能を有する。なお、各サブスイッチSsα,Ssβは、上記第1実施形態と同様に、サブ操作信号gsに基づきオンオフ操作される。
A first sub-diode Dsα is connected in antiparallel to the first subswitch Ssα, and a second subdiode Dsβ is connected in antiparallel to the second subswitch Ssβ. The collector of the first sub switch Ssα is connected to the connection point between the first upper arm switch SXp and the first lower arm switch SXn, and the emitter of the second sub switch Ssβ is connected to the emitter of the first sub switch Ssα. Has been. The first end of the
第2サブスイッチSsβとサブリアクトル13cとの接続点には、第1保護用ダイオードDpαのカソードと、第2保護用ダイオードDpβのアノードとが接続されている。第1保護用ダイオードDpαのアノードには、第2端子T2が接続され、第2保護用ダイオードDpβのカソードには、第1端子T1が接続されている。第1保護用ダイオードDpαは、第1サブスイッチSsαを保護するために設けられ、第2保護用ダイオードDpβは、第2サブスイッチSsβを保護するために設けられている。詳しくは、第1上アームスイッチSXp側から第2下アームスイッチSYn側へとサブリアクトル13cに電流が流れている状態で、各サブスイッチSsα,Ssβが誤作動によってオフ操作されると、第1サブスイッチSsαの両端にサージ電圧が印加される。第1保護用ダイオードDpαは、このサージ電圧から第1サブスイッチSsαを保護する。一方、第2下アームスイッチSYn側から第1上アームスイッチSXp側へとサブリアクトル13cに電流が流れている状態で、各サブスイッチSsα,Ssβが誤作動によってオフ操作されると、第2サブスイッチSsβの両端にサージ電圧が印加される。第2保護用ダイオードDpβは、このサージ電圧から第2サブスイッチSsβを保護する。 The cathode of the first protection diode Dpα and the anode of the second protection diode Dpβ are connected to the connection point between the second sub switch Ssβ and the subreactor 13c. The second terminal T2 is connected to the anode of the first protection diode Dpα, and the first terminal T1 is connected to the cathode of the second protection diode Dpβ. The first protection diode Dpα is provided to protect the first sub switch Ssα, and the second protection diode Dpβ is provided to protect the second sub switch Ssβ. Specifically, when the sub-switches Ssα and Ssβ are turned off due to malfunction when the current flows through the sub-reactor 13c from the first upper arm switch SXp side to the second lower arm switch SYn side, A surge voltage is applied across the sub switch Ssα. The first protection diode Dpα protects the first sub switch Ssα from this surge voltage. On the other hand, if each sub switch Ssα, Ssβ is turned off due to a malfunction when the current flows through the subreactor 13c from the second lower arm switch SYn side to the first upper arm switch SXp side, A surge voltage is applied across the switch Ssβ. The second protection diode Dpβ protects the second sub switch Ssβ from this surge voltage.
以上説明した本実施形態によっても、上記第1実施形態と同様の効果を得られる。 According to the present embodiment described above, the same effects as those of the first embodiment can be obtained.
(第3実施形態)
以下、第3実施形態について、先の第1実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。本実施形態では、図19に示すように、インバータの回路構成を変更する。なお、図19において、先の図1に示した部材と同一の部材については、便宜上、同一の符号を付している。
(Third embodiment)
Hereinafter, the third embodiment will be described with reference to the drawings with a focus on differences from the first embodiment. In this embodiment, as shown in FIG. 19, the circuit configuration of the inverter is changed. In FIG. 19, the same members as those shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals for the sake of convenience.
図示されるように、インバータ13は、第1〜第4サブスイッチSsa〜Ssdと、第1,第2サブリアクトル13d,13eとを備えている。本実施形態では、各サブスイッチSsa〜Ssdとして、フリーホイールダイオードが逆並列に接続された電圧制御形の半導体スイッチを用いており、具体的には、IGBTを用いている。
As illustrated, the
第2サブスイッチSsbのエミッタには、第1サブスイッチSsaのコレクタが接続されている。第2サブスイッチSsbのコレクタには、第1上アームスイッチSXpのコレクタが接続され、第1サブスイッチSsaのエミッタには、第1下アームスイッチSXnのエミッタが接続されている。第1サブスイッチSsaと第2サブスイッチSsbとの接続点には、第1サブリアクトル13dを介して、第1上アームスイッチSXp及び第1下アームスイッチSXnの接続点が接続されている。 The collector of the first sub switch Ssa is connected to the emitter of the second sub switch Ssb. A collector of the first upper arm switch SXp is connected to the collector of the second sub switch Ssb, and an emitter of the first lower arm switch SXn is connected to the emitter of the first sub switch Ssa. A connection point of the first upper arm switch SXp and the first lower arm switch SXn is connected to a connection point of the first sub switch Ssa and the second sub switch Ssb via the first sub reactor 13d.
第4サブスイッチSsdのエミッタには、第3サブスイッチSscのコレクタが接続されている。第4サブスイッチSsdのコレクタには、第2上アームスイッチSYpのコレクタが接続され、第3サブスイッチSscのエミッタには、第2下アームスイッチSYnのエミッタが接続されている。第3サブスイッチSscと第4サブスイッチSsdとの接続点には、第2サブリアクトル13eを介して、第2上アームスイッチSYp及び第2下アームスイッチSYnの接続点が接続されている。
The collector of the third sub switch Ssc is connected to the emitter of the fourth sub switch Ssd. The collector of the fourth sub switch Ssd is connected to the collector of the second upper arm switch SYp, and the emitter of the third sub switch Ssc is connected to the emitter of the second lower arm switch SYn. A connection point between the third sub switch Ssc and the fourth sub switch Ssd is connected to a connection point between the second upper arm switch SYp and the second lower arm switch SYn via the
第1〜第4サブスイッチSsa〜Ssdは、送電側制御装置16において生成される第1〜第4サブ操作信号gsa〜gsdによってオンオフ操作される。
The first to fourth sub switches Ssa to Ssd are turned on / off by first to fourth sub operation signals gsa to gsd generated in the power transmission
続いて、図20を用いて、本実施形態にかかる各サブスイッチSsa〜Ssdの操作手法について説明する。なお、図20において、先の図17に示した処理と同一の処理については、便宜上、同一の符号を付している。 Subsequently, an operation method of each of the sub switches Ssa to Ssd according to the present embodiment will be described with reference to FIG. In FIG. 20, the same processes as those shown in FIG. 17 are given the same reference numerals for the sake of convenience.
第1時間検出部16hは、第1出力信号Sig1の論理が「H」となる場合、第1出力信号Sig1のパルス幅を第1上アーム遷移時間Txpとして検出する。一方、第1時間検出部16hは、第2出力信号Sig2の論理が「H」となる場合、第2出力信号Sig2のパルス幅を第1下アーム遷移時間Txnとして検出する。第1時間検出部16hは、検出した遷移時間を第1実遷移時間Ttr1として出力する。なお、本実施形態において、第1時間検出部16h及びX相遷移時間検出回路30が「第1,第3検出手段」に相当する。
When the logic of the first output signal Sig1 is “H”, the first
第1時間偏差算出部16iは、上記目標時間Ttgtと、第1実遷移時間Ttr1との偏差である第1時間偏差ΔTf1を算出する。第1遷移時間制御部16jは、第1時間偏差ΔTf1の比例積分制御により、第1オン操作時間ΔTk1を算出する。第1サブ操作信号生成部16kは、メイン操作信号生成部16aから出力された1スイッチング周期Tswに渡る第1,第2操作信号g1,g2と、第1オン操作時間ΔTk1とに基づき、第1,第2サブ操作信号gsa,gsbを生成して出力する。詳しくは、第1操作信号g1がオフ操作指令に切り替えられる状況においては、第2サブスイッチSsbをオフ操作に維持してかつ第1サブスイッチSsaのオン操作期間を設けるように、第1,第2サブ操作信号gsa,gsbを生成する。一方、第2操作信号g2がオフ操作指令に切り替えられる状況においては、第1サブスイッチSsaをオフ操作に維持してかつ第2サブスイッチSsbのオン操作期間を設けるように、第1,第2サブ操作信号gsa,gsbを生成する。
The first time deviation calculation unit 16i calculates a first time deviation ΔTf1, which is a deviation between the target time Ttgt and the first actual transition time Ttr1. The first transition time control unit 16j calculates the first on-operation time ΔTk1 by proportional-integral control of the first time deviation ΔTf1. The first sub operation
第2時間検出部16lは、第3出力信号Sig3の論理が「H」となる場合、第3出力信号Sig3のパルス幅を第2上アーム遷移時間Typとして検出する。一方、第2時間検出部16lは、第4出力信号Sig4の論理が「H」となる場合、第4出力信号Sig4のパルス幅を第2下アーム遷移時間Tynとして検出する。第2時間検出部16lは、検出した遷移時間を第2実遷移時間Ttr2として出力する。なお、本実施形態において、第2時間検出部16l及びY相遷移時間検出回路31が「第2,第4検出手段」に相当する。
When the logic level of the third output signal Sig3 is “H”, the second
第2時間偏差算出部16mは、上記目標時間Ttgtと、第2実遷移時間Ttr2との偏差である第2時間偏差ΔTf2を算出する。第2遷移時間制御部16nは、第2時間偏差ΔTf2の比例積分制御により、第2オン操作時間ΔTk2を算出する。第2サブ操作信号生成部16oは、メイン操作信号生成部16aから出力された1スイッチング周期Tswに渡る第1,第2操作信号g1,g2と、第2オン操作時間ΔTk2とに基づき、第3,第4サブ操作信号gsc,gsdを生成して出力する。詳しくは、第1操作信号g1がオフ操作指令に切り替えられる状況においては、第4サブスイッチSsdをオフ操作に維持してかつ第3サブスイッチSscのオン操作期間を設けるように、第3,第4サブ操作信号gsc,gsdを生成する。一方、第2操作信号g2がオフ操作指令に切り替えられる状況においては、第3サブスイッチSscをオフ操作に維持してかつ第4サブスイッチSsdのオン操作期間を設けるように、第3,第4サブ操作信号gsc,gsdを生成する。
The second time
以上説明した本実施形態によれば、上記第1実施形態の効果に準じた効果を得ることはできる。 According to the embodiment described above, it is possible to obtain an effect according to the effect of the first embodiment.
(その他の実施形態)
なお、上記各実施形態は、以下のように変更して実施してもよい。
(Other embodiments)
Each of the above embodiments may be modified as follows.
・送電側フィルタ回路14、送電パッド15、受電パッド20及び受電側フィルタ回路21を図21のように変更してもよい。詳しくは、送電側コイル15aには、第5共振コンデンサ15dが並列接続されている。すなわち、送電側コイル15aと第5共振コンデンサ15dとによってLC並列共振回路が構成されている。送電側フィルタ回路14は、送電側第1コンデンサ14f及び送電側第5リアクトル14gの直列接続体と、送電側第2コンデンサ14h及び送電側第6リアクトル14iの直列接続体とを備えている。受電側コイル20aには、第6共振コンデンサ20dが並列接続されている。受電側フィルタ回路21は、受電側第1コンデンサ21f及び受電側第5リアクトル21gの直列接続体と、受電側第2コンデンサ21h及び受電側第6リアクトル21iの直列接続体とを備えている。なお、図21において、先の図1に示した部材と同一の部材には、同一の符号を付している。
The power transmission
・上記第1実施形態において、第1上アーム遷移時間Txp及び第2下アーム遷移時間Tynの目標時間と、第1下アーム遷移時間Txn及び第2上アーム遷移時間Typの目標時間とを相違させてもよい。 In the first embodiment, the target time of the first upper arm transition time Txp and the second lower arm transition time Tyn is different from the target time of the first lower arm transition time Txn and the second upper arm transition time Typ. May be.
・上記各実施形態において、目標時間から実遷移時間を減算した値と、サブスイッチのオン操作時間とが関係付けられたマップや数式を用いて上記オン操作時間を算出してもよい。 In each of the above embodiments, the on operation time may be calculated using a map or a mathematical formula in which a value obtained by subtracting the actual transition time from the target time and the on operation time of the sub switch are related.
・先の図1、図18及び図19に示した構成において、各保護用ダイオードを除去してもよい。 In the configuration shown in FIG. 1, FIG. 18 and FIG. 19, each protection diode may be removed.
・上記実施形態において、DCDCコンバータ12を除去してもよい。
In the above embodiment, the
・上記実施形態において、各スイッチSXp,SXn,SYp,SYnのスイッチング周期Tswを1次側電流Ipの基本波電流の周期よりも短く設定してもよい。 In the above embodiment, the switching cycle Tsw of each switch SXp, SXn, SYp, SYn may be set shorter than the cycle of the fundamental current of the primary current Ip.
・インバータ13を構成するスイッチとしては、IGBTに限らず、例えばMOSFETであってもよい。この場合、各スイッチに逆並列に接続されるフリーホイールダイオードとしては、外付けのダイオードに限らず、MOSFETのボディダイオードであってもよい。
-Switch which comprises the
・上記各実施形態において、各スイッチSXp〜SYnに並列接続されるコンデンサとしては、各スイッチSXp〜SYnの端子間(具体的には、コレクタ及びエミッタ間)の寄生容量(寄生コンデンサ)や、各スイッチに逆並列に接続されたダイオードDXp〜DYnの端子間(具体的には、アノード及びカソード間)の寄生容量であってもよい。 -In each said embodiment, as a capacitor | condenser connected in parallel with each switch SXp-SYn, between each terminal of each switch SXp-SYn (specifically, between a collector and emitter), each parasitic capacitance (parasitic capacitor), It may be a parasitic capacitance between the terminals of the diodes DXp to DYn connected in reverse parallel to the switch (specifically, between the anode and the cathode).
・インバータの出力電圧が印加されるコイルとしては、非接触給電システムを構成する送電側コイルに限らない。例えば、高周波誘導加熱装置を構成するコイルや、電磁調理器を構成するコイルであってもよい。この場合であっても、コイルに流れる電流の位相が進む現象が生じるなら、リカバリ損失を低減できる本発明の適用が有効である。 -The coil to which the output voltage of the inverter is applied is not limited to the power transmission side coil constituting the non-contact power feeding system. For example, the coil which comprises a high frequency induction heating apparatus, and the coil which comprises an electromagnetic cooker may be sufficient. Even in this case, if the phenomenon that the phase of the current flowing through the coil advances occurs, the application of the present invention that can reduce the recovery loss is effective.
13b…サブリアクトル、15a…送電側コイル、30,31…X,Y相遷移時間検出回路、SXp,SXn…第1上,下アームスイッチ、SYp,SYn…第2上,下アームスイッチ、Ss1,Ss2…第1,第2サブスイッチ。 13b ... sub reactor, 15a ... power transmission side coil, 30, 31 ... X, Y phase transition time detection circuit, SXp, SXn ... first upper and lower arm switch, SYp, SYn ... second upper and lower arm switch, Ss1, Ss2: First and second sub switches.
Claims (6)
前記直流電源に並列接続された第2上アームスイッチ(SYp)及び第2下アームスイッチ(SYn)の直列接続体と、
前記第1上アームスイッチ、前記第1下アームスイッチ、前記第2上アームスイッチ、及び前記第2下アームスイッチのそれぞれに逆並列に接続されたダイオード(DXp,DXn,DYp,DYn)と、
前記第1上アームスイッチ、前記第1下アームスイッチ、前記第2上アームスイッチ、及び前記第2下アームスイッチのそれぞれに並列接続されたコンデンサ(18a〜18d)と、
前記第1上アームスイッチと前記第1下アームスイッチとを直列接続する第1電気経路に第1端が接続され、前記第2上アームスイッチと前記第2下アームスイッチとを直列接続する第2電気経路に第2端が接続されたメインコイル(15a)と、
サブリアクトル(13b;13c)と、
第1サブスイッチ(Ss1;Ssα)及び第2サブスイッチ(Ss2;Ssβ)とを備え、
前記第1サブスイッチ、前記サブリアクトル及び前記第2サブスイッチは、直列接続され、
前記第1電気経路と前記第2電気経路とは、前記第1サブスイッチ、前記サブリアクトル及び前記第2サブスイッチの直列接続体によって接続され、
前記第1上アームスイッチ及び前記第2下アームスイッチの組と、前記第1下アームスイッチ及び前記第2上アームスイッチの組とを交互にオン操作するメイン操作手段と、
前記第1上アームスイッチ及び前記第2下アームスイッチの組がオン操作される期間の途中から、前記第1下アームスイッチ及び前記第2上アームスイッチの組が次回オン操作される期間の途中までの期間において前記第1サブスイッチ及び前記第2サブスイッチをオン操作する第1操作処理と、前記第1下アームスイッチ及び前記第2上アームスイッチの組がオン操作される期間の途中から、前記第1上アームスイッチ及び前記第2下アームスイッチの組が次回オン操作される期間の途中までの期間において前記第1サブスイッチ及び前記第2サブスイッチをオン操作する第2操作処理とを行うサブ操作手段と、
前記直流電源の負極側電位に対する前記第1上アームスイッチと前記第1下アームスイッチとの接続点の電位を第1中間電圧とし、前記直流電源の負極側電位に対する前記第2上アームスイッチと前記第2下アームスイッチとの接続点の電位を第2中間電圧とする場合、前記第1上アームスイッチ及び前記第2下アームスイッチのそれぞれに対して第1オフ操作指令がなされてから前記第1中間電圧が低下して第1閾値電圧になるまでの時間と、前記第1オフ操作指令がなされてから前記第2中間電圧が上昇して第2閾値電圧になるまでの時間とのうち、長い方を第1遷移時間として検出する第1遷移時間検出手段(16c,16d,30,31)と、
前記第1遷移時間検出手段によって検出された第1遷移時間を第1目標時間に制御すべく、前記第1操作処理による前記第1サブスイッチ及び前記第2サブスイッチのオン操作時間を設定する第1設定手段(16f)と、
前記第1下アームスイッチ及び前記第2上アームスイッチのそれぞれに対して第2オフ操作指令がなされてから前記第1中間電圧が上昇して前記第2閾値電圧になるまでの時間と、前記第2オフ操作指令がなされてから前記第2中間電圧が低下して前記第1閾値電圧になるまでの時間とのうち、長い方を第2遷移時間として検出する第2遷移時間検出手段(16b,16d,30,31)と、
前記第2遷移時間検出手段によって検出された第2遷移時間を第2目標時間に制御すべく、前記第2操作処理による前記第1サブスイッチ及び前記第2サブスイッチのオン操作時間を設定する第2設定手段(16f)とを備えることを特徴とする電力変換装置。 A series connection of a first upper arm switch (SXp) and a first lower arm switch (SXn) connected in parallel to the DC power source (12);
A series connection of a second upper arm switch (SYp) and a second lower arm switch (SYn) connected in parallel to the DC power supply;
A diode (DXp, DXn, DYp, DYn) connected in antiparallel to each of the first upper arm switch, the first lower arm switch, the second upper arm switch, and the second lower arm switch;
Capacitors (18a-18d) connected in parallel to each of the first upper arm switch, the first lower arm switch, the second upper arm switch, and the second lower arm switch;
A first end is connected to a first electrical path that connects the first upper arm switch and the first lower arm switch in series, and a second end that connects the second upper arm switch and the second lower arm switch in series. A main coil (15a) having a second end connected to the electrical path;
Sa Buriakutoru; and (13b 13 c),
A first sub-switch (Ss1; Ssα) and a second sub-switch (Ss2; Ssβ),
The first sub switch, the sub reactor, and the second sub switch are connected in series,
The first electric path and the second electric path are connected by a series connection body of the first sub switch, the sub reactor, and the second sub switch,
Main operating means for alternately turning on the set of the first upper arm switch and the second lower arm switch and the set of the first lower arm switch and the second upper arm switch;
From the middle of the period when the set of the first upper arm switch and the second lower arm switch is turned on until the middle of the period when the set of the first lower arm switch and the second upper arm switch is turned on next time The first operation process for turning on the first sub-switch and the second sub-switch in the period, and the middle of the period during which the set of the first lower arm switch and the second upper arm switch is turned on, A sub operation for performing a second operation process for turning on the first sub switch and the second sub switch in a period until the middle of the next time the set of the first upper arm switch and the second lower arm switch is turned on. Operation means;
The potential of the connection point between the first upper arm switch and the first lower arm switch with respect to the negative side potential of the DC power supply is a first intermediate voltage, and the second upper arm switch with respect to the negative side potential of the DC power source and the When the potential at the connection point with the second lower arm switch is set to the second intermediate voltage, the first off operation command is issued to each of the first upper arm switch and the second lower arm switch. Of the time from when the intermediate voltage decreases to the first threshold voltage, and the time from when the first off operation command is issued until the second intermediate voltage increases to the second threshold voltage, it is long. First transition time detecting means (16c, 16d, 30, 31 ) for detecting the direction as the first transition time;
In order to control the first transition time detected by the first transition time detection means to be a first target time, a first operation time for setting the first sub switch and the second sub switch by the first operation processing is set. 1 setting means (16 f) ,
A time from when the second OFF operation command is issued to each of the first lower arm switch and the second upper arm switch until the first intermediate voltage rises to reach the second threshold voltage; 2nd transition time detecting means (16b, 16) for detecting the longer one as the second transition time from the time until the second intermediate voltage decreases to the first threshold voltage after the 2 OFF operation command is issued 16d, 30, 31 ) and
In order to control the second transition time detected by the second transition time detection means to the second target time, a first operation time for setting the first sub switch and the second sub switch by the second operation processing is set. A power converter comprising: 2 setting means (16 f) .
前記第2設定手段は、前記第2遷移時間と前記第2目標時間との偏差に基づくフィードバック制御により、前記第2操作処理による前記第1サブスイッチ及び前記第2サブスイッチのオン操作時間を設定する請求項1記載の電力変換装置。 The first setting means sets an ON operation time of the first sub switch and the second sub switch by the first operation process by feedback control based on a deviation between the first transition time and the first target time. And
The second setting means sets an ON operation time of the first sub switch and the second sub switch by the second operation process by feedback control based on a deviation between the second transition time and the second target time. The power conversion device according to claim 1.
前記直流電源に並列接続された第2上アームスイッチ(SYp)及び第2下アームスイッチ(SYn)の直列接続体と、A series connection of a second upper arm switch (SYp) and a second lower arm switch (SYn) connected in parallel to the DC power supply;
前記第1上アームスイッチ、前記第1下アームスイッチ、前記第2上アームスイッチ、及び前記第2下アームスイッチのそれぞれに逆並列に接続されたダイオード(DXp,DXn,DYp,DYn)と、A diode (DXp, DXn, DYp, DYn) connected in antiparallel to each of the first upper arm switch, the first lower arm switch, the second upper arm switch, and the second lower arm switch;
前記第1上アームスイッチ、前記第1下アームスイッチ、前記第2上アームスイッチ、及び前記第2下アームスイッチのそれぞれに並列接続されたコンデンサ(18a〜18d)と、Capacitors (18a-18d) connected in parallel to each of the first upper arm switch, the first lower arm switch, the second upper arm switch, and the second lower arm switch;
前記第1上アームスイッチと前記第1下アームスイッチとを直列接続する第1電気経路に第1端が接続され、前記第2上アームスイッチと前記第2下アームスイッチとを直列接続する第2電気経路に第2端が接続されたメインコイル(15a)と、A first end is connected to a first electrical path that connects the first upper arm switch and the first lower arm switch in series, and a second end that connects the second upper arm switch and the second lower arm switch in series. A main coil (15a) having a second end connected to the electrical path;
第1サブリアクトル(13d)及び第2サブリアクトル(13e)と、A first sub-reactor (13d) and a second sub-reactor (13e);
互いに直列接続された第1サブスイッチ(Ssa)及び第2サブスイッチ(Ssb)と、A first sub-switch (Ssa) and a second sub-switch (Ssb) connected in series with each other;
互いに直列接続された第3サブスイッチ(Ssc)及び第4サブスイッチ(Ssd)とを備え、A third sub switch (Ssc) and a fourth sub switch (Ssd) connected in series with each other;
前記第1サブスイッチ及び前記第2サブスイッチの直列接続体は、前記第1上アームスイッチ及び前記第1下アームスイッチの直列接続体に並列接続され、The series connection of the first sub switch and the second sub switch is connected in parallel to the series connection of the first upper arm switch and the first lower arm switch,
前記第3サブスイッチ及び前記第4サブスイッチの直列接続体は、前記第2上アームスイッチ及び前記第2下アームスイッチの直列接続体に並列接続され、The series connection body of the third sub switch and the fourth sub switch is connected in parallel to the series connection body of the second upper arm switch and the second lower arm switch,
前記第1サブスイッチ及び前記第2サブスイッチの直列接続体の両端のうち前記第2サブスイッチ側には、前記直流電源の正極側が接続され、The positive electrode side of the DC power source is connected to the second sub switch side of both ends of the series connection body of the first sub switch and the second sub switch,
前記第3サブスイッチ及び前記第4サブスイッチの直列接続体の両端のうち前記第4サブスイッチ側には、前記直流電源の正極側が接続され、A positive electrode side of the DC power source is connected to the fourth sub switch side of both ends of the serial connection body of the third sub switch and the fourth sub switch,
前記第1サブスイッチと前記第2サブスイッチとを直列接続する電気経路には、前記第1サブリアクトルを介して前記第1電気経路が接続され、The electric path connecting the first sub switch and the second sub switch in series is connected to the first electric path via the first sub reactor.
前記第3サブスイッチと前記第4サブスイッチとを直列接続する電気経路には、前記第2サブリアクトルを介して前記第2電気経路が接続され、The electrical path connecting the third sub switch and the fourth sub switch in series is connected to the second electrical path via the second sub reactor,
前記第1上アームスイッチ及び前記第2下アームスイッチの組と、前記第1下アームスイッチ及び前記第2上アームスイッチの組とを交互にオン操作するメイン操作手段と、Main operating means for alternately turning on the set of the first upper arm switch and the second lower arm switch and the set of the first lower arm switch and the second upper arm switch;
前記第1上アームスイッチ及び前記第2下アームスイッチの組がオン操作される期間の途中から、前記第1下アームスイッチ及び前記第2上アームスイッチの組が次回オン操作される期間の途中までの期間において前記第1サブスイッチ及び前記第3サブスイッチをオン操作する第1操作処理と、前記第1下アームスイッチ及び前記第2上アームスイッチの組がオン操作される期間の途中から、前記第1上アームスイッチ及び前記第2下アームスイッチの組が次回オン操作される期間の途中までの期間において前記第2サブスイッチ及び前記第4サブスイッチをオン操作する第2操作処理とを行うサブ操作手段と、From the middle of the period when the set of the first upper arm switch and the second lower arm switch is turned on until the middle of the period when the set of the first lower arm switch and the second upper arm switch is turned on next time The first operation process for turning on the first sub-switch and the third sub-switch during the period, and the middle of the period during which the set of the first lower arm switch and the second upper arm switch is turned on, A sub operation for performing a second operation process for turning on the second sub switch and the fourth sub switch during a period until the middle of the next time the set of the first upper arm switch and the second lower arm switch is turned on. Operation means;
前記直流電源の負極側電位に対する前記第1上アームスイッチと前記第1下アームスイッチとの接続点の電位を第1中間電圧とする場合、前記第1上アームスイッチ及び前記第2下アームスイッチのそれぞれに対して第1オフ操作指令がなされてから、前記第1中間電圧が低下して第1閾値電圧になるまでの時間を第1遷移時間として検出する第1検出手段(16h,30)と、When the potential of the connection point between the first upper arm switch and the first lower arm switch with respect to the negative side potential of the DC power supply is the first intermediate voltage, the first upper arm switch and the second lower arm switch First detection means (16h, 30) for detecting, as a first transition time, a time from when the first OFF operation command is issued to each of the first OFF voltage until the first intermediate voltage decreases to the first threshold voltage; ,
前記第1検出手段によって検出された第1遷移時間を第1目標時間に制御すべく、前記第1操作処理による前記第1サブスイッチのオン操作時間を設定する手段(16i,16j)Means (16i, 16j) for setting the ON operation time of the first sub switch by the first operation processing so as to control the first transition time detected by the first detection means to the first target time.
前記直流電源の負極側電位に対する前記第2上アームスイッチと前記第2下アームスイッチとの接続点の電位を第2中間電圧とする場合、前記第1オフ操作指令がなされてから前記第2中間電圧が上昇して第2閾値電圧になるまでの時間を前記第1遷移時間として検出する第2検出手段(16l,31)と、In the case where the potential at the connection point of the second upper arm switch and the second lower arm switch with respect to the negative side potential of the DC power supply is set as the second intermediate voltage, the second intermediate is performed after the first off operation command is issued. Second detection means (161, 31) for detecting the time until the voltage rises to the second threshold voltage as the first transition time;
前記第2検出手段によって検出された第1遷移時間が前記第1目標時間となるように、前記第1操作処理による前記第3サブスイッチのオン操作時間を設定する手段(16m,16n)と、Means (16m, 16n) for setting the ON operation time of the third sub switch by the first operation processing so that the first transition time detected by the second detection means becomes the first target time;
前記第1下アームスイッチ及び前記第2上アームスイッチのそれぞれに対して第2オフ操作指令がなされてから、前記第1中間電圧が上昇して前記第2閾値電圧になるまでの時間を第2遷移時間として検出する第3検出手段(16h,30)と、The time from when the second OFF operation command is issued to each of the first lower arm switch and the second upper arm switch until the first intermediate voltage rises to the second threshold voltage is set to a second time. Third detection means (16h, 30) for detecting as transition time;
前記第3検出手段によって検出された第2遷移時間が第2目標時間となるように、前記第2操作処理による前記第2サブスイッチのオン操作時間を設定する手段(16i,16j)と、Means (16i, 16j) for setting the ON operation time of the second sub switch by the second operation processing so that the second transition time detected by the third detection means becomes the second target time;
前記第2オフ操作指令がなされてから前記第2中間電圧が低下して前記第1閾値電圧になるまでの時間を前記第2遷移時間として検出する第4検出手段(16l,31)と、Fourth detection means (161, 31) for detecting, as the second transition time, a time from when the second off operation command is issued until the second intermediate voltage decreases to the first threshold voltage;
前記第4検出手段によって検出された第2遷移時間が前記第2目標時間となるように、前記第2操作処理による前記第4サブスイッチのオン操作時間を設定する手段(16m,16n)とを備えることを特徴とする電力変換装置。Means (16m, 16n) for setting an ON operation time of the fourth sub switch by the second operation process so that a second transition time detected by the fourth detection means becomes the second target time; A power conversion device comprising:
前記第3サブスイッチのオン操作時間を設定する手段は、前記第2検出手段によって検出された第1遷移時間と前記第1目標時間との偏差に基づくフィードバック制御により、前記第1操作処理による前記第3サブスイッチのオン操作時間を設定し、The means for setting the ON operation time of the third sub switch is the feedback control based on a deviation between the first transition time detected by the second detection means and the first target time, and the first operation processing is performed. Set the ON operation time of the 3rd sub switch,
前記第2サブスイッチのオン操作時間を設定する手段は、前記第3検出手段によって検出された第2遷移時間と前記第2目標時間との偏差に基づくフィードバック制御により、前記第2操作処理による前記第2サブスイッチのオン操作時間を設定し、The means for setting the ON operation time of the second sub switch is the feedback control based on the deviation between the second transition time detected by the third detection means and the second target time, by the second operation processing. Set the ON operation time of the second sub switch,
前記第4サブスイッチのオン操作時間を設定する手段は、前記第4検出手段によって検出された第2遷移時間と前記第2目標時間との偏差に基づくフィードバック制御により、前記第2操作処理による前記第4サブスイッチのオン操作時間を設定する請求項3記載の電力変換装置。The means for setting the ON operation time of the fourth sub switch is the feedback control based on the deviation between the second transition time detected by the fourth detection means and the second target time, by the second operation processing. The power converter according to claim 3 which sets ON operation time of the 4th sub switch.
前記第1上アームスイッチ及び前記第2下アームスイッチの組と、前記第1下アームスイッチ及び前記第2上アームスイッチの組とのそれぞれのスイッチング周期は、前記メインコイルに流れる電流の基本波の周期と同一に設定されている請求項1〜4のいずれか1項に記載の電力変換装置。 Resonant capacitor (15b, 15c; 15d) which together constitute a resonant circuit and the Meinkoi le equipped with,
The switching period of each of the first upper arm switch and the second lower arm switch group and the first lower arm switch and the second upper arm switch group is a fundamental wave of the current flowing through the main coil. The power converter according to any one of claims 1 to 4 , wherein the power converter is set to be the same as the period.
前記メインコイルとしての送電側コイルとの間で非接触で電力授受を行う受電側コイル(20a)と、
前記受電側コイルとともに共振回路を構成する受電側共振コンデンサ(20b,20c;20d)とを備えることを特徴とする非接触給電システム。 In the non-contact electric power feeding system provided with the power converter device according to claim 5,
A power receiving side coil (20a) that performs power transfer in a contactless manner with the power transmitting side coil as the main coil ;
Non-contact power supply system, comprising a; receiving resonance capacitor constituting together resonant circuit and the power receiving side coil (20d 20b, 20c).
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