JP6331425B2 - 電気泳動表示装置及び電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、電気泳動表示装置及び電子機器に関する。

電気泳動表示装置として、第１の電極と第２の電極とによって駆動される電気光学材料層（電気泳動素子）と、第１の電極と第１の走査線との電気的接続を制御する第１のトランジスターと、第２の電極と第２の走査線との電気的接続を制御する第２のトランジスターと、を含む画素と、第１のトランジスターのゲートおよび第２のトランジスターのゲートに電気的に接続されたデータ信号供給回路と、を備えた電気光学装置が開示されている（特許文献１）。
上記特許文献１の電気光学装置によれば、画素電極として機能する第１の電極や、第１のトランジスター及び第２のトランジスターが形成された素子基板と、対向電極として機能する第２の電極が形成された対向基板との間に、電気泳動素子が挟持されている。また、電気泳動素子として、分散媒と、複数の電気泳動粒子とを含むマイクロカプセルが素子基板と対向基板との間に複数配置された例が示されている。

このようなアクティブ駆動型の電気光学装置の素子基板には、各トランジスターを覆う層間絶縁膜が形成され、層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、第１のトランジスターのドレイン電極と画素電極とが電気的に接続されている。また、層間絶縁膜は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などの無機絶縁膜、あるいは、アクリル樹脂、エポキシ樹脂などの有機絶縁膜を用いることができるとされている。

特開２０１１−２２１１２５号公報

上記特許文献１の電気光学装置において、素子基板は、安価で軽量、且つ柔軟性に優れたプラスチック基板を用いることができるとしている。また、電気泳動素子には複数のマイクロカプセルの他に電解液が含まれていることが知られている。
層間絶縁膜として無機絶縁膜を用いた場合、素子基板に例えば曲げ応力が加わって無機絶縁膜に微小なクラックが生ずると、電解液がクラック部分から浸み込んで素子基板に形成された配線などを腐食するおそれがある。配線などが腐食されると、断線や配線などを構成する物質が電解液に拡散して、電解液の組成が変化し表示異常を起こすことが予測される。
また、層間絶縁膜として有機絶縁膜を用いた場合にも、長期間に亘る使用において、電解液が有機絶縁膜に浸み込んで同様な表示異常を起こすことが考えられる。
つまり、繰り返して加わる応力や長期間の使用に纏わる耐久性をさらに向上させる必要があるという課題がある。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例］本適用例に係る電気泳動表示装置は、画素に、スイッチング素子と、メモリ回路と、スイッチ回路と、前記スイッチング素子、前記メモリ回路及び前記スイッチ回路を覆う層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して前記スイッチ回路に接続された画素電極と、前記画素電極上に設けられた電気泳動素子と、を備え、前記層間絶縁膜は、有機絶縁膜と、前記有機絶縁膜と前記画素電極との間に設けられたれた第１の無機絶縁膜と、前記スイッチング素子、前記メモリ回路及び前記スイッチ回路と前記有機絶縁膜との間に設けられた第２の無機絶縁膜とを有し、前記コンタクトホール内において、前記第１の無機絶縁膜と前記第２の無機絶縁膜とが接するように設けられていることを特徴とする。
また、前記メモリ回路は、第１のインバーターと第２のインバーターとを有し、前記第１のインバーターに接続された高電位電源線と、前記第２のインバーターに接続された低電位電源線とを備えることを特徴とする。
また、前記スイッチ回路は、第１のトランスミッションゲートと第２のトランスミッションゲートとを有し、前記第１のトランスミッションゲートに接続された第１の制御線と、前記第２のトランスミッションゲートに接続された第２の制御線とを備えることを特徴とする。

本適用例によれば、基板上において駆動回路と画素電極との間に形成された層間絶縁膜は、有機絶縁膜と有機絶縁膜上に形成された第１の無機絶縁膜とを含む。したがって、層間絶縁膜が有機絶縁膜または第１の無機絶縁膜で形成される場合に比べて、繰り返して加わる応力や長期間の使用に纏わる耐久性が向上した電気泳動表示装置を提供することができる。

上記適用例に記載の電気泳動表示装置において、前記層間絶縁膜は、前記駆動回路を覆って形成された第２の無機絶縁膜と、前記第２の無機絶縁膜上に形成された前記有機絶縁膜と、前記有機絶縁膜上に形成された前記第１の無機絶縁膜とを含むことが好ましい。
この構成によれば、層間絶縁膜は、第１の無機絶縁膜と第２の無機絶縁膜との間に挟まれた有機絶縁膜を含む。無機絶縁膜は有機絶縁膜に比べて電気泳動素子に含まれる電解液の浸入を阻止する能力が高いので、耐久性がより向上した電気泳動表示装置を提供できる。

上記適用例に記載の電気泳動表示装置において、前記有機絶縁膜の厚さは５００ｎｍ以上であり、前記第１の無機絶縁膜の厚さは５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましい。
この構成によれば、耐久性がより向上した電気泳動表示装置を実現できる。

上記適用例に記載の電気泳動表示装置において、前記第１の無機絶縁膜の厚さと前記第２の無機絶縁膜の厚さの合計が１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることが好ましい。
この構成によれば、耐久性がさらに向上した電気泳動表示装置を実現できる。

［適用例］本適用例に係る電気泳動表示装置の製造方法は、画素電極をスイッチング制御する駆動回路を形成する工程と、前記駆動回路を覆う層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜上に前記画素電極を形成する工程と、前記画素電極上に電気泳動素子を配置する工程と、を備え、前記層間絶縁膜を形成する工程は、前記駆動回路を覆う有機絶縁膜を形成する工程と、前記有機絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、前記コンタクトホールの内部を含めて前記有機絶縁膜を覆う第１の無機絶縁膜を形成する工程と、前記第１の無機絶縁膜のうち前記コンタクトホールの底部を覆う部分を除去する工程と、を含み、前記画素電極を形成する工程は、前記コンタクトホールの内部を含めて前記第１の無機絶縁膜を覆う電極膜を形成する工程と、前記電極膜をパターニングして前記画素電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする。

本適用例によれば、基板上の駆動回路を覆って有機絶縁膜を形成した後に、有機絶縁膜上に第１の無機絶縁膜を形成する。したがって、駆動回路と画素電極との間の層間絶縁膜が有機絶縁膜または第１の無機絶縁膜で形成される場合に比べて、繰り返して加わる応力や長期間の使用に纏わる耐久性が向上した電気泳動表示装置を製造することができる。

上記適用例に記載の電気泳動表示装置の製造方法において、前記層間絶縁膜を形成する工程は、前記駆動回路と前記有機絶縁膜との間に第２の無機絶縁膜を形成する工程を含むことが好ましい。
この方法によれば、無機絶縁膜は有機絶縁膜に比べて電気泳動素子に含まれる電解液の浸入を阻止する能力が高いので、有機絶縁膜を形成する前に第２の無機絶縁膜を形成することにより、耐久性がより向上した電気泳動表示装置を製造することができる。

上記適用例に記載の電気泳動表示装置の製造方法において、厚さが５００ｎｍ以上となるように前記有機絶縁膜を形成し、厚さが５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下となるように前記第１の無機絶縁膜を形成することが好ましい。
この方法によれば、耐久性がより向上した電気泳動表示装置が得られる。

上記適用例に記載の電気泳動表示装置の製造方法において、前記第１の無機絶縁膜の厚さと前記第２の無機絶縁膜の厚さの合計が１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下となるように、前記第１の無機絶縁膜と前記第２の無機絶縁膜とを形成することが好ましい。
この方法によれば、耐久性がさらに向上した電気泳動表示装置が得られる。

［適用例］本適用例の電子機器は、上記適用例に記載の電気泳動表示装置を備えたことを特徴とする。
本適用例によれば、耐久性が向上した電気泳動表示装置を備えているので、高い信頼性品質を有する電子機器を提供できる。

［適用例］本適用例の他の電子機器は、上記適用例に記載の電気泳動表示装置の製造方法を用いて製造された電気泳動表示装置を備えたことを特徴とする。
本適用例によれば、耐久性が向上した電気泳動表示装置が得られるので、高い信頼性品質を有する電子機器を提供できる。

第１実施形態の電気泳動表示装置の電気的な構成を示す回路図。 画素の構成を示す等価回路図。 画素の構造を示す概略断面図。 （ａ）及び（ｂ）は電気泳動素子の動作を示す図。 第１実施形態の電気泳動表示装置の製造方法を示すフローチャート。 （ａ）〜（ｅ）は第１実施形態の電気泳動表示装置の製造方法を示す概略断面図。 第２実施形態の電気泳動表示装置における画素の構造を示す概略断面図。 比較例及び実施例における第２層間絶縁膜の構成と試験結果とを示す表。 曲げ試験の方法を示す概略図。 押し試験の方法を示す概略図。 第１実施形態に対応した比較例及び実施例の曲げ試験の結果を示すグラフ。 第１実施形態に対応した比較例及び実施例の押し試験の結果を示すグラフ。 第２実施形態に対応した比較例及び実施例の曲げ試験の結果を示すグラフ。 第２実施形態に対応した比較例及び実施例の押し試験の結果を示すグラフ。 （ａ）〜（ｃ）は本発明の電気泳動表示装置を適用した電子機器の具体例を説明する斜視図。

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。

なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。

（第１実施形態）
＜電気泳動表示装置＞
本実施形態の電気泳動表示装置について、図１〜図４を参照して説明する。図１は、第１実施形態の電気泳動表示装置の電気的な構成を示す回路図、図２は画素の構成を示す等価回路図、図３は画素の構造を示す概略断面図、図４（ａ）及び（ｂ）は電気泳動素子の動作を示す図である。

図１に示すように、本実施形態の電気泳動表示装置１００は、複数の画素４０がマトリックス状に配列された表示部５を備えている。表示部５の周辺には、走査線駆動回路６１、データ線駆動回路６２、コントローラー（制御部）６３、及び共通電源変調回路６４が配置されている。走査線駆動回路６１、データ線駆動回路６２、及び共通電源変調回路６４は、それぞれコントローラー６３と接続されている。コントローラー６３は、上位装置から供給される画像データや同期信号に基づき、これらを総合的に制御する。

表示部５には走査線駆動回路６１から延びる複数の走査線６６と、データ線駆動回路６２から延びる複数のデータ線６８とが形成されており、これらの交差位置に対応して画素４０が設けられている。

走査線駆動回路６１は、ｍ本の走査線６６（Ｙ１，Ｙ２，…，Ｙｍ）を介して各々の画素４０に接続されており、コントローラー６３の制御のもと、１行目からｍ行目までの走査線６６を順次選択する。そして、選択された走査線６６を介して、画素４０に設けられた選択トランジスター４１（図２参照）にＯＮのタイミングを規定する選択信号を供給する。

データ線駆動回路６２は、ｎ本のデータ線６８（Ｘ１，Ｘ２，…，Ｘｎ）を介して各々の画素４０に接続されており、コントローラー６３の制御のもと、データ線６８を介して画素４０の各々に対応する１ビットの画素データを規定する画像信号を供給する。
なお、本実施形態では、画素データ「０」を規定する場合にはローレベル（Ｌ）の画像信号を画素４０に供給し、画素データ「１」を規定する場合はハイレベル（Ｈ）の画像信号を画素４０に供給するものとする。

また、表示部５には、共通電源変調回路６４から延びる低電位電源線４９、高電位電源線５０、及び共通電極配線５５が設けられており、それぞれの配線は画素４０と接続されている。共通電源変調回路６４は、コントローラー６３の制御のもと、上記の配線の各々に供給すべき各種信号を生成する一方、これら各配線の電気的な接続及び切断（ハイインピーダンス（Ｈｉ−Ｚ）化）を行う。

図２に示すように、画素４０には、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）からなる選択トランジスター４１（画素スイッチング素子）と、ラッチ回路（メモリー回路）７０と、スイッチ回路８０と、画素電極３７と、対向電極３２と、が設けられている。画素電極３７と対向電極３２との間に電気泳動素子２５が設けられている。対向電極３２は、複数の画素４０に亘って共通に設けられている。すなわち、対向電極３２は共通電極である。
また、画素４０には、走査線６６と、データ線６８と、低電位電源線４９と、高電位電源線５０と、第１の制御線９１と、第２の制御線９２と、が接続されている。画素４０は、ラッチ回路７０により画像信号を電位として保持するＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）方式の構成となっている。

選択トランジスター４１は、Ｎ−ＭＯＳトランジスター（Negative Metal Oxide Semiconductor Transistor）からなる画素スイッチング素子である。選択トランジスター４１のゲートは走査線６６に接続され、ソースはデータ線６８に接続され、ドレインはラッチ回路７０のデータ入力端子Ｎ１に接続されている。

ラッチ回路７０は、転送インバーター７０ｔと帰還インバーター７０ｆとを備えている。転送インバーター７０ｔ及び帰還インバーター７０ｆはいずれもＣ−ＭＯＳインバーターである。転送インバーター７０ｔと帰還インバーター７０ｆとは、互いの入力端子に他方の出力端子が接続されたループ構造を成しており、それぞれのインバーターには、高電位電源端子ＰＨを介して接続された高電位電源線５０と、低電位電源端子ＰＬを介して接続された低電位電源線４９とから電源電圧が供給される。

転送インバーター７０ｔは、それぞれのドレインをデータ出力端子Ｎ２に接続されたＰ−ＭＯＳトランジスター７１（Positive Metal Oxide Semiconductor Transistor）とＮ−ＭＯＳトランジスター７２とを有している。Ｐ−ＭＯＳトランジスター７１のソースは高電位電源端子ＰＨに接続され、Ｎ−ＭＯＳトランジスター７２のソースは低電位電源端子ＰＬに接続されている。Ｐ−ＭＯＳトランジスター７１及びＮ−ＭＯＳトランジスター７２のゲート（転送インバーター７０ｔの入力端子）は、データ入力端子Ｎ１（帰還インバーター７０ｆの出力端子）と接続されている。

帰還インバーター７０ｆは、それぞれのドレインをデータ入力端子Ｎ１に接続されたＰ−ＭＯＳトランジスター７３とＮ−ＭＯＳトランジスター７４とを有している。Ｐ−ＭＯＳトランジスター７３及びＮ−ＭＯＳトランジスター７４のゲート（帰還インバーター７０ｆの入力端子）は、データ出力端子Ｎ２（転送インバーター７０ｔの出力端子）と接続されている。

スイッチ回路８０は、第１のトランスミッションゲートＴＧ１と、第２のトランスミッションゲートＴＧ２とを備えている。
第１のトランスミッションゲートＴＧ１は、Ｐ−ＭＯＳトランジスター８１とＮ−ＭＯＳトランジスター８２とからなる。Ｐ−ＭＯＳトランジスター８１及びＮ−ＭＯＳトランジスター８２のソースは第１の制御線９１に接続され、Ｐ−ＭＯＳトランジスター８１及びＮ−ＭＯＳトランジスター８２のドレインは画素電極３７に接続されている。また、Ｐ−ＭＯＳトランジスター８１のゲートは、ラッチ回路７０のデータ入力端子Ｎ１に接続され、Ｎ−ＭＯＳトランジスター８２のゲートは、ラッチ回路７０のデータ出力端子Ｎ２に接続されている。

第２のトランスミッションゲートＴＧ２は、Ｐ−ＭＯＳトランジスター８３とＮ−ＭＯＳトランジスター８４とからなる。Ｐ−ＭＯＳトランジスター８３及びＮ−ＭＯＳトランジスター８４のソースは第２の制御線９２に接続され、Ｐ−ＭＯＳトランジスター８３及びＮ−ＭＯＳトランジスター８４のドレインは、画素電極３７に接続されている。また、Ｐ−ＭＯＳトランジスター８３のゲートは、ラッチ回路７０のデータ出力端子Ｎ２に接続され、Ｎ−ＭＯＳトランジスター８４のゲートは、ラッチ回路７０のデータ入力端子Ｎ１に接続されている。

以上の構成を備えた画素４０において、ラッチ回路７０にローレベル（Ｌ）の画像信号（画素データ「０」）が記憶され、データ出力端子Ｎ２からハイレベル（Ｈ）の信号が出力された場合、第１のトランスミッションゲートＴＧ１がオン状態となり、第１の制御線９１を介して供給される電位Ｓ１が画素電極３７に入力される。
一方、ラッチ回路７０にハイレベル（Ｈ）の画像信号（画素データ「１」）が記憶され、データ出力端子Ｎ２からローレベル（Ｌ）の信号が出力された場合、第２のトランスミッションゲートＴＧ２がオン状態となり、第２の制御線９２を介して供給される電位Ｓ２が画素電極３７に入力される。
そして、画素電極３７に入力された電位Ｓ１，Ｓ２と、共通電極配線５５（図１）を介して対向電極３２に入力された電位Ｖcomとの電位差に基づいて電気泳動素子２５が駆動されることで、画素４０が入力された画像信号に応じた表示状態となる。

次に、図３に示すように、電気泳動表示装置１００は、素子基板１０と対向基板３０との間に挟持された、複数のマイクロカプセル２０を配列してなる電気泳動素子２５を備えている。

表示部５において、素子基板１０の電気泳動素子２５側には、図１や図２に示した走査線６６、データ線６８、選択トランジスター４１などが形成された回路層１７が設けられており、回路層１７上に画素電極３７が形成されている。
素子基板１０の基板本体１１は、ガラスやプラスチックなどからなる基板であり、画像表示面とは反対側に配置されるため透明なものでなくてもよい。なお、基板本体１１が本発明における基板に相当するものである。

基板本体１１上に設けられた回路層１７は、例えば、基板本体１１の一方の表面を覆う下地絶縁膜１２、下地絶縁膜１２上に形成された前述のＮ−ＭＯＳトランジスター及びＰ−ＭＯＳトランジスターの半導体層（図３では選択トランジスター４１の半導体層４１ａのみ表示）を有している。また、半導体層を覆うゲート絶縁膜１３、ゲート電極４１ｇを含む第１配線層１４、第１配線層１４を覆う第１層間絶縁膜１５、第１層間絶縁膜１５上に形成されたデータ線６８を含む第２配線層１６を有している。

下地絶縁膜１２、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５は、いずれも無機絶縁膜であって、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法などを用いて例えば酸化シリコンを成膜して形成される。

ゲート絶縁膜１３上の第１配線層１４は、例えばアモルファスシリコン、タンタル、タングステンなどの金属材料やこれらの金属材料の合金などを用いて形成される。

第１層間絶縁膜１５上の第２配線層１６は、例えばアルミニウム、チタンなどの金属材料やこれらの金属材料の合金、あるいはこれらの金属材料からなる複層構造を用いて形成される。また、第１層間絶縁膜１５を貫通して前述した半導体層のソース領域やドレイン領域に至るコンタクトホールが形成され、第２配線層１６を構成する金属材料で埋められることにより、ソース電極、ドレイン電極が形成される（図３では、選択トランジスター４１のソース電極４１ｓ、ドレイン電極４１ｄを表示）。また、第２配線層１６は、前述したスイッチ回路８０の第１のトランスミッションゲートＴＧ１及び第２のトランスミッションゲートＴＧ２に接続される配線８５を含んでいる。

このような回路層１７は、第２層間絶縁膜３５によって覆われている。第２層間絶縁膜３５は、本発明の層間絶縁膜の一例であって、回路層１７を覆う有機絶縁膜３３と、有機絶縁膜３３を覆う第１の無機絶縁膜３４とを含んで構成されている。

有機絶縁膜３３は、例えば感光性のアクリル樹脂やポリイミド樹脂を用いて形成され、有機絶縁膜３３には第２配線層１６の配線８５と重なる部分にコンタクトホール３３ｈが形成される。第１の無機絶縁膜３４は、例えば酸化シリコンや窒化シリコンあるいは酸窒化シリコンを用いて形成され、コンタクトホール３３ｈの底面を除く内壁を含む有機絶縁膜３３の表面を覆うように形成される。

第２層間絶縁膜３５の詳しい形成方法は後述するが、有機絶縁膜３３は、回路層１７の表面の凹凸を緩和する平坦化層としても機能している。したがって、有機絶縁膜３３の膜厚は、第２配線層１６の膜厚よりも厚く、少なくとも５００ｎｍ以上であり、１０００ｎｍ（１μｍ）以上であることが好ましい。第１の無機絶縁膜３４は、電気泳動素子２５に含まれる電解液（電解質）が有機絶縁膜３３に浸み込むことを抑制する機能を有している。したがって、第１の無機絶縁膜３４の膜厚は、少なくとも５０ｎｍ以上であり、膜厚が厚すぎると成膜時や外部応力によってクラックが生ずるおそれがあるので、５００ｎｍ以下であることが好ましい。

第２層間絶縁膜３５上の画素電極３７は、Ｃｕ（銅）箔上にニッケルメッキと金メッキとをこの順番で積層したものや、Ａｌ（アルミニウム）、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）などを用いることができる。
画素電極３７は、第２層間絶縁膜３５のコンタクトホール３３ｈの内側を覆い、配線８５に接するように形成される。画素電極３７は、配線８５を介して電気泳動素子２５に電圧を印加する電極である。

一方、対向基板３０の基板本体３１はガラスやプラスチックなどからなる基板であり、画像表示側に配置されるため透明性を有することが求められる。対向基板３０の電気泳動素子２５側には画素電極３７と対向する対向電極３２が形成されている。対向電極３２は、画素電極３７とともに電気泳動素子２５に電圧を印加する電極であり、ＭｇＡｇ（マグネシウム銀）、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）などから形成された透明電極である。
そして、複数のマイクロカプセル２０と画素電極３７とが、接着層２４を介して接着されることで、素子基板１０と対向基板３０とが接合されている。

電気泳動素子２５は、複数のマイクロカプセル２０と接着層２４とを含むものであり、あらかじめ対向基板３０側に形成され、接着層２４までを含めた電気泳動シートとして取り扱われるのが一般的である。製造工程において、電気泳動シートは接着層２４の表面に保護用の離型シートが貼り付けられた状態で取り扱われる。そして、別途製造された素子基板１０（画素電極３７や各種回路などが形成されている）に対して、離型シートを剥がした当該電気泳動シートを貼り付けることによって、表示部５が形成される。このため、接着層２４は画素電極３７側のみに存在することになる。接着層２４は、例えばエポキシ系やポリイミド系の樹脂などからなる。以降、対向基板３０と電気泳動素子２５とを含む構成を電気泳動シート３０と呼ぶこともある。

電気泳動素子２５に含まれるマイクロカプセル２０は、例えば５０μｍ程度の粒径を有しており、内部に電気泳動粒子である複数の黒色粒子２１及び複数の白色粒子２２と、分散媒２３とが封入された球状体である。マイクロカプセル２０は、図３に示すように対向電極３２と画素電極３７とに挟持され、１つの画素４０内に１つまたは複数のマイクロカプセル２０が配置される。

マイクロカプセル２０の外殻部（壁膜）は、ポリメタクリル酸メチル、ポリメタクリル酸エチルなどのアクリル樹脂、ユリア樹脂、アラビアゴムなどの透光性を持つ高分子樹脂などを用いて形成される。
分散媒２３は、黒色粒子２１と白色粒子２２とをマイクロカプセル２０内に分散させる液体である。分散媒２３としては、水、アルコール系溶媒（メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、オクタノール、メチルセルソルブなど）、エステル類（酢酸エチル、酢酸ブチルなど）、ケトン類（アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなど）、脂肪族炭化水素（ぺンタン、ヘキサン、オクタンなど）、脂環式炭化水素（シクロへキサン、メチルシクロへキサンなど）、芳香族炭化水素（ベンゼン、トルエン、長鎖アルキル基を有するベンゼン類（キシレン、ヘキシルベンゼン、ヘブチルベンゼン、オクチルベンゼン、ノニルベンゼン、デシルベンゼン、ウンデシルベンゼン、ドデシルベンゼン、トリデシルベンゼン、テトラデシルベンゼンなど））、ハロゲン化炭化水素（塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタンなど）、カルボン酸塩などを例示することができ、例えばシリコーンオイルなどの油類であってもよい。これらの物質は単独または混合物として用いることができ、さらに界面活性剤などを配合してもよい。

黒色粒子２１は、例えば、アニリンブラック、カーボンブラックなどの黒色顔料からなる粒子（高分子あるいはコロイド）であり、例えば正に帯電されて用いられる。
白色粒子２２は、例えば、二酸化チタン、亜鉛華、三酸化アンチモン等の白色顔料からなる粒子（高分子あるいはコロイド）であり、例えば負に帯電されて用いられる。
これらの顔料には、必要に応じ、電解質、界面活性剤、金属石鹸、樹脂、ゴム、油、ワニス、コンパウンドなどの粒子からなる荷電制御剤、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、シラン系カップリング剤等の分散剤、潤滑剤、安定化剤などを添加することができる。
また、黒色粒子２１及び白色粒子２２に代えて、例えば赤色、緑色、青色などの顔料を用いてもよい。かかる構成によれば、表示部５において赤色、緑色、青色などを表示することができる。

次に、図４を参照して電気泳動素子の動作について説明する。図４（ａ）は、画素４０を白表示する場合、図４（ｂ）は、画素４０を黒表示する場合をそれぞれ示している。
図４（ａ）に示す白表示の場合には、対向電極３２が相対的に高電位、画素電極３７が相対的に低電位に保持される。これにより、負に帯電した白色粒子２２が対向電極３２に引き寄せられる一方、正に帯電した黒色粒子２１が画素電極３７に引き寄せられる。その結果、表示面側となる対向電極３２（対向基板３０）側からこの画素４０を見ると、白色（Ｗ）が認識される。

図４（ｂ）に示す黒表示の場合、対向電極３２が相対的に低電位、画素電極３７が相対的に高電位に保持される。これにより、正に帯電した黒色粒子２１が対向電極３２に引き寄せられる一方、負に帯電した白色粒子２２が画素電極３７に引き寄せられる。その結果、対向電極３２（対向基板３０）側からこの画素４０を見ると黒色（Ｂ）が認識される。

本実施形態において、電気泳動表示装置１００は、前述したように回路層１７と画素電極３７とを含む素子基板１０に電気泳動シート３０を貼り付けたものである。素子基板１０の基板本体１１及び電気泳動シート３０の基板本体３１は、いずれもガラスやプラスチックなどからなる基板を用いることができるので、曲げや押し（加圧）などの外部応力が加わっても前述した表示が適正に行われる耐久性を有することが重要である。
特に、外部応力が加わったときに、電気泳動素子２５に含まれる電解液が、素子基板１０の回路層１７に浸入すると、回路層１７に設けられた配線などを腐食させるおそれがある。配線などの腐食により発生した不純物が電気泳動素子２５に拡散すると、電解液の性質が変化して前述した表示が適正に行われない部分が発生する。
本実施形態では、素子基板１０において、回路層１７と画素電極３７との間に、有機絶縁膜３３と、第１の無機絶縁膜３４とが積層された第２層間絶縁膜３５が形成されており、電気泳動素子２５から電解液が回路層１７に浸入することが抑制され、外部応力に対する耐久性が確保されている。

＜電気泳動表示装置の製造方法＞
次に、本実施形態の電気泳動表示装置の製造方法について、図５及び図６を参照して説明する。図５は第１実施形態の電気泳動表示装置の製造方法を示すフローチャート、図６（ａ）〜（ｅ）は第１実施形態の電気泳動表示装置の製造方法を示す概略断面図である。なお、図６（ａ）〜（ｅ）の概略断面図は、図３に相当するものであって、発明の特徴部分である素子基板１０の製造方法を示すものである。素子基板１０における回路層１７の形成方法は、公知の方法を採用することができるので、回路層１７が形成された後の工程について説明する。

図５に示すように、本実施形態の電気泳動表示装置１００の製造方法は、有機絶縁膜形成工程（ステップＳ１）、コンタクトホール形成工程（ステップＳ２）、第１の無機絶縁膜形成工程（ステップＳ３）、エッチング工程（ステップＳ４）、画素電極形成工程（ステップＳ５）、電気泳動シート配置工程（ステップＳ６）を備えている。

図５のステップＳ１では、図６（ａ）に示すように、基板本体１１上に形成された回路層１７を覆う有機絶縁膜３３を形成する。有機絶縁膜３３の形成方法としては、例えば感光性のアクリル樹脂を含む溶液をスピンコート法により塗布して乾燥し、固化する方法が挙げられる。有機絶縁膜３３の膜厚は前述したように平坦化層として機能させると共に、外部応力を緩和する観点から５００ｎｍ以上とすることが好ましく、１０００ｎｍ（１μｍ）以上とすることがより好ましい。そして、ステップＳ２へ進む。

図５のステップＳ２では、図６（ｂ）に示すように、有機絶縁膜３３の第２配線層１６の配線８５と重なる部分にコンタクトホール３３ｈを形成する。本実施形態では、有機絶縁膜３３が感光性のアクリル樹脂であることから、フォトリソグラフィ法により有機絶縁膜３３を露光・現像することでコンタクトホール３３ｈを形成する。なお、有機絶縁膜３３は感光性を有しない有機絶縁材料を用いて形成してもよく、その場合には、ドライエッチングなどの方法でコンタクトホール３３ｈを形成してもよい。そして、ステップＳ３へ進む。

図５のステップＳ３では、図６（ｃ）に示すように、コンタクトホール３３ｈ及び有機絶縁膜３３の表面を覆う第１の無機絶縁膜３４を形成する。第１の無機絶縁膜３４の形成方法としては、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法などにより例えば窒化シリコンを成膜する方法が挙げられる。第１の無機絶縁膜３４の膜厚は、ムラなく成膜でき、且つ成膜後にクラックなどが発生し難いように、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下に制御される。そして、ステップＳ４へ進む。

図５のステップＳ４では、図６（ｄ）に示すように、コンタクトホール３３ｈ内において底面を覆う第１の無機絶縁膜３４を部分的にエッチングして除去する。第１の無機絶縁膜３４のエッチング方法としては、コンタクトホール３３ｈの底面以外の部分をレジストで覆い、例えばフッ酸を含むエッチング溶液によりウェットエッチングする方法や、フッ素系の処理ガスを用いてドライエッチングする方法が挙げられる。そして、ステップＳ５へ進む。

図５のステップＳ５では、図６（ｅ）に示すように、コンタクトホール３３ｈ内の配線８５に接する画素電極３７を形成する。画素電極３７の形成方法としては、蒸着法やスパッタ法により例えばＡｌ（アルミニウム）などからなる電極膜を成膜し、フォトリソグラフィ法により成膜された電極膜をパターニングする方法が挙げられる。そして、ステップＳ６へ進む。

図５のステップＳ６では、画素電極３７が形成された素子基板１０に電気泳動シート３０を配置する。電気泳動シート３０は、前述したように、基板本体３１の対向電極３２側に複数のマイクロカプセル２０を配列させて、接着層２４で固定したものである。接着層２４の接着面を保護する離型シートを剥がして素子基板１０に貼り付ける。これにより、図３に示した電気泳動表示装置１００が出来上がる。

上記電気泳動表示装置１００の製造方法の例では、感光性のアクリル樹脂を用いて有機絶縁膜３３を形成した。アクリル樹脂の水分透過率（膜厚が２５μｍで、温度２５℃、湿度９０％、２４時間放置のとき）はおよそ４１ｇ／ｍ²である。これに対してポリイミド樹脂の水分透過率は８４ｇ／ｍ²であることからアクリル樹脂を選択することが好ましい。

また、窒化シリコンを用いて第１の無機絶縁膜３４を形成した。窒化シリコンの水分透過率（膜厚が２μｍで、温度２５℃、湿度９０％、２４時間放置のとき）はおよそ１．０×１０^-4ｇ／ｍ²である。したがって、アクリル樹脂よりも格段に電解液を通し難い。
その一方で、窒化シリコンのヤング率はおよそ２９４ＧＰａであり、アクリル樹脂のヤング率およそ３ＧＰａよりも格段に大きい。すなわち、窒化シリコンは曲げなどの応力でクラックが発生し易い。酸化シリコンの水分透過率は窒化シリコンよりも高いが、ヤング率はおよそ７２ＧＰａであることから、外部応力によるクラックを抑制する観点からは、酸化シリコンを用いることが好ましく、双方の中間的な性質を有する酸窒化シリコンを用いて第１の無機絶縁膜３４を形成してもよい。

上記第１実施形態の電気泳動表示装置１００とその製造方法によれば、以下の効果が得られる。
素子基板１０の回路層１７と画素電極３７との間には、回路層１７側から順に積層して形成された有機絶縁膜３３と、第１の無機絶縁膜３４とを含む第２層間絶縁膜３５が設けられている。有機絶縁膜３３は、回路層１７の表面の凹凸を平坦化すると共に、外部応力を緩和して、有機絶縁膜３３の表面を覆う第１の無機絶縁膜３４にクラックが生ずることを抑制できる。回路層１７に対して有機絶縁膜３３を介して画素電極３７側に配置された第１の無機絶縁膜３４は、有機絶縁膜３３よりも電気泳動素子２５に含まれる電解液が回路層１７に浸み込むことを抑制できる。したがって、電気泳動表示装置１００が曲げられたり押されたりする外部応力に対して耐久性が改善され、信頼性品質が向上した電気泳動表示装置１００を提供あるいは製造することができる。

（第２実施形態）
次に、第２実施形態の電気泳動表示装置とその製造方法について、図７を参照して説明する。図７は第２実施形態の電気泳動表示装置における画素の構造を示す概略断面図である。第２実施形態の電気泳動表示装置は、第１実施形態の電気泳動表示装置１００に対して発明の特徴部分である層間絶縁膜（第２層間絶縁膜３５）の構成を異ならせたものである。したがって、第１実施形態と同じ構成については同じ符号を付して詳細な説明は省略する。

図７に示すように、本実施形態の電気泳動表示装置２００は、回路層１７と画素電極３７とを有する素子基板１０と、対向電極３２を有する対向基板３０との間に、複数のマイクロカプセル２０と接着層２４とを有する電気泳動素子２５が挟持されている。
素子基板１０において、基板本体１１上に形成された回路層１７と画素電極３７との間には、第２層間絶縁膜３５が形成されている。第２層間絶縁膜３５は、回路層１７側から順に形成された第２の無機絶縁膜３６、有機絶縁膜３３、第１の無機絶縁膜３４を含んで構成されている。

このような電気泳動表示装置２００の製造方法について説明する。第１実施形態と同様に、回路層１７は公知の方法を用いて形成することができるので、回路層１７が形成された後の工程について説明する。
まず、回路層１７の表面を覆う第２の無機絶縁膜３６を形成する。第２の無機絶縁膜３６の形成方法は、前述した第１の無機絶縁膜３４の形成方法と同様であって、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法などにより例えば窒化シリコンを成膜する方法が挙げられる。第２の無機絶縁膜３６の膜厚も、ムラなく成膜でき、且つ成膜後にクラックなどが発生し難いように、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下に制御される。
次に、第１実施形態と同様に、有機絶縁膜形成工程、コンタクトホール形成工程、第１の無機絶縁膜形成工程を実施する。続いて、エッチング工程では、有機絶縁膜３３のコンタクトホール３３ｈ内において底面部分を覆う第２の無機絶縁膜３６と第１の無機絶縁膜３４とを同時にエッチングして除去する。１の無機絶縁膜３４と第２の無機絶縁膜３６とを連続的に且つ精度よくエッチングする観点では、ドライエッチングを採用することが好ましい。続いて、画素電極形成工程、電気泳動シート配置工程を実施する。

第２実施形態の電気泳動表示装置２００とその製造方法によれば、以下の効果が得られる。
素子基板１０において、回路層１７と画素電極３７との間に形成された第２層間絶縁膜３５は、回路層１７側から順に積層された第２の無機絶縁膜３６、有機絶縁膜３３、第１の無機絶縁膜３４を含んでいる。したがって、第１実施形態の電気泳動表示装置１００に比べて、製造工程が増えるものの、電気泳動素子２５に含まれる電解液が回路層１７に浸入することをより抑制することができる。すなわち、電気泳動表示装置２００が曲げられたり押されたりする外部応力に対して優れた耐久性を有する電気泳動表示装置２００を提供あるいは製造することができる。

次に、上記第１実施形態及び上記第２実施形態に対応した比較例及び実施例を挙げて、効果について具体的に説明する。図８は第２層間絶縁膜３５の比較例及び実施例の構成と試験結果とを示す表、図９は曲げ試験の方法を示す概略図、図１０は押し試験の方法を示す概略図である。図１１は第１実施形態に対応した比較例及び実施例の曲げ試験の結果を示すグラフ、図１２は第１実施形態に対応した比較例及び実施例の押し試験の結果を示すグラフである。図１３は第２実施形態に対応した比較例及び実施例の曲げ試験の結果を示すグラフ、図１４は第２実施形態に対応した比較例及び実施例の押し試験の結果を示すグラフである。
なお、比較例と実施例とにおける有機絶縁膜はアクリル樹脂で形成され、第１の無機絶縁膜及び第２の無機絶縁膜は窒化シリコンで形成されている。

（比較例１〜比較例４）
図８に示すように、比較例１〜比較例４は、第２層間絶縁膜が有機絶縁膜のみで構成され、その膜厚を１００ｎｍ、５００ｎｍ、１０００ｎｍ、２０００ｎｍとした例である。

（比較例５〜比較例８）
図８に示すように、比較例５〜比較例８は、第２層間絶縁膜が第１の無機絶縁膜のみで構成され、その膜厚を５０ｎｍ、１００ｎｍ、５００ｎｍ、６００ｎｍとした例である。

（比較例９〜比較例１１）
図８に示すように、比較例９〜比較例１１は、第２層間絶縁膜が有機絶縁膜と第１の無機絶縁膜とで構成され、有機絶縁膜の膜厚を５００ｎｍ、１０００ｎｍ、２０００ｎｍとし、第１の無機絶縁膜の膜厚を６００ｎｍとした例である。

（比較例１２〜比較例１４）
図８に示すように、比較例１２〜比較例１４は、第２層間絶縁膜が第２の無機絶縁膜と第１の無機絶縁膜とで構成され、それぞれの無機絶縁膜の膜厚を１００ｎｍ、５００ｎｍ、６００ｎｍとした例である。

（比較例１５〜比較例１７）
図８に示すように、比較例１５〜比較例１７は、第２層間絶縁膜が第２の無機絶縁膜と有機絶縁膜と第１の無機絶縁膜とで構成され、それぞれの無機絶縁膜の膜厚を６００ｎｍとし、有機絶縁膜の膜厚を５００ｎｍ、１０００ｎｍ、２０００ｎｍとした例である。

（実施例１〜実施例３）
図８に示すように、実施例１〜実施例３は、第２層間絶縁膜が有機絶縁膜と第１の無機絶縁膜とで構成され、有機絶縁膜の膜厚を５００ｎｍ、１０００ｎｍ、２０００ｎｍとし、第１の無機絶縁膜の膜厚を５０ｎｍとした例である。

（実施例４〜実施例６）
図８に示すように、実施例４〜実施例６は、第２層間絶縁膜が有機絶縁膜と第１の無機絶縁膜とで構成され、有機絶縁膜の膜厚を５００ｎｍ、１０００ｎｍ、２０００ｎｍとし、第１の無機絶縁膜の膜厚を１００ｎｍとした例である。

（実施例７〜実施例９）
図８に示すように、実施例７〜実施例９は、第２層間絶縁膜が有機絶縁膜と第１の無機絶縁膜とで構成され、有機絶縁膜の膜厚を５００ｎｍ、１０００ｎｍ、２０００ｎｍとし、第１の無機絶縁膜の膜厚を５００ｎｍとした例である。

（実施例１０〜実施例１２）
図８に示すように、実施例１０〜実施例１２は、第２層間絶縁膜が第２の無機絶縁膜と有機絶縁膜と第１の無機絶縁膜とで構成され、有機絶縁膜の膜厚を５００ｎｍ、１０００ｎｍ、２０００ｎｍとし、それぞれの無機絶縁膜の膜厚を５０ｎｍとした例である。

（実施例１３〜実施例１５）
図８に示すように、実施例１３〜実施例１５は、第２層間絶縁膜が第２の無機絶縁膜と有機絶縁膜と第１の無機絶縁膜とで構成され、有機絶縁膜の膜厚を５００ｎｍ、１０００ｎｍ、２０００ｎｍとし、それぞれの無機絶縁膜の膜厚を１００ｎｍとした例である。

（実施例１６〜実施例１８）
図８に示すように、実施例１６〜実施例１８は、第２層間絶縁膜が第２の無機絶縁膜と有機絶縁膜と第１の無機絶縁膜とで構成され、有機絶縁膜の膜厚を５００ｎｍ、１０００ｎｍ、２０００ｎｍとし、それぞれの無機絶縁膜の膜厚を５００ｎｍとした例である。

つまり、上記比較例１〜比較例４は上記第１実施形態と上記第２実施形態とに共通する例であり、上記比較例５〜比較例１１、及び上記実施例１〜実施例９は上記第１実施形態に対応した例であり、上記比較例１２〜比較例１７、及び上記実施例１０〜実施例１８は上記第２実施形態に対応した例である。

次に、図９を参照して曲げ試験について説明する。上記比較例及び上記実施例において使用した素子基板１０は、実際には複数の素子基板１０がマトリックス状にレイアウトされたマザー基板である。マザー基板は、一方の辺の長さＬ１が他方の辺の長さＬ２よりも短い長方形であって、厚みが０．５ｍｍの無機アルカリガラスを用いている。１つの素子基板１０における画素４０の数（画素数）は、長辺方向（Ｌ２の方向）に２４０個、短辺方向（Ｌ１の方向）に３２０個、合計７６８００個となっている。

本実施形態における曲げ試験では、回路層１７や画素電極３７が形成されたマザー基板を、回路層１７側が上方に向くように配置して長辺方向（Ｌ２の方向）において湾曲させ、曲率半径ｒが３００ｍｍとなったところで１０秒間保持してから元に戻す。そして、マザー基板のそれぞれの素子基板１０に電気泳動シートを貼り付けて複数の電気泳動表示装置を製造する。製造された複数の電気泳動表示装置を駆動し、表示不良の数をカウントした。電気泳動表示装置の駆動は、表示部５における表示を白表示とする。そのときに、白色とならずに黒色や中間調である灰色となった個所を表示不良としてカウントした。

次に、図１０を参照して押し試験について説明する。
本実施形態の押し試験では、上記比較例及び上記実施例において製造された電気泳動表示装置を、素子基板１０を下方に電気泳動シート３０が上方になるように定盤の上に載置する。そして、電気泳動シート３０側から定盤に向けて圧着ヘッドで電気泳動表示装置を加圧する。このときの圧力は２００ｋＰａである。加圧後の電気泳動表示装置を駆動して表示不良個所の数をカウントした。電気泳動表示装置の駆動は、曲げ試験と同様である。

図８を参照して、上記第１実施形態に対応した比較例と実施例の曲げ試験及び押し試験の結果について説明する。図８に示した表示不良個所は、１パネル当たりに換算した個数である。
図８に示すように、第２層間絶縁膜を有機絶縁膜のみで構成した比較例１〜比較例４では、曲げ試験後にそれぞれ表示不良が発生した。具体的には、有機絶縁膜の膜厚を１００ｎｍとした比較例１では、１パネル当たり１００個以上の表示不良個所が発生した。有機絶縁膜の膜厚を５００ｎｍとした比較例２では１パネル当たり１０個、有機絶縁膜の膜厚を１０００ｎｍとした比較例３では１パネル当たり５個、有機絶縁膜の膜厚を２０００ｎｍとした比較例４では１パネル当たり５個の表示不良個所が発生した。

また、押し試験においても比較例１〜比較例４は、それぞれ表示不良が発生した。具体的には、有機絶縁膜の膜厚を１００ｎｍとした比較例１では、曲げ試験と同様に１パネル当たり１００個以上の表示不良個所が発生した。有機絶縁膜の膜厚を５００ｎｍとした比較例２では１パネル当たり２０個、有機絶縁膜の膜厚を１０００ｎｍとした比較例３では１パネル当たり１０個、有機絶縁膜の膜厚を２０００ｎｍとした比較例４では１パネル当たり１０個の表示不良個所が発生した。

第２層間絶縁膜を第１の無機絶縁膜のみで構成した比較例５〜比較例８では、曲げ試験後にそれぞれ表示不良が発生した。具体的には、第１の無機絶縁膜の膜厚が５０ｎｍの比較例５では１パネル当たり５０個の表示不良個所が発生した。第１の無機絶縁膜の膜厚が１００ｎｍの比較例６では１パネル当たり３０個の表示不良個所が発生した。第１の無機絶縁膜の膜厚が５００ｎｍの比較例７では１パネル当たり３０個の表示不良個所が発生した。第１の無機絶縁膜の膜厚が６００ｎｍの比較例８では１パネル当たり５０個の表示不良個所が発生した。

また、押し試験においても比較例５〜比較例８は、それぞれ表示不良が発生した。具体的には、第１の無機絶縁膜の膜厚が５０ｎｍの比較例５では１パネル当たり５０個の表示不良個所が発生した。第１の無機絶縁膜の膜厚が１００ｎｍの比較例６では１パネル当たり３０個の表示不良個所が発生した。第１の無機絶縁膜の膜厚が５００ｎｍの比較例７では１パネル当たり３０個の表示不良個所が発生した。第１の無機絶縁膜の膜厚が６００ｎｍの比較例８では１パネル当たり３０個の表示不良個所が発生した。

第２層間絶縁膜の第１の無機絶縁膜を６００ｎｍとし、有機絶縁膜の膜厚を振った比較例９〜比較例１１では、曲げ試験後にそれぞれ１パネル当たり５個の表示不良が発生した。
また、押し試験においても比較例９〜比較例１１は、それぞれ１パネル当たり１０個の表示不良が発生した。

第２層間絶縁膜の第１の無機絶縁膜を５０ｎｍ〜５００ｎｍの間で振ると共に、有機絶縁膜の膜厚を５００ｎｍ〜２０００ｎｍの間で振った実施例１〜実施例９では、曲げ試験後に表示不良は発生しなかった。
一方で押し試験では、実施例１〜実施例９は、それぞれ１パネル当たり５個の表示不良が発生したが、第１の無機絶縁膜の膜厚を６００ｎｍとした比較例９〜比較例１１と比べると押し試験後の表示不良の発生数は減少している。つまり、第１の無機絶縁膜の膜厚を５００ｎｍより大きな値とすることは、外部応力により第１の無機絶縁膜にクラックが生じ易くなり、表示における耐久性が低下すると考えられる。

次に、図８を参照して、上記第２実施形態に対応した比較例と実施例の曲げ試験及び押し試験の結果について説明する。
図８に示すように、第２層間絶縁膜の第１の無機絶縁膜及び第２の無機絶縁膜の膜厚をそれぞれ１００ｎｍ〜６００ｎｍの間で振ると共に、有機絶縁膜を無くした比較例１２〜比較例１４では、曲げ試験後にそれぞれ表示不良が発生した。具体的には、第１の無機絶縁膜及び第２の無機絶縁膜の膜厚をそれぞれ１００ｎｍとした比較例１２では１パネル当たり３０個の表示不良が発生した。第１の無機絶縁膜及び第２の無機絶縁膜の膜厚をそれぞれ５００ｎｍとした比較例１３では１パネル当たり６０個の表示不良が発生した。第１の無機絶縁膜及び第２の無機絶縁膜の膜厚をそれぞれ６００ｎｍとした比較例１４では１パネル当たり７０個の表示不良が発生した。
また、押し試験においても比較例１２〜比較例１４は、それぞれ１パネル当たり３０個の表示不良が発生した。

第２層間絶縁膜の第１の無機絶縁膜及び第２の無機絶縁膜の膜厚をそれぞれ６００ｎｍとし、有機絶縁膜の膜厚を５００ｎｍ〜２０００ｎｍの間で振った比較例１５〜比較例１７では、曲げ試験及び押し試験共にそれぞれ１パネル当たり５個の表示不良が発生した。

第２層間絶縁膜の第１の無機絶縁膜及び第２の無機絶縁膜の膜厚を５０ｎｍ〜５００ｎｍの間で振ると共に、有機絶縁膜の膜厚を５００ｎｍ〜２０００ｎｍの間で振った実施例１０〜実施例１８では、曲げ試験及び押し試験共に表示不良は発生しなかった。

曲げ試験及び押し試験の結果を示した図１１〜図１４のグラフを見ると、無機絶縁膜の膜厚は５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、有機絶縁膜の膜厚は５００ｎｍ以上であれば、外部応力が加わっても表示不良の発生を抑制できる。また、第２層間絶縁膜が第２の無機絶縁膜を含む第２実施形態の構成ならば外部応力に対する耐久性が第１実施形態に比べてさらに向上する。その場合、第１の無機絶縁膜の膜厚と第２の無機絶縁膜の膜厚を加えた合計膜厚は、１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下とすることが好ましい。
なお、図１１〜図１４のグラフでは、膜厚が１００ｎｍの有機絶縁膜のみで第２層間絶縁膜を構成する比較例１の表示不良の個数は、便宜上、縦軸上において有機絶縁膜の膜厚が０ｎｍであるマーク◆で表示されている。

（第３実施形態）
＜電子機器＞
次に、本実施形態の電子機器について、図１５を参照して説明する。図１５は、本発明の電気泳動表示装置を適用した電子機器の具体例を説明する斜視図である。
図１５（ａ）は、電子機器の一例である電子ブックを示す斜視図である。電子機器としての電子ブック１０００は、ブック形状のフレーム１００１と、このフレーム１００１に対して回動自在に設けられた（開閉可能な）カバー１００２と、操作部１００３と、本発明の電気泳動表示装置によって構成された表示部１００４と、を備えている。

図１５（ｂ）は、電子機器の一例である腕時計を示す斜視図である。電子機器としての腕時計１１００は、本発明の電気泳動表示装置によって構成された表示部１１０１を備えている。

図１５（ｃ）は、電子機器の一例である電子ペーパーを示す斜視図である。電子機器としての電子ペーパー１２００は、紙と同様の質感および柔軟性を有するリライタブルシートで構成される本体部１２０１と、本発明の電気泳動表示装置によって構成された表示部１２０２を備えている。

以上の電子ブック１０００、腕時計１１００及び電子ペーパー１２００によれば、本発明に係る電気泳動表示装置が採用されているので、画素４０ごとの電気泳動素子２５に駆動電圧を印加することで、外光を利用した眼に優しい印刷物のような表示を行うことができると共に、外部応力に対して優れた耐久性（信頼性品質）を有する電子ブック１０００、腕時計１１００及び電子ペーパー１２００を提供することができる。

なお、本発明の電気泳動表示装置を適用可能な電子機器は、上記電子ブック１０００、腕時計１１００及び電子ペーパー１２００に限定されるものではない。例えば、携帯電話、携帯用オーディオ機器などの電子機器の表示部や、マニュアルなどの業務用シート、教科書、問題集、情報シートなどにも、本発明の電気泳動表示装置は好適に用いることができる。

本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気泳動表示装置及び該電気泳動表示装置の製造方法並びに該電気泳動表示装置を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。

（変形例１）電気泳動素子２５は、複数のマイクロカプセル２０を有する構成に限定されない。例えば、素子基板１０の画素電極３７と、対向基板３０の対向電極３２との間に空間を複数の領域に区分する隔壁を有し、隔壁で囲まれた複数の領域のそれぞれに電気泳動粒子と分散媒とが充填された構成としてもよい。

（変形例２）回路層１７と画素電極３７との間に設けられる第２層間絶縁膜３５の構成は、これに限定されない。例えば、回路層１７側から第２の無機絶縁膜、第１の有機絶縁膜、第３の無機絶縁膜、第２の有機絶縁膜、第１の無機絶縁膜が順に積層された複層構造としてもよい。これによれば、第３の無機絶縁膜が追加されたことで耐久性をさらに向上させることができる。

（変形例３）素子基板１０において隣り合う画素電極３７の間に無機絶縁膜を形成してもよい。これによれば、画素電極３７が配置されていない部分において電気泳動素子２５に含まれる電解液が回路層１７に浸入することをさらに抑制できる。

１０…素子基板、１１…基板としての基板本体、２５…電気泳動素子、３０…対向基板、３２…対向電極、３３…有機絶縁膜、３３ｈ…コンタクトホール、３４…第１の無機絶縁膜、３５…第２層間絶縁膜、３６…第２の無機絶縁膜、３７…画素電極、１００，２００…電気泳動表示装置、１０００…電子機器としての電子ブック、１１００…電子機器としての腕時計、１２００…電子機器としての電子ペーパー。

Claims (6)

1. 画素に、スイッチング素子と、メモリ回路と、スイッチ回路と、
   前記スイッチング素子、前記メモリ回路及び前記スイッチ回路を覆う層間絶縁膜と、
   前記層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して前記スイッチ回路に接続された画素電極と、
   前記画素電極上に設けられた電気泳動素子と、を備え、
   前記層間絶縁膜は、有機絶縁膜と、前記有機絶縁膜と前記画素電極との間に設けられたれた第１の無機絶縁膜と、前記スイッチング素子、前記メモリ回路及び前記スイッチ回路と前記有機絶縁膜との間に設けられた第２の無機絶縁膜とを有し、
   前記コンタクトホール内において、前記第１の無機絶縁膜と前記第２の無機絶縁膜とが接するように設けられていることを特徴とする電気泳動表示装置。
2. 前記メモリ回路は、第１のインバーターと第２のインバーターとを有し、
   前記第１のインバーターに接続された高電位電源線と、前記第２のインバーターに接続された低電位電源線とを備えることを特徴とする請求項１に記載の電気泳動表示装置。
3. 前記スイッチ回路は、第１のトランスミッションゲートと第２のトランスミッションゲートとを有し、
   前記第１のトランスミッションゲートに接続された第１の制御線と、前記第２のトランスミッションゲートに接続された第２の制御線とを備えることを特徴とする請求項１に記載の電気泳動表示装置。
4. 前記有機絶縁膜の厚さは５００ｎｍ以上であり、
   前記第１の無機絶縁膜の厚さは５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の電気泳動表示装置。
5. 前記第１の無機絶縁膜の厚さと前記第２の無機絶縁膜の厚さの合計が１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の電気泳動表示装置。
6. 請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電気泳動表示装置を備えたことを特徴とする電子機器。

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