JP6330543B2 - Transparent electrode and electronic device - Google Patents

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本発明は、透明電極、及び、電子デバイスに関し、特には導電性と光透過性とを兼ね備えた透明電極、さらにはこの透明電極を用いた電子デバイスに関する。   The present invention relates to a transparent electrode and an electronic device, and more particularly to a transparent electrode having both conductivity and light transmittance, and further to an electronic device using the transparent electrode.

近年、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ、無機及び有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ等の表示装置、タッチパネル、太陽電池等の各種電子デバイス用の電極として、低抵抗な透明電極が求められている。   In recent years, low-resistance transparent electrodes have been demanded as electrodes for various electronic devices such as liquid crystal displays, plasma displays, display devices such as inorganic and organic electroluminescence displays, touch panels, and solar cells.

また、各種ディスプレイのバックライト、看板や非常灯等の表示板、照明光源等の面発光体として、有機材料のエレクトロルミネッセンス(electroluminescence:以下ELと記す)を利用した有機電界発光素子(いわゆる有機EL素子)が注目されている。有機EL素子は、数V〜数十V程度の低電圧で発光が可能な薄膜型の完全固体素子であり、高輝度、高発光効率、薄型、軽量といった多くの優れた特徴を有する。   In addition, organic electroluminescent elements (so-called organic EL) using electroluminescence (hereinafter referred to as EL) of organic materials as surface light emitters such as backlights of various displays, display boards such as signboards and emergency lights, and illumination light sources. Device) has attracted attention. An organic EL element is a thin-film type completely solid element that can emit light at a low voltage of about several volts to several tens of volts, and has many excellent features such as high brightness, high luminous efficiency, thinness, and light weight.

このような有機EL素子は、2枚の電極間に有機材料を用いて構成された発光層を挟持した構成であり、発光層で生じた発光光は電極を透過して外部に取り出される。このため、2枚の電極のうちの少なくとも一方は、低抵抗で光透過性の高い透明電極が求められている。   Such an organic EL element has a configuration in which a light emitting layer composed of an organic material is sandwiched between two electrodes, and emitted light generated in the light emitting layer passes through the electrode and is extracted outside. For this reason, at least one of the two electrodes is required to be a transparent electrode having low resistance and high light transmittance.

ここで、透明電極としては、光透過性の高い酸化インジウムスズ(SnO−In:Indium Tin Oxide:ITO)等の酸化物半導体系の材料が一般的に用いられているが、ITOと銀とを積層して低抵抗化を狙った検討もなされている(例えば下記特許文献1,2参照)。しかしながら、ITOはレアメタルのインジウムを使用しているため、材料コストが高く、また抵抗を下げるために成膜後に300℃程度でアニール処理する必要があり、更なる低抵抗には限界があった。 Here, the transparent electrode, having high light transmittance of indium tin oxide is (SnO 2 -In 2 O 3: : Indium Tin Oxide ITO) oxide semiconductor-based material such as is commonly used, ITO Studies have been made aiming at lowering resistance by laminating silver and silver (for example, see Patent Documents 1 and 2 below). However, since ITO uses rare metal indium, the material cost is high, and it is necessary to anneal at about 300 ° C. after film formation in order to lower the resistance, and there is a limit to further low resistance.

一般に、電気伝導率が高い銀等の金属材料で透明電極を構成した場合には、通常、真空中での金属の膜成長はVolmer−Weber成長様式を取るため、初期段階で三次元的な核を形成し、それらの核が成長していき、核同士が合体することで連続膜を形成する。このため、透明電極の膜厚を薄く形成した場合には、膜が島状に孤立しやすく、また、連続膜まで成長させた場合には、膜厚が厚くなり、導電性と光透過性とのトレードオフを解消できない。   In general, when a transparent electrode is made of a metal material such as silver having a high electrical conductivity, a metal film growth in a vacuum usually takes a Volmer-Weber growth mode. , The nuclei grow and the nuclei coalesce to form a continuous film. For this reason, when the film thickness of the transparent electrode is made thin, the film tends to be isolated like islands, and when it is grown to a continuous film, the film thickness becomes thick, and the conductivity and light transmittance The trade-off cannot be resolved.

そこで、窒素含有層に隣接させて銀または銀を主成分とした合金を用いた電極層を設けることで、光透過性を保ちつつも低抵抗な透明電極、及びこの透明電極を用いた有機EL素子が提案されている(例えば下記特許文献3参照)。   Therefore, by providing an electrode layer using silver or an alloy containing silver as a main component adjacent to the nitrogen-containing layer, a transparent electrode having low resistance while maintaining light transmittance, and an organic EL using the transparent electrode An element has been proposed (see, for example, Patent Document 3 below).

特開2002−15623号公報JP 2002-15623 A 特開2006−164961号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2006-164961 国際公開第2013/073356号International Publication No. 2013/073356

しかしながら、このような透明電極においても、導電性と光透過性との両立は十分といえなかった。
したがって、透明電極においては、さらなる導電性と光透過性との両立が求められている。
However, even in such a transparent electrode, it cannot be said that both conductivity and light transmittance are sufficient.
Therefore, in the transparent electrode, further compatibility between electrical conductivity and light transmittance is required.

そこで本発明は、十分な導電性と光透過性とを兼ね備えた透明電極を提供すること、およびこの透明電極を用いることによって性能の向上が図られた電子デバイスを提供することを目的とする。   SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a transparent electrode having sufficient conductivity and light transmittance, and to provide an electronic device whose performance is improved by using this transparent electrode.

このような目的を達成するための本発明の透明電極は、透明基板と、銀を主成分とする導電性層と、透明基板と導電性層との間に、該導電性層と接するように設けられた金属カルシウム(Ca)からなるカルシウム層とを有し、導電性層とカルシウム層の膜厚比率が10:1〜30:1の範囲内であり、導電性層が透明基板に最も近い電極を構成している。 In order to achieve such an object, the transparent electrode of the present invention is in contact with a transparent substrate, a conductive layer mainly composed of silver, and the conductive layer between the transparent substrate and the conductive layer. A calcium layer made of metallic calcium (Ca) provided, the film thickness ratio of the conductive layer to the calcium layer is in the range of 10: 1 to 30: 1 , and the conductive layer is closest to the transparent substrate It constitutes an electrode.

また本発明の電子デバイスは、上記構成の透明電極を有することを特徴としている。電子デバイスは、例えば有機電界発光素子であることとする。   The electronic device of the present invention is characterized by having the transparent electrode having the above-described configuration. The electronic device is, for example, an organic electroluminescent element.

以上説明したように本発明によれば、透明電極における導電性の向上と光透過性の向上との両立を図ることができ、またこの透明電極を用いた電子デバイスの性能の向上を図ることが可能になる。   As described above, according to the present invention, it is possible to achieve both improvement in conductivity and light transmission in the transparent electrode, and to improve the performance of an electronic device using the transparent electrode. It becomes possible.

本発明の第1の実施形態に係る透明電極(3層構造)の構成を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the structure of the transparent electrode (3 layer structure) which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第2の実施形態に係る透明電極(4層構造)の構成を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the structure of the transparent electrode (4 layer structure) which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3の実施形態に係る透明電極(5層構造)の構成を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the structure of the transparent electrode (5 layer structure) which concerns on the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の透明電極を用いた電子デバイス(有機EL素子)の一例を示す断面構成図である。It is a section lineblock diagram showing an example of an electronic device (organic EL element) using a transparent electrode of the present invention. 実施例1で作製した試料101の透明電極のSEM画像である。2 is an SEM image of a transparent electrode of a sample 101 produced in Example 1. 実施例1で作製した試料111の透明電極のSEM画像である。2 is a SEM image of a transparent electrode of a sample 111 produced in Example 1. 実施例1で作製した試料112の透明電極のSEM画像である。2 is an SEM image of a transparent electrode of a sample 112 produced in Example 1. 実施例1で作製した124’の透明電極のSEM画像である。2 is a SEM image of a transparent electrode 124 'produced in Example 1. 実施例1で作製した試料124の透明電極のSEM画像である。2 is an SEM image of a transparent electrode of a sample 124 produced in Example 1. 実施例1で作製した試料124”の透明電極のSEM画像である。2 is a SEM image of a transparent electrode of a sample 124 ″ produced in Example 1. 実施例1で作製した試料124’の高温保存後の透明電極のSEM画像である。2 is an SEM image of a transparent electrode after high-temperature storage of a sample 124 ′ produced in Example 1. 実施例1で作製した試料124の高温保存後の透明電極のSEM画像である(その1)。It is the SEM image of the transparent electrode after the high temperature preservation | save of the sample 124 produced in Example 1 (the 1). 実施例1で作製した試料124の高温保存後の透明電極のSEM画像である(その2)。It is the SEM image of the transparent electrode after the high temperature preservation | save of the sample 124 produced in Example 1 (the 2). 実施例1で作製した試料124”の高温保存後の透明電極のSEM画像である。2 is a SEM image of a transparent electrode after high-temperature storage of a sample 124 ″ produced in Example 1. 実施例2で作製したボトムエミッション型の有機EL素子を説明する断面構成図である。4 is a cross-sectional configuration diagram illustrating a bottom emission type organic EL element manufactured in Example 2. FIG.

以下、本発明の実施の形態を、図面に基づいて次に示す順に説明する。
1.第1実施形態:3層構造の透明電極
2.第2実施形態:下地層を設けた4層構造の透明電極
3.第3実施形態:光学調整層を設けた5層構造の透明電極
4.第4実施形態:透明電極の用途
5.第5実施形態:電子デバイス(有機EL素子)
6.第6実施形態:電子デバイス(有機EL素子)の用途
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in the following order based on the drawings.
1. 1. First embodiment: transparent electrode having a three-layer structure 2. Second embodiment: a transparent electrode having a four-layer structure provided with a base layer 3. Third embodiment: a transparent electrode having a five-layer structure provided with an optical adjustment layer 4. Fourth embodiment: Use of transparent electrode Fifth embodiment: electronic device (organic EL element)
6). Sixth Embodiment: Applications of electronic devices (organic EL elements)

≪1.第1実施形態:3層構造の透明電極≫
図1は、本発明の第1の実施形態に係る透明電極(3層構造)の構成を示す断面模式図である。この図に示すように、透明電極10は、透明基板11と、カルシウム含有層1と、銀を主成分とする導電性層2とを積層した3層構造である。すなわち、例えば透明基板11の上に、カルシウム含有層1、導電性層2がこの順に設けられた構成である。このうち、透明電極10における電極部分を構成する導電性層2は、銀(Ag)を主成分として構成された層である。また、導電性層2に隣接するカルシウム含有層1が、導電性層2の膜質を良好にするためのカルシウム(Ca)を含有するところが特徴的である。
<< 1. First Embodiment: Transparent Electrode with Three-Layer Structure >>
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of the transparent electrode (three-layer structure) according to the first embodiment of the present invention. As shown in this figure, the transparent electrode 10 has a three-layer structure in which a transparent substrate 11, a calcium-containing layer 1, and a conductive layer 2 mainly composed of silver are laminated. That is, for example, the calcium-containing layer 1 and the conductive layer 2 are provided in this order on the transparent substrate 11. Among these, the electroconductive layer 2 which comprises the electrode part in the transparent electrode 10 is a layer comprised mainly by silver (Ag). Further, the calcium-containing layer 1 adjacent to the conductive layer 2 is characterized by containing calcium (Ca) for improving the film quality of the conductive layer 2.

以下に、このような積層構造の透明電極10を構成する各構成要素の詳細を、透明基板11、カルシウム含有層1、及び導電性層2の順に説明する。尚、本発明の透明電極10の透明とは波長550nmでの光透過率が50%以上であることをいう。   Below, the detail of each component which comprises the transparent electrode 10 of such a laminated structure is demonstrated in order of the transparent substrate 11, the calcium containing layer 1, and the electroconductive layer 2. FIG. In addition, the transparency of the transparent electrode 10 of the present invention means that the light transmittance at a wavelength of 550 nm is 50% or more.

<透明基板>
透明基板11は、例えばガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができるが、これらに限定されない。
<Transparent substrate>
Examples of the transparent substrate 11 include, but are not limited to, glass, quartz, and a transparent resin film.

ガラスとしては、例えば、シリカガラス、ソーダ石灰シリカガラス、鉛ガラス、ホウケイ酸塩ガラス、無アルカリガラス等が挙げられる。これらのガラス材料の表面には、カルシウム含有層1との密着性、耐久性、平滑性の観点から、必要に応じて、研磨等の物理的処理を施したり、無機物または有機物からなる被膜や、これらの被膜を組み合わせたハイブリッド被膜が形成される。   Examples of the glass include silica glass, soda-lime silica glass, lead glass, borosilicate glass, and alkali-free glass. From the viewpoint of adhesion, durability, and smoothness with the calcium-containing layer 1, the surface of these glass materials is subjected to physical treatment such as polishing, or a coating made of an inorganic or organic material, if necessary, A hybrid film combining these films is formed.

樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート(TAC)、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート(CAP)、セルロースアセテートフタレート、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類またはそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートン(商品名JSR社製)あるいはアペル(商品名三井化学社製)といったシクロオレフィン系樹脂等が挙げられる。   Examples of the resin film include polyesters such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene, polypropylene, cellophane, cellulose diacetate, cellulose triacetate (TAC), cellulose acetate butyrate, cellulose acetate propionate ( CAP), cellulose esters such as cellulose acetate phthalate, cellulose nitrate or derivatives thereof, polyvinylidene chloride, polyvinyl alcohol, polyethylene vinyl alcohol, syndiotactic polystyrene, polycarbonate, norbornene resin, polymethylpentene, polyether ketone, polyimide , Polyethersulfone (PES), polyphenylene sulfide, polysulfones Cycloolefin resins such as polyetherimide, polyetherketoneimide, polyamide, fluororesin, nylon, polymethylmethacrylate, acrylic or polyarylate, Arton (trade name, manufactured by JSR) or Appel (trade name, manufactured by Mitsui Chemicals) Is mentioned.

樹脂フィルムの表面には、無機物または有機物からなる被膜や、これらの被膜を組み合わせたハイブリッド被膜が形成されていてもよい。このような被膜およびハイブリッド被膜は、JIS−K−7129−1992に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度(25±0.5℃、相対湿度90±2%RH)が0.01g/(m2・24時間)以下のバリア性フィルム(バリア膜等ともいう)であることが好ましい。またさらには、JIS−K−7126−1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が10-3ml/(m2・24時間・atm)以下、水蒸気透過度が10-5g/(m2・24時間)以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。 On the surface of the resin film, a film made of an inorganic material or an organic material or a hybrid film combining these films may be formed. Such coatings and hybrid coatings have a water vapor transmission rate (25 ± 0.5 ° C., relative humidity 90 ± 2% RH) of 0.01 g / (measured by a method according to JIS-K-7129-1992. m 2 · 24 hours) or less of a barrier film (also referred to as a barrier film or the like) is preferable. Furthermore, the oxygen permeability measured by a method according to JIS-K-7126-1987 is 10 −3 ml / (m 2 · 24 hours · atm) or less, and the water vapor permeability is 10 −5 g / (m 2 · 24 hours) or less high barrier film is preferable.

以上のようなバリア性フィルムを形成する材料としては、水分や酸素等の素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。さらに当該バリア性フィルムの脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層(有機層)の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。   The material for forming the barrier film as described above may be a material that has a function of suppressing intrusion of elements that cause deterioration of elements such as moisture and oxygen. For example, silicon oxide, silicon dioxide, silicon nitride, etc. Can be used. Furthermore, in order to improve the brittleness of the barrier film, it is more preferable to have a laminated structure of these inorganic layers and layers (organic layers) made of an organic material. Although there is no restriction | limiting in particular about the lamination | stacking order of an inorganic layer and an organic layer, It is preferable to laminate | stack both alternately several times.

バリア性フィルムの形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができるが、特開2004−68143号公報に記載の大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。   The method for forming the barrier film is not particularly limited. For example, the vacuum deposition method, the sputtering method, the reactive sputtering method, the molecular beam epitaxy method, the cluster ion beam method, the ion plating method, the plasma polymerization method, the atmospheric pressure plasma weighting. A combination method, a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, or the like can be used, but an atmospheric pressure plasma polymerization method described in JP-A-2004-68143 is particularly preferable.

<カルシウム含有層>
カルシウム含有層1は、カルシウム(Ca)を含有して構成され、透明基板11と導電性層2との間に、導電性層2と接するように設けられた層である。このようなカルシウム含有層1は、後述する実施例にも示されるように導電性層2の膜質を良好にするための層であって、厚さが2.0nm以下の範囲で、導電性層2の下地として隣接して配置されているところが特徴的である。
<Calcium-containing layer>
The calcium-containing layer 1 is configured to contain calcium (Ca) and is provided between the transparent substrate 11 and the conductive layer 2 so as to be in contact with the conductive layer 2. Such a calcium-containing layer 1 is a layer for improving the film quality of the conductive layer 2 as shown in Examples described later, and has a thickness of 2.0 nm or less. It is characteristic that the two bases are arranged adjacent to each other.

以上のようなカルシウム含有層1は、透明電極10の光透過性を阻害することなく、導電性層2との相互作用が得られる程度の膜厚であることが重要である。このため、カルシウム含有層1は、例えば透明基板11上に、カルシウム(Ca)原子が1原子層以上の、島状に孤立した膜であってもよいし、複数の孔を有する膜であってもよいし、連続膜であってもよい。   It is important that the calcium-containing layer 1 as described above has such a thickness that the interaction with the conductive layer 2 can be obtained without inhibiting the light transmittance of the transparent electrode 10. For this reason, the calcium-containing layer 1 may be an island-like film having, for example, one or more atomic layers of calcium (Ca) on the transparent substrate 11, or a film having a plurality of holes. Alternatively, it may be a continuous film.

カルシウム含有層1は、カルシウム(Ca)を含有していれば特に限定されず、カルシウム(Ca)の単独材料で形成されていてもよいし、他の化合物との混合材料であってもよい。例えばカルシウム含有層1は、カルシウム(Ca)だけでなく、その一部もしくは全面に酸化カルシウム(CaO)を含む構成であってもよい。また例えばカルシウム含有層1は、さらに導電性層2を構成する銀(Ag)等の金属材料を含んで構成されていてもよい。   The calcium-containing layer 1 is not particularly limited as long as it contains calcium (Ca), and may be formed of a single material of calcium (Ca) or may be a mixed material with other compounds. For example, the calcium-containing layer 1 may include not only calcium (Ca) but also calcium oxide (CaO) partially or entirely. Further, for example, the calcium-containing layer 1 may further include a metal material such as silver (Ag) that constitutes the conductive layer 2.

カルシウム含有層1は、導電性層2の膜質を安定化する観点から、カルシウム(Ca)を主成分として構成された層であることが好ましい。本発明でいう主成分とは、カルシウム含有層1の全質量に対するカルシウム(Ca)の質量比率が、50質量%以上であることをいい、好ましくは70質量%以上である。   The calcium-containing layer 1 is preferably a layer composed mainly of calcium (Ca) from the viewpoint of stabilizing the film quality of the conductive layer 2. The main component as used in the field of this invention means that the mass ratio of the calcium (Ca) with respect to the total mass of the calcium content layer 1 is 50 mass% or more, Preferably it is 70 mass% or more.

また、カルシウム含有層1の膜厚は、2.0nm以下の範囲とすることが好ましく、0.5〜2.0nmの範囲とすることがさらに好ましい。尚、ここでの膜厚とは、平均厚みのことである。また、この膜厚は、例えばカルシウム含有層1の形成速度及び形成時間により調整された膜厚であることとする。   The film thickness of the calcium-containing layer 1 is preferably in the range of 2.0 nm or less, and more preferably in the range of 0.5 to 2.0 nm. In addition, the film thickness here is an average thickness. Moreover, this film thickness shall be the film thickness adjusted with the formation speed and formation time of the calcium content layer 1, for example.

カルシウム含有層1の膜厚を0.5nm以上とすることで、透明電極10は、後述する実施例に示されるように面抵抗が低くなるとともに、透過率の向上が図られたものとなる。また、カルシウム含有層1の膜厚を2.0nm以下とすることで、透明電極10の光学特性を阻害することなく、導電性層2を構成する銀原子と十分な相互作用を得ることができる。
これにより、カルシウム含有層1上の導電性層2を、薄いながらも均一な厚みで、安定な膜質となるように形成することができる。
By setting the film thickness of the calcium-containing layer 1 to 0.5 nm or more, the transparent electrode 10 has a reduced surface resistance and improved transmittance as shown in Examples described later. Moreover, sufficient interaction with the silver atom which comprises the electroconductive layer 2 can be acquired, without inhibiting the optical characteristic of the transparent electrode 10 by the film thickness of the calcium containing layer 1 being 2.0 nm or less. .
Thereby, the conductive layer 2 on the calcium-containing layer 1 can be formed to have a stable film quality with a uniform thickness even though it is thin.

すなわち、後述する実施例のSEM画像で示されるように、カルシウム含有層1上の導電性層2の成膜状態が良好なものとなる。また、高温保存後のSEM画像においても、成膜時における微細な欠陥部が広がることなく、薄いながらも均一な厚さで、安定な膜質の導電性層2を形成することができる。   That is, as shown in an SEM image of an example described later, the film formation state of the conductive layer 2 on the calcium-containing layer 1 becomes favorable. Further, even in a SEM image after storage at a high temperature, the conductive layer 2 having a stable film quality can be formed with a uniform thickness even though it is thin without spreading minute defects at the time of film formation.

また、カルシウム含有層1の成膜方法としては、特に限定されることはないが、膜質を安定化させる観点から、蒸着法(抵抗加熱、EB法など)のドライプロセスが好ましく適用される。   In addition, the method for forming the calcium-containing layer 1 is not particularly limited, but a dry process such as a vapor deposition method (resistance heating, EB method, etc.) is preferably applied from the viewpoint of stabilizing the film quality.

<導電性層>
導電性層2は、銀を主成分として構成された層であって、銀または銀を主成分とした合金を用いて構成され、透明基板11の一主面上にカルシウム含有層1を介して設けられた層である。
<Conductive layer>
The conductive layer 2 is a layer composed mainly of silver, is composed of silver or an alloy composed mainly of silver, and is formed on one main surface of the transparent substrate 11 via the calcium-containing layer 1. It is a layer provided.

導電性層2は、固有吸収が小さく、かつ電気伝導率が大きいとの観点から、銀又は銀(Ag)を主成分として構成された層であることが好ましい。導電性層2を構成する銀(Ag)を主成分とする合金としては、銀を50質量%以上含む合金であることが好ましい。銀(Ag)を主成分とする合金としては、例えば、銀マグネシウム(AgMg)、銀銅(AgCu)、銀パラジウム(AgPd)、銀パラジウム銅(AgPdCu)、銀インジウム(AgIn)、銀アルミニウム(AgAl)、銀金(AgAu)等が挙げられる。   The conductive layer 2 is preferably a layer composed mainly of silver or silver (Ag) from the viewpoint of low intrinsic absorption and high electrical conductivity. The alloy mainly composed of silver (Ag) constituting the conductive layer 2 is preferably an alloy containing 50% by mass or more of silver. Examples of the alloy mainly composed of silver (Ag) include silver magnesium (AgMg), silver copper (AgCu), silver palladium (AgPd), silver palladium copper (AgPdCu), silver indium (AgIn), and silver aluminum (AgAl). ), Silver gold (AgAu), and the like.

以上のような導電性層2は、銀または銀を主成分とした合金の層が、必要に応じて複数の層に分けて積層された構成であっても良い。   The conductive layer 2 as described above may have a structure in which silver or an alloy layer mainly composed of silver is divided into a plurality of layers as necessary.

導電性層2の膜厚は、6〜20nmの範囲とすることが好ましく、6〜15nmとすることがさらに好ましい。導電性層2の膜厚を6nm以上とすることにより、導電性層2の導電性が十分に確保される。また、導電性層2の膜厚を20nm以下とすることにより、導電性層2の吸収成分または反射成分が低く抑えられ、透明電極10の光透過性が維持されるため好ましい。さらに、15nm以下とすることにより、透明電極10の光透過性がさらに向上するため好ましい。   The film thickness of the conductive layer 2 is preferably in the range of 6 to 20 nm, and more preferably 6 to 15 nm. By setting the film thickness of the conductive layer 2 to 6 nm or more, the conductivity of the conductive layer 2 is sufficiently ensured. Further, it is preferable to set the film thickness of the conductive layer 2 to 20 nm or less because the absorption component or the reflection component of the conductive layer 2 can be kept low and the light transmittance of the transparent electrode 10 is maintained. Furthermore, the thickness of 15 nm or less is preferable because the light transmittance of the transparent electrode 10 is further improved.

すなわち導電性層2は、後述する実施例のSEM画像で示されるように成膜状態が良好なものとなる。また、高温保存後のSEM画像においても、成膜時における微細な欠陥部が広がることなく、薄いながらも均一な厚さで、安定な膜質となる。   That is, the conductive layer 2 has a good film formation state as shown in SEM images of examples described later. Further, even in an SEM image after storage at high temperature, a fine defect portion at the time of film formation does not spread, and a thin but uniform thickness provides a stable film quality.

さらに、透明電極10の光透過性を阻害しないために、導電性層2とカルシウム含有層1との合計の厚さが、22nm以下となるように導電性層2の厚さを設定することが好ましく、特に合計の厚さを17nm以下とすることが好ましい。導電性層2とカルシウム含有層1との合計の厚さを22nm以下とすることにより、この2層の吸収成分及び反射成分が低く抑えられ、透明電極10の光透過性が維持されるため好ましい。また特に、導電性層2とカルシウム含有層1との合計の厚さを17nm以下とすることにより、透明電極10の光透過性がさらに向上するため好ましい。   Furthermore, in order not to inhibit the light transmittance of the transparent electrode 10, the thickness of the conductive layer 2 may be set so that the total thickness of the conductive layer 2 and the calcium-containing layer 1 is 22 nm or less. In particular, the total thickness is preferably 17 nm or less. By making the total thickness of the conductive layer 2 and the calcium-containing layer 1 22 nm or less, the absorption component and the reflection component of the two layers can be suppressed low, and the light transmittance of the transparent electrode 10 is maintained, which is preferable. . In particular, it is preferable to set the total thickness of the conductive layer 2 and the calcium-containing layer 1 to 17 nm or less because the light transmittance of the transparent electrode 10 is further improved.

また、導電性層2とカルシウム含有層1の膜厚比率は、10:1〜30:1の範囲であることが好ましい。これにより、カルシウム含有層1のカルシウム(Ca)原子と導電性層の銀(Ag)原子とがより相互作用し易くなる。   The film thickness ratio between the conductive layer 2 and the calcium-containing layer 1 is preferably in the range of 10: 1 to 30: 1. Thereby, the calcium (Ca) atom of the calcium-containing layer 1 and the silver (Ag) atom of the conductive layer are more likely to interact.

以上のような導電性層2の成膜方法としては、塗布法、インクジェット法、コーティング法、ディップ法などのウェットプロセスを用いる方法や、蒸着法(抵抗加熱、EB法など)、スパッタ法、CVD法などのドライプロセスを用いる方法などが挙げられる。   As a method for forming the conductive layer 2 as described above, a method using a wet process such as a coating method, an inkjet method, a coating method, a dip method, a vapor deposition method (resistance heating, EB method, etc.), a sputtering method, a CVD method, or the like. And a method using a dry process such as a method.

例えば、スパッタ法を適用した導電性層2の成膜であれば、銀を主成分とした合金のスパッタターゲット用意し、このスパッタゲートを用いたスパッタ成膜を行う。上述した合金の全ての場合において、スパッタ法を適用した導電性層2の成膜が行われるが、特に銀銅(AgCu)、銀パラジウム(AgPd)、または銀パラジウム銅(AgPdCu)を成膜する場合には、スパッタ法を適用した導電性層2の成膜が行われる。   For example, in the case of forming the conductive layer 2 to which the sputtering method is applied, a sputter target of an alloy containing silver as a main component is prepared, and the sputter film formation is performed using the sputter gate. In all of the above-described alloys, the conductive layer 2 is formed by sputtering, and in particular, silver copper (AgCu), silver palladium (AgPd), or silver palladium copper (AgPdCu) is formed. In this case, the conductive layer 2 is formed by applying a sputtering method.

また特に、銀アルミニウム(AgAl)、銀マグネシウム(AgMg)、銀インジウム(AgIn)を成膜する場合であれば、蒸着法を適用した導電性層2の成膜が好ましく行われる。蒸着法の場合、合金成分と銀(Ag)とを共蒸着する。この際、合金成分の蒸着速度と銀(Ag)の蒸着速度とをそれぞれ調整することにより、主材料である銀(Ag)に対する合金成分の添加濃度を調整した蒸着成膜を行う。   In particular, in the case where silver aluminum (AgAl), silver magnesium (AgMg), or silver indium (AgIn) is formed, the conductive layer 2 to which the vapor deposition method is applied is preferably formed. In the case of a vapor deposition method, an alloy component and silver (Ag) are co-deposited. Under the present circumstances, the vapor deposition film which adjusted the addition density | concentration of the alloy component with respect to silver (Ag) which is a main material by adjusting the vapor deposition rate of an alloy component and the vapor deposition rate of silver (Ag), respectively is performed.

また導電性層2は、カルシウム含有層1上に成膜されることにより、成膜後の高温アニール処理等がなくても十分に導電性を有することを特徴とするが、必要に応じて、成膜後に高温アニール処理等を行ったものであっても良い。   In addition, the conductive layer 2 is formed on the calcium-containing layer 1 so that it has sufficient conductivity even without high-temperature annealing after the film formation, etc. It may be one that has been subjected to high-temperature annealing after film formation.

尚、以上のような、透明基板11と、カルシウム含有層1と、導電性層2とを積層した3層構造の透明電極10は、導電性層2の上部が保護膜で覆われていたり、別の導電性層(補助電極)が積層されていても良い。この場合、透明電極10の光透過性を損なうことのないように、保護膜及び他の導電性層が光透過性を有することが好ましい。また、カルシウム含有層1の下部、すなわち、例えばカルシウム含有層1と透明基板11との間にも、必要に応じた層を設けた構成としても良い。   The transparent electrode 10 having a three-layer structure in which the transparent substrate 11, the calcium-containing layer 1, and the conductive layer 2 are laminated as described above has an upper portion of the conductive layer 2 covered with a protective film, Another conductive layer (auxiliary electrode) may be laminated. In this case, it is preferable that the protective film and the other conductive layer have light transmittance so as not to impair the light transmittance of the transparent electrode 10. Moreover, it is good also as a structure which provided the layer as needed also in the lower part of the calcium containing layer 1, ie, between the calcium containing layer 1 and the transparent substrate 11, for example.

<効果>
以上のように構成された透明電極10は、透明基板11と銀を主成分とする導電性層2との間に、導電性層2と隣接するようにカルシウム含有層1を設けた構成である。これにより、透明電極は、後述する実施例に示されるように、カルシウム含有層1を設けていない構成の透明電極と比べて、より面抵抗が低くなると共に、透過率の向上が図られたものとなる。そして特に、後述する実施例のSEM画像で示されるように、銀を主成分とする導電性層2の成膜状態が良好なものとなり、さらに高温保存後のSEM画像においても、成膜時における微細な欠陥部が広がることなく、薄いながらも均一な厚さで、安定な膜質の導電性層2を形成することができる。
<Effect>
The transparent electrode 10 configured as described above is configured such that the calcium-containing layer 1 is provided adjacent to the conductive layer 2 between the transparent substrate 11 and the conductive layer 2 mainly composed of silver. . As a result, the transparent electrode has a lower surface resistance and improved transmittance as compared with a transparent electrode having a structure not provided with the calcium-containing layer 1 as shown in Examples described later. It becomes. In particular, as shown in the SEM images of the examples to be described later, the film-forming state of the conductive layer 2 containing silver as a main component is good, and also in the SEM image after high-temperature storage, The conductive layer 2 having a stable film quality can be formed with a uniform thickness even though it is thin without spreading minute defects.

すなわち、このような構成によれば、カルシウム含有層1上に導電性層2を成膜する際に、導電性層2を構成する銀又は銀合金は、カルシウム含有層1との界面で相互作用することにより、表面拡散距離が減少して凝集が抑えられたものとなる。つまり、導電性層2の膜を成長させるための核(成長核)の数が通常よりも増えるため、この成長核を起点として、薄いながらも均一な厚さの連続膜を形成することができる。またさらに、カルシウム含有層1を構成するカルシウム(Ca)と導電性層2を構成する銀又は銀合金とが相互作用することにより、銀原子のマイグレーションが抑制され、例えば、外部からの熱によっても導電性層2は安定な膜質を有するものとなる。   That is, according to such a configuration, when the conductive layer 2 is formed on the calcium-containing layer 1, the silver or silver alloy constituting the conductive layer 2 interacts at the interface with the calcium-containing layer 1. By doing so, the surface diffusion distance is reduced and aggregation is suppressed. That is, since the number of nuclei (growth nuclei) for growing the film of the conductive layer 2 is larger than usual, a continuous film having a thin but uniform thickness can be formed starting from the growth nuclei. . Still further, the interaction between calcium (Ca) constituting the calcium-containing layer 1 and silver or silver alloy constituting the conductive layer 2 suppresses migration of silver atoms, for example, by heat from the outside. The conductive layer 2 has a stable film quality.

したがって、本実施形態の透明電極10は、薄いながらも均一な厚さで、安定な膜質の導電性層2を有するものとなり、導電性の向上と光透過性の向上との両立を図ることが可能となる。   Therefore, the transparent electrode 10 of the present embodiment has a thin but uniform thickness and has a stable film quality conductive layer 2, and it is possible to achieve both improvement in conductivity and improvement in light transmission. It becomes possible.

またこのような透明電極10は、レアメタルであるインジウム(In)を用いていないため低コストであり、またZnOのような化学的に不安定な材料を用いていないことからも長期信頼性に優れたものとなる。   Such a transparent electrode 10 is low in cost because it does not use indium (In), which is a rare metal, and has excellent long-term reliability because it does not use a chemically unstable material such as ZnO. It will be.

≪2.第2実施形態:下地層を設けた4層構造の透明電極≫
図2は、本発明の第2の実施形態に係る透明電極(4層構造)の構成を示す断面模式図である。この図に示す透明電極20が、先の図1を用いて説明した透明電極10と異なるところは、透明基板11とカルシウム含有層1との間に、下地層(光学調整層)を設けて4層構造としたところにあり、他の構成は同一である。このため、同一の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
≪2. Second Embodiment: Four-layered transparent electrode provided with a base layer >>
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of a transparent electrode (four-layer structure) according to the second embodiment of the present invention. The transparent electrode 20 shown in this figure is different from the transparent electrode 10 described with reference to FIG. 1 except that a base layer (optical adjustment layer) is provided between the transparent substrate 11 and the calcium-containing layer 1. The layer structure is the same, and the other configurations are the same. For this reason, the same code | symbol is attached | subjected to the same component and the overlapping description is abbreviate | omitted.

すなわち、4層構造の透明電極20は、例えば透明基板11の上部に、下地層21、カルシウム含有層1、導電性層2の順に設けられている。   That is, the transparent electrode 20 having a four-layer structure is provided on the transparent substrate 11 in the order of the base layer 21, the calcium-containing layer 1, and the conductive layer 2, for example.

<下地層>
下地層21は、透明基板11とカルシウム含有層1との間に設けられた層である。このような下地層21は、後述する実施例にも示されるように透明電極20の導電性及び光透過性を向上させるための層であって、カルシウム含有層1に隣接して配置されているところが特徴的である。
<Underlayer>
The foundation layer 21 is a layer provided between the transparent substrate 11 and the calcium-containing layer 1. Such an underlayer 21 is a layer for improving the conductivity and light transmittance of the transparent electrode 20 as shown in Examples described later, and is disposed adjacent to the calcium-containing layer 1. However, it is characteristic.

以上のような下地層21は、特に制限はないが、目的に応じて適宜選択することができ、高屈折率又は低屈折率の層で構成することにより、透明電極20の光透過性(光学アドミッタンス)を調整する層であってもよい。また、導電性層2の平滑性や膜質を高める層あってもよい。また、下地層21は、無機材料で構成されていてもよいし、有機材料で構成されていてもよい。
中でも、導電性層2の反射率や透過率等の光学特性を調整し、透明電極20の光透過性を向上させる観点から、下地層21は光学調整層であることが好ましい。
The underlayer 21 as described above is not particularly limited, but can be appropriately selected according to the purpose. By constituting the layer with a high refractive index or a low refractive index, the light transmittance (optical) of the transparent electrode 20 is achieved. It may be a layer for adjusting (admittance). Further, there may be a layer for improving the smoothness and film quality of the conductive layer 2. The underlayer 21 may be made of an inorganic material or an organic material.
Among these, from the viewpoint of adjusting the optical characteristics such as reflectance and transmittance of the conductive layer 2 and improving the light transmittance of the transparent electrode 20, the base layer 21 is preferably an optical adjustment layer.

[1.光学調整層]
光学調整層は、導電性層2の反射率や透過率等の光学特性を調整するための層である。このような光学調整層は、透明基板11よりも屈折率の高い層(高屈折率層)であることが好ましい。
[1. Optical adjustment layer]
The optical adjustment layer is a layer for adjusting optical characteristics such as reflectance and transmittance of the conductive layer 2. Such an optical adjustment layer is preferably a layer having a refractive index higher than that of the transparent substrate 11 (high refractive index layer).

高屈折率層の屈折率は、1.8以上であることが好ましく、より好ましくは2.1以上2.5以下である。高屈折率層の屈折率が1.8より高いと、導電性層2の光透過性が高まりやすい。また、高屈折率層の屈折率は、透明基板11の屈折率よりも、0.1〜1.1以上大きいことが好ましく、0.4〜1.0以上大きいことがより好ましい。高屈折率層の屈折率は、波長510nmの光の屈折率であり、エリプソメーターで測定される。高屈折率層の屈折率は、高屈折率層を構成する材料や、高屈折率層中の材料の密度等によって調整される。   The refractive index of the high refractive index layer is preferably 1.8 or more, more preferably 2.1 or more and 2.5 or less. When the refractive index of the high refractive index layer is higher than 1.8, the light transmittance of the conductive layer 2 tends to increase. Further, the refractive index of the high refractive index layer is preferably larger than the refractive index of the transparent substrate 11 by 0.1 to 1.1 or more, more preferably 0.4 to 1.0 or more. The refractive index of the high refractive index layer is the refractive index of light having a wavelength of 510 nm, and is measured with an ellipsometer. The refractive index of the high refractive index layer is adjusted by the material constituting the high refractive index layer, the density of the material in the high refractive index layer, and the like.

高屈折率層は、誘電性材料又は酸化物半導体材料を含んで構成されていることが好ましい。また、高屈折率層を構成する材料は、金属酸化物または金属硫化物であることが好ましい。金属酸化物又は金属硫化物の例には、酸化チタン(TiO:n=2.1〜2.4)、酸化インジウムスズ(ITO:n=1.9〜2.2)、酸化亜鉛(ZnO:n=1.9〜2.0)、硫化亜鉛(ZnS:n=2.0〜2.2)、酸化ニオブ(Nb:n=2.2〜2.4)、酸化ジルコニウム(ZrO:n=2.0.〜2.1)、酸化セリウム(CeO:n=1.9〜2.2)、五酸化タンタル(Ta:n=1.9〜2.2)、酸化錫(SnO:n=1.8〜2.0)、酸化インジウム亜鉛(IZO:1.9〜2.4)等が含まれ、屈折率や生産性の観点からTiO、Nbであることが好ましい。高屈折率層には、誘電性材料または酸化物半導体材料が1種のみ含まれてもよく、2種以上が含まれてもよい。 The high refractive index layer is preferably configured to include a dielectric material or an oxide semiconductor material. Moreover, it is preferable that the material which comprises a high refractive index layer is a metal oxide or a metal sulfide. Examples of the metal oxide or metal sulfide include titanium oxide (TiO 2 : n = 2.1 to 2.4), indium tin oxide (ITO: n = 1.9 to 2.2), zinc oxide (ZnO : N = 1.9 to 2.0), zinc sulfide (ZnS: n = 2.0 to 2.2), niobium oxide (Nb 2 O 5 : n = 2.2 to 2.4), zirconium oxide ( ZrO 2 : n = 2.0.-2.1), cerium oxide (CeO 2 : n = 1.9-2.2), tantalum pentoxide (Ta 2 O 5 : n = 1.9-2.2) ), Tin oxide (SnO 2 : n = 1.8 to 2.0), indium zinc oxide (IZO: 1.9 to 2.4), etc., and TiO 2 and Nb from the viewpoint of refractive index and productivity. 2 O 5 is preferred. The high refractive index layer may include only one type of dielectric material or oxide semiconductor material, or may include two or more types.

高屈折率層の厚みは、10〜150nmであることが好ましく、より好ましくは20〜80nmである。ここで、高屈折率層の厚みが10nm未満であると、導電性層2の光透過性を十分に高めることが難しい。一方、高屈折率層の厚みが150nmを超えると、導電性層2の透明性(反射防止性)が高まらない。高屈折率層の厚みは、エリプソメーターで測定される。   The thickness of the high refractive index layer is preferably 10 to 150 nm, more preferably 20 to 80 nm. Here, when the thickness of the high refractive index layer is less than 10 nm, it is difficult to sufficiently increase the light transmittance of the conductive layer 2. On the other hand, when the thickness of the high refractive index layer exceeds 150 nm, the transparency (antireflection property) of the conductive layer 2 does not increase. The thickness of the high refractive index layer is measured with an ellipsometer.

尚、光学調整層は、透明基板11よりも屈折率の低い層(低屈折率層)であってもよい。また、上述した高屈折率層に加えてさらに低屈折率層を設けてもよいし、高屈折率層と低屈折率層とを複数積層した構成とすることも可能である。このような低屈折率層を高屈折率層に隣接して形成することにより、透明電極20の光透過性がさらに向上する。
尚、光学調整層が、高屈折率層と低屈折率層とで構成されている場合には、透明基板11上に高屈折率層と低屈折率層とがこの順に積層された構成とする。
The optical adjustment layer may be a layer having a refractive index lower than that of the transparent substrate 11 (low refractive index layer). In addition to the above-described high refractive index layer, a low refractive index layer may be further provided, or a plurality of high refractive index layers and low refractive index layers may be stacked. By forming such a low refractive index layer adjacent to the high refractive index layer, the light transmittance of the transparent electrode 20 is further improved.
If the optical adjustment layer is composed of a high refractive index layer and a low refractive index layer, the high refractive index layer and the low refractive index layer are laminated in this order on the transparent substrate 11. .

低屈折率層は、透明基板11よりも低い屈折率を有する層であり、高屈折率層と共に用いた場合には、透明基板11及び高屈折率層よりも低い屈折率を有する層である。
この場合、透明基板11を高屈折率層よりも屈折率の低い材料で構成し、低屈折率層は、特に波長510nmにおける屈折率が、透明基板11よりも0.1以上低いことが好ましい。このような低屈折率層は、特に限定されないが、透明基板11を構成する材料よりも屈折率が低い材料を含んで構成される。
The low refractive index layer is a layer having a refractive index lower than that of the transparent substrate 11 and is a layer having a refractive index lower than that of the transparent substrate 11 and the high refractive index layer when used together with the high refractive index layer.
In this case, it is preferable that the transparent substrate 11 is made of a material having a refractive index lower than that of the high refractive index layer, and the refractive index of the low refractive index layer is particularly 0.1 or more lower than that of the transparent substrate 11 at a wavelength of 510 nm. Such a low refractive index layer is not particularly limited, and includes a material having a refractive index lower than that of the material constituting the transparent substrate 11.

(光学調整層の成膜方法)
以上のような光学調整層が透明基板11上に成膜されたものである場合、その成膜方法としては、蒸着法(抵抗加熱、EB法など)またはスパッタ法が挙げられる。特に、EB蒸着であれば、イオンアシストを用いた方法が好適である。このような光学調整層の成膜方法は、これを構成する材料によって適切な方法が選択されることとする。例えば、酸化亜鉛(ZnO)または酸化チタン(TiO)を用いた光学調整層の成膜であれば蒸着法が好ましく適用される。また酸化インジウム(In)、酸化インジウムスズ(ITO)、または酸化ニオブ(Nb)を用いた光学調整層の成膜であればスパッタ法が好ましく適用される。
(Method for forming optical adjustment layer)
When the optical adjustment layer as described above is formed on the transparent substrate 11, examples of the film formation method include vapor deposition methods (resistance heating, EB method, etc.) or sputtering methods. In particular, a method using ion assist is suitable for EB deposition. As a method for forming such an optical adjustment layer, an appropriate method is selected depending on the material constituting the optical adjustment layer. For example, a vapor deposition method is preferably applied as long as the optical adjustment layer is formed using zinc oxide (ZnO) or titanium oxide (TiO 2 ). A sputtering method is preferably applied as long as the optical adjustment layer is formed using indium oxide (In 2 O 3 ), indium tin oxide (ITO), or niobium oxide (Nb 2 O 5 ).

[2.その他の層]
下地層21は、例えば導電性層2の平滑性を高めるための平滑層であってもよい。また、下地層21は、導電性層2を構成する銀原子と相互作用し、安定的に結合するような化合物で構成された層であってもよく、例えば窒素を含有する窒素含有化合物が用いられる。カルシウム含有層1の下地にこのような層を設けることにより、導電性層2の平滑性や、カルシウム含有層との相乗効果により膜質をより良好にすることが可能となる。
[2. Other layers]
The foundation layer 21 may be a smooth layer for improving the smoothness of the conductive layer 2, for example. The underlayer 21 may be a layer composed of a compound that interacts with the silver atoms constituting the conductive layer 2 and is stably bonded. For example, a nitrogen-containing compound containing nitrogen is used. It is done. By providing such a layer on the base of the calcium-containing layer 1, it is possible to improve the film quality due to the smoothness of the conductive layer 2 and the synergistic effect with the calcium-containing layer.

尚、以上のような、透明基板11と、下地層21と、カルシウム含有層1と、導電性層2とを積層した4層構造の透明電極20は、導電性層2の上部が保護膜で覆われていたり、別の導電性層が積層されていても良い。この場合、透明電極20の光透過性を損なうことのないように、保護膜及び他の導電性層が光透過性を有することが好ましい。また、下地層21の下部、すなわち、例えば下地層21と透明基板11との間にも、必要に応じた層を設けた構成としても良い。   The transparent electrode 20 having the four-layer structure in which the transparent substrate 11, the base layer 21, the calcium-containing layer 1, and the conductive layer 2 are stacked as described above has a protective film on the top of the conductive layer 2. It may be covered or another conductive layer may be laminated. In this case, it is preferable that the protective film and the other conductive layer have light transmittance so as not to impair the light transmittance of the transparent electrode 20. Further, a configuration in which a layer according to need is provided below the base layer 21, that is, between the base layer 21 and the transparent substrate 11, for example, may be employed.

<効果>
以上のように構成された透明電極20は、図1に示す透明電極10における透明基板11とカルシウム含有層1との間に、下地層(光学調整層)21を設けて4層構造とした構成である。これにより、透明電極20は、第1実施形態の効果に加えてさらに導電性の向上と光透過性の向上との両立を図ることが可能となり信頼性の向上が図られたものとなる。
<Effect>
The transparent electrode 20 configured as described above has a four-layer structure in which a base layer (optical adjustment layer) 21 is provided between the transparent substrate 11 and the calcium-containing layer 1 in the transparent electrode 10 shown in FIG. It is. Thereby, in addition to the effect of 1st Embodiment, the transparent electrode 20 can aim at coexistence with the improvement of electroconductivity, and the improvement of light transmittance, and the improvement of the reliability was achieved.

そして特に、下地層21を光学調整層で形成した場合には、導電性層2の反射率や透過率等の光学特性を調整することが可能となり、金属材料本来の吸収を低減することができる。すなわち、導電性層2の光学アドミッタンスを、導電性層2の光が入射する側の媒質に合わせて調整することが可能となり、その媒質との界面における反射を防止することができる。これにより、透明電極20は、さらに光透過性が向上するとともに、色度の視野角特性の向上が図られたものとなる。また、複数の光学調整層を用いた場合には、透明電極20の光学アドミッタンスの最適化できる範囲が広がるため、設計自由度が向上する。   In particular, when the base layer 21 is formed of an optical adjustment layer, it is possible to adjust optical characteristics such as reflectance and transmittance of the conductive layer 2 and reduce the original absorption of the metal material. . That is, the optical admittance of the conductive layer 2 can be adjusted in accordance with the medium on the light incident side of the conductive layer 2, and reflection at the interface with the medium can be prevented. As a result, the transparent electrode 20 is further improved in light transmittance and improved viewing angle characteristics of chromaticity. In addition, when a plurality of optical adjustment layers are used, the range in which the optical admittance of the transparent electrode 20 can be optimized is widened, so that the degree of freedom in design is improved.

≪3.第3実施形態:光学調整層を設けた5層構造の透明電極≫
図3は、本発明の第3の実施形態に係る透明電極(5層構造)の構成を示す断面模式図である。この図に示す透明電極30が、先の図2を用いて説明した透明電極20と異なるところは、導電性層のカルシウム含有層が設けられた側とは逆側の面に光学調整層を設けて5層構造としたところにあり、他の構成は同一である。このため、同一の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
≪3. Third Embodiment: Five-layered transparent electrode provided with an optical adjustment layer >>
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of a transparent electrode (five-layer structure) according to the third embodiment of the present invention. The transparent electrode 30 shown in this figure is different from the transparent electrode 20 described with reference to FIG. 2 in that an optical adjustment layer is provided on the surface of the conductive layer opposite to the side where the calcium-containing layer is provided. The other structure is the same. For this reason, the same code | symbol is attached | subjected to the same component and the overlapping description is abbreviate | omitted.

すなわち、5層構造の透明電極30は、例えば透明基板11の上部に、下地層21、カルシウム含有層1、導電性層2、光学調整層31の順に設けられている。   That is, the transparent electrode 30 having a five-layer structure is provided on the transparent substrate 11 in the order of the base layer 21, the calcium-containing layer 1, the conductive layer 2, and the optical adjustment layer 31, for example.

<光学調整層>
光学調整層31は、先の図2に示した4層構造の透明電極20に用いた下地層21における光学調整層と同様のものであって良い。すなわち、光学調整層31は、高屈折率又は低屈折率の層で構成することにより光透過性(光学アドミッタンス)を調整する層である。また、光学調整層31が、高屈折率層と低屈折率層とで構成されている場合には、導電性層2上に高屈折率層と低屈折率層とがこの順に積層された構成とする。
<Optical adjustment layer>
The optical adjustment layer 31 may be the same as the optical adjustment layer in the base layer 21 used in the transparent electrode 20 having the four-layer structure shown in FIG. In other words, the optical adjustment layer 31 is a layer that adjusts light transmittance (optical admittance) by being composed of a high refractive index layer or a low refractive index layer. When the optical adjustment layer 31 is composed of a high refractive index layer and a low refractive index layer, a configuration in which the high refractive index layer and the low refractive index layer are laminated in this order on the conductive layer 2. And

また、光学調整層31を構成する材料は、図2に示す下地層21が光学調整層である場合に例示した材料が同様にも用いられるが、導電性層2を挟んで配置される光学調整層は、互いに同じ材料で構成されたものであってもよいし、異なる材料で構成されたものであっても良い。   Further, as the material constituting the optical adjustment layer 31, the material exemplified when the base layer 21 shown in FIG. 2 is the optical adjustment layer is also used, but the optical adjustment arranged with the conductive layer 2 interposed therebetween. The layers may be composed of the same material as each other or may be composed of different materials.

また、光学調整層31の厚みは、図2に示す下地層21の光学調整層と同じ膜厚であっても良いし異なる膜厚であってもよいが、10〜100nmの厚さで形成されていることが好ましい。この範囲の厚さとすることにより、導電性層2と光学調整層31の界面における反射を防止することができる。特に、20nm以上の厚さとすることにより、反射抑制に効果的である。   Further, the thickness of the optical adjustment layer 31 may be the same as or different from that of the optical adjustment layer of the base layer 21 shown in FIG. 2, but is formed with a thickness of 10 to 100 nm. It is preferable. By setting the thickness within this range, reflection at the interface between the conductive layer 2 and the optical adjustment layer 31 can be prevented. In particular, by setting the thickness to 20 nm or more, it is effective for suppressing reflection.

ここで、光学調整層31は、導電性層2上に形成された層である。このため、このような透明電極30を電子デバイスに用いる際には、電極の主体となる導電性層2と、透明電極30上に配置される素子や電子部品等との間に光学調整層31が介在する構成となる。このように、光学調整層31が介在する場合であっても、光学調整層31は透明電極30を用いた電子デバイスの導電性に影響を与えない。これは、導電性層2を構成する銀又は銀合金は導電性が非常に高いため、透明電極30の導電性に光学調整層31はほとんど影響を与えないからである。   Here, the optical adjustment layer 31 is a layer formed on the conductive layer 2. For this reason, when such a transparent electrode 30 is used for an electronic device, the optical adjustment layer 31 is provided between the conductive layer 2 that is the main body of the electrode and an element or electronic component that is disposed on the transparent electrode 30. It becomes the structure which intervenes. Thus, even when the optical adjustment layer 31 is interposed, the optical adjustment layer 31 does not affect the conductivity of the electronic device using the transparent electrode 30. This is because the optical adjustment layer 31 hardly affects the conductivity of the transparent electrode 30 because silver or a silver alloy constituting the conductive layer 2 has very high conductivity.

例えば、光学調整層31の面方向の抵抗値が高い場合であっても、導電性層2の導電性が非常に高いため、透明電極30の面方向の導電性は光学調整層31からの影響を受けない。
すなわち、光学調整層31の厚さ程度では、光学調整層31の厚さ方向の抵抗が非常に小さく、また、導電性層2の導電性が非常に高いため、透明電極30の厚さ方向の導電性はその影響を受けない。
For example, even when the resistance value in the surface direction of the optical adjustment layer 31 is high, the conductivity in the surface direction of the transparent electrode 30 is influenced by the optical adjustment layer 31 because the conductivity of the conductive layer 2 is very high. Not receive.
That is, the resistance in the thickness direction of the optical adjustment layer 31 is very small at the thickness of the optical adjustment layer 31 and the conductivity of the conductive layer 2 is very high. Conductivity is not affected.

尚、光学調整層31の膜厚は、上述した範囲内であれば、この透明電極30を用いて構成される電子デバイスによって適宜設定された値とすればよい。   In addition, what is necessary is just to set the film thickness of the optical adjustment layer 31 to the value suitably set with the electronic device comprised using this transparent electrode 30, if it is in the range mentioned above.

また、光学調整層31は、例えば、上述した蒸着法(抵抗加熱、EB法など)またはスパッタ法の製法を用いることにより、緻密な層を形成することができる。このように、導電性層2上に接して緻密な光学調整層31を形成することにより、導電性層2を構成する銀又は銀合金を安定化(不動化)することができる。このため、導電性層2の信頼性が向上し、透明電極30の信頼性や、この透明電極30を備える電子デバイスの性能が向上する。   Further, the optical adjustment layer 31 can be formed into a dense layer by using, for example, the above-described vapor deposition method (resistance heating, EB method, etc.) or a sputtering method. Thus, by forming the dense optical adjustment layer 31 in contact with the conductive layer 2, silver or a silver alloy constituting the conductive layer 2 can be stabilized (immobilized). For this reason, the reliability of the conductive layer 2 is improved, and the reliability of the transparent electrode 30 and the performance of the electronic device including the transparent electrode 30 are improved.

尚、以上のような、透明基板11と、下地層21と、カルシウム含有層1と、導電性層2と、光学調整層31とを積層した5層構造の透明電極30は、光学調整層31の上部が保護膜で覆われていたり、別の導電性層が積層されていても良い。この場合、透明電極30の光透過性を損なうことのないように、保護膜及び他の導電性層が光透過性を有することが好ましい。また、下地層21の下部、すなわち、下地層21と透明基板11との間にも、必要に応じた層を設けた構成としても良い。   Note that the transparent electrode 30 having the five-layer structure in which the transparent substrate 11, the base layer 21, the calcium-containing layer 1, the conductive layer 2, and the optical adjustment layer 31 are stacked as described above is the optical adjustment layer 31. May be covered with a protective film, or another conductive layer may be laminated. In this case, it is preferable that the protective film and the other conductive layer have light transmittance so that the light transmittance of the transparent electrode 30 is not impaired. Further, a configuration in which a layer according to need is provided below the base layer 21, that is, between the base layer 21 and the transparent substrate 11 may be employed.

また、本実施形態は、図2に示す透明電極20に光学調整層31を設ける構成を説明したが、図1に示す透明電極10と組み合わせても良い。   Moreover, although this embodiment demonstrated the structure which provides the optical adjustment layer 31 in the transparent electrode 20 shown in FIG. 2, you may combine with the transparent electrode 10 shown in FIG.

<効果>
以上のように構成された透明電極30は、図2に示す透明電極20における導電性層2のカルシウム含有層1が設けられた側とは逆側の面に光学調整層31を設けて5層構造とした構成である。これにより、透明電極30は、第2実施形態の効果に加えてさらに光透過性の向上を図ることが可能となる。
<Effect>
The transparent electrode 30 configured as described above has five layers in which the optical adjustment layer 31 is provided on the surface of the transparent electrode 20 shown in FIG. 2 opposite to the side on which the calcium-containing layer 1 is provided. This is a structured structure. Thereby, in addition to the effect of 2nd Embodiment, the transparent electrode 30 can aim at the improvement of a light transmittance further.

すなわち、このような構成によれば、導電性層2と光学調整層31との界面においての反射を防止することができる。また、高屈折率層を用いた光学調整層31であれば、上述した高屈折率層の材料は一般的に緻密な膜質を有しているため、導電性層2に隣接して配置されることで導電性層2を構成する銀(Ag)のマイグレーションを防止できる。これにより、信頼性の向上がさらに図られたものとなる。   That is, according to such a configuration, reflection at the interface between the conductive layer 2 and the optical adjustment layer 31 can be prevented. Further, in the case of the optical adjustment layer 31 using a high refractive index layer, the material of the high refractive index layer described above generally has a dense film quality, and thus is disposed adjacent to the conductive layer 2. Thus, migration of silver (Ag) constituting the conductive layer 2 can be prevented. As a result, the reliability is further improved.

そして特に、下地層21を光学調整層で形成した場合には、透明電極30は、導電性層2とカルシウム含有層1が光学調整層により挟持された構成となる。これにより、導電性層2の反射率や透過率等の光学特性を調整することが可能となり、金属材料本来の吸収を低減することができる。すなわち、導電性層2の光学アドミッタンスを、導電性層2の光が入射する側の媒質に合わせて調整することが可能となり、その媒質との界面における反射を防止することができる。これにより、透明電極30は、さらに光透過性が向上するとともに、色度の視野角特性の向上が図られたものとなる。   In particular, when the base layer 21 is formed of an optical adjustment layer, the transparent electrode 30 has a configuration in which the conductive layer 2 and the calcium-containing layer 1 are sandwiched between the optical adjustment layers. Thereby, it becomes possible to adjust optical characteristics, such as a reflectance of the electroconductive layer 2, and a transmittance | permeability, and metal material original absorption can be reduced. That is, the optical admittance of the conductive layer 2 can be adjusted in accordance with the medium on the light incident side of the conductive layer 2, and reflection at the interface with the medium can be prevented. As a result, the transparent electrode 30 is further improved in light transmittance and improved viewing angle characteristics of chromaticity.

また、本実施形態と第1実施形態とを組み合わせた場合の透明電極は、第1実施形態の効果に加えてさらに光透過性の向上を図ることが可能となり、信頼性の向上がさらに図られたものとなる。   Further, the transparent electrode in the case where the present embodiment and the first embodiment are combined can further improve the light transmittance in addition to the effects of the first embodiment, and the reliability can be further improved. It will be.

≪4.第4実施形態:透明電極の用途≫
上述した第1〜3実施形態の透明電極は、各種電子デバイスに用いることができる。電子デバイスの例としては、有機EL素子、LED(light Emitting Diode)、液晶素子、太陽電池、タッチパネル等が挙げられる。そして、これらの電子デバイスの電極部材として光透過性が必要とされる場合には、第1〜3実施形態の透明電極を好ましく用いることができる。
<< 4. Fourth Embodiment: Use of Transparent Electrode >>
The transparent electrode of the first to third embodiments described above can be used for various electronic devices. Examples of electronic devices include organic EL elements, LEDs (light emitting diodes), liquid crystal elements, solar cells, touch panels, and the like. And when a light transmittance is required as an electrode member of these electronic devices, the transparent electrode of 1st-3rd embodiment can be used preferably.

以下では、用途の一例として、本発明の透明電極を陽極又は/及び陰極として用いた電子デバイス(有機EL素子)の実施の形態を説明する。尚、ここでは本発明の透明電極として、第1実施形態に係る透明電極10を一例として用いて説明する。   Hereinafter, as an example of the application, an embodiment of an electronic device (organic EL element) using the transparent electrode of the present invention as an anode or / and a cathode will be described. Here, the transparent electrode 10 according to the first embodiment will be described as an example of the transparent electrode of the present invention.

≪5.第5実施形態:電子デバイス(有機EL素子)≫
<有機EL素子の構成>
図4は、本発明の電子デバイスの一例として、上述した透明電極10を用いた有機EL素子の一構成例を示す断面構成図である。以下にこの図に基づいて有機EL素子40の構成を説明する。
≪5. Fifth Embodiment: Electronic Device (Organic EL Element) >>
<Configuration of organic EL element>
FIG. 4 is a cross-sectional configuration diagram showing a configuration example of an organic EL element using the transparent electrode 10 described above as an example of the electronic device of the present invention. Below, the structure of the organic EL element 40 is demonstrated based on this figure.

図4に示す有機EL素子40は、透明電極10の導電性層2側から順に、発光機能層3、および対向電極5が積層されている。また、発光機能層3は、少なくとも有機材料で構成された発光層3aを有する。このため有機EL素子40は、少なくとも透明基板11側から発光光hを取り出すボトムエミッション型として構成されている。   In the organic EL element 40 shown in FIG. 4, the light emitting functional layer 3 and the counter electrode 5 are laminated in order from the conductive layer 2 side of the transparent electrode 10. The light emitting functional layer 3 includes a light emitting layer 3a made of at least an organic material. Therefore, the organic EL element 40 is configured as a bottom emission type that takes out the emitted light h from at least the transparent substrate 11 side.

また、有機EL素子40は、有機材料等を用いて構成された発光機能層3の劣化を防止することを目的として、透明基板11上において後述する封止材で封止されている。この封止材は、接着剤を介して透明基板11側に固定されている。ただし、透明電極10および対向電極5の端子部分は、透明基板11上において発光機能層3によって互いに絶縁性を保った状態で封止材から露出させた状態で設けられていることとする。   The organic EL element 40 is sealed on the transparent substrate 11 with a sealing material described later for the purpose of preventing deterioration of the light emitting functional layer 3 formed using an organic material or the like. This sealing material is fixed to the transparent substrate 11 side through an adhesive. However, it is assumed that the terminal portions of the transparent electrode 10 and the counter electrode 5 are provided on the transparent substrate 11 so as to be exposed from the sealing material while being insulated from each other by the light emitting functional layer 3.

以下、上述した有機EL素子40を構成するための主要各層の詳細を、透明電極10、発光機能層3、対向電極5、封止材、及び保護部材の順に説明する。その後、有機EL素子40の作製方法を説明する。   Hereinafter, the detail of each main layer for comprising the organic EL element 40 mentioned above is demonstrated in order of the transparent electrode 10, the light emission functional layer 3, the counter electrode 5, a sealing material, and a protection member. Thereafter, a method for producing the organic EL element 40 will be described.

[1.透明電極]
透明電極は、先に説明した本発明の透明電極10であり、有機EL素子40の陽極又は陰極を構成する電極であって、発光機能層3で生じた発光光hの取り出す側に設けられた電極である。この透明電極10は、透明基板11の上部に、カルシウム含有層1、導電性層2がこの順に設けられた構成である。ここでは特に、導電性層2を構成する層が実質的な電極となる。
[1. Transparent electrode]
The transparent electrode is the transparent electrode 10 of the present invention described above and is an electrode constituting the anode or the cathode of the organic EL element 40 and provided on the side from which the emitted light h generated in the light emitting functional layer 3 is extracted. Electrode. The transparent electrode 10 has a configuration in which a calcium-containing layer 1 and a conductive layer 2 are provided in this order on the transparent substrate 11. Here, in particular, the layer constituting the conductive layer 2 is a substantial electrode.

尚、本実施形態の有機EL素子40においての透明電極は、図1に示す透明電極10を用いて説明するが、例えば図3に示す透明電極30の場合には、発光機能層3と、実質的な電極として用いられる導電性層2との間に、光学調整層31が配置された構成となる。このように発光機能層3との間に光学調整層31が介在する透明電極30であっても、銀(Ag)を主成分とする導電性層2の導電性が極めて高いため、光学調整層31に対して導電性が求められることはない。したがって、光学調整層31の材料は、適宜選択すれば良い。   In addition, although the transparent electrode in the organic EL element 40 of this embodiment is demonstrated using the transparent electrode 10 shown in FIG. 1, for example, in the case of the transparent electrode 30 shown in FIG. The optical adjustment layer 31 is arranged between the conductive layer 2 used as a typical electrode. Thus, even in the transparent electrode 30 in which the optical adjustment layer 31 is interposed between the light emitting functional layer 3, the conductivity of the conductive layer 2 mainly composed of silver (Ag) is extremely high. No conductivity is required for 31. Therefore, the material of the optical adjustment layer 31 may be appropriately selected.

また光学調整層31は、電極として必要な膜厚を備えている必要はなく、光学調整層31を備えた透明電極30が用いられる有機EL素子中における透明電極30の配置状態によって、適切に設定された膜厚を有していれば良い。   The optical adjustment layer 31 does not need to have a film thickness necessary as an electrode, and is appropriately set depending on the arrangement state of the transparent electrode 30 in the organic EL element in which the transparent electrode 30 including the optical adjustment layer 31 is used. What is necessary is just to have the made film thickness.

[2.発光機能層]
発光機能層3は、少なくとも有機材料で構成された発光層3aを含む層である。このような発光機能層3の全体的な層構造は限定されることはなく、一般的な層構造であって良い。また、発光機能層3は、一例として、透明電極10および対向電極5のうち陽極として用いられる電極側から順に[正孔注入層/正孔輸送層/発光層3a/電子輸送層/電子注入層]を積層した構成が例示されるが、発光層3a以外の層は必要に応じて設けられることとする。
[2. Light emitting functional layer]
The light emitting functional layer 3 is a layer including a light emitting layer 3a composed of at least an organic material. The overall layer structure of the light emitting functional layer 3 is not limited and may be a general layer structure. In addition, as an example, the light emitting functional layer 3 includes, in order from the electrode side used as the anode among the transparent electrode 10 and the counter electrode 5 [hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer 3a / electron transport layer / electron injection layer]. ] Is laminated, but layers other than the light emitting layer 3a are provided as necessary.

このうち、発光層3aは、陰極側から注入された電子と、陽極側から注入された正孔とが再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層3aの層内であっても発光層3aにおける隣接する層との界面であってもよい。このような発光層3aは、発光材料として燐光発光材料が含有されていても良く、蛍光発光材料が含有されていても良く、燐光発光材料および蛍光発光材料の両方が含有されていても良い。また発光層3aは、これらの発光材料をゲスト材料とし、さらにホスト材料を含有する構成であることが好ましい。   Among these, the light emitting layer 3a is a layer that emits light by recombination of electrons injected from the cathode side and holes injected from the anode side, and the light emitting portion is in the layer of the light emitting layer 3a. May also be an interface with an adjacent layer in the light emitting layer 3a. Such a light emitting layer 3a may contain a phosphorescent light emitting material as a light emitting material, may contain a fluorescent light emitting material, or may contain both a phosphorescent light emitting material and a fluorescent light emitting material. In addition, the light emitting layer 3a preferably has a structure in which these light emitting materials are used as guest materials and further contain a host material.

正孔注入層および正孔輸送層は、正孔輸送性と正孔注入性とを有する正孔輸送注入層として設けられても良い。尚、光学調整層31が金属酸化物で構成されている場合、例示した金属酸化物の多くは正孔輸送性または正孔注入性を有するため、この光学調整層31を正孔注入層、正孔輸送層、または正孔輸送注入層として用いることもできる。   The hole injection layer and the hole transport layer may be provided as a hole transport injection layer having a hole transport property and a hole injection property. When the optical adjustment layer 31 is made of a metal oxide, many of the exemplified metal oxides have a hole transport property or a hole injection property. It can also be used as a hole transport layer or a hole transport injection layer.

また電子輸送層および電子注入層は、電子輸送性と電子注入性とを有する電子輸送注入層として設けられても良い。またこれらの各層のうち、例えば正孔注入層および電子注入層は無機材料で構成されている場合もある。   The electron transport layer and the electron injection layer may be provided as an electron transport injection layer having electron transport properties and electron injection properties. Among these layers, for example, the hole injection layer and the electron injection layer may be made of an inorganic material.

また発光機能層3は、これらの層の他にも正孔阻止層や電子阻止層等が必要に応じて必要箇所に積層されていて良い。   In addition to these layers, the light-emitting functional layer 3 may be laminated with a hole blocking layer, an electron blocking layer, and the like as necessary.

さらに発光機能層3は、各波長領域の発光光を発生させる各色発光層3aを含む複数の発光機能層を積層した構成であっても良い。各発光機能層は、異なる層構造であって良く、直接積層されていても中間層を介して積層されていてもよい。中間層は、一般的に中間電極、中間導電層、電荷発生層、電子引抜層、接続層、中間絶縁層の何れかであり、陽極側の隣接層に電子を、陰極側の隣接層に正孔を供給する機能を持った層であれば、公知の材料構成を用いることができる。   Further, the light emitting functional layer 3 may have a structure in which a plurality of light emitting functional layers including each color light emitting layer 3a that generates light emitted in each wavelength region are stacked. Each light emitting functional layer may have a different layer structure, and may be laminated directly or via an intermediate layer. The intermediate layer is generally one of an intermediate electrode, an intermediate conductive layer, a charge generation layer, an electron extraction layer, a connection layer, and an intermediate insulating layer. Electrons are positively connected to the anode side adjacent layer and positive to the cathode side adjacent layer. A known material configuration can be used as long as the layer has a function of supplying holes.

(発光機能層の成膜方法)
以上のような発光機能層3は、各層を構成する材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法、インクジェット法、印刷法等の公知の薄膜形成方法により順次成膜することによって得ることができる。均質な膜が得られやすく、且つピンホールが生成しにくい等の点から、真空蒸着法またはスピンコート法が特に好ましい。さらに層ごとに異なる成膜法を適用してもよい。これらの各層の成膜に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は使用する化合物の種類等により異なるが、一般に化合物を収蔵したボート加熱温度50℃〜450℃、真空度10-6Pa〜10-2Pa、蒸着速度0.01nm/秒〜50nm/秒、基板温度−50℃〜300℃、膜厚0.1nm〜5μmの範囲で、各条件を適宜選択することが望ましい。
(Method for forming light emitting functional layer)
The light emitting functional layer 3 as described above is formed by sequentially forming a material constituting each layer by a known thin film forming method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, an LB method, an ink jet method, and a printing method. Can be obtained. The vacuum deposition method or the spin coating method is particularly preferable from the viewpoint that a homogeneous film is easily obtained and pinholes are hardly generated. Further, different film forming methods may be applied for each layer. When a vapor deposition method is employed for forming each of these layers, the vapor deposition conditions vary depending on the type of compound used, etc., but generally the boat heating temperature storing the compound is 50 ° C. to 450 ° C., and the degree of vacuum is 10 −6 Pa to 10 −6 . It is desirable to select each condition as appropriate within the range of −2 Pa, vapor deposition rate of 0.01 nm / second to 50 nm / second, substrate temperature of −50 ° C. to 300 ° C., and film thickness of 0.1 nm to 5 μm.

[3.対向電極]
対向電極5は、透明電極10との間に発光機能層3を挟持する状態で設けられ、透明電極10が陽極である場合には陰極として用いられ、透明電極10が陰極である場合には陽極として用いられる。この対向電極5は、金属、合金、有機または無機の導電性化合物、およびこれらの混合物のなかから、仕事関数を考慮して適宜に選択された導電性材料を用いて構成される。具体的には、金、アルミニウム、銀、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属、ITO、ZnO、TiO、SnO等の酸化物半導体などが挙げられる。
[3. Counter electrode]
The counter electrode 5 is provided in a state in which the light emitting functional layer 3 is sandwiched between the transparent electrode 10 and is used as a cathode when the transparent electrode 10 is an anode, and an anode when the transparent electrode 10 is a cathode. Used as The counter electrode 5 is configured using a conductive material appropriately selected in consideration of a work function from among metals, alloys, organic or inorganic conductive compounds, and mixtures thereof. Specifically, gold, aluminum, silver, magnesium, lithium, magnesium / copper mixture, magnesium / silver mixture, magnesium / aluminum mixture, magnesium / indium mixture, indium, lithium / aluminum mixture, rare earth metal, ITO, ZnO, TiO 2 and oxide semiconductors such as SnO 2 .

尚、この有機EL素子40が、透明基板11側からのみ発光光hを取り出す構成であれば、上述した導電性材料の中から発光光hの反射特性が良好な材料を選択して対向電極5を構成することが好ましい。一方、この有機EL素子40が、対向電極5側からも発光光hを取り出す、両面発光型であれば、上述した導電性材料のうち光透過性の良好な導電性材料を選択して対向電極5を構成すれば良い。   If the organic EL element 40 is configured to extract the emitted light h only from the transparent substrate 11 side, a material having a good reflection characteristic of the emitted light h is selected from the conductive materials described above and the counter electrode 5 is selected. It is preferable to constitute. On the other hand, if the organic EL element 40 is a double-sided light emitting type that also takes out the emitted light h from the counter electrode 5 side, a conductive material with good light transmission is selected from the above-described conductive materials, and the counter electrode is selected. 5 may be configured.

対向電極5の厚さは、材料にもよるが、通常10nm〜5μm、好ましくは50nm〜200nmの範囲で透過性または反射性を考慮して選ばれる。   Although the thickness of the counter electrode 5 depends on the material, it is usually selected in the range of 10 nm to 5 μm, preferably 50 nm to 200 nm in consideration of transparency or reflectivity.

(対向電極の成膜方法)
以上のような対向電極5は、選択された導電性材料を蒸着やスパッタリング等の方法により成膜される。
(Counter electrode deposition method)
The counter electrode 5 as described above is formed by a method such as vapor deposition or sputtering of a selected conductive material.

[4.封止材]
封止材は、有機EL素子40を覆うものであって、光透過性を有していてもいなくても良い。ただし、この有機EL素子40が、対向電極5側からも発光光hを取り出すものである場合、封止材としては、光透過性を有する透明封止材が用いられる。このような封止材は、板状(フィルム状)の封止部材であって接着剤によって透明基板11側に固定されるものであっても良く、封止膜であっても良い。
[4. Encapsulant]
The sealing material covers the organic EL element 40 and may or may not have optical transparency. However, when the organic EL element 40 extracts the emitted light h from the counter electrode 5 side, a light-transmitting transparent sealing material is used as the sealing material. Such a sealing material may be a plate-like (film-like) sealing member that is fixed to the transparent substrate 11 side by an adhesive, or may be a sealing film.

板状(フィルム状)の封止材としては、具体的には、光透過性を有するものであれば、ガラス基板、ポリマー基板が挙げられ、これらの基板材料をさらに薄型のフィルム状にして用いても良い。なかでも、素子を薄膜化できるということから、封止材としてポリマー基板を薄型のフィルム状にしたものを好ましく使用することができる。   Specific examples of the plate-like (film-like) sealing material include a glass substrate and a polymer substrate as long as they have optical transparency, and these substrate materials are used in the form of a thin film. May be. Especially, since the element can be thinned, a thin film-like polymer substrate can be preferably used as the sealing material.

さらには、フィルム状としたポリマー基板は、JIS K 7126−1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が1×10-3ml/(m2・24h・atm)以下、JIS K 7129−1992に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度(25±0.5℃、相対湿度90±2%RH)が、1×10-3g/(m2・24h)以下のものであることが好ましい。 Furthermore, the polymer substrate in the form of a film has an oxygen permeability of 1 × 10 −3 ml / (m 2 · 24 h · atm) or less measured by a method according to JIS K 7126-1987, and JIS K 7129-1992. The water vapor transmission rate (25 ± 0.5 ° C., relative humidity 90 ± 2% RH) measured by a method in accordance with the above is 1 × 10 −3 g / (m 2 · 24 h) or less. preferable.

また以上のような基板材料は、凹板状に加工して封止材として用いても良い。また板状の封止材の他の例として、金属材料で構成されたものを用いることができる。   Further, the above substrate material may be processed into a concave plate shape and used as a sealing material. Moreover, what was comprised with the metal material as another example of a plate-shaped sealing material can be used.

また以上のような板状の封止材を透明基板11側に固定するための接着剤は、封止材と透明基板11との間に挟持された有機EL素子40を封止するためのシール剤として用いられる。なお、有機EL素子40を構成する有機材料は、熱処理により劣化する場合がある。このため、接着剤は、室温から80℃までに接着硬化できるものが好ましい。また、接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。   Further, the adhesive for fixing the plate-shaped sealing material as described above to the transparent substrate 11 side is a seal for sealing the organic EL element 40 sandwiched between the sealing material and the transparent substrate 11. Used as an agent. In addition, the organic material which comprises the organic EL element 40 may deteriorate with heat processing. For this reason, an adhesive that can be adhesively cured from room temperature to 80 ° C. is preferable. Further, a desiccant may be dispersed in the adhesive.

また板状の封止材と透明基板11と接着剤との間に隙間が形成される場合、この間隙には、気相及び液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。   Further, when a gap is formed between the plate-shaped sealing material, the transparent substrate 11, and the adhesive, the gap includes an inert gas such as nitrogen or argon or a fluorinated hydrocarbon in the gas phase and the liquid phase. Preferably, an inert liquid such as silicon oil is injected. A vacuum is also possible. Moreover, a hygroscopic compound can also be enclosed inside.

一方、封止材として封止膜を用いる場合、有機EL素子40における発光機能層3を完全に覆い、かつ有機EL素子40における透明電極10および対向電極5の端子部分を露出させる状態で、透明基板11上に封止膜が設けられる。   On the other hand, when a sealing film is used as the sealing material, the transparent functional layer 3 in the organic EL element 40 is completely covered and the transparent electrode 10 and the counter electrode 5 in the organic EL element 40 are exposed, and the transparent film is exposed. A sealing film is provided on the substrate 11.

このような封止膜は、無機材料や有機材料を用いて構成され、特に、水分や酸素等の浸入を抑制する機能を有する材料、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等の無機材料が用いられる。さらに封止膜の脆弱性を改良するために、これら無機材料からなる膜と共に、有機材料からなる膜を用いて積層構造としても良い。   Such a sealing film is configured using an inorganic material or an organic material, and in particular, a material having a function of suppressing intrusion of moisture, oxygen, or the like, for example, an inorganic material such as silicon oxide, silicon dioxide, or silicon nitride. Used. Furthermore, in order to improve the brittleness of the sealing film, a laminated structure may be formed by using a film made of an organic material together with a film made of these inorganic materials.

これらの膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができる。   The method for forming these films is not particularly limited. For example, vacuum deposition, sputtering, reactive sputtering, molecular beam epitaxy, cluster ion beam, ion plating, plasma polymerization, atmospheric pressure plasma A combination method, a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, or the like can be used.

以上のような封止材は、有機EL素子40における透明電極10および対向電極5の端子部分を露出させると共に、少なくとも発光機能層3を覆う状態で設けられている。また封止材に電極を設け、有機EL素子40の透明電極10および対向電極5の端子部分と、この電極とを導通させるように構成されていても良い。   The sealing material as described above is provided in a state where the terminal portions of the transparent electrode 10 and the counter electrode 5 in the organic EL element 40 are exposed and at least the light emitting functional layer 3 is covered. Moreover, an electrode may be provided on the sealing material so that the transparent electrode 10 of the organic EL element 40 and the terminal portions of the counter electrode 5 are electrically connected to this electrode.

[5.保護部材]
ここでの図示は省略したが、透明基板11との間に有機EL素子40および封止材を挟んで保護部材を設けても良い。この保護部材は、有機EL素子40を機械的に保護するためのものであり、特に封止材が封止膜である場合には、有機EL素子40に対する機械的な保護が十分ではないため、このような保護部材を設けることが好ましい。
[5. Protective member]
Although illustration is omitted here, a protective member may be provided between the transparent substrate 11 and the organic EL element 40 and a sealing material. This protective member is for mechanically protecting the organic EL element 40, and particularly when the sealing material is a sealing film, mechanical protection for the organic EL element 40 is not sufficient, It is preferable to provide such a protective member.

以上のような保護部材は、ガラス板、ポリマー板、これよりも薄型のポリマーフィルム、金属板、これよりも薄型の金属フィルム、またはポリマー材料膜や金属材料膜が適用される。このうち特に、軽量かつ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。   A glass plate, a polymer plate, a thinner polymer film, a metal plate, a thinner metal film, a polymer material film or a metal material film is applied to the protective member as described above. Among these, it is particularly preferable to use a polymer film because it is light and thin.

<有機EL素子の作製方法>
以上のような有機EL素子40の作製は、次のように行う。
<Method for producing organic EL element>
The production of the organic EL element 40 as described above is performed as follows.

先ず透明基板11上に、2nm以下の膜厚になるようにカルシウム含有層1を成膜する。次いで、銀(または銀を主成分とした合金)からなる導電性層2を、6nm〜20nmの膜厚になるように成膜する。以上の成膜においては、上述した蒸着法やスパッタ法などの適宜選択された成膜法を適用する。また導電性層2の成膜においては、必要に応じて例えばマスクを用いた成膜を行うことにより、透明基板11の周縁に端子部分を引き出した形状に導電性層2を形成する。   First, the calcium-containing layer 1 is formed on the transparent substrate 11 so as to have a film thickness of 2 nm or less. Next, the conductive layer 2 made of silver (or an alloy containing silver as a main component) is formed to have a film thickness of 6 nm to 20 nm. In the above film formation, an appropriate film formation method such as the above-described vapor deposition method or sputtering method is applied. In forming the conductive layer 2, the conductive layer 2 is formed in a shape in which a terminal portion is drawn around the periphery of the transparent substrate 11 by performing film formation using, for example, a mask as necessary.

次に導電性層2上に、発光層3aを含む発光機能層3を成膜する。発光機能層3を構成する各層の成膜は、適宜選択された成膜法を適用して行われる。また発光機能層3を構成する各層の成膜においては、必要に応じて例えばマスクを用いた成膜を行うことにより、導電性層2の端子部分を露出させる形状に発光機能層3を構成する各層を形成する。   Next, the light emitting functional layer 3 including the light emitting layer 3 a is formed on the conductive layer 2. Film formation of each layer constituting the light emitting functional layer 3 is performed by applying an appropriately selected film formation method. In forming the light-emitting functional layer 3, the light-emitting functional layer 3 is formed in a shape that exposes the terminal portion of the conductive layer 2 by performing film formation using a mask, for example, as necessary. Each layer is formed.

次いで発光機能層3上に、対向電極5を成膜する。対向電極5の成膜は、蒸着法やスパッタ法などの適宜の成膜法を適用して成膜する。また対向電極5の成膜においては、必要に応じて例えばマスクを用いた成膜を行うことにより、発光機能層3によって導電性層2との間の絶縁状態を保ちつつ、透明基板11の周縁に対向電極5の端子部分を引き出した形状に形成する。   Next, the counter electrode 5 is formed on the light emitting functional layer 3. The counter electrode 5 is formed by applying an appropriate film forming method such as vapor deposition or sputtering. Further, in forming the counter electrode 5, for example, by using a mask as necessary, the periphery of the transparent substrate 11 is maintained while maintaining the insulating state between the light emitting functional layer 3 and the conductive layer 2. The terminal part of the counter electrode 5 is formed in a shape drawn out.

以上により、透明基板11側から発光光hを取り出すボトムエミッション型の有機EL素子40が得られる。またその後には、有機EL素子40における導電性層2および対向電極5の端子部分を露出させた状態で、少なくとも発光機能層3を覆う封止材を設ける。この際、接着剤を用いて、封止材を透明基板11側に接着し、これらの封止材−透明基板11間に有機EL素子40の発光機能層3を封止する。   Thus, the bottom emission type organic EL element 40 that takes out the emitted light h from the transparent substrate 11 side is obtained. Thereafter, a sealing material that covers at least the light-emitting functional layer 3 is provided in a state where the conductive layer 2 and the terminal portion of the counter electrode 5 in the organic EL element 40 are exposed. At this time, the sealing material is bonded to the transparent substrate 11 side using an adhesive, and the light emitting functional layer 3 of the organic EL element 40 is sealed between the sealing material and the transparent substrate 11.

以上のような有機EL素子40の作製においては、一回の真空引きで一貫して発光機能層3から対向電極5まで作製するのが好ましいが、途中で真空雰囲気から透明基板11を取り出して異なる成膜法を施しても構わない。その際、作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行う等の配慮が必要となる。   In the production of the organic EL element 40 as described above, it is preferable to produce from the light emitting functional layer 3 to the counter electrode 5 consistently by a single evacuation. However, the transparent substrate 11 is taken out from the vacuum atmosphere on the way and is different. A film forming method may be applied. At that time, it is necessary to consider that the work is performed in a dry inert gas atmosphere.

尚、上述したカルシウム含有層1〜対向電極5の形成は、各層を成膜した後に、成膜された各層を所定形状にパターニングするようにしても良い。また導電性層2の形成前後には、必要に応じて補助電極のパターン形成を行っても良い。   In addition, formation of the calcium containing layer 1-the counter electrode 5 mentioned above may be made to pattern each layer formed into a predetermined shape after forming each layer into a film. In addition, before and after the formation of the conductive layer 2, an auxiliary electrode pattern may be formed as necessary.

このようにして得られた有機EL素子40に直流電圧を印加する場合には、導電性層2と対向電極5との間に電圧2V以上40V以下程度を印加すると発光が観測できる。また交流電圧を印加してもよい。尚、印加する交流の波形は任意でよい。   When a direct current voltage is applied to the organic EL element 40 thus obtained, light emission can be observed by applying a voltage of about 2 V to about 40 V between the conductive layer 2 and the counter electrode 5. An alternating voltage may be applied. The alternating current waveform to be applied may be arbitrary.

<効果>
以上のように構成された有機EL素子40は、導電性と光透過性とを兼ね備えた透明電極10を発光光hの取り出す側の電極として用い、透明電極10のカルシウム含有層1との間に導電性層2を挟持する位置に設けられた発光機能層3と、透明電極10との間に発光機能層3を挟持する状態で設けられた対向電極5とを備えた構成である。
これにより、有機EL素子40は、後述する実施例に示されるように所定輝度や色度を得るための駆動電圧の低減により、寿命の向上が図られたものとなる。したがって、素子の性能の向上が図られたものとなる。
<Effect>
The organic EL element 40 configured as described above uses the transparent electrode 10 having both conductivity and light transmittance as an electrode on the side from which the emitted light h is extracted, and between the calcium-containing layer 1 of the transparent electrode 10. The light emitting functional layer 3 is provided at a position where the conductive layer 2 is sandwiched, and the counter electrode 5 is provided between the transparent electrode 10 and the light emitting functional layer 3.
As a result, the organic EL element 40 has an improved lifetime due to a reduction in driving voltage for obtaining a predetermined luminance and chromaticity as shown in examples described later. Therefore, the device performance is improved.

すなわち、有機EL素子40は、導電性及び光透過性の良好な透明電極10を備えたことで、所定輝度や色度を得るための駆動電圧の低減により、寿命の向上が図られ、性能の向上が図られたものとなる。   That is, the organic EL element 40 is provided with the transparent electrode 10 having good conductivity and light transmissivity, so that the lifetime is improved by reducing the driving voltage for obtaining a predetermined luminance and chromaticity. Improvement will be achieved.

また、透明電極として、図2に示す透明電極20、又は図3に示す透明電極30を用いた場合には、有機EL素子は、上記効果に加えてさらに駆動電圧を抑制できることにより、寿命の向上が図られ、さらに性能の向上が図られたものとなる。
そして特に、透明電極20、又は透明電極30の下地層21を光学調整層で形成した場合には、導電性層2の反射率や透過率等の光学特性を調整することが可能となり、金属材料本来の吸収を低減することができる。したがって、このような光学調整層を有する透明電極を用いた有機EL素子の場合には、上記効果に加えてさらに駆動電圧を抑制できることにより、寿命の向上が図られ、そして特に色度の視野角特性の向上が図られたものとなる。したがって、素子の性能の向上がさらに図られたものとなる。
Further, when the transparent electrode 20 shown in FIG. 2 or the transparent electrode 30 shown in FIG. 3 is used as the transparent electrode, the organic EL element can further reduce the driving voltage in addition to the above effects, thereby improving the lifetime. As a result, the performance is further improved.
In particular, when the transparent electrode 20 or the base layer 21 of the transparent electrode 30 is formed of an optical adjustment layer, it is possible to adjust the optical characteristics such as reflectance and transmittance of the conductive layer 2, and a metal material. The original absorption can be reduced. Therefore, in the case of an organic EL device using a transparent electrode having such an optical adjustment layer, the driving voltage can be further suppressed in addition to the above-described effect, thereby improving the lifetime, and in particular, the viewing angle of chromaticity. The characteristics are improved. Therefore, the device performance is further improved.

≪6.第6実施形態:電子デバイス(有機EL素子)の用途≫
図4に示す有機EL素子40は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源などの電子デバイスとして適用することができる。発光光源としては、例えば、家庭用照明や車内照明などの照明装置、時計や液晶用のバックライト、看板広告用照明、信号機の光源、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、これに限定するものではない。特にカラーフィルターと組み合わせた液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。
≪6. Sixth Embodiment: Use of Electronic Device (Organic EL Element) >>
The organic EL element 40 shown in FIG. 4 can be applied as an electronic device such as a display device, a display, and various light emission sources. Examples of light sources include lighting devices such as home lighting and interior lighting, backlights for watches and liquid crystals, lighting for billboard advertisements, light sources for traffic lights, light sources for optical storage media, light sources for electrophotographic copying machines, and optical communication. Examples include, but are not limited to, a light source of a processing machine and a light source of an optical sensor. In particular, it can be effectively used as a backlight of a liquid crystal display device combined with a color filter and a light source for illumination.

以下、実施例に基づいて本発明を具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated concretely based on an Example, this invention is not limited to a following example.

≪透明電極の作製≫
以降の表1に構成を示すように、試料101〜138の各透明電極を、導電性領域の面積が5cm×5cmとなるように作製した。
≪Preparation of transparent electrode≫
As shown in the following Table 1, each of the transparent electrodes of Samples 101 to 138 was fabricated so that the area of the conductive region was 5 cm × 5 cm.

<試料101の透明電極の作製手順>
以下のようにして、ガラス製の透明基板上に、膜厚10nmで銀(Ag)からなる導電性層を透明電極として形成した。
<Procedure for producing transparent electrode of sample 101>
A conductive layer made of silver (Ag) with a thickness of 10 nm was formed as a transparent electrode on a glass transparent substrate as follows.

先ず、透明な無アルカリガラス製の基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、銀(Ag)をタングステン製の抵抗加熱ボートに入れた。次に、これらの基板ホルダーと加熱ボートとを真空槽内に取り付けた。次いで、真空槽を4×10-4Paまで減圧した後、抵抗加熱ボートを通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒〜0.2nm/秒で、膜厚10nmの銀(Ag)からなる導電性層を形成した。 First, a transparent alkali-free glass substrate was fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum deposition apparatus, and silver (Ag) was placed in a resistance heating boat made of tungsten. Next, these substrate holders and a heating boat were mounted in a vacuum chamber. Next, after reducing the vacuum chamber to 4 × 10 −4 Pa, the resistance heating boat was energized and heated, and the deposition rate was 0.1 nm / second to 0.2 nm / second, and the film was formed from 10 nm thick silver (Ag). A conductive layer was formed.

<試料102の透明電極の作製手順>
透明基板をポリエチレンテレフタレート(PET)製の基板で形成したこと以外は、上記試料101と同様の手順で試料102の透明電極を作製した。
<Procedure for Producing Transparent Electrode of Sample 102>
A transparent electrode of Sample 102 was prepared in the same procedure as Sample 101, except that the transparent substrate was formed of a polyethylene terephthalate (PET) substrate.

<試料103の透明電極の作製手順>
透明基板をポリエチレンナフタレート(PEN)製の基板で形成したこと以外は、上記試料101と同様の手順で試料103の透明電極を作製した。
<Procedure for Producing Transparent Electrode of Sample 103>
A transparent electrode of Sample 103 was prepared in the same procedure as Sample 101 except that the transparent substrate was formed of a polyethylene naphthalate (PEN) substrate.

<試料104の透明電極の作製手順>
以下のようにして、導電性層を形成する前に酸化チタン(TiO)で構成された下地層を形成したこと以外は、上記試料101と同様の手順で、試料104の透明電極を作製した。
<Procedure for Producing Transparent Electrode of Sample 104>
A transparent electrode of Sample 104 was prepared in the same manner as Sample 101 except that a base layer composed of titanium oxide (TiO 2 ) was formed before forming the conductive layer as follows. .

先ず、ガラス製の透明基板を市販の電子ビーム蒸着装置の基板ホルダーに固定し、酸化チタン(TiO)を銅(Cu)製のハースライナーに入れた。次に、これらの基板ホルダーとハースライナーとを電子ビーム蒸着装置の真空槽内に取り付けた。また、タングステン製の抵抗加熱ボートに銀(Ag)を入れ、市販の真空蒸着装置の真空槽に取り付けた。 First, a transparent substrate made of glass was fixed to a substrate holder of a commercially available electron beam evaporation apparatus, and titanium oxide (TiO 2 ) was placed in a hearth liner made of copper (Cu). Next, these substrate holders and hearth liners were mounted in a vacuum chamber of an electron beam evaporation apparatus. Moreover, silver (Ag) was put into the resistance heating boat made from tungsten, and it attached to the vacuum chamber of a commercially available vacuum evaporation system.

次いで、電子ビーム蒸着装置の真空槽を2×10-2Paまで減圧した後、酸化チタン(TiO)の入った銅(Cu)製のハースライナーに電子ビームを照射して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒〜0.2nm/秒で、膜厚30nmの酸化チタン(TiO)で構成された下地層を設けた。 Next, the vacuum chamber of the electron beam evaporation apparatus is depressurized to 2 × 10 −2 Pa, and then a copper (Cu) hearth liner containing titanium oxide (TiO 2 ) is irradiated with an electron beam and heated to evaporate the film. An underlayer composed of titanium oxide (TiO 2 ) having a thickness of 30 nm and a thickness of 0.1 nm / second to 0.2 nm / second was provided.

次いで、下地層まで形成した透明基板上に、銀からなる導電性層を試料101の作製手順で説明したのと同様の手順で形成した。   Next, a conductive layer made of silver was formed on the transparent substrate formed up to the base layer by the same procedure as described in the procedure for manufacturing the sample 101.

<試料105の透明電極の作製手順>
以下のようにして、導電性層を形成する前に酸化ニオブ(Nb)で構成された下地層を形成したこと以外は、上記試料101と同様の手順で、試料105の透明電極を作製した。
<Procedure for Producing Transparent Electrode of Sample 105>
The transparent electrode of the sample 105 was formed in the same manner as the sample 101 except that the base layer composed of niobium oxide (Nb 2 O 5 ) was formed before forming the conductive layer as follows. Produced.

先ず、ガラス製の透明基板を市販のスパッタ成膜装置の基板ホルダーに固定し、酸化ニオブ(Nb)で構成されたスパッタターゲットをスパッタ成膜装置の真空槽に取り付けた。また、タングステン製の抵抗加熱ボートに銀(Ag)を入れ、市販の真空蒸着装置の真空槽に取り付けた。 First, a glass transparent substrate was fixed to a substrate holder of a commercially available sputter deposition apparatus, and a sputter target composed of niobium oxide (Nb 2 O 5 ) was attached to a vacuum chamber of the sputter deposition apparatus. Moreover, silver (Ag) was put into the resistance heating boat made from tungsten, and it attached to the vacuum chamber of a commercially available vacuum evaporation system.

次に、スパッタ成膜装置の真空槽を4×10-4Paまで減圧した後、アルゴンガスを導入し、真空槽内を0.4Paに調整し、RF(高周波)バイアス300Wとし、成膜速度0.2nm/秒で、膜厚30nmの酸化ニオブ(Nb)で構成された下地層を設けた。 Next, after reducing the vacuum chamber of the sputter deposition apparatus to 4 × 10 −4 Pa, argon gas is introduced, the inside of the vacuum chamber is adjusted to 0.4 Pa, RF (high frequency) bias is 300 W, and the deposition rate is increased. An underlayer composed of niobium oxide (Nb 2 O 5 ) with a thickness of 30 nm and a thickness of 0.2 nm / second was provided.

次いで、下地層まで形成した透明基板上に、銀からなる導電性層を試料101の作製手順で説明したのと同様の手順で形成した。   Next, a conductive layer made of silver was formed on the transparent substrate formed up to the base layer by the same procedure as described in the procedure for manufacturing the sample 101.

<試料106〜110の透明電極の作製手順>
下地層を下記表1に示す各化合物で形成したこと以外は、上記試料105と同様の手順で試料106〜110の透明電極を作製した。
<Procedure for producing transparent electrodes of samples 106 to 110>
Transparent electrodes of Samples 106 to 110 were prepared in the same procedure as Sample 105 except that the underlayer was formed of each compound shown in Table 1 below.

<試料111、112の透明電極の作製手順>
以下のようにして、導電性層を形成する前に下記表1に示す各化合物で構成された下地層を形成したこと以外は、上記試料101と同様の手順で、試料111、112の透明電極を作製した。
<Procedure for Producing Transparent Electrodes of Samples 111 and 112>
The transparent electrodes of Samples 111 and 112 were processed in the same manner as Sample 101, except that a base layer composed of each compound shown in Table 1 was formed before forming the conductive layer as follows. Was made.

先ず、透明基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、下記表1に示す各化合物をタンタル製の抵抗加熱ボートに入れ、これらの基板ホルダーと抵抗加熱ボートとを真空蒸着装置の第1真空槽内に取り付けた。また、タングステン製の抵抗加熱ボートに銀(Ag)を入れ、真空蒸着装置の第2真空槽内に取り付けた。   First, a transparent substrate is fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum deposition apparatus, and each compound shown in Table 1 below is placed in a resistance heating boat made of tantalum, and these substrate holder and resistance heating boat are connected to the first of the vacuum deposition apparatus. Installed in a vacuum chamber. Moreover, silver (Ag) was put into the resistance heating boat made from tungsten, and it attached in the 2nd vacuum chamber of a vacuum evaporation system.

ここで用いた化合物の有機材料A、有機材料Bは、窒素を含有する窒素含有化合物である。   The organic material A and the organic material B of the compound used here are nitrogen-containing compounds containing nitrogen.

次に、第1真空槽を4×10-4Paまで減圧した後、各化合物の入った加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒〜0.2nm/秒で透明基板上に膜厚30nmの下地層を成膜した。 Next, after reducing the pressure in the first vacuum tank to 4 × 10 −4 Pa, the heating boat containing the respective compounds was energized and heated, and on the transparent substrate at a deposition rate of 0.1 nm / second to 0.2 nm / second. An underlayer having a thickness of 30 nm was formed on the substrate.

次いで、下地層まで形成した透明基板を真空のまま第2真空槽に移し、銀からなる導電性層を試料101の作製手順で説明したのと同様の手順で形成した。   Next, the transparent substrate formed up to the base layer was transferred to the second vacuum chamber in a vacuum, and a conductive layer made of silver was formed in the same procedure as described in the procedure for manufacturing the sample 101.

<試料113の透明電極の作製手順>
以下のようにして、導電性層を形成する前にカルシウム(Ca)で構成されたカルシウム含有層を形成したこと以外は、上記試料101の透明電極と同様の手順で、試料113の透明電極を作製した。
<Procedure for Producing Transparent Electrode of Sample 113>
The transparent electrode of the sample 113 was formed in the same procedure as the transparent electrode of the sample 101 except that a calcium-containing layer composed of calcium (Ca) was formed before forming the conductive layer as follows. Produced.

先ず、透明基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、カルシウム(Ca)をタンタル製の抵抗加熱ボートに入れ、これらの基板ホルダーと抵抗加熱ボートとを真空蒸着装置の第1真空槽内に取り付けた。また、タングステン製の抵抗加熱ボートに銀(Ag)を入れ、真空蒸着装置の第2真空槽内に取り付けた。   First, a transparent substrate is fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum deposition apparatus, calcium (Ca) is placed in a resistance heating boat made of tantalum, and these substrate holder and resistance heating boat are placed in the first vacuum chamber of the vacuum deposition apparatus. Attached to. Moreover, silver (Ag) was put into the resistance heating boat made from tungsten, and it attached in the 2nd vacuum chamber of a vacuum evaporation system.

次に、第1真空槽を4×10-4Paまで減圧した後、カルシウム(Ca)の入った加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒〜0.2nm/秒で透明基板上に膜厚1nmのカルシウム含有層を成膜した。 Next, after reducing the pressure of the first vacuum tank to 4 × 10 −4 Pa, the heating boat containing calcium (Ca) is energized and heated, and transparent at a deposition rate of 0.1 nm / second to 0.2 nm / second. A calcium-containing layer having a thickness of 1 nm was formed on the substrate.

次いで、カルシウム含有層まで形成した透明基板を真空のまま第2真空槽に移し、銀からなる導電性層を試料101の作製手順で説明したのと同様の手順で形成した。   Next, the transparent substrate formed up to the calcium-containing layer was transferred to the second vacuum chamber in a vacuum, and a conductive layer made of silver was formed in the same procedure as described in the procedure for preparing Sample 101.

<試料114、115の透明電極の作製手順>
透明基板を下記表1に示す材料で形成した以外は、上記試料113と同様の手順で試料114、115の透明電極を作製した。
<Procedure for producing transparent electrodes of samples 114 and 115>
Transparent electrodes of Samples 114 and 115 were produced in the same procedure as Sample 113 except that the transparent substrate was formed of the material shown in Table 1 below.

<試料116〜122の透明電極の作製手順>
上記試料104〜110の手順における下地層を形成後、導電性層を形成する前にカルシウム(Ca)で構成されたカルシウム含有層を形成し、試料116〜122の透明電極を作製した。尚、カルシウム含有層は、上記試料113と同様の手順を用いて作製した。
<Procedure for Producing Transparent Electrodes of Samples 116-122>
After forming the base layer in the procedure of Samples 104 to 110, a calcium-containing layer composed of calcium (Ca) was formed before forming the conductive layer, and transparent electrodes of Samples 116 to 122 were produced. The calcium-containing layer was produced using the same procedure as that of the sample 113.

<試料123、124の透明電極の作製手順>
上記試料111、112の手順における下地層を形成後、導電性層を形成する前にカルシウム(Ca)で構成されたカルシウム含有層を形成し、試料123、124の透明電極を作製した。尚、カルシウム含有層は、上記試料113と同様の手順を用いて作製した。
<Procedure for Producing Transparent Electrodes of Samples 123 and 124>
After forming the base layer in the procedures of Samples 111 and 112, before forming the conductive layer, a calcium-containing layer composed of calcium (Ca) was formed, and transparent electrodes of Samples 123 and 124 were manufactured. The calcium-containing layer was produced using the same procedure as that of the sample 113.

<試料125の透明電極の作製手順>
以下のようにして、導電性層を銀パラジウム(AgPd)で形成したこと以外は、上記試料117と同様の手順で、試料125の透明電極を作製した。
<Procedure for producing transparent electrode of sample 125>
A transparent electrode of Sample 125 was produced in the same manner as Sample 117 except that the conductive layer was formed of silver palladium (AgPd) as follows.

先ず、ガラス製の透明基板を市販のスパッタ成膜装置の基板ホルダーに固定し、酸化ニオブ(Nb)で構成されたスパッタターゲットをスパッタ成膜装置の真空槽に取り付けた。また、タンタル製抵抗加熱ボートにカルシウム(Ca)を入れ、真空蒸着装置の第1真空槽内に取り付け、タングステン製の各抵抗加熱ボートに銀(Ag)とパラジウム(Pd)をそれぞれ入れ、真空蒸着装置の第2真空槽内に取り付けた。 First, a glass transparent substrate was fixed to a substrate holder of a commercially available sputter deposition apparatus, and a sputter target composed of niobium oxide (Nb 2 O 5 ) was attached to a vacuum chamber of the sputter deposition apparatus. Moreover, calcium (Ca) is put into a resistance heating boat made of tantalum and attached in the first vacuum tank of the vacuum evaporation apparatus, and silver (Ag) and palladium (Pd) are put into each resistance heating boat made of tungsten, and vacuum evaporation is performed. Installed in the second vacuum chamber of the apparatus.

次に、スパッタ成膜装置の真空槽において酸化ニオブ(Nb)で構成された下地層を試料105の作製手順で説明したのと同様の手順で形成した。 Next, an underlayer composed of niobium oxide (Nb 2 O 5 ) was formed in the vacuum chamber of the sputter deposition apparatus in the same procedure as described in the procedure for manufacturing the sample 105.

次に、真空蒸着装置の第1真空槽においてカルシウム(Ca)で構成されたカルシウム含有層を試料113の作製手順で説明したのと同様の手順で形成した。   Next, a calcium-containing layer composed of calcium (Ca) in the first vacuum chamber of the vacuum evaporation apparatus was formed in the same procedure as described in the procedure for manufacturing the sample 113.

次いで、真空蒸着装置の第2真空槽を4×10-4Paまで減圧した後、抵抗加熱ボートへの電流調整によって蒸着速度を調整した共蒸着により、Agにパラジウム(Pd)を5atm%で添加した導電性層を形成した。 Next, after depressurizing the second vacuum tank of the vacuum evaporation system to 4 × 10 −4 Pa, palladium (Pd) was added to Ag at 5 atm% by co-evaporation with the evaporation rate adjusted by adjusting the current to the resistance heating boat. A conductive layer was formed.

<試料126、127の透明電極の作製手順>
導電性層を下記表1に示すそれぞれの化合物で形成したこと以外は、上記試料125と同様の手順で、試料126、127の透明電極を作製した。
<Procedure for Producing Transparent Electrodes of Samples 126 and 127>
Transparent electrodes of Samples 126 and 127 were prepared in the same procedure as Sample 125 except that the conductive layer was formed of each compound shown in Table 1 below.

<試料128〜132の透明電極の作製手順>
カルシウム含有層を下記表1に示すそれぞれの膜厚で形成したこと以外は、上記試料117と同様の手順で、試料128〜132の透明電極を作製した。
<Procedure for Producing Transparent Electrodes of Samples 128 to 132>
Transparent electrodes of Samples 128 to 132 were prepared in the same procedure as Sample 117 except that the calcium-containing layer was formed with each film thickness shown in Table 1 below.

<試料133〜137の透明電極の作製手順>
導電性層を下記表1に示すそれぞれの膜厚で形成したこと以外は、上記試料117と同様の手順で、試料133〜137の透明電極を作製した。
<Procedure for Producing Transparent Electrodes of Samples 133 to 137>
Transparent electrodes of Samples 133 to 137 were prepared in the same procedure as Sample 117 except that the conductive layers were formed with respective film thicknesses shown in Table 1 below.

<試料138の透明電極の作製手順>
導電性層を形成した後に、酸化ニオブ(Nb)で構成された光学調整層を形成したこと以外は、上記試料117と同様の手順で、試料138の透明電極を作製した。尚、酸化ニオブ(Nb)で構成された光学調整層は、上記試料105の下地層と同様の手順を用いて作製した。
<Procedure for Producing Transparent Electrode of Sample 138>
A transparent electrode of Sample 138 was prepared in the same procedure as Sample 117 except that an optical adjustment layer composed of niobium oxide (Nb 2 O 5 ) was formed after the conductive layer was formed. Note that the optical adjustment layer made of niobium oxide (Nb 2 O 5 ) was prepared using the same procedure as that for the underlayer of the sample 105.

<試料124’、124”の透明電極の作製手順>
カルシウム含有層を、膜厚0.1nm、3.0nmでそれぞれ形成したこと以外は、上記試料124と同様の手順で、試料124’、124”の透明電極を作製した。
<Procedure for Producing Sample 124 ', 124 "Transparent Electrode>
Transparent electrodes of Samples 124 ′ and 124 ″ were prepared in the same procedure as Sample 124 except that the calcium-containing layers were formed with thicknesses of 0.1 nm and 3.0 nm, respectively.

<実施例1の各試料の評価1>
上記で作製した試料101〜138の各透明電極について、(1)波長550nmの光に対する光透過率、および(2)面抵抗を測定した。
<Evaluation 1 of each sample of Example 1>
About each transparent electrode of the samples 101-138 produced above, (1) the light transmittance with respect to the light of wavelength 550nm, and (2) surface resistance were measured.

(1)光透過率の測定は、分光光度計(日立製作所製U−3300)を用い、試料と同じ透明基板をベースラインとして行った。
(2)面抵抗の測定は、抵抗率計(三菱化学社製MCP−T610)を用い、4端子4探針法定電流印加方式で行った。
(1) The light transmittance was measured using a spectrophotometer (U-3300 manufactured by Hitachi, Ltd.) and using the same transparent substrate as the sample as a baseline.
(2) The surface resistance was measured using a resistivity meter (MCP-T610 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) by a 4-terminal 4-probe method constant current application method.

試料101〜138の構成、並びに、透過率(%)、及び、面抵抗(Ω/sq.)の測定結果を下記表1に示す。   The configuration of Samples 101 to 138 and the measurement results of transmittance (%) and sheet resistance (Ω / sq.) Are shown in Table 1 below.

<実施例1の評価結果1>
表1から明らかなように、試料101〜103、113〜115の各透明電極、すなわち、透明基板と導電性層との間にカルシウム含有層を有することのみが異なる各透明電極を比較すると、カルシウム含有層を有する試料113〜115の各透明電極の方が、光透過率が61%以上であるにもかかわらず、面抵抗値も13.7Ω/sq.未満であり、導電性の向上と光透過性の向上との両立が図られた透明電極であることが確認された。
これは、透明基板と導電性層との間にカルシウム含有層を有することのみが異なる試料104〜112と、試料116〜124との各透明電極の評価結果の比較からも確認された。
<Evaluation result 1 of Example 1>
As is clear from Table 1, when comparing each transparent electrode of Samples 101 to 103, 113 to 115, that is, each transparent electrode that differs only in having a calcium-containing layer between the transparent substrate and the conductive layer, Although each of the transparent electrodes of the samples 113 to 115 having the containing layer has a light transmittance of 61% or more, the sheet resistance value is also 13.7 Ω / sq. It was confirmed that the transparent electrode was compatible with both improved conductivity and improved light transmission.
This was also confirmed from a comparison of the evaluation results of the transparent electrodes of Samples 104 to 112 and Samples 116 to 124, which differ only in having a calcium-containing layer between the transparent substrate and the conductive layer.

また、試料113と試料116〜124の各透明電極、すなわち透明基板とカルシウム含有層との間にさらに下地層を有することのみが異なる各透明電極を比較すると、下地層を有する試料116〜124の各透明電極の方が、透過率が62%以上と高く、かつ、面抵抗が12.8Ω/sq.以下とさらに抑制できることが確認された。   Moreover, when comparing each transparent electrode of the sample 113 and the samples 116 to 124, that is, each transparent electrode that is different only in having an underlayer between the transparent substrate and the calcium-containing layer, the samples 116 to 124 having the underlayer are compared. Each transparent electrode has a higher transmittance of 62% or more and a sheet resistance of 12.8 Ω / sq. It was confirmed that the following can be further suppressed.

また、試料123、124の各透明電極、すなわち下地層を構成する化合物のみが異なる各透明電極を比較すると、有機材料Bで構成された下地層を有する試料124は、有機材料Aで構成された下地層を有する試料123と比べて、さらに面抵抗が良好な結果となることが確認された。この結果から、下地層としては、銀原子と相互作用し、安定的に結合する窒素の含有量が多い下地層であることが好ましいと考えられる。   Further, comparing each transparent electrode of samples 123 and 124, that is, each transparent electrode that is different only in the compound constituting the underlayer, sample 124 having the underlayer composed of organic material B was composed of organic material A. It was confirmed that the sheet resistance was further improved as compared with the sample 123 having the underlayer. From this result, it is considered that the underlayer is preferably an underlayer having a high content of nitrogen that interacts with silver atoms and stably bonds.

また、試料117と試料125〜127の各透明電極、すなわち導電性層を構成する化合物のみが異なる各透明電極を比較すると、銀を主成分とした合金で構成された導電性層を有する試料125〜127の各透明電極は、光透過率が良好な結果となることが確認された。また一方で、銀で構成された導電層を有する試料117の透明電極は、面抵抗が良好な結果となることが確認された。   Further, comparing each transparent electrode of Sample 117 and Samples 125 to 127, that is, each transparent electrode that is different only in the compound constituting the conductive layer, Sample 125 having the conductive layer composed of an alloy containing silver as a main component. It was confirmed that each transparent electrode of -127 has a favorable light transmittance. On the other hand, it was confirmed that the transparent electrode of the sample 117 having a conductive layer made of silver had a favorable surface resistance.

また、試料117と試料128〜132の各透明電極、すなわちカルシウム含有層の膜厚のみが異なる各透明電極を比較すると、膜厚が2nm以下の範囲で構成されているカルシウム含有層を有する試料117、128〜131の各透明電極は、この数値範囲外の試料132と比較して、透過率が61%以上と高く、かつ、面抵抗が13.4Ω/sq.以下に抑えられている。さらに、カルシウム含有層の膜厚が0.1〜2nmの範囲の試料117、129〜131の各透明電極は、この数値範囲外の試料と比較して、さらに光透過率が高く、面抵抗が抑制されていることが確認された。また特に、カルシウム含有層の膜厚が0.5〜2nmの範囲の試料117、130、131の各透明電極においては、この数値範囲外の試料と比較して、さらに光透過率が高く、面抵抗が抑制されていることが確認された。   Further, when comparing the transparent electrodes of Sample 117 and Samples 128 to 132, that is, transparent electrodes that differ only in the thickness of the calcium-containing layer, Sample 117 having a calcium-containing layer having a thickness of 2 nm or less. , 128 to 131 have a transmittance as high as 61% or more and a surface resistance of 13.4 Ω / sq. It is suppressed to the following. Further, each of the transparent electrodes of the samples 117 and 129 to 131 in which the film thickness of the calcium-containing layer is in the range of 0.1 to 2 nm has a higher light transmittance and surface resistance than the samples outside this numerical range. It was confirmed that it was suppressed. In particular, in the transparent electrodes of the samples 117, 130, and 131 in which the thickness of the calcium-containing layer is in the range of 0.5 to 2 nm, the light transmittance is higher than that of the sample outside this numerical range. It was confirmed that the resistance was suppressed.

また、試料117と試料133〜137の各透明電極、すなわち導電性層の膜厚のみが異なる各透明電極を比較すると、膜厚が6〜20nmの範囲で構成されている導電性層を有する試料117、134〜136の各透明電極は、この数値範囲外の試料133、137と比較して、透過率が60%以上と高く、かつ、面抵抗が11.3Ω/sq.以下に抑えられている。またさらに導電性層の膜厚が6〜15nmの範囲の試料117、134、135の各試料においては、この数値範囲外の試料と比較して、さらに光透過率が高く、面抵抗が抑制されていることが確認された。   Moreover, when each transparent electrode of the sample 117 and the samples 133-137, ie, each transparent electrode from which only the film thickness of an electroconductive layer differs is compared, the sample which has the electroconductive layer comprised in the range of 6-20 nm in film thickness Each of the transparent electrodes 117 and 134 to 136 has a transmittance as high as 60% or more and a surface resistance of 11.3 Ω / sq. It is suppressed to the following. Further, in each of the samples 117, 134, and 135 in which the film thickness of the conductive layer is in the range of 6 to 15 nm, the light transmittance is higher and the sheet resistance is suppressed compared to the samples outside this numerical range. It was confirmed that

以上の結果から、カルシウム含有層と導電性層を最適膜厚とすることにより、カルシウム含有層のカルシウム(Ca)原子と導電性層の銀(Ag)原子とがより相互作用しやすくなり、導電性の向上と光透過性の向上との両立が図られた透明電極が得られると考えられる。   From the above results, by setting the calcium-containing layer and the conductive layer to the optimum film thickness, the calcium (Ca) atoms in the calcium-containing layer and the silver (Ag) atoms in the conductive layer are more likely to interact with each other. It is considered that a transparent electrode can be obtained in which both the improvement of the property and the improvement of the light transmittance are achieved.

また、試料117と試料138の各透明電極、すなわち導電性層上にさらに光学調整層を有することのみが異なる各透明電極を比較すると、導電性層上にさらに光学調整層を有する試料138の透明電極は、さらに光透過率が高く、面抵抗が抑制されていることが確認された。   Further, when comparing each transparent electrode of Sample 117 and Sample 138, that is, each transparent electrode that is different only in having an optical adjustment layer on the conductive layer, the transparency of Sample 138 having an optical adjustment layer on the conductive layer is compared. It was confirmed that the electrode had higher light transmittance and suppressed sheet resistance.

以上の結果は、透明基板がポリエチレンテレフタレート(PET)製の基板であってもポリエチレンナフタレート(PEN)製の基板であっても同様であった。   The above results were the same whether the transparent substrate was a polyethylene terephthalate (PET) substrate or a polyethylene naphthalate (PEN) substrate.

<実施例1の各試料の評価2>
上記試料101,111,112,124,124’,124”の各透明電極の走査型電子顕微鏡による二次電子像(SEM画像 倍率:10万倍)を、図5〜図10に示す。
<Evaluation 2 of each sample of Example 1>
5 to 10 show secondary electron images (SEM image magnification: 100,000 times) of the transparent electrodes of the samples 101, 111, 112, 124, 124 ′, and 124 ″ by a scanning electron microscope.

<実施例1の評価結果2>
図5〜図10に示すように、試料101,111,112,124,124’,124”の各透明電極を比較すると、次に説明するとおり、透明電極の層構成によって銀からなる導電性層の成膜状態が異なることが明らかであった。
<Evaluation result 2 of Example 1>
As shown in FIGS. 5 to 10, when comparing the transparent electrodes of the samples 101, 111, 112, 124, 124 ′, 124 ″, as described below, the conductive layer made of silver by the layer configuration of the transparent electrodes It was clear that the film formation states were different.

すなわち、図5〜図7に示すように、透明基板と導電性層との間にカルシウム含有層を有しない比較例の試料101,111,112の各透明電極は、導電性層を構成する銀(図中の白表示部)の連続性が低く、導電性層で被覆されていない部分(図中の黒表示部)が目立っている。   That is, as shown in FIGS. 5 to 7, each of the transparent electrodes of the samples 101, 111, and 112 of the comparative example having no calcium-containing layer between the transparent substrate and the conductive layer is silver constituting the conductive layer. The continuity of the (white display portion in the figure) is low, and the portion not covered with the conductive layer (black display portion in the figure) is conspicuous.

一方、図8〜図10に示すように、透明基板と導電性層との間にカルシウム含有層を有する本発明の試料124,124’,124”の各透明電極は、導電性層を構成する銀が連続していた。したがって、薄いながらも均一な厚さで、安定な膜質の導電性層が形成されていることが確認された。   On the other hand, as shown in FIGS. 8 to 10, each transparent electrode of the samples 124, 124 ′, 124 ″ of the present invention having a calcium-containing layer between the transparent substrate and the conductive layer constitutes a conductive layer. Therefore, it was confirmed that a conductive layer having a stable film quality was formed with a uniform thickness even though it was thin.

また特に、層構成が同様でカルシウム含有層の膜厚のみ異なる試料124,124’,124”の各透明電極を比べると、カルシウム含有層の膜厚が2.0nm以下の試料124,124’の各透明電極は、銀に被覆されていない部分はほとんどなく、導電性層を構成する銀の連続性が高いことが確認された。   In particular, when the transparent electrodes of samples 124, 124 ′, and 124 ″ having the same layer structure and different only the thickness of the calcium-containing layer are compared, the samples 124 and 124 ′ having a calcium-containing layer thickness of 2.0 nm or less are compared. Each transparent electrode has almost no part which is not coat | covered with silver, and it was confirmed that the continuity of the silver which comprises an electroconductive layer is high.

<実施例1の各試料の評価3>
高温環境(温度85℃、乾燥条件)下に試料124,124’,124”の各透明電極を300時間保存した後のSEM画像を、図11〜図14に示す
<Evaluation 3 of each sample of Example 1>
FIGS. 11 to 14 show SEM images after the transparent electrodes of samples 124, 124 ′, and 124 ″ are stored for 300 hours under a high temperature environment (temperature of 85 ° C., drying conditions).

<実施例1の評価結果3>
図11〜図14に示すように、試料124,124’,124”の高温保存後の各透明電極を比較すると、次に説明するとおり、カルシウム含有層の膜厚によって銀からなる導電性層の成膜状態が異なることが明らかであった。尚、図13は、カルシウム含有層の膜厚が1.0nmの試料124の透明電極の一部を示す。
<Evaluation result 3 of Example 1>
As shown in FIG. 11 to FIG. 14, when comparing each transparent electrode of the samples 124, 124 ′, 124 ″ after high-temperature storage, as described below, the conductive layer made of silver depends on the thickness of the calcium-containing layer. 13 shows a part of the transparent electrode of the sample 124 in which the thickness of the calcium-containing layer is 1.0 nm.

すなわち、図11〜図12に示すように、カルシウム含有層の膜厚が2.0nm以下の試料124,124’の各透明電極は、高温保存後において成膜時における微細な欠陥部がほとんど広がることなく、導電性層を構成する銀の連続性が高いことが確認された。但し、図13に示すように、試料124の透明電極においては、成膜時における微細な欠陥部の広がりが一部確認された。   That is, as shown in FIGS. 11 to 12, in the transparent electrodes of the samples 124 and 124 ′ having a calcium-containing layer thickness of 2.0 nm or less, fine defects at the time of film formation almost spread after storage at high temperature. It was confirmed that the continuity of the silver constituting the conductive layer was high. However, as shown in FIG. 13, in the transparent electrode of the sample 124, a part of the fine defect portion spread at the time of film formation was confirmed.

一方、図14に示すように、カルシウム含有層の膜厚が3.0nmの試料124”の透明電極は、高温保存後において成膜時における欠陥部が広がり、導電性層の連続性が低く、導電性層で被覆されていない部分(図中の黒表示部)が目立っている。   On the other hand, as shown in FIG. 14, the transparent electrode of the sample 124 ″ with the calcium-containing layer having a thickness of 3.0 nm has a defect portion spread during film formation after high temperature storage, and the continuity of the conductive layer is low. The portion not covered with the conductive layer (black display portion in the figure) is conspicuous.

以上の評価結果2、3から、カルシウム含有層を最適膜厚とすることにより、カルシウム含有層のカルシウム(Ca)原子と導電性層の銀(Ag)原子とがより相互作用しやすくなり、薄いながらも均一な厚さで、安定な膜質の導電性層が形成されるものと考えられる。   From the above evaluation results 2 and 3, by setting the calcium-containing layer to the optimum film thickness, the calcium (Ca) atoms of the calcium-containing layer and the silver (Ag) atoms of the conductive layer are more likely to interact and are thin. However, it is considered that a conductive layer having a uniform film thickness and a stable film quality is formed.

以下、実施例2に基づいて本発明を具体的に説明するが、本発明は以下の実施例2に限定されるものではない。   Hereinafter, the present invention will be specifically described based on Example 2, but the present invention is not limited to Example 2 below.

≪ボトムエミッション型の有機EL素子の作製≫
試料201〜237のボトムエミッション型の各有機EL素子を、発光領域の面積が4.5cm×4.5cmとなるように作製した。図15及び下記表2を参照し、作製手順を説明する。尚、下記表2には、試料201〜237の有機EL素子に用いた透明電極の構成を示した。
<< Production of bottom emission type organic EL elements >>
The bottom emission type organic EL elements of Samples 201 to 237 were prepared so that the area of the light emitting region was 4.5 cm × 4.5 cm. The manufacturing procedure will be described with reference to FIG. 15 and Table 2 below. In addition, in the following Table 2, the structure of the transparent electrode used for the organic EL element of the samples 201-237 was shown.

[透明電極10の作製]
先ず、試料201〜237において、まず、上記表1に示した構成の各透明電極を形成した。各構造の透明電極の形成手順は、実施例1で対応する構造の透明電極の作製と同様におこなった。
[Preparation of transparent electrode 10]
First, in the samples 201 to 237, first, each transparent electrode having the configuration shown in Table 1 was formed. The procedure for forming the transparent electrode of each structure was performed in the same manner as in the production of the transparent electrode having the corresponding structure in Example 1.

[発光機能層3の作製]
(正孔輸送・注入層51)
正孔輸送注入材料として先に構造式を示した有機材料A(α−NPD)が入った加熱ボートに通電して加熱し、α−NPDよりなる正孔注入層と正孔輸送層とを兼ねた正孔輸送・注入層51を、透明電極10の導電性層2上に成膜した。この際、蒸着速度0.1nm/秒〜0.2nm/秒、膜厚20nmとした。
[Preparation of Light-Emitting Functional Layer 3]
(Hole transport / injection layer 51)
The heating boat containing the organic material A (α-NPD) having the structural formula shown above as the hole transporting injection material is heated and energized, and serves as both the hole injection layer and the hole transporting layer made of α-NPD. The hole transport / injection layer 51 was formed on the conductive layer 2 of the transparent electrode 10. At this time, the deposition rate was 0.1 nm / second to 0.2 nm / second, and the film thickness was 20 nm.

(発光層52)
次に、下記構造式に示すホスト材料H4の入った加熱ボートと、下記構造式に示す燐光発光性化合物Ir−4の入った加熱ボートとを、それぞれ独立に通電し、ホスト材料H4と燐光発光性化合物Ir−4とよりなる発光層52を、正孔輸送・注入層51上に成膜した。この際、蒸着速度がホスト材料H4:燐光発光性化合物Ir−4=100:6となるように、加熱ボートの通電を調節した。また、発光層52の膜厚は、30nmとした。
(Light emitting layer 52)
Next, the heating boat containing the host material H4 represented by the following structural formula and the heating boat containing the phosphorescent compound Ir-4 represented by the following structural formula were respectively energized independently, so that the host material H4 and the phosphorescent light emission were emitted. The light emitting layer 52 made of the photosensitive compound Ir-4 was formed on the hole transport / injection layer 51. At this time, the energization of the heating boat was adjusted so that the deposition rate was the host material H4: phosphorescent compound Ir-4 = 100: 6. The film thickness of the light emitting layer 52 was 30 nm.

(正孔阻止層53)
次いで、正孔阻止材料として下記構造式に示すBAlqが入った加熱ボートに通電して加熱し、BAlqよりなる正孔阻止層53を、発光層52上に成膜した。この際、蒸着速度0.1nm/秒〜0.2nm/秒、膜厚10nmとした。
(Hole blocking layer 53)
Next, a heating boat containing BAlq represented by the following structural formula as a hole blocking material was energized and heated to form a hole blocking layer 53 made of BAlq on the light emitting layer 52. At this time, the deposition rate was 0.1 nm / second to 0.2 nm / second, and the film thickness was 10 nm.

(電子輸送・注入層54)
その後、電子輸送・注入材料として、先に構造式を示した有機材料Bの入った加熱ボートと、フッ化カリウムの入った加熱ボートとを、それぞれ独立に通電し、有機材料Bとフッ化カリウムとで構成された電子注入層と電子輸送層とを兼ねた電子輸送・注入層54を、正孔阻止層53上に成膜した。この際、蒸着速度が有機材料B:フッ化カリウム=75:25になるように、加熱ボートの通電を調節した。また膜厚30nmとした。
(Electron transport / injection layer 54)
After that, as the electron transport / injection material, the heating boat containing the organic material B shown in the structural formula and the heating boat containing potassium fluoride were energized independently, respectively, and the organic material B and potassium fluoride were supplied. An electron transport / injection layer 54 serving as both an electron injection layer and an electron transport layer, formed of At this time, the energization of the heating boat was adjusted so that the deposition rate was organic material B: potassium fluoride = 75: 25. The film thickness was 30 nm.

[対向電極5の作製]
次いで、発光機能層3が形成された透明基板11を、真空蒸着装置の真空槽内に移送し、真空槽内を4×10-4Paまで減圧した後、真空槽内に取り付けられたアルミニウムの入った加熱ボートを通電して加熱した。これにより、蒸着速度0.3nm/秒で膜厚100nmのアルミニウムからなる対向電極5を形成した。この対向電極5は、陰極として用いられる。
[Preparation of counter electrode 5]
Next, the transparent substrate 11 on which the light emitting functional layer 3 is formed is transferred into a vacuum chamber of a vacuum vapor deposition apparatus, the pressure inside the vacuum chamber is reduced to 4 × 10 −4 Pa, and then the aluminum attached in the vacuum chamber is made. The heated boat was energized and heated. Thus, the counter electrode 5 made of aluminum having a film thickness of 100 nm was formed at a deposition rate of 0.3 nm / second. The counter electrode 5 is used as a cathode.

(素子の封止)
その後、有機EL素子50を、厚さ300μmのガラス基板からなる封止材(図示を省略する)で覆い、有機EL素子50を囲む状態で、封止材と透明基板11との間に接着剤(シール材)を充填した。接着剤としては、エポキシ系光硬化型接着剤(東亞合成社製ラックストラックLC0629B)を用いた。封止材と透明基板11との間に充填した接着剤に対して、ガラス基板からなる封止材側からUV光を照射し、接着剤を硬化させて有機EL素子50を封止した。
(Element sealing)
Thereafter, the organic EL element 50 is covered with a sealing material (not shown) made of a glass substrate having a thickness of 300 μm, and the adhesive is interposed between the sealing material and the transparent substrate 11 so as to surround the organic EL element 50. (Sealing material) was filled. As the adhesive, an epoxy photocurable adhesive (Luxtrac LC0629B manufactured by Toagosei Co., Ltd.) was used. The adhesive filled between the sealing material and the transparent substrate 11 was irradiated with UV light from the side of the sealing material made of a glass substrate, and the adhesive was cured to seal the organic EL element 50.

尚、有機EL素子50の形成においては、各層の形成に蒸着マスクを使用し、5cm×5cmの透明基板11における中央の4.5cm×4.5cmを発光領域とし、発光領域の全周に幅0.25cmの非発光領域を設けた。また、アノードである透明電極10の導電性層2と、カソードである対向電極5とは、正孔輸送・注入層51〜電子輸送・注入層54によって絶縁された状態で、透明基板11の周縁に端子部分を引き出された形状で形成した。   In the formation of the organic EL element 50, a vapor deposition mask is used for forming each layer, the central 4.5 cm × 4.5 cm of the 5 cm × 5 cm transparent substrate 11 is used as the light emitting region, and the width of the entire circumference of the light emitting region is wide. A non-light emitting area of 0.25 cm was provided. Further, the conductive layer 2 of the transparent electrode 10 serving as the anode and the counter electrode 5 serving as the cathode are insulated from each other by the hole transport / injection layer 51 to the electron transport / injection layer 54, and the peripheral edge of the transparent substrate 11. The terminal part was formed in the shape pulled out.

以上のようにして、有機EL素子50を封止材と接着剤とで封止した試料201〜237の有機EL素子50の各発光パネルを得た。これらの各発光パネルにおいては、発光層52で発生した各色の発光光hが、透明基板11側から取り出される。   As described above, each light-emitting panel of the organic EL element 50 of Samples 201 to 237 in which the organic EL element 50 was sealed with the sealing material and the adhesive was obtained. In each of these light emitting panels, each color of emitted light h generated in the light emitting layer 52 is extracted from the transparent substrate 11 side.

<実施例2の各試料の評価>
試料201〜237で作製した有機EL素子50について、(1)駆動電圧(V)、および(2)色度差(Δxy)、(3)高温保存性(ΔV)を測定した。この結果を下記表2に合わせて示す。
<Evaluation of each sample of Example 2>
With respect to the organic EL element 50 produced in Samples 201 to 237, (1) driving voltage (V), (2) chromaticity difference (Δxy), and (3) high temperature storage stability (ΔV) were measured. The results are also shown in Table 2 below.

(1)駆動電圧の測定は、各試料201〜237の各有機EL素子の透明基板11側での正面輝度が1000cd/mとなるときの電圧を駆動電圧として測定した。なお、輝度の測定には分光放射輝度計CS−2000(コニカミノルタセンシング製)を用いた。得られた駆動電圧の数値が小さいほど、好ましい結果であることを表わす。
(2)色変化の測定は、各試料201〜237の各有機EL素子に2.5mA/cmの電流を加え、角度の異なる位置からCIE1931表色系における色度を測定した。この際、透明基板11側の発光面に対する法線方向となる0°の位置と、垂直水平(上下左右)方向にそれぞれ45°の各位置とで色度を測定した。角度の異なる位置において測定した色度の差を、色変化(Δxy)として下記表2に示した。色変化は、色度の視野角特性を表し、数値が小さいほど好ましい結果となる。
(3)高温保存性の測定においては、高温環境(温度85℃、乾燥条件)下に試料201〜237の各有機EL素子を300時間保存した後のシート抵抗を測定した。そして、保存前のシート抵抗に対する保存後のシート抵抗の抵抗上昇率を、高温保存性(ΔV)として算出した。得られた値が小さいほど、好ましい結果であることを表す。この結果を下記表2に合わせて示す。
(1) The drive voltage was measured by measuring the voltage when the front luminance on the transparent substrate 11 side of each organic EL element of each of the samples 201 to 237 was 1000 cd / m 2 as the drive voltage. A spectral radiance meter CS-2000 (manufactured by Konica Minolta Sensing) was used for the measurement of luminance. A smaller value of the obtained drive voltage indicates a more favorable result.
(2) The color change was measured by applying a current of 2.5 mA / cm 2 to each organic EL element of each of the samples 201 to 237, and measuring the chromaticity in the CIE 1931 color system from positions at different angles. At this time, the chromaticity was measured at a position of 0 ° which is a normal direction to the light emitting surface on the transparent substrate 11 side and each position of 45 ° in the vertical horizontal (up, down, left and right) directions. The difference in chromaticity measured at different angles is shown in Table 2 below as color change (Δxy). The color change represents the viewing angle characteristic of chromaticity, and the smaller the value, the better the result.
(3) In the measurement of high temperature storage stability, the sheet resistance after each organic EL element of Samples 201 to 237 was stored for 300 hours under a high temperature environment (temperature of 85 ° C., drying conditions) was measured. And the resistance increase rate of the sheet resistance after the preservation | save with respect to the sheet resistance before a preservation | save was computed as high temperature preservability ((DELTA) V). The smaller the value obtained, the better the result. The results are also shown in Table 2 below.

試料201〜237の構成、並びに、駆動電圧(V)、色度差(Δxy)、及び高温保存性(ΔV)の測定結果を下記表2に示す。   Table 2 below shows the configurations of the samples 201 to 237 and the measurement results of the drive voltage (V), the chromaticity difference (Δxy), and the high temperature storage stability (ΔV).

<実施例2の評価結果>
表2から明らかなように、試料201〜203、試料213〜215の各有機EL素子、すなわち、透明基板と導電性層との間にカルシウム含有層を有する透明電極を備えたことのみが異なる各有機EL素子を比較すると、カルシウム含有層を有しない比較例の試料201〜203の各有機EL素子は、発光しなかった。
これは、カルシウム含有層を有する透明電極を備えたことのみが異なる試料204〜210と、試料216〜222との各有機EL素子の評価結果の比較からも確認された。
<Evaluation results of Example 2>
As is apparent from Table 2, each of the organic EL elements of Samples 201 to 203 and Samples 213 to 215, that is, different only in that a transparent electrode having a calcium-containing layer was provided between the transparent substrate and the conductive layer. When the organic EL elements were compared, each of the organic EL elements of Comparative Examples 201 to 203 having no calcium-containing layer did not emit light.
This was also confirmed from a comparison of the evaluation results of the organic EL elements of Samples 204 to 210 and Samples 216 to 222, which differed only in having a transparent electrode having a calcium-containing layer.

ここで、透明基板と導電性層との間にカルシウム含有層を有しない比較例の試料201〜212の各有機EL素子においては、有機材料Bで構成された下地層を有する試料212の有機EL素子のみ、発光が確認された。しかしながら、試料212の有機EL素子は、カルシウム含有層を有する構成のみ異なる本発明の試料224の有機EL素子と比較すると、駆動電圧、色変化、及び高温保存性において、十分な結果が得られなかった。   Here, in each organic EL element of the samples 201 to 212 of the comparative example that does not have a calcium-containing layer between the transparent substrate and the conductive layer, the organic EL of the sample 212 having a base layer made of the organic material B Only the device was confirmed to emit light. However, when compared with the organic EL element of the sample 224 of the present invention, the organic EL element of the sample 212 differs only in the configuration having the calcium-containing layer, and sufficient results are not obtained in driving voltage, color change, and high-temperature storage stability. It was.

また、本発明のカルシウム含有層の膜厚が2nm以下の範囲の試料217、228〜231の各有機EL素子は、比較例の試料212の有機EL素子と比較して、駆動電圧、色変化、及び高温保存性において良好な結果が得られた。さらに、カルシウム含有層の膜厚が0.1〜2nmの範囲の試料217、229〜231の各有機EL素子は、色変化において、さらに良好な結果が得られた。また特に、カルシウム含有層の膜厚が0.5〜2nmの範囲の試料217、230、231の各有機EL素子においては、駆動電圧、色変化において、さらに良好な結果が得られた。   In addition, each organic EL element of Samples 217 and 228 to 231 in which the film thickness of the calcium-containing layer of the present invention is 2 nm or less is compared with the organic EL element of Sample 212 of the comparative example. In addition, good results were obtained in high temperature storage stability. Furthermore, the organic EL elements of Samples 217 and 229 to 231 in which the film thickness of the calcium-containing layer was in the range of 0.1 to 2 nm gave better results in color change. In particular, in the organic EL elements of Samples 217, 230, and 231 in which the film thickness of the calcium-containing layer is in the range of 0.5 to 2 nm, better results were obtained with respect to driving voltage and color change.

また、本発明の導電性層の膜厚が6〜20nmの範囲の試料217、234〜236の各有機EL素子は、比較例の試料212の有機EL素子と比較して、駆動電圧、色変化、及び高温保存性において良好な結果が得られた。またさらに導電性層の膜厚が6〜15nmの範囲の試料217、234、235の各試料においては、色変化において、さらに良好な結果が得られた。   Moreover, each organic EL element of the samples 217 and 234 to 236 in which the film thickness of the conductive layer of the present invention is in the range of 6 to 20 nm is different from the organic EL element of the sample 212 of the comparative example as compared with the driving voltage and color change. And good results were obtained in high temperature storage stability. Furthermore, in each of the samples 217, 234, and 235 in which the film thickness of the conductive layer was in the range of 6 to 15 nm, better results were obtained in the color change.

以上より、本発明構成の透明電極を用いた有機EL素子は、性能の向上が図られたものであることが確認された。   From the above, it was confirmed that the organic EL device using the transparent electrode having the configuration of the present invention was improved in performance.

なお、本発明は上述の実施形態例において説明した構成に限定されるものではなく、その他本発明構成を逸脱しない範囲において種々の変形、変更が可能である。   The present invention is not limited to the configuration described in the above-described embodiment, and various modifications and changes can be made without departing from the configuration of the present invention.

10,20,30…透明電極、11…透明基板、1…カルシウム含有層、2…導電性層、21…下地層、31…光学調整層、40,50…有機EL素子、3…発光機能層、3a,52…発光層、51…正孔輸送・注入層、53…正孔阻止層、54…電子輸送・注入層   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10,20,30 ... Transparent electrode, 11 ... Transparent substrate, 1 ... Calcium containing layer, 2 ... Conductive layer, 21 ... Underlayer, 31 ... Optical adjustment layer, 40, 50 ... Organic EL element, 3 ... Light emission functional layer 3a, 52 ... light emitting layer, 51 ... hole transport / injection layer, 53 ... hole blocking layer, 54 ... electron transport / injection layer

Claims (9)

透明基板と、
銀を主成分とする導電性層と、
前記透明基板と前記導電性層との間に、該導電性層と接するように設けられた金属カルシウム(Ca)からなるカルシウム層とを有し、
前記導電性層と前記カルシウム層の膜厚比率が10:1〜30:1の範囲内であり、
前記導電性層が前記透明基板に最も近い電極を構成している
透明電極。
A transparent substrate;
A conductive layer mainly composed of silver;
Between the transparent substrate and the conductive layer , having a calcium layer made of metallic calcium (Ca) provided so as to be in contact with the conductive layer ,
The film thickness ratio of the conductive layer and the calcium layer is in the range of 10: 1 to 30: 1 ,
A transparent electrode in which the conductive layer constitutes an electrode closest to the transparent substrate .
前記導電性層の膜厚が10〜20nmの範囲である
請求項1に記載の透明電極。
The transparent electrode according to claim 1, wherein the conductive layer has a thickness of 10 to 20 nm.
前記透明基板と前記カルシウム層との間に、光学調整層を有し、
前記光学調整層は、金属酸化物または金属硫化物で構成されている
請求項1又は2に記載の透明電極。
Between the transparent substrate and the calcium layer, having an optical adjustment layer,
The optical adjustment layer, a transparent electrode according to claim 1 or 2 is composed of a metal oxide or metal sulfide.
前記カルシウム層と前記光学調整層が接している
請求項3に記載の透明電極。
The calcium layer is in contact with the optical adjustment layer
The transparent electrode according to claim 3 .
前記カルシウム層の膜厚が2nm以下の範囲である
請求項1〜4のいずれかに記載の透明電極。
The transparent electrode according to claim 1, wherein the calcium layer has a thickness of 2 nm or less.
前記導電性層と前記カルシウム層が光学調整層により挟持されている
請求項1〜5のいずれかに記載の透明電極。
The transparent electrode according to any one of claims 1 to 5 , wherein the conductive layer and the calcium layer are sandwiched by an optical adjustment layer.
請求項1〜6のいずれかに記載の透明電極を有する
電子デバイス。
Electronic device having a transparent electrode according to claim 1-6.
前記電子デバイスが有機電界発光素子である
請求項7に記載の電子デバイス。
The electronic device is an organic electroluminescent element
The electronic device according to claim 7 .
請求項1〜6のいずれかに記載の透明電極と、
前記透明電極に積層して設けられた発光機能層と、
前記透明電極との間に前記発光機能層を挟持する状態で設けられた対向電極とを備え、
前記発光機能層は、前記カルシウム層との間に前記導電性層を挟持する位置に設けられている
請求項7又は8に記載の電子デバイス。
The transparent electrode according to any one of claims 1 to 6 ,
A light emitting functional layer provided on the transparent electrode,
A counter electrode provided in a state of sandwiching the light emitting functional layer between the transparent electrode,
The electronic device according to claim 7 , wherein the light emitting functional layer is provided at a position where the conductive layer is sandwiched between the light emitting functional layer and the calcium layer .
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