JP6325936B2 - 熱処理装置 - Google Patents

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本発明は、浸炭処理に係る熱処理をワークに施す熱処理装置に関する。
ワークの耐摩耗性を向上させるためには、ワークの表面層に炭素を固溶させる浸炭処理を行うことが一般的である。浸炭処理を行う熱処理装置には、ワークを搬送しながら加熱、浸炭、焼入れ等の熱処理を行う連続式の熱処理装置や、加熱、浸炭、焼入れ等の処理を別々の熱処理炉で行うバッチ式の熱処理装置がある。バッチ式の熱処理装置としては、例えば特許文献1に記載されたような少ない処理量のワークを小型炉で浸炭処理する装置がある。
ワークの浸炭処理品質を向上させるためには、炉内雰囲気を所望の状態に保持することが重要である。これを実現するための1つの方策として、ワークの搬入、搬出時に開閉する仕切扉の開閉制御をより精密に行うことが挙げられる。そのためには、仕切扉の開閉状態をより正確に検知することが求められる。
従来の仕切扉の開閉検知手段の1つとして、仕切扉の開閉に合わせて動作する検知棒を設け、その検知棒が密閉容器外に設けられたリミットスイッチに触れることで仕切扉の開閉を検知する方法があった。しかし、リミットスイッチ式の検知手段は、動作抵抗の偏りや、構造の複雑さに起因する動作不良が懸念される。
その他の開閉検知手段としては、図1に示すような光電センサー64を用いた開閉検知手段もあった。図1は、従来の仕切扉装置60の縦断面図を示しており、ワークの搬送方向は紙面に垂直な方向である。図1に示す仕切扉装置60では、仕切扉61の周囲を囲む壁体62の側壁62a,62bに4つの覗き窓63が設けられ、一方の側壁62aに設けられた投光器64aと、他方の側壁62bに設けられた受光器64bが対向するように配置されている。この光電センサー式の検知手段では、投光器64aで発した光Lが受光器64bで検知できるか否かで仕切扉の上端位置又は下端位置を検知している。
特開2014−070251号公報
しかしながら、光電センサー式の検知手段の場合、リミットスイッチ式の検知手段よりも装置構造が簡易になるという利点はあったが、炉内の浸炭ガスの影響により覗き窓63に煤が付着することがあった(スーティング現象)。また、炉内で飛散する不純物により、覗き窓63が曇ることもあった。
このような場合、センサーの光軸が覗き窓63で遮断されてしまい、仕切扉61の開閉状態を適切に検知できないことがあった。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、簡易構造の仕切扉装置において、スーティング発生時や不純物飛散時であっても仕切扉の開閉状態を適切に検知することを目的とする。
上記課題を解決する本発明は、密閉可能な熱処理炉と、前記熱処理炉の内部雰囲気と外部雰囲気を遮断する仕切扉装置とを備えた、浸炭処理に係る熱処理をワークに施す熱処理装置であって、前記仕切扉装置は、前記熱処理炉のワーク搬送口を開閉する仕切扉と、前記仕切扉の周囲を囲う壁体と、前記壁体の側壁に形成された開口部と、前記開口部に挿入されるように取り付けられた近接センサーとを備え、前記近接センサーと前記壁体との間に、前記開口部を封止するシール部材が設けられていることを特徴としている。
近接センサーは、スーティングや飛散不純物の影響を受けにくいため、熱処理炉内や仕切扉装置内において、スーティングが発生したり不純物が飛散したとしても、センサーとしての機能が失われることはない。即ち、本発明に係る仕切扉装置によれば、スーティング発生時や不純物飛散時においても、仕切扉の開閉状態を適切に検知することができる。
本発明によれば、スーティング発生時や不純物飛散時においても、仕切扉の開閉状態を適切に検知することができる。これにより、仕切扉の精密な開閉制御を行うことができ、浸炭処理品質を向上させることができる。
光電センサーを用いた従来の仕切扉装置の概略構成を示す縦断面図である。 本発明の実施形態に係る熱処理装置の概略構成を示す縦断面図である。 本発明の実施形態に係るワークの載置台及び搬送アームの概略形状を示す平面図である。 本発明の実施形態に係る仕切扉装置の概略構成を示すA−A断面図である。 本発明の実施形態に係る近接センサー取付部の拡大図である。 本発明の別の実施形態に係る熱処理装置の概略構成を示す図である。
以下、本発明の実施形態に係る熱処理装置について、図面を参照しながら説明する。本実施形態に係る熱処理装置は、バッチ式の熱処理装置である。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
図2に示すように、本実施形態に係る熱処理装置1は、ワークWの熱処理を行う熱処理炉2と、熱処理炉2に隣接して設けられた仕切扉装置30とを備えている。
熱処理炉2は、ワークWを搬入して熱処理を行う円筒状の熱処理室2aと、後述の載置台10と搬送アーム20との間でワークWの受け渡しを行う受渡室2bを備えている。受渡室2bは、熱処理室2aの下方に設けられている。熱処理室2aと受渡室2bの間には、ワークWが通過する開口3が形成されている。また、受渡室2bの側壁には、熱処理炉内又は熱処理炉外に搬送されるワークWが通過するワーク搬送口4が形成されている。
熱処理室2aの側壁部5は、外壁(以下、「側壁部外壁5a」という)と、側壁部外壁5aの内側面に設けられた断熱材(以下、「側壁部断熱材5b」という)から成る二重構造となっている。また、側壁部外壁5aの上端及び下端は、熱処理室2aの内方に突出した形状となっている。同様に、側壁部断熱材5bの上端及び下端も熱処理室2aの内方に突出した形状となっている。また、側壁部断熱材5bの上端及び下端は、側壁部外壁5aの上端及び下端よりも熱処理室2aの内方に突出した状態となっている。このため、側壁部5の上端及び下端は、段差形状となっている。
開口3の下方には、ワークWを載置する載置台10が設けられている。載置台10は、昇降ロッド6に接続されている。昇降ロッド6は、受渡室2bの底部を貫通するようにして設けられ、昇降ロッド6を昇降させる昇降装置(不図示)に接続されている。
昇降ロッド6には、熱処理室2aの底部を構成する円板状の底蓋7が取り付けられている。底蓋7は、側壁部5と同様に、外壁(以下、「底蓋外壁7a」という)と、断熱材(以下、「底蓋断熱材7b」という)から成る二重構造となっている。
底蓋断熱材7bの径は、底蓋外壁7aの径よりも小さくなっている。即ち、底蓋7の周縁は段差形状となっている。また、底蓋外壁7aと底蓋断熱材7bにより形成される段差部は、側壁部5の下端の段差形状に係合する形状を有している。即ち、昇降ロッド6が上昇した際には、底蓋外壁7aと底蓋断熱材7bによって、熱処理室2aと受渡室2bとの間の開口3が塞がれる。
また、側壁部5の段差形状と底蓋7の段差形状が係合するように熱処理室2aを構成することで、側壁部5と底蓋7との接触面を増やすことができ、熱処理室2aの気密性を向上させることができる。なお、熱処理室2aの天井部も、側壁部5や底蓋7と同様に二重構造となっている。
次に、ワークWを載置する載置台10と搬送アーム20について説明する。図3は、本実施形態に係る載置台10と搬送アーム20の概略形状を示す平面図である。なお、図3ではワークWの外形を破線で示している。
図3に示すように、載置台10は、中央の円板11と、その円板11から放射状に突出した3つのワーク載置部12が一体となった形状を有している。各ワーク載置部12同士のなす角度は互いに等しくなっており(本実施形態では120°)、各ワーク載置部12の先端部には、ワークWを支持する載置台ピン13が設けられている。
また、搬送アーム20の先端部21は、平面視において三叉形状を有しており、その三叉形状部の先端は、搬送アーム本体から載置台10の円板11の中心に向かうように突出している(ワーク支持部22)。また、ワーク支持部22のうち、三叉形状部の両側部に位置する側部ワーク支持部22aの先端同士の間には隙間23が形成されている。この隙間23は、搬送アーム20の伸縮移動時において、側部ワーク支持部22aが昇降ロッド6に接触しない程度の大きさである。即ち、本実施形態においては、側部ワーク支持部22aの先端同士の距離が昇降ロッド6の径より大きくなるように隙間23が形成されている。
搬送アーム20の各ワーク支持部22は、平面視において載置台10の各ワーク載置部12の間でワークWを支持するように設けられている。各ワーク支持部22同士のなす角度は互いに等しくなっている(本実施形態では120°)。各ワーク支持部22の先端付近には、ワークWの搬送時にワークWを支持する搬送アームピン24が設けられている。
次に、図2、図4に示すように、仕切扉装置30は、受渡室2bのワーク搬送口4を開閉する仕切扉31と、仕切扉31の周囲を囲う壁体32とを備えている。仕切扉31は、シリンダー33に接続されており、昇降移動するように構成されている。
図4,図5に示すように、壁体32の側壁32a,32bのうち、一方の側壁32aの上部及び下部には、側壁32aを貫通するようにして開口部34が形成されている。この開口部34には、近接センサー35が挿入されており、近接センサー35は、図5に示すように、ホルダー36に姿勢を保持されるようにして固定されている。ホルダー36は、側壁32aに固定されている。また、本実施形態においては、センサーヘッド35aが側壁32aの内側面に対して突出するような位置で近接センサー35が固定されている。近接センサー35は、高周波発振形、静電容量形のどちらでも良い。本実施形態に係る仕切扉装置30に適用する場合には、高周波発振形がより好ましい。
本実施形態においては、上記のように取り付けられた近接センサー35により、仕切扉31の上端位置や下端位置を検知している。近接センサー35は、スーティングや飛散不純物の影響を受けにくいため、炉内の浸炭ガスにより壁体内にスーティングが発生した場合、あるいは炉内で生じた不純物が飛散した場合であっても、近接センサー35の性能は低下しない。これにより、スーティング発生時や不純物飛散時においても、仕切扉31の上端位置あるいは下端位置を適切に検知することができる。なお、近接センサー35は、モールド成型品のようにセンサー本体のシール性が確保された一般的なものを採用すれば良い。
また、近接センサー35とホルダー36との間には、Oリング等のシール部材37が設けられている。同様に、ホルダー36と側壁32aとの間にもシール部材37が設けられている。このようにシール部材37が配置されることで、熱処理炉2の内部雰囲気と外部雰囲気が遮断される。これにより、炉内の雰囲気乱れによる熱処理品質の低下を防ぐことができる。
さらに、側壁32aの開口部34においては、近接センサー35やホルダー36が可動しない構成となっているため、シール部材37が、近接センサー35とホルダー36との間やホルダー36と側壁32aとの間において、繰り返し擦れたり、ねじれたりすることがない。これにより、シール部材37の劣化を抑制することができる。その結果、メンテナンス頻度を少なくすることができると共に、開口部34におけるシール性を長時間維持することができる。なお、シール部材37は、真空条件下や高圧条件下においても耐え得るものを採用している。
また、図5に示すように、開口部周辺の側壁32aの外側には、開口部34を覆うようにしてセンサー抜け防止部材38が取り付けられている。センサー抜け防止部材38は、ホルダー36を押えるようにしてボルト39で固定されている。また、センサー抜け防止部材38の中央部には、貫通口(不図示)が形成されており、その貫通口に近接センサー35のコード40が通されている。
このセンサー抜け防止部材38が設けられていることにより、壁体外部への近接センサー35の飛び出しを防ぐことができる。例えば、壁体32の内部圧力が外部圧力よりも大きい場合において、近接センサー35がホルダー36から外れるようなことがあっても、センサー抜け防止部材38により近接センサー35の飛び出しを防ぐことができる。即ち、センサー抜け防止部材38が設けられていることにより、装置としての安全性を向上させることができる。
なお、図示はしていないが、本実施形態における熱処理装置1は、加熱機構やガス導入機構、排気機構等の一般的な熱処理に必要な構成を備えている。例えば、この熱処理装置1において、真空浸炭処理を実施する場合には、浸炭ガスを導入するガス導入管(不図示)が熱処理室2aに接続され、炉内を真空とするための排気管(不図示)が熱処理室2aや受渡室2bに接続される。
以上の通り、本実施形態に係る熱処理装置1は、仕切扉31の開閉検知手段としてスーティングや飛散不純物の影響を受けにくい近接センサー35を設ける構造となっているため、スーティング発生時や不純物飛散時においても、適切に仕切扉31の位置を検知することができる。即ち、スーティング発生時や不純物飛散時においても仕切扉31の精密な開閉制御を行うことができる。その結果、炉内雰囲気を所望の雰囲気に保持しやすくなり、熱処理品質を向上させることができる。
上記の効果は、1度の熱処理で少量(例えば1つ)のワークWを熱処理するといった品質重視の熱処理を行う際に顕著に現れる。なぜなら、少量処理を行う場合には、ワークWの搬入、搬出頻度が高くなり、仕切扉31の開閉頻度が高くなるためである。即ち、従来よりも精密な開閉制御を行う回数が増えることになるため、本発明に係る効果がより大きくなる。
また、少量処理の場合には小型炉を使用することになるため、仕切扉開閉時に炉内雰囲気が乱れやすい傾向にある。しかし、本実施形態に係る熱処理装置1によれば、仕切扉31の開閉制御を従来よりも精密に行うことができるため、炉内雰囲気を従来よりも所望の状態に保持しやすくなる。このため、本実施形態に係る熱処理装置1は、少量処理を行う熱処理装置として採用することが好ましい。
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到しうることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
上記実施形態では、仕切扉装置30の一方の側壁32aの上部及び下部に近接センサー35を配置したが、近接センサー35の配置は、これに限定されない。例えば、一方の側壁32aの上部に近接センサー35を配置し、他方の側壁32bの下部に近接センサー35を配置しても良い。また、側壁32aの開口部34における近接センサー35の取付方法は、上記実施形態で説明したものに限定されない。
また、上記実施形態では、仕切扉31の上端又は下端検知用としてそれぞれ近接センサー35を設けたが、熱処理装置1の構造や特性に応じて、上端検知用又は下端検知用に1つの近接センサー35のみを設ける構成としても良い。例えば、仕切扉装置30の側壁下部においてスーティングが発生しやすく、側壁上部においてスーティングが発生しにくいような場合には、側壁下部に近接センサー35を配置し、側壁上部においては従来の検知手段を用いても良い。ただし、側壁の上部及び下部にそれぞれ近接センサー35を設けた方が、スーティングや飛散不純物に起因する仕切扉31の開閉検知精度の低下をより確実に防ぐことができる。
また、熱処理装置1に生じるスーティングは、従来の仕切扉装置30に設けられていた覗き窓の透光性を低下させるだけでなく、各部品の劣化や性能低下を引き起こす要因にもなる。このため、熱処理炉内においてスーティングの影響を受けにくい対策を施すことが好ましい。
例えば、図6に示すように、熱処理炉2の熱処理室2a内に遮蔽容器50を設けることが好ましい。遮蔽容器50は、熱処理室2a内に搬入されたワークWの周囲を囲うようにして配置されている。また、遮蔽容器50は、容器内の内部雰囲気と外部雰囲気を遮断するような通気性を有しない気密性材料で形成されている。遮蔽容器50には、容器内に浸炭ガスを導入する遮蔽容器用のガス導入管51と、容器内を排気する遮蔽容器用の排気管52が接続される。
このように遮蔽容器50を設けることで、遮蔽容器内に浸炭ガスが留まることになるため、熱処理室2aの内壁においてはスーティングが発生しにくくなる。これにより、熱処理炉2を構成する各部品の劣化や性能低下を防ぐことができる。
また、上記実施形態では、熱処理炉2を熱処理室2aと受渡室2bで構成することとしたが、熱処理炉2は熱処理室2aのみを有する構成としても良い。この場合であっても、仕切扉装置内でスーティングの発生や不純物の飛散が懸念されるため、上記実施形態のように近接センサー35を設けることで、仕切扉の開閉を適切に検知することができる。
また、上記実施形態では、バッチ式の熱処理装置1について説明したが、本発明に係る仕切扉装置30は、浸炭処理を行う連続式の熱処理装置に適用することも可能である。
本発明は、ワークの加熱処理や浸炭処理、焼入れ処理等の熱処理に適用することができる。
1 熱処理装置
2 熱処理炉
2a 熱処理室
2b 受渡室
3 開口
4 ワーク搬送口
5 側壁部
5a 側壁部外壁
5b 側壁部断熱材
6 昇降ロッド
7 底蓋
7a 底蓋外壁
7b 底蓋断熱材
10 載置台
11 円板
12 ワーク載置部
13 載置台ピン
20 搬送アーム
21 搬送アームの先端部
22 ワーク支持部
22a 側部ワーク支持部
23 隙間
24 搬送アームピン
30 仕切扉装置
31 仕切扉
32 壁体
32a 壁体の側壁
32b 壁体の側壁
33 シリンダー
34 開口部
35 近接センサー
35a センサーヘッド
36 ホルダー
37 シール部材
38 センサー抜け防止部材
39 ボルト
40 コード
50 遮蔽容器
51 ガス導入管
52 排気管
60 仕切扉装置
61 仕切扉
62 壁体
62a 壁体の側壁
62b 壁体の側壁
63 覗き窓
64 光電センサー
64a 投光器
64b 受光器
L 光
W ワーク






Claims (4)

  1. 密閉可能な熱処理炉と、前記熱処理炉の内部雰囲気と外部雰囲気を遮断する仕切扉装置とを備えた、浸炭処理に係る熱処理をワークに施す熱処理装置であって、
    前記仕切扉装置は、
    前記熱処理炉のワーク搬送口を開閉する仕切扉と、
    前記仕切扉の周囲を囲う壁体と、
    前記壁体の側壁に形成された開口部と、
    前記開口部に挿入されるように取り付けられた近接センサーとを備え、
    前記近接センサーと前記壁体との間に、前記開口部を封止するシール部材が設けられている、熱処理装置。
  2. 前記開口部は、前記側壁の上部及び下部にそれぞれ形成されている、請求項1に記載の熱処理装置。
  3. 前記側壁の外部に、前記開口部を覆うセンサー抜け防止部材が設けられている、請求項1又は2に記載の熱処理装置。
  4. 前記熱処理炉の内部に、搬送されたワークの周囲を囲う遮蔽容器が設けられ、
    前記遮蔽容器は、気密性材料で形成されている、請求項1〜3のいずれか一項に記載の熱処理装置。







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