JP6321788B2 - (s,s)−セコイソラリシレジノールジグルコシド及び(r,r)−セコイソラリシレジノールジグルコシドの製造 - Google Patents
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Description
本発明は、その一部が、米国国立衛生研究所(NIH)により与えられたグラント番号R01 CA133470及びRC1AI081251の下に政府支援を受けてなされたものである。米国政府は、本発明において一定の権利を有する。
本発明は、(S,S)−セコイソラリシレジノールジグルコシド及び(R,R)−セコイソラリシレジノールジグルコシドを製造する方法、並びにそれらを含む組成物に関する。
を製造する方法であって、
(a)式(6)の化合物
を式(7)の化合物
と反応させることにより式((S,S)−S3)の化合物
を製造する反応工程と、
(b)式((S,S)−S3)の化合物のベンジルエーテルを開裂させ、続いて分離操作によって式((S,S)−8)の化合物
を製造する開裂工程と、
(c)式((S,S)−8)の化合物を脱保護することにより式((S,S)−SDG−1)の化合物を製造する脱保護工程とを含むことを特徴とする方法を提供する。
を製造する方法であって、
(a)式(5)の化合物
を還元剤と反応させることにより式(S1)の化合物
を製造する反応工程と、
(b)式(S1)の化合物をベンゾイル化剤と反応させることにより式(S2)の化合物
を製造する反応工程と、
(c)式(S2)の化合物を還元剤と反応させることにより式(6)の化合物を製造する反応工程と、
(d)式(6)の化合物を式(7)の化合物と反応させることにより式((S,S)−S3)の化合物を製造する反応工程と、
(e)式((S,S)−S3)の化合物のベンジルエーテルを開裂させ、続いて分離操作によって式((S,S)−8)の化合物を製造する開裂工程と、
(f)式((S,S)−8)の化合物を脱保護することにより式((S,S)−SDG−1)の化合物を製造する脱保護工程とを含む方法を提供する。
(a)式(S2)の化合物を還元剤と反応させることにより式(6)の化合物を製造する反応工程と、
(b)式(6)の化合物を式(7)の化合物と反応させることにより式((S,S)−S3)の化合物を製造する反応工程と、
(c)式((S,S)−S3)の化合物のベンジルエーテルを開裂させ、続いて分離操作によって式((S,S)−8)の化合物を製造する開裂工程と、
(d)式((S,S)−8)の化合物を脱保護することにより式((S,S)−SDG−1)の化合物を製造する脱保護工程とを含む方法をさらに提供する。
を製造する方法であって、
(b)式(6)の化合物を式(7)の化合物と反応させることにより式((R,R)−S4)の化合物
を製造する反応工程と、
(a)式((R,R)−S4)の化合物のベンジルエーテルを開裂させ、続いて分離操作によって式((R,R)−9)の化合物
を製造する開裂工程と、
(c)式((R,R)−9)の化合物を脱保護することにより式((R,R)−SDG−2)の化合物を製造する脱保護工程とを含む方法をさらに提供する。
(a)式(5)の化合物を還元剤と反応させることにより式(S1)の化合物を製造する反応工程と、
(b)式(S1)の化合物をベンゾイル化剤と反応させることにより式(S2)の化合物を製造する工程と、
(c)式(S2)の化合物を還元剤と反応させることにより式(6)の化合物を製造する反応工程と、
(d)式(6)の化合物を式(7)の化合物と反応させることにより式((R,R)−S4)の化合物を製造する反応工程と、
(e)式((R,R)−S4)の化合物のベンジルエーテルを開裂させ、続いて分離操作によって式((R,R)−9)の化合物を製造する開裂工程と、
(f)式((R,R)−9)の化合物を脱保護することにより式((R,R)−SDG−2)の化合物を製造する脱保護工程とを含む方法をさらに提供する。
(a)式(S2)の化合物を還元剤と反応させることにより式(6)の化合物を製造する反応工程と、
(b)式(6)の化合物を式(7)の化合物と反応させることにより式((R,R)−S4)の化合物を製造する反応工程と、
(c)式((R,R)−S4)の化合物のベンジルエーテルを開裂させ、続いて分離操作によって式((R,R)−9)の化合物を製造する開裂工程と、
(d)式((R,R)−9)の化合物を脱保護することにより式((R,R)−SDG−2)の化合物を製造する脱保護工程とを含む方法をさらに提供する。
(a)式(6)の化合物を式(7)の化合物と反応させることにより式((S,S)−S3)の化合物を製造する反応工程と、
(b)式((R,R)−S3)の化合物のベンジルエーテルを開裂させ、続いて分離操作によって式((S,S)−8)の化合物を製造する開裂工程とを含む方法をさらに提供する。
(a)式(6)の化合物を式(7)の化合物と反応させることにより式((R,R)−S4)の化合物を製造する反応工程と、
(b)式((R,R)−S4)の化合物のベンジルエーテルを開裂させ、続いて分離操作によって式((R,R)−9)の化合物を製造する開裂工程とを含む方法を提供する。
を製造する方法であって、
(a)式(6)の化合物
を式(7)の化合物
と反応させることにより式((S,S)−S3)の化合物
を製造する反応工程と、
(b)式((S,S)−S3)の化合物のベンジルエーテルを開裂させ、続いて分離操作によって式((S,S)−8)の化合物
を製造する開裂工程と、
(c)式((S,S)−8)の化合物を脱保護することにより式((S,S)−SDG−1)の化合物を製造する脱保護工程とを含む方法を提供する。
を還元剤と反応させることにより式(6)の化合物を製造する工程を含む方法によって製造される。いくつかの実施形態では、上記還元剤はTHF中の水素化アルミニウムリチウム(LAH)である。
をベンゾイル化剤と反応させることにより式(S2)の化合物を製造する工程を含む方法によって製造される。いくつかの実施形態では、上記ベンゾイル化剤はベンジルブロミド(BnBr)及び水素化ナトリウム(NaH)である。
を還元剤と反応させることにより式(S1)の化合物を製造する工程を含む方法によって製造される。いくつかの実施形態では、上記還元剤はH2及びPd/Cである。
をバニリンとシュトッベ縮合反応させ、続いてエステル化反応を行うことにより式(5)の化合物を製造する工程を含む方法によって製造される。いくつかの実施形態では、上記シュトッベ縮合反応はメタノール中においてリチウム(例えばリチウムワイヤ)の存在下で行われる。いくつかの実施形態では、上記エステル化反応はメタノールを用いてH2SO4の存在下で行われる。
を製造する方法であって、
(a)式(S2)の化合物
を還元剤と反応させることにより式(6)の化合物
を製造する反応工程と、
(b)式(6)の化合物を式(7)の化合物
と反応させることにより式((S,S)−S3)の化合物
を製造する反応工程と、
(c)式((S,S)−S3)の化合物のベンジルエーテルを開裂させ、続いて分離操作によって式((S,S)−8)の化合物
を製造する開裂工程と、
(d)式((S,S)−8)の化合物を脱保護することにより式((S,S)−SDG−1)の化合物を製造する脱保護工程とを含む方法を提供する。
をベンゾイル化剤と反応させることにより式(S2)の化合物を形成する工程を含む方法によって製造される。いくつかの実施形態では、上記ベンゾイル化剤はBnBr及びNaHである。
を還元剤と反応させることにより式(S1)の化合物を製造する工程を含む方法によって製造される。いくつかの実施形態では、上記還元剤はH2及びPd/Cである。
を製造する方法であって、
(a)式(5)の化合物
を還元剤と反応させることにより式(S1)の化合物
を製造する反応工程と、
(b)式(S1)の化合物
をベンゾイル化剤と反応させることにより式(S2)の化合物
を製造する反応工程と、
(c)式(S2)の化合物を還元剤と反応させることにより式(6)の化合物
を製造する反応工程と、
(d)式(6)の化合物を式(7)の化合物
と反応させることにより式((S,S)−S3)の化合物
を製造する反応工程と、
(e)式((S,S)−S3)の化合物のベンジルエーテルを開裂させ、続いて分離操作によって式((S,S)−8)の化合物
を製造する開裂工程と、
(f)式((S,S)−8)の化合物を脱保護することにより式((S,S)−SDG−1)の化合物を製造する脱保護工程とを含む方法を提供する。
を製造する方法であって、
(a)式(6)の化合物
を式(7)の化合物
と反応させることにより式((R,R)−S4)の化合物
を製造する反応工程と、
(b)式((R,R)−S4)の化合物のベンジルエーテルを開裂させ、続いて分離操作によって式((R,R)−9)の化合物
を製造する開裂工程と、
(c)式((S,S)−9)の化合物を脱保護することにより式((R,R)−SDG−2)の化合物を製造する脱保護工程とを含む方法を提供する。
をベンゾイル化剤と反応させることにより式(S2)の化合物を製造する工程を含む方法によって製造される。いくつかの実施形態では、上記ベンゾイル化剤はBnBr及びNaHである。
を還元剤と反応させることにより式(S1)の化合物を製造する工程を含む方法によって製造される。いくつかの実施形態では、上記還元剤はH2及びPd/Cである。
を製造する方法であって、
(a)式(S2)の化合物
を還元剤と反応させることにより式(6)の化合物
を製造する反応工程と、
(b)式(6)の化合物を式(7)の化合物
と反応させることにより式((R,R)−S4)の化合物
を製造する反応工程と、
(c)式((R,R)−S4)の化合物のベンジルエーテルを開裂させ、続いて分離操作によって式((R,R)−9)の化合物
を製造する開裂工程と、
(d)式((R,R)−9)の化合物を脱保護することにより式((R,R)−SDG−2)の化合物を製造する脱保護工程とを含む方法を提供する。
をバニリンとシュトッベ縮合反応させ、続いてエステル化反応を行うことにより式(5)の化合物を製造する工程を含む方法によって製造される。いくつかの実施形態では、上記シュトッベ縮合反応はメタノール中においてリチウムワイヤの存在下で行われる。いくつかの実施形態では、上記エステル化反応はメタノールを用いてH2SO4の存在下で行われる。
を製造する方法であって、
(a)式(5)の化合物
を還元剤と反応させることにより式(S1)の化合物
を製造する反応工程と、
(b)式(S1)の化合物
をベンゾイル化剤と反応させることにより式(S2)の化合物
を製造する反応工程と、
(c)式(S2)の化合物を還元剤と反応させることにより式(6)の化合物
を製造する反応工程と、
(d)式(6)の化合物を式(7)の化合物
と反応させることにより式((R,R)−S4)の化合物
を製造する反応工程と、
(e)式((R,R)−S4)の化合物のベンジルエーテルを開裂させ、続いて分離操作によって式((R,R)−9)の化合物
を製造する開裂工程と、
(f)式((R,R)−9)の化合物を脱保護することにより式((R,R)−SDG−2)の化合物を製造する脱保護工程とを含む方法を提供する。
を製造する方法であって、式(S2)の化合物
を還元剤と反応させることにより式(6)の化合物を製造する反応工程を含む方法を提供する。いくつかの実施形態では、上記還元剤はTHF中の水素化アルミニウムリチウム(LAH)である。
をベンゾイル化剤と反応させることにより式(S2)の化合物を製造する工程を含む方法によって製造される。特定の実施形態では、上記ベンゾイル化剤はBnBr及びNaHである。
を還元剤と反応させることにより式(S1)の化合物を製造する工程を含む方法によって製造される。特定の実施形態では、上記還元剤はH2及びPd/Cである。
をバニリンとシュトッベ縮合反応させ、続いてエステル化反応を行うことにより式(5)の化合物を製造する工程を含む方法によって製造される。いくつかの実施形態では、上記シュトッベ縮合反応はメタノール中においてリチウムワイヤの存在下で行われる。いくつかの実施形態では、上記エステル化反応はメタノールを用いてH2SO4の存在下で行われる。
を還元剤と反応させることにより式(6)の化合物を製造する工程を含む方法によって製造される。いくつかの実施形態では、上記還元剤はTHF中の水素化アルミニウムリチウム(LAH)である。
をベンゾイル化剤と反応させることにより式(S2)の化合物を製造する工程を含む方法によって製造される。特定の実施形態では、上記ベンゾイル化剤はBnBr及びNaHである。
を還元剤と反応させることにより式(S1)の化合物を製造する工程を含む方法によって製造される。特定の実施形態では、上記還元剤はH2及びPd/Cである。
をバニリンとシュトッベ縮合反応させ、続いてエステル化反応を行うことにより式(5)の化合物を製造する工程を含む方法によって製造される。いくつかの実施形態では、上記シュトッベ縮合反応はメタノール中においてリチウムワイヤの存在下で行われる。いくつかの実施形態では、上記エステル化反応はメタノールを用いてH2SO4の存在下で行われる。
を製造する方法であって、
(a)式(6)の化合物
を式(7)の化合物
と反応させることにより式((S,S)−S3)の化合物
を製造する反応工程と、
(b)式((S,S)−S3)の化合物のベンジルエーテルを開裂させ、続いて分離操作によって式((S,S)−8)の化合物を製造する開裂工程とを含む方法を提供する。
を還元剤と反応させることにより式(6)の化合物を製造する工程を含む方法によって製造される。特定の実施形態では、上記還元剤はTHF中の水素化アルミニウムリチウム(LAH)である。
をベンゾイル化剤と反応させることにより式(S2)の化合物を製造する工程を含む方法によって製造される。特定の実施形態では、上記ベンゾイル化剤はBnBr及びNaHである。
を還元剤と反応させることにより式(S1)の化合物を製造する工程を含む方法によって製造される。特定の実施形態では、上記還元剤はH2及びPd/Cである。
をバニリンとシュトッベ縮合反応させ、続いてエステル化反応を行うことにより式(5)の化合物を製造する工程を含む方法によって製造される。いくつかの実施形態では、上記シュトッベ縮合反応はメタノール中においてリチウムワイヤの存在下で行われる。いくつかの実施形態では、上記エステル化反応はメタノールを用いてH2SO4の存在下で行われる。
を製造する方法であって、
(a)式(6)の化合物
を式(7)の化合物
と反応させることにより式((R,R)−S4)の化合物を製造する反応工程を含む方法を提供する。
を還元剤と反応させることにより式(6)の化合物を製造する工程を含む方法によって製造される。特定の実施形態では、上記還元剤はTHF中の水素化アルミニウムリチウム(LAH)である。
をベンゾイル化剤と反応させることにより式(S2)の化合物を製造する工程を含む方法によって製造される。特定の実施形態では、上記ベンゾイル化剤はBnBr及びNaHである。
を還元剤と反応させることにより式(S1)の化合物を製造する工程を含む方法によって製造される。特定の実施形態では、上記還元剤はH2及びPd/Cである。
をバニリンとシュトッベ縮合反応させ、続いてエステル化反応を行うことにより式(5)の化合物を製造する工程を含む方法によって製造される。いくつかの実施形態では、上記シュトッベ縮合反応はメタノール中においてリチウムワイヤの存在下で行われる。いくつかの実施形態では、上記エステル化反応はメタノールを用いてH2SO4の存在下で行われる。
を製造する方法であって、
(a)式(6)の化合物
を式(7)の化合物
と反応させることにより式((R,R)−S4)の化合物
を製造する反応工程と、
(b)式((R,R)−S4)の化合物のベンジルエーテルを開裂させ、続いて分離操作によって式((R,R)−9)の化合物を製造する開裂工程とを含む方法を提供する。
を還元剤と反応させることにより式(6)の化合物を製造する工程を含む方法によって製造される。特定の実施形態では、上記還元剤はTHF中の水素化アルミニウムリチウム(LAH)である。
をベンゾイル化剤と反応させることにより式(S2)の化合物を製造する工程を含む方法によって製造される。特定の実施形態では、上記ベンゾイル化剤はBnBr及びNaHである。
を還元剤と反応させることにより式(S1)の化合物を製造する工程を含む方法によって製造される。特定の実施形態では、上記還元剤はH2及びPd/Cである。
をバニリンとシュトッベ縮合反応させ、続いてエステル化反応を行うことにより式(5)の化合物を製造する工程を含む方法によって製造される。いくつかの実施形態では、上記シュトッベ縮合反応はメタノール中においてリチウムワイヤの存在下で行われる。いくつかの実施形態では、上記エステル化反応はメタノールを用いてH2SO4の存在下で行われる。
全ての反応は、特に断りのない限り、無水条件下で乾燥溶媒を用いてアルゴン雰囲気下で行われた。市販の予め乾燥させてある無酸素フォーミュレーションを活性アルミナカラムに通すことによって、乾燥テトラヒドロフラン(THF)、ジメチルホルムアミド(DMF)、塩化メチレン(CH2Cl2)を得た。収率は、特に明記しない限り、クロマトグラフ的にも分光的にも(1H NMR)均質な物質についてのものである。試薬は、特に明記しない限り、最高の業務用品質のものを購入し、さらに精製することなく使用した。0.25mmのエーメルク社(E. Merck)製シリカゲルプレート(60F−254)上で薄層クロマトグラフィ(TLC)を行い、紫外線を可視化剤として用い、リンモリブデン酸及び硫酸セリウムのエタノール溶液、並びに熱を現像剤として用いて、反応を観察した。エーメルク社製シリカゲル(60,粒子径0.040〜0.063mm)をフラッシュカラムクロマトグラフィに用いた。特に断りのない限り、0.25または0.50mmのエーメルク社製シリカゲルプレート(60F−254)上で分取薄層クロマトグラフィ(PTLC)分離を行った。NMRスペクトルをブルカー(Bruker)製のDRX−600分光計に記録し、内部基準として非重水素化溶媒残渣を用いて較正した。多重度を説明するために、次の略号を用いた:s=一重項,d=二重項,t=三重項,m=多重項。パーキンエルマー社(Perkin- Elmer)製のSpectrum100フーリエ変換赤外(FT−IR)分光分析装置にIRスペクトルを記録した。ESI(エレクトロスプレーイオン化)を用いてVG ZAB−ZSEマススペクトルメータに高分解能マススペクトル(HR−MS)を記録した。
バニリン3(14.0g,92.1mmol,1当量)及びコハク酸ジメチル(12.13mL,92.1mmol,1当量)のメタノール(MeOH)溶液(450mL)に、リチウムワイヤ(1.79g,257.9mmol,2.8当量)を、発熱を制御するために氷浴にて少しずつゆっくりと加えた。当初のリチウムが完全に溶解した後、追加のリチウム(1.98g,285.5mmol,3.1当量)を少しずつゆっくりと加え、完全に溶解するまで撹拌した。その後、反応混合物を還流下に48時間加熱した。溶液を室温まで冷却した後、ロータバップ(ロータリーエバポレータ)で濃縮することによってメタノールの大部分を除去した。EtOAc(1000mL)を加え、溶液を2MのHCl水溶液(700mL)、H2O(3×1000mL)で、その後ブライン(200mL)で洗浄した。その後、有機層を乾燥させ(MgSO4)、濾過して濃縮した。クルードをMeOH(230ml)に溶解させ、H2SO4(1mL)を加え、溶液を還流下に一晩加熱した。翌朝冷却時に、H2SO4を急冷するためにNaHCO3(3.0g)を加え、溶液の大部分をロータバップによって濃縮した。EtOAc(500ml)を加え、溶液をH2O(2×200mL)で、その後ブライン(100mL)で洗浄した。その後、有機層を乾燥させ(MgSO4)、濾過して濃縮し、褐色油とした。少量のCH2Cl2に溶解させ、その後フラッシュカラムクロマトグラフィ(シリカ,1:9→2:8→3:7→4:6→5:5 エーテル:ヘキサン)によって精製することによって、灰白色固体としてフェノール4(18.0g,64.2mmol,収率70%,割り当てられていないオレフィン幾何構造)を得た。4:Rf=0.17(シリカ,エーテル:ヘキサン 1:1);IR(film):νmax=3422,1702,1514,1434,1258,1195 1159,1093,1030,924,821 770,729cm−1;1H NMR(600MHz,CDCl3)δ=7.79(s,1H),6.90−6.85(m,3H),6.19(s,1H),3.82(s,3H),3.78(s,3H),3.69(s,3H),3.57(s,2H)ppm;13C NMR(150MHz,CDCl3)δ=171.94,168.13,146.80,146.61,142.38,126.96,123.39,123.31,114.76,111.80,55.85,52.24,52.20,33.61ppm;HRMS(ESI−TOF):calcd for C14H16O6[M+H+]:280.102,found 281.1022。
ジエステル4(15.00g,53.52mmol,1当量)及びバニリン3(8.14g,53.52mmol,1当量)のメタノール(MeOH)溶液(200mL)に、リチウムワイヤ(2.6g,374.6mmol,7当量)を、発熱を制御するために氷浴にて少しずつゆっくりと加え、完全に溶解するまで撹拌した。その後、反応混合物を還流下に48時間加熱した。溶液を室温まで冷却した後、ロータバップで濃縮することによってメタノールの大部分を除去した。EtOAc(200mL)を加え、溶液を2MのHCl水溶液(500mL)で酸性化し、その後EtOAc(2×200mL)で抽出した。結合された有機物を、H2O(2×200mL)で、その後ブライン(200mL)で洗浄し、乾燥させ(MgSO4)、濾過して濃縮した。残留物をMeOH(300mL)に溶解させ、濃硫酸(conc. H2SO4)(1mL)を加え、溶液を還流下に一晩加熱した。翌朝冷却時に、H2SO4を急冷するためにNaHCO3(3.0g)を加え、溶液の大部分をロータバップによって濃縮した。EtOAc(400ml)を加え、溶液をH2O(2×200mL)で、その後ブライン(100mL)で洗浄した。その後、有機層を乾燥させ(MgSO4)、濾過して濃縮した。少量のCH2Cl2に溶解させ、その後フラッシュカラムクロマトグラフィ(シリカ,2:1:7→3:1:6→4:1:5 EtOAc:CH2Cl2:ヘキサン)に通すことによって、黄色がかったオレンジ色の固体としてジエステル5(13.6g,32.8mmol,収率61%,割り当てられていないオレフィン幾何構造)を得た。5:Rf=0.28(シリカ,EtOAc:ヘキサン 1:1);IR(film):νmax=3388,1696,1588,1509,1431,1209,1157,1029,817,733cm−1;1H NMR(600MHz,CDCl3)δ=7.86(s,2H),7.11(d,J=1.64Hz,2H),7.04(dd,J=8.48,1.72Hz,2H),6.82(d,J=8.38Hz,2H),6.08(s,2H),3.7(s,6H),3.69(s,6H)ppm;13C NMR(150MHz,CDCl3)δ=168.00,147.59,146.54,142.64,127.10,125.38,124.06,114.71,111.52,55.77,52.51ppm;HRMS(ESI−TOF):calcd for C22H22O8[M+H+]:415.1387,found 415.1378。
ジエステル5(5.00g,12.07mmol,1当量)のメタノール(MeOH)溶液(120mL)を、短時間真空に晒してアルゴンで再充填する(大気圧に戻す)ことを数回行うことによって、アルゴン雰囲気で飽和させた。パラジウム炭素(10重量%Pd,0.500g)を加え、溶液を、真空/H2再充填によってによってH2雰囲気で飽和させた。溶液を一晩撹拌した。翌朝、溶液をアルゴン雰囲気下に置き、CH2Cl2(400mL)を加え、溶液を1時間撹拌した。その後、混合液をセライト(登録商標)のパッド(1.5インチ,MeOH及びCH2Cl2で洗浄)に通して濾過し、濾過液を濃縮した。得られた固体を少量のCH2Cl2に溶解させ、フラッシュカラムクロマトグラフィ(2:8:1→3:7:1→4:6:1 EtOAc:CH2Cl2:ヘキサン)によって精製することによって、灰白色固体としてジエステルS1(4.24g,10.1mmol,84%)を得た。S1:Rf=0.24(シリカ,EtOAc:ヘキサン:CH2Cl2 4:6:1);IR(film):νmax=3440,2951,1726,1514,1432,1267,1198,1151,1121,1029,817,797cm−1;1H NMR(600MHz,CDCl3)δ=6.78(d,J=8.09Hz,2H),6.58(d,J=8.09Hz,2H),6.45(s,2H),5.65(s,2H),3.75(s,6H),3.64(s,6H),3.00−2.94(m,2H),2.92−2.82(m,4H)ppm;13C NMR(150MHz,CDCl3)δ=174.03,146.49,144.21,130.41,121.88,114.18,111.26,55.73,51.86,47.67,35.38ppm;HRMS(ESI−TOF):calcd for C22H26O8[M+H+]:419.17,found 419.1700。
氷浴にて0℃まで冷却したジエステルS1(1.00g,2.39mmol,1当量)のDMF溶液(24mL)に、NaH(0.201g,5.02mmol,60%鉱油分散物,2.1当量)をゆっくりと加え、溶液を0℃で1時間撹拌した。BnBr(910μL,7.65mmol,3.2当量)を1分間にわたって加え、溶液を0℃で4時間撹拌した。その後、反応混合物を、H2O(300mL)及びEtOAc(100mL)を含むフラスコに注いだ。有機層をH2O(3×200mL)及びブライン(1×50mL)で洗浄し、乾燥させ(MgSO4)、濾過して濃縮した。得られた固体を少量のCH2Cl2に溶解させ、フラッシュカラムクロマトグラフィ(シリカ,9:1:1→8:2:1 ヘキサン:EtOAc:CH2Cl2)によって精製することによって、白色固体としてベンジルエーテルS2(1.36g,2.27,収率95%)を得た。S2:Rf=0.23(シリカ,EtOAc:ヘキサン 3:7);IR(film):νmax=2949,1730,1512,1453,1253,1225,1138,1023,733cm−1;1H NMR(600MHz,CDCl3)δ=7.45−7.40(m,4H),7.38−7.33(m,4H),7.31−7.27(m,2H),6.74(d,J=8.12Hz,2H),6.59(d,J=1.69Hz,2H),6.53(dd,J=8.12,1.69Hz,2H),5.12(s,4H),3.80(s,6H),3.61(s,6H),3.03−2.85(m,6H)ppm;13C NMR(150MHz,CDCl3)δ=174.00,149.58,146.87,137.37,131.74,128.65,127.93,127.37,121.09,114.05,112.73,71.14,56.00,51.91,47.91,35.32ppm;HRMS(ESI−TOF):calcd for C36H38O8[M+H+]:599.2639,found 599.2651。
0℃のベンジルエーテルS2(0.341g,0.570mmol,1当量)のTHF溶液(6mL)に水素化アルミニウムリチウム(1M THF溶液,1.14mL,1.14mmol,2当量)を滴下した。溶液を一晩放置して25℃まで温度を上昇させた。得られた混合液を、H2O(200mL)及びEtOAc(100mL)を含むフラスコに注いだ。その後、50mLのロッシェル塩の飽和水溶液を加え、混合液を、層が容易に分離可能になるまで撹拌した。その後、有機層をH2O(2×100mL)及びブライン(1×50mL)で洗浄し、乾燥させ(MgSO4)、濾過して濃縮した。得られた固体を少量のCH2Cl2に溶解させ、フラッシュカラムクロマトグラフィ(シリカ,5:5:1→7:3:1→8:2:1 EtOAc:ヘキサン:CH2Cl2)によって精製することによって、白色固体としてジオール6(0.286g,0.527mmol,収率93%)を得られた。6:Rf=0.2(シリカ,6:4 EtOAc:ヘキサン);IR(film):νmax=3287,2933,1510,1453,1259,1223,1137,1009,733,695cm−1;1H NMR(600MHz,CDCl3)δ=7.47−7.42(m,4H),7.40−7.34(m,4H),7.33−7.28(m,2H),6.78(d,J=8.15Hz,2H),6.69(s,2H),6.62(d,J=8.15Hz,2H),5.11(s,4H),4.09(s,2H),3.82(s,6H),3.78(d,J=11.07Hz,2H),3.49(d,J=11.07Hz,2H),2.80−2.72(m,2H),2.69−2.62(m,2H),1.86(s,2H)ppm;13C NMR(150MHz,CDCl3)δ 149.47,146.38,137.29,133.87,128.51,127.80,127.28,121.02,114.02,112.79,71.12,60.19,55.96,43.79,35.81ppm;HRMS(ESI−TOF):calcd for C34H38O6[M+H+]:543.2741,found 543.2741。
フラスコにジオール6(0.408g,0.751mmol,1当量)及びトリクロロアセトイミダート73(1.67g,2.25mmol,3当量)を入れ、ベンゼン共沸混合物(3×10mL)によって乾燥させた。活性化させた4Åのモレキュラーシーブ(0.800g)及びCH2Cl2(7.5mL)を加え、溶液を1時間撹拌した。−40℃まで冷却した後、TMSOTf(54μL,0.300mmol,0.4当量)を滴下し、反応混合物を一晩放置して25℃まで温度を上昇させた。翌朝、NEt3(200μL)を加え、混合物をシリカパッド(1インチ,EtOAcで洗浄)に通して濾過し、濃縮した。得られたクルードをフラッシュカラムクロマトグラフィ(シリカ,9:1:1→8:2:1→7:2:2 ヘキサン:EtOAc:CH2Cl2)によって精製することによって、ジアステレオマー(S,S)−S3及び(R,R)−S4の1:1非分離混合物(1.128g,0.664mmol,収率88%)が得られた。(S,S)−S3/(R,R)−S4:Rf=0.22(シリカ,7:2:1 ヘキサン:EtOAc:CH2Cl2);IR(film):νmax=2941,1727,1601,1511,1451,1262,1092,1026,708cm−1;1H NMR(600MHz,CDCl3)δ=8.04(d,J=7.70Hz,4H),8.01(d,J=7.62Hz,4H),7.98−7.91(m,12H),7.87−7.81(m,12H),7.57−7.26(m,68H),6.61(d,J=8.26Hz,2H),6.49(s,2H),6.44(d,J=8.0Hz,2H),6.42−6.38(m,4H),6.23(d,J=8.14Hz,2H),5.93(t,J=10.07Hz,2H),5.81(t,J=9.68Hz,2H),5.72(t,J=10.07Hz,2H),5.67(t,J=9.68Hz,2H),5.56(t,J=7.72Hz,2H),5.45(t,J=8.24Hz,2H),5.08(s,8H),4.72(dd,J=12.19,2.70Hz,2H),4.66(d,J=8.22Hz,2H),4.61(dd,J=12.19,3.08Hz,2H),4.49−4.42(m,4H),4.39(d,J=7.70Hz,2H),4.14−4.08(m,2H),3.98−3.93(m,2H),3.92−3.87(m,2H),3.74(s,6H),3.70(s,6H),3.65−3.61(m,2H),3.40−3.34(m,2H),3.24−3.18(m,2H),2.56−2.45(m,6H),2.41−2.34(m,2H),1.85(s,2H),1.73(s,2H)ppm;13C NMR(150MHz,CDCl3)δ=166.20,166.19,165.93,165.90,165.29,165.16,164.98,149.38,149.35,146.32,146.20,137.56,133.73,133.66,133.56,133.53,133.45,133.37,133.34,133.28,129.93,129.91,129.86,129.84,129.76,129.66,129.64,129.38,129.30,128.95,128.92,128.91,128.60,128.58,128.55,128.53,128.42,127.83,127.81,127.39,127.32,121.38,121.19,113.61,112.70,112.51,101.31,101.23,73.06,72.93,72.12,72.10,72.06,71.99,71.05,71.00,69.89,69.81,69.61,69.32,63.07,62.98,55.94,55.93,41.00,40.78,35.35,35.14ppm;HRMS(ESI−TOF):calcd for C102H90O24[M+H+]:1699.5895,found 1699.5917。
(S,S)−S3及び(R,R)−S4の1:1混合物(0.612g,0.360mmol,1当量)のEtOAc溶液(3.6mL)を、短時間真空に晒してアルゴンで再充填する(大気圧に戻す)ことを数回行うことによって、アルゴン雰囲気で飽和させた。パラジウム炭素(10重量%Pd,0.120g)を加え、溶液を、真空/H2再充填によってH2雰囲気で飽和させた。25℃で36時間撹拌した後、溶液をアルゴン雰囲気下に置き、セライト(登録商標)のパッド(1.5インチ,EtOAc及びCH2Cl2で洗浄)に通して濾過し、濾過液を濃縮した。得られた固体を少量のCH2Cl2に溶解させ、フラッシュカラムクロマトグラフィ(シリカ,3:7→4:6→5:5 EtOAc:ヘキサン)によって精製することによって、ジアステレオマーの1:1混合物として脱ベンジル化グリコシド(0.470g,0.309mmol,収率86%)を得た。ジアステレオマーを分取薄層クロマトグラフィ(シリカ,2mm,マルチプレート,7:20 EtOAc:ヘキサン,>10の溶出工程)によって分離することによって、(S,S)−8及び(R,R)−9を灰白色固体として得ることができた。(S,S)−8:Rf=0.10(4:6 EtOAc:ヘキサン);[α]D 32=+1.2(EtOAc,c=4.3);IR(film):νmax=3460,2938,1729,1514,1451,1265,1023,1061,1027,709cm−1;1H NMR(600MHz,CDCl3)δ=8.03(d,J=8.42Hz,4H),7.92(d,J=8.22Hz,4H),7.83(d,J=7.48Hz,8H),7.58−7.46(m,6H),7.45−7.27(m,18H),6.62(d,J=7.90Hz,2H),6.43(dd,J=7.90,1.16Hz,2H),6.38(d,J=1.16Hz,2H),5.80(t,J=9.57Hz,2H),5.64(t,J=9.57Hz,2H),5.44(t,J=9.74Hz,2H),5.40(s,2H),4.62(dd,J=12.09,2.98Hz,2H),4.44(dd,J=12.09,5.17Hz,2H),4.41(d,J=8.03Hz,2H),3.96(m,2H),3.69(s,6H),3.64(dd,J=9.38,2.82Hz,2H),3.21(dd,J=9.43,4.13Hz,2H),2.48(d,J=6.8Hz,4H),1.71(s,2H)ppm;13C NMR(150MHz,CDCl3)δ=166.26,165.92,165.35,165.05,146.27,143.64,133.60,133.49,133.38,133.37,132.41,129.95,129.88,129.85,129.78,129.67,129.30,128.94,128.60,128.57,128.45,122.01,113.83,111.49,101.37,72.96,72.15,72.00,69.89,69.54,63.16,55.82,40.87,35.26ppm;HRMS(ESI−TOF):calcd for C88H78O24[M+H+]:1519.4956,found 1519.4937。(R,R)−9:Rf=0.10(4:6 EtOAc:ヘキサン);[α]D 32=+4.8(EtOAc,c=4.1);IR(film):νmax=3457,2942,1726,1262,1026,707cm−1;1H NMR(600MHz,CDCl3)δ=8.00(d,J=7.62Hz,4H),7.97(d,J=7.71Hz,4H),7.93(d,J=7.98Hz,4H),7.62(d,J=7.71Hz,4H),7.56−7.27(m,24H),6.45(d,J=7.95Hz,2H),6.29(s,2H),6.24(d,J=7.95Hz,2H),5.91(t,J=9.82Hz,2H),5.70(t,J=9.67Hz,2H),5.54(t,J=9.23Hz,2H),5.40(s,2H),4.71(dd,J=11.87,3.29Hz,2H),4.62(d,J=7.92Hz,2H),4.42(dd,J=12.14,4.72Hz,2H),4.11−4.06(m,2H),3.85(dd,J=9.53,3.46Hz,2H),3.65(s,6H),3.34(dd,J=9.70,4.68Hz,2H),2.47−2.40(m,2H),2.37−2.30(m,2H),1.82(s,2H)ppm;13C NMR(150MHz,CDCl3)δ=166.23,165.95,165.34,165.21,146.33,143.54,133.56,133.50,133.36,133.30,132.44,129.96,129.92,129.87,129.65,129.42,128.98,128.66,128.55,128.44,121.98,113.66,111.12,101.25,73.07,72.15,72.08,69.88,69.78,62.97,55.78,40.67,35.50ppm;HRMS(ESI−TOF):calcd for C36H38O8[M+H+]:1519.4956,found 1519.4947。
乾燥(S,S)−8(0.043g,0.028mmol,1当量)を含むフラスコに、新たに調製したナトリウムメトキシド(NaOMe)のメタノール(MeOH)溶液(0.4M,2mL,28当量)を加え、溶液を25℃で60時間撹拌した。その後、溶液をシリカのパッド(0.5インチ,MeOHで洗浄)に通して濾過し、濾過液を濃縮した。得られた固体を、分取薄層クロマトグラフィ(シリカ,2mm,9:1→7:3 CH2Cl2:MeOH,その後5:5 CH2Cl2:MeOH,プレートの半分の長さ)によって精製し、その後に逆相シリカの小さなプラグ(100Å,C18)に通すことによって、灰白色固体として(S,S)−SDG−1(0.017g,0.025mmol,収率88%)を得た。(S,S)−SDG−1:Rf=0.57(シリカ,1:1 CH2Cl2:MeOH);[α]D 32=−0.3(MeOH,c=1.2);IR(film):νmax=3340,2950,1601,1515,1372,1270,1070,1015,798cm−1;1H NMR(600MHz,CDCl3)δ=6.65(d,J=8.05Hz,2H),6.59(d,J=1.31Hz,2H),6.56(dd,J=8.05,1.31Hz,2H),4.24(d,J=7.42Hz,2H),4.08(dd,J=10.09,5.58Hz,2H),3.85(dd,J=12.00,2.43Hz,2H),3.73(s,6H),3.69(dd,J=11.85,5.55Hz,2H),3.50−3.45(m,2H),3.38−3.28(m,4H),3.27−3.19(m,4H),2.69(dd,J=13.82,6.72Hz,2H),2.61(dd,J=13.82,7.98Hz,2H),2.12(m,2H)ppm;13C NMR(150MHz,CDCl3)δ=148.69,145.35,133.93,122.89,115.63,113.51,104.77,78.16,77.89,75.25,71.69,71.18,62.79,56.25,41.20,35.60ppm;HRMS(ESI−TOF):calcd for C32H46O16[M+H+]:687.2858,found 687.2856。
乾燥(R,R)−9(0.041g,0.027mmol,1当量)を含むフラスコに、新たに調製したナトリウムメトキシド(NaOMe)のメタノール(MeOH)溶液(0.4M,2mL,28当量)を加え、溶液を25℃で60時間撹拌した。その後、溶液をシリカのパッド(0.5インチ,MeOHで洗浄)に通して濾過し、濾過液を濃縮した。得られた固体を、分取薄層クロマトグラフィ(シリカ,2mm,9:1→7:3 CH2Cl2:MeOH,その後5:5 CH2Cl2:MeOH,プレートの半分の長さ)によって精製し、その後に逆相シリカの小さなプラグ(100Å C18,MeOHで洗浄)に通すことによって、灰白色固体として(R,R)−SDG−2(0.015g,0.022mmol,収率81%)を得た。(R,R)−SDG−2:Rf=0.50(シリカ,1:1 CH2Cl2:MeOH);[α]D 32=−22.2(MeOH,c=1.0);IR(film):νmax=3336,2949,1651,1409,1014cm−1;1H NMR(600MHz,CDCl3)δ=6.66(d,J=8.06Hz,2H),6.64(d,J=1.63Hz,2H),6.59(dd,J=8.06,1.63Hz,2H),4.21(d,J=7.82Hz,2H),3.91(dd,J=10.11,5.69Hz,2H),3.87(dd,J=12.01,2.01Hz,2H),3.75(s,6H),3.67(dd,J=12.02,5.47Hz,2H),3.58(dd,J=9.90,5.36Hz,2H),3.38−3.18(m,8H),2.76−2.62(m,4H),2.14−2.07(m,2H)ppm;13C NMR(150MHz,CDCl3)δ=148.77,145.37,134.05,122.83,115.70,113.56,104.59,78.19,77.93,75.19,71.70,70.62,62.79,56.32,41.63,35.62ppm;HRMS(ESI−TOF):calcd for C32H46O16[M+H+]:687.2858,found 687.2856。
オックスフォード・バイオメディカル・リサーチ社(Oxford Biomedical Research)からHORACアッセイキット(#TA30)を購入し、セル・バイオラボ社(Cell Biolab, San Diego, CA)からORACアッセイキット(#STA345)を入手した。クロマデックス社(Chromadex Inc., San Diego, CA)からSDG標準品を購入した。
還元力の測定を、非特許文献1に記載されている如く行った。還元力アッセイは、試験化合物の還元能を測定する。試験化合物は、フェリシアン化カリウム(Fe+3)と反応してフェロシアン化カリウム(Fe+2)を形成し、その後、塩化第二鉄と反応して、波長700nmにおいて最大吸光度を有する第二鉄・第一鉄複合体(ferric-ferrous complex)を生成する。様々な濃度(1〜500μΜ)の試験化合物を96穴マイクロプレートに分注されたリン酸ナトリウム緩衝液(0.1M,pH6.6)の中に入れ、フェリシアン化カリウム(1%)と混合した。サンプルを50℃でインキュベートし、同量の10%トリクロロ酢酸を加えた。上層を純水及び塩化第二鉄(0.1%)と混合した(1:1:2)。バイオ・ラッド社製のマイクロプレートリーダ(Bio-Rad, Hercules, CA)において、波長700nmで吸光度を読んだ。吸光度の増加は、還元力の増加を示す。
オックスフォード・バイオメディカル・リサーチ社製のHORACアッセイキット(#TA30)を用いて、化学システムにおけるSDGのヒドロキシルラジカル消去能を評価した。過酸化水素からフェントン反応によりヒドロキシルラジカルを生成した。蛍光マイクロプレートリーダ上でフルオレセインの酸化度を測定した。抗酸化物質はフルオレセイン酸化を阻害する。較正曲線用の標準試料として没食子酸を用いた。計算には、較正曲線の線形部分にフィットするSDG濃度を用いた。用いたSDG濃度は8μΜ〜1mΜの範囲である。ヒドロキシルラジカルに対する抗酸化能力を没食子酸相当量(GAE)として表した。
セル・バイオラボ社(San Diego, CA)製のORACアッセイキット(#STA345)を用いて、化学システムにおけるSDGのペルオキシルラジカル消去能を評価した。AAPH(2,2’−アゾビス(2−アミジノプロパン)二塩酸塩)によりペルオキシルラジカルを生成した。蛍光マイクロプレートリーダを用いてフルオレセインの酸化度を測定した。抗酸化物質はフルオレセイン酸化を阻害する。較正曲線用の標準試料としてトロロックスを用いた。計算には、較正曲線の線形部分にフィットするSDG濃度を用いた。用いたSDG濃度は8μΜ〜1mΜの範囲である。ペルオキシルラジカルに対する抗酸化能力をトロロックス相当量(TE)として表した。
SDGのDPPHラジカル消去能の評価を、非特許文献2に記載されている如く(但しマイクロプレートで用いるために若干変更して)行った。簡単に言うと、異なる濃度のSDG異性体及び他の試験化合物を、0.1Mのトリスバッファ(pH7.4)及び250μΜのDPPH溶液を含む96穴マイクロプレート中の200μLの培地とともにインキュベートし、暗所に20分間置いた。バイオ・ラッド社製のマイクロプレートリーダにおいて、517nmで吸光度を読んだ。比較のために、既知の抗酸化物質として、アスコルビン酸及びα−トコフェロールを用いた。ラジカル消去活性を、DPPH吸光度の減少度として測定し、次式を用いて計算した:阻害率=[コントロールのOD値−サンプルのOD値/コントロールのOD値]×100。
FeCl3の存在下でのK3FeCN6の還元(結果として得られる第二鉄・第一鉄複合体の吸光度(図2)として測定される)によって、合成(S,S)−SDG−1、合成(R,R)−SDG−2、天然(S,S)−SDG−1、アスコルビン酸及びα−トコフェロールの還元力を測定した。合成(S,S)−SDG−1、合成(R,R)−SDG−2及び天然(S,S)−SDG−1の還元力は、高濃度において有意に濃度依存的であった。しかし、試験を行った全ての濃度において、SDGは既知の抗酸化物質であるアスコルビン酸及びα−トコフェロールと同等またはより高い還元力を有しており、200〜500μΜの範囲では、SDGの抗酸化能力が著しく高くなっていた。より低濃度(1〜100μΜ)では還元力と基質濃度の線形関係が観察されており、上記の5つの化合物についての回帰直線方程式が確立された。これにより、還元力の半数効果濃度(EC50)を計算することができた(図3)。合成(S,S)−SDG−1及び(R,R)−SDG−2のEC50(平均±標準偏差)値は、それぞれ292.17±27.71μΜ及び331.94±21.21μΜであった。これらの値は、天然(S,S)−SDG−1(EC50=275.24±13.15μΜ)のEC50値と同程度であったが、アスコルビン酸が示した値(EC50=1129.32±88.79μΜ)及びα−トコフェロールが示した値(EC50=944.62±148.00μΜ)に比べて約3分の1であった。
合成(S,S)−SDG−1及び(R,R)−SDG−2のヒドロキシルラジカル及びペルオキシルラジカル消去能(フルオレセイン酸化阻害によって明らかになる)をそれぞれヒドロキシルラジカル抗酸化能アッセイ(HORAC,没食子酸標準試料)及びペルオキシルラジカル吸収能アッセイ(ORAC,トロロックス標準試料)によって評価した(表1)。ヒドロキシルラジカルによるフルオレセイン酸化は、合成(S,S)−SDG−1及び合成(R,R)−SDG−2によって濃度依存的な様式で減少し、没食子酸の2分の1となることが分かった。しかし、合成(S,S)−SDG−1の活性は天然(S,S)−SDG−1とは異なっており、それは恐らくは微量不純物のせいであろう。2,2’−アゾビス(2−アミジノプロパン)二塩酸塩(AAPH)を用いて生成されたペルオキシルラジカルによるフルオレセイン酸化は、合成(S,S)−SDG−1、(R,R)−SDG−2及び天然(S,S)−SDG−1の存在下で大幅に減少し、トロロックス標準試料と比較して抗酸化能力が2倍増加した(表1)。
2,2−ジフェニル−l−ピクリルヒドラジル(DPPH)フリーラジカル消去アッセイを用いて合成(S,S)−SDG−1及び(R,R)−SDG−2のフリーラジカル消去活性を測定し、天然(S,S)−SDG−1、アスコルビン酸及びα−トコフェロールのフリーラジカル消去活性と比較した(図4)。低濃度(5〜25μΜ)及び中濃度(50〜100μΜ)範囲では、SDGは同様の消去能を示したが、より高濃度(250〜500μΜ)では、合成(S,S)−SDG−1による阻害は(R,R)−SDG−2及び天然(S,S)−SDG−1によって示される阻害よりも有意に低かった。低〜中濃度範囲(5〜100μΜ)における消去能の回帰直線を確立することによって、これらの化合物のフリーラジカルEC50消去活性を測定することができた。図5に示すように、合成(R,R)−SDG−2(123.63±8.67μΜ)及び合成(S,S)−SDG−1(157.54±21.3μΜ)に有意差はなかった。これらの値は、天然(S,S)−SDG−1によって示された値(83.94±2.80μΜ)及びα−トコフェロールによって示された値(132.81±12.57μΜ)と同水準であったが、アスコルビン酸によって示された値(439.56±11.81μΜ)よりも大幅に低かった。これらの結果は、SDGに関する文献値(非特許文献2)と同程度である。
Claims (15)
- 前記反応工程が、TMSOTfの存在下で行われることを特徴とする請求項1または2に記載の方法。
- 前記反応工程が、活性モレキュラーシーブの存在下で行われることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記開裂工程が、メタノール中においてH2及びPd/Cの存在下で行われることを特徴とする請求項1または2に記載の方法。
- 前記分離操作が、分取薄層クロマトグラフィを用いて行われることを特徴とする請求項1または2に記載の方法。
- 前記脱保護工程が、ナトリウムメトキシドのメタノール溶液中で行われることを特徴とする請求項1または2に記載の方法。
- 前記シュトッベ縮合反応が、メタノール中においてリチウムの存在下で行われることを特徴とする請求項11に記載の方法。
- 前記リチウムが、リチウムワイヤの形態で存在することを特徴とする請求項12に記載の方法。
- 前記式(4)の化合物が、バニリンをコハク酸メチルとシュトッベ縮合反応させ、続いてエステル化反応を行う工程を含む方法によって製造されることを特徴とする請求項11に記載の方法。
- 前記シュトッベ縮合反応が、メタノール中においてリチウムワイヤの存在下で行われることを特徴とする請求項14に記載の方法。
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