JP6317619B2 - 誘導発熱ローラ装置 - Google Patents
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Description
検証したロール本体(内径Φ×面長L)の定格電圧印加時における、インピーダンスとロール本体の内面温度との関係は、以下の近似式となる。
θi=knZn+kn−1Zn−1+kn−2Zn−2+,・・・,+k2Z2+k1Z+k0
ここで、θiはロール本体の内面温度[℃]、Zはインピーダンス(=E/I)、kn(n=1,2,・・・,n)及びk0は、実測値により定まる係数である。
また、定常時のロール本体の内面温度とロール本体の表面温度との間にも所定の関係がある。そこで、前記ロール温度算出部が、前記インピーダンスと前記関係データとから得られた前記ロール本体の温度を、前記ロール本体の内面温度と表面温度との温度差をθ[℃]としたときに、以下の式から得られる温度差θを用いて補正することが望ましい。
θ=kP/[2π/{ln(d2/d1)/λ}]
ここで、d1はロール本体の内径[m]であり、d2はロール本体の外径[m]であり、λはロール本体の平均温度における熱伝導率[W/m・℃]であり、Pは熱流速[W/m]であり、ここではロール本体の内面の発熱量[W]を発熱内面長[m](巻き線幅に等しい)で除した値である。また、kは実測値から算出した補正係数である。
つまり、インピーダンスによるロール本体の温度の検出は内面温度の平均温度を検出するものであるから、ジャケット室によって均一化されたロール本体の各部表面温度はインピーダンスによって検出した温度を必要な補正を加えて表面温度に換算した値と等価であるといえる。
ここで、前記ロール本体の断面積をSとし、前記ジャケット室の断面積の総和をSjとし、前記ロール本体の肉厚をtとしたときに、前記ロール温度算出部が、前記ロール本体の内径d1を、dj1=d1+t{1−α(1−Sj/S)}とし、前記ロール本体の外径d2を、dj2=d2−t{1−α(1−Sj/S)}として得られる温度差θを用いて、前記ロール本体の温度を算出することが望ましい。なお、dj1は、ジャケット室による肉厚低下分を考慮した仮想内径であり、dj2は、ジャケット室による肉厚低下分を考慮した仮想外径である。
tj=α×t(S−Sj)/S (α>1)
ここで、αは、温度低下に伴う熱媒体の圧力低下によるジャケット室の機能低下の割合を示す変数である。α−θの関係は、熱媒体の種類と、ジャケット室内の不純物濃度とによって特性が定まる。
t−tj=t−α×t(S−Sj)/S
=t{1−α(S−Sj)/S}
=t{1−α(1−Sj/S)}
dj1=d1+t{1−α(1−Sj/S)}
dj2=d2−t{1−α(1−Sj/S)}
つまり、計算上の外内径比が小さくなり、温度差θは小さくなるので、温度計測誤差も小さくなる。
ここで、出荷時の電源電圧V1で算出したインピーダンス−温度特性式(前記関係データ)を、ユーザの使用時における電源電圧V2に応じて補正しなければならない。
これは、図5に示す単相の誘導発熱ローラ(単相ローラ)の等価回路において、電源電圧が変わると、磁気回路における磁束密度が変化するため、励磁インピーダンスr0、l0及びシェルリアクタンス(ロール本体のリアクタンス)l2が変化し、また、磁束密度の変化によるシェル透磁率(ロール本体の透磁率)が変化することで電流浸透度が変わってシェル抵抗(ロール本体の抵抗)r2が変化し、回路インピーダンスも変化するためである。ここで、誘導発熱ローラとは、ロール本体及び磁束発生機構からなる部分である。
ロール本体の電流浸透度σは、σ=5.033√(ρ/μs×f)で計算できる。式中のρは固有抵抗、μsは比透磁率、fは周波数である。ここで、磁性材製のロール本体の比透磁率は磁束密度によって変化し、金属種毎に固有の特性を示す。この磁性材の比透磁率−磁束密度特性を予め測定しておき、入力電圧に応じた磁束密度のときの電流浸透度を算出して、電流浸透度に反比例したインピーダンスを修正して温度を読み取ることになる。なお、ロール本体の材質が例えば炭素鋼S45Cの場合、磁束密度と比透磁率との関係は、図7に示すものとなる。
また、固有抵抗も金属種毎に温度との固有の変化特性を示すので、温度変化に伴って電流浸透度σも変化してインピーダンスが変わる。しかし、ロール本体の発熱部温度とインピーダンスの関係近似式は、ロール本体の発熱部温度の変化を含んだ式であり、これに関する補正は必要ない。
また、入力電圧の変化による磁束密度の変化によって、図5の等価回路のシェルリアクタンスl2の値も変化する。シェルリアクタンスl2は、ロール本体の固有抵抗及び磁束密度に関係した変化を示すので、前もって特性を測定しておいてインピーダンスを補正することになる。またリアクタンスl1は、ロール本体の構造によって決まる値であり、前もって計算しておく必要がある。
Zn={1−a(E−Vin)b}Zon
ここで、Eは定格電源電圧であり、Vinは制御素子入力電圧であり、Zonは補正前の時間tnにおけるインピーダンスであり、nは検出順を表わす数であり、aおよびbはロール毎の定数である。
例えば数十マイクロ秒程度に区切った時間tn間の実効電圧及び実効電流から算出したZonを、上記補正式に代入して、補正したインピーダンスZnを求める。
さらに次の区切られた時間t(n+1)の実効電圧及び実効電流から求めたZo(n+1)を補正式に代入し、補正インピーダンスZ(n+1)を求める。こうして順次区切られた時間ごとのインピーダンス補正を連続的に行う。
サイリスタの位相角変化による影響を補正した補正インピーダンスZは、下記となる。
Z=a×Zx
ここで、C=V/Vinとすると、
a=anCn+an−1Cn−1+an−2Cn−2+,・・・,+a2C2+a1C+a0
ここで、anは各誘導発熱ローラ装置により定まる実測値に基づく係数であり、a0は定数である。
また、Zxは、補正前のインピーダンスであり、Vinは、サイリスタの受電電圧であり、Vは、サイリスタの出力電圧である。
r1=kL/100S[Ω]
k=2.1(234.5+θc)/309.5
ここで、Lは電線長[m]であり、Sは電線断面積[mm2]であり、θcは巻き線温度[℃]である。
巻き線抵抗値は、巻き線に数秒以内の短時間に一定の直流電圧を印加して、当該直流電圧を巻き線に流れる直流電流で除せば算出できる。ここで、直流電圧であれば誘導作用は無いので、直流電流は、ロール本体及び鉄心の影響は受けず、巻き線抵抗値のみとの関係となる。なお、巻き線温度は急激には変化しないことから、周期的且つ短時間の測定値を採用しても、大きな測定誤差を生むことは無い。
ここで、誘導発熱ローラは、仕様が同じローラであっても、誘導コイルである巻き線の仕上がり状態に微妙な違いが生じたり、ロール本体の材質の不均一性及び仕上がり寸法にも微妙な違いが発生する。さらに巻き線が巻回される鉄心及びロール本体の焼鈍状況によって透磁率にも違いが発生する。
力率は、cosφ=R/√{R2+(ωL)2}となるから、R及びLが変化すれば、特異点を除いて力率も変化する。また、インピーダンスZは、Z=√{R2+(ωL)2}=V/Iだから、これもR及びLが変化すればV/Iも変化し、また、入力電圧が同じであっても電流I及び力率cosφが変化するので、容量Pも変化する。したがって、基準となる近似式から算出したロール本体の表面温度に誤差が発生する。
Px=Pr+ΔP
cosφx=(Pr+ΔP)/{Pr/cosφr+ΔP/k}
Pr+ΔP=Pr・cosφx/cosφr+ΔPcosφx/k
ΔP(1−cosφx/k)=Pr(cosφx/cosφr−1)
ΔP{(k−cosφx)/k}=Pr{(cosφx−cosφr)/cosφr}
ΔP={(cosφx−cosφr)/cosφr}{k/(k−cosφx)}Pr
={k(cosφx−cosφr)/cosφr(k−cosφx)}Pr ・・・(式1)
Px=[{k(cosφx−cosφr)/cosφr(k−cosφx)}+1]Pr ・・・(式2)
容量比Px/Pr=(式2)/Pr
={k(cosφx−cosφr)/cosφr(k−cosφx)}+1 ・・・(式3)
容量比は、電流比と力率比の積で構成されているから、(式3)を力率比で割ると、電流比が求められる。
Ix/Ir=[{k(cosφx−cosφr)/cosφr(k−cosφx)}+1]/(cosφx/cosφr)
=(k−cosφr)/(k−cosφx) ・・・(式4)
複数台の誘導発熱ローラを製作する場合は、各誘導発熱ローラの力率及び容量を測定して、(式3)及び(式4)から係数kを求める。
しかし、検出対象ローラの特性グラフは、基準ローラの特性グラフに対して大きな特性変化はないと考えられるので、検出対象ローラの特性グラフと基準ローラの特性グラフとは平行移動の関係と考えて計算を進める。
ここで、交流電流Ixかつ力率cosφxのときは、検出対象ローラの容量は、基準ローラの容量に比べて(式3)の倍率だけ変化するので、温度上昇値も同じ比率で変化する。
Δθx={k(cosφx−cosφr)/cosφr(k−cosφx)+1}Δθr ・・・(式5)
θx={k(cosφx−cosφr)/cosφr(k−cosφx)+1}Δθr+θa ・・・(式6)
No.1ローラ:銅ライニング無し、
No.2ローラ:銅ライニング有り、銅ライニングの厚さ0.3mm、
No.3ローラ:銅ライニング有り、銅ライニングの厚さ0.4mm
No.1ローラ及びNo.2ローラでは、k=1.24、
No.1ローラ及びNo.3ローラでは、k=1.10、
No.2ローラ及びNo.3ローラでは、k=0.93、となる。
ΔP={(cosφx−cosφr)/cosφr(1−cosφx)}Pr
Px=[{(cosφx−cosφr)/cosφr(1−cosφx)}+1]Pr
Px/Pr={(cosφx−cosφr)/cosφr(1−cosφx)}+1
Ix/Ir=(1−cosφr)/(1−cosφx)
Δθx={(cosφx−cosφr)/cosφr(1−cosφx)+1}Δθr
θx={(cosφx−cosφr)/cosφr(1−cosφx)+1}Δθr+θa
製作台数が1台では、実測からkを算出できないが、仕様の同じ誘導発熱ローラを複数台製作する場合には、k=1として、上式から温度を算出すれば、近似値を得ることができる。
Z2=a×Z1
ここで、C=V/Vinとすると、
a=anCn+an−1Cn−1+an−2Cn−2+,・・・,+a2C2+a1C+a0
ここで、anは各誘導発熱ローラ装置により定まる実測値に基づく係数であり、a0は定数である。
また、Z1は、補正前のインピーダンスであり、Vinは、サイリスタの受電電圧であり、Vは、サイリスタの出力電圧である。
Z3={1−a(E−Vin)b}Z2
ここで、Eは定格電源電圧であり、Vinは制御素子入力電圧であり、Z2は補正前のインピーダンスであり、aおよびbはロール毎の定数である。この補正は区切られた時間ごとに連続的に行なう。
r1=kL/100S[Ω]
k=2.1(234.5+θc)/309.5
ここで、Lは電線長[m]であり、Sは電線断面積[mm2]であり、θcは巻き線温度[℃]である。
θ=kP/[2π/{ln(d2/d1)/λ}]
ここで、d1はロール本体の内径[m]であり、d2はロール本体の外径[m]であり、λはロール本体の平均温度における熱伝導率[W/m・℃]であり、Pは熱流速[W/m]であり、ここではロール本体の内面の発熱量[W]を発熱内面長[m](巻き線幅に等しい)で除した値である。また、kは実測値から算出した補正係数である。なお、熱流速[W/m]を求めるに当たって、ロール温度算出部64は、電力検出部11から得られる電力値を用いる。
θx=Δθx+θa
={(cosφx−cosφr)/cosφr(1−cosφx)+1}Δθr+θa
2・・・ロール本体
2S・・・ジャケット室
3・・・磁束発生機構
32・・・巻き線
4・・・制御素子
5・・・電源回路
6・・・制御装置
61・・・インピーダンス算出部
62・・・インピーダンス補正部
63・・・関係データ格納部
64・・・ロール温度算出部
7・・・交流電流検出部
8・・・交流電圧検出部
9・・・電源電圧検出部
10・・・温度検出部
11・・・電力検出部
12・・・力率検出部
Claims (7)
- 回転自在に支持されたロール本体と、前記ロール本体の内部に設けられ、鉄心及び当該鉄心に巻回された巻き線からなる磁束発生機構と、前記巻き線に接続されるとともに、交流電流又は交流電圧を制御する制御素子が設けられた電源回路とを備えた誘導発熱ローラ装置であって、
前記巻き線を流れる交流電流を検出する交流電流検出部から得られる交流電流値及び前記巻き線に印加される交流電圧を検出する交流電圧検出部から得られる交流電圧値により、前記巻き線のインピーダンスを算出するインピーダンス算出部と、
前記巻き線のインピーダンスと前記ロール本体の内面温度との関係を示す関係データを格納する関係データ格納部と、
前記インピーダンス算出部により得られたインピーダンスと前記関係データ格納部に格納された関係データとから前記ロール本体の内面温度を算出するロール温度算出部とを備え、
前記ロール温度算出部が、前記インピーダンスと前記関係データとから得られた前記ロール本体の内面温度を、前記ロール本体の内面温度と表面温度との温度差をθ[℃]としたときに、
θ=kP/[2π/{ln(d 2 /d 1 )/λ}](ここで、d 1 はロール本体の内径[m]であり、d 2 はロール本体の外径[m]であり、λはロール本体の平均温度における熱伝導率[W/m・℃]であり、Pは熱流速[W/m]であり、kは補正係数である。)から得られる温度差θを用いて補正して、前記ロール本体の表面温度を算出する、誘導発熱ローラ装置。 - 前記ロール本体の側周壁に気液二相の熱媒体が封入されるジャケット室が形成されており、
前記ロール本体の断面積をSとし、前記ジャケット室の断面積の総和をSjとし、前記ロール本体の肉厚をtとし、温度低下に伴う熱媒体の圧力低下によるジャケット室の機能低下の割合を示す変数をαとしたときに、
前記ロール温度算出部が、前記ロール本体の内径d1を、dj1=d1+t{1−α(1−Sj/S)}とし、前記ロール本体の外径d2を、dj2=d2−t{1−α(1−Sj/S)}として得られる温度差θを用いて、前記ロール本体の表面温度を算出する請求項1記載の誘導発熱ローラ装置。 - 前記インピーダンス算出部により得られたインピーダンスを、前記電源回路の電源電圧を検出する電源電圧検出部から得られる電源電圧値により補正するインピーダンス補正部を更に備え、
前記ロール温度算出部が、前記インピーダンス補正部により補正された補正インピーダンスと前記関係データとから前記ロール本体の内面温度を算出する請求項1又は2記載の誘導発熱ローラ装置。 - 前記制御素子が、半導体により電流又は電圧の通電角を制御するものであり、
前記インピーダンス算出部により得られたインピーダンスを、前記制御素子の通電角により補正するインピーダンス補正部を更に備え、
前記ロール温度算出部が、前記インピーダンス補正部により補正された補正インピーダンスと前記関係データとから前記ロール本体の内面温度を算出する請求項1乃至3の何れかに記載の誘導発熱ローラ装置。 - 前記インピーダンス補正部が、前記インピーダンス算出部により得られたインピーダンスを、前記巻き線の温度を検出する温度検出部から得られる巻き線温度により補正するものである請求項3又は4記載の誘導発熱ローラ装置。
- 直流電源を制御して、前記巻き線に間欠的に直流電圧を印加する直流電圧印加部と、
前記直流電圧印加部により印加される直流電圧と当該直流電圧を印加したときに前記巻き線に流れる直流電流とから前記巻き線抵抗値を算出する抵抗値算出部とを備え、
前記インピーダンス補正部が、前記インピーダンス算出部により得られたインピーダンスを、前記抵抗値算出部により得られた巻き線抵抗値により補正するものである請求項3又は4記載の誘導発熱ローラ装置。 - 前記ロール温度算出部が、前記ロール本体及び磁束発生機構からなる誘導発熱ローラの力率を検出する力率検出部から得られる力率と、前記誘導発熱ローラの力率と基準となる誘導発熱ローラの力率との関係を示す力率関係データとを用いて、前記ロール本体の表面温度を補正する請求項1乃至6の何れかに記載の誘導発熱ローラ装置。
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