JP6302179B2 - マイクアンプ回路 - Google Patents

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Description

本発明はコンデンサマイク用のマイクアンプ回路に関する。
コンデンサマイクの一種として、MEMSマイク及びエレクトレットコンデンサマイク(ECM)が知られている。
MEMSマイクは、ダイアフラムとバックプレートという近接して対向配置される2枚の電極板からなるコンデンサであり、このような構造がMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)技術を用いてシリコン基板に形成される。MEMSマイクは、標準的なはんだリフロープロセスの温度に耐えることができ、例えば、プリント基板上に他の部品と共にはんだ付けすることができる。
MEMSマイクを動作させるには、比較的高い直流のバイアス電圧が必要である。このバイアス電圧の印加により、MEMSマイクを構成するコンデンサには一定の電荷Qが充電される。この状態で音圧によってダイアフラムが振動すると、当該コンデンサの静電容量Cが変化して、端子間電圧Vの変化を生じる。この電圧Vの変化が音声信号として出力される。
これに対し、ECMは半永久的に電荷を保持するエレクトレット素子を利用するものであり、バイアス電圧が不要という特徴がある。
コンデンサマイク用のマイクアンプ回路については、特許文献1〜3に記載されている。
特開2010−245729号公報 特開2008−153981号公報 特開2001−102875号公報
図5は、従来のマイクアンプ回路30のSNR(signal-noise ratio、信号ノイズ比)特性を示す概念図である。図5(a)は、マイクアンプ回路30の入力換算ノイズAが、ECM等のコンデンサマイク10のノイズMより大きい場合を示している。この場合、入力換算ノイズAがノイズ源として支配的であり、SNRはマイクアンプ回路30により増幅された後のコンデンサマイク10の音声信号Sと入力換算ノイズAとの比になる。
図5(b)はマイクアンプ回路30の入力換算ノイズAをコンデンサマイク10のノイズMより小さく低減した場合を示している。この場合は、コンデンサマイク10のノイズMがノイズ源として支配的であり、SNRはマイクアンプ回路30により増幅された後のマイク素子10の音声信号Sとコンデンサマイク10のノイズMとの比になる。
すなわち、マイクアンプ回路30のノイズは、入力換算ノイズAとコンデンサマイク10のノイズMの大きい方で決まる。そして、マイクアンプ回路30の入力換算ノイズAを如何に低減しても、SNRの向上はコンデンサマイク10のノイズMのために頭打ちになってしまう。
そこで、本発明は、SNRを向上させ、ダイナミックレンジを拡張することができるマイクアンプ回路を提供することを目的とする。
本発明のマイクアンプ回路は、コンデンサマイクからの音声信号を増幅するプリアンプと、前記音声信号のレベルが、マイクアンプ回路のノイズレベルの近傍にある時にレベル検出信号を出力するレベル検出回路と、前記レベル検出信号に応じて前記プリアンプから出力される音声信号のレベルを減衰させる減衰器と、を備えることを特徴とする。
本発明のマイクアンプ回路によれば、音声信号のレベルがマイクアンプ回路のノイズレベルの近傍にある時にのみ、プリアンプから出力される音声信号のレベルを減衰させるので、SNRを向上させ、ダイナミックレンジを拡張することができる。
本発明のマイクアンプ回路の信号ノイズ特性を示す概念図である。 本発明の第1の実施形態におけるマイクアンプ回路の回路図である。 減衰器の入出力特性を示す図である。 本発明の第2の実施形態におけるマイクアンプ回路の回路図である。 従来例におけるマイクアンプ回路の信号ノイズ特性を示す概念図である。
<本発明の基本原理>
図1は、本発明のマイクアンプ回路の信号ノイズ特性を示す概念図である。ECM、MEMSマイク等のコンデンサマイク10からの音声信号S、並びにノイズMはマイクアンプ回路20により増幅されて出力される。
本発明の基本原理は、マイクアンプ回路20は、コンデンサマイク10の音声信号Sのレベルに応じて、ダイナミックにマイクアンプ回路20のゲインを制御する制御手段を持ち、音声信号Sのレベルがマイクアンプ回路のノイズレベルの近傍(この場合は、ノイズMのレベル近傍)の超低レベルにある時にのみ、制御手段によりゲインを下げることにより、ノイズレベルを低減する。音声信号Sのレベルがノイズレベルの近傍より高い時のゲイン、つまり有信号時のゲインはそのままであり、結果として、SNR並びにダイナミックレンジが向上する。
この場合、SNRは、音声信号Sの基準レベルと無信号時のノイズレベルとの比、として定義される。つまり、本発明では、ノイズレベルは有信号時と無信号時で異なっている。
なお、図1では、マイクアンプ回路20の入力換算ノイズAがコンデンサマイク10のノイズMより小さく低減され、ノイズMが支配的である場合を示しているが、逆に、マイクアンプ回路20の入力換算ノイズAの方が支配的である場合も同様である。
つまり、この場合、マイクアンプ回路20のノイズレベルは、入力換算ノイズAで決まる。
<第1の実施形態>
図2は、上述の基本原理に基づいて構成されたマイクアンプ回路20の回路図である。コンデンサマイク10は、ICの端子21を介してオペアンプ22の反転入力端子(−)に接続される。オペアンプ22の非反転入力端子(+)は接地される。オペアンプ22の出力端子と反転入力端子(−)の間に、コンデンサ23、帰還抵抗24が並列に接続される。オペアンプ22、帰還コンデンサ23、帰還抵抗24はプリアンプPA1を形成している。
帰還抵抗24は、オペアンプ22の出力端子及び反転入力端子(−)の電位を安定化させるために設けられる。コンデンサマイク10からの音声信号が帰還抵抗24を介して、オペアンプ22の反転入力端子(−)から出力端子に通過することを防止するため、帰還抵抗24の抵抗値R0は十分大きな値に設定される。帰還抵抗24の抵抗値R0が十分大きな値の場合、プリアンプPA1のゲインはCe/C0となる。Ceはコンデンサマイク10の容量値、C0は帰還コンデンサ23の容量値である。ゲインはCe/C0の比により、1以上、あるいは1以下に設定することができる。
プリアンプPA1により増幅された音声信号は、アンプ25を介してレベル検出回路26に入力される。レベル検出回路26は、プリアンプPA1により増幅された後の音声信号のレベルが、マイクアンプ回路20のノイズレベルの近傍であって該ノイズレベルより高い第1のレベルよりも低い時に第1のレベル検出信号LD1を出力し、音声信号のレベルが、前記ノイズレベルより高く第1のレベルより低い第2のレベルよりも低い時に第2の検出信号LD2を出力する。この場合、ノイズレベルとは、前述のように、入力換算ノイズAとコンデンサマイク10のノイズMの大きい方のノイズのレベルのことである。
ノイズレベルの近傍とは、ノイズレベルと、ノイズレベルと比較して16dB(デシベル)高いレベルの間の範囲で定義される。また、第1のレベルは、ノイズレベルと比較して10dB〜16dB高い範囲に設定されることが好ましい。第2のレベルは、好ましくはノイズレベルと第1のレベルの間に設定されるが、例えば、第1のレベルと比較して3dB〜6dB低く設定されることがさらに好ましい。
減衰器27は、プリアンプPA1の次段に設けられ、第1のレベル検出信号LD1に応じてプリアンプPA1から出力される音声信号のレベルを減衰させ、第2のレベル検出信号LD2に応じてプリアンプPA1から出力される信号のレベルをさらに大きく減衰させる回路である。
減衰器27は、プリアンプPA1の出力端子に一端が接続された第1の抵抗R1と、第1の抵抗R1の他端と接地の間に直列に接続された第2の抵抗R2及第1のスイッチング素子SW1と、第1の抵抗R1の他端と接地の間に直列に接続された第3の抵抗R3及第2のスイッチング素子SW2を備える。第1のスイッチング素子SW1は第1のレベル検出信号LD1に応じてオンし、第2のスイッチング素子SW2は第2のレベル検出信号LD2に応じてオンする。減衰器27を通過した音声信号は、バッファ28を通して出力される。第1及び第2のスイッチング素子SW1,SW2は、MOSトランジスタ、バイポーラトランジスタで形成することができる。
図3は、減衰器27の入出力特性を示す図である。この場合、減衰器27の入力信号レ
ベルは、プリアンプPA1から出力される音声信号のレベルである。図示のように、音声
信号のレベルが、第1のレベルより高い時は、第1及び第2のレベル検出信号LD1,LD2は出力されず、第1及び第2のスイッチング素子SW1,SW2はオフしているので、プリアンプPA1から出力される音声信号は減衰されることなく出力される。音声信号のレベルが、第1のレベルよりも低くなると、第1のレベル検出信号LD1が出力され、これに応じて、第1のスイッチング素子SW1がオンする。すると、第2の抵抗R2は導通した第1のスイッチング素子SW1を介して接地されるので、音声信号は減衰される。
そして、音声信号レベルが、第2のレベルよりも低くなると、第1のレベル検出信号LD1に加えて、第2のレベル検出信号LD2が出力され、これに応じて、第1及び第2のスイッチング素子SW1,SW2がオンする。すると、第2の抵抗R2及び第3の抵抗R3は、導通した第1及び第2のスイッチング素子SW1,SW2を介して接地されるので、音声信号はさらに大きく減衰される。音声信号の減衰量は、第2の抵抗R2及び第3の抵抗R3の抵抗値により調節することができる。
このように、音声信号のレベルが、マイクアンプ回路20のノイズレベルの近傍の超低レベルの時にのみ、減衰器27によりプリアンプPA1のゲインが下げられることより、ノイズレベルが低減される。音声信号のレベルが第1のレベルより高い時のゲイン、つまり有信号時のゲインはそのままであり、結果として、SNRを向上させ、ダイナミックレンジを拡張することができる。
減衰器27は、レベル検出回路26の第1及び第2の検出信号LD1,LD2を用いて2段階のゲイン制御を行うが、レベル検出回路26の第1の検出信号LD1だけを用いて1段階のみのゲイン制御を行うこともできる。この場合、減衰器27の第2の抵抗R3及び第2のスイッチング素子SW2は省略することができる。
また、レベル検出回路26の検出信号の数を増やし、3段階以上のゲイン制御を行うことも可能である。この場合、減衰器27は検出信号の増減に応じて、直列接続されたスイッチング素子及び抵抗の数が増減される。ゲイン制御の段階を増やすことにより、ゲイン制御に伴う音声の不自然さを軽減することができる。
<第2の実施形態>
図4は、第2の実施形態におけるマイクアンプ回路20Aの回路図である。このマイクアンプ回路20Aにおいては、コンデンサマイク10からの音声信号はプリアンプPA2を通さずに、レベル検出回路26に入力される。したがって、レベル検出回路26は、プリアンプPA2により増幅される前のコンデンサマイク10からの音声信号のレベルを検出する。
この場合、コンデンサマイク10は、ICの端子21を介してオペアンプ22の非反転入力端子(+)に接続される。反転入力端子(−)は、第1のコンデンサ33を介して接地される。オペアンプ22の出力端子と反転入力端子(−)の間に、第2のコンデンサ31、帰還抵抗32が並列に接続される。
帰還抵抗32の抵抗値R4は、第1の実施形態の回路と同様の理由により、十分大きな値に設定される。帰還抵抗32の抵抗値R4が十分大きな値の場合、プリアンプPA2のゲインは(1+C1/C2)となる。C1は第1のコンデンサ33の容量値、C2は第2のコンデンサ31の容量値である。その他の構成は第1の実施形態と同じである。
本実施形態においても、音音声信号のレベルが、マイクアンプ回路20Aのノイズレベルの近傍の超低レベルにある時にのみ、減衰器27によりプリアンプPA2のゲインが下げられることにより、ノイズレベルが低減され、SNRを向上させ、ダイナミックレンジを拡張することができる。
10 コンデンサマイク
20,20A マイクアンプ回路
21 端子
22 オペアンプ
23 帰還コンデンサ
24 帰還抵抗
25 アンプ
26 レベル検出回路
27 減衰器
28 バッファ
PA1,PA2 プリアンプ

Claims (6)

  1. コンデンサマイクからの音声信号を増幅し所定のゲインを有するプリアンプであって、ゲインを設定するために第1のコンデンサと帰還抵抗がオペアンプの出力端子と入力端子の間にそれぞれ接続されているオペアンプを備えるプリアンプと、
    前記プリアンプの出力及び前記音声信号の一方に結合された入力を有するレベル検出回路であって、前記音声信号のレベルがマイクアンプ回路のノイズレベルの近傍にある時にレベル検出信号を出力するレベル検出回路と、
    前記レベル検出信号の状態に応じて前記プリアンプから出力される音声信号のレベルを減衰させる減衰器と、を備えることを特徴とするマイクアンプ回路。
  2. 前記減衰器は、前記プリアンプの出力端子に一端が接続された第1の抵抗と、
    前記第1の抵抗の他端と接地の間に直列に接続された第2の抵抗及びスイッチング素子と、を備え、前記スイッチング素子は前記レベル検出信号に応じてオンすることを特徴とする請求項1に記載のマイクアンプ回路。
  3. コンデンサマイクからの音声信号を増幅し所定のゲインを有するプリアンプであって、ゲインを設定するために第1のコンデンサと帰還抵抗がオペアンプの出力端子と入力端子の間にそれぞれ接続されているオペアンプを備えるプリアンプと、
    前記プリアンプの出力及び前記音声信号の一方に結合された入力を有するレベル検出回路であって、前記音声信号のレベルがマイクアンプ回路のノイズレベルの近傍であって該ノイズレベルより高い第1のレベルよりも低い時に第1のレベル検出信号を出力し、前記音声信号のレベルが前記ノイズレベルより高く前記第1のレベルより低い第2のレベルよりも低い時に第2のレベル検出信号を出力するレベル検出回路と、
    前記第1のレベル検出信号に応じて第1の量だけ前記プリアンプから出力される前記音声信号のレベルを減衰させ、前記第2のレベル検出信号に応じて第1の量よりも大きい第2の量だけ前記プリアンプから出力される信号のレベルをさらに大きく減衰させる減衰器と、を備えることを特徴とするマイクアンプ回路。
  4. 前記減衰器は、前記プリアンプの出力端子に一端が接続された第1の抵抗と、
    前記第1の抵抗の他端と接地の間に直列に接続された第2の抵抗及び第1のスイッチング素子と、
    前記第1の抵抗の他端と接地の間に直列に接続された第3の抵抗及び第2のスイッチング素子と、を備え、前記第1のスイッチング素子は前記第1のレベル検出信号に応じてオンし、前記第2のスイッチング素子は前記第2のレベル検出信号に応じてオンすることを特徴とする請求項3に記載のマイクアンプ回路。
  5. 前記レベル検出回路は、前記プリアンプにより増幅された後の音声信号のレベルを検出することを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載のマイクアンプ回路。
  6. 前記レベル検出回路は、前記プリアンプにより増幅される前の音声信号のレベルを検出することを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載のマイクアンプ回路。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160134975A1 (en) * 2014-11-12 2016-05-12 Knowles Electronics, Llc Microphone With Trimming
CN105744452B (zh) * 2014-12-12 2019-04-02 瑞声声学科技(深圳)有限公司 Mems麦克风电路
US10509624B2 (en) * 2017-01-30 2019-12-17 Cirrus Logic, Inc. Single-bit volume control
CN108737947A (zh) * 2018-08-27 2018-11-02 湖南声仪测控科技有限责任公司 一种应用mems麦克风的声校准器

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS497854B1 (ja) * 1969-04-16 1974-02-22
US4658425A (en) * 1985-04-19 1987-04-14 Shure Brothers, Inc. Microphone actuation control system suitable for teleconference systems
US5235637A (en) * 1989-01-26 1993-08-10 Plantronics, Inc. Voice communication link interface
JPH08111711A (ja) * 1994-10-13 1996-04-30 Nec Corp 拡声電話装置
JPH08265893A (ja) * 1995-03-20 1996-10-11 Aiwa Co Ltd マイクロホン感度調整装置およびそれを使用した通信機
JP3560306B2 (ja) * 1997-03-18 2004-09-02 株式会社ユニトロン カラオケ装置
JP2001060836A (ja) * 1999-08-20 2001-03-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd マイク装置
JP2001102875A (ja) 1999-10-01 2001-04-13 Hosiden Corp 半導体増幅回路及び半導体エレクトレットコンデンサマイクロホン
JP2008028879A (ja) * 2006-07-25 2008-02-07 Sanyo Electric Co Ltd マイクアンプ
JP4959315B2 (ja) 2006-12-18 2012-06-20 オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド 静電容量変化検出回路及びコンデンサマイクロホン装置
WO2010060892A1 (en) * 2008-11-25 2010-06-03 Audioasics A/S Dynamically biased amplifier
JP5319368B2 (ja) 2009-04-03 2013-10-16 セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー コンデンサマイクの増幅回路
US20130129117A1 (en) * 2011-11-21 2013-05-23 Henrik Thomsen Audio amplification circuit

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