JP6278315B2

JP6278315B2 - プラズマｃｖｄ装置

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Publication number: JP6278315B2
Application number: JP2014108090A
Authority: JP
Inventors: 聡尾形; 中込　真人; 真人中込
Original assignee: Tsukishima Kikai Co Ltd
Current assignee: Tsukishima Kikai Co Ltd
Priority date: 2014-05-26
Filing date: 2014-05-26
Publication date: 2018-02-14
Anticipated expiration: 2034-05-26
Also published as: JP2015224351A

Description

本発明は、例えば眼鏡のレンズや腕時計のカバー、自動車のヘッドライト用のレンズ等に用いられる樹脂基板に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置に関するものである。

このような用途に用いられる基板としては、軽量で耐衝撃性が高く、加工が容易なことなどからポリカーボネート樹脂やアクリル樹脂、ＣＲ−３９樹脂（ジエチレングリコールビスアリルカーボネート重合体）、ウレタン系樹脂などから成る樹脂基板が多用されているが、樹脂基板はその表面に傷が付き易いため、硬質の薄膜が形成されて使用される。このように樹脂基板の表面に硬質薄膜を形成するには、例えば特許文献１、２に記載されているようなプラズマＣＶＤ装置が用いられる。

すなわち、これらのプラズマＣＶＤ装置においては、電源に接続されたカソード電極が真空容器内に配置され、このカソード電極に接触するようにして樹脂基板が取り付けられる。ここで、特許文献１に記載のプラズマＣＶＤ装置では真空容器（反応室）自体がアースに接続されたアノード電極とされ、また特許文献２に記載のプラズマＣＶＤ装置ではアースに接続されたアノード電極がカソード電極に対向して真空容器内に配置され、減圧状態で真空容器内に導入された反応ガスのプラズマをこれらカソード電極とアノード電極との間に発生させることにより、カソード電極の接触面とは反対側の樹脂基板の表面にＣＶＤ（化学的蒸着）法によって薄膜を形成する。

特開２０００−３４５３４７号公報特開２００９−１２０８８０号公報

ところで、上述のような眼鏡のレンズや腕時計のカバー、自動車のヘッドライト用のレンズ等の樹脂基板は３次元的に湾曲した形状を有しており、このような樹脂基板が接触して取り付けられるカソード電極の接触面も、同様の曲率で３次元的に湾曲した形状をなすことになる。しかしながら、このようなカソード電極の接触面に樹脂基板を取り付ける際や、あるいはＣＶＤ法によって薄膜を形成する際に、特に樹脂基板では接触面との擦れによって擦り傷が生じ易く、外観不良等の製品としての品位を損なって歩留まりの低下を招くおそれがあった。

また、例えば眼鏡のレンズや腕時計のカバーなどに用いられる小型の樹脂基板は、複数の樹脂基板をマスクトレーに形成された穴にそれぞれ落とし込んで、このマスクトレーごと上記穴の位置に３次元的に湾曲した凸部を有するカソード電極の接触面に取り付けて接触させるようにしているが、この取り付けの際に樹脂基板がずれ動いて凸部に接触するときに擦り傷が生じることがある。

このような樹脂基板のずれ動きを防ぐには、例えばセンサー等を備えることによって樹脂基板を精密に位置決めしつつ接触面に接触させることも考えられるが、装置構造の複雑化を招くことになる。また、樹脂基板がずれ動かないようにマスクトレーの移動速度を遅くして接触面に取り付けようとすると、生産性を損なうことになる。さらに、ＣＶＤ法によって薄膜を形成する際には、樹脂基板はプラズマの熱により１００℃またはそれ以上の温度に加熱されることもあるが、一般的に樹脂基板は線膨張係数が大きく、この熱膨張によってもカソード電極と密着した樹脂基板が擦れて傷ついてしまうおそれもある。

本発明は、このような背景の下になされたもので、装置構造の複雑化や生産性の低下を招くことなく擦り傷の発生を防止して、歩留まり良く樹脂基板に高品位な薄膜を形成することが可能なプラズマＣＶＤ装置を提供することを目的としている。

上記課題を解決して、このような目的を達成するために、本発明は、真空容器内にカソード電極とアノード電極とが配置され、減圧状態で上記真空容器内に導入された反応ガスのプラズマを上記カソード電極とアノード電極との間に形成することにより、上記カソード電極に接触して取り付けられた樹脂基板に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置であって、上記カソード電極における上記樹脂基板の接触面には、該樹脂基板に対する摩擦係数が０．３以下で十点平均表面粗さＲｚが１μｍ以下の低摩擦被膜がコーティングされていることを特徴とする。

従って、このように構成されたプラズマＣＶＤ装置では、カソード電極における樹脂基板の接触面に、該樹脂基板に対する摩擦係数が０．３以下でＪＩＳＢ０６０１：１９９４における十点平均表面粗さＲｚ（ＪＩＳＢ０６０１：２００１における十点平均表面粗さＲｚｊｉｓ）が１μｍ以下の低摩擦被膜がコーティングされていることにより、カソード電極に取り付ける際に樹脂基板がずれ動いたり、薄膜を形成する際に樹脂基板が熱膨張したりしても、接触面との摩擦によって樹脂基板が傷付くことが少ない。さらに、樹脂基板の取り付けの際には、この低摩擦被膜によって案内されるようにして樹脂基板が接触面に密着して接触させられるので、センサー等の使用を少なくできるとともに、マスクトレーの移動速度を極端に遅くしたりせずとも、樹脂基板を正確に位置決めすることができる。

また、このようなプラズマＣＶＤ装置においては、上述のように温度上昇する樹脂基板の変形や変質を防ぐため、カソード電極内に冷却媒体を流通して、その接触面を通しての冷却熱伝達により樹脂基板の冷却を図ることが、例えば特許文献２に記載されている。そして、このような樹脂基板の冷却効果を確実に奏するためにも、上記低摩擦被膜の十点平均表面粗さＲｚを１μｍ以下として平滑にすることにより、樹脂基板との密着性を確保して冷却熱の伝達性を向上させることができる。

なお、低摩擦被膜は漏洩抵抗が１０^８Ω以下であるのが望ましい。例えば厚生労働省所轄独立行政法人産業安全研究所発行の静電気安全指針によれば、漏洩抵抗が１０^８Ω以下の場合は帯電の大きさが小さいまたは殆ど無しとされる。樹脂基板をカソード電極の接触面に接触させて薄膜を形成し、薄膜形成後は樹脂基板を分離して次の樹脂基板を接触させるという操作を繰り返す上述のようなプラズマＣＶＤ装置では、カソード電極が帯電するとＣＶＤ法によって発生した副生成物が微粒子（パーティクル）となって接触面に付着し、これも樹脂基板を傷つける要因となるが、低摩擦被膜の漏洩抵抗が１０^８Ω以下であれば、このような突起による樹脂基板の品位の低下も防ぐことができる。

ここで、上述のような摩擦係数および表面粗さと、さらに漏洩抵抗とを満足する低摩擦被膜としては、二硫化モリブデン被膜、ＴｉＮ被膜、ＴｉＣ被膜、ＣｒＮ被膜、ハードクロムメッキ（工業用クロムメッキ）被膜、導電性ＤＬＣ被膜、導電性フッ素化合物被膜のうちいずれか１種が挙げられる。単なるフッ素樹脂の被膜は絶縁性樹脂（誘電体）であるので、電力損失を生じるとともに、熱伝導率が低いため上述した冷却効果も損なわれるおそれがあるが、例えば導電性を有するフィラーを分散した導電性フッ素化合物被膜であれば、上述のような摩擦係数と表面粗さ、および漏電抵抗を満足するとともに、電力損失を生じることなく冷却効果も維持することができる。

以上説明したように、本発明によれば、センサー等の使用を少なくできて装置構造の簡略化を図るとともに、マスクトレーの移動速度も極端に遅くすることなく生産性を維持しつつ、樹脂基板を精密に位置決めしなくてもカソード電極の接触面に接触させることができ、樹脂基板の擦り傷の発生を防いで製品の品位を低下させることなく、歩留まり良く薄膜を形成することが可能となる。

本発明の第１の実施形態を示す概略図である。図１に示す実施形態におけるマスクトレーと樹脂基板の斜視図である。図１に示す実施形態におけるカソード電極の接触面とマスクトレーに配置された樹脂基板の拡大断面図である。本発明の第２の実施形態を示す概略図である。

図１ないし図３は、本発明の第１の実施形態を示すものである。本実施形態のプラズマＣＶＤ装置１は容量結合型のものであり、真空容器２内の上部にカソード電極３が、下部にはアノード電極４が、上下方向に間隔をあけて互いに対向するように配置されている。真空容器２の排気口２Ａには真空ポンプ５が接続されていて、この真空ポンプ５により真空容器２内は減圧状態とされる。カソード電極３とアノード電極４は、アルミニウム合金、ステンレスのような鋼材、銅などの金属材料により形成されている。

アノード電極４の上面には上下方向に偏平した箱形をなす導入ヘッド６が配設されており、この導入ヘッド６内に導入された反応ガスＧが導入ヘッド６の上面に形成された多数の吹き出し口６Ａから真空容器２内に噴出させられる。反応ガスＧとしては、例えば特許文献２に記載されているのと同様に透明性を維持しつつ硬質の薄膜を形成する場合には、オルガノシロキサン、またはオルガノシロキサンと酸素ガスとの混合ガスが導入される。また、アノード電極４はアース接地されている。

一方、カソード電極３は、マッチングボックス７を介して高周波電源８に接続されている。また、カソード電極３は、絶縁シール９によって真空容器２と絶縁されているとともに、その上面と外周面とがシールド部材１０によって間隔をあけて覆われている。さらに、カソード電極３は冷却手段１１に接続されていて、この冷却手段１１から供給される冷却媒体がカソード電極３内に流通させられる。

また、アノード電極４側に向けられるカソード電極３の下面は接触面３Ａとされており、この接触面３Ａに接触するようにして、図２および図３に示すような樹脂基板１２が取り付けられる。本実施形態における樹脂基板１２はアクリル樹脂やポリカーボネート樹脂、あるいはウレタン系樹脂等から成り、例えば眼鏡のレンズや時計のカバー等に用いられる比較的小さな円盤状のコンタクトレンズ型のものであって、ただしその板厚方向（図３における上下方向）に直交する長手方向（例えば図３における左右方向）と、これら板厚方向と長手方向とに直交する幅方向（例えば図３において図面に直交する方向）とに湾曲（長手方向と幅方向の中央に向かうに従い下方に凸曲）する３次元形状をなしている。

このような樹脂基板１２は、図２および図３に示すマスクトレー１３に配置されて接触面３Ａに取り付けられる。マスクトレー１３は、樹脂材料によって形成されて、接触面３Ａを覆う例えば図２に示すような平板状をなしており、このマスクトレー１３には樹脂基板１２が設置される多数の貫通穴１３Ａが間隔をあけて格子状に形成されている。貫通穴１３Ａは、図３に示すように、アノード電極４側に向けられるマスクトレー１３の下面側が樹脂基板１２の外形寸法よりも僅かに一回り小さな寸法となり、上面側は逆に樹脂基板１２の外形寸法よりも僅かに一回り大きな寸法となるように、下面側に向かうに従い内径が漸次縮径するテーパ穴状に形成されている。

このような貫通穴１３Ａに樹脂基板１２は、図２に矢線で示すようにマスクトレー１３の上面側から落とし込まれるようにして配置される。すなわち、樹脂基板１２の外周縁部が上述のようにテーパ穴状をなす貫通穴１３Ａの内周縁部に下方に向けて当接して引っ掛かるようにして、樹脂基板１２がマスクトレー１３に配置される。こうして樹脂基板１２が配置されたマスクトレー１３は、カソード電極３とアノード電極４との間に水平方向から差し入れられた後に図３に矢線で示すように所定のストロークで上昇させられ、図１に示すようにカソード電極３の接触面３Ａに固定されて取り付けられる。

さらに、このカソード電極３の上記接触面３Ａには、マスクトレー１３の上記貫通穴１３Ａに対応する位置に、それぞれ凸部３Ｂが形成されている。これらの凸部３Ｂは、貫通穴１３Ａに配置された樹脂基板１２の上面がなす凹曲面に密着するような寸法、形状に表面（下面）が湾曲（凸曲）した３次元形状をなしている。なお、これらの凸部３Ｂ以外の部分の接触面３Ａは水平な平坦面とされて、マスクトレー１３の上面が密着可能とされている。

そして、このような凸部３Ｂが形成されたカソード電極３の接触面３Ａには、その全面に亙って、図３に拡大して示すように上述のような樹脂基板１２に対する摩擦係数が０．３以下で、ＪＩＳＢ０６０１：１９９４における十点平均粗さによる表面粗さＲｚが１μｍ以下の低摩擦被膜１４がコーティングされている。ただし、図３では説明のため、低摩擦被膜１４の膜厚は厚く示されている。この低摩擦被膜１４は、本実施形態では二硫化モリブデン被膜、ＴｉＮ被膜、ＴｉＣ被膜、ＣｒＮ被膜、ハードクロムメッキ被膜、導電性ＤＬＣ被膜、導電性フッ素化合物被膜のうちいずれか１種より成るものであって、その漏洩抵抗が１０^８Ω以下とされており、また膜厚は０．１μｍ〜１．０ｍｍの範囲内で略一定の厚さとされている。

このような低摩擦被膜１４がコーティングされたカソード電極３の接触面３Ａに、貫通穴１３Ａに樹脂基板１２が設置されたマスクトレー１３を上述のように所定のストロークで上昇させて取り付ける際、例えば樹脂基板１２が貫通穴１３Ａに精密に位置決めされて配置されていなかったり、あるいはマスクトレー１３を上昇させたときの衝撃によって樹脂基板１２が貫通穴１３Ａ内でずれ動いたりしても、樹脂基板１２は接触面３Ａの凸部３Ｂ表面にコーティングされた低摩擦被膜１４に接触することで、この凸部３Ｂがなす３次元形状に倣うように案内されて該凸部３Ｂと密着する。

従って、センサー等を頻繁に用いて樹脂基板１２を正確に位置決めしたり、樹脂基板１２がずれ動かないようにマスクトレー１３を上昇させるときの移動速度を極端に遅くしたりせずとも、樹脂基板１２を確実に凸部３Ｂと密着させることができる。このため、装置構造の簡略化と生産性の向上を図りつつ、貫通穴１３Ａからアノード電極４側に臨んだ樹脂基板１２の表面に硬質の薄膜を形成することが可能となる。

そして、このように樹脂基板１２が凸部３Ｂに倣って案内される際には、低摩擦被膜１４の樹脂基板１２に対する摩擦係数が０．３以下で抵抗が少なく、また表面粗さＲｚが１μｍ以下で滑らかであるため、凸部３Ｂに密着した樹脂基板１２の裏面が摩擦によって傷付くことが少なく、傷によって樹脂基板１２の透明度が低下するのを防いで高品位の製品を歩留まり良く製造することができる。また、本実施形態ではカソード電極３に冷却手段１１が接続されていて、薄膜を形成する際の樹脂基板１２の熱膨張を抑制するようにされているが、万一このような冷却手段１１にも関わらず樹脂基板１２に熱膨張が生じても、膨張により樹脂基板１２が凸部３Ｂに擦れて傷が付いたりするのも防ぐことができる。

また、本実施形態のプラズマＣＶＤ装置１では、上述のようにカソード電極３が冷却手段１１に接続されていて、薄膜の形成時にはこの冷却手段１１から供給される冷却媒体によりカソード電極３の接触面３Ａから低摩擦被膜１４を介して樹脂基板１２が冷却させられて、上述のような樹脂基板１２の熱膨張を防ぐことができる。そして、上記低摩擦被膜１４は、その表面粗さＲｚが１μｍ以下と平滑にされていて、これにより樹脂基板１２と接触面３Ａの凸部３Ｂとの密着性を十分に確保することができるので、冷却効果の向上を図ることができる。

ここで、低摩擦被膜１４の樹脂基板１２に対する摩擦係数が０．３より大きかったり、表面粗さＲｚが１μｍより大きかったりすると、上述のように樹脂基板１２がカソード電極３の接触面３Ａの凸部３Ｂに倣って案内されるときに擦れてしまい、擦り傷の発生を十分に抑えることができなくなるおそれがある。なお、このような１μｍ以下の表面粗さＲｚは、例えば低摩擦被膜１４をコーティングした後に必要に応じてカソード電極３の接触面３Ａの少なくとも凸部３Ｂに研磨を施すことにより、得ることができる。

一方、この低摩擦被膜１４は漏洩抵抗が１０^８Ω以下であって、帯電することが少なく、または殆ど帯電することがない。このため、マスクトレー１３に配置した樹脂基板１２を接触面３Ａに接触させて薄膜を形成し、薄膜を形成した後は樹脂基板１２をカソード電極３から分離して次に薄膜を形成する樹脂基板１２を接触させるといった操作を繰り返すときに、ＣＶＤ法によって発生した副生成物がカソード電極３の帯電により微粒子（パーティクル）として接触面３Ａに付着するのを防ぐことができる。従って、このような微粒子によって樹脂基板１２が傷付くことも防止することができ、一層高品位の製品を歩留まり良く製造することが可能となる。

なお、これら摩擦係数や表面粗さＲｚ、漏洩抵抗は上記の値以下で小さいほど望ましいが、いずれも０となることはない。このうち、摩擦抵抗と漏洩抵抗の下限値は低摩擦被膜１４の種類によって決定される。このような０．３以下の摩擦係数と１０^８Ω以下の漏洩抵抗とを有する低摩擦被膜１４としては、上述したように二硫化モリブデン被膜、ＴｉＮ被膜、ＴｉＣ被膜、ＣｒＮ被膜、ハードクロムメッキ被膜、導電性ＤＬＣ被膜、導電性フッ素化合物被膜のうちいずれか１種が挙げられる。

次に、図４は、本発明の第２の実施形態のプラズマＣＶＤ装置２１を示すものであり、図１ないし図３に示した第１の実施形態と共通する部分には同一の符号を配して説明を省略する。第１の実施形態では、１つのマスクトレー１３に複数の貫通穴１３Ａが形成されていて、各貫通穴１３Ａに３次元的に湾曲した樹脂基板１２が配置されるとともに、カソード電極３の接触面３Ａにも貫通穴１３Ａに対応した位置に同数の凸部３Ｂが形成されており、これらの凸部３Ｂに樹脂基板１２が密着してカソード電極３と接触するのに対し、第２の実施形態ではカソード電極３の接触面３Ａが１つの３次元的に湾曲（凸曲）した凸部３Ｂをなしていて、この凸部３Ｂに同じく３次元的に湾曲した１つの樹脂基板１２が密着して接触させられることを特徴としている。

また、本実施形態では、マスクトレー１３も、樹脂基板１２に薄膜を形成する部分に１つの貫通穴１３Ａが形成された枠型をなしているとともに、樹脂基板１２の湾曲に合わせて３次元的に湾曲しており、樹脂基板１２のアノード電極４側に向けられる下面の外周縁部を支持してカソード電極３の接触面３Ａに固定される。さらに、このアノード電極４と上記導入ヘッド６のカソード電極３側に向けられる上面とは、樹脂基板１２との上下方向の間隔が略一定となるように、下方に凸曲した樹脂基板１２および接触面３Ａとは逆に下方に凹曲するように形成されている。

そして、この第２の実施形態においても、カソード電極３の接触面３Ａには第１の実施形態と同様の低摩擦被膜１４がコーティングされている。従って、樹脂基板１２がカソード電極３の接触面３Ａに接触する際のずれ動きによる擦り傷や、樹脂基板１２の取り付け、取り外しを繰り返すうちに接触面３Ａに微粒子が付着することによる擦り傷の発生を防止することができ、高品質の樹脂基板１２を歩留まり良く製造することができる。また、本実施形態ではアノード電極４および導入ヘッド６の上面と樹脂基板１２との上下方向の間隔が略一定とされるので、より均一な膜厚の薄膜を形成することもできる。さらに、この第２の実施形態では、例えば自動車のヘッドライト用のレンズ等の比較的大きな樹脂基板１２にも薄膜を形成することができる。

なお、この第２の実施形態や第１の実施形態においても、カソード電極３とアノード電極４は上下方向に対向しているが、樹脂基板１２を垂直に保持可能であれば水平方向に対向していてもよい。また、第１、第２の実施形態では樹脂基板１２が板厚方向に直交する長手方向と幅方向とに湾曲した３次元形状とされているが、長手方向と幅方向の一方だけに湾曲した円筒面形状などでもよく、また平板状であってもよい。

さらに、樹脂基板１２の材質としては、上述のアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ウレタン系樹脂のほか、特許文献２に記載されたジエチレングリコールビスアリルカーボネート重合体、含硫黄ウレタン系樹脂、フマル酸エステルアリル系樹脂、トリアジン環アクリル樹脂、臭素配合系樹脂、含硫黄ウレタン−ラジカル樹脂、チオエーテルエステル系樹脂などを用いることができる。

次に、本発明の実施例を挙げて、その効果について実証する。本実施例では、まず、曲率半径１２０ｍｍの球面状の凸部が形成されたアルミニウム合金より成るカソード電極の接触面に、低摩擦被膜としてハードクロムメッキ被膜を平均膜厚４０μｍでコーティングしたプラズマＣＶＤ装置を用意した。これを実施例１とする。この実施例１の低摩擦被膜の後述する樹脂基板に対する摩擦係数は０．１７、表面粗さ計で５箇所を測定したときの十点平均表面粗さＲｚの平均値は０．１μｍ、漏洩抵抗は＜０．１Ωであった。

また、この実施例１に対する比較例１として、実施例１と同様の大きさの凸部が形成されたカソード電極の接触面に低摩擦被膜がコーティングされていない、アルミニウム合金の電極材料が露出したままのプラズマＣＶＤ装置も用意した。この比較例１の接触面の樹脂基板に対する摩擦係数は０．３５、表面粗さ計で５箇所を測定したときの十点平均表面粗さＲｚの平均値は１．６μｍ、漏洩抵抗は＜０．１Ωであった。

そして、これら実施例１と比較例１の接触面の凸部に、マスクトレーに配置したウレタン系樹脂より成る樹脂基板を２秒に１００ｍｍのストロークで精密な位置決めを行わずに上下動させて接触、分離を１０回繰り返し、擦り傷の有無を目視で確認した。なお、この樹脂基板は凸部に接触する上面が凸部と同じく曲率半径１２０ｍｍの球面の一部をなす凹曲面とされた３次元形状のものであり、板厚３ｍｍ、直径７５ｍｍの円盤状である。その結果、比較例１では凸部に接触した樹脂基板の上面に長さ１ｍｍ以上の擦り傷が１０本以上発生していたのに対し、実施例では擦り傷の発生は認められなかった。

次いで、実施例１と同じ大きさの球面状の凸部が形成されたステンレスより成るカソード電極の接触面に、低摩擦被膜としてＡμｃｏａｔ（日本フッ素工業株式会社の登録商標）被膜を平均膜厚１μｍでコーティングしたプラズマＣＶＤ装置を用意した。これを実施例２とする。この実施例２の低摩擦被膜の樹脂基板に対する摩擦係数は０．２、表面粗さ計で５箇所を測定したときの十点平均表面粗さＲｚの平均値は０．６μｍ、漏洩抵抗は１０^６Ωであった。

また、この実施例２に対する比較例として、実施例２と同様の大きさの凸部が形成されたカソード電極の接触面にフッ素樹脂被膜を平均膜厚３０μｍで異なる表面粗さでコーティングした２種のプラズマＣＶＤ装置も用意した。これらを比較例２、３とする。これら比較例２、３のフッ素樹脂被膜の樹脂基板に対する摩擦係数はともに０．１６、表面粗さ計で５箇所を測定したときの十点平均表面粗さＲｚの平均値は、比較例２が５．２μｍ、比較例３は４．１μｍ、漏洩抵抗は１０^１６Ωであった。

そして、これら実施例２と比較例２、３とで、実施例１および比較例１と同様のウレタン系樹脂より成る樹脂基板を２秒に１００ｍｍのストロークで上下動させて接触面（凸部）への接触、分離を１０回繰り返し、擦り傷の有無を目視で確認した。その結果、比較例２では樹脂基板の上面に長さ１ｍｍ以上の擦り傷が９本、比較例３では４本発生していたのに対し、実施例２では擦り傷の発生は認められなかった。また、これら実施例２および比較例２、３によって樹脂基板に実際に薄膜を形成する作業を行ったところ、絶縁性樹脂であるフッ素樹脂被膜をコーティングした比較例２、３ではＣＶＤ法によって発生した副生成物の微粒子が接触面に確認されたのに対し、実施例２ではこのような微粒子の発生は認められなかった。

１、２１プラズマＣＶＤ装置
２真空容器
３カソード電極
３Ａ接触面
３Ｂ凸部
４アノード電極
５真空ポンプ
６導入ヘッド
８高周波電源
１１冷却手段
１２樹脂基板
１３マスクトレー
１３Ａ貫通穴
１４低摩擦被膜
Ｇ反応ガス

Claims

真空容器内にカソード電極とアノード電極とが配置され、減圧状態で上記真空容器内に導入された反応ガスのプラズマを上記カソード電極とアノード電極との間に形成することにより、上記カソード電極に接触して取り付けられた樹脂基板に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置であって、上記カソード電極における上記樹脂基板の接触面には、該樹脂基板に対する摩擦係数が０．３以下で十点平均表面粗さＲｚが１μｍ以下の低摩擦被膜がコーティングされていることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
上記低摩擦被膜は、漏洩抵抗が１０^８Ω以下であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマＣＶＤ装置。
上記低摩擦被膜は、二硫化モリブデン被膜、ＴｉＮ被膜、ＴｉＣ被膜、ＣｒＮ被膜、ハードクロムメッキ被膜、導電性ＤＬＣ被膜、導電性フッ素化合物被膜のうちいずれか１種であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のプラズマＣＶＤ装置。