JP6270506B2 - 積層型超音波振動デバイスおよび超音波医療装置 - Google Patents

積層型超音波振動デバイスおよび超音波医療装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6270506B2
JP6270506B2 JP2014012687A JP2014012687A JP6270506B2 JP 6270506 B2 JP6270506 B2 JP 6270506B2 JP 2014012687 A JP2014012687 A JP 2014012687A JP 2014012687 A JP2014012687 A JP 2014012687A JP 6270506 B2 JP6270506 B2 JP 6270506B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thickness
ultrasonic
single crystal
ultrasonic vibration
piezoelectric
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2014012687A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015142173A (ja
Inventor
伊藤 寛
寛 伊藤
塩谷 浩一
浩一 塩谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Olympus Corp
Original Assignee
Olympus Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Olympus Corp filed Critical Olympus Corp
Priority to JP2014012687A priority Critical patent/JP6270506B2/ja
Priority to CN201580005735.6A priority patent/CN105934954B/zh
Priority to PCT/JP2015/051542 priority patent/WO2015111622A1/ja
Priority to EP15739798.5A priority patent/EP3101912B1/en
Publication of JP2015142173A publication Critical patent/JP2015142173A/ja
Priority to US15/221,087 priority patent/US10322437B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6270506B2 publication Critical patent/JP6270506B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B06GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS IN GENERAL
    • B06BMETHODS OR APPARATUS FOR GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS OF INFRASONIC, SONIC, OR ULTRASONIC FREQUENCY, e.g. FOR PERFORMING MECHANICAL WORK IN GENERAL
    • B06B1/00Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency
    • B06B1/02Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy
    • B06B1/06Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction
    • B06B1/0607Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction using multiple elements
    • B06B1/0611Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction using multiple elements in a pile
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61BDIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B17/00Surgical instruments, devices or methods, e.g. tourniquets
    • A61B17/32Surgical cutting instruments
    • A61B17/320068Surgical cutting instruments using mechanical vibrations, e.g. ultrasonic
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B06GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS IN GENERAL
    • B06BMETHODS OR APPARATUS FOR GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS OF INFRASONIC, SONIC, OR ULTRASONIC FREQUENCY, e.g. FOR PERFORMING MECHANICAL WORK IN GENERAL
    • B06B3/00Methods or apparatus specially adapted for transmitting mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01Manufacture or treatment
    • H10N30/05Manufacture of multilayered piezoelectric or electrostrictive devices, or parts thereof, e.g. by stacking piezoelectric bodies and electrodes
    • H10N30/057Manufacture of multilayered piezoelectric or electrostrictive devices, or parts thereof, e.g. by stacking piezoelectric bodies and electrodes by stacking bulk piezoelectric or electrostrictive bodies and electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80Constructional details
    • H10N30/87Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
    • H10N30/871Single-layered electrodes of multilayer piezoelectric or electrostrictive devices, e.g. internal electrodes
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61BDIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B17/00Surgical instruments, devices or methods, e.g. tourniquets
    • A61B17/32Surgical cutting instruments
    • A61B17/320068Surgical cutting instruments using mechanical vibrations, e.g. ultrasonic
    • A61B17/320092Surgical cutting instruments using mechanical vibrations, e.g. ultrasonic with additional movable means for clamping or cutting tissue, e.g. with a pivoting jaw
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61BDIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B17/00Surgical instruments, devices or methods, e.g. tourniquets
    • A61B17/32Surgical cutting instruments
    • A61B17/320068Surgical cutting instruments using mechanical vibrations, e.g. ultrasonic
    • A61B2017/320069Surgical cutting instruments using mechanical vibrations, e.g. ultrasonic for ablating tissue
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61BDIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B17/00Surgical instruments, devices or methods, e.g. tourniquets
    • A61B17/32Surgical cutting instruments
    • A61B17/320068Surgical cutting instruments using mechanical vibrations, e.g. ultrasonic
    • A61B2017/320071Surgical cutting instruments using mechanical vibrations, e.g. ultrasonic with articulating means for working tip
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61BDIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B17/00Surgical instruments, devices or methods, e.g. tourniquets
    • A61B17/32Surgical cutting instruments
    • A61B17/320068Surgical cutting instruments using mechanical vibrations, e.g. ultrasonic
    • A61B2017/320089Surgical cutting instruments using mechanical vibrations, e.g. ultrasonic node location
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61BDIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B18/00Surgical instruments, devices or methods for transferring non-mechanical forms of energy to or from the body
    • A61B2018/00571Surgical instruments, devices or methods for transferring non-mechanical forms of energy to or from the body for achieving a particular surgical effect
    • A61B2018/00607Coagulation and cutting with the same instrument
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61NELECTROTHERAPY; MAGNETOTHERAPY; RADIATION THERAPY; ULTRASOUND THERAPY
    • A61N7/00Ultrasound therapy
    • A61N2007/0078Ultrasound therapy with multiple treatment transducers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/291Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29101Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/29111Tin [Sn] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32135Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/32145Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/50Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/86Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using tape automated bonding [TAB]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Surgery (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • Heart & Thoracic Surgery (AREA)
  • Medical Informatics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Animal Behavior & Ethology (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Veterinary Medicine (AREA)
  • Dentistry (AREA)
  • Surgical Instruments (AREA)
  • Apparatuses For Generation Of Mechanical Vibrations (AREA)
  • Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)
  • Piezo-Electric Transducers For Audible Bands (AREA)

Description

本発明は、超音波振動を励振する積層型超音波振動デバイス、この積層型超音波振動デバイスを備えた超音波医療装置に関する。
超音波振動を利用して、生体組織の凝固/切開処置を行なう超音波処置具では、ハンドピース内に超音波振動源として、圧電振動子を用いた超音波振動体を内蔵したものがある。
このような超音波振動体には、電気信号を機械振動に変換する圧電素子がフロントマスまたはバックマスとなる2つのブロック状の金属部材に挟まれて、接着などを含めて何らかの方法で一体化されて、それらが一体となって振動するものがある。このような超音波振動子は、ランジュバン振動子と呼ばれている。
ランジュバン振動子は、圧電素子と金属部材とを一体化する方法として、例えば、圧電素子を2つの金属部材間で挟み、ボルトにより強固に締結して全体が一体となって振動するボルト締めランジュバン振動子が知られている。
このようなボルト締めランジュバン振動子に用いられる圧電素子は、一般的にチタン酸ジリコン酸鉛(PZT,Pb(Zr,Ti1−X)O3)が使用され、圧電素子の形状がリング状に加工されて内部にボルトが押通されている。
PZTは、高い生産性および高い電気機械変換効率を有しており、圧電材料として優れた特性を持っているため、長年、超音波振動子やアクチュエーターなどの様々な分野で用いられてきている。
しかしながら、PZTは、鉛を使用しているため、環境への悪影響の観点から、近年は鉛を使用しない非鉛圧電材料の使用が望まれている。このような非鉛圧電材料で高い電気機械変換効率を有する材料としては、圧電単結晶のニオブ酸リチウム(LiNbO3)が知られている。
ニオブ酸リチウムを使用したランジュバン振動子を安価に実現する構成として、金属ブロックによって圧電素子を挟んだ状態で一体的に接合させる方法が従来から知られている。特に、金属ブロックと圧電素子との接合方法として接着剤を用いず、はんだをはじめとするろう材で接合した場合、ランジュバン振動子は、接着剤よりも良好な振動特性が得られるようになる。
しかしながら、はんだなどのろう材によって金属ブロックと圧電素子を接合するとき、一般に高温プロセスが必要になり、金属ブロックと圧電素子を接合した部分としての異種材料接合部において、熱応力により圧電単結晶の圧電素子が割れるという課題がある。
このような課題を解決する技術として、例えば、特許文献1の超音波振動体に開示されている。この従来の超音波振動体では、圧電振動子の上下の両面に設けられた電極に接着剤により接合される各金属ブロックの接合面に、溝やくぼみなどの構造を設けて駆動中に生じる剪断歪みの発生の抑制、接合面での誘電損失の低下などを図り、圧電振動子でのクラックの発生を防ぐと共に、振動モードを安定化させる技術が知られている。
特開2008−128875号公報
しかしながら、特許文献1に開示された従来の超音波振動体では、金属ブロック表面に加工工程が必要となり製造コストを引き上げるという課題がある。
即ち、従来の超音波振動体は、接着で金属ブロックと圧電素子を接合した際に異種材料間の接合部で生じる熱応力、接着剤の硬化収縮により生じる応力などを吸収するために金属ブロック表面に溝やくぼみなどの構造を設けているため、余分な加工プロセスが必要となりコスト高となる課題がある。
また、従来の超音波振動体は、圧電振動子と金属ブロックとの接着固定のために熱硬化型の接着剤を用いた場合に、この接着剤を硬化させるときに接合面近傍を加熱する。これにより、従来の超音波振動体は、接着剤の硬化後、圧電振動子と金属ブロックの熱膨張係数の差が原因で接着温度と常温との温度差に相当する剪断歪みが生じる可能性がある。
そして、圧電振動子と金属ブロックの接合面には、常に残留応力が存在することとなり、これが原因で圧電振動子の内部にクラックが発生するという問題もあった。
そこで、本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、安価に製造できると共に、マス材としての金属ブロックと圧電体の熱膨張係数の差異に起因して生じる応力によって圧電振動子が破損などすることを防止した積層型超音波振動デバイスおよび超音波医療装置を提供することを目的とする。
本発明における一態様の積層型超音波振動デバイスは、2つのマス材の間に複数の圧電体が設けられた積層型超音波振動デバイスにおいて、前記2つのマス材および前記複数の圧電体よりも弾性定数が小さなろう材、すなわち、柔らかいろう材を用いて、同種材料の接合となる前記複数の圧電体間を第1の厚さを有した第1の金属接合層によって接合し、異種材料の接合となる前記複数の圧電体と前記マス材との間を前記第1の厚さよりも厚い第2の厚さを有した第2の金属接合層によって接合した。
また、本発明における一態様の超音波医療装置は、2つのマス材の間に複数の圧電体が設けられ、前記2つのマス材および前記複数の圧電体よりも弾性定数が小さなろう材、すなわち、柔らかいろう材を用いて、同種材料の接合となる前記複数の圧電体間を第1の厚さを有した第1の金属接合層によって接合し、異種材料の接合となる前記複数の圧電体と前記マス材との間を前記第1の厚さよりも厚い第2の厚さを有した第2の金属接合層によって接合した積層型超音波振動デバイスと、前記積層型超音波振動デバイスで発生した超音波振動が伝達され生体組織を処置するプローブ先端部と、を具備する。
本発明によれば、安価に製造できると共に、マス材としての金属ブロックと圧電体の熱膨張係数の差異に起因して生じる応力によって圧電体が破損などすることを防止した積層型超音波振動デバイスおよび超音波医療装置を提供することができる。
本発明の一態様に係る超音波医療装置の全体構成を示す断面図 同、振動子ユニットの全体の概略構成を示す図 同、超音波振動子の構成を示す斜視図 同、超音波振動子の構成を示す側面図 同、圧電単結晶ウエハを示す斜視図 同、下地金属が成膜された圧電単結晶ウエハを示す斜視図 同、ダイシングされる圧電単結晶ウエハを示す斜視図 同、圧電単結晶ウエハから切り出された圧電単結晶体を示す斜視図 同、超音波振動子を含む振動子ユニットの分解斜視図 同、振動子ユニットの超音波振動子へフレキシブルプリント基板を実装前の断面図 同、振動子ユニットの超音波振動子へフレキシブルプリント基板を実装後の断面図 同、超音波振動子にFPCが実装された振動子ユニットを示す斜視図 同、接合金属の厚さに対するマス材との熱膨張係数の差から圧電単結晶体に生じる熱応力の関係を示すグラフ 同、マス材と圧電単結晶体の間に設けられる接合金属の一例を示す分解斜視図
以下、図を用いて本発明について説明する。なお、以下の説明において、各実施の形態に基づく図面は、模式的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、夫々の部分の厚みの比率などは現実のものとは異なることに留意すべきであり、図面の相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。
先ず、本発明の一態様の超音波振動を励振する積層型超音波振動デバイスを備えた超音波医療装置の実施の形態について、図面に基いて以下に説明する。
図1は、超音波医療装置の全体構成を示す断面図、図2は振動子ユニットの全体の概略構成を示す図、図3は超音波振動子の構成を示す斜視図、図4は超音波振動子の構成を示す側面図、図5は圧電単結晶ウエハを示す斜視図、図6は下地金属が成膜された圧電単結晶ウエハを示す斜視図、図7はダイシングされる圧電単結晶ウエハを示す斜視図、図8は圧電単結晶ウエハから切り出された圧電単結晶体を示す斜視図、図9は超音波振動子を含む振動子ユニットの分解斜視図、図10は振動子ユニットの超音波振動子へフレキシブルプリント基板を実装前の断面図、図11は振動子ユニットの超音波振動子へフレキシブルプリント基板を実装後の断面図、図12は超音波振動子にFPCが実装された振動子ユニットを示す斜視図、図13は接合金属の厚さに対するマス材との熱膨張係数の差から圧電単結晶体に生じる熱応力の関係を示すグラフ、図14はマス材と圧電単結晶体の間に設けられる接合金属の一例を示す分解斜視図である。
(超音波医療装置)
図1に示す、超音波医療装置1は、主に超音波振動を発生させる超音波振動子2を有する振動子ユニット3と、その超音波振動を用いて患部の凝固/切開処置を行うハンドルユニット4とが設けられている。
ハンドルユニット4は、操作部5と、長尺な外套管7からなる挿入シース部8と、先端処置部30とを備える。挿入シース部8の基端部は、操作部5に軸回り方向に回転可能に取り付けられている。
先端処置部30は、挿入シース部8の先端に設けられている。ハンドルユニット4の操作部5は、操作部本体9と、固定ハンドル10と、可動ハンドル11と、回転ノブ12とを有する。操作部本体9は、固定ハンドル10と一体に形成されている。
操作部本体9と固定ハンドル10との連結部には、背面側に可動ハンドル11を挿通するスリット13が形成されている。可動ハンドル11の上部は、スリット13を通して操作部本体9の内部に延出されている。
スリット13の下側の端部には、ハンドルストッパ14が固定されている。可動ハンドル11は、ハンドル支軸15を介して操作部本体9に回動可能に取り付けられている。そして、ハンドル支軸15を中心として可動ハンドル11が回動する動作に伴い、可動ハンドル11が固定ハンドル10に対して開閉操作されるようになっている。
可動ハンドル11の上端部には、略U字状の連結アーム16が設けられている。また、挿入シース部8は、外套管7と、この外套管7内に軸方向に移動可能に挿通された操作パイプ17とを有する。
外套管7の基端部には、先端側部分よりも大径な大径部18が形成されている。この大径部18の周囲に回転ノブ12が装着されるようになっている。
操作パイプ19の外周面には、リング状のスライダ20が軸方向に沿って移動可能に設けられている。スライダ20の後方には、コイルばね(弾性部材)21を介して固定リング22が配設されている。
さらに、操作パイプ19の先端部には、把持部23の基端部が作用ピンを介して回動可能に連結されている。この把持部23は、プローブ6の先端部31と共に超音波医療装置1の処置部を構成している。そして、操作パイプ19が軸方向に移動する動作時に、把持部23は、作用ピンを介して前後方向に押し引き操作される。
このとき、操作パイプ19が手元側に移動操作される動作時には作用ピンを介して把持部23が支点ピンを中心に反時計回り方向に回動される。
これにより、把持部23がプローブ6の先端部31に接近する方向(閉方向)に回動する。このとき、片開き型の把持部23と、プローブ6の先端部31との間で生体組織を把持することができる。
このように生体組織を把持した状態で、超音波電源から電力を超音波振動子2に供給し、超音波振動子2を振動させる。この超音波振動は、プローブ6の先端部31まで伝達される。そして、この超音波振動を用いて把持部23とプローブ6の先端部31との間で把持されている生体組織の凝固/切開処置を行う。
(振動子ユニット)
ここで、振動子ユニット3について説明する。
振動子ユニット3は、図2に示すように、超音波振動子2と、この超音波振動子2で発生した超音波振動を伝達する棒状の振動伝達部材であるプローブ6とを一体的に組み付けたものである。
超音波振動子2は、超音波振動子の振幅を増幅するホーン32が連設されている。ホーン32は、ステンレス鋼、ジュラルミン、あるいは例えば64Ti(Ti−6Al−4V)などのチタン合金によって形成されている。
ホーン32は、先端側に向かうに従って外径が細くなる円錐形状に形成されており、基端外周部に外向フランジ33が形成されている。なお、ここでホーン32の形状は円錐形状に限るものではなく、先端側に向かうに従って外径が指数関数的に細くなる指数形状や、先端側に向かうに従って段階的に細くなるステップ形状などであってもよい。
プローブ6は、例えば64Ti(Ti−6Al−4V)などのチタン合金によって形成されたプローブ本体34を有する。このプローブ本体34の基端部側には、上述のホーン32に連設された超音波振動子2が配設されている。
このようにして、プローブ6と超音波振動子2とを一体化した振動子ユニット3が形成されている。なお、プローブ6は、プローブ本体34とホーン32とが螺着されており、プローブ本体34とホーン32が接合される。
そして、超音波振動子2で発生した超音波振動は、ホーン32で増幅されたのち、プローブ6の先端部31側に伝達するようになっている。プローブ6の先端部31には、生体組織を処置する後述する処置部が形成されている。
また、プローブ本体34の外周面には、軸方向の途中にある振動の節位置の数箇所に弾性部材でリング状に形成された間隔をあけて2つのゴムライニング35が取り付けられている。そして、これらのゴムライニング35によって、プローブ本体34の外周面と後述する操作パイプ19との接触を防止するようになっている。
即ち、挿入シース部8の組み立て時に、振動子一体型プローブとしてのプローブ6は、操作パイプ19の内部に挿入される。このとき、ゴムライニング35によってプローブ本体34の外周面と操作パイプ19との接触を防止している。
また、超音波振動子2は、超音波振動を発生させるための電流を供給する図示しない電源装置本体に電気ケーブル36を介して電気的に接続される。この電気ケーブル36内の配線を通じて電源装置本体から電力を超音波振動子2に供給することによって、超音波振動子2が駆動される。
以上の説明から、振動子ユニット3は、超音波振動を発生させる超音波振動子2、この超音波振動子2で発生した超音波振動を増幅させるホーン32および増幅された超音波振動を伝達するプローブ6を備えている。
(超音波振動子)
ここで、本発明の積層型超音波振動デバイスとしての超音波振動子2について以下に説明する。
振動子ユニット3の超音波振動子2は、図3および図4に示すように、先端から順に振動伝達部材の1つであるプローブ本体34に螺着などされて接続された上述のホーン32と、このホーン32の後方に連設された、ここでは矩形状(四角柱形状)の積層振動子41と、ホーン32の基端から電気ケーブル36まで積層振動子41を覆うカバー体51と、を有して構成されている。
なお、積層振動子41を覆うカバー体51は、基端部分に通電部材としての2つのFPC(フレキシブルプリント基板)47,48と電気的に接続された電気ケーブル36の配線36a,36bを覆う折れ止52を有している。なお、通電部材は、FPC47,48に限られず、単なる金属線としてもよい。
積層振動子41は、前方側がホーン32と螺着などによって接続された、ここでは矩形状(四角柱状)の金属ブロック体からなるフロントマス42に接合され、後方側が矩形状(四角柱状)の金属ブロック体からなるバックマス43に接合されている。
なお、フロントマス42およびバックマス43は、超音波振動の吸収が小さく強度が強いことが必要であるため、ホーン32と同様に、ジュラルミンによって形成されている。また、フロントマス42およびバックマス43は、ステンレス鋼、または例えば、64Ti(Ti−6Al−4V)などのチタン合金でもよい。
また、フロントマス42およびバックマス43の長さは、超音波振動子2が所望の共振周波数となるように設計されている。
さらに、積層振動子41は、フロントマス42およびバックマス43との間に絶縁性があり振動が減衰し難い絶縁部材を挟んでも良い。この絶縁部材は、例えば,アルミナ,窒化珪素などのセラミクス系材料を矩形状(四角柱状)の板体に形成した絶縁板を用いるとよい。
このように、積層振動子41は、絶縁部材を設けることで、図1に示した超音波医療装置1が高周波を用いて処置などを行う医療用の高周波メスなどの処置具と併用されても、処置具からの高周波による破損などが防止される。
積層振動子41は、キュリー点の高い非鉛の単結晶材料から形成された圧電素子が用いられ、この圧電素子である圧電単結晶チップとしての圧電単結晶体61が複数、ここでは4つが積層配置されている。
これら4つの圧電単結晶体61、フロントマス42およびバックマス43の間には、それぞれを接合する、ろう材としての後述する非鉛はんだから形成された接合金属層として、正電極層となる正電側接合金属62と負電極層となる負電側接合金属63が交互に介装されている。
なお、積層振動子41は、圧電単結晶体61間、圧電単結晶体61とフロントマス42またはバックマス43との間に設けられた正電側接合金属62または負電側接合金属63に上述のFPC47,48の電気接点部がはんだ、導電性ペーストなどにより電気的に接続されている。
(超音波振動子の製造方法)
次に、以上に説明した超音波振動子2の製造方法について、以下に詳しく説明する。
先ず、超音波振動子2は、キュリー温度(キュリー点)が高く、接合金属の融点でも圧電特性が劣化しない圧電材料を使用し、ここでは単結晶材料としてのニオブ酸リチウム(LiNbO3)からなる圧電単結晶ウエハ71(図5参照)から作成される。
なお、圧電単結晶ウエハ71は、圧電素子の厚み方向の電気機械結合係数が大きくなるように、36度回転Yカットと呼ばれる結晶方位のものが用いられる。
先ず、図5および図6に示すように、圧電単結晶ウエハ71の表裏面に下地金属72が形成される。
具体的には、圧電単結晶ウエハ71は、表裏面上に非鉛はんだと良好な密着性および濡れ性を有する、例えば、Ti/Ni/Au、Ti/Pt/Au、Cr/Ni/AuまたはCr/Ni/Pd/Auからなる下地金属72が蒸着、スパッタ、鍍金などによって成膜される。
次に、図7および図8に示すように、下地金属72が成膜された圧電単結晶ウエハ71から矩形状に圧電体チップとしての圧電単結晶体61を切出加工する。
具体的には、圧電単結晶ウエハ71が厚さの薄いダイシングブレードによって、図7に示す破線(仮想線)に沿って切り出され、図8に示すような矩形状の圧電体チップとしての圧電単結晶体61が複数抽出される。このような構成により、複数の圧電単結晶体61を安価に製造することができる。
次に、図9に示すように、所望の超音波振動子2の仕様に応じた枚数、ここでは4つの圧電単結晶体61が積層され、これら4つの圧電単結晶体61からなる積層体としての積層振動子41の両端を挟むように、マス材であるフロントマス42およびバックマス43が接合される。
具体的には、4つの圧電単結晶体61の下地金属72の間に、第1の接合材料として非鉛はんだである第1のろう材73が設けられる。
4つの圧電単結晶体61間に介装される3つの第1のろう材73は、同種材料である圧電単結晶体61同士の接合に必要な最低限の厚さd1に設定されている。なお、第1のろう材73は、圧電単結晶ウエハ71の一方の下地金属72上にスクリーン印刷またはリボン形態(はんだペレット)により配設される。
また、4つの圧電単結晶体61および3つの第1のろう材73が積層された積層振動子41の両端が挟まれるように金属ブロックであるフロントマス42およびバックマス43が接合される。
ここでは、両端に位置する圧電単結晶体61とフロントマス42およびバックマス43の間に、第2の接合材料としての非鉛はんだである第2のろう材76が設けられる。
異種材料である圧電単結晶体61とフロントマス42またはバックマス43の間に介装される第2のろう材76は、図10に示すように、第1のろう材73の厚さd1よりも厚い厚さd2に設定されている。
なお、第2のろう材76も、第1のろう材73と同様に、圧電単結晶体61の下地金属72上またはフロントマス42およびバックマス43の一面にスクリーン印刷またはリボン形態(はんだペレット)により配設される。
そして、4つの圧電単結晶体61、フロントマス42およびバックマス43は、互いを接合する第1のろう材73および第2のろう材76が溶融する温度まで加熱されて、ゆっくり冷却される。こうして、4つの圧電単結晶体61、フロントマス42およびバックマス43は、積層した状態で第1のろう材73および第2のろう材76によって互いが接合される。
なお、4つの圧電単結晶体61、フロントマス42およびバックマス43を接合する加熱工程の際に、必要に応じて積層方向に圧縮するように加圧を行うとよい。
こうして、4つの圧電単結晶体61、フロントマス42およびバックマス43が積層して第1のろう材73または第2のろう材76によって接合された超音波振動子2が完成される。
このように製造された超音波振動子2では、4つの圧電単結晶体61に成膜された下地金属72を含んで、第1のろう材73および第2のろう材76によって正電側接合金属62または負電側接合金属63が構成されている。
なお、フロントマス42の一端面中央には、タップ付のネジ穴42aが加工されている。このネジ穴42aにホーン32に一体形成されたネジ部32aが螺合することで、ホーン32とフロントマス42が螺着される。
そして、図11および図12に示すように、超音波振動子2へ通電部材である2つのFPC47,48が実装される。
具体的には、超音波振動子2の正電側接合金属62および負電側接合金属63は、FPC47,48の電気接点と、はんだ、導電性ペーストなどを用いて形成された電気接続部49を介して電気的に接続される。
即ち、正電側接合金属62および負電側接合金属63と、FPC47,48との電気的接続を取るために、正電側接合金属62および負電側接合金属63の外表面にFPC47,48の電気接点が電気接続部49を介して接触して、FPC47,48が積層振動子41に固定される。
このようにして、正電側接合金属62および負電側接合金属63と、FPC47,48との電気的接続が確立される。そして、FPC47,48には、上述の電気ケーブル36の配線36a,36b(図3および図4参照)が接続される。
なお、図10から図12では、ホーン32とフロントマス42とが螺着された状態を示しているが、ホーン32とフロントマス42との螺着による接合に関しては、超音波振動子2へのFPC47,48の装着前後のいずれかで行えばよい。
このような構成により、正電極側として、電気ケーブル36の配線36aと、FPC47,電気接続部49、正電極側金属62が電気的に接続される。また、負電極側として、電気ケーブル36の配線36bと、FPC48、電気接続部49、負電極金属63が電気的に接続される。これらの電気的接続により、駆動信号は正電側接合金属62を介して4つの圧電単結晶体61に印加され、負電側接合金属63から帰還される。
なお、正電側接合金属62、負電側接合金属63および電気接続部49の露出する表面部分には、樹脂などの絶縁体で覆い、不良となる不要な電気的接続の発生を防いでもよく、FPC47,48の機械的固定の補強を目的として、正電側接合金属62および負電側接合金属63にFPC47,48を接着剤で固定しても良い。さらに、FPC47,48は、4つの圧電単結晶体61の側部の表面に接着剤で固定してもよい。
以上に説明した超音波振動子2の製造プロセスにより、先端から順に、フロントマス42、4つの圧電単結晶体61およびバックマス43を、接合金属層かつ正電側接合金属62および負電側接合金属63となる第1のろう材73および第2のろう材76によって接合することで一体化し、この積層体の側面に設けられるFPC47,48から電気接続部49を介して、正電側接合金属62に駆動信号を印加して、負電側接合金属63により帰還させることで、超音波振動子2の全体を超音波振動させるようにしている。
ところで、上述の超音波振動子2では、積層振動子41の圧電単結晶体61同士を接合する箇所が同種材料、ここではニオブ酸リチウム(LiNbO3)同士の接合になるので、接合時および駆動時の温度変化により4つの圧電単結晶体61に生じる熱応力は小さい。
一方、圧電単結晶体61とフロントマス42およびバックマス43とを接合する箇所が異種材料の接合となるので、異なる2つの材料、ここではニオブ酸リチウム(LiNbO3)の熱膨張係数(8〜15×10―6[1/℃])とジュラルミンの熱膨張係数(24×10―6[1/℃])との差から接合時および駆動時の温度変化によりフロントマス42またはバックマス43と接合された両端にある2つの圧電単結晶体61に同種材料接合部よりも大きな熱応力が発生する。
そのため、フロントマス42またはバックマス43と接合された両端にある2つの圧電単結晶体61は、大きな熱応力が生じ、内力の増加に伴って内部にストレスが生じて割れが発生してしまう。
また、正電側接合金属62または負電側接合金属63を構成している第1のろう材73および第2のろう材76は、圧電単結晶体61、フロントマス42およびバックマス43よりもヤング率(弾性定数)が小さくて柔らかい材料である。
そのため、第1のろう材73または第2のろう材76は、圧電単結晶体61に発生する熱応力を吸収する作用があるが、超音波振動子2で発生する超音波の吸収も大きくなる。
したがって、第1のろう材73および第2のろう材76の厚さが厚すぎるとランジュバン振動子としての超音波振動子2の特性が低下する。
これを防止するために、本実施の形態の超音波振動子2は、同種材料である4つの圧電単結晶体61間を接合する同種材料接合部としての第1のろう材73の厚さを4つの圧電単結晶体61の接合に必要な最低限の厚さd1とし、相対的に大きな熱応力が発生する異種材料接合部としての第2のろう材76の厚さd2を第1のろう材73の厚さd1よりも厚く(d1<d2)して、加熱工程時および駆動時の熱応力が両端の2つの圧電単結晶体61に伝わり難いようにしている。
換言すると、第2のろう材76は、圧電単結晶体61、フロントマス42およびバックマス43よりヤング率(弾性定数)が小さくて柔らかい。そのために、超音波振動子2では、第2のろう材76を厚くして、異種材料接合部である圧電単結晶体61とフロントマス42またはバックマス43とを接合する応力緩和層として作用させている。
また、応力緩和層の構成としては、その厚さが厚いほうが好ましいが、フロントマス42およびバックマス43に使用されるジュラルミンおよびニオブ酸リチウム(LiNbO3)からなる圧電単結晶体61と比べると、超音波振動子2で発生させる超音波の損失が大きくなる。
そのため、第1のろう材73および第2のろう材76の体積は、できるだけ少ないほうが望ましい。つまり、第1のろう材73および第2のろう材76の体積が少ないほうが超音波振動子2全体の特性として、発生する超音波の損失の少ないものとなる。
そこで、本実施の形態の超音波振動子2は、熱応力がほとんど発生しない4つの圧電単結晶体61間の接合部に必要な最低限の厚さd1とした第1のろう材73を用いて性能低下(Q値の低下)を防止すると共に、熱膨張係数差による熱応力が顕著に発生する両端に設けられた2つの圧電単結晶体61とフロントマス42またはバックマス43との接合部に第1のろう材73よりも厚い厚さd2の第2のろう材76を用いることで、かかる熱応力を小さくして、異種材料接合部に設けられた2つの圧電単結晶体61の割れを抑えるようにしている。
これにより、超音波振動子2は、フロントマス42またはバックマス43と接合される両端に設けられた2つの圧電単結晶体61の割れを防止しながら、超音波振動子2全体としての性能劣化を防止することができる。
なお、圧電単結晶体61に生じる熱応力を小さくするために、第1のろう材73および第2のろう材76の熱膨張係数は、圧電単結晶体61の熱膨張係数(8〜15×10―6[1/℃])とフロントマス42およびバックマス43の熱膨張係数(24×10―6[1/℃])の間にある接合金属を用いることが望ましい。
第1のろう材73および第2のろう材76は、例えば、ニオブ酸リチウム(LiNbO3)の圧電単結晶体61とジュラルミンのフロントマス42およびバックマス43の熱膨張係数の間の熱膨張係数を有するSn−Ag−Cu系ハンダが用いられている。
第1のろう材73および第2のろう材76に用いるSn−Ag−Cu系ハンダの熱膨張係数は、ニオブ酸リチウム(LiNbO3)の熱膨張係数(8〜15×10―6[1/℃])よりも大きく、ジュラルミンの熱膨張係数(24×10―6[1/℃])よりも小さい21×10―6[1/℃]である。
これにより、特に、両端に設けられた2つの圧電単結晶体61と、フロントマス42およびバックマス43と、の接合材料であるSn−Ag−Cu系ハンダの第2のろう材76が、両端に設けられた2つの圧電単結晶体61とフロントマス42およびバックマス43の熱膨張係数差を吸収する役割となり、圧電単結晶体61への応力が低減され、圧電単結晶体61の内部に割れが発生することが防止される。
なお、第2のろう材76は、ニオブ酸リチウム(LiNbO3)とジュラルミンの熱膨張係数の間の熱膨張係数を有していればよく、Su−Ag−Cu系ハンダの他に、例えば、Sn系ハンダ、Sn−Ag系ハンダまたはSn−Cu系ハンダでもよい。
さらに、圧電単結晶体61中に、フロントマス42およびバックマス43の熱膨張係数の差によって生じる熱応力が第2のろう材76の厚さに応じて図13に示すような曲線で示すように発生する。
なお、図13の曲線上のP1は、圧電単結晶体61がフロントマス42およびバックマス43との熱膨張係数差によって発生する熱応力σ1により割れてしまう点を示している。
ここで、接合金属である第2のろう材76の厚さd2は、P1に基いて、P2に示す、所定の安全率(例えば、熱応力σ1の半分)が考慮された圧電単結晶体61に熱応力σ2が生じても割れない厚さd2min以上から、P3に示す、ろう材76の厚さを変えても圧電単結晶体61に生じる熱応力σ3がほとんど変化しないようになる厚さd2maxに設定される。
なお、図13に示すように、第2のろう材76の厚さd2は、厚さd2maxを超えても、フロントマス42およびバックマス43との熱膨張係数差により圧電単結晶体61に生じる熱応力σ3が変化しないため、厚さd2maxよりも厚くすると、より超音波振動子2の性能低下を招く。
したがって、第2のろう材76の厚さd2は、超音波振動子2が発生する超音波の損失が仕様の許容範囲であれば、厚さd2maxとすることが最も好ましい。即ち、第2のろう材76の厚さd2の上限は、圧電単結晶体61に生じる熱応力σ3が変化しなくなる最も薄い厚さd2maxとする。
さらに、第1のろう材73の厚さd1に対して第2のろう材76の厚さd2を厚くするには、スクリーン印刷による厚さ設定または予め用意するはんだペレットを厚くしておけばよいので、余分な工程、プロセスなどを変更すること無く、安価な超音波振動子2を実現することができる。
なお、第1のろう材73および第2のろう材76にリボン形態(はんだペレット)を用いた場合、例えば、図14に示すように、第1のろう材73を複数、ここでは2つ重ねて第2のろう材76を形成すれば、厚さの異なるものを用意する必要が無くなる。即ち、第2のろう材76は、第1のろう材73の整数倍の厚さd2に設定することで、より安価となる。
また、上述では、超音波振動子2は、矩形ブロック状の最も安価に製造できる形状の例を挙げたが、これに限定されることなく、これら部材の形状が、例えば、円柱形状としたものでもよい。
以上に説明したように、本実施の形態の積層型超音波振動デバイスである超音波振動子2およびこの超音波振動子2を有する超音波医療装置1は、安価に製造できると共に、マス材としての金属ブロックと圧電体の熱膨張係数の差異によって起因して生じる応力によって圧電体が破損などすることを防止することができる構成となる。
上述の実施の形態に記載した発明は、その実施の形態および変形例に限ることなく、その他、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々の変形を実施し得ることが可能である。さらに、上記実施の形態には、種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組合せにより種々の発明が抽出され得るものである。
例えば、実施の形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、述べられている課題が解決でき、述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得るものである。
1…超音波医療装置
2…超音波振動子
3…振動子ユニット
4…ハンドルユニット
5…操作部
6…プローブ
7…外套管
8…挿入シース部
9…操作部本体
10…固定ハンドル
11…可動ハンドル
12…回転ノブ
13…スリット
14…ハンドルストッパ
15…ハンドル支軸
16…連結アーム
17…操作パイプ
18…大径部
19…操作パイプ
20…スライダ
22…固定リング
23…把持部
30…先端処置部
31…先端部
32…ホーン
32a…ネジ部
33…外向フランジ
34…プローブ本体
35…ゴムライニング
36…電気ケーブル
36a,36b…配線
41…積層振動子
42…フロントマス
42a…ネジ穴
43…バックマス
49…電気接続部
51…カバー体
52…折れ止
61…圧電単結晶体
62…正電側接合金属
63…負電側接合金属
71…圧電単結晶ウエハ
72…下地金属
73…第1のろう材
76…第2のろう材

Claims (7)

  1. 2つのマス材の間に複数の圧電体が設けられた積層型超音波振動デバイスにおいて、
    前記2つのマス材および前記複数の圧電体よりも弾性定数が小さなろう材を用いて、同種材料接合部となる前記複数の圧電体間を第1の厚さを有した第1の金属接合層によって接合し、異種材料接合部となる前記複数の圧電体と前記マス材との間を前記第1の厚さよりも厚い第2の厚さを有した第2の金属接合層によって接合したことを特徴とする積層型超音波振動デバイス。
  2. 前記複数の圧電体が圧電単結晶材料であることを特徴とする請求項1に記載の積層型超音波振動デバイス。
  3. 前記第1の金属接合層および第2の金属接合層が電極層となることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の積層型超音波振動デバイス。
  4. 前記ろう材の熱膨張係数は、前記複数の圧電体の熱膨張係数と、前記2つのマス材の熱膨張係数の中間の範囲内とすることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の積層型超音波振動デバイス。
  5. 前記ろう材に、前記第1の厚さを有するはんだペレットが用いられ、
    前記第2の厚さが前記第1の厚さの整数倍に設定されていることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の積層型超音波振動デバイス。
  6. 前記第2の厚さの上限は、前記2つのマス材との熱膨張係数の差によって前記複数の圧電体に生じる熱応力が変化しなくなる最も薄い厚さとしたことを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の積層型超音波振動デバイス。
  7. 請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の前記積層型超音波振動デバイスと、
    前記積層型超音波振動デバイスで発生した超音波振動が伝達され生体組織を処置するプローブ先端部と、
    を具備することを特徴とする超音波医療装置。
JP2014012687A 2014-01-27 2014-01-27 積層型超音波振動デバイスおよび超音波医療装置 Active JP6270506B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014012687A JP6270506B2 (ja) 2014-01-27 2014-01-27 積層型超音波振動デバイスおよび超音波医療装置
CN201580005735.6A CN105934954B (zh) 2014-01-27 2015-01-21 层叠型超声波振动器件和超声波医疗装置
PCT/JP2015/051542 WO2015111622A1 (ja) 2014-01-27 2015-01-21 積層型超音波振動デバイスおよび超音波医療装置
EP15739798.5A EP3101912B1 (en) 2014-01-27 2015-01-21 Laminated ultrasonic vibration device and ultrasonic medical apparatus
US15/221,087 US10322437B2 (en) 2014-01-27 2016-07-27 Stacked ultrasound vibration device and ultrasound medical apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014012687A JP6270506B2 (ja) 2014-01-27 2014-01-27 積層型超音波振動デバイスおよび超音波医療装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015142173A JP2015142173A (ja) 2015-08-03
JP6270506B2 true JP6270506B2 (ja) 2018-01-31

Family

ID=53681423

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014012687A Active JP6270506B2 (ja) 2014-01-27 2014-01-27 積層型超音波振動デバイスおよび超音波医療装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10322437B2 (ja)
EP (1) EP3101912B1 (ja)
JP (1) JP6270506B2 (ja)
CN (1) CN105934954B (ja)
WO (1) WO2015111622A1 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6292963B2 (ja) * 2014-04-25 2018-03-14 オリンパス株式会社 超音波振動子及び超音波医療装置
US10312429B2 (en) * 2016-07-28 2019-06-04 Eyob Llc Magnetoelectric macro fiber composite fabricated using low temperature transient liquid phase bonding
CN107991509B (zh) * 2017-12-21 2024-02-20 成都工业学院 一种层结构质量块及其制作方法、加速度传感器及其制作方法
KR102192628B1 (ko) * 2020-07-03 2020-12-17 박상부 팁을 구비한 초음파 진동자 모듈용 혼의 제조 방법

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4582240A (en) * 1984-02-08 1986-04-15 Gould Inc. Method for low temperature, low pressure metallic diffusion bonding of piezoelectric components
JPH03174782A (ja) * 1989-09-20 1991-07-29 Fuji Electric Co Ltd 積層形圧電アクチュエータ素子
JPH04343282A (ja) * 1991-05-21 1992-11-30 Nec Corp 圧電効果素子および電歪効果素子
US6291930B1 (en) * 1998-08-13 2001-09-18 Oceaneering International, Inc. Low voltage piezoelectric bender elements and unit cells
US7154206B2 (en) * 2002-07-31 2006-12-26 Kyocera Corporation Surface acoustic wave device and method for manufacturing same
JP4808915B2 (ja) * 2003-09-24 2011-11-02 京セラ株式会社 積層型圧電素子及び噴射装置
CN100522086C (zh) * 2005-02-28 2009-08-05 奥林巴斯株式会社 超声波处置装置
EP1898476B1 (en) * 2005-06-15 2014-11-19 Kyocera Corporation Multilayer piezoelectric element and ejector using this
JP4956054B2 (ja) * 2005-06-28 2012-06-20 京セラ株式会社 積層型圧電素子およびこれを用いた噴射装置
JP2008128875A (ja) * 2006-11-22 2008-06-05 Nec Tokin Corp 超音波振動体
JP2008172885A (ja) * 2007-01-10 2008-07-24 Konica Minolta Opto Inc 超音波アクチュエータ
JP2009268182A (ja) * 2008-04-22 2009-11-12 Olympus Corp 積層圧電素子及び超音波モータ
AT506705B1 (de) * 2008-09-11 2009-11-15 Piezocryst Advanced Sensorics Piezoelektrischer drucksensor
CN201921821U (zh) * 2010-12-21 2011-08-10 广东固特超声实业有限公司 超声波换能器
JP5875857B2 (ja) 2011-12-26 2016-03-02 オリンパス株式会社 超音波振動デバイスおよび超音波医療装置
CN102715935B (zh) * 2012-07-10 2014-04-09 浙江舒友仪器设备有限公司 一种超声波手术刀
JP5963603B2 (ja) * 2012-08-03 2016-08-03 オリンパス株式会社 超音波振動デバイス、超音波振動デバイスの製造方法および超音波医療装置
US20180159502A1 (en) * 2016-12-02 2018-06-07 Skyworks Solutions, Inc. Methods of manufacturing electronic devices to prevent water ingress during manufacture

Also Published As

Publication number Publication date
CN105934954A (zh) 2016-09-07
EP3101912B1 (en) 2018-08-29
US20160332197A1 (en) 2016-11-17
JP2015142173A (ja) 2015-08-03
WO2015111622A1 (ja) 2015-07-30
EP3101912A1 (en) 2016-12-07
EP3101912A4 (en) 2017-10-18
US10322437B2 (en) 2019-06-18
CN105934954B (zh) 2019-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9831412B2 (en) Ultrasound vibration device, method of manufacturing ultrasound vibration device, and ultrasound medical apparatus
JP6326275B2 (ja) 超音波振動子及び超音波医療装置
JP5875857B2 (ja) 超音波振動デバイスおよび超音波医療装置
JP6270506B2 (ja) 積層型超音波振動デバイスおよび超音波医療装置
JP6270505B2 (ja) 積層型超音波振動デバイス、積層型超音波振動デバイスの製造方法および超音波医療装置
US20160001326A1 (en) Multilayer ultrasound vibration device, production method for multilayer ultrasound vibration device, and ultrasound medical apparatus
JP2014011737A (ja) 超音波振動デバイス、超音波振動デバイスの製造方法および超音波医療装置
JP6437562B2 (ja) 超音波振動子及び超音波処置具
JP6086742B2 (ja) 超音波振動デバイスおよび超音波医療装置
US20170365769A1 (en) Ultrasonic transducer and ultrasonic medical device
WO2016051486A1 (ja) 超音波振動子及び超音波医療装置
JP6292963B2 (ja) 超音波振動子及び超音波医療装置
WO2013179776A1 (ja) 超音波振動デバイス、超音波振動デバイスの製造方法および超音波医療装置
US20190008548A1 (en) Ultrasound medical device
JP2015144788A (ja) 超音波振動デバイスおよび超音波医療装置
JP2015211535A (ja) 超音波振動子及び超音波医療装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20161003

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20171219

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20171226

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6270506

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250