JP6268563B2 - 撮像装置、及び固体撮像装置 - Google Patents
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 147
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 104
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 37
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 28
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 19
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 12
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 12
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 8
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 8
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/67—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14645—Colour imagers
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/68—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to defects
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Studio Devices (AREA)
Description
まず、本実施の形態に係る撮像装置200の構成を説明する。図1は、本実施の形態に係る撮像装置200のブロック図である。図2は、図1に示す1つの画素204の信号出力経路214を示す図である。
=α・β・γ・ε ・・・(式5)
図6〜図8を用いて本実施の形態の変形例について説明する。図6に示す固体撮像装置201Aは、通常の画素204に加え、OB画素204Aを備える点が図1に示す固体撮像装置201と異なる。OB画素204Aは、撮像領域の上部又は下部に配置される。
近年、CIS(Contact Image Sensing)方式によってミクロ構造を観察する技術が注目されている。CIS方式による場合、観察対象は、イメージセンサの撮像面に近接して配置される。イメージセンサとしては、一般に、多数の光電変換部が撮像面内に行及び列状に配列された2次元イメージセンサが用いられる。光電変換部は、典型的には、半導体層又は半導体基板に形成されたフォトダイオードであり、入射光を受けて電荷を生成する。
本変形例では、図9の光源230及びゴニオステージ234を実施の形態2に示した画像のいずれか1つを撮像するときの条件に設定し、補正係数を得ておくことで、光電変換部204aの量子効率ηによる画像ザラも、更に高精度に低減する方法を提供する。
=ηijNij・(ηij+ηi+1j)/2 ・・・(式8)
本開示は、撮像装置として実現することができるだけでなく、当該撮像装置に用いられる固体撮像装置201又は201Aとして実現することができる。
201、201A 固体撮像装置
202 信号処理装置
203 計算機
204 画素
204a 光電変換部
204b リセットトランジスタ
204c 増幅トランジスタ
204d 選択トランジスタ
204A OB画素
205 列回路
206 出力アンプ
207 垂直信号線
208 VSR回路
209 CDS回路
210 HSR回路
211 AFE
212 ロジック回路及びメモリ
213 電流源トランジスタ
214 信号出力経路
230 光源
231 コリメートレンズ
232B 青色光源
232G 緑色光源
232R 赤色光源
233 ステージ
234、234a、234b ゴニオステージ
235 位置
241 被写体
Claims (8)
- 二次元状に配列された複数の画素を有する固体撮像装置と、
前記固体撮像装置からの出力信号を処理する信号処理装置とを含む撮像装置であって、
前記画素内の信号蓄積部に第1の電圧振幅を直接印加することにより得られる第1の仮補正信号と、前記信号蓄積部に前記第1の電圧振幅とは異なる第2の電圧振幅を印加することにより得られる第2の仮補正信号との差分に基づき補正信号を生成し、
前記固体撮像装置が撮影駆動を行うことで画像信号を取得し、
前記画像信号に前記補正信号を適用することで補正画像を生成する
撮像装置。 - 前記複数の画素は、通常画素と、オプティカルブラック画素とを含み、
前記第1の仮補正信号は、前記オプティカルブラック画素内の信号蓄積部に、一定電圧を直接印加することにより得られ、前記第2の仮補正信号は、前記通常画素内の信号蓄積部に光信号に相当する電圧振幅を直接印加することにより得られる
請求項1記載の撮像装置。 - 前記画素は、前記画素の外部からの印加電圧により前記信号蓄積部のリセットを行うためのリセットトランジスタを含み、
前記リセットトランジスタをオンしたまま、前記リセットトランジスタに印加する電圧を変化させ、
当該変化の前と後それぞれにおける前記画素からの出力信号の差分を算出することにより前記第1の仮補正信号及び前記第2の仮補正信号を得る
請求項1又は2記載の撮像装置。 - 二次元状に配列された画素を有する固体撮像装置と、
前記固体撮像装置からの出力信号を処理する信号処理装置とを含む撮像装置であって、
(1)被写体の撮影によって得られる第1の画像信号と、(2)前記被写体の撮影時に前記固体撮像装置上に結像する被写体に対して、水平方向又は垂直方向に1以上の整数画素分前記固体撮像装置上を移動して被写体が結像するように撮影することによって得られる第2の画像信号と、を撮影し、
前記第1の画像信号と前記第2の画像信号とを使用して量子効率補正係数を算出し、
任意の撮影条件による画像信号に前記量子効率補正係数を適用することで量子効率補正画像を生成する
撮像装置。 - 前記撮像装置は、
n(nは2以上の整数)個の前記画像信号を取得し、
前記補正信号及び前記n個の画像信号を用い超解像画像を生成し、
前記補正信号を生成した後、かつ、前記n個の画像信号のうち1番目の画像信号を取得した後に、前記1番目の画像信号に対する補正画像を生成する工程と同時に2番目の画像信号を取得し、
(k(kは3からnまでの整数)−1)番目の画像信号に対する補正画像を生成する工程と同時にk番目の画像信号を取得する
請求項1又は2記載の撮像装置。 - 前記信号処理装置は、記憶装置を備え、
前記信号処理装置は、
前記補正信号を前記記憶装置に記憶し、
前記画像信号に前記記憶装置に記憶されている前記補正信号に適用することで補正画像を生成し、
前記補正画像を計算機に出力する
請求項1又は2記載の撮像装置。 - 前記撮像装置は、前記信号処理装置からの出力信号を処理し画像出力する計算機をさらに備え、
前記画像信号及び前記補正信号を前記信号処理装置を介し前記計算機に入力し、
前記計算機が、前記画像信号に対し前記補正信号を適用することで前記補正画像を生成する
請求項1又は2記載の撮像装置。 - 固体撮像装置と、当該固体撮像装置からの出力信号を処理する信号処理装置を含み、
画素内の信号蓄積部に第1の電圧振幅を直接印加することにより得られる第1の仮補正信号と、前記信号蓄積部に前記第1の電圧振幅とは異なる第2の電圧振幅を印加することにより得られる第2の仮補正信号との差分に基づき補正信号を生成し、
画像信号に前記補正信号を適用することで補正画像を生成する撮像装置に用いられる固体撮像装置であって、
前記固体撮像装置は、
二次元状に配列された複数の前記画素を有し、撮影駆動を行うことで前記画像信号を取得する
固体撮像装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015169672 | 2015-08-28 | ||
JP2015169672 | 2015-08-28 | ||
PCT/JP2016/003845 WO2017038052A1 (ja) | 2015-08-28 | 2016-08-24 | 撮像装置、及び固体撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6268563B2 true JP6268563B2 (ja) | 2018-01-31 |
JPWO2017038052A1 JPWO2017038052A1 (ja) | 2018-02-08 |
Family
ID=58188455
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017537532A Active JP6268563B2 (ja) | 2015-08-28 | 2016-08-24 | 撮像装置、及び固体撮像装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10129494B2 (ja) |
JP (1) | JP6268563B2 (ja) |
CN (1) | CN107925732B (ja) |
WO (1) | WO2017038052A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109842769B (zh) * | 2017-11-28 | 2021-07-16 | 比亚迪半导体股份有限公司 | 固定模式噪声消除方法、装置、图像传感器及电子设备 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06141242A (ja) | 1992-10-26 | 1994-05-20 | Mitsubishi Electric Corp | 撮像装置 |
US7554067B2 (en) | 2001-05-07 | 2009-06-30 | Panavision Imaging Llc | Scanning imager employing multiple chips with staggered pixels |
JP4263005B2 (ja) * | 2003-03-18 | 2009-05-13 | 株式会社ルネサステクノロジ | 固体撮像装置 |
JP4470425B2 (ja) | 2003-09-12 | 2010-06-02 | ソニー株式会社 | 単位信号補正方法および半導体装置、並びに半導体装置の駆動制御方法および駆動制御装置 |
JP5149687B2 (ja) * | 2008-04-28 | 2013-02-20 | キヤノン株式会社 | 撮像センサ、撮像システム、及び撮像センサの制御方法 |
JP5451052B2 (ja) * | 2008-12-15 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
JP5470181B2 (ja) * | 2010-07-09 | 2014-04-16 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
JP6132213B2 (ja) * | 2012-08-09 | 2017-05-24 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体撮像装置 |
JP6175651B2 (ja) * | 2012-12-05 | 2017-08-09 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体撮像装置 |
CN105308949B (zh) * | 2013-06-06 | 2018-11-09 | 松下知识产权经营株式会社 | 图像获取装置、图像获取方法以及记录介质 |
JP2015198273A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-09 | ソニー株式会社 | イメージセンサ、およびイメージセンサの動作方法、撮像装置および撮像方法、並びに電子機器 |
-
2016
- 2016-08-24 JP JP2017537532A patent/JP6268563B2/ja active Active
- 2016-08-24 WO PCT/JP2016/003845 patent/WO2017038052A1/ja active Application Filing
- 2016-08-24 CN CN201680048916.1A patent/CN107925732B/zh active Active
-
2018
- 2018-02-20 US US15/900,037 patent/US10129494B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107925732A (zh) | 2018-04-17 |
CN107925732B (zh) | 2019-05-28 |
US10129494B2 (en) | 2018-11-13 |
US20180191975A1 (en) | 2018-07-05 |
JPWO2017038052A1 (ja) | 2018-02-08 |
WO2017038052A1 (ja) | 2017-03-09 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171024 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20171024 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20171121 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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