JP6256598B2 - 光合成装置 - Google Patents
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Description
ところで、図2(c)に示されるように、太陽光スペクトルでは、波長が0.3μm〜1.1μmの光の強度が高い。この波長領域は、Si、GaAs、GaN等の半導体材料のバンドギャップと一致する領域であるため、これらの半導体材料を用いて光合成装置を作製することが可能である。
次に、本実施の形態における光合成装置について、図3に基づき説明する。図3は、本実施の形態における光合成装置の断面図である。本実施の形態における光合成装置は、Si(シリコン)により形成された半導体基板10の表面に、溝部20が形成されている。溝部20には、二酸化炭素を含む水100が供給されており、溝部20は、二酸化炭素を含む水100を流す流路となるマイクロチャネル水槽となっている。本実施の形態においては、溝部20は、幅が約95μm、深さが約10μmとなる溝により形成されている。溝部20は、溝部20の底面と両側の側面20a、20bに囲まれた領域であり、溝部20における一方の側面20aと他方の側面20bは対向している。
次に、本実施の形態における光合成装置の製造方法について、図6〜図16に基づき説明する。本実施の形態における光合成装置は、pn接合型の光合成装置である。
次に、第2の実施の形態について説明する。ところで、第1の実施の形態における光合成装置は、半導体材料としてSiを用いたが、太陽電池等と同様に、Siは間接遷移型半導体のため太陽光エネルギー変換効率が悪い。これに対し、GaAs、InP、GaN等の直接遷移型半導体は、太陽光エネルギー変換効率が、Siよりも優れている。半導体材料としてSiを用いた場合には、pn接合を形成する際にイオン注入を用いたが、半導体材料としてGaAs、InP、GaN等を用いる場合には、再成長によりpn接合を形成する。
次に、本実施の形態における光合成装置の製造方法について、図17〜図24に基づき説明する。本実施の形態における光合成装置は、一例として、半導体材料としてGaNを用いたpn接合型の光合成装置である。
次に、第3の実施の形態について説明する。本実施の形態における光合成装置は、タンデム接合型の光合成装置であり、n型領域及びp型領域が、バンドギャップの異なる複数の半導体層を積層することにより形成されている光合成装置である。
本実施の形態は、半導体基板110の上にGaN層111を形成し、GaN層111の上に形成される溝部120の両側に、バンドギャップの異なる材料を積層することにより形成されたn型領域210とp型領域220とが形成されている光合成装置である。具体的には、n型領域210は積層されたn−InGaN層211、n−GaN層212、n−AlGaN層213により形成されており、p型領域220は積層されたp−InGaN層221、p−GaN層222、p−AlGaN層223により形成されている。
本実施の形態の製造方法は、GaN層111の上に、n−InGaN層211、n−GaN層212、n−AlGaN層213及びp−InGaN層221、p−GaN層222、p−AlGaN層223を形成することを除き、第2の実施の形態と同様である。
次に、第4の実施の形態について説明する。ところで、GaN系窒化物半導体においては、p型にするために不純物元素として、Mg(マグネシウム)をドープしているが、活性化率が数%て極めて低く、不活性なMgは再結合中心となるため、太陽光等の光のエネルギーの変換効率が低下する場合がある。よって、本実施の形態における光合成装置は、p型領域を形成することなく、GaNにおける分極効果を利用した光合成装置である。
本実施の形態における光合成装置を図28及び図29に基づき説明する。尚、図28(a)は、本実施の形態における光合成装置における表面カバー膜170を透過した上面図であり、図28(b)は、図28(a)における一点鎖線28A−28Bにおいて切断した断面図である。
次に、本実施の形態における光合成装置の製造方法について説明する。
次に、第5の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第4の実施の形態における第1の半導体領域及び第2の半導体領域がバンドギャップの異なる複数の半導体層を積層することにより形成した構造の光合成装置である。
本実施の形態における光合成装置について、図32に基づき説明する。尚、図32(a)は、本実施の形態における光合成装置における表面カバー膜170を透過した上面図であり、図32(b)は、図32(a)における一点鎖線32A−32Bにおいて切断した断面図である。
次に、本実施の形態における光合成装置の製造方法について説明する。
次に、第6の実施の形態について説明する。本実施の形態は、図35に示されるように、第2の実施の形態における光合成装置において、溝部120と半導体基板110の裏面を接続する貫通孔121が形成されいる構造の光合成装置である。尚、図35(a)は、本実施の形態における光合成装置における表面カバー膜170を透過した上面図であり、図35(b)は、図35(a)における一点鎖線35A−35Bにおいて切断した断面図である。
次に、第7の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第1〜第6の実施の形態における光合成装置がユニット化されている光合成ユニットを用いた二酸化炭素吸収システムである。本実施の形態における二酸化炭素吸収システムは、図36に示されるように、第1〜第6の実施の形態における光合成装置がユニット化されている光合成ユニット510、二酸化炭素溶解槽520、送水ポンプ530、炭素固定化装置540等を有している。
次に、第8の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第1〜第6の実施の形態における光合成装置がユニット化されている光合成ユニット510を用いた冷却システムである。第1〜第6の実施の形態における光合成装置は、植物と同様の水の蒸散作用があるため、蒸発熱による冷却効果を有している。よって、本実施の形態における冷却システムは、第1〜第6の実施の形態における光合成装置がユニット化されている光合成ユニット510と太陽電池がユニット化されている太陽光パネル550とを有しており、住居の屋根等に設置されている。本実施の形態においては、光合成ユニット510に水を供給する際に必要な不図示の送水ポンプを駆動するための電力は、太陽光パネル550において発電された電力が用いられる。このため、本実施の形態における冷却システムは、他のエネルギー源を頼ることのない自立したシステムである。本実施の形態における冷却システムは、住居のみならず、自然や冷却を必要とする施設等においても用いることができる。
次に、第9の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第1〜第6の実施の形態における光合成装置がユニット化されている光合成ユニット510を工場やデータセンタに設置したものである。本実施の形態においては、図38に示すように、光合成ユニット510と太陽電池がユニット化されている太陽光パネル550をデータセンタの屋上に設置することにより、ゼロエミッション型データセンタにすることができる。
次に、第10の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第1〜第6の実施の形態における光合成装置がユニット化されている光合成ユニット510を地球の地面等に設置した地球冷却システムである。
次に、第11の実施の形態について説明する。本実施の形態は、密閉された空間における二酸化炭素濃度の制御システムである。具体的には、満員電車や体育館等の密閉空間に人が存在していると、人の呼吸により密閉空間における二酸化炭素の濃度が高くなり、気分が悪くなったり、熱中症や過呼吸を発症する場合がある。
次に、第12の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第1〜第6の実施の形態における光合成装置がユニット化されている光合成ユニット510を用いた都市環境ネットワークシステムである。都市部における二酸化炭素の濃度は農村部と比べて高く、このことを一つの要因としてヒートアイランド現象によるゲリラ豪雨等の異常気象がもたらされている。また、都市部は緑化についても面積が限られている。
11 n型領域
12 p型領域
20 溝部
20a 一方の側面
20b 他方の側面
30 H2O酸化電極
40 CO2還元電極
50 プロトン隔壁膜
51 プロトン隔壁支持部
60a 配線電極
60b 配線電極
70 表面カバー膜
100 水
110 半導体基板
111 GaN層
112 p−GaN層(p型領域)
113 n−GaN層(n型領域)
120 溝部
120a 一方の側面
120b 他方の側面
121 貫通孔
130 H2O酸化電極
140 CO2還元電極
150 プロトン隔壁膜
151 プロトン隔壁支持部
161 第1の配線電極
162 第2の配線電極
170 表面カバー膜
210 n型領域
211 n−InGaN層
212 n−GaN層
213 n−AlGaN層
220 p型領域
221 p−InGaN層
222 p−GaN層
223 p−AlGaN層
310 第1の半導体領域(第1のGaN領域)
320 第2の半導体領域(第2のGaN領域)
330 第3の半導体領域(AlGaN領域)
410 第1の半導体領域
411 InGaN層
412 GaN層
413 AlGaN層
420 第2の半導体領域
421 InGaN層
422 GaN層
423 AlGaN層
Claims (10)
- 半導体基板に形成された溝部と、
前記半導体基板において、前記溝部の一方の側面に形成された第1の導電型領域と、
前記半導体基板において、前記溝部の他方の側面に形成された第2の導電型領域と、
前記溝部の一方の側面における前記第1の導電型領域に接して形成された酸化電極と、
前記溝部の他方の側面における前記第2の導電型領域に接して形成された還元電極と、
前記溝部の中央部分に形成されるプロトン隔壁膜と、
を有し、
前記酸化電極及び前記還元電極は、前記溝部の深さと同じ高さで形成されており、
前記溝部には二酸化炭素の含まれた水が供給されており、
前記酸化電極または前記還元電極に光を照射することにより、前記酸化電極において、水より酸素と水素イオンが生成され、生成された水素イオンは、前記プロトン隔壁膜を透過し、前記還元電極において、二酸化炭素と反応してギ酸を生成することを特徴とする光合成装置。 - 前記半導体基板はシリコン基板であることを特徴とする請求項1に記載の光合成装置。
- 基板の上に形成された半導体層と、
前記半導体層に形成された溝部と、
前記溝部の一方の側面に形成された第1の導電型領域と、
前記溝部の他方の側面に形成された第2の導電型領域と、
前記溝部の一方の側面における前記第1の導電型領域に接して形成された酸化電極と、
前記溝部の他方の側面における前記第2の導電型領域に接して形成された還元電極と、
前記溝部の中央部分に形成されるプロトン隔壁膜と、
を有し、
前記酸化電極及び前記還元電極は、前記溝部の深さと同じ高さで形成されており、
前記溝部には二酸化炭素の含まれた水が供給されており、
前記酸化電極または前記還元電極に光を照射することにより、前記酸化電極において、水より酸素と水素イオンが生成され、生成された水素イオンは、前記プロトン隔壁膜を透過し、前記還元電極において、二酸化炭素と反応してギ酸を生成することを特徴とする光合成装置。 - 前記第1の導電型領域及び前記第2の導電型領域は、GaNを含む材料により形成されていることを特徴とする請求項3に記載の光合成装置。
- 前記第1の導電型領域は、バンドギャップの異なる複数の半導体層を積層することにより形成されており、
前記第2の導電型領域は、バンドギャップの異なる複数の半導体層を積層することにより形成されていることを特徴とする請求項3または4に記載の光合成装置。 - 前記第1の導電型はn型であって、前記第2の導電型はp型であることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の光合成装置。
- 基板の上の半導体層に形成された溝部と、
前記溝部の一方の側面に形成された第1の半導体領域と、
前記溝部の他方の側面に形成された第2の半導体領域と、
前記第1の半導体領域及び前記第2の半導体領域に接して形成された第3の半導体領域と、
前記溝部の一方の側面における前記第1の半導体領域に接して形成される酸化電極と、
前記溝部の他方の側面における前記第2の半導体領域に接して形成される還元電極と、
前記溝部の中央部分に形成されるプロトン隔壁膜と、
を有し、
前記第3の半導体領域は、前記第1の半導体領域及び前記第2の半導体領域を形成している半導体材料よりもバンドギャップの広い半導体材料により形成されており、
前記第1の半導体領域と前記第3の半導体領域との界面には、2次元電子ガスが生成され、
前記第2の半導体領域と前記第3の半導体領域との界面には、2次元ホールガスが生成されるものであって、
前記酸化電極及び前記還元電極は、前記溝部の深さと同じ高さで形成されており、
前記溝部には二酸化炭素の含まれた水が供給されており、
前記酸化電極または前記還元電極に光を照射することにより、前記酸化電極において、水より酸素と水素イオンが生成され、生成された水素イオンは、前記プロトン隔壁膜を透過し、前記還元電極において、二酸化炭素と反応してギ酸を生成することを特徴とする光合成装置。 - 前記第1の半導体領域は、バンドギャップの異なる複数の半導体層を積層することにより形成されており、
前記第2の半導体領域は、バンドギャップの異なる複数の半導体層を積層することにより形成されていることを特徴とする請求項7に記載の光合成装置。 - 前記第1の半導体領域及び前記第2の半導体領域は、GaNを含む材料により形成されており、
前記第3の半導体領域は、AlGaNを含む材料により形成されていることを特徴とする請求項7または8に記載の光合成装置。 - 前記溝部と前記基板の裏面との間には、前記基板を貫通する貫通孔が設けられており、
前記二酸化炭素の含まれた水は、前記基板の裏面より、前記貫通孔を介し、前記溝部に供給されることを特徴とする請求項7から9のいずれかに記載の光合成装置。
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